TWI423391B - 共通線結構與顯示面板及其製作方法 - Google Patents

Description

共通線結構與顯示面板及其製作方法

本發明係關於一種共通線結構與顯示面板及其製作方法，尤指一種利用一連接線段經由接觸洞連接兩共通線段之共通線結構、具有上述共通線結構之顯示面板，以及上述共通線結構及顯示面板之製作方法。

顯示面板之陣列基板，例如液晶顯示面板之陣列基板，通常形成有由不同層導電圖案層所構成之導線或電極，例如閘極線、資料線、共通線與畫素電極等，且在不同層的導電圖案層之間會設置有絕緣層以發揮絕緣效果。當不同層的導電圖案層之間需要電性連接時，例如畫素電極與薄膜電晶體之汲極之間需要電性連接時，會於絕緣層中形成穿孔(接觸洞)，以使位於絕緣層上畫素電極得以通過穿孔搭接在汲極上。然後，有鑑於顯示面板之開口率的規格不斷提升，穿孔的尺寸必須縮小，但穿孔的縮小會使得其深寬比加大，而造成了不同層的導電圖案層在搭接時的可靠度下降，進而使得顯示面板的良率無法進一步提升。

本發明之目的之一在於提供一種共通線結構、一種顯示面板，以及共通線結構與顯示面板之製作方法，以提升共通線結構與顯示面板之可靠度。

本發明之一較佳實施例提供一種製作共通線結構之方法，包括下列步驟。提供一基板，其中基板上設置有至少一第一共通線段與至少一第二共通線段。接著於基板、第一共通線段與第二共通線段上形成一保護層。隨後，形成至少一接觸洞貫穿保護層，以部分暴露出第一共通線段與第二共通線段。之後，於保護層上形成一連接線段，並使連接線段電性連接接觸洞所暴露出之第一共通線段與第二共通線段。

本發明之另一較佳實施例提供一種製作顯示面板之方法，包括下列步驟。首先提供一基板，其中基板上設置有一閘極線、一閘極與閘極線電性連接、一資料線、一源極與資料線電性連接、一汲極、至少一第一共通線段與至少一第二共通線段。接著於基板、閘極線、閘極、資料線、源極、汲極、第一共通線段與第二共通線段上形成一保護層。隨後，形成至少一接觸洞貫穿保護層，以部分暴露出第一共通線段與第二共通線段。之後，於保護層上形成一連接線段，並使連接線段電性連接接觸洞所暴露出之第一共通線段與第二共通線段。

本發明之又一較佳實施例提供一種共通線結構。上述共通線結構佈設於一基板上，且共通線結構包括至少一第一共通線段、至少一第二共通線段、一保護層與一連接線段。第一共通線段與第二共通線段係設置於基板上。保護層係設置於第一共通線段與第二共通線段上，其中保護層具有至少一接觸洞，部分暴露出第一共通線段與第二共通線段。連接線段係設置於保護層上，其中連接線段電性連接接觸洞暴露出之第一共通線段與第二共通線段。

本發明之另一較佳實施例提供一種顯示面板。上述顯示面板包括一基板、一閘極線、一閘極、一資料線、一源極、一汲極、一共通線結構與一共通線結構。閘極線、閘極、資料線、源極、汲極、共通線結構與保護層係設置於基板上。共通線結構係設置於基板上，其中共通線結構包括至少一第一共通線段以及至少一第二共通線段。保護層係設置於閘極線、閘極、資料線、源極、汲極、第一共通線段與第二共通線段上，其中保護層具有至少一接觸洞，部分暴露出第一共通線段與第二共通線段。連接線段係設置於保護層上，其中連接線段電性連接接觸洞暴露出之第一共通線段與第二共通線段。

本發明之顯示面板利用連接線段分別填入兩接觸洞以電性連接兩共通線段而形成一共通線結構，且接觸洞的側壁具有一階梯結構或是接觸洞的側壁具有兩種以上的斜率，因此可避免連接線段因接觸洞的側壁過於陡直而產生斷線，故可增加可靠度。

