WO2017154235A1 - 可撓性電子デバイスの製造方法 - Google Patents

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WO2017154235A1
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resin film
flexible electronic
glass substrate
film substrate
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田中　康一
鳴瀧　陽三
克彦 岸本
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鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a flexible electronic device such as an image display device using an organic light emitting diode.
  • thermosetting resin such as a polyimide precursor is applied on a flat glass substrate, and further baked at a certain temperature to form a resin film substrate such as polyimide held on the glass substrate.
  • maintained at the glass substrate it carries in a vapor deposition apparatus, a reflective electrode (anode), a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, electron transport
  • An organic light emitting diode structure such as a layer, an electron injection layer, and a very thin metal electrode (cathode) having translucency is formed by vapor deposition.
  • the 2nd laser with short wavelengths such as an ultraviolet-ray
  • the back side of a glass substrate ie, the side in which the resin film substrate is not formed.
  • Light is irradiated to change the interface between the glass substrate and the resin film substrate so that the resin film substrate can be easily peeled from the glass substrate.
  • a flexible laser formed on the resin film substrate by irradiating a first laser beam having a long wavelength such as infrared rays around the region where the electronic device structure is formed from the front side of the glass substrate. Disconnect the device.
  • the deposition material is deposited so that the individual flexible electronic devices are arranged in a matrix.
  • the first laser light is linearly scanned along the arrangement direction of each side of the electronic device in order to separate the individual flexible electronic devices from the resin film substrate. .
  • the laser beam that appears first is referred to as “second laser beam”.
  • Laser light that appears later is referred to as” first laser light ".
  • “Electronic device structure” means a circuit element for driving an organic light emitting diode formed on a resin film substrate, a reflective electrode (anode) formed on the circuit element, a hole injection layer, a hole transport layer, A structure that functions as an electronic device, such as an organic light emitting diode structure composed of a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a metal electrode (cathode).
  • “Flexible electronic device” means an electronic device structure and its surroundings. This means a completed electronic component including the resin film substrate (the same applies hereinafter).
  • a peeling prevention layer is formed in a rectangular frame shape, and only the interface between the glass substrate and the resin film substrate in the device forming region is altered. As a result, even when the flexible electronic device is transported to the next step together with the glass substrate, the resin film substrate in the portion where the peeling prevention layer is formed adheres to the glass substrate and functions as a guide. The device is less likely to fall from the glass substrate.
  • the present invention has been made in order to solve the above-described problems of the conventional example, can manufacture a flexible electronic device without increasing the number of steps, and can reuse the glass substrate. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a flexible electronic device that is less likely to be damaged or bent at a corner even if the detached flexible electronic devices come into contact with each other.
  • a method of manufacturing a flexible electronic device includes: Applying a thermosetting resin to the surface of the glass substrate, and baking the thermosetting resin to form a resin film substrate on the surface of the glass substrate; On the resin film substrate, the step of forming an electronic device structure in each of the set device formation regions arranged in a matrix, and Each of the device formation regions includes the electronic device structure formed in the device formation region by irradiating a first laser beam having a long wavelength along a rectangular shape having rounded or chamfered corners formed at four corners.
  • each flexible electronic device from other regions of the resin film substrate; By irradiating the entire surface of the resin film substrate with a second laser beam having a short wavelength from the side of the glass substrate where the resin film substrate is not formed, the interface between the glass substrate and the resin film substrate is altered, Making the resin film substrate easy to peel from the glass substrate; It is characterized by having.
  • the electronic device structures formed in the device formation regions arranged in the matrix form are formed in the same direction in the first direction, in the same direction every other row in the second direction, and two adjacent rows are reversed. You may form so that it may become.
  • the first direction among the device formation regions arranged in the matrix shape Irradiating the third laser beam for cutting linearly in the first direction with respect to the glass substrate and the resin film substrate so that the device forming regions arranged in 1 are included in one or two rows in the second direction. Then, the glass substrate and the resin film substrate may be cut.
  • the glass substrate is sufficient to form one or two of the device formation regions in the same direction in the second direction, and the strip in which the dimension in the first direction is longer than the dimension in the second direction.
  • a plurality of strips are arranged in the second direction, and when irradiating the first laser beam, the strips in the first direction along the contact surfaces of the two strip-shaped strips adjacent to the second direction.
  • the first laser beam is irradiated linearly, and the device forming regions arranged in the first direction on the resin film substrate are cut in the second direction for each row or for every two adjacent rows. You may comprise as follows.
  • Other electronic components are connected to the flexible electronic device that is cut in the second direction for each row or in every two adjacent rows and arranged in the first direction on the resin film substrate. Then, the second laser beam may be irradiated.
  • a hole or notch corresponding to the shape of the other electronic component is formed at a position where the flexible electronic device interferes with the other electronic component in accordance with the electronic apparatus in which the flexible electronic device is used. You may comprise so that it may form.
  • a second laser beam having a short wavelength such as ultraviolet rays, for example, infrared rays are used.
  • the first laser beam having a long wavelength is irradiated to the resin film substrate, and the flexible electronic devices formed in the device formation region are separated from the other regions of the resin film substrate, so the second laser beam is irradiated.
  • By delaying the timing it is possible to connect other electronic components such as a driver IC to the flexible electronic device while holding the plurality of flexible electronic devices on the glass substrate.
  • the resin film substrate can be easily removed from the glass substrate, and the glass substrate can be easily reused. Furthermore, since each of the device formation regions is irradiated with the first laser beam having a long wavelength in a rectangular shape with rounded or chamfered corners, the four corners of the completed flexible electronic device are sharp. Even if the flexible electronic devices come into contact with each other, the possibility that the flexible electronic devices are damaged or the corners are bent is reduced.
  • the flexible electronic device is further arranged in a matrix on the resin film substrate formed on the glass substrate by the method of manufacturing a flexible electronic device according to the embodiment of the present invention.
  • (A) is a figure which shows the rounding formed in the four corners of a flexible electronic device
  • (b) is a figure which shows the chamfering formed in the four corners of a flexible electronic device.
  • the device formation regions arranged in the first direction are irradiated with laser light along the bonding surfaces of a plurality of strip-shaped pieces constituting the glass substrate.
  • FIG. 1 A method for manufacturing a flexible electronic device according to an embodiment of the present invention will be described.
