JP3968519B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 158
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000013035 low temperature curing Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/18—Tiled displays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
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- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機材料のエレクトロルミネッセンス(electroluminescence：以下ＥＬと記す）を利用した有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に有機層を挟持してなる。このような構成の有機ＥＬ素子は、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子とが有機層において再結合する際に生じた光が、陰極または陽極側から発光光として取り出され、１０Ｖ以下の低駆動電圧で数１００〜数１００００ｃｄ／ｍ2の高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。また、有機ＥＬ素子においては、有機層の材料選択によって各色に発光する発光素子を得ることが可能であり、各色に発光する発光素子を所定状態で配列形成することによって、マルチカラー表示またはフルカラー表示が可能な表示装置を構成することが可能である。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子を用いた表示装置を大画面化するにあたっては、複数の小型パネルを平面的に繋ぎ合わせることにより、一つの大きな表示画面を構成する技術（例えば、特許文献１参照）が知られている。この場合、高精細な表示画面を実現するためには、繋ぎ合わせた部分（繋ぎ目）を目立たなくするように繋ぎ目での画素間の距離をできるだけ小さくすることが要求される。ところが、一般に、画素回路や配線、画素電極、さらには有機膜等のパターンを、基板の端面にまで形成することは困難である。
【０００４】
そこで、小型パネルの繋ぎ合わせによって表示装置を製造する方法においては、先ず、大画面を構成する小型パネルよりも大きな基板上に画素回路や配線、画素電極、さらには有機膜等のパターンを形成し、その後、繋ぎ合わせの端面付近をレーザカッターやダイシング装置等の基板切断装置で高精度に切断して小型パネルとし、これらの小型パネル同士を相互に並べて繋ぎ合わせることにより、一つの大きな表示画面を構成している。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−５５６３４号公報（第５頁）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のように複数の小型パネルを繋ぎ合わせて一つの表示画面（大画面）を構成する場合は、パネル相互の繋ぎ目をできるだけ目立たなくするために、繋ぎ目を挟む画素間の距離を、他の部分の画素間の距離と一致させることが要求される。そのため、表示部の開口端の切断端面から画素端までの距離が非常に短くなり、レーザカッターやダイシング装置等の基板切断装置では、表示部内の有機膜部分にダメージが加わってしまう。
【０００７】
これを防止するためには、画素回路や配線、画素電極が形成された基板を、有機膜を形成する直前に切断して小型パネルとし、その後、各小型パネルに対して有機層、対向電極、さらには保護膜の形成を行い、次いで小型パネル同士を相互に並べて繋ぎ合わせる、と言った手順を行う必要がある。ところが、このような手順を行った場合、通常、基板の周縁部に配置されるアライメントマークが、基板の切断によって除去される。このため、基板を切断した以降の工程では、製造装置に対して基板の位置合わせを精度良く行うことができなくなる。これを防止するためには、切断によって除去されない部分にアライメントマークを形成する必要があるが、このようにした場合は、特別な製造装置を用意したり、製造装置の仕様を変更する等の必要が生じるため、製造コストを上昇させる要因になる。
【０００８】
そこで本発明は、製造途中で基板を切断して小型化する工程を有する場合に、基板上の部材にダメージを与えることなく基板を切断し、かつ、各工程の製造装置に対して基板の位置合わせを精度良く行うことが可能な表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するための本発明の表示装置の製造方法は、先ず、第１工程では、アライメントマークが形成された素子基板の裏面側に、当該素子基板と素子基板と略同一形状の支持基板を対向配置して貼り合わせる。次に、第２工程では、支持基板上に素子基板の各分割部分を残す状態で、当該素子基板の少なくとも表面側を、当該表面側の中央部に設定された機能領域に沿って切断する。その後、第３工程では、切断された素子基板の機能領域上に有機膜を形成する。次いで第４工程では、支持基板を前記素子基板の機能領域に沿って切断することで、前記支持基板および素子基板の周縁部を除去して表示パネルを形成する。
【００１０】
