CN108987612A - 掩膜版及其制造方法,柔性衬底剥离系统及柔性衬底剥离方法 - Google Patents

掩膜版及其制造方法,柔性衬底剥离系统及柔性衬底剥离方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种掩膜版及其制造方法,柔性衬底剥离系统及柔性衬底剥离方法,属于显示屏技术领域。所述掩膜版用于激光照射,所述掩膜版包括:激光透射基板和位于激光透射基板上的图案化的激光防护层。本发明通过在进行柔性衬底剥离时将掩膜版置于衬底基板上未设置柔性衬底的一侧,而后利用激光通过掩膜版照射柔性衬底,在激光的照射过程中,激光防护层可以保证位于该激光防护层下方的柔性衬底不被激光照射,而不位于该激光防护层下方的柔性衬底会被激光照射,从而使得被激光照射的柔性衬底的图案与激光防护层的图案正好互补,将被激光照射的柔性衬底从衬底基板上剥离即可得到与激光防护层图案互补的异形柔性显示屏。

Description

掩膜版及其制造方法,柔性衬底剥离系统及柔性衬底剥离 方法
技术领域
本发明涉及显示屏技术领域,特别涉及一种掩膜版及其制造方法,柔性衬底剥离系统及柔性衬底剥离方法。
背景技术
当前,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)器件以其具备的自发光、黑色纯、对比度高、色彩丰富等诸多优点得到了较为广泛的应用,其中,在柔性衬底上制备OLED器件以得到OLED柔性显示屏的技术已经成为OLED器件研究领域的一个热门的研究方向。在实际应用中,OLED柔性显示屏的制备过程可以为:先在衬底基板(通常为玻璃基板)上制备柔性衬底(该柔性衬底的材质可以为聚酰亚胺),而后在该柔性衬底上制备OLED器件,最后将承载有OLED器件的柔性衬底从衬底基板上剥离,从而最终得到OLED柔性显示屏。在OLED柔性显示屏的制备过程中,将柔性衬底从衬底基板上剥离是成功制备OLED柔性显示屏的关键。
相关技术中,在柔性衬底上制备OLED器件后,可以利用激光由衬底基板上远离柔性衬底的一侧照射该柔性衬底,在激光的照射下,该柔性衬底会碳化变性从而失去与衬底基板的粘附力,在经过激光照射后即可将该柔性衬底从衬底基板上剥离。
在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:
当前,OLED柔性显示屏在可穿戴电子设备上具有较好的应用场景,在实际应用中,可穿戴电子设备上的显示屏的形状较为多样,有一些可穿戴设备需要设置异形显示屏,例如,具有镂空图案的显示屏等,而现有技术中剥离柔性衬底的方法仅能将柔性衬底从衬底基板上整块剥离下来,其无法剥离出异形的柔性衬底,也就无法制备出异形显示屏。
发明内容
为了解决现有技术无法剥离出异形柔性衬底,继而无法制造异性显示屏的问题,本发明实施例提供了一种掩膜版及其制造方法,柔性衬底剥离系统及柔性衬底剥离方法。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种掩膜版,所述掩膜版用于激光照射,所述掩膜版包括:激光透射基板和位于所述激光透射基板上的图案化的激光防护层。
可选的,所述激光透射基板的材质为石英玻璃。
可选的,所述激光防护层的材质为在相变时能够吸收紫外光或红外光的材质;或者,所述激光防护层的材质为超晶格金属材质。
可选的,所述激光防护层的材质为二氧化钒。
可选的,所述二氧化钒在由低温半导体向高温金属相相变的过程中能够吸收红外光。
可选的,所述激光防护层的厚度为500纳米。
可选的,所述激光为波长245nm的紫外光,所述激光透射基板的激光透射比为90%以上,所述激光防护基板的激光透射比为10%以下。
第二方面,提供了一种掩膜版制造方法,所述方法包括:
在激光透射基板上沉积激光防护薄膜;
对所述激光防护薄膜进行图案化处理,形成图案化的激光防护层。
可选的,所述在激光透射基板上沉积激光防护薄膜,包括:
加热所述激光透射基板;
以金属钒作为靶材,在氩气和氧气氛围中在加热后的所述激光透射基板上进行溅射;
在氧气或氮气氛围中对所述激光透射基板上溅射得到的膜层进行退火,以得到二氧化钒膜层,将所述二氧化钒膜层作为所述激光防护薄膜。
可选的,所述金属钒的纯度为99.999%,溅射时氧气的浓度为X,所述加热所述激光透射基板,包括:
将所述激光透射基板加热至550摄氏度。
可选的,所述在激光透射基板上沉积激光防护薄膜之前,所述方法还包括:
在所述激光透射基板上沉积对位材料薄膜;
对所述对位材料薄膜进行图案化处理,形成第一对位图形。
可选的,所述图案化处理包括光刻工艺处理或纳米压印工艺处理。
