CN100531483C - 转移衬底、转移方法和制造显示器件的方法 - Google Patents

转移衬底、转移方法和制造显示器件的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种包括经由光吸收层的支撑衬底上的转移材料层的转移衬底。在支撑衬底和光吸收层之间提供有用于防止支撑衬底和光吸收层的界面处的光反射的抗反射图样。该抗反射图样的厚度被设为这样一个值，利用该值，在光吸收层中吸收的具有预定波长的光的吸收比得以最大化。

Description

转移衬底、转移方法和制造显示器件的方法
技术领域
本发明涉及用于利用热源的照射升华形成在支撑衬底上的转移材料层并将转移材料层转移到受体(receptor)衬底一侧的转移衬底和转移方法，以及被应用以该转移方法的显示器件的制造方法。
背景技术
采用有机材料的电致发光的有机电致发光元件包括有机层，其中空穴传输层和发光层层叠在下部电极和上部电极之间。有机电致发光元件作为一种发光元件引起了注意，其能够通过低电压直流驱动执行高强度发光。
在使用这种有机电致发光元件(下文中简称为发光元件)的全色显示器件中，发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)光的发光元件被形成为排列在衬底上。在制造这种显示器件时，很重要的一个因素是：在电极上选择性地将每个发光有机材料层形成为为精细图样。
作为一种形成这种有机材料层的图样的方法，已经提出了一种使用能量源(热源)的转移方法，即热转移方法。在使用热转移方法的显示器件的制造方法的一个示例中，首先，下部电极被形成在显示器件的衬底(下文中称为器件衬底)上。另一方面，发光层经由光吸收层被形成在另一衬底(下文中称为转移衬底)上。在发光层和下部电极彼此相对的状态中，器件衬底和转移衬底被布置，并且激光束从转移衬底一侧照射，从而将发光层热转移到器件衬底的下部电极上。这种情况下，下部电极被点状照射的激光束扫描。因此，发光层被高位置精度地只热转移到下部电极上的预定区域，从而形成为图样(见JP-A-09-167684和JP-A-2002-216957)。
发明内容
然而，在上述的热转移方法中，发光层根据点状照射的激光束的扫描通过热转移而形成为图样。因此，需要一定程度的时间来在器件衬底的整个表面上形成发光层作为图样。这导致了显示器件的生产效率的恶化。
在JP-A-09-167684中提到可以在转移衬底上提供图样化的光吸收层。然而，光吸收层的光-热转换效率约为40％。有效地对发光层的热转移产生作用的激光束的量只有照射的激光束的量的约40％。
从而，希望提供一种转移衬底和转移方法以及制造显示器件的方法，利用该转移衬底和转移方法，可以有效地执行通过热转移进行的转移图样的形成，并且可以实现产生效率的提高。
根据本发明的一个实施例，提供了一种包括经由光吸收层的支撑衬底上的转移材料层的转移衬底，其中在支撑衬底和光吸收层之间提供有用于防止支撑衬底和光吸收层的界面处的光反射的抗反射图样。该抗反射图样的膜厚被设为这样一个值，利用该值，在光吸收层中吸收的具有预定波长的光的吸收比得以最大化。
由于具有这种膜厚的抗反射图样被提供在支撑衬底和光吸收层之间，因此从支撑衬底一侧照射的具有预定波长的光在抗反射图样上的光吸收层中被有效地吸收并转换为热。
根据本发明的另一个实施例，提供了一种通过热转移将转移衬底表面上的转移材料层转移到受体衬底上的转移方法。首先，在第一步中，准备转移衬底，该转移衬底在支撑衬底上按顺序具有抗反射图样、光吸收层和转移材料层。在第二步中，以这样的状态布置转移衬底与受体衬底相对，在所述状态中，转移材料层与受体衬底一侧面对。其后，在第三步中，从支撑衬底一侧照射具有预定波长的光。光在光吸收层以及抗反射图样中被吸收并转换为热。因此，抗反射图样上的转移材料层的部分被选择性地转移到受体衬底一侧。
根据本发明的又一个实施例，提供了一种制造使用该转移方法的显示器件的方法，其中使用了包含发光材料的转移材料层，并且形成了具有被热转移到器件衬底中的第一电极上的转移材料层的功能层。
附图说明
在附图中：
图1是用于说明根据本发明第一实施例的转移衬底的结构的主要部分剖面图；
图2A和2B是用于说明根据第一实施例的转移方法的步骤的剖面图；
图3是用于说明根据本发明第二实施例的转移衬底的结构的主要部分剖面图；
图4A至4D是用于说明根据第二实施例的转移方法的步骤的剖面图；
图5是用于说明根据本发明第三实施例的转移衬底的结构的主要部分剖面图；
图6是示出了在提供有具有膜厚t1至t3的由硅制成的抗反射图样的情况下，照射光的波长[nm]与抗反射图样和光吸收层中的光吸收比[％]之间的关系的图表；
图7是用于制造被应用以根据第三实施例的转移方法的显示器件的受体衬底的剖面图；
图8是用于制造被应用以根据第三实施例的转移方法的显示器件的受体衬底的平面图；
图9A至9C是用于说明制造被应用以根据第三实施例的转移方法的显示器件的方法步骤的剖面图；
图10A至10C是用于说明制造被应用以根据第三实施例的转移方法的显示器件的方法步骤的剖面图；
图11A至11C是用于说明制造被应用以根据第三实施例的转移方法的显示器件的方法步骤的剖面图；以及
图12A和12B是用于说明制造被应用以根据第三实施例的转移方法的显示器件的方法步骤的剖面图。
具体实施方式
下面参考附图详细说明应用本发明的实施例。在各个实施例中，将说明在制造其中有机电致发光元件形成为阵列的显示器件时，例如用在形成发光层中的转移衬底的结构。随后，将说明使用该转移衬底的转移方法。
<第一实施例>
图1是用于说明根据本发明第一实施例的转移衬底的结构的主要部分剖面图。图中所示的转移衬底1包括支撑衬底2、提供在支撑衬底2上的抗反射图样3、提供在支撑衬底2上以覆盖抗反射图样3的光吸收层4以及提供在光吸收层4上的转移材料层5。
支撑层2相对于在使用转移衬底1的转移过程中照射的具有预定波长的光h来说具有令人满意的光透射属性。支撑衬底2例如由玻璃衬底制成。
抗反射图样3具有防止在支撑衬底2和光吸收层4的界面处的光反射的效果。具体而言，希望采用具有超过3.0的折射率的实部的抗反射图样作为这种抗反射图样3。抗反射图样3例如由硅(Si)制成。抗反射图样3被形成在支撑衬底2上，其形状(包括布置状态)对应于通过使用转移衬底1的转移形成在受体(receptor)衬底一侧上的转移图样。具体而言，抗反射图样3的膜厚t被设为这样一个值，利用该值，相对于光h的光吸收比得以最大化。例如，当具有800nm波长的半导体激光束被用作要照射的光h时，由硅制成的抗反射图样3的膜厚t被设为40nm。在厚度为40nm的硅膜中，相对于波长为800nm的半导体激光束的吸收比表现出最大值。这种抗反射图样3是通过以CVD方法形成硅膜然后对硅膜进行图样蚀刻而形成的，在蚀刻中，使用了通过光刻方法形成的抗蚀剂图样。
光吸收层4由高效地吸收从支撑衬底2一侧照射的光并将光转换为热的材料制成，例如诸如铬(Cr)之类的具有低反射系数的金属材料。这种光吸收层4例如通过溅射方法形成在支撑衬底2的整个表面上以覆盖抗反射图样3。
转移材料层5由通过使用转移衬底1的热转移而转移形成的材料制成，例如包含发光材料的有机材料。转移材料层5可以具有单层结构，或者可以具有层叠结构。转移材料层5经由光吸收层4形成在支撑衬底2上。这种转移材料层通过蒸发方法、涂覆方法或印刷方法形成。
图2A和2B是用于说明使用具有上述结构的转移衬底1的转移方法的步骤的剖面图。将参考图2A和2B说明该转移方法。
首先，如图2A所示，准备作为转移对象的受体衬底11。受体衬底11例如是构成显示器件的器件衬底。在受体衬底11中，用于像素驱动的薄膜晶体管(TFT)和连接到TFT的第一电极在玻璃衬底上被形成为图样。在受体衬底11的图样形成表面上，形成了由与TFT和第一电极的层相同的层制成的对准标记。在必要时，还提供了电荷注入层和电荷传输层以覆盖第一电极和对准标记。
转移衬底1被布置为与受体衬底11相对。这种情况下，受体衬底11中的图样形成表面(对准标记形成表面)和转移衬底1中的转移材料层5被布置为彼此面对。转移衬底1相对于受体衬底11的布置状态被调节，以使得受体衬底11一侧上的对准标记和转移衬底1一侧上的对准标记有预定的位置关系。在这种状态下，转移衬底1放置在受体衬底11上，并且衬底1和11之间的空间被减压以使得衬底1和11彼此附着。在图中，为了说明的方便，示出了提供在衬底1和11之间的空间。
随后，如图2B所示，具有预定波长的光h被从支撑衬底2一侧照射到转移衬底1中。光h具有这样的波长，该波长透射穿过支撑衬底2，并且在该波长时抗反射图样3中的吸收比得以最大化。如上参考图1所述，当抗反射图样3由膜厚为40nm的硅制成时，波长为800nm的半导体激光束被照射作为光h。要照射的光h可以集中照射在包括抗反射图样3的广大区域上。然而，很重要的一点是：光h的照射量是这样一个照射量，该照射量等于或大于抗反射图样3上的转移材料层5的部分被充分升华并转移时的照射量，并且该照射量处于这样的范围中，在该范围中，未提供有抗反射图样3的转移材料层5的部分不被升华。