このような表示装置の製造方法では、支持基板上に素子基板の各分割部分を残す状態で、当該支持基板上において素子基板の少なくとも表面側が切断されるため、支持基板上には、周囲から切断分離された素子基板の機能領域と共に、素子基板に設けられたアライメントマークとがそのまま残される。このため、次の第３工程で有機膜を形成する際には、切断前の大きさの素子基板に設けられていたアライメントマークをそのまま用いて位置合わせが行われる。また、次の第４工程で支持基板を切断することで、支持基板および素子基板の周縁部を除去する場合には、既に切断されている素子基板の機能領域に形成された有機膜に対して、支持基板を切断する際の影響が及ぼされることはなく、有機膜の品質が保持される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の表示装置の製造方法に係わる実施の形態として、有機ＥＬ素子を配列形成してなる表示部を有する表示装置の製造方法を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
図１（１）〜図１（５）は、本実施形態の製造方法を示す断面工程図である。また、図２〜図６は本実施形態の製造方法を説明するための平面図工程図であり、図１（１）〜図１（５）に対応している。ここでは、図１および図２〜図６を参照しつつ、本実施形態の製造方法を説明する。尚、図１は、図２〜図６の平面図におけるＡ−Ａ’断面に対応している。
【００１３】
先ず、図１（１）および図２に示すように、素子基板１を用意する。この素子基板１は、その中央に機能領域３が設定されている。この機能領域３には、ここで製造する表示装置を構成する表示パネルの１／４の大きさの表示部３ａ、およびこの表示部３ａの連続する２方を囲む周辺回路部３ｂが設けられている。
【００１４】
そして、このような素子基板１には、以降の工程で用いられる複数の製造装置に対して、素子基板１の位置合わせに用いるためのアライメントマーク５が形成されている。このアライメントマーク５は、上記各製造装置で共通に用いられるため、素子基板１上の決められた位置に配置され、通常は基板１の周辺部、すなわち機能領域３の外側に形成される。
【００１５】
尚、この素子基板１には、機能領域３に沿った位置に分割ライン７が設定されることとする。この分割ラインは、後の工程で素子基板１を切断する位置であり、機能領域３の周縁端に沿って設定される。また、素子基板１の切断が、ダイシング装置を用いて行われる場合には、図２に示したように、素子基板１の全長および全幅にわたって４本の分割ライン７が設定されることとする。
【００１６】
また、素子基板１の機能領域３には、ここでの図示を省略した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた画素回路や配線、画素電極（例えば陽極）等、有機ＥＬ素子を形成するための下地処理が施されている。
【００１７】
次に、図１（２）および図３に示すように、素子基板１の裏面側（画素電極などが形成されていない面側）に、支持基板９を貼り合わせる。この支持基板９は、素子基板１と略同一形状であり、強度が十分でかつ分割が可能な材質で構成されることとし、例えば素子基板１と同様のもの（０．７ｍｍ厚のＴＦＴ用ガラス基板）を用いる。そして、素子基板１の裏面側に支持基板９を対向配置し、素子基板１の周囲からはみ出すことなく素子基板１に対して貼り合わせられる。
【００１８】
また、素子基板１と支持基板９との貼り合わせは接着剤１１（図３では省略）を介して行われるが、この接着剤１１は、素子基板１に設定された分割ライン７上を避けて素子基板１−支持基板９間に付着させる。これにより、素子基板１と支持基板９とを、分割ライン７を避けた領域において接着剤１１を介して貼り合わせ、分割ライン７部分における素子基板１−支持基板９間部分が空洞となるようにする。尚、この際、分割ライン７の両脇において接着剤１１での貼り合わせを行い、アライメントマーク５が形成されている部分も、支持基板９に対して接着させるようにする。
【００１９】
尚、この接着剤１１としては、接着強度、耐熱性、耐食性が十分に高く、吸湿性が低く、変形し難く、さらにはアウトガスの少ない材料が用いられ、例えば低温硬化型のエポキシ系接着剤が用いられる。
【００２０】
次いで、図１（３）および図４に示すように、素子基板１を分割ライン７部分で切断し、機能領域３のみを分離する。この際、素子基板１を完全に分割する必要はなく、素子基板１の表面側からダイシング装置を用いて分割ライン７に沿って切り溝７ａを形成することで、機能領域３をその周辺の領域から分離切断させた状態としても良い。また、素子基板１を完全に分割する場合には、支持基板９上において素子基板１のみを切断することで、素子基板１の機能領域３および、その他の分割部分（特にアライメントマーク５が形成されている部分）の両方を、支持基板９上に残すことが重要である。
【００２１】
尚、以上のような素子基板１の切断時には、支持基板９に対する素子基板１の各分割部分の移動が抑えられ、かつ素子基板１の各分割部分にダメージが加わることのないように、切断条件を設定することとする。
【００２２】
以上の後、図１（４）および図５に示すように、切断された（切り溝７ａが設けられた）素子基板１の機能領域３における表示部３ａ上に有機膜１３を形成し、さらにこの有機膜１３が形成された機能領域３上に上部電極（例えば陰極）の形成を行うことで、機能領域３の表示部３ａに有機ＥＬ素子を完成させる。また、その後、必要に応じて保護膜の形成を行う。これらの各形成工程では、各製造装置において、素子基板１のアライメントマーク５を用いた位置合わせが行われることとする。
【００２３】
そして次に、図１（５）および図６に示すように、先ず、素子基板１に切り溝７ａが設けられている場合には、スクライブ・ブレークにより、切り溝７ａに沿って素子基板１を完全に分割する。尚、この状態においては、支持基板９上に、全ての素子基板１の分割部分が固定された状態となっている。
【００２４】
その後、支持基板９を、機能領域３に沿って切断する。これにより、支持基板９および素子基板１の周縁部（アライメントマーク５の形成部）を除去して小型の表示パネル１５を形成する。この支持基板９の切断に際しては、表示パネル１５に残された素子基板１（つまり機能領域３）から、切断によって残された支持基板９がはみ出すことのないように、素子基板１の機能領域３の周縁よりも内側で支持基板９を切断することが好ましい。
【００２５】
次いで、以上のようにして形成された小型の表示パネル１５を繋ぎ合わせる。
【００２６】
この場合、先ず、図７の平面図に示すように、４枚の表示パネル１５を、その表示部３ａ側の切断面を突き合わせる様に配置する。この状態において、表示部３ａ間の間隔を、分割部分での画素ピッチが他の部分と同一になるように、４枚の表示パネル１５を配置する。この際、表示パネル１５においては、素子基板１よりも小さめに支持基板９が分割されているので、このような配置状態が支持基板９によって阻害されることはない。
【００２７】
以上のように４枚の表示パネル１５を配置することにより、これらの表示パネル１５の４つの表示部３ａによって、１枚の大型の表示画面１７を形成する。この表示画面１７は、その周囲が周辺回路部３ｂで囲まれた状態となる。
【００２８】
次に、図７のように配置された表示パネル１５の素子基板１側に、図８に示すように封止基板１９を対向配置し、封止剤２１を介して４枚の表示パネル１５（図８においては２枚のみを図示）を封止基板１９に貼り合わせ固定する。
【００２９】
尚、ここで作製する表示装置が、封止基板１９側から光を取り出すものである場合、この封止基板１９および封止剤２１には、光透過性を有するものを用いる。また、この場合、ここでの図示は省略したが、この封止基板１９には、小型の表示パネル１５に形成された有機ＥＬ素子間に位置するようにブラックマトリックスが形成されていても良い。
【００３０】
そして、封止剤２１は、封止基板１９に固着された小型の表示パネル１５の繋ぎ目部分（表示パネル１５間）に充填されることが好ましく、さらに表示パネル１５の素子基板１−支持基板９間に充填されても良い。
【００３１】
次いで、必要に応じて小型の表示パネル１５の繋ぎ目部分を覆い隠すように、封止剤２１を介して表示パネル１５側に板状部材２３を貼り合わせても良く、以上によって、１枚の大きな表示画面１７（図７参照）を備えた表示装置２５を完成させる。
【００３２】
尚、板状部材２３は、図示したように、表示パネル１５の繋ぎ目部分を覆う形状で有っても良く、さらに繋ぎ目部分を含む表示パネル１５の支持基板９面の全面を覆う形状であっても良い。この場合、この板状部材２３を、熱伝導性の高い材料（例えば、アルミニウムなどの金属）で構成することにより、各表示パネル１５での発熱を板状部材２３を通して効率良く外部に逃がすことができる。また、この表示装置２５が、封止基板１９側から表示光を取り出すものである場合、板状部材２３の表面を、例えば黒化処理によって黒色系に形成することにより、封止基板１９側から入射した光の散乱を防止することができる。
【００３３】
以上の製造方法によれば、図１（３）および図４を用いて説明したように、支持基板９上に素子基板１の各分割部分を残す状態で、素子基板１の表面側を切断するため、支持基板９上には、周囲から切断分離された素子基板１の機能領域３と共に、素子基板１に設けられたアライメントマーク５とがそのまま残される。このため、次の図１（４）および図５を用いて説明したように、有機膜１３および上部電極を形成する際には、切断前の大きさの素子基板１に設けられていたアライメントマーク５をそのまま用いて位置合わせを行うことができる。また、次の図１（５）および図６を用いて説明した工程で、支持基板９を切断することで、支持基板９および素子基板１の周縁部を除去する場合には、既に切断されている素子基板１の機能領域３に形成された有機膜１３に対して、支持基板９を切断する際の影響が及ぼされることはなく、有機膜１３の品質が保持される。
【００３４】
したがって、製造途中で素子基板１を切断して小型化する場合に、素子基板１上の有機膜１３にダメージを与えることなく小型化を達成でき、かつ、各工程の製造装置に対して支持基板１の位置合わせを精度良く行うことが可能になる。
【００３５】
このため、素子基板１を切断して小型化した後に、この小型化した素子基板１に対応させた特別な製造装置を用意したり、小型化した支持基板１に対応させて製造装置の仕様を変更したり、あるいはこのための特別な装置自具を用意する必要がなくなり、小型の表示パネル１５を繋ぎ合わせてなる表示装置２５の製造コストの削減を図ることが可能になる。また、基板サイズによらず、製造装置の汎用性を確保することも可能になる。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の表示装置の製造方法によれば、製造途中で基板を切断して小型化する場合に、基板上の有機膜にダメージを与えることなく小型化を達成でき、かつ、各工程の製造装置に対して基板の位置合わせを精度良く行うことが可能になる。またこの結果、小型化した基板に対応させた特別な製造装置を用意する必要がなくなるため、小型化した基板（表示パネル）を繋ぎ合わせてなる表示装置の製造コストの削減を図ることが可能になる。また、基板サイズによらず、製造装置の汎用性を確保することも可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態の製造方法を示す断面工程図である。
【図２】実施形態の製造工程を説明するための平面図（その１）である。
【図３】実施形態の製造工程を説明するための平面図（その２）である。
【図４】実施形態の製造工程を説明するための平面図（その３）である。
【図５】実施形態の製造工程を説明するための平面図（その４）である。
【図６】実施形態の製造工程を説明するための平面図（その５）である。
【図７】実施形態の製造工程を説明するための平面図（その６）である。