第三方面,提供了一种柔性衬底剥离系统,用于剥离衬底基板上的柔性衬底,包括上述第一方面任一所述的掩膜版,所述系统还包括:
放置装置,用于将所述掩膜版设置在所述衬底基板未设置所述柔性衬底的一侧;
照射装置,用于使用激光通过所述掩膜版对所述柔性衬底进行照射;
剥离装置,用于将经过激光照射的所述柔性衬底从所述衬底基板上剥离。
可选的,所述照射装置还包括:
加热组件,用于将所述掩膜版上的所述激光防护层加热至相变温度,所述相变温度为所述激光防护层发生能够吸收紫外光或红外光的相变时的温度;
照射组件,用于使用激光通过加热后的所述掩膜版对所述柔性衬底进行照射。
可选的,所述掩膜版上形成有第一对位图形,所述柔性衬底上形成有第二对位图形;所述放置装置,包括:
对位组件,用于利用所述第一对位图形和所述第二对位图形对所述掩膜版和所述柔性衬底进行对位;
贴合组件,用于根据对位后所述掩膜版相对于所述衬底基板的位置,将所述掩膜版贴合在所述未设置所述柔性衬底的一侧。
第四方面,提供了一种柔性衬底剥离方法,利用上述第三方面任一所述的柔性衬底剥离系统,用于剥离衬底基板上的柔性衬底,所述方法包括:
将所述掩膜版设置在所述衬底基板未设置所述柔性衬底的一侧;
使用激光通过所述掩膜版对所述柔性衬底进行照射;
将经过激光照射的所述柔性衬底从所述衬底基板上剥离。
可选的,所述使用激光通过所述掩膜版对所述柔性衬底进行照射,包括:
将所述掩膜版上的所述激光防护层加热至相变温度,所述相变温度为所述激光防护层发生能够吸收紫外光或红外光的相变时的温度;
使用激光通过加热后的所述掩膜版对所述柔性衬底进行照射。
可选的,所述掩膜版上形成有第一对位图形,所述柔性衬底上形成有第二对位图形;所述将掩膜版设置在所述衬底基板未设置所述柔性衬底的一侧,包括:
利用所述第一对位图形和所述第二对位图形对所述掩膜版和所述柔性衬底进行对位;
根据对位后所述掩膜版相对于所述衬底基板的位置,将所述掩膜版贴合在所述未设置所述柔性衬底的一侧。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
通过提供包含激光透射基板和位于该激光透射基板上的图案化的激光防护层的掩膜版,并在进行柔性衬底剥离时将该掩膜版置于衬底基板上未设置柔性衬底的一侧,而后利用激光通过掩膜版照射该柔性衬底,由于掩膜版上包括图案化的激光防护层,则在激光的照射过程中,激光防护层可以保证位于该激光防护层下方的柔性衬底不被激光照射,而不位于该激光防护层下方的柔性衬底会被激光照射,从而使得被激光照射的柔性衬底的图案与激光防护层的图案正好互补,将被激光照射的柔性衬底从衬底基板上剥离即可得到与激光防护层图案互补的异形柔性显示屏。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是一种传统的剥离柔性衬底的示意图。
图2是本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图。
图3是本发明实施例提供的一种掩膜版的俯视图。
图4是本发明实施例提供的一种掩膜版制造流程的示意图。
图5是本发明实施例提供的一种剥离柔性衬底的方法的流程图。
图6是本发明实施例提供的一种在剥离柔性衬底时掩膜版与衬底基板的相对位置的示意图。
图7是本发明实施例提供的一种柔性衬底剥离系统的框图。
图8是本发明实施例提供的一种照射装置的框图。
图9是本发明实施例提供的一种放置装置的框图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1所示为传统的剥离柔性衬底的示意图,如图1所示,衬底基板C上可以设置有柔性衬底R,该柔性衬底R上可以设置有OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)器件等柔性发光器件G。为了将柔性衬底R从衬底基板C上剥离下来,可以利用激光照射该衬底基板C上未设置柔性衬底R的一侧W,在照射时,激光可以透过衬底基板C照射到柔性衬底R上,柔性衬底R在激光的照射下会碳化变性,从而失去与衬底基板C的粘附力,失去粘附力后,柔性衬底R即可方便地从衬底基板C上剥离。
传统的柔性衬底剥离方法仅能将柔性衬底R从衬底基板C上整块剥离下来,其无法剥离出异形的柔性衬底,也就无法制备出异形柔性显示屏,难以满足可穿戴电子设备对柔性显示屏形状的多样化需求。
为了解决上述问题,本发明实施例提供了一种掩膜版,图2为该掩膜版的结构示意图,如图2所示,该掩膜版包括激光透射基板10和位于激光透射基板10上的图案化的激光防护层20。
