CN108966693A - 可挠性电子设备的制造方法 - Google Patents
可挠性电子设备的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108966693A CN108966693A CN201680083281.9A CN201680083281A CN108966693A CN 108966693 A CN108966693 A CN 108966693A CN 201680083281 A CN201680083281 A CN 201680083281A CN 108966693 A CN108966693 A CN 108966693A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electronic equipment
- resin film
- laser
- film substrate
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 title claims abstract description 102
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 204
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 125
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 125
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 100
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 12
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/189—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components characterised by the use of a flexible or folded printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
- H01L2221/68331—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding of passive members, e.g. die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10128—Display
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种可挠性电子设备的制造方法,其能够不增加步骤地制造可挠性电子设备,并且玻璃基板能够再利用,且从玻璃基板卸下的可挠性电子设备损伤、角弯折的可能性小。在玻璃基板(10)之上形成的树脂膜基板(11)之上,更进一步地形成电子设备构造(2),对于设备形成区域(3),沿着四角形成有圆弧或倒角的矩形状照射长波长的第一激光(41),从树脂膜基板(11)切割包含形成有设备形成区域(3)的电子设备构造(2)的可挠性电子设备(1)以后,从玻璃基板(10)的里侧对于树脂膜基板(11)的整个表面照射短波长的第二激光(42),使玻璃基板(10)与树脂膜基板(11)的界面产生变质,而使得从玻璃基板(10)剥离树脂膜基板(11)变容易。
Description
技术领域
本发明是关于一种使用有机发光二极管的图像显示装置等的可挠性电子设备的制造方法。
背景技术
近年来,在具有可挠性的树脂膜基板之上形成有机发光二极管(OLED:OrganicLightEmittingDiode)之图像显示装置已被实用化。在此类的可挠性树脂膜基板之上形成图像显示装置等之可挠性电子设备的情况下,需要将树脂膜基板保持平坦。因此,一般是将聚酰亚胺前驱物等的热固性树脂涂布于平坦的玻璃基板之上,更进一步地以一定的温度进行烧成,进而形成在玻璃基板上保持有聚酰亚胺等的树脂膜基板。接着,在被保持于玻璃基板的树脂膜基板上形成用于驱动有机发光二极管的电路组件以后,再移入蒸镀装置中,通过蒸镀来形成反射电极(阳极)、电洞注入层、电洞输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、具有透光性之极薄的金属电极(阴极)等的有机发光二极管构造。然后,在树脂膜基板之上形成由驱动电路及有机发光二极管构造构成的电子设备构造以后,再从玻璃基板的里侧、即没有形成树脂膜基板侧照射紫外线等的短波长的第二激光,使玻璃基板与树脂膜基板的界面产生变质,进而使得从玻璃基板剥除树脂膜基板变容易。另外,将红外线等的长波长的第一激光从玻璃基板的表侧照射在形成有电子设备构造的区域的周围,由此从树脂膜基板之上切割在其之上形成的可挠性电子设备。在由1枚树脂膜基板来制造多个可挠性电子设备的情况下,依照使得各个可挠性电子设备排列成矩阵状的方式来蒸镀蒸镀物质。接着,当可挠性电子设备被形成后,为了从树脂膜基板切割各个可挠性电子设备,则使第一激光沿着电子设备的各边的排列方向直线地扫描。
另外,如后述,在本发明有关的可挠性电子设备的制造方法中,由于照射第一激光与第二激光的顺序是不同的,因而将先出场的激光设为「第二激光」,将后出场的激光设为「第一激光」。又,所谓「电子设备构造」是指作为电子设备而发挥功能的构造,例如由用以驱动在树脂膜基板之上形成的有机发光二极管的电路组件、以及在电路组件上形成的反射电极(阳极)、电洞注入层、电洞输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、金属电极(阴极)所构成的有机发光二极管构造等;所谓「可挠性电子设备」是指含有电子设备构造及其周围的树脂膜基板的已完成的电子构件(以下同样)。
因此,在现有的可挠性电子设备的制造方法中,由于第一激光为照射在玻璃基板之上形成的树脂膜基板的整个表面,所以甚至是在可挠性电子设备未使用的区域的树脂膜基板也会从玻璃基板被剥除下来。因此,为了将驱动用的驱动器IC等连接于所制造的可挠性电子设备,所以在将每一玻璃基板、可挠性电子设备移送至后续的步骤的情况下,必须依照不使可挠性电子设备从玻璃基板之上落下的方式而慎重地处理玻璃基板。是以,若根据专利文献1所记载的可挠性电子设备的制造方法,为了抑制用以剥除树脂膜基板用的第一激光在可挠性电子设备被形成的设备形成区域的周围的穿透量,则形成例如矩形框体状的剥离防止层,以使得只有在设备形成区域中的玻璃基板与树脂膜基板的界面产生变质。其结果,即使在每一玻璃基板、可挠性电子设备移送后续的步骤的情况下,由于剥离防止层被形成的部分的树脂膜基板为附着于玻璃基板而具有做为导轨的功能,因而可挠性电子设备就难以从玻璃基板之上落下来。
在上述的专利文献1所记载的可挠性电子设备的制造方法中,在设备形成区域的周围形成剥离防止层的步骤是必要的;又,在将玻璃基板再利用的情况下,则进一步从玻璃基板移除剥离防止层的步骤是必要的。其结果,成为导致可挠性电子设备的制造成本上升的原因。又,由1枚树脂膜基板来制造多个可挠性电子设备的情况,为了提高构件的利用効率来减低制造成本,因而有使各个可挠性电子设备(或设备形成区域)的间隔更为狭窄化的倾向,于可挠性电子设备保持于玻璃基板之上的状态下,不能够与配置有驱动器IC等的柔性印刷基板相连接,以致必须先从玻璃基板卸下可挠性电子设备再进行贴附作业等。在那之际,由于各个可挠性电子设备的四个角落的角是尖的,因而会有从玻璃基板卸下的可挠性电子设备彼此接触、因尖角导致可挠性电子设备损伤的可能性。另外,由于在放置聚酰亚胺膜等的树脂膜基板时会有因吸水作用等的影响而导致反曲的倾向,所以当可挠性电子设备的四个角落的角为尖的时候,当与任意东西接触之际角就会有折弯的可能性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开2014-48619号公报
发明内容
本发明是为了解决上述的现有例的问题而完成的,目的是提供一种可挠性电子设备的制造方法,其能够不必增加步骤地制造可挠性电子设备,并且玻璃基板能够再利用,且即使从玻璃基板卸下的可挠性电子设备彼此接触也不会有可挠性电子设备遭受损伤或角弯折的可能性小。
为了达成上述之目的,本发明有关的可挠性电子设备的制造方法的特征是在于具备:在玻璃基板的表面涂布热固性树脂,并通过将所述热固性树脂予以烧成而在所述玻璃基板的表面形成树脂膜基板的步骤;在所述树脂膜基板之上,于排列成矩阵状的设定的设备形成区域分别形成电子设备构造的步骤;对于所述设备形成区域的每一个,沿着四角形成有圆弧或倒角的矩形状照射长波长的第一激光,由此从所述树脂膜基板的其他的区域,分别切割含有在所述设备形成区域形成的所述电子设备构造的可挠性电子设备的步骤;从没有形成所述玻璃基板的所述树脂膜基板侧,对于所述树脂膜基板的整个表面照射短波长的第二激光,以使所述玻璃基板与所述树脂膜基板的界面产生变质,并使得从所述玻璃基板剥离所述树脂膜基板变容易的步骤。
排列成所述矩阵状的设备形成区域所形成的电子设备构造也可以是依照使得在第一方向上为相同方向、在第二方向上为每隔1列相同方向的形成、且相邻的2列为相反的方向来形成。
也可以是构成为:在照射所述第一激光之前、或在照射所述第一激光之后直到照射所述第二激光为止之间,在排列成所述矩阵状的设备形成区域之中,依照使得以第一方向排列的设备形成区域在第二方向包含有1列或2列的设备形成区域的方式,对所述玻璃基板及所述树脂膜基板以所述第一方向直线地照射切断用的第三激光,由此切断所述玻璃基板及所述树脂膜基板。
或者,所述玻璃基板也可以是构成为:第二方向的尺寸大小为足够形成同方向的1个或2个所述设备形成区域,且由第一方向的尺寸大小为比所述第二方向的尺寸大小还长的短栅状片多个排列于所述第二方向而成,在照射所述第一激光之际,沿着与所述第二方向相邻接的2个所述短栅状片的接触面,于所述第一方向直线状地照射所述第一激光,而将在所述树脂膜基板之上排列成所述第一方向的所述设备形成区域,于所述第二方向每1列或相邻的每2列切断所构成。
也可以是构成为:在所述第二方向每1列或相邻的每2列被切断、将在所述树脂膜基板之上排列成所述第一方向的所述可挠性电子设备与其他的电子构件相连接,然后,再照射所述第二激光。
也可以是构成为:在照射所述第一激光之际,在干扰其他的电子构件的位置中,形成与使用所述可挠性电子设备的电子构件相配合、并与所述其他的电子构件的形状相对应的孔穴或截角。
根据本发明的可挠性电子设备的制造方法,由于照射例如紫外线等的短波长的第二激光是在比使玻璃基板与树脂膜基板的界面产生变质更早以前,例如,将红外线等的长波长的第一激光照射在树脂膜基板,而从树脂膜基板的其他的区域,分别切割在设备形成区域形成的可挠性电子设备,所以延迟照射第二激光的时间点(timing),由此也能够将多个可挠性电子设备保持于玻璃基板之上照原样地将驱动器IC等其他的电子构件连接于可挠性电子设备。又,由于第二激光是照射在树脂膜基板的整个表面,所以能够从玻璃基板简单地移除树脂膜基板,再利用玻璃基板就容易了。另外,由于是对于设备形成区域的每一个,分别照射四角形成有圆弧或倒角的矩形状的长波长的第一激光,所以完成的可挠性电子设备的四个角落不是尖的,因而即便是可挠性电子设备彼此接触,可挠性电子设备遭受损伤、角弯折的可能性小。
附图说明
图1是表示通过本发明的一实施方式有关的可挠性电子设备的制造方法,在玻璃基板之上形成的树脂膜基板之上更进一步地将可挠性电子设备排列成矩阵状来形成的形态的图。
图2(a)是表示在可挠性电子设备的四个角落形成的圆弧的图;(b)是表示在可挠性电子设备的四个角落形成的截角的图。
图3是表示可挠性电子设备的外形的一例子的图。
图4是表示在玻璃基板之上形成树脂膜基板的步骤的图。
图5是表示通过蒸镀在树脂膜基板之上形成有机发光二极管构造的步骤的图。
图6是表示从树脂膜基板的其他的区域切割树脂膜基板之上形成的可挠性电子设备,进而更进一步地使玻璃基板与树脂膜基板的界面产生变质的步骤的图。
图7是表示在可挠性电子设备的制造方法的第一变形例中切断玻璃基板的步骤的图。
图8是表示在被保持于切断的玻璃基板(短栅状片)的状态下,将其他的电子构件连接于可挠性电子设备的步骤的图。
图9是表示在可挠性电子设备之制造方法的第二变形例中,沿着构成玻璃基板的多个短栅状片的接合面照射激光,将排列成第一方向的设备形成区域于第二方向每1列或相邻的每2列切断树脂膜基板的步骤的图。
具体实施方式
对于本发明的一实施方式有关的可挠性电子设备的制造方法,说明于下。图1是表示:在玻璃基板10之上形成有聚酰亚胺等的树脂膜基板11,另外更进一步地在树脂膜基板11之上将多个可挠性电子设备1及设备形成区域3排列成矩阵状,在所制造的各个可挠性电子设备1上分别形成电子设备构造2的形态。对于可挠性电子设备1的四个角落实施如图2(a)所示这样的圆弧1a、或如图2(b)所示这样的截角1b。例如,只要圆弧1a的曲率半径R是在1~10mm的范围即可。又,设备形成区域3是矩形状的假想领域,其虽然是与可挠性电子设备1的外形几乎一致的,然而四个角落却是没有形成圆弧或截角,且被设定成:在树脂膜基板11之上被排列成矩阵状。
图3是表示:在树脂膜基板11之上形成的可挠性电子设备1的一例子,例如,使用有在智能型手机等所使用的有机发光二极管的图像显示装置。又,以点划线来表示设备形成区域3。该图像显示装置是在被称为顶部发光型,在不一定要是透明的聚酰亚胺等的树脂膜基板11之上,作为电子设备构造2层叠用于驱动有机发光二极管的电路组件、以及在电路组件上形成的反射电极(阳极)、电洞注入层、电洞输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、半透明的极薄的金属电极(阴极)等。可挠性电子设备1的树脂膜基板11的外形是与使用该图像显示装置的电子构件的外形相合一致,并且电子设备构造2被形成于树脂膜基板11的设备形成区域3的中央部。又,在树脂膜基板11之上的电子设备构造2的周围,在干扰摄影透镜、扬声器及麦克风等其他的电子构件的位置上,形成与其他的电子构件的形状相对应的孔穴或截角4a~4c等。又,在电子设备构造2的周围形成有:用以和驱动电子设备构造2的驱动器IC等连接用的导电图案4d。
图4是表示玻璃基板10之上形成树脂膜的步骤。在图4(a)中,涂布装置12是一般被称为狭缝涂布机,其具备有例如平行于玻璃基板10的被涂布面移动的狭缝头(slithead)13、以及将树脂材料11a供给至狭缝头13的泵浦14;树脂材料11a为以和狭缝头13的长度相对应的涂布宽度而被供至玻璃基板10的上面。树脂材料11a为例如聚酰亚胺前驱物等的热固性树脂,经例如400~500℃以数小时被烧成。在该期间,溶剂成分为气化,又,由于促进分子彼此之间键合,因而如图4(b)所示在玻璃基板10之上形成的聚酰亚胺等的树脂膜基板11的膜厚几乎取决于溶剂浓度,而成为玻璃基板10的被涂布面所涂布的树脂材料11a的膜厚的例如约1/10。从而,可对应于所期望的树脂膜基板11的膜厚来调节涂布于玻璃基板10的被涂布面的树脂材料11a的量与浓度。另外,树脂材料11a的涂布方法并未限定于使用狭缝涂布机的方法,也可以使用线-棒涂布机或旋涂机等、以及其他的涂布装置。烧成后的树脂膜基板11之厚度,一般是在10μm~数十μm左右。
