JP2004055649A - 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004055649A JP2004055649A JP2002208180A JP2002208180A JP2004055649A JP 2004055649 A JP2004055649 A JP 2004055649A JP 2002208180 A JP2002208180 A JP 2002208180A JP 2002208180 A JP2002208180 A JP 2002208180A JP 2004055649 A JP2004055649 A JP 2004055649A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film transistor
- organic semiconductor
- semiconductor layer
- thin film
- organic thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【課題】低コストで製造可能であり、優れたスイッチングを有する有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層4、該有機半導体層に接するソース電極5、前記有機半導体層に接するドレイン電極6、ゲート電極2、該ゲート電極と、前記有機半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とを絶縁するゲート絶縁膜3ならびにこれらを支持する支持体1を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層を無機酸化物の微粒子とポリマーで構成する。
【選択図】 図1
【解決手段】有機半導体層4、該有機半導体層に接するソース電極5、前記有機半導体層に接するドレイン電極6、ゲート電極2、該ゲート電極と、前記有機半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とを絶縁するゲート絶縁膜3ならびにこれらを支持する支持体1を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層を無機酸化物の微粒子とポリマーで構成する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、有機半導体層を活性層とする有機薄膜トランジスタが注目されており、特開平10−190001、特開2000−307172、WO 01/47043、WO 00/79617等に開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
半導体デバイスにおける絶縁層を形成する方法としては、一般に、シリコン基板を熱酸化することにより酸化ケイ素膜を形成する方法やスパッタリング、CVD等のように真空条件下におけるドライプロセスにより無機酸化物膜を形成する方法が知られている。
【0004】
しかしながらこれらの方法は、生産効率が低く、生産設備に多大なコストを要するという問題がある。
【0005】
WO 01/47043及びWO 00/79617には、ゲート絶縁層を樹脂の塗布膜で構成することが開示されている。樹脂膜は塗布法を用いて形成することができることから、高い生産効率で低コストに生産できるという利点を有する。しかしながら、樹脂膜は無機酸化物膜に比較して比誘電率が低いために、有機半導体層で形成されるチャネル部分に与える電界効果が低く、ゲート電圧が高くなり、結果としてスイッチング電流のON/OFF比が低くなるという問題がある。
【0006】
特開平10−270712ではゾルゲル法で形成された無機酸化物からなるゲート絶縁層を有する有機薄膜トランジスタが開示されているが、このような有機薄膜トランジスタでは、絶縁層の絶縁耐性が低く、ゲートバイアスによるリーク電流が問題となる。
【0007】
本発明は、塗布等の高い生産効率で製造することにより製造コストを大幅に引き下げることが可能であり、しかも、性能の優れた有機薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記の本発明の目的は下記の発明により達成される。
【0009】
1.有機半導体層、該有機半導体層に接するソース電極、前記有機半導体層に接するドレイン電極、ゲート電極、該ゲート電極と、前記有機半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とを絶縁するゲート絶縁層並びにこれらを支持する支持体、を有する有機薄膜トランジスタにおいて、
前記ゲート絶縁層は、実質的に無機酸化物の微粒子及びポリマーからなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【0010】
2.前記無機酸化物の微粒子の平均粒径は、100nm以下であることを特徴とする前記1に記載の有機薄膜トランジスタ。
【0011】
3.前記無機酸化物の微粒子は、無機酸化物のゾルからなり、その平均粒径は20nm以下であることを特徴とする前記1又は前記2に記載の有機薄膜トランジスタ。
【0012】
4.前記無機酸化物は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ又は酸化鉛からなることを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタ。
【0013】
5.前記有機半導体層を構成する有機半導体は、π共役系ポリマーからなることを特徴とする前記1〜4のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタ。
【0014】
6.前記支持体は、ポリマーからなることを特徴とする前記1〜5のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタ。
【0015】
7.有機半導体層、該有機半導体層に接するソース電極、前記有機半導体層に接するドレイン電極、ゲート電極、該ゲート電極と、前記有機半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とを絶縁するゲート絶縁層並びにこれらを支持する支持体、を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
ポリマーを含有し、無機酸化物の微粒子が分散された液を塗布することにより前記ゲート絶縁層を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【0016】
【発明の実施の形態】
図1に本発明の実施の形態に係る有機薄膜トランジスタの層構成の例を示すが、本発明はこれらの層構成に限られない。
【0017】
図1において、1は支持体、2はゲート電極、3はゲート絶縁層、4は有機半導体層、5はソース電極、6はドレイン電極である。ソース電極5及びドレインり電極6は有機半導体層4に接触し、両電極間に有機半導体層4のチャネルが形成される。これらによって、ゲート絶縁層3により、ゲート電極2が有機半導体層4、ソース電極5及びドレイン電極6から絶縁された電界効果トランジスタが構成される。図1(a)はゲート電極2が最上層として形成されたトップゲート型有機薄膜トランジスタを示し、図1(b)はゲート電極2が支持体1に接する最下層として形成されたボトムゲート型の有機薄膜トランジスタを示す。図1(c)は、有機半導体層4がパターンとして形成されない有機薄膜トランジスタを示す。
【0018】
支持体1は、ガラスやフレキシブルな樹脂製シートで構成され、例えばプラスチックフィルムをシートとして用いることができる。前記プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げられる。このように、プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。
【0019】
