CN112002737B - 显示面板及显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法,显示面板包括衬底、第一金属层、绝缘层以及第二金属层,其中第一金属层还包括第一浮动金属层,第二金属层包括第二浮动金属层,通过设置第一浮动金属层和第二浮动金属层进而将显示面板的地势抬升,从而减小平坦层形成的锥形角,提高蚀刻效果,并最终提高产品质量降低生产成本。
Description
技术领域
本揭示涉及面板显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。
背景技术
随着显示技术的不断发展,各显示器件对显示面板的尺寸及性能提出了越来越高的要求。
在显示面板的制备过程中,其制造技术的好坏将直接影响到产品的优良率。现有的大尺寸型显示面板生产工艺中,在制备时,为了保证显示面板中阳极区的平坦度,往往需要在阳极层下涂覆较厚的平坦层,而在后续的阳极黄光制程中,由于外围的平坦层处对应的锥角角度较大,使得光刻胶层的厚度也较厚,在进行曝光时出现曝光不足等问题,进而导致显影后仍有部分光刻胶残留。在后续阳极蚀刻过程中,残留的光刻胶保护了需要被蚀刻掉的阳极,造成部分阳极残留,而残留阳极会使得显示面板出现短路或其他质量安全隐患的问题,进而降低显示面板的质量及生产合格率,提高成本。
综上所述,现有的显示面板的生产工艺中,在阳极黄光制程中,未被蚀刻的光刻胶使得阳极的蚀刻不完全,而残留阳极会使得显示面板出现短路或其他质量安全隐患的问题,进而导致显示面板的生产合格率降低,并提高了产品的制造成本。
发明内容
本揭示提供一种显示面板及显示面板的制备方法,以解决现有的显示面板的制备工艺中,在阳极黄光制程以及其他蚀刻过程中,显影后存在光刻胶残留以及阳极蚀刻不完全等问题。
为解决上述技术问题,本揭示实施例提供的技术方案如下:
根据本揭示实施例的第一方面,提供了一种显示面板,包括衬底;
第一金属层,所述第一金属层设置在所述衬底上;
绝缘层,所述绝缘层设置在所述第一金属层上并覆盖所述第一金属层;
第二金属层,所述第二金属层设置在所述绝缘层上;以及
钝化层,所述钝化层设置在所述第二金属层时并覆盖所述第二金属层;
其中,所述非显示区域对应的所述第一金属层包括第一浮动金属层,所述非显示区域对应的第二金属层包括第二浮动金属层,所述第一浮动金属层和所述第二浮动金属层用以增加所述显示面板的地势高度。
根据本揭示一实施例,所述显示区域对应的所述第一金属层包括栅极层和金属走线。
根据本揭示一实施例,所述显示区域对应的所述第二金属层包括源极、漏极和金属走线。
根据本揭示一实施例,所述第一浮动金属层的厚度大于或等于所述第二浮动金属层的厚度。
根据本揭示一实施例,所述第二浮动金属层在所述衬底上的投影面积大于所述第一浮动金属层在所述衬底上的投影面积。
根据本揭示实施例的第二方面,还提供一种显示面板的制备方法,包括如下步骤:
在非显示区域对应的衬底上沉积缓冲层,并进行黄光和蚀刻工艺处理;
在所述缓冲层上沉积第一金属层,所述非显示区域对应的所述第一金属层包括第一浮动金属层,所述第一浮动金属层用以增加所述显示面板的地势高度;
在所述缓冲层上沉积绝缘层,所述绝缘层覆盖所述第一金属层,并进行黄光和蚀刻工艺进行处理;
在所述绝缘层上沉积第二金属层,所述非显示区域对应的所述第二金属层包括第二浮动金属层,所述第二浮动金属层用以增加所述显示面板的地势高度;
沉积钝化层,所述钝化层覆盖所述第二金属层;
在所述钝化层上涂覆平坦层,并进行图形化处理;
沉积阳极层,并对所述阳极层图形化处理。
根据本揭示一实施例,所述第一金属层和所述第二金属层的材料包括Cu/Mo、Cu/MoTi或Mo/Al/Mo的复合材料。
根据本揭示一实施例,所述第一金属层或所述第二金属层的厚度为1500埃—2000埃。
根据本揭示一实施例,通过黄光蚀刻工艺对所述阳极层图形化处理。
根据本揭示一实施例,所述钝化层包括至少一层膜层,所述钝化层的材料包括SiOx、SiNx,且所述钝化层的厚度为2000埃—10000埃。
综上所述,本揭示实施例的有益效果为:
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法,通过在显示面板的膜层中设置第一金属层和第二金属层,其中,在非显示区域对应的第一金属层包括第一浮动金属层,第二金属层包括第二浮动金属层,第一浮动金属层和第二浮动金属层仅用以增加显示面板的膜层地势,从而使得其上沉积的平坦层对应位置处具有较小的锥形角,进而在蚀刻和图案化处理时,能完全去除光刻胶,使得阳极层完全蚀刻,提高蚀刻效果,并最终提高显示面板的生产合格率,降低产品成本。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1A~图1C为现有技术中的显示面板膜层结构示意图;
图2为本揭示实施例提供的显示面板的结构示意图;
图3为本揭示实施例提供的显示面板的制备工艺流程示意图;
图4为本揭示实施例提供的显示面板的制备工艺对应的结构示意图;
图5为本揭示实施例中的显示面板制备工艺对应的又一结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本揭示实施例中的附图,对本揭示实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本揭示一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本揭示中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本揭示保护的范围。
如图1A所示,图1A为现有技术中的显示面板膜层结构示意图。显示面板包括衬底100、平坦化层103以及阳极层101。平坦化层103设置在衬底100上,阳极层101设置在衬底100上且覆盖所述平坦化层103,在对阳极层101处理时,还需设置一光刻胶层102,制备完成后对其进行图形化处理。
同时结合图1B-图1C,图1B-图1C为现有技术中显示面板的膜层结构示意图。由于在现有的显示面板中,其平坦化层103边界处的锥角区104的锥角角度较大且台阶高度较高,因此,在对显示面板进行蚀刻时,其平坦区域处对应的光刻胶层102会被完全蚀刻,而在锥角区104处对应的光刻胶层102的厚度较厚,因而刻蚀相同的时间,不能完全将锥角区104处的光刻胶层102蚀刻去除,会出现图1B中残留的光刻胶层102。当全部蚀刻完成后,由于在锥角区104处还存在光刻胶层102,因此,锥角区104对应的阳极层101不能被完全蚀刻,最终造成部分金属阳极残留在衬底100上,而该残留的金属阳极会引起显示面板内部出现短路的问题或其他隐患。从而降低了显示面板的蚀刻效果,并影响显示面板的质量及合格率。
本揭示实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法,使得显示面板中的平坦化层边缘处的锥角区的锥角的角度较平缓且其高度差较小。
如图2所示,图2为本揭示实施例提供的显示面板的结构示意图。显示面板包括显示区域B以及围绕所述显示区域B设置的非显示区域A。
具体的,显示面板包括基板200以及缓冲层201,缓冲层201设置在基板200上,基板200可包括玻璃基板或者柔性材料基板。基板200和缓冲层201可一同构成显示面板的衬底膜层。
缓冲层201可为单层膜结构,还可设置为多层膜的叠加结构以提高显示面板的衬底支撑性能。
进一步的,显示面板还包括第一金属层202、绝缘层203以及第二金属层204。
第一金属层202设置在缓冲层201上,绝缘层203设置在缓冲层201上且覆盖所述第一金属层202,同时第二金属层204设置在绝缘层203上。
显示面板还包括钝化层205和平坦化层206,其中钝化层205覆盖所述第二金属层204,平坦化层206设置在绝缘层205上。
本揭示实施例中,在显示面板的显示区域20以及非显示区域21内对应的位置区域均设置第一金属层202和第二金属层204。但是,在不同区域内的第一金属层202和第二金属层204的功能不同。
优选的,本揭示实施例中,显示面板的平坦化层206在显示区域20和非显示区域21的交界区域处存在一锥形角结构,且平坦化层206的上表面与绝缘层205的上表面之间具有一高度差。当该高度差过大或者其对应的锥形角的角度的斜度较陡时,在对其进行蚀刻处理,会出现部分材料残留的情况。
本揭示实施例中,第一金属层202还包括第一浮动金属层2021,第二金属层204还包括第二浮动金属层2041。由于在显示面板的显示区域和非显示区域均图案化的设置有第一金属层202和第二金属层204,且其分别对应的设置在缓冲层201和绝缘层203上,因此,图2中的第一金属层202和第二金属层204仅为部分结构示意图。
为了使显示面板的平坦化层206与钝化层205之间形成的锥形角较小,且两者具有较小的断层高度差,在本揭示实施例中,通过在对应的区域设置第一金属层202和第二金属层204,具体的为第一浮动金属层2021和第二浮动金属层2041,由于设置第一金属层202和第二金属层204,从而将显示面板钝化层205之下对应的膜层的地势抬高,进而在沉积平坦化层206时,其平坦化层206的边缘处与钝化层205的高度差减小,从而减低了锥角区域的锥度,进而使得光刻胶能被完全处理,并且最终将锥角区域处对应的阳极层完全蚀刻,并最终提高蚀刻工艺过程中的蚀刻效果。
因此,本揭示实施例中,在非显示区域处对应的第一金属层202和第二金属层204相当于两垫块,用以增加显示面板的地势高度,进而改善锥形角。
优选的,第二浮动金属层2041在缓冲层201上的投影面积大于第一浮动金属层2021在缓冲层201上的投影面积,即第二浮动金属层2041的长度大于第一浮动金属层2021的长度。这样设置使得显示面板的绝缘层203和钝化层205形成台阶状结构,即出现高低不同的膜层结构,从而有效的改善平坦化层206的边界处的膜层厚度。
第一浮动金属层2021的厚度可大于或等于所述第二浮动金属层2041的厚度。
