CN103855171B - 一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法，涉及显示技术领域，可在柔性基底和承载基板分离时，避免对位于柔性基底上的显示元件造成损坏，并避免分离不均的现象；该方法包括：在承载基板上形成加热用图案层，加热用图案层包括间隔排列的多个区域块；在形成有加热用图案层的基板上形成柔性基底，并在柔性基底上形成显示元件；其中，柔性基底的面积大于加热用图案层的面积；利用加热用图案层对柔性基底进行加热，并进行切割，将与区域块对应的承载基板和柔性基底剥离，形成柔性显示基板。用于在柔性基底和承载基板分离时，需要避免对位于柔性基底上的显示元件造成损坏，并避免分离不均的现象的柔性显示基板的制造。

Description

一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法。
背景技术
柔性显示技术在近几年有了飞速的发展，由此带动柔性显示器从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了很大进步。无论是濒临消失的阴极射线管（Cathode Ray Tube，简称CRT），还是现今主流的液晶显示器（Liquid Crystal Display，简称LCD），本质上都属于传统的刚性显示器。与传统的刚性显示器相比，柔性显示器具有诸多优点，例如耐冲击，抗震能力强，重量轻，体积小，携带更加方便等。
柔性显示器主要可分为三种：电子纸（柔性电泳显示）、柔性有机电致发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，简称OLED）、以及柔性LCD。其显示基板的制备方法一般包括：在承载基板上形成柔性基底，然后再形成构成显示结构的各膜层等，最后通过激光照射法将柔性基底与硬质的承载基板剥离。
然而，当激光束用于剥离处理时，尽管会对激光束的强度和聚焦深度进行控制，但是由于柔性基底和在柔性基底上形成的显示元件的各图案层都非常薄，激光束的光还是会不可避免的损坏显示元件。此外，由于激光束的光束面积有限，在剥离时，需通过移动激光束来将所述柔性基底和硬质的承载基板逐渐的剥离，这样的话会导致柔性基底和所述承载基板剥离不均的现象。
发明内容
本发明的实施例提供一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法，可在柔性基底和承载基板分离时，避免对位于柔性基底上的显示元件造成损坏，并避免分离不均的现象。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种柔性显示基板母板，包括：承载基板；
设置在所述承载基板上的加热用图案层，所述加热用图案层包括间隔排列的多个区域块；
设置在所述加热用图案层上的柔性基底，和设置在所述柔性基底上的显示元件；
其中，所述柔性基底的面积大于所述加热用图案层的面积。
可选的，所述加热用图案层还包括与每个所述区域块连接的至少两个凸出部分，所述凸出部分用于给所述区域块提供电压。
进一步可选的，所述加热用图案层的材料包括金属单质、合金、金属氧化物中的至少一种。
可选的，任一个所述区域块对应一个待形成的预定尺寸的柔性显示基板；其中，所述柔性显示基板包括与所述区域块对应的所述柔性基底和设置在所述柔性基底上的所述显示元件。
可选的，任一个所述区域块对应两个或两个以上待形成的预定尺寸的柔性显示基板；其中，所述柔性显示基板包括与所述区域块对应的部分所述柔性基底和设置在所述柔性基底上的所述显示元件。
基于上述，可选的，所述显示元件包括：薄膜晶体管，以及与所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极。
进一步的，所述显示元件还包括公共电极。
可选的，所述显示元件包括：薄膜晶体管，以及与所述薄膜晶体管的漏极电连接的阳极、以及有机材料功能层和阴极；所述母板还包括柔性封装层。
另一方面，提供一种柔性显示基板的制造方法，包括：在承载基板上形成加热用图案层，所述加热用图案层包括间隔排列的多个区域块；
在形成有所述加热用图案层的基板上形成柔性基底，并在所述柔性基底上形成显示元件；其中，所述柔性基底的面积大于所述加热用图案层的面积；
利用所述加热用图案层对所述柔性基底进行加热，并进行切割，将与所述区域块对应的所述柔性基底与所述承载基板和所述加热用图案层剥离，形成柔性显示基板。
可选的，所述利用所述加热用图案层对所述柔性基底进行加热，包括：
利用所述加热用图案层的每个所述区域块，依次对与每个所述区域块对应的所述柔性基底进行加热；或者，
利用所述加热用图案层的所有所述区域块，同时对与所有所述区域块对应的所述柔性基底进行加热。
可选的，所述利用所述加热用图案层对所述柔性基底进行加热，包括：
通过向所述区域块施加电压来产生焦耳热，所产生的焦耳热被施加于所述区域块对应的柔性基底。
进一步可选的，所述加热用图案层还包括与每个所述区域块连接的至少两个凸出部分，所述凸出部分用于给所述区域块提供电压。
可选的，任一个所述区域块对应一个预定尺寸的柔性显示基板；其中，所述柔性显示基板包括与所述区域块对应的所述柔性基底和形成在所述柔性基底上的所述显示元件。
可选的，任一个所述区域块对应两个或两个以上预定尺寸的柔性显示基板；其中，所述柔性显示基板包括与所述区域块对应的部分所述柔性基底和形成在所述柔性基底上的所述显示元件。
基于上述，可选的，切割区域包括对应所述柔性显示基板之外、与所述柔性显示基板对应的所述区域块之内的区域。