随后，光h被吸收并且在光吸收层4以及抗反射图样3中被转换为热，并且抗反射图样3上的转移材料层5的部分被选择性地热转移到受体衬底11上，从而形成转移图样5a。
在制造显示器件时，在形成转移图样5a之后，执行在转移图样5a上层叠一层以形成上部电极的步骤。在本发明的第三实施例中将详细说明显示器件的制造。
根据上述第一实施例，转移衬底1被制造为这样的结构，其中抗反射图样3被提供在支撑衬底2和光吸收层4之间。如上参考图2B所述，从支撑衬底2一侧，通过照射具有这样一个波长的光h(在该波长时抗反射图样3上的光吸收层的部分中的吸收比得以最大化)，可以确保在提供有抗反射图样3的部分中和在未提供有抗反射图样3的部分中有较大的光吸收量的差。这使得可以通过对包括抗反射图样3的广大区域进行光照射，只选择性地热转移抗反射图样3上的转移材料层5的部分，从而形成转移图样5a。换句话说，可以通过集中曝光来形成转移图样5a。此外，在抗反射图样3和抗反射图样3之上的光吸收层4中，可以高效地吸收光并形成转移图样5a。从而，可以实现在形成转移图样5a时的使用效率和生产效率的提高。
<第二实施例>
图3是用于说明根据本发明第二实施例的转移衬底的结构的主要部分剖面图。图中所示的转移衬底1’与第一实施例中参考图1所述的转移衬底的不同之处在于光吸收层4被图样化，除此之外转移衬底1’与转移衬底1相同。
在提供有抗反射图样3的部分中和未提供有抗反射图样3的部分中，光吸收层4都被图样化。例如，在提供有抗反射图样3的部分中，光吸收层4被图样化为与抗反射图样3基本相同的形状，而在未提供有抗反射图样3的部分中，光吸收层4被图样化为例如与抗反射图样3上的形状相同的形状。形成在提供有抗反射图样3的部分中的光吸收层4-1的排列状态和形成在未提供有抗反射图样3的部分中的光吸收层4-2的排列状态可以相同。
转移材料层5被形成在支撑衬底2的整个表面上以覆盖以这种方式图样化的光吸收层4。
图4A至4D是用于说明使用具有上述结构的转移衬底1’的转移方法的步骤的剖面图。将参考图4A至4D说明该转移方法。
首先，如图4A所示，准备作为转移对象的第一受体衬底11-1。受体衬底11-1例如是构成显示器件的器件衬底，并且与第一实施例中参考图2A和2B所述的受体衬底相同，其中对准标记(未示出)被形成在图样形成表面上。转移衬底1’被布置为以预定状态与受体衬底11-1相对。转移衬底1’相对于受体衬底11-1的布置状态与第一实施例中参考图2A所述的转移衬底和受体衬底的布置状态相同。
如图4B所示，具有预定波长的光h被从支撑衬底2一侧照射到转移衬底1’中。光h具有这样的波长，该波长透射穿过支撑衬底2，并且在该波长时抗反射图样3中的吸收比得以最大化。换句话说，如在第一实施例中所述，当抗反射图样3由膜厚为40nm的硅制成时，波长为800nm的半导体激光束作为光h照射。照射的光h可以集中照射在包括抗反射图样3的广大区域上。然而，很重要的一点是：光h的照射量是这样一个照射量，该照射量等于或大于抗反射图样3上的转移材料层5的部分被充分升华并转移时的照射量，并且该照射量处于这样的范围中，在该范围中，未提供有抗反射图样3的转移材料层5的部分不被升华。
因此，光h被吸收并且在光吸收层4-1以及抗反射图样3中被转换为热，并且抗反射图样3上的转移材料层5的部分被选择性地热转移到受体衬底11-1上，从而形成转移图样5a。转移图样5a被形成为例如包含发光材料的有机电致发光元件的发光层图样。
随后，如图4C所示，准备作为转移对象的第二受体衬底11-2。受体衬底11-2与第一受体衬底11-1具有相同结构，并且对准标记(未示出)被形成在其图样形成表面上。用于转移的转移衬底1’被布置为以预定状态与该受体衬底11-2相对。转移衬底1’相对于第二受体衬底11-2的布置状态与转移衬底1’相对于第一受体衬底11-1的布置状态相同。但是，对准标记的位置关系可以是在第二受体衬底11-2和转移衬底1’之间确定的特殊位置关系。
其后，如图4D所示，光h’被从支撑衬底2一侧照射到转移衬底1’中。这种情况下，要照射的光h’可以集中照射在包括抗反射图样3的广大区域上。然而，很重要的一点是：将光h’的照射量设在这样一个范围内：其中留在光吸收层4上的转移材料层5的部分，(即，抗反射图样3之间的光吸收层4-2上的转移材料层5的部分)被充分升华。
要照射的光h’可以是与在转移到第一受体衬底11-1中所用的光h具有相同波长的光，或者可以选择在抗反射图样3中具有低吸收比的波长。
因此，在被图样化在未提供有抗反射图样3的部分中的光吸收层4-2中，光h’被吸收，并被转换为热，并且光吸收层4-2上的转移材料层5的部分被选择性热转移到受体衬底11-2上，从而地形成转移图样5a。转移图样5a被形成在受体衬底11-2上，受体衬底11-2不同于受体衬底11-1，其中在受体衬底11-1上，转移图样5a被形成为例如包含发光材料的有机电致发光元件的发光层图样。
在制造显示器件时，在形成转移图样5a之后，对受体衬底11-1和受体衬底11-2应用在转移图样5a上层叠一层以形成上部电极的步骤。在本发明的第三实施例中将详细说明显示器件的制造。
根据上述第二实施例，如在第一实施例中一样，提供了抗反射图样3，并且具有相同波长的光h被照射以形成转移图样5a。其后，如参考图4D所述的，处于这样的范围内(其中光吸收层4(4-2)上的转移材料层5的部分被充分升华)的光被照射以再次形成转移图样5a。因此，除了第一实施例的效果外，还可以不浪费地转移在转移衬底1’上形成的转移材料层5，并形成转移图样5a。这使得可以实现应用这种转移方法的显示器件的制造成本的减少。具体而言，当类膜衬底而不是玻璃衬底被用作转移衬底1，的支撑衬底2时，由于相对于光h具有高透射系数的类膜衬底是很昂贵的，因此通过应用第二实施例而实现的制造成本的减少是有效的。
还可以利用参考图1所述的根据第一实施例的转移衬底1来执行参考图4A至4D的剖面图所述的根据第二实施例的转移方法。即使在这种情况下，也可以把在通过参考图4B所述的第一集中曝光进行的图样转移中留在光吸收层4上的转移材料层5的部分，转移为通过参考图4D所述的第二集中曝光的图样。
<第三实施例>
图5是用于说明根据本发明第三实施例的转移衬底的结构的主要部分的剖面图。图中所示的转移衬底1”适合于用在使用有机电致发光元件的全色显示器件的制造中。与第一和第二实施例中相同的组件由相同的标号和符号指代，并且省略重复的说明。
图中所示的转移衬底1”包括支撑衬底2、提供在支撑衬底2上的抗反射图样3-1、3-2和3-3、形成在抗反射图样3-1、3-2和3-3上的光吸收层4以及提供在光吸收层4上的转移材料层5。
支撑衬底2相对于在使用转移衬底1”的转移过程中照射的具有预定波长的光h1至h3来说具有令人满意的光透射属性。与第一实施例中一样，支撑衬底2例如由玻璃衬底制成。
各个抗反射图样3-1、3-2和3-3具有防止在支撑衬底2和光吸收层4的界面处的光反射的效果。与第一实施例中一样，抗反射图样3-1、3-2和3-3例如由硅(Si)制成。各个抗反射图样3-1、3-2和3-3的膜厚t1至t3被设置以使得对于照射在转移衬底1”上的具有预定波长的光h1至h3的光来说，吸收比得以最大化。
具有800nm波长的半导体激光束、具有488nm波长的氩离子激光束和具有532nm波长的钕(Nd):YAG激光束被分别用作照射的光h1、h2和h3，一个抗反射图样3-1的膜厚t1被设为40nm，在40nm时，对波长800nm的光h1的光吸收比得以最大化。另一个抗反射图样3-2的膜厚t2被设为72nm，在72nm时，对波长488nm的光h2的光吸收比得以最大化。另一个抗反射图样3-3的膜厚t3被设为85nm，在85nm时，对波长532nm的光h3的光吸收比得以最大化。
考虑到这样的情形：其中提供了具有上述膜厚t1至t3的由硅制成的抗反射图样，在图6中示出了照射光的波长[nm]以及抗反射图样和光吸收层中的光吸收比[％]之间的关系。厚度为200nm的铬膜被用作光吸收层。
如图6中的图表所示，可以看出抗反射图样和光吸收层中的光吸收比[％]得以最大化时的光的波长依赖于在光吸收层下提供的抗反射图样(硅)的膜厚而有所不同。与照射在转移衬底1”上的具有相应波长的光h1至h3相关联的，由硅制成的相应抗反射图样3-1至3-3的膜厚t1至t3被设置以使得光h1至h3的光吸收比[％]得以最大化。
优选地，照射在转移衬底1”上的光h1至h3以及各个抗反射图样3-1、3-2和3-3的膜厚t1至t3被选择，以使得例如光h1相对于一个抗反射图样3-1的光吸收比和光h1相对于另外两个抗反射图样3-2和3-3的光吸收比之间的差等于或大于30％。光吸收比呈对应关系。通过设置这样的光吸收比的差，确保了例如通过照射光h1而只选择性地热转移一个抗反射图样3-1上的转移材料层5的部分。
被设为膜厚t1至t3的各个抗反射图样3-1至3-3是通过使用转移衬底1”的转移而形成在支撑衬底2上的，其形状(包括布置状态)对应于形成在受体衬底一侧上的转移图样。换句话说，抗反射图样3-1通过使用转移衬底1的转移而被形成为排列在支撑衬底2上，从而对应于形成在受体衬底一侧上的转移图样。例如，抗反射图样3-1被形成为矩形，其以300μm的间距P沿一个方向排列，并且沿与一个方向垂直的另一个方向以与显示器件的像素间距相同的间距排列为矩阵形，。抗反射图样3-2被形成为排列在支撑衬底2上，同时保持与抗反射图样3-1相同的排列状态。此外，抗反射图样3-3被形成为在保持相同的排列状态的情况下排列。
光吸收层4由高效地吸收从支撑衬底2一侧照射的光并将光转换为热的材料制成，例如诸如铬(Cr)之类的具有低反射系数的金属材料。这里，光吸收层4是利用膜厚为200nm的铬膜形成的。这种光吸收层4被形成为其形状基本等同于抗反射图样3-1至3-3的形状的图样。光吸收层4可以形成在支撑衬底2的整个表面上以覆盖抗反射图样3-1至3-3。
抗反射图样3-1至3-3的形成如下所述。在第一方法中，按顺序形成厚度为t1的硅膜和厚度为200nm的铬膜，然后硅膜和铬膜被图样化以获得由厚度为t1的硅膜制成的抗反射图样3-1和抗反射图样3-1之上的由铬膜制成的光吸收层4。其后，通过改变硅膜的厚度重复相同的工艺。在第二方法中，通过执行三次膜形成(例如CVD方法，其中使用了三种掩模)，形成了分别具有膜厚t1至t3的抗反射图样3-1至3-3。在使用相应掩模的膜形成中，用于形成光吸收层4的膜形成可以在用于形成抗反射图样3-1至3-3的膜形成之后执行。
转移材料层5由通过使用转移衬底1”的热转移而转移形成的材料制成，例如包含各种颜色的发光材料的有机材料。除了各种颜色的发光材料外，这种转移材料层5还可以包含空穴传输材料、电子传输材料和两种载流子的传输材料中的至少一种。这种转移材料层5可以具有单层结构，或者可以具有层叠结构。转移材料层5经由光吸收层4形成在支撑衬底2的整个表面上。
例如，当红光发光层通过使用转移衬底1”的转移而被形成为转移图样时，通过在9，10-di-(2-naphthyl)-anthracene(9，10-二-(2萘基)-蒽)(ADN)(这是一种空穴传输材料)中混合质量比30％的2，6-bis[(4’-methoxydiphenylamino)styryl]-1，5-dicyanonaphthalene(2，6-二[(4’-甲氧基联苯氨基)苯乙烯基]-1，5-二蓝萘)(BSN)(这是一种红光发光材料)而获得的材料层被形成为具有30nm的膜厚，并被用作红色转移材料层5R的示例。
当绿光发光层通过使用转移衬底1”的转移而被形成为转移图样时，通过在ADN中混合质量比5％的香豆素6(这是一种绿光发光材料)而获得的材料层被形成为具有30nm的膜厚，并被用作绿色转移材料层5G的示例。
当蓝光发光层通过使用转移衬底1”的转移而被形成为转移图样时，通过在ADN中混合4，4’-bis[2-{4-(N，N-diphenylamino)phenyl}vinyl]biphenyl(4，4’-二[2-{4-(N，N-二苯基氨基)苯基}乙烯基]二苯基)(DPAVBi)(这是一种蓝光发光材料)而获得的材料层被形成具有30nm的膜厚，并被用作蓝色转移材料层5B的示例。
下面将说明将使用转移衬底1”的转移方法应用于制造显示器件的方法的实施例。
首先，准备具有参考图5所述的结构的转移衬底1”。准备三个转移衬底1”(1R”、1G”、1B”)，即，具有红色转移材料层5R的转移衬底1R”、具有绿色转移材料层5G的转移衬底1G”和具有蓝色转移材料层5B的转移衬底1B”。如后所述，与300μm的间距P相关联的，在相应转移衬底1”中提供三组对准标记。当转移衬底1”的位置相对于受体衬底偏移P/3并且被布置为彼此相对时，对准标记可以相对于相应受体衬底1”进行定位。
另一方面，图7中所示的器件衬底被制造为受体衬底11’，如下所述。
首先，由ITO制成的第一电极13被形成为玻璃衬底12上的图样。尽管未在图中示出，但是以与形成第一电极13相同的工艺在玻璃衬底12上形成对准标记。
第一电极13以矩形开口的由聚酰亚胺制成的绝缘层14被形成为玻璃衬底12上的图样。图8是在提供有绝缘层14的状态下的受体衬底11’的平面图。图7对应于图8中的A-A’剖面。如图7和8所示，在绝缘层14中提供有与像素14a相关联地呈矩形地对第一电极13开口的开口。多个像素14a以矩阵形状排列在玻璃衬底12上。这种情况下，形成了这样的子像素，其中三个像素14a在一个方向上排列为一组。一个子像素在一个方向上的间距P被设为300μm。
如图7所示，空穴注入层15和空穴传输层16按顺序形成在玻璃衬底12的整个表面上以覆盖绝缘层14和第一电极13。例如，通过蒸发形成了膜厚为25nm的m-MTDATA[4，4，4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine](4，4，4-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺)作为空穴注入层15。随后，蒸发膜厚为30nm的α-NPD[4，4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl](4，4-二(N-1-萘基-N-苯基氨基)二苯基)作为空穴传输层16。
随后，制造受体衬底11’。根据上述过程，制造多个(例如多于3个)受体衬底11’(11’-1、11’-2和11’-3)。
下面将参考用于说明图9A至9C到图11A至11C的步骤的剖面图，说明用于利用参考图5所述的结构的转移衬底1”通过向参考图7所述的结构的受体衬底11’应用热转移来制造显示器件的过程。在图9A至9C到图11A至11C中，为了说明的方便，示出了数目比图5和7中大的像素区域，并且以简化形式示出了受体衬底11’一侧上的结构。
首先，如图9A所示，具有红色转移材料层5R的转移衬底1R”被布置为以预定状态与作为转移对象的第一受体衬底11’-1相对。转移衬底1R”相对于受体衬底11’-1的布置状态与第一实施例中参考图2A所述的转移衬底和受体衬底的布置状态相同。这种情况下，执行对准使得膜厚t1＝400nm的抗反射图样3-1与受体衬底11’-1的红色像素部分相对。
在这种状态下，波长为800nm的光h1被从转移衬底1R”一侧照射。这种情况下，光h1可以集中照射在包括抗反射图样3-1和其他抗反射图样的广大区域上。然而，很重要的一点是：光h1的照射量是这样一个照射量，该照射量等于或大于抗反射图样3-1上的转移材料层5R的部分被充分升华并转移时的照射量，并且该照射量在这样一个范围中，在该范围中，不在抗反射图样3-1上的转移材料层5R的部分不被升华。
因此，光h1在光吸收层4以及抗反射图样3-1中被吸收并被转换为热，并且抗反射图样3-1上的转移材料层5R的部分被选择性地热转移到受体衬底11’-1一侧，从而形成红光发光层5Ra作为功能层。
如图9B所示，以相同的预定状态，转移衬底1R”被布置为与作为下一转移对象的第二受体衬底11’-2相对。然而，这种情况下，执行对准使得膜厚t2＝72nm的抗反射图样3-2与受体衬底11’-2的红色像素部分相对。
在这种状态下，波长为488nm的光h2被从转移衬底1R”一侧照射。这种情况下，光h2可以集中照射在包括抗反射图样3-2和其他抗反射图样的广大区域上。然而，很重要的一点是：光h2的照射量是这样一个照射量，该照射量等于或大于抗反射图样3-2上的转移材料层5R的部分被充分升华并转移时的照射量，并且该照射量处于这样一个范围中，在该范围中，不在抗反射图样3-2上的转移材料层5R的部分不被升华。
因此，光h2在光吸收层4以及抗反射图样3-2中被吸收并被转换为热，并且抗反射图样3-2上的转移材料层5R的部分被热转移到受体衬底11’-2一侧，从而选择性地形成红光发光层5Ra作为功能层。
如图9C所示，以相同的预定状态，转移衬底1R”被布置为与作为下一转移对象的第三受体衬底11’-3相对。然而，这种情况下，执行对准使得膜厚t3＝85nm的抗反射图样3-3与受体衬底11’-3的红色像素部分相对。
在这种状态下，波长为532nm的光h3被从转移衬底1R”一侧照射。这种情况下，光h3可以集中照射在包括抗反射图样3-3和其他抗反射图样的广大区域上。然而，很重要的一点是：光h3的照射量是这样一个照射量，该照射量等于或大于抗反射图样3-3上的转移材料层5R的部分被充分升华并转移时的照射量，并且该照射量处于这样一个范围中，在该范围中，不在抗反射图样3-3上的转移材料层5R的部分不被升华。
因此，光h3在光吸收层4以及抗反射图样3-3中被吸收并被转换为热，并且抗反射图样3-3上的转移材料层5R的部分被选择性地热转移到受体衬底11’-3一侧，从而形成红光发光层5Ra作为功能层。
如上所述，通过热转移的红光发光层5Ra的图样形成利用一个转移衬底1R”被应用于三个受体衬底11’-1、11’-2和11’-3。图9A至9C中的步骤可以从任何一步开始按任何顺序执行。
此后，如图10A至10C所示，利用具有绿色转移材料层5G的转移衬底1G”，通过热转移的绿光发光层5Ga的图样形成通过与参考图9A至9C所述的相同的过程被应用于相应受体衬底11’-1、11’-2和11’-3，在这些受体衬底上，已经形成了红光发光层5Ra。
如图11A至11C所示，利用具有蓝色转移材料层5B的转移衬底1B”，通过热转移的蓝光发光层5Ba的图样形成通过与参考图9A至9C所述的相同的过程被应用于相应受体衬底11’-1、11’-2和11’-3，在这些受体衬底上，已经形成了红光发光层5Ra和绿光发光层5Ga。
参考图9A至9C到图11A至11C所述的发光层5Ra、5Ga和5Ba可以从任何一个发光层开始按顺序形成。
这样，如图12A所示，相应发光层5Ra、5Ga和5Ba被形成在相应受体衬底11’(11’-1、11’-2和11’-3)中的相应像素14a上。
其后，如图12B所示，8-hydroxyquinolinealuminum(8-羟基喹啉铝)(Alq3)被蒸发并形成为具有约20nm的膜厚，作为受体衬底11’上的电子传输层21，以覆盖排列有相应像素14a的显示区域的整个表面。LiF被蒸发并形成为具有约0.3nm的膜厚(蒸发速度：0.01nm/sec)，作为电子注入层22。
随后，MgAg被蒸发并形成为具有约10nm的膜厚，作为第二电极23。第二电极23被形成为对于各个像素14a公用的电极。当要制造的显示器件是顶部发光型显示器件时，第二电极23被形成为透明或半透明的。另一方面，当显示器件是透射型显示器件时，第二电极23由高反射性材料形成。这种情况下，第二电极23的形成是通过具有小能量膜形成粒子的膜形成方法执行的，例如不影响基底的程度的蒸发方法或CVD(化学气相沉积)方法。在期望情况下，在不将包括第二电极23之下的发光层的有机层暴露于大气的情况下，在与形成有机层的器件相同的器件中连续执行第二电极23的形成。因此，防止了由于大气中的湿气而导致的有机层的恶化。
因此，具有由有机材料制成的功能层(包括其中保持的发光层5Ra、5Ga和5Ba)的发光元件EL被形成为排列在充当阳极的第一电极13和充当阴极的第二电极23之间。
在以上述工艺形成的第二电极23上提供绝缘或导电的保护膜(未在图中示出)。这种情况下，保护膜是通过具有小能量膜形成粒子的膜形成方法形成的，例如不影响基底的程度的蒸发方法或CVD方法。在不将第二电极23暴露于大气的情况下，在与形成第二电极23的器件相同的器件中，连续执行保护膜的形成。因此，防止了由于大气中的湿气和氧气导致的有机层(发光层等)的恶化。
保护膜的形成用来防止湿气到达有机层，因此其利用具有低渗水属性和吸水属性的材料形成，并具有足够膜厚。当要制造的显示器件是顶部发光型显示器件时，保护膜由透射在有机层中生成的光的材料制成。例如，保证了约80％的透射率。
具体而言，保护膜由绝缘材料形成。换句话说，绝缘保护膜直接形成在由金属薄膜制成的单层结构的第二电极23上。
作为这种保护膜，可以适当地使用无机无定形绝缘材料，例如无定形硅(α-Si)、无定形碳化硅(α-SiC)、无定形氮化硅(α-Si1-xNx)或无定形碳(α-C)。由于这种无机无定形绝缘材料不形成晶粒，因此无机无定形绝缘材料具有低的渗透性，并且充当令人满意的保护膜。
例如，在形成由无定形氮化硅制成的保护膜时，利用CVD方法形成具有2至3μm厚度的保护膜。然而，这种情况下，希望将膜形成温度设为室温，以防止由于有机层的恶化而导致的亮度的恶化，并且在使膜的应力最小的条件下形成膜，以防止保护膜的剥离。
当保护膜由导电材料形成时，使用诸如ITO或IXO之类的透明导电材料。
在如上所述形成了保护膜之后，在必要时，经由紫外硬化树脂将玻璃衬底24紧密地附着到保护膜上以完成显示器件25。
在上述的显示器件25中，第一电极13可被设为阴极，而第二电极23可被设为阳极。这种情况下，第一电极13和第二电极23之间的层叠结构只需要被反转即可。当显示器件25是透射型显示器件时，第一电极13只需要由透明材料或半透明材料形成即可。
根据上述第三实施例，如图5所示，利用包括具有不同膜厚t1至t3的抗反射图样3-1至3-3的转移衬底1”(1R”、1G”和1B”)，具有相应抗反射图样3-1至3-3中的光吸收比得以最大化时的波长的光h1至h3在不同时刻被照射在转移衬底1”上。因此，在不同时刻，在相应受体衬底11’上形成了相应抗反射图样3-1至3-3上的转移材料层5的部分。
因此，在相应抗反射图样3-1至3-3上的转移材料层5的部分中，即使当具有相应波长的光h1至h3大范围照射时，也可以只将对应于具有相应波长的光h1至h3的部分集中转移到受体衬底11’上，作为相应颜色的发光层5Ra、5Ga和5Ba的图样。因此，与第一实施例中一样，可以实现充当转移图样的发光层5Ra、5Ga和5Ba的形成中的生产效率的提高。在照射具有相应波长的光h1至h3时，可以高效地在对应于光的相应抗反射图样3-1至3-3上的光吸收层4的部分中吸收光。从而，可以实现光h1至h3的使用效率的提高。
可以利用一个转移衬底1”将发光层转移到三个受体衬底11’上作为图样。这使得可以将一个转移衬底1”上的大部分转移材料层5转移到受体衬底11’。因此，可以转移形成在受体衬底11’上的转移材料层5并形成发光层，而不产生浪费，并且可以实现应用这种转移方法的显示器件的制造成本的减少。
如上所述，根据本发明的实施例，通过使光照射在包括抗反射图样的广大区域上，可以形成转移图样，同时使得光吸收层最有效地吸收照射光。这使得可以实现转移图样的形成中的生产效率的提高和应用该转移的显示器件的制造成本的减少。
本领域技术人员应当理解，依赖于设计需求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替换，只要这些修改、组合、子组合和替换在所附权利要求或其等同物的范围内即可。
本发明包含与2005年11月21日向日本专利局递交的日本专利申请JP 2005-335310有关的主题，这里通过引用并入该申请的全部内容。

Claims (10)

1.一种转移衬底，该转移衬底包括转移材料层，该转移材料层叠加在位于支撑衬底上的光吸收层上，其中
在所述支撑衬底和所述光吸收层之间提供有用于防止所述支撑衬底和所述光吸收层的界面处的光反射的抗反射图样，并且
所述抗反射图样具有这样的膜厚，利用该膜厚，在所述光吸收层中吸收的具有预定波长的光的吸收比得以最大化。
2.如权利要求1所述的转移衬底，其中所述抗反射图样是根据形成在受体衬底上的转移图样形成的。
3.如权利要求1所述的转移衬底，其中所述抗反射图样具有多个膜厚，从而使得在所述光吸收层中吸收的具有多个不同波长的光的吸收比分别得以最大化。
4.一种通过热转移将转移衬底表面上的转移材料层转移到受体衬底上的转移方法，包括以下步骤：
准备转移衬底，所述转移衬底在支撑衬底上按顺序具有抗反射图样、光吸收层和转移材料层；
以这样的状态将所述转移衬底布置为与所述受体衬底相对，在所述状态中，所述转移材料层与向其转移所述转移材料层的受体衬底一侧面对；以及
从所述支撑衬底一侧照射具有预定波长的光，并在所述光吸收层以及所述抗反射图样中吸收所述光并将所述光转换为热，从而选择性地将所述抗反射图样上的转移材料层的部分热转移到所述受体衬底一侧。
5.如权利要求4所述的转移方法，其中在选择性地将所述转移材料层的部分热转移到所述受体衬底一侧的步骤中，光是集中照射在包括所述抗反射图样的区域上的。
6.如权利要求4所述的转移方法，还包括：在照射所述预定波长的光的步骤之后，通过从所述支撑衬底一侧进行光照射而将留在所述光吸收层上的转移材料层的部分热转移到所述受体衬底上的步骤。
7.如权利要求6所述的转移方法，其中在热转移留在所述光吸收层上的转移材料层的部分的步骤中，所述转移材料层的部分被热转移到与在选择性地将所述转移材料层的部分热转移到所述受体衬底一侧的步骤中使用的受体衬底不同的受体衬底上。
8.如权利要求4所述的转移方法，其中
在准备转移衬底的步骤中，形成了具有多个膜厚的抗反射图样；并且
在选择性地将所述转移材料层的部分热转移到所述受体衬底一侧的步骤中，在不同时刻照射具有使所述抗反射图样的相应膜厚中的吸收比分别得以最大化的波长的光，从而在所述不同时刻选择性地将所述具有相应膜厚的抗反射图样上的转移材料层的部分热转移到所述受体衬底一侧。
9.如权利要求8所述的转移方法，其中，在选择性地将所述转移材料层的部分热转移到所述受体衬底一侧的步骤中，多个不同衬底被准备作为所述受体衬底，并且每次在替换被布置为与所述转移衬底相对的受体衬底时，从支撑衬底一侧照射在所述转移衬底中的光的波长改变。
10.一种制造显示器件的方法，在所述显示器件中，具有功能层的发光元件被形成为排列在器件衬底上，所述功能层包含夹持在第一电极和第二电极之间的发光材料，所述制造显示器件的方法包括：
准备转移衬底，所述转移衬底在支撑衬底上按顺序具有抗反射图样、光吸收层和包含发光材料的转移材料层；
以这样的状态将所述转移衬底布置为与所述器件衬底相对，在所述状态中，所述转移材料层与所述器件衬底上的第一电极形成表面一侧面对；
从所述支撑衬底一侧照射具有预定波长的光，并在所述光吸收层以及所述抗反射图样中吸收所述光并将所述光转换为热，从而选择性地将所述抗反射图样上的转移材料层的部分热转移到所述器件衬底中的第一电极上，以形成所述功能层；以及
在所述器件衬底上形成所述第二电极，以将所述功能层夹持在所述第一电极和所述第二电极之间。
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