JP2005108949A - 電界効果トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents

電界効果トランジスタおよびその製造方法 Download PDF

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Takeshi Harada
健史 原田
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Abstract

【課題】閾値電圧が低く、かつ安定な有機電界効果トランジスタを開発することである。
【解決手段】基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有するトップゲート型あるいはボトムゲート型の電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。さらに、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、有機半導体を用いた電界効果トランジスタおよびそのトランジスタを用いた表示装置に関するものである。
近年、CRTやPDPに変わるディスプレイとして、紙のように薄く、軽いフレキシブルディスプレイが望まれている。このフレキシブルディスプレイとして、有機ELや液晶、電気泳動ディスプレイの開発が進められている。しかし、これらのディスプレイを実現するには、曲げ応力に対応できる薄膜トランジスタが必要となる。従来のシリコンを用いたトランジスタでは、硬くて曲げることは困難であった。これに対して、有機材料は主に分子間力によって結合しているため、柔軟性に富み、機械的な曲げに対しても安定である。そこで、特許文献1に示されるような、有機材料を半導体や絶縁体に用いた有機電界効果トランジスタが開発されている。
特開平8−191162号公報
しかし、これまでに開発された有機電界効果トランジスタでは、閾値電圧が大きく、ばらつきも大きいという問題点がある。
この要因として、ソース・ドレイン電極と有機半導体層との接合抵抗があげられる。この接合抵抗を抑制する方法として、有機半導体層とオーミック接合をとる電極が選ばれる。しかし、絶縁体上に電極および有機半導体層を形成するトランジスタにおいて、閾値電圧の増大は、電極と有機半導体層界面だけでなく、絶縁体と有機半導体層界面による影響も大きいと考えられる。特に、絶縁体として有機材料を用いる場合、界面の形状は無機材料に比べて粗であり、プロセスによっては不純物の付着も考慮しなければならない。よって、絶縁体の界面状態に影響されない電界トランジスタの構造が重要である。
本発明の目的は、この従来の問題を解決し、閾値電圧が低く、かつ安定な電界効果トランジスタを開発することである。さらに、本発明の他の目的は上記電界効果トランジスタを用いた表示装置を提供することである。
前記目的を達成するため、基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極ならびにドレイン電極および有機半導体層の順に形成された電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。さらに、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする。
本発明による他の電界効果トランジスタは、基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極ならびにドレイン電極および配向層、有機半導体層の順に形成され、前記配向層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。さらに、前記配向層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする。配向層の上に有機半導体層を形成することにより、有機半導体材料の配列が制御され、半導体特性が向上する。
本発明による他の電界効果トランジスタは、基板の表面にソース電極ならびにドレイン電極および有機半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極の順に形成され、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。さらに、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする。
本発明による他の電界効果トランジスタは、基板の表面にソース電極ならびにドレイン電極および配向層、有機半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極の順に形成され、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。さらに、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする。
本発明による表示装置は、前記電界効果トランジスタを用いた画素電極を具備したことを特徴とする。
また、基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極ならびにドレイン電極および有機半導体層の順に形成された本発明における電界効果トランジスタの製造方法において、前記ゲート絶縁層上に前記ソース電極ならびにドレイン電極形成後、前記ゲート絶縁層表面のエッチングを行い、有機半導体層を形成することにより、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面を前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側に形成することを特徴とする。さらに、前記エッチング工程と前記有機半導体層形成工程を真空中で連続して行うことが好ましい。連続して行うことにより、ゲート絶縁層と有機半導体層の界面への不純物の混入が抑制され、良好なトランジスタ特性が得られる。
また、基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極ならびにドレイン電極および配向層、有機半導体層の順に形成された本発明における電界効果トランジスタの製造方法において、前記ゲート絶縁層上に前記ソース電極ならびにドレイン電極形成後、前記ゲート絶縁層表面のエッチングを行い、配向層、有機半導体層の順に形成することにより、前記配向層と前記有機半導体層の界面を前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側に形成することを特徴とする。さらに、前記エッチング工程と前記配向層および前記有機半導体層形成工程を真空中で連続して行うことを特徴とする。連続して行うことにより、配向層と有機半導体層の界面への不純物の混入が抑制され、良好なトランジスタ特性が得られる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、電界効果トランジスタにおいて、ゲート絶縁層と有機半導体の界面が、ゲート絶縁層とソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側に突出した構造とすることにより、小さくかつ安定な閾値電圧を有する電界効果トランジスタの製造が可能となる。
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
(実施の形態1)
本発明の電界効果トランジスタを作製するための基板としては、例えば、ガラス、石英、アルミナ焼結体などの無機材料、ポリイミド膜、ポリエステル膜などのプラスチックといった絶縁性基板が望ましい。
ゲート電極材料としては、例えば、金、白金、銀、銅、アルミニウム、クロム、モリブデン、ニッケルなどや、これらの合金、ポリシリコン、アモルファスシリコン、ITOなどの無機材料が望ましい。これらの導電材は、蒸着法、スパッタ法などにより膜厚50〜500nm程度に成膜され、通常のフォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程により、所望の形状に加工される。
ゲート絶縁層の材料としては、SiO、Alなどの無機絶縁材料、ポリアクリロニトリル、ポリクロロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリカーボネート、ポリイミドなどの有機絶縁材料が挙げられる。これら絶縁層は、CVD法、スピンコート法、キャスト法、蒸着法などにより膜厚50〜1000nm程度に成膜される。
ソース・ドレイン電極材料としては、例えば、金、白金、銀、銅、アルミニウム、クロム、ITOなどの中から、有機半導体層に用いる原料に適当な原料を用いる。特に、有機半導体層とオーミック接触を得るためには、金、白金などが良く用いられる。これら導電材は、蒸着法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法などにより、膜厚50〜500nm程度に成膜され、通常のフォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程により、所望の形状に加工される。
有機半導体材層の材料としては、アセチレン、ピロール、チオフェン、アニリン、ベンゼン、テトラセン、ペンタセンなど、およびこれらの誘導体が挙げられる。成膜方法としては、スピンコート法、キャスト法、電解重合法、気相重合法、真空蒸着法などが利用できる。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明はその趣旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
本発明における請求項1および2について、図1および2を用いて説明する。
まず、図1の構成は、基板11上にゲート電極12、その上にゲート絶縁層13、その上にソース電極14・ドレイン電極15があり、ソース電極14とドレイン電極15間のゲート絶縁層13上に有機半導体層16があるボトムゲート型電界効果トランジスタ構造である。ただし、有機半導体層16とゲート絶縁層13の界面は、ソース電極14・ドレイン電極15とゲート絶縁層13の界面よりもゲート電極12側に突出した形になっている。また、図2のように、有機半導体層26がソース電極24、ドレイン電極25の上に乗り出した構造でもよい。
基板11としてガラス基板、ゲート電極12としてITO、ソース電極14・ドレイン電極15として金、ゲート絶縁層13としてSiO、有機半導体層16としてペンタセンを用いて電界効果トランジスタを作製した。
まず、洗浄したITO膜付きガラス基板11を用意し、この基板11上に、CVD法を用いてSiOゲート絶縁層13を形成した。さらに、有機半導体層16が形成される領域のみマスクをし、続けてCVD法を用いてSiOゲート絶縁層13を形成した。これにより、図1に示すような上側表面が凹構造となるゲート絶縁層13を作製した。このとき、ゲート絶縁層13と有機半導体層16の界面と、ゲート絶縁層13とソース電極14・ドレイン電極15の界面との距離は20nmとした。その後、ゲート絶縁層13上に金を真空蒸着し、ソース電極14・ドレイン電極15を各々形成した。また、上述のITO膜をゲート電極12として用い、ソース電極14・ドレイン電極15、ゲート電極12の各電極に、0.1mmφの銀線を銀ペーストで配線した。最後に、有機半導体層16としてペンタセンを真空蒸着装置を用いて形成した。試料毎の閾値電圧のばらつきを調べるために、同様の方法により10個の試料を作製した。
これらの電界効果トランジスタのキャリア移動度として0.06cm/VS、電流のオンオフ比として5×10が得られた。(表1)に10個の試料の閾値電圧を示す。
Figure 2005108949
この結果、閾値電圧のばらつきは0.56Vであった。ここで、ばらつきとは、10個の試料の閾値電圧における最高値と最低値の差である。
なお、比較のため、図8のようにソース電極54・ドレイン電極55とゲート絶縁層53の界面と、有機半導体層56とゲート絶縁層53の界面の位置が同じ高さである従来の電界効果トランジスタを同様の構成および方法にて作製した。これらの試料の閾値電圧についても(表1)に示す。この結果、比較試料の閾値電圧のばらつきは2.89Vと大きいものであった。
閾値電圧に影響を及ぼす因子として、電極とゲート絶縁層の界面と、ゲート絶縁層と有機半導体層の界面が挙げられる。図9に示すような従来のボトムゲート型電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極102に電圧がかかると、電子は有機半導体層106に形成されたチャネルを経由してソース電極104からドレイン電極105へと移動する。このとき、チャネルはゲート絶縁層103と有機半導体層106の界面に形成されるため、電子はゲート電極102に近い側のソース電極104とゲート絶縁層103の界面位置にある電子注入口109を経てチャネル領域へ注入されるものと考えられる。しかし、図9(a)のように、電子注入口109となるソース電極104付近のゲート絶縁層103上に不純物107が存在すると、電子はその不純物107を避けるもしくは乗り越えてチャネル領域に移動するために閾値電圧が大きくなる。
そこで、図9(b)のように、ゲート絶縁層103と有機半導体層106の界面を、ソース電極104・ドレイン電極105とゲート絶縁層103の界面よりもゲート電極102側に突出した形にする。これにより、ゲート絶縁層103と有機半導体層106の界面は下がり、電子注入口109となるソース電極104付近は有機半導体層106のみとなるために、電子はチャネル領域に容易に移動することが可能であると考えられる。また、電極と有機半導体層の界面においては、オーミック接合を選択することにより、接合抵抗を低減し、安定化を図ることができる。これらの結果、閾値電圧が低減し、ばらつきも抑制された。ただし、ゲート絶縁層103と有機半導体層106の界面を、ソース電極104・ドレイン電極105とゲート絶縁層103の界面よりもゲート電極102側に突出させることによる閾値電圧の減少のメカニズムについては未だ明らかになっていない。
また、ゲート絶縁層13と有機半導体層16の界面と、ゲート絶縁層13とソース電極14・ドレイン電極15の界面との距離を0〜50nmまで変化させた。(表2)に界面間距離と閾値電圧を示す。
Figure 2005108949
この結果、界面間距離が0nmから徐々に大きくなるにつれて閾値電圧は低下しているのがわかる。しかし、界面間距離が20nmを超える付近から、界面間距離の増加に伴って閾値電圧は増加し、界面間距離が50nm以上になると、界面間距離が0nmの試料よりも閾値電圧が大きくなった。これは、ゲート絶縁層13と有機半導体層16の界面と、ゲート絶縁層13とソース電極14・ドレイン電極15の界面との位置が近い場合は、電極とゲート絶縁層の界面位置付近にチャネルが存在していたが、距離が離れると、チャネルがゲート絶縁層13と有機半導体層16の界面である凹部に埋まってしまい、ソース電極14・ドレイン電極15とゲート絶縁層13の界面位置付近には空乏層が広がった状態となっているためである。この結果から、ゲート絶縁層13と有機半導体層16の界面と、ゲート絶縁層13とソース電極14・ドレイン電極15の界面との距離は、10〜40nmが好ましい。
(実施例2)
本発明における請求項10および11について説明する。
まず、基板11としてガラス基板、ゲート電極12としてITO、ソース電極14・ドレイン電極15として金、ゲート絶縁層13としてPVP、有機半導体層16としてペンタセンを用いて、図1に示すような電界効果トランジスタを作製した。
まず、洗浄したITO膜付きガラス基板11を用意し、この基板11上に、スピンコート法を用いてPVPゲート絶縁層13を形成した。次に、金を真空蒸着し、ソース電極14・ドレイン電極15を各々形成した。次に、ソース電極14・ドレイン電極15およびPVPゲート絶縁層13の表面にOプラズマ処理を行った。これにより、各電極部14、15の表面がきれいになり、ゲート絶縁層13の表層はエッチングされ、きれいな面が出てくると同時に、図1に示すようなゲート絶縁層13と有機半導体層16の界面が、ゲート絶縁層13とソース電極14・ドレイン電極15の界面よりもゲート電極12側に突出した構造となる。このとき、ゲート絶縁層13と有機半導体層16の界面と、ゲート絶縁層13とソース電極14・ドレイン電極15の界面との距離は20nmとした。最後に、ゲート絶縁層13上に有機半導体層16として、ペンタセンを真空蒸着装置を用いて形成した。このとき、Oプラズマ工程と半導体形成工程は真空中で連続して行った。
この方法により作製した電界効果トランジスタのキャリア移動度として0.12cm/VS、電流のオンオフ比として8×10が得られた。
(実施例3)
本発明における請求項3および4について、図3を用いて説明する。
まず、洗浄したITO膜付きガラス基板71を用意し、この基板71上に、CVD法を用いてSiOゲート絶縁層73を形成した。さらに、有機半導体層76が形成される領域のみマスクをし、続けてCVD法を用いてSiOゲート絶縁層73を形成した。これにより、図3に示すような上側表面が凹構造となるゲート絶縁層73を作製した。次に、ゲート絶縁層73上に金を真空蒸着し、ソース電極74・ドレイン電極75を各々形成した。その後、ゲート絶縁層73上に配向層77を形成した。このとき、配向層77と有機半導体層76の界面と、ゲート絶縁層73とソース電極74・ドレイン電極75の界面との距離は20nmとした。また、上述のITO膜をゲート電極72として用い、ソース電極74・ドレイン電極75・ゲート電極72の各電極に、0.1mmφの銀線を銀ペーストで配線した。最後に、有機半導体層76としてペンタセンを真空蒸着装置を用いて形成した。試料毎の閾値電圧のばらつきを調べるために、実施例1と同様に10個の試料を作製した。
これらの電界効果トランジスタのキャリア移動度として0.41cm/VS、電流のオンオフ比として10という高い値が得られた。(表3)に10個の試料の閾値電圧を示す。
Figure 2005108949
この結果、閾値電圧のばらつきは0.28Vであった。
また、実施例1における電界効果トランジスタのキャリア移動度0.06cm/VSよりも1桁も向上していることがわかる。これは、ゲート絶縁層73上に配向層77を形成することにより、有機半導体層76であるペンタセンが配向されたためである。
また、配向層77と有機半導体層76の界面と、ゲート絶縁層73とソース電極74・ドレイン電極75の界面との距離を0〜50nmまで変化させた。(表4)に界面間距離と閾値電圧を示す。
Figure 2005108949
この結果、界面間距離が0nmから徐々に大きくなるにつれて閾値電圧は低下しているのがわかる。しかし、界面間距離が20nm以上になると、界面間距離の増加に伴って閾値電圧は増加し、界面間距離が50nm以上になると、界面間距離が0nmの試料よりも閾値電圧が大きくなった。この結果から、配向層77と有機半導体層76の界面と、ゲート絶縁層73とソース電極74・ドレイン電極75の界面との距離は、10〜40nmが好ましい。
(実施例4)
本発明における請求項12および13について説明する。
まず、基板71としてガラス基板、ゲート電極72としてITO、ソース電極74・ドレイン電極75として金、ゲート絶縁層73としてPVP、配向層77としてOTS、有機半導体層76としてペンタセンを用いて、図3に示すような電界効果トランジスタを作製した。
まず、洗浄したITO膜付きガラス基板71を用意し、この基板71上に、スピンコート法を用いてPVPゲート絶縁層73を形成した。次に、金を真空蒸着し、ソース電極74・ドレイン電極75を各々形成した。次に、ソース電極74・ドレイン電極75およびPVPゲート絶縁層73の表面にOプラズマ処理を行った。これにより、ゲート絶縁層73の表面をエッチングし、図3に示すようなゲート絶縁層73と配向層77の界面が、ゲート絶縁層73のソース電極74・ドレイン電極75の界面よりもゲート電極72側に突出した構造とする。次に、ゲート絶縁層73の上に配向層77を形成した。このとき、配向層77と有機半導体層76の界面と、ゲート絶縁層73とソース電極74・ドレイン電極75の界面との距離は20nmとした。最後に、配向層77上に有機半導体層76としてペンタセンを真空蒸着装置を用いて形成した。このとき、Oプラズマ工程、配向層形成工程および半導体形成工程は真空中で連続して行った。
この方法により作製した電界効果トランジスタのキャリア移動度として0.51cm/VS、電流のオンオフ比として10という高い値が得られた。
(実施例5)
本発明における請求項5および6について、図4および5を用いて説明する。
図4の構成は、基板31上に有機半導体層36、その有機半導体層36を挟むように形成されたソース電極34・ドレイン電極35、それらの上にゲート絶縁層33、その上にゲート電極32があるトップゲート型電界効果トランジスタ構造である。ただし、有機半導体層36とゲート絶縁層33の界面位置は、ソース電極34・ドレイン電極35とゲート絶縁層33の界面位置よりもゲート電極32側に突出した形になっている。また、図5のように、有機半導体層46がソース電極44・ドレイン電極45の上に乗り出した構造でもよい。
まず、洗浄したガラス基板31を用意し、表面に酸化シリコンによるアンダーコート膜を形成する。この上に、金を真空蒸着し、ソース電極34・ドレイン電極35を形成した。次に、有機半導体層36としてペンタセンを真空蒸着により形成する。このとき、有機半導体層36が図4に示すようなゲート絶縁層に対し凸構造となるようにした。その上に、スピンコート法を用いてPVPゲート絶縁層33を形成した。最後に、真空蒸着によりITO膜のゲート電極32を形成した。
これらの電界効果トランジスタのキャリア移動度として0.08cm/VS、電流のオンオフ比として6×10が得られた。(表5)に10個の試料の閾値電圧を示す。
Figure 2005108949
この結果、閾値電圧のばらつきは0.48Vであった。
なお、比較のため、図10のようにソース電極64・ドレイン電極65とゲート絶縁層63の界面と、有機半導体層66とゲート絶縁層63の界面位置が同じである従来の電界効果トランジスタを同様の構成および方法にて作製した。これらの試料の閾値電圧についても(表5)に示す。この結果、比較試料の閾値電圧のばらつきは2.66Vと大きいものであった。
このように、有機半導体層36が凸構造をとる電界効果トランジスタの閾値電圧が、従来構造に比べて低減し、安定した要因は、実施例1で述べたように従来、閾値電圧に影響を及ぼしていたゲート絶縁層と有機半導体層の界面状態や、界面に存在する不純物の影響が無視できるようになったからである。
また、ソース電極34・ドレイン電極35とゲート絶縁層33の界面と、有機半導体層36とゲート絶縁層33の界面との距離を0〜50nmまで変化させた。(表6)に界面間距離と閾値電圧を示す。
Figure 2005108949
この結果、界面間距離が0nmから徐々に大きくなるにつれて閾値電圧は低下しているのがわかる。しかし、界面間距離が20nm以上になると、界面間距離の増加に伴って閾値電圧は増加し、界面間距離が50nm以上になると、界面間距離が0nmの試料よりも閾値電圧が大きくなった。これは、界面間距離が小さい場合は、電極とゲート絶縁層33の界面位置付近にチャネルが存在していたが、界面間距離が増加すると、チャネルがゲート絶縁層33と有機半導体層36の界面である凸部上部に形成され、ソース電極34・ドレイン電極35とゲート絶縁層33の界面位置付近には空乏層が広がった状態となっているためである。この結果から、ソース電極34・ドレイン電極35とゲート絶縁層33の界面と、有機半導体層36とゲート絶縁層33の界面との距離は、10〜40nmが好ましい。
(実施例6)
本発明における請求項7および8について、図6を用いて説明する。
図6の構成は、基板81上にソース電極84・ドレイン電極85、それらの電極間にはさまれるように生成された配向層87、その配向層87の上に有機半導体層86、それらの上にゲート絶縁層83、その上にゲート電極82があるトップゲート型電界効果トランジスタ構造である。ただし、有機半導体層86とゲート絶縁層83の界面位置は、ソース電極84・ドレイン電極85とゲート絶縁層83の界面位置よりもゲート電極82側に突出した形になっている。
まず、洗浄したガラス基板81を用意し、表面に酸化シリコンによるアンダーコート膜を形成する。この上に、金を真空蒸着し、ソース電極84・ドレイン電極85を形成した。次に、配向層87としてOTSをソース電極84・ドレイン電極85間に形成する。次に、有機半導体層86としてペンタセンを真空蒸着により形成する。このとき、有機半導体層86が図6に示すような凸構造となるようにした。その上に、スピンコート法を用いてPVPゲート絶縁層83を形成した。最後に、真空蒸着によりITO膜のゲート電極82を形成した。
これらの電界効果トランジスタのキャリア移動度として0.43cm/VS、電流のオンオフ比として10が得られた。(表7)に10個の試料の閾値電圧を示す。
Figure 2005108949
この結果、閾値電圧のばらつきは0.23Vであった。
また、実施例5における電界効果トランジスタのキャリア移動度よりも大きくなった。これは、配向層87を形成することにより、有機半導体層86であるペンタセンが配向されたためである。
また、ソース電極84・ドレイン電極85とゲート絶縁層83の界面と、有機半導体層86とゲート絶縁層83の界面との距離を0〜50nmまで変化させた。(表8)に界面間距離と閾値電圧を示す。
Figure 2005108949
この結果、界面間距離が0nmから徐々に大きくなるにつれて閾値電圧は低下しているのがわかる。しかし、界面間距離が20nm以上になると、界面間距離の増加に伴って閾値電圧は増加し、界面間距離が50nm以上になると、界面間距離が0nmの試料よりも閾値電圧が大きくなった。この結果から、ソース電極84・ドレイン電極85とゲート絶縁層83の界面と、有機半導体層86とゲート絶縁層83の界面との距離は、10〜40nmが好ましい。
(実施例7)
本発明における請求項9について、図7を用いて説明する。
図7に本発明によるアクティブマトリックス液晶表示装置を示す。まず、ガラス基板91a上に、スパッタおよびフォトリソグラフィによりITOゲート電極92および画素電極97を形成する。次に、実施例2に示した方法により、電界効果トランジスタを形成する。ただし、ソース電極94・ドレイン電極95の材料としてITOを用いた。次に、全面をポリイミドの配向膜99で覆った。次に、液晶素子の対向基板となるITOの透明電極98付きガラス基板91b上に配向膜99を塗布し、トランジスタの構成された基板91aとをそれぞれラビング処理した。最後に、この1組の基板91aと91bをビーズを介して接着し、真空注入装置によって液晶を注入して封じることにより液晶表示装置を作製した。
液晶表示装置を点灯評価したところ、ドレイン電圧は6V、画素部分のコントラスト比は120であり、良好な表示特性が得られた。
本発明は、有機半導体を用いた電界効果トランジスタや,そのトランジスタを用いた表示装置等に利用することができる。
本発明によるボトムゲート型電界効果トランジスタの概略断面図 本発明による別のボトムゲート型電界効果トランジスタの概略断面図 本発明の配向層を用いたボトムゲート型電界効果トランジスタの概略断面図 本発明によるトップゲート型電界効果トランジスタの概略断面図 本発明による別のトップゲート型電界効果トランジスタの概略断面図 本発明の配向層を用いたトップゲート型電界効果トランジスタの概略断面図 本発明の実施例2によるボトムゲート型電界効果トランジスタを用いた液晶素子の断面図 従来のボトムゲート型電界効果トランジスタの概略断面図 従来のボトムゲート型電界効果トランジスタの概略断面図(a)従来の電極とゲート絶縁層と有機半導体層の界面イメージ拡大図(b)本発明による電極とゲート絶縁層と有機半導体層の界面イメージ拡大図 従来のトップゲート型電界効果トランジスタの概略断面図
符号の説明
11,21,31,41,51,61,71,81,91a,91b 基板
12,22,32,42,52,62,72,82,92,102 ゲート電極
13,23,33,43,53,63,73,83,93,103 ゲート絶縁層
14,24,34,44,54,64,74,84,94,104 ソース電極
15,25,35,45,55,65,75,85,95,105 ドレイン電極
16,26,36,46,56,66,76,86,96,106 有機半導体層
77,87 配向層
97 画素電極
98 透明電極
99 配向膜
90 液晶層
107 不純物
108 有機半導体材料
109 電子注入口

Claims (13)

  1. 基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極ならびにドレイン電極および有機半導体層の順に形成された電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする電界効果トランジスタ。
  2. 前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
  3. 基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極ならびにドレイン電極および配向層、有機半導体層の順に形成された電界効果トランジスタにおいて、前記配向層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする電界効果トランジスタ。
  4. 前記配向層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする請求項3に記載の電界効果トランジスタ。
  5. 基板の表面にソース電極ならびにドレイン電極および有機半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極の順に形成された電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする電界効果トランジスタ。
  6. 前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする請求項5に記載の電界効果トランジスタ。
  7. 基板の表面にソース電極ならびにドレイン電極および配向層、有機半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極の順に形成された電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする電界効果トランジスタ。
  8. 前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする請求項7に記載の電界効果トランジスタ。
  9. 請求項1〜8のいずれかに記載の電界効果トランジスタを用いた画素電極を具備したことを特徴とする表示装置。
  10. 基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極ならびにドレイン電極および有機半導体層の順に形成された電界効果トランジスタの製造方法であって、前記ゲート絶縁層上に前記ソース電極ならびにドレイン電極形成後、前記ゲート絶縁層表面のエッチングを行い、有機半導体層を形成することにより、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面を前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側に形成することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
  11. 前記エッチング工程と前記有機半導体層形成工程を真空中で連続して行うことを特徴とする請求項10に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
  12. 基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極ならびにドレイン電極および配向層、有機半導体層の順に形成された電界効果トランジスタの製造方法であって、前記ゲート絶縁層上に前記ソース電極ならびにドレイン電極形成後、前記ゲート絶縁層表面のエッチングを行い、配向層、有機半導体層の順に形成することにより、前記配向層と前記有機半導体層の界面を前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側に形成することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
  13. 前記エッチング工程と前記配向層および前記有機半導体層形成工程を真空中で連続して行うことを特徴とする請求項12に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
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