KR20200076148A - 베젤이 감소된 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 베젤이 최소화된 표시장치에 관한 것으로, 복수의 서브화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역의 외곽에 배치된 패드영역을 포함하는 기판; 각각의 서브화소에 배치된 표시소자; 상기 패드영역에 형성되어 상기 표시소자에 저전위전압을 인가하는 저전위전극; 상기 패드영역의 상기 저전위 전극 상부에 배치된 광흡수층; 및 상기 표시영역 및 상기 패드영역에 형성된 제1봉지층으로 구성된다.
Description
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 특히 패드영역을 절단함으로써 베젤의 면적을 최소화할 수 있는 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
근래 사회가 본격적인 정보화시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리하고 표시하는 표시장치(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 최근에는 특히 경량화, 박형화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD), 유기전계발광 표시장치, PDP(Plasma Display Panel), 전기영동 표시장치(electrophoretic display device) 등과 같은 평판표시장치가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube)을 대체하고 있다.
근래, 표시영역이 아닌 영역을 최소화하여 표시장치의 전체 무게 및 크기를 감소시키고 표시장치와 외관을 미려하게 하기 위해, 표시장치의 베젤의 폭을 최소화하기 위한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 이러한 베젤을 최소화하는 방법으로는 여러가지가 있을 수 있지만, 가장 효율적인 방법은 표시장치 외곽의 패드영역의 면적을 감소시키는 방법이다.
패드영역은 실제 화상이 구현되는 영역이 아니며, 표시장치의 베젤이 위치하는 영역이다. 따라서, 이 패드영역을 감소시키면 감소된 면적만큼 베젤의 면적이 감소하므로, 패드영역의 면적을 감소시키는 것이 베젤의 면적을 감소시키는 최선의 방법이다.
그러나, 유기전계발광 표시장치의 공정상의 공차나 오차 등에 의해 패드영역의 면적을 감소시키는 데에는 한계가 있으므로, 베젤의 면적을 감소시키는 데에도 한계가 있었다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 구성물의 형성후 패드영역의 일부를 절단하여 제거함으로써 패드영역의 면적을 감소시킴으로써 베젤면적을 최소화할 수 있는 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 패드영역의 절단시 하부의 금속전극이 손상되어 들뜸현상이나 이물질의 침투가 발생하는 것을 방지할 수 있는 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 표시장치는 복수의 서브화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역의 외곽에 배치된 패드영역을 포함하는 기판; 각각의 서브화소에 배치된 표시소자; 상기 패드영역에 형성되어 상기 표시소자에 저전위전압을 인가하는 저전위전극; 상기 패드영역의 상기 저전위 전극 상부에 배치된 광흡수층; 및 상기 표시영역 및 상기 패드영역에 형성된 제1봉지층으로 구성된다.
상기 저전위전극은 상기 게이트절연층 위에 배치되며, 상기 광흡수층은 상기 보호층 위에 배치되어 하부의 상기 저전위 전극의 적어도 일부를 덮는다. 상기 광흡수층은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 구성되거나 MoTi로 구성될 수 있다.
광흡수층과 저전위전극은 패드영역의 측단면을 통해 외부로 노출되며, 노출된 측단면에는 제2봉지층이 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 표시장치 제조방법은 복수의 서브화소를 포함하는 표시영역과 그 외부의 패드영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 상기 기판상의 상기 표시영역에 박막트랜지스터를 형성하고 상기 패드영역에 저전위전극을 형성하는 단계; 상기 표시영역에 발광소자를 형성하고 상기 패드영역에 상기 저전위전극과 적어도 일부가 오버랩되는 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 표시영역과 상기 패드영역에 제1봉지층을 형성하는 단계; 및 상기 저전위전극과 상기 광흡수층을 통과하는 절단선을 따라 상기 패드영역을 절단하는 단계를 포함한다.
상기 박막트랜지스터 및 상기 저전위전극을 형성하는 단계는 상기 기판상에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상에 게이트절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트절연층 상의 상기 표시영역 및 상기 패드영역 각각에 게이트전극 및 상기 저전위전극을 형성하는 단계; 상기 표시영역 및 상기 패드영역에 층간절연층을 형성하는 단계; 및 상기 층간절연층 상에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 발광소자 및 상기 광흡수층을 형성하는 단계는 상기 표시영역 및 상기 패드영역에 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층 위의 상기 표시영역 및 상기 패드영역 각각에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 이루어진 제1전극 및 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 제1전극 위에 유기발광층을 형성하는 단계; 및 상기 유기발광층 위에 금속으로 이루어진 제2전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있으며, 상기 표시영역 및 상기 패드영역에 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층 위의 상기 표시영역에 금속으로 이루어진 제1전극을 형성하는 단계; 상기 제1전극 위에 유기발광층을 형성하는 단계; 및 상기 표시영역의 유기발광층 위 및 상기 패드영역의 보호층 위에 각각 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 이루어진 제2전극 및 광흡수층을 형성하는 단계를 포함할 수도 있다.
본 발명에서는 표시장치의 제작후 패드영역의 일부를 절단하여 제거함으로써 별도의 공정의 추가나 표시장치의 구조 변경없이 간단하게 베젤면적을 최소화할 수 있게 된다.
또한, 본 발명에서는 자외선레이저와 같은 레이저빔에 의해 패드영역을 절단할 때, 해당 레이저빔에 대한 흡수율이 좋은 물질로 광흡수층을 형성하여 조사되는 레이저빔을 흡수함으로써 하부의 전극이 레이저빔에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있게 되며, 그 결과 손상에 의한 들뜸이나 이물질의 침투를 방지할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5a-도 5g는 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 구체적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5a-도 5g는 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 구체적으로 나타내는 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
본 발명에서는 베젤을 최소화할 수 있는 표시장치를 제공한다. 특히, 본 발명에서는 표시장치의 패드영역의 면적을 감소시킴으로써 베젤을 최소화할 수 있게 된다. 본 발명에서는 패드영역의 구조를 변경하거나 공정을 변경하는 것이 아니라 단순히 표시장치의 제작후 패드영역의 일부를 절단하고 제거하는 가장 직관적이고 직접적인 방법으로 패드영역의 면적을 감소시킨다.
특히, 본 발명에서는 표시장치를 구동하는데 문제가 없을 정도의 패드영역만을 남겨 놓고 나머지 패드영역은 절단하여 제거하므로, 패드영역의 면적을 최소화할 수 있으며, 결국 표시장치의 베젤을 대폭 축소시킬 수 있게 되어 내로우(narrow)베젤을 실현할 수 있게 된다.
본 발명의 패드영역의 절단은 다양한 방법에 의해 이루어질 수 있지만, 본 발명에서는 절단휠과 같은 기계적인 절단장치 및 레이저를 이용한 광학적인 절단장치에 의해 절단할 수 있다. 또한, 기계적인 절단수단과 광학적인 절단수단 모두를 이용하여 패드영역을 절단할 수 있다.
특히, 본 발명에서는 광학적인 절단수단에 의해 패드영역을 절단할 때, 광조사에 의해 표시장치 내부의 층이 손상되는 것을 방지하기 위해, 광흡수층을 구비하여 조사되는 광을 흡수함으로써, 하부 층에 광이 조사되는 것을 방지한다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 회로도이다.
