JP2010524217A - 有機薄膜トランジスタ - Google Patents
有機薄膜トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010524217A JP2010524217A JP2010501516A JP2010501516A JP2010524217A JP 2010524217 A JP2010524217 A JP 2010524217A JP 2010501516 A JP2010501516 A JP 2010501516A JP 2010501516 A JP2010501516 A JP 2010501516A JP 2010524217 A JP2010524217 A JP 2010524217A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film transistor
- thin film
- organic thin
- insulating layer
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 23
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 11
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 claims description 3
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 123
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 3
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000005098 blood-cerebrospinal fluid barrier Anatomy 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229920006316 polyvinylpyrrolidine Polymers 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Chemical class 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/474—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
基板は剛性であってもよいし、可撓性であってもよい。剛性基板としては、ガラス又はシリコンから選択することができる。可撓性基板としては、薄いガラス又はポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート、ポリイミドのようなプラスチックが挙げられる。
好ましい有機半導体材料としては、任意に置換されたペンタセン等の低分子、ポリアリレーン、特に、ポリフルオレンやポリチオフェン等の任意に置換されたポリマー、又はオリゴマーが挙げられる。異なるタイプの材料(例えば、ポリマーと低分子との混合物)を混合してもよい。
p−チャネルOTFTでは、ソース及びドレイン電極は、仕事関数の高い材料が好ましく、3.5eVより大きい仕事関数を有する金属が好ましい。そのような金属としては、例えば、金、白金、パラジウム、モリブデン、タングステン、クロム等が挙げられる。仕事関数が4.5eV〜5.5eVの範囲内である金属が一層好ましい。その他の好適な化合物、合金又は三酸化モリブデンや酸化インジウムスズ等の酸化物を用いてもよい。ソース及びドレイン電極は、当該分野で知られているように、熱蒸着を行い、標準的なフォトリソグラフィ技術及びリフトオフ技術を用いてパターニング加工することによって形成することができる。
ゲート電極4は、広範囲に及ぶ導電性材料、例えば金属(例えば、金)や金属化合物(例えば、インジウム−スズ酸化物)等から選ぶことができる。又は、導電性ポリマーをゲート電極4として形成してもよい。そのような導電性ポリマーは、例えば、上述したスピンコーティング法、インクジェット印刷法、又はその他の溶液法によって溶液から成膜される。
絶縁層は、高抵抗を有する絶縁材料から選択された誘電体材料で形成される。OTFTにおいて実現可能な容量はkに直接比例し、またドレイン電流IDは容量に直接比例するので、kの値が高い材料が望まれるが、誘電体の誘電率kは、典型的にはおおよそ2〜3である。従って、低い動作電圧で高いドレイン電流を実現するため、OTFTはチャネル領域内で薄い誘電体層を有することが好ましい。
上述の素子構造には、他の層が含まれてもよい。例えば、結晶化度の向上、接触抵抗の抑制、表面特性の修復、及び接着性の向上を実現するため、必要に応じて、自己組織化単分子層(SAM)をゲート、ソース又はドレイン電極、基板、絶縁層、有機半導体材料の上に形成してもよい。例えば、有機半導体の形態(特に、ポリマー配列及び結晶化度)を改善することによって、また特に誘電率kの高い誘電体表面に対して電荷捕獲を抑えることによって素子性能を改善するため、特に、チャネル領域内の誘電体表面には、結合部分(binding region)と有機部分(organic region)とを備えた単分子層を設けてもよい。そのような単分子層材料の例としては、長いアルキル鎖を有するクロロシラン又はアルコキシシラン、例えば、オクタデシルトリクロロシランが挙げられる。
本発明の実施形態に係るOTFTには幅広い応用範囲がある。応用例の1つには、光学素子、好ましくは有機光学素子における画素の駆動がある。そのような光学素子の例として、光応答性素子、特にフォト検出素子、発光素子、特に有機発光素子が挙げられる。OTFTは、アクティブマトリックス型有機発光素子における使用に対して、例えば、ディスプレイ用途における使用に対して特に適している。
Claims (27)
- 基板と、
チャネルを規定するソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上に設けられる絶縁層と、
前記チャネルにまたがって設けられる有機半導体層と、
誘電体層と、
前記誘電体層上に設けられるゲート電極と、
を備えた有機薄膜トランジスタ。 - 請求項1記載の有機薄膜トランジスタにおいて、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は前記基板上に設けられ、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上に設けられた前記絶縁層はウェルを規定し、前記有機半導体層は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間において前記ウェル内に設けられることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1又は2記載の有機薄膜トランジスタにおいて、前記絶縁層は有機材料であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタにおいて、前記絶縁層は溶液処理形成可能な材料であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタにおいて、前記絶縁層は有機フォトレジストであることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 請求項5記載の有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機フォトレジストはフッ素化された有機フォトレジストであることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層の材料は溶液処理形成可能であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 請求項7記載の有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層の材料はポリマー又はデンドリマーであることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 請求項8記載の有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層の材料は共役化されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層は、ドーパントを備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタにおいて、前記誘電体層の材料は有機物であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタにおいて、前記誘電体層の材料は、溶液処理形成可能であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタにおいて、前記誘電体層を形成するために用いられる材料は、前記絶縁層を形成するために用いられる材料と同じであることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタは、前記絶縁層内にコンタクトビア部分をさらに備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1〜14のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタを備えた有機発光素子。
- 基板上にソース及びドレイン材料を設ける工程と、
前記ソース及びドレイン材料の上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層をパターニング加工してウェルを形成する工程と、
前記ウェル内の前記ソース及びドレイン材料をエッチングしてソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ウェル内に有機半導体材料を設ける工程と、
前記有機半導体材料上に誘電体材料を設ける工程と、
前記誘電体材料上にゲート電極を形成する工程と、
を備えた有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項16記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記絶縁層は、パターニング加工された形態で直接形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項16記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記絶縁層は、パターニング加工されていない形態で形成され、その後、パターニング加工されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項16〜19のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記ソース及びドレイン材料をエッチングした後、前記絶縁層に対して等方性エッチングを行って、前記絶縁層を薄くし且つまた前記ウェル内の前記ソース電極及び前記ドレイン電極の端部から絶縁層材料を除去することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項16〜19のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、ビアを前記絶縁層に形成し、前記ソース及びドレイン材料のエッチング前に、レジスト材料を前記ビア内に設け、前記ソース及びドレイン材料をエッチングした後に前記レジスト材料を除去し、導電性材料を前記ビア内に設けてコンタクトビア部分を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 透明基板上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層をパターニング加工してウェルを形成する工程と、
前記ウェル内に有機半導体材料を設ける工程と、
前記有機半導体材料上に誘電体材料を設ける工程と、
前記誘電体材料上にゲート電極を形成する工程と、
を備えた有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項21記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記絶縁層をパターニング加工されていない形態で形成し、その後、前記透明基板を通じて前記絶縁層を露光することによってパターニング加工を行うことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 互いの間にチャネルが形成されるソース電極及びドレイン電極と、ゲート電極と、前記ゲート電極と前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に設けられた誘電体層と、前記チャネル内に設けられた有機半導体層とを備えた有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記有機半導体層は、絶縁層内に規定されたウェル内に印刷法で形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項23記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記有機半導体層は、インクジェット印刷法で形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項23又は24記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記ウェルは、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記チャネルの一部又は全てを囲繞することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項23〜25のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記絶縁層を前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上に形成し、その後、前記有機半導体層を印刷法で形成し、前記誘電体層を形成し、前記ゲート電極を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項23〜25のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記絶縁層を前記ゲート電極上に形成し、前記絶縁層は前記誘電体層を構成し、前記絶縁層上に前記ソース電極及び前記ドレイン電極を設けることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0706652.5 | 2007-04-04 | ||
GB0706652A GB2448174B (en) | 2007-04-04 | 2007-04-04 | Organic thin film transistors |
PCT/EP2008/054040 WO2008122575A1 (en) | 2007-04-04 | 2008-04-03 | Organic thin film transistors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010524217A true JP2010524217A (ja) | 2010-07-15 |
JP5638944B2 JP5638944B2 (ja) | 2014-12-10 |
Family
ID=38090909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010501516A Expired - Fee Related JP5638944B2 (ja) | 2007-04-04 | 2008-04-03 | 有機薄膜トランジスタ |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8450142B2 (ja) |
EP (1) | EP2122706B1 (ja) |
JP (1) | JP5638944B2 (ja) |
KR (1) | KR101467507B1 (ja) |
CN (1) | CN101983439B (ja) |
GB (1) | GB2448174B (ja) |
HK (1) | HK1134583A1 (ja) |
WO (1) | WO2008122575A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8211782B2 (en) * | 2009-10-23 | 2012-07-03 | Palo Alto Research Center Incorporated | Printed material constrained by well structures |
CN103985760B (zh) | 2009-12-25 | 2017-07-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
US8580384B2 (en) * | 2010-01-17 | 2013-11-12 | Polyera Corporation | Dielectric materials and methods of preparation and use thereof |
US8603922B2 (en) * | 2010-01-27 | 2013-12-10 | Creator Technology B.V. | Semiconductor device, display, electronic apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
US8436403B2 (en) * | 2010-02-05 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance |
KR101088056B1 (ko) | 2010-02-05 | 2011-11-29 | 연세대학교 산학협력단 | 유기 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
CN102844847B (zh) | 2010-04-16 | 2015-09-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 沉积方法及半导体装置的制造方法 |
WO2012014786A1 (en) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semicondcutor device and manufacturing method thereof |
US8704230B2 (en) | 2010-08-26 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8664097B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
EP2681781A4 (en) * | 2011-03-03 | 2014-09-03 | Orthogonal Inc | Method for structuring materials in thin film components |
US8569121B2 (en) * | 2011-11-01 | 2013-10-29 | International Business Machines Corporation | Graphene and nanotube/nanowire transistor with a self-aligned gate structure on transparent substrates and method of making same |
CN202332973U (zh) | 2011-11-23 | 2012-07-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机薄膜晶体管、有机薄膜晶体管阵列基板及显示器件 |
GB2521139B (en) * | 2013-12-10 | 2017-11-08 | Flexenable Ltd | Reducing undesirable capacitive coupling in transistor devices |
CN104091886B (zh) * | 2014-07-04 | 2016-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机薄膜晶体管、阵列基板及制备方法、显示装置 |
WO2016085063A1 (ko) * | 2014-11-24 | 2016-06-02 | 서울대학교 산학협력단 | 고밀도 유기 메모리 소자 제조 방법 |
CN105261652B (zh) * | 2015-07-10 | 2019-08-13 | 广州奥翼电子科技股份有限公司 | 有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置与背板 |
CN105140261B (zh) | 2015-07-28 | 2018-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置 |
CN105529337B (zh) * | 2016-01-28 | 2018-12-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 柔性阵列基板结构及其制造方法 |
CN105655295A (zh) * | 2016-01-28 | 2016-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法及显示装置 |
US9842883B2 (en) * | 2016-01-28 | 2017-12-12 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Flexible array substrate structure and manufacturing method for the same |
CN105467708B (zh) * | 2016-02-03 | 2021-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种写字板、电子写字设备及制作方法 |
KR102458660B1 (ko) | 2016-08-03 | 2022-10-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
KR102610448B1 (ko) * | 2016-08-12 | 2023-12-07 | 인프리아 코포레이션 | 금속 함유 레지스트로부터의 에지 비드 영역의 금속 잔류물 저감방법 |
US20190326368A1 (en) * | 2018-04-23 | 2019-10-24 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Oled component, method for manufacturing the same and oled display |
DE102019200810B4 (de) | 2019-01-23 | 2023-12-07 | Technische Universität Dresden | Organischer dünnschicht-transistor und verfahren zur herstellung desselben |
CN109894162B (zh) * | 2019-03-11 | 2021-06-11 | 太原理工大学 | 一种基于pedot:pss电化学晶体管的微流控芯片及其制备方法 |
GB2590427A (en) * | 2019-12-17 | 2021-06-30 | Flexanable Ltd | Semiconductor devices |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05343690A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH0613405A (ja) * | 1992-06-26 | 1994-01-21 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH0669441A (ja) * | 1992-03-02 | 1994-03-11 | Motorola Inc | 半導体メモリ装置 |
JPH09213968A (ja) * | 1995-11-27 | 1997-08-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2001332735A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Koninkl Philips Electronics Nv | 半導体装置及びパターン形成方法 |
JP2003264195A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法及びレジスト剥離装置 |
JP2004055649A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2005072053A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Sharp Corp | 有機半導体装置およびその製造方法 |
JP2005116924A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ、発光装置並びに液晶表示装置、及びそれらの作製方法 |
JP2005286320A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-10-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パターン形成方法、薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置 |
WO2006051457A1 (en) * | 2004-11-09 | 2006-05-18 | Polymer Vision Limited | Self-aligned process to manufacture organic transistors |
JP2006351844A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Mitsubishi Electric Corp | 電気光学表示装置およびその製造方法 |
JP2007027733A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | 平板表示装置及び平板表示装置の製造方法 |
JP2007036259A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
WO2007114254A1 (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Pioneer Corporation | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2007288130A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ、この製造方法及びこれを利用した表示装置 |
JP2008109116A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-05-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000269504A (ja) | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置 |
JP4841751B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2011-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機半導体装置及びその作製方法 |
US6740900B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-05-25 | Konica Corporation | Organic thin-film transistor and manufacturing method for the same |
CN1186822C (zh) * | 2002-09-23 | 2005-01-26 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 有机薄膜晶体管及制备方法 |
JP2005108949A (ja) | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
KR100659061B1 (ko) * | 2004-09-20 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 |
JP4686232B2 (ja) | 2005-03-30 | 2011-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
KR101206033B1 (ko) * | 2006-04-18 | 2012-11-28 | 삼성전자주식회사 | ZnO 반도체 박막의 제조방법 및 이를 이용한박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR100763913B1 (ko) * | 2006-04-27 | 2007-10-05 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
JP3905915B2 (ja) * | 2006-05-08 | 2007-04-18 | クラリオン株式会社 | ディスク装置 |
US20080128685A1 (en) * | 2006-09-26 | 2008-06-05 | Hiroyuki Honda | Organic semiconductor device, manufacturing method of same, organic transistor array, and display |
-
2007
- 2007-04-04 GB GB0706652A patent/GB2448174B/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-03 WO PCT/EP2008/054040 patent/WO2008122575A1/en active Application Filing
- 2008-04-03 EP EP08735782A patent/EP2122706B1/en not_active Not-in-force
- 2008-04-03 CN CN2008800105631A patent/CN101983439B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-03 KR KR1020097021703A patent/KR101467507B1/ko active IP Right Grant
- 2008-04-03 US US12/532,629 patent/US8450142B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-03 JP JP2010501516A patent/JP5638944B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-11 HK HK10101593.7A patent/HK1134583A1/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0669441A (ja) * | 1992-03-02 | 1994-03-11 | Motorola Inc | 半導体メモリ装置 |
JPH05343690A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH0613405A (ja) * | 1992-06-26 | 1994-01-21 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH09213968A (ja) * | 1995-11-27 | 1997-08-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2001332735A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Koninkl Philips Electronics Nv | 半導体装置及びパターン形成方法 |
JP2003264195A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法及びレジスト剥離装置 |
JP2004055649A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2005072053A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Sharp Corp | 有機半導体装置およびその製造方法 |
JP2005116924A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ、発光装置並びに液晶表示装置、及びそれらの作製方法 |
JP2005286320A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-10-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パターン形成方法、薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置 |
WO2006051457A1 (en) * | 2004-11-09 | 2006-05-18 | Polymer Vision Limited | Self-aligned process to manufacture organic transistors |
JP2008520086A (ja) * | 2004-11-09 | 2008-06-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機トランジスタを製造するための自己整合プロセス |
JP2006351844A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Mitsubishi Electric Corp | 電気光学表示装置およびその製造方法 |
JP2007027733A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | 平板表示装置及び平板表示装置の製造方法 |
JP2007036259A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
WO2007114254A1 (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Pioneer Corporation | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2007288130A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ、この製造方法及びこれを利用した表示装置 |
JP2008109116A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-05-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101983439A (zh) | 2011-03-02 |
HK1134583A1 (en) | 2010-04-30 |
GB0706652D0 (en) | 2007-05-16 |
CN101983439B (zh) | 2012-12-12 |
EP2122706A1 (en) | 2009-11-25 |
EP2122706B1 (en) | 2012-11-14 |
KR20100015664A (ko) | 2010-02-12 |
GB2448174B (en) | 2009-12-09 |
WO2008122575A9 (en) | 2010-01-21 |
KR101467507B1 (ko) | 2014-12-01 |
WO2008122575A1 (en) | 2008-10-16 |
GB2448174A (en) | 2008-10-08 |
US20100051922A1 (en) | 2010-03-04 |
JP5638944B2 (ja) | 2014-12-10 |
US8450142B2 (en) | 2013-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5638944B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
CN101926016B (zh) | 有机薄膜晶体管、有源矩阵有机光学器件及其制造方法 | |
JP5565732B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
JP5575105B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
KR101474580B1 (ko) | 액티브 매트릭스 광학 장치 및 그 제조 방법 | |
US8476121B2 (en) | Organic thin film transistors and methods of making them | |
US20100264408A1 (en) | Organic Thin Film Transistors, Active Matrix Organic Optical Devices and Methods of Making the Same | |
JP5770104B2 (ja) | 無電解めっきによる有機薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極の形成方法 | |
JP2011515844A (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
JP2010040999A (ja) | 有機半導体デバイス及びその製造方法並びに有機elディスプレイ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130219 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130517 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130524 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130619 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130626 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130717 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140603 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140930 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141023 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5638944 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |