CN113097266A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括基板和设置在所述基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；所述显示面板还包括设置在所述栅极与所述源极之间的第一平坦层，所述第一平坦层为有机绝缘层。本申请通过在薄膜晶体管的栅极和源漏极之间设置第一平坦层，第一平坦层采用有机绝缘材料制成，具有较大的厚度和较好的填平性能，可以在不需要额外增加制程和面板结构的条件下增大显示面板表面的平坦性。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
随着显示面板分辨率、开口率以及刷新频率的不断提升，信号线电阻对显示面板显示性能的影响越来越明显。为保证显示性能，信号线的厚度也不断增加，导致信号线上方的结构表面出现较大的段差，影响后续制程的进行。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，解决了现有技术中在不增加工艺制程的条件下解决金属层图案化带来了段差问题。
本申请实施例提供一种显示面板，包括基板和设置在所述基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；所述显示面板还包括设置在所述栅极与所述源极之间的第一平坦层，所述第一平坦层为有机绝缘层。
可选的，在本申请的一些具体实施例中，显示面板还包括：第一辅助电极层，设置在所述基板上，所述第一辅助电极层包括遮光电极；有源层，绝缘设置在所述遮光电极上；栅极绝缘层，设置在所述有源层上；第一金属层，设置在所述栅极绝缘层上，所述第一金属层包括所述栅极；以及第二金属层，设置在所述第一平坦层上，所述第二金属层包括所述源极和所述漏极；所述第一平坦层设置在所述第一金属层上，所述第一平坦层上开设有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔与所述有源层的两端相对，所述第二过孔与所述遮光电极相对；所述源极和所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述源极或所述漏极通过所述第二过孔与所述遮光电极连接。
可选的，在本申请的一些具体实施例中，显示面板还包括：第一金属层，设置在所述基板上，所述第一金属层包括所述栅极，所述第一平坦层设置在所述第一金属层上；第二金属层，设置在所述第一平坦层上；第二平坦层，设置在所述第二金属层上。
可选的，在本申请的一些具体实施例中，所述第二金属层包括所述源极和所述漏极，所述第二平坦层对应所述源极或所述漏极开设有第三过孔；所述显示面板还包括发光电极，所述发光电极设置在所述第二平坦层上，所述发光电极通过所述第三过孔与所述源极或所述漏极连接；所述第一平坦层和所述第二平坦层在所述显示面板的非显示区形成净空区。
可选的，在本申请的一些具体实施例中，所述第一平坦层在所述显示面板的非显示区形成净空区，所述显示面板还包括设置在所述第二金属层上的第二辅助电极层以及设置在所述净空区上的连接端子；所述连接端子包括第一导电图案和第二导电图案中的一个或两个以及第三导电图案；所述第一导电图案位于第一金属层，所述第二导电图案位于第二金属层，所述第三导电图案位于第二辅助电极层。
可选的，在本申请的一些具体实施例中，所述第二金属层包括源极和漏极，所述第二平坦层对应所述源极或所述漏极开设有第三过孔；所述显示面板还包括发光电极，所述发光电极设置在所述第二平坦层上，所述发光电极通过所述第三过孔与所述源极或所述漏极连接，所述发光电极包括透明电极层，所述透明电极层为所述第二辅助电极层。
可选的，在本申请的一些具体实施例中，显示面板还包括：钝化层，设置在所述第二金属层上，所述钝化层包括与所述第一导电图案或所述第二导电图案相对应的连接过孔；第二辅助电极层，设置在所述钝化层上，所述第二辅助电极层包括所述第三导电图案，所述第三导电图案通过所述连接过孔与所述第一导电图案或所述第二导电图案连接；所述第二平坦层设置在所述第二辅助电极层上。
可选的，在本申请的一些具体实施例中，显示面板还包括：第一辅助电极层，所述第一辅助电极层位于所述第一金属层与所述基板之间，所述第一辅助电极层包括第一存储电极；所述第一金属层包括与所述第一存储电极绝缘且相对设置的第二存储电极；所述显示面板包括阵列设置的多个像素单元，所述像素单元包括第一存储电容，所述第一存储电容包括所述第一存储电极和所述第二存储电极。
