JP2005116924A - 薄膜トランジスタ、発光装置並びに液晶表示装置、及びそれらの作製方法 - Google Patents
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Abstract
レジスト等のマスクは一般的にパターニングが終了すると、除去されるため、マスク除去のための工程が必要となり工程数が増えてしまう。
そこで本発明は、マスクを除去することなく使用し、マスク除去を不要とする簡便な薄膜トランジスタの作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、所望の形状にパターニングするためのマスクを除去せずに薄膜トランジスタ(TFT)を形成することを特徴とする。マスクは、インクジェット法又はフォトリソグラフィー法により形成する。特に、インクジェット法によりマスクを形成する場合、フォトリソグラフィー工程を省略することができ好ましい。
【選択図】 図1
Description
本実施の形態では、薄膜トランジスタの作製方法の一例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる薄膜トランジスタの作製方法について説明する。本実施の形態において、上記実施の形態と異なる点は、インクジェット法により導電膜を形成し、さらにマスクを用いて導電膜をパターニングする点である。そのため、その他の作製工程は上記実施の形態と同様であり、詳細な説明は省略する。
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる薄膜トランジスタの作製方法について説明する。本実施の形態において、上記実施の形態と異なる点は、ゲート電極として機能する導電膜を、マスクを用いてパターニングする点である。そのため、その他の作製工程は上記実施の形態と同様であり、詳細な説明は省略する。
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる薄膜トランジスタの作製方法例について説明する。本実施の形態において、上記実施の形態と異なる点は、半導体膜をパターニングするマスクをゲート絶縁膜に用いる点である。そのため、その他の作製工程は上記実施の形態と同様であり、詳細な説明は省略する。
本実施の形態では、上記実施の形態で示した薄膜トランジスタを有する画素の上面図を説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で示した薄膜トランジスタを有する液晶モジュールを有する表示装置(液晶表示装置)について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる画素の上面図を説明する。またTFTはゲート、ソース、ドレインの3端子を有するが、ソース端子(ソース電極)、ドレイン端子(ドレイン電極)に関しては、トランジスタの構造上、明確に区別が出来ない。よって、素子間の接続について説明する際は、ソース電極、ドレイン電極のうち一方を第1の電極、他方を第2の電極と表記する。
この状態のTFT基板を発光モジュール用TFT基板と表記する。
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる薄膜トランジスタの作製方法例について説明する。本実施の形態において、上記実施の形態と異なる点は、先にゲート電極を形成し、半導体膜よりも下方にゲート電極が設けられる点である。そのため、その他の作製工程は上記実施の形態と同様であり、詳細な説明は省略する。
本実施の形態では、実施の形態8に示した薄膜トランジスタを有する液晶表示装置について説明する。
本実施の形態では、実施の形態8に示した薄膜トランジスタを有する発光装置について説明する。なお本実施の形態において、実施の形態7で示した発光装置と薄膜トランジスタの構成が異なる。そのため、その他の構成の詳細な説明は省略する。
本実施の形態では、上記実施の形態で示した発光装置や液晶表示装置等のモジュール形態を説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で示した発光装置や液晶表示装置の封止状態を説明する。
本実施の形態では、マスクや配線を形成する液滴吐出装置(インクジェット装置)が有する吐出手段について説明する。組成物を吐出する吐出手段は、1つ又は複数の溶液注入口や、1つ又は複数のノズルを具備するヘッドを有する。該溶液注入口から導電膜の原料となる組成物を注入し、該ノズルから組成物が吐出される。
上記実施の形態で示した表示装置を用いた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。特に、大型画面を有する大型テレビ等に上記実施の形態で示したインクジェット法を用いることが望ましい。それら電子機器の具体例を図15に示す。
Claims (25)
- マスクを用いて導電膜をパターニングし、
前記導電膜上に、前記マスクを介して半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 導電膜を形成し、
前記導電膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電膜をパターニングし、
前記マスクを覆って半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - インクジェット法により導電膜を形成し、
前記導電膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電膜をパターニングし、
前記マスクを覆って半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - インクジェット法により導電膜を形成し、
前記導電膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電膜をパターニングし、
前記マスクを覆って半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記パターニングされた導電膜間にゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 導電膜を形成し、
前記導電膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電膜をパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記マスクを覆って半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記パターニングされた導電膜間にゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項4又は5において、
前記ゲート電極は前記パターニングされた導電膜を用いたセルフアライメントにより形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 導電膜を形成し、
前記導電膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電膜をパターニングしてゲート電極を形成し、
前記マスクを覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を覆って半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
前記マスクはゲート絶縁膜として機能することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項8において、
前記マスクは珪素と酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含み、置換基にフッ素、アルキル基、若しくは芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有するポリマー材料、又は珪素と窒素の結合を有するポリマー材料を用いて形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至8のいずれか一において、
前記マスクはポリイミド及びポリビニルアルコールのいずれかを用いて形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至10のいずれか一において、
インクジェット法又はフォトリソグラフィー法により前記マスクを形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至11のいずれか一において、
前記導電膜は、金、銀、銅、白金、パラジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、ビスマス、鉛、インジウム、錫、亜鉛、チタン、若しくはアルミニウム、これらからなる合金、又はこれらからなる分散性ナノ粒子を用いて形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項13乃至19のいずれか一において、
インクジェット法により、前記薄膜トランジスタを覆うように保護膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項5、6、7、10乃至13のいずれか一において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極のいずれかに接続するように電極を形成し、
前記電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第2の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項14において、
前記電界発光層からの光が、前記電極及び前記第2の電極側へ射出するように、前記電極及び前記第2の電極に透明導材料を用いて形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項5、6、7、10乃至13のいずれか一において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極のいずれかに接続するように電極を形成し、
前記電極上に配向膜を形成し、
対向電極、カラーフィルタ、及び配向膜が形成された対向基板を張り合わせ、
前記基板間に液晶を注入することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 請求項5、6、7、10乃至13のいずれか一において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極のいずれかに接続するように電極を形成し、
前記電極上に配向膜を形成し、
前記配向膜上に液晶を滴下し、
対向電極、カラーフィルタ、及び配向膜が形成された対向基板を張り合わせることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 導電膜上にマスクを介して設けられた半導体膜を有し、
前記マスクは、前記導電膜をパターニングするために設けられることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - ソース電極及びドレイン電極上にマスクを介して設けられた半導体膜を有し、
前記半導体膜上にゲート電極を有し、
前記マスクは、前記ソース電極及びドレイン電極をパターニングするために設けられることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - ゲート電極上にマスクを介して設けられた半導体膜を有し、
前記半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を有し、
前記マスクは、前記ゲート電極をパターニングするために設けられることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 半導体膜上にマスクを有し、
前記マスクはゲート絶縁膜として機能させ、
前記マスクは、前記半導体膜をパターニングするために設けられることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項21において、
前記マスクは珪素と酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含み、置換基にフッ素、アルキル基、若しくは芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有するポリマー材料、又は珪素と窒素の結合を有するポリマー材料を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項18乃至21のいずれか一において、
前記マスクはポリイミド及びポリビニルアルコールのいずれかを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項18乃至23のいずれか一に記載の薄膜トランジスタを有することを特徴とする発光装置。
- 請求項18乃至23のいずれか一に記載の薄膜トランジスタを有することを特徴とする液晶表示装置。
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