JP2019125780A - 導電性フィルム、光電半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
11 マトリクス基板
111 基材
112 マトリクス回路
12 導電性フィルム
121 第1の膜層
1211 導電性粒子
1212 絶縁材料
122 第2の膜層
13、13A マイクロサイズ半導体素子
D1、D2 電気的接続パッド
E1、E2 電極
P1 第1の圧力
P2 第2の圧力
Claims (14)
- 少なくとも一つのマイクロサイズ半導体素子、及び基材と前記基材上に設けられたマトリクス回路とを有するマトリクス基板に合せて応用される硬化性材料の導電性フィルムであって、
前記導電性フィルムは、前記マトリクス回路上に設けられるとともに、複数の導電性粒子と絶縁材料を有しており、前記複数の導電性粒子が前記絶縁材料中に混合されている第1の膜層と、絶縁層であるとともに前記第1の膜層上に設けられる第2の膜層と、を備えており、
前記マイクロサイズ半導体素子の少なくとも一部は前記導電性フィルム内に位置するとともに、少なくとも一つの電極を有しており、前記電極を前記複数の導電性粒子の一部により前記マトリクス基板の垂直方向上で前記マトリクス回路に電気的に接続される、ことを特徴とする導電性フィルム。 - 硬化前の室温時、前記第2の膜層の流動性及び粘着性はいずれも前記第1の膜層よりも大きく、前記第2の膜層の硬度は前記第1の膜層の硬度よりも小さい、ことを特徴とする請求項1に記載の導電性フィルム。
- 前記第1の膜層の厚さは2.5μmと3.5μmとの間であり、前記第2の膜層の厚さは2μmと4μmとの間であり、且つ前記導電性フィルムの合計厚さは6.5μmを超えない、ことを特徴とする請求項1に記載の導電性フィルム。
- 前記第2の膜層は、25℃ないし50℃の間でガラスに対する粘着力が1100g/cm2よりも大きい、ことを特徴とする請求項1に記載に記載の導電性フィルム。
- 前記第1の膜層及び前記第2の膜層は、60℃で4分間経過しても硬化しない、ことを特徴とする請求項1に記載の導電性フィルム。
- 基材と、前記基材上に設けられたマトリクス回路とを有するマトリクス基板と、硬化した硬化性材料の導電性フィルムと、少なくとも一つのマイクロサイズ半導体素子と、を備える光電半導体装置であって、
前記導電性フィルムは、前記マトリクス回路上に設けられるとともに、複数の導電性粒子と絶縁材料を有しており、前記複数の導電性粒子が前記絶縁材料中に混合されている第1の膜層と、絶縁層であるとともに前記第1の膜層上に設けられる第2の膜層と、を備えており、
前記マイクロサイズ半導体素子は、その少なくとも一部が前記導電性フィルム内に位置するとともに少なくとも一つの電極を有しており、前記電極を前記複数の導電性粒子の一部により前記マトリクス基板の垂直方向上で前記マトリクス回路に電気的に接続されている、ことを特徴とする光電半導体装置。 - 硬化前の室温時、前記第2の膜層の流動性及び粘着性はいずれも前記第1の膜層よりも大きく、前記第2の膜層の硬度は前記第1の膜層の硬度よりも小さい、ことを特徴とする請求項6に記載の光電半導体装置。
- 前記第1の膜層の厚さは2.5μmと3.5μmとの間であり、前記第2の膜層の厚さは2μmと4μmとの間であり、且つ前記導電性フィルムの合計厚さは6.5μmを超えない、ことを特徴とする請求項6に記載の光電半導体装置。
- 前記第2の膜層は、25℃ないし50℃の間でガラスに対する粘着力が1100g/cm2よりも大きい、ことを特徴とする請求項6に記載に記載の光電半導体装置。
- 前記第1の膜層及び前記第2の膜層は、60℃で4分間経過しても硬化しない、ことを特徴とする請求項6に記載の光電半導体装置。
- 前記マイクロサイズ半導体素子の辺長は150μm以下である、ことを特徴とする請求項6に記載の光電半導体装置。
- 基材と、前記基材上に設けられているマトリクス回路とを有しているマトリクス基板を準備するステップと、
複数の導電性粒子と絶縁材料を有しており、前記複数の導電性粒子は前記絶縁材料中に混合されている第1の膜層と、絶縁層であるとともに前記第1の膜層上に設けられる第2の膜層と、を備える硬化性材料の導電性フィルムを前記マトリクス回路上に貼り合わせて前記マトリクス回路上に前記第1の膜層を設けるステップと、
少なくとも一つの電極が前記第2の膜層に向いている少なくとも一つのマイクロサイズ半導体素子を前記第2の膜層上に設けるステップと、
第1の温度で、前記マイクロサイズ半導体素子を前記第2の膜層から前記第1の膜層の前記複数の導電性粒子に向けて第1の圧力で押圧した状態を第1の時間続けるステップと、
温度を第2の温度にまで上昇させると同時に除圧しない状況で圧力を第2の圧力にまで昇圧させた状態を第2の時間続けるステップと、
前記第1の膜層及び前記第2の膜層を硬化させて、ひいては前記マイクロサイズ半導体素子の前記電極を前記複数の導電性粒子の一部により前記マトリクス基板の垂直方向上で前記マトリクス回路に電気的に接続するステップと、を含む、ことを特徴とする光電半導体装置の製造方法。 - 前記第1の温度の範囲は50℃と80℃との間であり、前記第1の圧力は1MPaと10MPaとの間であり、前記第1の時間は5秒と40秒との間である、ことを特徴とする請求項12に記載の製造方法。
- 前記第2の温度の範囲は140℃と200℃との間であり、前記第2の圧力は50MPaと100MPaとの間であり、前記第2の時間は5秒と60秒との間である、ことを特徴とする請求項12に記載の製造方法。
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