CN102651344B - 共通线结构与显示面板及其制作方法 - Google Patents
共通线结构与显示面板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102651344B CN102651344B CN201210139373.8A CN201210139373A CN102651344B CN 102651344 B CN102651344 B CN 102651344B CN 201210139373 A CN201210139373 A CN 201210139373A CN 102651344 B CN102651344 B CN 102651344B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- line segment
- common line
- contact hole
- protective layer
- insulating barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种共通线结构与显示面板及其制作方法,该方法包括下列步骤。提供一基板,其中基板上设置有至少一第一共通线段与至少一第二共通线段。接着于基板、第一共通线段与第二共通线段上形成一保护层。随后,形成至少一接触洞贯穿保护层,以部分暴露出第一共通线段与第二共通线段。之后,于保护层上形成一连接线段,并使连接线段电性连接接触洞所暴露出的第一共通线段与第二共通线段。
Description
本申请为分案申请,其母案申请的申请号为201010230537.9,申请日为2010年7月15日,发明名称为“共通线结构与显示面板及其制作方法”。
技术领域
本发明涉及一种共通线结构与显示面板及其制作方法,尤其涉及一种利用一连接线段经由接触洞连接两共通线段的共通线结构、具有上述共通线结构的显示面板,以及上述共通线结构及显示面板的制作方法。
背景技术
显示面板的阵列基板,例如液晶显示面板的阵列基板,通常形成有由不同层导电图案层所构成的导线或电极,例如栅极线、数据线、共通线与像素电极等,且在不同层的导电图案层之间会设置有绝缘层以发挥绝缘效果。当不同层的导电图案层之间需要电性连接时,例如像素电极与薄膜晶体管的漏极之间需要电性连接时,会于绝缘层中形成穿孔(接触洞),以使位于绝缘层上像素电极得以通过穿孔搭接在漏极上。然后,有鉴于显示面板的开口率的规格不断提升,穿孔的尺寸必须缩小,但穿孔的缩小会使得其深宽比加大,而造成了不同层的导电图案层在搭接时的可靠度下降,进而使得显示面板的良率无法进一步提升。
发明内容
本发明的目的在于提供一种共通线结构、一种显示面板,以及共通线结构与显示面板的制作方法,以提升共通线结构与显示面板的可靠度。
本发明的一较佳实施例提供一种制作共通线结构的方法,包括下列步骤。提供一基板,其中基板上设置有至少一第一共通线段与至少一第二共通线段。接着于基板、第一共通线段与第二共通线段上形成一保护层。随后,形成至少一接触洞贯穿保护层,以部分暴露出第一共通线段与第二共通线段。之后,于保护层上形成一连接线段,并使连接线段电性连接接触洞所暴露出的第一共通线段与第二共通线段。
其中,该第一共通线段与该第二共通线段由一相同的导电图案层所构成。
其中,该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该第一接触洞部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞部分暴露出该第二共通线段。
其中,另包括于形成该保护层之前,先于该基板、该第一共通线段与该第二共通线段上形成一绝缘层,该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第二共通线段。
其中,该第一接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一阶梯结构,且各该阶梯结构包括一第一倾斜面、一平面与一第二倾斜面。
其中,形成该第一接触洞与该第二接触洞的步骤包括:于该保护层上形成一光刻胶图案,该光刻胶图案包括一开口、一第一区域与一第二区域,其中该开口在一垂直投影方向与该第一共通线段以及该第二共通线段部分重迭,该第一区域与该开口邻接且在该垂直投影方向未与该第一共通线段以及该第二共通线段重迭,该第二区域环绕该第一区域与该开口,且该第一区域的厚度小于该第二区域的厚度;以及利用该光刻胶图案作为一蚀刻屏蔽对该保护层及该绝缘层进行蚀刻,以形成该第一接触洞、该第二接触洞以及该绝缘层的该阶梯结构。
其中,该光刻胶图案利用一半色调光掩模或一灰阶光掩模加以形成。
其中,该第一共通线段由一第一导电图案层所构成,且该第二共通线段由一第二导电图案层所构成。
其中,该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该至少一第一共通线段包括两第一共通线段,该至少一第二共通线段包括两第二共通线段,该第一接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
其中,另包括于形成该保护层与该两第二共通线段之前,先于该基板与该两第一共通线段上形成一绝缘层,该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
其中,该第一接触洞所暴露的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一第一斜率,该第一接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁分别具有一第二斜率,且该第二斜率小于该第一斜率。
其中,形成该第一接触洞与该第二接触洞的步骤包括:于该保护层上形成一光刻胶图案,该光刻胶图案包括一开口、一第一区域与一第二区域,其中该开口在一垂直投影方向与该两第一共通线段但未与该两第二共通线段重迭,该第一区域与该开口邻接且在该垂直投影方向与该两第二共通线段部分重迭但未与该两第一共通线段重迭,该第二区域环绕该第一区域与该开口,且该第一区域的厚度小于该第二区域的厚度;以及利用该光刻胶图案作为一蚀刻屏蔽对该保护层及该绝缘层进行蚀刻,以形成该第一接触洞与该第二接触洞。
其中,该光刻胶图案利用一半色调光掩模或一灰阶光掩模加以形成。
其中,该连接线段由一透明导电图案层所构成。
本发明的另一较佳实施例提供一种制作显示面板的方法,包括下列步骤。首先提供一基板,其中基板上设置有一栅极线、一栅极与栅极线电性连接、一数据线、一源极与数据线电性连接、一漏极、至少一第一共通线段与至少一第二共通线段。接着于基板、栅极线、栅极、数据线、源极、漏极、第一共通线段与第二共通线段上形成一保护层。随后,形成至少一接触洞贯穿保护层,以部分暴露出第一共通线段与第二共通线段。之后,于保护层上形成一连接线段,并使连接线段电性连接接触洞所暴露出的第一共通线段与第二共通线段。
其中,该栅极线、该栅极、该至少一第一共通线段与该至少一第二共通线段由一第一导电图案层所构成,且该数据线、该源极与该漏极由一第二导电图案层所构成。
其中,该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该第一接触洞部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞部分暴露出该第二共通线段。
其中,另包括于形成该保护层与该第二导电图案层之前,先于该基板与该第一导电图案层上形成一绝缘层,该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第二共通线段。
其中,该第一接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一阶梯结构,且各该阶梯结构包括一第一倾斜面、一平面与一第二倾斜面。
其中,形成该第一接触洞与该第二接触洞的步骤包括:于该保护层上形成一光刻胶图案,该光刻胶图案包括一开口、一第一区域与一第二区域,其中该开口在一垂直投影方向与该第一共通线段以及该第二共通线段部分重迭,该第一区域与该开口邻接且在该垂直投影方向未与该第一共通线段以及该第二共通线段重迭,该第二区域环绕该第一区域与该开口,且该第一区域的厚度小于该第二区域的厚度;以及利用该光刻胶图案作为一蚀刻屏蔽对该保护层及该绝缘层进行蚀刻,以形成该第一接触洞、该第二接触洞以及该绝缘层的该阶梯结构。
其中,该光刻胶图案利用一半色调光掩模或一灰阶光掩模加以形成。
其中,该栅极线、该栅极与该至少一第一共通线段由一第一导电图案层所构成,且该数据线、该源极、该漏极与该至少一第二共通线段由一第二导电图案层所构成。
其中,该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该至少一第一共通线段包括两第一共通线段,该至少一第二共通线段包括两第二共通线段,该第一接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
其中,另包括于形成该保护层与该第二导电图案层之前,先于该基板与该第一导电图案层上形成一绝缘层,该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
其中,该第一接触洞所暴露的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一第一斜率,该第一接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁分别具有一第二斜率,且该第二斜率小于该第一斜率。
其中,形成该第一接触洞与该第二接触洞的步骤包括:于该保护层上形成一光刻胶图案,该光刻胶图案包括一开口、一第一区域与一第二区域,其中该开口在一垂直投影方向与该两第一共通线段但未与该两第二共通线段重迭,该第一区域与该开口邻接且在该垂直投影方向与该两第二共通线段部分重迭但未与该两第一共通线段重迭,该第二区域环绕该第一区域与该开口,且该第一区域的厚度小于该第二区域的厚度;以及利用该光刻胶图案作为一蚀刻屏蔽对该保护层及该绝缘层进行蚀刻,以形成该第一接触洞与该第二接触洞。
其中,该光刻胶图案利用一半色调光掩模或一灰阶光掩模加以形成。
其中,该连接线段由一透明导电图案层所构成,且该透明导电图案层另包括一像素电极,该像素电极与该漏极电性连接且与该连接线段电性分离。
本发明的又一较佳实施例提供一种共通线结构。上述共通线结构布设于一基板上,且共通线结构包括至少一第一共通线段、至少一第二共通线段、一保护层与一连接线段。第一共通线段与第二共通线段系设置于基板上。保护层系设置于第一共通线段与第二共通线段上,其中保护层具有至少一接触洞,部分暴露出第一共通线段与第二共通线段。连接线段系设置于保护层上,其中连接线段电性连接接触洞暴露出的第一共通线段与第二共通线段。
其中,该第一共通线段与该第二共通线段由一相同的导电图案层所构成。
其中,该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该第一接触洞部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞部分暴露出该第二共通线段。
其中,另包括一绝缘层设置于该第一共通线段与该第二共通线段以及该保护层之间,该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第二共通线段。
其中,该第一接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一阶梯结构,且各该阶梯结构包括一第一倾斜面、一平面与一第二倾斜面。
其中,该第一共通线段由一第一导电图案层所构成,且该第二共通线段由一第二导电图案层所构成。
其中,该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该至少一第一共通线段包括两第一共通线段,该至少一第二共通线段包括两第二共通线段,该第一接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
其中,另包括一绝缘层设置于该两第一共通线段与该两第二共通线段之间,其中该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
其中,该第一接触洞所暴露的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一第一斜率,该第一接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁分别具有一第二斜率,且该第二斜率小于该第一斜率。
其中,该连接线段由一透明导电图案层所构成。
本发明的另一较佳实施例提供一种显示面板。上述显示面板包括一基板、一栅极线、一栅极、一数据线、一源极、一漏极、一共通线结构与一共通线结构。栅极线、栅极、数据线、源极、漏极、共通线结构与保护层设置于基板上。共通线结构设置于基板上,其中共通线结构包括至少一第一共通线段以及至少一第二共通线段。保护层设置于栅极线、栅极、数据线、源极、漏极、第一共通线段与第二共通线段上,其中保护层具有至少一接触洞,部分暴露出第一共通线段与第二共通线段。连接线段设置于保护层上,其中连接线段电性连接接触洞暴露出的第一共通线段与第二共通线段。
其中,该栅极线、该栅极、该至少一第一共通线段与该至少一第二共通线段由一第一导电图案层所构成,且该数据线、该源极与该漏极由一第二导电图案层所构成。
其中,该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该第一接触洞部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞部分暴露出该第二共通线段。
其中,另包括一绝缘层设置于该第一共通线段与该第二共通线段以及该保护层之间,其中该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第二共通线段。
其中,该第一接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一阶梯结构,且各该阶梯结构包括一第一倾斜面、一平面与一第二倾斜面。
其中,该栅极线、该栅极与该至少一第一共通线段由一第一导电图案层所构成,且该数据线、该源极、该漏极与该第二共通线段由一第二导电图案层所构成。
其中,该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该至少一第一共通线段包括两第一共通线段,该至少一第二共通线段包括两第二共通线段,该第一接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
其中,另包括一绝缘层设置于该两第一共通线段与该两第二共通线段之间,其中该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
其中,该第一接触洞所暴露的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一第一斜率,该第一接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁分别具有一第二斜率,且该第二斜率小于该第一斜率。
其中,该连接线段由一透明导电图案层所构成,该透明导电图案层另包括一像素电极,该像素电极与该漏极电性连接且与该连接线段电性分离。
本发明的显示面板利用连接线段分别填入两接触洞以电性连接两共通线段而形成一共通线结构,且接触洞的侧壁具有一阶梯结构或是接触洞的侧壁具有两种以上的斜率,因此可避免连接线段因接触洞的侧壁过于陡直而产生断线,故可增加可靠度。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1至图8绘示了本发明的第一较佳实施例制作显示面板及其共通线结构的方法示意图。
图9至图16绘示了本发明的第二较佳实施例制作显示面板及其共通线结构的方法示意图。
其中,附图标记:
10,50:基板 12,52:第一导电图案层
12G,52G:栅极 GL:栅极线
CL1:第一共通线段 CL2:第二共通线段
14,54:图案化半导体层 16,56:绝缘层
18,58:第二导电图案层 18S,58S:源极
18D,58D:漏极 DL:数据线
20,60:保护层 201,601:第一接触洞
202,602:第二接触洞 201T,202T:阶梯结构
2011,2021:第一倾斜面 2012,2022:平面
2013,2023:第二倾斜面 22,72:光刻胶图案
22T,72T:开口 30,70:光掩模
301,701:第一区 302,702:第二区
303,703:半透光区 24,74:透明导电图案层
241,741:像素电极 242,742:连接线段
S1:第一斜率 S2:第二斜率
具体实施方式
为使本领域技术人员能更进一步了解本发明,下文特列举本发明的较佳实施例,并配合所附图式,详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。
请参考图1至图8。图1至图8绘示了本发明的第一较佳实施例制作显示面板及其共通线结构的方法示意图,其中图1、图2与图7是以上视图绘示,而图3至图6以及图8是沿剖线A-A’绘示的剖面示意图。如图1所示,首先,提供一基板10。接着于基板10上形成一第一导电图案层12,例如一金属图案层。第一导电图案层12可由铝、铬、钼、钨、钽、铜、上述金属的合金或是上述材料的组合所组成,但不以此为限。例如在本实施例中,第一导电图案层12为钼/铝/钼组成的复合金属层。在本实施例中,第一导电图案层12包括一栅极线GL、一栅极12G、至少一第一共通线段CL1与至少一第二共通线段CL2,即至少一第一共通线段CL1与至少一第二共通线段CL2由一相同的导电图案层所构成。其中栅极12G与栅极线GL电性连接,而于本步骤中,第一共通线段CL1与第二共通线段CL2电性分离。随后,于栅极12G上形成一图案化半导体层14,例如一图案化非晶硅层。之后,于基板10、第一导电图案层12与图案化半导体层14上形成一绝缘层16。
如图2与图3所示,接着于绝缘层16上形成一第二导电图案层18(图3未示),例如一金属图案层。第二导电图案层18可由铝、铬、钼、钨、钽、铜、上述金属的合金或是上述材料的组合所组成,但不以此为限。例如在本实施例中,第二导电图案层18为钼/铝/钼组成的复合金属层。在本实施例中,第二导电图案层18包括一数据线DL、一源极18S与一漏极18D,其中源极18S与数据线DL电性连接。随后,于绝缘层16与第二导电图案层18上形成一保护层20,其中保护层20可为一单层保护层或一复合层保护层。
接着对保护层20进行图案化,于保护层20中形成多个接触洞贯穿保护层20,以部分暴露出第一共通线段CL1与第二共通线段CL2。在本实施例中,如图4所示,图案化保护层20的步骤利用半色调光掩模或灰阶光掩模并配合微影暨蚀刻技术加以形成,但不以此为限。图案化保护层20包括下列步骤。首先提供一光掩模30,其中光掩模30较佳为半色调光掩模或灰阶光掩模。光掩模30具有一第一区301、一第二区302与一半透光区303。接着于保护层20上形成一光刻胶层(图未示),并利用光掩模30对光刻胶层进行曝光暨显影,以形成一光刻胶图案22。在本实施例中,光刻胶层可选用正型光刻胶,且在此状况下,光掩模30的第一区301为一透光区,而第二区302则为一不透光区,但若光刻胶层选用负型光刻胶,则光掩模30的第一区301为一不透光区,而第二区302则为一透光区。于曝光显影后,光刻胶图案22包括一开口22T、一第一区域221与一第二区域222。开口22T对应于光掩模30的第一区301,且在垂直投影方向与第一共通线段CL1以及第二共通线段CL2部分重迭,第一区域221对应于光掩模30的半透光区303,且第一区域221与开口22T邻接并在垂直投影方向未与第一共通线段CL1以及第二共通线段CL2重迭。第二区域222对应于光掩模30的第二区302,并环绕第一区域221与开口22T,且第一区域221的厚度小于第二区域222的厚度。
如图5所示,接着利用光刻胶图案22作为蚀刻屏蔽以蚀刻光刻胶图案22的开口22T曝露出的保护层20,并一并蚀刻保护层20下方的绝缘层16。如图6所示,随后,可通过一灰化制程或通过控制蚀刻工艺的参数,移除光刻胶图案22的第一区域221并缩减光刻胶图案22的第二区域222的厚度,接着再蚀刻光刻胶图案22曝露出的保护层20与部分的绝缘层16,以形成至少一第一接触洞201与至少一第二接触洞202。第一接触洞201部分暴露出第一共通线段CL1,而第二接触洞202部分暴露出第二共通线段CL2。通过上述两段式蚀刻方式,第一接触洞201所暴露出的绝缘层16的侧壁与第二接触洞202所暴露出的绝缘层16的侧壁分别具有一阶梯结构201T、202T,其中阶梯结构201T包括一第一倾斜面2011、一平面2012与一第二倾斜面2013,且阶梯结构202T包括一第一倾斜面2021、一平面2022与一第二倾斜面2023。第一接触洞201至少暴露出第一共通线段CL1的侧壁,甚至可暴露出第一共通线段CL1的部分上表面。第二接触洞202至少暴露出第二共通线段CL2的侧壁,甚至可暴露出第二共通线段CL2的部分上表面。
如图7与图8所示,移除光刻胶图案22。接着于保护层20上形成一透明导电图案层24。透明导电图案层24包括至少一像素电极241(图8未示)与至少一连接线段242,其中像素电极241与漏极18D电性连接,像素电极241可与部份第一共通线段CL1与/或第二共通线段CL2重迭,但不局限于此。在本实施例中,视设计者需求,透明导电图案层24可以使用非透明导电材料替换,譬如为金属导电材料,但并不局限于此。而连接线段242则透过第一接触洞201与第二接触洞202将第一共通线段CL1与第二共通线段CL2电性连接,而形成本实施例的共通线结构。由于第一接触洞201具有阶梯结构201T,且第二接触洞202具有阶梯结构202T,因此当连接线段242填入第一接触洞201与第二接触洞202内时,可确保连接线段242不会因为第一接触洞201与第二接触洞202的侧壁过于陡直而产生断线。另外,基板10可进一步与另一基板(图未示)组装,并于两基板之间形成液晶分子(图未示),即可形成本实施例的显示面板。
由上述可知,本实施例的共通线结构利用连接线段242跨接第一共通线段CL1与第二共通线段CL2所形成,而由于第一接触洞201与第二接触洞202的侧壁具有阶梯结构的设计,因此可减少连接线段242的断线机率,进而提升可靠度。
请参考图9至图16。图9至图16绘示了本发明的第二较佳实施例制作显示面板及其共通线结构的方法示意图,其中图9、图10与图15以上视图绘示,而图11至图14以及图16沿剖线A-A’绘示的剖面示意图。为了简化说明,在下文的实施例中主要针对各实施例的相异处进行说明,而不再对重复部分进行赘述。如图9所示,首先,提供一基板50。接着于基板50上形成一第一导电图案层52。在本实施例中,第一导电图案层52包括一栅极线GL、一栅极52G、两第一共通线段CL1,其中栅极52G与栅极线GL电性连接。随后,于栅极52G上形成一图案化半导体层54。之后,于基板50、第一导电图案层52与图案化半导体层54上举例全面性形成一绝缘层56。
如图10与图11所示,接着于绝缘层56上形成一第二导电图案层58。在本实施例中,第二导电图案层58包括一数据线DL、一源极58S、一漏极58D以及两第二共通线段CL2,其中源极58S与数据线DL电性连接,而在此步骤中,两第二共通线段CL2电性分离且第二共通线段CL2亦与第一共通线段CL1电性分离。随后,于绝缘层56与第二导电图案层58上举例全面性形成一保护层60。
如图12所示,接着对保护层60进行图案化,于保护层60中形成多个接触洞贯穿保护层60,以部分暴露出两第一共通线段CL1与两第二共通线段CL2。在本实施例中,图案化保护层60的步骤利用半色调光掩模或灰阶光掩模并配合微影暨蚀刻技术加以形成,但不以此为限。图案化保护层60包括下列步骤。首先提供一光掩模70,其中光掩模70较佳为半色调光掩模或灰阶光掩模。光掩模70具有一第一区701、一第二区702与一半透光区703。接着于保护层60上形成一光刻胶层(图未示),并利用光掩模70对光刻胶层进行曝光暨显影,以形成一光刻胶图案72。在本实施例中,光刻胶层可选用正型光刻胶,且在此状况下,光掩模70的第一区701为一透光区,而第二区702则为一不透光区,但若光刻胶层选用负型光刻胶,则光掩模70的第一区701为一不透光区,而第二区702则为一透光区。光刻胶图案72包括一开口72T、一第一区域721与一第二区域722。开口72T对应于光掩模70的第一区701,且在垂直投影方向与两第一共通线段CL1部分重迭但未与两第二共通线段CL2部分重迭,第一区域721对应于光掩模70的半透光区703,且第一区域721与开口72T邻接并在垂直投影方向与两第二共通线段CL2部分重迭但未与两第一共通线段CL1重迭。第二区域722对应于光掩模70的第二区702,并环绕第一区域721与开口72T,且第一区域721的厚度小于第二区域722的厚度。
如图13所示,接着利用光刻胶图案72作为蚀刻屏蔽蚀刻光刻胶图案72的开口72T曝露出的保护层70,并一并蚀刻保护层70下方的绝缘层66。如图14所示,随后,可通过一灰化工艺或通过控制蚀刻工艺的参数,移除光刻胶图案72的第一区域721并缩减光刻胶图案72的第二区域722的厚度,接着再蚀刻光刻胶图案72曝露出的保护层70与部分的绝缘层66,以形成至少一第一接触洞701与至少一第二接触洞702。第一接触洞701贯穿保护层70与绝缘层66而部分暴露出两第一共通线段CL1的其中一者与两第二共通线段CL2的其中一者,而第二接触洞702贯穿保护层70与绝缘层66而部分暴露出两第一共通线段CL1的其中另一者与两第二共通线段CL2的其中另一者。通过上述两段式蚀刻方式,第一接触洞701所暴露的绝缘层66的侧壁与第二接触洞702所暴露出的绝缘层66的侧壁分别具有一第一斜率S1,第一接触洞701所暴露出的第二共通线段CL2的侧壁与第二接触洞702所暴露出的第二共通线段CL2的侧壁分别具有一第二斜率S2,且第二斜率S2小于第一斜率S1。如图13所示,第一接触洞701至少暴露出第一共通线段CL1的侧壁,甚至可暴露出第一共通线段CL1的部分上表面。第一接触洞701至少暴露出第二共通线段CL2的侧壁,甚至可暴露出第二共通线段CL2的部分上表面。第二接触洞702至少暴露出第一共通线段CL1的侧壁,甚至可暴露出第一共通线段CL1的部分上表面。第二接触洞702至少暴露出第二共通线段CL2的侧壁,甚至可暴露出第二共通线段CL2的部分上表面。
如图15与图16所示,移除光刻胶图案72。接着于保护层70上形成一透明导电图案层74。透明导电图案层74包括至少一像素电极741(图16未示)与至少一连接线段742,其中像素电极741与漏极58D电性连接,而连接线段742则通过第一接触洞701与第二接触洞702将两第一共通线段CL1与两第二共通线段CL2电性连接,而形成本实施例的共通线结构。由于在第一接触洞701与第二接触洞702内,第二共通线段CL2的侧壁的第二斜率S2小于位于其下方的绝缘层66的侧壁的第一斜率S1,因此当连接线段742填入第一接触洞701与第二接触洞702内时,可确保连接线段742不会因为第一接触洞701与第二接触洞702的侧壁过于陡直而产生断线。另外,基板50可进一步与另一基板(图未示)组装,并于两基板之间形成液晶分子(图未示),即可形成本实施例的显示面板。在本实施例中,视设计者需求,透明导电图案层74可以使用非透明导电材料替换,譬如为金属导电材料,但并不局限于此。
综上所述,本发明的显示面板利用连接线段分别填入两接触洞以电性连接两共通线段而形成一共通线结构,且接触洞的侧壁具有一阶梯结构或是两种以上的斜率,因此可避免连接线段产生断线,而增加可靠度。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (18)
1.一种制作显示面板的方法,其特征在于,包括:
提供一基板,其中该基板上设置有一栅极线、一栅极与该栅极线电性连接、一数据线、一源极与该数据线电性连接、一漏极、至少一第一共通线段与至少一第二共通线段;
于该基板、该栅极线、该栅极、该数据线、该源极、该漏极、该第一共通线段与该第二共通线段上形成一保护层;
形成至少一接触洞贯穿该保护层,以部分暴露出该第一共通线段与该第二共通线段;以及
于该保护层上形成一连接线段,并使该连接线段电性连接该接触洞所暴露出的该第一共通线段与该第二共通线段;
该栅极线、该栅极、该至少一第一共通线段与该至少一第二共通线段由一第一导电图案层所构成,且该数据线、该源极与该漏极由一第二导电图案层所构成;
该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该第一接触洞部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞部分暴露出该第二共通线段;
另包括于形成该保护层与该第二导电图案层之前,先于该基板与该第一导电图案层上形成一绝缘层,该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第二共通线段;
该第一接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一阶梯结构,且各该阶梯结构包括一第一倾斜面、一平面与一第二倾斜面。
2.根据权利要求1所述的制作显示面板的方法,其特征在于,形成该第一接触洞与该第二接触洞的步骤包括:
于该保护层上形成一光刻胶图案,该光刻胶图案包括一开口、一第一区域与一第二区域,其中该开口在一垂直投影方向与该第一共通线段以及该第二共通线段部分重迭,该第一区域与该开口邻接且在该垂直投影方向未与该第一共通线段以及该第二共通线段重迭,该第二区域环绕该第一区域与该开口,且该第一区域的厚度小于该第二区域的厚度;以及
利用该光刻胶图案作为一蚀刻屏蔽对该保护层及该绝缘层进行蚀刻,以形成该第一接触洞、该第二接触洞以及该绝缘层的该阶梯结构。
3.根据权利要求2所述的制作显示面板的方法,其特征在于,该光刻胶图案利用一半色调光掩模或一灰阶光掩模加以形成。
4.根据权利要求1所述的制作显示面板的方法,其特征在于,该连接线段由一透明导电图案层所构成,且该透明导电图案层另包括一像素电极,该像素电极与该漏极电性连接且与该连接线段电性分离。
5.一种制作显示面板的方法,其特征在于,包括:
提供一基板,其中该基板上设置有一栅极线、一栅极与该栅极线电性连接、一数据线、一源极与该数据线电性连接、一漏极、至少一第一共通线段与至少一第二共通线段;
于该基板、该栅极线、该栅极、该数据线、该源极、该漏极、该第一共通线段与该第二共通线段上形成一保护层;
形成至少一接触洞贯穿该保护层,以部分暴露出该第一共通线段与该第二共通线段;以及
于该保护层上形成一连接线段,并使该连接线段电性连接该接触洞所暴露出的该第一共通线段与该第二共通线段;
该栅极线、该栅极与该至少一第一共通线段由一第一导电图案层所构成,且该数据线、该源极、该漏极与该至少一第二共通线段由一第二导电图案层所构成;
该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该至少一第一共通线段包括两第一共通线段,该至少一第二共通线段包括两第二共通线段,该第一接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
6.根据权利要求5所述的制作显示面板的方法,其特征在于,另包括于形成该保护层与该第二导电图案层之前,先于该基板与该第一导电图案层上形成一绝缘层,该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
7.根据权利要求6所述的制作显示面板的方法,其特征在于,该第一接触洞所暴露的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一第一斜率,该第一接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁分别具有一第二斜率,且该第二斜率小于该第一斜率。
8.根据权利要求7所述的制作显示面板的方法,其特征在于,形成该第一接触洞与该第二接触洞的步骤包括:
于该保护层上形成一光刻胶图案,该光刻胶图案包括一开口、一第一区域与一第二区域,其中该开口在一垂直投影方向与该两第一共通线段但未与该两第二共通线段重迭,该第一区域与该开口邻接且在该垂直投影方向与该两第二共通线段部分重迭但未与该两第一共通线段重迭,该第二区域环绕该第一区域与该开口,且该第一区域的厚度小于该第二区域的厚度;以及
利用该光刻胶图案作为一蚀刻屏蔽对该保护层及该绝缘层进行蚀刻,以形成该第一接触洞与该第二接触洞。
9.根据权利要求8所述的制作显示面板的方法,其特征在于,该光刻胶图案利用一半色调光掩模或一灰阶光掩模加以形成。
10.一种共通线结构,布设于一基板上,其特征在于,该共通线结构包括:
至少一第一共通线段,设置于该基板上;
至少一第二共通线段,设置于该基板上;
一保护层,设置于该至少一第一共通线段与该至少一第二共通线段上,该保护层具有至少一接触洞,部分暴露出该至少一第一共通线段与该至少一第二共通线段;以及
一连接线段,设置于该保护层上,其中该连接线段电性连接该接触洞暴露出的该至少一第一共通线段与该至少一第二共通线段;
该第一共通线段与该第二共通线段由一相同的导电图案层所构成;
该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该第一接触洞部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞部分暴露出该第二共通线段;
另包括一绝缘层设置于该第一共通线段与该第二共通线段以及该保护层之间,该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第二共通线段;
该第一接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一阶梯结构,且各该阶梯结构包括一第一倾斜面、一平面与一第二倾斜面。
11.一种共通线结构,布设于一基板上,其特征在于,该共通线结构包括:
至少一第一共通线段,设置于该基板上;
至少一第二共通线段,设置于该基板上;
一保护层,设置于该至少一第一共通线段与该至少一第二共通线段上,该保护层具有至少一接触洞,部分暴露出该至少一第一共通线段与该至少一第二共通线段;以及
一连接线段,设置于该保护层上,其中该连接线段电性连接该接触洞暴露出的该至少一第一共通线段与该至少一第二共通线段;
该第一共通线段由一第一导电图案层所构成,且该第二共通线段由一第二导电图案层所构成;
该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该至少一第一共通线段包括两第一共通线段,该至少一第二共通线段包括两第二共通线段,该第一接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
12.根据权利要求11所述的共通线结构,其特征在于,另包括一绝缘层设置于该两第一共通线段与该两第二共通线段之间,其中该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
13.根据权利要求12所述的共通线结构,其特征在于,该第一接触洞所暴露的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一第一斜率,该第一接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁分别具有一第二斜率,且该第二斜率小于该第一斜率。
14.一种显示面板,其特征在于,包括:
一基板;
一栅极线、一栅极、一数据线、一源极,以及一漏极设置于该基板上;
一共通线结构,设置于该基板上,其中该共通线结构包括至少一第一共通线段以及至少一第二共通线段;
一保护层,设置于该栅极线、该栅极、该数据线、该源极、该漏极、该第一共通线段与该第二共通线段上,其中该保护层具有至少一接触洞,部分暴露出该第一共通线段与该第二共通线段;以及
一连接线段,设置于该保护层上,其中该连接线段电性连接该接触洞暴露出的该第一共通线段与该第二共通线段;
该栅极线、该栅极、该至少一第一共通线段与该至少一第二共通线段由一第一导电图案层所构成,且该数据线、该源极与该漏极由一第二导电图案层所构成;
该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该第一接触洞部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞部分暴露出该第二共通线段;
另包括一绝缘层设置于该第一共通线段与该第二共通线段以及该保护层之间,其中该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第二共通线段;
该第一接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一阶梯结构,且各该阶梯结构包括一第一倾斜面、一平面与一第二倾斜面。
15.根据权利要求14所述的显示面板,其特征在于,该连接线段由一透明导电图案层所构成,该透明导电图案层另包括一像素电极,该像素电极与该漏极电性连接且与该连接线段电性分离。
16.一种显示面板,其特征在于,包括:
一基板;
一栅极线、一栅极、一数据线、一源极,以及一漏极设置于该基板上;
一共通线结构,设置于该基板上,其中该共通线结构包括至少一第一共通线段以及至少一第二共通线段;
一保护层,设置于该栅极线、该栅极、该数据线、该源极、该漏极、该第一共通线段与该第二共通线段上,其中该保护层具有至少一接触洞,部分暴露出该第一共通线段与该第二共通线段;以及
一连接线段,设置于该保护层上,其中该连接线段电性连接该接触洞暴露出的该第一共通线段与该第二共通线段;
该栅极线、该栅极与该至少一第一共通线段由一第一导电图案层所构成,且该数据线、该源极、该漏极与该第二共通线段由一第二导电图案层所构成;
该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该至少一第一共通线段包括两第一共通线段,该至少一第二共通线段包括两第二共通线段,该第一接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
17.根据权利要求16所述的显示面板,其特征在于,另包括一绝缘层设置于该两第一共通线段与该两第二共通线段之间,其中该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
18.根据权利要求17所述的显示面板,其特征在于,该第一接触洞所暴露的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一第一斜率,该第一接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁分别具有一第二斜率,且该第二斜率小于该第一斜率。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210139373.8A CN102651344B (zh) | 2010-07-15 | 2010-07-15 | 共通线结构与显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210139373.8A CN102651344B (zh) | 2010-07-15 | 2010-07-15 | 共通线结构与显示面板及其制作方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010102305379A Division CN101950731B (zh) | 2010-07-15 | 2010-07-15 | 共通线结构与显示面板及其制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102651344A CN102651344A (zh) | 2012-08-29 |
CN102651344B true CN102651344B (zh) | 2014-11-05 |
Family
ID=46693316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210139373.8A Active CN102651344B (zh) | 2010-07-15 | 2010-07-15 | 共通线结构与显示面板及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102651344B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106952927A (zh) * | 2017-03-27 | 2017-07-14 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 叠层结构及其制备方法 |
CN110429125A (zh) | 2019-08-12 | 2019-11-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制作方法、柔性显示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5978057A (en) * | 1996-08-31 | 1999-11-02 | Lg Electronics, Inc. | Common line contact of liquid crystal display and method of fabricating the same |
CN101217131A (zh) * | 2008-01-14 | 2008-07-09 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构及其制造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4627148B2 (ja) * | 2004-04-09 | 2011-02-09 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
-
2010
- 2010-07-15 CN CN201210139373.8A patent/CN102651344B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5978057A (en) * | 1996-08-31 | 1999-11-02 | Lg Electronics, Inc. | Common line contact of liquid crystal display and method of fabricating the same |
CN101217131A (zh) * | 2008-01-14 | 2008-07-09 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102651344A (zh) | 2012-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9201095B2 (en) | Structure of bridging electrode | |
US6800872B2 (en) | Active matrix thin film transistor | |
JP5777153B2 (ja) | アレイ基板のマザーボードの製造方法 | |
CN102623397B (zh) | 显示面板的阵列基板结构及其制作方法 | |
CN103123911B (zh) | 像素结构及其制作方法 | |
US8703510B2 (en) | Array substrate and a manufacturing method thereof | |
JP2007004158A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 | |
CN101477989B (zh) | 薄膜晶体管基板及其制造方法 | |
CN106876387B (zh) | 一种阵列基板及其制造方法 | |
CN101950731B (zh) | 共通线结构与显示面板及其制作方法 | |
CN103033997A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
CN102651344B (zh) | 共通线结构与显示面板及其制作方法 | |
TWI423391B (zh) | 共通線結構與顯示面板及其製作方法 | |
CN104952887A (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
KR100325668B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
CN103700627A (zh) | 一种阵列基板的制作方法 | |
CN116133477A (zh) | Oled显示面板及其制备方法 | |
CN106298647B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法 | |
CN102637698A (zh) | 一种阵列基板及其制备方法 | |
CN109659310A (zh) | 像素结构以及像素结构的制作方法 | |
US8695213B2 (en) | Layout method of touch panel electrode | |
CN102306652B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、使用该阵列基板的显示面板 | |
CN107895727B (zh) | 显示基板及其制造方法 | |
CN107170710B (zh) | 阵列基板的制备方法 | |
US8252151B2 (en) | Layout method of bridging electrode |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |