CN108538877A - Micro LED显示面板的制作方法 - Google Patents
Micro LED显示面板的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108538877A CN108538877A CN201810474811.3A CN201810474811A CN108538877A CN 108538877 A CN108538877 A CN 108538877A CN 201810474811 A CN201810474811 A CN 201810474811A CN 108538877 A CN108538877 A CN 108538877A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micro led
- pixel electrode
- layer
- display panels
- storage tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 100
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 24
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 24
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种Micro LED显示面板的制作方法。所述Micro LED显示面板的制作方法包括如下步骤:步骤S1、提供一驱动基板,在驱动基板上形成光刻胶层;步骤S2、对所述光刻胶层进行图案化处理,形成阵列排布的多个容置槽;步骤S3、在所述各个容置槽内设置Micro LED;通过图案化光刻胶层制作容置Micro LED的容置槽,能够降低制程难度,提升Micro LED的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种Micro LED显示面板的制作方法。
背景技术
随着可穿戴显示设备的快速发展,出现了微发光二极管(Micro LED,uLED)技术。Micro LED技术即LED微缩化和矩阵化技术,指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列。Micro LED的耗电量远小于液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD),与有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)一样属于自发光,能够将像素之间的距离从毫米等级降至微米等级,色彩饱和度接近OLED,所以很多厂商把Micro LED视为下一代的显示技术。
现有技术通过微转印(Micro Transfer Print)法来制作Micro LED阵列:将LED裸芯片(Bare Chip)通过激光剥离(Laser Lift-off,LLO)技术从蓝宝石衬底上分离开后,使用一个图案化的转移基板(Transfer Layer)将LED裸芯片从供给基板吸附起来,转移到接收基板。具体地,这个接收基板是已经预先制备完成电路图案的硅基板,通过将转移基板与接收基板进行对位,转移基板上所吸附的LED裸芯片被贴附到接收基板的匹配位置,再剥离转移基板,即可完成LED裸芯片的转移。诸如US2013/0210194,US2013/0128585等专利对微转印技术有较为细致地描述。
现有技术中的Micro LED的尺寸大小远小于现有的像素尺寸。例如,现有的55寸的全高清显示面板中,其子像素的长宽分别约为在600μm和200μm,而Micro LED的尺寸约为10~50μm左右,这就导致Micro LED的周围有较大区域是不发光的。由于Micro LED发出的光是向各个方向的,因此会有较多的光能损耗在非显示方向上,光源的利用率较低。为了解决上述问题,现有技术提出了一种在基板上制作凹槽结构,并将Micro LED置于凹槽中,利用凹槽的提升Micro LED的光线利用率的技术方案,并且现有技术采用的是刻蚀的方法在基板上形成凹槽,但由于目前多数Micro LED的高度在5~10μm,直接在基板上刻蚀出大于5μm的凹槽在实际操作时制程难度很大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种Micro LED显示面板的制作方法,制作方法简便,可操作性高,且制得的Micro LED显示面板的出光效率高。
为实现上述目的,本发明提供了一种Micro LED显示面板的制作方法,包括如下步骤:
步骤S1、提供一驱动基板,在驱动基板上形成光刻胶层;
步骤S2、对所述光刻胶层进行图案化处理,形成阵列排布的多个容置槽;
步骤S3、在所述各个容置槽内设置Micro LED。
所述容置槽的坡度角小于60°。
所述光刻胶层的材料为树脂材料、亚克力材料或硅氧烷材料。
可选地,所述步骤S3中设置的Micro LED为垂直结构的Micro LED;
所述步骤S1中在形成所述光刻胶层之前还包括:在所述驱动基板上形成多个第一像素电极的步骤;
所述步骤S2中形成的每一个容置槽均对应暴露出一第一像素电极;
所述步骤S3中Mirco LED设置于所述容置槽后,所述Micro LED的第一电极与所述第一像素电极电性连接;
所述Micro LED显示面板的制作方法在所述步骤S3之后还包括以下步骤:
在所述光刻胶层、第一像素电极及所述Micro LED上形成一层钝化层;
对所述钝化层进行图案化处理,形成暴露出所述Micro LED的多个过孔;
在所述钝化层上形成阵列排布的多个第二像素电极,每一个第二像素电极均通过一过孔与其对应的Micro LED的第二电极电性连接;
在所述第二像素电极及钝化层上形成保护层。
可选地,所述步骤S3中设置的Micro LED为垂直结构的Micro LED;
所述步骤S2和步骤S3之间还包括:在各个容置槽的表面形成第一像素电极的步骤,所述步骤S3中Mirco LED设置于所述容置槽后,所述Micro LED的第一电极与所述第一像素电极电性连接;
所述Micro LED显示面板的制作方法在所述步骤S3之后还包括以下步骤:
在所述光刻胶层、第一像素电极及所述Micro LED上形成一层钝化层;
对所述钝化层进行图案化处理,形成暴露出所述Micro LED的多个过孔;
在所述钝化层上形成阵列排布的多个第二像素电极,每一个第二像素电极均通过一过孔与其对应的Micro LED的第二电极电性连接;
在所述第二像素电极及钝化层上形成保护层。
所述步骤S3中设置的Micro LED为水平结构的Micro LED,所述步骤S1中在形成所述光刻胶层之前还包括:在所述驱动基板上形成多个第一像素电极的步骤,每一个第一像素电极均包括间隔设置的第一连接端子和第二连接端子;
所述步骤S2中形成的每一个容置槽均对应暴露出一第一像素电极;
所述步骤S3中Mirco LED设置于所述容置槽后,所述Micro LED的第一电极和第二电极分别与所述第一连接端子和第二连接端子电性连接;
在所述步骤S3之后还包括以下步骤:在所述光刻胶层、第一像素电极及所述MicroLED上形成一层保护层。
所述步骤S3中设置的Micro LED为水平结构的Micro LED,所述步骤S2和步骤S3之间还包括:在各个容置槽的表面形成多个第一像素电极,每一个第一像素电极均包括间隔设置的第一连接端子和第二连接端子;
所述步骤S3中Mirco LED设置于所述容置槽后,所述Micro LED的第一电极和第二电极分别与所述第一连接端子和第二连接端子电性连接;
在所述步骤S3之后还包括以下步骤:在所述光刻胶层、第一像素电极及所述MicroLED上形成一层保护层。
所述形成所述第二像素电极的步骤和形成所述保护层的步骤之间还包括:在所述Micro LED上方的第二像素电极上形成光转换层的步骤。
在形成所述保护层之后还包括以下步骤:
在所述保护层上形成贴合层,在所述贴合层上设置封装基板。
所述步骤S2中通过曝光及显影制程对所述光刻胶层进行图案化处理;
所述容置槽的深度大于5μm。
本发明的有益效果:本发明的Micro LED显示面板的制作方法通过图案化光刻胶层制作容置Micro LED的容置槽,能够降低制程难度,提升Micro LED的出光效率。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图中,
图1至图8为本发明的Micro LED显示面板的制作方法的第一实施例的示意图;
图9至16为本发明的Micro LED显示面板的制作方法的第二实施例的示意图;
图17至21为本发明的Micro LED显示面板的制作方法的第三实施例的示意图;
图22至26为本发明的Micro LED显示面板的制作方法的第四实施例的示意图;
图27为本发明的Micro LED显示面板的制作方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图27,本发明提供一种Micro LED显示面板的制作方法,包括如下步骤:
步骤S1、提供一驱动基板10,在驱动基板10上形成光刻胶层30;
步骤S2、对所述光刻胶层30进行图案化处理,形成阵列排布的多个容置槽40;
步骤S3、在所述各个容置槽40内设置Micro LED50。
具体地,为了保证所述容置槽40的光提取效果,本发明优选设置所述容置槽40的坡度(Taper)角小于60°,容置槽40的坡度角越小光提取效果越好,但考虑到像素的尺寸,容置槽40的坡度角也不宜极限缩小。
具体地,本发明通过曝光及显影制程对所述光刻胶层30进行图案化处理,可以很容易的制得深度大于5μm的容置槽40,相比现有技术采用的刻蚀基板的方法,本发明通过在光刻胶层上曝光及显影制程制作容置槽,能够降低制程难度,提升Micro LED的出光效率。
优选地,所述光刻胶层30的材料为树脂材料、亚克力材料或硅氧烷材料。
具体地,所述Micro LED50按照结构不同,可分为垂直结构的Micro LED和水平结构的Micro LED,垂直结构的Micro LED的第一电极和第二电极分别位于Micro LED的上下两侧,水平的结构的Micro LED的第一电极和第二电极均位于Micro LED的下侧。
具体实施时,如图1至图8所示,在本发明的第一实施例中,所述步骤S3中设置的Micro LED为垂直结构的Micro LED。
该第一实施例具体包括如下步骤:
如图1所示,首先,在所述驱动基板10上形成多个第一像素电极20a;
如图2所示,接着,在所述驱动基板10及第一像素电极20a上形成并图案化光刻胶层30,形成阵列排布的多个容置槽40,每一个容置槽40均对应暴露出一第一像素电极20a;
如图3所示,然后,在所述各个容置槽40内设置Micro LED50,所述Micro LED50的第一电极与所述第一像素电极20a电性连接;
如图4所示,接着,在所述光刻胶层30、第一像素电极20a及所述Micro LED50上形成一层钝化层60;
接着,对所述钝化层60进行图案化处理,形成暴露出所述Micro LED50的多个过孔70;
如图5所示,在所述钝化层60上形成阵列排布的多个第二像素电极80,每一个第二像素电极80均通过一过孔70与其对应的Micro LED50的第二电极电性连接;
如图6所示,在所述Micro LED50上方的第二像素电极80上形成光转换层100。
如图7所示,在所述第二像素电极80及钝化层60上形成保护层90。
如图8所示,在所述保护层90上形成贴合层110,在所述贴合层110上设置封装基板120。
具体实施时,如图9至图16所示,在本发明的第二实施例中,所述步骤S3中设置的Micro LED为垂直结构的Micro LED。
该第二实施例具体包括如下步骤:
如图9所示,提供一驱动基板10,在驱动基板10上形成光刻胶层30,对所述光刻胶层30进行图案化处理,形成阵列排布的多个容置槽40;
如图10所示,在各个容置槽40的表面形成第一像素电极20b;
如图11所示,在所述容置槽40内设置Micro LED50,所述Micro LED50的第一电极与所述第一像素电极20b电性连接;
如图12所示,在所述光刻胶层30、第一像素电极20b及所述Micro LED50上形成一层钝化层60;
对所述钝化层60进行图案化处理,形成暴露出所述Micro LED50的多个过孔70;
如图13所示,在所述钝化层60上形成阵列排布的多个第二像素电极80,每一个第二像素电极80均通过一过孔70与其对应的Micro LED50的第二电极电性连接;
如图14所示,在所述Micro LED50上方的第二像素电极80上形成光转换层100。
如图15所示,在所述第二像素电极80及钝化层60上形成保护层90;
如图16所示,在所述保护层90上形成贴合层110,在所述贴合层110上设置封装基板120。
需要说明的是,在本发明的第一和第二实施例中,所述光转换层100可根据需要选择形成或不形成,当所述光转换层100不形成时,所述保护层90相应填充所述光转换层100所在的区域即可,所述光转换层100可通过光刻制程或喷墨打印制程形成,且其对应位于所述过孔70内的第二像素电极80上,也即位于所述由所述过孔70产生的凹槽内。
值得一提的是,由于将第一像素电极20b在光刻胶层30的附着性较差,且需要斜坡连接至所述容置槽40的底部,容易在斜坡与平面的交汇处反射断裂,因此,本发明的所述第一实施例与第二实施例相比,具有更好的制程稳定性。然而,在容置槽40的斜坡上形成第一像素电极20b,虽然制程稳定性不足,但却可以增强容置槽40的反光,进一步提升容置槽40的光提取效果,因此本发明的第二实施例与第一实施例相比,又具有更好的出光效率。
具体实施时,如图17至图21所示,在本发明的第三实施例中,所述步骤S3中设置的Micro LED50为水平结构的Micro LED;
该第三实施例具体包括如下步骤:
如图17所示,在所述驱动基板10上形成多个第一像素电极20c,每一个第一像素电极20c均包括间隔设置的第一连接端子21c和第二连接端子22c;
如图18所示,在所述驱动基板10及第一像素电极20c上形成光刻胶层30,并图案化所述光刻胶层30,得到阵列排布的多个容置槽40,每一个容置槽40均对应暴露出一第一像素电极20c;
如图19所示,在所述容置槽40内设置Micro LED50,所述Micro LED50的第一电极和第二电极分别与所述第一连接端子21c和第二连接端子22c电性连接;
如图20所示,在所述光刻胶层30、第一像素电极20c及所述Micro LED50上形成一层保护层90;
如图21所示,在所述保护层90上形成贴合层110,在所述贴合层110设置封装基板120。
具体实施时,如图22至图26所示,在本发明的第四实施例中,所述步骤S3中设置的Micro LED50为水平结构的Micro LED;
该第四实施例具体包括如下步骤:
如图22所示,在所述驱动基板10上形成光刻胶层30,并图案化所述光刻胶层30,得到阵列排布的多个容置槽40;
如图23所示,在各个容置槽40的表面形成多个第一像素电极20d,每一个第一像素电极20d均包括间隔设置的第一连接端子21d和第二连接端子22d;
如图24所示,在所述容置槽40内设置Micro LED50,所述Micro LED50的第一电极和第二电极分别与所述第一连接端子21d和第二连接端子22d电性连接;
如图25所示,在所述光刻胶层30、第一像素电极20d及所述Micro LED50上形成一层保护层90;
如图26所示,在所述保护层90上形成贴合层110,在所述贴合层110设置封装基板120。
需要说明的是,由于将第一像素电极在光刻胶层30的附着性较差,且需要斜坡连接至所述容置槽40的底部,容易在斜坡与平面的交汇处反射断裂,因此,本发明的所述第三实施例与第四实施例相比,具有更好的制程稳定性。然而,在容置槽40的斜坡上形成第一像素电极,虽然制程稳定性不足,但却可以增强容置槽40的反光,进一步提升容置槽40的光提取效果,因此本发明的第四实施例与第三实施例相比,又具有更好的出光效率。
优选地,在本发明的第一至第四实施例中,所述保护层90的材料为氧化硅、氮化硅、或其他有机绝缘介质,所述贴合层110为粘胶或能够固化的树脂材料,所述固化的方式可以为热固化或光固化。
综上所述,本发明的Micro LED显示面板的制作方法包括如下步骤:步骤S1、提供一驱动基板,在驱动基板上形成光刻胶层;步骤S2、对所述光刻胶层进行图案化处理,形成阵列排布的多个容置槽;步骤S3、在所述各个容置槽内设置Micro LED;通过图案化光刻胶层制作容置Micro LED的容置槽,能够降低制程难度,提升Micro LED的出光效率。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种Micro LED显示面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1、提供一驱动基板(10),在驱动基板(10)上形成光刻胶层(30);
步骤S2、对所述光刻胶层(30)进行图案化处理,形成阵列排布的多个容置槽(40);
步骤S3、在所述各个容置槽(40)内设置Micro LED(50)。
2.如权利要求1所述的Micro LED显示面板的制作方法,其特征在于,所述容置槽(40)的坡度角小于60°。
3.如权利要求1所述的Micro LED显示面板的制作方法,其特征在于,所述光刻胶层(30)的材料为树脂材料、亚克力材料或硅氧烷材料。
4.如权利要求1所述的Micro LED显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S3中设置的Micro LED(50)为垂直结构的Micro LED;
所述步骤S1中在形成所述光刻胶层(30)之前还包括:在所述驱动基板(10)上形成多个第一像素电极(20a)的步骤;
所述步骤S2中形成的每一个容置槽(40)均对应暴露出一第一像素电极(20a);
所述步骤S3中Mirco LED(50)设置于所述容置槽(40)后,所述Micro LED(50)的第一电极与所述第一像素电极(20a)电性连接;
所述Micro LED显示面板的制作方法在所述步骤S3之后还包括以下步骤:
在所述光刻胶层(30)、第一像素电极(20a)及所述Micro LED(50)上形成一层钝化层(60);
对所述钝化层(60)进行图案化处理,形成暴露出所述Micro LED(50)的多个过孔(70);
在所述钝化层(60)上形成阵列排布的多个第二像素电极(80),每一个第二像素电极(80)均通过一过孔(70)与其对应的Micro LED(50)的第二电极电性连接;
在所述第二像素电极(80)及钝化层(60)上形成保护层(90)。
5.如权利要求1所述的Micro LED显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S3中设置的Micro LED(50)为垂直结构的Micro LED;
所述步骤S2和步骤S3之间还包括:在各个容置槽(40)的表面形成第一像素电极(20b)的步骤,所述步骤S3中Mirco LED(50)设置于所述容置槽(40)后,所述Micro LED(50)的第一电极与所述第一像素电极(20b)电性连接;
所述Micro LED显示面板的制作方法在所述步骤S3之后还包括以下步骤:
在所述光刻胶层(30)、第一像素电极(20b)及所述Micro LED(50)上形成一层钝化层(60);
对所述钝化层(60)进行图案化处理,形成暴露出所述Micro LED(50)的多个过孔(70);
在所述钝化层(60)上形成阵列排布的多个第二像素电极(80),每一个第二像素电极(80)均通过一过孔(70)与其对应的Micro LED(50)的第二电极电性连接;
在所述第二像素电极(80)及钝化层(60)上形成保护层(90)。
6.如权利要求1所述的Micro LED显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S3中设置的Micro LED(50)为水平结构的Micro LED(50),所述步骤S1中在形成所述光刻胶层(30)之前还包括:在所述驱动基板(10)上形成多个第一像素电极(20c),每一个第一像素电极(20c)均包括间隔设置的第一连接端子(21c)和第二连接端子(22c);
所述步骤S2中形成的每一个容置槽(40)均对应暴露出一第一像素电极(20c);
所述步骤S3中Mirco LED(50)设置于所述容置槽(40)后,所述Micro LED(50)的第一电极和第二电极分别与所述第一连接端子(21c)和第二连接端子(22c)电性连接;
在所述步骤S3之后还包括以下步骤:在所述光刻胶层(30)、第一像素电极(20c)及所述Micro LED(50)上形成一层保护层(90)。
7.如权利要求1所述的Micro LED显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S3中设置的Micro LED(50)为水平结构的Micro LED,所述步骤S2和步骤S3之间还包括:在各个容置槽(40)的表面形成多个第一像素电极(20d),每一个第一像素电极(20d)均包括间隔设置的第一连接端子(21d)和第二连接端子(22d);
所述步骤S3中Mirco LED(50)设置于所述容置槽(40)后,所述Micro LED(50)的第一电极和第二电极分别与所述第一连接端子(21d)和第二连接端子(22d)电性连接;
在所述步骤S3之后还包括以下步骤:在所述光刻胶层(30)、第一像素电极(20d)及所述Micro LED(50)上形成一层保护层(90)。
8.如权利要求4或5所述的Micro LED显示面板的制作方法,其特征在于,在所述形成所述第二像素电极(80)的步骤和形成所述保护层(90)的步骤之间还包括:在所述Micro LED(50)上方的第二像素电极(80)上形成光转换层(100)的步骤。
9.如权利要求4至7中任一项所述的Micro LED显示面板的制作方法,其特征在于,在形成所述保护层(90)之后还包括以下步骤:
在所述保护层(90)上形成贴合层(110),在所述贴合层(110)上设置封装基板(120)。
10.如权利要求1所述的Micro LED显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S2中通过曝光及显影制程对所述光刻胶层(30)进行图案化处理;
所述容置槽(40)的深度大于5μm。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810474811.3A CN108538877B (zh) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | Micro LED显示面板的制作方法 |
PCT/CN2018/105590 WO2019218551A1 (zh) | 2018-05-17 | 2018-09-13 | Micro LED显示面板的制作方法 |
US16/091,250 US10741608B2 (en) | 2018-05-17 | 2018-09-13 | Manufacturing method of micro light-emitting diode display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810474811.3A CN108538877B (zh) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | Micro LED显示面板的制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108538877A true CN108538877A (zh) | 2018-09-14 |
CN108538877B CN108538877B (zh) | 2020-09-01 |
Family
ID=63472146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810474811.3A Active CN108538877B (zh) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | Micro LED显示面板的制作方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10741608B2 (zh) |
CN (1) | CN108538877B (zh) |
WO (1) | WO2019218551A1 (zh) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110136595A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-16 | 上海九山电子科技有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN110212079A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-09-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板 |
CN110571224A (zh) * | 2019-08-05 | 2019-12-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
CN111063268A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 微发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN111129058A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 微发光器件的转印系统及方法 |
CN111128831A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 微元件及其接收基板和转移方法、显示装置 |
CN111292631A (zh) * | 2018-11-21 | 2020-06-16 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 微发光二极管显示面板及其制备方法 |
CN111798764A (zh) * | 2020-06-12 | 2020-10-20 | 福州大学 | 一种μLED像素单元结构及显示器件 |
CN112017550A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
CN113921555A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光基板的制作方法及发光基板 |
EP3961710A4 (en) * | 2019-04-24 | 2023-01-11 | Samsung Display Co., Ltd. | DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3588478B1 (en) * | 2018-06-29 | 2022-03-23 | GIO Optoelectronics Corp. | Electronic device |
CN113345927B (zh) * | 2021-05-31 | 2023-06-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 屏下摄像头显示面板及透明显示区域的制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080290796A1 (en) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Tpo Displays Corp. | System for displaying images including active-matrix organic light emission display |
CN104752580A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装体的制造方法 |
CN106646890A (zh) * | 2017-03-10 | 2017-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 虚拟现实显示器件及其制造方法 |
CN106784203A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种像素结构及制造方法 |
WO2017107097A1 (en) * | 2015-12-23 | 2017-06-29 | Goertek.Inc | Micro-led transfer method and manufacturing method |
CN107221291A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-09-29 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示基板、显示面板及其驱动方法、显示装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010035944A2 (ko) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
US9178123B2 (en) * | 2012-12-10 | 2015-11-03 | LuxVue Technology Corporation | Light emitting device reflective bank structure |
US9722145B2 (en) * | 2015-06-24 | 2017-08-01 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Light emitting device and fluidic manufacture thereof |
-
2018
- 2018-05-17 CN CN201810474811.3A patent/CN108538877B/zh active Active
- 2018-09-13 US US16/091,250 patent/US10741608B2/en active Active
- 2018-09-13 WO PCT/CN2018/105590 patent/WO2019218551A1/zh active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080290796A1 (en) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Tpo Displays Corp. | System for displaying images including active-matrix organic light emission display |
CN104752580A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装体的制造方法 |
WO2017107097A1 (en) * | 2015-12-23 | 2017-06-29 | Goertek.Inc | Micro-led transfer method and manufacturing method |
CN106646890A (zh) * | 2017-03-10 | 2017-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 虚拟现实显示器件及其制造方法 |
CN106784203A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种像素结构及制造方法 |
CN107221291A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-09-29 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示基板、显示面板及其驱动方法、显示装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111128831B (zh) * | 2018-10-31 | 2022-07-15 | 成都辰显光电有限公司 | 微元件及其接收基板和转移方法、显示装置 |
CN111129058A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 微发光器件的转印系统及方法 |
CN111128831A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 微元件及其接收基板和转移方法、显示装置 |
CN111292631A (zh) * | 2018-11-21 | 2020-06-16 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 微发光二极管显示面板及其制备方法 |
EP3961710A4 (en) * | 2019-04-24 | 2023-01-11 | Samsung Display Co., Ltd. | DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
CN110136595A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-16 | 上海九山电子科技有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN110212079A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-09-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板 |
CN110212079B (zh) * | 2019-05-17 | 2020-12-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板 |
CN112017550A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
CN110571224B (zh) * | 2019-08-05 | 2021-12-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
CN110571224A (zh) * | 2019-08-05 | 2019-12-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
CN111063268A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 微发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN111798764A (zh) * | 2020-06-12 | 2020-10-20 | 福州大学 | 一种μLED像素单元结构及显示器件 |
CN111798764B (zh) * | 2020-06-12 | 2022-07-05 | 福州大学 | 一种μLED像素单元结构及显示器件 |
CN113921555A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光基板的制作方法及发光基板 |
CN113921555B (zh) * | 2021-09-30 | 2023-10-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光基板的制作方法及发光基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019218551A1 (zh) | 2019-11-21 |
CN108538877B (zh) | 2020-09-01 |
US10741608B2 (en) | 2020-08-11 |
US20200185452A1 (en) | 2020-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108538877A (zh) | Micro LED显示面板的制作方法 | |
US10304901B1 (en) | Micro light-emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
US10886257B2 (en) | Micro LED display device and method for manufacturing same | |
CN103794617B (zh) | 发光二极管显示面板及其制作方法 | |
US20180102457A1 (en) | Light Emitting, Photovoltaic Or Other Electronic Apparatus and System | |
CN105977232B (zh) | 在基板中安装器件的方法、安装有器件的基板结构和电子装置 | |
CN108493154A (zh) | Micro LED显示面板的制作方法及Micro LED显示面板 | |
TW201739079A (zh) | 微轉印發光二極體及濾色器結構 | |
CN103681486A (zh) | 一种柔性显示基板的制造方法 | |
CN208014702U (zh) | 微发光二极管模块 | |
KR20120093880A (ko) | 발광, 광발전, 또는 다른 전자 장치 및 시스템과 그들의 제조 방법 | |
JP5496889B2 (ja) | 発光素子パッケージ及びその製造方法 | |
US20100244056A1 (en) | Addressable Or Static Light Emitting, Power Generating Or Other Electronic Apparatus | |
CN102194980A (zh) | 发光器件封装和包括发光器件封装的照明系统 | |
JP2007013143A (ja) | 発光ダイオードパッケージ製造方法、バックライトユニット及び液晶表示装置 | |
CN108962914A (zh) | 电子装置与其制造方法 | |
TW201037813A (en) | Light emitting apparatus | |
CN105489611A (zh) | 一种印刷型发光显示器及其制作方法 | |
KR101926715B1 (ko) | 마이크로 led 모듈 및 마이크로 led 모듈 제조 방법 | |
CN203760010U (zh) | 一种基于积层基板的显示、控制分离的半导体显示单元 | |
CN203433750U (zh) | 一种led显示单元模组 | |
US7741774B2 (en) | Backlight module including at least one luminescence element, and method of fabricating the same | |
CN209804709U (zh) | 扇出型led的封装结构及电子显示屏 | |
CN111128985A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
CN205844675U (zh) | 一种集成电路器件、电路板、显示面板、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |