JP2005108949A - 電界効果トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有するトップゲート型あるいはボトムゲート型の電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。さらに、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明の電界効果トランジスタを作製するための基板としては、例えば、ガラス、石英、アルミナ焼結体などの無機材料、ポリイミド膜、ポリエステル膜などのプラスチックといった絶縁性基板が望ましい。
本発明における請求項1および2について、図1および2を用いて説明する。
本発明における請求項10および11について説明する。
本発明における請求項3および4について、図3を用いて説明する。
本発明における請求項12および13について説明する。
本発明における請求項5および6について、図4および5を用いて説明する。
本発明における請求項7および8について、図6を用いて説明する。
本発明における請求項9について、図7を用いて説明する。
12,22,32,42,52,62,72,82,92,102 ゲート電極
13,23,33,43,53,63,73,83,93,103 ゲート絶縁層
14,24,34,44,54,64,74,84,94,104 ソース電極
15,25,35,45,55,65,75,85,95,105 ドレイン電極
16,26,36,46,56,66,76,86,96,106 有機半導体層
77,87 配向層
97 画素電極
98 透明電極
99 配向膜
90 液晶層
107 不純物
108 有機半導体材料
109 電子注入口
Claims (13)
- 基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極ならびにドレイン電極および有機半導体層の順に形成された電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする電界効果トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
- 基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極ならびにドレイン電極および配向層、有機半導体層の順に形成された電界効果トランジスタにおいて、前記配向層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする電界効果トランジスタ。
- 前記配向層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする請求項3に記載の電界効果トランジスタ。
- 基板の表面にソース電極ならびにドレイン電極および有機半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極の順に形成された電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする電界効果トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする請求項5に記載の電界効果トランジスタ。
- 基板の表面にソース電極ならびにドレイン電極および配向層、有機半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極の順に形成された電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする電界効果トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする請求項7に記載の電界効果トランジスタ。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の電界効果トランジスタを用いた画素電極を具備したことを特徴とする表示装置。
- 基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極ならびにドレイン電極および有機半導体層の順に形成された電界効果トランジスタの製造方法であって、前記ゲート絶縁層上に前記ソース電極ならびにドレイン電極形成後、前記ゲート絶縁層表面のエッチングを行い、有機半導体層を形成することにより、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面を前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側に形成することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
- 前記エッチング工程と前記有機半導体層形成工程を真空中で連続して行うことを特徴とする請求項10に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
- 基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極ならびにドレイン電極および配向層、有機半導体層の順に形成された電界効果トランジスタの製造方法であって、前記ゲート絶縁層上に前記ソース電極ならびにドレイン電極形成後、前記ゲート絶縁層表面のエッチングを行い、配向層、有機半導体層の順に形成することにより、前記配向層と前記有機半導体層の界面を前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側に形成することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
- 前記エッチング工程と前記配向層および前記有機半導体層形成工程を真空中で連続して行うことを特徴とする請求項12に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003337177A JP2005108949A (ja) | 2003-09-29 | 2003-09-29 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2003337177A JP2005108949A (ja) | 2003-09-29 | 2003-09-29 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
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JP2005108949A true JP2005108949A (ja) | 2005-04-21 |
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ID=34533073
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JP2003337177A Pending JP2005108949A (ja) | 2003-09-29 | 2003-09-29 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
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