CN114695498A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括基板；阵列层，包括辅助电极；平坦层；像素电极包括第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极与辅助电极连接，其中，像素电极包括叠层设置的第一电极和第二电极，第二电极的边缘延伸出第一电极的边缘外；挡墙，设于平坦层远离阵列层的一侧表面，挡墙对应第一开孔设有第二开孔，挡墙对应第二像素电极设有第三开孔；发光层，设于挡墙远离平坦层的一侧表面，且覆盖第三开孔的内表面与第二像素电极连接，覆盖第二开孔的内表面与第一像素电极连接；阴极，设于发光层远离挡墙的一侧表面。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
本发明涉及一种用于大尺寸OLED显示面板电流压降((IR-drop))改善的底切结构，可改善第二电极层电阻过大导致的IR-drop问题。OLED显示面板结构包括像素电极，发光层和阴极。为了增大顶发射的透过率，阴极的厚度较薄，造成电阻较大，电流压降(IR-drop)严重，导致显示面板有明显的亮度不均匀现象，严重影响了OLED显示装置的显示效果。为改善面板显示亮度的不均匀性，可以架设辅助电极，与较薄的金属阴极相连。由于辅助电极的电阻较小，电流压降减小，通电时，使面板的阴极的阻抗和电流压降得到减小，亮度均匀性得到一定的改善。对于如何实现辅助电极和金属阴极搭接，现有技术的制作工艺均较为复杂。
发明内容
本申请实施例提供，可以解决现有技术中的显示面板的阴极与辅助电极的搭接处的底切结构较为复杂的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板，包括基板；阵列层，设于所述基板的一侧表面，所述阵列层包括至少一个薄膜晶体管以及至少一个辅助电极，所述辅助电极部分裸露所述阵列层远离所述基板的一侧；平坦层，设于所述阵列层远离所述基板的一侧表面，所述平坦层上设有第一开孔，所述第一开孔对应所述辅助电极；像素电极，设于所述平坦层远离所述阵列层的一侧表面，所述像素电极包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极设于所述第一开孔内且与所述辅助电极连接，所述第二像素电极与所述薄膜晶体管连接，其中，所述像素电极包括叠层设置的第一电极和第二电极，所述第二电极设于所述第一电极远离所述平坦层的一侧，所述第二电极的边缘延伸出所述第一电极的边缘外；挡墙，设于所述平坦层远离所述阵列层的一侧表面，所述挡墙对应所述第一开孔设有第二开孔，所述挡墙对应所述第二像素电极设有第三开孔；发光层，设于所述挡墙远离平坦层的一侧表面，且覆盖所述第三开孔的内表面与所述第二像素电极连接，覆盖所述第二开孔的内表面与所述第一像素电极连接；阴极，设于所述发光层远离所述挡墙的一侧表面。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极为铝合金材料，所述第二电极为氧化铟锡材料。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管包括源漏极，所述源漏极远离所述基板的一侧表面与所述辅助电极远离所述基板的一侧表面平齐。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光层包括发光单元和有机功能层，所述发光单元设于所述第三开孔内，且与所述第二像素电极连接，所述有机功能层覆盖所述发光单元、所述第一像素电极以及所述挡墙的外表面。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述有机功能层在所述第一像素电极的边缘处截断。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括以下制备步骤：
提供一基板；
在所述基板上制备阵列层，所述阵列层包括至少一个薄膜晶体管以及至少一个辅助电极；
在所述阵列层上制备一层平坦层，在所述平坦层对应所述辅助电极和所述薄膜晶体管处开设第一开孔和过孔；
在所述平坦层上制备像素电极材料，包括依次成膜的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极覆盖所述第一开孔和所述过孔的内表面；
在所述第二电极上制备一层光阻层，图案化所述光阻层后形成第一光阻单元和第二光阻单元，所述第一光阻单元对应所述辅助电极，所述第二光阻单元对应所述薄膜晶体管；
采用第一刻蚀液刻蚀所述第二电极；
采用第二刻蚀液刻蚀所述第一电极，所述第二刻蚀液对所述第一电极的侧向刻蚀量大于所述第一刻蚀液对所述第二电极的侧向刻蚀量，刻蚀完成后形成第一像素电极和第二像素电极；
去除所述第一光阻单元和所述第二光阻单元；
在所述平坦层上制备挡墙，在所述挡墙对应所述第一开孔处刻蚀第二开孔，在所述挡墙对应所述第二像素电极处刻蚀第三开孔；
在所述挡墙上制备发光层，所述发光层覆盖所述第二开孔和所述第三开孔的内表面，所述发光层在所述第一像素单元的边缘处截断；
在所述发光层上制备一层阴极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一刻蚀液为草酸溶液，所述第二刻蚀液包括磷酸、硝酸、醋酸中的至少两种的溶液。
可选的，在本申请的一些实施例中，采用溅射法制备所述阴极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述平坦层的厚度为1～6μm。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
本申请实施例的有益效果在于，本申请实施例中的一种显示面板及其制备方法、显示装置通过在辅助电极上设置底切结构，从而使得发光层和阴极在搭接辅助电极时，在底切结构处被截断，减少电阻，降低显示面板的压降，提升显示面板的显示效果。通过将像素电极设置为不同材料的叠层结构，并采用不同刻蚀液分别刻蚀，从而在像素电极上形成底切结构，无需额外增加支撑层，其制备步骤简单，有利于降低成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的平坦层制备完成之后的结构示意图；
图3是本申请实施例提供的像素电极材料制备之后的结构示意图；
图4是本申请实施例提供的光阻层制备完成之后的结构示意图；
图5是本申请实施例提供的第一电极刻蚀完成之后的结构示意图；
图6是本申请实施例提供的去除光阻层之后的结构示意图；
图7是本申请实施例提供的挡墙制备完成之后的结构示意图；
图8是本申请实施例提供的发光层制备完成之后的结构示意图；
图9是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程图。
附图标记说明：
显示面板1；基板100；
阵列层200；平坦层300；
像素电极400；挡墙500；
发光层600；阴极700；
薄膜晶体管210；辅助电极220；
第一开孔310；第一像素电极410；
第二像素电极420；第一电极401；
第二电极402；底切结构403；
第二开孔510；第三开孔520；
第一光阻单元810；第二光阻单元820。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。以下进行详细说明。
实施例
本实施例中，本发明的显示装置包括显示面板1，其中，所述显示装置的主要技术特征和全部技术效果均集中在显示面板1，具体的，如图1所示，显示面板1包括基板100、阵列层200、平坦层300、像素电极400、挡墙500、发光层600以及阴极700。本实施例中，通过对像素电极400进行改进从而获得技术效果。
具体而言，基板100为玻璃基板，其用于承载显示面板1的其他各膜层，同时起到隔绝水氧杂质的技术效果。
阵列层200设于基板100上，阵列层200包括若干薄膜晶体管210、辅助电极220，其中，薄膜晶体管210包括源漏电极211，其远离基板100的一侧表面与辅助电极220平齐。
如图2所示，平坦层300设于阵列层200远离基板100的一侧表面，平坦层300的厚度为1～6μm，平坦层300对应辅助电极220处开设有第一开孔310，辅助电极220的上表面裸露于第一开孔310内，以便后续连接。
如图3和图6所示，像素电极400包括第一像素电极410以及第二像素电极420，其中，第一像素电极410设于第一开孔310内，且与辅助电极220连接，第二像素电极420设于平坦层300上，且贯穿平坦层300并连接至源漏电极211。本实施例中，像素电极400采用两种不同材料的第一电极401和第二电极402叠加而成，其中，第二电极402设于第一电极401远离阵列层200的一侧表面，且第二电极402的边缘延伸出第一电极401的边缘外，即第二电极402与第一电极401之间存在底切结构403，从而使得第二电极402的边缘悬空在第一电极401外。
挡墙500设于像素电极400以及平坦层300上，挡墙500对应第一开孔310处设有第二开孔510，其中，挡墙500覆盖第一像素电极410靠近薄膜晶体管210一侧的边缘处，即挡墙500填充了第一像素电极410靠近薄膜晶体管210一侧的底切结构403的缝隙，避免后续膜层在此处截断。
如图7所示，挡墙500对应第二像素电极420处开设有第三开孔520，发光层600包括发光单元610和有机功能层620，发光单元610设于第三开孔520内，且与第二像素电极420连接。有机功能层620设于挡墙500、第二像素电极420以及第一像素电极410的表面，特别的，由于第一像素电极410存在底切结构403，故有机功能层620在第一像素电极410的边缘处，由于重力的影响会被截断，达到降低压降的技术效果。
阴极700设于有机功能层620远离挡墙500的一侧表面，与有机功能层同样，阴极700在第一像素电极410的边缘处亦会被截断，使得阴极700由原来的整面成膜从第一像素电极410的边缘处断开并搭接到下面的辅助电极220上从而达到单独控制阴极700的作用，由于辅助电极220的电阻较小，故可以降低阴极700的电阻，从而降低了显示面板1的压降。
为了更好的解释本发明，本实施例中还提供了上述显示面板的制备方法，如图9所示，其具体制备步骤如下:
S1)提供一基板100，基板100为玻璃基板，其用于承载显示面板1的其他各膜层，同时起到隔绝水氧杂质的技术效果。
S2)在基板100上制备阵列层200，所述阵列层200包括至少一个薄膜晶体管210以及至少一个辅助电极220。
S3)如图2所示，在阵列层200上制备一层平坦层300，在平坦层300对应辅助电极220和薄膜晶体管210处开设第一开孔310和过孔，使得辅助电极220裸露于第一开孔310内，薄膜晶体管210的源漏电极211部分裸露于所述过孔内。
S4)如图3所示，在平坦层300上制备像素电极材料，包括依次成膜的第一电极401和第二电极402，所述第一电极401和所述第二电极402覆盖第一开孔310和所述过孔的内表面，其中，第一电极401和第二电极402为不同的导电材料，本实施例中，第一电极401为铝合金材料，第二电极402为氧化铟锡材料，其需要通过不同刻蚀液分别刻蚀。
S5)如图4所示，在像素电极400上制备一层光阻层，图案化所述光阻层后形成第一光阻单元810和第二光阻单元820，第一光阻单元810对应所述辅助电极220，所述第二光阻单元820对应所述薄膜晶体管210。
S6)如图5所示，采用第一刻蚀液刻蚀第二电极402，所述第一刻蚀液包括草酸溶液，其侧向刻蚀量较少。
S7)采用第二刻蚀液刻蚀第一电极401，所述第二刻蚀液包括磷酸、硝酸、醋酸中的至少两种的溶液，所述第二刻蚀液对所述第一电极401的侧向刻蚀量大于所述第一刻蚀液对所述第二电极402的侧向刻蚀量，刻蚀完成后形成第一像素电极410和第二像素电极420，第一像素电极410对应辅助电极220，第二像素电极420对应薄膜晶体管210。特别的，由于刻蚀量不同，第二电极402与第一电极401之间存在底切结构403。
S8)如图6所示，去除第一光阻单元810和第二光阻单元820。
S9)如图7所示，在平坦层300上制备挡墙500，在挡墙500对应所述第一开孔310处刻蚀第二开孔510，在挡墙500对应第二像素电极420处刻蚀第三开孔520。
S10)如图8所示，在挡墙500上制备发光层600，发光层600包括发光单元610和有机功能层620，其中，发光单元610设于第三开孔520内，有机功能层620覆盖于挡墙500、第二像素电极420以及第一像素电极410的表面，有机功能层620在第二像素电极420的边缘处截断。
S11)在发光层600上通过蒸镀或溅射的方式制备一层阴极700，阴极700在第二像素电极420的边缘处截断，在实现阴极700与辅助电极220搭接的同时，减少了阴极700的电阻值，降低了显示面板的压降。
本实施例的有益效果在于，本实施例中的一种显示面板及其制备方法、显示装置通过在辅助电极上设置底切结构，从而使得发光层和阴极在搭接辅助电极时，在底切结构处被截断，减少电阻，降低显示面板的压降，提升显示面板的显示效果。通过将像素电极设置为不同材料的叠层结构，并采用不同刻蚀液分别刻蚀，从而在像素电极上形成底切结构，无需额外增加支撑层，其制备步骤简单，有利于降低成本。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括
基板；
阵列层，设于所述基板的一侧表面，所述阵列层包括至少一个薄膜晶体管以及至少一个辅助电极，所述辅助电极部分裸露所述阵列层远离所述基板的一侧；平坦层，设于所述阵列层远离所述基板的一侧表面，所述平坦层上设有第一开孔，所述第一开孔对应所述辅助电极；
像素电极，设于所述平坦层远离所述阵列层的一侧表面，所述像素电极包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极设于所述第一开孔内且与所述辅助电极连接，所述第二像素电极与所述薄膜晶体管连接，其中，所述像素电极包括叠层设置的第一电极和第二电极，所述第二电极设于所述第一电极远离所述平坦层的一侧，所述第二电极的边缘延伸出所述第一电极的边缘外；
挡墙，设于所述平坦层远离所述阵列层的一侧表面，所述挡墙对应所述第一开孔设有第二开孔，所述挡墙对应所述第二像素电极设有第三开孔；
发光层，设于所述挡墙远离平坦层的一侧表面，且覆盖所述第三开孔的内表面与所述第二像素电极连接，覆盖所述第二开孔的内表面与所述第一像素电极连接；
阴极，设于所述发光层远离所述挡墙的一侧表面。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极为铝合金材料，所述第二电极为氧化铟锡材料。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述薄膜晶体管包括源漏极，所述源漏极远离所述基板的一侧表面与所述辅助电极远离所述基板的一侧表面平齐。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述发光层包括发光单元和有机功能层，所述发光单元设于所述第三开孔内，且与所述第二像素电极连接，所述有机功能层覆盖所述发光单元、所述第一像素电极以及所述挡墙的外表面。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述有机功能层在所述第一像素电极的边缘处截断。
6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
提供一基板；
在所述基板上制备阵列层，所述阵列层包括至少一个薄膜晶体管以及至少一个辅助电极；
在所述阵列层上制备一层平坦层，在所述平坦层对应所述辅助电极和所述薄膜晶体管处开设第一开孔和过孔；
在所述平坦层上制备像素电极材料，包括依次成膜的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极覆盖所述第一开孔和所述过孔的内表面；
在所述第二电极上制备一层光阻层，图案化所述光阻层后形成第一光阻单元和第二光阻单元，所述第一光阻单元对应所述辅助电极，所述第二光阻单元对应所述薄膜晶体管；
采用第一刻蚀液刻蚀所述第二电极；
采用第二刻蚀液刻蚀所述第一电极，所述第二刻蚀液对所述第一电极的侧向刻蚀量大于所述第一刻蚀液对所述第二电极的侧向刻蚀量，刻蚀完成后形成第一像素电极和第二像素电极；
去除所述第一光阻单元和所述第二光阻单元；
在所述平坦层上制备挡墙，在所述挡墙对应所述第一开孔处刻蚀第二开孔，在所述挡墙对应所述第二像素电极处刻蚀第三开孔；
在所述挡墙上制备发光层，所述发光层覆盖所述第二开孔和所述第三开孔的内表面，所述发光层在所述第一像素单元的边缘处截断；
在所述发光层上制备一层阴极。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
所述第一刻蚀液为草酸溶液，所述第二刻蚀液包括磷酸、硝酸、醋酸中的至少两种的溶液。
8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
采用溅射法制备所述阴极。
9.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
所述平坦层的厚度为1～6μm。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～5中任一项所述的显示面板。
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