為使熟習本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本發明，下文特列舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說明本發明的構成內容及所欲達成之功效。

請參考第1圖至第8圖。第1圖至第8圖繪示了本發明之第一較佳實施例製作顯示面板及其共通線結構之方法示意圖，其中第1圖、第2圖與第7圖係以上視圖繪示，而第3圖至第6圖以及第8圖係沿剖線A-A’繪示之剖面示意圖。如第1圖所示，首先，提供一基板10。接著於基板10上形成一第一導電圖案層12，例如一金屬圖案層。第一導電圖案層12可由鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、銅、上述金屬之合金或是上述材料之組合所組成，但不以此為限。例如在本實施例中，第一導電圖案層12為鉬/鋁/鉬組成之複合金屬層。在本實施例中，第一導電圖案層12包括一閘極線GL、一閘極12G、至少一第一共通線段CL1與至少一第二共通線段CL2，即至少一第一共通線段CL1與至少一第二共通線段CL2係由一相同之導電圖案層所構成。其中閘極12G與閘極線GL電性連接，而於本步驟中，第一共通線段CL1與第二共通線段CL2電性分離。隨後，於閘極12G上形成一圖案化半導體層14，例如一圖案化非晶矽層。之後，於基板10、第一導電圖案層12與圖案化半導體層14上形成一絕緣層16。

如第2圖與第3圖所示，接著於絕緣層16上形成一第二導電圖案層18(第3圖未示)，例如一金屬圖案層。第二導電圖案層18可由鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、銅、上述金屬之合金或是上述材料之組合所組成，但不以此為限。例如在本實施例中，第二導電圖案層18為鉬/鋁/鉬組成之複合金屬層。在本實施例中，第二導電圖案層18包括一資料線DL、一源極18S與一汲極18D，其中源極18S與資料線DL電性連接。隨後，於絕緣層16與第二導電圖案層18上形成一保護層20，其中保護層20可為一單層保護層或一複合層保護層。

接著對保護層20進行圖案化，於保護層20中形成複數個接觸洞貫穿保護層20，以部分暴露出第一共通線段CL1與第二共通線段CL2。在本實施例中，如第4圖所示，圖案化保護層20之步驟係利用半色調光罩或灰階光罩並配合微影暨蝕刻技術加以形成，但不以此為限。圖案化保護層20包括下列步驟。首先提供一光罩30，其中光罩30較佳為半色調光罩或灰階光罩。光罩30具有一第一區301、一第二區302與一半透光區303。接著於保護層20上形成一光阻層(圖未示)，並利用光罩30對光阻層進行曝光暨顯影，以形成一光阻圖案22。在本實施例中，光阻層可選用正型光阻，且在此狀況下，光罩30之第一區301係為一透光區，而第二區302則為一不透光區，但若光阻層選用負型光阻，則光罩30之第一區301係為一不透光區，而第二區302則為一透光區。於曝光顯影後，光阻圖案22包括一開口22T、一第一區域221與一第二區域222。開口22T對應於光罩30之第一區301，且在垂直投影方向與第一共通線段CL1以及第二共通線段CL2部分重疊，第一區域221對應於光罩30之半透光區303，且第一區域221與開口22T鄰接並在垂直投影方向未與第一共通線段CL1以及第二共通線段CL2重疊。第二區域222對應於光罩30之第二區302，並環繞第一區域221與開口22T，且第一區域221之厚度小於第二區域222之厚度。

如第5圖所示，接著利用光阻圖案22作為蝕刻遮罩以蝕刻光阻圖案22之開口22T曝露出之保護層20，並一併蝕刻保護層20下方之絕緣層16。如第6圖所示，隨後，可藉由一灰化製程或藉由控制蝕刻製程之參數，移除光阻圖案22之第一區域221並縮減光阻圖案22之第二區域222的厚度，接著再蝕刻光阻圖案22曝露出之保護層20與部分之絕緣層16，以形成至少一第一接觸洞201與至少一第二接觸洞202。第一接觸洞201部分暴露出第一共通線段CL1，而第二接觸洞202部分暴露出第二共通線段CL2。藉由上述兩段式蝕刻方式，第一接觸洞201所暴露出之絕緣層16之側壁與第二接觸洞202所暴露出之絕緣層16之側壁分別具有一階梯結構201T、202T，其中階梯結構201T包括一第一傾斜面2011、一平面2012與一第二傾斜面2013，且階梯結構202T包括一第一傾斜面2021、一平面2022與一第二傾斜面2023。第一接觸洞201至少暴露出第一共通線段CL1之側壁，甚至可暴露出第一共通線段CL1之部分上表面。第二接觸洞202至少暴露出第二共通線段CL2之側壁，甚至可暴露出第二共通線段CL2之部分上表面。

如第7圖與第8圖所示，移除光阻圖案22。接著於保護層20上形成一透明導電圖案層24。透明導電圖案層24包括至少一畫素電極241(第8圖未示)與至少一連接線段242，其中畫素電極241係與汲極18D電性連接，畫素電極241可與部份第一共通線段CL1與/或第二共通線段CL2重疊，但不侷限於此。在本實施例中，視設計者需求，透明導電圖案層24可以使用非透明導電材料替換，譬如為金屬導電材料，但並不侷限於此。而連接線段242則透過第一接觸洞201與第二接觸洞202將第一共通線段CL1與第二共通線段CL2電性連接，而形成本實施例之共通線結構。由於第一接觸洞201具有階梯結構201T，且第二接觸洞202具有階梯結構202T，因此當連接線段242填入第一接觸洞201與第二接觸洞202內時，可確保連接線段242不會因為第一接觸洞201與第二接觸洞202的側壁過於陡直而產生斷線。另外，基板10可進一步與另一基板(圖未示)組裝，並於兩基板之間形成液晶分子(圖未示)，即可形成本實施例之顯示面板。

由上述可知，本實施例之共通線結構係利用連接線段242跨接第一共通線段CL1與第二共通線段CL2所形成，而由於第一接觸洞201與第二接觸洞202的側壁具有階梯結構的設計，因此可減少連接線段242的斷線機率，進而提升可靠度。

請參考第9圖至第16圖。第9圖至第16圖繪示了本發明之第二較佳實施例製作顯示面板及其共通線結構之方法示意圖，其中第9圖、第10圖與第15圖係以上視圖繪示，而第11圖至第14圖以及第16圖係沿剖線A-A’繪示之剖面示意圖。為了簡化說明，在下文之實施例中主要針對各實施例之相異處進行說明，而不再對重覆部分進行贅述。如第9圖所示，首先，提供一基板50。接著於基板50上形成一第一導電圖案層52。在本實施例中，第一導電圖案層52包括一閘極線GL、一閘極52G、兩第一共通線段CL1，其中閘極52G與閘極線GL電性連接。隨後，於閘極52G上形成一圖案化半導體層54。之後，於基板50、第一導電圖案層52與圖案化半導體層54上舉例係全面性形成一絕緣層56。

如第10圖與第11圖所示，接著於絕緣層56上形成一第二導電圖案層58。在本實施例中，第二導電圖案層58包括一資料線DL、一源極58S、一汲極58D以及兩第二共通線段CL2，其中源極58S與資料線DL電性連接，而在此步驟中，兩第二共通線段CL2電性分離且第二共通線段CL2亦與第一共通線段CL1電性分離。隨後，於絕緣層56與第二導電圖案層58上舉例係全面性形成一保護層60。

如第12圖所示，接著對保護層60進行圖案化，於保護層60中形成複數個接觸洞貫穿保護層60，以部分暴露出兩第一共通線段CL1與兩第二共通線段CL2。在本實施例中，圖案化保護層60之步驟係利用半色調光罩或灰階光罩並配合微影暨蝕刻技術加以形成，但不以此為限。圖案化保護層60包括下列步驟。首先提供一光罩70，其中光罩70較佳為半色調光罩或灰階光罩。光罩70具有一第一區701、一第二區702與一半透光區703。接著於保護層60上形成一光阻層(圖未示)，並利用光罩70對光阻層進行曝光暨顯影，以形成一光阻圖案72。在本實施例中，光阻層可選用正型光阻，且在此狀況下，光罩70之第一區701係為一透光區，而第二區702則為一不透光區，但若光阻層選用負型光阻，則光罩70之第一區701係為一不透光區，而第二區702則為一透光區。光阻圖案72包括一開口72T、一第一區域721與一第二區域722。開口72T對應於光罩70之第一區701，且在垂直投影方向與兩第一共通線段CL1部分重疊但未與兩第二共通線段CL2部分重疊，第一區域721對應於光罩70之半透光區703，且第一區域721與開口72T鄰接並在垂直投影方向與兩第二共通線段CL2部分重疊但未與兩第一共通線段CL1重疊。第二區域722對應於光罩70之第二區702，並環繞第一區域721與開口72T，且第一區域721之厚度小於第二區域722之厚度。

如第13圖所示，接著利用光阻圖案72作為蝕刻遮罩蝕刻光阻圖案72之開口72T曝露出之保護層70，並一併蝕刻保護層70下方之絕緣層66。如第14圖所示，隨後，可藉由一灰化製程或藉由控制蝕刻製程之參數，移除光阻圖案72之第一區域721並縮減光阻圖案72之第二區域722的厚度，接著再蝕刻光阻圖案72曝露出之保護層70與部分之絕緣層66，以形成至少一第一接觸洞701與至少一第二接觸洞702。第一接觸洞701貫穿保護層70與絕緣層66而部分暴露出兩第一共通線段CL1之其中一者與兩第二共通線段CL2之其中一者，而第二接觸洞702貫穿保護層70與絕緣層66而部分暴露出兩第一共通線段CL1之其中另一者與兩第二共通線段CL2之其中另一者。藉由上述兩段式蝕刻方式，第一接觸洞701所暴露之絕緣層66之側壁與第二接觸洞702所暴露出之絕緣層66之側壁分別具有一第一斜率S1，第一接觸洞701所暴露出之第二共通線段CL2之側壁與第二接觸洞702所暴露出之第二共通線段CL2之側壁分別具有一第二斜率S2，且第二斜率S2小於第一斜率S1。如第13圖所示，第一接觸洞701至少暴露出第一共通線段CL1之側壁，甚至可暴露出第一共通線段CL1之部分上表面。第一接觸洞701至少暴露出第二共通線段CL2之側壁，甚至可暴露出第二共通線段CL2之部分上表面。第二接觸洞702至少暴露出第一共通線段CL1之側壁，甚至可暴露出第一共通線段CL1之部分上表面。第二接觸洞702至少暴露出第二共通線段CL2之側壁，甚至可暴露出第二共通線段CL2之部分上表面。

如第15圖與第16圖所示，移除光阻圖案72。接著於保護層70上形成一透明導電圖案層74。透明導電圖案層74包括至少一畫素電極741(第16圖未示)與至少一連接線段742，其中畫素電極741係與汲極58D電性連接，而連接線段742則透過第一接觸洞701與第二接觸洞702將兩第一共通線段CL1與兩第二共通線段CL2電性連接，而形成本實施例之共通線結構。由於在第一接觸洞701與第二接觸洞702內，第二共通線段CL2的側壁的第二斜率S2小於位於其下方之絕緣層66的側壁的第一斜率S1，因此當連接線段742填入第一接觸洞701與第二接觸洞702內時，可確保連接線段742不會因為第一接觸洞701與第二接觸洞702的側壁過於陡直而產生斷線。另外，基板50可進一步與另一基板(圖未示)組裝，並於兩基板之間形成液晶分子(圖未示)，即可形成本實施例之顯示面板。在本實施例中，視設計者需求，透明導電圖案層74可以使用非透明導電材料替換，譬如為金屬導電材料，但並不侷限於此。

綜上所述，本發明之顯示面板利用連接線段分別填入兩接觸洞以電性連接兩共通線段而形成一共通線結構，且接觸洞的側壁具有一階梯結構或是兩種以上的斜率，因此可避免連接線段產生斷線，而增加可靠度。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

10,50．．．基板

12,52．．．第一導電圖案層

12G,52G．．．閘極

GL．．．閘極線

CL1．．．第一共通線段

CL2．．．第二共通線段

14,54．．．圖案化半導體層

16,56．．．絕緣層

18,58．．．第二導電圖案層

18S,58S．．．源極

18D,58D‧‧‧汲極

DL‧‧‧資料線

20,60‧‧‧保護層

201,601‧‧‧第一接觸洞

202,602‧‧‧第二接觸洞

201T,202T‧‧‧階梯結構

2011,2021‧‧‧第一傾斜面

2012,2022‧‧‧平面

2013,2023‧‧‧第二傾斜面

22,72‧‧‧光阻圖案

22T,72T‧‧‧開口

30,70‧‧‧光罩

301,701‧‧‧第一區

302,702‧‧‧第二區

303,703‧‧‧半透光區

24,74‧‧‧透明導電圖案層

241,741‧‧‧畫素電極

242,742‧‧‧連接線段

S1‧‧‧第一斜率

S2‧‧‧第二斜率

第1圖至第8圖繪示了本發明之第一較佳實施例製作顯示面板及其共通線結構之方法示意圖。

第9圖至第16圖繪示了本發明之第二較佳實施例製作顯示面板及其共通線結構之方法示意圖。

10．．．基板

12．．．第一導電圖案層

GL．．．閘極線

CL1．．．第一共通線段

CL2．．．第二共通線段

16．．．絕緣層

20．．．保護層

201．．．第一接觸洞

202．．．第二接觸洞

201T,202T．．．階梯結構

2011,2021．．．第一傾斜面

2012,2022．．．平面

2013,2023．．．第二傾斜面

24．．．透明導電圖案層

242．．．連接線段

Claims (23)

1. 一種製作共通線結構之方法，包括：提供一基板，其中該基板上設置有至少一第一共通線段與至少一第二共通線段，且該第一共通線段與該第二共通線段係由一相同之導電圖案層所構成；於該基板、該第一共通線段與該第二共通線段上形成一絕緣層；於該基板、該至少一第一共通線段、該至少一第二共通線段以及該絕緣層上形成一保護層；形成至少一接觸洞貫穿該保護層，以部分暴露出該至少一第一共通線段與該至少一第二共通線段，其中該至少一接觸洞包括一第一接觸洞與一第二接觸洞，該第一接觸洞貫穿該保護層與該絕緣層以部分暴露出該第一共通線段，且該第二接觸洞貫穿該保護層與該絕緣層以部分暴露出該第二共通線段；以及於該保護層上形成一連接線段，並使該連接線段電性連接該接觸洞所暴露出之該至少一第一共通線段與該至少一第二共通線段。
2. 如請求項1所述之製作共通線結構之方法，其中該第一接觸洞所暴露出之該絕緣層之一側壁與該第二接觸洞所暴露出之該絕緣層之一側壁分別具有一階梯結構，且各該階梯結構包括一第一傾斜面、一平面與一第二傾斜面。
3. 如請求項2所述之製作共通線結構之方法，其中形成該第一接觸洞與該第二接觸洞之步驟包括：於該保護層上形成一光阻圖案，該光阻圖案包括一開口、一第一區域與一第二區域，其中該開口在一垂直投影方向與該第一共通線段以及該第二共通線段部分重疊，該第一區域與該開口鄰接且在該垂直投影方向未與該第一共通線段以及該第二共通線段重疊，該第二區域環繞該第一區域與該開口，且該第一區域之厚度小於該第二區域之厚度；以及利用該光阻圖案作為一蝕刻遮罩對該保護層及該絕緣層進行蝕刻，以形成該第一接觸洞、該第二接觸洞以及該絕緣層之該等階梯結構。
4. 如請求項3所述之製作共通線結構之方法，其中該光阻圖案係利用一半色調光罩或一灰階光罩加以形成。
5. 如請求項1所述之製作共通線結構之方法，其中該連接線段係由一透明導電圖案層所構成。
6. 一種製作顯示面板之方法，包括：提供一基板，其中該基板上設置有一閘極線、一閘極與該閘極線電性連接、一資料線、一源極與該資料線電性連接、一汲極、至少一第一共通線段與至少一第二共通線段，其中該 閘極線、該閘極、該至少一第一共通線段與該至少一第二共通線段係由一第一導電圖案層所構成，且該資料線、該源極與該汲極係由一第二導電圖案層所構成；於該基板、該第一共通線段與該第二共通線段上形成一絕緣層；於該基板、該閘極線、該閘極、該資料線、該源極、該汲極、該第一共通線段、該第二共通線段以及該絕緣層上形成一保護層；形成至少一接觸洞貫穿該保護層，以部分暴露出該第一共通線段與該第二共通線段，其中該至少一接觸洞包括一第一接觸洞與一第二接觸洞，該第一接觸洞貫穿該保護層與該絕緣層以部分暴露出該第一共通線段，且該第二接觸洞貫穿該保護層與該絕緣層以部分暴露出該第二共通線段；以及於該保護層上形成一連接線段，並使該連接線段電性連接該接觸洞所暴露出之該第一共通線段與該第二共通線段。
7. 如請求項6所述之製作顯示面板之方法，其中該第一接觸洞所暴露出之該絕緣層之一側壁與該第二接觸洞所暴露出之該絕緣層之一側壁分別具有一階梯結構，且各該階梯結構包括一第一傾斜面、一平面與一第二傾斜面。
8. 如請求項7所述之製作顯示面板之方法，其中形成該第一接觸洞與該第二接觸洞之步驟包括：於該保護層上形成一光阻圖案，該光阻圖案包括一開口、一第一 區域與一第二區域，其中該開口在一垂直投影方向與該第一共通線段以及該第二共通線段部分重疊，該第一區域與該開口鄰接且在該垂直投影方向未與該第一共通線段以及該第二共通線段重疊，該第二區域環繞該第一區域與該開口，且該第一區域之厚度小於該第二區域之厚度；以及利用該光阻圖案作為一蝕刻遮罩對該保護層及該絕緣層進行蝕刻，以形成該第一接觸洞、該第二接觸洞以及該絕緣層之該等階梯結構。
9. 如請求項8所述之製作顯示面板之方法，其中該光阻圖案係利用一半色調光罩或一灰階光罩加以形成。
10. 如請求項6所述之製作顯示面板之方法，其中該連接線段係由一透明導電圖案層所構成，且該透明導電圖案層另包括一畫素電極，該畫素電極與該汲極電性連接且與該連接線段電性分離。
11. 一種共通線結構，佈設於一基板上，該共通線結構包括：至少一第一共通線段，設置於該基板上，其中該至少一第一共通線段包括兩第一共通線段，且該第一共通線段係由一第一導電圖案層所構成；至少一第二共通線段，設置於該基板上，其中該至少一第二共通線段包括兩第二共通線段，且該第二共通線段係由一第二導電圖案層所構成； 一保護層，設置於該至少一第一共通線段與該至少一第二共通線段上，其中該保護層具有至少一接觸洞，且該至少一接觸洞包括一第一接觸洞與一第二接觸洞，該第一接觸洞部分暴露出該兩第一共通線段之其中一者與該兩第二共通線段之其中一者，且該第二接觸洞部分暴露出該兩第一共通線段之其中另一者與該兩第二共通線段之其中另一者；以及一連接線段，設置於該保護層上，其中該連接線段電性連接該接觸洞暴露出之該至少一第一共通線段與該至少一第二共通線段。
12. 如請求項11所述之共通線結構，另包括一絕緣層設置於該兩第一共通線段與該兩第二共通線段之間，其中該第一接觸洞貫穿該保護層與該絕緣層以部分暴露出該兩第一共通線段之其中一者與該兩第二共通線段之其中一者，且該第二接觸洞貫穿該保護層與該絕緣層以部分暴露出該兩第一共通線段之其中另一者與該兩第二共通線段之其中另一者。
13. 如請求項12所述之共通線結構，其中該第一接觸洞所暴露之該絕緣層之一側壁與該第二接觸洞所暴露出之該絕緣層之一側壁分別具有一第一斜率，該第一接觸洞所暴露出之該第二共通線段之一側壁與該第二接觸洞所暴露出之該第二共通線段之一側壁分別具有一第二斜率，且該第二斜率小於該第一斜率。
14. 如請求項11所述之共通線結構，其中該連接線段係由一透明導電圖案層所構成。
15. 一種顯示面板，包括：一基板；一閘極線、一閘極、一資料線、一源極，以及一汲極設置於該基板上；一共通線結構，設置於該基板上，其中該共通線結構包括至少一第一共通線段以及至少一第二共通線段；一保護層，設置於該閘極線、該閘極、該資料線、該源極、該汲極、該第一共通線段與該第二共通線段上，其中該保護層具有至少一接觸洞，部分暴露出該第一共通線段與該第二共通線段；以及一連接線段，設置於該保護層上，其中該連接線段電性連接該接觸洞暴露出之該第一共通線段與該第二共通線段，該連接線段係由一透明導電圖案層所構成，該透明導電圖案層另包括一畫素電極，且該畫素電極與該汲極電性連接且與該連接線段電性分離。
16. 如請求項15所述之顯示面板，其中該閘極線、該閘極、該至少一第一共通線段與該至少一第二共通線段係由一第一導電圖案層所構成，且該資料線、該源極與該汲極係由一第二導電圖案層所構成。
17. 如請求項16所述之顯示面板，其中該至少一接觸洞包括一第一接觸洞與一第二接觸洞，該第一接觸洞部分暴露出該第一共通線段，且該第二接觸洞部分暴露出該第二共通線段。
18. 如請求項17所述之顯示面板，另包括一絕緣層設置於該第一共通線段與該第二共通線段以及該保護層之間，其中該第一接觸洞貫穿該保護層與該絕緣層以部分暴露出該第一共通線段’且該第二接觸洞貫穿該保護層與該絕緣層以部分暴露出該第二共通線段。
19. 如請求項18所述之顯示面板，其中該第一接觸洞所暴露出之該絕緣層之一側壁與該第二接觸洞所暴露出之該絕緣層之一側壁分別具有一階梯結構，且各該階梯結構包括一第一傾斜面、一平面與一第二傾斜面。
20. 如請求項15所述之顯示面板，其中該閘極線、該閘極與該至少一第一共通線段係由一第一導電圖案層所構成，且該資料線、該源極、該汲極與該第二共通線段係由一第二導電圖案層所構成。
21. 如請求項20所述之顯示面板，其中該至少一接觸洞包括一第一接觸洞與一第二接觸洞，該至少一第一共通線段包括兩第一共 通線段，該至少一第二共通線段包括兩第二共通線段，該第一接觸洞部分暴露出該兩第一共通線段之其中一者與該兩第二共通線段之其中一者，且該第二接觸洞部分暴露出該兩第一共通線段之其中另一者與該兩第二共通線段之其中另一者。
22. 如請求項21所述之顯示面板，另包括一絕緣層設置於該兩第一共通線段與該兩第二共通線段之間，其中該第一接觸洞貫穿該保護層與該絕緣層以部分暴露出該兩第一共通線段之其中一者與該兩第二共通線段之其中一者，且該第二接觸洞貫穿該保護層與該絕緣層以部分暴露出該兩第一共通線段之其中另一者與該兩第二共通線段之其中另一者。
23. 如請求項22所述之顯示面板，其中該第一接觸洞所暴露之該絕緣層之一側壁與該第二接觸洞所暴露出之該絕緣層之一側壁分別具有一第一斜率，該第一接觸洞所暴露出之該第二共通線段之一側壁與該第二接觸洞所暴露出之該第二共通線段之一側壁分別具有一第二斜率，且該第二斜率小於該第一斜率。