【図８】実施形態の製造工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１…素子基板、３…機能領域、５…アライメントマーク、７…分割ライン、９…支持基板、１１…接着剤、１３…有機膜、１５…小型の表示パネル、１７…表示画面、２５…表示装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機材料のエレクトロルミネッセンス(electroluminescence：以下ＥＬと記す）を利用した有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に有機層を挟持してなる。このような構成の有機ＥＬ素子は、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子とが有機層において再結合する際に生じた光が、陰極または陽極側から発光光として取り出され、１０Ｖ以下の低駆動電圧で数１００〜数１００００ｃｄ／ｍ2の高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。また、有機ＥＬ素子においては、有機層の材料選択によって各色に発光する発光素子を得ることが可能であり、各色に発光する発光素子を所定状態で配列形成することによって、マルチカラー表示またはフルカラー表示が可能な表示装置を構成することが可能である。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子を用いた表示装置を大画面化するにあたっては、複数の小型パネルを平面的に繋ぎ合わせることにより、一つの大きな表示画面を構成する技術（例えば、特許文献１参照）が知られている。この場合、高精細な表示画面を実現するためには、繋ぎ合わせた部分（繋ぎ目）を目立たなくするように繋ぎ目での画素間の距離をできるだけ小さくすることが要求される。ところが、一般に、画素回路や配線、画素電極、さらには有機膜等のパターンを、基板の端面にまで形成することは困難である。
【０００４】
そこで、小型パネルの繋ぎ合わせによって表示装置を製造する方法においては、先ず、大画面を構成する小型パネルよりも大きな基板上に画素回路や配線、画素電極、さらには有機膜等のパターンを形成し、その後、繋ぎ合わせの端面付近をレーザカッターやダイシング装置等の基板切断装置で高精度に切断して小型パネルとし、これらの小型パネル同士を相互に並べて繋ぎ合わせることにより、一つの大きな表示画面を構成している。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−５５６３４号公報（第５頁）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のように複数の小型パネルを繋ぎ合わせて一つの表示画面（大画面）を構成する場合は、パネル相互の繋ぎ目をできるだけ目立たなくするために、繋ぎ目を挟む画素間の距離を、他の部分の画素間の距離と一致させることが要求される。そのため、表示部の開口端の切断端面から画素端までの距離が非常に短くなり、レーザカッターやダイシング装置等の基板切断装置では、表示部内の有機膜部分にダメージが加わってしまう。
【０００７】
これを防止するためには、画素回路や配線、画素電極が形成された基板を、有機膜を形成する直前に切断して小型パネルとし、その後、各小型パネルに対して有機層、対向電極、さらには保護膜の形成を行い、次いで小型パネル同士を相互に並べて繋ぎ合わせる、と言った手順を行う必要がある。ところが、このような手順を行った場合、通常、基板の周縁部に配置されるアライメントマークが、基板の切断によって除去される。このため、基板を切断した以降の工程では、製造装置に対して基板の位置合わせを精度良く行うことができなくなる。これを防止するためには、切断によって除去されない部分にアライメントマークを形成する必要があるが、このようにした場合は、特別な製造装置を用意したり、製造装置の仕様を変更する等の必要が生じるため、製造コストを上昇させる要因になる。
【０００８】
そこで本発明は、製造途中で基板を切断して小型化する工程を有する場合に、基板上の部材にダメージを与えることなく基板を切断し、かつ、各工程の製造装置に対して基板の位置合わせを精度良く行うことが可能な表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するための本発明の表示装置の製造方法は、先ず、第１工程では、アライメントマークが形成された素子基板の裏面側に、当該素子基板と素子基板と略同一形状の支持基板を対向配置して貼り合わせる。次に、第２工程では、支持基板上に素子基板の各分割部分を残す状態で、当該素子基板の少なくとも表面側を、当該表面側の中央部に設定された機能領域に沿って切断する。その後、第３工程では、切断された素子基板の機能領域上に有機膜を形成する。次いで第４工程では、支持基板を前記素子基板の機能領域に沿って切断することで、前記支持基板および素子基板の周縁部を除去して表示パネルを形成する。
【００１０】
このような表示装置の製造方法では、支持基板上に素子基板の各分割部分を残す状態で、当該支持基板上において素子基板の少なくとも表面側が切断されるため、支持基板上には、周囲から切断分離された素子基板の機能領域と共に、素子基板に設けられたアライメントマークとがそのまま残される。このため、次の第３工程で有機膜を形成する際には、切断前の大きさの素子基板に設けられていたアライメントマークをそのまま用いて位置合わせが行われる。また、次の第４工程で支持基板を切断することで、支持基板および素子基板の周縁部を除去する場合には、既に切断されている素子基板の機能領域に形成された有機膜に対して、支持基板を切断する際の影響が及ぼされることはなく、有機膜の品質が保持される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の表示装置の製造方法に係わる実施の形態として、有機ＥＬ素子を配列形成してなる表示部を有する表示装置の製造方法を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
図１（１）〜図１（５）は、本実施形態の製造方法を示す断面工程図である。また、図２〜図６は本実施形態の製造方法を説明するための平面図工程図であり、図１（１）〜図１（５）に対応している。ここでは、図１および図２〜図６を参照しつつ、本実施形態の製造方法を説明する。尚、図１は、図２〜図６の平面図におけるＡ−Ａ’断面に対応している。
【００１３】
先ず、図１（１）および図２に示すように、素子基板１を用意する。この素子基板１は、その中央に機能領域３が設定されている。この機能領域３には、ここで製造する表示装置を構成する表示パネルの１／４の大きさの表示部３ａ、およびこの表示部３ａの連続する２方を囲む周辺回路部３ｂが設けられている。
【００１４】
そして、このような素子基板１には、以降の工程で用いられる複数の製造装置に対して、素子基板１の位置合わせに用いるためのアライメントマーク５が形成されている。このアライメントマーク５は、上記各製造装置で共通に用いられるため、素子基板１上の決められた位置に配置され、通常は基板１の周辺部、すなわち機能領域３の外側に形成される。
【００１５】
尚、この素子基板１には、機能領域３に沿った位置に分割ライン７が設定されることとする。この分割ラインは、後の工程で素子基板１を切断する位置であり、機能領域３の周縁端に沿って設定される。また、素子基板１の切断が、ダイシング装置を用いて行われる場合には、図２に示したように、素子基板１の全長および全幅にわたって４本の分割ライン７が設定されることとする。
【００１６】
また、素子基板１の機能領域３には、ここでの図示を省略した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた画素回路や配線、画素電極（例えば陽極）等、有機ＥＬ素子を形成するための下地処理が施されている。
【００１７】
次に、図１（２）および図３に示すように、素子基板１の裏面側（画素電極などが形成されていない面側）に、支持基板９を貼り合わせる。この支持基板９は、素子基板１と略同一形状であり、強度が十分でかつ分割が可能な材質で構成されることとし、例えば素子基板１と同様のもの（０．７ｍｍ厚のＴＦＴ用ガラス基板）を用いる。そして、素子基板１の裏面側に支持基板９を対向配置し、素子基板１の周囲からはみ出すことなく素子基板１に対して貼り合わせられる。
【００１８】
また、素子基板１と支持基板９との貼り合わせは接着剤１１（図３では省略）を介して行われるが、この接着剤１１は、素子基板１に設定された分割ライン７上を避けて素子基板１−支持基板９間に付着させる。これにより、素子基板１と支持基板９とを、分割ライン７を避けた領域において接着剤１１を介して貼り合わせ、分割ライン７部分における素子基板１−支持基板９間部分が空洞となるようにする。尚、この際、分割ライン７の両脇において接着剤１１での貼り合わせを行い、アライメントマーク５が形成されている部分も、支持基板９に対して接着させるようにする。
【００１９】
尚、この接着剤１１としては、接着強度、耐熱性、耐食性が十分に高く、吸湿性が低く、変形し難く、さらにはアウトガスの少ない材料が用いられ、例えば低温硬化型のエポキシ系接着剤が用いられる。
【００２０】
次いで、図１（３）および図４に示すように、素子基板１を分割ライン７部分で切断し、機能領域３のみを分離する。この際、素子基板１を完全に分割する必要はなく、素子基板１の表面側からダイシング装置を用いて分割ライン７に沿って切り溝７ａを形成することで、機能領域３をその周辺の領域から分離切断させた状態としても良い。また、素子基板１を完全に分割する場合には、支持基板９上において素子基板１のみを切断することで、素子基板１の機能領域３および、その他の分割部分（特にアライメントマーク５が形成されている部分）の両方を、支持基板９上に残すことが重要である。
【００２１】
尚、以上のような素子基板１の切断時には、支持基板９に対する素子基板１の各分割部分の移動が抑えられ、かつ素子基板１の各分割部分にダメージが加わることのないように、切断条件を設定することとする。
【００２２】
以上の後、図１（４）および図５に示すように、切断された（切り溝７ａが設けられた）素子基板１の機能領域３における表示部３ａ上に有機膜１３を形成し、さらにこの有機膜１３が形成された機能領域３上に上部電極（例えば陰極）の形成を行うことで、機能領域３の表示部３ａに有機ＥＬ素子を完成させる。また、その後、必要に応じて保護膜の形成を行う。これらの各形成工程では、各製造装置において、素子基板１のアライメントマーク５を用いた位置合わせが行われることとする。
【００２３】
そして次に、図１（５）および図６に示すように、先ず、素子基板１に切り溝７ａが設けられている場合には、スクライブ・ブレークにより、切り溝７ａに沿って素子基板１を完全に分割する。尚、この状態においては、支持基板９上に、全ての素子基板１の分割部分が固定された状態となっている。
【００２４】
その後、支持基板９を、機能領域３に沿って切断する。これにより、支持基板９および素子基板１の周縁部（アライメントマーク５の形成部）を除去して小型の表示パネル１５を形成する。この支持基板９の切断に際しては、表示パネル１５に残された素子基板１（つまり機能領域３）から、切断によって残された支持基板９がはみ出すことのないように、素子基板１の機能領域３の周縁よりも内側で支持基板９を切断することが好ましい。
【００２５】
次いで、以上のようにして形成された小型の表示パネル１５を繋ぎ合わせる。
【００２６】
この場合、先ず、図７の平面図に示すように、４枚の表示パネル１５を、その表示部３ａ側の切断面を突き合わせる様に配置する。この状態において、表示部３ａ間の間隔を、分割部分での画素ピッチが他の部分と同一になるように、４枚の表示パネル１５を配置する。この際、表示パネル１５においては、素子基板１よりも小さめに支持基板９が分割されているので、このような配置状態が支持基板９によって阻害されることはない。
【００２７】
以上のように４枚の表示パネル１５を配置することにより、これらの表示パネル１５の４つの表示部３ａによって、１枚の大型の表示画面１７を形成する。この表示画面１７は、その周囲が周辺回路部３ｂで囲まれた状態となる。
【００２８】
次に、図７のように配置された表示パネル１５の素子基板１側に、図８に示すように封止基板１９を対向配置し、封止剤２１を介して４枚の表示パネル１５（図８においては２枚のみを図示）を封止基板１９に貼り合わせ固定する。
【００２９】
