CN110462718B - 显示设备、显示设备的制造方法及制造装置、成膜装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示设备(2)，其具备支撑材料(10)、包含多个无机绝缘膜(16·18·20)在内的TFT层(4)、发光元件层(5)、密封层(6)，贯穿多个无机绝缘膜(16·18·20)的狭缝图案(sp)，形成在俯视观察时的显示区域(DA)的外侧、且支撑材料的边缘(10e)的内侧。

Description

显示设备、显示设备的制造方法及制造装置、成膜装置
技术领域
本发明涉及一种显示设备。
背景技术
在制造包含EL元件在内的显示设备的情况下，将在母基材上形成的由TFT层、发光元件层、密封层等构成的层叠体切断，获得多个显示设备(单片)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-194642号公报(2015年11月5日公开)
发明内容
本发明所要解决的技术问题
有时担心在切断部位产生裂纹等引起显示设备的性能降低。
解决问题的手段
本发明的一个方式涉及的显示设备，在支撑材料的上侧，设置包含多个无机绝缘膜在内的TFT层、发光元件层、密封层的显示设备，其中，贯穿所述多个无机绝缘膜中的至少一个的狭缝图案，形成在俯视观察时的显示区域的外侧、且所述支撑材料的边缘的内侧。
发明效果
根据本发明的一个方式，可以保证显示设备的性能。
附图说明
图1是表示显示设备的制造方法的一个例子的流程图。
图2(a)是表示本实施方式的显示设备的形成中途的结构例(显示区域)的剖视图。
图3是表示第一实施方式的显示设备的制造方法的流程图。
图4表示第一实施方式的显示设备的制造方法(切断线、切割线等)的俯视图。
图5是表示图4的X区域的剖视图(a)、及表示Y区域的剖视图(b)。
图6是表示第一实施方式的显示设备的制造方法(激光照射位置)的剖视图。
图7是表示本第一实施方式的显示设备的结构例的剖视图。
图8是表示本实施方式的显示设备制造装置的结构的模块图。
图9是表示第一实施方式涉及的显示设备的制造方法(切断线、切割线)的变形例的剖视图。
图10是表示第二实施方式的显示设备的制造方法(切断线、切割线等)的俯视图。
图11是表示图10的X区域的剖视图(a)、及表示Y区域的剖视图(b)。
图12是表示第二实施方式的显示设备的制造方法(激光照射位置)的剖视图。
图13是表示本第二实施方式的显示设备的结构例的剖视图。
图14是表示第二实施方式的优点的剖视图。
图15是表示第二实施方式涉及的显示设备的制造方法(切断线、切割线)的变形例的剖视图。
图16是表示第二实施方式涉及的显示设备的制造方法(切断线、切割线)的另一个变形例及由此获得的显示设备的剖视图。
图17是表示第三实施方式涉及的显示设备的结构的俯视图。
图18是表示第四实施方式涉及的显示设备的制造方法及由此获得的显示设备的结构的剖视图。
图19是表示第四实施方式涉及的其它显示设备的制造方法及由此获得的显示设备的结构的剖视图。
具体实施方式
图1是表示显示设备的制造方法的一个例子的流程图。图2(a)是表示本实施方式的显示设备的形成中途的结构例(显示区域)的剖视图。
在制造柔性的显示设备的情况下，如图1至图2所示，首先，在透光性的母基板(例如玻璃基板)50上形成树脂层12(步骤S1)。然后，形成无机势垒膜3(步骤S2)。然后，形成包含多个无机绝缘膜16·18·20在内的TFT层4(步骤S3)。然后，形成发光元件层(例如OLED元件层)5(步骤S4)。然后，形成包含无机密封膜26·28及有机密封膜27在内的密封层6(步骤S5)。然后，在密封层6上经由粘合层8粘贴保护材料9(例如，PET薄膜)(步骤S6)。
然后，越过母基板50而向树脂层12的下表面照射激光(步骤S7)。在这里，通过使向母基板50的下表面照射并透过母基板50的激光由树脂层12吸收，从而树脂层12的下表面(与母基板50的分界面)因烧蚀而变质，树脂层12及母基板50间的结合力降低。然后，将母基板50从树脂层12剥离(步骤S8)。然后，如图2(b)所示，在树脂层12的下表面，经由粘合层11而粘贴支撑材料10(下表面薄膜，例如PET薄膜)(步骤S9)。然后，将包含支撑材料10、树脂层12、势垒层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6及保护材料9在内的层叠体切断，并且将保护材料9切割，切出多个显示设备(步骤S10)。然后，将TFT层4的端子部上的保护材料9剥离，并进行端子引出(步骤S11)。由此，获得图2(b)所示的显示设备2。然后，粘贴功能薄膜39(步骤S12)，使用ACF等在端子部上安装电子电路基板(步骤S13)。此外，所述各步骤进行显示设备的制造装置。
作为树脂层12的材料，例如可以举出聚酰亚胺、环氧、聚酰胺等。作为支撑材(下表面薄膜)10的材料，例如可以举出聚对苯二甲酸乙二酯(PET)。
势垒层3是在显示设备的使用时，防止水分或杂质到达TFT层4或发光元件层5的层，例如可以由通过CVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或者氮氧化硅膜、或者它们的层叠膜构成。无机势垒层3的厚度例如是50nm至1500nm。
TFT层4包含：半导体膜15；无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)，其与半导体膜15相比形成于上侧；栅极电极G，其与栅极绝缘膜16相比形成于上侧；无机绝缘膜18，其与栅极电极G相比形成于上侧；电容配线C，其与无机绝缘膜18相比形成于上侧；无机绝缘膜20，其与电容配线C相比形成于上侧；源极配线S及漏极配线D，它们与无机绝缘膜20相比形成于上侧；以及平坦化膜21，其与源极配线S及漏极配线D相比形成于上侧。
以包含半导体膜15、无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、及栅极电极G的方式构成薄层晶体管(TFT)。在TFT层4的端部(非显示区域NA)，形成用于与IC芯片、FPC等的电子电路基板的连接的端子、和与其连接的端子配线。端子配线与TFT层4的各种配线电性连接。端子及端子配线例如在无机绝缘膜18上或者无机绝缘膜20上形成。
半导体膜15例如由低温多晶硅(LTPS)或者氧化物半导体构成。栅极绝缘膜16例如可以由通过CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜或者氮化硅(SiNx)膜或者它们的层叠膜构成。栅极电极G、源极配线S、漏极配线D及端子，例如由包含铝(AI)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)中的至少一个在内的金属的单层膜或者层叠膜构成。此外，在图2中，将半导体膜15设为沟道的TFT由顶部栅极构造而示出，但也可以是底部栅极构造(例如，TFT的沟道是氧化物半导体的情况)。
无机绝缘膜18·20例如可以由通过CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜或者氮化硅(SiNx)膜或者它们的层叠膜构成。平坦化膜(层间绝缘膜)21例如可以由聚酰亚胺、丙烯酸等可涂敷的感光性有机材料构成。
发光元件层5(例如有机发光二极管层)包含：阳极电极22，其与平坦化膜21相比形成于上侧；堤部23b，其规定显示区域DA(与发光元件层重叠的区域)的辅助像素；EL(场致发光)层24，其与阳极电极22相比配置于上侧；以及阴极电极25，其与EL层24相比形成于上侧，由阳极电极22、EL层24、及阴极电极25构成发光元件(例如有机发光二极管)。
在非显示区域NA(未与发光元件层重叠的区域)，形成对有机密封膜27的边缘进行限定的凸体23c及凸体23d。凸体23c例如在无机绝缘膜20上形成，作为对有机密封膜27进行喷墨涂敷时的止液部起作用。凸体23d作为预备的止液部起作用。堤部23b以及凸体23c及凸体23d，可以使用聚酰亚胺、环氧、丙烯酸等可涂敷的感光性有机材料，例如由同一工序形成。
EL层24通过蒸镀法或者喷墨法，在由分隔壁23c包围的区域(辅助像素区域)形成。在发光元件层5是有机发光二极管(OLED)层的情况下，EL层24例如通过从下层侧按顺序将正孔注入层、正孔输送层、发光层、电子输送层、电子注入层进行层叠从而构成。
阳极电极(阳极)22例如由ITO(Indium Tin Oxide)与包含Ag在内的合金的层叠而构成，具有光反射性(后面详述)。阴极电极25可以由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(IndiumZincum 0xide)等透光性的导电材料构成。
在发光元件层5是OLED层的情况下，利用阳极电极22及阴极电极25间的驱动电流而正孔与电子在EL层24内再结合，由此产生的激发子落入基底状态，从而光被释放。由于阴极电极25是透光性的，阳极电极22是光反射性的，因此从EL层24释放的光朝向上方，成为顶发光型。
发光元件层5并不限定于构成OLED元件的情况，也可以构成无机发光二极管或者量子点发光二极管。
密封层6是透光性的，包含覆盖阴极电极25的第一无机密封膜26、与第一无机密封膜26相比形成于上侧的有机密封膜27、以及覆盖有机密封膜27的第二无机密封膜28。
第一无机密封膜26及第二无机密封膜28，可以分别由例如通过CVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或者氮氧化硅膜、或者它们的层叠膜构成。有机密封膜27与第一无机密封膜26及第二无机密封膜28相比较厚，是透光性有机膜，可以由聚酰亚胺、丙烯酸等可涂敷的感光性有机材料构成。例如，在将含有这种有机材料的墨水向第一无机密封膜26上喷墨涂敷之后，通过UV照射使其硬化。密封层6覆盖发光元件层5，防止水、氧气等异物向发光元件层5的浸透。
此外，保护材料9经由粘结剂8粘贴在密封层6上，在母基板50的剥离时还作为支撑材料起作用。作为保护材料9的材料，可以举出PET(聚对苯二甲酸乙二酯)等。
支撑材料10用于通过在将母基板50剥离后粘贴于树脂层12的下表面，从而制造柔软性优良的显示设备，作为其材料，可以举出PET等。
功能薄膜例如具有光学补偿功能、触摸传感器功能、保护功能等。电子电路基板例如是在多个端子TM上安装的IC芯片或者柔性印刷基板。
以上，针对对柔性的显示设备进行制造的情况进行了说明，但在制造非柔性的显示设备的情况下，由于不需要基板的改变等，因此例如从图1的步骤S6转换至步骤S10。
〔第一实施方式〕
图3是表示第一实施方式的显示设备的制造方法的流程图。图4是表示第一实施方式的显示设备的制造方法(切断线、切割线等)的俯视图。图5是表示图4的X区域的剖视图(a)、及表示Y区域的剖视图(b)。图6是表示第一实施方式的显示设备的制造方法(激光照射位置)的剖视图。图7是表示本第一实施方式的显示设备的结构例的剖视图。
如图3至图5所示，在第一实施方式中，首先，对无机势垒膜3进行成膜(步骤S2)，然后，对TFT层4的多个无机绝缘膜16·18·20进行成膜(步骤S3a)。然后，在TFT层4的非显示区域，形成端子TM、和与端子TM连接的端子配线TW(与端子TM相比位于显示区域DA侧)(步骤S3b)。端子TM及端子配线TW在无机绝缘膜18及无机绝缘膜20之间的层上形成，端子TM的端面由无机绝缘膜20覆盖。
然后，如图2及图4至图5所示，例如利用光刻，针对无机势垒膜3及无机绝缘膜16·18·20，穿透与切断线DL重叠的部分(步骤S3C)。由此，贯穿无机绝缘膜16·18·20及无机势垒膜3的槽状的狭缝图案SP，以包围显示区域DA的方式形成。在俯视观察时，在切断线DL上形成狭缝图案SP。
然后，形成成为发光元件层5的基础的平坦化膜21(步骤S3d)。在该工序中，使非显示区域NA的激光吸收膜AS的基底部分由平坦化膜21形成。
然后，形成发光元件层5的堤部(像素分隔壁)23b(步骤S4a)。在该工序中，形成非显示区域NA的激光吸收膜AS的上侧部分23f。
即，使有机绝缘膜23e及激光吸收膜AS的上侧部分23f与堤部23b同层且由相同材料形成。
然后，利用蒸镀形成EL层24(步骤S4b)。然后，形成密封层6(无机密封膜26·28及有机密封膜27)(步骤S5)。在这里，通过越过掩模进行CVD，从而对无机密封膜26·28进行图案形成。即，在显示区域DA的外侧、且狭缝图案SP的内侧形成无机密封膜26·28的边缘。
然后，如图2及图4至图5所示，在无机密封膜28上经由粘结剂8粘贴保护材料9(步骤S6)。然后，将母基板50剥离(步骤S8)。然后，在下表面经由粘结剂11粘贴支撑材料10(步骤S9)。
然后，如图6所示，通过激光照射进行切断(单片化+保护材料的一部分切割)(步骤S10)。对于层叠体7(包含支撑材料10、树脂层12、势垒层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6及保护材料9在内)的切断及保护材料9的切割，使用激光照射装置(未图示)。在这里，图4至图6所示，在层叠体7的切断之前，在包含切割线CL在内的面CF处对保护材料9进行切割。在这里，所谓切割线CL，是用于仅对保护材料9进行切割(用于端子引出的局部切割)的线，切断线DL是用于对层叠体7进行切断的线。
在俯视观察时，切割线CL与端子配线TW相交叉，由步骤S3d及步骤S4a形成的激光吸收膜AS，将端子配线TW的与切割线CL的重叠部分经由无机绝缘膜20覆盖。此外，在激光吸收膜AS的上表面形成的无机密封膜26·28也与切割线CL重叠。
此外，作为激光吸收膜AS，只要不使激光全部透过，而是即使少量也可以吸收即可，并不特别限定。例如，还可以使用在透过性树脂材料中混入涂料或颜料等着色材料后的材料(通过混入颜料从而树脂材料的光吸收性变高)。
在图6中，首先，通过第一激光Lx向切割线CL上及切断线DL上的照射，对保护材料9及粘结剂8进行切割，并且将层叠体7从上表面切割至中途为止。并且，通过第二激光Ly向切断线DL上的照射，将层叠体7从中途切割至下表面(支撑材料10的背面)，将显示设备的单片切出。对于第一激光Lx例如可以使用二氧化碳激光，对于第二激光Ly例如可以使用UV激光。
并且，在图3的步骤S11进行端子引出。在这里，将切割出的保护材料9的一部分(端子部44上的部分)利用销等卡挂而提升、剥离。由此，可以获得图7的显示设备2。
此外，如图8所示，显示设备制造装置70包含：成膜装置76；包含激光照射装置在内的切断装置80；以及对这些装置进行控制的控制器72，受到控制器72的控制的成膜装置76进行图3的步骤S3c至步骤S4a及步骤S5。
作为第一实施方式，由于切断面(即，激光)经过将无机密封膜26·28以及无机绝缘膜16·18·20及无机势垒膜3穿透(去除)而形成的狭缝图案，因此由激光进行的层叠体7的切断变得容易。由此，降低下述担心：在切断时在牢固的无机膜产生裂纹等，其对单片化后的显示设备的TFT层4或者密封层6的功能产生恶劣影响。
另外，由于在切割线CL之下，经由激光吸收膜AS配置端子配线TW，因此假设即使第一激光Lx的强度过大，其能量也会由激光吸收膜AS吸收，可以降低端子配线TW受到激光的影响(例如断线)的可能性。由此，在图7的显示设备2中，在激光吸收膜AS的上表面可能会形成激光烧蚀痕。
并且，在第一实施方式中，由于在切割线CL与端子配线TW之间配置无机密封膜26·28、激光吸收膜AS、及无机绝缘膜20，因此可以避免端子配线TW受到激光的影响的情况。
在图7的显示设备2中，贯穿无机绝缘膜16·18·20及势垒层3的狭缝图案SP，形成在俯视观察时的显示区域DA的外侧、且支撑材料10的边缘10e的内侧。另外，在俯视观察时，无机密封膜26·28的边缘形成在显示区域DA的外侧、且狭缝图案SP的内侧。
另外，显示设备2的端面2e经过狭缝图案SP，狭缝图案SP由有机绝缘膜23e填埋。有机绝缘膜23e与发光元件层5的覆盖阳极22的边缘的堤部23b由同一材料构成。此外，也可以使有机绝缘膜23e由平坦化膜构成。
图9是表示第一实施方式涉及的显示设备的制造方法(切断线、切割线)的变形例的剖视图。如图9所示，关于无机绝缘膜16·18·20，也可以穿透与切断线DL重叠的部分，但不穿透无机势垒膜3。在该情况下，关于无机绝缘膜16·18·20，可以将与切断线DL重叠的部分在形成显示区域DA的接触孔(参照图2)的工序中穿透。
另外，如图9(a)所示，还可以设为下述结构：使激光吸收膜AS仅由平坦化膜形成，在切割线CL与端子配线TW之间，配置激光吸收膜AS及(TFT层4的)无机绝缘膜20(未配置无机密封膜26·28)。
〔第二实施方式〕
图10是表示第二实施方式的显示设备的制造方法(切断线、切割线等)的俯视图。图11是表示图10的X区域的剖视图(a)、及表示Y区域的剖视图(b)。图12是表示第二实施方式的显示设备的制造方法(激光照射位置)的剖视图。图13是表示本第二实施方式的显示设备的结构例的剖视图。
在第一实施方式中，使在图3的步骤S3c形成的狭缝图案Sp(俯视观察为矩形)与切断线整合(即，在经过狭缝图案SP的面进行层叠体7的切断)，但并不限定于此。
图10·图11所示，也可以在俯视观察时，在狭缝图案SP的外侧设设定切断线DL。关于层叠体7的切断及保护材料9的切割，与第一实施方式同样地进行，但关于图12的第二激光Lz，具有比图6的第二激光Ly更大的能量。由此，可以获得图13所示的显示设备2。
在图13的显示设备2中，将无机绝缘膜16·18·20及势垒层3穿透的狭缝图案SP，形成在俯视观察时的显示区域DA的外侧、且支撑材料10的边缘10e的内侧。另外，在俯视观察时，无机密封膜26·28的边缘形成在显示区域DA的外侧、且狭缝图案SP的内侧。狭缝图案SP以包围显示区域DA的槽状形成。
另外，显示设备的端面2e经过狭缝图案SP的外侧。即，由狭缝图案SP穿透的无机绝缘膜16·18·20及势垒层3，存在于狭缝图案SP与显示设备的端面2e之间，狭缝图案SP由有机绝缘膜23e填埋。有机绝缘膜23e与发光元件层5的覆盖阳极22的边缘的堤部23b由同一材料构成。此外，也可以由平坦化膜构成有机绝缘膜23e。此外，端子配线TW上的膜结构与第一实施方式的显示设备(图7)相同。
在第二实施方式中，由于以沿着切断面的内侧(显示区域侧)的方式，形成贯穿无机密封膜26·28以及无机绝缘膜16·18·20及无机势垒膜3的狭缝图案SP，因此如图14所示，在层叠体切断时，即使在坚固的无机绝缘膜等产生裂纹等，也利用狭缝图案SP封挡，因此降低对单片化后的显示设备的TFT层4或者密封层6的功能带来恶劣影响的可能性。
图15是表示第一实施方式涉及的显示设备的制造方法(切断线、切割线)的变形例的剖视图。如图15所示，关于无机绝缘膜16·18·20，将与切断线DL重叠的部分穿透，但也可以不将无机势垒膜3穿透。在该情况下，关于无机绝缘膜16·18·20，可以将与切断线DL重叠的部分在形成显示区域DA的接触孔(参照图2)的工序中穿透。
另外，如图15(a)所示，也可以设为下述结构：使激光吸收膜AS仅由平坦化膜形成，在切割线CL与端子配线TW之间配置激光吸收膜AS及(TFT层4的)无机绝缘膜20(不配置无机密封膜26·28)。
图16是表示第二实施方式涉及的显示设备的制造方法(切断线、切割线)的另一个变形例及由此获得的显示设备的剖视图。如图16所示，在TFT层4的非显示区域，形成与狭缝图案SP重叠的半导体膜15，还可以作为蚀刻阻止部起作用。在该情况下，半导体膜15可以以与显示区域的TFT(薄膜晶体管)相同工序形成。
此外，在将显示区域的TFT设为底部栅极构造的情况下(例如，在TFT的沟道使用氧化物半导体的情况下)，还可以形成与狭缝图案SP重叠的导电膜(例如利用与栅极电极相同的工序)，将其作为蚀刻阻止部起作用。
〔第三实施方式〕
第二实施方式(参照图10等)的狭缝图案SP由一个相连的槽状狭缝构成，但并不限定于此。图17是表示第三实施方式涉及的显示设备的结构的俯视图。如图17所示，也可以使狭缝图案SP由多个岛状狭缝SL构成。在该情况下，将多个岛状狭缝SL以锯齿状配置，优选在俯视观察时的切断线DL与显示区域DA之间、以及切断线DL与端子部44之间存在岛状狭缝SL的结构。
此外，如图17(b)所示，可以设置相对于多个岛状狭缝SL而对它们进行填埋的有机绝缘膜23e，如图17(c)所示，也可以设置针对每个岛状狭缝SL而将其填埋的有机绝缘膜23e。
〔第四实施方式〕
图18(a)是表示第四实施方式涉及的显示设备的制造方法的剖视图，图18(b)是表示由(a)获得的显示设备的结构的剖视图。
图19(a)是表示第四实施方式涉及的其它显示设备的制造方法的剖视图，图19(b)是表示由(a)获得的显示设备的结构的剖视图。
在图18(a)中，贯穿无机绝缘膜16·18·20、无机势垒膜3及树脂层12的槽状的狭缝图案SP，以包围显示区域DA的方式形成。在俯视观察时，在切断线DL上形成狭缝图案SP，切割线CL与端子配线TW相交叉。非显示区域NA的激光吸收膜AS将端子配线TW的与切割线CL的重叠部分覆盖。
在图18(b)中，贯穿机绝缘膜16·18·20、势垒层3及树脂层12的狭缝图案SP，形成在俯视观察时的显示区域DA的外侧、且支撑材料10的边缘10e的内侧。另外，在俯视观察时，无机密封膜26·28的边缘形成在显示区域DA的外侧、且狭缝图案SP的内侧。
另外，显示设备2的端面2e经过狭缝图案SP，狭缝图案SP由有机绝缘膜23e填埋。有机绝缘膜23e与发光元件层5的覆盖阳极22的边缘的堤部23b由同一材料构成。此外，也可以由平坦化膜构成有机绝缘膜23e。
如图18(b)所示，显示设备2在非显示区域NA包含端子TM、和一端与端子TM相连的端子配线TW。由于端子TM及端子配线TW与源极配线S等由同一工序形成，因此与源极配线S等同层地(在无机绝缘膜20上)且由同一材料形成。
端子TM的端面由被膜21h覆盖，端子配线TW的另一端(与端子TM相连的一端的相反侧)由激光吸收膜AS覆盖。由于被膜21h及激光吸收膜AS与平坦化膜21由同一工序形成，因此与平坦化膜21同层且由同一材料形成。
端子配线TW经由与激光吸收膜AS重叠的接触孔Hf而与中继配线LW连接。接触孔Hf贯穿无机绝缘膜20，中继配线LW与电容配线C同层地(即，在无机绝缘膜18上)形成。中继配线LW经由与接触孔Hf相比形成于显示区域DA侧的接触孔Hz，与从TFT层4的显示区域DA引出的引出配线DW连接。接触孔Hz贯穿无机绝缘膜20，引出配线LW与源极配线S及漏极配线同层地(即，在无机绝缘膜20上)形成。
在非显示区域NA设置由有机材料构成的凸体Tz，凸体Tz覆盖引出配线DW的一端。接触孔Hz以与凸体Tz重叠的方式形成。由于凸体Tz的下部由与平坦化膜21同一工序形成，因此与平坦化膜21同层且由同一材料形成。由于凸体Tz的上部与发光元件层5的覆盖阳极22的边缘的堤部23b由同一工序形成，因此可以与堤部23b同层且由同一材料形成。
在将端子TM及端子配线TW设为多层构造(例如，将Al由2层Ti夹着的三明治构造)的情况下，水分容易沿配线的延伸方向移动，但根据图18的结构，通过切换为下层的中继配线LW，从而可以抑制水分的浸透。另外，通过将端子配线TW的另一端(与端子TM相连的一端的相反侧)由激光吸收膜AS覆盖，将引出配线DW的一端(非显示区域NA侧)由凸体Tz覆盖，从而可以进一步抑制水分的浸透。
在图18中，使狭缝图案SP在俯视观察时的切断线DL上形成，但并不限定于此。如图19(a)所示，也可以在俯视观察时的显示区域的外侧、且所述切断线的内侧形成狭缝图案SP。在图19(b)的显示设备2中，贯穿无机绝缘膜16·18·20、势垒层3及树脂层12的狭缝图案SP，形成在俯视观察时的显示区域DA的外侧、且支撑材料10的边缘10e的内侧。
另外，显示设备的端面2e经过狭缝图案SP的外侧。即，由狭缝图案SP穿透的无机绝缘膜16·18·20、势垒层3及树脂层12，存在于狭缝图案SP与显示设备的端面2e之间，狭缝图案SP由有机绝缘膜23e填埋。
在所述实施方式的显示设备2中，说明了支撑材料10例如是下表面薄膜(下侧的薄膜)的情况，但并不限定于此，支撑材1O也可以是聚酰亚胺基板等树脂基板(关于该情况下的树脂层12，可以去除，也可以根据需要而设置)。
本实施方式涉及的显示设备所具备的电气光学元件(根据电流而对亮度或透过率进行控制的电气光学元件)并不特别地限定。作为本实施方式涉及的显示装置，例如可以举出作为电气光学元件而具备OLED(Organic Light Emitting Diode:有机发光二极管)的有机EL(Electro Luminescence:场致发光)显示器、作为电气光学元件而具备无机发光二极管的无机EL显示器，作为电气光学元件而具备QLED(Quantumdot Light Emitting Diode:量子点发光二极管)的QLED显示器等。
〔总结〕
方式1:一种显示设备，其在支撑材料的上侧，设置包含多个无机绝缘膜在内的TFT层、发光元件层、密封层，其中，贯穿所述多个无机绝缘膜中的至少一个的狭缝图案，形成在俯视观察时的显示区域的外侧、且所述支撑材料的边缘的内侧。
方式2:在例如方式1记载的显示设备中，所述狭缝图案将所述多个无机绝缘膜的全部贯穿。
方式3:在例如方式1或者2记载的显示设备中，在与所述TFT层相比的下侧包含势垒层，所述狭缝图案将所述势垒层贯穿。
方式4:在例如方式1至3中的任意一项所述的显示设备中，在所述密封层中包含无机密封膜，在俯视观察时，所述无机密封膜的边缘形成在所述显示区域的外侧、且狭缝图案的内侧。
方式5:在例如方式1至4中的任意一项所述的显示设备中，所述显示设备的端面经过所述狭缝图案。
方式6:在例如方式1至4中的任意一项所述的显示设备中，由所述狭缝图案穿透的一个以上的所述无机绝缘膜，在所述狭缝图案与所述显示设备的端面之间存在。
方式7:在例如方式3所述的显示设备中，在与所述势垒层相比的下侧包含树脂层，所述狭缝图案到达至所述树脂层的上表面，不贯穿所述树脂层。
方式8:在例如方式6所述的显示设备中，以与所述狭缝图案重叠的方式设置半导体膜或者导电膜。
方式9:在例如方式1至8中的任意一项所述的显示设备中，所述狭缝图案由有机绝缘膜填埋。
方式10:在例如方式9所述的显示设备中，所述有机绝缘膜的至少一部分，与所述发光元件层的覆盖下侧电极的边缘的堤部由同一材料构成。
方式11:在例如方式9记载的显示设备中，所述有机绝缘膜的至少一部分，与作为所述发光元件层的基础的平坦化膜由同一材料构成。
方式12:在例如方式1至11中的任意一项所述的显示设备中，所述支撑材料是下表面薄膜或者树脂基板。
方式13:在例如方式1至12中的任意一项所述的显示设备中，所述狭缝图案由一个以上的槽状狭缝或者多个岛状狭缝构成。
方式14:在例如方式13所述的显示设备中，所述多个岛状狭缝由有机绝缘膜填埋。
方式15:在例如方式14所述的显示设备中，所述多个岛状狭缝的一个和另一个，由单独的岛状的有机绝缘膜填埋。
方式16:一种显示设备，其具备TFT层、发光元件层、密封层的显示设备，其中，在非显示区域设置端子、与所述端子连接的端子配线、覆盖所述端子配线的至少一部分的激光吸收膜。
方式17:在例如方式16记载的显示设备中，所述激光吸收膜的至少一部分，与作为所述发光元件层的基础的平坦化膜由同一材料形成。
方式18:在例如方式16或者17所述的显示设备中，所述激光吸收膜的至少一部分，与所述发光元件层的覆盖下侧电极的边缘的堤部由同一材料形成。
方式19:在例如方式16至18中的任意一项所述的显示设备中，所述激光吸收膜，与在所述TFT层包含的、与端子配线相比为上层的无机绝缘膜重叠。
方式20:在例如方式16至19中的任意一项所述的显示设备中，所述激光吸收膜与在所述密封层中包含的无机密封膜重叠。
方式21:在例如方式15至20中的任意一项所述的显示设备中，在所述激光吸收膜的上表面形成激光烧蚀痕。
方式22:一种显示设备的制造方法，其包含在与母基板相比的上侧形成包含多个无机绝缘膜在内的TFT层、发光元件层、密封层，在与所述密封层相比的上侧粘贴保护材料的工序，将由所述工序获得的层叠体从所述母基板分离，在其下表面粘贴支撑材料后在包含切断线在内的面处进行切断，其中，在所述工序中，贯穿所述多个无机绝缘膜中的至少一个的狭缝图案，形成在俯视观察时的所述切断线上或者俯视观察时的显示区域的外侧、且所述切断线的内侧。
方式23:在例如方式22记载的显示设备的制造方法中，所述狭缝图案将所有多个无机绝缘膜的全部贯穿。
方式24:在例如方式22或者23记载的显示设备的制造方法中，在与所述TFT层相比的下侧形成势垒层，所述狭缝图案将所述势垒层贯穿。
方式25:在例如方式22或者23所述的显示设备的制造方法中，使所述狭缝图案与所述TFT层的接触孔同时形成。
方式26:在例如方式22至25中的任意一项所述的显示设备的制造方法中，在所述密封层中包含无机密封膜，在俯视观察时，在所述显示区域的外侧、且狭缝图案的内侧形成所述无机密封膜的边缘。
方式27:在例如方式26所述的显示设备的制造方法中，通过使用了掩模的CVD法形成所述无机密封膜。
方式28:在例如方式22所述的显示设备的制造方法中，在所述层叠体的切断之前，在俯视观察时包含位于端子部及显示区域间的切割线在内的面处对所述保护材料进行切割。
方式29:在例如方式28所述的显示设备的制造方法中，在俯视观察时，所述切割线与所述TFT层的端子配线相交叉。
方式30:在例如方式29所述的显示设备的制造方法中，在与上述端子配线相比的上侧，形成与所述切割线重叠的激光吸收膜。
方式31:在例如方式30记载的显示设备的制造方法中，所述激光吸收膜的至少一部分，与作为所述发光元件层的基础的平坦化膜同时地形成。
方式32:在例如方式30记载的显示设备的制造方法中，所述激光吸收膜的至少一部分，与所述发光元件层的对下侧电极的边缘进行覆盖的堤部同时地形成。
方式33:在例如方式28至32中的任意一项所述的显示设备的制造方法中，利用第一激光向所述切割线的照射而对所述保护材料进行切割。
方式34:在例如方式33记载的显示设备的制造方法中，利用所述第一激光向所述切断线的照射而将所述层叠体从上表面切割至中途为止。
方式35:在例如方式34记载的显示设备的制造方法中，利用第二激光向所述切断线的照射而将所述层叠体从所述中途切割至下表面为止。
方式36:一种显示设备的制造装置，其进行在与母基板相比的上侧形成包含多个无机绝缘膜在内的TFT层、发光元件层、密封层，在与所述密封层相比的上侧粘贴保护材料的工序，将由所述工序获得的层叠体从所述母基板分离，在其下表面粘贴支撑材料后在包含切断线的面处进行切断，其中，在所述工序中，贯穿所述多个无机绝缘膜中的至少一个的狭缝图案，形成在俯视观察时的所述切断线上或者俯视观察时的显示区域的外侧、且所述切断线的内侧。
方式37:一种成膜装置，其包含于进行在与母基板相比的上侧形成包含多个无机绝缘膜在内的TFT层、发光元件层、密封层，在与所述密封层相比的上侧粘贴保护材料的工序，将由所述工序获得的层叠体从所述母基板分离，在其下表面粘贴支撑材料后在包含切断线在内的面处进行切断的显示设备的制造装置中，承担所述工序的一部分,其中，在所述工序中，贯穿所述多个无机绝缘膜中的至少一个的狭缝图案，形成在俯视观察时的所述切断线上、或者俯视观察时的显示区域的外侧、且所述切断线的内侧。
本发明并不限定于上述实施方式，对于将在不同的实施方式中分别公开的技术方法适当组合而获得的实施方式，也包含在本发明的技术范围内。并且，通过将在各实施方式中分别公开的技术方法组合从而可以形成新的技术特征。
附图标记说明
2 显示设备
4 TFT层
5 发光元件层
6 密封层
10 支撑材
12 树脂层
16 无机绝缘膜
18 无机绝缘膜
20 无机绝缘膜
21 平坦化膜
24 EL层
26 第一无机密封膜
27 有机密封膜
28 第二无机密封膜
50 母基板
70 显示设备制造装置
76 成膜装置
TM 端子
NA 非显示区域
DA 显示区域

Claims (17)

1.一种显示设备，其具备TFT层、发光元件层、密封层，其特征在于，
在非显示区域设置端子、与所述端子连接的端子配线、覆盖所述端子配线的至少一部分的激光吸收膜以及从显示区域引出并与所述端子配线连接的引出配线，
所述端子配线通过与所述端子配线不同层设置的中继配线与所述引出配线连接。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，
所述激光吸收膜的至少一部分，与作为所述发光元件层的基础的平坦化膜由同一材料形成。
3.根据权利要求1或者2所述的显示设备，其特征在于，
所述激光吸收膜的至少一部分，与所述发光元件层的覆盖下侧电极的边缘的堤部由同一材料形成。
4.根据权利要求1或者2所述的显示设备，其特征在于，
所述激光吸收膜，与在所述TFT层包含的、与端子配线相比为上层的无机绝缘膜重叠。
5.根据权利要求1或者2所述的显示设备，其特征在于，
所述激光吸收膜与在所述密封层中包含的无机密封膜重叠。
6.根据权利要求1或者2所述的显示设备，其特征在于，
在所述激光吸收膜的上表面形成激光烧蚀痕。
7.一种显示设备的制造方法，其包含在与母基板相比的上侧形成包含多个无机绝缘膜在内的TFT层、发光元件层、密封层，在与所述密封层相比的上侧粘贴保护材料的工序，将由所述工序获得的层叠体从所述母基板分离，在其下表面粘贴支撑材料后在包含切断线在内的面处进行切断，
其特征在于，
在所述工序中，贯穿所述多个无机绝缘膜中的至少一个的狭缝图案，形成在俯视观察时的所述切断线上、或者俯视观察时的显示区域的外侧、且所述切断线的内侧，
在所述层叠体的切断之前，在俯视观察时在包含位于端子部及显示区域间的切割线的面处对所述保护材料进行切割，
在俯视观察时，所述切割线与所述TFT层的端子配线相交叉，
在与上述端子配线相比的上侧，形成与所述切割线重叠的激光吸收膜，
形成从所述显示区域引出并与所述端子配线连接的引出配线，
所述端子配线通过与所述端子配线不同层设置的中继配线与所述引出配线连接。
8.根据权利要求7所述的显示设备的制造方法，其特征在于，
所述狭缝图案将所有多个无机绝缘膜的全部贯穿。
9.根据权利要求8所述的显示设备的制造方法，其特征在于，
在与所述TFT层相比的下侧形成势垒层，
所述狭缝图案将所述势垒层贯穿。
10.根据权利要求7所述的显示设备的制造方法，其特征在于，
使所述狭缝图案与所述TFT层的接触孔同时形成。
11.根据权利要求8至10中的任意一项所述的显示设备的制造方法，其特征在于，
在所述密封层中包含无机密封膜，
在俯视观察时，在所述显示区域的外侧、且狭缝图案的内侧形成所述无机密封膜的边缘。
12.根据权利要求11所述的显示设备的制造方法，其特征在于，
通过使用了掩模的CVD法形成所述无机密封膜。
13.根据权利要求7所述的显示设备的制造方法，其特征在于，
所述激光吸收膜的至少一部分，与作为所述发光元件层的基础的平坦化膜同时地形成。
14.根据权利要求7所述的显示设备的制造方法，其特征在于，
所述激光吸收膜的至少一部分，与所述发光元件层的对下侧电极的边缘进行覆盖的堤部同时地形成。
15.根据权利要求7,13至14中的任意一项所述的显示设备的制造方法，其特征在于，
利用第一激光向所述切割线的照射而对所述保护材料进行切割。
16.根据权利要求15所述的显示设备的制造方法，其特征在于，
利用所述第一激光向所述切断线的照射而将所述层叠体从上表面切割至中途为止。
17.根据权利要求16所述的显示设备的制造方法，其特征在于，
利用第二激光向所述切断线的照射而将所述层叠体从所述中途切割至下表面为止。
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