  • a resin film substrate 11 such as polyimide is formed on a glass substrate 10, and a number of flexible electronic devices 1 and device forming regions 3 are arranged on the resin film substrate 11 in a matrix.
  • Each of the manufactured flexible electronic devices 1 shows an electronic device structure 2 formed thereon.
  • Rounding 1a as shown in FIG. 2 (a) or chamfering 1b as shown in FIG. 2 (b) is applied to the four corners of the flexible electronic device 1.
  • the radius of curvature R of the rounding 1a may be in the range of 1 to 10 mm.
  • the device formation region 3 is substantially the same as the outer shape of the flexible electronic device 1, but the four corners are rectangular virtual regions that are not rounded or chamfered, and are matrixed on the resin film substrate 11. It is set to be arranged in a shape.
  • FIG. 3 shows an image display device using an organic light emitting diode used for a smart phone or the like as an example of the flexible electronic device 1 formed on the resin film substrate 11.
  • the device formation region 3 is indicated by a dashed line.
  • This image display device is called a top emission type and is formed on a resin film substrate 11 such as polyimide that is not necessarily transparent on a circuit element for driving an organic light emitting diode as an electronic device structure 2 and on the circuit element.
  • a reflective electrode anode
  • the outer shape of the resin film substrate 11 of the flexible electronic device 1 is matched to the outer shape of the electronic device in which the image display apparatus is used, and the electronic device structure 2 is the central portion of the device formation region 3 of the resin film substrate 11. Is formed. Further, around the electronic device structure 2 on the resin film substrate 11, holes or notches 4a to 4a corresponding to the shapes of the other electronic components are provided at positions where they interfere with other electronic components such as an imaging lens, a speaker, and a microphone. 4c and the like are formed. In addition, a conductive pattern 4 d is formed around the electronic device structure 2 to be connected to a driver IC for driving the electronic device structure 2.
  • FIG. 4 shows a process of forming a resin film on the glass substrate 10.
  • the coating apparatus 12 is generally called a slit coater, and supplies, for example, a slit head 13 that moves parallel to the coated surface of the glass substrate 10 and a resin material 11 a to the slit head 13.
  • a pump 14 is provided, and the resin material 11 a is supplied to the upper surface of the glass substrate 10 with an application width corresponding to the length of the slit head 13.
  • the resin material 11a is a thermosetting resin such as a polyimide precursor, and is baked at 400 to 500 ° C. for several hours, for example. In the meantime, since the solvent component is vaporized and the bonding between the molecules proceeds, as shown in FIG.
  • the film thickness of the resin film substrate 11 such as polyimide formed on the glass substrate 10 is almost equal to the solvent. Depending on the concentration, it becomes, for example, about 1/10 of the film thickness of the resin material 11a applied to the coated surface of the glass substrate 10. Therefore, the amount and concentration of the resin material 11a applied to the coated surface of the glass substrate 10 are adjusted according to the desired film thickness of the resin film substrate 11.
  • the coating method of the resin material 11a is not limited to the method using a slit coater, You may use other coating apparatuses, such as a wire bar coater and a spin coater.
  • the thickness of the resin film substrate 11 after firing is generally about 10 ⁇ m to several tens of ⁇ m.
  • FIG. 5 shows the configuration of the vapor deposition apparatus 30 and the vapor deposition process for forming the organic light emitting diode structure constituting the electronic device structure 2 on the resin film substrate 11.
  • the vapor deposition apparatus 30 includes a substrate holder 31 that holds the surface of the resin film substrate 11 that is a deposition surface facing downward, and a resin that is held by the substrate holder 31 at the bottom of the vacuum chamber.
  • a plurality of dotted or linear vapor deposition sources 32 provided so as to oppose the deposition surface of the film substrate 11 and a drive mechanism for rotating or translating the substrate holder 31 or the vapor deposition source 32 in a predetermined direction at a constant speed ( (Not shown).
  • a plurality of vapor deposition sources contain vapor deposition materials for forming the reflective electrode (anode), hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer, electron injection layer, metal electrode (cathode), etc., respectively. ing.
  • the glass substrate 10 is mounted on the substrate holder 31 so that the resin film substrate 11 faces downward.
  • the vapor deposition mask 33 is mounted on the vapor deposition surface of the resin film substrate 11 from below, and vapor deposition is started.
  • the vapor deposition mask 33 is called a hybrid type, and has a resin film layer 33a having an opening formed in a predetermined pattern, a metal film layer 33b holding the resin film layer 33a, and a constant tension applied to the resin film layer 33a. It is composed of a metal frame 33c for hanging. Moreover, since the reflective electrode (anode), hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer, electron injection layer, metal electrode (cathode), etc. have different pattern shapes, vapor deposition masks corresponding to the respective layers. Is prepared, and the vapor deposition process is executed by exchanging the vapor deposition mask.
  • the step of forming the light emitting layer is performed three times by exchanging the evaporation mask. Repeated. For example, the vapor deposition mask 33 is attracted and held on the vapor deposition surface of the resin film substrate 11 by the magnetic force of a magnet provided inside the substrate holder 31.
  • FIG. 6 shows an apparatus and a process for separating the flexible electronic device 1 from the other regions of the resin film substrate 11 and changing the interface between the glass substrate 10 and the resin film substrate 11, respectively.
  • the first laser device 40 irradiates a first laser beam 41 having a long wavelength such as infrared rays, for example, and an XY moving device (not shown) provided above the resin film substrate 11 and the glass substrate 10. Is attached.
  • the first laser device 40 can be freely moved on the XY plane by the XY moving device, where X is the direction perpendicular to the paper surface, Y is the left-right direction, and Z is the up-down direction.
  • the first laser device 40 is moved along the outline of the flexible electronic device 1 shown in FIG. 1 while irradiating each of the device forming regions 3 with the first laser light 41. At that time, as shown in FIG.
  • each flexible electronic device 1 is separated from the other regions of the resin film substrate 11, but since the second laser light described later has not been irradiated yet, each flexible electronic device 1 is It is held on the glass substrate 10.
  • the second laser beam 42 having a short wavelength such as ultraviolet rays is irradiated from the back side of the glass substrate 10, that is, the side where the resin film substrate 11 is not formed, by a second laser device (not shown). Then, a step of modifying the interface between the glass substrate 10 and the resin film substrate 11 is shown.
  • the second laser light 42 is applied to almost the entire back surface of the glass substrate 10 and peels the entire resin film substrate 11 from the glass substrate 10. Then, since the individual flexible electronic devices 1 are already separated from the other regions of the resin film substrate 11, the flexible electronic devices 1 are removed one by one from the glass substrate 10 and transferred to a transport tray or the like. It can be transferred.
  • the flexible electronic device 1 since rounding or chamfering is formed at the four corners of the flexible electronic device 1, even if the flexible electronic devices 1 are in contact with each other, the corners are not sharp, so the flexible electronic device 1 is The risk of damage is reduced.
  • the resin film substrate 11 such as a polyimide film tends to warp if left untreated, the corners of the four corners of the flexible electronic device are not sharp, so that the possibility of the corners being bent is reduced even if contacted with anything.
  • the glass substrate 10 since the entire surface of the resin film substrate 11 on the glass substrate 10 is irradiated with the second laser light 42 and the entire resin film substrate 11 is peeled off from the glass substrate 10, the glass substrate 10 can be reused. it can.
  • the second laser light is irradiated from the back side of the glass substrate 10 before the first laser light 41 is irradiated to the resin film substrate 11 on the glass substrate 10 or after the first laser light 41 is irradiated.
  • the device formation regions 3 arranged in the first direction (X direction) are in the second direction (Y direction) as shown in FIG. )
  • the third laser device 44 is linearly scanned in the first direction (X direction) with respect to the glass substrate 10 and the resin film substrate 11 so as to be included in one or two rows in the third row, and the third laser beam for cutting.
  • the third laser light 43 is irradiated and the glass substrate 10 and the resin film substrate 11 are cut into strips.
  • the third laser light 43 is irradiated along the straight lines A and B indicated by broken lines in FIG.
  • the two flexible electronic devices 1 adjacent to the second direction (Y direction) are formed in the opposite direction to the straight line B, for example, the third laser light 43 is emitted only along the straight line A. Irradiate. By doing so, as shown in FIG. 8, before the second laser light 42 is irradiated from the back side of the glass substrate 10, the flexibility arranged in the first direction (X direction) on the resin film substrate 11.
  • the flexible printed circuit board 50 is connected to the conductive pattern 4d to the electronic device 1 (pressure bonding using an anisotropic conductive film or the like), and another electronic component such as a driver IC is connected, and then the second laser.
  • You may comprise so that the light 42 may be irradiated.
  • the flexible electronic device 1 is firmly held on the glass substrate 10, it is possible to efficiently perform the connection work of the flexible printed circuit board and the like.
  • the cut strips in the state immediately after cutting and fusing the interface cut by the third laser beam 43 with, for example, a low melting point glass frit material sandwiched between the cut surfaces, one large glass is again formed. It can be reused as the substrate 10.
  • the low melting point glass frit material a material having a melting point of about 600 to 800 ° C. higher than the maximum temperature (for example, TFT formation temperature of about 300 to 500 ° C.) in the manufacturing process of the flexible electronic device 1, such as vanadium pentoxide ( V 2 O 5 : Melting point is preferably about 650 ° C.).
  • FIG. 9A shows a state in which the electronic device structure 2 is further formed on the resin film substrate 11 formed on the glass substrate 10.
  • each strip 10a is sufficient to form two device forming regions 3 (or flexible electronic devices 1) in the same direction in the second direction (Y direction).
  • FIG. 9B shows that the resin film substrate 11 is cut along the outline of the flexible electronic device 1 while irradiating the device forming region 3 with the first laser light 41 from the first laser device 40. Indicates the state.
  • FIG. 9C shows the second direction (Y direction) after all the flexible electronic devices 1 formed on the resin film substrate 11 are separated from other regions of the resin film substrate 11.
  • the first laser beam 41 is irradiated linearly or along a predetermined concavo-convex pattern in the first direction (X direction) along the contact surface of the two strip-shaped pieces 10a adjacent to each other on the resin film substrate 11
  • disconnecting the flexible electronic device 1 arranged in the 1st direction (X direction) for every 2 rows adjacent to a 2nd direction (Y direction) is shown.
  • disconnecting the glass substrate 10 is abbreviate
  • the dimension in the 2nd direction (Y direction) of the strip-shaped piece 10a should just be sufficient to form one device formation area 3 (or flexible electronic device 1) in the same direction, In that case
  • bonding etc. by planar view may be formed in the edge part of the 2nd direction (Y direction) of these two strip-shaped pieces 10a. .
  • the third laser device 44 is scanned in a plane along a predetermined concavo-convex pattern with respect to the material of the glass substrate 10 to cut the third laser beam 43 for cutting.
  • a method of irradiating the light can be considered.
  • the concavo-convex pattern is preferably a shape that exhibits an anchor effect so that even if a plurality of strip-shaped pieces 10a are joined, even if one of the strip-shaped pieces 10a is pulled in the horizontal direction, it is not separated.
  • the resin film substrate 11 is irradiated with a first laser beam 41 having a long wavelength, such as infrared rays. Therefore, the timing of irradiating the second laser light 42 is delayed, so that the plurality of flexible electronic devices 1 are held on the glass substrate 10 while being flexible. It is also possible to connect other electronic components such as a driver IC.
  • the 2nd laser beam 42 is irradiated to the whole surface of the resin film board
  • the timing of irradiating the second laser light 42 is delayed.
  • the flexible electronic device 1 can be handled in a state of being held on the glass substrate 10 or on the strip 10a, and when the flexible electronic device 1 is transported to the next step, the flexible electronic device 1 There is no longer any contact between them, and the possibility that the flexible electronic device 1 is damaged or the corners are bent is further reduced.

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Abstract

工程を増やすことなく可撓性電子デバイスを製造することができ、ガラス基板の再利用が可能であり、ガラス基板から取り外した可撓性電子デバイスが損傷したり、角が折れ曲がったりする虞が少ない可撓性電子デバイスの製造方法を提供する。　ガラス基板１０の上に形成された樹脂フィルム基板１１の上に、さらに電子デバイス構造２を形成し、デバイス形成領域３に対して、四隅に丸め又は面取りが形成された矩形状に沿って波長の長い第１レーザー光４１を照射して、デバイス形成領域３に形成された電子デバイス構造２を含む可撓性電子デバイス１を樹脂フィルム基板１１から切り離し、その後、ガラス基板１０の裏側から樹脂フィルム基板１１の全面に対して波長の短い第２レーザー光４２を照射して、ガラス基板１０と樹脂フィルム基板１１の界面を変質させ、樹脂フィルム基板１１をガラス基板１０から剥離しやすくする。

Description

可撓性電子デバイスの製造方法
　本発明は、有機発光ダイオードを用いた画像表示装置などの可撓性電子デバイスの製造方法に関する。
　近年、可撓性を有する樹脂フィルム基板の上に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）を形成した画像表示装置が実用化されている。このような可撓性の樹脂フィルム基板の上に画像表示装置などの可撓性電子デバイスを形成する場合、樹脂フィルム基板を平坦に保持する必要がある。そのため、一般的には平坦なガラス基板の上にポリイミド前駆体などの熱硬化性樹脂を塗布し、さらに一定の温度で焼成して、ガラス基板に保持されたポリイミドなどの樹脂フィルム基板を形成する。そして、ガラス基板に保持された樹脂フィルム基板上に有機発光ダイオードを駆動する回路素子を形成後、蒸着装置に搬入し、反射電極（陽極）、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、透光性を有する極めて薄い金属電極（陰極）などの有機発光ダイオード構造を蒸着によって形成する。そして、樹脂フィルム基板の上に駆動回路および有機発光ダイオード構造からなる電子デバイス構造を形成した後、ガラス基板の裏側、すなわち樹脂フィルム基板が形成されていない側から紫外線などの波長の短い第２レーザー光を照射して、ガラス基板と樹脂フィルム基板の界面を変質させ、ガラス基板から樹脂フィルム基板を剥離し易くさせる。さらに、ガラス基板の表側から電子デバイス構造が形成されている領域の周囲に赤外線などの波長の長い第１レーザー光を照射して、樹脂フィルム基板の上からその上に形成された可撓性電子デバイスを切り離す。１枚の樹脂フィルム基板から多数の可撓性電子デバイスを製造する場合、個々の可撓性電子デバイスがマトリックス状に配列されるように蒸着物質を蒸着する。そして、可撓性電子デバイスが形成されると、個々の可撓性電子デバイスを樹脂フィルム基板から切り離すために、第１レーザー光を電子デバイスの各辺の配列方向に沿って直線的に走査する。
　なお、後述するように、本発明に係る可撓性電子デバイスの製造方法とは第１レーザー光と第２レーザー光を照射する順序が異なるため、先に登場するレーザー光を「第２レーザー光」、後から登場するレーザー光を「第１レーザー光」としている。また、「電子デバイス構造」とは、樹脂フィルム基板の上に形成される有機発光ダイオードを駆動する回路素子および、回路素子上に形成される反射電極（陽極）、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、金属電極（陰極）からなる有機発光ダイオード構造など、電子デバイスとして機能する構造を意味し、「可撓性電子デバイス」とは、電子デバイス構造及びその周囲の樹脂フィルム基板を含む完成した電子部品を意味する（以下同様）。
　ところで、従来の可撓性電子デバイスの製造方法では、ガラス基板の上に形成された樹脂フィルム基板の全面にわたって第１レーザー光が照射されるので、可撓性電子デバイスに使用されない領域の樹脂フィルム基板までもガラス基板から剥離されてしまう。そのため、製造された可撓性電子デバイスに駆動用のドライバーＩＣなどを接続するために、ガラス基板ごと可撓性電子デバイスを次の工程に搬送する場合、可撓性電子デバイスがガラス基板の上から落下しないように、ガラス基板を慎重に取り扱わなければならない。そこで、特許文献１に記載された可撓性電子デバイスの製造方法によれば可撓性電子デバイスが形成されるデバイス形成領域の周囲に、樹脂フィルム基板を剥離するための第１レーザー光の透過量を抑制するために、例えば矩形枠状に剥離防止層を形成し、デバイス形成領域におけるガラス基板と樹脂フィルム基板との界面のみを変質させている。その結果、ガラス基板ごと可撓性電子デバイスを次の工程に搬送する場合でも、剥離防止層が形成された部分の樹脂フィルム基板がガラス基板に付着してガイドとして機能するため、可撓性電子デバイスがガラス基板の上から落下しにくくなる。
　上記特許文献１に記載された可撓性電子デバイスの製造方法では、デバイス形成領域の周囲に剥離防止層を形成する工程が必要であり、また、ガラス基板を再利用する場合は、この剥離防止層をガラス基板から取り除く工程がさらに必要となる。その結果、可撓性電子デバイスの製造コストを上昇させる原因となる。また、１枚の樹脂フィルム基板から多数の可撓性電子デバイスを製造する場合、部材の利用効率を高くして製造コストを低減させるために、個々の可撓性電子デバイス（またはデバイス形成領域）の間隔をより狭くする傾向にあり、可撓性電子デバイスをガラス基板の上に保持した状態でドライバーＩＣなどを配置したフレキシブルプリント基板を接続することはできず、可撓性電子デバイスをガラス基板から取り外してから貼り付ける作業などを行わなければならない。その際、個々の可撓性電子デバイスの四隅の角が尖っているので、ガラス基板から取り外した可撓性電子デバイス同士が接触して、尖った角によって可撓性電子デバイスが損傷する虞がある。さらに、ポリイミドフィルムなどの樹脂フィルム基板は放置すると吸水作用などの影響により反る傾向にあるため、可撓性電子デバイスの四隅の角が尖っていると、何かに接触する際に角が折れ曲がる虞がある。