尚、ここで作製する表示装置が、封止基板１９側から光を取り出すものである場合、この封止基板１９および封止剤２１には、光透過性を有するものを用いる。また、この場合、ここでの図示は省略したが、この封止基板１９には、小型の表示パネル１５に形成された有機ＥＬ素子間に位置するようにブラックマトリックスが形成されていても良い。
【００３０】
そして、封止剤２１は、封止基板１９に固着された小型の表示パネル１５の繋ぎ目部分（表示パネル１５間）に充填されることが好ましく、さらに表示パネル１５の素子基板１−支持基板９間に充填されても良い。
【００３１】
次いで、必要に応じて小型の表示パネル１５の繋ぎ目部分を覆い隠すように、封止剤２１を介して表示パネル１５側に板状部材２３を貼り合わせても良く、以上によって、１枚の大きな表示画面１７（図７参照）を備えた表示装置２５を完成させる。
【００３２】
尚、板状部材２３は、図示したように、表示パネル１５の繋ぎ目部分を覆う形状で有っても良く、さらに繋ぎ目部分を含む表示パネル１５の支持基板９面の全面を覆う形状であっても良い。この場合、この板状部材２３を、熱伝導性の高い材料（例えば、アルミニウムなどの金属）で構成することにより、各表示パネル１５での発熱を板状部材２３を通して効率良く外部に逃がすことができる。また、この表示装置２５が、封止基板１９側から表示光を取り出すものである場合、板状部材２３の表面を、例えば黒化処理によって黒色系に形成することにより、封止基板１９側から入射した光の散乱を防止することができる。
【００３３】
以上の製造方法によれば、図１（３）および図４を用いて説明したように、支持基板９上に素子基板１の各分割部分を残す状態で、素子基板１の表面側を切断するため、支持基板９上には、周囲から切断分離された素子基板１の機能領域３と共に、素子基板１に設けられたアライメントマーク５とがそのまま残される。このため、次の図１（４）および図５を用いて説明したように、有機膜１３および上部電極を形成する際には、切断前の大きさの素子基板１に設けられていたアライメントマーク５をそのまま用いて位置合わせを行うことができる。また、次の図１（５）および図６を用いて説明した工程で、支持基板９を切断することで、支持基板９および素子基板１の周縁部を除去する場合には、既に切断されている素子基板１の機能領域３に形成された有機膜１３に対して、支持基板９を切断する際の影響が及ぼされることはなく、有機膜１３の品質が保持される。
【００３４】
したがって、製造途中で素子基板１を切断して小型化する場合に、素子基板１上の有機膜１３にダメージを与えることなく小型化を達成でき、かつ、各工程の製造装置に対して支持基板１の位置合わせを精度良く行うことが可能になる。
【００３５】
このため、素子基板１を切断して小型化した後に、この小型化した素子基板１に対応させた特別な製造装置を用意したり、小型化した支持基板１に対応させて製造装置の仕様を変更したり、あるいはこのための特別な装置自具を用意する必要がなくなり、小型の表示パネル１５を繋ぎ合わせてなる表示装置２５の製造コストの削減を図ることが可能になる。また、基板サイズによらず、製造装置の汎用性を確保することも可能になる。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の表示装置の製造方法によれば、製造途中で基板を切断して小型化する場合に、基板上の有機膜にダメージを与えることなく小型化を達成でき、かつ、各工程の製造装置に対して基板の位置合わせを精度良く行うことが可能になる。またこの結果、小型化した基板に対応させた特別な製造装置を用意する必要がなくなるため、小型化した基板（表示パネル）を繋ぎ合わせてなる表示装置の製造コストの削減を図ることが可能になる。また、基板サイズによらず、製造装置の汎用性を確保することも可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態の製造方法を示す断面工程図である。
【図２】実施形態の製造工程を説明するための平面図（その１）である。
【図３】実施形態の製造工程を説明するための平面図（その２）である。
【図４】実施形態の製造工程を説明するための平面図（その３）である。
【図５】実施形態の製造工程を説明するための平面図（その４）である。
【図６】実施形態の製造工程を説明するための平面図（その５）である。
【図７】実施形態の製造工程を説明するための平面図（その６）である。
【図８】実施形態の製造工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１…素子基板、３…機能領域、５…アライメントマーク、７…分割ライン、９…支持基板、１１…接着剤、１３…有機膜、１５…小型の表示パネル、１７…表示画面、２５…表示装置
Claims (5)
- アライメントマークが形成された素子基板の裏面側に、当該素子基板と略同一形状の支持基板を対向配置して貼り合わせる第１工程と、
前記支持基板上に前記素子基板の各分割部分が貼り合わせられた状態で残るように、当該表面側の中央部に設定された機能領域に沿って当該素子基板を切断して当該機能領域をその周辺の領域から分離切断するか、または当該機能領域に沿って当該素子基板の表面側に切り溝を形成する第２工程と、
前記第２工程の後に、前記素子基板の機能領域上に有機膜を形成する第３工程と、
前記支持基板を前記素子基板の機能領域に沿って切断すると共に、前記第２工程において当該素子基板の表面側に切り溝のみ形成していて当該素子基板を分離切断していない場合には当該素子基板を当該機能領域に沿って完全に分割することで、前記支持基板および素子基板の周縁部を除去して表示パネルを形成する第４工程とを行う
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記第１工程では、前記機能領域に沿った切断部分を避けた領域において前記素子基板と前記支持基板とを接着剤を介して貼り合わせる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１記載の表示装置の製造方法において、
