JP2004101974A - 薄膜回路基板およびその製造方法 - Google Patents
薄膜回路基板およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004101974A JP2004101974A JP2002264923A JP2002264923A JP2004101974A JP 2004101974 A JP2004101974 A JP 2004101974A JP 2002264923 A JP2002264923 A JP 2002264923A JP 2002264923 A JP2002264923 A JP 2002264923A JP 2004101974 A JP2004101974 A JP 2004101974A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film circuit
- thin film
- circuit layer
- adhesive
- support substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】支持基板に対して均一な間隔で薄膜回路層が張り合わされ、温度変化により反りの発生を防止でき、かつ光の干渉を生じることのない薄膜回路基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板７、この支持基板７に対向配置された薄膜回路層３、これらの間に狭持されたスペーサ９、スペーサ９を狭持した支持基板７−薄膜回路層３間に充填された接着剤５を備えた薄膜回路基板。この薄膜回路基板は、製造基板上に薄膜回路層３を形成した後、薄膜回路層３に対して接着剤５およびスペーサ９を介して支持基板７を対向配置させ、支持基板７−薄膜回路層３間にスペーサ９を狭持させた状態で接着剤５を硬化させてこれらを貼り合わせることによって得られる。
【選択図】 図１
【解決手段】支持基板７、この支持基板７に対向配置された薄膜回路層３、これらの間に狭持されたスペーサ９、スペーサ９を狭持した支持基板７−薄膜回路層３間に充填された接着剤５を備えた薄膜回路基板。この薄膜回路基板は、製造基板上に薄膜回路層３を形成した後、薄膜回路層３に対して接着剤５およびスペーサ９を介して支持基板７を対向配置させ、支持基板７−薄膜回路層３間にスペーサ９を狭持させた状態で接着剤５を硬化させてこれらを貼り合わせることによって得られる。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フラットパネルディスプレイ等に用いられる薄膜回路基板に関し、特には、製造基板上に形成された薄膜回路層を所望の特性を有する支持基板上に転写してなる薄膜回路基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フラットパネルディスプレイは、薄型軽量であることを特徴として、携帯型の情報端末のみならず、狭隘なオフィス環境における事務所に電子化のための据え置き型溶の表示装置としても用いられている。このようなフラットパネルディスプレイとしては、構造的に薄型が容易な液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の他、自発光タイプのデバイスとして有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬディスプレイ等が提供されている。
【０００３】
これらのフラットパネルディスプレイは、各画素を駆動させるための薄膜トランジスタが設けられた薄膜回路基板を備えている。このような薄膜回路基板は、半導体プロセスを適用して形成されることから、一般的には石英や低融点ガラスを基板として用いている。ところが、このような基板は、脆性が高いため落下衝撃などに弱く、また薄膜化の進行によって堅牢さが急激に低下する。このため、薄膜回路基板においては、石英や低融点ガラス等に変えて、薄型、軽量、堅牢化が可能な樹脂基板が用いられるようになってきている。ところが、樹脂基板は、石英や低融点ガラスと比較して、機械的強度が弱く、また耐薬品性に劣るため、半導体プロセスへの適用が困難である。
【０００４】
そこで、樹脂基板を用いた薄膜回路基板を形成する場合には、先ず、図１０（１）に示すように、半導体プロセスに対する適合性が高い石英や低融点ガラス等を製造基板１とし、この製造基板１上に半導体プロセスを適用して薄膜トランジスタや配線などの駆動回路を有する薄膜回路層３を形成する。次に、図１０（２）に示すように、薄膜回路層３に対して接着剤５を介して樹脂などからなる支持基板７を貼り合わせる。その後、図１０（３）に示すように、製造基板１を除去することで、薄膜回路層３を支持基板７上に転写する。これにより、所望の性質を有する支持基板７上に、接着剤５によって薄膜回路層３を貼り合わせてなる薄膜回路基板を得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような製造方法によって得られた薄膜回路基板においては、薄膜回路層と支持基板との間の間隔は、接着層の粘性や支持基板の反り、または支持基板と薄膜回路層とを対向配置した状態におけるこれらの平行度によって決められる。このため、薄膜回路層と支持基板との間隔が、貼り合わせの面内においてばらつき、分布を生じる場合がある。
【０００６】
このため、接着層の膜厚にも分布が生じてその硬化特性が基板面内においてばらつき、これに起因して基板の面内に残留応力が発生し易い。この残留応力は、周囲の温度変化などによって解放され、薄膜回路基板自体に反りを生じさせる要因になる。
【０００７】
また、この薄膜回路基板を用いて構成された表示装置においては、薄膜回路層と支持基板との間隔の分布（すなわち接着剤の膜厚の分布）によって光の干渉が生じ、表示性能が損なわれると言った問題も生じる。
【０００８】
そこで本発明は、支持基板に対して均一な間隔で薄膜回路層が張り合わされ、温度変化による反りの発生を防止でき、かつ光の干渉を生じることのなく表示装置への適用に適する薄膜回路基板、およびその製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するための本発明の薄膜回路基板は、支持基板、この支持基板に対向配置された薄膜回路層、これらの支持基板と薄膜回路層との間に狭持されたスペーサ、およびこれらの支持基板と薄膜回路層との間に充填された接着剤を備えたことを特徴としている。
【００１０】
このような構成の薄膜回路基板では、薄膜回路層と支持基板との間隔が、これらの間に狭持された接着層内のスペーサによって保持される。したがって、スペーサの高さを一定にすることで、薄膜回路層と支持基板との間隔、すなわち接着剤の膜厚を基板面内において一定に保つことができる。
【００１１】
また本発明は、このような構成の薄膜回路基板の製造方法でもあり、次の手順で行うことを特徴としている。まず、製造基板上に薄膜回路層を形成する。次に、薄膜回路層に対して接着剤およびスペーサを介して支持基板を対向配置させると共に、薄膜回路層と支持基板との間にスペーサを狭持させた状態で接着剤を硬化させて当該薄膜回路層と支持基板とを貼り合わせる。
【００１２】
このような製造方法では、薄膜回路層と支持基板とでスペーサを狭持させた状態で、これらの間に充填された状態となっている接着剤を硬化させているため、薄膜回路層と支持基板との間隔がスペーサによって保持された状態となる。したがって、支持基板と、この支持基板とは異なる製造基板上に形成された薄膜回路層との間隔（すなわち接着剤の膜厚）が、スペーサによって一定に保持された状態で、これらを貼り合わせてなる薄膜回路基板が得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の薄膜回路基板およびその製造方法の実施の形態を説明する。尚、各実施の形態においては、例えば、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置のような表示装置（フラットパネルディスプレイ）の駆動用として好適に用いられる薄膜回路基板およびその製造方法を説明する。また、図１０を用いて説明した従来例と同様の構成には同一の符号を付して説明を行うこととする。
