JP2020025064A - 発光素子集積装置の製造方法および発光素子配列装置 - Google Patents
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Abstract
Description
p側電極およびn側電極を有する発光素子チップを、回転しているドラムの表面に複数付着させる工程を少なくとも一回経由し、一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記ドラム、または、上記ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを表面に転写した上記ドラムの次段もしくは最終段のドラムに対して移動させながら上記次段もしくは最終段のドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に、上記発光素子チップの上記p側電極または上記n側電極を上記チップ結合部に向けて結合させる発光素子集積装置の製造方法である。
p側電極およびn側電極を有し、上記p側電極側および上記n側電極側のうちの一方が他方に比べてより強く磁場に引き寄せられるように構成された発光素子チップを、回転している帯電ドラムの表面に複数付着させる工程と、
一方の主面に強磁性材料を含むチップ結合部を複数有する実装基板を上記帯電ドラムに対して移動させながら上記帯電ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に、上記p側電極側および上記n側電極側のうちのより強く磁場に引き寄せられるように構成された側を上記チップ結合部に向けて磁力により結合させる工程とを有する。
p側電極およびn側電極を有し、上記p側電極側および上記n側電極側のうちの一方が他方に比べてより強く磁場に引き寄せられるように構成され、帯電した発光素子チップを、回転している感光体ドラムの表面の上記発光素子チップと逆符号に帯電させた、上記発光素子チップの配列位置に相当する領域に少なくとも一個付着させる工程と、
一方の主面に強磁性材料を含むチップ結合部を複数有する実装基板を上記感光体ドラムに対して移動させながら上記感光体ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に、上記p側電極側および上記n側電極側のうちのより強く磁場に引き寄せられるように構成された側を上記チップ結合部に向けて磁力により結合させる工程とを有する。
p側電極およびn側電極を有し、帯電した発光素子チップを、回転している感光体ドラムの表面の上記発光素子チップと逆符号に帯電させた、上記発光素子チップの配列位置に相当する領域に少なくとも一個付着させる工程と、
一方の主面に粘着物質からなるチップ結合部を複数有する実装基板を上記感光体ドラムに対して移動させながら上記感光体ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に上記粘着物質により結合させる工程とを有する。
p側電極およびn側電極を有し、上記p側電極側および上記n側電極側のうちの一方が他方に比べてより強く磁場に引き寄せられるように構成された発光素子チップを、回転している帯電ドラムの表面に複数付着させる工程と、
上記帯電ドラムに平行に配置された、表面に複数の磁性体が配列された磁性体ドラムを上記帯電ドラムと逆方向に回転させながら上記帯電ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記磁性体ドラムの上記磁性体に付着させる工程と、
一方の主面に強磁性材料を含むチップ結合部を複数有する実装基板を上記磁性体ドラムに対して移動させながら上記磁性体ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に、上記p側電極側および上記n側電極側のうちのより強く磁場に引き寄せられるように構成された側を上記チップ結合部に向けて磁力により結合させる工程とを有する。
p側電極およびn側電極を有し、上記p側電極側および上記n側電極側のうちの一方が他方に比べてより強く磁場に引き寄せられるように構成された発光素子チップを、表面に複数の磁性体が配列された、回転している磁性体ドラムの表面に複数付着させる工程と、
上記磁性体ドラムに平行に配置された、表面に複数の粘着体が配列された粘着体ドラムを上記磁性体ドラムと逆方向に回転させながら上記磁性体ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記粘着体ドラムの上記粘着体に付着させる工程と、
一方の主面に上記粘着体より粘着力が強い粘着物質からなるチップ結合部を複数有する実装基板を上記粘着体ドラムに対して移動させながら上記粘着体ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に上記粘着物質により結合させる工程とを有する。
p側電極およびn側電極を有し、上記p側電極側および上記n側電極側のうちの一方が他方に比べてより強く磁場に引き寄せられるように構成された発光素子チップを、表面に複数の電磁石の芯の一端が配列された、回転しているドラムの表面に上記電磁石を作動させて磁力により複数付着させる工程と、
一方の主面に強磁性材料を含むチップ結合部を複数有する実装基板を上記ドラムに対して移動させながら上記ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に、上記p側電極側および上記n側電極側のうちのより強く磁場に引き寄せられるように構成された側を上記チップ結合部に向けて磁力により結合させる工程とを有する。
p側電極およびn側電極を有する発光素子チップを、回転しているドラムの表面に静電気力、磁力または粘着力により複数付着させる工程と、
一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記ドラムに対して移動させながら上記ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に磁力または粘着力により結合させる工程とを有する。
p側電極およびn側電極を有する発光素子チップを、回転している第1ドラムの表面に静電気力、磁力または粘着力により複数付着させる工程と、
上記第1ドラムに平行に配置された、表面に複数の磁性体、複数の電磁石の芯の一端または複数の粘着体が配列された第2ドラムを上記第1ドラムと逆方向に回転させながら上記第1ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記第2ドラムの上記磁性体、上記芯の一端または上記粘着体に磁力または粘着力により付着させる工程と、
一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記第2ドラムに対して移動させながら上記第2ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に磁力または粘着力により結合させる工程とを有する。
p側電極およびn側電極を有する発光素子チップを表面に付着させる少なくとも一段のドラムと、
一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を、最終段の上記ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に、上記発光素子チップの上記p側電極または上記n側電極を上記チップ結合部に向けて結合させるために最終段の上記ドラムに対して移動させるための搬送装置とを有する発光素子配列装置である。
p側電極およびn側電極を有する発光素子チップの供給口および送出口を有し、上記送出口の内部に帯電ドラムを有する容器と、
上記容器の外部に設けられた、一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記帯電ドラムに対して移動させるための搬送装置とを有する。
p側電極およびn側電極を有する発光素子チップの供給口および送出口を有し、上記送出口の内部に帯電ドラムを有する容器と、
上記容器の外部に上記帯電ドラムに平行に設けられた、表面に複数の磁性体が配列された磁性体ドラムと、
一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記磁性体ドラムに対して移動させるための搬送装置とを有する。
p側電極およびn側電極を有する発光素子チップの供給口および送出口を有し、上記送出口の内部に帯磁ドラムを有する容器と、
上記容器の外部に上記帯磁ドラムに平行に設けられた感光体ドラムと、
上記感光体ドラムの表面に光を選択的に照射する光源と、
上記容器の外部に設けられた、一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記感光体ドラムに対して移動させるための搬送装置とを有する。
p側電極およびn側電極を有する発光素子チップを帯電させて搬送する帯電搬送装置と、
上記帯電搬送装置に平行に、かつ上記帯電搬送装置による上記発光素子チップの搬送方向と直交する方向に設けられた感光体ドラムと、
上記感光体ドラムの表面に光を選択的に照射する光源と、
一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記感光体ドラムに対して移動させるための搬送装置とを有する。
p側電極およびn側電極を有する発光素子チップを搬送する第1搬送装置と、
上記第1搬送装置に平行に、かつ上記第1搬送装置による上記発光素子チップの搬送方向と直交する方向に設けられた、表面に複数の磁性体が配列された磁性体ドラムと、
上記磁性体ドラムに平行に設けられた粘着体ドラムと、
一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記粘着体ドラムに対して移動させるための第2搬送装置とを有する。
p側電極およびn側電極を有する発光素子チップを搬送する第1搬送装置と、
上記第1搬送装置に平行に、かつ上記第1搬送装置による上記発光素子チップの搬送方向と直交する方向に設けられた、表面に複数の電磁石の芯の一端が配列されたドラムと、
一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記ドラムに対して移動させるための第2搬送装置とを有する。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
マイクロLED集積装置は実装基板上にマイクロLEDチップを多数実装することにより製造するが、最初にまず、マイクロLEDチップおよび実装基板の製造方法について説明する。
図1Aに示すように、従来公知の方法により、表面がパターン化された凹凸のあるサファイア基板(Patterned sapphire substrate) 10上にn型GaN層11、障壁層としてのInx Ga1-x N層と井戸層としてのIny Ga1-y N層とが交互に積層されたInx Ga1-x N/Iny Ga1-y N多重量子井戸(MQW)構造(x<y、0≦x<1)を有する発光層12およびp型GaN層13を順次エピタキシャル成長させる。n型GaN層11の厚さは例えば5〜10μm、発光層12の厚さは例えば0.1〜0.2μm、p型GaN層13の厚さは例えば0.1〜0.2μmである。エピタキシャル成長には例えばMOCVD法を用いる。
図6Aに示すように、基板40を用意する。基板40は剛性を有するものであってもフレキシブルなものであってもよく、必要に応じて選ばれる。基板40は、例えば、Si基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板などのほか、樹脂フィルムなどであってもよい。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
第2の実施の形態においては、マイクロLED集積装置の製造方法において、磁性体付着ドラムを使用してマイクロLEDチップ30を実装基板50上に配列する方法について説明する。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
第3の実施の形態においては、マイクロLED集積装置の製造方法において、予め帯電させたマイクロLEDチップ30を感光体ドラムを使用して実装基板50上に配列する方法について説明する。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
第4の実施の形態によるマイクロLED集積装置の製造方法においては、実装基板50上に3種類の発光波長のマイクロLEDチップ、具体的には青色発光のマイクロLEDチップ、緑色発光のマイクロLEDチップおよび赤色発光のマイクロLEDチップを配列する場合について説明する。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
第5の実施の形態によるマイクロLED集積装置の製造方法は、実装基板50の製造方法が第1の実施の形態と異なる。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
第6の実施の形態によるマイクロLED集積装置の製造方法は、実装基板50の製造方法が第1の実施の形態と異なる。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
第1〜第6の実施の形態によるマイクロLED集積装置においては、マイクロLEDチップ30、110、120、130はp側電極15およびn側電極14が同一面側にある横型構造のものであるが、第7の実施の形態によるマイクロLED集積装置においては、p側電極15およびn側電極14を発光層を挟んで上下方向に有する垂直型マイクロLEDチップを用いる場合について説明する。
垂直型マイクロLEDチップの製造方法について説明する。
図32Aに示すように、基板40を用意する。基板40は剛性を有するものであってもフレキシブルなものであってもよく、必要に応じて選ばれる。基板40は、例えば、Si基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板などのほか、樹脂フィルムなどであってもよい。
図33に示すように、マイクロLEDチップ30の代わりに垂直型マイクロLEDチップ400を用いて、第1、第2または第3の実施の形態と同様にして、実装基板50のチップ結合部45に垂直型マイクロLEDチップ400をp側電極15側を下方に向けて結合させる。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
第8の実施の形態によるマイクロLED集積装置の製造方法においては、第7の実施の形態によるマイクロLED集積装置において、図32Cに示すように、磁性体膜42を着磁させた後に、図38に示すように、各チップ結合部45上のロウ電極46上に半田700を真空蒸着法などにより形成し、垂直型マイクロLEDチップ400を各チップ結合部45に結合することが、第7の実施の形態と異なる。半田700は、必要に応じて選ばれるが、例えば、Sn、AuSn、InSn、Inなどである。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
第9の実施の形態においては、実装基板50として次のようなものを用いることが第3の実施の形態によるマイクロLED集積装置と異なる。
[マイクロLED集積装置]
第10の実施の形態においては、第4の実施の形態によるマイクロLED集積装置を複数、繋ぎ合わせることにより大型化したマイクロLED集積装置について説明する。ここでは、二つのマイクロLED集積装置を繋ぎ合わせて一つの大型のマイクロLED集積装置を製造する場合について説明する。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
第11の実施の形態においては、マイクロLED集積装置の実装基板50として図41に示すものを用いる代わりに図43に示すものを用いる点が第1の実施の形態によるマイクロLED集積装置の製造方法と異なる。図43に示すように、この実装基板50は、基板40の端部が異方性導電性フィルム52により形成されている。この実装基板50の平面図を図44に示す。基板40は、例えば、PEEK、ポリイミドなどのエンジニアリングプラスチックフィルムや高機能樹脂フィルムなどからなる。基板40の端部に設けられている異方性導電性フィルム52の幅は例えば数10〜100μmである。上記以外のことは第1の実施の形態によるマイクロLED集積装置の製造方法と同様である。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
第12の実施の形態においては、マイクロLED集積装置の実装基板50として図41に示すものを用いる代わりに図45に示すものを用いる点が第1の実施の形態によるマイクロLED集積装置と異なる。図45に示すように、この実装基板50は、基板40が異方性導電性フィルム53により形成されている。異方性導電性フィルム53の裏面には保護用のフィルム54が貼られており、使用時にこの保護フィルム54が剥がされる。この実装基板50の平面図を図46に示す。ロウ電極46は異方性導電性フィルム53により上下方向に導通している。また、パッシベーション絶縁膜49に形成されたコンタクトホールを通して配線55が形成されており、この配線55は異方性導電性フィルム53により上下方向に導通している。上記以外のことは第1の実施の形態によるマイクロLED集積装置と同様である。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
第13の実施の形態においては、マイクロLED集積装置の実装基板50として図41に示すものを用いる代わりに図47に示すものを用いる点が第1の実施の形態によるマイクロLED集積装置の製造方法と異なる。図47に示すように、この実装基板50は、基板40が異方性導電性フィルム53により形成され、この異方性導電性フィルム53の裏面に駆動素子などを含む回路基板56が加熱圧着されている。こうすることで、異方性導電性フィルム53を介してマイクロLEDチップ110、120、130と回路基板56とが接続される。上記以外のことは第10の実施の形態によるマイクロLED集積装置と同様である。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
第14の実施の形態においては、感光体ドラムに付着したマイクロLEDチップを実装基板に転写することにより実装基板上にマイクロLEDチップを整列させる。
マイクロLEDチップ2000の構成について説明する。マイクロLEDチップ2000は、p側電極側の表面およびn側電極側の表面のうちの一方が他方に比べてより強く帯電するように構成される。
既に述べたように、感光体ドラム2030は、レーザ光、LED光等の光2040の照射により表面のチップ結合位置のみをマイクロLEDチップ2000と逆極性に帯電させる。図53AおよびBはその一例を具体的に示す。すなわち、この例では、感光体ドラム2030の表面2031の全体にマイクロLEDチップ2000と逆極性、すなわち負電荷を帯電させる。感光体ドラム2030の中心軸に平行な方向に延在する細長い光源2080を感光体ドラム2030に隣接して配置する。そして、図54AおよびBに示すように、感光体ドラム2030の表面2031のうちマイクロLEDチップ2000の配列位置に相当するドット状の領域以外の領域に光源2080により光2040を当てて消電することにより、負電荷を帯電した領域2050を形成する。
実装基板2060のチップ結合部の構成について説明する。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
第15の実施の形態においては、第1の実施の形態とは異なる方法で、磁性体付着ドラムに付着したマイクロLEDチップ30を実装基板に転写することにより実装基板上にマイクロLEDチップ30を整列させる。
マイクロLEDチップ2000としては、基本的には、図50、図51および図52に示す三種類のマイクロLEDチップ2000を用いることができる。ただし、この場合、好適には、マイクロLEDチップ2000の厚さは20μm以下、直径は150μm以下である。
[マイクロLED集積装置の製造方法]
第16の実施の形態においては、第1の実施の形態とは異なる方法で、ドラムに付着したマイクロLEDチップ2000を実装基板に転写することにより実装基板上にマイクロLEDチップ2000を整列させる。
マイクロLEDチップ2000の構成は第15の実施の形態と同様である。
Claims (30)
- p側電極およびn側電極を有し、上記p側電極側および上記n側電極側のうちの一方が他方に比べてより強く磁場に引き寄せられるように構成された発光素子チップを、回転している帯電ドラムの表面に複数付着させる工程と、
一方の主面に強磁性材料を含むチップ結合部を複数有する実装基板を上記帯電ドラムに対して移動させながら上記帯電ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に、上記p側電極側および上記n側電極側のうちのより強く磁場に引き寄せられるように構成された側を上記チップ結合部に向けて磁力により結合させる工程とを有する発光素子集積装置の製造方法。 - p側電極およびn側電極を有し、上記p側電極側および上記n側電極側のうちの一方が他方に比べてより強く磁場に引き寄せられるように構成され、帯電した発光素子チップを、回転している感光体ドラムの表面の上記発光素子チップと逆符号に帯電させた、上記発光素子チップの配列位置に相当する領域に少なくとも一個付着させる工程と、
一方の主面に強磁性材料を含むチップ結合部を複数有する実装基板を上記感光体ドラムに対して移動させながら上記感光体ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に、上記p側電極側および上記n側電極側のうちのより強く磁場に引き寄せられるように構成された側を上記チップ結合部に向けて磁力により結合させる工程とを有する発光素子集積装置の製造方法。 - p側電極およびn側電極を有し、帯電した発光素子チップを、回転している感光体ドラムの表面の上記発光素子チップと逆符号に帯電させた、上記発光素子チップの配列位置に相当する領域に少なくとも一個付着させる工程と、
一方の主面に粘着物質からなるチップ結合部を複数有する実装基板を上記感光体ドラムに対して移動させながら上記感光体ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に上記粘着物質により結合させる工程とを有する発光素子集積装置の製造方法。 - 上記発光素子チップの上記p側電極側の表面および上記n側電極側の表面のうちの一方が他方に比べてより強く帯電するように構成されている請求項1〜3のいずれか一項記載の発光素子集積装置の製造方法。
- p側電極およびn側電極を有し、上記p側電極側および上記n側電極側のうちの一方が他方に比べてより強く磁場に引き寄せられるように構成された発光素子チップを、回転している帯電ドラムの表面に複数付着させる工程と、
上記帯電ドラムに平行に配置された、表面に複数の磁性体が配列された磁性体ドラムを上記帯電ドラムと逆方向に回転させながら上記帯電ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記磁性体ドラムの上記磁性体に付着させる工程と、
一方の主面に強磁性材料を含むチップ結合部を複数有する実装基板を上記磁性体ドラムに対して移動させながら上記磁性体ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に、上記p側電極側および上記n側電極側のうちのより強く磁場に引き寄せられるように構成された側を上記チップ結合部に向けて磁力により結合させる工程とを有する発光素子集積装置の製造方法。 - p側電極およびn側電極を有し、上記p側電極側および上記n側電極側のうちの一方が他方に比べてより強く磁場に引き寄せられるように構成された発光素子チップを、表面に複数の磁性体が配列された、回転している磁性体ドラムの表面に複数付着させる工程と、
上記磁性体ドラムに平行に配置された、表面に複数の粘着体が配列された粘着体ドラムを上記磁性体ドラムと逆方向に回転させながら上記磁性体ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記粘着体ドラムの上記粘着体に付着させる工程と、
一方の主面に上記粘着体より粘着力が強い粘着物質からなるチップ結合部を複数有する実装基板を上記粘着体ドラムに対して移動させながら上記粘着体ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に上記粘着物質により結合させる工程とを有する発光素子集積装置の製造方法。 - p側電極およびn側電極を有し、上記p側電極側および上記n側電極側のうちの一方が他方に比べてより強く磁場に引き寄せられるように構成された発光素子チップを、表面に複数の電磁石の芯の一端が配列された、回転しているドラムの表面に上記電磁石を作動させて磁力により複数付着させる工程と、
一方の主面に強磁性材料を含むチップ結合部を複数有する実装基板を上記ドラムに対して移動させながら上記ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に、上記p側電極側および上記n側電極側のうちのより強く磁場に引き寄せられるように構成された側を上記チップ結合部に向けて磁力により結合させる工程とを有する発光素子集積装置の製造方法。 - p側電極およびn側電極を有する発光素子チップを、回転しているドラムの表面に静電気力、磁力または粘着力により複数付着させる工程と、
一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記ドラムに対して移動させながら上記ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に磁力または粘着力により結合させる工程とを有する発光素子集積装置の製造方法。 - p側電極およびn側電極を有する発光素子チップを、回転している第1ドラムの表面に静電気力、磁力または粘着力により複数付着させる工程と、
上記第1ドラムに平行に配置された、表面に複数の磁性体、複数の電磁石の芯の一端または複数の粘着体が配列された第2ドラムを上記第1ドラムと逆方向に回転させながら上記第1ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記第2ドラムの上記磁性体、上記芯の一端または上記粘着体に磁力または粘着力により付着させる工程と、
一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記第2ドラムに対して移動させながら上記第2ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に磁力または粘着力により結合させる工程とを有する発光素子集積装置の製造方法。 - 上記発光素子チップの上記p側電極または上記n側電極または上記p側電極および上記n側電極に強磁性材料を含む請求項1〜9のいずれか一項記載の発光素子集積装置の製造方法。
- 上記発光素子チップの上記p側電極が積層膜からなり、上記積層膜を構成する少なくとも一層の膜が強磁性材料からなる請求項10記載の発光素子集積装置の製造方法。
- 上記発光素子チップの上記p側電極または上記n側電極の近傍に強磁性材料が設けられている請求項1〜9のいずれか一項記載の発光素子集積装置の製造方法。
- 上記発光素子チップの上記強磁性材料が軟磁性体である請求項10〜12のいずれか一項記載の発光素子集積装置の製造方法。
- 上記発光素子チップは発光層を挟んだ上下方向にp側電極およびn側電極を有する縦型発光素子チップまたは同一面側にp側電極およびn側電極を有する横型発光素子チップである請求項1〜13のいずれか一項記載の発光素子集積装置の製造方法。
- 上記実装基板の上記チップ結合部が積層膜からなり、上記積層膜を構成する少なくとも一層の膜が強磁性材料からなる請求項10〜12のいずれか一項記載の発光素子集積装置の製造方法。
- 上記強磁性材料が硬磁性体である請求項15記載の発光素子集積装置の製造方法。
- 上記発光素子チップはチップ面に垂直な軸に関し回転対称性を有する請求項1〜16のいずれか一項記載の発光素子集積装置の製造方法。
- 上記実装基板の上記チップ結合部は上記実装基板の上記一方の主面に垂直な軸に関し回転対称性を有する請求項1〜16のいずれか一項記載の発光素子集積装置の製造方法。
- 上記実装基板の上記チップ結合部は二次元アレイ状に複数設けられ、それぞれの上記チップ結合部に上記発光素子チップが結合している請求項1〜18のいずれか一項記載の発光素子集積装置の製造方法。
- 上記発光素子チップはチップサイズが100μm×100μm以下、厚さが20μm以下である請求項1〜19のいずれか一項記載の発光素子集積装置の製造方法。
- 上記発光素子チップはInGaN系半導体発光素子チップまたはAlGaInP系半導体発光素子チップである請求項1〜20のいずれか一項記載の発光素子集積装置の製造方法。
- 上記発光素子集積装置は発光ダイオード照明装置、発光ダイオードバックライトまたは発光ダイオードディスプレイである請求項1〜21のいずれか一項記載の発光素子集積装置の製造方法。
- p側電極およびn側電極を有する発光素子チップの供給口および送出口を有し、上記送出口の内部に帯電ドラムを有する容器と、
上記容器の外部に設けられた、一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記帯電ドラムに対して移動させるための搬送装置とを有する発光素子配列装置。 - p側電極およびn側電極を有する発光素子チップの供給口および送出口を有し、上記送出口の内部に帯電ドラムを有する容器と、
上記容器の外部に上記帯電ドラムに平行に設けられた、表面に複数の磁性体が配列された磁性体ドラムと、
一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記磁性体ドラムに対して移動させるための搬送装置とを有する発光素子配列装置。 - p側電極およびn側電極を有する発光素子チップの供給口および送出口を有し、上記送出口の内部に帯磁ドラムを有する容器と、
上記容器の外部に上記帯磁ドラムに平行に設けられた感光体ドラムと、
上記感光体ドラムの表面に光を選択的に照射する光源と、
上記容器の外部に設けられた、一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記感光体ドラムに対して移動させるための搬送装置とを有する発光素子配列装置。 - p側電極およびn側電極を有する発光素子チップを帯電させて搬送する帯電搬送装置と、
上記帯電搬送装置に平行に、かつ上記帯電搬送装置による上記発光素子チップの搬送方向と直交する方向に設けられた感光体ドラムと、
上記感光体ドラムの表面に光を選択的に照射する光源と、
一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記感光体ドラムに対して移動させるための搬送装置とを有する発光素子配列装置。 - p側電極およびn側電極を有する発光素子チップを搬送する第1搬送装置と、
上記第1搬送装置に平行に、かつ上記第1搬送装置による上記発光素子チップの搬送方向と直交する方向に設けられた、表面に複数の磁性体が配列された磁性体ドラムと、
上記磁性体ドラムに平行に設けられた粘着体ドラムと、
一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記粘着体ドラムに対して移動させるための第2搬送装置とを有する発光素子配列装置。 - p側電極およびn側電極を有する発光素子チップを搬送する第1搬送装置と、
上記第1搬送装置に平行に、かつ上記第1搬送装置による上記発光素子チップの搬送方向と直交する方向に設けられた、表面に複数の電磁石の芯の一端が配列されたドラムと、
一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記ドラムに対して移動させるための第2搬送装置とを有する発光素子配列装置。 - p側電極およびn側電極を有する発光素子チップを、回転しているドラムの表面に複数付着させる工程を少なくとも一回経由し、一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を上記ドラム、または、上記ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを表面に転写した上記ドラムの次段もしくは最終段のドラムに対して移動させながら上記次段もしくは最終段のドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に、上記発光素子チップの上記p側電極または上記n側電極を上記チップ結合部に向けて結合させる発光素子集積装置の製造方法。
- p側電極およびn側電極を有する発光素子チップを表面に付着させる少なくとも一段のドラムと、
一方の主面にチップ結合部を複数有する実装基板を、最終段の上記ドラムの表面に付着した上記発光素子チップを上記チップ結合部に、上記発光素子チップの上記p側電極または上記n側電極を上記チップ結合部に向けて結合させるために最終段の上記ドラムに対して移動させるための搬送装置とを有する発光素子配列装置。
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