JP5291607B2 - 発光装置の作製方法 - Google Patents

Description

本明細書にて開示される発明は、成膜方法及び発光装置の作製方法に関する。

有機化合物を機能性有機材料として用いたエレクトロニクスデバイスの例として、太陽電池や発光素子、有機トランジスタ等が挙げられる。これらは有機化合物の電気物性および光物性を利用したデバイスであり、特に発光素子はめざましい発展を見せている。

フルカラーパネルを作製する方法の１つには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光層を選択的に成膜する塗り分け方法がある。この塗り分け方法は、高精細なメタルマスクを用いて行うのが一般的であるが、近年レーザ熱転写により、発光素子の発光層を形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。

塗り分け方法においては、各色により材料が異なる発光層を選択的に成膜するのが一般的である。全色で材料が同じである、ホール輸送層、電子輸送層などは一括に成膜されることが多い。そのため、ホール輸送層などは全色で共通の膜厚になってしまう。

これらのホール輸送層などにも各色で最適な膜厚があり、発光素子の性能向上を望むためには各色で膜厚を変える必要がある。

しかしながら、ホール輸送層などの共通層も各色で塗り分けを行うと、作製工程が非常に長くなり、歩留まりも低下してしまう。

特開２００６−３０９９９５号公報

そこで本明細書に記載される発明においては、ドナー基板全面にホール輸送層などの共通層の材料となる有機物層を均一に形成し、かつ、転写された素子作成用基板上では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）それぞれの共通層となる転写層の膜厚を異ならせることができる成膜方法を提供することを課題の１つとする。

共通層の材料となる有機物をドナー基板に形成し、レーザビームなどの光を当てることにより、ドナー基板の有機物は昇華し、被成膜基板上に昇華した有機物が成膜される。ここでドナー基板において光が当たる面と有機物との間に、１つの画素に対応して、吸収層と反射層を混在させたマスク層を配置する。

レーザビームなどの光を当てることで吸収層が加熱され、吸収層上の有機物のみが加熱され昇華する。これにより吸収層上の有機物のみが被成膜基板上に成膜される。

一方、反射層はレーザビームなどの光を反射してしまうので、有機物は加熱されない。

反射層及び吸収層全体の面積に対する反射層の面積比率を変化させることで、成膜される膜の膜厚を制御することができる。

第１の基板上に、第１の吸収層と第１の反射層を有する第１のマスク層と、第２の吸収層と第２の反射層を有する第２のマスク層を形成し、第１のマスク層及び第２のマスク層上に、有機物層を形成し、第１の基板の有機物層と、第２の基板の被成膜面が対向するように配置し、第１の基板の、有機物層を形成した面と反対側の面から光を照射することにより、第１の吸収層及び第２の吸収層の上の有機物層を昇華させ、第１の吸収層及び第２の吸収層の上の有機物層を昇華させることにより、第２の基板上に、第１のマスク層に対応する第１の画素に第１の転写層、及び、第２のマスク層に対応する第２の画素に第２の転写層を成膜し、第１の転写層と第２の転写層の膜厚は、第１の吸収層と第２の吸収層の面積比に応じて異なることを特徴とする成膜方法に関する。

第１の吸収層と第１の反射層を有する第１のマスク層と、第２の吸収層と第２の反射層を有する第２のマスク層を有し、第１の吸収層と第２の吸収層の面積が異なる第１の基板上に、有機物層を形成し、第１の基板の有機物層と、第２の基板の被成膜面が対向するように配置し、第１の基板の、有機物層を形成した面と反対側の面から光を照射することにより、第１の吸収層及び第２の吸収層の上の有機物層を昇華させ、第１の吸収層及び第２の吸収層の上の有機物層を昇華させることにより、第２の基板上に、第１のマスク層に対応する第１の画素に第１の転写層、及び、第２のマスク層に対応する第２の画素に第２の転写層を成膜し、第１の転写層と第２の転写層の膜厚は、第１の吸収層と第２の吸収層の面積比に応じて異なることを特徴とする成膜方法に関する。

第１の吸収層と第１の反射層を有する第１のマスク層と、第２の吸収層と第２の反射層を有する第２のマスク層を有し、第１の吸収層と第２の吸収層の面積が異なり、第１のマスク層と第２のマスク層上に有機物層を形成された第１の基板を、第２の基板の被成膜面が対向するように配置し、第１の基板の、有機物層を形成した面と反対側の面から光を照射することにより、第１の吸収層及び第２の吸収層の上の有機物層を昇華させ、第１の吸収層及び第２の吸収層の上の有機物層を昇華させることにより、第２の基板上に、第１のマスク層に対応する第１の画素に第１の転写層、及び、第２のマスク層に対応する第２の画素に第２の転写層を成膜し、第１の転写層と第２の転写層の膜厚は、第１の吸収層と第２の吸収層の面積比に応じて異なることを特徴とする成膜方法に関する。

第１の基板上に、第１の吸収層と第１の反射層を有する第１のマスク層と、第２の吸収層と第２の反射層を有する第２のマスク層を形成し、第１のマスク層及び第２のマスク層上に、有機物層を形成し、第１の基板の有機物層と、陽極あるいは陰極の一方である第１の電極を形成した第２の基板の被成膜面が対向するように配置し、第１の基板の、有機物層を形成した面と反対側の面から光を照射することにより、第１の吸収層及び第２の吸収層の上の有機物層を昇華させ、第１の吸収層及び第２の吸収層の上の有機物層を昇華させることにより、第２の基板上に、第１のマスク層に対応する第１の画素に第１の転写層、及び、第２のマスク層に対応する第２の画素に第２の転写層を成膜し、発光層を形成し、陽極あるいは陰極の他方である第２の電極を形成し、第１の転写層と第２の転写層の膜厚は、第１の吸収層と第２の吸収層の面積比に応じて異なることを特徴とする発光装置の作製方法に関する。

第１の吸収層と第１の反射層を有する第１のマスク層と、第２の吸収層と第２の反射層を有する第２のマスク層を有し、第１の吸収層と第２の吸収層の面積が異なる第１の基板上に、有機物層を形成し、第１の基板の有機物層と、陽極あるいは陰極の一方である第１の電極を形成した第２の基板の被成膜面が対向するように配置し、第１の基板の、有機物層を形成した面と反対側の面から光を照射することにより、第１の吸収層及び第２の吸収層の上の有機物層を昇華させ、第１の吸収層及び第２の吸収層の上の有機物層を昇華させることにより、第２の基板上に、第１のマスク層に対応する第１の画素に第１の転写層、及び、第２のマスク層に対応する第２の画素に第２の転写層を成膜し、発光層を形成し、陽極あるいは陰極の他方である第２の電極を形成し、第１の転写層と第２の転写層の膜厚は、第１の吸収層と第２の吸収層の面積比に応じて異なることを特徴とする発光装置の作製方法に関する。

第１の吸収層と第１の反射層を有する第１のマスク層と、第２の吸収層と第２の反射層を有する第２のマスク層を有し、第１の吸収層と第２の吸収層の面積が異なり、第１のマスク層と第２のマスク層上に有機物層を形成された第１の基板を、陽極あるいは陰極の一方である第１の電極を形成した第２の基板の被成膜面が対向するように配置し、第１の基板の、有機物層を形成した面と反対側の面から光を照射することにより、第１の吸収層及び第２の吸収層の上の有機物層を昇華させ、第１の吸収層及び第２の吸収層の上の有機物層を昇華させることにより、第２の基板上に、第１のマスク層に対応する第１の画素に第１の転写層、及び、第２のマスク層に対応する第２の画素に第２の転写層を成膜し、発光層を形成し、陽極あるいは陰極の他方である第２の電極を形成し、第１の転写層と第２の転写層の膜厚は、第１の吸収層と第２の吸収層の面積比に応じて異なることを特徴とする発光装置の作製方法に関する。

第１の吸収層及び第２の吸収層はそれぞれ、モリブデン、窒化タンタル、チタン、タングステン、カーボンのいずれか１つを用いて形成される。

第１の反射層及び第２の反射層はそれぞれ、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金のいずれか１つを用いて形成される。

光は、レーザビームである。

赤（Ｒ）の画素、緑（Ｇ）の画素、青（Ｂ）の画素それぞれの共通層の膜厚を容易に変えることができる。

成膜方法を示す断面図。 成膜方法を示す斜視図。 成膜方法を示す上面図及び断面図。 成膜方法を示す断面図。

以下、本明細書に開示された発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し、本明細書に開示された発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本明細書に開示された発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

なお本明細書において、半導体装置とは、半導体を利用することで機能する素子及び装置全般を指し、電子回路、液晶表示装置、発光装置等を含む電気装置およびその電気装置を搭載した電子機器をその範疇とする。

［実施の形態１］
本実施の形態を、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）、図２、図３（Ａ）〜図３（Ｂ）、図４（Ａ）〜図４（Ｃ）を用いて説明する。

まず光熱転写法において吸収層と反射層を用いて、被成膜基板に転写される膜の膜厚を制御する方法について、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）、図２を用いて説明する。

基板１０１上に、光を吸収する吸収層１０３と光を反射する反射層１０４を有するマスク層１０５、マスク層１０５上に有機物層１０６を形成する。基板１０１、吸収層１０３、反射層１０４、有機物層１０６をまとめて、ドナー基板１０７と呼ぶ。また有機物層１０６が形成されている面に対向して、被成膜基板である基板１１１を配置する（図１（Ａ）参照）。ドナー基板１０７と基板１１１との距離をＴＳと呼ぶことにする。

基板１０１は、反射層１０４、吸収層１０３などの支持基板であり、有機物層１０６を蒸着させるために照射する光を透過する基板である。よって、基板１０１は光の透過率が高い基板であることが好ましい。

具体的には、有機物層１０６を蒸着させるためにランプ光やレーザ光を用いた場合、基板１０１として、それらの光を透過する基板を用いることが好ましい。基板１０１としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。

吸収層１０３は有機物層１０６を蒸着させるために照射する光を吸収する層である。吸収層１０３は、照射される光に対して、反射率が低く、透過率が低く、吸収率が高いことが好ましい。具体的には、照射される光に対して、６０％以下の反射率を示すことが好ましい。そして、照射される光に対して、４０％以上の吸収率を示すことが好ましい。

よって、吸収層１０３は、照射する光に対して低い反射率を有し、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。また、耐熱性に優れた材料であることが好ましい。例えば、モリブデン、窒化タンタル、チタン、タングステン、カーボンなどを用いることができる。

吸収層１０３は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタ法で、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、カーボンなどのターゲット、またはこれらの合金を用いたターゲットを用い、吸収層１０３を形成することができる。また、吸収層１０３は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。

なお、吸収層１０３は、有機物層１０６の昇華温度まで発熱するのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、光が照射しても分解しない材料を、有機物層１０６に用いることが好ましい。

反射層１０４は、有機物層１０６を蒸着するために照射する光を反射する層である。反射層１０４は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上であることが好ましい。

よって、反射層１０４は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。例えば、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、または銀を含む合金などを用いることができる。

特に、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、銀−ネオジム合金は、赤外領域の光（波長８００ｎｍ以上）に対して高い反射率を有しているため、反射層１０４として好適に用いることができる。

また、反射層１０４は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。例えば、反射率の高い材料からなる膜と熱伝導率の低い材料からなる膜を積層して、反射層として用いても良い。

反射層１０４は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタ法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。

有機物層１０６は昇華により転写される材料を含む層である。有機物層１０６は複数の材料を含んでいてもよい。有機物層１０６は、赤（Ｒ）のマスク層１０５Ｒ、緑（Ｇ）のマスク層１０５Ｇ、青（Ｂ）のマスク層１０５Ｂ全体の上に形成され、それぞれの色に応じて塗り分ける必要がない。

有機物層１０６は、キャリア注入層やキャリア輸送層等、赤（Ｒ）の画素、緑（Ｇ）の画素、青（Ｂ）の画素全てに成膜される膜の材料層である。

キャリアとして電子の場合は、電子注入層及び電子輸送層、キャリアとして正孔（ホール）の場合は、正孔注入層及び正孔輸送層が挙げられる。以下に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層の例を示す。

正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）等のフタロシアニン系の化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。

また、正孔注入層として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができる。アクセプター性物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。

複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。

例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。

複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。

また、複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、他に、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。

また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。

なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもできる。

正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。

また、正孔輸送層として、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。

電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。

有機物層１０６は、種々の方法により形成される。例えば、乾式法である真空蒸着法、スパッタ法等を用いることができる。また、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、又は印刷法等を用いることができる。

湿式法を用いて有機物層１０６を形成するには、所望の蒸着材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、蒸着材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ蒸着材料と反応しないものであれば特に限定されない。

例えば溶媒として、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、あるいはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。

湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、発光装置を作製するコストを低減することができる。

基板１１１は、基板１０１と同様の材料の基板を用いてもよいし、プラスティック等で形成されるフレキシブル基板を用いてもよい。

有機物層１０６が形成されている面と反対側の面から、光１０８を照射する。光１０８として、例えばレーザビームを照射する（図１（Ｂ）参照）。これにより、吸収層１０３上の有機物層１０６が昇華するが、反射層１０４上の有機物層１０６は昇華しない。これにより、吸収層１０３上の有機物層１０６から昇華した有機物が、共通層である転写層１１２として基板１１１に均一に成膜される。均一な膜を得るためには、反射層１０４の横幅より距離ＴＳが長いことが好ましい。

レーザビームの光源としては、例えば、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＶＯ_４、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。

また本実施の形態では光１０８としてレーザビームを用いたが、照射する光の光源としては、レーザに限定されず、種々の光源を用いることができる。

また、レーザ光以外の光源としては、フラッシュランプ（キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を用いることができる。

また、光照射は減圧雰囲気で行われることが好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が５×１０^−３Ｐａ以下、好ましくは１０^−４Ｐａ乃至１０^−６Ｐａ程度の範囲なるように真空排気することで得られる。

光１０８を照射、例えばレーザビームを照射することにより、基板１１１上には、膜厚が均一な転写層１１２が形成され、反射層１０４上には、有機物層１０６が残存する（図１（Ｃ）参照）。

基板１１１上の１つの画素１１５に対して、吸収層１０３と反射層１０４を有するマスク層１０５、有機物層１０６を設けた例を、図２に示す。なお図示していない領域においても、マスク層１０５上には有機物層１０６が形成されている。

上述のように、転写層１１２としてはキャリア輸送層やキャリア注入層が挙げられるが、これらの最適な膜厚は、赤（Ｒ）の画素、緑（Ｇ）の画素、青（Ｂ）の画素それぞれによって異なる。各色の画素ごとに膜厚が変わるように成膜する方法を、図３（Ａ）〜図３（Ｂ）及び図４（Ａ）〜図４（Ｃ）を用いて説明する。

赤（Ｒ）の画素、緑（Ｇ）の画素、青（Ｂ）の画素それぞれの転写層１１２の膜厚を、ｒ：ｇ：ｂにする場合は、それぞれのマスク層１０５Ｒ、マスク層１０５Ｇ、マスク層１０５Ｂの吸収層１０３の面積の比を、ｒ：ｇ：ｂにすればよい。ただし、各色の画素において、吸収層１０３と反射層１０４の合計面積Ｐは等しいものとする。またｒ、ｇ、ｂのうちの１つは、０であってもよい。

また必要に応じて、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の他にも、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）等、色の種類を増やす場合や、画素の機能に応じて、転写層１１２の膜厚を変える場合は、吸収層１０３と反射層１０４の合計面積Ｐは等しいとして、吸収層１０３の面積の比率を変えればよい。

例えば、赤（Ｒ）の画素１１５Ｒの転写層の膜厚を１００％、青（Ｂ）の画素１１５Ｂの転写層の膜厚を０％としたとき、緑（Ｇ）の画素１１５Ｇの転写層の膜厚を３０％に成膜する方法について説明する。

赤（Ｒ）の画素１１５Ｒ、緑（Ｇ）の画素１１５Ｇ、青（Ｂ）の画素１１５Ｂにそれぞれ対応する、マスク層１０５Ｒ、マスク層１０５Ｇ、マスク層１０５Ｂを基板１０１上に形成した場合の上面図を図３（Ａ）、断面図を図３（Ｂ）に示す。

マスク層１０５Ｒは吸収層１０３のみで形成される。マスク層１０５Ｇは、吸収層１０３の面積が、吸収層１０３と反射層１０４の合計面積の３０％になるように形成する。マスク層１０５Ｂは、反射層１０４のみで形成される。

マスク層１０５Ｒ、マスク層１０５Ｇ、マスク層１０５Ｂの全面に有機物層１０６を形成し、有機物層１０６が形成された面と基板１１１を対向させる（図４（Ａ）参照）。

図１（Ｂ）の作製工程と同様に、有機物層１０６が形成されている面と反対側の面から、光１０８を照射する。光１０８として、例えばレーザビームを照射する（図４（Ｂ）参照）。これにより、吸収層１０３上の有機物層１０６が昇華するが、反射層１０４上の有機物層１０６は昇華しない。

以上の作製工程により、赤（Ｒ）の画素１１５Ｒ上の転写層１１２の膜厚ｄＲを１００％、青（Ｂ）の画素１１５Ｂ上の転写層１１２の膜厚を０％としたとき、緑（Ｇ）の画素１１５Ｇ上の転写層１１２の膜厚ｄＧを３０％になるように成膜することが可能である（図４（Ｃ）参照）。

本実施の形態により、ドナー基板においては赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）それぞれの有機物層を均一に形成し、かつ、転写された素子作成用基板上では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）それぞれの転写層の膜厚を異ならせることが、容易にできる。

本実施の形態を用いて発光装置を作製するには、基板１１１上にあらかじめ陽極または陰極の一方となる第１の電極を形成し、発光層を形成し、ホール輸送層、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層の少なくとも１つを、上述の方法で形成すればよい。その後、陽極または陰極の他方となる第２の電極を形成することにより、発光装置を作製することができる。

発光層は、発光性の物質を含む層である。発光層の種類としては、発光中心物質を主成分とするいわゆる単膜の発光層であっても、ホスト材料中に発光中心材料を分散するいわゆるホスト−ゲスト型の発光層であってもどちらでも構わない。

用いられる発光中心材料に制限は無く、公知の蛍光または燐光を発する材料を用いることができる。蛍光発光性材料としては、例えばＮ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、等の他、発光波長が４５０ｎｍ以上の４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。燐光発光性材料としては、例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、の他、発光波長が４７０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にある、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、発光波長が５００ｎｍ（緑色発光）以上のトリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））等が挙げられる。以上のような材料または他の公知の材料の中から、各々の発光素子における発光色を考慮し選択すれば良い。

ホスト材料を用いる場合は、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、各々が分散する発光中心物質のエネルギーギャップ（燐光発光の場合は三重項エネルギー）より大きなエネルギーギャップ（三重項エネルギー）を有する物質を有し、且つ各々の層が有すべき輸送性に合致した輸送性を示す物質を選択すればよい。

発光装置は、陽極または陰極の一方、あるいは両方を透光性を有する導電膜で形成する必要がある。陽極または陰極のうち、発光層、並びに、ホール輸送層、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層の少なくとも１つ（以下「ＥＬ層」と呼ぶ）の下に透光性を有する導電膜、ＥＬ層の上に遮光性を有する導電膜を形成する場合は、発光装置は下面射出の発光装置となる。逆に、陽極または陰極のうち、ＥＬ層の下に遮光性を有する導電膜、ＥＬ層の上に透光性を有する導電膜を形成する場合は、発光装置は上面射出の発光装置となる。陽極及び陰極の両方を透光性を有する導電膜で形成する場合は、発光装置は両面射出の発光装置となる。

透光性を有する陽極の材料として、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）や酸化インジウム−酸化スズ合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＳｎＯ_２；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））、ケイ素もしくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、さらに可視光の透過率や導電率を高めるためにガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｇａ）、などの導電性金属酸化物膜を用いることができる。

これらの材料をスパッタ法、真空蒸着法、ゾル−ゲル法などを用いて形成すればよい。

例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。

透光性を有する陰極を形成する場合には、アルミニウムなど仕事関数の低い材料の極薄膜を用いるか、そのような物質の薄膜と上述のような透光性を有する導電膜との積層構造を用いることによって作製することができる。

また、陰極と前述した電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な透光性を有する導電性材料を陰極として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。

また遮光性を有する導電膜を陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。

また、遮光性を有する導電膜を陽極として用いる場合には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。

例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。また、上述の複合材料を陽極に接して設けることによって、仕事関数の高低にかかわらず電極の材料を選択することができる。

１０１ 基板
１０３ 吸収層
１０４ 反射層
１０５ マスク層
１０５Ｒ マスク層
１０５Ｇ マスク層
１０５Ｂ マスク層
１０６ 有機物層
１０７ ドナー基板
１０８ 光
１１１ 基板
１１２ 転写層
１１５ 画素
１１５Ｒ 画素
１１５Ｇ 画素
１１５Ｂ 画素

Claims (1)

1. 第１の吸収層と第１の反射層を有する第１のマスク層と、第２の吸収層と第２の反射層を有する第２のマスク層を有し、前記第１のマスク層と前記第２のマスク層上に有機物層が形成された第１の基板を、
   陽極あるいは陰極の一方である第１の電極を形成した第２の基板の被成膜面が対向するように配置し、
   前記第１の基板の、前記有機物層を形成した面と反対側から光を照射することにより、前記第１の吸収層及び第２の吸収層の上の前記有機物層を昇華させ、
   前記第１の吸収層及び第２の吸収層の上の有機物層を昇華させることにより、前記第２の基板上に、前記第１のマスク層に対応する第１の画素に第１の転写層、及び、前記第２のマスク層に対応する第２の画素に第２の転写層を成膜する発光装置の作製方法であって、
   前記第１の転写層は、前記第２の転写層と接する領域を有し、
   前記第１の転写層の膜厚は、前記第２の転写層の膜厚より厚く、
   前記第１の吸収層の面積は、前記第２の吸収層の面積より大きいことを特徴とする発光装置の作製方法。

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