进一步的,第一金属层202对应的第一浮动金属层2021和第二金属层204对应的第二浮动金属层2041主要起到抬高地势的作用,均不与电信号相连接。
而在显示区域内对应的第一金属层202可作为栅极层或金属走线,并分别于对应的信号线电连接,在显示区域内对应的第二金属层204可作为源极或漏极及金属走线,并对应的与信号线电连接。
优选的,第一金属层202或第二金属层204的材料可包括Cu/Mo复合材料或Cu/MoTi的复合材料或者Mo/Al/Mo的复合材料或者其他导电性能良好的金属材料。
进一步的,本揭示实施例还提供了一种显示面板的制备方法,如图3所示,图3为本揭示实施例提供的显示面板的制备工艺流程示意图。具体的,包括如下步骤:
在非显示区域对应的衬底上沉积缓冲层,并进行黄光和蚀刻工艺处理;
本揭示实施例中,首先在提供的衬底基板上制备一缓冲膜层,衬底基板可为玻璃基板。缓冲层可为多膜层叠加的结构。
在所述缓冲层上沉积第一金属层,所述非显示区域对应的所述第一金属层包括第一浮动金属层,所述第一浮动金属层用以增加所述显示面板的地势高度;
进而,在缓冲层上制备第一金属层,本揭示实施例中,可通过物理气相沉积工艺制备一层1500埃-2000埃厚度的金属膜层,并对其图案化处理,使其成为第一金属层。如图4所示,图4为本揭示实施例提供的显示面板的制备工艺对应的结构示意图。在缓冲层201上沉积第一金属层202。在制备该第一金属层202时,在显示面板的显示区域和非显示区域均设置,同时,在显示区域对应的第一金属层202作为栅极线或金属走线,而在显示区域外围即非显示区域对应的第一金属层202作为第一浮动金属,该区域内的第一金属层202不接电信号,仅起到抬升衬底地势的作用。
优选的,第一金属层的材料包括Cu/Mo、Cu/MoTi或Mo/Al/Mo的复合材料或其他金属材料。
在所述缓冲层上沉积绝缘层,所述绝缘层覆盖所述第一金属层,并进行黄光和蚀刻工艺处理
本揭示实施例中,绝缘层的材料包括SiOx或SiNx或是多层结构薄膜,优选的,绝缘层的厚度2000埃-10000埃,沉积完成后对其进行黄光和蚀刻工艺。
在所述绝缘层上沉积第二金属层,所述非显示区域对应的所述第二金属层包括第二浮动金属层,所述第二浮动金属层用以增加所述显示面板的地势高度。
进而在绝缘层上沉积一层1500埃-2000埃厚度的金属层,同时对该金属层进行图案化处理使其形成第二金属层,在本揭示实施例中,显示区内对应的第二金属可为源极、漏极或金属走线,而在平坦层边缘处即非显示区域对应的第二金属层为第二浮动金属层,不接电信号,仅起到抬高地势的作用。
优选的,第二金属层的材料包括Cu/Mo、Cu/MoTi或Mo/Al/Mo的复合材料或其他金属材料。
沉积钝化层,所述钝化层覆盖所述第二金属层;
在所述钝化层上涂覆平坦层,并进行图形化处理;
沉积阳极层,并对所述阳极层图形化处理。
如图5所示,图5为本揭示实施例中的显示面板制备工艺对应的又一结构示意图。制备完第一金属层202和第二金属层204后,再继续沉积钝化层205、平坦层206以及阳极层207。本揭示实施例中,钝化层205的材料包括SiOx或SiNx或是多层结构薄膜,其厚度为1000埃-5000埃。
沉积完成阳极层207后,在阳极层207上涂覆光刻胶208,并对其进行黄光和蚀刻处理,从而使得其图形化,并最终完成本揭示实施例的显示面板的制备。
通过本揭示实施例中的工艺流程进行制备,其平坦层206与钝化层205之间形成的锥形角的倾斜度较小,在对阳极层207蚀刻时,能将其上涂覆的光刻胶208完全蚀刻,而不存在残留,并最终将阳极层207完全蚀刻,进而提高生产质量及产品合格率。
进一步的,本揭示实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括本揭示实施例中的显示面板及通过本揭示实施例提供的制备方法制备而来的显示面板。
以上对本揭示实施例所提供的一种显示面板及显示面板的制备方法进行了详细的介绍,以上实施例的说明只是用于帮助理解本揭示的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本揭示各实施例的技术方案的范围。
Claims (8)
1.一种显示面板,所述显示面板包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域,其特征在于,包括:
衬底;
第一金属层,所述第一金属层设置在所述衬底上;
绝缘层,所述绝缘层设置在所述第一金属层上并覆盖所述第一金属层;
第二金属层,所述第二金属层设置在所述绝缘层上;
钝化层,所述钝化层设置在所述第二金属层上并覆盖所述第二金属层;以及,
平坦化层,设置于所述钝化层上,所述平坦化层在所述显示区域以及所述非显示区域的交界区域处包括一锥角区,所述平坦化层在所述锥角区处设置有一锥形角,
其中,所述非显示区域对应的所述第一金属层包括第一浮动金属层,所述非显示区域对应的所述第二金属层包括第二浮动金属层,所述第一浮动金属层和所述第二浮动金属层的配置用以降低所述平坦化层的上表面与所述绝缘层的上表面之间的高度差,并减小所述锥形角;
其中,所述第一浮动金属层的厚度大于或等于所述第二浮动金属层的厚度,且所述第二浮动金属层在所述衬底上的投影面积大于所述第一浮动金属层在所述衬底上的投影面积。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示区域对应的所述第一金属层包括栅极层和金属走线。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示区域对应的所述第二金属层包括源极、漏极和金属走线。
4.一种如权利要求1中所述的显示面板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
在非显示区域对应的衬底上沉积缓冲层,并进行黄光和蚀刻工艺处理;
在所述缓冲层上沉积第一金属层,所述非显示区域对应的所述第一金属层包括第一浮动金属层;
在所述缓冲层上沉积绝缘层,所述绝缘层覆盖所述第一金属层,并进行黄光和蚀刻工艺处理;
在所述绝缘层上沉积第二金属层,所述非显示区域对应的所述第二金属层包括第二浮动金属层,所述第一浮动金属层和所述第二浮动金属层的配置增加了所述显示面板的地势高度;
沉积钝化层,所述钝化层覆盖所述第二金属层;
在所述钝化层上涂覆平坦层,并进行图形化处理;
沉积阳极层,并对所述阳极层图形化处理。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一金属层和所述第二金属层的材料包括Cu/Mo、Cu/MoTi或Mo/Al/Mo的复合材料。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一金属层或所述第二金属层的厚度为1500埃-2000埃。
7.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,通过黄光蚀刻工艺对所述阳极层图形化处理。
8.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述钝化层包括至少一层膜层,所述钝化层的材料包括SiOx、SiNx,且所述钝化层的厚度为2000埃-10000埃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010788059.7A CN112002737B (zh) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010788059.7A CN112002737B (zh) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112002737A CN112002737A (zh) | 2020-11-27 |
CN112002737B true CN112002737B (zh) | 2023-05-02 |
Family
ID=73463650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010788059.7A Active CN112002737B (zh) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112002737B (zh) |
Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
CN112670247B (zh) * | 2020-12-23 | 2024-02-02 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 |
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CN109300970A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-02-01 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20200076148A (ko) * | 2018-12-19 | 2020-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 베젤이 감소된 표시장치 및 그 제조방법 |
-
2020
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112002737A (zh) | 2020-11-27 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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