可选的，所述在所述柔性基底上形成显示元件，包括：
在所述柔性基底上至少形成薄膜晶体管，以及与所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极。
进一步的，所述方法还包括：在所述柔性基底上形成公共电极。
可选的，所述在所述柔性基底上形成显示元件，包括：在所述柔性基底上形成薄膜晶体管，以及与所述薄膜晶体管的漏极电连接的阳极、以及有机材料功能层和阴极；
在此基础上，所述方法还包括：形成柔性封装层。
本发明实施例提供了一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法，该柔性显示基板的制造方法包括：在承载基板上形成加热用图案层，所述加热用图案层包括间隔排列的多个区域块；在形成有所述加热用图案层的基板上形成柔性基底，并在所述柔性基底上形成显示元件；其中，所述柔性基底的面积大于所述加热用图案层的面积；利用所述加热用图案层对所述柔性基底进行加热，并进行切割，将与所述区域块对应的所述柔性基底与所述承载基板所述加热用图案层剥离，形成柔性显示基板。
通过控制加热用图案层施加在所述柔性基底的热量，可以使到达柔性基底的热能仅渗透到柔性基底与所述加热用图案层接触的底部的一定厚度，从而在使与所述加热用图案层的区域块对应的所述柔性基底的底部由于受热材料分解而与所述承载基板分离的基础上，避免对柔性基底上方的显示元件造成损坏，并且可以节省能耗。
此外，当对加热用图案层加热时，所述加热用图案层的每个区域块可以均匀的将热量施加在与之对应的柔性基底，从而使与每个区域块对应的所述柔性基板和所述承载基板实现均匀的分离。在此基础上，由于所述加热用图案层的每个区域块都是相互独立的，因此，可以通过向任一个区域块进行加热，来分区块的依次使与区域块对应的承载基板和柔性基底分离，从而避免大面积分离时的分离不均。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种制造柔性显示基板的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的一种在承载基板上形成加热用图案层的区域块的示意图一；
图3为本发明实施例提供的一种在承载基板上形成加热用图案层的区域块的示意图二；
图4为本发明实施例提供的一种加热用图案层的区域块与待形成的柔性显示基板的对应关系的示意图一；
图5为本发明实施例提供的一种加热用图案层的区域块与待形成的柔性显示基板的对应关系的示意图二；
图6为本发明实施例提供的一种柔性无源OLED的显示面板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种柔性有源OLED的显示面板的结构示意图；
图8a为本发明实施例提供的一种柔性LCD的阵列基板的结构示意图一；
图8b为本发明实施例提供的一种柔性LCD的阵列基板的结构示意图二；
图9为本发明实施例提供的一种柔性LCD的彩膜基板的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种柔性显示基板母板的结构示意图。
附图标记：
01-柔性显示基板母板；10-承载基板；20-区域块；30-柔性基底；40-显示元件；401-阳极；402-阴极；403-有机材料功能层；404-薄膜晶体管；405-像素电极；406-公共电极；4071-红色光阻；4072-绿色光阻；4073-蓝色光阻；408-黑矩阵；50-像素隔离层；60-柔性封装层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种柔性显示基板的制造方法，如图1所示，该方法包括如下步骤：
S01、在承载基板上形成加热用图案层，所述加热用图案层包括间隔排列的多个区域块。
S02、在形成有所述加热用图案层的基板上形成柔性基底，并在所述柔性基底上形成显示元件。其中，所述柔性基底的面积大于所述加热用图案层的面积。
这里，当加热用图案层采用间隔排列的多个区域块时,由于每个区域块相对位于所述加热用图案层上方的整个柔性基底的面积较小，因此通过每个区域块可以均匀的将热量施加在其上方的柔性基底，从而在与每个区域块对应的柔性基底和承载基板分离时，分离效果及工艺参数更为稳定。其中，藉由区域块的图案化设计,也可以控制柔性基底的分离区与非分离区,在产品设计或在工艺过程更可以掌握。
另外，由于所述柔性基底的面积大于所述加热用图案层的面积，即：在与区域块对应的柔性基底与承载基板和区域块完全剥离后，不与区域块对应的柔性基底仍然位于承载基板上，这样，即便与区域块对应的柔性基底与承载基板处理剥离的状态，考虑到后续工艺的方便，还可以将剥离后的柔性基板嵌在承载基板的上未被剥离的柔性基底之间，这样剥离后的柔性基板也不会掉落。
此处，所述加热用图案层和所述柔性基底位于所述承载基板的同一侧。
S03、利用所述加热用图案层对所述柔性基底进行加热，并进行切割，将与所述区域块对应的所述柔性基底与所述承载基板和所述加热用图案层剥离，形成柔性显示基板。
这里，可以先对所述柔性基底进行加热，然后再进行切割，也可以先进行切割，然后再对切割后的柔性基底进行加热。
需要说明的是，第一，由于利用所述加热用图案层对所述柔性基底进行加热后，仅使与区域块对应的柔性基底和承载基板实现分离，与任意两个区域块之间的区域对应的柔性基底还与承载基板接触，因此，只有在进行切割后，才能使与所述区域块对应的承载基板和柔性基板完全剥离，从而形成柔性显示基板。