特開２０１４－４８６１９号公報
　本発明は、上記従来例の問題を解決するためになされたものであり、工程を増やすことなく可撓性電子デバイスを製造することができ、ガラス基板の再利用が可能であり、ガラス基板から取り外した可撓性電子デバイス同士が接触したとしても可撓性電子デバイスが損傷したり、角が折れ曲がったりする虞が少ない可撓性電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明に係る可撓性電子デバイスの製造方法は、
　ガラス基板の表面に熱硬化性樹脂を塗布し、前記熱硬化性樹脂を焼成することによって前記ガラス基板の表面に樹脂フィルム基板を形成する工程と、
　前記樹脂フィルム基板の上に、マトリックス状に配列され、設定されたデバイス形成領域にそれぞれ電子デバイス構造を形成する工程と、
　前記デバイス形成領域のそれぞれに対して、四隅に丸め又は面取りが形成された矩形状に沿って波長の長い第１レーザー光を照射して、前記デバイス形成領域に形成された前記電子デバイス構造を含む可撓性電子デバイスをそれぞれ前記樹脂フィルム基板のその他の領域から切り離す工程と、
　前記ガラス基板の前記樹脂フィルム基板が形成されていない側から前記樹脂フィルム基板の全面に対して波長の短い第２レーザー光を照射して、前記ガラス基板と前記樹脂フィルム基板の界面を変質させ、前記樹脂フィルム基板を前記ガラス基板から剥離しやすくする工程と、
を備えていることを特徴とする。
　前記マトリックス状に配列されたデバイス形成領域に形成される電子デバイス構造は、第１方向においては同じ向きに、第２方向においては１列おきに同じ向きに形成され、隣接する２列が逆向きになるように形成してもよい。
　前記第１レーザー光を照射する前に、又は前記第１レーザー光を照射した後、前記第２レーザー光を照射するまでの間に、前記マトリックス状に配列されたデバイス形成領域のうち第１方向に配列されたデバイス形成領域が第２方向に１列又は２列含まれるように、前記ガラス基板及び前記樹脂フィルム基板に対して前記第１方向に直線的に切断用の第３レーザー光を照射して、前記ガラス基板及び前記樹脂フィルム基板を切断するように構成してもよい。
　または、前記ガラス基板は、第２方向の寸法が同方向における前記デバイス形成領域を１つ又は２つ形成するのに十分であり、第１方向の寸法が前記第２方向の寸法よりも長い短冊状片を、前記第２方向に複数配列したものであり、前記第１レーザー光を照射する際、前記第２方向に隣接する２つの前記短冊状片の接触面に沿って前記第１方向に前記第１レーザー光を直線状に照射し、前記樹脂フィルム基板の上で前記第１方向に配列された前記デバイス形成領域を前記第２方向に１列ごとに又は隣接する２列ごとに切断するように構成してもよい。
　前記第２方向に１列ごとに又は隣接する２列ごとに切断され、前記樹脂フィルム基板の上で前記第１方向に配列された前記可撓性電子デバイスに対して他の電子部品を接続し、その後、前記第２レーザー光を照射するように構成してもよい。
　前記第１レーザー光を照射する際、前記可撓性電子デバイスが使用される電子機器に合わせて、他の電子部品と干渉する位置に、前記他の電子部品の形状に対応した穴又は切り欠きを形成するように構成してもよい。
　本発明の可撓性電子デバイスの製造方法によれば、例えば紫外線などの波長の短い第２レーザー光を照射してガラス基板と樹脂フィルム基板の界面を変質させるよりも前に、例えば赤外線などの波長の長い第１レーザー光を樹脂フィルム基板に照射して、デバイス形成領域に形成された可撓性電子デバイスをそれぞれ樹脂フィルム基板のその他の領域から切り離しているので、第２レーザー光を照射するタイミングを遅くすることによって、複数の可撓性電子デバイスをガラス基板の上に保持したまま、可撓性電子デバイスにドライバーＩＣなど、他の電子部品を接続することも可能である。また、樹脂フィルム基板の全面に第２レーザー光が照射されるので、ガラス基板から樹脂フィルム基板を簡単に取り除くことができ、ガラス基板の再利用が容易である。さらに、デバイス形成領域のそれぞれに対して、四隅に丸め又は面取りが形成された矩形状に波長の長い第１レーザー光を照射しているので、完成された可撓性電子デバイスの四隅は尖っておらず、可撓性電子デバイス同士が接触したとしても可撓性電子デバイスが損傷したり、角が折れ曲がったりする虞は少なくなる。
本発明の一実施形態に係る可撓性電子デバイスの製造方法によって、ガラス基板の上に形成された樹脂フィルム基板の上に、さらに可撓性電子デバイスがマトリックス状に配列されて形成されている様子を示す図。 （ａ）は可撓性電子デバイスの四隅に形成された丸めを示す図、（ｂ）は可撓性電子デバイスの四隅に形成された面取りを示す図。 可撓性電子デバイスの外形の一例を示す図。 ガラス基板の上に樹脂フィルム基板を形成する工程を示す図。 蒸着により樹脂フィルム基板の上に有機発光ダイオード構造を形成する工程を示す図。 樹脂フィルム基板の上に形成された可撓性電子デバイスを樹脂フィルム基板の他の領域から切り離し、さらにガラス基板と樹脂フィルム基板の界面を変質させる工程を示す図。 可撓性電子デバイスの製造方法の第１変形例において、ガラス基板を切断する工程を示す図。 切断されたガラス基板（短冊状片）に保持された状態で可撓性電子デバイスに他の電子部品を接続する工程を示す図。 可撓性電子デバイスの製造方法の第２変形例において、ガラス基板を構成する複数の短冊状片の接合面に沿ってレーザー光を照射して、第１方向に配列されたデバイス形成領域を第２方向に１列ごとに又は隣接する２列ごとに樹脂フィルム基板を切断する工程を示す図。
　本発明の一実施形態に係る可撓性電子デバイスの製造方法について説明する。図１は、ガラス基板１０の上にポリイミドなどの樹脂フィルム基板１１が形成され、さらに樹脂フィルム基板１１の上に多数の可撓性電子デバイス１及びデバイス形成領域３がマトリックス状に配列されており、製造された個々の可撓性電子デバイス１にはそれぞれ電子デバイス構造２が形成されている様子を示している。可撓性電子デバイス１の四隅には、図２（ａ）に示すような丸め１ａ又は図２（ｂ）に示すような面取り１ｂが施されている。例えば、丸め１ａの曲率半径Ｒは１～１０ｍｍの範囲であればよい。また、デバイス形成領域３は、可撓性電子デバイス１の外形とほぼ一致しているけれども、四隅は丸め又は面取りがなされていない矩形状の仮想領域であって、樹脂フィルム基板１１の上でマトリックス状に配置されるように設定されている。
　図３は、樹脂フィルム基板１１の上に形成される可撓性電子デバイス１の一例として、例えばスマートホンなどに使用される有機発光ダイオードを用いた画像表示装置を示す。また、一点鎖線でデバイス形成領域３を示す。この画像表示装置は、トップエミッション型と呼ばれ、必ずしも透明ではないポリイミドなどの樹脂フィルム基板１１の上に、電子デバイス構造２として有機発光ダイオードを駆動する回路素子および、回路素子上に形成される反射電極（陽極）、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、半透明の極めて薄い金属電極（陰極）などが積層されている。可撓性電子デバイス１の樹脂フィルム基板１１の外形は、この画像表示装置が使用される電子機器の外形に合わせられており、電子デバイス構造２が樹脂フィルム基板１１のデバイス形成領域３の中央部に形成されている。また、樹脂フィルム基板１１の上の電子デバイス構造２の周囲には、撮像レンズ、スピーカー及びマイクロホンなど他の電子部品と干渉する位置に、他の電子部品の形状に対応した穴又は切り欠き４ａ～４ｃなどが形成されている。また、電子デバイス構造２の周囲には、電子デバイス構造２を駆動するためのドライバーＩＣなどと接続されるための導電パターン４ｄが形成されている。
　図４は、ガラス基板１０の上に樹脂フィルムを形成する工程を示す。図４（ａ）において、塗布装置１２は、一般的に、スリットコーターと呼ばれ、例えばガラス基板１０の被塗布面に平行に移動するスリットヘッド１３と、スリットヘッド１３に樹脂材料１１ａを供給するポンプ１４を備えており、スリットヘッド１３の長さに対応した塗布幅で樹脂材料１１ａがガラス基板１０の上面に供給される。樹脂材料１１ａは、例えばポリイミド前駆体などの熱硬化性樹脂であり、例えば４００～５００℃で数時間焼成される。その間、溶剤成分が気化し、また分子同士の結合が進むため、図４（ｂ）に示すように、ガラス基板１０の上に形成されたポリイミドなどの樹脂フィルム基板１１の膜厚は、ほぼ溶剤濃度に依存し、ガラス基板１０の被塗布面に塗布された樹脂材料１１ａの膜厚の、例えば約１／１０になる。従って、所望する樹脂フィルム基板１１の膜厚に応じて、ガラス基板１０の被塗布面に塗布する樹脂材料１１ａの量や濃度を調節する。なお、樹脂材料１１ａの塗布方法は、スリットコーターを用いた方法には限定されず、ワイヤーバーコーターやスピンコーターなど、その他の塗布装置を用いてもよい。焼成後の樹脂フィルム基板１１の厚みは、一般的には１０μｍ～数十μｍ程度である。
　図５は、樹脂フィルム基板１１の上に電子デバイス構造２を構成する有機発光ダイオード構造を形成するための蒸着装置３０の構成及び蒸着工程を示す。蒸着装置３０は、真空チャンバー（図示せず）内において、被蒸着面である樹脂フィルム基板１１の表面を下向きにして保持する基板ホルダー３１と、真空チャンバーの底部において基板ホルダー３１に保持された樹脂フィルム基板１１の被蒸着面に対向するように設けられた複数の点状又は線状の蒸着源３２と、基板ホルダー３１又は蒸着源３２を所定方向に一定速度で回転又は平行移動させる駆動機構（図示せず）などを備えている。複数の蒸着源には、それぞれ上記反射電極（陽極）、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、金属電極（陰極）などを形成するための蒸着物質が収容されている。ガラス基板１０の上に樹脂フィルム基板１１が形成されると、樹脂フィルム基板１１が下を向くようにしてガラス基板１０が基板ホルダー３１に装着される。さらに、樹脂フィルム基板１１の被蒸着面に、下側から蒸着マスク３３が装着され、蒸着が開始される。
　蒸着マスク３３は、ハイブリッド型と呼ばれるものであって、所定のパターンに開口が形成された樹脂フィルム層３３ａと樹脂フィルム層３３ａを保持する金属フィルム層３３ｂと、樹脂フィルム層３３ａに一定の張力を掛けるための金属フレーム３３ｃなどで構成されている。また、反射電極（陽極）、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、金属電極（陰極）などは、それぞれパターン形状が異なるため、それぞれの層に対応した蒸着マスクが用意されており、蒸着マスクを交換して蒸着工程が実行される。さらに、１つの画素を構成する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の発光層が形成される位置が異なるため、発光層を形成する工程は、蒸着マスクを交換して３回繰り返される。この蒸着マスク３３は、例えば基板ホルダー３１の内部に設けられた磁石の磁力によって樹脂フィルム基板１１の被蒸着面に吸着保持される。
　樹脂フィルム基板１１の上には、まず有機発光ダイオードを駆動するための回路素子が形成される。その後、蒸着装置３０を用いて回路素子上に有機発光ダイオード構造からなる電子デバイス構造２である画像表示装置が形成されると、樹脂フィルム基板１１はガラス基板１０と共に蒸着装置３０から取り外され、電子デバイス構造２が上側となるように天地を反転させ、電子デバイス構造２の上に封止膜などが形成され、樹脂フィルム基板１１から可撓性電子デバイス１を切断する。図６は、可撓性電子デバイス１をそれぞれ樹脂フィルム基板１１のその他の領域から切り離し、さらにガラス基板１０と樹脂フィルム基板１１の界面を変質させるための装置及び工程を示し、（ａ）は切り離し開始時を、（ｂ）は切り離し完了時を示す。第１レーザー装置４０は、例えば赤外線などの波長の長い第１レーザー光４１を照射するものであり、樹脂フィルム基板１１及びガラス基板１０の上方に設けられたＸ－Ｙ移動装置（図示せず）に取り付けられている。そして、紙面に垂直な方向をＸ、左右方向をＹ、上下方向をＺとして、第１レーザー装置４０は、Ｘ－Ｙ移動装置によりＸ－Ｙ平面上を自由に移動することができるように構成されている。この実施形態では、第１レーザー装置４０がデバイス形成領域３のそれぞれに対して第１レーザー光４１を照射しつつ、図１に示す可撓性電子デバイス１の外形線に沿って移動される。その際、図２に示すように、可撓性電子デバイス１の四隅に丸め又は面取りを形成する。この段階では、各可撓性電子デバイス１は、樹脂フィルム基板１１のその他の領域から切り離されているけれども、後述する第２レーザー光はまだ照射されていないので、各可撓性電子デバイス１はガラス基板１０に保持されている。
　図６（ｃ）は、ガラス基板１０の裏側、すなわち樹脂フィルム基板１１が形成されていない側から、第２レーザー装置（図示せず）により、紫外線などの波長の短い第２レーザー光４２を照射して、ガラス基板１０と樹脂フィルム基板１１の界面を変質させる工程を示す。第２レーザー光４２は、ガラス基板１０の裏面のほぼ全域に照射され、樹脂フィルム基板１１の全体をガラス基板１０から剥離する。そうすると、すでに個々の可撓性電子デバイス１は、樹脂フィルム基板１１のその他の領域から切り離されているので、可撓性電子デバイス１を１つずつガラス基板１０から取り外して、搬送用トレイなどに移し替えることができる。前述のように、可撓性電子デバイス１の四隅に丸め又は面取りが形成されているので、可撓性電子デバイス１同士が接触したとしても、角が尖っていないので可撓性電子デバイス１が損傷する虞が少なくなる。また、ポリイミドフィルムなどの樹脂フィルム基板１１は放置すると反る傾向にあるけれども、可撓性電子デバイスの四隅の角が尖っていないので、何かに接触したとしても角が折れ曲がる虞が少なくなる。さらに、ガラス基板１０の上の樹脂フィルム基板１１の全面に第２レーザー光４２が照射され、樹脂フィルム基板１１の全体がガラス基板１０から剥離されているため、ガラス基板１０を再利用することができる。
　次に、上記可撓性電子デバイスの製造方法の第１変形例について説明する。第１変形例では、ガラス基板１０の上の樹脂フィルム基板１１に対して第１レーザー光４１を照射する前に、又は第１レーザー光４１を照射した後ガラス基板１０の裏側から第２レーザー光４２を照射するまでの間に、図７に示すように、マトリックス状に配列されたデバイス形成領域３のうち第１方向（Ｘ方向）に配列されたデバイス形成領域３が第２方向（Ｙ方向）に１列又は２列含まれるように、ガラス基板１０及び樹脂フィルム基板１１に対して第３レーザー装置４４を第１方向（Ｘ方向）に直線的に走査させ、切断用の第３レーザー光４３を照射して、ガラス基板１０及び樹脂フィルム基板１１を短冊状片に切断するように構成されている。例えば、全ての可撓性電子デバイス１が同じ向きに配列されている場合は、図１において破線で示す直線Ａ及びＢに沿って第３レーザー光４３を照射する。一方、第２方向（Ｙ方向）に隣接する２つの可撓性電子デバイス１が、例えば直線Ｂに対して逆向きに形成されている場合は、直線Ａのみに沿って第３レーザー光４３を照射する。そうすることによって、図８に示すように、ガラス基板１０の裏側から第２レーザー光４２を照射する前に、樹脂フィルム基板１１の上で第１方向（Ｘ方向）に配列された可撓性電子デバイス１に対して、例えば上記導電パターン４ｄにフレキシブルプリント基板５０を接続（異方性導電フィルムなど用いた圧着貼付け）して、ドライバーＩＣなどの他の電子部品を接続し、その後第２レーザー光４２を照射するように構成してもよい。その場合、可撓性電子デバイス１はガラス基板１０の上に強固に保持されているので、フレキシブルプリント基板などの接続作業を効率よく行うことができる。切断された短冊状片を切断直後の状態に並べ、第３レーザー光４３によって切断された界面を例えば低融点ガラスフリット材料を切断面に挟み込んだ状態で融着させることにより、再び１つの大きなガラス基板１０として再利用することが可能である。低融点ガラスフリット材料としては、可撓性電子デバイス１の製造工程における最高温度（例えばＴＦＴ形成温度約３００～５００℃）よりも高い６００～８００℃程度の融点を有する材料、例えば五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５：融点は約６５０℃）などを用いることが好ましい。
　次に、上記可撓性電子デバイスの製造方法の第２変形例について説明する。上記第１変形例では、ガラス基板１０に第３レーザー光４３を照射することによって切断したが、第２変形例では、図９に示すように、予めガラス基板１０を製造される可撓性電子デバイス１の大きさに合わせて所定寸法の短冊状片１０ａに切断しておき、複数の短冊状片１０ａを短辺方向に配列して使用する。図９（ａ）は、ガラス基板１０の上に形成された樹脂フィルム基板１１の上に、さらに電子デバイス構造２が形成された状態を示す。図９に示す構成例では、各短冊状片１０ａは、第２方向（Ｙ方向）の寸法が同方向におけるデバイス形成領域３（又は可撓性電子デバイス１）を２つ形成するのに十分であり、第１方向（Ｘ方向）の寸法が第２方向（Ｙ方向）の寸法よりも長くなるように設定されている。また、第２方向（Ｙ方向）に隣接する２つの可撓性電子デバイス１は逆向きに形成されているものとする。図９（ｂ）は、第１レーザー装置４０からデバイス形成領域３に対して第１レーザー光４１を照射しつつ、可撓性電子デバイス１の外形線に沿って樹脂フィルム基板１１を切断している状態を示す。また、図９（ｃ）は、樹脂フィルム基板１１の上に形成された全ての可撓性電子デバイス１を樹脂フィルム基板１１のその他の領域から切り離した後、さらに、第２方向（Ｙ方向）に隣接する２つの短冊状片１０ａの接触面に沿って第１方向（Ｘ方向）に第１レーザー光４１を直線状に又は所定の凹凸パターンに沿って照射し、樹脂フィルム基板１１の上で第１方向（Ｘ方向）に配列された可撓性電子デバイス１を第２方向（Ｙ方向）に隣接する２列ごとに切断する工程を示す。このように、第２変形例によれば、ガラス基板１０が予め複数の短冊状片１０ａに切断されているので、第３レーザー光４３を照射してガラス基板１０を切断する工程を省略することができる。なお、短冊状片１０ａの第２方向（Ｙ方向）における寸法は、同方向におけるデバイス形成領域３（又は可撓性電子デバイス１）を１つ形成するのに十分であればよく、その場合は、樹脂フィルム基板１１の上で第１方向（Ｘ方向）に配列された可撓性電子デバイス１を第２方向（Ｙ方向）に１列ごとに切断すればよい。また、隣接する２つの短冊状片１０ａを結合するために、それら２つの短冊状片１０ａの第２方向（Ｙ方向）の端部に平面視で結合用の凹凸などが形成されていてもよい。このような短冊状片１０ａの製造方法としては、ガラス基板１０の素材に対して、上記第３レーザー装置４４を平面的に所定の凹凸パターンに沿って走査させ、切断用の第３レーザー光４３を照射する方法などが考えられる。凹凸パターンとしては、複数の短冊状片１０ａが結合された状態でいずれかの短冊状片１０ａを水平方向に引っ張っても分離されないように、アンカー効果を発揮するような形状が好ましい。
　このように、本発明の一実施形態に係る可撓性電子デバイスの製造方法によれば、例えば紫外線などの波長の短い第２レーザー光４２を照射してガラス基板１０と樹脂フィルム基板１１の界面を変質させるよりも前に、例えば赤外線などの波長の長い第１レーザー光４１を樹脂フィルム基板１１に照射して、デバイス形成領域３に形成された可撓性電子デバイス１をそれぞれ樹脂フィルム基板１１のその他の領域から切り離しているので、第２レーザー光４２を照射するタイミングを遅くすることによって、複数の可撓性電子デバイス１をガラス基板１０の上に保持したまま、可撓性電子デバイス１にドライバーＩＣなど、他の電子部品を接続することも可能である。また、樹脂フィルム基板１１の全面に第２レーザー光４２が照射されるので、ガラス基板１０から樹脂フィルム基板１１を簡単に取り除くことができ、ガラス基板１０の再利用が容易である。さらに、デバイス形成領域３のそれぞれに対して、四隅に丸め１ａ又は面取り１ｂが形成された矩形状に沿って波長の長い第１レーザー光４１を照射しているので、完成された可撓性電子デバイス１の四隅は尖っておらず、可撓性電子デバイス１同士が接触したとしても可撓性電子デバイス１が損傷したり、角が折れ曲がったりする虞は少なくなる。
　さらに、ガラス基板１０を短冊状片１０ａに切断し、又は予め切断された複数の短冊状片１０ａを配列してガラス基板１０を形成し、第２レーザー光４２を照射するタイミングを遅くすることにより、可撓性電子デバイス１をガラス基板１０の上又は短冊状片１０ａ上に保持した状態で取り扱うことができ、可撓性電子デバイス１を次の工程に搬送する際、可撓性電子デバイス１同士が接触することがなくなり、可撓性電子デバイス１が損傷したり、角が折れ曲がったりする虞はさらに少なくなる。
　１　可撓性電子デバイス
　２　電子デバイス構造
　３　デバイス形成領域
　１０　ガラス基板
　１０ａ　短冊状片
　１１　樹脂フィルム基板
　１１ａ　樹脂材料
　４０　第１レーザー装置
　４１　第１レーザー光
　４２　第２レーザー光
　４３　第３レーザー光
　４４　第３レーザー装置
　５０　フレキシブルプリント基板
 
 

Claims (6)

  1. 　ガラス基板の表面に熱硬化性樹脂を塗布し、前記熱硬化性樹脂を焼成することによって前記ガラス基板の表面に樹脂フィルム基板を形成する工程と、
    　前記樹脂フィルム基板の上に、マトリックス状に配列され、設定されたデバイス形成領域にそれぞれ電子デバイス構造を形成する工程と、
    　前記デバイス形成領域のそれぞれに対して、四隅に丸め又は面取りが形成された矩形状に沿って波長の長い第１レーザー光を照射して、前記デバイス形成領域に形成された前記電子デバイス構造を含む可撓性電子デバイスをそれぞれ前記樹脂フィルム基板のその他の領域から切り離す工程と、
    　前記ガラス基板の前記樹脂フィルム基板が形成されていない側から前記樹脂フィルム基板の全面に対して波長の短い第２レーザー光を照射して、前記ガラス基板と前記樹脂フィルム基板の界面を変質させ、前記樹脂フィルム基板を前記ガラス基板から剥離しやすくする工程と、
    を備えていることを特徴とする可撓性電子デバイスの製造方法。
  2. 　前記マトリックス状に配列されたデバイス形成領域に形成される電子デバイス構造は、第１方向においては同じ向きに、第２方向においては１列おきに同じ向きに形成され、隣接する２列が逆向きになるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の可撓性電子デバイスの製造方法。
  3. 　前記第１レーザー光を照射する前に、又は前記第１レーザー光を照射した後、前記第２レーザー光を照射するまでの間に、前記マトリックス状に配列されたデバイス形成領域のうち第１方向に配列されたデバイス形成領域が第２方向に１列又は２列含まれるように、前記ガラス基板及び前記樹脂フィルム基板に対して前記第１方向に直線的に切断用の第３レーザー光を照射して、前記ガラス基板及び前記樹脂フィルム基板を切断することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の可撓性電子デバイスの製造方法。
  4. 　前記ガラス基板は、第２方向の寸法が同方向における前記デバイス形成領域を１つ又は２つ形成するのに十分であり、第１方向の寸法が前記第２方向の寸法よりも長い短冊状片を、前記第２方向に複数配列したものであり、前記第１レーザー光を照射する際、前記第２方向に隣接する２つの前記短冊状片の接触面に沿って前記第１方向に前記第１レーザー光を直線状に照射し、前記樹脂フィルム基板の上で前記第１方向に配列された前記可撓性電子デバイスを前記第２方向に１列ごとに又は隣接する２列ごとに切断することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の可撓性電子デバイスの製造方法。
  5. 　前記第２方向に１列ごとに又は隣接する２列ごとに切断され、前記樹脂フィルム基板の上で前記第１方向に配列された前記可撓性電子デバイスに対して他の電子部品を接続し、その後、前記第２レーザー光を照射することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の可撓性電子デバイスの製造方法。
  6. 　前記第１レーザー光を照射する際、前記可撓性電子デバイスが使用される電子機器に合わせて、他の電子部品と干渉する位置に、前記他の電子部品の形状に対応した穴又は切り欠きを形成することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の可撓性電子デバイスの製造方法。
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