可选的，在本申请的一些具体实施例中，显示面板还包括：钝化层，设置在所述第二金属层上；以及第二辅助电极层，设置在所述钝化层上；所述第二金属层包括第三存储电极，所述第二辅助电极层包括与所述第三存储电极绝缘且相对设置的第四存储电极；所述像素单元包括第二存储电容，所述第二存储电容包括所述第三存储电极和所述第四存储电极。
可选的，在本申请的一些具体实施例中，所述第一平坦层上还开设有与所述第一存储电极相对应的第四过孔，所述第三存储电极通过所述第四过孔与所述第一存储电极连接；所述第二辅助电极层还包括与所述第四存储电极连接的存储电极连接部；所述钝化层开设有延伸至所述栅极的第五过孔，所述存储电极连接部通过所述第五过孔与所述栅极连接，所述第四存储电极通过所述存储电极连接部和所述栅极与所述第二存储电极电性连接。
本申请还提供一种显示面板的制备方法，包括：
B1、提供一基板，在所述基板上设置第一辅助电极层，对所述第一辅助电极层通过图案化制程形成遮光电极和第一存储电极；
B2、在所述第一辅助电极层上设置缓冲层和有源层，所述缓冲层覆盖所述遮光电极和所述第一存储电极，所述有源层与所述遮光电极相对；
B3、在所述有源层上设置栅极绝缘层和第一金属层，对所述第一金属层进行图案化制程以形成栅极和第二存储电极；所述第二存储电极与所述第一存储电极相对设置；
B4、在所述第一金属层上设置第一平坦层，所述第一平坦层覆盖所述栅极和所述第二存储电极；通过图案化制程在所述第一平坦层上开设与所述有源层相对应的第一过孔，所述第一过孔沿厚度方向贯穿所述第一平坦层延伸至所述有源层的表面并裸露出所述有源层；所述第一平坦层为有机绝缘层；
在显示面板的非显示区的至少部分区域内，通过所述图案化制程将所述第一平坦层完全去除形成净空区；
B5、在所述第一平坦层上设置第二金属层，对所述第二金属层进行图案化工艺处理形成源极和漏极，所述源极和所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层连接；
B6、在所述第二金属层上设置钝化层和第二平坦层，对所述第二平坦层进行的图案化工艺处理形成与所述源极或所述漏极对应的第三过孔，并将所述净空区内的所述第二平坦层去除；
B7、在所述第二平坦层上设置发光电极，所述发光电极通过所述第三过孔与所述源极或所述漏极连接；
B8、在所述发光电极上设置像素定义层，所述像素定义层通过图案化工艺形成与所述发光电极相对应的通孔，所述通孔裸露出所述发光电极。
本申请的有益效果：在薄膜晶体管的栅极和源漏极之间设置第一平坦层取代现有技术中的无机绝缘层，第一平坦层采用有机绝缘材料制成，具有较大的厚度和较好的填平性能，能极大程度的减小因第一金属层图案化而引起的段差，可以在不需要额外增加制程和面板结构的条件下增大显示面板表面的平坦性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的显示面板的第一实施例的结构示意图；
图2A至图2G是本申请提供的显示面板的第一实施例在制备过程中的结构示意图；
图3是本申请提供的显示面板的第二实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请提供了一种显示面板，包括基板、薄膜晶体管和第一平坦层。薄膜晶体管设置在所述基板上。薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极。第一平坦层设置在所述栅极与所述源极之间。第一平坦层为有机绝缘层。本申请通过在薄膜晶体管的栅极和源漏极之间设置第一平坦层，来平坦第一金属层图案化后产生的段差，结合第二平坦层可以在不需要额外增加制程和面板结构的条件下增大显示面板表面的平坦性。
本申请提供的第一实施例如图1所示，本实施例提供了一种显示面板100，具有显示区101和非显示区102。显示面板100包括基板1。显示面板100还包括依次设置在基板1上的第一辅助电极层2、缓冲层3、有源层4、栅极绝缘层5、第一金属层6、第一平坦层7、第二金属层8、钝化层9、第二平坦层10、发光电极11以及像素定义层12。
基板1可以是柔性基板。柔性的基板1可采用能隔离水汽、氧气的聚酰亚胺(Polyimide，PI)和/或聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)等有机绝缘材料制得。可以理解的是，基板1也可以是刚性基板。刚性的基板1可采用玻璃制得，这里不作具体限定。
第一辅助电极层2设置在基板1上。第一辅助电极层2通过图案化工艺形成遮光电极21和第一存储电极22。遮光电极21用于保护有源层4不受外界光线影响，提升薄膜晶体管的电性能和可靠性。第一辅助电极层2可采用Mo、Al、Ti以及Cu等常见导电金属或合金中的一种或几种制得。第一辅助电极层2可以是单一金属构成的单层导电层结构，也可以是多种金属构成的多层导电层结构，这里不作具体限定。
缓冲层3设置在第一辅助电极层2上。缓冲层3覆盖遮光电极21和第一存储电极22。缓冲层3一般采用能隔离水汽、氧气的SiNx、SiOx、Al2O3等常见的无机材料中的一种或几种沉积或溅射形成。通常情况下单层的缓冲层即可满足显示面板的良率要求，但在采用多晶硅或金属氧化物作为有源层的显示面板中，为提升良率，也会采用多层缓冲层重叠设置的结构来确保对水汽、氧气的有效隔离，本实施例不作具体限定。
有源层4设置在缓冲层3上。有源层4可以采用金属氧化物和多晶硅等常见半导体材料。为确保有源层4能得到有效保护，遮光电极21在有源层4上的正投影完全覆盖有源层4。遮光电极21几乎能挡住所有从外部直射入有源层4的光线。在本实施例中，有源层4采用金属氧化物IGZO半导体材料制成。有源层4的两端通过等离子处理形成导体化的源极接触区和漏极接触区，以提升薄膜晶体管的响应速度。
栅极绝缘层5设置在有源层4上。栅极绝缘层5多采用SiNx和/或SiOx等常见的无机材料。
第一金属层6设置在栅极绝缘层5上。第一金属层6通过图案化工艺形成栅极61和第二存储电极62。其中，栅极61与有源层4的中间区域对应设置。第二存储电极62与第一存储电极22绝缘相对设置。第一存储电极22、缓冲层3、栅极绝缘层5以及第二存储电极62组成第一存储电容。第一金属层6可采用Mo、Al、Ti以及Cu等常见导电金属或合金中的一种或几种制得。第一金属层6可以是单一金属构成的单层导电层结构，也可以是多种金属构成的多层导电层结构，这里不作具体限定。
第一平坦层7设置在第一金属层6上。第一平坦层7覆盖栅极61和第二存储电极62。第一平坦层7通过图案化工艺形成第一过孔71和第二过孔72。第一过孔71与有源层4两端相对应。第二过孔72与遮光电极21一端相对应。其中，第一过孔71沿厚度方向贯穿第一平坦层7延伸至有源层4的表面并裸露出有源层4。第二过孔72沿厚度方向贯穿第一平坦层7和缓冲层3延伸至第一辅助电极层2的表面以裸露出遮光电极21。
第一平坦层7为有机绝缘层。第一平坦层7可采用有机绝缘光阻材料制成。具体的，第一平坦层7可采用能隔离水汽、氧气的PI系材料或亚克力系等有机光阻材料中的一种或几种制成。第一平坦层7具有较大的厚度以平坦化第一金属层6图案化造成的高度差，提升显示面板100表面的平坦度。
第二金属层8设置在第一平坦层7上。第二金属层8通过图案化工艺形成源极81、漏极82和数据信号线(图中未示出)。源极81和漏极82分别通过第一过孔71与有源层4的两端连接。此外，源极81还通过第二过孔72与遮光电极21连接。由于遮光电极21与有源层4和栅极61均存在重叠区域，遮光电极21与有源层4和栅极61之间分别会形成寄生电容。在显示面板工作时，随着数据信号线上加载的电压不同，漏极82上的电压会随之变化，使得遮光电极21上的电压也会随之改变从而影响有源层4的电性能。通过将遮光电极21与源极81连接形成等电位，可以避免遮光电极21上的电压变化影响有源层4的电性能。第二金属层8可采用Mo、Al、Ti以及Cu等常见导电金属或合金中的一种或几种制得。第二金属层8可以是单一金属构成的单层导电层结构，也可以是多种金属构成的多层导电层结构，这里不作具体限定。
钝化层9设置在第二金属层8上。钝化层9覆盖源极81、漏极82和数据信号线。钝化层9一般采用能隔离水汽、氧气的SiNx、SiOx和Al2O3等常见的无机材料中的一种或几种沉积或溅射形成。
第二平坦层10设置在钝化层9上。第二平坦层10通过图案化工艺形成与漏极82相对应的第三过孔103。第三过孔103沿厚度方向贯穿第二平坦层10和钝化层9延伸至第二金属层8的表面并裸露出漏极82。第二平坦层10为有机绝缘层。第二平坦层10可采用有机绝缘光阻材料制成。具体的，第二平坦层10可采用能隔离水汽、氧气的PI系材料或亚克力系等有机光阻材料中的一种或几种制成。第二平坦层10具有较大的厚度以平坦化前述结构造成的高度差，确保显示面板100表面获得较高的平坦度。
