JP2020529047A - フレキシブルディスプレイパネルの製造方法及びフレキシブルディスプレイパネル - Google Patents

フレキシブルディスプレイパネルの製造方法及びフレキシブルディスプレイパネル Download PDF

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Abstract

【解決手段】本発明は、フレキシブルディスプレイパネルの製造方法及びフレキシブルディスプレイパネルを提供するものである。本発明の方法において、まずフォトレジスト層（２）に対してパターニング処理を施すことで、相互に離間した複数のフォトレジスト領域（２０）を形成し、隣接する２つのフォトレジスト領域（２０）の間には貫通孔（２１）が形成されることとなる。次に、フォトレジスト領域（２０）をマスクとして、可撓性ベース基板（１）に対してキャビティ形成処理を施し、貫通孔（２１）と対応した位置に互いに平行な複数のベース凹溝（１１）を形成する。続いて、金属薄膜を堆積させた後で、フォトレジスト領域（２０）及びその上にある金属層（３１）を除去することで、互いに平行な複数のベース凹溝（１１）内にそれぞれ埋め込まれた複数の金属パターン（３２）が得られ、各々の金属パターン（３２）は、走査線（３２１）と、複数のゲート電極（３２２）とを含む。そして、アレイ状に配置された複数のＴＦＴ、及びＯＬＥＤ発光素子を形成する。当該方法により、走査線（３２１）とゲート電極（３２２）とが可撓性ベース基板（１）内に埋め込まれることとなり、フレキシブルディスプレイパネルが折り曲げられた際に走査線（３２１）に生じる応力欠陥を効果的に低減させることができ、フレキシブルディスプレイパネルの安定性を高めることができる。【選択図】図８

Description

本発明はディスプレイ技術の分野に関するものであり、特にフレキシブルディスプレイパネルの製造方法及びフレキシブルディスプレイパネルに関するものである。
ディスプレイ技術の分野において、液晶ディスプレイパネル（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）や有機発光ダイオードディスプレイパネル（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）等のフラットパネルディスプレイ装置は、既に徐々にＣＲＴディスプレイに取って代わるものとなっている。
また、液晶ディスプレイパネルは、カラーフィルタ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ、ＣＦ）基板と、薄膜トランジスタアレイ基板（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ａｒｒａｙ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ、ＴＦＴ Ａｒｒａｙ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と、２つの基板の間に充填された液晶層とで構成されている。加えて、ＣＦ基板及びＴＦＴ基板はいずれも、剛性のあるガラスをベース基板として用いるため、フラットパネル型の液晶ディスプレイパネルは折り曲げることができない。
ＯＬＥＤディスプレイパネルは即ち、フレキシブルディスプレイパネルである。フレキシブルディスプレイパネルは、可撓性のある材料を用いて製造されており、任意に湾曲及び変形した状態で表示を行なうことができるものである。ＯＬＥＤ等のフレキシブルディスプレイパネルには、軽量、小型、薄型、携帯性、高温及び低温への耐性、耐衝撃性、より優れた耐震性、より幅広い稼働環境への適応、折り曲げ可、より優れた芸術的美観を有する外形等の利点が備わっており、近年、国内外の学術機関や研究機関における研究の焦点となっている。
従来技術におけるフレキシブルディスプレイパネルは通常、可撓性基板を含んでおり、可撓性基板の一側には、可撓性基板の表面上に配置されたＴＦＴアレイと、発光素子と、ＴＦＴアレイを駆動させる駆動回路とが設けられている。前記ＴＦＴアレイを駆動させる駆動回路はさらに、走査線等を含む。こうした従来のフレキシブルディスプレイパネルが湾曲した際、走査線を内に有する駆動回路も可撓性基板の表面に追従して折り曲げられるので、応力欠陥が生じ、ＴＦＴ及び発光素子の正常な動作に影響を与えることとなる。
従って、従来技術にはさらなる改善と発展の余地がある。
本発明の目的は、フレキシブルディスプレイパネルが折り曲げられた際に走査線に生じる応力欠陥を効果的に低減させ、フレキシブルディスプレイパネルの安定性を高めることのできるフレキシブルディスプレイパネルの製造方法を提供することである。
本発明の他の目的は、フレキシブルディスプレイパネルが折り曲げられた際の内部における走査線に生じる応力欠陥が比較的少なく、フレキシブルディスプレイパネルとしての安定性が比較的高いフレキシブルディスプレイパネルを提供することである。
上述の目的を達成するために、本発明は初めにフレキシブルディスプレイパネルの製造方法を提供し、当該製造方法は、
可撓性ベース基板を提供し、且つ前記可撓性ベース基板上にフォトレジスト層を堆積させるステップＳ１と、
前記フォトレジスト層に対してパターニング処理を施すことで、相互に離間した複数のフォトレジスト領域を形成し、隣接する２つの前記フォトレジスト領域の間に貫通孔が形成されるステップＳ２と、
前記フォトレジスト領域をマスクとして、前記可撓性ベース基板に対してキャビティ形成処理を施すことで、前記貫通孔と対応した位置に互いに平行な複数のベース凹溝を形成するステップＳ３と、
前記フォトレジスト領域及び前記可撓性ベース基板上に金属薄膜を堆積させることで、前記フォトレジスト領域を被覆する金属層を形成するとともに、互いに平行な前記複数のベース凹溝内にそれぞれ埋め込まれた複数の金属パターンを形成し、前記金属パターンの各々が走査線と前記走査線に接続された複数のゲート電極とを有するようにするステップＳ４と、
前記フォトレジスト領域を剥がすことで、前記フォトレジスト領域と前記フォトレジスト領域上の前記金属層とを除去するステップＳ５と、
前記可撓性ベース基板及び前記ベース凹溝内に埋め込まれた各々の前記金属パターン上にアレイ状に配置された複数のＴＦＴを形成し、且つアレイ状に配置された前記複数のＴＦＴ上にＯＬＥＤ発光素子を堆積させるステップＳ６と、を含むことができる。
前記貫通孔の側辺と前記フォトレジスト領域の下面のなす角度は鈍角であり、前記貫通孔の側辺と前記フォトレジスト領域の上面のなす角度は鋭角とすることができる。
前記貫通孔の断面形状は等脚台形を呈し、且つ前記等脚台形の下底は上底よりも長くすることができる。
前記ベース凹溝の深さは３００〜３０００ｎｍとすることができる。
前記ベース凹溝の断面形状は長方形を呈することができる。
前記金属パターンの厚さは前記ベース凹溝の深さと一致するようにすることができる。
前記ステップＳ６において、
前記可撓性ベース基板及び前記金属パターン上にゲート絶縁層を堆積させ；
前記ゲート絶縁層上に半導体活性層を堆積させ；
金属薄膜を堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、前記半導体活性層の両端とそれぞれ接触するソース電極及びドレイン電極を形成し；前記ゲート電極と、前記半導体活性層と、前記ソース電極と、前記ドレイン電極とでＴＦＴを構成し；
層間絶縁層、平坦層、及びアノードを順次堆積させ；前記層間絶縁層及び前記平坦層を貫通するビアホールを介して、前記アノードをＴＦＴの前記ドレイン電極に接続し;
前記平坦層及び前記アノード上にパターン化されたピクセル隔離層を形成し、前記ピクセル隔離層は前記平坦層及び前記アノードを部分的に被覆し；
前記ピクセル隔離層によって画定された領域内で有機発光層及びカソードを順次堆積させ、前記アノードと、前記有機発光層と、前記カソードとでＯＬＥＤ発光素子を構成することができる。
本発明はさらにフレキシブルディスプレイパネルを提供し、当該フレキシブルディスプレイパネルは、
互いに平行な複数のベース凹溝を有する可撓性ベース基板と、
互いに平行な前記複数のベース凹溝にそれぞれ埋め込まれた複数の金属パターンであって、各々が走査線と前記走査線に接続された複数のゲート電極とを有する金属パターンと、
前記可撓性ベース基板及び前記各々の金属パターン上にアレイ状に配置された複数のＴＦＴと、
アレイ状に配置された前記複数のＴＦＴ上に設けられたＯＬＥＤ発光素子と、を含むことができる。
前記ベース凹溝の深さは３００〜３０００ｎｍであり、断面形状は長方形を呈することができる。
前記金属パターンの厚さは前記ベース凹溝の深さと一致するようにすることができる。
本発明はフレキシブルディスプレイパネルの製造方法をさらに提供し、当該製造方法は、
可撓性ベース基板を提供し、且つ前記可撓性ベース基板上にフォトレジスト層を堆積させるステップＳ１と、
前記フォトレジスト層に対してパターニング処理を施すことで、相互に離間した複数のフォトレジスト領域を形成し、隣接する２つの前記フォトレジスト領域の間に貫通孔が形成されるステップＳ２と、
前記フォトレジスト領域をマスクとして、前記可撓性ベース基板に対してキャビティ形成処理を施すことで、前記貫通孔と対応した位置に互いに平行な複数のベース凹溝を形成するステップＳ３と、
前記フォトレジスト領域及び前記可撓性ベース基板上に金属薄膜を堆積させることで、前記フォトレジスト領域を被覆する金属層を形成するとともに、互いに平行な前記複数のベース凹溝内にそれぞれ埋め込まれた複数の金属パターンを形成し、前記金属パターンの各々が走査線と前記走査線に接続された複数のゲート電極とを有するようにするステップＳ４と、
前記フォトレジスト領域を剥がすことで、前記フォトレジスト領域と前記フォトレジスト領域上の前記金属層とを除去するステップＳ５と、
前記可撓性ベース基板及び前記ベース凹溝内に埋め込まれた各々の前記金属パターン上にアレイ状に配置された複数のＴＦＴを形成し、且つアレイ状に配置された前記複数のＴＦＴ上にＯＬＥＤ発光素子を堆積させるステップＳ６と、を含み、
前記貫通孔の側辺と前記フォトレジスト領域の下面のなす角度は鈍角であり、前記貫通孔の側辺と前記フォトレジスト領域の上面のなす角度は鋭角であり、
前記貫通孔の断面形状は等脚台形を呈し、且つ前記等脚台形の下底は上底よりも長く、
前記ベース凹溝の深さは３００〜３０００ｎｍであり、
前記金属パターンの厚さは前記ベース凹溝の深さと一致するようにすることができる。
本発明の有益な効果は以下の通りである。本発明が提供するフレキシブルディスプレイパネルの製造方法において、まずフォトレジスト層に対してパターニング処理を施すことで、相互に離間した複数のフォトレジスト領域を形成し、隣接する２つのフォトレジスト領域の間には貫通孔が形成されることとなる。次に、前記フォトレジスト領域をマスクとして、可撓性ベース基板に対してキャビティ形成処理を施し、前記貫通孔と対応した位置に互いに平行な複数のベース凹溝を形成する。続いて、金属薄膜を堆積させた後で、フォトレジスト領域及びその上にある金属層を除去することで、互いに平行な前記複数のベース凹溝内にそれぞれ埋め込まれた複数の金属パターンが得られ、各々の金属パターンは、走査線と、複数のゲート電極とを含む。そして、アレイ状に配置された複数のＴＦＴ、及びＯＬＥＤ発光素子Ｄを形成する。当該方法により、走査線とゲート電極とが可撓性ベース基板内に埋め込まれることとなり、フレキシブルディスプレイパネルが折り曲げられた際に走査線に生じる応力欠陥を効果的に低減させることができ、フレキシブルディスプレイパネルの安定性を高めることができる。本発明が提供するフレキシブルディスプレイパネルは、走査線とゲート電極とを有する金属パターンが可撓性ベースのベース凹溝に埋め込まれているため、フレキシブルディスプレイパネルが折り曲げられた際に走査線に生じる応力欠陥を比較的少なくし、これはフレキシブルディスプレイパネルの安定性を高めるのに役立つ。
本発明の特徴及び技術内容に対するさらなる理解のために、以下における発明の詳細な説明及び添付の図面を参照されたい。添付の図面は単に説明に供するためのものにすぎず、本発明を限定するためのものではない。
添付の図面において、
本発明におけるフレキシブルディスプレイパネルの製造方法のフローチャートである。 本発明におけるフレキシブルディスプレイパネルの製造方法のステップＳ１を示す図である。 本発明におけるフレキシブルディスプレイパネルの製造方法のステップＳ２を示す図である。 本発明におけるフレキシブルディスプレイパネルの製造方法のステップＳ３を示す図である。 本発明におけるフレキシブルディスプレイパネルの製造方法のステップＳ４を示す図である。 本発明におけるフレキシブルディスプレイパネルの製造方法のステップＳ４によって形成された金属パターンを示す平面図である。 本発明におけるフレキシブルディスプレイパネルの製造方法のステップＳ５を示す図である。 本発明におけるフレキシブルディスプレイパネルの製造方法のステップＳ６を示し、且つ本発明のフレキシブルディスプレイパネルの断面構造を示す図である。
本発明で採用されている技術手段及びその効果についてより詳細に記述するために、以下において、本発明の好ましい実施形態と添付の図面とを組み合わせて詳述する。
図１を参照されたい。
本発明はまず、以下のステップを含むフレキシブルディスプレイパネルの製造方法を提供する。
ステップＳ１、図２に示すように、可撓性ベース基板１を提供し、前記可撓性ベース基板１上にフォトレジスト層２を堆積させる。
具体的には、前記可撓性ベース基板１の材質として、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）又はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が好ましい。
ステップＳ２、図３に示すように、前記フォトレジスト層２に対して、露光及び現像によりパターニング処理を施し、相互に離間した複数のフォトレジスト領域２０を形成する。隣接する２つのフォトレジスト領域２０の間には貫通孔２１が形成されることとなる。
ここで留意すべき点として、前記貫通孔２１の側辺とフォトレジスト領域２０の下面のなす角度ａは９０°よりも大きい鈍角であることが好ましく、前記貫通孔２１の側辺とフォトレジスト領域２０の上面のなす角度ｂは即ち鋭く尖った鋭角であることが好ましい。
具体的には、前記貫通孔２１の断面形状は等脚台形を呈し、等脚台形の下底は上底よりも長く、即ち、等脚台形の側辺はいずれもその上端から下端にかけてフォトレジスト領域２０の材料の内部に向かって傾斜している。
ステップＳ３、図４に示すように、前記フォトレジスト領域２０をマスクとして、エッチングによって前記可撓性ベース基板１に対してキャビティ形成処理を施し、前記貫通孔２１と対応した位置に互いに平行な複数のベース凹溝１１を形成する。
具体的には、前記ベース凹溝１１の深さは３００〜３０００ｎｍであることが好ましく、ベース凹溝１１の深さが可撓性ベース基板１の厚さよりも小さいことが保証される。加えて、前記ベース凹溝１１は長方形の断面形状を有する。
ステップＳ４、図５に示すように、フォトレジスト領域２０及び可撓性ベース基板１上に金属薄膜を直接堆積させる。ここで、前記貫通孔２１の側辺とフォトレジスト領域２０の下面のなす角度ａが９０°よりも大きい鈍角であり、前記貫通孔２１の側辺とフォトレジスト領域２０の上面のなす角度ｂが鋭敏な鋭角であるため、前記貫通孔２１は金属薄膜を効果的に分割することができ、前記フォトレジスト領域２０を被覆する金属層３１が形成されるとともに、互いに平行な前記複数のベース凹溝１１にそれぞれ埋め込まれ、且つベース凹溝１１と同一のパターンを示す複数の金属パターン３２が形成される。
さらに、前記金属パターン３２の厚さは、前記ベース凹溝１１の深さと一致する。
図６に示すように、各金属パターン３２は、走査線３２１と、前記走査線３２１に接続された複数のゲート電極３２２とを有する。
ステップＳ５、図７に示すように、前記フォトレジスト領域２０を剥がし、前記フォトレジスト領域２０を被覆している金属層３１を同時に除去することで、互いに平行な前記複数のベース凹溝１１にそれぞれ埋め込まれ、且つベース凹溝１１と同一のパターンを示す複数の金属パターン３２が残る。
この工程において、前記貫通孔２１が効果的に金属薄膜を分割するため、フォトレジスト領域２０及びフォトレジスト領域２０上の金属層を除去する際に、ベース凹溝１１内に埋め込まれた金属パターン３２に損傷を与えることはない。
ステップＳ６、図８に示すように、可撓性ベース基板１及びベース凹溝１１内に埋め込まれた各々の金属パターン３２上にアレイ状に配置された複数のＴＦＴ Ｔを形成し、且つアレイ状に配置された前記複数のＴＦＴ Ｔ上にＯＬＥＤ発光素子Ｄを堆積させ、最後に封止を行なう。
具体的には、当該ステップＳ６は以下の工程を含む。
前記可撓性ベース基板１及び金属パターン３２上にゲート絶縁層５１を堆積させ；
前記ゲート絶縁層５１上に半導体活性層５２を堆積させ；
金属薄膜を堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、前記半導体活性層５２の両端とそれぞれ接触するソース電極５３１及びドレイン電極５３２を形成し；前記ゲート電極３２２と、半導体活性層５２と、ソース電極５３１と、ドレイン電極５３２とでＴＦＴ Ｔを構成し；
層間絶縁層５４、平坦層５５、及びアノード５７を順次堆積させ；層間絶縁層５４及び平坦層５５を貫通するビアホールＶを介して、前記アノード５７をＴＦＴ Ｔのドレイン電極５３２に接続し;
前記平坦層５５及びアノード５７上にパターン化されたピクセル隔離層５６を形成し、前記ピクセル隔離層５６は前記平坦層５５及びアノード５７を部分的に被覆し；
前記ピクセル隔離層５６によって画定された領域内で有機発光層５８及びカソード５９を順次堆積させ、前記アノード５７と、有機発光層５８と、カソード５９とでＯＬＥＤ発光素子Ｄを構成する。
上記方法により、走査線３２１及びゲート電極３２２を有する金属パターン３２は、可撓性ベース基板１のベース凹溝１１内に埋め込まれることとなる。これは、金属パターン３２と可撓性ベース基板２との複合薄膜が一層として形成されたことに相当し、即ち、走査線３２１及びゲート電極３２２は可撓性ベース基板１と一体となり、ディスプレイパネルの湾曲時に走査線３２１上に生じる応力を分散させるのに役立つ。これにより、フレキシブルディスプレイパネルが折り曲げられた際に走査線３２１に生じる応力欠陥を効果的に低減させることができ、フレキシブルディスプレイパネルの安定性を高めることができる。
同一の発明に係る思想に基づいて、本発明はさらに、上記の方法で製造されたフレキシブルディスプレイパネルを提供する。図８及び図６を参照されたい。本発明のフレキシブルディスプレイパネルは以下の構成を含む。
可撓性ベース基板１、前記可撓性ベース基板１は互いに平行な複数のベース凹溝１１を有する；
互いに平行な前記複数のベース凹溝１１にそれぞれ埋め込まれた複数の金属パターン３２、各々の金属パターン３２は、走査線３２１と、前記走査線３２１に接続された複数のゲート電極３２２とを有する；
前記可撓性ベース基板１及び各々の金属パターン３２を被覆しているゲート絶縁層５１；
前記ゲート絶縁層５１上に設けられた半導体活性層５２；
前記半導体活性層５２の両端にそれぞれ接続されたソース電極５３１及びドレイン電極５３２；
前記半導体活性層５２、ソース電極５３１、ドレイン電極５３２及びゲート絶縁層５１を被覆している層間絶縁層５４；
前記層間絶縁層５４を被覆している平坦層５５；
平坦層５５上に設けられたアノード５７；前記アノード５７は、層間絶縁層５４及び平坦層５５を貫通するビアホールＶを介してドレイン電極５３２に接続されている;
前記平坦層５５及びアノード５７を部分的に被覆しているピクセル隔離層５６；
前記ピクセル隔離層５６によって画定された領域内において下から上に向かって順次設けられた有機発光層５８及びカソード５９。
前記ゲート電極３２２と、半導体活性層５２と、ソース電極５３１と、ドレイン電極５３２とでＴＦＴ Ｔを構成し；前記アノード５７と、有機発光層５８と、カソード５９とでＯＬＥＤ発光素子Ｄを構成している。
具体的には、前記ベース凹溝１１の深さは３００〜３０００ｎｍであり、その断面形状は長方形を呈し、且つ前記金属パターン３２の厚さは前記ベース凹溝１１の深さと一致する。
本発明のフレキシブルディスプレイパネルにおいて、走査線３２１及びゲート電極３２２を有する金属パターン３２は、可撓性ベース基板１のベース凹溝１１内に埋め込まれている。従って、これは、金属パターン３と可撓性ベース基板２との複合薄膜が一層として形成されていることに相当し、即ち、走査線３２１及びゲート電極３２２は可撓性ベース基板１と一体となり、ディスプレイパネルの湾曲時に走査線３２１上に生じる応力を分散させるのに役立つ。これにより、フレキシブルディスプレイパネルが折り曲げられた際に走査線３２１に生じる応力欠陥を効果的に低減させることができ、フレキシブルディスプレイパネルの安定性を高めることができる。
以上のように、本発明におけるフレキシブルディスプレイパネルの製造方法において、まずフォトレジスト層に対してパターニング処理を施すことで、相互に離間した複数のフォトレジスト領域を形成し、隣接する２つのフォトレジスト領域の間には貫通孔が形成されることとなる。次に、前記フォトレジスト領域をマスクとして、可撓性ベース基板に対してキャビティ形成処理を施し、前記貫通孔と対応した位置に互いに平行な複数のベース凹溝を形成する。続いて、金属薄膜を堆積させた後で、フォトレジスト領域及びその上にある金属層を除去することで、互いに平行な前記複数のベース凹溝内にそれぞれ埋め込まれた複数の金属パターンが得られ、各々の金属パターンは、走査線と、複数のゲート電極とを含む。そして、アレイ状に配置された複数のＴＦＴ、及びＯＬＥＤ発光素子Ｄを形成する。当該方法により、走査線とゲート電極とが可撓性ベース基板内に埋め込まれることとなり、フレキシブルディスプレイパネルが折り曲げられた際に走査線に生じる応力欠陥を効果的に低減させることができ、フレキシブルディスプレイパネルの安定性を高めることができる。本発明のフレキシブルディスプレイパネルは、走査線とゲート電極とを有する金属パターンが可撓性ベースのベース凹溝に埋め込まれているため、フレキシブルディスプレイパネルが折り曲げられた際に走査線に生じる応力欠陥を比較的少なくし、これはフレキシブルディスプレイパネルの安定性を高めるのに役立つ。
このように、本分野の通常の技術者は、本発明の技術案及び技術的思想に基づいて、その他各種の対応する改変及び変形を施すことができ、これら改変及び変形はいずれも本発明の特許請求の範囲で保護を求める範囲に属する。

Claims (13)

  1. 可撓性ベース基板を提供し、且つ前記可撓性ベース基板上にフォトレジスト層を堆積させるステップＳ１と、
    前記フォトレジスト層に対してパターニング処理を施すことで、相互に離間した複数のフォトレジスト領域を形成し、隣接する２つの前記フォトレジスト領域の間に貫通孔が形成されるステップＳ２と、
    前記フォトレジスト領域をマスクとして、前記可撓性ベース基板に対してキャビティ形成処理を施すことで、前記貫通孔と対応した位置に互いに平行な複数のベース凹溝を形成するステップＳ３と、
    前記フォトレジスト領域及び前記可撓性ベース基板上に金属薄膜を堆積させることで、前記フォトレジスト領域を被覆する金属層を形成するとともに、互いに平行な前記複数のベース凹溝内にそれぞれ埋め込まれた複数の金属パターンを形成し、前記金属パターンの各々が走査線と前記走査線に接続された複数のゲート電極とを有するようにするステップＳ４と、
    前記フォトレジスト領域を剥がすことで、前記フォトレジスト領域と前記フォトレジスト領域上の前記金属層とを除去するステップＳ５と、
    前記可撓性ベース基板及び前記ベース凹溝内に埋め込まれた各々の前記金属パターン上にアレイ状に配置された複数のＴＦＴを形成し、且つアレイ状に配置された前記複数のＴＦＴ上にＯＬＥＤ発光素子を堆積させるステップＳ６と、を含むことを特徴とするフレキシブルディスプレイパネルの製造方法。
  2. 前記貫通孔の側辺と前記フォトレジスト領域の下面のなす角度は鈍角であり、前記貫通孔の側辺と前記フォトレジスト領域の上面のなす角度は鋭角であることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイパネルの製造方法。
  3. 前記貫通孔の断面形状は等脚台形を呈し、且つ前記等脚台形の下底は上底よりも長いことを特徴とする請求項２に記載のフレキシブルディスプレイパネルの製造方法。
  4. 前記ベース凹溝の深さは３００〜３０００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイパネルの製造方法。
  5. 前記ベース凹溝の断面形状は長方形を呈することを特徴とする請求項４に記載のフレキシブルディスプレイパネルの製造方法。
  6. 前記金属パターンの厚さは前記ベース凹溝の深さと一致することを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイパネルの製造方法。
  7. 前記ステップＳ６において、
    前記可撓性ベース基板及び前記金属パターン上にゲート絶縁層を堆積させ；
    前記ゲート絶縁層上に半導体活性層を堆積させ；
    金属薄膜を堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、前記半導体活性層の両端とそれぞれ接触するソース電極及びドレイン電極を形成し；前記ゲート電極と、前記半導体活性層と、前記ソース電極と、前記ドレイン電極とでＴＦＴを構成し；
    層間絶縁層、平坦層、及びアノードを順次堆積させ；前記層間絶縁層及び前記平坦層を貫通するビアホールを介して、前記アノードをＴＦＴの前記ドレイン電極に接続し;
    前記平坦層及び前記アノード上にパターン化されたピクセル隔離層を形成し、前記ピクセル隔離層は前記平坦層及び前記アノードを部分的に被覆し；
    前記ピクセル隔離層によって画定された領域内で有機発光層及びカソードを順次堆積させ、前記アノードと、前記有機発光層と、前記カソードとでＯＬＥＤ発光素子を構成することを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイパネルの製造方法。
  8. 互いに平行な複数のベース凹溝を有する可撓性ベース基板と、
    互いに平行な前記複数のベース凹溝にそれぞれ埋め込まれた複数の金属パターンであって、各々が走査線と前記走査線に接続された複数のゲート電極とを有する金属パターンと、
    前記可撓性ベース基板及び前記各々の金属パターン上にアレイ状に配置された複数のＴＦＴと、
    アレイ状に配置された前記複数のＴＦＴ上に設けられたＯＬＥＤ発光素子と、を含むフレキシブルディスプレイパネル。
  9. 前記ベース凹溝の深さは３００〜３０００ｎｍであり、断面形状は長方形を呈することを特徴とする請求項８に記載のフレキシブルディスプレイパネル。
  10. 前記金属パターンの厚さは前記ベース凹溝の深さと一致することを特徴とする請求項９に記載のフレキシブルディスプレイパネル。
  11. 可撓性ベース基板を提供し、且つ前記可撓性ベース基板上にフォトレジスト層を堆積させるステップＳ１と、
    前記フォトレジスト層に対してパターニング処理を施すことで、相互に離間した複数のフォトレジスト領域を形成し、隣接する２つの前記フォトレジスト領域の間に貫通孔が形成されるステップＳ２と、
    前記フォトレジスト領域をマスクとして、前記可撓性ベース基板に対してキャビティ形成処理を施すことで、前記貫通孔と対応した位置に互いに平行な複数のベース凹溝を形成するステップＳ３と、
    前記フォトレジスト領域及び前記可撓性ベース基板上に金属薄膜を堆積させることで、前記フォトレジスト領域を被覆する金属層を形成するとともに、互いに平行な前記複数のベース凹溝内にそれぞれ埋め込まれた複数の金属パターンを形成し、前記金属パターンの各々が走査線と前記走査線に接続された複数のゲート電極とを有するようにするステップＳ４と、
    前記フォトレジスト領域を剥がすことで、前記フォトレジスト領域と前記フォトレジスト領域上の前記金属層とを除去するステップＳ５と、
    前記可撓性ベース基板及び前記ベース凹溝内に埋め込まれた各々の前記金属パターン上にアレイ状に配置された複数のＴＦＴを形成し、且つアレイ状に配置された前記複数のＴＦＴ上にＯＬＥＤ発光素子を堆積させるステップＳ６と、を含むフレキシブルディスプレイパネルの製造方法であって、
    前記貫通孔の側辺と前記フォトレジスト領域の下面のなす角度は鈍角であり、前記貫通孔の側辺と前記フォトレジスト領域の上面のなす角度は鋭角であり、
    前記貫通孔の断面形状は等脚台形を呈し、且つ前記等脚台形の下底は上底よりも長く、
    前記ベース凹溝の深さは３００〜３０００ｎｍであり、
    前記金属パターンの厚さは前記ベース凹溝の深さと一致することを特徴とするフレキシブルディスプレイパネルの製造方法。
  12. 前記ベース凹溝の断面形状は長方形を呈することを特徴とする請求項１１に記載のフレキシブルディスプレイパネルの製造方法。
  13. 前記ステップＳ６において、
    前記可撓性ベース基板及び前記金属パターン上にゲート絶縁層を堆積させ；
    前記ゲート絶縁層上に半導体活性層を堆積させ；
    金属薄膜を堆積させ、且つパターニング処理を施すことで、前記半導体活性層の両端とそれぞれ接触するソース電極及びドレイン電極を形成し；前記ゲート電極と、前記半導体活性層と、前記ソース電極と、前記ドレイン電極とでＴＦＴを構成し；
    層間絶縁層、平坦層、及びアノードを順次堆積させ；前記層間絶縁層及び前記平坦層を貫通するビアホールを介して、前記アノードをＴＦＴの前記ドレイン電極に接続し;
    前記平坦層及び前記アノード上にパターン化されたピクセル隔離層を形成し、前記ピクセル隔離層は前記平坦層及び前記アノードを部分的に被覆し；
    前記ピクセル隔離層によって画定された領域内で有機発光層及びカソードを順次堆積させ、前記アノードと、前記有機発光層と、前記カソードとでＯＬＥＤ発光素子を構成することを特徴とする請求項１１に記載のフレキシブルディスプレイパネルの製造方法。
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