JP2017208378A - 薄膜トランジスタアレイ基板および薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタアレイ基板および薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
本発明の第1の実施形態について図1A〜図1C及び図2A〜図2Eを用いて説明する。
本発明の第2の実施形態について図3A〜図3C及び図2A〜図2Eを用いて説明する。
本発明の第3の実施形態について図4A〜図4C及び図2A〜図2Eを用いて説明する。
本発明の第4の実施形態について図5A〜図4C及び図2A〜図2Eを用いて説明する。
本発明者は、図1A〜図1C、図2A〜図2Eに示したとおりゲート電極2およびゲート配線2’が形成された基板1上に、ハーフトーンマスクを用いて凹凸を有するゲート絶縁体層3を形成した。アニロックスロール8を用いてソース電極5およびドレイン電極6をゲート絶縁体層3の凸部上に形成した。その後、ゲート電極2上であってゲート絶縁体層3の凸部に挟まれたゲート絶縁体層3の凹部内に、半導体層7を形成した。
ソース電極5およびドレイン電極6を、シリコーンブランケット9を用いて形成した点以外は実施例1と同様とした。
本発明者は、図4A〜図4C、図2A〜図2Eに示したとおりゲート電極2およびゲート配線2’が形成された基板1上に、プレス加工によって凹凸を有したゲート絶縁体層3を形成した。アニロックスロール8を用いてソース電極5およびドレイン電極6をゲート絶縁体層3の凸部上に形成した。その後、ゲート電極2上であってゲート絶縁体層3の凸部に挟まれたゲート絶縁体層3の凹部内に、半導体層7を形成した。
ソース電極5およびドレイン電極6を、シリコーンブランケット9を用いて形成した点以外は実施例3と同様とした。
ハーフトーンマスク4を用いずゲート絶縁体層を形成した点以外は実施例1と同様とした。
2 ゲート電極
2’ ゲート配線
3 ゲート絶縁体層
4 ハーフトーンマスクまたはグレイトーンマスク
5 ソース電極
6 ドレイン電極
7 半導体層
8 アニロックスロール
9 シリコーンブランケット
Claims (13)
- 基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層とを有する薄膜トランジスタアレイ基板であって、
前記ゲート絶縁体層は、表面に凹凸面を有し、
前記ゲート絶縁体層の凸部上に、前記ソース電極とドレイン電極とが形成され、
前記ゲート絶縁体層の凹部に半導体層が形成された、薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記ゲート絶縁体層が樹脂を含有する、請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記半導体層が有機半導体材料を含有する、請求項1または請求項2に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記ゲート電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極のうち少なくとも一つが導電性粒子を含有する、請求項1から請求項3のいずれかに記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記導電性粒子が金属粒子である、請求項4に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記金属粒子が金若しくは銀の粒子である、請求項5に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記導電性粒子が導電性高分子である、請求項4に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記導電性高分子がポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸若しくはポリアニリンである、請求項7に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層とを有する薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法であって、
前記ゲート絶縁体層上に凹凸部を形成する工程と、
前記ゲート絶縁体層の凸部上に前記ソース電極と前記ドレイン電極とを形成する工程と、
前記ゲート絶縁体層の凹部に半導体層を形成する工程とを含み、
少なくとも前記ソース電極およびドレイン電極が印刷法により形成される、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記ソース電極と前記ドレイン電極とを形成する工程において、前記ソース電極および前記ドレイン電極が、アニロックスロールにより導電性粒子の分散液を転写し、これを乾燥することにより形成される、請求項9に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記ソース電極と前記ドレイン電極とを形成する工程において、前記ソース電極および前記ドレイン電極が、シリコーンブランケットにより導電性粒子の分散液を転写し、これを乾燥することにより形成される、請求項9に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記半導体層を形成する工程において、前記半導体層が印刷法により形成される、請求項9から請求項11のいずれかに記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記半導体層を形成する印刷法がインクジェット法若しくはディスペンサである、請求項12に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005108949A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2007095521A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2007150030A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2007184437A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007250842A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2010062391A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体トランジスタ素子の製造方法、及び半導体トランジスタ素子 |
JP2010135772A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-06-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び当該半導体装置の作製方法 |
JP2012204661A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法 |
WO2013046547A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | パナソニック株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
-
2016
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005108949A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2007095521A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2007150030A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2007184437A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007250842A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2010062391A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体トランジスタ素子の製造方法、及び半導体トランジスタ素子 |
JP2010135772A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-06-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び当該半導体装置の作製方法 |
JP2012204661A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法 |
WO2013046547A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | パナソニック株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
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