有機半導体層4を構成する有機半導体材料としては、π共役系材料が用いられる。たとえばポリピロール、ポリ(N−置換ピロール)、ポリ(3−置換ピロール)、ポリ(3,4−二置換ピロール)などのポリピロール類、ポリチオフェン、ポリ(3−置換チオフェン)、ポリ(3,4−二置換チオフェン)、ポリベンゾチオフェンなどのポリチオフェン類、ポリイソチアナフテンなどのポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレンなどのポリチェニレンビニレン類、ポリ(p−フェニレンビニレン)などのポリ(p−フェニレンビニレン)類、ポリアニリン、ポリ(N−置換アニリン)、ポリ(3−置換アニリン)、ポリ(2,3−置換アニリン)などのポリアニリン類、ポリアセチレンなどのポリアセチレン類、ポリジアセチレンなどのポリジアセチレン類、ポリアズレンなどのポリアズレン類、ポリピレンなどのポリピレン類、ポリカルバゾール、ポリ(N−置換カルバゾール)などのポリカルバゾール類、ポリセレノフェンなどのポリセレノフェン類、ポリフラン、ポリベンゾフランなどのポリフラン類、ポリ(p−フェニレン)などのポリ(p−フェニレン)類、ポリインドールなどのポリインドール類、ポリピリダジンなどのポリピリダジン類、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセンなどのポリアセン類およびポリアセン類の炭素の一部をN、S、Oなどの原子、カルボニル基などの官能基に置換した誘導体(トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−6,15−キノンなど)、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィドなどのポリマーや特開平11−195790に記載された多環縮合体などを用いることができる。
【0020】
また、これらのポリマーと同じ繰返し単位を有するたとえばチオフェン6量体であるα−セクシチオフェンα,ω−ジヘキシル−α−セクシチオフェン、α,ω−ジヘキシル−α−キンケチオフェン、α,ω−ビス(3−ブトキシプロピル)−α−セクシチオフェン、スチリルベンゼン誘導体などのオリゴマーも好適に用いることができる。
【0021】
さらに銅フタロシアニンや特開平11−251601に記載のフッ素置換銅フタロシアニンなどの金属フタロシアニン類、ナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド、N,N’−ビス(4−トリフルオロメチルベンジル)ナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミドとともに、N,N’−ビス(1H,1H−ペルフルオロオクチル)、N,N’−ビス(1H,1H−ペルフルオロブチル)及びN,N’−ジオクチルナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、ナフタレン2,3,6,7テトラカルボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類、及びアントラセン2,3,6,7−テトラカルボン酸ジイミドなどのアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類などの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、C60、C70、C76、C78、C84等フラーレン類、SWNTなどのカーボンナノチューブ、メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類などの色素などがあげられる。
【0022】
これらのπ共役系材料のうちでも、チオフェン、ビニレン、チェニレンビニレン、フェニレンビニレン、p−フェニレン、これらの置換体またはこれらの2種以上を繰返し単位とし、かつ該繰返し単位の数nが4〜10であるオリゴマーもしくは該繰返し単位の数nが20以上であるポリマー、ペンタセンなどの縮合多環芳香族化合物、フラーレン類、縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、金属フタロシアニンよりなる群から選ばれた少なくとも1種が好ましい。
【0023】
また、その他の有機半導体材料としては、テトラチアフルバレン(TTF)−テトラシアノキノジメタン(TCNQ)錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン(BEDTTTF)−過塩素酸錯体、BEDTTTF−ヨウ素錯体、TCNQ−ヨウ素錯体、などの有機分子錯体も用いることができる。さらにポリシラン、ポリゲルマンなどのσ共役系ポリマーや特開2000−260999に記載の有機・無機混成材料も用いることができる。
【0024】
本発明においては、有機半導体層に、たとえば、アクリル酸、アセトアミド、ジメチルアミノ基、シアノ基、カルボキシル基、ニトロ基などの官能基を有する材料や、ベンゾキノン誘導体、テトラシアノエチレンおよびテトラシアノキノジメタンやそれらの誘導体などのように電子を受容するアクセプターとなる材料や、たとえばアミノ基、トリフェニル基、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、フェニル基などの官能基を有する材料、フェニレンジアミンなどの置換アミン類、アントラセン、ベンゾアントラセン、置換ベンゾアントラセン類、ピレン、置換ピレン、カルバゾールおよびその誘導体、テトラチアフルバレンとその誘導体などのように電子の供与体であるドナーとなるような材料を含有させ、いわゆるドーピング処理を施してもよい。
【0025】
前記ドーピングとは電子授与性分子(アクセプター)または電子供与性分子(ドナー)をドーパントとして該薄膜に導入することを意味する。従って、ドーピングが施された薄膜は、前記の縮合多環芳香族化合物とドーパントを含有する薄膜である。本発明に用いるドーパントとしてアクセプター、ドナーのいずれも使用可能である。
【0026】
このアクセプターとしてCl2、Br2、I2、ICl、ICl3、IBr、IFなどのハロゲン、PF5、AsF5、SbF5、BF3、BC13、BBr3、SO3などのルイス酸、HF、HC1、HNO3、H2SO4、HClO4、FSO3H、ClSO3H、CF3SO3Hなどのプロトン酸、酢酸、蟻酸、アミノ酸などの有機酸、FeCl3、FeOCl、TiCl4、ZrCl4、HfCl4、NbF5、NbCl5、TaCl5、MoCl5、WF5、WCl6、UF6、LnCl3(Ln=La、Ce、Nd、Pr、などのランタノイドとY)などの遷移金属化合物、Cl−、Br−、I−、ClO4 −、PF6 −、AsF5 −、SbF6 −、BF4 −、スルホン酸アニオンなどの電解質アニオンなどを挙げることができる。
【0027】
またドナーとしては、Li、Na、K、Rb、Csなどのアルカリ金属、Ca、Sr、Baなどのアルカリ土類金属、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Ybなどの希土類金属、アンモニウムイオン、R4P+、R4As+、R3S+、アセチルコリンなどをあげることができる。
【0028】
これらのドーパントのドーピングの方法として予め有機半導体の薄膜を作製しておき、ドーパントを後で導入する方法、有機半導体の薄膜作製時にドーパントを導入する方法のいずれも使用可能である。前者の方法のドーピングとして、ガス状態のドーパントを用いる気相ドーピング、溶液あるいは液体のドーパントを該薄膜に接触させてドーピングする液相ドーピング、個体状態のドーパントを該薄膜に接触させてドーパントを拡散ドーピングする固相ドーピングの方法をあげることができる。また液相ドーピングにおいては電解を施すことによってドーピングの効率を調整することができる。後者の方法では、有機半導体化合物とドーパントの混合溶液あるいは分散液を同時に塗布、乾燥してもよい。たとえば真空蒸着法を用いる場合、有機半導体化合物とともにドーパントを共蒸着することによりドーパントを導入することができる。またスパッタリング法で薄膜を作製する場合、有機半導体化合物とドーパントの二元ターゲットを用いてスパッタリングして薄膜中にドーパントを導入させることができる。さらに他の方法として、電気化学的ドーピング、光開始ドーピング等の化学的ドーピングおよび例えば刊行物「工業材料」34巻、第4号、55頁(1986年)に示されたイオン注入法等の物理的ドーピングの何れも使用可能である。
【0029】
これら有機薄膜の作製法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、CVD法、スパッタリング法、プラズマ重合法、電解重合法、化学重合法、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法およびLB法等が挙げられ、材料に応じて使用できる。ただし、この中で生産性の点で、有機半導体の溶液を用いて簡単かつ精密に薄膜が形成できるスピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法等が好まれる。
【0030】
これら有機半導体からなる薄膜の膜厚としては、特に制限はないが、得られたトランジスタの特性は、有機半導体からなる活性層の膜厚に大きく左右される場合が多く、その膜厚は、有機半導体により異なるが、一般に1μm以下、特に10〜300nmが好ましい。
【0031】
ゲート電極2、ソース電極5及びドレイン電極6を形成する材料としては導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ(ITO)、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム混合物、リチウム/アルミニウム混合物等が用いられるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ITOおよび炭素が好ましい。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体なども好適に用いられる。ソース電極5及びドレイン電極6は上に挙げた中でも半導体層との接触面において電気抵抗の少ないものが好ましい。
【0032】
電極の形成方法としては、上記を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、インクジェット等によるレジストを用いてエッチングする方法がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、導電性微粒子分散液を直接インクジェットによりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。さらに導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
【0033】
ゲート絶縁層3は、実質的に無機酸化物の微粒子及びポリマーからなる。
無機酸化物としては、比誘電率が3以上の材料が好ましく、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化鉛、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。これらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化鉛である。
【0034】
微粒子の粒径は、数平均粒径で1nm〜100nmが好ましく、1〜20nmが特に好ましい。なお、以下の説明において、微粒子の平均粒径は数平均粒径である。
【0035】
このような無機酸化物の微粒子についてはこれを、特開2000−7340、特開2001−122621、特開2002−60651、特開平5−24823、特開平5−24824、特開平5−85718、特開平5−97422、特開平6−16414、特開平6−24746、特開平6−316407、特開平7−10522、特開平7−118008、特開平7−133105、特開平7−291621、特開平8−208228、特開平8−277115、特開平9−77503、特開平9−80203、特開平9−208213、特開平10−45403、特開平10−87324、特開平10−310429、特開平11−292520、特開平11−322307等に開示された方法により作製することができる。
【0036】
ポリマーとしては、アクリル樹脂、アクリルスチレン樹脂、ノボラックやポリビニルフェノールなどのフェノール樹脂、シリコン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、メラミン樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアルコール、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂とアクリロニトリル成分を含有する共重合体、シアノエチルプルラン等を用いることができる。
【0037】
前記ポリマーに対する前記無機酸化物の添加量は、ポリマー1質量部に対して、0.5〜5質量部、好ましくは1〜3質量部である。
【0038】
前記無機酸化物の微粒子と前記ポリマーとの混合物を、水系又は有機溶媒系の溶媒に溶解又は分散し、必要に応じて界面活性剤などの分散補助剤を用いて調整した液を塗布、乾燥することにより、絶縁性被膜を構成する。塗布方法としては、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの一般的な方法の他に、印刷やインクジェット等のパターン方法が挙げられる。
【0039】
本発明においては、ゲート絶縁層3として、前記のようにして構成した絶縁性被膜を真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などのドライプロセスで形成された無機酸化物被膜と併用することも可能であり、無機酸化物微粒子のポリマー分散層と無機酸化物層が積層された絶縁層を用いることができる。なお、ゲート絶縁層3は残留界面活性剤等の副成分をその特性を損なわない範囲で含有することができる。
【0040】
ゲート絶縁層3は、50nm〜3μm、好ましくは100nm〜1μmの膜厚を有する。
【0041】
【実施例】
(1)実施例1
100μm厚のポリイミドフィルム上にマスクを用いて、50nmのAu薄膜を蒸着しそれぞれソース電極及びドレイン電極を形成した。チャネルの長さを20μmとした。更に、よく精製したポリ(3−ヘキシルチオフェン)のクロロホルム溶液をピエゾ方式のインクジェットを用いて飛着させ、ソース電極とドレイン電極間の前記チャネルを満たし、乾燥によりクロロホルムを除去した後に、100℃で5分間熱処理し、24時間真空中に放置して有機半導体層を形成した。形成された有機半導体層の厚さは50nmであった。更に、アンモニアガス雰囲気下に室温で5時間暴露した後に、下記の方法でゲート絶縁層を形成した。
【0042】
よく精製したノボラック樹脂1質量部を溶解したプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液に対し、平均粒径30nmのシリカ粒子2.0質量部を含むMEK分散液を添加し、超音波分散した。この液を、前記のソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層上に塗布し、120℃で10分間乾燥することにより、厚さ0.3μmのゲート絶縁層を形成した。次に、市販のAgペーストを用いて幅30μmのゲート電極を形成し、図1(a)に示す有機薄膜トランジスタ素子を得た。
【0043】
(2)比較例
シリカ粒子を添加せずに、厚さ0.3μmのノボラック樹脂からなる絶縁膜でゲート絶縁層を形成した他は実施例1と同様な工程で有機薄膜トランジスタ素子を作製した。
【0044】
(3)実施例2
平均粒径が15nmのプロピレングリコールモノメチルアセテート分散シリカゾルに、よく精製したポリビニルフェノールを、追加し溶解させた。ここで、シリカゾル3質量部に対してポリビニルフェノール1質量部とした。この分散液を塗布・乾燥し、厚さ0.3μmのゲート絶縁層を形成する以外は実施例1と同様にして有機薄膜トランジスタを作成した。