其中，一个所述区域块可以对应至少一个待形成的柔性显示基板。基于此，若一个区域块对应多个柔性显示基板，则在切割时，可以先沿该区域块的边缘区域范围内进行切割，然后沿相邻柔性显示基板的区域范围内进行切割，从而最终形成一个个完整的柔性显示基板。
此外，本发明实施例中，将切割前，利用加热用图案层对所述柔性基底进行加热后，与所述区域块对应的所述柔性基底和承载基板的相互之间的关系称为分离；将切割后，与所述区域块对应的所述承载基板和所述柔性基板的相互之间的关系称为剥离。
第二，本领域技术人员应该知道，在将所述区域块对应的柔性基底和承载基板完全剥离后，需形成的是完整的柔性显示基板，因此，在切割时需在与所述承载基板分离的所述柔性基底的不设置有任何器件的外围区域进行切割，这样才能保证切割后的是一个个完整的柔性显示基板。
在此基础上，可以将切割区域设定为包括对应柔性显示基板之外且与所述柔性显示基板对应的所述区域块之内的区域。
其中，任一个区域块的面积需略大于对应的待形成的至少一个柔性显示基板的面积，这样才能保证与所述区域块对应的待形成的柔性显示基板的柔性基底与所述承载基板完全分离，并且能预留出一定的切割区域，而保证切割的完整性。
这里，任何器件包括显示元件，当在柔性基底上还形成外围驱动电路时，任何器件也包括外围驱动电路。
第三，本发明实施例中不对所述区域块的个数进行限定，可以根据需要形成的柔性显示基板的个数而定。
第四，本发明实施例所指的显示元件是指，根据所述柔性显示基板的类型，对应所述柔性显示基板的一个最小的显示单元来说，实现相应显示功能的必不可少的、且由各层图案组成的结构；所述柔性显示基板包括若干个显示元件。
例如当所述柔性显示基板为柔性液晶显示器（Liquid Crystal Display，简称LCD）的阵列基板时，则对于该阵列基板的一个最小显示单元来说，该显示元件至少包括薄膜晶体管、像素电极，当然还可以包括公共电极等；当所述柔性显示基板为柔性LCD的彩膜基板时，则对于该彩膜基板的一个最小显示单元来说，该显示元件包括红色或绿色或蓝色光阻以及黑矩阵等；当所述柔性显示基板为有机电致发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，简称OLED）的阵列基板时，则对于该阵列基板的一个最小显示单元来说，该显示元件至少包括阴极、阳极和有机材料功能层。
当然除此之外，还可以包括一些必要的图案层例如保护层等或为改善显示效果或克服某些缺陷增加的一些图案层。
本发明实施例提供了一种柔性显示基板的制造方法，包括：在承载基板上形成加热用图案层，所述加热用图案层包括间隔排列的多个区域块；在形成有所述加热用图案层的基板上形成柔性基底，并在所述柔性基底上形成显示元件；其中，所述柔性基底的面积大于所述加热用图案层的面积；利用所述加热用图案层对所述柔性基底进行加热，并进行切割，将与所述区域块对应的所述柔性基底与所述承载基板和所述加热用图案层剥离，形成柔性显示基板。
通过控制加热用图案层施加在所述柔性基底的热量，可以使到达柔性基底的热能仅渗透到柔性基底与所述加热用图案层接触的底部的一定厚度，从而在使与所述加热用图案层的区域块对应的所述柔性基底的底部由于受热材料分解而与所述承载基板分离的基础上，避免对柔性基底上方的显示元件造成损坏，并且可以节省能耗。
此外，当对加热用图案层加热时，所述加热用图案层的每个区域块可以均匀的将热量施加在与之对应的柔性基底，从而使与每个区域块对应的所述柔性基板和所述承载基板实现均匀的分离。在此基础上，由于所述加热用图案层的每个区域块都是相互独立的，因此，可以通过向任一个区域块进行加热，来分区块的依次使与区域块对应的承载基板和柔性基底分离，从而避免大面积分离时的分离不均。
针对上述的描述，示例的，所述柔性显示基板的制造方法，具体可以包括如下步骤：
S101、如图2和图3所示，在承载基板10上形成加热用图案层，所述加热用图案层包括间隔排列的多个区域块20。
其中，所述区域块20的材料例如可以为金属单质、合金、金属氧化物等。
S102、如图4和图5所示，在形成有所述加热用图案层的基板上形成柔性基底30，并在所述柔性基底30上形成显示元件（图中未标识出）。其中，所述加热用图案层和所述柔性基底30位于所述承载基板10的同一侧；所述柔性基底30的面积大于所述加热用图案层的面积。
所述柔性基底30可以是塑料膜，其材料例如可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺中的至少一种。其形成方式可以是直接在形成有所述加热用图案层的基板上贴附由上述材料制成的膜，或在形成有所述加热用图案层的基板上涂覆上述材料，从而形成所述柔性基底30。
此外，柔性基底30可以是单层膜或多层膜结构。
S103、利用所述加热用图案层对所述柔性基底30进行加热，并进行切割，将与所述区域块20对应的所述柔性基底30和所述承载基板10剥离，形成柔性显示基板。
针对本步骤，具体可以是：通过向所述区域块20施加电压来产生焦耳热，所产生的焦耳热被施加于所述区域块20对应的柔性基底30，从而将与所述区域块20对应的所述柔性基底30和所述承载基板10分离，并在切割后形成柔性显示基板。
这里，例如通过向所述区域块20施加10～150V的脉冲电压，电能转换成热能被施加于所述区域块20对应的柔性基底30，在作用于所述柔性基底30的热能的作用下，所述柔性基底30的粘附力降低，从而在所述区域块20对应的范围内，使柔性基底30与承载基板10的分离。
其中，施加在所述区域块20的所述脉冲电压和脉冲时间可以结合柔性基底30的热渗透深度进行控制，即：电能转换成热能后，该热能优选仅渗透到柔性基底30与所述区域块20接触底部，这样可以最小化的避免施加到所述柔性基底30的热能对所述显示元件产生破坏。
在本步骤中，利用所述加热用图案层对所述柔性基底30进行加热，可以通过以下几种方式实现：
利用所述加热用图案层的每个所述区域块20，依次对与每个所述区域块20对应的所述柔性基底30进行加热；或者，
利用所述加热用图案层的所有所述区域块20，同时对与所有所述区域块20对应的所述柔性基底30进行加热；或者，
可以先将加热用图案层分为几个大的图案块，每个大的图案块包括上述的几个区域块20，然后依次对与每个图案块对应的所述柔性基底30进行加热。
以上只是提供了几种较优的加热方式，当然，其他加热的方式同样适用于本发明，在此不对加热的方式做限定。
进一步的，如图2至5所示，所述加热用图案层还包括与每个所述区域块20连接的两个凸出部分，所述两个凸出部分用于给所述区域块提供电压。
当然，本发明实施例中，对于任一个所述金属区域块20，也并不限于连接两个凸出部分，也可以连接两个以上的凸出部分，在此不做限定。
这里，可以使柔性基底30略小于承载基板10的面积，即，使所述承载基板10的边缘露出，这样在制作所述两个凸出部分时，可以使该两个凸出部分延伸到承载基板10的边缘，即暴露于所述柔性基底30之外，这样，通过外部电源直接接触上述两个凸出部分，便可以向所述区域块20施加例如脉冲电压。
基于上述描述，优选的，参考图2和图3所示，任一个所述区域块20的形状均为矩形。
由于目前大部分成型的显示基板都为矩形状的，因此，将区域块20的形状设为矩形，可以方便后续切割的对准，避免破坏柔性显示的完整性。
可选的，参考图4所示，任一个所述区域块20对应一个预定尺寸的柔性显示基板。其中，所述柔性显示基板包括与所述区域块20对应的所述柔性基底30和形成在所述柔性基底上的所述显示元件。
其中，一个封闭的虚线框对应一个预定尺寸的柔性显示基板。
可选的，参考图5所示，任一个所述区域块20对应两个预定尺寸的柔性显示基板。其中，所述柔性显示基板包括与所述区域块20对应的部分所述柔性基底30和形成在所述柔性基底上的所述显示元件。
其中，一个封闭的虚线框对应两个预定尺寸的柔性显示基板。
当然，任一个所述区域块20也可以至少对应两个预定尺寸的柔性显示基板，具体可以根据实际情况进行设定。
基于上述描述，在所述柔性基底30上形成显示元件，可以具体包括如下几种情况：
第一种：如图6所示，当制造的柔性显示基板为柔性无源OLED的显示面板时，在所述柔性基底30上形成阳极401、阴极402、位于所述阳极401和所述阴极402之间的有机材料功能层403，当然在此基础上，还形成柔性封装层60。对于所述有机材料功能层403，其可以至少包括电子传输层、发光层和空穴传输层，为了能够提高所述电子和所述空穴注入发光层的效率，优选的，所述有机材料功能层403还可以包括设置在所述阴极402与所述电子传输层之间的电子注入层，以及在所述阳极401与所述空穴传输层之间的空穴注入层。
其中，任一个阳极401、与之对应的一个阴极402、以及位于所述阳极401和所述阴极402之间的有机材料功能层403构成一个显示元件40。此外，参考图6所示，任意相邻的两个显示元件之间可以设置像素隔离层50来隔离所述显示元件40。
第二种，如图7所示，当制造的柔性显示基板为柔性有源OLED的显示面板时，在所述柔性基底30上形成薄膜晶体管404、阳极401、阴极402、位于所述阳极401和所述阴极402之间的有机材料功能层403，当然在此基础上，还形成柔性封装层60。所述薄膜晶体管404包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，所述漏极和所述阳极401电连接。
其中，任一个薄膜晶体管404，与所述薄膜晶体管404的漏极电连接的阳极401，与该阳极401对应的一个阴极402，以及位于阳极401和所述阴极402之间的有机材料功能层403构成一个显示元件40。当然，任意相邻的两个显示元件40之间也可以设置像素隔离层50来隔离所述显示元件40。
这里，所述薄膜晶体管是一种具有开关特性的半导体单元，例如可以是非晶硅型薄膜晶体管、或低温多晶硅型薄膜晶体管、或氧化物型薄膜晶体管、或有机物型薄膜晶体管等，在此不做限定。在此基础上，所述薄膜晶体管可以是顶栅型，也可以是底栅型。
需要说明的是，第一、对于第一种和第二种情况，不对所述阳极401和阴极402的形成顺序进行限定，可以是先形成阳极401，之后形成有机材料功能层403，然后再形成阴极402；也可以是先形成阴极402，之后形成有机材料功能层403，然后再形成阳极401。
第二，对于第一种和第二种情况，由于OLED中材料的特殊性，利用所述加热用图案层对所述柔性基底进行加热并进行切割，应该在显示元件40、必要的图案层、以及封装层均形成后进行。
第三，当所述有机材料功能层403发出的光为白光的情况下，OLED的显示面板还可以包括彩膜结构，具体根据实行情况进行设定，在此不再赘述。
第三种情况，如图8a所示，当制造的所述柔性显示基板为柔性LCD的阵列基板时，在所述柔性基底上形成薄膜晶体管404，以及与所述薄膜晶体管404的漏极电连接的像素电极405。当然，如图8b所示，也可以形成公共电极406。
其中，任一个薄膜晶体管404，与所述薄膜晶体管404的漏极电连接的像素电极405构成一个显示元件40。当在所述阵列基板上还形成所述公共电极406时，任一个薄膜晶体管404，与所述薄膜晶体管404的漏极电连接的像素电极405，以及与所述像素电极405对应的公共电极406构成一个显示元件40。
第四种情况，如图9所示，当制造的所述柔性显示基板为柔性LCD的彩膜基板时，在所述柔性基底30上形成色层和黑矩阵408；当然，也可以形成公共电极406（图9中未标识出）。对于所述色层，其包括红色光阻4071、绿色光阻4072和蓝色光阻4073，也可以包括白色光阻。
其中，任一种颜色的光阻和周围的所述黑矩阵408构成一个显示元件40。
需要说明的是，针对第三种和第四种情况，在形成所述显示元件后，可以先将所述阵列基板和彩膜基板进行加热、切割后，再将所述阵列基板和所述彩膜基板进行对盒，也可以在形成所述显示元件后，直接进行对盒，然后再将对盒后的液晶显示面板进行加热、切割，剥离。
此外，还可以在所述柔性基底30上形成电泳显示单元，具体根据实际情况进行设定，在此不再赘述。
在上述基础上，考虑到柔性基底30的表面粗糙度往往大于承载基板例如玻璃衬底基板的表面粗糙度，因此在弯折的情况下，很容易因为柔性基底30表面的凹凸不平和应力作用而导致设置在所述柔性基底30上的膜层的破裂或脱落。因此，优选的，可以先在所述柔性基底30上形成具有较强附着力的膜层，然后在该膜层上形成显示元件40，这样既可以解决粗糙度的问题，也可以避免设置在柔性基底上的膜层的破裂或脱落。
此外，本领域技术人员应该明白，本发明实施例中所有附图是所述柔性显示基板制备过程的简略的示意图，只为清楚描述本方案中与本发明点相关的结构，对于其他的与本发明点无关的结构是现有结构，在附图中并未体现或只体现部分。
本发明实施例提供了一种柔性显示基板母板01，如图10所示，包括承载基板10；设置在所述承载基板10上的加热用图案层，所述加热用图案层包括间隔排列的多个区域块20；设置在所述加热用图案层上的柔性基底30，和设置在所述柔性基底30上的显示元件40；其中，所述柔性基底30的面积大于所述加热用图案层的面积。
需要说明的是，第一，根据本发明实施例提供的所述柔性显示基板母板01，只有在利用所述加热用图案层对所述柔性基底30进行加热，并进行切割后，才能将与所述加热用图案层的区域块20对应的所述柔性基底30和所述承载基板10完全剥离，从而形成一个个柔性显示基板。即所述柔性显示基板包括与所述区域块20对应的部分或全部柔性基底30和位于所述柔性基底30上方的显示元件40。
在此基础上，由于形成所述柔性显示基板需要的仅是将所述柔性基底30和所述承载基板10完全剥离，因此，对于所述柔性显示基板母板01，可以将位于所述区域块20上方的特定区域的柔性基底30和位于所述柔性基底30上方的显示元件称为待形成的柔性显示基板，这里，一个所述区域块20可以对应至少一个待形成的柔性显示基板。
第二，图10中仅示意性的绘示出该柔性显示基板母板01的结构示意图，仅是为了说明该柔性显示基板母板01包括多个待形成的柔性显示基板，而每个待形成的柔性显示基板包括与区域块20对应的柔性基底30，以及位于该基底上的所有显示元件40；其中仅简单的用一个显示元件40代表了所有的显示元件40。
第三，本发明实施例所指的显示元件40是指，根据所述柔性显示基板的类型，对应所述柔性显示基板的一个最小的显示单元来说，实现相应显示功能的必不可少的、且由各层图案组成的结构；所述柔性显示基板包括若干个显示元件40。
例如参考图8a所示，当所述柔性显示基板为LCD的阵列基板时，则对于该阵列基板的一个最小显示单元来说，该显示元件40至少包括薄膜晶体管404、像素电极405，当然还可以包括公共电极406等；当所述柔性显示基板为LCD的彩膜基板时，则对于该彩膜基板的一个最小显示单元来说，该显示元件40包括红色光阻4071或绿色光阻4072或蓝色光阻4073以及黑矩阵408等；当所述柔性显示基板为OLED的阵列基板时，则对于该阵列基板的一个最小显示单元来说，该显示元件40至少包括阳极401、阴极402和有机材料功能层403。
当然除此之外，还可以包括一些必要的图案层例如保护层等或为改善显示效果或某些缺陷增加的一些图案层。
本发明实施例提供了一种柔性显示基板母板01，包括承载基板10；设置在所述承载基板10上的加热用图案层，所述加热用图案层包括间隔排列的多个区域块20；设置在所述加热用图案层上的柔性基底30，和设置在所述柔性基底30上的显示元件40；其中，所述柔性基底30的面积大于所述加热用图案层的面积。
根据本发明实施例提供的所述柔性显示基板母板01，可以通过控制加热用图案层施加在所述柔性基底30的热量，使到达柔性基底30的热能仅渗透到柔性基底30与所述加热用图案层接触的底部的一定厚度，从而在使与所述加热用图案层的区域块20对应的所述柔性基底30的底部由于受热材料分解而与所述承载基板10分离的基础上，避免对柔性基底30上方的显示元件40造成损坏，并且可以节省能耗。
此外，当对加热用图案层加热时，所述加热用图案层的每个区域块20可以均匀的将热量施加在与之对应的柔性基底30，从而使与每个区域块20对应的所述柔性基板30和所述承载基板10实现均匀的分离。在此基础上，由于所述加热用图案层的每个区域块20都是相互独立的，因此，可以通过向任一个区域块20进行加热，来进行分离，即可以先分区块小面积的使与区域块20对应的承载基板10和柔性基底30分离，然后通过切割形成一个个柔性显示基板，从而避免大面积分离时的分离不均。
可选的，如图2至5所示，所述加热用图案层还包括与每个所述区域块20连接的两个凸出部分，所述两个凸出部分用于给所述区域块提供电压。
当然，本发明实施例中，对于任一个所述区域块20，也并不限于连接两个凸出部分，也可以连接两个以上的凸出部分，在此不做限定。
这里，可以使柔性基底30略小于承载基板10的面积，即，使所述承载基板10的边缘露出，这样在制作所述两个凸出部分时，可以使该两个凸出部分延伸到承载基板10的边缘，即暴露于所述柔性基底30之外，这样，通过外部电源直接接触上述两个凸出部分，便可以向所述区域块20施加电压。
进一步可选的，所述加热用图案层的材料包括金属单质、合金、金属氧化物中的至少一种。
基于上述描述，优选的，参考图2和图3所示，任一个所述区域块20的形状均为矩形。
由于目前大部分成型的显示基板都为矩形状的，因此，将区域块20的形状设为矩形，可以方便后续切割的对准，避免破坏柔性显示的完整性。
可选的，参考图4所示，任一个所述区域块20对应一个待形成的预定尺寸的柔性显示基板；其中，所述柔性显示基板包括与所述区域块20对应的所述柔性基底30和设置在所述柔性基底上的所述显示元件40。
其中，一个封闭的虚线框对应一个待形成的预定尺寸的柔性显示基板。
可选的，如图5所示，任一个所述区域块20对应两个待形成的预定尺寸的柔性显示基板；其中，所述柔性显示基板包括与所述区域块20对应的部分所述柔性基底30和设置在所述柔性基底上的所述显示元件40。
其中，一个封闭的虚线框对应两个待形成的预定尺寸的柔性显示基板。
当然，任一个所述区域块20也可以对应两个以上预定尺寸的柔性显示基板，具体可以根据实际情况进行设定。
基于上述描述，对于待形成的柔性显示基板，可以具体包括如下几种情况：
第一种：参考图6所示，当待形成的柔性显示基板为柔性无源OLED的显示面板时，其包括设置在所述柔性基底30上的阳极401、阴极402、位于所述阳极401和所述阴极402之间的有机材料功能层403，当然在此基础上，还设置有柔性封装层60。对于所述有机材料功能层403，其可以至少包括电子传输层、发光层和空穴传输层，为了能够提高所述电子和所述空穴注入发光层的效率，优选的，所述有机材料功能层403还可以包括设置在所述阴极402与所述电子传输层之间的电子注入层，以及在所述阳极401与所述空穴传输层之间的空穴注入层。
其中，任一个阳极401、与之对应的一个阴极402、以及位于所述阳极401和所述阴极402之间的有机材料功能层403构成一个显示元件40。此外，参考图6所示，任意相邻的两个显示元件之间可以设置像素隔离层50来隔离所述显示元件40。
第二种，参考图7所示，当待形成的柔性显示基板为柔性有源OLED的显示面板时，其包括设置在所述柔性基底30上的薄膜晶体管404、阳极401、阴极402、位于所述阳极401和所述阴极402之间的有机材料功能层403，当然在此基础上，还设置有柔性封装层60。所述薄膜晶体管404包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，所述漏极和所述阳极401电连接。
其中，任一个薄膜晶体管404，与所述薄膜晶体管404的漏极电连接的阳极401，与该阳极401对应的一个阴极，以及位于阳极401和所述阴极402之间的有机材料功能层403构成一个显示元件40。当然，任意相邻的两个显示元件40之间也可以设置像素隔离层60来隔离所述显示元件40。
这里，所述薄膜晶体管是一种具有开关特性的半导体单元，例如可以是非晶硅型薄膜晶体管、或低温多晶硅型薄膜晶体管、或氧化物型薄膜晶体管、或有机物型薄膜晶体管等，在此不做限定。在此基础上，所述薄膜晶体管可以是顶栅型，也可以是底栅型。
需要说明的是，对于第一种和第二种情况，不对所述阳极401和阴极402的设置顺序进行限定，可以是先形成阳极401，之后形成有机材料功能层403，然后再形成阴极402；也可以是先形成阴极402，之后形成有机材料功能层403，然后再形成阳极401。
第二，对于第一种和第二种情况，由于OLED中材料的特殊性，利用所述加热用图案层对所述柔性基底进行加热并进行切割，应该在显示元件40、必要的图案层、以及封装层均形成后进行，因此，OLED显示面板应包括上述膜层。
第三，当所述有机材料功能层403发出的光为白光的情况下，OLED显示面板还可以包括彩膜结构，具体根据实行情况进行设定，在此不再赘述。
第三种情况，参考图8a所示，当待形成的所述柔性显示基板为柔性LCD的阵列基板时，其包括设置在所述柔性基底上的薄膜晶体管404，以及与所述薄膜晶体管404的漏极电连接的像素电极405。当然，参考图8b所示，也可以包括公共电极406。
其中，任一个薄膜晶体管404，与所述薄膜晶体管404的漏极电连接的像素电极405构成一个显示元件40。当所述阵列基板还包括所述公共电极406时，任一个薄膜晶体管404，与所述薄膜晶体管404的漏极电连接的像素电极405，以及与所述像素电极405对应的公共电极406构成一个显示元件40。
第四种情况，参考图9所示，当待形成的所述柔性显示基板为柔性LCD的彩膜基板时，其包括设置在所述柔性基底30上的色层和黑矩阵408；当然，也可以包括公共电极406。对于所述色层，其包括红色光阻4071、绿色光阻4072和蓝色光阻4073，也可以包括白色光阻。
其中，任一种颜色的光阻和周围的所述黑矩阵408构成一个显示元件40。
需要说明的是，针对第三种和第四种情况，在形成所述显示元件后，可以先将所述阵列基板和彩膜基板进行加热、切割后，再将所述阵列基板和所述彩膜基板进行对盒，也可以在形成所述显示元件后，直接进行对盒，然后再将对盒后的液晶显示面板进行加热、切割，剥离。也就是说，待形成的柔性显示基板也可以是LCD阵列基板和彩膜基板对盒后的液晶显示面板。
在上述基础上，考虑到柔性基底30的表面粗糙度往往大于承载基板例如玻璃衬底基板的表面粗糙度，因此在弯折的情况下，很容易因为柔性基底30表面的凹凸不平和应力作用而导致设置在所述柔性基底30上的膜层的破裂或脱落。因此，优选的，可以紧挨所述柔性基底30设置具有较强附着力的膜层，即：将显示元件40设置在该膜层上，这样既可以解决粗糙度的问题，也可以避免设置在柔性基底上的膜层的破裂或脱落。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种柔性显示基板母板，其特征在于，包括：
承载基板；
设置在所述承载基板上的加热用图案层，所述加热用图案层包括间隔排列的多个区域块；
设置在所述加热用图案层上的柔性基底，和设置在所述柔性基底上的显示元件；
其中，所述柔性基底的面积大于所述加热用图案层的面积；
任一个所述区域块对应一个待形成的预定尺寸的柔性显示基板；其中，所述柔性显示基板包括与所述区域块对应的所述柔性基底和设置在所述柔性基底上的所述显示元件；或者，
任一个所述区域块对应两个或两个以上待形成的预定尺寸的柔性显示基板；其中，所述柔性显示基板包括与所述区域块对应的部分所述柔性基底和设置在所述柔性基底上的所述显示元件；
所述柔性基底为单层膜或多层膜结构。
2.根据权利要求1所述的母板，其特征在于，所述加热用图案层还包括与每个所述区域块连接的至少两个凸出部分，所述凸出部分用于给所述区域块提供电压。
3.根据权利要求2所述的母板，其特征在于，所述加热用图案层的材料包括金属单质、合金、金属氧化物中的至少一种。
4.一种柔性显示基板的制造方法，其特征在于，包括：
在承载基板上形成加热用图案层，所述加热用图案层包括间隔排列的多个区域块；
在形成有所述加热用图案层的基板上形成柔性基底，并在所述柔性基底上形成显示元件；其中，所述柔性基底的面积大于所述加热用图案层的面积；
利用所述加热用图案层对所述柔性基底进行加热，并进行切割，将与所述区域块对应的所述柔性基底与所述承载基板和所述加热用图案层剥离，形成柔性显示基板；
其中，任一个所述区域块对应一个预定尺寸的柔性显示基板；其中，所述柔性显示基板包括与所述区域块对应的所述柔性基底和形成在所述柔性基底上的所述显示元件；或者，
任一个所述区域块对应两个或两个以上预定尺寸的柔性显示基板；其中，所述柔性显示基板包括与所述区域块对应的部分所述柔性基底和形成在所述柔性基底上的所述显示元件。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用所述加热用图案层对所述柔性基底进行加热，包括：
利用所述加热用图案层的每个所述区域块，依次对与每个所述区域块对应的所述柔性基底进行加热；或者，
利用所述加热用图案层的所有所述区域块，同时对与所有所述区域块对应的所述柔性基底进行加热。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用所述加热用图案层对所述柔性基底进行加热，包括：
通过向所述区域块施加电压来产生焦耳热，所产生的焦耳热被施加于所述区域块对应的柔性基底。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述加热用图案层还包括与每个所述区域块连接的至少两个凸出部分，所述凸出部分用于给所述区域块提供电压。
8.根据权利要求4至7任一项所述的方法，其特征在于，切割区域包括对应所述柔性显示基板之外、与所述柔性显示基板对应的所述区域块之内的区域。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681694A (zh) * 2013-12-06 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板及柔性显示器
CN103855171B (zh) * 2014-02-28 2017-01-18 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法
CN104022062B (zh) * 2014-06-12 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板的制备方法
CN104485344B (zh) * 2014-12-08 2017-12-05 信利（惠州）智能显示有限公司 一种柔性显示器制备方法
CN104465479B (zh) * 2014-12-19 2017-03-01 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法
US10328855B2 (en) 2015-03-18 2019-06-25 Uber Technologies, Inc. Methods and systems for providing alerts to a connected vehicle driver and/or a passenger via condition detection and wireless communications
US9610893B2 (en) 2015-03-18 2017-04-04 Car1St Technologies, Llc Methods and systems for providing alerts to a driver of a vehicle via condition detection and wireless communications
JP2017134329A (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 株式会社 オルタステクノロジー 液晶表示装置及びその製造方法
CN105845845B (zh) * 2016-04-14 2018-07-06 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种粘接型阻隔膜的图形化方法、显示面板、显示装置
KR20180032742A (ko) * 2016-09-22 2018-04-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 디스플레이 패널 및 플렉시블 디스플레이 패널 벤딩 방법
CN106505152B (zh) * 2016-10-31 2019-07-12 武汉华星光电技术有限公司 柔性oled面板制作方法及柔性oled面板
CN106356380B (zh) * 2016-11-11 2019-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 柔性tft基板及其制作方法
US10163994B2 (en) * 2017-03-30 2018-12-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED panel manufacturing method and OLED panel
CN107146856A (zh) * 2017-05-11 2017-09-08 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示母板及其制备方法、切割方法
CN108987612A (zh) 2017-06-01 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版及其制造方法，柔性衬底剥离系统及柔性衬底剥离方法
CN107516666B (zh) * 2017-08-18 2020-01-10 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性oled显示器件剥离方法及柔性oled显示器件
CN108682299B (zh) * 2018-07-24 2021-04-20 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
KR102536265B1 (ko) * 2018-12-21 2023-05-25 삼성전자주식회사 폴더블 전자 장치
CN111653690B (zh) * 2020-06-18 2024-04-19 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102683379A (zh) * 2011-03-10 2012-09-19 三星移动显示器株式会社 柔性显示装置及其制造方法
CN203812880U (zh) * 2014-02-28 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板母板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6911624B2 (en) * 2002-08-23 2005-06-28 Micron Technology, Inc. Component installation, removal, and replacement apparatus and method
CN101510020B (zh) * 2009-03-24 2010-09-15 天马微电子股份有限公司 Ito加热器及液晶显示器的加热方法
KR20120042151A (ko) * 2010-10-22 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102021030B1 (ko) * 2013-06-07 2019-09-16 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제어방법
CN103681486B (zh) * 2013-12-06 2018-07-17 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板的制造方法
CN103682177B (zh) * 2013-12-16 2015-03-25 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled面板的制作方法
CN103855171B (zh) 2014-02-28 2017-01-18 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102683379A (zh) * 2011-03-10 2012-09-19 三星移动显示器株式会社 柔性显示装置及其制造方法
CN203812880U (zh) * 2014-02-28 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板母板

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US9577202B2 (en) 2017-02-21

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