JP2006351844A - 電気光学表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】活性領域層AR上から、画素電極30の下方の透明絶縁性基板1の上方にかけて延在するようにドレイン電極26が配設されている。ソース電極24およびソース配線25は、その端面が半導体膜6の何れの端面よりも後退した位置となるように配設され、活性領域層AR上のドレイン電極26の端面も、半導体膜6のほぼ平行な関係にある端面よりも後退した位置となるように配設されている。
【選択図】図1
Description
<A−1.装置構成>
本発明に係る実施の形態1の電気光学表示装置として、TFTをスイッチング素子として用いた透過型液晶表示装置のTFTアクティブマトリックス基板100の平面構成を図1に、また、図1におけるA−O−A’線での断面構成を図2に示す。
図2に示すように、透明絶縁性基板1上にゲート電極2(ゲート配線4)および補助容量電極3が配設され、ゲート電極2(ゲート配線4)上および補助容量電極3上を含めて、透明絶縁性基板1上全体を覆うように第1の絶縁膜5が配設されている。なお、第1の絶縁膜5はゲート電極2の直上の部分においてはゲート絶縁膜として機能する。
次に、製造工程を順に示す断面図である図4〜図14を用いて、TFTアクティブマトリックス基板100の製造方法について説明する。なお、図4〜図14に示す断面は、図1におけるA−O−A’線での断面に対応する。また、図15〜図19には、各工程における平面図を示している。
以上説明した本発明に係る実施の形態1のTFTアクティブマトリックス基板100においては、ソース配線25、ソース電極24およびドレイン電極26の形成に際しては、まず、不要な部分の第2の金属薄膜8をフォトレジストパターンRP1を用いて除去した後に、フォトレジストパターンRP1をアッシングして薄膜化したフォトレジストパターンRP2を使用してソース配線25、ソース電極24およびドレイン電極26をパターニングするとともにTFTチャネル部をパターニングするので、ゲート電極2、ゲート絶縁膜5、活性領域層AR、ソース電極24およびドレイン電極26で構成されるTFT構造部を3回の写真製版工程で形成可能であり、製造工程を簡略化できる。
図20および図21は。活性領域層ARを含むTFT構造部の構成を示す斜視図であり、図20においては導電性再付着物が形成されていない状態を示し、図21においては導電性再付着物CRが形成された状態を示している。
実施の形態1においては、図7および図8を用いて説明したように、二段階露光によりフォトレジストパターンRP1を形成する例を示したが、これに限定されるものではなく、1回の露光でフォトレジストパターンRP1を形成することもできる。
<B−1.装置構成>
本発明に係る実施の形態2の電気光学表示装置として、TFTをスイッチング素子として用いた有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子を備える自発光型の有機EL表示装置のTFTアクティブマトリックス基板200の平面構成を図23に、また、図23におけるB−O−B’線での断面構成を図24に示す。
図24に示すように、透明絶縁性基板1上にゲート電極2(ゲート配線4)が配設され、ゲート電極2(ゲート配線4)上を含めて、透明絶縁性基板1上全体を覆うように第1の絶縁膜5が配設されている。なお、第1の絶縁膜5はゲート電極2の直上の部分においてはゲート絶縁膜として機能する。
次に、製造工程を順に示す断面図である図25〜図39を用いて、TFTアクティブマトリックス基板200の製造方法について説明する。なお、図25〜図39に示す断面は、図1におけるB−O−B’線での断面に対応する。また、図40〜図46には、各工程における平面図を示している。
以上説明した本発明に係る実施の形態2のTFTアクティブマトリックス基板200においては、ゲート電極2、ゲート絶縁膜5、活性領域層AR、ソース電極24およびドレイン電極26Aで構成されるTFT構造部を3回の写真製版工程で形成可能であり、製造工程を簡略化できる。
Claims (5)
- 絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にアレイ状に配設され、薄膜トランジスタが電気的に接続された画素電極を有する複数の表示画素と、
前記薄膜トランジスタを順次的に走査選択するゲート配線と、
前記画素電極に電気信号を与えるソース配線と、を有し、
前記ゲート配線と前記ソース配線とが平面視的に直交してマトリックス状をなすアクティブマトリックス基板を備えた電気光学表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、
前記ソース配線の下層に配設された半導体膜から分岐した活性領域層と、 前記活性領域層上に間隔を開けて選択的に配設されたソース電極およびドレイン電極とを有し、
前記活性領域層上において、少なくとも前記ソース電極は、その端面位置が前記活性領域層のいずれの端面位置よりも所定距離以上後退した位置となるように配設され、
前記ドレイン電極は、前記活性領域層上から画素表示領域の前記絶縁性基板の上方にかけて延在するように配設され、
前記画素表示領域における前記ドレイン電極の下層には、前記活性領域層を有しない、電気光学表示装置。 - 前記所定距離は0.3μmである、請求項1記載の電気光学表示装置。
- 絶縁性基板と、前記絶縁性基板上にアレイ状に配設され、薄膜トランジスタが電気的に接続された画素電極を有する複数の表示画素と、前記薄膜トランジスタを順次的に走査選択するゲート配線と、前記画素電極に電気信号を与えるソース配線とを有し、前記ゲート配線と前記ソース配線とが平面視的に直交してマトリックス状をなすアクティブマトリックス基板を備えた電気光学表示装置の製造方法であって、
(a)前記絶縁性基板上に第1の導電性薄膜を成膜した後に第1回目の写真製版を行って前記ゲート配線をパターニングする工程と、
(b)前記ゲート配線の上方に、半導体膜およびオーミックコンタクト膜を順に成膜した後、第2回目の写真製版を行って、前記半導体膜および前記オーミックコンタクト膜をパターニングして、前記ソース配線の下層膜を形成するとともに、前記半導体膜から分岐した活性領域層を形成する工程と、
(c)前記工程(b)の後に、前記絶縁性基板上の全面に渡って第2の導電性薄膜を成膜した後、前記第2の導電性薄膜をパターニングする工程と、を備え、
前記工程(c)は、
(c−1)第3回目の写真製版を行って前記第2の導電性薄膜上に、前記下層膜上および前記活性領域層上から画素表示領域の前記絶縁性基板の上方にかけて延在するとともに、前記薄膜トランジスタのチャネル部に対応するチャネル対応部が、他の部分よりも薄くなった第1のレジストパターンを形成する工程と、
(c−2)前記第1のレジストパターンに覆われない前記第2の導電性薄膜をエッチングにより除去する工程と、
(c−3)前記工程(c−2)の後に、前記第1のレジストパターンをアッシングして薄膜化するとともに、前記チャネル対応部を除去して開口部となった第2のレジストパターンを形成する工程と、
(c−4)前記第2のレジストパターンの前記開口部を介して、前記チャネル部に対応する前記第2の導電性薄膜および前記オーミックコンタクト膜を順次エッチングにより除去するとともに、前記第2のレジストパターンで覆われない前記第2の導電性薄膜および前記オーミックコンタクト膜を順次エッチングにより除去することで、前記活性領域層上に間隔を開けてソース電極およびドレイン電極をパターニングするとともに、前記ソース配線をパターニングする工程とを有する、電気光学表示装置の製造方法。 - 前記工程(c−3)は、
前記チャネル対応部に残るレジストのアッシング速度と、前記第1のレジストパターンの側面のアッシング速度とが同程度となる条件でアッシングを行う工程を含む、請求項3記載の電気光学表示装置の製造方法。 - 前記工程(c−1)は、
前記第1のレジストパターンのレジスト材として、ポジ型レジストを使用し、
前記第1のレジストパターンの前記チャネル対応部に対する露光強度が、前記他の部分に対する露光強度の20〜40%となったハーフ露光を行う工程を含む、請求項3記載の電気光学表示装置の製造方法。
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