【0045】
実施例1、2及び比較例で作製した有機薄膜トランジスタ素子を図2に示す評価回路を用いて評価した。即ち、電源E1によりソース電極5とドレイン電極6間に流れる電流を、電源E2によるゲート電圧の印加時と非印加時について測定し、ON/OFF比を得た。なお、印加時のゲート電圧を−30Vとした。
【0046】
得られたON/OFFは次のとおりであった。
実施例1・・・・・1000
比較例・・・・・・300
実施例2・・・・・1500
これらの結果から明らかなように、本発明に係る有機薄膜トランジスタは高いON/OFF比を示し、優れたスイッチング特性を有する。
【0047】
【発明の効果】
請求項に記載の発明により、オール塗布の製造工程によって、低コストで有機薄膜トランジスタを製造することが可能になる。特に、原料をロールから供給し、塗布等の処理を経て製品又は半製品をロールに巻き取るロールツウロール(ROLL to ROLL)方式で有機薄膜トランジスタを製造することが可能になり、低コストの製造方法が実現される。また、優れたスイッチング特性の有機薄膜トランジスタが実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る有機薄膜トランジスタの層構成を示す図である。
【図2】有機薄膜トランジスタの評価回路を示す図である。
【符号の説明】
1 支持体
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁層
4 有機半導体層
5 ソース電極
6 ドレイン電極
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、有機半導体層を活性層とする有機薄膜トランジスタが注目されており、特開平10−190001、特開2000−307172、WO 01/47043、WO 00/79617等に開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
半導体デバイスにおける絶縁層を形成する方法としては、一般に、シリコン基板を熱酸化することにより酸化ケイ素膜を形成する方法やスパッタリング、CVD等のように真空条件下におけるドライプロセスにより無機酸化物膜を形成する方法が知られている。
【0004】
しかしながらこれらの方法は、生産効率が低く、生産設備に多大なコストを要するという問題がある。
【0005】
WO 01/47043及びWO 00/79617には、ゲート絶縁層を樹脂の塗布膜で構成することが開示されている。樹脂膜は塗布法を用いて形成することができることから、高い生産効率で低コストに生産できるという利点を有する。しかしながら、樹脂膜は無機酸化物膜に比較して比誘電率が低いために、有機半導体層で形成されるチャネル部分に与える電界効果が低く、ゲート電圧が高くなり、結果としてスイッチング電流のON/OFF比が低くなるという問題がある。
【0006】
特開平10−270712ではゾルゲル法で形成された無機酸化物からなるゲート絶縁層を有する有機薄膜トランジスタが開示されているが、このような有機薄膜トランジスタでは、絶縁層の絶縁耐性が低く、ゲートバイアスによるリーク電流が問題となる。
【0007】
本発明は、塗布等の高い生産効率で製造することにより製造コストを大幅に引き下げることが可能であり、しかも、性能の優れた有機薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記の本発明の目的は下記の発明により達成される。
【0009】
1.有機半導体層、該有機半導体層に接するソース電極、前記有機半導体層に接するドレイン電極、ゲート電極、該ゲート電極と、前記有機半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とを絶縁するゲート絶縁層並びにこれらを支持する支持体、を有する有機薄膜トランジスタにおいて、
前記ゲート絶縁層は、実質的に無機酸化物の微粒子及びポリマーからなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【0010】
2.前記無機酸化物の微粒子の平均粒径は、100nm以下であることを特徴とする前記1に記載の有機薄膜トランジスタ。
【0011】
3.前記無機酸化物の微粒子は、無機酸化物のゾルからなり、その平均粒径は20nm以下であることを特徴とする前記1又は前記2に記載の有機薄膜トランジスタ。
【0012】
4.前記無機酸化物は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ又は酸化鉛からなることを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタ。
【0013】
5.前記有機半導体層を構成する有機半導体は、π共役系ポリマーからなることを特徴とする前記1〜4のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタ。
【0014】
6.前記支持体は、ポリマーからなることを特徴とする前記1〜5のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタ。
【0015】
7.有機半導体層、該有機半導体層に接するソース電極、前記有機半導体層に接するドレイン電極、ゲート電極、該ゲート電極と、前記有機半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とを絶縁するゲート絶縁層並びにこれらを支持する支持体、を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
ポリマーを含有し、無機酸化物の微粒子が分散された液を塗布することにより前記ゲート絶縁層を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【0016】
【発明の実施の形態】
図1に本発明の実施の形態に係る有機薄膜トランジスタの層構成の例を示すが、本発明はこれらの層構成に限られない。
【0017】
図1において、1は支持体、2はゲート電極、3はゲート絶縁層、4は有機半導体層、5はソース電極、6はドレイン電極である。ソース電極5及びドレインり電極6は有機半導体層4に接触し、両電極間に有機半導体層4のチャネルが形成される。これらによって、ゲート絶縁層3により、ゲート電極2が有機半導体層4、ソース電極5及びドレイン電極6から絶縁された電界効果トランジスタが構成される。図1(a)はゲート電極2が最上層として形成されたトップゲート型有機薄膜トランジスタを示し、図1(b)はゲート電極2が支持体1に接する最下層として形成されたボトムゲート型の有機薄膜トランジスタを示す。図1(c)は、有機半導体層4がパターンとして形成されない有機薄膜トランジスタを示す。
【0018】
支持体1は、ガラスやフレキシブルな樹脂製シートで構成され、例えばプラスチックフィルムをシートとして用いることができる。前記プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げられる。このように、プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。
【0019】
有機半導体層4を構成する有機半導体材料としては、π共役系材料が用いられる。たとえばポリピロール、ポリ(N−置換ピロール)、ポリ(3−置換ピロール)、ポリ(3,4−二置換ピロール)などのポリピロール類、ポリチオフェン、ポリ(3−置換チオフェン)、ポリ(3,4−二置換チオフェン)、ポリベンゾチオフェンなどのポリチオフェン類、ポリイソチアナフテンなどのポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレンなどのポリチェニレンビニレン類、ポリ(p−フェニレンビニレン)などのポリ(p−フェニレンビニレン)類、ポリアニリン、ポリ(N−置換アニリン)、ポリ(3−置換アニリン)、ポリ(2,3−置換アニリン)などのポリアニリン類、ポリアセチレンなどのポリアセチレン類、ポリジアセチレンなどのポリジアセチレン類、ポリアズレンなどのポリアズレン類、ポリピレンなどのポリピレン類、ポリカルバゾール、ポリ(N−置換カルバゾール)などのポリカルバゾール類、ポリセレノフェンなどのポリセレノフェン類、ポリフラン、ポリベンゾフランなどのポリフラン類、ポリ(p−フェニレン)などのポリ(p−フェニレン)類、ポリインドールなどのポリインドール類、ポリピリダジンなどのポリピリダジン類、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセンなどのポリアセン類およびポリアセン類の炭素の一部をN、S、Oなどの原子、カルボニル基などの官能基に置換した誘導体(トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−6,15−キノンなど)、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィドなどのポリマーや特開平11−195790に記載された多環縮合体などを用いることができる。
【0020】
また、これらのポリマーと同じ繰返し単位を有するたとえばチオフェン6量体であるα−セクシチオフェンα,ω−ジヘキシル−α−セクシチオフェン、α,ω−ジヘキシル−α−キンケチオフェン、α,ω−ビス(3−ブトキシプロピル)−α−セクシチオフェン、スチリルベンゼン誘導体などのオリゴマーも好適に用いることができる。
【0021】
さらに銅フタロシアニンや特開平11−251601に記載のフッ素置換銅フタロシアニンなどの金属フタロシアニン類、ナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド、N,N’−ビス(4−トリフルオロメチルベンジル)ナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミドとともに、N,N’−ビス(1H,1H−ペルフルオロオクチル)、N,N’−ビス(1H,1H−ペルフルオロブチル)及びN,N’−ジオクチルナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、ナフタレン2,3,6,7テトラカルボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類、及びアントラセン2,3,6,7−テトラカルボン酸ジイミドなどのアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類などの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、C60、C70、C76、C78、C84等フラーレン類、SWNTなどのカーボンナノチューブ、メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類などの色素などがあげられる。
【0022】
これらのπ共役系材料のうちでも、チオフェン、ビニレン、チェニレンビニレン、フェニレンビニレン、p−フェニレン、これらの置換体またはこれらの2種以上を繰返し単位とし、かつ該繰返し単位の数nが4〜10であるオリゴマーもしくは該繰返し単位の数nが20以上であるポリマー、ペンタセンなどの縮合多環芳香族化合物、フラーレン類、縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、金属フタロシアニンよりなる群から選ばれた少なくとも1種が好ましい。
【0023】
また、その他の有機半導体材料としては、テトラチアフルバレン(TTF)−テトラシアノキノジメタン(TCNQ)錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン(BEDTTTF)−過塩素酸錯体、BEDTTTF−ヨウ素錯体、TCNQ−ヨウ素錯体、などの有機分子錯体も用いることができる。さらにポリシラン、ポリゲルマンなどのσ共役系ポリマーや特開2000−260999に記載の有機・無機混成材料も用いることができる。
【0024】
本発明においては、有機半導体層に、たとえば、アクリル酸、アセトアミド、ジメチルアミノ基、シアノ基、カルボキシル基、ニトロ基などの官能基を有する材料や、ベンゾキノン誘導体、テトラシアノエチレンおよびテトラシアノキノジメタンやそれらの誘導体などのように電子を受容するアクセプターとなる材料や、たとえばアミノ基、トリフェニル基、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、フェニル基などの官能基を有する材料、フェニレンジアミンなどの置換アミン類、アントラセン、ベンゾアントラセン、置換ベンゾアントラセン類、ピレン、置換ピレン、カルバゾールおよびその誘導体、テトラチアフルバレンとその誘導体などのように電子の供与体であるドナーとなるような材料を含有させ、いわゆるドーピング処理を施してもよい。
【0025】
前記ドーピングとは電子授与性分子(アクセプター)または電子供与性分子(ドナー)をドーパントとして該薄膜に導入することを意味する。従って、ドーピングが施された薄膜は、前記の縮合多環芳香族化合物とドーパントを含有する薄膜である。本発明に用いるドーパントとしてアクセプター、ドナーのいずれも使用可能である。
【0026】
このアクセプターとしてCl2、Br2、I2、ICl、ICl3、IBr、IFなどのハロゲン、PF5、AsF5、SbF5、BF3、BC13、BBr3、SO3などのルイス酸、HF、HC1、HNO3、H2SO4、HClO4、FSO3H、ClSO3H、CF3SO3Hなどのプロトン酸、酢酸、蟻酸、アミノ酸などの有機酸、FeCl3、FeOCl、TiCl4、ZrCl4、HfCl4、NbF5、NbCl5、TaCl5、MoCl5、WF5、WCl6、UF6、LnCl3(Ln=La、Ce、Nd、Pr、などのランタノイドとY)などの遷移金属化合物、Cl−、Br−、I−、ClO4 −、PF6 −、AsF5 −、SbF6 −、BF4 −、スルホン酸アニオンなどの電解質アニオンなどを挙げることができる。
【0027】
またドナーとしては、Li、Na、K、Rb、Csなどのアルカリ金属、Ca、Sr、Baなどのアルカリ土類金属、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Ybなどの希土類金属、アンモニウムイオン、R4P+、R4As+、R3S+、アセチルコリンなどをあげることができる。
【0028】
これらのドーパントのドーピングの方法として予め有機半導体の薄膜を作製しておき、ドーパントを後で導入する方法、有機半導体の薄膜作製時にドーパントを導入する方法のいずれも使用可能である。前者の方法のドーピングとして、ガス状態のドーパントを用いる気相ドーピング、溶液あるいは液体のドーパントを該薄膜に接触させてドーピングする液相ドーピング、個体状態のドーパントを該薄膜に接触させてドーパントを拡散ドーピングする固相ドーピングの方法をあげることができる。また液相ドーピングにおいては電解を施すことによってドーピングの効率を調整することができる。後者の方法では、有機半導体化合物とドーパントの混合溶液あるいは分散液を同時に塗布、乾燥してもよい。たとえば真空蒸着法を用いる場合、有機半導体化合物とともにドーパントを共蒸着することによりドーパントを導入することができる。またスパッタリング法で薄膜を作製する場合、有機半導体化合物とドーパントの二元ターゲットを用いてスパッタリングして薄膜中にドーパントを導入させることができる。さらに他の方法として、電気化学的ドーピング、光開始ドーピング等の化学的ドーピングおよび例えば刊行物「工業材料」34巻、第4号、55頁(1986年)に示されたイオン注入法等の物理的ドーピングの何れも使用可能である。
【0029】
これら有機薄膜の作製法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、CVD法、スパッタリング法、プラズマ重合法、電解重合法、化学重合法、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法およびLB法等が挙げられ、材料に応じて使用できる。ただし、この中で生産性の点で、有機半導体の溶液を用いて簡単かつ精密に薄膜が形成できるスピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法等が好まれる。
【0030】
これら有機半導体からなる薄膜の膜厚としては、特に制限はないが、得られたトランジスタの特性は、有機半導体からなる活性層の膜厚に大きく左右される場合が多く、その膜厚は、有機半導体により異なるが、一般に1μm以下、特に10〜300nmが好ましい。
【0031】
ゲート電極2、ソース電極5及びドレイン電極6を形成する材料としては導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ(ITO)、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム混合物、リチウム/アルミニウム混合物等が用いられるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ITOおよび炭素が好ましい。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体なども好適に用いられる。ソース電極5及びドレイン電極6は上に挙げた中でも半導体層との接触面において電気抵抗の少ないものが好ましい。
【0032】
電極の形成方法としては、上記を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、インクジェット等によるレジストを用いてエッチングする方法がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、導電性微粒子分散液を直接インクジェットによりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。さらに導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
【0033】
ゲート絶縁層3は、実質的に無機酸化物の微粒子及びポリマーからなる。
無機酸化物としては、比誘電率が3以上の材料が好ましく、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化鉛、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。これらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化鉛である。
【0034】
微粒子の粒径は、数平均粒径で1nm〜100nmが好ましく、1〜20nmが特に好ましい。なお、以下の説明において、微粒子の平均粒径は数平均粒径である。
【0035】
このような無機酸化物の微粒子についてはこれを、特開2000−7340、特開2001−122621、特開2002−60651、特開平5−24823、特開平5−24824、特開平5−85718、特開平5−97422、特開平6−16414、特開平6−24746、特開平6−316407、特開平7−10522、特開平7−118008、特開平7−133105、特開平7−291621、特開平8−208228、特開平8−277115、特開平9−77503、特開平9−80203、特開平9−208213、特開平10−45403、特開平10−87324、特開平10−310429、特開平11−292520、特開平11−322307等に開示された方法により作製することができる。
【0036】
ポリマーとしては、アクリル樹脂、アクリルスチレン樹脂、ノボラックやポリビニルフェノールなどのフェノール樹脂、シリコン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、メラミン樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアルコール、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂とアクリロニトリル成分を含有する共重合体、シアノエチルプルラン等を用いることができる。
【0037】
前記ポリマーに対する前記無機酸化物の添加量は、ポリマー1質量部に対して、0.5〜5質量部、好ましくは1〜3質量部である。
【0038】
前記無機酸化物の微粒子と前記ポリマーとの混合物を、水系又は有機溶媒系の溶媒に溶解又は分散し、必要に応じて界面活性剤などの分散補助剤を用いて調整した液を塗布、乾燥することにより、絶縁性被膜を構成する。塗布方法としては、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの一般的な方法の他に、印刷やインクジェット等のパターン方法が挙げられる。
【0039】
本発明においては、ゲート絶縁層3として、前記のようにして構成した絶縁性被膜を真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などのドライプロセスで形成された無機酸化物被膜と併用することも可能であり、無機酸化物微粒子のポリマー分散層と無機酸化物層が積層された絶縁層を用いることができる。なお、ゲート絶縁層3は残留界面活性剤等の副成分をその特性を損なわない範囲で含有することができる。
【0040】
ゲート絶縁層3は、50nm〜3μm、好ましくは100nm〜1μmの膜厚を有する。
【0041】
【実施例】
(1)実施例1
100μm厚のポリイミドフィルム上にマスクを用いて、50nmのAu薄膜を蒸着しそれぞれソース電極及びドレイン電極を形成した。チャネルの長さを20μmとした。更に、よく精製したポリ(3−ヘキシルチオフェン)のクロロホルム溶液をピエゾ方式のインクジェットを用いて飛着させ、ソース電極とドレイン電極間の前記チャネルを満たし、乾燥によりクロロホルムを除去した後に、100℃で5分間熱処理し、24時間真空中に放置して有機半導体層を形成した。形成された有機半導体層の厚さは50nmであった。更に、アンモニアガス雰囲気下に室温で5時間暴露した後に、下記の方法でゲート絶縁層を形成した。
【0042】
よく精製したノボラック樹脂1質量部を溶解したプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液に対し、平均粒径30nmのシリカ粒子2.0質量部を含むMEK分散液を添加し、超音波分散した。この液を、前記のソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層上に塗布し、120℃で10分間乾燥することにより、厚さ0.3μmのゲート絶縁層を形成した。次に、市販のAgペーストを用いて幅30μmのゲート電極を形成し、図1(a)に示す有機薄膜トランジスタ素子を得た。
【0043】
(2)比較例
シリカ粒子を添加せずに、厚さ0.3μmのノボラック樹脂からなる絶縁膜でゲート絶縁層を形成した他は実施例1と同様な工程で有機薄膜トランジスタ素子を作製した。
【0044】
(3)実施例2
平均粒径が15nmのプロピレングリコールモノメチルアセテート分散シリカゾルに、よく精製したポリビニルフェノールを、追加し溶解させた。ここで、シリカゾル3質量部に対してポリビニルフェノール1質量部とした。この分散液を塗布・乾燥し、厚さ0.3μmのゲート絶縁層を形成する以外は実施例1と同様にして有機薄膜トランジスタを作成した。
【0045】
実施例1、2及び比較例で作製した有機薄膜トランジスタ素子を図2に示す評価回路を用いて評価した。即ち、電源E1によりソース電極5とドレイン電極6間に流れる電流を、電源E2によるゲート電圧の印加時と非印加時について測定し、ON/OFF比を得た。なお、印加時のゲート電圧を−30Vとした。
【0046】
得られたON/OFFは次のとおりであった。
実施例1・・・・・1000
比較例・・・・・・300
実施例2・・・・・1500
これらの結果から明らかなように、本発明に係る有機薄膜トランジスタは高いON/OFF比を示し、優れたスイッチング特性を有する。
【0047】
【発明の効果】
請求項に記載の発明により、オール塗布の製造工程によって、低コストで有機薄膜トランジスタを製造することが可能になる。特に、原料をロールから供給し、塗布等の処理を経て製品又は半製品をロールに巻き取るロールツウロール(ROLL to ROLL)方式で有機薄膜トランジスタを製造することが可能になり、低コストの製造方法が実現される。また、優れたスイッチング特性の有機薄膜トランジスタが実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る有機薄膜トランジスタの層構成を示す図である。
【図2】有機薄膜トランジスタの評価回路を示す図である。
【符号の説明】
1 支持体
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁層
4 有機半導体層
5 ソース電極
6 ドレイン電極
Claims (7)
- 有機半導体層、該有機半導体層に接するソース電極、前記有機半導体層に接するドレイン電極、ゲート電極、該ゲート電極と、前記有機半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とを絶縁するゲート絶縁層並びにこれらを支持する支持体、を有する有機薄膜トランジスタにおいて、
前記ゲート絶縁層は、実質的に無機酸化物の微粒子及びポリマーからなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 前記無機酸化物の微粒子の平均粒径は、100nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記無機酸化物の微粒子は、無機酸化物のゾルからなり、その平均粒径は20nm以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記無機酸化物は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ又は酸化鉛からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記有機半導体層を構成する有機半導体は、π共役系ポリマーからなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記支持体は、ポリマーからなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 有機半導体層、該有機半導体層に接するソース電極、前記有機半導体層に接するドレイン電極、ゲート電極、該ゲート電極と、前記有機半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極とを絶縁するゲート絶縁層並びにこれらを支持する支持体、を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
ポリマーを含有し、無機酸化物の微粒子が分散された液を塗布することにより前記ゲート絶縁層を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002208180A JP2004055649A (ja) | 2002-07-17 | 2002-07-17 | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002208180A JP2004055649A (ja) | 2002-07-17 | 2002-07-17 | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004055649A true JP2004055649A (ja) | 2004-02-19 |
Family
ID=31932399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002208180A Pending JP2004055649A (ja) | 2002-07-17 | 2002-07-17 | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004055649A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277204A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界効果トランジスタ |
JP2006261493A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
WO2007023612A1 (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 薄膜トランジスタ |
JP2008500735A (ja) * | 2004-05-25 | 2008-01-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | トンネル・ナノチューブ電界効果トランジスタを製作する方法 |
JP2010520953A (ja) * | 2007-03-09 | 2010-06-17 | フィッシャー コントロールズ インターナショナル リミテッド ライアビリティー カンパニー | 結合剤および非伝導性粒子を含む絶縁保護コーティング |
JP2010524217A (ja) * | 2007-04-04 | 2010-07-15 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機薄膜トランジスタ |
US7838916B2 (en) * | 2005-12-02 | 2010-11-23 | Seiko Epson Corporation | Thin-film transistor, electronic circuit, display unit, and electronic device |
US7838871B2 (en) | 2004-03-24 | 2010-11-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic field-effect transistor, flat panel display device including the same, and a method of manufacturing the organic field-effect transistor |
KR101174769B1 (ko) | 2006-06-30 | 2012-08-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용한 tft 어레이기판의 제조방법 |
US8309954B2 (en) | 2009-05-12 | 2012-11-13 | Toppan Printing Co., Ltd. | Insulating thin film, formation solution for insulating thin film, field-effect transistor, method for manufacturing the same and image display unit |
KR101341775B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2013-12-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막트랜지스터 어레이 기판 |
-
2002
- 2002-07-17 JP JP2002208180A patent/JP2004055649A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7838871B2 (en) | 2004-03-24 | 2010-11-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic field-effect transistor, flat panel display device including the same, and a method of manufacturing the organic field-effect transistor |
JP2005277204A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界効果トランジスタ |
JP2008500735A (ja) * | 2004-05-25 | 2008-01-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | トンネル・ナノチューブ電界効果トランジスタを製作する方法 |
JP2006261493A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
WO2007023612A1 (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 薄膜トランジスタ |
JPWO2007023612A1 (ja) * | 2005-08-26 | 2009-02-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 薄膜トランジスタ |
US7838916B2 (en) * | 2005-12-02 | 2010-11-23 | Seiko Epson Corporation | Thin-film transistor, electronic circuit, display unit, and electronic device |
KR101174769B1 (ko) | 2006-06-30 | 2012-08-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용한 tft 어레이기판의 제조방법 |
KR101341775B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2013-12-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막트랜지스터 어레이 기판 |
JP2010520953A (ja) * | 2007-03-09 | 2010-06-17 | フィッシャー コントロールズ インターナショナル リミテッド ライアビリティー カンパニー | 結合剤および非伝導性粒子を含む絶縁保護コーティング |
JP2015038213A (ja) * | 2007-03-09 | 2015-02-26 | フィッシャー コントロールズ インターナショナル リミテッド ライアビリティー カンパニー | 結合剤および非伝導性粒子を含む絶縁保護コーティング |
JP2010524217A (ja) * | 2007-04-04 | 2010-07-15 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機薄膜トランジスタ |
US8450142B2 (en) | 2007-04-04 | 2013-05-28 | Cambridge Display Technology Limited | Organic thin film transistors |
KR101467507B1 (ko) * | 2007-04-04 | 2014-12-01 | 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 | 유기 박막 트랜지스터들 |
US8309954B2 (en) | 2009-05-12 | 2012-11-13 | Toppan Printing Co., Ltd. | Insulating thin film, formation solution for insulating thin film, field-effect transistor, method for manufacturing the same and image display unit |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7682867B2 (en) | Organic thin-film transistor and manufacturing method thereof | |
US6740900B2 (en) | Organic thin-film transistor and manufacturing method for the same | |
JP4736324B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP2004146430A (ja) | 有機薄膜トランジスタ、有機tft装置およびそれらの製造方法 | |
TW201503266A (zh) | 有機半導體薄膜的製作方法 | |
KR20100032654A (ko) | 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된 유기 박막 트랜지스터 | |
JP4572501B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2004055649A (ja) | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2003309265A (ja) | 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2007273594A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP4860101B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタシートの製造方法 | |
JP2008124085A (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
JP2003258256A (ja) | 有機tft装置及びその製造方法 | |
JP4419425B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ素子 | |
JP5025124B2 (ja) | 有機半導体装置及びその製造方法並びに表示装置 | |
JP2004103638A (ja) | 有機トランジスタ素子 | |
JP2004165427A (ja) | 有機薄膜トランジスタ素子 | |
JP4396109B2 (ja) | 薄膜トランジスタ素子の製造方法、薄膜トランジスタ素子及び薄膜トランジスタ素子シート | |
JP2003338629A (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
JP4453252B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ素子及び有機薄膜トランジスタ素子シート | |
JP2004200365A (ja) | 有機薄膜トランジスタ素子 | |
JP2004281477A (ja) | 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2004335932A (ja) | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2004067862A (ja) | 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ | |
JP2004179478A (ja) | 薄膜トランジスタ用シート及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050708 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080422 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080902 |