发光电极11设置在第二平坦层10上。发光电极11通过第三过孔103与漏极82连接。发光电极11为阳极。发光电极11可以采用ITO/Ag/ITO三层导电结构，也可以选择Ag/ITO、Al/WOx或Ag/IZO中的一种双层导电结构，这里不作具体限定。可以理解的是，在本申请的其他具体实施例中，第三过孔103可以对应源极81开设，发光电极11通过第三过孔103与源极81对应连接。
像素定义层12设置在发光电极11上。像素定义层12通过图案化工艺形成与发光电极11相对应的通孔121。像素定义层12可采用添加了疏水添加剂或表面进行了疏水处理的有机光阻材料制成。比如对PI系光阻材料或亚克力系光阻材料添加含氟添加剂或进行表面氟化处理以增强光阻材料表面的疏水性能等。通过上述处理，可以获得具有较好疏水性的像素定义层12。
在本实施例中，显示面板100的显示区101包括阵列设置的多个像素单元。像素单元包括薄膜晶体管和第一存储电容。其中，薄膜晶体管包括有源层4、栅极绝缘层5、栅极61、第一平坦层7、源极81和漏极82。第一存储电容包括第一存储电极22、第二存储电极62以及位于两者间的绝缘层。第一存储电容用于存储外部电路加载至薄膜晶体管的漏极82上的数据电压信号，获得稳定的显示画面。
在显示面板100的非显示区102的至少部分区域内，第一平坦层7通过图案化工艺完全去除以形成净空区。在净空区内设置用于与外部电路(图中未示出)连接的连接端子13。在去除了第一平坦层7的净空区，连接端子13可以如图1所示包括第一导电图案131、第二导电图案132以及第三导电图案133。第一导电图案131位于第一金属层6。第二导电图案132位于第二金属层8。将连接端子13设置在净空区可以使第一导电图案131和第二导电图案132重叠且邻接设置，从而降低连接端子13的电阻。钝化层9对应第一导电图案131和/或第二导电图案132开设有连接过孔91。第三导电图案133通过连接过孔91与第二导电图案132连接。第三导电图案133可采用常见金属或ITO材料制成。
显示面板100还包括设置在净空区内的第二辅助电极层14。在本实施例中，第二辅助电极层14在形成第二平坦层10之后设置，且在发光电极11形成之前完成图案化。第三导电图案133位于第二辅助电极层14。由于发光电极11包括透明电极层，比如ITO层等。第二辅助电极层14可以与发光电极11中的透明电极层同层设置，以减少制程。
在本申请的另一具体实施例中，连接端子13包括第三导电图案133以及第一导电图案131和第二导电图案132中的任一个。
现有技术中，栅极和源漏极之间设置有层间绝缘层。层间绝缘层通常通过无机绝缘材料的均匀沉积或均匀溅射形成，各处的厚度趋于一致，不具有平坦作用。受现有工艺限制，层间绝缘层能获得的最大厚度也十分有限，也无法用来局部铺设以平坦第一金属层图案化所形成的段差。在本实施例中，提出在第一金属层6和第二金属层8之间设置第一平坦层7来取代层间绝缘层，可以不用额外增加显示面板100的层级结构，因而不用增加制程工序。第一平坦层7采用有机绝缘材料通过涂布、曝光、显影工艺制得，第一平坦层7的厚度可远大于无机绝缘层的厚度。第一平坦层7所采用的有机绝缘光阻材料在涂布过程中具有一定的流动性，因而第一平坦层7具有较好的填平性能，能极大程度的减小因第一金属层6图案化而引起的段差，可以在不需要额外增加制程和面板结构的条件下增大显示面板表面的平坦性。本实施例通过在第一平坦层7上方叠加第二平坦层10，可以进一步提升显示面板100表面的平坦程度，提升显示面板的性能。
本申请的附图2A至2G还提供了一种显示面板100的制备方法，包括：
B1、如图2A所示，在基板1上设置第一辅助电极层2。对第一辅助电极层2通过图案化制程形成遮光电极21、第一存储电极22及其他布线(图中未示出)。
基板1可采用柔性基板，也可采用刚性基板。第一辅助电极层2可采用Mo、Al、Ti以及Cu等常见导电金属或合金中的一种或几种制得。
B2、如图2B所示，在第一辅助电极层2上依次设置缓冲层3和有源层4。缓冲层3覆盖遮光电极21和第一存储电极22。通过图案化制程获得的有源层4与遮光电极21相对。遮光电极21在有源层4上的正投影完全覆盖有源层4。
缓冲层3一般采用能隔离水汽、氧气的SiNx、SiOx、Al2O3等常见的无机材料中的一种或几种沉积或溅射形成。有源层4采用金属氧化物IGZO半导体材料制成。有源层4的两端通过等离子处理形成导体化的源极接触区和漏极接触区，以提升薄膜晶体管的响应速度。
B3、如图2C所示，在有源层4的上方依次沉积栅极绝缘层5和第一金属层6。对第一金属层6进行图案化制程以形成栅极61、第二存储电极62、第一导电图案131以及栅极信号线(图中未示出)等。栅极61与有源层4的中间区域对应设置。第二存储电极62与第一存储电极22绝缘相对设置。第一存储电极22、缓冲层3、栅极绝缘层5以及第二存储电极62组成第一存储电容。
栅极绝缘层5多采用SiNx和/或SiOx等常见的无机材料。第一金属层6可采用Mo、Al、Ti以及Cu等常见导电金属或合金中的一种或几种制得。
B4、如图2D所示，在第一金属层6上设置第一平坦层7。第一平坦层7覆盖栅极61和第二存储电极62。通过图案化制程在第一平坦层7上开设与有源层4两端相对应的第一过孔71和与遮光电极21一端相对应的第二过孔72。其中，第一过孔71沿厚度方向贯穿第一平坦层7延伸至有源层4的表面并裸露出有源层4。第二过孔72沿厚度方向贯穿第一平坦层7和缓冲层3延伸至第一辅助电极层2的表面以裸露出遮光电极21。
第一平坦层7为有机绝缘层。第一平坦层7可采用有机绝缘光阻材料制成。具体的，第一平坦层7可采用能隔离水汽、氧气的PI系材料或亚克力系等有机光阻材料中的一种或几种制成。第一平坦层7具有较大的厚度以平坦化第一金属层6图案化造成的高度差，提升显示面板100表面的平坦度。
在非显示区102的至少部分区域内，通过前述图案化工艺制程将第一平坦层7完全去除形成净空区，去除连接端子13中第一导电图案131上的第一平坦层7。
B5、如图2E所示，在第一平坦层7上设置第二金属层8。对第二金属层8进行图案化工艺处理形成源极81、漏极82、第二导电图案132和数据信号线(图中未示出)。源极81和漏极82分别通过第一过孔71与有源层4的两端连接。此外，源极81还通过第二过孔72与遮光电极21连接。第二导电图案132与第一导电图案131重叠且邻接设置，可降低连接端子13的电阻。
第二金属层8可采用Mo、Al、Ti以及Cu等常见导电金属或合金中的一种或几种制得。
B6、如图2F所示，在第二金属层8上依次设置钝化层9和第二平坦层10。对钝化层9进行图案化制程以形成与第一导电图案131和/或第二导电图案132相对应的连接过孔91。连接过孔91沿厚度方向贯穿钝化层9裸露出第一导电图案131或第二导电图案132。对第二平坦层10进行图案化制程以形成与漏极82相对应的第三过孔103。第三过孔103沿厚度方向贯穿第二平坦层10和钝化层9延伸至第二金属层8的表面并裸露出漏极82。在对第二平坦层10进行的图案化制程中，将非显示区102的净空区内的第二平坦层10去除，去除钝化层9和第二导电图案132上的第二平坦层10。
第二平坦层10为有机绝缘层。第二平坦层10可采用有机绝缘光阻材料制成。具体的，第二平坦层10可采用能隔离水汽、氧气的PI系材料或亚克力系等有机光阻材料中的一种或几种制成。第二平坦层10具有较大的厚度以平坦化前述结构造成的高度差，确保显示面板100表面获得较高的平坦度。
B7、如图2F所示，在第二平坦层10上设置发光电极11。发光电极11通过第三过孔103与漏极82连接。
发光电极11包括第二辅助电极层14。在发光电极11的图案化处理制程中，对第二辅助电极层14进行图案化工艺处理形成第三导电图案133。第三导电图案133通过连接过孔91与第一导电图案131或第二导电图案132连接。第一导电图案131、第二导电图案132以及第三导电图案133组成连接端子13。
发光电极11可以采用ITO/Ag/ITO三层导电结构，也可以选择Ag/ITO、Al/WOx或Ag/IZO中的一种双层导电结构，这里不作具体限定。第二辅助电极层14为发光电极11中的透明导电层。具体的，第二辅助电极层14可以采用ITO材料、WOx或IZO材料。
B8、如图2G所示，在发光电极11上设置像素定义层12。像素定义层12通过图案化工艺形成与发光电极11相对应的通孔121。通孔121用于在后续制程中容纳发光材料。
像素定义层12可采用添加了疏水添加剂或表面进行了疏水处理的有机光阻材料制成。比如对PI系光阻材料或亚克力系光阻材料添加含氟添加剂或进行表面氟化处理以增强光阻材料表面的疏水性能等。通过上述处理，可以获得具有较好疏水性的像素定义层12。
本申请提供的第二实施例如图3所示，本实施例提供了一种显示面板200，具有显示区201和非显示区202。显示面板200包括基板1。显示面板200还包括依次设置在基板1上的第一辅助电极层2、缓冲层3、有源层4、栅极绝缘层5、第一金属层6、第一平坦层7、第二金属层8、钝化层9、第二辅助电极层14、第二平坦层10、发光电极11、像素定义层12以及连接端子13。
其中，基板1、第一辅助电极层2、缓冲层3、有源层4、栅极绝缘层5、第一金属层6、钝化层9、第二平坦层10、发光电极11、像素定义层12以及连接端子13的相关结构设计以及材料选择与第一实施例相同，这里不再赘述。
本实施例与第一实施例的区别在于，显示面板200的像素单元还包括第二存储电容。第二存储电容与第一存储电容并联，以增大像素单元整体的存储电容，提升显示面板的显示性能。
具体的，第一平坦层7通过图案化工艺还对应第一存储电极22形成有第四过孔73。第四过孔73沿厚度方向贯穿第一平坦层7和缓冲层3延伸至第一辅助电极层2的表面并裸露出第一存储电极22。第一平坦层7的其他结构设计及材料选择与第一实施例相同，在此不再赘述。
第二金属层8通过图案化工艺还形成有第三存储电极83。第三存储电极83通过第四过孔73与第一存储电极22连接。第二金属层8的其他结构设计及材料选择与第一实施例相同，在此不再赘述。
显示面板还包括第二辅助电极层14。第二辅助电极层14设置在钝化层9上。第二辅助电极层14可采用透明导电材料。第二辅助电极层14可采用ITO材料制得。
第二辅助电极层14还通过图案化工艺形成第四存储电极141和存储电极连接部142。其中，第四存储电极141与第三存储电极83相对且绝缘设置。第三存储电极83、钝化层9以及第四存储电极141组成第二存储电容。存储电极连接部142与第四存储电极141连接。钝化层9开设有沿厚度方向贯穿钝化层9并穿过部分第一平坦层7延伸至栅极61的第五过孔92。存储电极连接部142通过第五过孔92与栅极61连接。第四存储电极141通过存储电极连接部142和栅极61与第二存储电极62电性连接。
在本实施例中，第二存储电容中的第三存储电极83与第一存储电容中的第一存储电极22连接，第二存储电容中的第四存储电极141与第一存储电容中的第二存储电极62电性连接，以获得与第一存储电容并联的第二存储电容，从而增大像素单元整体的存储电容，提升显示面板的显示性能。
可以理解的是，在本申请的其他具体实施例中，显示面板内的薄膜晶体管还可以是底栅型薄膜晶体管、双栅极薄膜晶体管以及顶栅型薄膜晶体管，在此不作具体限定。
本申请还提供了一种显示面板100的制备方法，结合图3，与前述实施例的区别在于：
在步骤B4中，通过图案化制程在第一平坦层7上还开设有与第一存储电极22相对应的第四过孔73。第四过孔73沿厚度方向贯穿第一平坦层7和缓冲层3延伸至第一辅助电极层2的表面并裸露出第一存储电极22。本实施步骤B4中的其他内容与前述实施例步骤B4相同，这里不再赘述。
在步骤B5中，对第二金属层8进行图案化工艺处理还形成有第三存储电极83。第三存储电极83通过第四过孔73与第一存储电极22连接。本实施步骤B5中的其他内容与前述实施例步骤B5相同，这里不再赘述。
步骤B6包括如下子步骤：
B61、在第二金属层8上设置钝化层9。对钝化层9进行图案化制程以形成与第一导电图案131和/或第二导电图案132相对应的连接过孔91以及与栅极61相对应的第五过孔92。连接过孔91沿厚度方向贯穿钝化层9裸露出第一导电图案131或第二导电图案132。第五过孔92沿厚度方向贯穿钝化层9并穿过第一平坦层7延伸至第一金属层6的表面以裸露出栅极61。
B62、在钝化层9上设置第二辅助电极层14。对第二辅助电极层14进行图案化工艺形成第四存储电极141、存储电极连接部142和第三导电图案133。其中，存储电极连接部142与第四存储电极141连接。第四存储电极141与第三存储电极83相对且绝缘设置。存储电极连接部142通过第五过孔92与栅极61与连接。第四存储电极141通过存储电极连接部142和栅极61与第二存储电极62电性连接。第三导电图案133通过连接过孔91与第一导电图案131或第二导电图案132连接。第一导电图案131、第二导电图案132以及第三导电图案133组成连接端子13。
第三存储电极83、钝化层9以及第四存储电极141组成第二存储电容。第二存储电容中的第三存储电极83与第一存储电容中的第一存储电极22连接，第二存储电容中的第四存储电极141与第一存储电容中的第二存储电极62电性连接，以获得与第一存储电容并联的第二存储电容，从而增大像素单元整体的存储电容，提升显示面板的显示性能。
第二辅助电极层14为透明导电层。第二辅助电极层14可以采用ITO材料、WOx或IZO材料。
B63、在第二辅助电极层14上设置第二平坦层10。对第二平坦层10进行图案化制程以形成与漏极82相对应的第三过孔103。第三过孔103沿厚度方向贯穿第二平坦层10和钝化层9延伸至第二金属层8的表面并裸露出漏极82。在对第二平坦层10进行的图案化制程中，将非显示区102的净空区内的第二平坦层10去除，去除第二导电图案132和钝化层9上的第二平坦层10。
第二平坦层10为有机绝缘层。第二平坦层10可采用有机绝缘光阻材料制成。具体的，第二平坦层10可采用能隔离水、氧的PI系材料或亚克力系等有机光阻材料中的一种或几种制成。第二平坦层10具有较大的厚度以平坦化前述结构造成的高度差，确保显示面板100表面获得较高的平坦度。
步骤B7包括：在第二平坦层10上设置发光电极11。发光电极11可以采用ITO/Ag/ITO三层导电结构，也可以选择Ag/ITO、Al/WOx或Ag/IZO中的一种双层导电结构，这里不作具体限定。
本实施例的其他步骤与前述实施例相同，这里不再赘述。
本申请提出在栅极和源漏极之间设置第一平坦层7，可以不用额外增加显示面板100的层级结构，因而不用增加制程工序。第一平坦层7采用有机绝缘材料通过涂布、曝光、显影工艺制得，第一平坦层7的厚度可远大于无机绝缘层的厚度。第一平坦层7所采用的有机绝缘光阻材料在涂布过程中具有一定的流动性，因而第一平坦层7具有较好的填平性能，能极大程度的减小因第一金属层6图案化而引起的段差，可以在不需要额外增加制程和面板结构的条件下增大显示面板表面的平坦性。
本申请通过在第一平坦层7上方叠加第二平坦层10，可以进一步提升显示面板表面的平坦程度，提升显示面板的性能。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细的介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (11)
1.一种显示面板，其特征在于，包括基板和设置在所述基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；
所述显示面板还包括设置在所述栅极与所述源极之间的第一平坦层，所述第一平坦层为有机绝缘层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
第一辅助电极层，设置在所述基板上，所述第一辅助电极层包括遮光电极；
有源层，绝缘设置在所述遮光电极上；
栅极绝缘层，设置在所述有源层上；
第一金属层，设置在所述栅极绝缘层上，所述第一金属层包括所述栅极；以及
第二金属层，设置在所述第一平坦层上，所述第二金属层包括所述源极和所述漏极；
所述第一平坦层设置在所述第一金属层上，所述第一平坦层上开设有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔与所述有源层的两端相对，所述第二过孔与所述遮光电极相对；所述源极和所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述源极或所述漏极通过所述第二过孔与所述遮光电极连接。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
第一金属层，设置在所述基板上，所述第一金属层包括所述栅极，所述第一平坦层设置在所述第一金属层上；
第二金属层，设置在所述第一平坦层上；
第二平坦层，设置在所述第二金属层上。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属层包括所述源极和所述漏极，所述第二平坦层对应所述源极或所述漏极开设有第三过孔；
所述显示面板还包括发光电极，所述发光电极设置在所述第二平坦层上，所述发光电极通过所述第三过孔与所述源极或所述漏极连接；
所述第一平坦层和所述第二平坦层在所述显示面板的非显示区形成净空区。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一平坦层在所述显示面板的非显示区形成净空区，所述显示面板还包括设置在所述第二金属层上的第二辅助电极层以及设置在所述净空区上的连接端子；