图5是表示:用以在树脂膜基板11之上形成构成电子设备构造2的有机发光二极管构造的蒸镀装置30的构成及蒸镀步骤。蒸镀装置30是具备:将被蒸镀面的树脂膜基板11的表面朝下地保持在真空腔室(未图示)内的基板保持器31、与基板保持器31所保持的树脂膜基板11的被蒸镀面相对向地被设置在真空腔室的底部的多个点状或线状的蒸镀源32、以及使基板保持器31或蒸镀源32于指定方向以一定速度旋转或平行移动的驱动机构(未图标)等。在多个蒸镀源中收容有:分别用以形成上述的反射电极(阳极)、电洞注入层、电洞输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、金属电极(阴极)等的蒸镀物质。当树脂膜基板11被形成于玻璃基板10之上时,则依照使得树脂膜基板11朝下的方式而将玻璃基板10装设于基板保持器31。另外,从下侧将蒸镀掩膜33装设于树脂膜基板11的被蒸镀面,并开始进行蒸镀。
蒸镀掩膜33是一种被称为混杂型的物体,由以指定的图案形成有开口的树脂膜层33a、保持树脂膜层33a的金属膜层33b、及用以在树脂膜层33a施加一定的张力的金属框体(frame)33c等构成。又,由于反射电极(阳极)、电洞注入层、电洞输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、金属电极(阴极)等的各个图案形状分别为不相同的,因而分别准备与个别的层相对应的蒸镀掩膜,并且蒸镀步骤是经由交换蒸镀掩膜来实行的。另外,由于构成1个画素的红(R)、绿(G)及蓝(B)的发光层被形成于不同的位置,所以形成发光层的步骤是反复交换蒸镀掩膜3次来进行的。该蒸镀掩膜33是可通过设置在例如基板保持器31的内部的磁石的磁力而被吸引保持于树脂膜基板11的被蒸镀面。
在树脂膜基板11之上形成有用以驱动有机发光二极管的电路组件。然后,当使用蒸镀装置30而在电路组件上形成由有机发光二极管构造构成的电子设备构造2的图像显示装置时,则树脂膜基板11与玻璃基板10一起从蒸镀装置30卸下,依照使电子设备构造2成为上侧的方式而使上下颠倒,进而将封止膜等形成于电子设备构造2之上,并从树脂膜基板11切断可挠性电子设备1。图6是表示用以分别从树脂膜基板11之其他的区域切割可挠性电子设备1,更进一步地使玻璃基板10与树脂膜基板11的界面产生变质的装置及步骤;(a)为表示开始切割时,(b)为表示切割完成时。第一激光装置40是用以照射例如红外线等的长波长的第一激光41的物体;并且是安装于被设置在树脂膜基板11及玻璃基板10的上方的X-Y移动装置(未图标)。接着,以垂直于纸面的方向为X;以左右方向为Y;以上下方向为Z;第一激光装置40是构成为:能够藉由X-Y移动装置而在X-Y平面上自由地移动。在该实施方式中,第一激光装置40为持续地分别对于设备形成区域3的每一个照射第一激光41,并沿着如图1所示的可挠性电子设备1的外形线移动。在那之际,如图2所示,在可挠性电子设备1的四个角落形成圆弧或截角。在该段阶中,各可挠性电子设备1虽然是从树脂膜基板11的其他的区域被切割,然而由于是尚未照射后述之第二激光,所以各可挠性电子设备1是保持于玻璃基板10。
图6(c)是表示通过第二激光装置(未图标),从玻璃基板10的里侧、即从没有形成树脂膜基板11侧照射紫外线等的短波长的第二激光42,而使玻璃基板10与树脂膜基板11的界面产生变质的步骤。第二激光42是照射在玻璃基板10的内面的几乎全局上,将树脂膜基板11的全体从玻璃基板10剥离下来。当如此进行时,由于各个可挠性电子设备1为从树脂膜基板11的其他的区域被切离,因而能够将1个个的可挠性电子设备1从玻璃基板10逐一地卸下,并转移到搬运用托盘(tray)等。如上所述,由于可挠性电子设备1的四个角落为形成圆弧或截角,所以即便是可挠性电子设备1彼此接触,由于角是不尖的,所以可挠性电子设备1遭受损伤的可能性变小。又,虽然聚酰亚胺膜等的树脂膜基板11在放置时有反曲的倾向,但由于可挠性电子设备的四个角落的角不是尖的,所以即使是与任意东西接触,角被弯折的可能性变小。另外,由于第二激光42为照射在玻璃基板10之上的树脂膜基板11的整个表面,树脂膜基板11的全体为从玻璃基板10被剥离,所以玻璃基板10是能够再利用的。
其次,针对上述的可挠性电子设备的制造方法的第一变形例进行说明。在第一变形例中是构成为:在对于玻璃基板10之上的树脂膜基板11照射第一激光41以前、或者在照射第一激光41以后到从玻璃基板10的里侧照射第二激光42为止之期间,如图7所示,以排列成矩阵状的设备形成区域3之中以第一方向(X方向)排列的设备形成区域3在第二方向(Y方向)上包含有1列或2列的设备形成区域3的方式,对玻璃基板10及树脂膜基板11以第一方向(X方向)直线地扫描第三激光装置44,照射切断用的第三激光43而将玻璃基板10及树脂膜基板11切断成短栅状片。例如,在全部的可挠性电子设备1皆排列成相同方向的情况下,沿着图1中以虚线所示的直线A及B照射第三激光43。另一方面,在第二方向(Y方向)相邻的2个可挠性电子设备1为相对于例如直线B以相反方向形成的情况下,只沿着直线A照射第三激光43。通过如此作业,如图8所示,也可以构成为:在从玻璃基板10的里侧照射第二激光42以前,先针对在树脂膜基板11之上以第一方向(X方向)排列的可挠性电子设备1,将例如上述的导电图案4d连接于柔性印刷基板50(使用异方性导电膜等之压合贴附)而连接于驱动器IC等之其他的电子构件,然后再照射第二激光42。在该情况下,由于可挠性电子设备1为强固地保持于玻璃基板10之上,所以能够以良好的效率来进行柔性印刷基板等的接续作业。通过将被切断的短栅状片以刚刚切断后的状态排列,在切断面挟住有例如低融点玻璃熔块材料的状态下熔合由第三激光43切断的界面,因而能够被再利用来再做为1个大的玻璃基板10。所谓的低融点玻璃熔块材料为一种具有比在可挠性电子设备1的制造步骤中的最高温度(例如TFT形成温度约300~500℃)还要更高的600~800℃左右的熔点的材料。较佳为使用例如五氧化钒(V2O5:熔点为约650℃)等。
其次,针对上述的可挠性电子设备的制造方法的第二变形例来进行说明。在上述的第一变形例中,虽然是通过将第三激光43照射于玻璃基板10来进行切断,然而在第二变形例中是如图9所示,预先配合所制造的玻璃基板10的可挠性电子设备1的大小而切断成指定尺寸大小的短栅状片10a,并将多个短栅状片10a排列于短边方向来使用。图9(a)是表示在玻璃基板10之上所形成的树脂膜基板11之上,进一步地形成有电子设备构造2的状态。在如图9所示的构成例中,各短栅状片10a的第二方向(Y方向)的尺寸大小为足够形成2个在相同方向的设备形成区域3(或可挠性电子设备1),第一方向(X方向)的尺寸大小为设定成比第二方向(Y方向)的尺寸大小还更长。又,第二方向(Y方向)的相邻的2个可挠性电子设备1是被形成为相反方向。图9(b)是表示从第一激光装置40持续对于设备形成区域3照射第一激光41,进而沿着可挠性电子设备1的外形线切断树脂膜基板11的状态。又,图9(c)是表示从树脂膜基板11的其他的区域切离在树脂膜基板11之上形成的全部的可挠性电子设备1以后,再进一步地沿着在第二方向(Y方向)相邻的2个短栅状片10a的接触面,以第一方向(X方向)直线状地照射或沿着指定的凹凸图案照射第一激光41,而将树脂膜基板11之上以第一方向(X方向)排列的可挠性电子设备1以在第二方向(Y方向)相邻的每2列切断的步骤。如此,根据第二变形例,由于玻璃基板10为预先被切断成多个短栅状片10a,所以能够省略照射第三激光43来切断玻璃基板10的步骤。另外,短栅状片10a的在第二方向(Y方向)的尺寸大小只要是足够形成1个在同方向之设备形成区域3(或可挠性电子设备1)即可,在该情况下,在树脂膜基板11之上以第一方向(X方向)排列的可挠性电子设备1可以在第二方向(Y方向)以每1列切断。又,为了将相邻的2个短栅状片10a予以结合,所以可以在这些2个短栅状片10a的第二方向(Y方向)的端部形成平面视结合用的凹凸等。作为制造这种短栅状片10a的制造方法,可考虑对于玻璃基板10的材料,使上述第三激光装置44沿着平面上指定的凹凸图案来扫描,进而照射切断用的第三激光43的方法等。作为凹凸图案优选,在多个短栅状片10a相结合的状态下,可以发挥即使将任一者的短栅状片10a于水平方向展开也不会分离的锚定效果的形状。
如此,根据本发明的一实施方式有关的可挠性电子设备的制造方法,由于是在经由照射例如紫外线等的短波长的第二激光42,在使得玻璃基板10与树脂膜基板11的界面产生变质以前,将例如红外线等的长波长的第一激光41照射于树脂膜基板11而将在设备形成区域3所形成的可挠性电子设备1,分别地从树脂膜基板11的其他的区域切离,所以延迟照射第二激光42的时间点,由此能够将多个可挠性电子设备1保持于玻璃基板10之上而照原样地将可挠性电子设备1连接于驱动器IC等与其他的电子构件。又,由于是在树脂膜基板11的整个表面照射第二激光42,所以能够简单地从玻璃基板10将树脂膜基板11移除,因而玻璃基板10的再利用就容易了。另外,对于设备形成区域3的每一个,由于是沿着四个角落形成圆弧1a或截角1b的矩形状来照射长波长的第一激光41,所以所完成的可挠性电子设备1的四个角落不是尖的,因而即使可挠性电子设备1彼此接触,可挠性电子设备1遭受损伤、角弯折的可能性变小。
此外,通过将玻璃基板10切断成短栅状片10a、或者将预先切断的多个短栅状片10a排列而形成玻璃基板10,延迟照射第二激光42的时间点,使得能够在将可挠性电子设备1保持于玻璃基板10之上或短栅状片10a上的状态下进行处理;在将可挠性电子设备1搬运到下一步骤之际,由于可挠性电子设备1彼此间之接触没有了,所以可挠性电子设备1遭受损伤、角弯折的可能性进一步减小。
标号说明
1…可挠性电子设备
2…电子设备构造
3…设备形成区域
10…玻璃基板
10a…短栅状片
11…树脂膜基板
11a…树脂材料
40…第一激光装置
41…第一激光
42…第二激光
43…第三激光
44…第三激光装置
50…柔性印刷基板
Claims (6)
1.一种可挠性电子设备的制造方法,其特征在于具备:
在玻璃基板的表面上涂布热固性树脂,并通过对于所述热固性树脂进行烧成而在所述玻璃基板的表面形成树脂膜基板的步骤;
在所述树脂膜基板之上,在排列成矩阵状、设定的设备形成区域上分别形成电子设备构造的步骤;
对于所述设备形成区域的每一个,沿着四角形成有圆弧或倒角的矩形状照射长波长的第一激光,而从所述树脂膜基板的其他的区域分别将包含有在所述设备形成区域形成的所述电子设备构造的可挠性电子设备切除的步骤;
从没有形成所述玻璃基板的所述树脂膜基板侧对所述树脂膜基板的整个表面照射短波长的第二激光,以使所述玻璃基板与所述树脂膜基板的界面产生变质,并使得从所述玻璃基板剥离所述树脂膜基板变容易的步骤。
2.如权利要求1所记载的可挠性电子设备的制造方法,其特征在于,在排列成所述矩阵状的设备形成区域所形成的电子设备构造是依照:在第一方向为相同方向、在第二方向为每隔1列相同方向、并且相邻的2列为相反方向的方式来形成。
3.如权利要求1或2所记载的可挠性电子设备的制造方法,其特征在于,在照射所述第一激光之前、或在照射所述第一激光之后至照射所述第二激光为止的期间,依照使得在排列成所述矩阵状的设备形成区域之中,以第一方向排列的设备形成区域在第二方向中包含有1列或2列的设备形成区域的方式,对所述玻璃基板及所述树脂膜基板,以所述第一方向直线地照射切断用的第三激光,由此切断所述玻璃基板及所述树脂膜基板。
4.如权利要求1或2所记载的可挠性电子设备的制造方法,其特征在于,所述玻璃基板为:由将第二方向的尺寸大小为足够在相同方向中形成1个或2个的所述设备形成区域,且第一方向的尺寸大小为比所述第二方向的尺寸大小还长的短栅状片以所述第二方向排列多个而成,在照射所述第一激光之际,沿着在所述第二方向相邻的2个所述短栅状片的接触面,以所述第一方向直线状的照射所述第一激光,将在所述树脂膜基板之上以所述第一方向排列的所述可挠性电子设备,以所述第二方向每1列或每相邻2列切断。
5.如权利要求3或4所记载的可挠性电子设备的制造方法,其是相对于在所述第二方向以每1列或每相邻2列被切断、且在所述树脂膜基板之上以所述第一方向排列的所述可挠性电子设备连接其他的电子构件,然后再照射所述第二激光。
6.如权利要求1至5中任一项所记载的可挠性电子设备的制造方法,其特征在于,在照射所述第一激光之际,在干扰其他的电子构件的位置上形成与使用所述可挠性电子设备的电子构件相配合、并与所述其他的电子构件的形状相对应的孔穴或截角。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016-046815 | 2016-03-10 | ||
JP2016046815 | 2016-03-10 | ||
PCT/JP2016/071857 WO2017154235A1 (ja) | 2016-03-10 | 2016-07-26 | 可撓性電子デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108966693A true CN108966693A (zh) | 2018-12-07 |
CN108966693B CN108966693B (zh) | 2020-08-04 |
Family
ID=59790144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201680083281.9A Active CN108966693B (zh) | 2016-03-10 | 2016-07-26 | 可挠性电子设备的制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10749126B2 (zh) |
JP (1) | JP6510138B2 (zh) |
CN (1) | CN108966693B (zh) |
TW (1) | TWI679716B (zh) |
WO (1) | WO2017154235A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10693070B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for electroluminescence device |
US10516001B2 (en) | 2017-10-26 | 2019-12-24 | Sakai Display Products Corporation | Method and apparatus for producing flexible OLED device |
JP6405073B1 (ja) * | 2017-10-26 | 2018-10-17 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブルoledデバイスの製造方法および製造装置 |
GB201801457D0 (en) * | 2018-01-30 | 2018-03-14 | Pragmatic Printing Ltd | Integrated circuit manufacturing process and apparatus |
JP6556298B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2019-08-07 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブルoledデバイスの製造方法および製造装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007087807A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | 有機el表示装置の製造方法 |
US20110194063A1 (en) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display and manufacturing method thereof |
JP2012209215A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Seiko Epson Corp | 有機el装置の製造方法、電子機器 |
JP2014041187A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Japan Display Inc | 表示装置の製造方法 |
JP2014048619A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Panasonic Corp | フレキシブルデバイスの製造方法 |
CN103714754A (zh) * | 2012-10-03 | 2014-04-09 | 株式会社日本显示器 | 显示装置的制造方法 |
US20150309637A1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display Device and Electronic Device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5374812B2 (ja) * | 2005-08-23 | 2013-12-25 | 株式会社リコー | 記録用インク、並びに、インクカートリッジ、インク記録物、インクジェット記録装置及びインクジェット記録方法 |
JP2009047897A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Hitachi Displays Ltd | 薄型パネルの製造方法 |
JP2013025015A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶パネル及び液晶パネルの製造方法 |
JP6224918B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-11-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
-
2016
- 2016-07-26 US US16/083,854 patent/US10749126B2/en active Active
- 2016-07-26 JP JP2018503980A patent/JP6510138B2/ja active Active
- 2016-07-26 WO PCT/JP2016/071857 patent/WO2017154235A1/ja active Application Filing
- 2016-07-26 CN CN201680083281.9A patent/CN108966693B/zh active Active
- 2016-07-29 TW TW105123977A patent/TWI679716B/zh active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007087807A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | 有機el表示装置の製造方法 |
US20110194063A1 (en) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display and manufacturing method thereof |
KR20110092062A (ko) * | 2010-02-08 | 2011-08-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2012209215A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Seiko Epson Corp | 有機el装置の製造方法、電子機器 |
JP2014041187A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Japan Display Inc | 表示装置の製造方法 |
JP2014048619A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Panasonic Corp | フレキシブルデバイスの製造方法 |
CN103714754A (zh) * | 2012-10-03 | 2014-04-09 | 株式会社日本显示器 | 显示装置的制造方法 |
US20150309637A1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display Device and Electronic Device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017154235A1 (ja) | 2017-09-14 |
US20190067605A1 (en) | 2019-02-28 |
TW201732982A (zh) | 2017-09-16 |
TWI679716B (zh) | 2019-12-11 |
CN108966693B (zh) | 2020-08-04 |
JPWO2017154235A1 (ja) | 2018-11-01 |
JP6510138B2 (ja) | 2019-05-08 |
US10749126B2 (en) | 2020-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108966693A (zh) | 可挠性电子设备的制造方法 | |
KR102369934B1 (ko) | 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법 | |
EP3823030B1 (en) | Method for manufacturing a micro-led display | |
TW202036838A (zh) | 發光二極體(led)巨量轉移裝置及製造方法 | |
US7771789B2 (en) | Method of forming mask and mask | |
TW201917811A (zh) | 發光二極體質量傳遞設備及製造方法 | |
KR102078888B1 (ko) | 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 박막 패턴 형성 방법 | |
JP5515025B2 (ja) | マスク、それに使用するマスク用部材、マスクの製造方法及び有機el表示用基板の製造方法 | |
CN111326454B (zh) | 元件阵列的制造方法和特定元件的除去方法 | |
TW201343939A (zh) | 蒸鍍罩體及蒸鍍罩體之製造方法 | |
JPWO2013108368A1 (ja) | 電子部品実装装置および電子部品実装方法 | |
JP2018098441A (ja) | ダイボンダー | |
CN109326685A (zh) | 显示装置的制造方法 | |
US20210343957A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing flexible light-emitting device | |
JP5804457B2 (ja) | マスク | |
US10008690B2 (en) | Method and system of flattening a surface formed by sealant of packaging cover plate, and packaging method | |
CN110289227A (zh) | 芯片贴装装置及半导体器件的制造方法 | |
WO2013108367A1 (ja) | 電子部品実装装置および電子部品実装方法 | |
JP2019175978A (ja) | 転写基板ならびにこれを用いた実装方法および画像表示装置の製造方法 | |
CN112599462A (zh) | 移转设备及移转方法 | |
US11158804B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing flexible light emitting device | |
KR102525220B1 (ko) | 척킹 모듈 및 그를 구비한 기판 증착 장치 | |
KR20200121714A (ko) | Led 전사 방법 및 이에 의해 제조된 디스플레이 모듈 | |
JP2006222179A (ja) | チップ搭載装置およびチップ搭載方法 | |
JP2013077541A (ja) | 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |