JP2015185762A - 半導体発光装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents

半導体発光装置の製造方法及び製造装置 Download PDF

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Mitsunori Harada
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Abstract

【課題】半導体発光装置の製造方法において、基板における発光素子の取付ピッチを小さくでき、かつ発光素子の取付時間を短縮する。
【解決手段】可撓性基板14を移動方向A7に移動させ、無端式搬送部材37を、基板14に上側から対峙させつつ周回運動させる。搬送部材37の内周側からの吸引磁力により搬送部材37の外周面に複数の発光素子2を保持する。基板14における取付位置P2が取付磁力発生位置P1を通過する時に、基板14の下面側から吸引磁力を発生し、それによって搬送部材37の外周面から発光素子2を離脱させて取付位置P2に吸着させる。
【選択図】図4

Description

本発明は、複数の発光素子が可撓性基板上に取付けられた半導体発光装置の製造方法及び製造装置に関する。
文字の画(かく)に相当する部分に小さなLED(発光ダイオード)を所定の取付密度で並べて、並べたLEDを一斉に発光することにより、文字を表示する半導体発光装置が知られている。このような半導体発光装置の製造方法では、LEDを可撓性基板の所望の取付位置に取付ける作業を効率化することが要求される。
特許文献1は、基板に、複数の素子をそれぞれ取付位置に取付ける作業を効率化する製造方法を開示する。該製造方法では、フランジ付き素子のフランジを円、正方形又は長方形等の異なる形状に設定するとともに、基板における素子の取付位置に、取付ける素子のフランジの形状及び寸法に一致する形状及び寸法の凹部を形成する。そして、基板上に、フランジの形状の異なる素子を十分な個数、散乱させてから、基板を振動させることにより、各凹部に、形状及び寸法が一致するフランジをもつ素子が、自動的に嵌合して、基板に取付けられるようになっている。
特開2003−216052号公報
特許文献1の製造方法は、素子の寸法が小さいと、形状に差異があっても、一致する形状の凹部に正しく嵌合しないので、素子にフランジを付けて、フランジを所定の形状に加工するため、素子自体の加工が煩雑になる。また、フランジのために、素子の取付ピッチが増大する問題もある。
特許文献1の製造方法は、また、基板を振動させて、素子を、凹部に移動、取付けるようにしているので、素子が凹部に嵌合するまでの所要時間が長くなり、基板への素子の取付時間が長大となる。
本発明の目的は、基板における発光素子の取付ピッチを小さくできるとともに、発光素子の取付を迅速化することができる半導体発光装置の製造方法及び製造装置を提供することである。
本発明の半導体発光装置の製造方法は、可撓性基板を所定の移動方向に移動させ、無端式搬送部材が、前記可撓性基板に所定の対峙範囲において上側から対峙しつつ移動するように、前記無端式搬送部材を周回運動させ、前記無端式搬送部材の内周側からの吸引磁力により前記無端式搬送部材の外周面に複数の磁性部付き発光素子を保持させ、前記可撓性基板における前記磁性部付き発光素子の取付位置が前記対峙範囲内の取付磁力発生位置を通過する時に、前記可撓性基板の下面側から前記取付磁力発生位置に下向きの吸引磁力を発生して、前記無端式搬送部材の外周面に保持されている磁性部付き発光素子を前記無端式搬送部材から離脱させて、前記取付位置に吸着させることを特徴とする。
本発明によれば、発光素子を磁性部付きとし、磁性部付き発光素子を無端式搬送部材の外周面に吸引磁力により保持して、対峙範囲へ無端式搬送部材の周回運動により移動させる。そして、可撓性基板が移動して、可撓性基板上の取付位置が取付磁力発生位置に達すると、可撓性基板の下側から取付磁力発生位置に下向きの吸引磁力を発生させる。これにより、無端式搬送部材の外周面の磁性部付き発光素子が、可撓性基板の取付磁力発生位置からの吸引磁力により吸引されて、無端式搬送部材の外周面から離脱して、取付磁力発生位置、すなわち取付位置に吸着される。こうして、基板の凹部の形状に適切に嵌合するように、発光素子のフランジを形成することが省略できるので、基板における発光素子の取付ピッチを小さくできる。また、振動を掛けて発光素子を凹部に嵌合させるのと違って、取付位置に吸引磁力を発生して、磁性部付き発光素子を取付位置に吸引するので、発光素子を基板の取付位置に迅速に取付けることができる。
本発明の半導体発光装置の製造方法において、前記磁性部付き発光素子は、熱により溶融可能な金属接合膜により被覆されかつ電極を兼ねる磁性部を、前記可撓性基板との接触部に有し、前記可撓性基板は、複数の取付位置間を接続する配線を有し、前記取付磁力発生位置から前記移動方向に所定距離の場所において前記金属接合膜を加熱、溶融することにより前記磁性部付き発光素子を前記可撓性基板に固着させて、前記電極と前記可撓性基板の前記配線とを接続することが好ましい。
この構成によれば、接合膜を加熱、溶融することにより磁性部としての電極が、可撓性基板に固着し、また、固着に伴い可撓性基板の配線と自動的に接続される。この結果、磁性部付き発光素子と可撓性基板の配線との接続作業を迅速化できる。
本発明の半導体発光装置の製造方法において、前記可撓性基板は、前記取付位置にあらかじめ磁化された硬質磁性体被膜を有し、前記可撓性基板における前記取付位置が前記取付磁力発生位置を通過しだい、前記可撓性基板の下面側からの前記取付磁力発生位置の下向きの吸引磁力を消失させるとともに、通過後の前記取付位置の前記硬質磁性体被膜の磁力により該取付位置への前記磁性部付き発光素子の吸着を保持させることが好ましい。
この構成によれば、可撓性基板の取付位置の硬質磁性体膜は、あらかじめ着磁装置を用いて、コンデンサによる大電流パルス印加等によってあらかじめ磁化されている。これにより、可撓性基板の取付位置に取り付けられた磁性部付き発光素子を、取付磁力発生位置を通過後も、硬質磁性体膜の磁力により取付位置に保持することができる。
本発明の半導体発光装置の製造方法において、前記可撓性基板における前記複数の取付位置についての前記移動方向のピッチに応じて前記可撓性基板の移動速度を制御することが好ましい。
この構成によれば、可撓性基板の移動速度を取付位置についての移動方向のピッチに応じて調整することにより、移動方向のピッチの小さい取付位置についても支障なく発光素子を取付けることができる。
本発明の半導体発光装置の製造方法において、前記可撓性基板の幅方向全体と前記可撓性基板の移動方向所定範囲とに含まれる全部の取付位置に対して別々の取付磁力発生位置を設定し、該全部の取付位置が対応の取付磁力発生位置を通過する時に、該対応の取付磁力発生位置の全部に対し一斉に前記可撓性基板の下面側から下向きの吸引磁力を発生することが好ましい。
この構成によれば、可撓性基板の幅方向全体と可撓性基板の移動方向所定範囲とに含まれる全部の取付位置に対し一斉に磁性部付き発光素子が取付けられるので、取付作業時間を短縮することができる。
本発明の半導体発光装置の製造装置は、可撓性基板を所定の移動方向に移動させる移動手段と、無端式搬送部材を有し、前記移動方向へ移動中の前記可撓性基板に対し、該無端式搬送部材を、上側から対峙させつつ周回運動させる駆動手段と、前記無端式搬送部材の内周側からの吸引磁力により前記無端式搬送部材の外周面に複数の磁性部付き発光素子を保持する保持磁力発生手段と、前記可撓性基板における取付位置が前記対峙範囲内の取付磁力発生位置を通過する時に、前記可撓性基板の下面側から前記取付磁力発生位置に下向きの吸引磁力を発生して、前記無端式搬送部材の外周面に吸着している前記磁性部付き発光素子を前記無端式搬送部材から離脱させて、前記取付位置に吸着する取付磁力発生手段とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、基板の凹部の形状に適切に嵌合するように、発光素子のフランジを形成する必要がないので、基板における発光素子の取付ピッチを小さくできる。また、振動を掛けて発光素子を凹部に嵌合させるのと違って、取付位置に吸引磁力を発生して、磁性部付き発光素子を取付位置に吸引するので、発光素子を基板の取付位置に迅速に取付けることができる。
本発明の半導体発光装置の製造装置において、前記磁性部付き発光素子は、前記可撓性基板の取付位置への取付時に前記可撓性基板に接触する接触部に、熱により溶融可能な金属接合膜により被覆されかつ電極を兼ねる磁性部を有し、前記可撓性基板は、複数の取付位置間を接続する配線を有し、前記取付磁力発生位置から前記移動方向に所定距離の場所に配設され、前記金属接合膜を加熱、溶融する加熱手段とを備えることが好ましい。
この構成によれば、金属接合膜を加熱、溶融することにより磁性部としての電極が、可撓性基板に固着し、また、固着に伴い可撓性基板の配線と自動的に接続するので、磁性部付き発光素子と可撓性基板の配線との接続作業を迅速化できる。
本発明の半導体発光装置の製造装置において、前記可撓性基板は、前記取付位置にあらかじめ磁化された硬質磁性体被膜を有することが好ましい。
この構成によれば、可撓性基板の取付位置の硬質磁性体膜は、着磁装置を用いて、コンデンサによる大電流パルス印加等によってあらかじめ磁化されている。これにより、可撓性基板の取付位置に取付けられた磁性部付き発光素子を、取付磁力発生位置の通過後も、硬質磁性体膜の磁力により取付位置に保持することができる。
本発明の半導体発光装置の製造装置において、前記移動手段は、前記可撓性基板における前記複数の取付位置についての前記移動方向のピッチに応じて前記可撓性基板の移動速度を制御するものであることが好ましい。
この構成によれば、可撓性基板の移動速度を取付位置についての移動方向のピッチに応じて調整することにより、移動方向のピッチの小さい取付位置についても支障なく磁性部付き発光素子を取付けることができる。
本発明の半導体発光装置の製造装置において、前記取付磁力発生手段は、前記可撓性基板の幅方向全体と前記可撓性基板の移動方向所定範囲とに含まれる全部の取付位置に対して別々の取付磁力発生位置を設定し、該全部の取付位置が対応の取付磁力発生位置を通過する時に、該対応の取付磁力発生位置の全部に対し一斉に前記可撓性基板の下面側から下向きの吸引磁力を発生することが好ましい。
この構成によれば、可撓性基板の幅方向全体と可撓性基板の移動方向所定範囲とに含まれる全部の取付位置に対し一斉に磁性部付き発光素子が取付けられるので、取付位置対し個々に磁性部付き発光素子が取付けられるときよりも、取付作業時間を短縮することができる。
本発明の半導体発光装置の製造装置において、前記取付磁力発生手段は、前記複数の取付磁力発生位置が前記可撓性基板の幅方向に等間隔で並ぶ配列を前記移動方向に複数、有し、前記可撓性基板の幅方向の前記取付磁力発生位置は、前記移動方向に隣り合う配列間において前記幅方向に前記等間隔より短い量、ずらされていることが好ましい。
この構成によれば、可撓性基板の幅方向の取付磁力発生位置は、移動方向に隣り合う配列間において幅方向に等間隔より短い量、ずらされる。これにより、全体としての可撓性基板の幅方向の発光素子の取付ピッチを、各配列における取付磁力発生位置のピッチより短く設定することができる。
(a)及び(b)はそれぞれ半導体発光装置の消灯時及び点灯時の状態を示す図。 (a)はLEDの断面図、(b)は、LEDがフィルム基板に取付けられた状態を示す図、(c)はLEDが別のフィルム基板に取付けられた状態を示す図。 (a)は別のLEDの断面図、(b)は別のLEDがフィルム基板に取付けられた状態を示す図、(c)は別のLEDが別のフィルム基板に取付けられた状態を示す図。 半導体発光装置の製造装置の構成図。 (a)は、LEDの重心の説明図、(b)は回転ドラムへのLEDの供給についての説明図、(c)はドラム装置における二重供給防止の説明図。 取付側磁力装置の斜視図。 図4におけるフィルム基板とドラム装置との対峙範囲を移動方向A7に見た図。 針状磁石における磁束分布を示す図。 (a)及び(b)は構造が異なる取付側磁力装置における針状磁石の配置を示す図。 幅方向のLEDの取付ピッチを小さくする取付側磁力装置の構造を示す図。 半導体発光装置の製造装置の構成図。 (a)は取付側磁力装置の斜視図、(b)は取付側磁力装置の平面図。 (a)〜(d)はそれぞれ各文字を表示するように設定された取付位置に対する取付磁力発生位置及び非取付磁力発生位置の設定状態を示す図。 (a)〜(d)はそれぞれ各文字に対してフィルム基板に生成する取付磁力発生位置の分布を示す図。 (a)〜(d)は、それぞれ各文字の画に合わせてLEDがフィルム基板上に分布された状態を示す図。 別の製造装置の主要部の構成図。
[半導体発光装置]
図1は半導体発光装置1の正面図である。図1(a)及び(b)はそれぞれ半導体発光装置1の消灯時及び点灯時の状態を示している。この例では、半導体発光装置1は、「EXIT」の4文字を表示するものなっている。複数のLED2が、「EXIT」の各文字の画の輪郭内を縦及び横の一定のピッチで埋めるように、半導体発光装置1の表面に配備される。半導体発光装置1は、典型的には、全部のLED2が給電及び給電停止を同時に切替えられ、全部のLED2が、図1(a)のように、一斉に消灯するか、図1(b)のように、一斉に点灯する。
図2及び図3は、それぞれLED2の2つの例としてのLED2a,2bを示すとともに、それらの取付け例を示している。LED2aは、複数のLED2aを共通のウェハによりまとめて製造した後、ダイシングで個々のLED2aに分離される。LED2bは、複数のLED2bを共通のウェハによりまとめて製造した後、各LED2bの境界線に沿って上下からV溝をエッチングにより形成し、その後、所定の外力をかけて、V溝に沿って割り、個々のLED2bに分離される。
LED2a,2bを総称するときは、単に「LED2」と呼ぶ。図2及び図3において、(a)はLED2の断面図、(b)は、LED2がフィルム基板14aに取付けられた状態を示す図、(c)はLED2がフィルム基板14bに取付けられた状態を示す図である。なお、フィルム基板14a,14bは、図1の半導体発光装置1では、表面に貼り付けられる。
図2及び図3において、LED2a,2bの対応する要素については、同じ符号を付け、LED2bの説明では、同じ符号の要素については、説明を省略して、LED2aとの相違点についてのみ説明する。また、フィルム基板14a,14bにおいて、対応する要素については、同じ符号を付ける。そして、フィルム基板14aの後でフィルム基板14bを説明するときでは、同じ符号の要素については、説明を省略して、フィルム基板14aとの相違点についてのみ説明する。
図2(a)において、LED2aは、上側のn領域5と下側のp領域6とが境界面7で接合する構造になっている。磁性体8(磁性部の1例)は、p領域6の下面において中心の円形部を除く全体を被覆し、p電極を兼ねている。磁性体8は、後述の磁石41や針状磁石51(図4)の吸引磁力によるLED2の吸引に利用される。
n電極10は、下面が上面より広い円錐台の形状を有し、下面を磁性体8の下面と同じ高さに揃え、p領域6を高さ方向に貫通し、上面をn領域5内に配置している。絶縁膜11は、p領域6においてn電極10の貫通部に形成され、p領域6とn電極10との間を絶縁する。接合材層9は、半田(金属接合膜の1例)などの導電性接合材から成り、磁性体8及びn電極10の下面を薄く被覆している。
磁性体8は、n領域5及びp領域6の材料としての窒化ガリウム(青色〜緑色発光)やガリウムリン(黄色〜赤色発光)より比重が大きい。したがって、LED2の重心65(図5(a))は、LED2の厚み方向に、磁性体8側に偏倚する(詳細は、図5(a)で後述する)。LED2自体は、寸法が小さいので、LED2が平面方向に広がって分布している容器に、振動を掛けると、磁性体8が上側となっているLED2は、容易に上下反転し、磁性体8を下側にして、振動に対して安定な姿勢となる。なお、すでに、磁性体8が下側になっているLED2は、該容器に振動を掛けても、磁性体8を下側に維持するのみであり、上下が反転することはない。
図2(b)において、フィルム基板14aは、複数のLED2aを直列接続するフィルム基板である。フィルム基板14aは、上下から接合される上側基板層15及び下側基板層16を有している。硬質磁性体被膜の円環座部17は、あらかじめ着磁装置を用いて、コンデンサによる大電流パルス印加によって磁化されている。円環座部17は、上側基板層15におけるLED2aの取付位置において磁性体8の載置部に形成されている。円環座部17の上面の寸法及び形状は、磁性体8のそれらに一致している。ボス20は、導電性材料から成る円柱形状に形成され、円環座部17と等しい厚みとなっている。ボス20は、上側基板層15におけるLED2aの取付位置においてn電極10の載置部に固定されている。ボス20の上面の寸法及び形状は、n電極10の下面のそれらに一致している。
表面配線19は、上側基板層15の上面に設定されているLED2aの複数の取付位置のうち、所定の1つの取付位置に対応付けられて設置されている円環座部17に一端が接続するように、上側基板層15の上面に形成されている。埋込み配線21(複数の取付位置間を接続する配線の1例)は、上側基板層15と下側基板層16との接合部内に形成され、両端位置を上側基板層15上で隣り合う取付位置に合わせられ、配置され、一方の取付位置では、ボス20の真下の位置から上昇し、ボス20の下面に接続されている。また、他方の取付位置では、円環座部17の真下の位置から上昇し、円環座部17の下面に接続されている。
図2(b)では、フィルム基板14a上の複数のLED2aが、表面配線19及び埋込み配線21により直列に接続されて、各LED2aの発光のための同一値の駆動電流が供給される。
図2(c)のフィルム基板14bでは、表面配線24は、上側基板層15上の全部の取付位置の硬質磁性体膜の円環座部17に接続されるように、上側基板層15の上面に配線されている。埋込み配線25は、上側基板層15上の全部の取付位置のボス20に接続されるように、上側基板層15と下側基板層16との接合部に形成されている。
図2(c)では、フィルム基板14b上の複数のLED2aが、表面配線24と埋込み配線25との間に並列接続で介在する。これにより、各LED2aは、両端において共通に表面配線24と埋込み配線25とに接続されて、同一の駆動電圧を印加される。以降、フィルム基板14a,14bを総称するときは、単に「フィルム基板14」という。
図3(a)のLED2bは、前述したように、ウェハにおける境界線に沿って上下からV溝をエッチングにより形成するようになっているので、LED2bの側面は、テーパになる。すなわち、n領域5の側面は、上方に向かって内側に傾斜し、p領域6の側面は、下方に向かって、内側に傾斜している。
ウェハをダイシングで分離する場合には、ダイシングソーの厚さに相当する分が削られるので、LED2bのような小さい素子を分離する場合には、全体のウェハにおけるダイシングソーによる削り分が増大し、材料の無駄が増大する。これに対し、V溝による分離の場合には、材料の無駄を低減することができる。
図3(b)及び(c)は、図2(b)及び(c)のLED2aがLED2bに置き換えられただけであり、他の構造は図2(b)及び(c)と同一である。
LED2の具体的な寸法及び材料等の一例を述べる。LED2の外形は0.05mm角〜1.0mm角であり、厚みは0.02mm〜0.3mmである。磁性体8は、Fe,Ni,Co又はこれら合金の材料から成る強磁性体膜となっている。接合材層9の半田材料は、例えばSn58Bi、Sn3.0Ag0.5Cuである。
[第1実施例(製造装置)]
図4は半導体発光装置1の製造装置28の構成図である。製造装置28は、所定の製造方法に従って半導体発光装置1を製造する。制御部29、フィーダ30、ドラム装置36(駆動手段の1例)、保持側磁力装置40(保持磁力発生手段の1例)、ローラ式移動装置45(移動手段の1例)、取付側磁力装置50(取付磁力発生手段の1例)及び加熱装置57(加熱手段の1例)を備えている。制御部29は、フィーダ30、ドラム装置36、保持側磁力装置40、ローラ式移動装置45、取付側磁力装置50及び加熱装置57に、駆動電圧を生成するための制御信号を送るか、又は駆動電圧を直接送るかして、フィーダ30、ドラム装置36、保持側磁力装置40、ローラ式移動装置45、取付側磁力装置50及び加熱装置57を制御する。
図4において、P1は取付磁力発生位置を示し、
P2はフィルム基板14(可撓性基板の1例)上に設定されたLED2(磁性部付き発光素子の1例)の取付位置を示している。製造装置28において、フィルム基板14におけるLED2の取付位置P2は、フィルム基板14の移動方向A7の位置と、フィルム基板14の幅方向W(図7)との位置により決定される。説明の簡略化上、各取付位置P2は列位置と行位置とにより指示する。
ここで、列位置とは、フィルム基板14の移動方向A7の所定範囲(移動方向所定範囲)における位置とし、行位置とはフィルム基板14の幅方向Wの全体(幅方向全体)における位置とする。移動方向A7の所定範囲とは、各文字に対して複数のLED2を文字の輪郭に沿ってフィルム基板14に配置しているが、移動方向A1に1文字当りに設定した長さに(例:後述の図13の台部103の移動方向A1の長さ))相当する。
図4は、製造装置28をフィルム基板14の幅方向Wの一端側から見た側面図となっている。したがって、図4には、LED2の移送経路が1つしか図示されていないが、実際の製造装置28では、移送経路がフィルム基板14におけるLED2の行位置の設定数だけ存在する。後述する図7では、LED2の行位置の設定数は8になっている。
フィーダ30は、鉛直案内部31と、鉛直案内部31より上方にあって鉛直案内部31に接続されている水平案内部33とを有し、製造装置28の作動中は、外力により振動34を受けている。水平案内部33には、LED2が継続的に投入される。水平案内部33は、パーツフィーダ(電子部品をエンボステーピング梱包する際等に用いる部品選別機能付き整列装置)の機能を有し、水平案内部33に供給されたLED2は、水平案内部33内の振動34により重心65(図5(a))が偏倚している側の磁性体8を下側にして整列される。
水平案内部33内のLED2は、鉛直案内部31の下端の導出口32からのLED2の導出に伴い、鉛直案内部31の下端の空いたスペースを埋めるように、導出口32の方へ進んでいく。この時のLED2の進行力源は、外力によるフィーダ30の振動34や重力である。
前述したように、フィルム基板14におけるLED2の取付位置P2の行位置の設定数は、複数となっている。フィーダ30では、LED2の案内経路を行位置の設定数だけ用意することができる。この場合、案内経路間に間仕切りを設けることにより、LED2が水平案内部33及び鉛直案内部31における移動方向A1に案内されている期間に、一列の進行を乱すことなく維持するように、なっている。
フィーダ30は、取付位置P2の行位置の設定数に関係なく、移動方向A1のLED2の案内経路は1つだけとすることもできる。その場合、フィーダ30は、幅方向Wに十分な高速で移動して、唯一の導出口32を、ドラム装置36の剛体の回転ドラム37上に任意の行位置に移動させる。
鉛直案内部31は、下端部に、ドラム装置36に対峙する側に、導出口32を有する。鉛直案内部31内では、LED2は、磁性体8を導出口32とは反対側に向けて、下降する。
ドラム装置36は、非磁性材料で剛性の円筒壁から成る回転ドラム37(無端式搬送部材の1例)を備える。保持側磁力装置40は、回転ドラム37内に収納され、複数の磁石41を回転ドラム37の内周に先端を向けて、備えている。保持側磁力装置40は、回転ドラム37の回転軸線の回りの回転方向A3に回転ドラム37と一体に回転する。この結果、回転ドラム37は、フィルム基板14との対峙範囲においてフィルム基板14とは逆方向へ移動する。なお、回転ドラム37は、フィルム基板14との対峙範囲において同一方向に移動してもよいし、同一の移動方向へ同一の移動速度で移動してもよい。
保持側磁力装置40の磁石41は、回転ドラム37の回転軸線に対して半径方向に外側の位置と内側の位置との2位置に切替えられるようになっている。磁石41は、半径方向外側位置では先端を回転ドラム37の内周に押し当てている。また、半径方向内側位置では先端を回転ドラム37の内周から回転ドラム37の回転軸線の方へ引き込んでいる。回転ドラム37の外周面に作用する磁石41からの吸引力は、磁石41が半径方向外側の位置にあるときは、内側の位置にあるときよりも強くなる。
ここで、図5を参照して、フィーダ30からドラム装置36の回転ドラム37へのLED2の供給について、詳細に説明する。図5において、(a)は、LED2の重心65の説明図、(b)はLED2の中心64の位置を示しつつ、回転ドラム37へのLED2の供給についての説明図、(c)はドラム装置36における二重供給防止の説明図である。
製造装置28では、LED2は、フィルム基板14の各取付位置P2に磁性体8が正しい向きで取付けられるように、製造装置28の全行程において厚み方向の向きを管理する必要がある。製造装置28は、向きの適切に管理するために、重心65を中心64に対してずらした位置にしている。
図5(a)において、LED2は、上から見た形状が四角形又は多角形(V溝エッチングで可能)とされる。LED2の上面は、光発射面となっている。また、下面は、フィルム基板14に載置される座面となっている。二等分面63は、LED2を半分の厚さで切る平面として定義される。中心64は、二等分面63における中心を示している。磁性体8は、比重がLED2の本体の材料より比重が大きいので、LED2の重心65は、二等分面63より磁性体8側に偏倚し、中心64から離れている。
図5(b)において、磁石41は、回転方向A3に回転ドラム37と一体に回転する。一方、制御部29は、磁石41の半径方向位置の切替と、針状磁石51の鉛直方向位置の切替とを同期して行う。
ここで、説明の便宜のために、回転ドラム37の回転位置を回転ドラム37の回転軸線の回りに時計方向に定義する。回転ドラム37の回転軸線に対して真上の角度を0°、真下を180°、導出口32に対峙した時の角度を270°とする。
制御部29は、保持側磁力装置40の磁石41が180°の回転位置になって、かつ該磁石41の真下にあるフィルム基板14の部位が取付位置P2であるときという条件が満たされたときのみ、保持側磁力装置40のアクチュエータ(図示せず)を作動させて、磁石41を半径方向A4aの中心向きに変位させて、半径方向内側位置に切替える。半径方向内側位置に切替えられた磁石41は、180°の回転位置を通過しだい、アクチュエータにより半径方向A4bの外向きに変位され、元の外側位置に戻される。条件が満たされないときは、磁石41は、半径方向外側位置に保持されたまま、180°の回転位置を通過する。
ドラム装置36からフィルム基板14へのLED2の移動は、後で詳説するように、LED2が、回転ドラム37において180°の回転位置に来た時に落下方向A5に回転ドラム37からフィルム基板14に移動することにより行われる。回転ドラム37からフィルム基板14へのLED2の移動により、移動後の回転ドラム37の部位は、LED2の無い空き位置になる。
回転ドラム37の空き位置が導出口32に対峙する位置になると、保持側磁力装置40の磁石41による磁力が鉛直案内部31の下端のLED2の磁性体8に作動し、該LED2は、水平の移動方向A2で鉛直案内部31から空き位置の回転ドラム37に移動し、該空き位置はLED2により埋まる。
このとき、図5(c)に示すように、空き位置はLED2が2つ重なって吸着されないように、磁石41の吸引力は調整されている。また、もし、LED2が2つ重ねて吸着されたとしても、導出口32と回転ドラム37との移動方向A2の間隔は、1つのLED2の厚みよりは大きく、かつ1つのLED2の厚みの2倍未満に設定されているので、ドラム装置36の半径方向A4の導出口32の上辺に衝突して、2番目のLED2は、鉛直案内部31内に留まる。
LED2は、回転ドラム37の外周面に、磁性体8を外側に向けて磁石41の吸引力により吸着され、回転方向A3に回転する。LED2は、180°の回転位置に来た時、対応の磁石41が作動しなければ、そのまま、回転ドラム37への吸着を保持されて、もう1周する。なお、LED2は、磁性体8を外側にして、すなわち磁性体8を回転ドラム37とは反対側に向けて、回転ドラム37に吸着して、回転ドラム37と一体的に周回運動する。
ローラ式移動装置45は、ドラム装置36の下側に配設され、回転してフィルム基板14を繰出す繰出しロール46と、回転してフィルム基板14を巻き取って行く巻取りロール47とを有している。フィルム基板14は、ドラム装置36の下側において、水平に保持されて、繰出しロール46から巻取りロール47の方へ移動する。
取付側磁力装置50は、繰出しロール46−巻取りロール47間を移動方向A7へ移動しているフィルム基板14の下方で、かつ回転ドラム37の回転軸線の真下位置に配置される。
図6は、取付側磁力装置50の斜視図である。図7は、図4におけるフィルム基板14とドラム装置36との対峙範囲を移動方向A7に見た図である。図7において、Wはフィルム基板14の幅方向を示している。取付磁力発生位置P1は、上側位置にある針状磁石51の上端がフィルム基板14の下面に当たる位置として設定される。
図7において、(a)は、針状磁石51の真上を、LED2の取付位置P2の列位置が通過してから次の取付位置P2の列位置が通過するまでの中間の時刻における取付側磁力装置50の状態を示す。(b)は、針状磁石51の真上を、LED2の取付位置P2の列位置がちょうど通過している時刻における取付側磁力装置50の状態を示している。
図4〜図7を参照して、取付側磁力装置50について説明する。取付側磁力装置50は、複数(図7では8つ)の針状磁石51と、複数の針状磁石51を個々に上下動させる複数の電磁アクチュエータ52とを幅方向Wに一列に有している。各電磁アクチュエータ52は、複数の電磁アクチュエータ52に共通に設けられた台部70内に収納された電磁部と、台部70から上方へ向かって突出し、上端において針状磁石51の下端部に結合するロッド71とを備えている。
針状磁石51及び電磁アクチュエータ52の個数は、フィルム基板14におけるLED2の行位置の設定数に等しい。この個数は、図7の例では、8となっている。各針状磁石51は、S極の上側部分と、N極の下側部分とからなる棒状の形状を有する。N極の下側部分は円柱であるのに対し、S極の上側部分は、上端が頂点となる円錐状に形成されている。
電磁アクチュエータ52は、ロッド71の上昇量を制御して、針状磁石51の鉛直方向位置を上側位置と下側位置とを切替える。針状磁石51が上側位置になるのは、針状磁石51の真上としての取付磁力発生位置P1を通過しているフィルム基板14の部位がLED2の取付位置P2になった時である。針状磁石51は、それ以外の時は、下側位置に維持される。
針状磁石51が上昇して、上端においてフィルム基板14の下面に当接するのに伴い、取付磁力発生位置P1には、下向きの強い磁力が生じる。
図8は針状磁石51における磁束分布を示している。針状磁石51において、S極である上側部分は、テーパに形成されて、上端はほぼ点になっている。これに対し、針状磁石51の下端は、円柱のN極の底面となって、上端に比して面積が増大している。この結果、針状磁石51の両端における磁束密度は、上端の方が下端より十分に大きくなり、吸引磁力も上端の方が下端より増大する。
図4〜図7に戻って、制御部29は、真上にフィルム基板14の取付位置P2が来た針状磁石51だけ、下側位置から上側位置に切替える。この結果、取付側磁力装置50は、図7(a)の状態から図7(b)の状態に切替わる。
図7(b)の状態は、計8つの針状磁石51のうち、左から2,4,7番の針状磁石51のみが上昇位置になっている。すなわち、図7(b)では、1番から8番まである針状磁石51のうち、2,4,7番の針状磁石51の真上のフィルム基板14の位置のみが取付位置P2になったことを意味し、その他の針状磁石51は、真上をフィルム基板14の位置は取付位置P2ではないことを意味している。
制御部29は、複数の針状磁石51の配列の真上に取付位置P2が来ているか否かを判定する。制御部29は、この判定を、フィルム基板14の幅方向Wの行位置ごとに調べるのではなく、取付位置P2について移動方向A7の列位置ごとに調べる。
例えば、フィルム基板14は、幅方向Wの一方又は両方の側縁に沿って、突起や切欠きが一定間隔で形成されている。制御部29は、突起又は切欠きが所定の通過位置を通過したことを光センサ(図示せず)やリミットスイッチから検出する。一方、制御部29のプログラムは、フィルム基板14の各列位置においてどの行に取付位置P2があるかを把握しているとともに、移動方向A7のフィルム基板14の移動速度も把握している。
制御部29は、フィルム基板14の特定点(前述の突起や切欠きが形成されている位置)が移動方向A7の所定点を通過した時刻とフィルム基板14の移動速度とに基づいて、針状磁石51の真上の位置がフィルム基板14のどの列位置になっているかを検出する。そして、検出した列位置に対応する取付位置P2の行位置をメモリから読出して、行位置に対応する針状磁石51を作動して、針状磁石51を上下方向A8の上向きに移動させて、針状磁石51を下側位置から上側位置に切替える。
針状磁石51は、上側位置では、上端を下側基板層16の下面に当接する。これにより、当接位置は取付磁力発生位置P1となって、取付磁力発生位置P1には下向きに大きな磁力が発生する。
制御部29は、また、該当の針状磁石51の鉛直方向位置の切替と共に、保持側磁力装置40に指示を出して、該当の針状磁石51の真上の位置になっている保持側磁力装置40の磁石41を半径方向外側位置から内側位置へ移動させる。この結果、取付磁力発生位置P1のほぼ真上になっている回転ドラム37上のLED2に対する磁石41による鉛直方向上向きの吸引磁力は低下する。
これにより、該当のLED2は、取付磁力発生位置P1の吸引磁力より磁性体8を吸引され、回転ドラム37の外周面から落下方向A5に落下する。そして、ほぼ真下の取付位置P2に着地して、該取付位置P2に吸着される。その際、LED2において磁性体8がフィルム基板14との接触部になる。取付磁力発生位置P1には、図2及び図3の円環座部17が存在するので、LED2は、円環座部17の上に吸着される。
針状磁石51は、取付位置P2へのLED2の吸着後、速やかに、下側位置に戻る。これにより取付位置P2における針状磁石51による吸引磁力は消失する。しかしながら、円環座部17は、あらかじめ着磁装置を用いて、コンデンサによる大電流パルス印加等によってあらかじめ磁化されている。したがって、円環座部17の磁力により、取付位置P2のLED2は、取付位置P2への吸着を保持されたまま、移動方向A7に取付位置P2から所定距離、離れた加熱装置57の方へ移動する。
フィルム基板14は、加熱装置57の通過に伴い、通過部分を加熱される。このとき、円環座部17の磁力により取付位置P2に吸着されているLED2は、接合材層9を加熱されて、溶融する。そして、熱により溶融した接合材層9は、加熱装置57の通過後、冷却され、LED2を円環座部17及びボス20に溶着(固着の1例)させる。
接合材層9による溶着が終了したフィルム基板14の部分は、巻取りロール47に巻き取られる。フィルム基板14が所定量巻き取られた巻取りロール47は、製造装置28の停止時に、別の場所に運ばれて、半導体発光装置1の境界で切断されて、複数の半導体発光装置1に分離される。
図9はフィルム基板14における幅方向WのLED2の取付ピッチ(幅方向Wの取付位置P2の間隔)を小さくできる構造についての説明図である。図9において、(a)は図6の取付側磁力装置50の平面図である。(b)は取付ピッチを改善した取付側磁力装置75の平面図である。
図9(a)において、幅方向Wの針状磁石51のピッチは、幅方向Wに隣り合う針状磁石51が相互に接触するときの針状磁石51の間隔であるPaになる。したがって、フィルム基板14に設定できる行位置のピッチは、Pa未満には設定できない。
これに対処し、図9(b)の取付側磁力装置75は、針状磁石51を移動方向A7に複数の配列78a〜78eで装備する。配列78a〜78e上の各針状磁石51の先端が、取付磁力発生位置P1として設定可能な位置に相当する。取付側磁力装置75において、電磁アクチュエータ52は図示を省略されているが、下端部の台部76内には、針状磁石51の個数分の電磁アクチュエータ52の電磁部が収納されている。
幅方向Wの針状磁石51の間隔は、配列78a〜78eのそれぞれ同一のPaに設定されるが、移動方向A7で隣り同士の配列間では、各針状磁石51の位置がPb(Pb=Pa/5)だけずらされている。
取付側磁力装置50に代えて、取付側磁力装置75を装備する製造装置28では、LED2の行位置の設定数が、取付側磁力装置50の時よりもPa/Pb倍(5倍)になる。また、LED2の各行位置へのLED2の供給、取付を確保するために、ドラム装置36(図4)に代えて、ドラム装置92(図11)が装備される。ドラム装置92については後述する。
製造装置28は、フィルム基板14における取付位置P2が、配列78a〜78e上のいずれかの取付磁力発生位置P1になった時に、該取付磁力発生位置P1の針状磁石51を作動させる。これにより、針状磁石51のほぼ真上のドラム装置92(図11)の可撓性の無端ベルト93の部位に存在するLED2が、無端ベルト93から離脱して、取付位置P2に吸着する。なお、針状磁石51の作動時に、取付側磁力装置75の針状磁石51の中心線上にドラム装置92の無端ベルト93にLED2がなく、多少ずれていても、Pbは、十分に小寸法であるので、LED2は、無端ベルト93から離脱後、フィルム基板14の取付磁力発生位置P1に正しく吸着される。
図10は、幅方向WのLED2の取付ピッチを小さくする別の取付側磁力装置81の構造を示している。取付側磁力装置81は、フィルム基板14より少しだけ上の所定点を中心とする円弧状に形成された円弧状台部82と、円弧状台部82上に等角度間隔で固定された複数の電磁アクチュエータ84とを有している。
電磁アクチュエータ84は、針状磁石51の下面に結合したロッド85を有し、ロッド85の突出量を増減して、針状磁石51を半径方向外側位置と内側位置とに切替える。図10では、針状磁石51はいずれも半径方向内側位置に設定されている。
針状磁石51の先端は、円弧状台部82の中心に向けられており、フィルム基板14上には、針状磁石51の個数(例:7)に等しい取付磁力発生位置P1が幅方向Wに等間隔で設定される。針状磁石51は、半径方向外側位置において、フィルム基板14の下面の取付磁力発生位置P1に先端部を当てる。取付磁力発生位置P1の間隔はPq(=Pa/6)である。針状磁石51は、半径方向内側位置では、フィルム基板14から離れている。
このように、針状磁石51の最大径部の直径Paによる針状磁石51の配置間隔の制約にもかかわらず(図9のPa参照)、複数の針状磁石51を放射状に形成して、幅方向Wの取付磁力発生位置P1の間隔を幅方向Wより小さいものに設定することができる。
図9及び図10では、幅方向Wのピッチの縮小について述べたが、移動方向A7のピッチの縮小は、針状磁石51の配置密度を増大することなく、ローラ式移動装置45の巻取りロール47の巻き取り速度を調整することにより行うことができる。
すなわち、フィルム基板14の移動方向A7の速度が低くなればなるほど、単位時間内に針状磁石51の真上位置を通過するフィルム基板14の長さが短くなる。したがって、針状磁石51の最小作動周期当りの移動方向A7のフィルム基板14の移動量が減少し、移動方向A7の取付位置P2のピッチを短くすることができる。
[第2実施例(製造装置)]
図11は、半導体発光装置の製造装置91の構成図である。製造装置91において、製造装置28(図4)の要素と同一の要素については、同符号を使用して、製造装置28との相違点を中心に説明する。
製造装置91では、製造装置28のドラム装置36、保持側磁力装置40及び取付側磁力装置50に代えて、ドラム装置92、保持側磁力装置96及び取付側磁力装置101が装備される。ドラム装置92は、移動方向A7に所定長さにわたり、配設されている。したがって、無端ベルト93と取付側磁力装置101との対峙範囲も移動方向A7の長さが増大している。なお、移動方向A7の対峙範囲の長さが長いほど、フィルム基板14に同時に取付けることができるLED2の個数を増大することができる。
ドラム装置92は、可撓性で非透磁性材料から成る無端ベルト93を備える。保持側磁力装置96は、周回運動する無端ベルト93の内周側に配設され、無端ベルト93と一体で周回運動する複数の磁石41を備えている。保持側磁力装置96の周回運動方向における磁石41のピッチは、後述の図12における針状磁石51の移動方向A7のピッチに等しく設定してある。
磁石41は、先端を無端ベルト93の内周に接触させる接触位置と、先端を無端ベルト93の内周から離反させる離反位置とに切替自在になっている。磁石41は、無端ベルト93と一体に回転方向A3に周回運動する。そして、周回経路の下側部分を移動しているとき、ほぼ真下の針状磁石51が上昇するのに同期して、上昇し、無端ベルト93の下面側のLED2の吸引保持力を低下させる。
図12において、(a)の取付側磁力装置101の斜視図、(b)は取付側磁力装置101を上方から見た平面図である。針状磁石51は、中心線を鉛直方向に揃えて、幅方向W及び移動方向A7にPa間隔の格子状配列で取付磁力発生位置P1が設定される。Paは針状磁石51の最大径部の直径Paに等しい。
電磁アクチュエータ102は、電磁部を台部103内に収容され、ロッド104を上下方向へ変位して、針状磁石51を上側位置と下側位置とに切替える。台部103は、平面視が正方形となっており、図11における無端ベルト93とフィルム基板14との対峙範囲の上下方向の投影形状に等しくなっている。
製造装置91では、幅方向W及び移動方向A7の取付側磁力装置101の寸法の矩形領域に存在する取付位置P2に対して、LED2が一斉に取付けられる。すなわち、前述の製造装置28の取付側磁力装置50が単列式であったのに対し、製造装置91では、複列式とされる。この結果、台部103の範囲に含まれる取付位置P2が対峙範囲に設定された複数の取付磁力発生位置P1を同時に通過する時に、これら取付磁力発生位置P1に対して対応の針状磁石51が同時に上昇して、全部の取付磁力発生位置P1に対して4の下側から吸引磁力が下向きに一斉に生じる。これにより、対峙範囲に含まれる全部の取付位置P2にLED2が1回でまとめて取付けられることになり、作業効率が向上し、作業時間が短縮される。
図13は、台部103において格子分布で配置される針状磁石51に対して所定の文字の表示する際に取付側磁力装置101の各針状磁石51が取付磁力発生位置及び非取付磁力発生位置のどちらに割り当てられるかを示している。図13(a)〜(d)は、それぞれ「E」、「X」、「I」及び「T」の文字を表示するように設定された取付位置P2に対する取付磁力発生位置及び非取付磁力発生位置の別を示している。円が黒っぽく塗り潰されている針状磁石51は、取付磁力発生位置に対応付けられる針状磁石51を示し、円が塗り潰されていない針状磁石51は、取付磁力発生位置に対応付けられない針状磁石51を示している。
図14(a)〜(d)は、図13(a)〜(d)において取付磁力発生位置に対応する針状磁石51が、フィルム基板14に一斉に生成する取付磁力発生位置P1の分布を示している。それぞれ「E」、「X」、「I」及び「T」の文字の画に合わせて取付磁力発生位置P1がフィルム基板14上に分布されている。
図15(a)〜(d)は、図14(a)〜(d)においてフィルム基板14上に取付磁力発生位置P1が生成されることによりフィルム基板14上に取付けられたLED2の分布を示している。それぞれ「E」、「X」、「I」及び「T」の文字の画に合わせてLED2がフィルム基板14上に分布されている。
[第3実施例(製造装置)]
図16は製造装置120の主要部の構成図である。製造装置120は、製造装置28(図4)の永久磁石型の取付側磁力装置50の代わりに、電磁石型の取付側磁力装置130を使用する以外は、製造装置28の構成と同一である。
製造装置120において、図4の製造装置28の要素と同一の要素については、製造装置28の要素に付けた符号と同一の符号を付けて、説明は省略し、製造装置28との相違点について説明する。なお、図16では、図示が省略されているが、製造装置28のフィーダ30、保持側磁力装置40、ローラ式移動装置45及び加熱装置57は、製造装置120においても製造装置28のときと同一の構成及び配置で装備される。
図16において、(a)は、取付側磁力装置130の真上をフィルム基板14の列位置の中間が通過しているときの電磁石の作動状態を示し、(b)は、取付側磁力装置130の真上をフィルム基板14の列位置が通過しているときの電磁石の作動状態を示している。ハウジング135において、黒のマークが下側位置になっている電磁石は、通電電流が供給されず、オフになっていることを意味し、黒のマークが上側位置になっている電磁石は、通電電流が供給されて、オンになっていることを意味する。
製造装置120は、製造装置28の取付側磁力装置50(図4)に代えて、電磁石を利用する取付側磁力装置130を装備する。取付側磁力装置130では、取付側磁力装置50の針状磁石51及び電磁アクチュエータ52が棒体131、コイル132及びコイル駆動部133に置き換えられている。棒体131は、形状及び寸法はほぼ針状磁石51と同一であるが、永久磁石としてではなく、電磁石として作動するための軟質磁性材料から製造される。棒体131の先端は、常時フィルム基板14に接触し、フィルム基板14の移動方向A7の移動に伴って、フィルム基板14の下面を摺動する。コイル132は、棒体131の周部に巻き付けられる。
コイル駆動部133は、ハウジング135内に収納され、制御部29(図4)からの制御信号に基づいて各コイル132の駆動電流を制御する。コイル132にコイル駆動部133から駆動電流が供給されるとき(オン)、コイル132が巻き付けられている棒体131が電磁石になり、棒体131の先端に強い磁力が生じて、該先端が取付磁力発生位置P1として機能する。棒体131は、それに巻き付けられているコイル132にコイル駆動部133からの駆動電流が供給されないとき(オフ)、電磁石にはならず、棒体131の先端には、取付磁力発生位置P1にはならない。
制御部29は、LED2の取付位置P2が棒体131の上端を通過した時に該棒体131のコイル132をオンにして、該取付位置P2にドラム装置36からのLED2を吸着する。
1・・・半導体発光装置、2・・・LED(磁性部付き発光素子)、8・・・磁性体(磁性部)、9・・・接合材層(接合膜)、14・・・フィルム基板(可撓性基板)、17・・・円環座部(磁性部)、19,24・・・表面配線(配線)、20・・・ボス(硬質磁性体被膜)、21,25・・・埋込み配線(配線)、28,91,120・・・製造装置、36,92・・・ドラム装置(駆動手段)、37・・・回転ドラム(無端式搬送部材)、40,96・・・保持側磁力装置(保持磁力発生手段)、45・・・ローラ式移動装置(移動手段)、50,75,81,101,130・・・取付側磁力装置(取付磁力発生手段)、57・・・加熱装置(加熱手段)、93・・・無端ベルト(無端式搬送部材)。

Claims (11)

  1. 可撓性基板を所定の移動方向に移動させ、
    無端式搬送部材が、前記可撓性基板に所定の対峙範囲において上側から対峙しつつ移動するように、前記無端式搬送部材を周回運動させ、
    前記無端式搬送部材の内周側からの吸引磁力により前記無端式搬送部材の外周面に複数の磁性部付き発光素子を保持させ、
    前記可撓性基板における前記磁性部付き発光素子の取付位置が前記対峙範囲内の取付磁力発生位置を通過する時に、前記可撓性基板の下面側から前記取付磁力発生位置に下向きの吸引磁力を発生して、前記無端式搬送部材の外周面に保持されている磁性部付き発光素子を前記無端式搬送部材から離脱させて、前記取付位置に吸着させることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
  2. 請求項1記載の半導体発光装置の製造方法において、
    前記磁性部付き発光素子は、熱により溶融可能な金属接合膜により被覆されかつ電極を兼ねる磁性部を、前記可撓性基板との接触部に有し、
    前記可撓性基板は、複数の取付位置間を接続する配線を有し、
    前記取付磁力発生位置から前記移動方向に所定距離の場所において前記金属接合膜を加熱、溶融することにより前記磁性部付き発光素子を前記可撓性基板に固着させて、前記電極と前記可撓性基板の前記配線とを接続することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
  3. 請求項2記載の半導体発光装置の製造方法において、
    前記可撓性基板は、前記取付位置にあらかじめ磁化された硬質磁性体被膜を有し、
    前記可撓性基板における前記取付位置が前記取付磁力発生位置を通過しだい、前記可撓性基板の下面側からの前記取付磁力発生位置の下向きの吸引磁力を消失させるとともに、通過後の前記取付位置の前記硬質磁性体被膜の磁力により該取付位置への前記磁性部付き発光素子の吸着を保持させることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体発光装置の製造方法において、
    前記可撓性基板における前記複数の取付位置についての前記移動方向のピッチに応じて前記可撓性基板の移動速度を制御することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
  5. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体発光装置の製造方法において、
    前記可撓性基板の幅方向全体と前記可撓性基板の移動方向所定範囲とに含まれる全部の取付位置に対して別々の取付磁力発生位置を設定し、該全部の取付位置が対応の取付磁力発生位置を通過する時に、該対応の取付磁力発生位置の全部に対し一斉に前記可撓性基板の下面側から下向きの吸引磁力を発生することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
  6. 可撓性基板を所定の移動方向に移動させる移動手段と、
    無端式搬送部材を有し、前記移動方向へ移動中の前記可撓性基板に対し、該無端式搬送部材を、上側から対峙させつつ周回運動させる駆動手段と、
    前記無端式搬送部材の内周側からの吸引磁力により前記無端式搬送部材の外周面に複数の磁性部付き発光素子を保持する保持磁力発生手段と、
    前記可撓性基板における取付位置が前記対峙範囲内の取付磁力発生位置を通過する時に、前記可撓性基板の下面側から前記取付磁力発生位置に下向きの吸引磁力を発生して、前記無端式搬送部材の外周面に吸着している前記磁性部付き発光素子を前記無端式搬送部材から離脱させて、前記取付位置に吸着する取付磁力発生手段とを備えることを特徴とする半導体発光装置の製造装置。
  7. 請求項6記載の半導体発光装置の製造装置において、
    前記磁性部付き発光素子は、前記可撓性基板の取付位置への取付時に前記可撓性基板に接触する接触部に、熱により溶融可能な金属接合膜により被覆されかつ電極を兼ねる磁性部を有し、
    前記可撓性基板は、複数の取付位置間を接続する配線を有し、
    前記取付磁力発生位置から前記移動方向に所定距離の場所に配設され、前記金属接合膜を加熱、溶融する加熱手段とを備えることを特徴とする半導体発光装置の製造装置。
  8. 請求項6又は7に記載の半導体発光装置の製造装置において、
    前記可撓性基板は、前記取付位置に硬質磁性体被膜を有することを特徴とする半導体発光装置の製造装置。
  9. 請求項6〜8のいずれか1項に記載の半導体発光装置の製造装置において、
    前記移動手段は、前記可撓性基板における前記複数の取付位置についての前記移動方向のピッチに応じて前記可撓性基板の移動速度を制御することを特徴とする半導体発光装置の製造装置。
  10. 請求項6〜9のいずれか1項に記載の半導体発光装置の製造装置において、
    前記取付磁力発生手段は、前記可撓性基板の幅方向全体と前記可撓性基板の移動方向所定範囲とに含まれる全部の取付位置に対して別々の取付磁力発生位置を設定し、該全部の取付位置が対応の取付磁力発生位置を通過する時に、該対応の取付磁力発生位置の全部に対し一斉に前記可撓性基板の下面側から下向きの吸引磁力を発生することを特徴とする半導体発光装置の製造装置。
  11. 請求項6〜9のいずれか1項に記載の半導体発光装置の製造装置において、
    前記取付磁力発生手段は、前記複数の取付磁力発生位置が前記可撓性基板の幅方向に等間隔で並ぶ配列を前記移動方向に複数有し、
    前記可撓性基板の幅方向の前記取付磁力発生位置は、前記移動方向に隣り合う配列間において前記幅方向に前記等間隔より短い量ずらされていることを特徴とする半導体発光装置の製造装置。
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