WO2019030819A1 - Ｅｌデバイスの製造方法 - Google Patents

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WO2019030819A1
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resin layer
manufacturing
laser
mother substrate
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菅　勝行
有希 安田
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シャープ株式会社
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    • Y10T156/1967—Cutting delaminating means

Definitions

  • the present invention relates to an EL device including an EL element (electroluminescence element).
  • a method of manufacturing an EL device is a method of manufacturing an EL device including the step of irradiating a laser and peeling a mother substrate and a laminate including a light emitting element layer, wherein the mother substrate And the laminated body are in contact with each other via the resin layer of the laminated body, and when the resin layer is irradiated with the laser and the peeling is performed, at least a part of the end of the resin layer, The irradiation is performed under conditions different from the central portion of the resin layer.
  • the mother substrate and the resin layer formed over the mother substrate are peeled off, it is possible to suppress a decrease in yield and an increase in manufacturing cost.
  • (A) and (b) is a figure which shows the outline
  • (A)-(c) is a figure which shows the outline
  • (A) and (b) is a figure which shows the outline
  • (A) And (b) is a figure which shows the outline
  • FIG. 1 is a flowchart showing an example of a method of manufacturing an EL device.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view showing a configuration example during formation of the EL device of the present embodiment.
  • FIG. 2B is a cross-sectional view showing a configuration example of the EL device of the present embodiment.
  • the resin layer 12 is formed on a translucent mother substrate (for example, a glass substrate) 50 (step S1).
  • the inorganic barrier film 3 is formed (step S2).
  • the TFT layer 4 including the plurality of inorganic insulating films 16 18 20 and the flattening film 21 is formed (step S3).
  • a light emitting element layer for example, an OLED element layer
  • the sealing layer 6 including the inorganic sealing films 26 and 28 and the organic sealing film 27 is formed (step S5).
  • the protective material 9 for example, a PET film
  • step S6 is attached on the sealing layer 6 via the adhesive layer 8 (step S6).
  • the resin layer 12 is irradiated with a laser (step S7).
  • the resin layer 12 absorbs the irradiated laser
  • the lower surface (the interface with the mother substrate 50) of the resin layer 12 is altered by ablation, and the peeling layer 13 (see FIG. 3B described later) is formed.
  • the bonding strength between the resin layer 12 and the mother substrate 50 is reduced.
  • the mother substrate 50 is peeled off from the resin layer 12 (step S8).
  • the laminate 7 and the mother substrate 50 shown in FIG. 2A are peeled off.
  • the laminate 7 refers to the entire multilayer formed on the mother substrate 50, and in the example shown in FIG. 2A, from the resin layer 12 formed on the mother substrate 50, the outermost layer The layer up to the protective material 9 is shown.
  • the method of manufacturing an EL device according to one aspect of the present invention is characterized in particular in steps S7 and S8. Details will be described later.
  • the support material 10 for example, a PET film
  • the mother substrate 50 is divided and the protective material 9 is cut to cut out a plurality of EL devices (step S10).
  • the protective material 9 on the terminal portion of the TFT layer 4 is peeled off, and the terminal is put out (step S11).
  • the EL device 2 shown in FIG. 2B is obtained.
  • the functional film 39 is attached (step S12), and an electronic circuit board is mounted on the terminal portion using an ACF or the like (step S13).
  • the above steps are performed by an EL device manufacturing apparatus.
  • Examples of the material of the resin layer 12 include polyimide, epoxy, polyamide and the like. Among them, polyimide is preferably used.
  • the inorganic barrier film 3 is a film that prevents moisture and impurities from reaching the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5 when the EL device is used, and is, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film formed by CVD. Or a silicon oxynitride film, or a laminated film of these.
  • the thickness of the inorganic barrier film 3 is, for example, 50 nm to 1500 nm.
  • the TFT layer 4 includes a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16 (gate insulating film) formed on the upper side of the semiconductor film 15, a gate electrode G formed on the upper side of the gate insulating film 16, and an upper side of the gate electrode G.
  • the semiconductor film 15, the inorganic insulating film 16, the gate electrode G, the inorganic insulating films 18 and 20, the source electrode S and the drain electrode D constitute a thin layer transistor (TFT).
  • a terminal portion including a plurality of terminals TM and a terminal wiring TW used for connection with an electronic circuit board such as an IC chip or FPC is formed.
  • the terminal TM is connected to various wirings of the TFT layer 4 through the terminal wiring TW.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low temperature polysilicon (LPTS) or an oxide semiconductor.
  • the gate insulating film 16 can be formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the gate electrode G, the source electrode S, the drain electrode D, and the terminals are made of, for example, aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium (Ti), copper It is comprised by the single layer film or laminated film of the metal containing at least one of Cu).
  • FIG. 2 shows a TFT in which the semiconductor film 15 is a channel in a top gate structure, it may have a bottom gate structure (for example, when the channel of the TFT is an oxide semiconductor).
  • the inorganic insulating films 18 and 20 can be formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the planarizing film 21 is an organic insulating film, and can be made of, for example, a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 5 (for example, an organic light emitting diode layer) is formed in the non-active area NA, the anode electrode 22 formed on the upper side of the planarization film 21, the barrier 23c defining the sub-pixel of the active area DA
  • An anode electrode 22, an EL layer 24, and a cathode electrode 25 are included, including a bank 23b, an EL (electroluminescence) layer 24 formed on the upper side of the anode electrode 22, and a cathode electrode 25 formed on the upper side of the EL layer 24.
  • a light emitting element for example, an organic light emitting diode is configured.
  • the partition wall 23c and the bank 23b can be formed, for example, in the same step, using a coatable photosensitive organic material such as polyimide, epoxy, or acrylic.
  • the banks 23 b of the non-active area NA are formed on the inorganic insulating film 20.
  • the bank 23 b defines the edge of the organic sealing film 27.
  • the EL layer 24 is formed in a region (sub-pixel region) surrounded by the partition wall 23 c by a vapor deposition method or an inkjet method.
  • the light emitting element layer 5 is an organic light emitting diode (OLED) layer
  • the EL layer 24 is formed by sequentially laminating a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer from the lower layer side. It is constituted by doing.
  • the anode electrode (anode) 22 is formed of, for example, a laminate of ITO (Indium Tin Oxide) and an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the cathode electrode 25 can be made of a transparent metal such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zincum Oxide).
  • the drive current between the anode electrode 22 and the cathode electrode 25 causes holes and electrons to recombine in the EL layer 24 and the exciton generated thereby falls to the ground state, Light is emitted.
  • the light emitting element layer 5 is not limited to forming an OLED element, and may form an inorganic light emitting diode or a quantum dot light emitting diode.
  • the sealing layer 6 includes a first inorganic sealing film 26 covering the partition 23 c and the cathode electrode 25, an organic sealing film 27 covering the first inorganic sealing film 26, and a second inorganic sealing film covering the organic sealing film 27. And a stopper film 28.
  • Each of the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 may be formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by CVD. it can.
  • the organic sealing film 27 is a translucent organic insulating film thicker than the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28, and is made of a photosensitive organic material that can be coated, such as polyimide or acrylic. can do.
  • an ink containing such an organic material is inkjet-coated on the first inorganic sealing film 26 and then cured by UV irradiation.
  • the sealing layer 6 covers the light emitting element layer 5 and prevents the penetration of foreign matter such as water and oxygen into the light emitting element layer 5.
  • the protective material 9 is attached on the sealing layer 6 through the adhesive layer 8 and functions as a support when the mother substrate 50 is peeled off.
  • Examples of the material of the protective material 9 include PET (polyethylene terephthalate).
  • the support material 10 is for producing an EL device excellent in flexibility by peeling off the mother substrate 50 and then attaching it to the lower surface of the resin layer 12, and the material is, for example, polyethylene terephthalate (PET). Etc.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the functional film has, for example, an optical compensation function, a touch sensor function, a protection function, and the like.
  • the electronic circuit board is, for example, an IC chip or a flexible printed board mounted on a plurality of terminals TM.
  • Step 7 laser irradiation
  • step 8 peeling of the mother substrate
  • FIG. 3 shows the configuration example of the configuration during formation of the EL device of this embodiment, (a) shows the state before step 7, and (b) shows the state of step 7. State (c) shows the state of step 8.
  • an EL layer is formed on a mother substrate 50.
  • the EL layer and the like are not described in detail, and only the mother substrate 50, the resin layer 12, the second inorganic sealing film 28, and the protective material 9 in FIG. 2A are described.
  • the resin layer 12 is formed on the mother substrate 50, and the EL layer or the like (not shown) formed on the layer is formed.
  • the protective material 9 is formed on the outermost surface.
  • Step 7 is a step of irradiating the resin layer 12 with a laser as a step prior to peeling the resin layer 12 from the mother substrate 50 as described based on FIG. 1.
  • step 7 is performed by irradiating the laser 62 in the direction of the protective material 9 from the lower side of the mother substrate 50.
  • the resin layer 12 such as polyimide is often not completely peeled off from the mother substrate 50 made of a glass substrate or the like.
  • peeling of the laminate 7 from the mother substrate 50 using the knife 70 is performed as an additional process (step 8).
  • a process of inserting the knife 70 between the mother substrate 50 and the resin layer 12 from the lateral direction (direction close to parallel to the surface of the mother substrate 50) is shown.
  • FIG. 4 and FIG. 5 are diagrams showing a partial outline of the LLO processing, and both FIG. 4 and FIG. 5 show the state after step 7 in (a) and the state in step 8 (b).
  • the laser irradiation in step 7 generates ash 84 between the mother substrate 50 and the resin layer 12.
  • the amount of ash 84 generated increases as the laser irradiation conditions become stronger.
  • FIG. 4 (a) shows the case where the laser irradiation condition is 200 mJ / cm 2 and the overlap 50%
  • FIG. 5 (a) shows the case where the irradiation condition is 240 mJ / cm 2 and the overlap 50%. It shows.
  • the amount of generated ash 84 is larger in the example shown in FIG. 5 (a) than in the example shown in FIG. 4 (a).
  • the amount of ash 84 generated between the mother substrate 50 and the resin layer 12 is increased, peeling of the resin layer 12 from the mother substrate 50 is facilitated.
  • a large amount of generated ash contaminates the inside of the apparatus and the inside of the clean room at the time of peeling and transportation, which causes a decrease in yield.
  • the peeling process is performed by strong energy irradiation, the resin layer and the OLED layer over the resin layer may be indirectly damaged, and the display characteristics and the like may be deteriorated.
  • the separation between the mother substrate 50 and the resin layer 12 is not sufficient. That is, as shown by dotted-line enclosure a in FIG. 4A, a portion where the end of the resin layer 12 remains attached to the mother substrate 50 tends to remain. Therefore, the knife 70 slips easily on the resin layer 12 in step 8 and the peeling of the resin layer 12 from the mother substrate 50 tends to be defective.
  • the ash 84 is a black foreign matter, it may be easily separated and scattered from the resin layer and contaminate the inside of the apparatus or the clean room, it is necessary to suppress the generation as much as possible. Further, in order to suppress the influence on the display performance, it is preferable that the irradiation energy to the display area be as small as possible.
  • step 7 and step 6 are performed as follows.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration example during formation of the EL device of the present embodiment, and FIGS. 6 (a) and 6 (b) show the state of step 7 and FIG. It shows the state.
  • the irradiation conditions of the laser in step 7 are made different between the inclined area I and the flat area II of the laminate 7.
  • the sloped region I is a region from where the thickness of the resin layer 12 starts to decrease to when the resin layer 12 disappears, as described above based on FIG. It corresponds.
  • the flat region II is a region in which the thickness of the resin layer 12 is constant, and includes the central portion (dotted line c in FIG. 6A) of the laminate 7.
  • the flat region II mainly corresponds to a portion used as a display material
  • the inclined region I mainly corresponds to an end portion used for peeling of the laminate 7.
  • the entire region (the inclined region I and the flat region II) of the laminate 7 is irradiated with a laser at the substrate center optimum condition, and then the inclined region I of the laminate 7 is irradiated with a laser at ash generation conditions.
  • the inclined region I is more strongly laser irradiated than the flat region II.
  • the substrate center optimum condition is 200 mJ / cm 2
  • the overlap 50% see FIG. 4
  • the ash generation condition is 240 mJ / cm 2
  • the overlap 50% See).
  • the laser beam irradiation is performed twice by scanning the line beam 62 (1) twice with respect to the stacked body 7. Then, the irradiation condition and the irradiation range are made different between the first laser irradiation and the second laser irradiation.
  • FIG. 6A shows an outline of the first laser irradiation. While scanning the line beam 62 (1) in the longitudinal direction of the mother substrate 50 (open arrows), the entire surface of the laminate 7 is irradiated with a laser.
  • the laser irradiation condition (irradiation condition 1 (irradiation condition of the first laser irradiation)) at the time of scanning is set as the substrate central portion optimum condition, and the irradiation condition is constant during the scanning. Under this irradiation condition, although ash is generated between the laminate 7 and the mother substrate 50, it is not an amount that impairs the use of the laminate 7 as a display material.
  • FIGS. 6 (b) and 6 (c) indicate the image of the irradiation unit when the laser is irradiated while scanning the line beam 62 (1). ing. The same applies to other similar figures (FIGS. 6 (b) and 6 (c), FIGS. 7 (a) and 7 (b), FIGS. 8 (a) and 8 (b), 9). It is.
  • the laser conditions for irradiating the inclined region I may be such that the total irradiation energy is stronger than the flat region II. That is, if the laser is also applied to the inclined region I at the time of the first irradiation to irradiate the flattened region II, the total energy applied to the inclined region I is lower than the energy at the first irradiation. As a result, the laser irradiation is stronger in the inclined region I than in the planarized region II.
  • FIG. 6 (b) shows an outline of the second laser irradiation.
  • the second laser irradiation differs from the first laser irradiation in the laser irradiation conditions. Specifically, the second irradiation condition of the laser (the irradiation condition 2 (the irradiation condition of the second laser irradiation)) is made stronger than the irradiation condition 1.
  • the irradiation condition 2 can be set as the ash generation condition.
  • the ash generation condition is equivalent to the optimum condition at the central portion of the substrate, although the overlap is equal, but the energy is large, and as a result, the irradiation condition of the laser is strong.
  • the method of making the irradiation condition 2 stronger than the irradiation condition 1 is not limited to the above, and, for example, the irradiation condition of the laser can also be strengthened by increasing the overlap.
  • the second laser irradiation differs from the first laser irradiation in the irradiation range of the laser.
  • the entire surface of the laminate 7 is irradiated with the laser, while in the second laser irradiation, the laser is irradiated only to the inclined region I of the laminate 7.
  • the line beam 62 (1) scans in the longitudinal direction X of the mother substrate 50 (open arrow) as with the first laser irradiation (open arrow), but only when the laser passes through the inclined region I. Irradiated.
  • the scanning direction is not limited to the + direction of X, and may be the ⁇ direction of X that is the opposite direction of the white arrow.
  • the entire (inclination region I + flat region II) of the laminate 7 is irradiated with laser under a condition with little ash, and then there is a large amount of ash only in the end (inclination region I).
  • the laser irradiation is performed under the condition that the resin layer 12 easily peels off the mother substrate 50.
  • step 8 is performed using a knife 70.
  • a large amount of ash 84 is generated between the resin layer 12 and the mother substrate 50, and the resin layer 12 and the mother substrate 50 are easily peeled off. Therefore, the knife 70 is inserted into the four corners (included in the inclined region I) of the laminate 7 and, for example, as shown by the outlined arrows in FIG. Can be easily peeled off from the mother substrate 50.
  • the laminated body 7 can be peeled off with the mother substrate 50 in a state where the protective material 9 which is easily peeled off is adhered to the sealing layer 6 because it is slightly adhesive.
  • the peeled laminate 7 can be favorably used as a display material.
  • FIGS. 7 (a) and 7 (b) are diagrams showing an outline of step 7 of the present embodiment, where (a) is an outline of the first laser irradiation of step 7, and (b) is an illustration of step 7. The outline of the second laser irradiation is shown.
  • the difference between the first embodiment and the second embodiment is that the laser 62 used for the second laser irradiation is different.
  • both the first laser irradiation and the second laser irradiation use the line beam 62 (1).
  • the second laser irradiation uses the Gaussian beam 62 (2) using the galvano optical system.
  • the first laser irradiation scans the line beam 62 (1) in the longitudinal direction X of the mother substrate 50 (open arrow) to the entire laminate 7. Irradiate the laser.
  • the irradiation condition of the laser is set to the aforementioned irradiation condition 1.
  • a Gaussian beam is irradiated to each inclined region I located at both ends of the laminate 7 in the longitudinal direction X.
  • the Gaussian beam is scanned (arc arrow) with a galvano optical system (galvano scanner).
  • the irradiation condition is a condition stronger than the irradiation condition 1, for example, the irradiation condition 2.
  • the irradiation conditions of the second laser irradiation do not require as high precision as the irradiation conditions of the first laser irradiation. This is because the laser is irradiated by the first laser irradiation once, and the conditions of the laser are further irradiated to further promote the peeling of the mother substrate 50 and the laminate 7.
  • the manufacturing apparatus can be configured at low cost by using the second laser irradiation instead of the line beam 62 (1), for example, scanning with a Gaussian beam by a galvano scanner, and the processing capacity can be improved. be able to.
  • FIGS. 8 (a) and 8 (b) show an outline of step 8 of the present embodiment, where (a) shows the insertion of the knife 70 and (b) shows an outline of peeling of the laminate 7. ing.
  • the difference between the first embodiment and the third embodiment is the number of sides on which the peeling process is performed using the knife 70 in step S8.
  • the peeling process with the knife 70 is performed on all four sides of the mother substrate 50.
  • peeling of the laminate 7 from the mother substrate 50 using the knife 70 is performed only on one side (one short side of the laminate 7) in the longitudinal direction X of the mother substrate 50 (see FIG. 8 (a).
  • the knife 70 is inserted at the end of one short side of the laminate 7 subjected to the laser irradiation under the irradiation condition 2 described above, and the knife 70 is slid in the Y direction. Let it go (white arrow).
  • the laminate 7 is peeled off from the mother substrate 50 starting from the part peeled off in FIG. 8A (open arrow).
  • the knife 70 can be inserted between the laminate 7 and the mother substrate 50, it is possible to peel off the entire laminate 7 from the mother substrate 50 triggered by the insertion of the knife 70.
  • the amount of work using the knife 70 can be reduced to about 1 ⁇ 4, and the processing capacity can be improved.
  • the laser irradiation to the laminate 7 under the irradiation condition 2 can be performed on only one side where peeling with the knife 70 is performed.
  • FIG. 9 is a diagram showing an outline of step 7 of the present embodiment.
  • the difference between the first embodiment and the fourth embodiment is the portion irradiated with the laser under the irradiation condition 2 in step 7.
  • the laser irradiation under the irradiation condition 2 is performed on the both-end inclined region I of the laminate 7 in the longitudinal direction X of the mother substrate 50.
  • the laser irradiation under the irradiation condition 2 is performed on the four end sides of the laminate 7. That is, in addition to the longitudinal direction X of the mother substrate 50, the laser irradiation under the irradiation condition 2 is performed also to the both-end inclined region I in the short direction Y.
  • the laminate 7 can be peeled off from the mother substrate 50 without using the knife 70.
  • the number of sides to be irradiated with the laser can be changed under the irradiation condition 2 by adjusting the irradiation condition of the laser, such as making the irradiation condition 2 stronger.
  • the irradiation conditions of the laser are defined using energy (mJ / cm 2 ) and overlap (%).
  • the irradiation conditions (intensity) of the laser can be determined other than these.
  • the irradiation conditions of the laser can be determined by the beam profile such as the beam shape (line, spot, etc.), the wavelength, the number of times of irradiation, and the like.
  • the irradiation conditions of the laser can be determined while optimizing the laser depth to the resin layer 12 made of polyimide or the like, the transmittance of the laser to the mother substrate 50 made of glass or the like, and the like.
  • an excimer laser of 308 nm, a solid laser of 343 nm or 355 nm, a spot laser of 355 nm, a line laser of 343 nm or the like in relation to the laser shape can be used as appropriate.
  • the range of the laser irradiation under the irradiation condition 2 does not necessarily coincide with the inclined region I.
  • the film thickness and the shape may be changed rapidly. This portion is because a large amount of energy is often required to peel the resin layer 12 from the mother substrate 50.
  • the range which irradiates a laser on the said irradiation conditions 2 can also be limited to the part which inserts the knife 70 initially. That is, the range may be a point instead of a side. In such a case, a carbano optical system laser can be suitably used.
  • the range which irradiates a laser on the said irradiation conditions 2 can also be determined using a sensor.
  • a change in thickness of the resin layer 12 or the end face of the laminate 7 may be detected by a sensor, and the range of the laser irradiation may be appropriately determined.
  • a method of manufacturing an EL device according to aspect 1 of the present invention is a method of manufacturing an EL device including the step of irradiating a laser and peeling the mother substrate and the laminate including the light emitting element layer, wherein the mother substrate And the laminated body are in contact with each other via the resin layer of the laminated body, and when the resin layer is irradiated with the laser and the peeling is performed, at least a part of the end of the resin layer, The irradiation is performed under conditions different from the central portion of the resin layer.
  • the irradiation is performed on at least a part of the end under the condition stronger than the central part.
  • the method of manufacturing an EL device according to aspect 3 of the present invention performs the irradiation on the at least part of the end more times than the central part.
  • the irradiation is performed using a line beam.
  • the irradiation is performed a plurality of times using a line beam, and at least one of the plurality of times the irradiation is performed on the entire surface of the resin layer; The irradiation is performed only on the end at least once in a cycle.
  • the irradiation is performed using a line beam and a Gaussian beam, the entire surface of the resin layer is irradiated using the line beam, and the Gaussian beam is used. The irradiation is performed only on the end.
  • the end portion includes at least one side of an end side of the resin layer.
  • the end portion is a portion where the film thickness of the resin layer decreases.
  • the peeling is performed by inserting a knife at the end after the irradiation.
  • the knife is slid along the inserted end.
  • the peeling is performed by inserting a knife into the end after the irradiation corresponding to one edge of the resin layer, and after the insertion, the peeling is performed. Slide the knife along the inserted end.
  • the method of manufacturing an EL device according to aspect 12 of the present invention performs the peeling from the end where the knife is inserted as a starting point.
  • the energy of the laser is higher than the condition of performing the irradiation on the central portion under the condition of performing the irradiation on at least a part of the end portion. large.
  • the condition for performing the irradiation on at least a part of the end portion is the overlap of the laser compared to the condition for performing the irradiation on the central portion Is large.
  • the amount of ash between the mother substrate and the laminate after the irradiation is larger at the end portion than at the central portion.
  • the resin layer and the mother substrate are peeled off at the end after the irradiation.

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Abstract

マザー基板（５０）と、発光素子層（５）を含む積層体（７）とを、レーザー（６２）を照射して剥離する工程を含むＥＬデバイス（２）の製造方法であって、マザー基板（５０）と積層体（７）とは、積層体（７）の樹脂層（１２）を介して接しており、樹脂層（１２）にレーザー（６０）を照射して剥離をする際、樹脂層（１２）の端部の少なくとも一部に対して、樹脂層（１２）の中央部とは異なる条件で、照射を行う。

Description

ＥＬデバイスの製造方法
　本発明は、ＥＬ素子（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｅｌｅｍｅｎｔ）を含むＥＬデバイスに関する。
　ＥＬ素子を含むフレキシブルなＥＬデバイスを製造する場合、マザー基板と該マザー基板上に形成された樹脂層とを剥離する必要がある。
特開２０１３－７３００１号公報（公開日：２０１３年４月２２日） 特開２０１０－３３７６１号公報（公開日：２０１０年２月１２日） ＷＯ２０１２/１６４６１２号公報（国際公開日：２０１２年１２月６日）
　マザー基板と該マザー基板上に形成された樹脂層とを剥離する際の、歩留まりの低下や製造コストの上昇を抑制すること。
　本発明の一態様に係るＥＬデバイスの製造方法は、マザー基板と、発光素子層を含む積層体とを、レーザーを照射して剥離する工程を含むＥＬデバイスの製造方法であって、前記マザー基板と前記積層体とは、前記積層体の樹脂層を介して接しており、前記樹脂層に前記レーザーを照射して前記剥離をする際、前記樹脂層の端部の少なくとも一部に対して、前記樹脂層の中央部とは異なる条件で、前記照射を行う。
　本発明の一態様によれば、マザー基板と該マザー基板上に形成された樹脂層とを剥離する際、歩留まりの低下や製造コストの上昇を抑制することができる。
ＥＬデバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。 （ａ）は、本実施形態のＥＬデバイスの形成途中の構成例を示す断面図であり、（ｂ）は、本実施形態のＥＬデバイスの構成例を示す断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、本実施形態のＥＬデバイスの形成途中の構成例を示す断面図であり、（ａ）はステップ７の前の状態を、（ｂ）はステップ７の状態を、（ｃ）はステップ８の状態を示している。 （ａ）及び（ｂ）は、ＬＬＯ処理の概要を示す図であり、（ａ）はステップ７後の状態を、（ｂ）はステップ８の状態を示している。 （ａ）及び（ｂ）は、ＬＬＯ処理の概要を示す図であり、（ａ）はステップ７後の状態を、（ｂ）はステップ８の状態を示している。 （ａ）～（ｃ）は、本実施形態のステップ７及びステップ８の概要を示す図であり、（ａ）はステップ７の１回目のレーザー照射の概要を、（ｂ）はステップ７の２回目のレーザー照射の概要を、（ｃ）はステップ８の概要を示している。 （ａ）及び（ｂ）は、他の実施形態のステップ７の概要を示す図であり、（ａ）はステップ７の１回目のレーザー照射の概要を、（ｂ）はステップ７の２回目のレーザー照射の概要を示している。 （ａ）及び（ｂ）は、他の実施形態のステップ８の概要を示す図であり、（ａ）はナイフの挿入を、（ｂ）は積層体の剥離の概要を示している。 他の実施形態のステップ７の概要を示す図である。
　図１はＥＬデバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２（ａ）は、本実施形態のＥＬデバイスの形成途中の構成例を示す断面図である。図２（ｂ）は、本実施形態のＥＬデバイスの構成例を示す断面図である。
　フレキシブルなＥＬデバイスを製造する場合、図１～図２に示すように、まず、透光性のマザー基板（例えば、ガラス基板）５０上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、無機バリア膜３を形成する（ステップＳ２）。次いで、複数の無機絶縁膜１６・１８・２０および平坦化膜２１を含むＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５を形成する（ステップＳ４）。次いで、無機封止膜２６・２８および有機封止膜２７を含む封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に接着層８を介して保護材９（例えば、ＰＥＴフィルム）を貼り付ける（ステップＳ６）。
　次いで、樹脂層１２にレーザーを照射する（ステップＳ７）。ここでは、照射されたレーザーを樹脂層１２が吸収することで、樹脂層１２の下面（マザー基板５０との界面）がアブレーションによって変質し剥離層１３（後述の図３（ｂ）参照）が形成され、樹脂層１２およびマザー基板５０間の結合力が低下する。次いで、マザー基板５０を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ８）。これにより、図２（ａ）に示す積層体７とマザー基板５０とが剥離する。ここで積層体７とは、マザー基板５０上に形成されている多層体の全体を指し、図２（ａ）に示す例では、マザー基板５０上に形成されている樹脂層１２から、最外層である保護材９までの層を示す。
　本発明の一態様に係るＥＬデバイスの製造方法は、特にこのステップＳ７及びＳ８に特徴がある。詳細については後述する。
　次いで、図２（ｂ）に示すように、樹脂層１２の下面に、接着層１１を介して支持材１０（例えば、ＰＥＴフィルム）を貼り付ける（ステップＳ９）。次いで、マザー基板５０を分断するとともに保護材９をカットし、複数のＥＬデバイスを切り出す（ステップＳ１０）。次いで、ＴＦＴ層４の端子部上の保護材９を剥離し、端子出しを行う（ステップＳ１１）。これにより、図２（ｂ）に示すＥＬデバイス２を得る。次いで機能フィルム３９を貼り付け（ステップＳ１２）、ＡＣＦ等を用いて端子部に電子回路基板を実装する（ステップＳ１３）。なお、前記各ステップはＥＬデバイスの製造装置が行う。
　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。中でもポリイミドが好適に用いられる。
　無機バリア膜３は、ＥＬデバイスの使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や発光素子層５に到達することを防ぐ膜であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。無機バリア膜３の厚さは、例えば、５０ｎｍ～１５００ｎｍである。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５の上側に形成される無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、ゲート絶縁膜１６の上側に形成されるゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇの上側に形成される無機絶縁膜１８・２０と、無機絶縁膜２０の上側に形成される、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄおよび端子ＴＭと、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄの上側に形成される平坦化膜２１とを含む。半導体膜１５、無機絶縁膜１６、ゲート電極Ｇ、無機絶縁膜１８・２０、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、薄層トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する。ＴＦＴ層４の端部（非アクティブ領域ＮＡ）には、ＩＣチップ、ＦＰＣ等の電子回路基板との接続に用いられる複数の端子ＴＭおよび端子配線ＴＷを含む端子部が形成される。端子ＴＭは端子配線ＴＷを介してＴＦＴ層４の各種配線に接続される。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＰＴＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。ゲート絶縁膜１６は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、および端子は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
　無機絶縁膜１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜２１は、有機絶縁膜であり、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、平坦化膜２１の上側に形成されるアノード電極２２と、アクティブ領域ＤＡのサブピクセルを規定する隔壁２３ｃと、非アクティブ領域ＮＡに形成されるバンク２３ｂと、アノード電極２２の上側に形成されるＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４の上側に形成されるカソード電極２５とを含み、アノード電極２２、ＥＬ層２４、およびカソード電極２５によって発光素子（例えば、有機発光ダイオード）が構成される。
　隔壁２３ｃおよびバンク２３ｂは、ポリイミド、エポキシ、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料を用いて、例えば同一工程で形成することができる。非アクティブ領域ＮＡのバンク２３ｂは無機絶縁膜２０上に形成される。バンク２３ｂは有機封止膜２７のエッジを規定する。
　ＥＬ層２４は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、隔壁２３ｃによって囲まれた領域（サブピクセル領域）に形成される。発光素子層５が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層である場合、ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。
　アノード電極（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード電極２５は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃｕｍ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明金属で構成することができる。
　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、アノード電極２２およびカソード電極２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。
　発光素子層５は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。
　封止層６は、隔壁２３ｃおよびカソード電極２５を覆う第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６を覆う有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う第２無機封止膜２８とを含む。
　第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８はそれぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８よりも厚い、透光性の有機絶縁膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを第１無機封止膜２６上にインクジェット塗布した後、ＵＶ照射により硬化させる。封止層６は、発光素子層５を覆い、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　保護材９は、接着層８を介して封止層６上に貼り付けられ、マザー基板５０を剥離した時の支持材として機能する。保護材９の材料としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等が挙げられる。
　支持材１０は、マザー基板５０を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けることで、柔軟性に優れたＥＬデバイスを製造するためのものであり、その材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等が挙げられる。
　機能フィルムは、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。電子回路基板は、例えば、複数の端子ＴＭ上に実装されるＩＣチップあるいはフレキシブルプリント基板である。
　（実施形態１）
　以下本発明の特徴である前記ステップ７（レーザーの照射）とステップ８（マザー基板の剥離）につて説明する。このステップ７～８は、いわゆるＬＬＯ（Ｌａｓｅｒ　Ｌｉｆｔ　Ｏｆｆ）に係るステップである。
　（ＬＬＯの概略）
　図３の（ａ）～（ｃ）は、本実施形態のＥＬデバイスの形成途中の構成例を示す断面図であり、（ａ）はステップ７の前の状態を、（ｂ）はステップ７の状態を、（ｃ）はステップ８の状態を示している。図３に示す構成例は、マザー基板５０上にＥＬ層が形成されているものである。ただし図３では、ＥＬ層等については詳細に記載せず、図２（ａ）における、マザー基板５０、樹脂層１２、第２無機封止膜２８及び保護材９をのみを記載している。
　図３（ａ）に示すように、ステップ７の前の構成例では、マザー基板５０上に樹脂層１２が形成され、その層上に形成されたＥＬ層等（図示せず）を介して、その最表面に保護材９が形成されている。
　ステップ７は、図１に基づいて説明した通り、樹脂層１２をマザー基板５０から剥離する前段階として、樹脂層１２にレーザーを照射するステップである。本実施形態では、図３（ｂ）に示すように、マザー基板５０の下方から保護材９の方向にレーザー６２を照射することでステップ７を実行する。ただし、このステップ７では、ポリイミド等の樹脂層１２はガラス基板等からなるマザー基板５０から完全には剥離しない場合が多い。
　そこで、図３（ｃ）に示すように、レーザーの照射後、追加処理として、ナイフ７０を用いた積層体７のマザー基板５０からの剥離を行う（ステップ８）。図３（ｃ）に示す例では、マザー基板５０と樹脂層１２との間に、横方向（マザー基板５０の表面に対して平行に近い方向）からナイフ７０を挿入する処理を示している。
　この処理では、ナイフ７０が樹脂層１２の上面を滑り易い等の理由により、樹脂層１２とマザー基板５０との界面に正確にナイフ７０を挿入することが困難であり、歩留まりよく樹脂層１２をマザー基板５０から剥離することが困難な場合がある。
　（照射条件と剥離性）
　図４及び図５に基づいて、より詳しく説明する。図４及び図５は、ＬＬＯ処理の一部概要を示す図であり、図４及び図５共に、（ａ）はステップ７後の状態を、（ｂ）はステップ８の状態を示している。
　図４（ａ）及び図５（ａ）に示すように、ステップ７でのレーザーの照射により、マザー基板５０と樹脂層１２との間に、アッシュ８４が発生する。このアッシュ８４の発生量は、レーザーの照射条件が強くなるにつれて増加する。
　図４（ａ）は、レーザーの照射条件が２００ｍＪ／ｃｍ２、オーバーラップ５０％の場合を示しており、図５（ａ）は、照射条件が２４０ｍＪ／ｃｍ２、オーバーラップ５０％の場合を示している。発生したアッシュ８４の量は、図５（ａ）に示す例の方が、図４（ａ）に示す例よりも多くなっている。
　ここで、マザー基板５０と樹脂層１２との間に発生するアッシュ８４の量が多くなると樹脂層１２のマザー基板５０からの剥離が容易になる。ただし、多量に発生したアッシュは、剥離時や搬送時に装置内部やクリーンルーム内を汚染し、歩留まり低下の原因となる。また、強いエネルギーの照射によって剥離工程が行われた場合に、樹脂層やその上層にあるOLED層へ間接的なダメージを与え、表示特性等が低下する可能性がある。
　詳しくは、図４（ｂ）に示すように、アッシュ８４の量が少ない場合には、マザー基板５０と樹脂層１２との分離が十分ではない。すなわち、図４（ａ）の点線囲みａに示すように、樹脂層１２の端部がマザー基板５０に付着したままの部分が残り易い。そのため、ステップ８においてナイフ７０が樹脂層１２の上を滑り易くなり、樹脂層１２のマザー基板５０からの剥離が不良となり易い。
　一方、図５（ｂ）に示すように、アッシュ８４の量が多い場合には、マザー基板５０と樹脂層１２とが十分に分離する。すなわち、図４（ａ）の点線囲みａに示したような、樹脂層１２の端部がマザー基板５０に付着したままの部分が残りにくく、むしろ、図５（ａ）の点線囲みｂに示すように、樹脂層１２の端部まで、樹脂層１２とマザー基板５０との間にアッシュ８４が生成され易い。そのため、ナイフ７０が樹脂層１２の下に挿入され易くなり、樹脂層１２のマザー基板５０からの剥離が不良となり難い。一方、前記アッシュ８４は、黒色異物であり、容易に樹脂層から分離、飛散し、装置やクリーンルーム内を汚染する可能性があるため、できるだけ発生を抑える必要がある。また、表示性能へ与える影響を抑えるためにも、表示領域への照射エネルギーはできるだけ小さいほうが好ましい。
　（多段照射）
　そこで、本実施形態では、発明者らが見出した上述の知見に基づき、剥離性と、表示材料として特性と両立させるために、以下のようにしてステップ７及びステップ６を行う。
　図６は、本実施形態のＥＬデバイスの形成途中の構成例を示す断面図であり、図６（ａ）及び図６（ｂ）はステップ７の状態を、図６（ｃ）はステップ８の状態を示している。
　本実施形態では、積層体７の傾斜領域Ｉと平坦領域ＩＩとでステップ７におけるレーザーの照射条件を異ならせている。なお、傾斜領域Ｉとは、先に図３に基づいて説明した通り、樹脂層１２の厚さが薄くなり始めた箇所から樹脂層１２が無くなるまでの領域であり、積層体７の端部に対応する。一方、平坦領域ＩＩとは、樹脂層１２の厚さが一定な領域であり、積層体７の中央部（図６（ａ）の点線囲みｃ）を含む。前記平坦領域ＩＩは、主に表示材料として用いられる部分に対応し、前記傾斜領域Ｉは、主に積層体７の剥離のために用いられる端部に対応する。
　本実施形態では、積層体７の全域（傾斜領域Ｉと平坦領域ＩＩ）を基板中央部最適条件でレーザー照射した上で、積層体７の傾斜領域Ｉをアッシュ発生条件でレーザー照射する。これにより、傾斜領域Ｉは、平坦領域ＩＩよりも強くレーザー照射される。
　レーザーの照射条件としては、例えば、基板中央部最適条件を、２００ｍＪ／ｃｍ２、オーバーラップ５０％に（図４参照）、アッシュ発生条件を、２４０ｍＪ／ｃｍ２、オーバーラップ５０％に（図５参照）することができる。
　具体的には、ラインビーム６２（１）を積層体７に対して２回走査することで、２回のレーザー照射を行う。そして、１回目のレーザー照射と２回目のレーザー照射とで、照射条件と照射範囲を異ならせている。
　図６（ａ）は、１回目のレーザー照射の概要を示している。ラインビーム６２（１）を、マザー基板５０の長手方向に走査しながら（白抜き矢印）、積層体７の全面にレーザーを照射する。走査の際のレーザーの照射条件（照射条件１（１回目のレーザー照射の照射条件））は基板中央部最適条件とし、走査の間、照射条件は一定とする。この照射条件では、積層体７とマザー基板５０との間にアッシュが生成されるものの、積層体７の表示材料としての用途を損なう量ではない。なお、図６（ａ）の積層体７に記載している細かい縦線（Ｙ方向の線）は、ラインビーム６２（１）を走査しながらレーザーを照射した際の、照射単位のイメージを示している。他の同様の図（図６（ｂ）及び図６（ｃ）、図７（ａ）及び図７（ｂ）、図８（ａ）及び図８（ｂ）、図９）に於いても同様である。
　また、傾斜領域Ｉに照射されるレーザー条件は、トータルの照射エネルギーが平坦領域ＩＩよりも強くなっていればよい。つまり、平坦化領域ＩＩに照射する最初の照射時に、傾斜領域Ｉにもレーザーが照射されていれば、次に傾斜領域Ｉに照射するエネルギーが最初の照射時のエネルギーよりも低くても、トータルとしては、平坦化領域ＩＩよりも傾斜領域Ｉの方が強くレーザー照射されていることになる。
　次に、同様にラインビーム６２（１）を用いて２回目のレーザー照射を行う。図６（ｂ）は、２回目のレーザー照射の概要を示している。２回目のレーザー照射は、１回目のレーザー照射と、レーザーの照射条件が異なる。具体的には、２回目のレーザーの照射条件（照射条件２（２回目のレーザー照射の照射条件））を照射条件１よりも強くする。例えば、照射条件２を前記アッシュ発生条件とすることができる。前記アッシュ発生条件は、前記基板中央部最適条件に比べ、オーバーラップは同等であるものの、エネルギーが大きくなっており、その結果、レーザーの照射条件が強くなっている。なお、照射条件２を照射条件１よりも強くする方法は前記に限られず、例えば、オーバーラップを大きくすることによりレーザーの照射条件を強くすることもできる。
　また、２回目のレーザー照射は、１回目のレーザー照射と、レーザーの照射範囲が相違している。１回目のレーザー照射では、積層体７の全面にレーザーを照射するのに対して、２回目のレーザー照射では、積層体７の傾斜領域Ｉのみにレーザーを照射する。具体的には、ラインビーム６２（１）は、１回目のレーザー照射と同様に、マザー基板５０の長手方向Ｘに走査するが（白抜き矢印）、レーザーは、傾斜領域Ｉを通過するときのみに照射される。なお、走査の方向はＸの＋方向には限定されず、白抜き矢印の反対方向であるＸの－方向としてもよい。
　以上のように、本実施形態では、積層体７の全体（傾斜領域Ｉ＋平坦領域ＩＩ）をアッシュの少ない条件でレーザー照射し、その後、端部（傾斜領域Ｉ）にのみに、アッシュは多いものの、樹脂層１２がマザー基板５０と剥離し易い条件でレーザー照射する。
　次に図６（ｃ）に示すように、ナイフ７０を用いてステップ８を行う。前記ステップ７により、傾斜領域Ｉでは、樹脂層１２とマザー基板５０との間に多量のアッシュ８４が発生しており、樹脂層１２とマザー基板５０とは剥離し易くなっている。そこで、ナイフ７０を、積層体７の四隅（傾斜領域Ｉに含まれる）に挿入し、例えば図６（ｃ）の白抜き矢印に示すように、互いに異なる辺にスライドさせることにより、樹脂層１２をマザー基板５０から容易に剥離することができる。また、微粘着性であるため剥離しやすい保護材９が封止層６に粘着したままの状態で、積層体７をマザー基板５０剥離することができる。
　さらに、平坦領域ＩＩには多くのアッシュは発生していないため、剥離された積層体７を表示材料として良好に用いることができる。
　（実施形態２）
　以下本発明の他の実施形態について、図７（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。図７（ａ）及び図７（ｂ）は、本実施形態のステップ７の概要を示す図であり、（ａ）はステップ７の１回目のレーザー照射の概要を、（ｂ）はステップ７の２回目のレーザー照射の概要を示している。
　実施形態１と実施形態２との相違点は、２回目のレーザー照射に用いるレーザー６２が異なる点である。実施形態１では、１回目のレーザー照射と２回目のレーザー照射は共に、ラインビーム６２（１）を用いる。これに対して実施形態２では、１回目のレーザー照射はラインビーム６２（１）を用いるものの、２回目のレーザー照射にはガルバノ光学系を用いたガウシアンビーム６２（２）用いる。
　図７（ａ）に示すように、１回目のレーザー照射は、ラインビーム６２（１）をマザー基板５０の長手方向Ｘに走査（白抜き矢印）することで、積層体７の全体に対してレーザーを照射する。レーザーの照射条件は、前記照射条件１とする。
　次に、図７（ｂ）に示すように、積層体７の前記長手方向Ｘの両端に位置する各傾斜領域Ｉに対して、ガウシアンビームを照射する。その際、ガウシアンビームをガルバノ光学系（ガルバノスキャナ）で走査（弧矢印）する。
　照射条件は、前記照射条件１よりも強い条件、例えば、前記照射条件２とする。
　２回目のレーザー照射の照射条件は、１回目のレーザー照射の照射条件ほどの精度が要求されない。一度、１回目のレーザー照射でレーザーが照射されており、その上で、マザー基板５０と積層体７と剥離をより促進するために照射されるレーザーの条件だからである。
　そこで、２回目のレーザー照射をラインビーム６２（１）ではなく、例えば、ガウシアンビームのガルバノスキャナでの走査とすることで、製造装置を安価に構成することができ、また、処理能力を向上させることができる。
　ガルバノスキャナを用いた場合、ラインビーム６２（１）のように、積層体７の全体に対する走査が必要ではなくなり、所望の範囲に限定した走査によるレーザーの照射が可能だからである。
　（実施形態３）
　以下本発明の他の実施形態について、図８（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。　図８（ａ）及び図８（ｂ）は、本実施形態のステップ８の概要を示す図であり、（ａ）はナイフ７０の挿入を、（ｂ）は積層体７の剥離の概要を示している。
　実施形態１と実施形態３との相違点は、ステップ８においてナイフ７０を用いて剥離処理を行う辺の数である。実施形態１では、マザー基板５０の全４辺に対してナイフ７０での剥離処理を行う。これに対して実施形態３では、マザー基板５０の長手方向Ｘにおける１辺（積層体７の一短辺）のみにおいて、ナイフ７０を用いた積層体７のマザー基板５０からの剥離を行う（図８（ａ））。この剥離は、図８（ａ）に示すように、前記の照射条件２によるレーザー照射が行われた積層体７の一短辺の端部にナイフ７０を挿入し、Ｙ方向にナイフ７０をスライドさせる（白抜き矢印）。
　その後、図８（ｂ）に示すように、図８（ａ）で剥離した部分を起点として積層体７をマザー基板５０から剥離する（白抜き矢印）。一度、積層体７とマザー基板５０との間にナイフ７０を挿入することができれば、その部分をきっかけとして、積層体７全体をマザー基板５０から剥離することが可能だからである。
　本実施形態では、ナイフ７０を用いての作業量を約１/４に低減でき、処理能力を向上させることができる。
　なお、本実施形態では、前記照射条件２での積層体７へのレーザー照射は、ナイフ７０での剥離を行う一辺のみとすることができる。
　（実施形態４）
　以下本発明の他の実施形態について、図９を参照しながら説明する。図９は、本実施形態のステップ７の概要を示す図である。
　実施形態１と実施形態４との相違点は、ステップ７において照射条件２でレーザー照射する部位である。実施形態１では、マザー基板５０の長手方向Ｘにおける積層体７の両端傾斜領域Ｉに照射条件２でのレーザー照射を行う。これに対して実施形態４では、積層体７の４端辺に照射条件２でのレーザー照射を行う。すなわち、マザー基板５０の長手方向Ｘに加えて、短手方向Ｙにおける両端傾斜領域Ｉに対しても照射条件２でのレーザー照射を行う。
　これにより、ナイフ７０を用いることなく、積層体７をマザー基板５０から剥離することができる。
　なお、照射条件２をより強くする等、レーザーの照射条件を調整することで、照射条件２でレーザー照射する辺の数を変更することもできる。例えば、実施形態３のように、１辺のみに対して照射条件２でレーザー照射することで、ナイフ７０を用いることなく積層体７をマザー基板５０から剥離することも可能である。
　（レーザー強度）
　なお、前記各実施形態では、レーザーの照射条件を、エネルギー（ｍＪ／ｃｍ２）及びオーバーラップ（％）を用いて規定した。ただし、レーザーの照射条件（強度）は、これら以外でも定めることができる。例えば、ビーム形状（ライン、スポット等）などのビームプロファイルや波長、照射回数等により、レーザーの照射条件を定めることができる。
　例えばレーザーの波長に関しては、ポリイミド等からなる樹脂層１２へのレーザー深度や、ガラス等からなるマザー基板５０に対するレーザーの透過率等を最適化しながら、レーザーの照射条件を定めることができる。具体的には、例えば、３０８ｎｍのエキシマレーザーや３４３ｎｍ又は３５５ｎｍの個体レーザー、レーザー形状との関係では３５５ｎｍのスポットレーザーや３４３ｎｍのラインレーザーなどを適宜用いることができる。
　また、一回の走査中に条件を変更することで、積層体７の面内で、レーザーの照射強度に強弱をつけることもできる。
　（照射範囲）
　また、前記照射条件２でレーザーを照射する範囲は、前記傾斜領域Ｉと必ずしも一致する必要はない。例えば、樹脂層１２の端部近傍で、その膜厚や形状が急激に変動している部分とすることもできる。この部分は、樹脂層１２をマザー基板５０から剥離するのに、多くのエネルギーを要する場合が多いためである。
　また、前記照射条件２でレーザーを照射する範囲を、ナイフ７０を最初に挿入する部分に限定することもできる。すなわち、かかる範囲を辺ではなく、点にすることもできる。このような場合には、カルバノ光学系のレーザーを好適に用いることができる。
　また、前記照射条件２でレーザーを照射する範囲を、センサーを用いて決定することもできる。例えば、樹脂層１２や積層体７の端面や、厚みの変化をセンサーで検知し、レーザーを照射する範囲を適宜決定することもできる。
　（まとめ）
　本発明の態様１に係るＥＬデバイスの製造方法は、マザー基板と、発光素子層を含む積層体とを、レーザーを照射して剥離する工程を含むＥＬデバイスの製造方法であって、前記マザー基板と前記積層体とは、前記積層体の樹脂層を介して接しており、前記樹脂層に前記レーザーを照射して前記剥離をする際、前記樹脂層の端部の少なくとも一部に対して、前記樹脂層の中央部とは異なる条件で、前記照射を行う。
　本発明の態様２に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記端部の少なくとも一部に対して、前記中央部より強い条件で、前記照射を行う。
　本発明の態様３に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記端部の少なくとも一部に対して、前記中央部よりも多い回数、前記照射を行う。
　本発明の態様４に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記照射はラインビームを用いて行う。
　本発明の態様５に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記照射はラインビームを用いて複数回行い、前記複数回の内の少なくとも１回は、前記樹脂層の全面に前記照射を行い、前記複数回の内の少なくとも１回は、前記端部のみに前記照射を行う。
　本発明の態様６に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記照射はラインビーム及びガウシアンビームを用いて行い、前記ラインビームを用いて、前記樹脂層の全面に前記照射を行い、前記ガウシアンビームを用いて、前記端部のみに前記照射を行う。
　本発明の態様７に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記端部は、前記樹脂層の端辺の内の少なくとも１辺を含む。
　本発明の態様８に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記端部は、前記樹脂層の膜厚が減少する部分である。
　本発明の態様９に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記剥離は、前記照射後の前記端部にナイフを挿入することで行う。
　本発明の態様１０に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記挿入後、前記挿入をした前記端部に沿って、前記ナイフをスライドさせる。
　本発明の態様１１に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記剥離は、前記樹脂層の１つの端辺に対応する前記照射後の前記端部にナイフを挿入することで行い、前記挿入後、前記挿入をした前記端部に沿って、前記ナイフをスライドさせる。
　本発明の態様１２に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記ナイフを挿入した前記端部を起点として前記剥離を行う。
　本発明の態様１３に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記端部の少なくとも一部に対して前記照射を行う条件は、前記中央部に対して前記照射を行う条件よりも、前記レーザーのエネルギーが大きい。
　本発明の態様１４に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記端部の少なくとも一部に対して前記照射を行う条件は、前記中央部に対して前記照射を行う条件よりも、前記レーザーのオーバーラップが大きい。
　本発明の態様１５に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記照射後における前記マザー基板と前記積層体と間のアッシュ量は、前記端部の方が前記中央部よりも多い。
　本発明の態様１６に係るＥＬデバイスの製造方法は、前記照射後、前記端部では、前記樹脂層と前記マザー基板とが剥離している。
　（付記事項）
　本発明は前記した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
２　　　ＥＬデバイス
４　　　ＴＦＴ層
３　　　無機バリア膜
５　　　発光素子層
６　　　封止層
７　　　積層体
８、１１　接着層
９　　　保護材
１０　　支持材
１２　　樹脂層
１３　　剥離層
１５　　半導体膜
１６　　ゲート絶縁膜
１６、１８、２０　無機絶縁膜
２１　　平坦化膜
２２　　アノード電極
２３ｂ　バンク
２３ｃ　隔壁
２４　　ＥＬ層
２５　　カソード電極
２６　　第１無機封止膜
２６、２８　無機封止膜
２７　　有機封止膜
２８　　第２無機封止膜
３９　　機能フィルム
５０　　マザー基板
６２　　レーザー
６２（１）　ラインビーム
６２（２）　ガウシアンビーム
７０　　ナイフ
８４　　アッシュ
Ｘ　マザー基板の長手方向
Ｙ　マザー基板の短手方向
Ｉ　傾斜領域（端部）
ＩＩ　平坦領域（中央部）
ＤＡ　アクティブ領域
ＮＡ　非アクティブ領域

Claims (16)

  1. 　マザー基板と、発光素子層を含む積層体とを、レーザーを照射して剥離する工程を含むＥＬデバイスの製造方法であって、
    　前記マザー基板と前記積層体とは、前記積層体の樹脂層を介して接しており、
    　前記樹脂層に前記レーザーを照射して前記剥離をする際、
    　前記樹脂層の端部の少なくとも一部に対して、前記樹脂層の中央部とは異なる条件で、前記照射を行うＥＬデバイスの製造方法。
  2. 　前記端部の少なくとも一部に対して、前記中央部より強い条件で、前記照射を行う請求項１に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  3. 　前記端部の少なくとも一部に対して、前記中央部よりも多い回数、前記照射を行う請求項１又は２に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  4. 　前記照射はラインビームを用いて行う請求項１から３の何れか１項に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  5. 　前記照射はラインビームを用いて複数回行い、
    　前記複数回の内の少なくとも１回は、前記樹脂層の全面に前記照射を行い、
    　前記複数回の内の少なくとも１回は、前記端部のみに前記照射を行う請求項１から４の何れか１項に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  6. 　前記照射はラインビーム及びガウシアンビームを用いて行い、
    　前記ラインビームを用いて、前記樹脂層の全面に前記照射を行い、
    　前記ガウシアンビームを用いて、前記端部のみに前記照射を行う請求項１から３の何れか１項に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  7. 　前記端部は、前記樹脂層の端辺の内の少なくとも１辺を含む請求項１から６の何れか１項に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  8. 　前記端部は、前記樹脂層の膜厚が減少する部分である請求項１から７の何れか１項に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  9. 　前記剥離は、前記照射後の前記端部にナイフを挿入することで行う請求項１から８の何れか１項に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  10. 　前記挿入後、前記挿入をした前記端部に沿って、前記ナイフをスライドさせる請求項９に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  11. 　前記剥離は、前記樹脂層の１つの端辺に対応する前記照射後の前記端部にナイフを挿入することで行い、
    　前記挿入後、前記挿入をした前記端部に沿って、前記ナイフをスライドさせる請求項１から８の何れか１項に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  12. 　前記ナイフを挿入した前記端部を起点として前記剥離を行う請求項１１に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  13. 　前記端部の少なくとも一部に対して前記照射を行う条件は、前記中央部に対して前記照射を行う条件よりも、前記レーザーのエネルギーが大きい請求項１から１２の何れか１項に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  14. 　前記端部の少なくとも一部に対して前記照射を行う条件は、前記中央部に対して前記照射を行う条件よりも、前記レーザーのオーバーラップが大きい請求項１から１３の何れか１項に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  15. 　前記照射後における前記マザー基板と前記積層体と間のアッシュ量は、前記端部の方が前記中央部よりも多い請求項１から１４の何れか１項に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  16. 　前記照射後、前記端部では、前記樹脂層と前記マザー基板とが剥離している請求項１から１５の何れか１項に記載のＥＬデバイスの製造方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10840477B2 (en) * 2018-09-20 2020-11-17 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display device
KR102174928B1 (ko) * 2019-02-01 2020-11-05 레이저쎌 주식회사 멀티 빔 레이저 디본딩 장치 및 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003115380A (ja) * 2001-10-04 2003-04-18 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
JP2015064468A (ja) * 2013-09-25 2015-04-09 東レ株式会社 表示装置の製造方法
JP2015173104A (ja) * 2014-02-19 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び剥離方法
JP2016095504A (ja) * 2014-11-12 2016-05-26 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ ディスプレイデバイスの製造
WO2016143316A1 (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 シャープ株式会社 薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置
JP2017123216A (ja) * 2016-01-04 2017-07-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
WO2017154235A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 可撓性電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4851415B2 (ja) * 2007-10-10 2012-01-11 日東電工株式会社 紫外線照射方法およびこれを用いた装置
JP2010033761A (ja) 2008-07-25 2010-02-12 Toshiba Corp 転写装置、転写方法、転写体、及び有機エレクトロルミネセンスディスプレイの製造方法
TWI541093B (zh) * 2009-12-07 2016-07-11 Ipg Microsystems Llc 雷射剝離系統及方法
JP5612336B2 (ja) * 2010-03-08 2014-10-22 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子の製造方法
WO2012164612A1 (ja) 2011-05-31 2012-12-06 パナソニック株式会社 接合体の製造方法及び接合体
JP2013021263A (ja) * 2011-07-14 2013-01-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 膜剥離装置および膜剥離方法
JP5695535B2 (ja) 2011-09-27 2015-04-08 株式会社東芝 表示装置の製造方法
JP2014017462A (ja) * 2012-03-02 2014-01-30 Fujifilm Corp 半導体装置の製造方法
US9111983B1 (en) * 2014-07-31 2015-08-18 Freescale Semiconductor, Inc. Methods for removing adhesive layers from semiconductor wafers
KR102305505B1 (ko) * 2014-09-29 2021-09-24 삼성전자주식회사 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 이니시에이터 및 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 방법
US10159120B2 (en) * 2015-06-12 2018-12-18 Sharp Kabushiki Kaisha EL display device and method for manufacturing EL display device
US10279576B2 (en) * 2016-04-26 2019-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and manufacturing method of flexible device
JP6508153B2 (ja) * 2016-09-21 2019-05-08 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
WO2018211376A1 (ja) * 2017-05-18 2018-11-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003115380A (ja) * 2001-10-04 2003-04-18 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
JP2015064468A (ja) * 2013-09-25 2015-04-09 東レ株式会社 表示装置の製造方法
JP2015173104A (ja) * 2014-02-19 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び剥離方法
JP2016095504A (ja) * 2014-11-12 2016-05-26 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ ディスプレイデバイスの製造
WO2016143316A1 (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 シャープ株式会社 薄膜素子装置の製造方法及びそれに用いる光照射装置
JP2017123216A (ja) * 2016-01-04 2017-07-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
WO2017154235A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 可撓性電子デバイスの製造方法

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