WO2018179174A1 - 表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、検査装置 - Google Patents

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resin layer
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真由子 坂本
菅　勝行
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a display device.
  • a display device including an EL element for example, a laminate including a resin layer, a TFT layer, a light emitting element layer, and the like is formed on a glass substrate, and a laser is irradiated from the back surface of the glass substrate to the lower surface of the resin layer.
  • the glass substrate is peeled off and a film is attached to the lower surface of the resin layer.
  • the intensity of the laser applied to the lower surface of the resin layer varies, the amount of carbide generated on the lower surface of the resin layer due to laser irradiation increases, and the adhesive strength of the lower film may decrease.
  • a laminate including a resin layer, a TFT layer, and a light-emitting element layer is formed over a light-transmitting substrate, and then the substrate is used for a laser peeling apparatus.
  • the adhesive strength of the bottom film in the display device can be ensured.
  • FIG. 1 It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of a display device.
  • A is sectional drawing which shows the structure (state which formed the laminated body in the board
  • (b) is sectional drawing which shows the example of a display device. It is a top view which shows the structure (state which formed the laminated body in the board
  • FIG. 1 is a flowchart showing an example of a display device manufacturing method.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating a configuration in the middle of forming a display device (a state in which a laminate is formed on a substrate)
  • FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a configuration example of the display device.
  • FIG. 3 is a plan view showing a configuration in the middle of forming a display device (a state in which a laminate is formed on a substrate).
  • the resin layer 12 is formed on a translucent substrate 50 (for example, mother glass) (step S1). ).
  • the inorganic barrier film 3 is formed (step S2).
  • the TFT layer 4 is formed (step S3).
  • a light emitting element layer (for example, OLED element layer) 5 is formed (step S4).
  • the sealing layer 6 is formed (step S5).
  • an upper surface film 9 (for example, a PET film) is pasted on the sealing layer 6 via the adhesive layer 8 (step S6).
  • the laser beam is irradiated onto the lower surface of the resin layer 12 through the substrate 50 (step S7).
  • the resin layer 12 absorbs the laser light irradiated to the lower surface of the substrate 50 and transmitted through the substrate 50, whereby the lower surface of the resin layer 12 (interface with the substrate 50) is altered by ablation, and the resin layer 12 and The bonding force between the mother substrates 50 is reduced.
  • the substrate 50 is peeled from the resin layer 12 (step S8).
  • a lower surface film 10 for example, a PET film
  • the laminate 7 including the lower surface film 10, the resin layer 12, the barrier layer 3, the TFT layer 4, the light emitting element layer 5, the sealing layer 6, and the upper surface film 9 is divided by a cut line DL, and a plurality of pieces are separated. Cut out (step S10). Subsequently, terminal extraction which peels a part of upper surface sheet 9 (part on the terminal part 44) from an individual piece is performed (step S11). Next, the functional film 39 is attached to the upper side of the individual sealing layer 6 via the adhesive layer 38 (step S12). Next, the electronic circuit board 60 is mounted on the individual terminal portions 44 via the anisotropic conductive material 51 (step S13). As a result, the display device 2 shown in FIG. Each step is performed by a display device manufacturing apparatus.
  • Examples of the material for the resin layer 12 include polyimide, epoxy, and polyamide. Examples of the material of the lower film 10 include polyethylene terephthalate (PET).
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents moisture and impurities from reaching the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5 when the display device is used.
  • the barrier layer 3 is formed by CVD, such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, Alternatively, a silicon oxynitride film or a laminated film thereof can be used.
  • the TFT layer 4 includes a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16 (gate insulating film) formed above the semiconductor film 15, a gate electrode G formed above the gate insulating film 16, and the gate electrode G From the inorganic insulating film 18 formed on the upper side, the capacitive wiring C formed on the upper side of the inorganic insulating film 18, the inorganic insulating film 20 formed on the upper side of the capacitive wiring C, and the inorganic insulating film 20 Source electrode S and drain electrode D, and planarization film 21 formed above source electrode S and drain electrode D, respectively.
  • a thin film transistor is configured to include the semiconductor film 15, the inorganic insulating film 16 (gate insulating film), and the gate electrode G.
  • the source electrode S is connected to the source region of the semiconductor film 15, and the drain electrode D is connected to the drain region of the semiconductor film 15.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor.
  • the gate insulating film 16 can be constituted by, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a stacked film thereof formed by a CVD method.
  • the gate electrode G, the source wiring S, the drain wiring D, and the terminal are, for example, aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium (Ti), copper ( It is comprised by the metal single layer film or laminated film containing at least 1 of Cu).
  • the TFT having the semiconductor film 15 as a channel is shown as a top gate structure, but a bottom gate structure may be used (for example, when the TFT channel is an oxide semiconductor).
  • the inorganic insulating films 18 and 20 can be composed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the planarizing film (interlayer insulating film) 21 can be made of a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide or acrylic.
  • a terminal portion 44 is provided at an end portion (inactive area NA) of the TFT layer 4.
  • the terminal portion 44 includes a terminal TM used for connection to an electronic circuit board 60 such as an IC chip or FPC, and a terminal wiring TW connected to the terminal TM.
  • the terminal wiring TW is electrically connected to various wirings of the TFT layer 4 through the relay wiring LW and the lead wiring DW.
  • the terminal TM, the terminal wiring TW, and the lead wiring DW are formed in the same process as the source electrode S, for example, the same material (for example, two titanium films) in the same layer (on the inorganic insulating film 20) as the source electrode S is formed. And an aluminum film sandwiched between them).
  • the relay wiring LW is formed in the same process as the capacitor electrode C, for example. End surfaces (edges) of the terminal TM, the terminal wiring TW, and the lead-out wiring DW are covered with the planarizing film 21.
  • the light emitting element layer 5 (for example, an organic light emitting diode layer) includes an anode electrode 22 formed above the planarizing film 21, a bank 23 that defines subpixels in the active area (display area) DA, and an anode electrode 22.
  • An EL (electroluminescence) layer 24 formed above the EL layer 24 and a cathode electrode 25 formed above the EL layer 24.
  • the anode electrode 22, the EL layer 24, and the cathode electrode 25 form a light emitting element (for example, , Organic light emitting diode (OLED).
  • OLED Organic light emitting diode
  • the EL layer 24 is formed in a region (subpixel region) surrounded by the partition wall 23c by an evaporation method or an ink jet method.
  • the light emitting element layer 5 is an organic light emitting diode (OLED) layer
  • the EL layer 24 includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in order from the lower layer side. It is composed by doing.
  • the anode electrode (anode) 22 is composed of, for example, a laminate of ITO (Indium Tin Oxide) and an alloy containing Ag and has light reflectivity (detailed later).
  • the cathode electrode 25 can be made of a light-transmitting conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zincum Oxide).
  • the light emitting element layer 5 is an OLED layer
  • holes and electrons are recombined in the EL layer 24 by the driving current between the anode electrode 22 and the cathode electrode 25, and the exciton generated thereby falls to the ground state.
  • Light is emitted. Since the cathode electrode 25 is translucent and the anode electrode 22 is light reflective, the light emitted from the EL layer 24 is directed upward and becomes top emission.
  • the light emitting element layer 5 is not limited to constituting an OLED element, and may constitute an inorganic light emitting diode or a quantum dot light emitting diode.
  • a convex body Ta and a convex body Tb that define the edge of the organic sealing film 27 are formed.
  • the convex body Ta functions as a liquid stopper when the organic sealing film 27 is applied by inkjet
  • the convex body Tb functions as a preliminary liquid stopper.
  • the lower portion of the convex body Tb is composed of the planarizing film 21 and functions as a protective film for the end face of the lead-out wiring DW.
  • the upper part of the bank 23, the convex body Ta, and the convex body Tb can be formed, for example, in the same process using a photosensitive organic material such as polyimide, epoxy, or acrylic.
  • the sealing layer 6 is translucent, and includes a first inorganic sealing film 26 that covers the cathode electrode 25, an organic sealing film 27 that is formed above the first inorganic sealing film 26, and an organic sealing film 27 and a second inorganic sealing film 28 covering 27.
  • Each of the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 may be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film formed by CVD. it can.
  • the organic sealing film 27 is a light-transmitting organic film thicker than the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28, and is made of a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide or acrylic. Can do.
  • an ink containing such an organic material is applied onto the first inorganic sealing film 26 by inkjet and then cured by UV irradiation.
  • the sealing layer 6 covers the light emitting element layer 5 and prevents penetration of foreign matters such as water and oxygen into the light emitting element layer 5.
  • the upper surface film 9 is affixed on the sealing layer 6 via the adhesive 8, and also functions as a support material when the substrate 50 is peeled off.
  • the material for the top film 9 include PET (polyethylene terephthalate).
  • the lower film 10 is made of PET or the like, and functions as a support material or a protective material by being attached to the lower surface of the resin layer 12 after the substrate 50 is peeled off.
  • the functional film 39 has, for example, an optical compensation function, a touch sensor function, a protection function, and the like.
  • the electronic circuit board 60 is, for example, an IC chip or a flexible printed board (FPC) mounted on the plurality of terminals TM.
  • the optical characteristics of the substrate 50 peeled in step S8 of FIG. 1 are measured, and a predetermined process is performed when the measurement result exceeds a threshold value.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a laser irradiation method for the resin layer of the laminate.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing a specific example of separating the substrate and the laminated body.
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an example of measurement by the inspection apparatus according to the first embodiment.
  • a laser peeling apparatus is formed. (Described later), the lower surface 12r of the resin layer 12 is irradiated with laser light La from the back surface of the substrate 50, and the resin layer 12 and the substrate 50 are separated by a knife Nv as shown in FIG. Then, the optical characteristics of the peeled substrate 50 are measured using the inspection apparatus 73 of FIG. 6, and a predetermined process is performed when the measurement result exceeds the threshold value.
  • the display device manufacturing apparatus 70 includes a film forming apparatus 76, a laser peeling apparatus 80 including a laser apparatus 77, an inspection apparatus 73, and a controller 72 that controls these apparatuses.
  • the laser peeling apparatus 80 under the control of the controller 72 performs steps S7 to S8 in FIG.
  • the laser beam La emitted from the laser device 77 included in the laser peeling device is a long beam extending in the x direction, and has a substantially uniform intensity distribution in the x direction.
  • Laser ablation is performed on the lower surface of the resin layer 12 by scanning the laser beam La from one end to the other end (in the y direction) of the lower surface of the resin layer 12.
  • the resin layer 12, the inorganic sealing film 28, the adhesive layer 8, and the top film 9 are laminated in the vicinity of the end face of the substrate 50, and the knife Nv inserted from the end face of the laminate 7 is used as a laser.
  • the resin layer 12 and the substrate 50 are separated by proceeding under the edge of the ablated resin layer 12.
  • carbide CB is formed on the back surface 12r of the resin layer 12 (interface with the substrate 50) by laser ablation.
  • the transmittance of the substrate 50 is measured by a measuring device 73 including a light projecting unit 73a, a light receiving unit 73b, and a control unit 73c that controls them. Specifically, light is projected from the light projector 73a from the lower surface of the substrate 50 toward the upper surface (the surface on which the carbide CB is formed), and the transmitted light is received by the light receiver 73b.
  • the controller 73c performs processing according to the transmittance calculated from the amount of light received by the light receiver 73b.
  • FIG. 8 is a graph showing the relationship between standardized laser intensity and transmittance.
  • the minimum laser intensity at which the substrate can be peeled is 1.0.
  • the amount of carbide CB on the substrate increases and the transmittance of the substrate decreases. It has also been found that as the amount of carbide CB on the substrate increases, the amount of carbide CB remaining on the lower surface 12r of the resin layer 12 after separation from the substrate increases.
  • the control unit 73c notifies the outside of the abnormality by an alarm or a display. Issue a command.
  • the process performed by the control unit 73c is not limited to the notification command as described above.
  • a command to follow up the stacked body 7 separated from the substrate 50 in which an abnormality (exceeding the threshold value) is detected, and thus the piece (display device 2) cut out from the stacked body 7 may be issued. In this case, it will be considered as a defective product according to the result of the follow-up survey.
  • control unit 73c may issue a command to stop the laser peeling device 80.
  • the cause is elucidated by inspection of the laser peeling device 80 or the like.
  • the reflectance of the substrate 50 may be measured by a measuring device 73 including a light projecting unit 73a, a light receiving unit 73b, and a control unit 73c that controls them. . Specifically, light is projected from the light projector 73a toward the upper surface of the substrate 50 (the surface on which the carbide CB is formed), and the reflected light is received by the light receiver 73b.
  • the control unit 73c performs the above process according to the transmittance calculated from the amount of light received by the light receiver 73b.
  • the adhesive force between the lower film 10 and the resin layer 12 can be ensured. it can.
  • corner regions KR regions corresponding to the edges of the resin layer 12
  • the corner area kr corresponding to each rectangular cut line DL may be used as the measurement area.
  • the electro-optical element (electro-optical element whose luminance and transmittance are controlled by current) included in the display device according to the present embodiment is not particularly limited.
  • the display device according to the present embodiment includes, for example, an organic EL (Electro Luminescence) display including an OLED (Organic Light Emitting Diode) as an electro-optical element, and an inorganic light-emitting diode as an electro-optical element.
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • inorganic light-emitting diode as an electro-optical element.
  • Inorganic EL displays, and QLED displays equipped with QLEDs (Quantum dot emitting Light emitting diodes) as electro-optical elements are exemplified.
  • a laminated body including a resin layer, a TFT layer, and a light emitting element layer is formed on a light-transmitting substrate, and then a laser is irradiated from the back surface of the substrate to the lower surface of the resin layer using a laser peeling apparatus.
  • Aspect 2 The display device manufacturing method according to Aspect 1, wherein the optical characteristic is light transmittance.
  • Aspect 3 The display device manufacturing method according to aspect 1, wherein the optical characteristic is light reflectance.
  • Aspect 4 The display device manufacturing method according to any one of Aspects 1 to 3, wherein the predetermined process includes a step of notifying the outside that the measurement result exceeds the threshold value.
  • Aspect 5 The method for manufacturing a display device according to any one of Aspects 1 to 4, wherein the predetermined process includes a step of tracking and checking the laminated body.
  • Aspect 6 The display device manufacturing method according to any one of Aspects 1 to 5, wherein the predetermined process includes a step of stopping the laser peeling apparatus.
  • Aspect 7 The method for manufacturing a display device according to any one of Aspects 1 to 6, wherein one or more corner areas in the substrate are measured.
  • Aspect 8 The method for manufacturing a display device according to any one of Aspects 1 to 7, wherein a region corresponding to the edge of the resin layer on the substrate is measured.
  • Aspect 9 The display device according to any one of Aspects 1 to 8, wherein after the substrate is peeled off, a lower surface film is attached to the lower surface of the resin layer, and the laminate is divided together with the lower surface film to obtain a plurality of pieces. Manufacturing method.
  • Aspect 10 The method for manufacturing a display device according to Aspect 9, wherein a region corresponding to each of the plurality of pieces on the substrate is measured.
  • Aspect 11 The display device manufacturing method according to any one of Aspects 1 to 10, wherein the resin layer contains polyimide.
  • Aspect 12 The method for manufacturing a display device according to any one of aspects 1 to 11, wherein carbides remain on the substrate after peeling.
  • Aspect 13 The method for manufacturing a display device according to any one of Aspects 1 to 12, wherein the substrate is peeled from the laminated body by inserting a knife from an end face of the laminated body.
  • Aspect 14 After forming a laminated body including a resin layer, a TFT layer, and a light emitting element layer on a light-transmitting substrate, a laser is irradiated from the back surface of the substrate to the lower surface of the resin layer, and the laminated body is subjected to the substrate.
  • Aspect 15 Measure the optical characteristics of the substrate obtained after the substrate is peeled off by irradiating a laser on a laminate including a resin layer, a TFT layer, and a light emitting element layer formed on a light transmitting substrate.
  • An inspection apparatus that performs a predetermined process when the measurement result exceeds a threshold value.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments are also included in the technical scope of the present invention. Furthermore, a new technical feature can be formed by combining the technical means disclosed in each embodiment.

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Abstract

樹脂層の下面に照射するレーザの強度がばらつくと、レーザ照射によって樹脂層の下面に生じる炭化物の量が多くなり、下面フィルムの接着強度が低下するおそれがある。上記課題を解決するための手段として、透光性の基板（５０）上に、樹脂層、ＴＦＴ層、および発光素子層を含む積層体を形成した後、レーザ剥離装置に用いて、前記基板裏面から樹脂層の下面にレーザを照射し、前記積層体から前記基板を剥離する表示デバイスの製造方法であって、剥離した前記基板（５０）の光学特性を測定し、測定結果が閾値を超える場合に所定の工程を行う。

Description

表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、検査装置
　本発明は、表示デバイスの製造方法に関する。
　ＥＬ素子を含む表示デバイスを製造する場合、例えば、ガラス基板上に、樹脂層、ＴＦＴ層、発光素子層等を含む積層体を形成し、ガラス基板の裏面から樹脂層の下面にレーザを照射してガラス基板を剥離し、樹脂層の下面にフィルムを貼り付ける。
特開２００４－３４９５４３号公報（２００４年１２月９日公開）
　樹脂層の下面に照射するレーザの強度がばらつくと、レーザ照射によって樹脂層の下面に生じる炭化物の量が多くなり、下面フィルムの接着強度が低下するおそれがある。
　本発明の一態様に係る表示デバイスの製造方法は、透光性の基板上に、樹脂層、ＴＦＴ層、および発光素子層を含む積層体を形成した後、レーザ剥離装置に用いて、前記基板裏面から樹脂層の下面にレーザを照射し、前記積層体から前記基板を剥離する表示デバイスの製造方法であって、剥離した前記基板の光学特性を測定し、測定結果が閾値を超える場合に所定の処理を行う。
　本発明の一態様によれば、表示デバイスにおける下面フィルムの接着強度を担保することができる。
表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。 （ａ）は表示デバイスの形成途中の構成（基板に積層体を形成した状態）を示す断面図であり、（ｂ）は表示デバイスの構例を示す断面図である。 本実施形態の表示デバイスの形成途中の構成（基板に積層体を形成した状態）を示す平面図である。 積層体の樹脂層へのレーザ照射方法を示す模式図である。 基板と積層体とを分離する具体例を示す模式図である。 実施形態における検査装置による測定例を示す模式図である。 実施形態の表示デバイス製造装置の構成を示すブロック図である。 透過率とレーザ強度の関係を示すグラフである。 実施形態における基板の検査領域を示す平面図である。 実施形態における基板の検査領域の別例を示す平面図である。
　図１は、表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２（ａ）は表示デバイスの形成途中の構成（基板に積層体を形成した状態）を示す断面図であり、図２（ｂ）は表示デバイスの構例を示す断面図である。図３は、表示デバイスの形成途中の構成（基板に積層体を形成した状態）を示す平面図である。
　フレキシブルな表示デバイスを製造する場合、図１、図２（ａ）および図３に示すように、まず、透光性の基板５０（例えば、マザーガラス）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、無機バリア膜３を形成する（ステップＳ２）。次いで、ＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に接着層８を介して上面フィルム９（例えば、ＰＥＴフィルム）を貼り付ける（ステップＳ６）。
　次いで、基板５０越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射する（ステップＳ７）。ここでは、基板５０の下面に照射され、基板５０を透過したレーザ光を樹脂層１２が吸収することで、樹脂層１２の下面（基板５０との界面）がアブレーションによって変質し、樹脂層１２およびマザー基板５０間の結合力が低下する。次いで、基板５０を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ８）。次いで、図２（ｂ）に示すように、樹脂層１２の下面に、接着層１１を介して下面フィルム１０（例えばＰＥＴフィルム）を貼り付ける（ステップＳ９）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６および上面フィルム９を含む積層体７を、切り出し線ＤＬで分断し、複数の個片を切り出す（ステップＳ１０）。次いで、個片から上面シート９の一部（端子部４４上の部分）を剥離する端子出しを行う（ステップＳ１１）。次いで、個片の封止層６の上側に接着層３８を介して機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１２）。次いで、個片の端子部４４に異方性導電材５１を介して電子回路基板６０を実装する（ステップＳ１３）。これにより、図２（ｂ）に示す表示デバイス２を得る。なお、前記各ステップは表示デバイスの製造装置が行う。
　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。下面フィルム１０の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
　バリア層３は、表示デバイスの使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や発光素子層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上側に形成される無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、ゲート絶縁膜１６よりも上側に形成されるゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇよりも上側に形成される無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上側に形成される容量配線Ｃと、容量配線Ｃよりも上側に形成される無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上側に形成される、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄと、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄよりも上側に形成される平坦化膜２１とを含む。
　半導体膜１５、無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）、ゲート電極Ｇを含むように薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。ソース電極Ｓは半導体膜１５のソース領域に接続され、ドレイン電極Ｄは半導体膜１５のドレイン領域に接続される。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。ゲート絶縁膜１６は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。ゲート電極Ｇ、ソース配線Ｓ、ドレイン配線Ｄ、および端子は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
　無機絶縁膜１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜（層間絶縁膜）２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　ＴＦＴ層４の端部（非アクティブ領域ＮＡ）には端子部４４が設けられる。端子部４４は、ＩＣチップ、ＦＰＣ等の電子回路基板６０との接続に用いられる端子ＴＭと、これに接続される端子配線ＴＷとを含む。端子配線ＴＷは、中継配線ＬＷおよび引き出し配線ＤＷを介してＴＦＴ層４の各種配線と電気的に接続される。
　端子ＴＭ、端子配線ＴＷおよび引き出し配線ＤＷは、例えばソース電極Ｓと同一工程で形成されるため、ソース電極Ｓと同層（無機絶縁膜２０上）にかつ同材料（例えば、２枚のチタン膜およびこれらにサンドされたアルミニウム膜）で形成される。中継配線ＬＷは例えば容量電極Ｃと同一工程で形成される。端子ＴＭ、端子配線ＴＷおよび引き出し配線ＤＷの端面（エッジ）は平坦化膜２１で覆われている。
　発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、平坦化膜２１よりも上側に形成されるアノード電極２２と、アクティブ領域（表示領域）ＤＡのサブピクセルを規定するバンク２３と、アノード電極２２よりも上側に形成されるＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上側に形成されるカソード電極２５とを含み、アノード電極２２、ＥＬ層２４、およびカソード電極２５によって発光素子（例えば、有機発光ダイオード：ＯＬＥＤ）が構成される。
　ＥＬ層２４は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、隔壁２３ｃによって囲まれた領域（サブピクセル領域）に形成される。発光素子層５が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層である場合、ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。
　アノード電極（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する（後に詳述）。カソード電極２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。
　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、アノード電極２２およびカソード電極２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。カソード電極２５が透光性であり、アノード電極２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　発光素子層５は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。
　非アクティブ領域ＮＡには、有機封止膜２７のエッジを規定する凸体Ｔａと凸体Ｔｂとが形成される。凸体Ｔａは、有機封止膜２７をインクジェット塗付する際の液止めとして機能し、凸体Ｔｂは予備の液止めとして機能する。なお、凸体Ｔｂの下部は平坦化膜２１で構成され、引き出し配線ＤＷの端面の保護膜として機能する。バンク２３、凸体Ｔａおよび凸体Ｔｂの上部は、ポリイミド、エポキシ、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料を用いて、例えば同一工程で形成することができる。
　封止層６は透光性であり、カソード電極２５を覆う第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上側に形成される有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う第２無機封止膜２８とを含む。
　第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８はそれぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８よりも厚い、透光性有機膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを第１無機封止膜２６上にインクジェット塗布した後、ＵＶ照射により硬化させる。封止層６は、発光素子層５を覆い、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　なお、上面フィルム９は、接着剤８を介して封止層６上に貼り付けられ、基板５０の剥離時には支持材としても機能する。上面フィルム９の材料としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等が挙げられる。
　下面フィルム１０は、ＰＥＴ等で構成され、基板５０を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けられることで、支持材、保護材として機能とする。
　機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。電子回路基板６０は、例えば、複数の端子ＴＭ上に実装されるＩＣチップあるいはフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）である。
　本実施形態では、図１のステップＳ８で剥離した基板５０の光学特性を測定し、測定結果が閾値を超える場合に所定の工程を行う。
　〔実施形態１〕
　図４は、積層体の樹脂層へのレーザ照射方法を示す模式図である。図５は、基板と積層体とを分離する具体例を示す模式図である。図６は、実施形態１における検査装置による測定例を示す模式図である。
　図２～図６に示すように、実施形態１では、透光性の基板５０上に、樹脂層１２、ＴＦＴ層４、および発光素子層５を含む積層体７を形成した後、レーザ剥離装置（後述）を用いて、基板５０の裏面から樹脂層１２の下面１２ｒにレーザ光Ｌａを照射し、図５のように、ナイフＮｖによって樹脂層１２と基板５０とを分離する。そして、図６の検査装置７３を用い、剥離された基板５０の光学特性を測定し、測定結果が閾値を超える場合に所定の処理を行う。
　なお、図７に示すように、表示デバイス製造装置７０は、成膜装置７６と、レーザ装置７７を含むレーザ剥離装置８０と、検査装置７３と、これらの装置を制御するコントローラ７２とを含んでおり、コントローラ７２の制御を受けたレーザ剥離装置８０が図１のステップＳ７～Ｓ８を行う。
　図４において、レーザ剥離装置に含まれるレーザ装置７７が出射するレーザ光Ｌａは、ｘ方向に伸びる長尺状のビームであり、ｘ方向についてほぼ均一強度分布を有する。レーザ光Ｌａを、樹脂層１２の下面の一端から他端まで（ｙ方向に）走査することで樹脂層１２の下面に対してレーザアブレーションを行う。
　図５に示すように、基板５０の端面近傍では、樹脂層１２、無機封止膜２８、接着層８および上面フィルム９が積層されており、積層体７の端面より挿入したナイフＮｖを、レーザアブレーションされた樹脂層１２のエッジ下に進めて樹脂層１２と基板５０とを分離する。なお、樹脂層１２の裏面１２ｒ（基板５０との界面）には、レーザアブレーションによる炭化物ＣＢが形成されている。
　本実施形態では、例えば、図６（ａ）に示すように、投光部７３ａ、受光部７３ｂおよびこれらを制御する制御部７３ｃを含む測定装置７３によって基板５０の透過率を測定する。具体的には、投光器７３ａから、基板５０の下面から上面（炭化物ＣＢの形成面）に向けて投光し、その透過光を受光器７３ｂで受光する。制御部７３ｃは、受光器７３ｂの受光量から算出される透過率に応じた処理を行う。
　図８は、規格化されたレーザ強度と透過率との関係を示すグラフである。図８では、基板の剥離が可能な最小のレーザ強度を１．０としている。ここでは、レーザ強度が大きくなるのに伴って基板上の炭化物ＣＢの量が増え、基板の透過率は低下することがわかる。また、基板上の炭化物ＣＢの量が増えるにつれて、基板から分離した後に樹脂層１２の下面１２ｒに残る炭化物ＣＢの量が増えることもわかっている。
　ここでは、透過率の許容値（閾値）を８０％とし、８０％を下回る（レーザ強度が３０％以上ばらつく）と、制御部７３ｃは、アラームや表示等によって外部に異常の報知を行うための指令を出す。
　制御部７３ｃが行う処理は前記のような報知の指令に限られない。例えば、異常（閾値超え）が検知された基板５０から分離された積層体７、ひいてはこれから切り出された個片（表示デバイス２）を追跡調査する指令を出してもよい。この場合、追跡調査の結果に応じて不具合品とする。
　また、制御部７３ｃは、レーザ剥離装置８０を停止させる指令を出してもよい。この場合、レーザ剥離装置８０の検査等によって原因を解明することになる。
　本実施形態では、例えば、図６（ｂ）に示すように、投光部７３ａ、受光部７３ｂおよびこれらを制御する制御部７３ｃを含む測定装置７３によって基板５０の反射率を測定してもよい。具体的には、投光器７３ａから、基板５０の上面（炭化物ＣＢの形成面）に向けて投光し、その反射光を受光器７３ｂで受光する。制御部７３ｃは、受光器７３ｂの受光量から算出される透過率に応じて前記のような処理を行う。
　このように、本実施形態によれば、測定装置７３によって樹脂層１２の下面１２ｒに残る炭化物ＣＢの量を把握することができるため、下面フィルム１０と樹脂層１２の接着力を担保することができる。
　基板の測定領域については、図９のように基板５０の４つのコーナ領域ＫＲ（樹脂層１２のエッジにあたる領域）を測定領域としてもよいし、図１０のように、基板のコーナ領域ＫＲに加え、矩形の各切り出し線ＤＬに対応するコーナ領域ｋｒを測定領域としてもよい。
　本実施形態にかかる表示デバイスが備える電気光学素子（電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子）は特に限定されるものではない。本実施形態にかかる表示装置としては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。
　〔まとめ〕
　態様１：透光性の基板上に、樹脂層、ＴＦＴ層、および発光素子層を含む積層体を形成した後、レーザ剥離装置に用いて、前記基板裏面から樹脂層の下面にレーザを照射し、前記積層体から前記基板を剥離する表示デバイスの製造方法であって、剥離した前記基板の光学特性を測定し、測定結果が閾値を超える場合に所定の処理を行う表示デバイスの製造方法。
　態様２：前記光学特性は光透過率である態様１記載の表示デバイスの製造方法。
　態様３：前記光学特性は光反射率である態様１記載の表示デバイスの製造方法。
　態様４：前記所定の処理に、前記測定結果が前記閾値を超えた旨を外部に報知する工程を含む態様１～３のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様５：前記所定の処理に、積層体の追跡調査の工程を含む態様１～４のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様６：前記所定の処理に、前記レーザ剥離装置を停止させる工程を含む態様１～５のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様７：前記基板における１以上のコーナ領域を測定する態様１～６のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様８：基板における前記樹脂層のエッジに対応する領域を測定する態様１～７のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様９：前記基板を剥離した後に樹脂層の下面に下面フィルムを貼り付け、前記積層体を下面フィルムともに分断して複数の個片を得る態様１～８のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様１０：基板における前記複数の個片それぞれに対応する領域を測定する態様９に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様１１：前記樹脂層がポリイミドを含む態様１～１０のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様１２：剥離後の前記基板に炭化物が残存している態様１～１１のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様１３：前記積層体の端面からナイフを挿入することで前記基板を前記積層体から剥離する態様１～１２のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様１４：透光性の基板上に、樹脂層、ＴＦＴ層、および発光素子層を含む積層体を形成した後、前記基板裏面から樹脂層の下面にレーザを照射し、前記積層体から前記基板を剥離する表示デバイスの製造装置であって、剥離した前記基板の光学特性を測定し、測定結果が閾値を超える場合に所定の処理を行う表示デバイスの製造装置。
　態様１５：透光性の基板上に形成された、樹脂層、ＴＦＴ層、および発光素子層を含む積層体にレーザを照射して前記基板を剥離した後に得られる上記基板の光学特性を測定し、測定結果が閾値を超える場合に所定の処理を行う検査装置。
　本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　２　　表示デバイス
　４　　ＴＦＴ層
　５　　発光素子層
　６　　封止層
　１０　下面フィルム
　１２　樹脂層
　２１　平坦化膜
　２４　ＥＬ層
　４４　端子部
　５０　基板
　７０　表示デバイス製造装置
　７６　成膜装置
　７３　検査装置
　ＴＭ　端子
　ＮＡ　非アクティブ領域
　ＤＡ　アクティブ領域
ＤＬ　切り出し線

Claims (15)

  1. 　透光性の基板上に、樹脂層、ＴＦＴ層、および発光素子層を含む積層体を形成した後、レーザ剥離装置に用いて、前記基板裏面から樹脂層の下面にレーザを照射し、前記積層体から前記基板を剥離する表示デバイスの製造方法であって、
    　剥離した前記基板の光学特性を測定し、測定結果が閾値を超える場合に所定の処理を行う表示デバイスの製造方法。
  2. 　前記光学特性は光透過率である請求項１記載の表示デバイスの製造方法。
  3. 　前記光学特性は光反射率である請求項１記載の表示デバイスの製造方法。
  4. 　前記所定の処理に、前記測定結果が前記閾値を超えた旨を外部に報知する工程が含まれる請求項１～３のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  5. 　前記所定の処理に、前記積層体を追跡調査する工程が含まれる請求項１～４のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  6. 　前記所定の処理に、前記レーザ剥離装置を停止させる工程が含まれる請求項１～５のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  7. 　前記基板における１以上のコーナ領域を測定する請求項１～６のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  8. 　基板における前記樹脂層のエッジに対応する領域を測定する請求項１～７のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  9. 　前記基板を剥離した後に前記樹脂層の下面に下面フィルムを貼り付け、前記積層体を下面フィルムともに分断して複数の個片を得る請求項１～８のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  10. 　基板における前記複数の個片それぞれに対応する領域を測定する請求項９に記載の表示デバイスの製造方法。
  11. 　前記樹脂層がポリイミドを含む請求項１～１０のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  12. 　前記基板に炭化物が残存している請求項１～１１のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  13. 　前記積層体の端面からナイフを挿入することで前記基板を前記積層体から剥離する請求項１～１２のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  14. 　透光性の基板上に、樹脂層、ＴＦＴ層、および発光素子層を含む積層体を形成した後、前記基板裏面から樹脂層の下面にレーザを照射し、前記積層体から前記基板を剥離する表示デバイスの製造装置であって、
    　剥離した前記基板の光学特性を測定し、測定結果が閾値を超える場合に所定の処理を行う表示デバイスの製造装置。
  15. 　透光性の基板上に形成された、樹脂層、ＴＦＴ層、および発光素子層を含む積層体にレーザを照射して前記基板を剥離した後に得られる上記基板の光学特性を測定し、測定結果が閾値を超える場合に所定の処理を行う検査装置。
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