其中,激光透射基板10的激光透射比较高,而激光防护层20的激光透射比较低,也即是,激光能够较容易地从激光透射基板10透过,而较难从激光防护层20透过。在本发明的一个实施例中,当激光为波长245nm(纳米)的紫外光时,激光透射基板10的激光透射比可达90%以上,而激光防护基板20的激光透射比为10%以下。
请参考图3,图3所示为掩膜版的俯视图,如图3所示的黑色区域为图案化的激光防护层20,白色区域为激光透射基板10,当激光照射掩膜版时,激光可以较容易地从上述白色区域中透过但难以从上述黑色区域中透过。
在实际应用中,为了满足激光透射基板10的高激光透射比需求,本发明实施例可以选用石英玻璃作为激光透射基板10的材质。石英玻璃是SiO2单一成分的非晶态材料,其微观结构是一种SiO2四面体结构单元组成的单纯网络,由于Si-O化学键能较大,且,石英玻璃的微观结构较为紧密,所以石英玻璃具有良好的光学性能,在紫外到红外的连续波长范围内都有较高的透射比,其中,对于波长245nm的紫外光,在厚度为10mm(毫米)时石英玻璃的激光透射比可达95%以上。需要说明的是,在本发明的一些实施例中,还可以选用掺杂Ti离子或Ce-Ti二元素等的石英玻璃作为激光透射基板10的材质,本发明实施例对此不做具体限定。
此外,为了满足激光防护层20的低激光透射比需求,本发明实施例可以选用在相变时能够吸收紫外光或红外光的材质作为激光防护层20的材质,例如,可以选用VO2、V2O5、锰酸盐、镧系氧化物、掺杂有Au、Ti等元素的VOx以及不同厚度的V2O3及V2O5组合形成的材料等作为激光防护层20的材质。由于上述材质在相变时可以吸收紫外光或红外光,因此,该材质在相变时的激光透射比较低,能够满足激光防护层20的低激光透射比需求。
其中,VO2是一种能够随着外界环境温度变化而发生相变的材料,并且此相变可逆,在VO2为低温半导体时,当外界温度达到68℃时,VO2就会发生由低温半导体向高温金属相的相变,在由低温半导体向高温金属相的相变过程中,VO2能够吸收红外光,这使得相变时VO2的激光透射比较低,但是VO2相变时可见光的透射比基本不变,因此,相变不会给VO2造成明显的视觉变化,避免了后续过程中给对位相机的工作造成影响,其中,对位相机用于对掩膜版进行对位。在本发明的一个实施例中,可以选用500nm厚的VO2制备激光防护层20。
在实际应用中,除了选用在相变时能够吸收紫外光或红外光的材质作为激光防护层20的材质外,还可以选用超晶格金属材质作为激光防护层20的材质,由于超晶格金属对激光的反射率较高,因此激光难以透过超晶格金属,故而超晶格金属材质可以满足激光防护层20的低激光透射比需求,此外,超晶格金属材质不容易被激光损坏,因此其耐用性较好。
在本发明的一个实施例中,可以选用30层周期Cu/Ti超晶格金属材质作为激光防护层20的材质,该30层周期Cu/Ti超晶格金属材质对于波长为200nm的紫外激光具有90%以上的反射率。当然,在实际应用中,本发明实施例还可以选用其他的超晶格金属材质作为激光防护层20的材质,例如,Nb/Cu材质、Ta/Al材质、Ti/Al/Ti材质等,此外,本发明实施例还可以选用超晶格金属半导体材质作为激光防护层20的材质,例如,Mo/Si材质、Ru/Si材质、Rh/Si材质、Tc/Si材质等,本发明实施例对此不做具体限定。
可选的,该掩膜版还可以包括对位图形,该对位图形设置于激光透射基板10之上,用于对掩膜版进行对位。
下面,本发明实施例将对上述掩膜版的制造方法进行说明,图4所示为掩膜版制造流程的示意图,如图4所示,该制造方法可以包括:
a、在激光透射基板10上沉积对位材料薄膜D。
在沉积该对位材料薄膜D之前,需要采用标准方法清洗激光透射基板10,可选的,该激光透射基板10的材质可以为石英玻璃,在清洗之后,可以采用溅射或化学气相淀积的方式沉积上述对位材料薄膜D,可选的,该对位材料薄膜D的材质可以为Mo金属,该对位材料薄膜D的沉积厚度可以为200nm。
b、对对位材料薄膜D进行图案化处理,形成第一对位图形X1。
在实际应用中,上述图案化处理可以为光刻工艺处理或纳米压印工艺处理,进行图案化处理后即可得到第一对位图形X1,该第一对位图形X1可以为十字型、方形等,本发明实施例对此不做具体限定,该第一对位图形X1可以位于激光透射基板10的边缘处,本发明实施例对此也不作具体限定。
在实际应用中,上述光刻工艺处理可以包括:通过涂覆工艺在激光透射基板10上形成光刻胶层,通过曝光工艺,采用光刻掩膜板对光刻胶层进行曝光,通过显影工艺,对曝光后的光刻胶层进行显影得到光刻胶图形,而后进行刻蚀,最终得到上述第一对位图形X1,上述刻蚀可以为湿法刻蚀,也可以为感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)刻蚀等,本发明实施例对此不作具体限定。
c、在激光透射基板10上沉积激光防护薄膜J。
在实际应用中,上述激光防护薄膜J的材质可以为相变时能够吸收紫外光或红外光的材质或者为超晶格金属材质。下面本发明实施例仅以激光防护薄膜J为VO2和Cu/Ti超晶格金属材质为例对激光防护薄膜J的沉积方法进行说明。
在激光防护薄膜J的材质为VO2时,可以采用溅射的方式在激光透射基板10上沉积激光防护薄膜J,可选的,本发明实施例可以选用纯度为99.999%的金属V作为靶材,并将激光透射基板10加热至550℃,在氩气和氧气氛围中进行溅射,其中氧气分压为0.02至0.05帕斯卡,而后可以在氧气或氮气氛围中对激光透射基板10上溅射得到的膜层进行退火,以得到VO2膜层,该VO2膜层也即是上文所述的激光防护薄膜J。
在激光防护层J的材质为Cu/Ti超晶格金属材质时,也可以采用溅射的方式在激光透射基板10上沉积激光防护薄膜J,可选的,本发明实施例可以在氩气气氛,溅射功率为300W的条件下交替沉积Cu和Ti,在本发明的一个实施例中,Cu和Ti的厚度比可以为1:3,在本发明的一个实施例中,Cu和Ti的超晶格周期可以为35,需要说明的是,为了使Cu/Ti超晶格金属薄膜与激光透射基板10的附着力较大,可以先在激光透射基板10上沉积厚度为10nm的Ti金属膜,从而获得质量较好的Cu/Ti超晶格金属薄膜作为上文所述的激光防护薄膜J。
d、对激光防护薄膜J进行图案化处理,形成图案化的激光防护层20。
在实际应用中,上述图案化处理也可以为光刻工艺处理或纳米压印工艺处理,进行图案化处理后即可得到图案化的激光防护层20。
在实际应用中,上述光刻工艺处理也可以包括:涂覆工艺、曝光工艺、显影工艺和刻蚀工艺,具体工艺流程与上文所述同理,本发明在此不再赘述。
下面,本发明实施例将对使用上述掩膜版对柔性衬底进行剥离的方法进行说明,图5所示为使用上述掩膜版剥离柔性衬底的方法的流程图,如图5所示,该方法包括:
步骤501、将掩膜版和柔性衬底进行对位,根据对位后掩膜版相对于衬底基板的位置,将掩膜版设置在衬底基板未设置柔性衬底的一侧。
请参考图6,图6为在剥离柔性衬底时掩膜版与衬底基板的相对位置的示意图,如图6所示,在剥离柔性衬底R(图6并未示出设置于柔性衬底R上的柔性发光器件G)时,可以将掩膜版Y设置于衬底基板C未设置柔性衬底R的一侧W,可选的,本发明实施例可以将掩膜版Y贴合在衬底基板C未设置柔性衬底R的一侧W上,这样可以避免激光在激光透射基板10中折射后又在掩膜版Y和衬底基板C之间发散导致位于激光防护层20下的柔性衬底被照射到。
在实际应用中,掩膜版上可以形成有第一对位图形,柔性衬底或柔性衬底上设置的柔性发光器件上可以形成有第二对位图形,在将掩膜版Y设置于衬底基板C未设置柔性衬底R的一侧W的过程中,本发明实施例可以利用该第一对位图形和该第二对位图形对掩膜版和柔性衬底进行对位,并根据对位后掩膜版相对于衬底基板的位置,将掩膜版设置在衬底基板未设置柔性衬底的一侧。
步骤502、使用激光通过掩膜版对柔性衬底进行照射。
如图6所示,激光可以沿x方向进行照射,也即是激光可以通过掩膜版Y照射设置于衬底基板C上的柔性衬底R,由于掩膜版上的激光防护层20(黑色区域)的激光透射比较低,而激光透射基板10(白色区域)的激光透射比较高,因此,在照射过程中,激光可以由激光透射基板10透过,而难以由激光防护层20透过,因此,位于激光防护层20下方的柔性衬底R不会被激光照射,而不位于该激光防护层20下方的柔性衬底R会被激光照射,从而使得被激光照射的柔性衬底R的图案与激光防护层20的图案正好互补,经过激光照射后的柔性衬底R会碳化变性从而失去与衬底基板C的粘附力。
在实际应用中,步骤502中使用的激光可以为准分子激光,准分子激光属于紫外光,其波长范围为157-353nm,其中较为常见的波长有157nm、193nm、248nm和308nm等。
需要说明的是,如上所述,激光防护层20的材质可以为在相变时能够吸收紫外光或红外光的材质,对于这种材质制成的激光防护层20,在进行激光照射之前,需要将其加热至相变温度,从而保证激光防护效果,其中,相变温度指的是激光防护层发生能够吸收紫外光或红外光的相变时的温度,例如,当激光防护层20的材质为VO2时,在激光照射之前,需要将激光防护层20加热至VO2的相变温度68℃。
步骤503、将经过激光照射的柔性衬底从衬底基板上剥离。
经过激光照射的柔性衬底R会碳化变性从而失去与衬底基板C的粘附力,因此,经过激光照射的柔性衬底R可以从衬底基板C上剥离下来,剥离得到的柔性衬底R的形状与掩膜版中激光防护层20的形状互补。
在剥离后,可以利用阻水氧膜材料对剥离得到的柔性衬底R进行封装,并可以对封装后的柔性显示器件进行测试分析。
综上所述,本发明实施例通过提供包含激光透射基板和位于该激光透射基板上的图案化的激光防护层的掩膜版,并在进行柔性衬底剥离时将该掩膜版置于衬底基板上未设置柔性衬底的一侧,而后利用激光通过掩膜版照射该柔性衬底,由于掩膜版上包括图案化的激光防护层,则在激光的照射过程中,激光防护层可以保证位于该激光防护层下方的柔性衬底不被激光照射,而不位于该激光防护层下方的柔性衬底会被激光照射,从而使得被激光照射的柔性衬底的图案与激光防护层的图案正好互补,将被激光照射的柔性衬底从衬底基板上剥离即可得到与激光防护层图案互补的异形柔性显示屏。
如图7所示为本发明实施例提供的一种柔性衬底剥离系统70,如图7所示,给柔性衬底剥离系统70包括如图2所示的掩膜版Y、放置装置701、照射装置702和剥离装置703。
其中,该放置装置701,用于将掩膜版Y设置在该衬底基板未设置该柔性衬底的一侧。
该照射装置702,用于使用激光通过该掩膜版Y对该柔性衬底进行照射。
该剥离装置703,用于将经过激光照射的该柔性衬底从该衬底基板上剥离。
如图8所示,在本发明的一个实施例中,该照射装置702还包括:
加热组件7021,用于将该掩膜版Y上的该激光防护层加热至相变温度,该相变温度为激光防护层发生能够吸收紫外光或红外光的相变时的温度。
照射组件7022,用于使用激光通过加热后的该掩膜版Y对该柔性衬底进行照射。
如图9所示,在本发明的一个实施例中,掩膜版Y上形成有第一对位图形,柔性衬底上形成有第二对位图形,该放置装置701,包括:
对位组件7011,用于利用该第一对位图形和该第二对位图形对该掩膜版Y和该柔性衬底进行对位。
贴合组件7022,用于根据对位后该掩膜版Y相对于该衬底基板的位置,将该掩膜版Y贴合在该未设置该柔性衬底的一侧。
综上所述,本发明实施例提供的柔性衬底剥离系统,通过提供包含激光透射基板和位于该激光透射基板上的图案化的激光防护层的掩膜版,并在进行柔性衬底剥离时将该掩膜版置于衬底基板上未设置柔性衬底的一侧,而后利用激光通过掩膜版照射该柔性衬底,由于掩膜版上包括图案化的激光防护层,则在激光的照射过程中,激光防护层可以保证位于该激光防护层下方的柔性衬底不被激光照射,而不位于该激光防护层下方的柔性衬底会被激光照射,从而使得被激光照射的柔性衬底的图案与激光防护层的图案正好互补,将被激光照射的柔性衬底从衬底基板上剥离即可得到与激光防护层图案互补的异形柔性显示屏。
关于上述实施例中的系统,其中各个装置、组件执行操作的具体方式已经在有关方法的实施例中进行了详细描述,此处将不做详细阐述说明。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (18)

1.一种掩膜版,其特征在于,所述掩膜版用于激光照射,所述掩膜版包括:激光透射基板和位于所述激光透射基板上的图案化的激光防护层。
2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述激光透射基板的材质为石英玻璃。
3.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述激光防护层的材质为在相变时能够吸收紫外光或红外光的材质;或者,所述激光防护层的材质为超晶格金属材质。
4.根据权利要求3所述的掩膜版,其特征在于,所述激光防护层的材质为二氧化钒。
5.根据权利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述二氧化钒在由低温半导体向高温金属相相变的过程中能够吸收红外光。
6.根据权利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述激光防护层的厚度为500纳米。
7.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述激光为波长245nm的紫外光,所述激光透射基板的激光透射比为90%以上,所述激光防护基板的激光透射比为10%以下。
8.一种掩膜版制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在激光透射基板上沉积激光防护薄膜;
对所述激光防护薄膜进行图案化处理,形成图案化的激光防护层。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述在激光透射基板上沉积激光防护薄膜,包括:
加热所述激光透射基板;
以金属钒作为靶材,在氩气和氧气氛围中在加热后的所述激光透射基板上进行溅射;
在氧气或氮气氛围中对所述激光透射基板上溅射得到的膜层进行退火,以得到二氧化钒膜层,将所述二氧化钒膜层作为所述激光防护薄膜。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述金属钒的纯度为99.999%,溅射时氧气的分压为0.02至0.05帕斯卡,所述加热所述激光透射基板,包括:
将所述激光透射基板加热至550摄氏度。
11.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述在激光透射基板上沉积激光防护薄膜之前,所述方法还包括:
在所述激光透射基板上沉积对位材料薄膜;
对所述对位材料薄膜进行图案化处理,形成第一对位图形。
12.根据权利要求8或11所述的方法,其特征在于,所述图案化处理包括光刻工艺处理或纳米压印工艺处理。
13.一种柔性衬底剥离系统,其特征在于,用于剥离衬底基板上的柔性衬底,包括权利要求1-7任一所述的掩膜版,所述系统还包括:
放置装置,用于将所述掩膜版设置在所述衬底基板未设置所述柔性衬底的一侧;
照射装置,用于使用激光通过所述掩膜版对所述柔性衬底进行照射;
剥离装置,用于将经过激光照射的所述柔性衬底从所述衬底基板上剥离。
14.根据权利要求13所述的系统,其特征在于,所述照射装置还包括:
加热组件,用于将所述掩膜版上的所述激光防护层加热至相变温度,所述相变温度为所述激光防护层发生能够吸收紫外光或红外光的相变时的温度;
照射组件,用于使用激光通过加热后的所述掩膜版对所述柔性衬底进行照射。
15.根据权利要求13所述的系统,其特征在于,所述掩膜版上形成有第一对位图形,所述柔性衬底上形成有第二对位图形;所述放置装置,包括:
对位组件,用于利用所述第一对位图形和所述第二对位图形对所述掩膜版和所述柔性衬底进行对位;
贴合组件,用于根据对位后所述掩膜版相对于所述衬底基板的位置,将所述掩膜版贴合在所述未设置所述柔性衬底的一侧。
16.一种柔性衬底剥离方法,其特征在于,利用权利要求13-15的任一所述的柔性衬底剥离系统,用于剥离衬底基板上的柔性衬底,所述方法包括:
将所述掩膜版设置在所述衬底基板未设置所述柔性衬底的一侧;
使用激光通过所述掩膜版对所述柔性衬底进行照射;
将经过激光照射的所述柔性衬底从所述衬底基板上剥离。
17.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述使用激光通过所述掩膜版对所述柔性衬底进行照射,包括:
将所述掩膜版上的所述激光防护层加热至相变温度,所述相变温度为所述激光防护层发生能够吸收紫外光或红外光的相变时的温度;
使用激光通过加热后的所述掩膜版对所述柔性衬底进行照射。
18.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述掩膜版上形成有第一对位图形,所述柔性衬底上形成有第二对位图形;所述将掩膜版设置在所述衬底基板未设置所述柔性衬底的一侧,包括:
利用所述第一对位图形和所述第二对位图形对所述掩膜版和所述柔性衬底进行对位;
根据对位后所述掩膜版相对于所述衬底基板的位置,将所述掩膜版贴合在所述未设置所述柔性衬底的一侧。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112935558A (zh) * 2021-03-04 2021-06-11 苏州博金希光电科技有限公司 一种自动流水线显示屏剥离技术及其应用

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111653690B (zh) * 2020-06-18 2024-04-19 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101634805A (zh) * 2008-07-25 2010-01-27 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构及其制造方法
CN102099898A (zh) * 2008-07-16 2011-06-15 西奥尼克斯股份有限公司 保护半导体免受脉冲激光处理损害的薄牺牲掩膜
CN103887157A (zh) * 2014-03-12 2014-06-25 京东方科技集团股份有限公司 光学掩膜板和激光剥离装置
CN105665941A (zh) * 2016-03-17 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 激光处理方法、柔性产品的制造方法和显示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4197447B2 (ja) 2003-03-31 2008-12-17 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子の製造方法及びその有機電界発光素子
DE102004041497B4 (de) 2004-08-27 2007-04-05 Polyic Gmbh & Co. Kg "Organisches Elektronik-Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen"
US20070298329A1 (en) * 2006-06-22 2007-12-27 Chi-Ching Huang Photomask and method for using the same
WO2008032698A1 (fr) 2006-09-11 2008-03-20 Tosoh Corporation Verre de quartz et procédé pour produire celui-ci
KR101073551B1 (ko) 2009-11-16 2011-10-17 삼성모바일디스플레이주식회사 레이저 마스크 및 이를 이용한 순차적 측면 고상 결정화 방법
KR101378977B1 (ko) 2011-12-28 2014-03-28 삼성코닝정밀소재 주식회사 써모크로믹 유리 및 그 제조방법
KR20140133673A (ko) * 2013-05-09 2014-11-20 삼성디스플레이 주식회사 마스크 제조방법 및 마스크
KR102092707B1 (ko) * 2013-09-17 2020-03-25 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
CN103855171B (zh) 2014-02-28 2017-01-18 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法
CN106773523B (zh) 2017-01-10 2022-01-07 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板及其制作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102099898A (zh) * 2008-07-16 2011-06-15 西奥尼克斯股份有限公司 保护半导体免受脉冲激光处理损害的薄牺牲掩膜
CN101634805A (zh) * 2008-07-25 2010-01-27 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构及其制造方法
CN103887157A (zh) * 2014-03-12 2014-06-25 京东方科技集团股份有限公司 光学掩膜板和激光剥离装置
CN105665941A (zh) * 2016-03-17 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 激光处理方法、柔性产品的制造方法和显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112935558A (zh) * 2021-03-04 2021-06-11 苏州博金希光电科技有限公司 一种自动流水线显示屏剥离技术及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
EP3633753A1 (en) 2020-04-08
US11211572B2 (en) 2021-12-28
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EP3633753A4 (en) 2021-03-03
WO2018218937A1 (zh) 2018-12-06
US20210210702A1 (en) 2021-07-08

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