複数の前記表示パネルを繋ぎ合わせることで一つの表示画面を形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項３記載の表示装置の製造方法において、
前記第４工程では、前記支持基板を前記素子基板の機能領域の周縁よりも内側で切断する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１記載の表示装置の製造方法において、
前記アライメントマークは、前記機能領域の外側に形成される
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002350640A JP3968519B2 (ja) | 2002-12-03 | 2002-12-03 | 表示装置の製造方法 |
| US10/725,308 US6943052B2 (en) | 2002-12-03 | 2003-12-01 | Method of manufacturing display apparatus |
| KR1020030086629A KR101014035B1 (ko) | 2002-12-03 | 2003-12-02 | 표시 장치의 제조 방법 |
| TW092134031A TWI231155B (en) | 2002-12-03 | 2003-12-03 | Method of manufacturing display apparatus |
| CNB2003101204667A CN100380708C (zh) | 2002-12-03 | 2003-12-03 | 制造显示装置的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002350640A JP3968519B2 (ja) | 2002-12-03 | 2002-12-03 | 表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004185945A JP2004185945A (ja) | 2004-07-02 |
| JP3968519B2 true JP3968519B2 (ja) | 2007-08-29 |
Family
ID=32752796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002350640A Expired - Fee Related JP3968519B2 (ja) | 2002-12-03 | 2002-12-03 | 表示装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6943052B2 (ja) |
| JP (1) | JP3968519B2 (ja) |
| KR (1) | KR101014035B1 (ja) |
| CN (1) | CN100380708C (ja) |
| TW (1) | TWI231155B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8001487B2 (en) * | 2006-04-12 | 2011-08-16 | Laas & Sonder Pty Ltd | Method and system for organizing and displaying data |
| KR101267534B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2013-05-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자의 제조방법 |
| DE102014223367A1 (de) * | 2014-11-17 | 2016-05-19 | Osram Oled Gmbh | Organische Leuchtiode, organisches Leuchtmodul und Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtiode |
| KR102458907B1 (ko) * | 2015-12-29 | 2022-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN108081527B (zh) * | 2017-09-22 | 2021-07-20 | 纳智源科技（唐山）有限责任公司 | 用于制备高分子聚合物膜的模具、高分子聚合物膜的制备方法以及摩擦发电机的制备方法 |
| CN109031745B (zh) * | 2018-08-31 | 2021-06-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 待切割显示模组及其制作方法 |
| JP2020071966A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| JP2020071967A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| CN109742065B (zh) * | 2018-12-25 | 2020-10-16 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板及切割其母基板的方法和显示装置 |
| US11522042B2 (en) * | 2020-02-21 | 2022-12-06 | Innolux Corporation | Method of manufacturing tiled display device |
| CN114399957B (zh) * | 2022-03-04 | 2023-07-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法、移动终端 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5675212A (en) * | 1992-04-10 | 1997-10-07 | Candescent Technologies Corporation | Spacer structures for use in flat panel displays and methods for forming same |
| US6476886B2 (en) * | 1999-02-15 | 2002-11-05 | Rainbow Displays, Inc. | Method for assembling a tiled, flat-panel microdisplay array |
| US6355125B1 (en) * | 1999-03-26 | 2002-03-12 | Agfa-Gevaert | Method for making an electric or electronic module comprising a glass laminate |
| JP2001052865A (ja) | 1999-08-09 | 2001-02-23 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置とその製造方法 |
| JP4255187B2 (ja) | 1999-10-22 | 2009-04-15 | スタンレー電気株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法および該方法により製造された有機ｅｌ表示装置 |
| JP2001234163A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-28 | Sony Corp | 発光性結晶粒子、発光性結晶粒子組成物、表示用パネル及び平面型表示装置 |
| US6603191B2 (en) * | 2000-05-18 | 2003-08-05 | Casio Computer Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2002055634A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2002072176A (ja) | 2000-08-24 | 2002-03-12 | Sony Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
| US6867841B2 (en) * | 2001-10-31 | 2005-03-15 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing liquid crystal display panels |
| JP2004134672A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Sony Corp | 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置、並びに超薄型の裏面照射型固体撮像装置の製造方法および製造装置 |
-
2002
- 2002-12-03 JP JP2002350640A patent/JP3968519B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-12-01 US US10/725,308 patent/US6943052B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-02 KR KR1020030086629A patent/KR101014035B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-12-03 TW TW092134031A patent/TWI231155B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-03 CN CNB2003101204667A patent/CN100380708C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6943052B2 (en) | 2005-09-13 |
| TW200421913A (en) | 2004-10-16 |
| TWI231155B (en) | 2005-04-11 |
| KR101014035B1 (ko) | 2011-02-14 |
| CN100380708C (zh) | 2008-04-09 |
| KR20040048832A (ko) | 2004-06-10 |
| CN1510970A (zh) | 2004-07-07 |
| JP2004185945A (ja) | 2004-07-02 |
| US20050054137A1 (en) | 2005-03-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060704 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060904 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061128 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070125 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070508 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070521 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 3 |
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