【００１４】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態の薄膜回路基板の断面構成図である。この図に示す薄膜回路基板と、図１０（３）に示した従来の薄膜回路基板との異なるところは、接着剤５が充填されている支持基板７と薄膜回路層３との間に複数のスペーサ９が狭持されているところにある。尚、従来例を示す図１０（３）と、本実施形態の図１とは、上下が反転した図になっている。
【００１５】
ここで、薄膜回路層３は、表示装置を駆動させるための薄膜トランジスタや配線等の駆動回路が、絶縁膜に形成された層であることとする。また、この薄膜回路層３は、上述した駆動回路の他に、これらの駆動回路に接続された有機ＥＬ素子などの発光素子が形成されたものであっても良い。さらに、この薄膜回路層３は、駆動回路が形成された層と薄膜基板との間に液晶層を保持してなるものであっても良い。
【００１６】
また、支持基板７は、所望の性質を有する樹脂材料などからなる基板であることとする。
【００１７】
そして、上述したスペーサ９は、例えば一定の径で構成された略球形の粒体であって、支持基板７と薄膜回路層３との間に均等に分散されていることとする。また、各スペーサ９は、分散された各部分において支持基板７と薄膜回路層３との間に狭持されており、これによって支持基板７と薄膜回路層３との間隔が保持された構成となっている。
【００１８】
このようなスペーサ９としては、ポリエチレン、酸化シリコン、さらには酸化チタン等、液晶表示装置における液晶層の厚み（セルギャップ）を保持するためのスペーサとして用いられるものを適用できる。
【００１９】
そして特に、この図に示す薄膜回路基板が、表示装置の表示光の取り出し面側を構成するものである場合、または表示装置のバックライト側に設けられる場合には、スペーサ９および接着剤５は、光透過性材料で構成されることになる。そして、スペーサ９と接着剤５の屈折率差によって、表示装置の表示性能が損なわれることがないように、スペーサ９と接着剤５とは屈折率が略等しい材料で構成されていることが好ましい。またこの場合、この薄膜回路基板における光透過性を良好にするために、スペーサ９および接着剤５の屈折率が、支持基板７の屈折率と薄膜回路層３の大部分を構成する絶縁膜の屈折率との中間であることが好ましい。
【００２０】
このような接着剤５とスペーサ９の材質の組み合わせとして、次のような一例が示される。
スペーサ９がポリエチレンまたはポリエステルからなる場合には、接着剤５としてポリエステルアクリレート、エポキシアクリレートなどのアクリル系光硬化性樹脂が好ましく用いられる。
スペーサ９がガラス材料からなる場合には、接着剤５としてスチレン系またはエポキシフェノリック系材料が好ましく用いられる。
【００２１】
また、薄膜回路層３および支持基板７部分のスペーサ９が当接される部分に集中して加わる応力を分散させるために、所定の圧力で加圧した場合に所定状態に変形するような弾性を有する材料でスペーサ９を構成することで、薄膜回路層３と支持基板７との間に所定の圧力でスペーサ９を狭持して所定形状に変形させ、薄膜回路層３および支持基板７に対してスペーサ９を面接触させても良い。
【００２２】
次に、このような構成の薄膜回路基板の製造方法を、図２の断面工程図を用いて説明する。
【００２３】
先ず、図２（ａ）に示すように、石英やガラス等の半導体プロセスに対して耐性を有する材料からなる製造基板１を用意する。この製造基板１は、樹脂などからなる基板の表面を、シリコン酸化膜やアルミニウム酸化膜等の無機膜や、マグネシウムフッ化物、亜鉛フッ化物、亜鉛硫化物、さらにはカルシウムフッ化物を含む無機膜で覆ってなるものであっても良い。
【００２４】
そして、半導体プロセスを適用して、このような製造基板１上に、絶縁膜（層間絶縁膜）等および薄膜トランジスタや配線などからなる駆動回路を形成し、さらにこれらを絶縁膜で覆ってなる薄膜回路層３を形成する。尚、この薄膜回路層３は、表面および裏面が完全に絶縁膜で覆われていても良いし、薄膜トランジスタや配線の一部が表面や裏面から露出していても良い。
【００２５】
次に、図２（ｂ）に示すように、薄膜回路層３上に、上述した材料からなるスペーサ９を散布する。この際、例えば直径５μｍ程度のスペーサ９であれば、５０個／ｍｍ２程度の割合で薄膜回路層３上に均等にスペーサ９を散布する。
【００２６】
その後、図２（ｃ）に示すように、スペーサ９および薄膜回路層３を挟んで、製造基板１上に支持基板７を搭載し、薄膜回路層３と支持基板７との間にスペーサ９を狭持させる。
【００２７】
尚、スペーサ９は、薄膜回路層３上ではなく、支持基板７側に散布しても良い。また、図２（ｃ）の工程の前に、図３（１）の平面図および図３（２）の断面図に示すように、薄膜回路層３上または支持基板７上の周縁部に、ペースト状のシール剤１１を土手状に形成しても良い。このシール材１１は、例えば接着剤中にフィラー（スペーサ９と同様のもので良い）を分散させてなり、スクリーン印刷によって形成され、その一部が封入口１１ａとして開口していることとする。尚、図３（２）は、図３（１）のＡ−Ａ’断面に相当する。
【００２８】
このようなシール材１１を設けた場合、図２（ｃ）を用いて説明した工程では、薄膜回路層３と支持基板７とでスペーサ９を狭持させた後、シール材１１を硬化させる工程を行うこととする。これにより、薄膜回路層３−支持基板７間にシール剤１１で囲まれた空間部１１ｂを形成する。
【００２９】
次いで、以上のような状態でスペーサ９を介して支持基板７が搭載された製造基板１を、真空容器中に収納する。そして、この真空容器内において、図４（ｄ）に示すように、薄膜回路層３と支持基板７との間に未硬化の接着剤５を供給するいわゆる真空注入を行い、薄膜回路層３−支持基板７間に未硬化の接着剤５を隙間なく充填する。
【００３０】
尚、図３を用いて説明したように、薄膜回路層３−支持基板７間にシール材１１を設けた場合、シール材１１に設けた封入口１１ａから薄膜回路層３−支持基板７間の空間部１１ｂ内を真空状態にしておき、この封入口１１ａから真空状態の空間部１１ｂ内に接着剤（５）を真空注入する。
【００３１】
その後、支持基板７の全面を薄膜回路層３側に押し圧することで、薄膜回路層３−支持基板７間に余分に充填された接着剤５を薄膜回路層３−支持基板７間から押し出すと共に、薄膜回路層３−支持基板７間にスペーサ９を狭持させる。この際、スペーサ９が、上述したように変形可能な材料からなるものであれば、薄膜回路層３側に対する支持基板７の押し圧力を調整することで、スペーサ９を所定形状に押し潰し、薄膜回路層３および支持基板７に当接する面を平面形状にする。
【００３２】
そして、このような状態を保ちつつ、図４（ｅ）に示すように、未硬化の接着剤５を硬化させ、接着剤５によって支持基板７を薄膜回路層３に対して貼り合わせる。この際、用いる接着剤５の材質によって適する処理を行うこととし、例えばエポキシ樹脂のような熱硬化性接着剤であれば熱処理を行い、光硬化性接着剤であれば支持基板７側または製造基板１側からの光照射を行う。
【００３３】
以上の後、必要に応じて、図４（ｆ）に示すように、薄膜回路層３側から製造基板１を除去し、支持基板７側に接着剤５およびスペーサ９を介して薄膜回路層３を転写する。この際、製造基板１がガラスや石英からなる場合には、例えばフッ酸溶液を用いたウェットエッチング処理を行うことで、製造基板１をエッチング除去する。
【００３４】
以上のようにして、図１を用いて説明した構成の薄膜回路基板が得られる。
【００３５】
以上説明した製造方法では、図４（ｄ）および図４（ｅ）を用いて説明したように、薄膜回路層３と支持基板７とでスペーサ７を狭持させた状態で、これらの間に充填された状態となっている接着剤５を硬化させているため、薄膜回路層３と支持基板７との間隔がスペーサ９によって保持された状態となる。したがって、薄膜回路層３と支持基板７との間隔（すなわち接着材５の膜厚）を、基板面内においてスペーサ９の高さと略同一の一定値に均一化することができる。
【００３６】
