CN113921555B - 发光基板的制作方法及发光基板 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种发光基板的制作方法及发光基板，该发光基板的制作方法包括以下步骤：在一衬底基板上形成多个LED芯片，相邻LED芯片之间具有间隔区；在衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个LED芯片以及多个间隔区；对黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个LED芯片正上方的黑色光阻层中的无机物；对黑色光阻层进行第二次曝光处理，以固化黑色光阻层。该发光基板的制作方法通过对黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个LED芯片正上方的黑色光阻层中的无机物，从而增大LED芯片的出光亮度，增大能效，可以解决LED芯片出光亮度不均的问题。

Description

发光基板的制作方法及发光基板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种发光基板的制作方法及发光基板。
背景技术
Micro Led(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)技术已成为成未来显示技术的热点之一，和目前的LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)、OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示器件相比，具有反应快、高色域、高解析度、低能耗等优势；Mini-LED(Mini Light Emitting Diode，小间距发光二极管)作为Micro-LED与背板结合的产物，具有高对比度、高显色性能等可与OLED相媲美的特点，成本稍高于LCD，但仅为OLED的六成左右，且相对Micro-LED、OLED更易实施，所以Mini-LED成为各大面板厂商布局热点。
Micro Led/Mini Led技术为LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成高密度、微小尺寸的LED阵列的技术，以将像素点的距离从毫米级降低至微米级，甚至是纳米级。具体地，阵列基板上设置有多个LED芯片，由于阵列基板上排布的LED芯片的芯片数量巨大，且LED芯片的尺寸在微米级别上，LED芯片与LED芯片之间的间距也比较小，如果MicroLed/Mini Led的LED芯片之间未建立阻挡层或阻挡层的透过率较高，LED芯片发出的朗伯光型会引起相邻像素的量子点色彩转换层被激发，从而发生光串扰，会大大降低显示的色域。
现有技术中常使用黑色阻挡层来阻挡像素之间光串扰，黑色阻挡层采用整面喷凃后去除表面黑胶的工艺涂敷，但是，由于Micro Led/Mini Led芯片自身及绑定焊料的高度差，LED芯片之间的高度差大概在20微米左右，使部分LED芯片表面在研磨后仍有大量黑胶覆盖而导致LED芯片的出光亮度不均，大量光被覆盖在LED芯片表面的黑胶阻挡层吸收，能效较低，严重影响Micro Led/Mini Led发光基板的品质。
发明内容
本申请提供一种发光基板的制作方法及发光基板，该发光基板的制作方法通过在掩膜下对LED芯片正上方的黑色光阻进行预固化，使LED芯片表面的黑色光阻减少，增大LED芯片出光亮度，增大能效，解决了LED芯片出光亮度不均的问题。
第一方面，本申请实施例提供一种发光基板的制作方法，包括：
在一衬底基板上形成多个LED芯片，相邻所述LED芯片之间具有间隔区；
在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区；
对所述黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个所述LED芯片正上方的所述黑色光阻层中的无机物；
对所述黑色光阻层进行第二次曝光处理，以固化所述黑色光阻层。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区的步骤，具体包括：对所述黑色光阻进行平坦化处理，以使所述黑色光阻层填充所述间隔区。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述对所述黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个所述LED芯片正上方的所述黑色光阻层中的无机物的步骤，具体包括：提供一掩膜板，所述掩膜板包括多个曝光区以及多个遮光区，多个所述曝光区与多个所述LED芯片一一对应，多个所述遮光区与多个所述间隔区一一对应；在所述掩膜板下，对所述黑色光阻层进行第一次曝光，以使位于所述曝光区的黑色光阻层中的无机物向所述遮光区的所述黑色光阻层扩散。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述对所述黑色光阻层进行第二次曝光处理，以固化所述黑色光阻层，还包括：对固化后的所述黑色光阻层进行研磨，除去高于所述LED芯片的所述黑色光阻层。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区的步骤，具体包括：在所述衬底基板上涂覆黑色光阻层。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区的步骤，具体包括：在一转换基板的表面涂覆黑色光阻层，并将所述转换基板涂覆有所述黑色光阻层的一侧覆盖于所述衬底基板上，对所述转换基板进行预烘烤，使所述黑色光阻层附着于所述衬底基板上。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述黑色光阻层的材料至少包括炭黑、光引发剂及反应性单体。
另一方面，本申请提供一种发光基板，包括，包括：衬底基板；多个LED芯片，相邻所述LED芯片之间具有间隔区；黑色光阻层，所述黑色光阻层形成于所述衬底基板上。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述黑色光阻层包括第一遮光部和第二遮光部，所述第一遮光部填充于所述间隔区；所述第二遮光部形成于所述LED芯片的正上方。
可选地，在本申请的一些实施例中，多个所述LED芯片中至少部分所述LED芯片的高度不同。
相较于现有技术中由于mini-LED芯片自身及绑定焊料的高度差，使部分LED芯片表面在研磨后仍有大量黑色光阻覆盖，大量光被覆盖在LED芯片表面的黑色光阻吸收而导致LED芯片的出光亮度不均。本申请提供一种发光基板的制作方法及发光基板，该发光基板的制作方法包括以下步骤：在一衬底基板上形成多个LED芯片，相邻所述LED芯片之间具有间隔区；在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区；对所述黑色光阻层进行第一次曝光处理，以减少位于多个所述LED芯片正上方的所述黑色光阻层中的无机物；对所述黑色光阻层进行第二次曝光处理，以固化所述黑色光阻层。该发光基板的制作方法通过对LED芯片正上方的黑色光阻进行第一次曝光处理，使LED芯片正上方的黑色光阻层中的无机物减少，从而增大LED芯片的出光亮度，增大能效，解决了LED芯片出光亮度不均的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的第一种发光基板的制作方法的流程示意图；
图2是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的步骤S1的示意图；
图3a是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的步骤S2的示意图一；
图3b是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的步骤S2的示意图二；
图4是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的步骤S3的示意图；
图5是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的步骤S4的示意图；
图6是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的步骤S5的示意图；
图7是是本申请实施例提供的第二种发光基板的制作方法的流程示意图；
图8是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的衬底基板的结构示意图；
图9是本申请实施例提供的发光基板的结构示意图。
其中，
10、衬底基板，11、LED芯片，12、间隔区，13、黑色光阻层，20、压件，21、压板，22、保护膜，30、掩膜板，31、曝光区，32、遮光区，40、载板，41、热解膜，42、双面膜，43、定位标记，100、发光基板。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种发光基板的制作方法及发光基板，该发光基板的制作方法通过在掩膜下对LED芯片正上方的黑色光阻进行曝光，使LED芯片表面的黑色光阻减少，从而增大LED芯片的出光亮度，增大能效，解决了LED芯片出光亮度不均的问题。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅作为标示使用，其用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的第一种发光基板的制作方法的流程示意图；如图1所示，本申请实施例提供一种发光基板的制作方法，包括以下步骤：
步骤S1，在一衬底基板10上形成多个LED芯片11，相邻LED芯片11之间具有间隔区12；
步骤S2，在衬底基板10上涂覆黑色光阻层13，以覆盖多个LED芯片11以及多个间隔区12；
步骤S3，对黑色光阻层13进行第一次曝光处理，以减少位于多个LED芯片11正上方的黑色光阻层13中的无机物；
步骤S4，对黑色光阻层13进行第二次曝光处理，以固化黑色光阻层13。
需要说明的是，制作发光基板的步骤的前后顺序以及具体工艺操作可以根据实际需求进行调整，本申请在此不做限定。
在本申请实施例中，在一衬底基板10上形成多个LED芯片11，相邻LED芯片11之间具有间隔区12。请参阅图2，图2是本申请实施例提供的发光基板的制作方法步骤S1的示意图。
在本申请实施例中，衬底基板10为玻璃衬底基板10，其他实施方式中，衬底基板10也可以为塑料等其他透明材料制成的衬底基板10。本实施例中，衬底基板10表面平整，以有利于在衬底基板10的表面层叠各种层结构以形成相应的器件，其中，LED芯片11可以通过印刷锡膏或者点胶锡膏的方式绑定在衬底基板10上。
具体而言，包括在衬底基板10上形成阵列功能层；在阵列功能层上形成多个阵列排布的焊盘；提供一用于印刷锡膏的钢网(图中未示出)，钢网包括钢网主体和缓冲层，其中，钢网主体包括多个阵列排布的第一通孔，多个第一通孔与多个焊盘一一对应。钢网主体的材料不仅限于钢，还可为其他的硬性材料，其作用为通过其中的第一通孔对锡膏印刷进行定位，以实现更高精度的锡膏印刷工艺。
缓冲层贴合于钢网主体的底面，缓冲层的整体的轮廓形状与钢网主体相同且大小基本相当，为了适应待印刷衬底基板10的形状，缓冲层与钢网主体的形状通常为矩形，当然根据实际的工艺需求，也可为其他形状。其中，缓冲层包括与多个阵列排布的第一通孔一一对应的多个第二通孔。
在本申请实施例中，在使用钢网进行锡膏印刷时，将缓冲层对向待印刷衬底基板10。一方面，通过钢网中第一通孔进行辅助定位，较直接印刷，可实现更高精度的锡膏印刷，有效降低印刷过程中出现印刷不均、少锡、虚焊、偏移等缺陷的概率；另一方面，当钢网下压衬底基板10后，缓冲层可起一定地缓冲作用，避免硬性的钢网本体与衬底基板10直接接触，导致衬底基板10上的线路出现短路、断路而造成良率损失的问题。
在本申请实施例中，黑色光阻层13的材料包括含有可聚合性基团的低聚物、反应性单体、光引发剂、黑色染料、炭黑、石墨烯、及添加剂，在黑色染料与炭黑的作用下，黑色光阻层13的颜色显示为黑色。
在本申请实施例中，为满足黑色光阻层13UV固化的要求，炭黑在黑色光阻层13中的质量百分比浓度还需要满足比尔-朗伯定律(Beer-Lambert Law)：I＝I0ekcl，其中I为从黑色光阻层13表面向下距离为l处的UV光辐射强度，I0为黑色光阻层13表面的UV光辐射强度，k为炭黑的消光系数，c为炭黑在黑色光阻层13中的质量百分比浓度，l为UV光可达的射程(照射深度/目标厚度)。
在本申请实施例中，含有可聚合性基团的低聚物的质量百分比为60％～75％，反应性单体的质量百分比为4％～15％，光引发剂的质量百分比为1％～6％，黑色染料的质量百分比为1％～8％，炭黑的质量百分比为0.2％～1％，石墨烯的质量百分比为0.1％～10％，添加剂的质量百分比为0～2％。
优选的，反应性单体的质量百分比为7％～10％，光引发剂的质量百分比为2％～5％，黑色染料的质量百分比为2％～2.5％，石墨烯的质量百分比为0.1％～5％。
在本申请实施例中，炭黑的粒径为50nm～100nm，考虑到过量添加炭黑会造成UV固化时大部分UV光不能照进黑色光阻层13内部，从而影响黑色光阻层13的固化效率和固化效果，因此设置炭黑在黑色光阻层13中的添加浓度较低，一般为0.2％～1％。
在本申请实施例中，黑色光阻层13采用的树脂体系在UV光照射下具有较快的固化反应速度；通过添加炭黑进行增黑，使得黑色光阻层13具有较高的OD值，且炭黑的颜色固定，不会出现年久褪色导致遮光不足的情况；采用分散剂分散炭黑与聚合物交联网络固定炭黑的方法，使黑色光阻层13中不会出现炭黑沉淀、分散不均的情况；另外，添加石墨烯能够增加黑色光阻层13的柔韧性，进而获得较好的重工性，同时使黑色光阻层13具有良好的导热性，将该黑色光阻层13涂布到发光基板周边后可以对面板周边进行散热，进一步的，利用石墨烯的导电性能还能够去除发光基板表面的静电；采用炭黑、黑色染料、及石墨烯构成的体系，使得黑色光阻层13还具有较好的耐水汽性能。
在本申请实施例中，在衬底基板10上涂覆黑色光阻层13。请参阅图3a，图3a是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的步骤S2的示意图一。
具体而言，在具有矩阵阵列的衬底基板10上涂覆黑色光阻层13，黑色光阻层13的涂覆过程可以将带有LED芯片11的衬底基板10用夹具固定，采用涂胶机进行覆膜。黑色光阻层13均匀的涂覆在衬底基板10上，并经过预烘烤(Pre-bake)处理，其中，预烘烤条件可以是在50℃至90℃下烘烤2分钟至5分钟，以将涂覆于衬底基板10上的黑色光阻层13内的大部分溶剂蒸发。
在本申请实施例中，还可以对进行操作的腔室进行抽真空，以使黑色光阻层13在低气压的环境和加热的同时作用下迅速蒸发大部分溶剂，有利于后续对黑色光阻层13的曝光和显影操作。
在本申请实施例中，对黑色光阻层13进行平坦化处理，以使黑色光阻层13填充于间隔区12。请参阅图3b，图3b是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的步骤S2的示意图二。具体而言，提供一压件20，压件20包括压板21和保护膜22，压板21设置在保护膜22上，也即，保护膜22设置于压板21靠近黑色光阻层13的一侧，保护膜22用于与黑色光阻层13接触，压板21平行于衬底基板10。保护膜22可以保持黑色光阻层13固化表面的光滑洁净，压板21可以是玻璃板，用来提供一定的压力。将压板21下压，使保护膜22靠近LED芯片11的正上方，减少LED芯片11正上方的残留黑色光阻层13。
在本申请实施例中，对黑色光阻层13进行第一次曝光处理，以减少位于多个LED芯片11正上方的黑色光阻层13中的无机物。请参阅图4，图4是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的步骤S3的示意图。具体而言，提供一掩膜板30，掩膜板30包括多个曝光区31以及多个遮光区32，多个曝光区31与多个LED芯片11一一对应，多个遮光区32与多个间隔区12一一对应。曝光区31的宽度与LED芯片11的宽度差为0微米至5微米，也即曝光区31的宽度可以大于LED芯片11的宽度至多5微米，也可以小于LED芯片11的宽度至多5微米，图4以曝光区31的宽度大于LED芯片的宽度为例。在掩膜板30下，对黑色光阻层13进行第一次曝光，以使位于曝光区31的黑色光阻层13中的无机物向遮光区32的黑色光阻层13扩散，从而减少位于LED芯片11正上方的黑色光阻层中的无机物，以此，增大LED芯片11的出光亮度。需要说明的是，上述宽度指的是横截面的长度。
在本申请实施例中，基于无机物和有机物之间的空间传质现象，在对光敏无机物进行部分照光时，无机物与有机物之间发生交联反应后密度变化，使照光部分的黑色无机物扩散系数和非照光部分的黑色无机物扩散系数不同，产生扩散系数差，从而形成无机粒子从照光部流向非照光部分，降低照光部分的黑色无机粒子含量，从而增大LED芯片11出光亮度。
在本申请实施例中，第一次曝光的条件可以是在掩膜板30下对LED芯片11正上方的黑色光阻层13进行UV曝光1分钟至3分钟，在曝光LED芯片11正上方的黑色光阻层13时，将掩膜板30放置于光源与涂覆有黑色光阻层13的衬底基板10之间，光源发出紫外光穿过掩膜板30板后照射到衬底基板10上，当照射到衬底基板10上的光线较强时，紫外光照射到LED芯片11正上方的黑色光阻层13上，使LED芯片11正上方的黑色光阻层13发生交联反应，具体而言，使LED芯片11正上方的黑色光阻层13的粘度增加，从而使得LED芯片11正上方的黑色光阻层13中的黑色无机微颗粒移动至掩模暗区，也即使得LED芯片11正上方的黑色光阻层13中的黑色无机微颗粒移动至LED芯片11的间隔区12，从而使LED芯片11正上方的黑色无机颗粒分子含量下降，从而增大LED芯片11出光亮度，增大能效，解决LED芯片11出光亮度不均的问题。
在本申请实施例中，对黑色光阻层13进行第二次曝光处理，以固化黑色光阻层13。请参阅图5，图5是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的步骤S4的示意图。其中，对黑色光阻层13进行第二次曝光的固化条件可以是在120℃至200℃下固化1分钟至3分钟。
在本申请实施例中，对黑色光阻层13进行第二次曝光之后还包括步骤S5，对固化的黑色光阻层13进行研磨，使黑色光阻层13的厚度不高于较高的LED芯片11的高度，也即除去高于LED芯片11的黑色光阻层13。请参阅图6，图6是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的步骤S5的示意图。具体而言，研磨工艺为黑色光阻层13模压，使用砂轮对黑色光阻层13进行研磨，通过机台控制研磨精度，把高出LED芯片11的部分磨掉，直到与较高部分的LED芯片11齐平。
相较于现有技术中LED芯片表面在研磨后仍有大量黑色光阻层13覆盖，大量光被覆盖在LED芯片表面的黑色光阻层13吸收而导致LED芯片的出光亮度不均。本申请提供一种发光基板的制作方法，该发光基板的制作方法通过在掩膜板30下对LED芯片11正上方的黑色光阻层13进行曝光，使LED芯片11表面的黑色光阻层13中的黑色无机物颗粒向掩膜板30暗区移动，从而增大LED芯片11的出光亮度，增大能效，解决了LED芯片11出光亮度不均的问题。
作为本申请的一个具体实施方式，请参阅图7，图7是本申请实施例提供的第二种发光基板的制作方法的流程示意图；如图7所示，本申请实施例提供一种发光基板的制作方法，包括以下步骤：
步骤S10，在一衬底基板10上形成多个LED芯片11，相邻LED芯片11之间具有间隔区12；
步骤S20，提供转换基板，在转换基板的表面涂覆黑色光阻层13，将转换基板涂覆有黑色光阻层13的一侧覆盖于衬底基板10上，以覆盖多个LED芯片11以及多个间隔区12；
步骤S30、对转换基板进行预烘烤，使黑色光阻层13附着于衬底基板10上并填充于间隔区12；
步骤S40，对黑色光阻层13进行第一次曝光处理，以减少位于多个LED芯片11正上方的黑色光阻层13中的无机物；
步骤S50，对黑色光阻层13进行第二次曝光处理，以固化黑色光阻层13。
需要说明的是，制作发光基板的步骤的前后顺序以及具体工艺操作可以根据实际需求进行调整，本申请在此不做限定。
本申请实施例中，在一衬底基板10上形成多个LED芯片11，相邻LED芯片11之间具有间隔区12。请参阅图8，图8是本申请实施例提供的发光基板的制作方法的衬底基板的结构示意图。其中，衬底基板10包括载板40、热解膜41和双面膜42。其中，热解膜41设置于载板40上，双面膜42设置于热解膜41远离载板40的一侧。其中，载板40为钢板，载板40上设有LED芯片11的矩阵定位标记43；热解膜41具有粘结性，在加热后粘结性消失，易于剥离；双面膜42可以是硅胶双面膜42，其双面均具有粘性。载板40、热解膜41和双面膜42共同构成LED芯片11的载体，载板40、热解膜41和双面膜42可以通过具有压膜辊的冷裱机进行贴合。
在双面膜42上排布LED芯片11的矩阵阵列，具体地，由于热解膜41和双面膜42具有一定的透明度，可以在双面膜42上方确定载板40上的矩阵定位标记43，例如可以通过视觉检测仪器进行定位，再根据矩阵定位标记43在双面膜42上排布LED芯片11的矩阵阵列，排布可以通过排片机等装置进行。相邻的LED芯片11之间具有间隙区。
在本申请实施例中，提供转换基板(图中未示出)，在转换基板的表面涂覆黑色光阻层13，将转换基板涂覆有黑色光阻层13的一侧覆盖于衬底基板10上。其中转换基板可以为离型膜，在离型膜的表面涂覆黑色光阻层13，翻转涂覆有黑色光阻层13的离型膜并贴在绑定有LED芯片11的衬底基板10上。
在本申请实施例中，黑色光阻层13均匀的涂覆在转换基板上，将压件20压在转换基板上，使得黑色光阻层13填充空隙区；并进行预烘烤(Pre-bake)处理，其中，预烘烤条件可以是在50℃至90℃下烘烤2分钟至5分钟，以将涂覆于转换基板上的黑色光阻层13内的大部分溶剂蒸发。
在本申请实施例中，还可以对进行操作的腔室进行抽真空，以使黑色光阻层13在低气压的环境和加热的同时作用下迅速蒸发大部分溶剂，有利于后续对黑色光阻层13的曝光和显影操作。对黑色光阻层13进行加压和抽真空，以及预烘烤后，黑色光阻层13会附着在衬底基板10上并填充于LED芯片11的间隔区12。
在本申请实施例中，对黑色光阻层13进行第一次曝光处理，以减少位于多个LED芯片11正上方的黑色光阻层13中的无机物。具体而言，提供一掩膜板30，掩膜板30包括多个曝光区31以及多个遮光区32，多个曝光区31与多个LED芯片11一一对应，多个遮光区32与多个间隔区12一一对应。
在本申请实施例中，基于无机物和有机物之间的空间传质现象，在对光敏无机物进行部分照光时，无机物与有机物之间发生交联反应后密度变化，使照光部分的黑色无机物扩散系数和非照光部分的黑色无机物扩散系数不同，产生扩散系数差，从而形成无机粒子从照光部流向非照光部分，降低照光部分的黑色无机粒子含量，从而增大LED芯片11出光亮度。
本申请实施例中，曝光条件可以是在掩膜板30下对LED芯片11正上方的黑色光阻层13进行UV曝光1分钟至3分钟，
在曝光LED芯片11正上方的黑色光阻层13时，将掩膜板30放置于光源与涂覆有黑色光阻层13的衬底基板10之间，光源发出紫外光穿过掩膜板30板后照射到衬底基板10上，当照射到衬底基板10上的光线较强时，紫外光照射到LED芯片11正上方的黑色光阻层13上，使LED芯片11正上方的黑色光阻层13发生交联反应，具体而言，使LED芯片11正上方的黑色光阻层13的粘度增加，从而使得LED芯片11正上方的黑色光阻层13中的黑色无机微颗粒移动至掩模暗区，也即使得LED芯片11正上方的黑色光阻层13中的黑色无机微颗粒移动至LED芯片11的间隔区12，从而使LED芯片11正上方的黑色无机颗粒分子含量下降，从而增大LED芯片11出光亮度，增大能效，解决LED芯片11出光亮度不均的问题。
在本申请实施例中，对黑色光阻层13进行第二次曝光处理，以固化黑色光阻层13。其中，对黑色光阻层13进行曝光的固化条件可以是在120℃至200℃下固化1分钟至3分钟。
在本申请实施例中，在形成黑色光阻层13之后还包括步骤S60，即对固化后的黑色光阻层13进行研磨，使黑色光阻层13的厚度不高于较高的LED芯片11的高度，也即除去高于LED芯片11的黑色光阻层13。
另一方面，本申请还提供一种发光基板，请参阅图9，图9是本申请实施例提供的发光基板的结构示意图。该发光基板100包括：衬底基板10；多个LED芯片11，相邻LED芯片11之间具有间隔区12；黑色光阻层13，黑色光阻层13形成于衬底基板10上。
在本申请实施例中，黑色光阻层13包括第一遮光部(图中未示出)和第二遮光部(图中未示出)，第一遮光部填充于LED芯片11的间隔区12，第二遮光部覆盖至少部分LED芯片11的正上方，参阅图4-图6可知，填充于LED芯片11的间隔区12的第一遮光部的高度大于等于覆盖至少部分LED芯片11的正上方的第二遮光部的高度，具体而言，第二遮光部覆盖部分高度较低的LED芯片11的正上方或仅覆盖部分高度较低的LED芯片11的部分正上方，第一遮光部的高度在黑色光阻层13被平坦化处理后与多个LED芯片11中高度最高的LED芯片11的高度相等，也即高度最高的LED芯片11正上方在经过研磨处理后没有第二遮光部。
在本申请实施例中，多个LED芯片中至少部分LED芯片的高度不同。
作为本申请的一个具体实施方式，在衬底基板10上涂覆黑色光阻层13之前，在衬底基板10的表面形成薄膜晶体管(图中未示出)，黑色光阻层13形成于薄膜晶体管上。具体的，薄膜晶体管包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极等。
作为本申请的一个具体实施方式，在衬底基板10的表面形成薄膜晶体管之后，在薄膜晶体管上形成色阻层，黑色光阻层13形成于色阻层上。
相较于现有技术中由于LED芯片自身及绑定焊料的高度差，使部分LED芯片表面在研磨后仍有大量黑胶覆盖，大量光被覆盖在LED芯片表面的黑胶吸收而导致LED芯片的出光亮度不均。本申请提供一种发光基板，该发光基板基于无机物和有机物之间的空间传质现象，在掩膜板30下对LED芯片11正上方的黑色光阻层13进行曝光，使得LED芯片11表面的黑色无机微颗粒移动至掩模暗区，从而使LED芯片11表面的黑色无机颗粒分子含量下降，进而增大LED芯片11出光亮度，增大能效，可以解决LED芯片11出光亮度不均的问题，因而该发光基板的显示品质更高。
该发光基板可应用于：液晶显示装置、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品。
以上对本申请实施例所提供的一种发光基板的制作方法及发光基板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (8)

1.一种发光基板的制作方法，其特征在于，包括：
在一衬底基板上形成多个LED芯片，相邻所述LED芯片之间具有间隔区；
在所述衬底基板上形成黑色光阻层，对所述黑色光阻层进行平坦化处理，以使所述黑色光阻层覆盖多个所述LED芯片且填充所述间隔区；
提供一掩膜板，所述掩膜板包括多个曝光区以及多个遮光区，多个所述曝光区与多个所述LED芯片一一对应，多个所述遮光区与多个所述间隔区一一对应，所述曝光区的宽度与所述LED芯片的宽度差为0微米至5微米；在所述掩膜板下，对所述黑色光阻层进行第一次曝光，使位于所述曝光区的黑色光阻层中的无机物向所述遮光区的所述黑色光阻层扩散，以减少位于多个所述LED芯片正上方的所述黑色光阻层中的无机物；
对所述黑色光阻层进行第二次曝光处理，以固化所述黑色光阻层。
2.根据权利要求1所述的发光基板的制作方法，其特征在于，所述对所述黑色光阻层进行第二次曝光处理，以固化所述黑色光阻层，还包括：
对固化后的所述黑色光阻层进行研磨，除去高于所述LED芯片的所述黑色光阻层。
3.根据权利要求1所述的发光基板的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区的步骤，具体包括：
在所述衬底基板上涂覆黑色光阻层。
4.根据权利要求1所述的发光基板的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成黑色光阻层，以覆盖多个所述LED芯片以及多个所述间隔区的步骤，具体包括：
在一转换基板的表面涂覆黑色光阻层，并将所述转换基板涂覆有所述黑色光阻层的一侧覆盖于所述衬底基板上，对所述转换基板进行预烘烤，使所述黑色光阻层附着于所述衬底基板上。
5.根据权利要求1所述的发光基板的制作方法，其特征在于，所述黑色光阻层的材料至少包括炭黑、光引发剂及反应性单体。
6.一种发光基板，其特征在于，采用权利要求1至5任一项所述的发光基板的制作方法制备而成，所述发光基板包括：
衬底基板；
多个LED芯片，相邻所述LED芯片之间具有间隔区；
黑色光阻层，所述黑色光阻层形成于所述衬底基板上。
7.根据权利要求6所述的发光基板，其特征在于，所述黑色光阻层包括第一遮光部和第二遮光部，所述第一遮光部填充于所述间隔区；所述第二遮光部形成于所述LED芯片的正上方。
8.根据权利要求6所述的发光基板，其特征在于，多个所述LED芯片中至少部分所述LED芯片的高度不同。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115394635A (zh) * 2022-09-22 2022-11-25 闻泰通讯股份有限公司 晶圆及其制备方法、掩模版

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108153040A (zh) * 2017-12-29 2018-06-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 黑色矩阵与间隔物的制作方法
CN108538877A (zh) * 2018-05-17 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 Micro LED显示面板的制作方法
CN109426029A (zh) * 2017-08-28 2019-03-05 乐金显示有限公司 柔性滤色器基板和包括该基板的柔性发光显示装置
CN111244127A (zh) * 2020-03-20 2020-06-05 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制作方法、显示面板和显示装置
CN112420968A (zh) * 2019-08-21 2021-02-26 咸阳彩虹光电科技有限公司 一种显示面板的制造方法、显示面板及显示装置
CN112635509A (zh) * 2019-09-24 2021-04-09 恒煦电子材料股份有限公司 具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板及其制作方法
CN112968114A (zh) * 2021-02-01 2021-06-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11239212B2 (en) * 2018-08-24 2022-02-01 Nanosys, Inc. Light emitting diode array containing a black matrix and an optical bonding layer and method of making the same
CN210778585U (zh) * 2019-09-18 2020-06-16 厦门三安光电有限公司 发光二极管封装器件和显示装置
KR20210043236A (ko) * 2019-10-11 2021-04-21 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 이의 제조 방법
CN112820205B (zh) * 2019-11-15 2023-01-31 成都辰显光电有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
TWI719775B (zh) * 2019-12-25 2021-02-21 錼創顯示科技股份有限公司 顯示裝置
CN112992958B (zh) * 2020-07-21 2022-12-27 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led显示单元、led显示屏及其制作方法
CN112987383B (zh) * 2021-03-05 2022-07-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 黑色光阻、显示面板及其制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109426029A (zh) * 2017-08-28 2019-03-05 乐金显示有限公司 柔性滤色器基板和包括该基板的柔性发光显示装置
CN108153040A (zh) * 2017-12-29 2018-06-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 黑色矩阵与间隔物的制作方法
CN108538877A (zh) * 2018-05-17 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 Micro LED显示面板的制作方法
CN112420968A (zh) * 2019-08-21 2021-02-26 咸阳彩虹光电科技有限公司 一种显示面板的制造方法、显示面板及显示装置
CN112635509A (zh) * 2019-09-24 2021-04-09 恒煦电子材料股份有限公司 具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板及其制作方法
CN111244127A (zh) * 2020-03-20 2020-06-05 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制作方法、显示面板和显示装置
CN112968114A (zh) * 2021-02-01 2021-06-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

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