所述连接端子包括第一导电图案和第二导电图案中的一个或两个以及第三导电图案；所述第一导电图案位于第一金属层，所述第二导电图案位于第二金属层，所述第三导电图案位于第二辅助电极层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属层包括源极和漏极，所述第二平坦层对应所述源极或所述漏极开设有第三过孔；
所述显示面板还包括发光电极，所述发光电极设置在所述第二平坦层上，所述发光电极通过所述第三过孔与所述源极或所述漏极连接，所述发光电极包括透明电极层，所述透明电极层为所述第二辅助电极层。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，还包括：
钝化层，设置在所述第二金属层上，所述钝化层包括与所述第一导电图案或所述第二导电图案相对应的连接过孔；
所述第二辅助电极层设置在所述钝化层上，所述第二辅助电极层包括所述第三导电图案，所述第三导电图案通过所述连接过孔与所述第一导电图案或所述第二导电图案连接；
所述第二平坦层设置在所述第二辅助电极层上。
8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：
第一辅助电极层，所述第一辅助电极层位于所述第一金属层与所述基板之间，所述第一辅助电极层包括第一存储电极；所述第一金属层包括与所述第一存储电极绝缘且相对设置的第二存储电极；
所述显示面板包括阵列设置的多个像素单元，所述像素单元包括第一存储电容，所述第一存储电容包括所述第一存储电极和所述第二存储电极。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，还包括：
钝化层，设置在所述第二金属层上；以及
第二辅助电极层，设置在所述钝化层上；所述第二金属层包括第三存储电极，所述第二辅助电极层包括与所述第三存储电极绝缘且相对设置的第四存储电极；
所述像素单元包括第二存储电容，所述第二存储电容包括所述第三存储电极和所述第四存储电极。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一平坦层上还开设有与所述第一存储电极相对应的第四过孔，所述第三存储电极通过所述第四过孔与所述第一存储电极连接；
所述第二辅助电极层还包括与所述第四存储电极连接的存储电极连接部；所述钝化层开设有延伸至所述栅极的第五过孔，所述存储电极连接部通过所述第五过孔与所述栅极连接，所述第四存储电极通过所述存储电极连接部和所述栅极与所述第二存储电极电性连接。
11.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
B1、提供一基板，在所述基板上设置第一辅助电极层，对所述第一辅助电极层通过图案化制程形成遮光电极和第一存储电极；
B2、在所述第一辅助电极层上设置缓冲层和有源层，所述缓冲层覆盖所述遮光电极和所述第一存储电极，所述有源层与所述遮光电极相对；
B3、在所述有源层上设置栅极绝缘层和第一金属层，对所述第一金属层进行图案化制程以形成栅极和第二存储电极；所述第二存储电极与所述第一存储电极相对设置；
B4、在所述第一金属层上设置第一平坦层，所述第一平坦层覆盖所述栅极和所述第二存储电极；通过图案化制程在所述第一平坦层上开设与所述有源层相对应的第一过孔，所述第一过孔沿厚度方向贯穿所述第一平坦层延伸至所述有源层的表面并裸露出所述有源层；所述第一平坦层为有机绝缘层；
在显示面板的非显示区的至少部分区域内，通过所述图案化制程将所述第一平坦层完全去除形成净空区；
B5、在所述第一平坦层上设置第二金属层，对所述第二金属层进行图案化工艺处理形成源极和漏极，所述源极和所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层连接；
B6、在所述第二金属层上设置钝化层和第二平坦层，对所述第二平坦层进行的图案化工艺处理形成与所述源极或所述漏极对应的第三过孔，并将所述净空区内的所述第二平坦层去除；
B7、在所述第二平坦层上设置发光电极，所述发光电极通过所述第三过孔与所述源极或所述漏极连接；
B8、在所述发光电极上设置像素定义层，所述像素定义层通过图案化工艺形成与所述发光电极相对应的通孔，所述通孔裸露出所述发光电极。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210709 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |