CN104465479B - 柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法 - Google Patents
柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104465479B CN104465479B CN201410804407.XA CN201410804407A CN104465479B CN 104465479 B CN104465479 B CN 104465479B CN 201410804407 A CN201410804407 A CN 201410804407A CN 104465479 B CN104465479 B CN 104465479B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bearing substrate
- flexible display
- substrates
- patterned layer
- flexible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6835—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明公开了一种柔性显示基板的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:在承载基板上形成分离图案层,其中,分离图案层包括间隔排列的多个分离单元;在形成有分离图案层的承载基板上形成粘结层;在粘结层上形成柔性基底,并在柔性基底相对粘结层的一侧形成显示元件;对承载基板进行剥离预处理,将柔性基底与承载基板剥离,形成柔性显示基板。本发明同时还公开了一种柔性显示基板母板。本发明通过加热或施压使得柔性显示基板与承载基板之间均匀地产生空隙,更容易地剥离柔性显示基板,减轻甚至消除柔性显示基板产生的形变,提高柔性显示基板的良品率,降低柔性显示基板的制作成本,并且本发明还具有制作简单、易于实施等优点。
Description
技术领域
本发明属于柔性显示技术领域,尤其涉及一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法。
背景技术
随着技术的发展,柔性显示装置在近几年获得了越来越广泛的应用,由此带动柔性显示器从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了很大的进步。无论是濒临消失的阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT),还是现今主流的液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD),本质上都属于传统的刚性显示装置。与传统的刚性显示装置相比,柔性显示装置具有诸多优点,比如耐冲击、抗震能力强,重量轻、体积小、携带更加方便等。目前,柔性显示装置包括电子纸(柔性电泳显示)、柔性有机电致发光二极管显示装置(Organic Light-EmittingDiode,OLED)、以及柔性LCD等不同类型。
与常规的显示装置不同,柔性显示装置中使用的显示基板(如柔性有机发光二极管显示装置的柔性阵列基板)是柔性显示基板,而柔性显示基板的基底由塑料等可弯曲的柔性材料制成,这就使得柔性显示基板的加工变得难度很大。在柔性显示基板的制备过程中,通常需要在一个坚硬而平坦的硬质承载基板上粘合一层柔性基底,再在柔性基底上形成构成显示结构的各膜层等,最后把制作完成的柔性显示基板从承载基板上剥离下来。这样做的原因是,显示组件的安装误差只能以微米来计算,才能使得电子元件之间不致错位,因此,在精细的显示组件制作过程中,需要精确固定柔性显示基板的位置和平坦度。这就要求柔性基底能够稳固地与承载基板相结合,而在制作完成之后把柔性显示基板从承载基板上剥离下来时,又要求柔性基底能够很容易地脱离承载基板。这样自相矛盾的要求在实际操作中很难达到,因为,柔性显示基板在从承载基板上剥离时往往会产生轻微的变形,从而导致电子元件线路错位,良品率降低,而单件面板的成本则相应大幅增加;另外,考虑到柔性显示基板的温度、张力等影响因素,柔性显示基板的剥离问题,成为目前柔性显示基板制备中的困难之一。
对于柔性显示基板制备过程中出现的上述困难,现有技术中存在一些解决方案,例如在承载基板上真空沉积一层薄膜,再在这层薄膜上放置柔性基底和显示组件,待柔性显示基板制备完成之后,连同薄膜一同撕离承载基板;或者用激光从侧面蒸发一整层承载基板以方便承载基板与柔性基板的剥离等等。但是这些方法或者耗时过长,或者容易对柔性显示基板造成损伤,因此一直没有获得商品化的广泛应用。比如,当使用激光束用于承载基板与柔性基板的剥离处理时,尽管可以对激光束的强度和聚焦深度进行控制,但是由于柔性基底和在柔性基底上形成的显示元件的各图案层都非常薄,激光束发出的激光还是会不可避免的损坏显示元件。此外,由于激光束的光束面积有限,在剥离时,需要通过移动激光束来将所述柔性基底与硬质的承载基板逐渐剥离,这样的话会导致柔性基底和承载基板出现剥离不均的现象。
发明内容
针对上述现有技术中存在的问题,本发明提出一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法。
根据本发明的一方面,提出一种柔性显示基板的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:
在承载基板上形成分离图案层,其中,所述分离图案层包括间隔排列的多个分离单元;
在形成有分离图案层的承载基板上形成粘结层;
在所述粘结层上形成柔性基底,并在所述柔性基底相对所述粘结层的一侧形成显示元件;
对所述承载基板进行剥离预处理,将所述柔性基底与所述承载基板剥离,形成所述柔性显示基板。
其中,所述分离图案层形成在所述承载基板的上表面上方,且所述分离单元由热形变材料制成。
其中,所述对所述承载基板进行剥离预处理的步骤包括:对于所述承载基板进行加热,所述粘结层受热粘性变差的同时,分离图案层在各个方向上发生形变,所述柔性显示基板与承载基板之间均匀地产生空隙。
其中,所述分离图案层形成在所述承载基板的上表面下方,且分离单元中容纳有气体或液体。
其中,所述对所述承载基板进行剥离预处理的步骤包括:对于所述承载基板进行施压,分离单元中的气体或液体挤入至柔性显示基板与承载基板之间,所述柔性显示基板与承载基板之间形成均匀的分离状态。
根据本发明的另一方面,还提出一种柔性显示基板母板,所述柔性显示基板母板包括:承载基板、分离图案层、粘结层和柔性基底,其中:
所述分离图案层形成在所述承载基板上,其中,所述离图案层包括间隔排列的多个分离单元;
所述粘结层形成在形成有分离图案层的承载基板上;
所述柔性基底形成在所述粘结层上,且所述柔性基底相对所述粘结层的一侧形成有显示元件。
其中,所述分离图案层形成在所述承载基板的上表面上方,且所述分离单元由热形变材料制成。
其中,所述分离图案层形成在所述承载基板的上表面下方,且分离单元中容纳有气体或液体。
其中,所述分离图案层的面积不大于所述承载基板的面积。
其中,所述粘结层由粘结胶制成,所述粘结胶在受热之后粘性变差。
根据上述技术方案,本发明通过在所述承载基板与所述粘结层之间设置分离图案层,达到在柔性显示基板制作完成需要与承载基板剥离时,通过加热或施压等剥离预处理使得所述柔性显示基板与承载基板之间能够均匀地产生空隙,从而更容易地将柔性显示基板从承载基板上剥离下来,进而减轻甚至消除柔性显示基板在剥离时产生的形变,提高柔性显示基板的良品率,降低柔性显示基板的制作成本的技术效果。另外,本发明还具有制作简单、易于实施等优点。
附图说明
图1是本发明柔性显示基板制备方法的流程图;
图2是根据本发明一实施例的形成有分离图案层的承载基板的俯视图;
图3是根据本发明另一实施例的形成有分离图案层的承载基板的俯视图;
图4是根据本发明一实施例的形成有分离图案层的承载基板的截面图;
图5是承载基板加热后与柔性显示基板之间产生空隙的效果示意图;
图6是根据本发明另一实施例的形成有分离图案层的承载基板的截面图;
图7是承载基板施压后与柔性显示基板之间产生空隙的效果示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
根据本发明的一方面,提出一种柔性显示基板的制备方法,如图1所示,所述制备方法包括以下步骤:
步骤1,在承载基板1上形成分离图案层2,其中,所述分离图案层2包括间隔排列的多个分离单元;
其中,所述承载基板1为坚硬而平坦的基板,其可以为一层基板,也可以是由至少两层基板构成的复合结构。不管所述承载基板1是由一层或多层构成,对于所述承载基板1整体来说,其需为硬质基板且具有良好的平坦度。优选地,所述承载基板1至少包括一层金属基板,以提高其导热能力,所述金属基板例如可以为铁板、钢板等由导热性好的金属制成的基板。
另外,本发明不对所述承载基板1的厚度进行限定,当所述承载基板1包括至少两层基板时,金属基板和除金属基板外的其他基板的厚度比例也不进行限定,只要能使金属基板产生的热量施加在粘结层3上,从而起到加热粘结层3的效果即可。
所述分离单元可呈现任何可能的形状,比如条形、圆环形、星形、点形等形状;进一步地,所述分离单元可以任何可能的间隔排列方式形成所述分离图案层2,比如顺序排列、交错排列、放射性排列、分散性排列等排列方式,优选地,所述分离单元以均匀分布的方式形成所述分离图案层2;更进一步地,所述分离单元的横截面可呈现任何可能的形状,比如矩形、圆形、半圆形、梯形甚至不规则形状。图2示出了根据条形分离单元交错排列得到的分离图案层2,图3示出了根据圆环形分离单元顺序排列得到的分离图案层2。
在本发明一实施例中,所述分离图案层2形成在所述承载基板1的上表面上方,上表面上方形成有分离图案层2的承载基板1的截面图如图4所示。其中,所述分离图案层2的分离单元由热形变材料制成,比如热膨胀材料、热气化材料,以及热形变管线等。这样在柔性显示基板制作完成需要与承载基板剥离时,通过加热可使得所述分离图案层2在各个方向上发生形变,尤其是在垂直于所述承载基板1方向上的形变,可使得所述柔性显示基板与承载基板1之间均匀地产生空隙,如图5所示,从而能够更容易地将柔性显示基板从承载基板上剥离下来,进而减轻甚至消除柔性显示基板在剥离时产生的形变,提高柔性显示基板的良品率,降低柔性显示基板的制作成本。
在本发明另一实施例中,所述分离图案层2形成在所述承载基板1的上表面下方,比如以具有一定承压性的沟槽形式嵌入在所述承载基板1的上表面下方。上表面下方形成有分离图案层2的承载基板1的截面图如图6所示。其中,所述分离图案层2的分离单元中容纳有气体或液体,在本发明一实施例中,所述气体或液体对于所述分离图案层2和粘结层3无腐蚀,对于惰性的工艺环境不产生影响,可选为氮气,氩气,氦气,硅油等,这样在柔性显示基板制作完成需要与承载基板剥离时,通过施加一定的压力,使得分离单元中容纳的气体或液体挤入至柔性显示基板与承载基板之间,所述柔性显示基板与承载基板1之间形成均匀的分离状态,如图7所示,从而能够更容易地将柔性显示基板从承载基板上剥离下来,进而减轻甚至消除柔性显示基板在剥离时产生的形变,提高柔性显示基板的良品率,降低柔性显示基板的制作成本。
需要说明的是,本发明对于所述分离单元所呈现出的具体形状、所述分离单元的具体排列方式以及所述分离单元的具体横截面形状均不作任何的限定,只要能实现上文描述的将所述柔性显示基板与承载基板分离开来的所述分离单元的任何存在形式都落入本发明的保护范围之内。
另外,所述分离图案层2的面积应不大于所述承载基板1的面积,以避免造成不必要的资源浪费。
