JPH08278489A

JPH08278489A - 液晶表示パネルの製造方法

Info

Publication number: JPH08278489A
Application number: JP7082682A
Authority: JP
Inventors: Eiichi Tajima; 田島　　栄市
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1995-04-07
Filing date: 1995-04-07
Publication date: 1996-10-22

Abstract

(57)【要約】【構成】プラスチックスからなる第１の基板１１上に
保護膜１５と第１の透明電極１６と配向膜１７を形成す
る工程と、ガラスからなる第２の基板１２に第２の透明
電極１４と配向膜１７を形成する工程と、光硬化型接着
剤シール材１８からなるシールパターンを第２の基板上
に形成し、さらに第２の基板にギャップ材を形成し、第
１の基板と第２の基板とを重ね合わせる工程と、さらに
光照射により光硬化型接着剤シール材を硬化させる工程
と、第１の基板の外側に偏光板を貼りつけ、その偏光板
上にギャップ材を形成し、第１の基板の周辺部には光硬
化型接着剤２１を形成し、反射板１３を第１の基板に貼
り合わせる工程と、第２の基板の外側に偏光板を貼りつ
ける工程とを有する。【効果】斜めから入射する光が液晶分子を通過し反対
側に出射光として出ていくときに液晶表示の影が低減で
きるため良好な表示品質が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は単純マトリクスあるいは
アクティブマトリクスの液晶表示パネルの製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の単純マトリクス型で反射型の液晶
表示パネルの製造方法を、図９の断面図を使用して説明
する。

【０００３】図９に示すように、第１の基板１１と第２
の基板１２との材料には、ガラスを使用している。そし
てこれらの第１の基板１１と第２の基板１２を用いて単
純マトリクス型で反射型の液晶表示パネルを形成する処
理工程を説明する。

【０００４】まずはじめに、ガラス材質からなる第１の
基板１１上に透明導電膜を形成し、透明導電膜をフォト
エッチング処理によりパターニングを行って、第１の透
明電極１６を形成する。その後、配向膜１７を形成した
後、この配向膜１７に配向処理を行う。

【０００５】さらにに、第１の基板１１と同様にガラス
材質からなる第２の基板１２上に透明導電膜を形成し、
透明導電膜をフォトエッチング処理によりパターニング
を行って、第２の透明電極１４を形成する。その後、配
向膜１７を形成した後、この配向膜１７に配向処理を行
う。

【０００６】その後、熱硬化型接着剤からなるシール材
４１を第１の基板１１の表示領域の周辺領域に形成す
る。さらに第２の基板１２にプラスチックスやガラス材
質からなるギャップ材（図示せず）を散布する。

【０００７】さらに第１の基板１１と第２の基板１２と
の基板周辺領域に形成したアライメントマークを基準に
して、第１の基板１１と第２の基板１２とを貼り合わせ
て液晶表示パネルとする。

【０００８】このとき、熱硬化型接着剤からなるシール
材４１を硬化するための条件は、圧力として０．２ｋｇ
／ｃｍ² 〜０．９ｋｇ／ｃｍ² の圧力を印加しながら、
温度１２０℃〜１６０℃の条件で１時間〜２時間加熱炉
の中で焼成する。

【０００９】その後、第１の基板１１と第２の基板１２
との間にネマティク液晶２５を注入し液晶表示パネルと
する。

【００１０】さらに、この液晶表示パネルを駆動するた
めに、第１の基板１１と第２の基板１２から第１の透明
電極１６と第２の透明電極１４に接続する接続電極２６
を表示領域の外側に形成する。

【００１１】ここで、接続電極２６をそのまま外部に設
けた駆動回路（図示せず）と接続するときは、この接続
電極２６にポリエチレンテレフタレートからなる基板に
形成した可撓性基板（フレキシブル−パターン−サーキ
ット：ＦＰＣ）２８や、あるいは可撓性基板に半導体集
積回路を設けるテープ−オートメイキング−ボンディン
グ（ＴＡＢ）などを接続する。

【００１２】また、基板上に半導体集積回路２７を直接
実装するチップオングラスによる接続方法では、図９に
示すように、半導体集積回路２７を直接、第１の基板１
１と第２の基板１２上に形成した接続電極３０に実装す
る。

【００１３】この実装方法では液晶表示パネルの第１の
基板１１と第２の基板１２からの第１の透明電極１６と
第２の透明電極１４を表示領域周辺に引き出すように接
続電極２６を形成し、この接続電極２６に、液晶表示パ
ネルを駆動する半導体集積回路２７の出力ピン数毎にま
とめて、１つ１つの半導体集積回路２７の下に集結させ
る。

【００１４】このとき、半導体集積回路２７の寸法は、
最大でも縦５ｍｍから横１５ｍｍの大きさであり、かな
り高密度化の透明電極の接続電極２６が半導体集積回路
２７の下の領域に形成する。

【００１５】また、第１の基板１１と第２の基板１２に
おける半導体集積回路２７の実装領域は液晶表示パネル
構造上、反対側になりチップオングラス法の実装では、
おもて面に半導体集積回路２７を実装後、裏面にもう一
度半導体集積回路２７を実装するという、液晶表示パネ
ルをひっくり変えす作業が必要になる。

【００１６】さらに、半導体集積回路２７の素子形成面
に、この半導体集積回路２７と接続電極２６との接続を
行う突起電極を銅と金で形成する。

【００１７】その後、半導体集積回路２７の突起電極
と、第１の基板１１上に形成した第１の透明電極１６の
接続電極２６の外部信号入力用に集結した電極配線部と
をアライメントマーク（図示せず）を基準にしてエポキ
シ樹脂と銀粉を等量に混ぜた銀ペースト接着剤で貼り合
わせる。

【００１８】その後、半導体集積回路２７を第２の基板
１２上に実装する。さらにその後、半導体集積回路２７
と、第１の基板１１と第２の基板１２との間に、モール
ド材としてエポキシ樹脂を流し入れて封入して、チップ
オングラス実装法による半導体集積回路の実装工程を終
了する。

【００１９】その後、半導体集積回路２７の下の外部信
号入力用に集結した電極配線部から基板エッジ側に電源
用と信号用の配線に可撓性基板２８を、異方性導電フィ
ルム（図示せず）を用いて接着して、外部の駆動回路
（図示せず）と接続する。

【００２０】つぎに、第１の基板１１と第２の基板１２
の外側に偏光板２２、２３を形成する。さらに、第１の
基板１１の外側にポリエーテルスルフォン樹脂からなる
ベースの薄板にアルミニウム薄膜を形成した反射板１３
を接着剤を用い貼り合わせるか、反射板１３をそのまま
配置することにより、単純マトリクス型で反射型の液晶
表示パネルとする。

【００２１】つぎにアクティブマトリクス型で反射型の
液晶表示パネルを形成する方法を説明する。

【００２２】先の説明と同じように、第１の基板１１と
第２の基板１２とは、ともにガラスを使用している。そ
してまず、第１の基板１１上に透明導電膜を設け、フォ
トエッチング処理によりパターニングを行って第１の透
明電極１６を形成する。その後、その後、配向膜１７を
形成した後、配向膜１７の配向処理を行う。

【００２３】アクティブ素子を形成する第２の基板１２
には、図６と図７に示す薄膜ダイオード素子や、薄膜ト
ランジスタ素子からなるアクティブ素子２９を形成す
る。

【００２４】これらのアクティブ素子２９の、形成のた
めにはアニール工程で薄膜ダイオード素子では温度３０
０℃以上の処理が必要で、薄膜トランジスタでは４００
℃以上の処理温度が必要である。この高温処理を行うた
めに、耐熱性に優れたガラス基板を、第２の基板１２を
用いている。

【００２５】この図６と図７とに示すアクティブ素子
は、薄膜ダイオードを示す。この図６と図７とを用いて
アクティブ素子の形成方法を示す。なお図７の断面図
は、図６のＣ−Ｃ線における断面を示す。

【００２６】第１の基板１１に信号電極３５に接続する
タンタル膜３４を形成し、その後、陽極酸化処理をおこ
ないタンタル膜３４の表面に五酸化タンタル３６を形成
し、さらに画素電極３７となる透明導電膜を形成する。
そしてタンタル膜３４と画素電極３７とが交差した領域
に、アクティブ素子２９が形成される。

【００２７】さらに第１の基板１１と第２の基板１２を
張り合わせて液晶表示パネルを形成するとき、図９に示
すように熱硬化型接着剤からなるシール材４１を用いて
張り合わせる。このとき、熱硬化型接着剤からなるシー
ル材４１を硬化するために、０．２ｋｇ／ｃｍ² 〜０．
９ｋｇ／ｃｍ² の圧力を印加しながら、温度１２０℃〜
１６０℃で時間１時間〜２時間加熱炉の中で焼成する。

【００２８】その後、第１の基板１１と第２の基板１２
との間にネマティック液晶２５を注入して、液晶表示パ
ネルとする。

【００２９】さらに、この液晶表示パネルを駆動するた
めの半導体集積回路２７を第１の基板１１と第２の基板
１２上に実装する。この実装工程は先の説明と同じであ
るので、省略する。

【００３０】その後、第１の基板１１と第２の基板１２
とのぞれぞれに、外部信号入力用の可撓性基板２８を接
着して外部の駆動回路（図示せず）と接続する。

【００３１】つぎに、第１の基板１１と第２の基板１２
との外側に偏光板２２、２３を形成し、さらに第１の基
板１１の基板の外側に反射板１３を接着剤などを用い貼
り合わせるか反射板１３をそのまま配置することによ
り、アクティブマトリクス型で反射型の液晶表示パネル
とする。

【００３２】さらに、第１の基板１１と第２の基板１２
にプラスチックスなどの有機材料を用いるときの製造方
法は、プラスチックス材料からなる第１の基板１１と第
２の基板１２とを液晶表示パネルの外形形状に、チェー
ンソーやカッターなどの切断工具で切断する。

【００３３】その後、第１の基板１１と第２の基板１２
に第１の透明電極１６と第２の透明電極１４とを形成す
る。この酸化インジウムスズからなる透明電極は、低温
スパッタリング法の膜形成方法を用いる。

【００３４】このとき、酸化インジウムスズとプラスチ
ックスからなる第１の基板１１との密着力を上げるため
に、プラスチックスの基板にシランカップリング剤を回
転塗布法などで形成し、その後、低温スパッタリング法
で酸化インジウムスズを膜形成する。

【００３５】この低温スパッタリング法で酸化インジウ
ムスズを膜形成するとき、スパッタリングチャンバー内
の温度は、プラスチックス材料からなる第１の基板１１
のガラス転移温度（Ｔｇ）以下で行う。

【００３６】その後、このプラスティックからなる第１
の基板１１を洗浄した後、ホトレジストとしてＺＰＰ−
１７００（日本ゼオン製）を基板上に形成し、温度８５
℃で２０分間プリベイク処理する。

【００３７】その後、クロムにより電極パターンを形成
したホトマスクを用いて、酸化インジウムスズ上のホト
レジストを１０秒〜３０秒露光し、ＭＦ−３１２（シプ
レー・ファーイースト製）現像する。その後、温度１３
０℃で２０分間ポストベイク処理を行って、ホトレジス
トをパターニングする。

【００３８】その後このパターニングしたホトレジスト
をエッチングマスクに用いて、エッチング液として塩化
第二鉄と塩酸と水をそれぞれ４：３：１の割合で混合し
たエッチング液中に入れ約１分間浸積し、揺動させホト
レジストの形成されていない領域の酸化インジウムスズ
をエッチング除去する。

【００３９】その後、温度６０℃に暖めた剥離液Ａ−１
５０（コダマ製）の中に第１の基板１１を浸積してホト
レジストを除去して、プラスチックス材料からなる第１
の基板１１上に第１の透明電極１６を形成する。

【００４０】以上の説明と同じ処理工程を行うことによ
り、プラスティック材料からなる第２の基板１２に第２
の透明電極１４を形成する。その後、第１の基板１１と
第２の基板１２とを熱硬化型接着剤からなるシール材４
１を用いて張り合わせる。

【００４１】このとき、プラスチックスの熱による歪や
変形を考慮し熱硬化型接着剤からなるシール材４１は、
温度１００℃以下で硬化する低温硬化型接着剤を使用す
る。このため、室温でも硬化する二液型の熱硬化型接着
剤が一般的に使われている。

【００４２】さらに、第１の基板１１と第２の基板１２
との間にネマティック液晶２５を注入して、液晶表示パ
ネルとする。

【００４３】さらに、第１の基板１１と第２の基板１２
の外側に偏光板２２、２３を配置し、さらにまた第１の
基板１１の偏光板２３の外側に反射板１３を形成する。

【００４４】さらに、この液晶表示パネルを駆動するた
めに、第１の基板１１と第２の基板１２の半導体集積回
路２７を接続する。

【００４５】ここで、半導体集積回路２７を実装する第
１の透明電極１６と第２の透明電極１４は、半導体集積
回路２７下に集結させるため高密度化する。このときプ
ラスチックス材料からなる基板と透明電極との密着力が
小さく、透明電極エッチング処理時に剥離してしまい、
という問題点があり、プラスティック材料からなる基板
は液晶表示パネルに使われた実績はない。

【００４６】

【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示パネル
は、第１の基板１１と第２の基板１２との材質にはガラ
スを用いる。

【００４７】このために、単純マトリクス型とアクティ
ブマトリクス型の反射型パネルを形成するとき、図９に
示す用に、第１の基板１１の外側に偏光板２３とその偏
光板２３外側に反射板１３とを設けている。

【００４８】この図９に示すような構造では、観察者が
液晶表示パネル上面から垂直に覗いたときは、その光が
そのまま観察者側に返ってくる。

【００４９】しかしながら、液晶表示パネルの斜め上方
から覗いたときには、斜め方向から光が入射し、その光
が第１の基板１１を通り反射板１３の表面層で反射し、
入射角とパネル垂線の角度と同じ角度だけ反対側に反射
する。さらに第１の基板１１を通り出射光として出ると
き、画素電極３７上の液晶画像は影ができてしまう。

【００５０】このため、反射板側の基板である第１の基
板１の板厚寸法を、０．５０ｍｍ〜０．７０ｍｍと薄い
ものを使用して、この光が通過するときに屈折する光量
を極力小さくして、液晶画像の陰がなるべく少なくなる
ように形成しなければならない。

【００５１】さらにまた、液晶表示パネルの軽量化を行
うとき、ガラス材質からなる第１の基板１１と第２の基
板１２との板厚は薄くしなければならない。

【００５２】しかし、第２の基板１２を軽量化を図るた
め、板厚を薄くしたガラスは、第２の透明電極１４のパ
ターニング処理工程において、エッチング液漕や現像液
漕を揺動しながら、もしくは超音波洗浄法などを通りな
がら処理する。

【００５３】この処理工程で、液漕中で揺動時や、エッ
チング液や現像液の不均一な圧力が第２の基板１２に加
わり、第２の基板１２が割れてしまう。この割れを防止
するためには、特別な治工具が必要となる。

【００５４】さらにまた、第２の基板１２に用いる板厚
が薄いガラス基板では、ハンドリングを行う工程で、第
２の基板１２周辺に治工具や装置との接触や洗浄工程の
液層内の超音波による不均一な圧力により、微小な傷や
カケが生じてしまう。したがって、第２の基板１２に傷
を付けないように、細心な注意が必要であり、さらにこ
こでも特別の処理工程や治工具が必要である。

【００５５】さらに、薄いガラス基板に微小な傷やカケ
が生じる、シール材４１である熱硬化型接着剤を用いて
第２の基板１２と第１の基板１１を貼り合わせて、液晶
表示パネルを形成するとき、加熱炉中で熱硬化させたと
き、熱のために傷やカケの箇所から歪によりヒビが進行
して、ガラス基板が割れてしまい、液晶表示パネルが形
成不可能となる。

【００５６】さらにまた、通常の厚さである１．１ｍｍ
〜０．５５ｍｍのガラス基板を第１の基板１１と第２の
基板１２に用いて形成した液晶表示パネルは、基板の貼
り合わせ時に熱硬化性樹脂からなるシール材４１を用い
て、この第１の基板１１と第２の基板１２を貼り合わせ
ている。

【００５７】このために、有機物であるシール材４１と
無機物であるガラス基板の線膨張係数の差から生じるセ
ル貼り合わせ時の熱による収縮率、すなわち線膨張係数
が１桁異なる。このため、液晶表示パネルに液晶を注入
していないの空セル時において、周辺の熱硬化性樹脂の
方が先に硬化することによって収縮するため、ガラス基
板は周辺を固定され、しかも縮まないために中央が太鼓
形状になってしまう。

【００５８】この中央が太鼓形状の状態の液晶セルに液
晶を真空注入して液晶表示パネルとすると、一般的に液
晶表示パネルのセルギャップを均一に出すとき、液晶表
示パネル中央をシール材４１周辺のギャップに合わせ込
み加圧する方法が取られる。

【００５９】このとき、１つ１つの液晶表示パネルの太
鼓状態は、基板の厚さの微妙な不均一や、ギャップ材で
あるビーズの単位面積当たりの個数の差により、ばらつ
きを生じる。

【００６０】しかし、現状ではこの誤差を無視し、対に
なった基板を５〜１０パネルづつまとめて重ね合わせ、
上下から加圧しながら液晶を出し封孔を行う。このと
き、同じ加圧力の封孔の条件でも液晶セル毎に太鼓状態
の歪量が異なることから、その太鼓状態になった歪を取
るための抑制量に差が生じ、すべてのパネルに所定ギャ
ップ寸法は得られない。

【００６１】さらに、基板厚が薄くなると、基板そのも
のの反り量が基板厚に反比例して大きくなることから、
液晶注入後に開口部を封孔する時の加圧量の差がより顕
著に生じる。このため、すべての液晶表示パネルにおい
て所定のギャップ寸法が得られない。

【００６２】さらにまた、封孔時に液晶表示パネルのガ
ラス基板表面に小さなゴミなどがあると、板厚薄いガラ
ス基板では液晶表示パネルが割れてしまい、不良品がで
きてしまう。

【００６３】以上のような理由から、薄いガラス基板を
使用して液晶表示パネルを形成することは難しく、製造
歩留まり低下の要因を多数含んでいる。

【００６４】また、第１の基板１１と第２の基板１２に
プラスチックス材料を用いて反射型の液晶表示パネルを
形成するとき、第１の基板１１と第２の基板１２とを貼
り合わせる。このとき、シール材４１は、プラスチック
ス基板の耐熱温度がガラスより低いために、ガラスと同
じような接着材料は使用できない。

【００６５】このとき、プラスチックス基板の熱変形温
度もしくはガラス転移点（Ｔｇ）より低い温度で硬化す
るシール材４１を用いる。このシール材４１材料は１０
０℃以下の温度で硬化するエポキシ樹脂の接着剤が使わ
れる。

【００６６】このエポキシ樹脂の接着剤からなるシール
材４１では、エーテル化合物とアミン化合物の等量反応
で調合が不充分だと、充分な硬化を得られないと言う欠
点がある。

【００６７】またさらに、１００℃以下の温度で硬化さ
せるため、液晶表示パネルでは温度１００℃以上の温度
での信頼性が要求されるときがあるため、接着力や信頼
性が不充分であると言う欠点がある。

【００６８】また、第１の基板１１と第２の基板１２と
を貼り合わせた後、所定の大きさに切り出せないと言う
欠点がある。これは、ガラスからなる基板ではスクライ
ブ装置を用いて、その先端に付いているダイヤモンドカ
ッターでガラスに応力歪を入れることにより切断する。

【００６９】しかしながら、プラスチックス材料からな
る基板では、このダイヤモンドカッターによる歪を形成
することができないため、基板を貼り合わせた後では切
断できない。これにより、４５０ｍｍ×４５０ｍｍなど
の大きなプラスチックス基板に液晶表示パネルの電極パ
ターンを多数個入れ一度に貼り合わせ、後から切断して
数個の液晶表示パネル取ることが不可能である。このた
め、量産性が得られなくコストが高いものになってしま
う。

【００７０】さらに、プラスチックスからなる基板上の
透明電極のエッチング処理は、酸化インジウムスズ膜形
成時の基板加熱温度を高くすることができない。このた
めに酸化インジウムスズ膜の膜質に起因する抵抗値の上
昇と、プラスチックスの素材そのものが有機物であるた
め無機物の透明電極とプラスチックス基板との密着力が
ガラス基板より劣ってしまう。

【００７１】これらの理由により、透明電極を形成する
ための酸化インジウムスズ膜のパターニング工程が難し
くなる。このため、従来の製造方法では被膜密着力の問
題から、エッチングマージンが狭く、大きなパターンは
エッチングは可能であるが、チップオングラス実装部の
ように微細パターンのエッチングは不可能である。

【００７２】また、チップオングラス法を用いて半導体
集積回路の実装を行うとき、実装領域に接着剤の密着力
の差やゴミの混入により不良が生じたときや、駆動する
ために取り付けた半導体集積回路２７に駆動動作不良が
発見されたとき、半導体集積回路２７を取り外し、新し
い半導体集積回路２７を取りつけるリペアーを試みる必
要が生じる。

【００７３】このとき、プラスチックスからなる基板上
の透明電極は、ガラスからなる基板上の透明電極に比較
して、密着力が悪いために剥離してしまい、１度基板に
実装したら半導体集積回路２７を取り外せないと言う欠
点がある。

【００７４】さらに、第１の基板１１の外側に偏光板２
３を配置し反射板１３を設け重ね合わせるとき、接着材
を反射板１３に形成し接着するか、反射板１３をそのま
ま重ね合わせる方法が取られる。

【００７５】しかし、接着剤を用いて反射板１３を貼り
合わせると、この接着剤が反射層の凹凸面に形成される
ことにより、反射板１３の反射効率が落ちてしまう。

【００７６】さらに、反射板１３をそのまま重ね合わせ
ると、その間に空気層が形成されることになる。この空
気層は２０μｍの〜１００μｍの隙間をもってしまい、
液晶に斜めから入射する光は第１の基板１１と偏光板２
３と空気層との間で屈折し、液晶から出てくる出射光は
像の影を作り見栄えを悪い画像品質となる。

【００７７】そこで本発明の目的は、上記課題を解決し
て、反射型の液晶表示パネルの観察方向による画像の影
をなくすことが可能な液晶表示パネルの製造方法を提供
することである。

【００７８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の液晶表示パネルの製造方法は、下記記載の手
段を採用する。

【００７９】本発明の液晶表示パネルの製造方法は、プ
ラスチックス材料からなる第１の基板上に有機系高分子
材料の保護膜を形成し、さらにその保護膜上に第１の透
明電極を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜に配向
処理を行う工程と、ガラス材料からなる第２の基板に第
２の透明電極を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜
に配向処理を行う工程と、異方性導電粒子とビーズとギ
ャップ材とを混入した光硬化型接着剤シール材からなる
シールパターンを第２の基板上に形成し、さらに第２の
基板にギャップ材を形成し、アライメントマークを使用
して第１の基板と第２の基板とを重ね合わせる工程と、
さらに光照射により光硬化型接着剤シール材を硬化させ
る工程と、第１の基板の外側に偏光板を貼りつけ、偏光
板上にギャップ材を形成し、第１の基板の周辺部には光
硬化型接着剤を形成し、反射板を第１の基板に貼り合わ
せる工程と、第２の基板の外側に偏光板を貼りつける工
程とを有することを特徴とする。

【００８０】本発明の液晶表示パネルの製造方法は、プ
ラスチックス材質からなる第１の基板上に有機系高分子
材料の保護膜を形成し、さらにその保護膜上に第１の透
明電極を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜に配向
処理を行う工程と、ガラス材質からなる第２の基板にア
クティブ素子を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜
に配向処理を行う工程と、異方性導電粒子とビーズとギ
ャップ材とを混入した光硬化型接着剤シール材を第２の
基板上に形成し、さらに第２の基板にギャップ材を形成
し、アライメントマークを用いて第１の基板と第２の基
板とを重ね合わせる工程と、さらに光照射により光硬化
型接着剤を硬化させる工程と、第１の基板の外側に偏光
板を貼りつけ、その偏光板上にギャップ材を形成し、第
１の基板の周辺部には光硬化型接着剤を形成し、反射板
を第１の基板に貼り合わせる工程と、第２の基板の外側
に偏光板を貼りつける工程とを有することを特徴とす
る。

【００８１】本発明の液晶表示パネルの製造方法は、プ
ラスチックス材質からなる第１の基板上に有機系高分子
材料の保護膜を形成し、さらにその保護膜上に第１の透
明電極を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜に配向
処理を行う工程と、ガラス材質からなる第２の基板に薄
膜ダイオードからなるアクティブ素子を形成し、さらに
配向膜を形成し、配向膜に配向処理を行う工程と、異方
性導電粒子とビーズとギャップ材とを混入した光硬化型
接着剤シール材を第２の基板上に形成し、さらに第２の
基板にギャップ材を形成し、アライメントマークを用い
て第１の基板と第２の基板とを重ね合わせる工程と、さ
らに光照射により光硬化型接着剤を硬化させる工程と、
第１の基板の外側に偏光板を貼りつけ、その偏光板上に
ギャップ材を形成し、第１の基板の周辺部には光硬化型
接着剤を形成し、反射板を第１の基板に貼り合わせる工
程と、第２の基板の外側に偏光板を貼りつける工程とを
有することを特徴とする。

【００８２】本発明の液晶表示パネルの製造方法は、プ
ラスチックス材質からなる第１の基板上に有機系高分子
材料の保護膜を形成し、さらにその保護膜上に第１の透
明電極を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜に配向
処理を行う工程と、ガラス材質からなる第２の基板に薄
膜トランジスタからなるアクティブ素子を形成し、さら
に配向膜を形成し、配向膜に配向処理を行う工程と、異
方性導電粒子とビーズとギャップ材とを混入した光硬化
型接着剤シール材を第２の基板上に形成し、さらに第２
の基板にギャップ材を形成し、アライメントマークを用
いて第１の基板と第２の基板とを重ね合わせる工程と、
さらに光照射により光硬化型接着剤を硬化させる工程
と、第１の基板の外側に偏光板を貼りつけ、その偏光板
上にギャップ材を形成し、第１の基板の周辺部には光硬
化型接着剤を形成し、反射板を第１の基板に貼り合わせ
る工程と、第２の基板の外側に偏光板を貼りつける工程
とを有することを特徴とする。

【００８３】本発明の液晶表示パネルの製造方法は、プ
ラスチックス材質からなる第１の基板上に有機系高分子
材料の保護膜を形成し、さらにその保護膜上に第１の透
明電極を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜に配向
処理を行う工程と、ガラス材質からなる第２の基板に第
２の透明電極を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜
に配向処理を行う工程と、異方性導電粒子とビーズとギ
ャップ材とを混入した光硬化型接着剤シール材からなる
シールパターンを第２の基板上に形成し、さらに第２の
基板にギャップ材を形成し、アライメントマークを使用
して第１の基板と第２の基板とを重ね合わせる工程と、
さらに光照射により光硬化型接着剤シール材を硬化させ
る工程と、第１の基板の外側に偏光板を貼りつけ、偏光
板上にギャップ材を形成し、第１の基板の周辺部には光
硬化型接着剤を形成し、銀あるいはアルミニウムを形成
した反射板を第１の基板に貼り合わせる工程と、第２の
基板の外側に偏光板を貼りつける工程とを有することを
特徴とする。

【００８４】本発明の液晶表示パネルの製造方法は、プ
ラスチックス材質からなる第１の基板上に有機系高分子
材料の保護膜を形成し、さらにその保護膜上に第１の透
明電極を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜に配向
処理を行う工程と、ガラス材質からなる第２の基板にア
クティブ素子を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜
に配向処理を行う工程と、異方性導電粒子とビーズとギ
ャップ材とを混入した光硬化型接着剤シール材を第２の
基板上に形成し、さらに第２の基板にギャップ材を形成
し、アライメントマークを用いて第１の基板と第２の基
板とを重ね合わせる工程と、さらに光照射により光硬化
型接着剤を硬化させる工程と、第１の基板の外側に偏光
板を貼りつけ、その偏光板上にギャップ材を形成し、第
１の基板の周辺部には光硬化型接着剤を形成し、銀ある
いはアルミニウムを形成した反射板を第１の基板に貼り
合わせる工程と、第２の基板の外側に偏光板を貼りつけ
る工程とを有することを特徴とする。

【００８５】本発明の液晶表示パネルの製造方法は、プ
ラスチックス材質からなる第１の基板上に有機系高分子
材料の保護膜を形成し、さらにその保護膜上に第１の透
明電極を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜に配向
処理を行う工程と、ガラス材質からなる第２の基板に薄
膜ダイオードからなるアクティブ素子を形成し、さらに
配向膜を形成し、配向膜に配向処理を行う工程と、異方
性導電粒子とビーズとギャップ材とを混入した光硬化型
接着剤シール材を第２の基板上に形成し、さらに第２の
基板にギャップ材を形成し、アライメントマークを用い
て第１の基板と第２の基板とを重ね合わせる工程と、さ
らに光照射により光硬化型接着剤を硬化させる工程と、
第１の基板の外側に偏光板を貼りつけ、その偏光板上に
ギャップ材を形成し、第１の基板の周辺部には光硬化型
接着剤を形成し、銀あるいはアルミニウムを形成した反
射板を第１の基板に貼り合わせる工程と、第２の基板の
外側に偏光板を貼りつける工程とを有することを特徴と
する。

【００８６】本発明の液晶表示パネルの製造方法は、プ
ラスチックス材質からなる第１の基板上に有機系高分子
材料の保護膜を形成し、さらにその保護膜上に第１の透
明電極を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜に配向
処理を行う工程と、ガラス材質からなる第２の基板に薄
膜トランジスタからなるアクティブ素子を形成し、さら
に配向膜を形成し、配向膜に配向処理を行う工程と、異
方性導電粒子とビーズとギャップ材とを混入した光硬化
型接着剤シール材を第２の基板上に形成し、さらに第２
の基板にギャップ材を形成し、アライメントマークを用
いて第１の基板と第２の基板とを重ね合わせる工程と、
さらに光照射により光硬化型接着剤を硬化させる工程
と、第１の基板の外側に偏光板を貼りつけ、その偏光板
上にギャップ材を形成し、第１の基板の周辺部には光硬
化型接着剤を形成し、銀あるいはアルミニウムを形成し
た反射板を第１の基板に貼り合わせる工程と、第２の基
板の外側に偏光板を貼りつける工程とを有することを特
徴とする。

【００８７】

【作用】本発明の液晶表示パネルの製造方法では、液晶
表示パネルを構成する第１の基板をプラスチックス材料
とし、第２の基板をガラス材料で構成する。

【００８８】本発明の液晶表示パネルの製造方法では、
さらに第１の基板のプラスチックス基板材料の上にアク
リル系や、エポキシ系や、アクリル−エポキシ系からな
る樹脂を形成し、その樹脂上に低温スパッタリング法に
より透明電極膜を形成しエッチング処理を行うことによ
り、第１の透明電極をパターニングする。

【００８９】第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる
シール材としては、光硬化型接着剤を使用する。さらに
このシール剤に異方性導電粒子を混入し、この異方性導
電粒子を介してプラスチックス材料からなる基板の実装
部を、対になるガラスからなる第２の基板側に移す。

【００９０】さらに本発明の液晶表示パネルの製造方法
では、プラスチックスからなる第１の基板は、実装部を
除いた配線部の大きさにあらかじめ切り出してから、ガ
ラスからなる第２の基板と貼り合わせる。

【００９１】さらに本発明の液晶表示パネルの製造方法
では、プラスチックスからなる第１の基板の外側に偏光
板を配置し、ガラス基板を表面荒らしてその上に銀やア
ルミニウムを形成した反射板でギャップ材を通して押し
ながらシール材を用いて、第１の基板と第２の基板とを
貼り合わせ、その間を密閉する。

【００９２】これらの処理工程により、プラスチックス
基板側の透明電極パターンの細かい実装部のエッチング
処理を省ける。

【００９３】さらに液晶表示パネルの第１の基板上にア
クティブ素子を形成した第２の基板を貼り合わせ、さら
に半導体集積回路実装部をアクティブ素子を設けたガラ
ス基板上に移すことが可能になる。

【００９４】このことから液晶表示パネルは、従来の基
板が２枚ともガラスにより構成するより軽量化を実現で
き、かつ反射効率と信頼性の高い反射構造の液晶表示パ
ネルを形成することが可能となる。

【００９５】

【実施例】以下、本発明の実施例における液晶表示パネ
ルの製造方法を図面に基づいて詳細に説明する。図１は
本発明の実施例における反射型の液晶表示パネルの製造
方法を示す断面図である。

【００９６】図１に示すように、プラスチックス材料か
ら構成する第１の基板１１には、保護膜１５を介して第
１の透明電極１６を設け、この第１の透明電極１６上に
は配向膜１７を備える。

【００９７】ガラス材料から構成する第２の基板１２
は、第２の透明電極１４を備え、その第２の透明電極１
４上に配向膜１７を備える。

【００９８】さらに第１の基板１１と第２の基板１２と
の外側には、それぞれ偏光板２２と偏光板２３を備え
る。

【００９９】さらに光硬化型接着剤シール材１８を用い
て貼り合わせる第１の基板１１と第２の基板１２との間
には、図示しないギャップ材とネマティク液晶２５とを
備える。この光硬化型接着剤シール材１８の中には、異
方性導電粒子１９と分散球としてビーズ２０とを備え
る。

【０１００】さらに、第１の基板１１の偏光板２３の外
側に設けるギャップ材２４を介して反射板１３を設け
る。この反射板１３と偏光板２３との間には、光硬化型
接着剤２１を設ける。そしてこの光硬化型接着剤２１が
反射板１３と偏光板２３とを貼り合わせる役割をもつ。

【０１０１】さらに、第２の基板１２の表示領域周辺
に、液晶表示パネルを駆動するための半導体集積回路２
７を備え、さらに外部の駆動回路と接続するための可撓
性基板２８を備える。

【０１０２】図３の斜視図に本発明の実施例の液晶表示
パネルにおける透明電極の平面パターン構成を示す。

【０１０３】図３に示すように、ガラス材料から構成す
る第２の基板１２上には、第２の透明電極１４を備え、
さらに半導体集積回路２７を実装するの接続電極２６を
設ける。この接続電極２６は第２の基板１２の２辺の位
置に設ける。

【０１０４】さらに、接続電極２６の外側領域の第２の
基板１２のエッジ部には、図示しない外部の駆動回路と
接続する外部入力電極３１を備える。この外部入力電極
３１も第２の基板１２の２辺の位置に設ける。

【０１０５】さらに、プラスチックス材料から構成する
第１の基板１１上には、保護膜（図示せず）を介して、
第２の基板１２の第２の透明電極１４と直交するように
配置する第１の透明電極１６を備える。

【０１０６】さらに、第１の基板１１と第２の基板１２
とには、この第１の基板１１と第２の基板１２とを所定
の位置で重ね合わせるためのアライメントマーク３２を
備える。

【０１０７】図４の平面図には、本発明の実施例におけ
る液晶表示パネルの製造方法で使用する電極パターンの
構成を示す。

【０１０８】図４に示すように、第２の基板１２には第
２の透明電極１４と、半導体集積回路２７を実装する接
続電極２６とを有する。なおこの接続電極２６は、第２
の基板１２の隣あう２辺の位置に設ける。

【０１０９】さらに、接続電極２６の外側領域の第２の
基板１２のエッジ領域に、外部の駆動回路との外部入力
電極３１を備える。なおこの外部入力電極３１も第２の
基板１２の隣あう２辺の位置に設ける。

【０１１０】さらに、プラスチックス材料から構成する
第１の基板１１上には、第２の基板１２に設ける第１の
透明電極１６と直交するように配置する第１の透明電極
１６を備える。

【０１１１】そして図３に示すアライメントマーク３２
を位置あわせとして用い、異方性導電粒子１９を混入し
た光硬化型接着剤シール材１８を用いて、上側に配置す
る第１の基板１１の第１の透明電極１６と、下側に配置
された第２の基板１２の第２の透明電極１４の内側に配
置する引き出し配線電極３０とを接続する。

【０１１２】すると、第２の基板１２の長辺側に配置す
る引き出し配線電極３０から異方性導電粒子１９を介し
て、第１の基板１１の第１の透明電極１６に信号が伝達
することができる。

【０１１３】図５の平面図に、図４に示す異方性導電粒
子１９を含む光硬化型接着剤シール材１８による接続領
域を示す。

【０１１４】第２の基板１２の第２の透明電極１４と、
第１の基板１１の第１の透明電極１６に接続する引き出
し配線電極３０とは、Ａ部において光硬化型接着剤シー
ル材１８を構成する異方性導電粒子１９により相互に接
続することができる。

【０１１５】このとき、隣接する第１の透明電極１６と
第１の透明電極１６との間のＢ部では、異方性導電粒子
１９が接続していないため、電気的に導通しない。

【０１１６】つぎに、図１と図３と図４と図５とを、交
互に用いて液晶表示パネルの製造方法を説明する。

【０１１７】まずはじめに第１の基板１１からその製造
方法を説明する。材質がポリカーボネートやポリアリレ
ートなどのプラスチックスである高分子有機材料からな
る第１の基板１１上にアクリル系樹脂材料からなる保護
膜１５（ＪＳＳ−７１５／日本合成ゴム製）を、回転塗
布法装置を用いて全面に形成する。

【０１１８】このとき、プラスチックスからなる第１の
基板１１上への、後工程で形成する透明電極膜の密着性
を上げるためのシランカップリング剤の形成や、第１の
基板１１表面を荒らすアルカリ溶液中の浸積などによる
表面処理の工程は必要としない。

【０１１９】そして、プラスチックス材料からなる第１
の基板１１の外形寸法の大きさは、後に切断を行って液
晶表示パネルが複数個取れる大きさでもよい。

【０１２０】その後、保護膜１５を硬化させるために加
熱炉中で焼成処理する。このときの保護膜１５の膜厚
は、０．５μｍ〜２．５μｍとする。

【０１２１】その後、図示しないが酸化シリコン膜（Ｓ
ｉＯ₂ ）を１０ｎｍ程度の膜厚で、保護膜１５上に形成
する。この酸化シリコン膜は、この上面に形成する透明
電極膜との密着力を上げるために真空蒸着法により、膜
形成する。

【０１２２】その後、第１の透明電極１６を形成するた
めに、低温スパッタリング法により酸化インジウムスズ
（ＩＴＯ）膜を形成する。このとき、スパッタリング装
置のチャンバー内の温度は、プラスチックス材料からな
る第１の基板１１のガラス転移温度（Ｔｇ）以下で行
う。本発明の実施例では温度１００℃で５時間の条件で
行った。

【０１２３】その後、第１の基板１１を洗浄した後、感
光性樹脂としてホトレジストＺＰＰ−１７００（日本ゼ
オン製）を回転塗布法により形成する。その後、温度８
５℃で２０分間のプリベイク処理する。

【０１２４】その後、クロムによりパターンを形成した
ホトマスクを用いて、酸化インジウムスズ上のホトレジ
ストを、時間１０秒〜２０秒露光処理し、ＭＦ−３１２
（シプレー・ファーイースト製）を使用して現像処理す
る。

【０１２５】その後、温度１３０℃で時間２０分間のポ
ストベイク処理を行う。さらにその後、このパターニン
グしたホトレジウトをエッチングマスクに用い、塩化第
二鉄と塩酸と水をそれぞれ４：３：１の割合で混合した
エッチング液中に、第１の基板１１を、約１分間浸積し
て、揺動させホトレジストを形成していない領域の酸化
インジウムスズをエッチング除去して、第１の透明電極
１６を形成する。

【０１２６】その後、温度６０℃に調整した剥離液Ａ−
１５０（コダマ製）中に第１の基板１１を浸積してレジ
ストを除去する。この結果、プラスチックス材料からな
る第１の基板１１上に第１の透明電極１６を形成するこ
とができる。

【０１２７】この第１の基板１１上の第１の透明電極１
６の平面パターン形状は、図４の平面図に示す。

【０１２８】その後、あらかじめ決められた所定の大き
さである、半導体集積回路２７を実装する接続電極２６
と、外部の駆動回路への引き出し配線電極３０を除いた
大きさに、チェーンソウやセラミック製のカッターを用
いて、第１の基板１１を切断する。

【０１２９】つぎに第２の基板１２の製造方法を説明す
る。第２の基板１２はホウ珪酸ガラスや無アルカリガラ
スなどのガラス材料から構成する。そして、第２の基板
１２の上面の全面に、第２の透明電極１４と接続電極２
６と引き出し配線電極３０材料として、酸化インジウム
スズ（ＩＴＯ）膜を、スパッタリング装置を用いて形成
する。

【０１３０】その後、第２の基板１２を洗浄した後、感
光性樹脂としてホトレジストＺＰＰ−１７００（日本ゼ
オン製）を回転塗布法により形成する。その後、温度８
５℃で２０分間のプリベイク処理する。

【０１３１】その後、クロムによりパターンを形成した
ホトマスクを用いて、酸化インジウムスズ上のホトレジ
ストを、時間１０秒〜２０秒露光処理し、ＭＦ−３１２
（シプレー・ファーイースト製）を使用して現像処理す
る。

【０１３２】その後、温度１３０℃で時間２０分間のポ
ストベイク処理を行う。さらにその後、このパターニン
グしたホトレジウトをエッチングマスクに用い、塩化第
二鉄と塩酸と水をそれぞれ４：３：１の割合で混合した
エッチング液中に、第２の基板１２を、約１分間浸積し
て、揺動させホトレジストを形成していない領域の酸化
インジウムスズをエッチング除去して、第２の透明電極
１４と接続電極２６と引き出し配線電極３０とを形成す
る。

【０１３３】その後、温度６０℃に調整した剥離液Ａ−
１５０（コダマ製）中に第１の基板１２を浸積してレジ
ストを除去する。この結果、プラスチックス材料からな
る第２の基板１２上に、第２の透明電極１４と接続電極
２６と引き出し配線電極３０とを形成することができ
る。

【０１３４】この第２の基板１２上の第２の透明電極１
４と接続電極２６と引き出し配線電極３０との平面パタ
ーン形状は、図４の平面図に示す。

【０１３５】つぎに、第１の基板１１と第２の基板１２
とに、それぞれポリイミドやポリアミック酸やポリアミ
ドなどの有機系樹脂からなる配向膜１７（オプトマーＡ
Ｌ３１００／日本合成ゴム製）を印刷法により形成す
る。

【０１３６】その後、温度２００℃で１時間加熱炉中で
焼成処理した後、配向膜１７の表面を布で擦るラビング
処理を行って、第１の基板１１と第２の基板１２との配
向膜１７に配向処理を行う。

【０１３７】さらに、第２の基板１２と対第１の基板１
１との隙間寸法を一定の間隔に保つように、第２の基板
１２上にガラスやプラスチックスからビーズ状のギャッ
プ材（図示せず）を形成する。こののギャップ材は、湿
式もしくは乾式スペーサー散布機を用いて一様な密度分
布になるよう散布する。

【０１３８】つぎに、第２の基板１２の表示部の周辺領
域に、第１の基板１１と第２の基板１２とを貼り合わせ
るための光硬化型接着剤シール材１８を、スクリーン印
刷機やディスペンサー装置を使用して形成する。

【０１３９】このとき、光硬化型接着剤シール材１８と
して使用する接着剤は、紫外線硬化型接着剤（チバガイ
ギー製商品名ＮＲＴ５６１３）や可視光硬化型接着剤
（東亜合成製）や光硬化型接着剤を使用する。

【０１４０】さらに光硬化型接着剤シール材１８内に混
在させる異方性導電粒子１９は、ミクロパールＡｕ−２
０５５（積水ファインケミカル製）の粒径５．５μｍの
ものを用いる。

【０１４１】光硬化型接着剤シール材１８に対する異方
性導電粒子１９の混入条件は、第１の基板１１と第２の
基板１２との間の隙間寸法であるセルギャップと、第１
の基板１１と第２の基板１２との導通部に設ける第１の
透明電極１６と引き出し配線電極３０の幅寸法とその配
線間のスペース幅寸法とにより制御する。

【０１４２】本発明の実施例では、５μｍのセルギャッ
プ寸法をもつ液晶表示パネルでは、第１の透明電極１６
と引き出し配線電極３０の配線幅２０μｍで配線間のス
ペース幅２０μｍとしている。

【０１４３】そして光硬化型接着剤シール材１８は、紫
外線硬化型を使用し、１００重量部に対して異方性導電
粒子１９は、直径５．５μｍのものを１．５重量部混入
し、さらに異方性導電粒子１９が良好に分離するように
するためにビーズ２０を混入している。

【０１４４】このビーズ２０としては、直径４．７５μ
ｍのプラスチックスビーズ（ＳＰ−２０４７５／積水フ
ァインケミカル製）を１重量部混入する。

【０１４５】さらに光硬化型接着剤シール材１８の中に
は、図示していないがギャップ材を混入している。この
ギャップ材としては、直径５．１μｍの円柱状ガラスフ
ァイバー（ＰＳ−５１Ｓ／日本電気ガラス製）を１．５
重量部混入する。

【０１４６】そしてこれらの異方性導電粒子１９とビー
ズ２０とギャップ材とを混入した光硬化型接着剤シール
材１８を、３本ロールを使用して、樹脂と混入物を５
回、回転混入と戻しを繰り返し混ぜ合わせることによ
り、光硬化型接着剤シール材１８とした。

【０１４７】この光硬化型接着剤シール材１８の形成方
法は、市販の羽型（スクリュー型）ミキサーを使用し約
１０分以上の時間、混ぜ合わせてもよい。

【０１４８】この異方性導電粒子１９の入った光硬化型
接着剤シール材１８をネマティック液晶２５のシール材
として使用して、第１の基板１１と第２の基板１２上に
酸化インジウムスズから形成されているアライメントマ
ーク３２（図３参照）を用いて精度よく重ね合わせる。

【０１４９】その後、光硬化型接着剤シール材１８が紫
外線硬化型のときは、紫外線の波長が３６５ｎｍを、光
量約４０００ｍＪ／ｃｍ² の条件で紫外線照射して、樹
脂硬化させてシール材とする。

【０１５０】このとき第１の基板１１と第２の基板１２
とを、０．４〜０．８ｋｇ／ｃｍ²程度の条件加圧しな
がら光照射する。

【０１５１】光硬化型接着剤シール材１８が可視光硬化
型接着剤は、波長４００ｎｍ以上の光を光量約４０００
ｍＪ／ｃｍ² の条件で照射し、０．４〜０．８ｋｇ／ｃ
ｍ²程度加圧を加えながら樹脂硬化させ、シール材とす
る。

【０１５２】これにより、第１の基板１１の第１の透明
電極１６は、異方性導電粒子１９が入った光硬化型接着
剤シール材１８を介在させて、第２の基板１２の第２の
透明電極１４の引き出し配線電極３０と導通を得ること
が、シール材の形成と同時にできる。

【０１５３】さらに、第１の基板１１の第１の透明電極
１４は、第２の基板１２に形成した引き出し配線電極３
０を通して半導体集積回路２７を実装する接続電極２６
に接続されることになり、外部の駆動回路に接続する外
部入力電極３１に接続されることになる。

【０１５４】つぎに、真空注入法を用いてネマティック
液晶２５を第１の基板１１と第２の基板１２との間に注
入し、さらに液晶注入孔を封孔処理して、液晶表示パネ
ルとする。

【０１５５】つぎに、偏光板２３を第１の基板１１の上
に貼り付ける。その後、さらにディスペンサーを用い第
１の基板１１の外側領域に光硬化型接着剤２１からなる
シールパターンを形成する。このとき、光硬化型接着剤
２１からなるシールパターンは、偏光板２３より一周り
大きく形成する。

【０１５６】つぎに、反射板１３上にギャップ材２４と
してビーズスペーサを散布し、すでに偏光板２３が貼ら
れている第１の基板１２と張り合わせ、光照射を行い光
硬化型接着剤２１を硬化させる。

【０１５７】この反射板１３は、ガラス基板の片面にホ
ーニング処理を行い、ガラス基板の表面あらさをあらく
して、その後クロムや銀など薄膜からなる反射層を膜形
成して反射板１３する。あるいは市販のポリエーテルサ
ルホン上にアルミニウムを形成して形成した反射板（木
本製）を用いてもよい。

【０１５８】つぎに、第１の基板１１と反射板１３に挟
まれた中の反射膜をそれ以上の酸化が進み表面反射率が
低下しないように封孔を行う。

【０１５９】さらに、第２の基板１２の外側に偏光板２
２を貼りつける。第１の基板１１の偏光板２３と第２の
基板１２の偏光板２２とは、その偏光軸が直行するよう
に構成して単純マトリクスで反射型の液晶表示パネルと
する。

【０１６０】つぎにアクティブマトリクッス型で反射型
の液晶表示パネルの製造方法を説明する。まじめに図２
を用いて液晶表示パネルの構成を説明する。図２は本発
明の実施例に用いたアクティブマトリクッス方式の反射
型液晶表示パネルのセル構造図である。

【０１６１】プラスチックス材料からなる第１の基板１
１には、第１の透明電極１６と、この第１の透明電極１
６上に配向膜１７を備える。

【０１６２】ガラス材料からなる第２の基板１２には、
薄膜ダイオード素子や薄膜トランジスタからなるアクテ
ィブ素子２９を備え、さらにアクティブ素子２９上に配
向膜１７を備える。

【０１６３】第１の基板１１と第２の基板１２との外側
には、それぞれ偏光板２３と偏光板２２を備える。

【０１６４】さらに光硬化型接着剤シール材１８を用い
て貼り合わせる第１の基板１１と第２の基板１２との間
には、図示しないギャップ材とネマティク液晶２５とを
備える。この光硬化型接着剤シール材１８の中には、異
方性導電粒子１９と分散球としてビーズ２０とを備え
る。

【０１６５】さらに、第１の基板１１の偏光板２３の外
側に設けるギャップ材２４を介して反射板１３を設け
る。この反射板１３と偏光板２３との間には、光硬化型
接着剤２１を設ける。そしてこの光硬化型接着剤２１が
反射板１３と偏光板２３とを貼り合わせる役割をもつ。

【０１６６】さらに、第２の基板１２の表示領域周辺
に、液晶表示パネルを駆動するための半導体集積回路２
７を備え、さらに外部の駆動回路と接続するための可撓
性基板２８を備える。

【０１６７】図６と図７とには、本発明に実施例におけ
る液晶表示パネルに使用したアクティブ素子２９として
薄膜ダイオード素子を示す。この図６と図７とを用いて
薄膜ダイオード素子の構成を説明する。なお図７は、図
６の平面図のＣ−Ｃ線における断面を示す断面図であ
る。以下、図６と図７とを交互に参照して説明する。

【０１６８】まず、第２の基板１２上に、下部電極層と
信号電極３５となるタンタル膜３４を設ける。さらにそ
のタンタル膜３４表面に五酸化タンタル膜３６を設け
る。さらに、薄膜ダイオード素子の上部電極層となり酸
化インジウムスズ膜からなる画素電極３７を設ける。

【０１６９】そしてタンタル電極３４と画素電極３７と
が交差し、オーバーラップする領域が、薄膜ダイオード
となる。この薄膜ダイオードがアクティブ素子２９とな
る。なおこの薄膜ダイオードのアクティブ素子２９以外
に薄膜トランジスタも、本発明では適用することができ
る。

【０１７０】つぎに図８を用いて図６と図７とに示すア
クティブ素子２９を適用する本発明の実施例における液
晶表示パネルの電極パターン構成を示す。

【０１７１】図８に示すように、第２の基板１２上にア
クティブ素子２９と信号電極３５とを備える。そしてそ
の信号電極３５は、半導体集積回路２７の接続電極２６
に接続し、さらに外部の駆動回路との接続領域である外
部入力電極３１を備える。

【０１７２】さらに第２の基板１２の長手方向に、引き
出し配線電極３０と、半導体集積回路２７を実装する接
続電極２６と、外部駆動回路となる可撓性基板２８と接
続する外部入力電極３１とを設ける。

【０１７３】すなわち図８に示すように、第２の基板１
２の隣合う２辺に引き出し配線電極３０と、接続電極２
６と、外部入力電極３１とを設けている。

【０１７４】第１の基板１１上には、第２の基板１２の
配線電極３８と直交するように、第２の透明電極１６を
備える。さらに第１の基板１１と第２の基板１２とを重
ね合わせるときの位置決めの役割をもつ、アライメント
マーク３２を設ける。

【０１７５】つぎにアクティブ素子を備える液晶表示パ
ネルの製造方法を、図２と図６と図７と図８とを用いて
説明する。以下の説明ではアクティブ素子として、薄膜
ダイオードを適用する実施例で説明する

【０１７６】まずはじめに第２の基板１２の製造方法を
説明する。第２の基板１２は、ガラス材料を用いる。そ
して第２の基板１２上に、薄膜ダイオード素子の下部電
極層と信号電極３５と引き出し配線電極３０と接続電極
２６と外部入力電極３１となるタンタル膜をスパッタリ
ング装置を用いて形成する。

【０１７７】その後、タンタル膜の上に回転塗布法を用
いて感光性材料であるホトレジストを形成する。その
後、所定のホトマスクを用いて露光処理と現像処理とを
行い、ホトレジストを、図６に示すタンタル電極３４と
信号電極３５と、さらに図８に示す引き出し配線電極３
０と接続電極２６と外部入力電極３１に対応する形状に
パターニングする。

【０１７８】その後、このパターニングしたホトレジス
トをエッチングマスクに用いて、タンタル膜をエッチン
グする。タンタル膜のエッチング処理は、反応性イオン
エッチング装置を用い、エッチングガスとして六フッ化
イオウと酸素との混合ガスを使用しておこなう。

【０１７９】その後、エッチングマスクとして用いたホ
トレジストを除去する。この結果、タンタル電極３４と
信号電極３５と引き出し配線電極３０と接続電極２６と
外部入力電極３１とを、第２の基板１２上に形成するこ
とができる。このとき、好ましくはアライメントマーク
３２もタンタル膜で形成するとよい。

【０１８０】その後、陽極酸化処理を行い、図７に示す
ようにタンタル電極３４上に五酸化タンタル膜３６を形
成する。この五酸化タンタル膜３６を形成する陽極酸化
処理は、陽極酸化液としてクエン酸０．１％水溶液を用
い、４０Ｖの電圧を印加しておこなう。

【０１８１】その後、全面に画素電極３７材料と薄膜ダ
イオード素子の上部電極層として、酸化インジウムスズ
膜を形成する。

【０１８２】その後、酸化インジウムスズ膜の上に回転
塗布法を用いて感光性材料であるホトレジストを形成す
る。その後、所定のホトマスクを用いて露光処理と現像
処理とを行い、ホトレジストを、図６に示す画素電極３
７に対応する形状にパターニングする。

【０１８３】その後、このパターニングしたホトレジス
トをエッチングマスクに用いて、酸化インジウムスズ膜
をエッチングする。この酸化インジウムスズ膜のエッチ
ング処理は、塩化第二鉄と塩酸と水をそれぞれ４：３：
１の割合で混合したエッチング液を用いて行う。

【０１８４】その後、エッチングマスクとして用いたホ
トレジストを除去する。この結果、タンタル電極３４と
五酸化タンタル膜３６と画素電極３７構造からなる薄膜
ダイオード素子のアクティブ素子２９を形成することが
できる。

【０１８５】つぎに、第１の基板１１の製造方法を説明
する。第１の基板１１の材料はポリカーボネートやポリ
アリレートなどのプラスチックスから構成する。そして
第１の基板１１上に、保護膜１５としてアクリル系樹脂
からなる保護膜ＪＳＳ７１５（日本合成ゴム製）を回転
塗布法装置を用い、全面に形成する。

【０１８６】このとき、プラスチックス材料からなる第
１の基板１１の表面処理は必要とせず、さらに第１の基
板１１の平面形状の大きさは、後工程で切断を行うた
め、液晶表示パネルが複数個取れる大きさでもよい。

【０１８７】その後、保護膜１５を硬化させるために加
熱炉中で焼成処理する。このときの保護膜１５膜厚は
０．５μｍ〜２．５μｍとする。

【０１８８】その後、図示しないが酸化シリコン膜（Ｓ
ｉＯ₂ ）を１０ｎｍ程度の膜厚で、保護膜１５上に形成
する。この酸化シリコン膜は、この上面に形成する透明
電極膜との密着力を上げるために真空蒸着法により、膜
形成する。

【０１８９】その後、第１の透明電極１６を形成するた
めに、低温スパッタリング法により酸化インジウムスズ
（ＩＴＯ）膜を形成する。このとき、スパッタリング装
置のチャンバー内の温度は、プラスチックス材料からな
る第１の基板１１のガラス転移温度（Ｔｇ）以下で行
う。本発明の実施例では温度１００℃で５時間の条件で
行った。

【０１９０】その後、第１の基板１１を洗浄した後、感
光性樹脂としてホトレジストＺＰＰ−１７００（日本ゼ
オン製）を回転塗布法により形成する。その後、温度８
５℃で２０分間のプリベイク処理する。

【０１９１】その後、クロムによりパターンを形成した
ホトマスクを用いて、酸化インジウムスズ上のホトレジ
ストを、時間１０秒〜２０秒露光処理し、ＭＦ−３１２
（シプレー・ファーイースト製）を使用して現像処理す
る。

【０１９２】その後、温度１３０℃で時間２０分間のポ
ストベイク処理を行う。さらにその後、このパターニン
グしたホトレジウトをエッチングマスクに用い、塩化第
二鉄と塩酸と水をそれぞれ４：３：１の割合で混合した
エッチング液中に、第１の基板１１を、約１分間浸積し
て、揺動させホトレジストを形成していない領域の酸化
インジウムスズをエッチング除去して、第１の透明電極
１６を形成する。

【０１９３】その後、温度６０℃に調整した剥離液Ａ−
１５０（コダマ製）中に第１の基板１１を浸積してレジ
ストを除去する。この結果、プラスチックス材料からな
る第１の基板１１上に第１の透明電極１６を形成するこ
とができる。

【０１９４】この第１の基板１１上の第１の透明電極１
６の平面パターン形状は、図４の平面図に示す。

【０１９５】その後、あらかじめ決められた所定の大き
さである、半導体集積回路２７を実装する接続電極２６
と、外部の駆動回路への引き出し配線電極３０を除いた
大きさに、チェーンソウやセラミック製のカッターを用
いて、第１の基板１１を切断する。

【０１９６】つぎに第２の基板１２の製造方法を説明す
る。第２の基板１２はホウ珪酸ガラスや無アルカリガラ
スなどのガラス材料から構成する。そして、第２の基板
１２の上面の全面に、第２の透明電極１４と接続電極２
６と引き出し配線電極３０材料として、酸化インジウム
スズ（ＩＴＯ）膜を、スパッタリング装置を用いて形成
する。

【０１９７】その後、第２の基板１２を洗浄した後、感
光性樹脂としてホトレジストＺＰＰ−１７００（日本ゼ
オン製）を回転塗布法により形成する。その後、温度８
５℃で２０分間のプリベイク処理する。

【０１９８】その後、クロムによりパターンを形成した
ホトマスクを用いて、酸化インジウムスズ上のホトレジ
ストを、時間１０秒〜２０秒露光処理し、ＭＦ−３１２
（シプレー・ファーイースト製）を使用して現像処理す
る。

【０１９９】その後、温度１３０℃で時間２０分間のポ
ストベイク処理を行う。さらにその後、このパターニン
グしたホトレジウトをエッチングマスクに用い、塩化第
二鉄と塩酸と水をそれぞれ４：３：１の割合で混合した
エッチング液中に、第２の基板１２を、約１分間浸積し
て、揺動させホトレジストを形成していない領域の酸化
インジウムスズをエッチング除去して、第２の透明電極
１４と接続電極２６と引き出し配線電極３０とを形成す
る。

【０２００】その後、温度６５０℃に調整した剥離液Ａ
−１５０（コダマ製）中に第１の基板１２を浸積してレ
ジストを除去する。この結果、プラスチックス材料から
なる第２の基板１２上に、第２の透明電極１４と接続電
極２６と引き出し配線電極３０とを形成することができ
る。

【０２０１】この第２の基板１２上の第２の透明電極１
４と接続電極２６と引き出し配線電極３０との平面パタ
ーン形状は、図４の平面図に示す。

【０２０２】つぎに、第１の基板１１と第２の基板１２
とに、それぞれポリイミドやポリアミック酸やポリアミ
ドなどの有機系樹脂からなる配向膜１７（オプトマーＡ
Ｌ３１００／日本合成ゴム製）を印刷法により形成す
る。

【０２０３】その後、温度２００℃で１時間加熱炉中で
焼成処理した後、配向膜１７の表面を布で擦るラビング
処理を行って、第１の基板１１と第２の基板１２との配
向膜１７に配向処理を行う。

【０２０４】さらに、第２の基板１２と対第１の基板１
１との隙間寸法を一定の間隔に保つように、第２の基板
１２上にガラスやプラスチックスからビーズ状のギャッ
プ材（図示せず）を形成する。こののギャップ材は、湿
式もしくは乾式スペーサー散布機を用いて一様な密度分
布になるよう散布する。

【０２０５】つぎに、第２の基板１２の表示部の周辺領
域に、第１の基板１１と第２の基板１２とを貼り合わせ
るための光硬化型接着剤シール材１８を、スクリーン印
刷機やディスペンサー装置を使用して形成する。

【０２０６】このとき、光硬化型接着剤シール材１８と
して使用する接着剤は、紫外線硬化型接着剤（チバガイ
ギー製商品名ＮＲＴ５６１３）や可視光硬化型接着剤
（東亜合成製）や光硬化型接着剤を使用する。

【０２０７】さらに光硬化型接着剤シール材１８内に混
在させる異方性導電粒子１９は、ミクロパールＡｕ−２
０５５（積水ファインケミカル製）の粒径５．５μｍの
ものを用いる。

【０２０８】光硬化型接着剤シール材１８に対する異方
性導電粒子１９の混入条件は、第１の基板１１と第２の
基板１２との間の隙間寸法であるセルギャップと、第１
の基板１１と第２の基板１２との導通部に設ける第１の
透明電極１６と引き出し配線電極３０の幅寸法とその配
線間のスペース幅寸法とにより制御する。

【０２０９】本発明の実施例では、５μｍのセルギャッ
プ寸法をもつ液晶表示パネルでは、第１の透明電極１６
と引き出し配線電極３０の配線幅２０μｍで配線間のス
ペース幅２０μｍとしている。

【０２１０】そして光硬化型接着剤シール材１８は、紫
外線硬化型を使用し、１００重量部に対して異方性導電
粒子１９は、直径５．５μｍのものを１．５重量部混入
し、さらに異方性導電粒子１９が良好に分離するように
するためにビーズ２０を混入している。

【０２１１】このビーズ２０としては、直径４．７５μ
ｍのプラスチックスビーズ（ＳＰ−２０４７５／積水フ
ァインケミカル製）を１重量部混入する。

【０２１２】さらに光硬化型接着剤シール材１８の中に
は、図示していないがギャップ材を混入している。この
ギャップ材としては、直径５．１μｍの円柱状ガラスフ
ァイバー（ＰＳ−５１Ｓ／日本電気ガラス製）を１．５
重量部混入する。

【０２１３】そしてこれらの異方性導電粒子１９とビー
ズ２０とギャップ材とを混入した光硬化型接着剤シール
材１８を、３本ロールを使用して、樹脂と混入物を５
回、回転混入と戻しを繰り返し混ぜ合わせることによ
り、光硬化型接着剤シール材１８とした。

【０２１４】この光硬化型接着剤シール材１８の形成方
法は、市販の羽型（スクリュー型）ミキサーを使用し約
１０分以上の時間、混ぜ合わせてもよい。

【０２１５】この異方性導電粒子１９の入った光硬化型
接着剤シール材１８をネマティック液晶２５のシール材
として使用して、第１の基板１１と第２の基板１２上に
酸化インジウムスズから形成されているアライメントマ
ーク３２（図３参照）を用いて精度よく重ね合わせる。

【０２１６】その後、光硬化型接着剤シール材１８が紫
外線硬化型のときは、紫外線の波長が３６５ｎｍを、光
量約４０００ｍＪ／ｃｍ² の条件で紫外線照射して、樹
脂硬化させてシール材とする。

【０２１７】このとき第１の基板１１と第２の基板１２
とを、０．４〜０．８ｋｇ／ｃｍ²程度の条件加圧しな
がら光照射する。

【０２１８】光硬化型接着剤シール材１８が可視光硬化
型接着剤は、波長４００ｎｍ以上の光を光量約４０００
ｍＪ／ｃｍ² の条件で照射し、０．４〜０．８ｋｇ／ｃ
ｍ²程度加圧を加えながら樹脂硬化させ、シール材とす
る。

【０２１９】これにより、第１の基板１１の第１の透明
電極１６は、異方性導電粒子１９が入った光硬化型接着
剤シール材１８を介在させて、第２の基板１２の第２の
透明電極１４の引き出し配線電極３０と導通を得ること
が、シール材の形成と同時にできる。

【０２２０】さらに、第１の基板１１の第１の透明電極
１４は、第２の基板１２に形成した引き出し配線電極３
０を通して半導体集積回路２７を実装する接続電極２６
に接続されることになり、外部の駆動回路に接続する外
部入力電極３１に接続されることになる。

【０２２１】つぎに、真空注入法を用いてネマティック
液晶２５を第１の基板１１と第２の基板１２との間に注
入し、さらに液晶注入孔を封孔処理して、液晶表示パネ
ルとする。

【０２２２】つぎに、偏光板２３を第１の基板１１の上
に貼り付ける。その後、さらにディスペンサーを用い第
１の基板１１の外側領域に光硬化型接着剤２１からなる
シールパターンを形成する。このとき、光硬化型接着剤
２１からなるシールパターンは、偏光板２３より一周り
大きく形成する。

【０２２３】つぎに、反射板１３上にギャップ材２４と
してビーズスペーサを散布し、すでに偏光板２３が貼ら
れている第１の基板１２と張り合わせ、光照射を行い光
硬化型接着剤２１を硬化させる。

【０２２４】この反射板１３は、ガラス基板の片面にホ
ーニング処理を行い、ガラス基板の表面あらさをあらく
して、その後クロムや銀など薄膜からなる反射層を膜形
成して反射板１３する。あるいは市販のポリエーテルサ
ルホン上にアルミニウムを形成して形成した反射板（木
本製）を用いてもよい。

【０２２５】つぎに、第１の基板１１と反射板１３に挟
まれた中の反射膜をそれ以上の酸化が進み表面反射率が
低下しないように封孔を行う。

【０２２６】さらに、第２の基板１２の外側に偏光板２
２を貼りつける。第１の基板１１の偏光板２３と第２の
基板１２の偏光板２２とは、その偏光軸が直行するよう
に構成してアクティブマトリクスで反射型の液晶表示パ
ネルとする。

【０２２７】また、第２の基板１２に薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）素子（図示せず）を形成するときは、第１の
基板１１上の第１の透明電極１６の全面に形成すればよ
く、パターニングの必要なく全面ベタ電極でよいために
より簡単な構造になる。

【０２２８】

【発明の効果】以上説明から明らかなように、本発明の
製造方法による液晶表示パネルは、第１の基板のプラス
チックス基板上の第１の透明電極を第２の基板に設ける
第１の基板１１用の半導体集積回路用の配線電極に異方
性導電粒子を介して接続する。このことにより、第１の
基板の第１の透明電極は、屈曲したところが無い直線の
みと単純化が可能となる。さらに、第１の基板１の第１
の透明電極のシート抵抗値が１０Ω／□以上で膜厚が薄
いときでも、電極配線パターンの形状が簡単なことから
エッチング条件も容易で歩留まりも向上する。

【０２２９】さらに、あらかじめ第１の基板の大きさを
製品となる外形の大きさで切断した後、大判のガラス基
板上に数個、対になるパターンを形成した液晶表示パネ
ルと貼り合わせ、その後、ガラス裏面側からスクライウ
ブ装置などで切断することにより多数個取りも可能とな
り、量産性が向上する。

【０２３０】また、第１の基板のプラスチックス基板を
０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍと薄くしその外側に偏光板と
反射板を２〜９μｍの粒径のギャップ材を介して貼り合
わせる。このことにより斜めから入射する光が液晶分子
を通過し反対側に出射光として出ていくときに液晶表示
の影が低減できるため良好な表示品質を有する液晶表示
パネルが得られる。

【０２３１】以上のように、本発明のプラスチックスか
らなる第１の基板とガラス材料からなる第２の基板とを
異方性導電シールで張り合わせることにより、軽量かつ
表示品質のよい反射型の液晶表示パネルの製造方法が可
能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例における液晶表示パネルの製造
方法を示す断面図である。

【図２】本発明の実施例における液晶表示パネルの製造
方法を示す断面図である。

【図３】本発明の実施例における液晶表示パネルの製造
方法を示す斜視図である。

【図４】本発明の実施例における液晶表示パネルの製造
方法を示す平面図である。

【図５】本発明の実施例における液晶表示パネルの製造
方法における異方性導電シール領域の導通部を示す平面
図である。

【図６】本発明の実施例における液晶表示パネルの製造
方法における薄膜ダイオード素子を示す平面図である。

【図７】本発明の実施例における液晶表示パネルの製造
方法における薄膜ダイオード素子を示す断面図である。

【図８】本発明の実施例における液晶表示パネルの製造
方法における電極配置を示す斜視図である。

【図９】従来例における液晶表示パネルを示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１１第１の基板１２第２の基板１３反射板１４第２透明電極１５保護膜１６第１の透明電極１７配向膜１８光硬化型接着剤シール材２１光硬化型接着剤２７半導体集積回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ０２Ｆ 1/1339 ５０５Ｇ０２Ｆ 1/1339 ５０５

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラスチックス材料からなる第１の基板
上に有機系高分子材料の保護膜を形成し、さらにその保
護膜上に第１の透明電極を形成し、さらに配向膜を形成
し、配向膜に配向処理を行う工程と、ガラス材料からな
る第２の基板に第２の透明電極を形成し、さらに配向膜
を形成し、配向膜に配向処理を行う工程と、異方性導電
粒子とビーズとギャップ材とを混入した光硬化型接着剤
シール材からなるシールパターンを第２の基板上に形成
し、さらに第２の基板にギャップ材を形成し、アライメ
ントマークを使用して第１の基板と第２の基板とを重ね
合わせる工程と、さらに光照射により光硬化型接着剤シ
ール材を硬化させる工程と、第１の基板の外側に偏光板
を貼りつけ、偏光板上にギャップ材を形成し、第１の基
板の周辺部には光硬化型接着剤を形成し、反射板を第１
の基板に貼り合わせる工程と、第２の基板の外側に偏光
板を貼りつける工程とを有することを特徴とする液晶表
示パネルの製造方法。
【請求項２】プラスチックス材質からなる第１の基板
上に有機系高分子材料の保護膜を形成し、さらにその保
護膜上に第１の透明電極を形成し、さらに配向膜を形成
し、配向膜に配向処理を行う工程と、ガラス材質からな
る第２の基板にアクティブ素子を形成し、さらに配向膜
を形成し、配向膜に配向処理を行う工程と、異方性導電
粒子とビーズとギャップ材とを混入した光硬化型接着剤
シール材を第２の基板上に形成し、さらに第２の基板に
ギャップ材を形成し、アライメントマークを用いて第１
の基板と第２の基板とを重ね合わせる工程と、さらに光
照射により光硬化型接着剤を硬化させる工程と、第１の
基板の外側に偏光板を貼りつけ、その偏光板上にギャッ
プ材を形成し、第１の基板の周辺部には光硬化型接着剤
を形成し、反射板を第１の基板に貼り合わせる工程と、
第２の基板の外側に偏光板を貼りつける工程とを有する
ことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項３】プラスチックス材質からなる第１の基板
上に有機系高分子材料の保護膜を形成し、さらにその保
護膜上に第１の透明電極を形成し、さらに配向膜を形成
し、配向膜に配向処理を行う工程と、ガラス材質からな
る第２の基板に薄膜ダイオードからなるアクティブ素子
を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜に配向処理を
行う工程と、異方性導電粒子とビーズとギャップ材とを
混入した光硬化型接着剤シール材を第２の基板上に形成
し、さらに第２の基板にギャップ材を形成し、アライメ
ントマークを用いて第１の基板と第２の基板とを重ね合
わせる工程と、さらに光照射により光硬化型接着剤を硬
化させる工程と、第１の基板の外側に偏光板を貼りつ
け、その偏光板上にギャップ材を形成し、第１の基板の
周辺部には光硬化型接着剤を形成し、反射板を第１の基
板に貼り合わせる工程と、第２の基板の外側に偏光板を
貼りつける工程とを有することを特徴とする液晶表示パ
ネルの製造方法。
【請求項４】プラスチックス材質からなる第１の基板
上に有機系高分子材料の保護膜を形成し、さらにその保
護膜上に第１の透明電極を形成し、さらに配向膜を形成
し、配向膜に配向処理を行う工程と、ガラス材質からな
る第２の基板に薄膜トランジスタからなるアクティブ素
子を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜に配向処理
を行う工程と、異方性導電粒子とビーズとギャップ材と
を混入した光硬化型接着剤シール材を第２の基板上に形
成し、さらに第２の基板にギャップ材を形成し、アライ
メントマークを用いて第１の基板と第２の基板とを重ね
合わせる工程と、さらに光照射により光硬化型接着剤を
硬化させる工程と、第１の基板の外側に偏光板を貼りつ
け、その偏光板上にギャップ材を形成し、第１の基板の
周辺部には光硬化型接着剤を形成し、反射板を第１の基
板に貼り合わせる工程と、第２の基板の外側に偏光板を
貼りつける工程とを有することを特徴とする液晶表示パ
ネルの製造方法。
【請求項５】プラスチックス材質からなる第１の基板
上に有機系高分子材料の保護膜を形成し、さらにその保
護膜上に第１の透明電極を形成し、さらに配向膜を形成
し、配向膜に配向処理を行う工程と、ガラス材質からな
る第２の基板に第２の透明電極を形成し、さらに配向膜
を形成し、配向膜に配向処理を行う工程と、異方性導電
粒子とビーズとギャップ材とを混入した光硬化型接着剤
シール材からなるシールパターンを第２の基板上に形成
し、さらに第２の基板にギャップ材を形成し、アライメ
ントマークを使用して第１の基板と第２の基板とを重ね
合わせる工程と、さらに光照射により光硬化型接着剤シ
ール材を硬化させる工程と、第１の基板の外側に偏光板
を貼りつけ、偏光板上にギャップ材を形成し、第１の基
板の周辺部には光硬化型接着剤を形成し、銀あるいはア
ルミニウムを形成した反射板を第１の基板に貼り合わせ
る工程と、第２の基板の外側に偏光板を貼りつける工程
とを有することを特徴とする液晶表示パネルの製造方
法。
【請求項６】プラスチックス材質からなる第１の基板
上に有機系高分子材料の保護膜を形成し、さらにその保
護膜上に第１の透明電極を形成し、さらに配向膜を形成
し、配向膜に配向処理を行う工程と、ガラス材質からな
る第２の基板にアクティブ素子を形成し、さらに配向膜
を形成し、配向膜に配向処理を行う工程と、異方性導電
粒子とビーズとギャップ材とを混入した光硬化型接着剤
シール材を第２の基板上に形成し、さらに第２の基板に
ギャップ材を形成し、アライメントマークを用いて第１
の基板と第２の基板とを重ね合わせる工程と、さらに光
照射により光硬化型接着剤を硬化させる工程と、第１の
基板の外側に偏光板を貼りつけ、その偏光板上にギャッ
プ材を形成し、第１の基板の周辺部には光硬化型接着剤
を形成し、銀あるいはアルミニウムを形成した反射板を
第１の基板に貼り合わせる工程と、第２の基板の外側に
偏光板を貼りつける工程とを有することを特徴とする液
晶表示パネルの製造方法。
【請求項７】プラスチックス材質からなる第１の基板
上に有機系高分子材料の保護膜を形成し、さらにその保
護膜上に第１の透明電極を形成し、さらに配向膜を形成
し、配向膜に配向処理を行う工程と、ガラス材質からな
る第２の基板に薄膜ダイオードからなるアクティブ素子
を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜に配向処理を
行う工程と、異方性導電粒子とビーズとギャップ材とを
混入した光硬化型接着剤シール材を第２の基板上に形成
し、さらに第２の基板にギャップ材を形成し、アライメ
ントマークを用いて第１の基板と第２の基板とを重ね合
わせる工程と、さらに光照射により光硬化型接着剤を硬
化させる工程と、第１の基板の外側に偏光板を貼りつ
け、その偏光板上にギャップ材を形成し、第１の基板の
周辺部には光硬化型接着剤を形成し、銀あるいはアルミ
ニウムを形成した反射板を第１の基板に貼り合わせる工
程と、第２の基板の外側に偏光板を貼りつける工程とを
有することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項８】プラスチックス材質からなる第１の基板
上に有機系高分子材料の保護膜を形成し、さらにその保
護膜上に第１の透明電極を形成し、さらに配向膜を形成
し、配向膜に配向処理を行う工程と、ガラス材質からな
る第２の基板に薄膜トランジスタからなるアクティブ素
子を形成し、さらに配向膜を形成し、配向膜に配向処理
を行う工程と、異方性導電粒子とビーズとギャップ材と
を混入した光硬化型接着剤シール材を第２の基板上に形
成し、さらに第２の基板にギャップ材を形成し、アライ
メントマークを用いて第１の基板と第２の基板とを重ね
合わせる工程と、さらに光照射により光硬化型接着剤を
硬化させる工程と、第１の基板の外側に偏光板を貼りつ
け、その偏光板上にギャップ材を形成し、第１の基板の
周辺部には光硬化型接着剤を形成し、銀あるいはアルミ
ニウムを形成した反射板を第１の基板に貼り合わせる工
程と、第２の基板の外側に偏光板を貼りつける工程とを
有することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。