본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 표시영역과 패드영역으로 구성되며, 상기 표시영역에는 복수의 서브-화소(SPX) 들을 포함한다. 각각의 서브-화소(SPX)들은 유기전계발광 표시장치에서 단색을 표시한다. 예를 들어, 각 서브-화소(SPX)는 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나의 색을 표시한다. 이 경우, 적색, 녹색, 청색 및 백색의 서브-화소(SPX)가 하나의 화소로 정의될 수 있다. 복수의 서브-화소(SPX)들은 유기전계발광 표시장치의 기판상에 매트릭스로 배열되며, 표시영역 내의 복수의 서브-화소(SPX)들 사이에 복수의 배선들이 배치될 수 있다.
또한, 패드영역에도 상기 표시영역에 배치된 배선과 전기적으로 접속되고 유기전계발광 표시장치의 발광소자에 신호를 인가하는 각종 배선들이 배치될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 각 서브화소(SPX)는 스위칭 박막트랜지스터(T1), 구동 박막트랜지스터(T2), 스토리지 커패시터(Cst), 센싱 박막트랜지스터(T3), 보조박막트랜지스터(T4) 및 발광소자(E)를 포함한다. 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 서브화소(SPX)는 4개의 박막 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함하므로, 4T1C구조로 지칭될 수 있다. 그러나, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 서브화소(SPX)의 구조는 이에 한정되는 것은 아니며, 4개의 박막트랜지스터와 2개의 커패시터를 포함하는 4T2C구조, 5개의 박막트랜지스터와 2개의 커패시터를 포함하는 5T2C구조, 6개의 박막트랜지스터와 2개의 커패시터를 포함하는 6T2C구조, 7개의 박막트랜지스터와 2개의 커패시터를 포함하는 7T2C 등 다양한 보상구조로 형성될 수 있다.
상기 서브화소(SPX)에 포함된 4개의 박막트랜지스터는 각각 반도체층, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하며, P형 박막트랜지스터 또는 N형 박막트랜지스터일 수 있다. 도 1에는 설명의 편의를 위해 N형 박막트랜지스터를 도시하였다.
상기 스위칭 박막트랜지스터(T1)는 데이터라인과 연결된 드레인전극, 제1노드(N1)에 연결된 소스전극 및 게이트라인에 연결된 게이트전극을 포함한다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(T1)는 게이트구동부로부터 게이트라인에 인가되는 게이트 전압(Vg)에 기초하여 턴-온(turn-on)되며, 데이터구동부로부터 데이터라인에 인가되는 데이터전압(Vdata)을 제1노드(N1)에 충전한다.
상기 구동 박막트랜지스터(T2)는 고전위 배선(즉, Vdd배선)과 연결된 드레인전극, 발광소자(E)의 애노드와 연결된 소스전극 및 제1노드(N1)와 연결된 게이트전극을 포함한다. 상기 구동 박막트랜지스터(T2)는 제1노드(N1) 전압이 문턱전압(threshold voltage; Vth)보다 높은 경우 턴온되고, 제1노드(N1) 전압이 문턱전압 보다 낮은 경우 턴-오프(turn-off)되며, Vdd배선으로부터 전달받은 구동전류를 발광소자(E)로 전달한다.
상기 스토리지 커패시터(Cst)는 제1노드(N1)와 연결된 전극 및 구동 박막트랜지스터(T2)의 소스전극에 연결된 전극을 포함한다. 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 발광소자(E)가 발광하는 발광시간(emission time) 동안 구동 박막트랜지스터(T2)의 게이트전극과 소스전극 사이의 전위차를 유지시킴으로써, 발광소자(E)에 일정한 구동전류가 전달되도록 한다.
상기 센싱 박막트랜지스터(T3)는 구동 박막트랜지스터(T2)의 소스전극과 연결된 드레인전극, 기준(reference)배선과 연결된 소스전극 및 센싱 게이트라인과 연결된 게이트전극을 포함한다. 센싱 박막트랜지스터(T3)는 구동 박막트랜지스터(T2)의 문턱전압을 센싱하기 위한 박막트랜지스터이다.
보조 박막트랜지스터(T4)는 발광소자(E)의 캐소드와 전기적으로 연결된 드레인전극, 기준배선과 전기적으로 연결된 소스전극 및 보조게이트라인과 전기적으로 연결된 게이트전극을 포함한다. 보조 박막트랜지스터(T4)는 발광구간에서 턴온되고, 발광소자(E)의 캐소드에 저전위전압(즉, Vss 전압)을 전달한다.
도 2는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 실제 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치(100)는 표시영역(AA)과 상기 표시영역(AA)의 외곽에 형성된 패드영역(NA1,NA2)을 포함한다.
도면에는 도시하지 않았지만, 상기 표시영역(AA)은 복수의 게이트라인과 데이터라인에 의해 정의되는 복수의 서브화소(SPX)가 형성되어 실제 영상이 구현되며, 각각의 서브화소(SPX)에는 스위칭소자인 구동 박막트랜지스터, 스위칭 박막트랜지스터, 센싱 박막트랜지스터, 보조 박막트랜지스터가 배치된다. 또한, 각각의 서브화소(SPX)에는 영상구현부가 형성되어 박막트랜지스터를 통해 외부로부터 입력되는 화상신호에 의해 실제 영상을 표시한다.
상기 표시장치(100)가 유기전계발광 표시장치인 경우 상기 영상구현부는 유기발광층을 포함하며, 상기 표시장치(100)가 액정표시장치인 경우 상기 영상구현부는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 표시장치(100)가 전기영동 표시장치인 경우 상기 영상구현부는 전기영동을 포함한다. 이와 같이, 본 발명의 표시장치(100)는 특정 종류의 표시장치에 한정되는 것이 아니라 다양한 표시장치에 적용될 수 있을 것이다.
상기 표시장치(100)의 패드영역(NA1,N2)은 표시영역(AA)의 상단측에 형성된 제1패드영역(NA1)과 표시영역(AA)의 좌우측과 하단측에 형성된 제2패드영역(NA2)을 포함한다.
상기 제1패드영역(NA1)에는 복수의 FPC(Flexible Printed Circuit;182)가 부착되며, 각각의 FPC(182)에는 데이터구동부(184)가 실장되어 타이밍제어부(도면표시하지 않음)로부터 입력되는 데이터제어신호에 따라 기준감마전압을 이용하여 상기 타이밍제어부로부터 입력되는 화소데이터를 아날로그형태의 데이터전압으로 변환하고, 변환된 데이터전압을 해당 서브화소(SPX)의 데이터라인을 통해 표시영역(AA)으로 공급한다.
도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제1패드영역(NA1)에는 복수의 패드가 형성되어 상기 FPC(182)가 표시장치(100)에 부착될 때 FPC(182)의 회로배선이 상기 패드와 전기적으로 접속된다.
상기 FPC(182)에 실장된 데이터구동부(184)로부터 출력된 제어신호는 상기 FPC(182)에 형성된 회로배선 및 표시장치(100)의 제1패드영역(NA)에 형성된 패드를 통해 입력된 후 표시영역(AA)으로 전달된다.
또한, 상기 표시장치(100)의 제1패드영역(NA1)에는 패드와 표시영역(AA)을 전기적으로 접속하는 각종 신호배선(148)이 형성되어, 상기 데이터구동부(184)로부터 출력되는 제어신호를 표시영역(AA)으로 전달한다. 상기 신호배선(148)은 고전위 전압을 인가하는 Vdd배선, 구동전압을 인가하는 Vdata배선, 기준전압을 인가하는 Vref배선일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 제2패드영역(NA2)에는 표시영역(AA)의 화소영역 각각에 배치된 발광소자(EO의 캐소드전극에 저전위전압(Vss전압), 즉 캐소드전압 또는 공통전압을 인가하는 저전위전극(142)이 배치된다.
이때, 도면에서는 상기 저전위전극(142)이 설정된 폭으로 표시영역(AA)의 둘레의 제2패드영역(NA2)의 일부에 형성되어 있지만, 상기 저전위전극(142)은 제2패드영역(NA2) 전체 영역에 걸쳐 형성될 수 있다.
상기 표시영역(AA) 내의 서브화소(SPX)에 형성되는 발광소자(E)의 애노드전극과 유기발광층은 서브화소(SPX) 내에만 형성되어 서브화소(SPX) 별로 각각 다른 신호가 인가되어 서브화소(SPX) 별로 다른 컬러가 표시되며, 이들 서브화소(SPX)에 표시되는 컬러가 합쳐져 영상이 표시된다. 그러나, 캐소드전극은 서브화소(SPX) 별로 형성되는 것이 아니라, 표시영역(AA) 전체에 걸쳐 일체로 형성되어 표시영역(AA) 내의 모든 서브화소(SPX)에 동일한 저전위전압(Vss)이 인가된다.
한편, 상기 저전위전극(142)은 표시영역(AA)의 캐소드전극과 전기적으로 접속되어 외부의 전압원으로부터 인가되는 저전위전압(Vss)이 상기 저전위전극(142)을 통해 표시영역(AA) 내의 캐소드전극으로 입력된다. 따라서, 저전위전극(142) 역시 캐소드전극과 마찬가지로 제2패드영역(NA2) 전체에 걸쳐 형성되어 상기 저전위전극(142)이 캐소드전극의 외곽 전체 영역과 접속되어 표시영역(AA) 내에 저전위전압이 인가된다.
상기 제2패드영역(NA)에는 컨택전극이 형성되어 상기 저전위전극(142)과 전기적으로 접속되어 패드를 통해 입력되는 저전위전압을 상기 저전위전극(142)으로 공급할 수 있다.
도면에는 도시하지 않았지만, 상기 표시영역(AA)의 좌우측 제2패드영역(NA2)에는 게이트구동부가 배치되어 외부로부터 인가되는 게이트제어신호에 따라 게이트신호를 출력하여 표시영역(AA)의 게이트라인으로 입력한다.
상기 게이트구동부는 IC칩형태로 제2패드영역(NA2)에 부착될 수 있다(Chip On Glass). 또한, 상기 게이트구동부는 GIP(Gate In Panel)회로부 형태로 제2패드영역(NA2)에 직접 형성될 수 있다. 상기 GIP회로부는 쉬프트레지스터(shift resister)를 포함하는 복수의 스테이지(stage)부로 구성되며, 상기 스테이지부는 게이트구동신호를 출력하는 풀-업 트랜지스터, 풀-다운 트랜지스터, 상기 풀-업 트랜지스터와 풀-다운 트랜지스터에 각종 신호를 입력하고 출력하는 GIP배선으로 구성되어 표시영역(AA)의 게이트라인을 통해 게이트신호를 입력한다.
상기 게이트제어신호는 제1패드영역(NA1)의 상단측에 부착된 FPC(182)를 통해 게이트구동부로 입력될 수 있다.
상기와 같은 구조의 유기전계발광 표시장치(100)는 제2패드영역(NA2)의 일부가 제거되기 전의 구조이다. 본 발명의 유기전계발광 표시장치(100)는 상기와 같은 구조의 유기전계발광 표시장치에서 제2패드영역(NA2)의 일부를 절단하여 분리함으로써 완성된다.
즉, 상기와 같은 구조의 유기전계발광 표시장치(100)를 제작한 후, 상기 제2패드영역(NA2)에 형성된 절단선(C)을 따라 제2패드영역(NA2)의 좌우측 및 하측의 일부를 절단하여 제거한다. 이러한 제2패드영역(NA2)의 일부를 절단선(C)을 따라 절단함으로써 최종 제작되는 유기전계발광 표시장치(100)는 절단선(C)을 따라 절단면(즉, 측단면)을 가진 제2패드영역(NA2)를 포함하게 된다.
상기 제1패드영역(NA1)에는 FPC(184)가 부착되는 패드와 각종 제어배선(148)이 형성되는 반면에, 제2패드영역(NA2)에는 저전위전압(Vss)이 인가되는 저전위전극(142)만이 형성된다. 따라서, 제1패드영역(NA1)을 절단하는 경우에는 패드와 각종 제어배선(148)이 제거되어 표시영역(AA)에 신호를 공급할 수 없게 되므로, 제1패드영역(NA1)은 일부 영역이 절단에 의해 제거될 수 없다.
반면에, 제2패드영역(NA1)은 전체 영역에 거쳐 저전위전극(142)이 형성되어 일부의 저전위전극(142)이 제거되어도 발광소자(E)에 저전위전압(Vss)을 공급하는데 문제가 없으므로, 상기 제2패드영역(NA2)은 그 일부가 절단되어 제거될 수 있다.
특히, 제2패드영역(NA2)에 형성되는 저전위전극(142)은 표시영역(AA)의 캐소드전극에 저전위전압을 인가하는 역할만을 할 뿐만 아니라 표시영역(AA)의 외곽 둘레를 따라 긴 영역에 형성되므로, 저전위전극(142)과 캐소드전극은 긴 영역으로 접촉된다. 따라서, 제2패드영역(NA2)의 일부를 제거하여도 저전위전극(142)과 캐소드전극 사이의 접촉 영역의 감소에 따른 신호지연이나 저항증가에 의한 발열 등과 같은 문제가 발생하지 않게 된다.
이와 같이, 제2패드영역(NA2)의 절단에 의해 유기전계발광 표시장치(100)의 베젤면적을 감소시킬 수 있다. 특히, 캐소드전극에 저전위전압(Vss)을 원활하게 인가할 수 있을 정도만을 남겨 놓고 제2패드영역(NA2)의 최대한 절단을 절단할 수 있으므로, 유기전계발광 표시장치(100)의 베젤면적을 최대한 감소시킬 수 있게 된다.
도 3은 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치(100)의 구조를 구체적으로 나타내는 도 2의 I-I'선 단면도로서, 이 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치(100)를 좀 더 자세히 설명한다. 이때, 도면에서는 유기전계발광 표시장치를 예를 들어 설명하지만, 본 발명이 유기전계발광 표시장치에 한정되는 것이 아니라 액정표시장치나 전기영동 표시장치에도 적용될 수 있을 것이다. 또한, 이 도면에 도시된 유기전계발광 표시장치(100)의 구조는 제2패드영역(NA2)이 제거되기 전의 구조이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 표시장치(100)의 표시장치(100)는 표시영역(AA) 및 그 외곽에 배치된 제2패드영역(NA2)으로 구성된다.
상기 표시영역(AA)의 제1기판(110) 위에는 광차단층(111)이 형성되며, 상기 광차단층(light shielding layer;111)이 형성된 제1기판(110) 전체에 걸쳐(즉, 표시영역(AA) 및 제2패드영역(NA2) 전체에 걸쳐) 버퍼층(122)이 형성된다. 상기 버터층(122) 위에는 구동 박막트랜지스터가 배치된다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 표시영역(AA)에는 스위칭 박막트랜지스터와, 센싱 박막트랜지스터 및 보조박막트랜지스터 등의 박막트랜지스터가 형성될 수 있다.
상기 제1기판(110)으로는 유리와 같이 단단한 투명물질을 사용할 수도 있고 폴리이미드(polyimide)와 같이 투명하고 플렉서블(flexible)한 플라스틱물질을 사용할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
광차단층(111)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 이들의 합금 등과 같은 금속으로 형성되지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 광차단층(111)은 구동 박막트랜지스터로 입력되는 광을 차단하여, 광전효과에 의해 구동 박막트랜지스터에 오프전류(off current)가 발생하는 것을 방지한다.
상기 버퍼층(122)은 무기층으로 이루어진 단일층 또는 무기층과 유기층으로 이루어진 복수의 층으로 구성될 수 있다. 이때, 무기층으로는 SiOx나 SiNx와 같은 무기물을 사용할 수 있고 유기층으로는 포토아크릴과 같은 유기물을 사용할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 구동 박막트랜지스터는 표시영역(AA)에 형성된 복수의 화소영역 각각에 배치된다. 상기 구동 박막트랜지스터는 상기 버퍼층(122) 위에 형성된 반도체층(112)과, 상기 반도체층(112)이 형성된 제1기판(110) 전체에 걸쳐 형성된 게이트절연층(124)과, 상기 게이트절연층(124) 위에 형성된 게이트전극(114)과, 상기 게이트전극(114)을 덮도록 제1기판(110) 전체에 걸쳐 형성된 층간절연층(126)과, 상기 층간절연층(126)에 형성된 컨택홀을 통해 각각 반도체층(112)과 접촉하는 소스전극(116) 및 드레인전극(117)으로 구성된다.
상기 반도체층(112)은 결정질 실리콘 또는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)와 같은 산화물반도체로 형성할 수 있으며, 이때 상기 산화물반도체층은 중앙영역의 채널층과 양측면의 도핑층으로 이루어져 소스전극(116) 및 드레인전극(117)이 상기 도핑층과 접촉한다. 또한, 상기 반도체층(112)은 비정질실리콘(amorphous silicon) 또는 유기반도체물질로 구성될 수도 있다.
상기 게이트전극(114)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등과 같은 금속으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, 게이트절연층(124)은 SiOx나 SiNx와 같은 무기물로 이루어진 단일층 또는 SiOx과 SiNx의 2층 구조의 무기층으로 이루어질 수 있다. 도면에서는 상기 게이트절연층(124)이 제1기판(110) 전체에 걸쳐 형성되지만, 상기 게이트전극(114)의 하부에만 형성될 수도 있다. 또한, 층간절연층(126)은 SiOx과 SiNx와 같은 무기물로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 소스전극(116) 및 드레인전극(117)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금으로 구성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 도면 및 상술한 설명에서는 구동 박막트랜지스터가 특정 구조로 구성되지만, 본 발명의 구동 박막트랜지스터가 도시된 구조에 한정되는 것이 아니라, 현재 알려진 모든 구조의 박막트랜지스터가 적용될 수 있다.
상기 구동 박막트랜지스터가 형성된 제1기판(110) 전체에 걸쳐 보호층(128)이 형성된다. 상기 보호층(128)은 무기물로 이루어진 단일층, 무기물과 유기물로 이루어진 복수의 층으로 구성될 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 보호층(128) 위에는 유기물로 이루어진 평탄화층이 형성될 수도 있다.
상기 보호층(128) 위에는 유기발광소자(E)가 형성되어 상기 보호층(128)에 형성된 컨택홀을 통해 박막트랜지스터의 드레인전극(117)과 전기적으로 접속된다.
상기 유기발광소자(E)는 컨택홀을 통해 박막트랜지스터의 드레인전극(117)과 접속되는 제1전극(132)과, 상기 제1전극(132) 위에 형성된 유기발광층(134)과, 상기 유기발광층(134) 위에 형성된 제2전극(136)으로 구성된다.
상기 제1전극(132)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 금속산화물로 구성될 수도 있다.
상기 제2전극(136)은 Ca, Ba, Mg, Al, Ag 등과 같은 금속이나 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있다. 이때, 상기 제2전극(136)은 반사막으로 작용하여, 유기발광층(134)에서 발광된 광을 하부방향(즉, 제1기판(110)의 방향)으로 반사할 수 있다.
또한, 상기 제1전극(132)을 Ca, Ba, Mg, Al, Ag 등과 같은 금속이나 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성할 수도 있고 제2전극(136)을 ITO나 IZO와 같은 투명한 금속산화물로 구성할 수도 있다.
본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치가 유기발광층(134)에서 발광된 광이 하부방향, 즉 제1기판(110)측으로 출력되는 하부발광 표시장치인 경우 상기 제1전극(132)은 투명한 금속산화물로 구성되고 제2전극(136)은 광을 반사하는 금속이나 금속화합물로 구성되며, 유기전계발광 표시장치가 유기발광층(134)에서 발광된 광이 상부방향으로 출력되는 상부발광 표시장치인 경우, 상기 제1전극(132)이 반사막의 역할을 하는 금속이나 금속화합물로 구성되고 제2전극(136)이 투명한 금속산화물로 구성된다.
상기 유기발광층(134)은 R,G,B화소에 형성되어 적색광을 발광하는 R-유기발광층, 녹색광을 발광하는 G-유기발광층, 청색광을 발광하는 B-유기발광층일 수 있으며, 표시장치 전체에 걸쳐 형성되어 백색광을 발광하는 백색 유기발광층일 수 있다. 유기발광층(134)이 백색 유기발광층인 경우, R,G,B 화소의 백색 유기발광층의 상부 영역에는 R,G,B 컬러필터층이 형성되어 백색 유기발광층에서 발광되는 백색광을 적색광, 녹색광, 청색광으로 변환시킨다. 백색 유기발광층은 R,G,B의 단색광을 각각 발광하는 복수의 유기물질이 혼합되어 형성되거나 R, G, B의 단색광을 각각 발광하는 복수의 유기발광층이 적층되어 형성될 수 있다.
상기 유기발광층은 유기발광물질이 아닌 무기발광물질, 예를 들면 퀀텀닷(quantum dot) 등을 구성된 무기발광층일 수 있다.
유기발광층(134)에는 발광층뿐만 아니라 발광층에 전자 및 정공을 각각 주입하는 전자주입층 및 정공주입층과 주입된 전자 및 정공을 유기층으로 각각 수송하는 전자수송층 및 정공수송층 등이 형성될 수도 있다.
상기 보호층(128) 위의 화소의 경계영역에는 뱅크층(bank lyaer;130)이 형성된다. 상기 뱅크층(130)은 일종의 격벽으로서, 각 화소를 구획하여 인접하는 화소에서 각각 출력되는 다른 컬러의 광이 서로 혼합되어 출력되는 것을 방지할 수 있다.
도면에서는 상기 뱅크층(130)의 일부가 제1전극(132) 위에 형성되지만, 상기 뱅크층(130)이 보호층(128) 위에만 형성되고 제1전극(132)이 상기 뱅크층(130)의 측면 위로 연장되어 형성될 수도 있다. 이와 같이, 제1전극(132)을 뱅크층(130)의 측면위에 연장하는 경우, 뱅크층(130)과 보호층(128)의 경계의 모서리영역에도 제1전극(132)이 형성되므로, 이 영역의 유기발광층(134)에도 신호가 인가되어 모서리 영역에서도 발광이 일어나, 이 영역에서도 화상이 구현될 수 있게 된다. 따라서, 화소내의 화상이 표시되지 않는 비표시영역을 최소화할 수 있게 된다.
상기 발광소자(E)와 뱅크층(130)의 상부에는 봉지층(152)이 형성된다. 상기 봉지층(152)은 SiNx와 SiX 등의 무기층로 구성된 단층으로 구성될 수도 있지만, 무기층 및 포토아크릴, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌,폴리아릴레이트 등과 같은 유기층의 이중으로 층으로 구성될 수도 있고 무기층/유기층/무기층의 복수의 층으로 구성될 수도 있다.
상기 봉지층(152) 위에는 투명한 접착제(도면표시하지 않음)에 의해 제2기판(150)이 부착된다. 상기 접착제로는 부착력이 좋고 내열성 및 내수성이 좋은 물질이라면 어떠한 물질을 사용할 수 있지만, 본 발명에서는 에폭시계 화합물, 아크릴레이트계 화합물 또는 아크릴계 러버과 같은 열경화성 수지를 사용할 수 있다. 그리고, 상기 접착제로서 광경화성 수지 또는 열경화성수지를 사용할 수도 있으며, 이 경우 접착제에 자외선과 같은 광 또는 열을 인가함으로써 경화시킨다.
상기 제2기판(150)은 유기전계발광 표시장치를 봉지하기 위한 봉지캡(encapsulation cap)으로서, PS(Polystyrene)필름, PE(Polyethylene)필름, PEN(Polyethylene Naphthalate)필름 또는 PI(Polyimide)필름 등과 같은 보호필름을 사용할 수 있다.
한편, 상기 제2패드영역(NA2)의 제1기판(110)의 게이트절연층(124) 위에는 전전위 저전위전극(142)이 형성된다. 상기 저전위전극(142)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등과 같은 금속으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 저전위전극(142)은 구동 박막트랜지스터의 게이트전극(114)과 동일한 금속으로 동시에 형성될 수 있지만, 다른 금속으로 다른 공정에 의해 형성될 수도 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 저전위전극(142)은 제1패드영역(NA1)의 상단에 형성된 패드를 통해 외부와 전기적으로 접속되어 외부로부터 저전위전압이 인가된다.
상기 제2패드영역(NA2)의 보호층(128) 위에는 연결전극(144)이 형성되어, 상기 층간절연층(126) 및 보호층(128)에 형성된 컨택홀(126a)을 통해 상기 저전위전극(142)과 접속된다. 또한, 상기 연결전극(144)은 표시영역(AA)의 발광소자(E)의 제2전극(136)과 접속되어, 상기 저전위전극(142)에 인가되는 저전위전압(Vss)을 상기 제2전극(136)으로 전달한다.
상기 연결전극(144)은 투명한 금속산화물이나 불투명한 금속으로 구성될 수 있다. 표시장치(100)가 하부발광 유기전계발광 표시장치인 경우, 상기 연결금속(144)은 ITO나 IZO와 같은 투명한 금속산화물로 구성되어 발광소자(E)의 제1전극(132)과 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다. 또한, 표시장치(100)가 상부발광 유기전계발광 표시장치인 경우, 상기 연결금속(144)은 금속으로 구성되어 발광소자(E)의 제1전극(132)과 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다.
한편, 도면에서는 별도의 연결전극(144)이 구비되어 저전위전압(Vss)이 인가되는 저전위전극(142)과 발광소자(E)의 제2전극(136)을 연결하지만, 별도의 연결전극(144)의 구성없이, 발광소자(E)의 제2전극(136)이 제2패드영역(NA2)의 컨택홀(126a) 내부까지 연장되어 상기 발광소자(E)의 제2전극(136)이 직접 저전위전극(142)과 전기적으로 접속할수 있다.
제2패드영역(NA2)의 보호층(128) 위에는 광흡수층(138)이 형성된다. 상기 광흡수층(138)은 특정 파장의 광에 대한 흡수율이 좋은 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광흡수층(138)은 ITO나 IZO와 같은 금속산화물로 구성될 수 있으며, 이때 상기 광흡수층(138)은 발광소자(E)의 제1전극(132)과 동시에 형성될 수도 있고(하부발광 유기전계발광 표시장치인 경우) 발광소자(E)의 제2전극(136)과 동시에 형성될 수도 있다(상부발광 유기전계발광 표시장치인 경우).
상기 광흡수층(138)은 상기 보호층(128) 상에 상기 저전위전극(144)과 오버랩되도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 광흡수층(138)은 저전위전극(144)을 완전히 덮도록 형성될 수도 있고 일부 영역과 오버랩되도록 형성될 수도 있다.
상기와 같이 제작된 유기전계발광 표시장치(100)는 제2패드영역(NA2)을 절단선(C)을 따라 절단하고 절단된 부분을 제거함으로써 완전히 완성된다. 이때, 상기 절단선(C)은 저전위전극(144) 및 광흡수층(138)을 따라 형성되어, 절단에 의해 저전위전극(144) 및 광흡수층(138)의 일부가 제2패드영역(NA2)으로부터 분리되어 제거된다.
이후, 자세히 설명되지만, 유기전계발광 표시장치(100)의 제2패드영역(NA2)은 다양한 절단장치에 의해 절단될 수 있다. 예를 들어, 이러한 절단장치로는 절단휠이나 레이저를 사용할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 특히, 유기전계발광 표시장치(100) 는 서로 다른 2종류의 절단장치에 의해 절단될 수 있는데, 그 이유는 유기전계발광 표시장치(100)를 구성하는 구성물이 재질이 서로 다르기 때문이다.
예를 들어, 유기전계발광 표시장치(100)의 상층에는 무기물이나 유기물로 이루어진 봉지층(152), 광경화성 수지나 열경화성 수지로 구성된 접착제, PS, PE, PEN 또는 PI 등의 폴리머로 이루어진 제2기판(150)으로 구성되는 반면에, 유기전계발광 표시장치(100)의 하층에는 유리로 구성된 제1기판(110)이나 금속으로 이루어진 저전위전극(142)이 형성된다.
따라서, 상대적으로 약한 재질로 구성된 제2패드영역(NA2)의 상층은 자외선레이저와 같은 약한 파워의 레이저를 절단장치로 사용하고 절단하며, 상대적으로 강한 재질의 하층은 기계적인 절삭공구인 절단휠이나 상대적으로 강한 파워의 CO2 레이저 등을 사용할 수 있다.
상기 광흡수층(138)은 2개의 절단장치에 의해 제2패드영역(NA2)을 절단할 때 불량이 발생하는 것을 방지하기 위해 구비되는데, 이하에서는 이에 대해 자세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 개략적으로 나타내는 플로우챠트이고 도 5a-도 5g는 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 구체적으로 나타내는 단면도이다. 실질적으로 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치(100)는 매트릭스형상으로 배열된 복수의 서브화소(SPX)가 형성된 표시영역(AA)과 2개의 패드영역(NA1, NA2)으로 구성되지만, 도면에서는 설명의 편의를 위해 표시영역(AA)의 외곽의 서브화소(SPX)와 그에 인접하는 제2패드영역(NA2)만을 도시하였다.
도 4 및 도 5a에 도시된 바와 같이, 우선 표시영역(AA) 및 제2패드영역(NA2)을 포함하는 제1기판(110)을 제공한 후, 상기 제1기판(110) 위의 표시영역(AA)에 차광층(111)을 형성한다. 상기 제1기판(110)은 유리와 같이 경직된 투명물질로 구성될 수도 있고 폴리이미드(polyimide)와 같은 플렉서블(flexible)한 플라스틱(plastic)물질로 구성될 수 있다.
상기 차광층(111)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 이들의 합금을 스퍼터링(sputtering)법에 의해 적층한 후, 식각하여 형성될 수 있다. 예를 들어, MoTi를 사용하는 경우, 상기 차광층(111)은 약 700-1300Å의 두께로 형성될 수 있다.
이어서, 제1기판(110) 전체에 걸쳐 CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의해 SiOx나 SiNx 등과 같은 무기물을 적층하거나, 무기물과 유기물을 차례로 적층하여 버퍼층(122)을 형성한다.
그 후, 제1기판(110) 전체에 걸쳐 결정질 실리콘 또는 IGZO와 같은 산화물반도체를 CVD법에 의해 적층하고 식각하여 표시영역(AA)에 반도체층(112)을 형성한 후, 제1기판(110) 전체에 걸쳐 SiOx나 SiNx 등과 같은 무기물을 적층하여 게이트절연층(124)을 형성한다.
이어서, 상기 게이트절연층(124) 위의 제1패드영역(NA1)의 반도체층(112) 상부에 게이트전극(114)을 형성하고 제2패드영역(NA2)에 저전위전극(142)을 형성한다. 이때, 상기 게이트전극(114) 및 저전위전극(142)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 이들의 합금을 스퍼터링법에 의해 적층하고 식각함으로써 동시에 형성할 수 있다. 그러나, 상기 게이트전극(114) 및 저전위전극(142)은 서로 다른 금속으로 별도의 공정에 의해 형성할 수도 있다.
그 후, 도 4 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1기판(110) 전체에 걸쳐 무기물 또는 무기물/유기물을 적층하여 층간절연층(126)을 형성한 후, 그 상부의 표시영역(AA)에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 이들의 합금을 스퍼터링법에 의해 적층하고 식각하여 상기 반도체층(112)과 접촉되는 소스전극(116) 및 드레인전극(117)을 형성하여 박막트랜지스터를 형성한다(S101).
이어서, 도 4 및 도 5c에 도시된 바와 같이, 제1기판(110) 전체에 걸쳐 유기물 또는 유기물/무기물/유기물을 적층하고 식각하여 보호층(128)을 형성한 후, 그 상부에 ITO나 IZO와 같은 금속산화물을 적층하고 식각하여 표시영역(AA)에 박막트랜지스터의 드레인전극(117)과 접속되는 제1전극(132)을 형성하고 제2패드영역(NA2)에 연결전극(144) 및 광흡수층(138)을 형성한다(S102). 상기 제1전극(132)과 연결전극(144) 및 광흡수층(138)은 약 900-1300Å의 두께로 형성될 수 있다.
이와 같이, 상기 제1전극(132), 연결전극(144) 및 광흡수층(138)은 동일 공정에 의해 한꺼번에 형성될 수도 있지만, 다른 공정에 의해 별개로 형성될 수도 있다. 또한, 상기 연결전극(144)과 광흡수층(138)을 일체로 형성할 수도 있다.
이때, 제2패드영역(NA2)의 보호층(128)의 식각시 하부의 층간절연연층(126)도 식각되어 상기 층간절연층(126) 및 보호층(128)에는 저전위전극(142)의 일부가 노출되는 컨택홀(126a)이 형성되며, 상기 연결전극(144)은 컨택홀(126a)의 내부로 연장되어 저전위전극(142)과 전기적으로 접속된다.
한편, 상기 제1전극(132)이 금속으로 형성되는 경우, 제2패드영역(NA2)에는 제1전극(132)의 형성과 동시에 금속으로 구성된 연결전극(144)이 형성될 수 있으며, 이 경우에는 상기 광흡수층(138)이 상기 제1전극(132) 및 연결전극(144)과 동시에 형성되지 않는다.
그 후, 도 4 및 도 5d에 도시된 바와 같이, 제1기판(110)에 폴리이미드와 같은 유기물을 적층하고 패터닝하여 화소영역과 화소영역 사이, 표시영역(AA)과 패드영역(NA1, NA2) 사이에 뱅크층(130)을 형성한다. 이어서, 표시영역(AA)의 상기 뱅크층(130)들 사이의 제1전극(132) 위에 유기발광층(134)을 형성한 후, 그 위에 제2전극(136)을 형성한다(S103).
상기 유기발광층(134)은 메탈마스크를 이용하여 R,G,B 유기발광물질을 대응하는 서브화소(SPX)에 열증착함으로써 형성할 수 있고, 용액상태의 R,G,B 유기발광물질을 대응하는 서브화소(SPX)에 직접 적하하여 형성할 수도 있다.
상기 제2전극(136)은 제1기판(110) 전체에 걸쳐서 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 이들의 합금을 스퍼터링법에 의해 적층하고 식각함으로써 형성한다. 이때, 상기 제2전극(136)은 제2패드영역(NA2)까지 연장되어 연결전극(144)과 전기적으로 접속된다.
한편, 제2전극(136)은 ITO나 IZO와 같은 투명한 금속산화물을 적층하고 식각하여 형성될 수 있다. 이때, 제2전극(136)과 동시에 광흡수층(138)이 형성될 수도 있다.
그 후, 도 4 및 도 5e에 도시된 바와 같이, 제1기판(110) 전체에 걸쳐 봉지층(152)을 적층한 후, 접착제에 의해 제2기판(150)을 합착한다(S104, S105).
상기 봉지층(152)은 무기층, 무기층/유기층/, 무기층/유기층/무기층으로 구성될 수 있다. 이때, 무기층은 SiNx와 SiX 등으로 구성될 수 있으며, 유기층은 포토아크릴, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌,폴리아릴레이트 등으로 구성될 수 있다.
이어서, 도 4 및 도 5f에 도시된 바와 같이, 제2패드영역(NA2)의 제1기판(110) 및 제2기판(150) 측에 제1절단장치(192) 및 제2절단장치(194)를 배치한 후, 상기 제1절단장치(192) 및 제2절단장치(194)를 구동하여(S106), 도 5g에 도시된 바와 같이 절단된 패드영역(C-PAD)을 표시장치로부터 분리함으로써, 최종적으로 유기전계발광 표시장치(100)를 완성한다.
이때, 제1기판(110) 및 제2기판(150)의 절단은 절단선(C)을 따라 진행되며, 상기 절단선(C)는 저전위전극(142)과 광흡수층(138)을 지나간다. 따라서, 상기 제1절단장치(192) 및 제2절단장치(194)에 의해, 제1기판(110) 및 제2기판(150), 버퍼층(122), 게이트절연층(124), 층간절연층(126), 저전위전극(142), 광흡수층(138), 봉지층(152)이 상기 절단선(C)을 따라 절단된다.
도면에는 도시하지 않았지만, 상기 절단된 패드영역(C-PAD)은 상기 제1절단장치(192) 및 제2절단장치에 의해 유기전계발광 표시장치(100)의 전체 층에 직접 물리적 및 광학적 에너지가 인가되어 절단될 수 있다. 또한, 상기 절단된 패드영역(C-PAD)은 상기 제1절단장치(192) 및 제2절단장치에 의해 유기전계발광 표시장치(100)의 상층 및 하층 일부에만 물리적 및 광학적 에너지가 전달되어 이 영역만을 절단하여 절단선(C)을 따라 크랙을 형성한 후, 절단선(C) 또는 인접한 영역에 압력을 인가하여 크랙을 유기전계발광 표시장치(100) 전체에 전파함으로써 분리될 수도 있다.
이때, 상기 제1절단장치(192)는 제1기판(110)과 저전위전극(142) 등을 절단하며, 제2절단장치(194)는 제2기판(150) 및 봉지층(152) 등을 절단한다. 즉, 제1절단장치(192)는 상대적으로 단단한 유리와 금속 등을 절단하므로, 기계적인 절삭공구인 절단휠(cutting wheel)을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 제1절단장치(192)가 이러한 기계적인 절단장치에 한정되는 것이 아니라, 상대적으로 파워가 높은 CO2레이저를 사용할 수도 있다. 제2절단장치(194)는 상대적으로 단단하지 않은 절연층을 절단하므로, 자외선레이저와 같은 레이저장치를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 제1절단장치(192)와 제2절단장치(194)는 각각 제1기판(110) 및 제2기판(150)과 마주하도록 배치한 후, 동시에 구동하여 제2패드영역(NA2)을 제거할 수도 있고, 상기 제1절단장치(192)와 제2절단장치(194)를 순차적으로 구동하여 절단할 수도 있다.
상기 제2절단장치(194)인 자외선레이저에 의해 제2기판(150) 및 봉지층(152)을 절단할 때, 자외선은 제2기판(150)과 봉지층(152) 뿐만 아니라 그 하부의 보호층(128)과 층간절연층(126) 및 저전위전극(142)에도 조사된다. 일반적으로 보호층(128)과 층간절연층(126)을 형성하는 무기물이나 유기물은 자외선파장대의 광에 대한 흡수율이 약 20-30%에 불과하므로, 조사된 대부분의 광이 보호층(128)과 층간절연층(126)을 그대로 투과한다.
그러나, Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al과 같은 금속으로 구성된 저전위전극(142)에 자외선이 조사되는 경우, 저전위전극(142)이 융용되며, 이러한 용융에 의해 저전위전극(142)이 손상된다. 자외선이 조사되는 영역은 유기전계발광 표시장치(100)의 측단면으로 노출되는 제2패드영역(NA2)의 절단면이다. 이러한 저전위전극(142)의 손상은 완성된 유기전계발광 표시장치(100)의 측단면을 통해 결함을 외부로 노출시키는 결과를 야기한다.
따라서, 이러한 측단면의 결함에 의해 유기전계발광 표시장치(100)의 접합력이 저하되어 각 층들에 들뜸 현상이 발생하거나 유기전계발광 표시장치(100)의 측단면에 크랙을 발생시켜 크랙의 전파에 의한 유기전계발광 표시장치(100)의 파손의 원인이 된다. 또한, 상기 측단면의 결함을 통해 공기 및 수분과 같은 불순물이 유기전계발광 표시장치(100)의 내부로 침투하게 되어, 발광소자(E)가 열화되는 중요한 원인이 된다.
상기 광흡수층(138)은 조사되는 자외선을 흡수한다. ITO나 IZO와 같은 금속산화물의 자외선흡수율은 90% 이상이다. 따라서, 자외선레이저(194)로부터 출력되어 제2패드영역(NA2)으로 조사되는 자외선은 상기 광흡수층(138)에서 흡수되어 하부의 저전위전극(142)으로는 도달하지 않는다. 따라서, 자외선레이저(194)의 조사시 하부의 저전위전극(142)이 파손되는 것을 방지할 수 있게 되므로, 층들의 들뜸, 크랙의 발생, 이물질의 침투 등을 방지할 수 있게 된다.
한편, 광흡수층(138)은 ITO나 IZO의 금속산화물에 한정되는 것이 아니라 자외선을 흡수할 수 있는 물질이면 어떠한 물질도 가능하다. 예를 들어, MoTi합금은 자외선파장대의 광을 약 90% 이상 흡수하므로, MoTi합금을 ITO나 IZO 대신에 광흡수층(138)으로 사용할 수 있다.
이와 같이, MoTi합금을 광흡수층(138)으로 사용하는 경우, 제1전극(132) 또는 제2전극(136)을 MoTi합금으로 구성하여, 제1전극(132) 또는 제2전극(136)의 형성시 광흡수층(138)을 동시에 형성할 수 있다.
또한, 제2절단장치(194)로서 다른 파장대의 레이저를 사용할 수 있다. 이 경우 상기 광흡수층(138)을 해당 파장대의 광에 대한 흡수율이 좋은 물질로 형성함으로 레이저빔이 상기 광흡수층(138)을 투과하여 저전위전극(142)으로 조사되는 것을 방지할 수 있게 된다.
본 발명에 따라 제작된 최후의 유기전계발광 표시장치(100)는 도 5g의 절단된 패드영역(C-PAD)이 분리된 구조이다. 따라서, 본 발명에 따라 제작된 유기전계발광 표시장치(100)는 제2패드영역(NA2)의 보호층(128) 상에 광흡수층(138)이 형성될 뿐만 아니라 상기 광흡수층(138)이 절단면, 즉 유기전계발광 표시장치(100)의 측단면을 통해 외부로 노출된다. 또한, 저전위전극(142)도 유기전계발광 표시장치(100)의 측단면을 통해 외부로 노출된다.
본 발명에서는 유기전계발광 표시장치(100)의 측단면, 즉 절단에 의해 광흡수층(138) 및 저전위전극(142)이 외부로 노출되는 제2패드영역(NA2)의 측단면에 별도의 봉지층을 형성하여 노출된 광흡수층(138) 및 저전위전극(142)을 봉지하여 공기 및 수분 등의 이물질이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
전술한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.
AA : 표시영역
NA1,NA2 : 패드영역
110,150 : 기판 138 : 광흡수층
142 : 저전위전극 144 : 연결전극
192,194 : 절단장치
110,150 : 기판 138 : 광흡수층
142 : 저전위전극 144 : 연결전극
192,194 : 절단장치
Claims (17)
- 복수의 서브화소를 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역의 외곽에 배치된 패드영역을 포함하는 기판;
각각의 서브화소에 배치된 표시소자;
상기 패드영역에 형성되어 상기 표시소자에 저전위전압을 인가하는 저전위전극;
상기 패드영역의 상기 저전위 전극 상부에 배치된 광흡수층; 및
상기 표시영역 및 상기 패드영역에 형성된 봉지층으로 구성된 표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판 상부에 배치된 반도체층;
상기 반도체층 위에 형성된 상기 기판 전체에 걸쳐 형성된 게이트절연층;
상기 게이트절연층 위의 상기 화소영역 각각에 형성된 게이트전극;
상기 게이트전극이 형성된 상기 기판 전체에 걸쳐 형성된 층간절연층;
상기 층간절연층 위의 상기 화소영역 각각에 형성된 소스전극 및 드레인전극;
상기 소스전극 및 상기 드레인전극이 형성된 상기 기판 전체에 걸쳐 형성된 보호층을 더 포함하는 표시장치 - 제2항에 있어서, 상기 저전위전극은 상기 게이트절연층 위에 배치된 표시장치.
- 제3항에 있어서, 상기 표시소자는,
상기 보호층 위에 배치된 제1전극;
상기 제1전극 위에 배치된 화상구현부; 및
상기 화상구현부 위에 배치된 제2전극을 포함하는 표시장치. - 제4항에 있어서, 상기 광흡수층은 상기 보호층 위에 배치되어 하부의 상기 저전위 전극의 적어도 일부를 덮는 표시장치.
- 제5항에 있어서, 상기 광흡수층은 상기 제1전극 또는 상기 제2전극과 동시에 형성되는 표시장치.
- 제6항에 있어서, 상기 광흡수층은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 이루어진 표시장치.
- 제6항에 있어서, 상기 광흡수층은 MoTi로 이루어진 표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 광흡수층과 상기 저전위전극이 패드영역의 측단면을 통해 외부로 노출되는 표시장치.
- 제4항에 있어서, 상기 영상구현부는 유기발광층, 액정층 및 전기영동층을 포함하는 표시장치.
- 복수의 서브화소를 포함하는 표시영역과 그 외부의 패드영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계;
상기 기판상의 상기 표시영역에 박막트랜지스터를 형성하고 상기 패드영역에 저전위전극을 형성하는 단계;
상기 표시영역에 발광소자를 형성하고 상기 패드영역에 상기 저전위전극과 적어도 일부가 오버랩되는 광흡수층을 형성하는 단계;
상기 표시영역과 상기 패드영역에 봉지층을 형성하는 단계; 및
상기 저전위전극과 상기 광흡수층을 통과하는 절단선을 따라 상기 패드영역을 절단하는 단계를 포함하는 표시장치 제조방법. - 제11항에 있어서, 상기 박막트랜지스터 및 상기 저전위전극을 형성하는 단계는,
상기 기판상에 반도체층을 형성하는 단계;
상기 반도체층 상에 게이트절연층을 형성하는 단계;
상기 게이트절연층 상의 상기 표시영역 및 상기 패드영역 각각에 게이트전극 및 상기 저전위전극을 형성하는 단계;
상기 표시영역 및 상기 패드영역에 층간절연층을 형성하는 단계; 및
상기 층간절연층 상에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치 제조방법. - 제11항에 있어서, 상기 발광소자 및 상기 광흡수층을 형성하는 단계는,
상기 표시영역 및 상기 패드영역에 보호층을 형성하는 단계;
상기 보호층 위의 상기 표시영역 및 상기 패드영역 각각에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 이루어진 제1전극 및 광흡수층을 형성하는 단계;
상기 제1전극 위에 유기발광층을 형성하는 단계; 및
상기 유기발광층 위에 금속으로 이루어진 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치 제조방법. - 제11항에 있어서, 상기 발광소자 및 상기 광흡수층을 형성하는 단계는,
상기 표시영역 및 상기 패드영역에 보호층을 형성하는 단계;
상기 보호층 위의 상기 표시영역에 금속으로 이루어진 제1전극을 형성하는 단계;
상기 제1전극 위에 유기발광층을 형성하는 단계; 및
상기 표시영역의 유기발광층 위 및 상기 패드영역의 보호층 위에 각각 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 이루어진 제2전극 및 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치 제조방법. - 제11항에 있어서, 상기 패드영역을 절단하는 단계는 제1절단장치와 제2절단장치를 각각 상기 패드영역의 하부 및 상부에 배치하여 구동하는 단계를 포함하는 표시장치 제조방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제1절단장치는 절단휠을 포함하고 상기 제2절단장치는 레이저를 포함하는 표시장치 제조방법.
- 제16항에 있어서, 상기레이저에서 조사된 레이저빔이 상기 광흡수층에 의해 흡수되는 표시장치 제조방법.
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|---|---|---|---|---|
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| KR101192750B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2012-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | Ｔｆｔ 어레이 기판 및 그 제조방법 |
| KR101056284B1 (ko) * | 2009-10-22 | 2011-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 센서 스캔 드라이버 및 이를 구비한 터치 스크린 내장형 평판표시장치 |
| KR101074812B1 (ko) * | 2010-01-05 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치와 그 제조 방법 |
| KR101107176B1 (ko) * | 2010-02-08 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101814769B1 (ko) * | 2010-07-07 | 2018-01-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101963810B1 (ko) * | 2012-08-22 | 2019-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| JP6031650B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2016-11-24 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2015022914A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
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| KR102439841B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-09-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시장치 |
| CN105637638A (zh) * | 2015-09-28 | 2016-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于显示面板的显示基板的制造方法 |
| KR20180051739A (ko) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN106409875A (zh) * | 2016-11-11 | 2017-02-15 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示面板母板及其制作方法 |
| KR102544942B1 (ko) * | 2016-12-27 | 2023-06-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| CN110462718B (zh) * | 2017-03-29 | 2022-03-04 | 夏普株式会社 | 显示设备、显示设备的制造方法及制造装置、成膜装置 |
| CN110007808B (zh) * | 2017-12-29 | 2022-10-18 | 乐金显示有限公司 | 包括触摸传感器的电致发光显示器 |
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| US11659745B2 (en) | 2021-07-20 | 2023-05-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
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