CN111128831B - 微元件及其接收基板和转移方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示面板技术领域,公开了一种微元件及其接收基板和转移方法、显示装置。该接收基板包括:板体;电极阵列,包括若干电极组件,若干电极组件阵列设置于板体一侧,各电极组件包括有螺旋状电极;驱动电路,包括输入端和输出端,输入端用于输入驱动信号,输出端连接螺旋状电极一端,螺旋状电极另一端连接一开关;其中,在开关导通、驱动电路的输入端输入驱动信号时,螺旋状电极产生磁场,以吸附带有磁体的微元件。通过上述方式,本发明能够提高微元件的转移效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,特别是涉及一种微元件及其接收基板和转移方法、显示装置。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种光电半导体元件,其具有低功耗、尺寸小亮度高、易与集成电路匹配、可靠性高等优点,作为光源被广泛应用。并且,随着LED技术的成熟,直接利用LED作为自发光显示点像素的LED显示器或Micro LED(微型发光二极管)显示器的技术也逐渐被广泛应用。
其中,Micro LED显示屏综合了TFT-LCD和LED显示屏的技术特点,其显示原理是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化,之后将Micro LED从最初的生长衬底上转移到电路基板上,目前Micro LED技术发展的难点之一就在于Micro LED的转移过程。
发明内容
有鉴于此,本发明主要解决的技术问题是提供一种微元件及其接收基板和转移方法、显示装置,能够提高微元件的转移效率。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种微元件的接收基板,该接收基板包括:板体;电极阵列,包括若干电极组件,若干电极组件阵列设置于板体一侧,各电极组件包括有螺旋状电极;驱动电路,包括输入端和输出端,输入端用于输入驱动信号,输出端连接螺旋状电极一端,螺旋状电极另一端连接一开关;其中,在开关导通、驱动电路的输入端输入驱动信号时,螺旋状电极产生磁场,以吸附带有磁体的微元件。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种微元件,该微元件包括本体,该本体包括有磁体,磁体用于使微元件能够被接收基板的螺旋状电极所产生的磁场吸附;凸条,该凸条设置于本体与接收基板固定连接的一侧,凸条在处于正确组装状态时,其嵌入于接收基板中。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种显示装置,该显示装置包括:板体;电极阵列,包括若干电极组件,若干电极组件阵列设置于板体一侧,各电极组件包括有螺旋状电极;驱动电路,包括输入端和输出端,输入端用于输入驱动信号,输出端连接螺旋状电极一端,螺旋状电极另一端连接一开关;微元件,包括磁体,微元件具有磁体的一端固定于电极组件;其中,螺旋状电极能够在开关导通、驱动电路的输入端输入驱动信号时产生磁场,以吸附微元件具有磁体的一端。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种微元件的转移方法,该转移方法包括:提供微元件和如上述实施例所阐述的微元件的接收基板;其中,微元件包括磁体;将接收基板和微元件置于一流体环境中;向接收基板驱动电路的输入端输入驱动信号,并且周期性导通开关,以使螺旋状电极产生磁场,吸附带有磁体的微元件于电极组件;直至接收基板上的各电极组件均安装有微元件,则停止向输入端输入驱动信号以及停止导通开关。
本发明的有益效果是:区别于现有技术,本发明提供一种微元件的接收基板。该接收基板包括板体、电极阵列以及驱动电路。电极阵列包括若干电极组件,各电极组件包括有螺旋状电极。驱动电路包括输入端和输出端,输入端用于输入驱动信号,输出端连接螺旋状电极一端,螺旋状电极另一端连接一开关。在开关导通,并且向驱动电路的输入端输入驱动信号时,电极组件上的螺旋状电极中形成电流。螺旋状电极中的电流流路呈现螺旋状,使得螺旋状电极产生对应的磁场,以吸附带有磁体的微元件,进行微元件的转移工作。本发明利用螺旋状电极所产生的磁场,高效吸附微元件,在提高微元件转移过程的可控性的同时,提高微元件的转移效率。
附图说明
图1是本发明微元件的接收基板一实施例的结构示意图;
图2是本发明驱动电路一实施例的结构示意图;
图3是图2所示驱动电路中各信号的时序控制示意图;
图4是本发明电极组件一实施例的俯视结构示意图;
图5是本发明微元件一实施例的结构示意图;
图6是图5所示微元件的仰视结构示意图;
图7是本发明电极组件与微元件组装形式第一实施例的结构示意图;
图8是本发明电极组件与微元件组装形式第二实施例的结构示意图;
图9是本发明电极组件与微元件组装形式第三实施例的结构示意图;
图10是本发明电极组件另一实施例的俯视结构示意图;
图11是本发明微元件另一实施例的仰视结构示意图;
图12是本发明显示装置一实施例的结构示意图;
图13是本发明微元件的转移方法一实施例的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
为解决现有技术中微元件转移效率较低的技术问题,本发明的一实施例提供一种微元件的接收基板。该接收基板包括:板体;电极阵列,包括若干电极组件,若干电极组件阵列设置于板体一侧,各电极组件包括有螺旋状电极;驱动电路,包括输入端和输出端,输入端用于输入驱动信号,输出端连接螺旋状电极一端,螺旋状电极另一端连接一开关;其中,在开关导通、驱动电路的输入端输入驱动信号时,螺旋状电极产生磁场,以吸附带有磁体的微元件。以下进行详细阐述。
Micro LED显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素实现图像显示的显示器,每一个像素可定址、单独驱动点亮,将像素点距离从毫米级降低至微米级,Micro LED显示器和有机发光二极管显示器一样属于自发光显示器。
微转移技术是目前制备Micro LED显示器的主流方法,其具体制备过程为:首先在蓝宝石基板生长出Micro LED,然后通过激光剥离技术将Micro LED从蓝宝石基板上分离,随后使用转移头将Micro LED从蓝宝石基板上吸附到接收基板预留的位置上,然后释放,即完成将Micro LED转移到接收基板上的工作,故而制得Micro LED显示器。
目前转移头一般采用通电吸附或PDMS方式粘附进行转移,然而PDMS剥离时较难控制剥离效果,静电吸附需要对每个转移头进行导通,不仅复杂而且效果欠佳。除此之外,还可以通过控制磁流变液的状态实现Micro LED与转移头之间进行物理连接,但这种方式不仅效率低,而且容易造成磁流变液的泄漏,导致对Micro LED造成污染。在上述Micro LED的转移过程中,由于Micro LED的尺寸微小并且数量巨大,对Micro LED的操作存在非常大的限制,因此包括上述几种转移方式在内的现有转移方法均存在转移效率较低且产品良率较低的问题。
有鉴于此,本发明的一实施例提供一种微元件的接收基板,能够解决现有技术中所存在包括上述Micro LED在内的微元件的转移效率较低的技术问题。
请参阅图1,图1是本发明微元件的接收基板一实施例的结构示意图。
在一实施例中,接收基板1用于接收来自生长基板的微元件2(包括上述MicroLED)。接收基板1包括板体11、电极阵列12以及驱动电路13。
电极阵列12包括若干电极组件121,若干电极组件121阵列设置于板体11的一侧,各电极组件121分别包括有螺旋状电极1211,螺旋状电极1211用于吸附微元件2,以使微元件2正确安装于接收基板1上。
驱动电路13包括输入端131和输出端132。输入端131用于向驱动电路13输入驱动信号,输出端132连接螺旋状电极1211的一端,并且螺旋状电极1211的另一端连接一开关133。
基于上述的接收基板1,在螺旋状电极1211所连接的开关133导通,并且驱动电路13的输入端131输入驱动信号时,螺旋状电极1211中形成电流通路。由于螺旋状电极1211中的电流其流路呈现螺旋状,根据安培定则,螺旋状电极1211会产生相应的磁场,该磁场的磁通线穿过螺旋状电极1211的中心并向外延伸。由于磁场的存在,带有磁体的微元件2会受磁场吸引,以靠近螺旋状电极1211,进而附着于电极组件121。
传统微元件利用流体进行转移的方案,其转移过程中微元件分布过于无序、随机,致使大部分的微元件无法正确落入接收基板上对应的安装位置,其转移过程的可控性较低。而本实施例利用螺旋状电极1211产生的磁场,主动吸附微元件2,驱使微元件2向电极组件121移动并安装于电极组件121中,实现了微元件2的高效组装,在提高微元件2转移过程的可控性的同时,提高了微元件2的转移效率。
请参阅图2-3,图2是本发明驱动电路一实施例的结构示意图,图3是图2所示驱动电路中各信号的时序控制示意图。
在上述接收基板1中,螺旋状电极1211所连接的开关133其实质可以为一TFT,该TFT起到开关的作用。螺旋状电极1211所连接的开关133包括第一端1331、第二端1332以及控制端1333。第一端1331连接螺旋状电极1211,第二端1332接地,控制端1333用于输入开关信号,以控制第一端1331和第二端1332连接或断开。其中,第一端1331和第二端1332连接,意味着开关133导通;第一端1331和第二端1332断开,意味着开关133断开。
驱动电路13其实质可以由两组TFT组成。其中,第一组TFT134与接收基板1上的像素电路连接,具体为栅极与扫描信号线136(Scan)连接,源、漏极分别与数据信号线137(Data)、第二组TFT135的栅极连接。而第二组TFT135其栅极与第一组TFT134连接,源、漏极分别与电源信号线138(VDD)、螺旋状电极1211连接。其具体工作流程可以为:当扫描信号线136扫描到驱动电路13,并输入扫描信号,以导通第一组TFT134的源、漏极;在导通第一组TFT134后,数据信号线137上的数据信号写入驱动电路13,以导通第二组TFT135的源、漏极;在导通第二组TFT135后,电源信号线138上的电源信号写入驱动电路13,也即写入螺旋状电极1211。
在接收基板1用于微元件2的流体组装时,电源信号、扫描信号以及数据信号分别写入高电位,以导通相对应的TFT。而开关信号则周期性地写入高、低电位,以使螺旋状电极1211周期性工作,周期性地吸附微元件2,直至接收基板1上的各电极组件121均完成微元件2的安装。其中,开关信号写入高电位时,导通开关133;而开关信号写入低电位时,开关133断开。
为保证微元件能够正确安装并固定于电极组件,电极组件设有与微元件形状匹配的凹凸嵌合防呆结构。以下进行详细阐述。
请参阅图4-6,图4是本发明电极组件一实施例的俯视结构示意图,图5是本发明微元件一实施例的结构示意图,图6是图5所示微元件的仰视结构示意图。
在一实施例中,电极组件121内设有层叠的第一凹槽1212和第二凹槽。第一凹槽1212的槽口位于电极组件121表面并与之平齐,第二凹槽的槽口位于第一凹槽1212的槽底。并且,第一凹槽1212的槽底面积大于第二凹槽的槽口面积,使得第一凹槽1212和第二凹槽的侧壁呈台阶状。微元件2可嵌入于第一凹槽1212和第二凹槽中,以形成防呆结构。
在一实施例中,微元件2包括本体21和凸条。本体21中包括有磁体,使得微元件2能够在螺旋状电极1211所产生磁场的作用下靠近并附着于电极组件121。凸条设置于本体21与接收基板1固定连接的一侧。凸条在处于正确组装状态时,其嵌入于接收基板1中。
需要说明的是,微元件2中的磁体可以为组成微元件2的某部分结构,其材质为能够被磁化吸引的磁体。或是为使微元件2能够被磁场吸引,在微元件2中额外设计磁体,在此不做限定。优选地,微元件2中的磁体延用其原有的部分金属电极。针对该部分金属电极进行材料改进,例如在原有金属电极中掺杂铁、钴、镍等磁性材料,使得该部分金属电极能够被磁化、吸引。
进一步地,第二凹槽包括十字交叉并且连通的第一子凹槽1213和第二子凹槽1214。第一子凹槽1213和第二子凹槽1214的槽体在相交处连通。对应地,微元件2的本体21与电极组件121连接的表面上所形成的凸条,其包括有第一凸条22和第二凸条23,第一凸条22与第二凸条23同样十字交叉,第一凸条22、第二凸条23的组合体与第一子凹槽1213、第二子凹槽1214的组合体的形状相互匹配,第一凸条22、第二凸条23能够嵌入于第一子凹槽1213、第二子凹槽1214中,以形成上述凹凸嵌合的防呆结构。可以理解的是,只有微元件2的第一凸条22和第二凸条23正确嵌入第一子凹槽1213和第二子凹槽1214,微元件2才可正确安装于电极组件121中,而不被流体剔除、冲走。
图7展示了微元件2的第一凸条22和第二凸条23正确嵌入第一子凹槽1213和第二子凹槽1214的状态;而图8-9展示了微元件2的第一凸条22和第二凸条23未正确嵌入第一子凹槽1213和第二子凹槽1214的状态。
需要说明的是,第一凸条22、第二凸条23优选为从微元件2的一端延伸至相对的另一端,二者在微元件2的中部位置十字交叉并连通。并且第一凸条22、第二凸条23在垂直于微元件2表面方向上具有一定尺寸,以尽可能增大第一凸条22、第二凸条23二者用于接受流体作用的表面的面积,使得未正确安装的微元件2在流体作用下,更易于被剔除、冲走。
第一子凹槽1213、第二子凹槽1214用于嵌合微元件2上的第一凸条22、第二凸条23。而第一凹槽1212则用于嵌合微元件2的本体21,第一凹槽1212的深度大于或等于微元件2的本体21的厚度,使得正确安装的微元件2其顶面至少与第一凹槽1212外的电极组件121表面平齐,甚至位于第一凹槽1212之中,以减少流体对正确安装的微元件2的作用,避免其脱离电极组件121。微元件2的本体21的尺寸大于第一子凹槽1213和第二子凹槽1214槽口面积之和,并且第一凹槽1212的槽底除第一子凹槽1213、第二子凹槽1214之外的区域起到止挡作用,使得只有第一凸条22、第二凸条23以及本体21正确嵌入电极组件121的微元件2,才能正确安装于电极组件121,以避免被流体剔除。
可以理解的是,第一凹槽1212的深度可以大于或等于微元件2的本体21的厚度。对于其中第一凹槽1212的深度大于微元件2的本体21的厚度的情况,第一凹槽1212的深度优选为稍大于微元件2的本体21的厚度,以保证正确安装的微元件2不被流体剔除,同时也是为了保证未正确安装的微元件2易于被流体剔除。并且,第一凹槽1212的深度稍大于微元件2的本体21的厚度,也便于引导微元件2的本体21嵌入第一凹槽1212。
同理,第一子凹槽1213、第二子凹槽1214的尺寸也可稍大于第一凸条22、第二凸条23的尺寸,以便于引导微元件2的第一凸条22、第二凸条23嵌入第一子凹槽1213、第二子凹槽1214。并且,第一凹槽1212、第一子凹槽1213以及第二子凹槽1214的竖向剖面为倒梯形,即第一凹槽1212、第一子凹槽1213以及第二子凹槽1214槽体的横截面面积沿远离第一凹槽1212槽口的方向逐渐减小。如此一来,第一凹槽1212、第一子凹槽1213以及第二子凹槽1214的槽体结构更有利于引导微元件2正确嵌入电极组件121,完成安装。
进一步地,螺旋状电极1211设置于第一凹槽1212槽底除第一子凹槽1213、第二子凹槽1214之外的区域。为增大电极组件121对微元件2的吸附力,可以通过增加单个电极组件121所包含螺旋状电极1211的数量,以增大电极组件121对微元件2的吸附力。其优选为第一子凹槽1213、第二子凹槽1214所定义的第一凹槽1212槽底的四个角落均设置有螺旋状电极1211。
请参阅图10-11,图10是本发明电极组件另一实施例的俯视结构示意图,图11是本发明微元件另一实施例的仰视结构示意图。
在替代实施例中,第二凹槽32包括至少两组第一子凹槽321和第二子凹槽322。各组第一子凹槽321和第二子凹槽322分别设置于第一凹槽31槽底的不同角落。其优选为第二凹槽32包括四组第一子凹槽321和第二子凹槽322,并且各组第一子凹槽321和第二子凹槽322分别设置于第一凹槽31槽底的四个不同角落。
每组的第一子凹槽321一端连接第二子凹槽322一端,二者首尾相连并且各自的另一端自由,第一子凹槽321的延伸方向垂直于第二子凹槽322的延伸方向。与之对应的是,微元件4的凸条也同样包括至少两组第一凸条42和第二凸条43,并且各组第一凸条42和第二凸条43分别设置于微元件4本体41的不同角落。第一凸条42和第二凸条43同样也是第一凸条42的一端连接第二凸条43的一端,并且第一凸条42的延伸方向垂直于第二凸条43的延伸方向。第一凸条42、第二凸条43的组合体与第一子凹槽321、第二子凹槽322的组合体的形状相互匹配,第一凸条42、第二凸条43能够嵌入于第一子凹槽321、第二子凹槽322中,以形成上述凹凸嵌合的防呆结构。
进一步地,螺旋状电极33设置于该至少两组第一子凹槽321和第二子凹槽322所定义的第一凹槽31槽底的中部位置。
综上所述,本发明所提供的微元件的接收基板,其在开关导通,并且向驱动电路的输入端输入驱动信号时,电极组件上的螺旋状电极中形成电流。螺旋状电极中的电流流路呈现螺旋状,使得螺旋状电极产生对应的磁场,以吸附带有磁体的微元件,进行微元件的转移工作。相较于传统流体组装的方式,本发明利用螺旋状电极所产生的磁场,高效吸附微元件,在提高微元件转移过程的可控性的同时,提高微元件的转移效率。
请参阅图12,图12是本发明显示装置一实施例的结构示意图。
在一实施例中,显示装置5包括板体51、电极阵列52、驱动电路53以及微元件54。电极阵列52包括若干电极组件521,该若干电极组件521阵列设置于板体51一侧,并且各电极组件521分别包括有螺旋状电极5211;驱动电路53包括输入端531和输出端532,输入端531用于输入驱动信号,输出端532连接螺旋状电极5211一端,螺旋状电极5211另一端连接一开关533;微元件54包括磁体541,微元件54具有磁体541的一端固定于电极组件521。
其中,螺旋状电极5211能够在开关533导通、驱动电路53的输入端531输入驱动信号时产生磁场,以吸附微元件54具有磁体541的一端附着于电极组件521。显示装置5利用螺旋状电极5211产生的磁场,高效吸附微元件54,以引导微元件54正确安装于电极组件521,能够提高流体转移微元件54过程的可控性,以及提高微元件54的转移效率。
以下大致阐述应用本发明所提供微元件的接收基板的流体转移过程。
请参阅图13,图13是本发明微元件的转移方法一实施例的流程示意图。
S101:提供微元件以及接收基板;
在一实施例中,利用流体带动微元件,实现微元件与接收基板的高效组装。此处的接收基板为上述实施例中所阐述的微元件的接收基板,其结构以及原理已在上述实施例中详细阐述,在此就不再赘述。微元件包括有磁体,微元件能够在接收基板的螺旋状电极所产生的磁场作用下,附着于接收基板上的电极组件,完成组装。
S102:将接收基板和微元件置于一流体环境中;
在一实施例中,在开始微元件批量转移之前,需要将接收基板以及微元件置于一流体环境中。通过驱使流体流动,从而带动微元件运动,使得微元件不断尝试与接收基板进行组装,直至其正确安装于接收基板中。
S103:向接收基板驱动电路的输入端输入驱动信号,并且周期性导通开关;
在一实施例中,流体流动以带动微元件运动,此时向接收基板驱动电路的输入端输入驱动信号,导通电源信号线与螺旋状电极之间的电流流路。并且周期性导通开关,以在开关导通时,螺旋状电极中通过电流,产生磁场,使得螺旋状电极吸引微元件,引导微元件正确安装于电极组件。开关导通一定时长后,需要控制其断开,取消未正确安装的微元件与螺旋状电极之间的吸附力,以使未正确安装的微元件能够在流体冲击下,重新回到流体氛围中,重新尝试与接收基板进行组装。
需要说明的是,向开关输入的开关信号其在高、低电位来回高频切换,使得螺旋状电极工作,吸附微元件、螺旋状电极停止通电、剔除未正确安装的微元件,上述组装过程高频反复实现,直至接收基板上的所有电极组件全部实现正确组装微元件为止。
S104:判断接收基板上的各电极组件是否均安装有微元件;
在一实施例中,若接收基板上的各电极组件均安装有微元件,则说明接收基板已完成微元件的组装,执行步骤S105;若接收基板上的各电极组件未均安装有微元件,则说明书接收基板并未完成微元件的组装,需要继续执行步骤S103。
S105:停止向输入端输入驱动信号以及停止导通开关;
在一实施例中,接收基板上的各电极组件均安装有微元件,说明接收基板已完成微元件的组装,可以终止流体组装工序。对应地,停止向输入端输入驱动信号以及停止导通开关,取出已完成微元件安装的接收基板,进行后续制程。
以上所述仅为本发明的实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (9)
1.一种微元件的接收基板,其特征在于,包括:
板体;
电极阵列,所述电极阵列包括若干电极组件,所述若干电极组件阵列设置于所述板体一侧,各所述电极组件包括有螺旋状电极;
驱动电路,所述驱动电路包括输入端和输出端,所述输入端用于输入驱动信号,所述输出端连接所述螺旋状电极一端,所述螺旋状电极另一端连接一开关;
其中,在所述开关导通、所述驱动电路的所述输入端输入所述驱动信号时,所述螺旋状电极产生磁场,以吸附带有磁体的所述微元件;
所述开关包括第一端、第二端以及控制端,所述第一端连接所述螺旋状电极,所述第二端接地,所述控制端用于输入开关信号,以控制所述第一端和所述第二端连接或断开。
2.根据权利要求1所述的接收基板,其特征在于,所述电极组件设有与所述微元件形状匹配的凹凸嵌合防呆结构。
3.根据权利要求2所述的接收基板,其特征在于,所述电极组件内设有层叠的第一凹槽和第二凹槽,所述第一凹槽的槽口位于所述电极组件表面,所述第二凹槽的槽口位于所述第一凹槽的槽底,所述第一凹槽的槽底面积大于所述第二凹槽的槽口面积,所述微元件上的第一凸条、第二凸条可嵌入于所述第一凹槽、所述第二凹槽中,以形成所述防呆结构。
4.根据权利要求3所述的接收基板,其特征在于,所述第二凹槽包括十字交叉并且连通的第一子凹槽和第二子凹槽,所述第一子凹槽、所述第二子凹槽所定义的所述第一凹槽槽底的四个角落均设置有所述螺旋状电极。
5.根据权利要求3所述的接收基板,其特征在于,所述第二凹槽包括至少两组第一子凹槽和第二子凹槽,各组所述第一子凹槽和第二子凹槽分别设置于所述第一凹槽槽底的不同角落,并且每组的所述第一子凹槽一端连接所述第二子凹槽一端;
所述螺旋状电极设置于所述至少两组第一子凹槽和第二子凹槽所定义的所述第一凹槽槽底的中部位置。
6.根据权利要求4或5所述的接收基板,其特征在于,所述第一凹槽、所述第一子凹槽以及所述第二子凹槽的竖向剖面为倒梯形。
7.一种微元件,其特征在于,包括:
本体,所述本体包括有磁体,所述磁体用于使所述微元件能够被接收基板的螺旋状电极所产生的磁场吸附;
凸条,所述凸条设置于所述本体与接收基板固定连接的一侧,所述凸条在处于正确组装状态时,其嵌入于所述接收基板中;
所述接收基板包括驱动电路,所述驱动电路包括输入端和输出端,所述输入端用于输入驱动信号,所述输出端连接所述螺旋状电极一端,所述螺旋状电极另一端连接一开关;其中,在所述开关导通、所述驱动电路的所述输入端输入所述驱动信号时,所述螺旋状电极产生磁场,以吸附所述本体;
所述开关包括第一端、第二端以及控制端,所述第一端连接所述螺旋状电极,所述第二端接地,所述控制端用于输入开关信号,以控制所述第一端和所述第二端连接或断开。
8.一种显示装置,其特征在于,包括:
板体;
电极阵列,包括若干电极组件,所述若干电极组件阵列设置于所述板体一侧,各所述电极组件包括有螺旋状电极;
驱动电路,包括输入端和输出端,所述输入端用于输入驱动信号,所述输出端连接所述螺旋状电极一端,所述螺旋状电极另一端连接一开关;
微元件,包括磁体,所述微元件具有所述磁体的一端固定于所述电极组件;
其中,所述螺旋状电极能够在所述开关导通、所述驱动电路的所述输入端输入所述驱动信号时产生磁场,以吸附所述微元件具有所述磁体的一端;
所述开关包括第一端、第二端以及控制端,所述第一端连接所述螺旋状电极,所述第二端接地,所述控制端用于输入开关信号,以控制所述第一端和所述第二端连接或断开。
9.一种微元件的转移方法,其特征在于,包括:
提供微元件和如权利要求1至6任一项所述的微元件的接收基板;其中,所述微元件包括磁体;
将所述接收基板和所述微元件置于一流体环境中;
向所述接收基板驱动电路的所述输入端输入驱动信号,并且周期性导通所述开关,以使所述螺旋状电极产生磁场,吸附带有磁体的所述微元件于所述电极组件;
直至所述接收基板上的各所述电极组件均安装有所述微元件,则停止向所述输入端输入所述驱动信号以及停止导通所述开关。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6780696B1 (en) * | 2000-09-12 | 2004-08-24 | Alien Technology Corporation | Method and apparatus for self-assembly of functional blocks on a substrate facilitated by electrode pairs |
CN106816451A (zh) * | 2015-11-27 | 2017-06-09 | 群创光电股份有限公司 | 微型发光显示装置及其制造方法 |
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US20060223225A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Symbol Technologies, Inc. | Method, system, and apparatus for transfer of integrated circuit dies using an attractive force |
CN106571371B (zh) * | 2015-10-09 | 2019-08-09 | 群创光电股份有限公司 | 阵列基板及其应用装置与组装方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6780696B1 (en) * | 2000-09-12 | 2004-08-24 | Alien Technology Corporation | Method and apparatus for self-assembly of functional blocks on a substrate facilitated by electrode pairs |
CN106816451A (zh) * | 2015-11-27 | 2017-06-09 | 群创光电股份有限公司 | 微型发光显示装置及其制造方法 |
CN107833954A (zh) * | 2016-09-15 | 2018-03-23 | 伊乐视有限公司 | 具有表面贴装发光元件的显示器 |
CN108400108A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种微器件转印装置及微器件转印系统 |
CN108538877A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-09-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Micro LED显示面板的制作方法 |
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