この結果、薄膜回路層３と支持基板７との間に充填された接着剤５の膜厚が均一な状態で接着剤５の硬化を行うことができる。このため、硬化特性が分布を有すること、さらには薄膜回路層３や支持基板７が反り有したままで貼り合わせられること等による、貼り合わせ面内の残留応力の発生を防止できる。したがって、周囲の温度変化によって残留応力が解放され、薄膜回路基板自体に反りを生じさせることもなく、温度変化に対する耐性の高い薄膜回路基板を得ることが可能になる。そして、この薄膜回路基板を用いて構成された表示装置においても、温度変化による反り等の発生を防止することが可能になる。
【００３７】
しかも、接着剤５の膜厚が均一に保たれるため、この接着剤５を通過する光の干渉を防止することが可能になる。このため、この薄膜回路基板が、表示装置の表示光の取り出し面側を構成するものである場合、または表示装置のバックライト側に設けられる場合であっても、接着剤５を通過する光に干渉が生じることを防止できるため、表示装置における表示性能の信頼性を確保することができる。
【００３８】
また、上述した製造方法においては、真空注入によって薄膜回路層３と支持基板７との間に接着剤５を充填しているため、気泡などを含有させることなく接着剤５の充填を行うことが可能である。このため、この薄膜回路基板を用いた表示装置においては、接着剤５中に含有された気泡によって表示特性に影響が及ぼされることを防止できる。
【００３９】
尚、上述した第１実施形態の製造方法においては、図２（ｃ）、図３、および図４（ｄ）を用いて説明したように、薄膜回路層３と支持基板７とでスペーサ９を狭持させた後、薄膜回路層３と支持基板７との間に接着剤５を充填する手順を説明した。しかし、均等に分散されたスペーサ９を狭持してなる薄膜回路層３と支持基板７との間に、隙間なく接着剤５が充填されれば、このような手順に限定されることはなく、例えば次の手順で行っても良い。
【００４０】
先ず、薄膜回路層３または支持基板７上に、スペーサ９を散布すると共に接着剤５を塗布する。この際、スペーサ９の径よりも十分に厚い膜厚で接着剤５が塗布されれば、スペーサ９の散布と接着剤５の塗布とはどちらを先に行っても良い。また、スペーサ９を分散させた接着剤５を、薄膜回路層３または支持基板７上に塗布するようにしても良い。次いで、薄膜回路層３と支持基板７とを接着剤５およびスペーサ９を介して対向配置し、支持基板７の全面を薄膜回路層３側に押し圧して支持基板７と薄膜回路層３とでスペーサ９を狭持させると共に、余分な接着剤５を薄膜回路層３と支持基板７との間から押し出す。
【００４１】
以上のような手順によっても、スペーサ９を狭持してなる薄膜回路層３と支持基板７との間に、隙間なく接着剤５を充填することが可能であり、図１を用いて説明したと同様の構成の薄膜回路基板を得ることができ、同様の効果を得ることができる。
【００４２】
＜第２実施形態＞
図５は、本発明の第２実施形態の薄膜回路基板の断面構成図である。この図に示す薄膜回路基板と、図１を用いて説明した第１実施形態の薄膜回路基板との異なるところは、スペーサ９ａが薄膜回路層３と一体に形状されているところにあり、他の構成は第１実施形態と同様であることとする。
【００４３】
すなわち、本第２実施形態におけるスペーサ９ａは、薄膜回路層３の一主面側の表面層をパターニングしてなるものである。
【００４４】
この場合、薄膜回路層３のスペーサ９ａが形成されている面は、無機または有機材料からなる絶縁膜で覆われており、この絶縁膜が所定高さの島状パターンとしてスペーサ９ａが構成されていることとする。ここで、島状パターンからなるスペーサ９ａは、上面を平面形状に構成することで、この上面の全面を支持基板７の一主面側に当接させ、支持基板７におけるスペーサ９ａの当接部分に応力が集中することを防止している。
【００４５】
次に、このような構成の薄膜回路基板の製造方法を、図６の断面工程図を用いて説明する。
【００４６】
先ず、第１実施形態で図２（ａ）を用いて説明したと同様に行い、製造基板１上に薄膜回路層３を形成する。ただし、この薄膜回路層３の表面（すなわち製造基板１側と反対の面）は、絶縁膜で覆われていていることとする。
【００４７】
その後、図６（ａ）に示すように、薄膜回路層３の表面を構成する絶縁膜をパターニングし、薄膜回路層３の表面側に島状パターンからなるスペーサ９ａを形成する。このパターニングは、例えば通常のリソグラフィー技術で形成したレジストパターン（図示省略）をマスクに用いたエッチングによって行う。また、スペーサ９ａは、第１実施形態で説明したスペーサと同程度の割合で薄膜回路層３上に均等に形成することとする。
【００４８】
次に、図６（ｂ）に示すように、スペーサ９ａ上に載置する状態で、薄膜回路層３を挟んで製造基板１上に支持基板７を搭載し、薄膜回路層３と支持基板７とでスペーサ９ａを狭持させる。
【００４９】
以上の後、第１実施形態において図４（ｄ）〜図４（ｆ）を用いて説明したと同様の工程を行うことで、図５に示したように、スペーサ９ａを狭持する薄膜回路層３と支持基板７との間に充填された接着剤５を硬化させてなる薄膜回路基板を得る。この際、第１実施形態において図３を用いて説明したように、薄膜回路層３または支持基板７の周囲にシール材を設けても良い。
【００５０】
以上説明した製造方法であっても、第１実施形態において図４（ｄ）〜図４（ｆ）を用いて説明したと同様に、薄膜回路層３と支持基板７とでスペーサ９ａを狭持させた状態で、これらの間に充填された状態となっている接着剤５を硬化させているため、第１実施形態と同様に、薄膜回路層３と支持基板７との間隔（接着剤５の膜厚）が、スペーサ９ａの高さと略同一の一定値に保たれた薄膜回路基板を得ることができる。
【００５１】
この結果、第１実施形態と同様に、温度変化に対する耐性が高く、接着剤５を通過する光の干渉を防止することが可能な薄膜回路基板を得ることが可能になり、この薄膜回路基板を用いた表示装置の表示性能の信頼性を確保することができる。
【００５２】
尚、本第２実施形態においては、スペーサ９ａとして、薄膜回路層３を構成する絶縁膜をパターニングしてなる島状パターンを用いた場合を説明した。しかし、スペーサ９ａは、薄膜回路層３上に成膜した絶縁膜をパターニングすることで、薄膜回路層３と一体に構成されたものであっても良い。
【００５３】
＜第３実施形態＞
図７は、本発明の第３実施形態の薄膜回路基板の断面構成図である。この図に示す薄膜回路基板と、図１を用いて説明した第１実施形態の薄膜回路基板との異なるところは、スペーサ９ｂが布で構成されているところにあり、他の構成は第１実施形態と同様であることとする。
【００５４】
すなわち、本第３実施形態においては、支持基板７と薄膜回路層３との間に、接着剤５を含浸させた布がスペーサ９ｂとして狭持されており、支持基板７と薄膜回路層３との間隔は、この布状のスペーサ９ｂによって保持されている。
【００５５】
スペーサ９ｂとして用いられる布は、ポリエステル系ファイバー布、ポリエチレン系ファイバー布、さらにはグラスファイバー布が用いられる。
【００５６】
そして特に、この図に示す薄膜回路基板が、表示装置の表示光の取り出し面側に設けられるものである場合、または表示装置のバックライト側に設けられる場合には、第１実施形態で説明したと同様に、スペーサ９ｂおよび接着剤５は、光透過性材料で構成され、かつ屈折率が略等しい材料で構成されていることが好ましく、さらにスペーサ９ｂおよび接着剤５の屈折率が、支持基板７の屈折率と薄膜回路層３の大部分を構成する絶縁膜の屈折率との中間であるこがが好ましい。
【００５７】
また、このようなスペーサ９ｂと接着剤５との組み合わせの中でも特に、グラスファイバー布からなるスペーサ９ｂに、エポキシ−フェノリックからなる接着剤５の組み合わせが、プロセス中の熱履歴による温度変化が小さいため、好ましい。
【００５８】
次に、このような構成の薄膜回路基板の製造方法を、図８の断面工程図を用いて説明する。
【００５９】
先ず、第１実施形態で図２（ａ）を用いて説明したと同様に行い、製造基板１上に薄膜回路層３を形成する。
【００６０】
その後、図８（ａ）に示すように、薄膜回路層３を挟んだ製造基板１上に、接着剤５を含浸させた布状のスペーサ９ｂと、支持基板７とをこの順に搭載し、薄膜回路層３と支持基板７とでスペーサ９ｂを狭持させる。この際、スペーサ９ｂに含浸させる接着剤として、熱硬化開始温度が軟化点以上である様な接着剤を選択すると良い。
【００６１】
例えば図９に示すような特性を持つ接着剤が好適である。同図中、横軸は温度を、縦軸は複素粘性率（粘度）を示している。この接着剤は６０℃近傍で室温よりも粘度が低下して流動性が増し、その後、更に温度を上げて１３０℃程度にすると熱硬化反応によって固化する性質を有していることが分かる。
【００６２】
このような接着剤５を用いた場合、スペーサ９ｂに含浸させた接着剤５を加熱し６０℃近傍に保って流動性を高めて粘度を低下させた状態で、スペーサ９ｂおよび接着剤５を介して薄膜回路層３と支持基板７との間に圧力を加える。これにより、スペーサ９ｂによって、支持基板７と薄膜回路層３との間隔を決定する。続いて図８（ｂ）に示すように、温度を１３０℃程度にまで上昇させて接着剤５を硬化させ、支持基板７と薄膜回路層３とを貼り合わせる。また、製造基板１（または支持基板７）上に接着剤５を含浸させた布状のスペーサ９ｂを載置した状態で、接着剤５を加熱してその粘度を低下させた後、支持基板７（または製造基板１）をスペーサ９ｂ上に載置して薄膜回路層３と支持基板７との間に圧力を加え、続いて接着剤５を硬化させるようにしても良い。
【００６３】
尚、上述の例では、図９に示した特性を持つ接着剤を用いた場合の処理手順を示したが、支持基板７と薄膜回路基板３との貼り合わせは、このような手順に限るわけではなく、用いる接着剤の材質（特性）によって適する処理を行うこととする。
【００６４】
以上の後、第１実施形態において図４（ｆ）を用いて説明したと同様に、必要に応じて製造基板１の除去を行い、図７を用いて説明した構成の薄膜回路基板を得る。
【００６５】
以上説明した製造方法であっても、図８（ａ），図８（ｂ）を用いて説明したと同様に、薄膜回路層３と支持基板７とでスペーサ９ｂを狭持させた状態で、これらの間に充填された状態となっている接着剤５を硬化させているため、第１実施形態と同様に、薄膜回路層３と支持基板７との間隔が、スペーサ９ｂの高さ（接着剤５の膜厚）と略同一の一定値に保たれた薄膜回路基板を得ることができる。
【００６６】
この結果、第１実施形態と同様に、温度変化に対する耐性が高く、接着剤５を通過する光の干渉を防止することが可能な薄膜回路基板を得ることが可能になり、この薄膜回路基板を用いた表示装置の表示性能の信頼性を確保することができる。
【００６７】
尚、以上の第１〜第３実施形態においては、製造基板１上に形成された薄膜回路層３を支持基板７に貼り合わせて薄膜回路基板を製造する場合に、薄膜回路層３と支持基板７との間隔を一定に保つ場合を説明した。しかし、例えば、樹脂からなる製造基板上に、ガラスや石英からなる薄膜基板を貼り合わせた後、この薄膜基板表面に対して薄膜回路層を形成する薄膜回路基板の製造方法においても、製造基板と薄膜基板とを貼り合わせる場合に、製造基板と薄膜基板との間にスペーサを狭持させた状態でこの間に接着剤を充填させることで、製造基板と薄膜基板との間隔を一定に保持した薄膜回路基板の製造を行うことが可能である。
【００６８】
【発明の効果】
以上説明した構成の薄膜回路基板およびその製造方法によれば、薄膜回路層と支持基板とでスペーサを狭持させた状態で、これらの間に充填された接着剤によって薄膜回路層と支持基板とを貼り合わせた構成を採用することで、薄膜回路層と支持基板との間の接着剤をスペーサの高さと略同一の均等な膜厚にすることができる。この結果、接着剤の膜厚の不均一に起因する残留応力がなく温度変化に対する耐性が高く、しかも接着剤を通過する光の干渉を防止することが可能な薄膜回路基板を得ることが可能になる。これにより、この薄膜回路基板を用いた表示装置の表示性能の信頼性を確保することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の薄膜回路基板の断面構成図である。
【図２】第１実施形態の薄膜回路基板の製造方法を示す断面工程図（その１）である。
【図３】第１実施形態の薄膜回路基板の製造工程の一部を示す構成図である。
【図４】第１実施形態の薄膜回路基板の製造方法を示す断面工程図（その２）である。
【図５】第２実施形態の薄膜回路基板の断面構成図である。
【図６】第２実施形態の薄膜回路基板の製造方法を示す断面工程図である。
【図７】第３実施形態の薄膜回路基板の断面構成図である。
【図８】第３実施形態の薄膜回路基板の製造方法を示す断面工程図である。
【図９】第３実施形態で用いる接着剤の複素粘性率の温度依存性を示すグラフである。
【図１０】従来の薄膜回路基板の製造方法を示す断面工程図である。
【符号の説明】
１…製造基板、３…薄膜回路層、５…接着剤、７…支持基板、９，９ａ，９ｂ…スペーサ
【発明の属する技術分野】
本発明は、フラットパネルディスプレイ等に用いられる薄膜回路基板に関し、特には、製造基板上に形成された薄膜回路層を所望の特性を有する支持基板上に転写してなる薄膜回路基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フラットパネルディスプレイは、薄型軽量であることを特徴として、携帯型の情報端末のみならず、狭隘なオフィス環境における事務所に電子化のための据え置き型溶の表示装置としても用いられている。このようなフラットパネルディスプレイとしては、構造的に薄型が容易な液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の他、自発光タイプのデバイスとして有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬディスプレイ等が提供されている。
【０００３】
これらのフラットパネルディスプレイは、各画素を駆動させるための薄膜トランジスタが設けられた薄膜回路基板を備えている。このような薄膜回路基板は、半導体プロセスを適用して形成されることから、一般的には石英や低融点ガラスを基板として用いている。ところが、このような基板は、脆性が高いため落下衝撃などに弱く、また薄膜化の進行によって堅牢さが急激に低下する。このため、薄膜回路基板においては、石英や低融点ガラス等に変えて、薄型、軽量、堅牢化が可能な樹脂基板が用いられるようになってきている。ところが、樹脂基板は、石英や低融点ガラスと比較して、機械的強度が弱く、また耐薬品性に劣るため、半導体プロセスへの適用が困難である。
【０００４】
そこで、樹脂基板を用いた薄膜回路基板を形成する場合には、先ず、図１０（１）に示すように、半導体プロセスに対する適合性が高い石英や低融点ガラス等を製造基板１とし、この製造基板１上に半導体プロセスを適用して薄膜トランジスタや配線などの駆動回路を有する薄膜回路層３を形成する。次に、図１０（２）に示すように、薄膜回路層３に対して接着剤５を介して樹脂などからなる支持基板７を貼り合わせる。その後、図１０（３）に示すように、製造基板１を除去することで、薄膜回路層３を支持基板７上に転写する。これにより、所望の性質を有する支持基板７上に、接着剤５によって薄膜回路層３を貼り合わせてなる薄膜回路基板を得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような製造方法によって得られた薄膜回路基板においては、薄膜回路層と支持基板との間の間隔は、接着層の粘性や支持基板の反り、または支持基板と薄膜回路層とを対向配置した状態におけるこれらの平行度によって決められる。このため、薄膜回路層と支持基板との間隔が、貼り合わせの面内においてばらつき、分布を生じる場合がある。
【０００６】
このため、接着層の膜厚にも分布が生じてその硬化特性が基板面内においてばらつき、これに起因して基板の面内に残留応力が発生し易い。この残留応力は、周囲の温度変化などによって解放され、薄膜回路基板自体に反りを生じさせる要因になる。
【０００７】
また、この薄膜回路基板を用いて構成された表示装置においては、薄膜回路層と支持基板との間隔の分布（すなわち接着剤の膜厚の分布）によって光の干渉が生じ、表示性能が損なわれると言った問題も生じる。
【０００８】
そこで本発明は、支持基板に対して均一な間隔で薄膜回路層が張り合わされ、温度変化による反りの発生を防止でき、かつ光の干渉を生じることのなく表示装置への適用に適する薄膜回路基板、およびその製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するための本発明の薄膜回路基板は、支持基板、この支持基板に対向配置された薄膜回路層、これらの支持基板と薄膜回路層との間に狭持されたスペーサ、およびこれらの支持基板と薄膜回路層との間に充填された接着剤を備えたことを特徴としている。
【００１０】
このような構成の薄膜回路基板では、薄膜回路層と支持基板との間隔が、これらの間に狭持された接着層内のスペーサによって保持される。したがって、スペーサの高さを一定にすることで、薄膜回路層と支持基板との間隔、すなわち接着剤の膜厚を基板面内において一定に保つことができる。
【００１１】
また本発明は、このような構成の薄膜回路基板の製造方法でもあり、次の手順で行うことを特徴としている。まず、製造基板上に薄膜回路層を形成する。次に、薄膜回路層に対して接着剤およびスペーサを介して支持基板を対向配置させると共に、薄膜回路層と支持基板との間にスペーサを狭持させた状態で接着剤を硬化させて当該薄膜回路層と支持基板とを貼り合わせる。
【００１２】
このような製造方法では、薄膜回路層と支持基板とでスペーサを狭持させた状態で、これらの間に充填された状態となっている接着剤を硬化させているため、薄膜回路層と支持基板との間隔がスペーサによって保持された状態となる。したがって、支持基板と、この支持基板とは異なる製造基板上に形成された薄膜回路層との間隔（すなわち接着剤の膜厚）が、スペーサによって一定に保持された状態で、これらを貼り合わせてなる薄膜回路基板が得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の薄膜回路基板およびその製造方法の実施の形態を説明する。尚、各実施の形態においては、例えば、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置のような表示装置（フラットパネルディスプレイ）の駆動用として好適に用いられる薄膜回路基板およびその製造方法を説明する。また、図１０を用いて説明した従来例と同様の構成には同一の符号を付して説明を行うこととする。
【００１４】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態の薄膜回路基板の断面構成図である。この図に示す薄膜回路基板と、図１０（３）に示した従来の薄膜回路基板との異なるところは、接着剤５が充填されている支持基板７と薄膜回路層３との間に複数のスペーサ９が狭持されているところにある。尚、従来例を示す図１０（３）と、本実施形態の図１とは、上下が反転した図になっている。
【００１５】
ここで、薄膜回路層３は、表示装置を駆動させるための薄膜トランジスタや配線等の駆動回路が、絶縁膜に形成された層であることとする。また、この薄膜回路層３は、上述した駆動回路の他に、これらの駆動回路に接続された有機ＥＬ素子などの発光素子が形成されたものであっても良い。さらに、この薄膜回路層３は、駆動回路が形成された層と薄膜基板との間に液晶層を保持してなるものであっても良い。
【００１６】
また、支持基板７は、所望の性質を有する樹脂材料などからなる基板であることとする。
【００１７】
そして、上述したスペーサ９は、例えば一定の径で構成された略球形の粒体であって、支持基板７と薄膜回路層３との間に均等に分散されていることとする。また、各スペーサ９は、分散された各部分において支持基板７と薄膜回路層３との間に狭持されており、これによって支持基板７と薄膜回路層３との間隔が保持された構成となっている。
【００１８】
このようなスペーサ９としては、ポリエチレン、酸化シリコン、さらには酸化チタン等、液晶表示装置における液晶層の厚み（セルギャップ）を保持するためのスペーサとして用いられるものを適用できる。
【００１９】
そして特に、この図に示す薄膜回路基板が、表示装置の表示光の取り出し面側を構成するものである場合、または表示装置のバックライト側に設けられる場合には、スペーサ９および接着剤５は、光透過性材料で構成されることになる。そして、スペーサ９と接着剤５の屈折率差によって、表示装置の表示性能が損なわれることがないように、スペーサ９と接着剤５とは屈折率が略等しい材料で構成されていることが好ましい。またこの場合、この薄膜回路基板における光透過性を良好にするために、スペーサ９および接着剤５の屈折率が、支持基板７の屈折率と薄膜回路層３の大部分を構成する絶縁膜の屈折率との中間であることが好ましい。
【００２０】
このような接着剤５とスペーサ９の材質の組み合わせとして、次のような一例が示される。
スペーサ９がポリエチレンまたはポリエステルからなる場合には、接着剤５としてポリエステルアクリレート、エポキシアクリレートなどのアクリル系光硬化性樹脂が好ましく用いられる。
スペーサ９がガラス材料からなる場合には、接着剤５としてスチレン系またはエポキシフェノリック系材料が好ましく用いられる。
【００２１】
また、薄膜回路層３および支持基板７部分のスペーサ９が当接される部分に集中して加わる応力を分散させるために、所定の圧力で加圧した場合に所定状態に変形するような弾性を有する材料でスペーサ９を構成することで、薄膜回路層３と支持基板７との間に所定の圧力でスペーサ９を狭持して所定形状に変形させ、薄膜回路層３および支持基板７に対してスペーサ９を面接触させても良い。
【００２２】
次に、このような構成の薄膜回路基板の製造方法を、図２の断面工程図を用いて説明する。
【００２３】
先ず、図２（ａ）に示すように、石英やガラス等の半導体プロセスに対して耐性を有する材料からなる製造基板１を用意する。この製造基板１は、樹脂などからなる基板の表面を、シリコン酸化膜やアルミニウム酸化膜等の無機膜や、マグネシウムフッ化物、亜鉛フッ化物、亜鉛硫化物、さらにはカルシウムフッ化物を含む無機膜で覆ってなるものであっても良い。
【００２４】
そして、半導体プロセスを適用して、このような製造基板１上に、絶縁膜（層間絶縁膜）等および薄膜トランジスタや配線などからなる駆動回路を形成し、さらにこれらを絶縁膜で覆ってなる薄膜回路層３を形成する。尚、この薄膜回路層３は、表面および裏面が完全に絶縁膜で覆われていても良いし、薄膜トランジスタや配線の一部が表面や裏面から露出していても良い。
【００２５】
次に、図２（ｂ）に示すように、薄膜回路層３上に、上述した材料からなるスペーサ９を散布する。この際、例えば直径５μｍ程度のスペーサ９であれば、５０個／ｍｍ２程度の割合で薄膜回路層３上に均等にスペーサ９を散布する。
【００２６】
その後、図２（ｃ）に示すように、スペーサ９および薄膜回路層３を挟んで、製造基板１上に支持基板７を搭載し、薄膜回路層３と支持基板７との間にスペーサ９を狭持させる。
【００２７】
尚、スペーサ９は、薄膜回路層３上ではなく、支持基板７側に散布しても良い。また、図２（ｃ）の工程の前に、図３（１）の平面図および図３（２）の断面図に示すように、薄膜回路層３上または支持基板７上の周縁部に、ペースト状のシール剤１１を土手状に形成しても良い。このシール材１１は、例えば接着剤中にフィラー（スペーサ９と同様のもので良い）を分散させてなり、スクリーン印刷によって形成され、その一部が封入口１１ａとして開口していることとする。尚、図３（２）は、図３（１）のＡ−Ａ’断面に相当する。
【００２８】
このようなシール材１１を設けた場合、図２（ｃ）を用いて説明した工程では、薄膜回路層３と支持基板７とでスペーサ９を狭持させた後、シール材１１を硬化させる工程を行うこととする。これにより、薄膜回路層３−支持基板７間にシール剤１１で囲まれた空間部１１ｂを形成する。
【００２９】
次いで、以上のような状態でスペーサ９を介して支持基板７が搭載された製造基板１を、真空容器中に収納する。そして、この真空容器内において、図４（ｄ）に示すように、薄膜回路層３と支持基板７との間に未硬化の接着剤５を供給するいわゆる真空注入を行い、薄膜回路層３−支持基板７間に未硬化の接着剤５を隙間なく充填する。
【００３０】
尚、図３を用いて説明したように、薄膜回路層３−支持基板７間にシール材１１を設けた場合、シール材１１に設けた封入口１１ａから薄膜回路層３−支持基板７間の空間部１１ｂ内を真空状態にしておき、この封入口１１ａから真空状態の空間部１１ｂ内に接着剤（５）を真空注入する。
【００３１】
その後、支持基板７の全面を薄膜回路層３側に押し圧することで、薄膜回路層３−支持基板７間に余分に充填された接着剤５を薄膜回路層３−支持基板７間から押し出すと共に、薄膜回路層３−支持基板７間にスペーサ９を狭持させる。この際、スペーサ９が、上述したように変形可能な材料からなるものであれば、薄膜回路層３側に対する支持基板７の押し圧力を調整することで、スペーサ９を所定形状に押し潰し、薄膜回路層３および支持基板７に当接する面を平面形状にする。
【００３２】
そして、このような状態を保ちつつ、図４（ｅ）に示すように、未硬化の接着剤５を硬化させ、接着剤５によって支持基板７を薄膜回路層３に対して貼り合わせる。この際、用いる接着剤５の材質によって適する処理を行うこととし、例えばエポキシ樹脂のような熱硬化性接着剤であれば熱処理を行い、光硬化性接着剤であれば支持基板７側または製造基板１側からの光照射を行う。
【００３３】
以上の後、必要に応じて、図４（ｆ）に示すように、薄膜回路層３側から製造基板１を除去し、支持基板７側に接着剤５およびスペーサ９を介して薄膜回路層３を転写する。この際、製造基板１がガラスや石英からなる場合には、例えばフッ酸溶液を用いたウェットエッチング処理を行うことで、製造基板１をエッチング除去する。
【００３４】
以上のようにして、図１を用いて説明した構成の薄膜回路基板が得られる。
【００３５】
以上説明した製造方法では、図４（ｄ）および図４（ｅ）を用いて説明したように、薄膜回路層３と支持基板７とでスペーサ７を狭持させた状態で、これらの間に充填された状態となっている接着剤５を硬化させているため、薄膜回路層３と支持基板７との間隔がスペーサ９によって保持された状態となる。したがって、薄膜回路層３と支持基板７との間隔（すなわち接着材５の膜厚）を、基板面内においてスペーサ９の高さと略同一の一定値に均一化することができる。
【００３６】
この結果、薄膜回路層３と支持基板７との間に充填された接着剤５の膜厚が均一な状態で接着剤５の硬化を行うことができる。このため、硬化特性が分布を有すること、さらには薄膜回路層３や支持基板７が反り有したままで貼り合わせられること等による、貼り合わせ面内の残留応力の発生を防止できる。したがって、周囲の温度変化によって残留応力が解放され、薄膜回路基板自体に反りを生じさせることもなく、温度変化に対する耐性の高い薄膜回路基板を得ることが可能になる。そして、この薄膜回路基板を用いて構成された表示装置においても、温度変化による反り等の発生を防止することが可能になる。
【００３７】
しかも、接着剤５の膜厚が均一に保たれるため、この接着剤５を通過する光の干渉を防止することが可能になる。このため、この薄膜回路基板が、表示装置の表示光の取り出し面側を構成するものである場合、または表示装置のバックライト側に設けられる場合であっても、接着剤５を通過する光に干渉が生じることを防止できるため、表示装置における表示性能の信頼性を確保することができる。
【００３８】
また、上述した製造方法においては、真空注入によって薄膜回路層３と支持基板７との間に接着剤５を充填しているため、気泡などを含有させることなく接着剤５の充填を行うことが可能である。このため、この薄膜回路基板を用いた表示装置においては、接着剤５中に含有された気泡によって表示特性に影響が及ぼされることを防止できる。
【００３９】
尚、上述した第１実施形態の製造方法においては、図２（ｃ）、図３、および図４（ｄ）を用いて説明したように、薄膜回路層３と支持基板７とでスペーサ９を狭持させた後、薄膜回路層３と支持基板７との間に接着剤５を充填する手順を説明した。しかし、均等に分散されたスペーサ９を狭持してなる薄膜回路層３と支持基板７との間に、隙間なく接着剤５が充填されれば、このような手順に限定されることはなく、例えば次の手順で行っても良い。
【００４０】
先ず、薄膜回路層３または支持基板７上に、スペーサ９を散布すると共に接着剤５を塗布する。この際、スペーサ９の径よりも十分に厚い膜厚で接着剤５が塗布されれば、スペーサ９の散布と接着剤５の塗布とはどちらを先に行っても良い。また、スペーサ９を分散させた接着剤５を、薄膜回路層３または支持基板７上に塗布するようにしても良い。次いで、薄膜回路層３と支持基板７とを接着剤５およびスペーサ９を介して対向配置し、支持基板７の全面を薄膜回路層３側に押し圧して支持基板７と薄膜回路層３とでスペーサ９を狭持させると共に、余分な接着剤５を薄膜回路層３と支持基板７との間から押し出す。
【００４１】
以上のような手順によっても、スペーサ９を狭持してなる薄膜回路層３と支持基板７との間に、隙間なく接着剤５を充填することが可能であり、図１を用いて説明したと同様の構成の薄膜回路基板を得ることができ、同様の効果を得ることができる。
【００４２】
＜第２実施形態＞
図５は、本発明の第２実施形態の薄膜回路基板の断面構成図である。この図に示す薄膜回路基板と、図１を用いて説明した第１実施形態の薄膜回路基板との異なるところは、スペーサ９ａが薄膜回路層３と一体に形状されているところにあり、他の構成は第１実施形態と同様であることとする。
【００４３】
すなわち、本第２実施形態におけるスペーサ９ａは、薄膜回路層３の一主面側の表面層をパターニングしてなるものである。
【００４４】
この場合、薄膜回路層３のスペーサ９ａが形成されている面は、無機または有機材料からなる絶縁膜で覆われており、この絶縁膜が所定高さの島状パターンとしてスペーサ９ａが構成されていることとする。ここで、島状パターンからなるスペーサ９ａは、上面を平面形状に構成することで、この上面の全面を支持基板７の一主面側に当接させ、支持基板７におけるスペーサ９ａの当接部分に応力が集中することを防止している。
【００４５】
次に、このような構成の薄膜回路基板の製造方法を、図６の断面工程図を用いて説明する。
【００４６】
先ず、第１実施形態で図２（ａ）を用いて説明したと同様に行い、製造基板１上に薄膜回路層３を形成する。ただし、この薄膜回路層３の表面（すなわち製造基板１側と反対の面）は、絶縁膜で覆われていていることとする。
【００４７】
その後、図６（ａ）に示すように、薄膜回路層３の表面を構成する絶縁膜をパターニングし、薄膜回路層３の表面側に島状パターンからなるスペーサ９ａを形成する。このパターニングは、例えば通常のリソグラフィー技術で形成したレジストパターン（図示省略）をマスクに用いたエッチングによって行う。また、スペーサ９ａは、第１実施形態で説明したスペーサと同程度の割合で薄膜回路層３上に均等に形成することとする。
【００４８】
次に、図６（ｂ）に示すように、スペーサ９ａ上に載置する状態で、薄膜回路層３を挟んで製造基板１上に支持基板７を搭載し、薄膜回路層３と支持基板７とでスペーサ９ａを狭持させる。
【００４９】
以上の後、第１実施形態において図４（ｄ）〜図４（ｆ）を用いて説明したと同様の工程を行うことで、図５に示したように、スペーサ９ａを狭持する薄膜回路層３と支持基板７との間に充填された接着剤５を硬化させてなる薄膜回路基板を得る。この際、第１実施形態において図３を用いて説明したように、薄膜回路層３または支持基板７の周囲にシール材を設けても良い。
【００５０】
以上説明した製造方法であっても、第１実施形態において図４（ｄ）〜図４（ｆ）を用いて説明したと同様に、薄膜回路層３と支持基板７とでスペーサ９ａを狭持させた状態で、これらの間に充填された状態となっている接着剤５を硬化させているため、第１実施形態と同様に、薄膜回路層３と支持基板７との間隔（接着剤５の膜厚）が、スペーサ９ａの高さと略同一の一定値に保たれた薄膜回路基板を得ることができる。
【００５１】
この結果、第１実施形態と同様に、温度変化に対する耐性が高く、接着剤５を通過する光の干渉を防止することが可能な薄膜回路基板を得ることが可能になり、この薄膜回路基板を用いた表示装置の表示性能の信頼性を確保することができる。
【００５２】
尚、本第２実施形態においては、スペーサ９ａとして、薄膜回路層３を構成する絶縁膜をパターニングしてなる島状パターンを用いた場合を説明した。しかし、スペーサ９ａは、薄膜回路層３上に成膜した絶縁膜をパターニングすることで、薄膜回路層３と一体に構成されたものであっても良い。
【００５３】
＜第３実施形態＞
図７は、本発明の第３実施形態の薄膜回路基板の断面構成図である。この図に示す薄膜回路基板と、図１を用いて説明した第１実施形態の薄膜回路基板との異なるところは、スペーサ９ｂが布で構成されているところにあり、他の構成は第１実施形態と同様であることとする。
【００５４】
すなわち、本第３実施形態においては、支持基板７と薄膜回路層３との間に、接着剤５を含浸させた布がスペーサ９ｂとして狭持されており、支持基板７と薄膜回路層３との間隔は、この布状のスペーサ９ｂによって保持されている。
【００５５】
スペーサ９ｂとして用いられる布は、ポリエステル系ファイバー布、ポリエチレン系ファイバー布、さらにはグラスファイバー布が用いられる。
【００５６】
そして特に、この図に示す薄膜回路基板が、表示装置の表示光の取り出し面側に設けられるものである場合、または表示装置のバックライト側に設けられる場合には、第１実施形態で説明したと同様に、スペーサ９ｂおよび接着剤５は、光透過性材料で構成され、かつ屈折率が略等しい材料で構成されていることが好ましく、さらにスペーサ９ｂおよび接着剤５の屈折率が、支持基板７の屈折率と薄膜回路層３の大部分を構成する絶縁膜の屈折率との中間であるこがが好ましい。
【００５７】
また、このようなスペーサ９ｂと接着剤５との組み合わせの中でも特に、グラスファイバー布からなるスペーサ９ｂに、エポキシ−フェノリックからなる接着剤５の組み合わせが、プロセス中の熱履歴による温度変化が小さいため、好ましい。
【００５８】
次に、このような構成の薄膜回路基板の製造方法を、図８の断面工程図を用いて説明する。
【００５９】
先ず、第１実施形態で図２（ａ）を用いて説明したと同様に行い、製造基板１上に薄膜回路層３を形成する。
【００６０】
その後、図８（ａ）に示すように、薄膜回路層３を挟んだ製造基板１上に、接着剤５を含浸させた布状のスペーサ９ｂと、支持基板７とをこの順に搭載し、薄膜回路層３と支持基板７とでスペーサ９ｂを狭持させる。この際、スペーサ９ｂに含浸させる接着剤として、熱硬化開始温度が軟化点以上である様な接着剤を選択すると良い。
【００６１】
例えば図９に示すような特性を持つ接着剤が好適である。同図中、横軸は温度を、縦軸は複素粘性率（粘度）を示している。この接着剤は６０℃近傍で室温よりも粘度が低下して流動性が増し、その後、更に温度を上げて１３０℃程度にすると熱硬化反応によって固化する性質を有していることが分かる。
【００６２】
このような接着剤５を用いた場合、スペーサ９ｂに含浸させた接着剤５を加熱し６０℃近傍に保って流動性を高めて粘度を低下させた状態で、スペーサ９ｂおよび接着剤５を介して薄膜回路層３と支持基板７との間に圧力を加える。これにより、スペーサ９ｂによって、支持基板７と薄膜回路層３との間隔を決定する。続いて図８（ｂ）に示すように、温度を１３０℃程度にまで上昇させて接着剤５を硬化させ、支持基板７と薄膜回路層３とを貼り合わせる。また、製造基板１（または支持基板７）上に接着剤５を含浸させた布状のスペーサ９ｂを載置した状態で、接着剤５を加熱してその粘度を低下させた後、支持基板７（または製造基板１）をスペーサ９ｂ上に載置して薄膜回路層３と支持基板７との間に圧力を加え、続いて接着剤５を硬化させるようにしても良い。
【００６３】
尚、上述の例では、図９に示した特性を持つ接着剤を用いた場合の処理手順を示したが、支持基板７と薄膜回路基板３との貼り合わせは、このような手順に限るわけではなく、用いる接着剤の材質（特性）によって適する処理を行うこととする。
【００６４】
以上の後、第１実施形態において図４（ｆ）を用いて説明したと同様に、必要に応じて製造基板１の除去を行い、図７を用いて説明した構成の薄膜回路基板を得る。
【００６５】
以上説明した製造方法であっても、図８（ａ），図８（ｂ）を用いて説明したと同様に、薄膜回路層３と支持基板７とでスペーサ９ｂを狭持させた状態で、これらの間に充填された状態となっている接着剤５を硬化させているため、第１実施形態と同様に、薄膜回路層３と支持基板７との間隔が、スペーサ９ｂの高さ（接着剤５の膜厚）と略同一の一定値に保たれた薄膜回路基板を得ることができる。
【００６６】
この結果、第１実施形態と同様に、温度変化に対する耐性が高く、接着剤５を通過する光の干渉を防止することが可能な薄膜回路基板を得ることが可能になり、この薄膜回路基板を用いた表示装置の表示性能の信頼性を確保することができる。
【００６７】
尚、以上の第１〜第３実施形態においては、製造基板１上に形成された薄膜回路層３を支持基板７に貼り合わせて薄膜回路基板を製造する場合に、薄膜回路層３と支持基板７との間隔を一定に保つ場合を説明した。しかし、例えば、樹脂からなる製造基板上に、ガラスや石英からなる薄膜基板を貼り合わせた後、この薄膜基板表面に対して薄膜回路層を形成する薄膜回路基板の製造方法においても、製造基板と薄膜基板とを貼り合わせる場合に、製造基板と薄膜基板との間にスペーサを狭持させた状態でこの間に接着剤を充填させることで、製造基板と薄膜基板との間隔を一定に保持した薄膜回路基板の製造を行うことが可能である。
【００６８】
【発明の効果】
以上説明した構成の薄膜回路基板およびその製造方法によれば、薄膜回路層と支持基板とでスペーサを狭持させた状態で、これらの間に充填された接着剤によって薄膜回路層と支持基板とを貼り合わせた構成を採用することで、薄膜回路層と支持基板との間の接着剤をスペーサの高さと略同一の均等な膜厚にすることができる。この結果、接着剤の膜厚の不均一に起因する残留応力がなく温度変化に対する耐性が高く、しかも接着剤を通過する光の干渉を防止することが可能な薄膜回路基板を得ることが可能になる。これにより、この薄膜回路基板を用いた表示装置の表示性能の信頼性を確保することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の薄膜回路基板の断面構成図である。
【図２】第１実施形態の薄膜回路基板の製造方法を示す断面工程図（その１）である。
【図３】第１実施形態の薄膜回路基板の製造工程の一部を示す構成図である。
【図４】第１実施形態の薄膜回路基板の製造方法を示す断面工程図（その２）である。
【図５】第２実施形態の薄膜回路基板の断面構成図である。
【図６】第２実施形態の薄膜回路基板の製造方法を示す断面工程図である。
【図７】第３実施形態の薄膜回路基板の断面構成図である。
【図８】第３実施形態の薄膜回路基板の製造方法を示す断面工程図である。
【図９】第３実施形態で用いる接着剤の複素粘性率の温度依存性を示すグラフである。
【図１０】従来の薄膜回路基板の製造方法を示す断面工程図である。
【符号の説明】
１…製造基板、３…薄膜回路層、５…接着剤、７…支持基板、９，９ａ，９ｂ…スペーサ
Claims (8)
- 支持基板と、
前記支持基板に対向配置された薄膜回路層と、
前記支持基板と薄膜回路層との間に狭持されたスペーサと、
前記支持基板と薄膜回路層との間に充填された接着剤とを備えた
ことを特徴とする薄膜回路基板。 - 請求項１記載の薄膜回路基板において、
前記接着剤と前記スペーサとの屈折率が略等しいこと
を特徴とする薄膜回路基板。 - 請求項１記載の薄膜回路基板において、
前記スペーサは、前記薄膜回路層の表面層をパターニングしてなる
ことを特徴とする薄膜回路基板。 - 請求項１記載の薄膜回路基板において、
前記支持基板と薄膜回路層との間には、前記接着剤を含浸させた布が前記スペーサとして狭持されている
ことを特徴とする薄膜回路基板。 - 製造基板上に薄膜回路層を形成する工程と、
前記薄膜回路層に対して接着剤およびスペーサを介して支持基板を対向配置させると共に、前記薄膜回路層と支持基板とで前記スペーサを狭持させた状態で前記接着剤を硬化させて当該薄膜回路層と支持基板とを貼り合わせる工程とを行う
ことを特徴とする薄膜回路基板の製造方法。 - 請求項５記載の薄膜回路基板の製造方法において、
前記製造基板上に形成された薄膜回路層の表面層をパターニングすることで、
当該薄膜回路層の表面に前記スペーサを形成する
ことを特徴とする薄膜回路基板の製造方法。 - 請求項５記載の薄膜回路基板の製造方法において、
前記薄膜回路層と支持基板とを貼り合わせる工程では、前記接着剤を含浸させた布を前記スペーサとして当該薄膜回路層と支持基板との間に狭持させた状態で、当該接着剤を硬化させる
ことを特徴とする薄膜回路基板の製造方法。 - 請求項５記載の薄膜回路基板の製造方法において、
前記薄膜回路層と支持基板とを貼り合わせる工程では、前記薄膜回路層と支持基板と間に前記スペーサを狭持させた後、減圧状態にした当該薄膜回路層と支持基板との間隔内に前記接着剤を真空注入する
ことを特徴とする薄膜回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002264923A JP2004101974A (ja) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | 薄膜回路基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002264923A JP2004101974A (ja) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | 薄膜回路基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004101974A true JP2004101974A (ja) | 2004-04-02 |
Family
ID=32264204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002264923A Pending JP2004101974A (ja) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | 薄膜回路基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004101974A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007115654A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Seiko Epson Corp | 発光装置、その製造方法、及び電子機器 |
| JP2011027822A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Hitachi Displays Ltd | フレキシブル表示装置 |
| JP2015053209A (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-19 | コニカミノルタ株式会社 | 面状発光パネルユニット |
| JPWO2013187410A1 (ja) * | 2012-06-13 | 2016-02-04 | 日本碍子株式会社 | 複合基板 |
| CN109410762A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 背光模组及具有该背光模组的显示装置 |
-
2002
- 2002-09-11 JP JP2002264923A patent/JP2004101974A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007115654A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Seiko Epson Corp | 発光装置、その製造方法、及び電子機器 |
| JP2011027822A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Hitachi Displays Ltd | フレキシブル表示装置 |
| JPWO2013187410A1 (ja) * | 2012-06-13 | 2016-02-04 | 日本碍子株式会社 | 複合基板 |
| JP2015053209A (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-19 | コニカミノルタ株式会社 | 面状発光パネルユニット |
| CN109410762A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 背光模组及具有该背光模组的显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW464927B (en) | Metal bump with an insulating sidewall and method of fabricating thereof | |
| KR20010021190A (ko) | 액정표시소자의 제조방법 | |
| WO2018119937A1 (zh) | 显示面板的制造方法 | |
| JP2003066467A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| KR19980070717A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JPH11211902A (ja) | 平板型マイクロレンズアレイ | |
| JPH11283739A (ja) | Ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| CN105058771B (zh) | 制造液晶显示器件的方法 | |
| JP4255948B2 (ja) | 表示デバイスの製造方法および表示デバイスの製造装置 | |
| CN108010937B (zh) | 有机发光显示装置 | |
| JP2004101974A (ja) | 薄膜回路基板およびその製造方法 | |
| JP2007206352A (ja) | 液晶表示装置用素子基板の製造方法と液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPS61173221A (ja) | 液晶表示装置作成方法 | |
| JPH08278489A (ja) | 液晶表示パネルの製造方法 | |
| JP2007165745A (ja) | 実装構造体、電気光学装置及び電子機器 | |
| KR20080000246A (ko) | 전사필름, 이를 이용하여 제조된 액정표시장치 및 그의제조방법 | |
| JP2007047240A (ja) | 仮止め材及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2006091200A (ja) | 光変調装置用パネルの製造方法 | |
| KR101264676B1 (ko) | 패턴 형성 방법 및 그를 이용한 액정표시소자 제조방법 | |
| JP2008262160A (ja) | 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法 | |
| JP2005241827A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2007519038A (ja) | 電気光学装置を製作する方法および電気光学装置 | |
| JP2006084906A (ja) | 光変調素子用パネル及びその製造方法 | |
| JP2003271069A (ja) | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| JP2019125780A (ja) | 導電性フィルム、光電半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050811 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080715 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081111 |