步骤2,在形成有分离图案层2的承载基板1上形成粘结层3;
其中,所述粘结层由粘结胶制成,所述粘结胶在受热之后粘性变差,所述粘结胶例如可以为硅烷粘结胶、聚酰亚胺粘结胶、丙烯酸酯粘结胶中的至少一种。
其中,所述粘结层3与所述分离图案层2之间的粘附性小于所述粘结层3与柔性基底4之间的粘附性。
其中,所述粘结层3的作用是将柔性基底4与所述承载基板1固定在一起,这样就可以对于所述柔性基底4的位置进行精确固定,从而使得形成在所述柔性基底4上的电子元件之间不致于发生错位,导致最终制得的柔性显示基板无法使用的不利后果。
步骤3,在所述粘结层3上形成柔性基底4,并在所述柔性基底4相对所述粘结层3的一侧形成显示元件;
其中,所述柔性基底4可以是塑料膜,其材料例如可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺中的至少一种。另外,所述柔性基底4可以是单层膜或多层膜结构。
其中,所述显示元件是指,根据所述柔性显示基板的类型,对应所述柔性显示基板的一个最小的显示单元来说,实现相应显示功能的必不可少的、且由各层图案组成的结构。例如,当所述柔性显示基板为柔性液晶显示器的阵列基板时,则对于该阵列基板的一个最小显示单元来说,该显示元件至少包括薄膜晶体管、以及与所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极,当然还可以形成公共电极等。当所述柔性显示基板为柔性LCD的彩膜基板时,则对于该彩膜基板的一个最小显示单元来说,该显示元件包括色层以及黑矩阵,当然还可以形成公共电极等,对于所述色层,其包括红色光阻、绿色光阻和蓝色光阻,也可以包括白色光阻;当所述柔性显示基板为柔性有机电致发光二极管的阵列基板时,则对于该阵列基板的一个最小显示单元来说,该显示元件至少包括阴极、阳极和位于阴极和阳极之间的有机材料功能层。更为具体地,当制作的柔性显示基板为柔性无源OLED显示面板时,在所述柔性基底上形成阳极、阴极、位于阳极和阴极之间的有机材料功能层的基础上,还可形成柔性封装层;对于所述有机材料功能层,其至少包括电子传输层、发光层和空穴传输层,为了能够提高所述电子和所述空穴注入发光层的效率,优选的,所述有机材料功能层还可以包括设置在所述阴极与所述电子传输层之间的电子注入层,以及设置在所述阳极与所述空穴传输层之间的空穴注入层。当制作的柔性显示基板为柔性有源OLED显示面板时,在所述柔性基底上形成薄膜晶体管、阳极、阴极、以及位于阳极和阴极之间的有机材料功能层的基础上,还形成柔性封装层。
当然除此之外,还可以包括一些必要的图案层,例如保护层等或为改善显示效果或克服某些缺陷增加的一些图案层。
步骤4,对所述承载基板1进行剥离预处理,将所述柔性基底4与所述承载基板1剥离,从而得到所述柔性显示基板。
其中,所述剥离预处理包括加热或者施压等处理方式。
具体地,上文提及,在本发明一实施例中,所述分离图案层2形成在所述承载基板1的上表面上方,所述分离图案层2的分离单元由热形变材料制成,对于该实施例,在柔性显示基板制作完成之后,对于所述承载基板1进行加热处理,所述承载基板1将热量依次传递给所述分离图案层2和粘结层3,在所述粘结层3受热粘性变差的同时,所述分离图案层2在各个方向上发生形变,尤其是在垂直于所述承载基板1方向上的形变,可使得所述柔性显示基板与承载基板1之间均匀地产生空隙,如图5所示,这样就可以容易地将所述柔性显示基板从承载基板1上剥离下来,避免所述柔性显示基板在剥离过程中发生形变,从而提高柔性显示基板的良品率,降低柔性显示基板的制作成本。
上文提及,在本发明另一实施例中,所述分离图案层2形成在所述承载基板1的上表面下方,所述分离图案层2的分离单元中容纳有气体或液体,对于该实施例,在柔性显示基板制作完成之后,对于所述承载基板1进行施压处理,使得分离单元中容纳的气体或液体挤入至柔性显示基板与承载基板之间,所述柔性显示基板与承载基板1之间形成均匀的分离状态,如图7所示,这样就可以容易地将所述柔性显示基板从承载基板1上剥离下来,避免所述柔性显示基板在剥离过程中发生形变,从而提高柔性显示基板的良品率,降低柔性显示基板的制作成本。
另外,在剥离所述柔性显示基板和承载基板1的过程中,可将所述粘结层3留在所述柔性显示基板上,也可以将所述粘结层3留在所述承载基板1上,本发明对于所述粘结层3的处理方式不作任何限定。
需要说明的是,该步骤中的加热和施压可采用多种处理方式,本发明对于加热和施压的具体方式不作任何限定,任何可采用的、且不会对于承载基板造成损害的处理方式均落入本发明的保护范围内。
根据本发明的另一方面,还提出一种柔性显示基板母板,所述柔性显示基板母板包括:承载基板1、分离图案层2、粘结层3和柔性基底4,其中:
所述分离图案层2形成在所述承载基板1上,其中,所述离图案层2包括间隔排列的多个分离单元;
其中,所述承载基板1为坚硬而平坦的基板,其可以为一层基板,也可以是由至少两层基板构成的复合结构。不管所述承载基板1是由一层或多层构成,对于所述承载基板1整体来说,其需为硬质基板且具有良好的平坦度。优选地,所述承载基板1至少包括一层金属基板,以提高其导热能力,所述金属基板例如可以为铁板、钢板等由导热性好的金属制成的基板。
另外,本发明不对所述承载基板1的厚度进行限定,当所述承载基板1包括至少两层基板时,金属基板和除金属基板外的其他基板的厚度比例也不进行限定,只要能使金属基板产生的热量施加在粘结层3上,从而起到加热粘结层3的效果即可。
所述分离单元可呈现任何可能的形状,比如条形、圆环形、星形、点形等形状;进一步地,所述分离单元可以任何可能的间隔排列方式形成所述分离图案层2,比如顺序排列、交错排列、放射性排列、分散性排列等排列方式,优选地,所述分离单元以均匀分布的方式形成所述分离图案层2;更进一步地,所述分离单元的横截面可呈现任何可能的形状,比如矩形、圆形、半圆形、梯形甚至不规则形状。图2示出了根据条形分离单元交错排列得到的分离图案层2,图3示出了根据圆环形分离单元顺序排列得到的分离图案层2。
在本发明一实施例中,所述分离图案层2形成在所述承载基板1的上表面上方,上表面上方形成有分离图案层2的承载基板1的截面图如图4所示。其中,所述分离图案层2的分离单元由热形变材料制成,比如热膨胀材料、热气化材料,以及热形变管线等。这样在柔性显示基板制作完成需要与承载基板剥离时,通过加热可使得所述分离图案层2在各个方向上发生形变,尤其是在垂直于所述承载基板1方向上的形变,可使得所述柔性显示基板与承载基板1之间均匀地产生空隙,如图5所示,从而能够更容易地将柔性显示基板从承载基板上剥离下来,进而减轻甚至消除柔性显示基板在剥离时产生的形变,提高柔性显示基板的良品率,降低柔性显示基板的制作成本。
在本发明另一实施例中,所述分离图案层2形成在所述承载基板1的上表面下方,比如以具有一定承压性的沟槽形式嵌入在所述承载基板1的上表面下方。上表面下方形成有分离图案层2的承载基板1的截面图如图6所示。其中,所述分离图案层2的分离单元中容纳有气体或液体,这样在柔性显示基板制作完成需要与承载基板剥离时,通过施加一定的压力,使得分离单元中容纳的气体或液体挤入至柔性显示基板与承载基板之间,所述柔性显示基板与承载基板1之间形成均匀的分离状态,如图7所示,从而能够更容易地将柔性显示基板从承载基板上剥离下来,进而减轻甚至消除柔性显示基板在剥离时产生的形变,提高柔性显示基板的良品率,降低柔性显示基板的制作成本。
需要说明的是,本发明对于所述分离单元所呈现出的具体形状、所述分离单元的具体排列方式以及所述分离单元的具体横截面形状均不作任何的限定,只要能实现上文描述的将所述柔性显示基板与承载基板分离开来的所述分离单元的任何存在形式都落入本发明的保护范围之内。
另外,所述分离图案层2的面积应不大于所述承载基板1的面积,以避免造成不必要的资源浪费。
所述粘结层3形成在形成有分离图案层2的承载基板1上;
其中,所述粘结层3由粘结胶制成,所述粘结胶在受热之后粘性变差,所述粘结胶例如可以为硅烷粘结胶、聚酰亚胺粘结胶、丙烯酸酯粘结胶中的至少一种。
其中,所述粘结层3的作用是将柔性基底4与所述承载基板1固定在一起,这样就可以对于所述柔性基底4的位置进行精确固定,从而使得形成在所述柔性基底4上的电子元件之间不致于发生错位,导致最终制得的柔性显示基板无法使用的不利后果。
所述柔性基底4形成在所述粘结层3上,且所述柔性基底4相对所述粘结层3的一侧形成有显示元件。
其中,所述柔性基底4可以是塑料膜,其材料例如可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺中的至少一种。另外,所述柔性基底4可以是单层膜或多层膜结构。
其中,所述显示元件是指,根据所述柔性显示基板的类型,对应所述柔性显示基板的一个最小的显示单元来说,实现相应显示功能的必不可少的、且由各层图案组成的结构。例如,当所述柔性显示基板为柔性液晶显示器的阵列基板时,则对于该阵列基板的一个最小显示单元来说,该显示元件至少包括薄膜晶体管、以及与所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极,当然还可以形成公共电极等。当所述柔性显示基板为柔性LCD的彩膜基板时,则对于该彩膜基板的一个最小显示单元来说,该显示元件包括色层以及黑矩阵,当然还可以形成公共电极等,对于所述色层,其包括红色光阻、绿色光阻和蓝色光阻,也可以包括白色光阻;当所述柔性显示基板为柔性有机电致发光二极管的阵列基板时,则对于该阵列基板的一个最小显示单元来说,该显示元件至少包括阴极、阳极和位于阴极和阳极之间的有机材料功能层。更为具体地,当制作的柔性显示基板为柔性无源OLED显示面板时,在所述柔性基底上形成阳极、阴极、位于阳极和阴极之间的有机材料功能层的基础上,还可形成柔性封装层;对于所述有机材料功能层,其至少包括电子传输层、发光层和空穴传输层,为了能够提高所述电子和所述空穴注入发光层的效率,优选的,所述有机材料功能层还可以包括设置在所述阴极与所述电子传输层之间的电子注入层,以及设置在所述阳极与所述空穴传输层之间的空穴注入层。当制作的柔性显示基板为柔性有源OLED显示面板时,在所述柔性基底上形成薄膜晶体管、阳极、阴极、以及位于阳极和阴极之间的有机材料功能层的基础上,还形成柔性封装层。
当然除此之外,还可以包括一些必要的图案层,例如保护层等或为改善显示效果或克服某些缺陷增加的一些图案层。根据上述技术方案制得所述柔性显示基板母板之后,对所述承载基板1进行剥离预处理,将所述柔性基底4与所述承载基板1剥离,就可以得到所述柔性显示基板,其中,所述剥离预处理包括加热或者施压等处理方式。
具体地,上文提及,在本发明一实施例中,所述分离图案层2形成在所述承载基板1的上表面上方,所述分离图案层2的分离单元由热形变材料制成,对于该实施例,在柔性显示基板制作完成之后,对于所述承载基板1进行加热处理,所述承载基板1将热量依次传递给所述分离图案层2和粘结层3,在所述粘结层3受热粘性变差的同时,所述分离图案层2在各个方向上发生形变,尤其是在垂直于所述承载基板1方向上的形变,可使得所述柔性显示基板与承载基板1之间均匀地产生空隙,如图5所示,这样就可以容易地将所述柔性显示基板从承载基板1上剥离下来,避免所述柔性显示基板在剥离过程中发生形变,从而提高柔性显示基板的良品率,降低柔性显示基板的制作成本。
上文提及,在本发明另一实施例中,所述分离图案层2形成在所述承载基板1的上表面下方,所述分离图案层2的分离单元中容纳有气体或液体,对于该实施例,在柔性显示基板制作完成之后,对于所述承载基板1进行施压处理,使得分离单元中容纳的气体或液体挤入至柔性显示基板与承载基板之间,所述柔性显示基板与承载基板1之间形成均匀的分离状态,如图7所示,这样就可以容易地将所述柔性显示基板从承载基板1上剥离下来,避免所述柔性显示基板在剥离过程中发生形变,从而提高柔性显示基板的良品率,降低柔性显示基板的制作成本。
另外,在剥离所述柔性显示基板和承载基板1的过程中,可将所述粘结层3留在所述柔性显示基板上,也可以将所述粘结层3留在所述承载基板1上,本发明对于所述粘结层3的处理方式不作任何限定。
需要说明的是,该步骤中的加热和施压可采用多种处理方式,本发明对于加热和施压的具体方式不作任何限定,任何可采用的、且不会对于承载基板造成损害的处理方式均落入本发明的保护范围内。
根据上述技术方案,本发明通过在所述承载基板与所述粘结层之间设置分离图案层,达到在柔性显示基板制作完成需要与承载基板剥离时,通过加热使得所述柔性显示基板与承载基板之间能够均匀地产生空隙,从而更容易地将柔性显示基板从承载基板上剥离下来,进而减轻甚至消除柔性显示基板在剥离时产生的形变,提高柔性显示基板的良品率,降低柔性显示基板的制作成本的技术效果。
需要说明的是,基于上述描述,本领域技术人员应当了解,本发明实施例中提及的所有附图均是柔性显示基板制备过程中简略的示意图或者柔性显示基板母板的结构示意图,其只为清楚地描述本发明技术方案中与本发明点相关的结构,对于其他的与本发明点无关的结构属于现有结构,在附图中并未体现或者只体现部分。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种柔性显示基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
在承载基板上形成分离图案层,其中,所述分离图案层包括间隔排列的多个分离单元;
在形成有分离图案层的承载基板上形成粘结层;
在所述粘结层上形成柔性基底,并在所述柔性基底相对所述粘结层的一侧形成显示元件;
对所述承载基板进行剥离预处理,将所述柔性基底与所述承载基板剥离,形成所述柔性显示基板。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述分离图案层形成在所述承载基板的上表面上方,且所述分离单元由热形变材料制成。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对所述承载基板进行剥离预处理的步骤包括:对于所述承载基板进行加热,所述粘结层受热粘性变差的同时,分离图案层在各个方向上发生形变,所述柔性显示基板与承载基板之间均匀地产生空隙。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述分离图案层形成在所述承载基板的上表面下方,且分离单元中容纳有气体或液体。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述对所述承载基板进行剥离预处理的步骤包括:对于所述承载基板进行施压,分离单元中的气体或液体挤入至柔性显示基板与承载基板之间,所述柔性显示基板与承载基板之间形成均匀的分离状态。
6.一种柔性显示基板母板,其特征在于,所述柔性显示基板母板包括:承载基板、分离图案层、粘结层和柔性基底,其中:
所述分离图案层形成在所述承载基板上,其中,所述离图案层包括间隔排列的多个分离单元;
所述粘结层形成在形成有分离图案层的承载基板上;
所述柔性基底形成在所述粘结层上,且所述柔性基底相对所述粘结层的一侧形成有显示元件。
7.根据权利要求6所述的柔性显示基板母板,其特征在于,所述分离图案层形成在所述承载基板的上表面上方,且所述分离单元由热形变材料制成。
8.根据权利要求6所述的柔性显示基板母板,其特征在于,所述分离图案层形成在所述承载基板的上表面下方,且分离单元中容纳有气体或液体。
9.根据权利要求6所述的柔性显示基板母板,其特征在于,所述分离图案层的面积不大于所述承载基板的面积。
10.根据权利要求6所述的柔性显示基板母板,其特征在于,所述粘结层由粘结胶制成,所述粘结胶在受热之后粘性变差。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410804407.XA CN104465479B (zh) | 2014-12-19 | 2014-12-19 | 柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法 |
EP15869152.7A EP3236493A4 (en) | 2014-12-19 | 2015-11-17 | Flexible display substrate mother board and preparation method for flexible display substrate |
PCT/CN2015/094785 WO2016095643A1 (zh) | 2014-12-19 | 2015-11-17 | 柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法 |
US15/128,997 US10205095B2 (en) | 2014-12-19 | 2015-11-17 | Mother substrate for flexible display substrate and method of manufacturing flexible display substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410804407.XA CN104465479B (zh) | 2014-12-19 | 2014-12-19 | 柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104465479A CN104465479A (zh) | 2015-03-25 |
CN104465479B true CN104465479B (zh) | 2017-03-01 |
Family
ID=52911323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410804407.XA Active CN104465479B (zh) | 2014-12-19 | 2014-12-19 | 柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10205095B2 (zh) |
EP (1) | EP3236493A4 (zh) |
CN (1) | CN104465479B (zh) |
WO (1) | WO2016095643A1 (zh) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104465479B (zh) | 2014-12-19 | 2017-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法 |
CN104880846B (zh) * | 2015-06-15 | 2018-07-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基板及其制作方法、显示装置 |
CN105118844A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种柔性显示面板的制备方法及柔性显示面板 |
CN105428312B (zh) * | 2015-11-18 | 2018-05-01 | 上海大学 | 柔性衬底的制备和分离方法 |
CN106449426B (zh) * | 2016-09-29 | 2018-10-26 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法 |
CN106910428B (zh) * | 2017-03-02 | 2019-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 弯折型柔性基板的制作方法及柔性显示装置 |
CN106783720B (zh) * | 2017-03-03 | 2020-06-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法 |
CN106910429B (zh) | 2017-03-08 | 2019-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性模组及其制作方法 |
CN107316952B (zh) * | 2017-06-27 | 2019-05-24 | 武汉天马微电子有限公司 | 柔性显示面板的制备方法、柔性显示面板及柔性显示装置 |
WO2019010607A1 (zh) * | 2017-07-10 | 2019-01-17 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 柔性基板的剥离方法和剥离设备 |
CN107507927B (zh) * | 2017-07-11 | 2019-04-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示装置的制作方法 |
CN107565064B (zh) * | 2017-07-28 | 2019-08-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板 |
CN107482134A (zh) * | 2017-08-09 | 2017-12-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示器及其制造方法 |
CN111788692A (zh) * | 2018-02-07 | 2020-10-16 | 深圳市柔宇科技股份有限公司 | 柔性基板及其制作方法以及电子装置 |
CN108511635B (zh) * | 2018-06-07 | 2020-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板的制备方法 |
CN108963076A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-12-07 | 厦门天马微电子有限公司 | 柔性显示面板、柔性显示装置和柔性显示面板的制造方法 |
CN113169033A (zh) * | 2018-12-24 | 2021-07-23 | 深圳市柔宇科技股份有限公司 | 电子器件及其制作方法 |
CN110335970B (zh) * | 2019-07-15 | 2022-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制造方法、柔性显示装置 |
CN111554186B (zh) * | 2020-04-29 | 2022-05-17 | 昆山国显光电有限公司 | 离型层结构和显示面板的制备方法 |
CN111477120B (zh) * | 2020-05-21 | 2022-07-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示母板及其分离方法和制作方法、显示面板 |
CN111653593B (zh) * | 2020-06-12 | 2022-12-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
KR20230007598A (ko) * | 2021-07-05 | 2023-01-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102769109A (zh) * | 2012-07-05 | 2012-11-07 | 青岛海信电器股份有限公司 | 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板 |
CN103681486A (zh) * | 2013-12-06 | 2014-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板的制造方法 |
CN103700662A (zh) * | 2013-12-09 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种承载基板和柔性显示器件制作方法 |
CN103855171A (zh) * | 2014-02-28 | 2014-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法 |
CN103985665A (zh) * | 2014-05-15 | 2014-08-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种柔性显示器的制作方法 |
CN104051496A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-09-17 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性显示器及其制作方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI419091B (zh) | 2009-02-10 | 2013-12-11 | Ind Tech Res Inst | 可轉移的可撓式電子裝置結構及可撓式電子裝置的製造方法 |
KR101057151B1 (ko) | 2009-10-09 | 2011-08-16 | 가부시키가이샤 마이크로 기쥬츠겐큐쇼 | 플렉시블 유리 기판의 제조 방법 및 플렉시블 유리 기판 |
EP2747130B1 (en) | 2012-12-21 | 2017-10-11 | ams AG | Method of producing a removable wafer connection and a wafer-carrier assembly |
CN103531722B (zh) * | 2012-12-24 | 2016-01-20 | Tcl集团股份有限公司 | 一种柔性显示器的制备方法 |
CN103682176B (zh) * | 2013-12-06 | 2016-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刚性衬底基板及柔性显示器件的制作方法、刚性衬底基板 |
CN104465479B (zh) | 2014-12-19 | 2017-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法 |
-
2014
- 2014-12-19 CN CN201410804407.XA patent/CN104465479B/zh active Active
-
2015
- 2015-11-17 US US15/128,997 patent/US10205095B2/en active Active
- 2015-11-17 WO PCT/CN2015/094785 patent/WO2016095643A1/zh active Application Filing
- 2015-11-17 EP EP15869152.7A patent/EP3236493A4/en not_active Ceased
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102769109A (zh) * | 2012-07-05 | 2012-11-07 | 青岛海信电器股份有限公司 | 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板 |
CN103681486A (zh) * | 2013-12-06 | 2014-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板的制造方法 |
CN103700662A (zh) * | 2013-12-09 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种承载基板和柔性显示器件制作方法 |
CN103855171A (zh) * | 2014-02-28 | 2014-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法 |
CN103985665A (zh) * | 2014-05-15 | 2014-08-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种柔性显示器的制作方法 |
CN104051496A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-09-17 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性显示器及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016095643A1 (zh) | 2016-06-23 |
US10205095B2 (en) | 2019-02-12 |
EP3236493A1 (en) | 2017-10-25 |
EP3236493A4 (en) | 2018-08-08 |
CN104465479A (zh) | 2015-03-25 |
US20180114904A1 (en) | 2018-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104465479B (zh) | 柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法 | |
US11061438B2 (en) | Flexible display panel, manufacturing method thereof and display device | |
CN109496351B (zh) | 微发光二极管阵列转移方法、制造方法以及显示装置 | |
JP6679601B2 (ja) | アレイ基板、フレキシブル表示パネル及び表示装置 | |
EP2922089B1 (en) | Manufacturing method for and substrate structure of flexible display | |
CN108140664B (zh) | 微发光二极管阵列转移方法、制造方法和显示装置 | |
US20210328202A1 (en) | Flexible display device manufacturing method and flexible display device | |
US10871689B2 (en) | Display substrate, display panel, display device and bonding method | |
US10665573B2 (en) | Manufacturing method of micro light-emitting diode display panel having elastic conductive layer filled between pixel electrode and micro light-emitting diode and micro light-emitting diode display panel manufactured with the same | |
US8816216B2 (en) | Encapsulation substrate for organic light emitting diode display and method of manufacturing the encapsulation substrate | |
US11476420B2 (en) | Method of fabricating flexible OLED display panel and flexible OLED display panel | |
CN103855171A (zh) | 一种柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法 | |
US10515885B2 (en) | Method of fabricating a flexible display screen having substrate with a plurality of pins inserted in the through holes of lamination plate | |
CN1862329A (zh) | 柔性显示器的制造方法 | |
KR20150067609A (ko) | 플렉시블 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR100673278B1 (ko) | 영상 장치 및 그 제조 방법 | |
US20180024662A1 (en) | Touch display screen and method for forming the same | |
US11588131B2 (en) | Display panel and display device having anti-overflow portion around terminals in non-display area | |
US20180277572A1 (en) | Flexible display panels and the manufacturing methods thereof | |
US20220199862A1 (en) | Intermediate substrate and fabrication method of display panel | |
WO2021134489A1 (zh) | 一种巨量转移装置及其制造方法、以及显示设备 | |
JP2019125780A (ja) | 導電性フィルム、光電半導体装置及びその製造方法 | |
WO2020029363A1 (zh) | 一种oled器件及其制备方法 | |
KR100925456B1 (ko) | 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
KR102026111B1 (ko) | 터치패널 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Sun Li Inventor before: Sun Li |
|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |