JP2003271069A - 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 64
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 30
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 231100000289 photo-effect Toxicity 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- SZTBMYHIYNGYIA-UHFFFAOYSA-N 2-chloroacrylic acid Chemical group OC(=O)C(Cl)=C SZTBMYHIYNGYIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical compound OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- -1 benzyl dimethyl ketal Chemical compound 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N dibenzyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1COCC1=CC=CC=C1 MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- UCUUFSAXZMGPGH-UHFFFAOYSA-N penta-1,4-dien-3-one Chemical group C=CC(=O)C=C UCUUFSAXZMGPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001567 vinyl ester resin Chemical group 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、各画
素電極上に形成された有機ＥＬ素子は材料物性的に耐熱
性が著しく低いため半導体チップのＣＯＧ実装とフレキ
シブル配線基板の接続の際、従来の異方性導電フィルム
による加熱圧着工法では有機ＥＬ素子が熱劣化し、発光
輝度が著しく低下する。また、接続時の熱影響を少なく
するには接続部から画素電極領域までの距離を長くしな
ければならず、このためパネルが広額縁化、パネルサイ
ズも大型化となり小型携帯端末機器への適用が困難とな
る。 【解決手段】 有機ＥＬディスプレイパネルへの半導体
チップのＣＯＧ実装とフレキシブル配線基板の接続の
際、導電性粒子を混入させた絶縁性光硬化型樹脂を用い
て、光効果により電気的接続・固定を行うことで低温実
装が実現でき、有機ＥＬ素子を熱劣化させることなく狭
額縁の有機ＥＬディスプレイパネルを実現できる。
素電極上に形成された有機ＥＬ素子は材料物性的に耐熱
性が著しく低いため半導体チップのＣＯＧ実装とフレキ
シブル配線基板の接続の際、従来の異方性導電フィルム
による加熱圧着工法では有機ＥＬ素子が熱劣化し、発光
輝度が著しく低下する。また、接続時の熱影響を少なく
するには接続部から画素電極領域までの距離を長くしな
ければならず、このためパネルが広額縁化、パネルサイ
ズも大型化となり小型携帯端末機器への適用が困難とな
る。 【解決手段】 有機ＥＬディスプレイパネルへの半導体
チップのＣＯＧ実装とフレキシブル配線基板の接続の
際、導電性粒子を混入させた絶縁性光硬化型樹脂を用い
て、光効果により電気的接続・固定を行うことで低温実
装が実現でき、有機ＥＬ素子を熱劣化させることなく狭
額縁の有機ＥＬディスプレイパネルを実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流の注入によっ
て発光する有機化合物材料のエレクトロルミネセンス効
果を利用した、有機エレクトロルミネセンス材料の薄膜
からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子をマトリクス状に
配置した有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネ
ル（以下、有機ＥＬディスプレイパネルと称する）に関
するものである。
て発光する有機化合物材料のエレクトロルミネセンス効
果を利用した、有機エレクトロルミネセンス材料の薄膜
からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子をマトリクス状に
配置した有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネ
ル（以下、有機ＥＬディスプレイパネルと称する）に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯端末、モバイルＰＣ、携帯電
話等の表示デバイスとして有機ＥＬディスプレイパネル
が有望視されている。有機ＥＬディスプレイパネルは画
素自身が自己発光方式のためバックライトが不要で、か
つカラーフィルタを用いずにフルカラー表示が可能なた
め、広視野角、高コントラスト、優れた色再現性といっ
た特長を持ち、加えて高輝度、薄型、応答特性に優れる
などの特性を備えていることから、携帯電話やＰＤＡ
（携帯情報端末）向けに各社で開発が盛んに行われてい
る。
話等の表示デバイスとして有機ＥＬディスプレイパネル
が有望視されている。有機ＥＬディスプレイパネルは画
素自身が自己発光方式のためバックライトが不要で、か
つカラーフィルタを用いずにフルカラー表示が可能なた
め、広視野角、高コントラスト、優れた色再現性といっ
た特長を持ち、加えて高輝度、薄型、応答特性に優れる
などの特性を備えていることから、携帯電話やＰＤＡ
（携帯情報端末）向けに各社で開発が盛んに行われてい
る。
【０００３】有機ＥＬディスプレイパネルは、例えば特
開平９−１１５６７２号公報や特開平８−２２７２７６
号公報に記載されているように、マトリクス状に配置さ
れた個々の画素電極上に有機電界発光素子（以下、有機
ＥＬ素子と称する）を形成し、画素電極に加えた電圧に
より陰極から電子を注入しかつ陽極からホールを注入
し、電子とホールの再結合により発光をさせ、表示を行
うものであり、この発光は、有機電界発光材料層を挟ん
で陰極と陽極とが重なり合う部分で生じるものである。
開平９−１１５６７２号公報や特開平８−２２７２７６
号公報に記載されているように、マトリクス状に配置さ
れた個々の画素電極上に有機電界発光素子（以下、有機
ＥＬ素子と称する）を形成し、画素電極に加えた電圧に
より陰極から電子を注入しかつ陽極からホールを注入
し、電子とホールの再結合により発光をさせ、表示を行
うものであり、この発光は、有機電界発光材料層を挟ん
で陰極と陽極とが重なり合う部分で生じるものである。
【０００４】図７に従来における有機ＥＬディスプレイ
パネルの構成を示す。透明基板３０であるガラス基板上
にはマトリクス状に並置配列されたインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）から成る複数の島状の透明電極３１と、この
透明電極３１に接続された非線形素子３２、たとえば互
いに接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がフォトリ
ソグラフィや真空蒸着技術などによって形成されてい
る。非線形素子３２上には平坦化のため感光性樹脂によ
る平坦化膜３９が数ミクロン形成され、平坦化膜３９を
フォトリソグラフィによって開口した開口部４０から非
線形素子３２と透明電極３１が電気的に接続されてい
る。平坦化膜３９上には感光性樹脂から成る突起３８が
形成されている。陽極となる透明電極３１上にはホール
輸送層３３、発光層３４及び電子輸送層３５の有機媒体
が薄膜で形成され、最上層には陰極３６である金属薄膜
が形成されている。これらの薄膜は例えば真空蒸着法で
順次成膜されたもので、陽極である透明電極３１と陰極
３６との間に直流電圧を選択的に印加することによっ
て、透明電極３１から注入されたホールがホール輸送層
３３を経て、また陰極３６から注入された電子が電子輸
送層３５を経て、それぞれ発光層３４に到達して電子と
ホールの再結合が生じ、ここから所定波長の発光３７が
生じ、透明基板３０の側から発光表示ができるものであ
る。また、このとき、赤色発光３７−Ｒ、緑色発光３７
−Ｇ、青色発光３７−Ｂというように各色ごとに発光物
質が異なる発光層３４をそれぞれ個々に透明電極３１上
に並置配列形成することによりフルカラー表示を行うこ
とが可能となる。
パネルの構成を示す。透明基板３０であるガラス基板上
にはマトリクス状に並置配列されたインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）から成る複数の島状の透明電極３１と、この
透明電極３１に接続された非線形素子３２、たとえば互
いに接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がフォトリ
ソグラフィや真空蒸着技術などによって形成されてい
る。非線形素子３２上には平坦化のため感光性樹脂によ
る平坦化膜３９が数ミクロン形成され、平坦化膜３９を
フォトリソグラフィによって開口した開口部４０から非
線形素子３２と透明電極３１が電気的に接続されてい
る。平坦化膜３９上には感光性樹脂から成る突起３８が
形成されている。陽極となる透明電極３１上にはホール
輸送層３３、発光層３４及び電子輸送層３５の有機媒体
が薄膜で形成され、最上層には陰極３６である金属薄膜
が形成されている。これらの薄膜は例えば真空蒸着法で
順次成膜されたもので、陽極である透明電極３１と陰極
３６との間に直流電圧を選択的に印加することによっ
て、透明電極３１から注入されたホールがホール輸送層
３３を経て、また陰極３６から注入された電子が電子輸
送層３５を経て、それぞれ発光層３４に到達して電子と
ホールの再結合が生じ、ここから所定波長の発光３７が
生じ、透明基板３０の側から発光表示ができるものであ
る。また、このとき、赤色発光３７−Ｒ、緑色発光３７
−Ｇ、青色発光３７−Ｂというように各色ごとに発光物
質が異なる発光層３４をそれぞれ個々に透明電極３１上
に並置配列形成することによりフルカラー表示を行うこ
とが可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成における有機ＥＬディスプレイパネルにおい
て、パネルの個々の画素電極上に形成された有機ＥＬ素
子は材料物性的に耐熱性が著しく低い。そのため、パネ
ル上にドライバーＩＣチップやフレキシブル配線基板を
従来の異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いた加熱圧着
工法では実装部の熱がパネル基板から画素に伝わり、加
熱され、個々の画素上に形成された有機ＥＬ素子が熱に
よって劣化するものであった。
うな構成における有機ＥＬディスプレイパネルにおい
て、パネルの個々の画素電極上に形成された有機ＥＬ素
子は材料物性的に耐熱性が著しく低い。そのため、パネ
ル上にドライバーＩＣチップやフレキシブル配線基板を
従来の異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いた加熱圧着
工法では実装部の熱がパネル基板から画素に伝わり、加
熱され、個々の画素上に形成された有機ＥＬ素子が熱に
よって劣化するものであった。
【０００６】図８は一般的なパネル厚さが０．７ｍｍの
ガラス基板を用いて、従来のＡＣＦ（異方性導電フィル
ム）を用いた加熱圧着工法による実装温度Ｔ１と実装部
からの距離Ｌに対するパネル表面温度Ｔ２の関係を実測
したグラフである。接続時間は１５秒である。これによ
ると、従来の異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いたド
ライバーＩＣチップやフレキシブル配線基板の加熱圧着
における実装温度Ｔ１が１９０℃の場合、実装部から２
ｍｍ離れた距離Ｌのパネル表面温度Ｔ２は有機ＥＬ材料
の一般的な耐熱温度の８０℃を大きく上回る９０℃以上
に達する結果が得られた。すなわち、実装部から２ｍｍ
離れた距離に設けられた有機ＥＬ材料は実装温度によっ
て熱劣化が生じ、有機ＥＬディスプレイパネルにおいて
は、個々の画素の発光輝度は著しく低下し、表示品位が
損なわれると同時に有機ＥＬディスプレイパネルの信頼
性が著しく低下するものである。従って、有機ＥＬディ
スプレイパネルにおいては従来の異方性導電フィルム
（ＡＣＦ）による実装方法は非常に困難となるものであ
った。
ガラス基板を用いて、従来のＡＣＦ（異方性導電フィル
ム）を用いた加熱圧着工法による実装温度Ｔ１と実装部
からの距離Ｌに対するパネル表面温度Ｔ２の関係を実測
したグラフである。接続時間は１５秒である。これによ
ると、従来の異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いたド
ライバーＩＣチップやフレキシブル配線基板の加熱圧着
における実装温度Ｔ１が１９０℃の場合、実装部から２
ｍｍ離れた距離Ｌのパネル表面温度Ｔ２は有機ＥＬ材料
の一般的な耐熱温度の８０℃を大きく上回る９０℃以上
に達する結果が得られた。すなわち、実装部から２ｍｍ
離れた距離に設けられた有機ＥＬ材料は実装温度によっ
て熱劣化が生じ、有機ＥＬディスプレイパネルにおいて
は、個々の画素の発光輝度は著しく低下し、表示品位が
損なわれると同時に有機ＥＬディスプレイパネルの信頼
性が著しく低下するものである。従って、有機ＥＬディ
スプレイパネルにおいては従来の異方性導電フィルム
（ＡＣＦ）による実装方法は非常に困難となるものであ
った。
【０００７】また、携帯電話等の小型携帯端末機器への
適用を考慮した場合、パネルサイズは必要以上に大きく
することは設計的に困難であり、有効画素領域以外の領
域を少なくした狭額縁なパネル設計が行われるが、これ
によって画素領域とパネル基板の端部との距離は少なく
なり、２〜３型の有機ＥＬディスプレイパネルでは接続
部と画素領域との距離はおおよそ１ｍｍとなるものであ
る。そのため、図８に示すように、従来の１９０℃でド
ライバーＩＣチップおよびフレキシブル配線基板を実装
温度Ｔ１で接続した際、実装部から１ｍｍ離れた距離Ｌ
のパネル表面温度Ｔ２は最高で１００℃を越える高温と
なり、狭額縁化の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて
は異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いた実装工法は適
用することができない。
適用を考慮した場合、パネルサイズは必要以上に大きく
することは設計的に困難であり、有効画素領域以外の領
域を少なくした狭額縁なパネル設計が行われるが、これ
によって画素領域とパネル基板の端部との距離は少なく
なり、２〜３型の有機ＥＬディスプレイパネルでは接続
部と画素領域との距離はおおよそ１ｍｍとなるものであ
る。そのため、図８に示すように、従来の１９０℃でド
ライバーＩＣチップおよびフレキシブル配線基板を実装
温度Ｔ１で接続した際、実装部から１ｍｍ離れた距離Ｌ
のパネル表面温度Ｔ２は最高で１００℃を越える高温と
なり、狭額縁化の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて
は異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いた実装工法は適
用することができない。
【０００８】従って、接続時の熱の伝わりからの熱影響
を少なくするために接続部から画素電極領域までの距離
を長くする方法も考えられるが、そうすると、パネルの
額縁が著しく広くなり、パネルサイズは有効画素面積に
対し、極めて大型化し、携帯電話、モバイルＰＣ等の小
型携帯端末機器への適用が極めて困難となり、現実的で
はない。
を少なくするために接続部から画素電極領域までの距離
を長くする方法も考えられるが、そうすると、パネルの
額縁が著しく広くなり、パネルサイズは有効画素面積に
対し、極めて大型化し、携帯電話、モバイルＰＣ等の小
型携帯端末機器への適用が極めて困難となり、現実的で
はない。
【０００９】さらには、近年では機器の薄型化を図る目
的でパネル自体を薄くする試みも行われており、それを
図るため、パネル基板厚を０．５ｍｍと非常に薄い基板
が用いられる。このため、従来の加熱加圧方式の接続工
法では高温、高圧の接続のため、パネル基板の割れ、カ
ケ、周辺部品の熱膨張・劣化等が生じ、有機ＥＬディス
プレイパネルの製造歩留まりが著しく低下し、コストが
高騰するものであった。
的でパネル自体を薄くする試みも行われており、それを
図るため、パネル基板厚を０．５ｍｍと非常に薄い基板
が用いられる。このため、従来の加熱加圧方式の接続工
法では高温、高圧の接続のため、パネル基板の割れ、カ
ケ、周辺部品の熱膨張・劣化等が生じ、有機ＥＬディス
プレイパネルの製造歩留まりが著しく低下し、コストが
高騰するものであった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の問題点を
解決すべくなされたものであり、ドライバーＩＣチップ
のＣＯＧ実装、および有機ＥＬディスプレイパネルの接
続電極部とフレキシブル配線基板とを電気的に接続を行
う際において、導電性粒子を混入させた絶縁性光硬化型
樹脂を用いて、電気的接続及び固定を行うことにより有
機ＥＬディスプレイパネルの画素領域に形成された有機
ＥＬ素子を熱劣化させることなく、かつ狭額縁の有機Ｅ
Ｌディスプレイパネルを実現することが可能となるもの
である。
解決すべくなされたものであり、ドライバーＩＣチップ
のＣＯＧ実装、および有機ＥＬディスプレイパネルの接
続電極部とフレキシブル配線基板とを電気的に接続を行
う際において、導電性粒子を混入させた絶縁性光硬化型
樹脂を用いて、電気的接続及び固定を行うことにより有
機ＥＬディスプレイパネルの画素領域に形成された有機
ＥＬ素子を熱劣化させることなく、かつ狭額縁の有機Ｅ
Ｌディスプレイパネルを実現することが可能となるもの
である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。
て図面を用いて説明する。
【００１２】（実施の形態１）本発明における第１の実
施形態について説明する。図１は駆動用ドライバーＩＣ
である半導体チップが実装された構成の有機ＥＬディス
プレイパネルを示したものである。図１において、１は
有機ＥＬパネル、２は基板、３は画素領域、４は有機Ｅ
Ｌ素子、５は接続電極、１５は半導体チップ、１６は突
起電極、８は絶縁性光硬化型樹脂、９は導電性粒子、１
０は光照射、１１は封止キャップである。有機ＥＬパネ
ル１の基板２は、光透過性である必要がある。
施形態について説明する。図１は駆動用ドライバーＩＣ
である半導体チップが実装された構成の有機ＥＬディス
プレイパネルを示したものである。図１において、１は
有機ＥＬパネル、２は基板、３は画素領域、４は有機Ｅ
Ｌ素子、５は接続電極、１５は半導体チップ、１６は突
起電極、８は絶縁性光硬化型樹脂、９は導電性粒子、１
０は光照射、１１は封止キャップである。有機ＥＬパネ
ル１の基板２は、光透過性である必要がある。
【００１３】本発明では絶縁抵抗が１０Ｅ８Ω・ｃｍ程
度の絶縁性光硬化型樹脂８を用いる。また、絶縁性光硬
化型樹脂８とは、含まれる光硬化型樹脂組成物に光照射
１０することにより硬化が行われるもので、光照射１０
としてはたとえば、可視光、紫外線（ＵＶ）光等であ
り、一般的には照射エネルギー量の大きい、紫外線光が
好ましい。具体的な照射方法としては、高圧水銀ラン
プ、超高圧水銀ランプ等を使用した光照射器を用いるこ
とができる。
度の絶縁性光硬化型樹脂８を用いる。また、絶縁性光硬
化型樹脂８とは、含まれる光硬化型樹脂組成物に光照射
１０することにより硬化が行われるもので、光照射１０
としてはたとえば、可視光、紫外線（ＵＶ）光等であ
り、一般的には照射エネルギー量の大きい、紫外線光が
好ましい。具体的な照射方法としては、高圧水銀ラン
プ、超高圧水銀ランプ等を使用した光照射器を用いるこ
とができる。
【００１４】絶縁性光硬化型樹脂８に含まれる組成物と
しては、主成分が（メタ）アクリル系、ポリイミド系、
ポリアミド系、シリコーン系等のものがあるが、いずれ
でも良い。これらの重合基としてはアクリル基、メタク
リル基の他、α−クロロアクリレート基、スチリル基、
ビニル基、ビニルエステル基、ビニルケトン基などを例
示することができる。
しては、主成分が（メタ）アクリル系、ポリイミド系、
ポリアミド系、シリコーン系等のものがあるが、いずれ
でも良い。これらの重合基としてはアクリル基、メタク
リル基の他、α−クロロアクリレート基、スチリル基、
ビニル基、ビニルエステル基、ビニルケトン基などを例
示することができる。
【００１５】また、これらの絶縁性光硬化型樹脂８の組
成物には、光開始剤を加えておくことができる。この光
開始剤としては、たとえば、アセトフェノン、ベンゾフ
ェノン、ミヒラーケトン、ベンジル、ベンゾイン、ベン
ゾインエーテル、ベンジルエーテル、ベンジルジメチル
ケタール、チオキサントン及びこれらの誘導体を挙げる
ことができる。
成物には、光開始剤を加えておくことができる。この光
開始剤としては、たとえば、アセトフェノン、ベンゾフ
ェノン、ミヒラーケトン、ベンジル、ベンゾイン、ベン
ゾインエーテル、ベンジルエーテル、ベンジルジメチル
ケタール、チオキサントン及びこれらの誘導体を挙げる
ことができる。
【００１６】絶縁性光硬化型樹脂８には半導体チップ１
５の突起電極１６と有機ＥＬパネル１の接続電極５とを
電気的に接続を行うための、導電性粒子９が混入されて
いる。この導電性粒子９は、直径が１０μｍ程度以下を
有するものが一般的に使用することができる。また一方
で、近年の接続電極５の狭ピッチ化では接続後、隣接電
極間ショートが生じることがあり、その対策として粒径
が５μｍ程度の導電性粒子９も使用することができる。
５の突起電極１６と有機ＥＬパネル１の接続電極５とを
電気的に接続を行うための、導電性粒子９が混入されて
いる。この導電性粒子９は、直径が１０μｍ程度以下を
有するものが一般的に使用することができる。また一方
で、近年の接続電極５の狭ピッチ化では接続後、隣接電
極間ショートが生じることがあり、その対策として粒径
が５μｍ程度の導電性粒子９も使用することができる。
【００１７】導電性粒子９の材質としては、ニッケル、
金等の金属粒子や、ポリスチレン等の有機樹脂やガラ
ス、セラミックス等の無機材料の表面を、ニッケル、金
等の導電薄膜で被覆した粒子等を用いることができる。
また、粒子としては、導電性を有していれば使用できる
が、接続部での電圧降下を防ぐ意味で低抵抗のものが好
ましい。導電性粒子９は、粒子径にもよるが、絶縁性光
硬化型樹脂８の光硬化樹脂組成物に対し０．００１〜２
０ｗｔ％程度として、前記絶縁性光硬化型樹脂８に混入
すれば良い。混入の際は、良く混練し、たとえば超音波
等の振動を加えながら混入させ、絶縁性光硬化型樹脂８
中の導電性粒子９の分布バラツキを少なくすることが望
ましい。
金等の金属粒子や、ポリスチレン等の有機樹脂やガラ
ス、セラミックス等の無機材料の表面を、ニッケル、金
等の導電薄膜で被覆した粒子等を用いることができる。
また、粒子としては、導電性を有していれば使用できる
が、接続部での電圧降下を防ぐ意味で低抵抗のものが好
ましい。導電性粒子９は、粒子径にもよるが、絶縁性光
硬化型樹脂８の光硬化樹脂組成物に対し０．００１〜２
０ｗｔ％程度として、前記絶縁性光硬化型樹脂８に混入
すれば良い。混入の際は、良く混練し、たとえば超音波
等の振動を加えながら混入させ、絶縁性光硬化型樹脂８
中の導電性粒子９の分布バラツキを少なくすることが望
ましい。
【００１８】また、半導体チップ１５にはメッキ法によ
り高さ５〜１０μｍのＡｕバンプからなる突起電極１６
が形成されている。
り高さ５〜１０μｍのＡｕバンプからなる突起電極１６
が形成されている。
【００１９】次に図２を用いて、本発明における第１の
実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法
について説明する。図２（ａ）において、有機ＥＬパネ
ル１に形成された画素領域３には有機ＥＬ素子４が形成
され、有機ＥＬ素子４の大気中の湿度による劣化を防ぐ
ため、封止キャップ１１による封止が行われている。こ
のような有機ＥＬパネル１と駆動用ドライバーＩＣであ
る半導体チップを実装する際において、導電性粒子９が
混入混練された絶縁性光硬化型樹脂８を、有機ＥＬパネ
ル１の接続電極５または半導体チップ１５表面（図示せ
ず）の少なくとも一方に塗布する。このときの絶縁性光
硬化型樹脂８の塗布量は有機ＥＬパネル１の接続電極５
が重なり合う面の全面が上記絶縁性光硬化型樹脂８で覆
われる程度の量以上が望ましい。
実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法
について説明する。図２（ａ）において、有機ＥＬパネ
ル１に形成された画素領域３には有機ＥＬ素子４が形成
され、有機ＥＬ素子４の大気中の湿度による劣化を防ぐ
ため、封止キャップ１１による封止が行われている。こ
のような有機ＥＬパネル１と駆動用ドライバーＩＣであ
る半導体チップを実装する際において、導電性粒子９が
混入混練された絶縁性光硬化型樹脂８を、有機ＥＬパネ
ル１の接続電極５または半導体チップ１５表面（図示せ
ず）の少なくとも一方に塗布する。このときの絶縁性光
硬化型樹脂８の塗布量は有機ＥＬパネル１の接続電極５
が重なり合う面の全面が上記絶縁性光硬化型樹脂８で覆
われる程度の量以上が望ましい。
【００２０】なお、ここでは塗布する絶縁性光硬化型樹
脂８が液状の場合について記したが、絶縁性光硬化型樹
脂８はシート状、あるいはフィルム状でも良い。
脂８が液状の場合について記したが、絶縁性光硬化型樹
脂８はシート状、あるいはフィルム状でも良い。
【００２１】図２（ｂ）において、有機ＥＬパネル１の
接続電極５上に半導体チップ１５をフェースダウンで加
圧治具１３に保持し、有機ＥＬパネル１の接続電極５と
半導体チップ１５の突起電極１６とを相対するように位
置合わせ１２を行う。
接続電極５上に半導体チップ１５をフェースダウンで加
圧治具１３に保持し、有機ＥＬパネル１の接続電極５と
半導体チップ１５の突起電極１６とを相対するように位
置合わせ１２を行う。
【００２２】次に図２（ｃ）において、加圧治具１３を
徐々に降下させ、半導体チップ１５の突起電極１６を有
機ＥＬパネル１の接続電極５に圧着させる。このときの
加圧治具１３による圧力は１５〜３０ｋｇ／ｃｍ2であ
る。
徐々に降下させ、半導体チップ１５の突起電極１６を有
機ＥＬパネル１の接続電極５に圧着させる。このときの
加圧治具１３による圧力は１５〜３０ｋｇ／ｃｍ2であ
る。
【００２３】なお、この時、半導体チップ１５を加熱し
た状態で有機ＥＬパネル１に圧着させても良い。また、
有機ＥＬパネル１を加熱した状態で半導体チップ１５を
圧着させても良い。いずれの場合でも、加熱する温度は
画素領域３に形成された有機ＥＬ素子４が熱劣化しない
低い温度にすることはいうまでもない。この加熱によ
り、絶縁性光硬化型樹脂８の粘度を低下させ、加圧によ
る絶縁性光硬化型樹脂８の流動性を容易にし、半導体チ
ップ１５と有機ＥＬパネル１との間に気泡の介在を防止
する効果がある。
た状態で有機ＥＬパネル１に圧着させても良い。また、
有機ＥＬパネル１を加熱した状態で半導体チップ１５を
圧着させても良い。いずれの場合でも、加熱する温度は
画素領域３に形成された有機ＥＬ素子４が熱劣化しない
低い温度にすることはいうまでもない。この加熱によ
り、絶縁性光硬化型樹脂８の粘度を低下させ、加圧によ
る絶縁性光硬化型樹脂８の流動性を容易にし、半導体チ
ップ１５と有機ＥＬパネル１との間に気泡の介在を防止
する効果がある。
【００２４】さらには、用いる絶縁性光硬化型樹脂８が
シート状、あるいはフィルム状の場合、加熱によりシー
ト状、あるいはフィルム状の絶縁性光硬化型樹脂８を短
時間で軟化させ、低粘度の液状状態にできる効果も有す
るものである。
シート状、あるいはフィルム状の場合、加熱によりシー
ト状、あるいはフィルム状の絶縁性光硬化型樹脂８を短
時間で軟化させ、低粘度の液状状態にできる効果も有す
るものである。
【００２５】次に図３（ａ）において、加圧治具１３で
半導体チップ１５を加圧１４した状態で、有機ＥＬパネ
ル１の基板２の裏面側より紫外線による光照射１０を行
う。光照射には高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を
使用した光照射器を用いて、光透過可能な基板２側から
光照射する。照射エネルギー量は、組成物の種類にもよ
るが、通常、波長３６５ｎｍのＵＶ光を１０００ｍＪ／
ｃｍ2程度とする。ここで光照射により５０％程度の硬
化反応をさせた状態で放置し、アフターキュアを行うこ
とも可能である。光照射時間は絶縁性光硬化型樹脂８の
組成にもよるが、数秒から数分程度である。この紫外線
の光照射により、有機ＥＬパネル１の接続電極５と半導
体チップ１５の突起電極１６との間に挟まれた導電性粒
子９によって両者の電気的接続が行われ、また、絶縁性
光硬化型樹脂８の光硬化によって、前記有機ＥＬパネル
１の接続電極５と半導体チップ１５と突起電極１６の電
気的接続が保持されるものである。なお、加圧治具１３
は有機ＥＬ素子４の熱劣化が及ぼされない温度以下で加
熱を行うことにより、加圧治具１３の加圧１４、および
光照射量の低減、光照射時間の短縮を行うことができ、
基板への接続ダメージを低減できるものである。
半導体チップ１５を加圧１４した状態で、有機ＥＬパネ
ル１の基板２の裏面側より紫外線による光照射１０を行
う。光照射には高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を
使用した光照射器を用いて、光透過可能な基板２側から
光照射する。照射エネルギー量は、組成物の種類にもよ
るが、通常、波長３６５ｎｍのＵＶ光を１０００ｍＪ／
ｃｍ2程度とする。ここで光照射により５０％程度の硬
化反応をさせた状態で放置し、アフターキュアを行うこ
とも可能である。光照射時間は絶縁性光硬化型樹脂８の
組成にもよるが、数秒から数分程度である。この紫外線
の光照射により、有機ＥＬパネル１の接続電極５と半導
体チップ１５の突起電極１６との間に挟まれた導電性粒
子９によって両者の電気的接続が行われ、また、絶縁性
光硬化型樹脂８の光硬化によって、前記有機ＥＬパネル
１の接続電極５と半導体チップ１５と突起電極１６の電
気的接続が保持されるものである。なお、加圧治具１３
は有機ＥＬ素子４の熱劣化が及ぼされない温度以下で加
熱を行うことにより、加圧治具１３の加圧１４、および
光照射量の低減、光照射時間の短縮を行うことができ、
基板への接続ダメージを低減できるものである。
【００２６】次に図３（ｂ）において、所定の光照射１
０が完了後、加圧治具１３による加圧を解除することで
有機ＥＬパネル１における半導体チップ１５の実装が完
了する。
０が完了後、加圧治具１３による加圧を解除することで
有機ＥＬパネル１における半導体チップ１５の実装が完
了する。
【００２７】なお、上記の後に、画素領域３に形成され
た有機ＥＬ素子４の熱劣化が生じない低い温度で有機Ｅ
Ｌディスプレイパネル（および半導体チップ）を加熱さ
せ、絶縁性光硬化型樹脂８を硬化しても良い。
た有機ＥＬ素子４の熱劣化が生じない低い温度で有機Ｅ
Ｌディスプレイパネル（および半導体チップ）を加熱さ
せ、絶縁性光硬化型樹脂８を硬化しても良い。
【００２８】また、光照射量、光照射時間を変化させる
ことにより、加圧治具１３による加圧力を低減させるこ
とも可能で薄い基板に対しても割れ、カケ等のない、低
ダメージな接続が可能となる。
ことにより、加圧治具１３による加圧力を低減させるこ
とも可能で薄い基板に対しても割れ、カケ等のない、低
ダメージな接続が可能となる。
【００２９】（実施の形態２）次に、本発明における第
２の実施形態を図４を示して説明する。図４は有機ＥＬ
ディスプレイパネルにフレキシブル配線基板が接続され
た構成の有機ＥＬディスプレイパネルを示したものであ
る。図４において、１は有機ＥＬパネル、２は基板、３
は画素領域、４は有機ＥＬ素子、５は接続電極、６はフ
レキシブル配線基板、７は配線電極、８は絶縁性光硬化
型樹脂、９は導電性粒子、１０は光照射、１１は封止キ
ャップである。なお、有機ＥＬパネル１の基板２、また
はフレキシブル配線基板６は光照射を行うため、いずれ
かが光透過性である必要がある。
２の実施形態を図４を示して説明する。図４は有機ＥＬ
ディスプレイパネルにフレキシブル配線基板が接続され
た構成の有機ＥＬディスプレイパネルを示したものであ
る。図４において、１は有機ＥＬパネル、２は基板、３
は画素領域、４は有機ＥＬ素子、５は接続電極、６はフ
レキシブル配線基板、７は配線電極、８は絶縁性光硬化
型樹脂、９は導電性粒子、１０は光照射、１１は封止キ
ャップである。なお、有機ＥＬパネル１の基板２、また
はフレキシブル配線基板６は光照射を行うため、いずれ
かが光透過性である必要がある。
【００３０】本発明では絶縁抵抗が１０Ｅ８Ω・ｃｍ程
度の絶縁性光硬化型樹脂８を用いる。また、絶縁性光硬
化型樹脂８とは、含まれる光硬化型樹脂組成物に光照射
１０することにより硬化が行われるもので、光照射１０
としてはたとえば、可視光、紫外線（ＵＶ）光等であ
り、一般的には照射エネルギー量の大きい、紫外線光が
好ましい。具体的な照射方法としては、高圧水銀ラン
プ、超高圧水銀ランプ等を使用した光照射器を用いるこ
とができる。
度の絶縁性光硬化型樹脂８を用いる。また、絶縁性光硬
化型樹脂８とは、含まれる光硬化型樹脂組成物に光照射
１０することにより硬化が行われるもので、光照射１０
としてはたとえば、可視光、紫外線（ＵＶ）光等であ
り、一般的には照射エネルギー量の大きい、紫外線光が
好ましい。具体的な照射方法としては、高圧水銀ラン
プ、超高圧水銀ランプ等を使用した光照射器を用いるこ
とができる。
【００３１】絶縁性光硬化型樹脂８に含まれる組成物と
しては、主成分が（メタ）アクリル系、ポリイミド系、
ポリアミド系、シリコーン系等のものがあるが、いずれ
でも良い。これらの重合基としてはアクリル基、メタク
リル基の他、α−クロロアクリレート基、スチリル基、
ビニル基、ビニルエステル基、ビニルケトン基などを例
示することができる。
しては、主成分が（メタ）アクリル系、ポリイミド系、
ポリアミド系、シリコーン系等のものがあるが、いずれ
でも良い。これらの重合基としてはアクリル基、メタク
リル基の他、α−クロロアクリレート基、スチリル基、
ビニル基、ビニルエステル基、ビニルケトン基などを例
示することができる。
【００３２】また、これらの絶縁性光硬化型樹脂８の組
成物には、光開始剤を加えておくことができる。この光
開始剤としては、たとえば、アセトフェノン、ベンゾフ
ェノン、ミヒラーケトン、ベンジル、ベンゾイン、ベン
ゾインエーテル、ベンジルエーテル、ベンジルジメチル
ケタール、チオキサントン及びこれらの誘導体を挙げる
ことができる。
成物には、光開始剤を加えておくことができる。この光
開始剤としては、たとえば、アセトフェノン、ベンゾフ
ェノン、ミヒラーケトン、ベンジル、ベンゾイン、ベン
ゾインエーテル、ベンジルエーテル、ベンジルジメチル
ケタール、チオキサントン及びこれらの誘導体を挙げる
ことができる。
【００３３】絶縁性光硬化型樹脂８にはフレキシブル配
線基板６と有機ＥＬパネル１の接続電極５とを電気的に
接続を行うための、導電性粒子９が混入されている。こ
の導電性粒子９は、直径が１０μｍ程度以下を有するも
のが一般的に使用することができる。また一方で、近年
の接続電極５の狭ピッチ化では接続後、隣接電極間ショ
ートが生じることがあり、その対策として粒径が５μｍ
程度の導電性粒子９も使用することができる。
線基板６と有機ＥＬパネル１の接続電極５とを電気的に
接続を行うための、導電性粒子９が混入されている。こ
の導電性粒子９は、直径が１０μｍ程度以下を有するも
のが一般的に使用することができる。また一方で、近年
の接続電極５の狭ピッチ化では接続後、隣接電極間ショ
ートが生じることがあり、その対策として粒径が５μｍ
程度の導電性粒子９も使用することができる。
【００３４】導電性粒子９の材質としては、ニッケル、
金等の金属粒子や、ポリスチレン等の有機樹脂やガラ
ス、セラミックス等の無機材料の表面を、ニッケル、金
等の導電薄膜で被覆した粒子等を用いることができる。
また、粒子としては、導電性を有していれば使用できる
が、接続部での電圧降下を防ぐ意味で低抵抗のものが好
ましい。導電性粒子９は、粒子径にもよるが、絶縁性光
硬化型樹脂８の光硬化樹脂組成物に対し０．００１〜２
０ｗｔ％程度として、前記絶縁性光硬化型樹脂８に混入
すれば良い。混入の際は、良く混練し、たとえば超音波
等の振動を加えながら混入させ、絶縁性光硬化型樹脂８
中の導電性粒子９の分布バラツキを少なくすることが望
ましい。
金等の金属粒子や、ポリスチレン等の有機樹脂やガラ
ス、セラミックス等の無機材料の表面を、ニッケル、金
等の導電薄膜で被覆した粒子等を用いることができる。
また、粒子としては、導電性を有していれば使用できる
が、接続部での電圧降下を防ぐ意味で低抵抗のものが好
ましい。導電性粒子９は、粒子径にもよるが、絶縁性光
硬化型樹脂８の光硬化樹脂組成物に対し０．００１〜２
０ｗｔ％程度として、前記絶縁性光硬化型樹脂８に混入
すれば良い。混入の際は、良く混練し、たとえば超音波
等の振動を加えながら混入させ、絶縁性光硬化型樹脂８
中の導電性粒子９の分布バラツキを少なくすることが望
ましい。
【００３５】次に図５を用いて、本発明における第２の
実施形態における有機ＥＬディスプレイパネルの製造方
法について説明する。図５（ａ）において、有機ＥＬパ
ネル１に形成された画素領域３には有機ＥＬ素子４が形
成され、有機ＥＬ素子４の大気中の湿度による劣化を防
ぐため、封止キャップ１１による封止が行われている。
このような有機ＥＬパネル１とフレキシブル配線基板６
の接続に際しては、導電性粒子９が混入混練された絶縁
性光硬化型樹脂８を、有機ＥＬパネル１の接続電極５ま
たはフレキシブル配線基板６（図示せず）の配線電極７
上の少なくとも一方に塗布する。このときの絶縁性光硬
化型樹脂８の塗布量は、有機ＥＬパネル１の接続電極５
が重なり合う面の全面が上記絶縁性光硬化型樹脂８で覆
われる程度の量以上が望ましい。なお、ここでは塗布す
る絶縁性光硬化型樹脂８が液状の場合について記した
が、絶縁性光硬化型樹脂８はシート状、あるいはフィル
ム状でも良い。
実施形態における有機ＥＬディスプレイパネルの製造方
法について説明する。図５（ａ）において、有機ＥＬパ
ネル１に形成された画素領域３には有機ＥＬ素子４が形
成され、有機ＥＬ素子４の大気中の湿度による劣化を防
ぐため、封止キャップ１１による封止が行われている。
このような有機ＥＬパネル１とフレキシブル配線基板６
の接続に際しては、導電性粒子９が混入混練された絶縁
性光硬化型樹脂８を、有機ＥＬパネル１の接続電極５ま
たはフレキシブル配線基板６（図示せず）の配線電極７
上の少なくとも一方に塗布する。このときの絶縁性光硬
化型樹脂８の塗布量は、有機ＥＬパネル１の接続電極５
が重なり合う面の全面が上記絶縁性光硬化型樹脂８で覆
われる程度の量以上が望ましい。なお、ここでは塗布す
る絶縁性光硬化型樹脂８が液状の場合について記した
が、絶縁性光硬化型樹脂８はシート状、あるいはフィル
ム状でも良い。
【００３６】図５（ｂ）において、有機ＥＬパネル１の
接続電極５上にフレキシブル配線基板６を配置し、有機
ＥＬパネル１の接続電極５とフレキシブル配線基板６の
配線電極７同士を相対するように位置合わせ１２を行
う。
接続電極５上にフレキシブル配線基板６を配置し、有機
ＥＬパネル１の接続電極５とフレキシブル配線基板６の
配線電極７同士を相対するように位置合わせ１２を行
う。
【００３７】次に図５（ｃ）において、徐々に加圧治具
１３により、フレキシブル配線基板６の配線電極７を有
機ＥＬパネル１の接続電極５に圧着させる。このときの
加圧治具１３による圧力は１５〜３０ｋｇ／ｃｍ2であ
る。なお、この時、フレキシブル配線基板６を加熱した
状態で有機ＥＬパネル１に圧着させても良い。また、有
機ＥＬパネル１を加熱した状態でフレキシブル配線基板
６を圧着させても良い。いずれの場合でも加熱する温度
は画素領域３に形成された有機ＥＬ素子４が熱劣化しな
い低い温度にすることはいうまでもない。この加熱によ
り、絶縁性光硬化型樹脂８の粘度を低下させ、加圧によ
る絶縁性光硬化型樹脂８の流動性を容易にし、フレキシ
ブル配線基板６と有機ＥＬパネル１との間に気泡の介在
を防止する効果がある。
１３により、フレキシブル配線基板６の配線電極７を有
機ＥＬパネル１の接続電極５に圧着させる。このときの
加圧治具１３による圧力は１５〜３０ｋｇ／ｃｍ2であ
る。なお、この時、フレキシブル配線基板６を加熱した
状態で有機ＥＬパネル１に圧着させても良い。また、有
機ＥＬパネル１を加熱した状態でフレキシブル配線基板
６を圧着させても良い。いずれの場合でも加熱する温度
は画素領域３に形成された有機ＥＬ素子４が熱劣化しな
い低い温度にすることはいうまでもない。この加熱によ
り、絶縁性光硬化型樹脂８の粘度を低下させ、加圧によ
る絶縁性光硬化型樹脂８の流動性を容易にし、フレキシ
ブル配線基板６と有機ＥＬパネル１との間に気泡の介在
を防止する効果がある。
【００３８】さらには、用いる絶縁性光硬化型樹脂８が
シート状、あるいはフィルム状の場合、加熱によりシー
ト状、あるいはフィルム状の絶縁性光硬化型樹脂８を短
時間で軟化させ、低粘度の液状状態にできる効果も有す
るものである。
シート状、あるいはフィルム状の場合、加熱によりシー
ト状、あるいはフィルム状の絶縁性光硬化型樹脂８を短
時間で軟化させ、低粘度の液状状態にできる効果も有す
るものである。
【００３９】次に図６（ａ）において、加圧治具１３で
フレキシブル配線基板６を加圧１４した状態で、有機Ｅ
Ｌパネル１の基板２の裏面側より紫外線による光照射１
０を行う。光照射には高圧水銀ランプ、超高圧水銀ラン
プ等を使用した光照射器を用いて、光透過可能な基板２
側から光照射する。照射エネルギー量は、組成物の種類
にもよるが、通常、波長３６５ｎｍのＵＶ光を１０００
ｍＪ／ｃｍ2程度とする。ここで光照射により５０％程
度の硬化反応をさせた状態で放置し、アフターキュアを
行うことも可能である。光照射時間は絶縁性光硬化型樹
脂８の組成にもよるが、数秒から数分程度である。この
紫外線の光照射により、有機ＥＬパネル１の接続電極５
とフレキシブル配線基板６の配線電極７の間に挟まれた
導電性粒子９によって両者の電気的接続が行われ、ま
た、絶縁性光硬化型樹脂８の光硬化によって、前記有機
ＥＬパネル１の接続電極５とフレキシブル配線基板６の
配線電極７の電気的接続が保持されるものである。な
お、加圧治具１３は有機ＥＬ素子４の熱劣化が及ぼされ
ない温度以下で加熱を行うことにより、加圧治具１３の
加圧１４、および光照射量の低減、光照射時間の短縮を
行うことができ、基板への接続ダメージを低減できるも
のである。
フレキシブル配線基板６を加圧１４した状態で、有機Ｅ
Ｌパネル１の基板２の裏面側より紫外線による光照射１
０を行う。光照射には高圧水銀ランプ、超高圧水銀ラン
プ等を使用した光照射器を用いて、光透過可能な基板２
側から光照射する。照射エネルギー量は、組成物の種類
にもよるが、通常、波長３６５ｎｍのＵＶ光を１０００
ｍＪ／ｃｍ2程度とする。ここで光照射により５０％程
度の硬化反応をさせた状態で放置し、アフターキュアを
行うことも可能である。光照射時間は絶縁性光硬化型樹
脂８の組成にもよるが、数秒から数分程度である。この
紫外線の光照射により、有機ＥＬパネル１の接続電極５
とフレキシブル配線基板６の配線電極７の間に挟まれた
導電性粒子９によって両者の電気的接続が行われ、ま
た、絶縁性光硬化型樹脂８の光硬化によって、前記有機
ＥＬパネル１の接続電極５とフレキシブル配線基板６の
配線電極７の電気的接続が保持されるものである。な
お、加圧治具１３は有機ＥＬ素子４の熱劣化が及ぼされ
ない温度以下で加熱を行うことにより、加圧治具１３の
加圧１４、および光照射量の低減、光照射時間の短縮を
行うことができ、基板への接続ダメージを低減できるも
のである。
【００４０】次に図６（ｂ）において、所定の光照射１
０が完了後、加圧治具１３による加圧を解除することで
有機ＥＬパネル１におけるフレキシブル配線基板６の接
続が完了する。
０が完了後、加圧治具１３による加圧を解除することで
有機ＥＬパネル１におけるフレキシブル配線基板６の接
続が完了する。
【００４１】なお、上記の後に、画素領域３に形成され
た有機ＥＬ素子４の熱劣化が生じない低い温度で有機Ｅ
Ｌディスプレイパネル（および半導体チップ）を加熱さ
せ、絶縁性光硬化型樹脂８を硬化しても良い。
た有機ＥＬ素子４の熱劣化が生じない低い温度で有機Ｅ
Ｌディスプレイパネル（および半導体チップ）を加熱さ
せ、絶縁性光硬化型樹脂８を硬化しても良い。
【００４２】また、光照射量、光照射時間を変化させる
ことにより、加圧治具１３による加圧力を低減させるこ
とも可能で薄い基板に対しても割れ、カケ等のない、低
ダメージな接続が可能となる。
ことにより、加圧治具１３による加圧力を低減させるこ
とも可能で薄い基板に対しても割れ、カケ等のない、低
ダメージな接続が可能となる。
【００４３】
【発明の効果】以上のように、本発明の効果は導電性粒
子を混入した絶縁性光硬化型樹脂によって有機ＥＬディ
スプレイパネルのドライバーＩＣチップの実装とフレキ
シブル配線基板の電気的接続、固定により、有機ＥＬデ
ィスプレイパネルの画素領域に形成された耐熱性が著し
く低い有機ＥＬ素子への熱影響による熱劣化が生じず、
個々の画素の発光輝度低下が皆無で優れた表示品位で、
かつ信頼性が優れた有機ＥＬディスプレイパネルを実現
することが可能となる。
子を混入した絶縁性光硬化型樹脂によって有機ＥＬディ
スプレイパネルのドライバーＩＣチップの実装とフレキ
シブル配線基板の電気的接続、固定により、有機ＥＬデ
ィスプレイパネルの画素領域に形成された耐熱性が著し
く低い有機ＥＬ素子への熱影響による熱劣化が生じず、
個々の画素の発光輝度低下が皆無で優れた表示品位で、
かつ信頼性が優れた有機ＥＬディスプレイパネルを実現
することが可能となる。
【００４４】また、ドライバＩＣチップ及びフレキシブ
ル配線基板の実装時に加熱工程がないため、画素領域か
ら実装部までの距離を小さくできる。従って、有効画素
面積に対してのパネルサイズを小さくでき、携帯電話、
モバイルＰＣ等の小型携帯端末機器への適用が可能な狭
額縁の有機ＥＬディスプレイパネルを低コストで実現で
きる。
ル配線基板の実装時に加熱工程がないため、画素領域か
ら実装部までの距離を小さくできる。従って、有効画素
面積に対してのパネルサイズを小さくでき、携帯電話、
モバイルＰＣ等の小型携帯端末機器への適用が可能な狭
額縁の有機ＥＬディスプレイパネルを低コストで実現で
きる。
【００４５】さらには高温加熱と高圧加圧による有機Ｅ
Ｌディスプレイパネルへのダメージがないため、ドライ
バＩＣチップおよびフレキシブル配線基板の実装工程で
のパネル基板の割れ、カケ、周辺部品の熱膨張・劣化等
が発生せず、有機ＥＬディスプレイパネルの製造歩留ま
りの向上と低コストを図ることができると同時に、厚さ
が薄い基板を用いたパネルへの適用も可能となり、有機
ＥＬディスプレイパネルの薄型化が可能となるものであ
る。
Ｌディスプレイパネルへのダメージがないため、ドライ
バＩＣチップおよびフレキシブル配線基板の実装工程で
のパネル基板の割れ、カケ、周辺部品の熱膨張・劣化等
が発生せず、有機ＥＬディスプレイパネルの製造歩留ま
りの向上と低コストを図ることができると同時に、厚さ
が薄い基板を用いたパネルへの適用も可能となり、有機
ＥＬディスプレイパネルの薄型化が可能となるものであ
る。
【図１】本発明の第１の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの構造断面図
プレイパネルの構造断面図
【図２】本発明の第１の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの製造方法を示す工程断面図
プレイパネルの製造方法を示す工程断面図
【図３】本発明の第１の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの製造方法を示す工程断面図
プレイパネルの製造方法を示す工程断面図
【図４】本発明の第２の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの構造断面図
プレイパネルの構造断面図
【図５】本発明の第２の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの製造方法を示す工程断面図
プレイパネルの製造方法を示す工程断面図
【図６】本発明の第２の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの製造方法を示す工程断面図
プレイパネルの製造方法を示す工程断面図
【図７】本発明の従来例である有機ＥＬディスプレイパ
ネルの構造断面図
ネルの構造断面図
【図８】実装温度Ｔ１と実装部からの距離Ｌに対するパ
ネル表面温度Ｔ２の関係を示したグラフ
ネル表面温度Ｔ２の関係を示したグラフ
１ 有機ＥＬパネル
２ 基板
３ 画素領域
４ 有機ＥＬ素子
５ 接続電極
６ フレキシブル配線基板
７ 配線電極
８ 絶縁性光硬化型樹脂
９ 導電性粒子
１０ 光照射
１１ 封止キャップ
１２ 位置合わせ
１３ 加圧治具
１４ 加圧
１５ 半導体チップ
１６ 突起電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/06 Ｈ０５Ｂ 33/06
33/10 33/10
33/14 33/14 Ａ
Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB14 AB18 BB07 CC05
DB03 FA02 FA03
5C094 AA33 AA42 BA03 BA27 CA19
DA09 DB02 DB05 FA01 FA02
FB01 FB16 GB10
5F044 KK06 LL11 NN21
5G435 AA12 AA17 BB05 CC09 EE32
EE37 EE42 HH20 KK05 LL07
Claims (18)
- 【請求項１】 マトリクス状に配置された複数の非線形
素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している有
機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルであっ
て、突起電極を形成した半導体チップが導電性粒子を混
入した絶縁性光硬化型樹脂でパネルに固定され、前記半
導体チップの突起電極とパネル電極との間に前記導電性
粒子を挟んで電気的な接続が行われたことを特徴とする
有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル。 - 【請求項２】 マトリクス状に配置された複数の非線形
素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している有
機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルであっ
て、フレキシブル配線基板が導電性粒子を混入させた絶
縁性光硬化型樹脂でパネルに固定され、前記フレキシブ
ル配線基板の電極とパネル電極との間に前記導電性粒子
を挟んで電気的な接続が行われたことを特徴とする有機
エレクトロルミネセンスディスプレイパネル。 - 【請求項３】 マトリクス状に配置された複数の非線形
素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している有
機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルの製造方
法であって、パネル電極、または半導体チップ主面に導
電性粒子を混入した絶縁性光硬化型樹脂を塗布する工程
とパネル電極と半導体チップの突起電極とを相対するよ
うに位置合わせを行う工程と前記半導体チップをパネル
に加圧する工程と、前記半導体チップを加圧した状態で
前記絶縁性光硬化型樹脂に紫外線を照射する工程と前記
半導体チップの加圧を解除する工程からなることを特徴
とした有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル
の製造方法。 - 【請求項４】 前記絶縁性光硬化型樹脂が液状であるこ
とを特徴とする請求項３記載の有機エレクトロルミネセ
ンスディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項５】 前記絶縁性光硬化型樹脂がシート状また
はフィルム状であることを特徴とする請求項３記載の有
機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項６】 前記半導体チップを加熱しながら加圧す
ることを特徴とした請求項３記載の有機エレクトロルミ
ネセンスディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項７】 前記パネルを加熱しながら前記半導体チ
ップを加圧することを特徴とした請求項３記載の有機エ
レクトロルミネセンスディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項８】 前記半導体チップを加熱しながら前記絶
縁性光硬化型樹脂に光照射することを特徴とした請求項
３記載の有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネ
ルの製造方法。 - 【請求項９】 前記パネルを加熱しながら前記絶縁性光
硬化型樹脂に光照射することを特徴とした請求項３記載
の有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルの製
造方法。 - 【請求項１０】 前記半導体チップの加圧を解除した
後、前記パネルおよび前記半導体チップを加熱すること
を特徴とする請求項３記載の有機エレクトロルミネセン
スディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１１】 マトリクス状に配置された複数の非線
形素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している
有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルの製造
方法であって、パネル電極、またはフレキシブル配線基
板の電極に導電性粒子を混入した絶縁性光硬化型樹脂を
塗布する工程とパネル電極とフレキシブル配線基板の電
極とを相対するように位置合わせを行う工程と前記フレ
キシブル配線基板をパネルに加圧する工程と前記フレキ
シブル配線基板を加圧した状態で前記絶縁性光硬化型樹
脂に紫外線を照射する工程と前記フレキシブル配線基板
の加圧を解除する工程からなることを特徴とした有機エ
レクトロルミネセンスディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１２】 前記絶縁性光硬化型樹脂が液状である
ことを特徴とする請求項１１記載の有機エレクトロルミ
ネセンスディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１３】 前記絶縁性光硬化型樹脂がシート状ま
たはフィルム状であることを特徴とする請求項１１記載
の有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルの製
造方法。 - 【請求項１４】 前記フレキシブル配線基板を加熱しな
がら加圧することを特徴とした請求項１１記載の有機エ
レクトロルミネセンスディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１５】 前記パネルを加熱しながら前記フレキ
シブル配線基板を加圧することを特徴とした請求項１１
記載の有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル
の製造方法。 - 【請求項１６】 前記フレキシブル配線基板を加熱しな
がら前記絶縁性光硬化型樹脂に光照射することを特徴と
した請求項１１記載の有機エレクトロルミネセンスディ
スプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１７】 前記パネルを加熱しながら前記絶縁性
光硬化型樹脂に光照射することを特徴とした請求項１１
記載の有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル
の製造方法。 - 【請求項１８】 前記フレキシブル配線基板の加圧を解
除した後、前記パネルおよび前記フレキシブル配線基板
を加熱することを特徴とする請求項１１記載の有機エレ
クトロルミネセンスディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002068105A JP2003271069A (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002068105A JP2003271069A (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003271069A true JP2003271069A (ja) | 2003-09-25 |
Family
ID=29199279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002068105A Pending JP2003271069A (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003271069A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007066709A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Toyota Industries Corp | エレクトロルミネッセンス装置 |
| US7323720B2 (en) | 2005-03-14 | 2008-01-29 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device, image forming apparatus, and electronic apparatus with an integrated circuit mounted on a substrate |
| JP2009075232A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
| KR20130065381A (ko) * | 2011-12-09 | 2013-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그 제조 방법 |
| JP2015179675A (ja) * | 2004-04-16 | 2015-10-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置および電子機器 |
| JP2020155417A (ja) * | 2020-06-24 | 2020-09-24 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
-
2002
- 2002-03-13 JP JP2002068105A patent/JP2003271069A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015179675A (ja) * | 2004-04-16 | 2015-10-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置および電子機器 |
| US7323720B2 (en) | 2005-03-14 | 2008-01-29 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device, image forming apparatus, and electronic apparatus with an integrated circuit mounted on a substrate |
| JP2007066709A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Toyota Industries Corp | エレクトロルミネッセンス装置 |
| JP4604920B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-01-05 | 株式会社豊田自動織機 | エレクトロルミネッセンス装置 |
| JP2009075232A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
| KR20130065381A (ko) * | 2011-12-09 | 2013-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR101928407B1 (ko) * | 2011-12-09 | 2018-12-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그 제조 방법 |
| JP2020155417A (ja) * | 2020-06-24 | 2020-09-24 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
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