CN116782712A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 300
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 19
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括阴极单元区,且阴极单元区内设置有至少一个像素区;该显示面板还包括薄膜晶体管层、第一导电层、发光功能层以及阴极层;薄膜晶体管层包括辅助阴极走线;第一导电层设置于薄膜晶体管层上,包括围绕阴极单元区设置并连接于辅助阴极走线的连接电极,连接电极的侧壁内凹,以构成围绕阴极单元区设置的底切开口;发光功能层设置于第一导电层远离薄膜晶体管层的一侧,并在底切开口处隔断;阴极层设置于发光功能层远离薄膜晶体管层的一侧,并在底切开口处隔断;其中,阴极层包括设置于阴极单元区内的第一阴极,连接电极围绕第一阴极设置,并与第一阴极相连接。本发明可以改善电压降现象。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)显示面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示面板。
随着显示面板的快速发展,对大尺寸显示面板的需求也越来越大,但大尺寸显示面板(尤其是顶发光面板)工作时显示中心与中心以外、四周边缘会有电压降的问题,导致显示面板出现显示不均的现象。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,能够改善阴极层的电压降现象,提高显示面板的显示均一性。
本发明实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括阴极分隔区、位于所述阴极单元区外并与所述阴极单元区相邻的间隔区,所述阴极单元区内设置有至少一个像素区;
所述显示面板还包括:
薄膜晶体管层,包括辅助阴极走线;
第一导电层,设置于所述薄膜晶体管层上,包括围绕所述阴极单元区设置并连接于所述辅助阴极走线的连接电极,所述连接电极的侧壁内凹,以构成围绕所述阴极单元区设置的底切开口;
发光功能层,设置于所述第一导电层远离所述薄膜晶体管层的一侧,并在所述底切开口处隔断;
阴极层,设置于所述发光功能层远离所述薄膜晶体管层的一侧,并在所述底切开口处隔断;
其中,所述阴极层包括设置于所述阴极单元区内的第一阴极,所述连接电极围绕所述第一阴极设置,并与所述第一阴极相连接。
在本发明的一种实施例中,所述显示面板还包括设置于所述第一导电层和所述发光功能层之间的像素定义层,所述像素定义层包括设置于所述像素区内的第一开口以及对应所述连接电极设置的第二开口;
其中,所述发光功能层包括设置于所述第一开口内的发光部,至少部分所述连接电极位于所述第二开口内,所述底切开口与所述第二开口相连通,所述第一阴极覆盖所述阴极单元区内的所述发光部,并延伸至所述第二开口内与所述连接电极连接。
在本发明的一种实施例中,所述连接电极至少位于所述间隔区内,所述阴极层还包括设置于所述间隔区内的第二阴极,且所述第二阴极与所述第一阴极相间隔设置。
在本发明的一种实施例中,所述连接电极在所述薄膜晶体管层上的正投影位于所述第二开口在所述薄膜晶体管层上的正投影内,所述底切开口包括设置于所述连接电极靠近所述第一阴极一侧的第一底切开口以及远离所述第一阴极一侧的第二底切开口,所述阴极层还包括设置于所述连接电极远离所述薄膜晶体管层一侧并至少位于所述间隔区内的第三阴极;
其中,所述第一阴极与所述第三阴极在所述第一底切开口处间隔设置,所述第二阴极与所述第三阴极在所述第二底切开口处间隔设置。
在本发明的一种实施例中,所述连接电极在所述薄膜晶体管层上的正投影与所述第二开口在所述薄膜晶体管层上的正投影部分重叠,所述底切开口设置于所述连接电极靠近所述第一阴极的一侧,且所述第一阴极与所述第二阴极在所述底切开口处间隔设置。
在本发明的一种实施例中,所述显示面板包括多个所述阴极单元区,所述第一导电层包括围绕多个所述阴极单元区设置的多个所述连接电极,所述阴极层包括位于多个所述阴极单元区内的多个所述第一阴极,相邻两个所述阴极单元区之间设置有所述第二阴极。
在本发明的一种实施例中,多个所述阴极单元区沿第一方向和第二方向排布,所述第一方向与所述第二方向相交,所述薄膜晶体管层包括多个沿所述第二方向延伸的所述辅助阴极走线,且所述连接电极沿所述第一方向上的相对两侧分别连接于两个所述辅助阴极走线。
在本发明的一种实施例中,多个所述辅助阴极走线中传输的电信号相同或不同。
在本发明的一种实施例中,所述薄膜晶体管层还包括第二导电层,所述第二导电层包括所述辅助阴极走线以及多个沿所述第二方向延伸的数据线。
在本发明的一种实施例中,所述第一导电层还包括设置于所述像素区内的阳极,所述发光部设置于所述第一开口内,并位于所述阳极远离所述薄膜晶体管层的一侧。
在本发明的一种实施例中,所述连接电极包括层叠设置的第一子层和第二子层,所述第二子层位于所述第一子层和所述薄膜晶体管层之间,所述第二子层的侧壁相对于所述第一子层的侧壁内凹,以在所述连接电极的侧壁处构成所述底切开口。
根据本发明的上述目的,本发明实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括所述显示面板。
本发明的有益效果:本发明通过设置连接电极将阴极层分隔出第一阴极,且可以通过辅助阴极走线对第一阴极进行信号传输,可以有效改善阴极层的电压降现象,提高显示面板的显示均一性;此外,连接电极围绕第一阴极设置,并将第一阴极和阴极层中的其他部分间隔,进而可以实现通过辅助阴极走线独立向第一阴极传输信号的功能,可以根据实际需求对第一阴极加载合适的电压,以进一步提高显示面板的显示均一性。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的显示面板的一种截面结构示意图;
图2为本发明实施例提供的对应于图1中A处放大结构示意图;
图3为本发明实施例提供的显示面板的一种平面结构示意图;
图4为本发明实施例提供的显示面板的另一种截面结构示意图;
图5为本发明实施例提供的显示面板的另一种截面结构示意图;
图6为本发明实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图;
图7为本发明实施例提供的显示面板的另一种截面结构示意图;
图8至图12为本发明实施例提供的显示面板的制作过程结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明实施例提供一种显示面板,请结合图1、图2以及图3,该显示面板包括阴极单元区101、位于阴极单元区101外并与阴极单元区101相邻的间隔区103,且阴极单元区101内设置有至少一个像素区102。
该显示面板还包括薄膜晶体管层20、第一导电层30、发光功能层40以及阴极层50。
其中,薄膜晶体管层20包括辅助阴极走线21;第一导电层30设置于薄膜晶体管层20上,并包括围绕阴极单元区101设置并连接于辅助阴极走线21的连接电极31,连接电极31的侧壁内凹,以构成围绕阴极单元区101设置的底切开口301;发光功能层40设置于第一导电层30远离薄膜晶体管层20的一侧,并在底切开口301处隔断;阴极层50设置于发光功能层40远离薄膜晶体管层20的一侧,并在底切开口301处隔断。
进一步地,阴极层50包括设置于阴极单元区101内的第一阴极51,连接电极31围绕第一阴极51设置,并与第一阴极51相连接。
本发明实施例通过设置连接电极31以及阴极单元区101,以将阴极层50分隔出第一阴极51,且可以通过辅助阴极走线21对第一阴极51进行信号传输,可以有效改善阴极层50的电压降现象,提高显示面板的显示均一性;此外,连接电极31围绕第一阴极51设置,并将第一阴极51和阴极层50中的其他部分间隔,进而可以实现通过辅助阴极走线21独立向第一阴极51传输信号的功能,可以根据实际需求对第一阴极51加载合适的电压,以进一步提高显示面板的显示均一性。
具体地,请继续结合图1、图2、图3以及图4,在本发明的一种实施例中,该显示面板还包括基板10、层间绝缘层71、平坦层72以及像素定义层60。
其中,薄膜晶体管层20设置于基板10上,层间绝缘层71设置于薄膜晶体管层20上,平坦层72设置于层间绝缘层71上,第一导电层30设置于平坦层72上,而像素定义层60设置于第一导电层30和发光功能层40之间,阴极层50设置于发光功能层40远离像素定义层60的一侧。
进一步地,薄膜晶体管层20设置于基板10上,并包括薄膜晶体管、遮光层22、以及包覆薄膜晶体管的绝缘层,具体地,薄膜晶体管包括有源层23、栅极24、源极25以及漏极26,绝缘层包括依次设置基板10和层间绝缘层71之间的第一绝缘层28、第二绝缘层29以及栅极绝缘层27。
其中,遮光层22设置于基板10上并被第一绝缘层28覆盖;有源层23设置于第一绝缘层28上,并被第二绝缘层29覆盖,且有源层23设置于遮光层22远离基板10的一侧;栅极绝缘层27设置于有源层23远离遮光层22的一侧,栅极24设置于栅极绝缘层27远离有源层23的一侧;第二绝缘层29覆盖有源层23、栅极绝缘层27以及栅极24;源极25和漏极26设置于第二绝缘层29上,并被层间绝缘层71覆盖,且源极25和漏极26皆穿过第二绝缘层29,并分别与有源层23的两侧搭接,此外,漏极26还穿过第二绝缘层29以及第一绝缘层28与遮光层22搭接。
需要说明的是,本发明实施例提供的显示面板中,薄膜晶体管层20还包括辅助阴极走线21,且辅助阴极走线21可以与薄膜晶体管中的电极同层设置,例如栅极24、源极25以及漏极26中的任一者。在本发明实施例中,以辅助阴极走线21与源极25、漏极26同层设置,即同属于第二导电层为例,进行说明。
在一种实施例中,第一导电层30包括设置于平坦层72上的连接电极31,在本发明实施例中,显示面板包括至少两个阴极单元区101以及多个像素区102,每个阴极单元区101内设置有至少一个像素区102,且连接电极31围绕阴极单元区101设置并连接于辅助阴极走线21;此外,显示面板还包括位于阴极单元区101外并与阴极单元区101相邻的间隔区103,如图4所示,且像素区102皆位于阴极单元区101内,而不位于间隔区103内。
在一种实施例中,第一导电层30还可以包括阳极32,且阳极32对应像素区102设置并连接于漏极26;可以理解的是,连接电极31的围成区域可以限定为阴极单元区101,具体可以理解为:连接电极31靠近阴极单元区101的一侧与阴极单元区101的边界相重叠,或者连接电极31靠近阴极单元区101的一侧位于阴极单元区101内;而一个阳极32可以对应一个像素区102,且阳极32部分位于对应的像素区102内,并部分延伸至对应的像素区102外。
在本发明实施例中,连接电极31靠近薄膜晶体管层20的第一部分穿过平坦层72和层间绝缘层71,并与辅助阴极走线21连接,连接电极31远离薄膜晶体管层20的第二部分的侧壁内凹,以形成底切开口301;同理,阳极32靠近薄膜晶体管层20的第三部分穿过平坦层72和层间绝缘层71,并与漏极26连接,阳极32远离薄膜晶体管层20的第四部分的侧壁内凹;在本发明提供的一种实施例中,连接电极31和阳极32属于同一膜层,可以在同一制程中制备,因此,连接电极31和阳极32可以具有相同的侧壁结构形貌。
在一种实施例中,连接电极31包括层叠设置的第一子层311以及第二子层312,且第二子层312位于第一子层311和薄膜晶体管层20之间,其中,第二子层312的侧壁相对于第一子层311的侧壁内凹,以构成底切开口301。在制程中,第二子层312的蚀刻速率大于第一子层311的蚀刻速率。
可选的,第一子层311的材料可以包括铝,第二子层312的材料可以包括钼。
在另一种实施例中,连接电极31可以包括层叠的第一子层311、第二子层312以及第三子层313,且第二子层312位于第一子层311和第三子层313之间,第三子层313位于第二子层312和薄膜晶体管层20之间,其中,第二子层312的侧壁和第三子层313的侧壁相对于第一子层311的侧壁内凹,以构成底切开口301。在制程中,第二子层312的蚀刻速率以及第三子层313的蚀刻速率皆大于第一子层311的蚀刻速率。
可选的,第一子层311和第三子层313的材料可以包括IZO(铟锌氧化物),第二子层312的材料可以包括银,其中第一子层311的厚度大于第三子层313的厚度,进而可以使得第一子层311的蚀刻速率小于第三子层313的蚀刻速率。
像素定义层60设置于第一导电层30远离薄膜晶体管层20的一侧,像素定义层60中设置有位于像素区102内的第一开口601以及对应连接电极31的第二开口602,其中,第一开口601露出阳极32的至少部分上表面,第二开口602露出连接电极31的至少部分上表面。
需要说明的是,一个连接电极31可以与一个第二开口602相对应,且连接电极31可以全部位于对应的第二开口602内,第二开口602围绕阴极单元区101设置,且第二开口602与底切开口301相连通。
发光功能层40设置于像素定义层60远离薄膜晶体管层20的一侧,发光功能层40在连接电极31的底切开口301处隔断,即发光功能层40被连接电极31隔断,且发光功能层40包括设置于第一开口601内并位于阳极32上的发光部,同时,发光部位于阴极单元区101内。
阴极层50设置于发光功能层40远离薄膜晶体管层20的一侧,阴极层50在连接电极31的底切开口301处隔断;其中,连接电极31至少位于间隔区103内,具体地,可以部分连接电极31位于间隔区103内,另一部分连接电极31延伸至阴极单元区101内,进而连接电极31的底切开口301可以将阴极层50至少分隔为位于阴极单元区101内的第一阴极51、以及位于间隔区103内的第二阴极52,且第一阴极51和第二阴极52被连接电极31分隔开,以使得第一阴极51和第二阴极52为间隔设置,而第一阴极51覆盖阴极单元区101,并覆盖位于阴极单元区101内的至少一个像素区102,而第二阴极52位于间隔区103内且不覆盖像素区102。
在本发明实施例中,第二开口602至少露出连接电极31靠近第一阴极51的一侧,而底切开口301至少位于连接电极31靠近第一阴极51的一侧,使得底切开口301可以与第二开口602相连通,且第一阴极51可以延伸至第二开口602以及底切开口301内,并与连接电极31相连接。
需要说明的是,阴极层50还包括设置于连接电极31远离薄膜晶体管层20一侧的第三阴极53,且底切开口301包括位于连接电极31靠近第一阴极51一侧的第一底切开口3011以及位于连接电极31远离第一阴极51一侧的第二底切开口3012,且第一阴极51和第三阴极53在第一底切开口3011处隔断,第二阴极52和第三阴极53在第二底切开口3012处隔断,即第三阴极53位于第一阴极51和第二阴极52之间。
可以理解的是,第一阴极51通过连接电极31分隔,并通过连接电极31连接至辅助阴极走线21,进而本发明实施例使得大面积的阴极层50被分隔为小面积的第一阴极51,进而可以改善阴极层50的电压降现象;此外,本发明实施例还可以通过辅助阴极走线21独立控制加载于对应的第一阴极51的电压,使得第一阴极51根据实际需求可以具有合适的电压,以进一步提高显示面板的显示均一性。
进一步地,薄膜晶体管层20包括多个辅助阴极走线21,且多个辅助阴极走线21与多个连接电极31相连接,且每个辅助阴极走线21中传输的电信号可以相同,也可以不相同,根据实际需求进行选择。
具体地,显示面板包括沿第一方向X和第二方向Y排布的多个像素区102,且第一方向X和第二方向Y相交,且多个辅助阴极走线21沿第一方向X排列,而每个辅助阴极走线21沿第二方向Y延伸,此外,薄膜晶体管层20还包括沿第一方向X排列且沿第二方向Y延伸的多个数据线,而辅助阴极走线21可以与数据线平行排布,且相邻的数据线之间设置有至少一个辅助阴极走线21。
在一种实施例中,第一方向X和第二方向Y相垂直。
在一种实施例中,显示面板包括显示区和非显示区,而阴极单元区101、间隔区103以及像素区102皆位于显示区内,显示面板还包括设置于非显示区内的多个信号端子,多个信号端子可以与多个辅助阴极走线21一一对应连接,以实现对每个辅助阴极走线21中传输信号的独立控制。
在一种实施例中,辅助阴极走线21、源极25、漏极26以及数据线皆可以同层制备,同属于第二导电层,进而可以在不增加光罩的前提下,完成辅助阴极走线21的制备。
在一种实施例中,每个连接电极31可以连接两个辅助阴极走线21,且两个辅助阴极走线21连接于连接电极31沿第一方向X的相对两侧上,以对该连接电极31围绕的第一阴极51上加载电压,且同时由两侧加载,提高了第一阴极51上加载压电的均一性,提高阴极层50的电压降改善效果。
在一种实施例中,显示面板包括多个像素区102、多个阴极单元区101以及多个连接电极31,且每个阴极单元区101包括一个像素区102,且一个连接电极31围绕一个阴极单元区101设置,以将阴极层50分隔出多个第一阴极51,且每个第一阴极51对应覆盖一个像素区102,并覆盖于对应的像素区102内的发光部上,进而辅助阴极走线21可以独立控制加载于每个第一阴极51上的电压,以提高对显示面板显示均一性的改善效果,如图1和图3所示。
在另一种实施例中,请结合图5和图6,与上一实施例的区别之处在于:每个阴极单元区101包括三个像素区102,且一个连接电极31围绕一个阴极单元区101设置,以将阴极层50分隔出多个第一阴极51,且每个第一阴极51对应覆盖三个像素区102,并覆盖于对应的像素区102内的发光部上,进而辅助阴极走线21可以独立控制加载于每个第一阴极51上的电压,以提高对显示面板显示均一性的改善效果。
需要说明的是,在图1和图5所示的实施例中,相邻的阴极单元区101之间设置有第二阴极52,且第一阴极51和第二阴极52之间间隔设置,但是,第一阴极51和第二阴极52之间通过连接电极31存在电性连接的关系,进而当需要控制显示面板中预设阴极单元区对应的第一阴极51中加载预设电压时,与预设阴极单元区相邻的阴极单元区101中的第一阴极51会由于第二阴极52的导通作用,受到预设电压的影响,但是,一方面由于预设阴极单元区内第一阴极51加载的预设电压是通过辅助阴极走线21传输,而相邻阴极单元区101内的第一阴极51受到预设电压的影响是通过呈面状分布的第二阴极52传输,辅助阴极走线21的电阻远小于第二阴极52的电阻,因此,相邻阴极单元区101内的第一阴极51受到预设电压的影响较小,且随着远离预设阴极单元区的方向上,其他阴极单元区101受到的影响逐渐减小,进而可以实现对预设阴极单元区内第一阴极51加载电压的独立控制。
其中,图1和图5所示实施例中,由于不需要选择控制连接电极31中底切开口301的位置(即靠近第一阴极51的一侧以及远离第一阴极51的一侧皆设置有底切开口301),进而可以使得连接电极31露出于第二开口602中,在制程中不需要控制像素定义层60对连接电极31的不需要蚀刻的侧壁进行覆盖,降低了制程所需精度,进而可以将连接电极31的宽度做得更小,节省了第一导电层30的布线空间。
在本发明的另一种实施例中,请参照图7,本实施例与图1所示实施例的区别之处在于:连接电极31部分位于第二开口602内,即连接电极31在薄膜晶体管层20上的正投影与第二开口602在薄膜晶体管层20上的正投影部分重叠,而底切开口301位于连接电极31靠近第一阴极51的一侧并与第二开口602相连通,第一阴极51延伸至底切开口301内,并与连接电极31相连接。
在本实施例中,第一阴极51和第二阴极52间隔设置,同时,第一阴极51和第二阴极52相绝缘设置,进而相邻的阴极单元区101的第一阴极51之间相绝缘设置,以实现对各个阴极单元区101中的第一阴极51独立加载电压。
综上所述,本发明实施例通过设置连接电极31以及阴极单元区101,以将阴极层50分隔出至少两个第一阴极51,且可以通过辅助阴极走线21对第一阴极51进行信号传输,可以有效改善阴极层50的电压降现象,提高显示面板的显示均一性;此外,连接电极31围绕第一阴极51设置,并将第一阴极51和阴极层50中的其他部分间隔,进而可以实现通过辅助阴极走线21独立控制第一阴极51,可以根据实际需求对第一阴极51加载合适的电压,以进一步提高显示面板的显示均一性。
另外,本发明实施例还提供一种上述实施例中所述的显示面板的制作方法,请结合图1、图2、图3以及图8至图12,该显示面板包括阴极单元区101位于阴极单元区101外并与阴极单元区101相邻的间隔区103,且阴极单元区101包括至少一个像素区102,该显示面板的制作方法包括以下步骤:
提供基板10,该基板10可以是玻璃基板。
清洗基板10,并在基板10上沉积第一金属材料层,并进行图案化处理,以得到在基板10上形成遮光层22,且第一金属材料层的材料可以包括Mo、Ti、Cu以及Mn中的至少一者。
在基板10上形成覆盖遮光层22的第一绝缘层28,且第一绝缘层28的材料可以包括氮化硅以及氧化硅中的至少一者。
在第一绝缘层28上形成半导体材料层,并对半导体材料层进行图案化处理,以得到位于遮光层22远离基板10一侧的有源层23,且半导体材料层的材料可以包括IGZO(铟镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)或者IGZTO(铟镓锌锡氧化物)。
在有源层23上形成绝缘材料层以及第二金属材料层,并对第二金属材料层进行图案化处理,以得到栅极24,然后以栅极24为自对准,以对绝缘材料层进行图案化处理,以形成位于栅极24和有源层23之间的栅极绝缘层27,且绝缘材料层的材料可以包括氮化硅以及氧化硅中的至少一者,且第二金属材料层的材料可以包括Mo、Ti以及Cu中的至少一者。
对显示面板进行等离子处理,以对未被栅极24覆盖的有源层23进行导体化处理,而被栅极24覆盖的有源层23保持半导体特性,以形成沟道。
在栅极24上形成覆盖有源层23、栅极绝缘层27以及栅极24的第二绝缘层29,且第二绝缘层29的材料包括氮化硅以及氧化硅中的至少一者。
对第二绝缘层29和第一绝缘层28进行图案化处理,以形成露出有源层23两侧且进行导体化处理的部分上表面以及遮光层22的部分上表面。
在第二绝缘层29上沉积第三金属材料层,并进行图案化处理,以形成位于第二绝缘层29上的辅助阴极走线21、源极25和漏极26,且源极25和漏极26分别穿过第二绝缘层29与有源层23两侧进行导体化处理的部分搭接,以及漏极26还穿过第二绝缘层29和第一绝缘层28与遮光层22搭接,如图8所示。
在第二绝缘层29上形成覆盖辅助阴极走线21、源极25以及漏极26的层间绝缘层71和平坦层72,其中层间绝缘层71的材料可以包括氮化硅以及氧化硅中的至少一者。
对平坦层72和层间绝缘层71进行图案化处理,以形成露出辅助阴极走线21和漏极26的过孔,如图9所示。
在平坦层72上形成第一导电材料层,并对第一导电材料层进行图案化处理,以形成第一导电层30,且第一导电层30包括连接电极31以及阳极32,且连接电极31穿过平坦层72和层间绝缘层71与辅助阴极走线21搭接,阳极32穿过平坦层72和层间绝缘层71与漏极26搭接,连接电极31还围绕阴极单元区101设置。
需要说明的是,在对第一导电材料层进行图案化处理的过程中,连接电极31包括层叠的第一子层311、第二子层312以及第三子层313,而第二子层312位于第一子层311和第三子层313之间,第三子层313位于第二子层312和薄膜晶体管层20之间,且第二子层312的蚀刻速率和第三子层313的蚀刻速率皆大于第一子层311的蚀刻速率,进而第二子层312和第三子层313的侧壁相对于第一子层311的侧壁内凹,以在连接电极31的侧壁处形成底切开口301,如图10所示。
在第一导电层30上形成像素定义层60,并对像素定义层60进行图案化处理,以在像素定义层60中形成第一开口601和第二开口602,其中,第一开口601位于像素区102内并露出阳极32的部分上表面,而第二开口602露出连接电极31,且底切开口301与第二开口602相连通,如图11所示。
在像素定义层60上形成发光功能层40,而发光功能层40覆盖像素定义层60中的多个第一开口601,并在连接电极31的底切开口301处隔断,如图12所示。
在发光功能层40上形成阴极层50,而阴极层50在连接电极31的底切开口301处隔断,如图1所示。
需要说明的是,在本发明实施例中,连接电极31呈环形设置并围绕阴极单元区101设置,且阴极层50被连接电极31分隔为位于阴极单元区101内的第一阴极51、以及与第一阴极51间隔设置的第二阴极52,且连接电极31围绕第一阴极51,并连接于辅助阴极走线21,而第一阴极51覆盖于阴极单元区101内的发光功能层40,进而可以独立控制加载于第一阴极51上的电压,以改善显示面板的显示不均现象。
承上,本发明实施例中将显示面板划分出阴极单元区101,且阴极单元区101包括至少一个像素区102,以将阴极层50分隔出第一阴极51,且可以通过辅助阴极走线21对第一阴极51进行信号传输,可以有效改善阴极层50的电压降现象,提高显示面板的显示均一性;此外,连接电极31围绕第一阴极51设置,并将第一阴极51和阴极层50中的其他部分间隔,进而可以实现通过辅助阴极走线21独立控制第一阴极51,可以根据实际需求对第一阴极51加载合适的电压,以进一步提高显示面板的显示均一性。
另外,本发明实施例还提供一种显示装置,该显示装置包括上述实施例所述的显示面板,且该显示面板的结构皆可与上述实施例中相同,在此不再赘述。
在一种实施例中,该显示装置可以包括手机、电视、电脑、平板以及手表等显示设备。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (12)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括阴极单元区、位于所述阴极单元区外并与所述阴极单元区相邻的间隔区,所述阴极单元区内设置有至少一个像素区;
所述显示面板还包括:
薄膜晶体管层,包括辅助阴极走线;
第一导电层,设置于所述薄膜晶体管层上,包括围绕所述阴极单元区设置并连接于所述辅助阴极走线的连接电极,所述连接电极的侧壁内凹,以构成围绕所述阴极单元区设置的底切开口;
发光功能层,设置于所述第一导电层远离所述薄膜晶体管层的一侧,并在所述底切开口处隔断;
阴极层,设置于所述发光功能层远离所述薄膜晶体管层的一侧,并在所述底切开口处隔断;
其中,所述阴极层包括设置于所述阴极单元区内的第一阴极,所述连接电极围绕所述第一阴极设置,并与所述第一阴极相连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述第一导电层和所述发光功能层之间的像素定义层,所述像素定义层包括设置于所述像素区内的第一开口以及对应所述连接电极设置的第二开口;
其中,所述发光功能层包括设置于所述第一开口内的发光部,至少部分所述连接电极位于所述第二开口内,所述底切开口与所述第二开口相连通,所述第一阴极覆盖所述阴极单元区内的所述发光部,并延伸至所述第二开口内与所述连接电极连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述连接电极至少位于所述间隔区内,所述阴极层还包括设置于所述间隔区内的第二阴极,且所述第二阴极与所述第一阴极相间隔设置。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述连接电极在所述薄膜晶体管层上的正投影位于所述第二开口在所述薄膜晶体管层上的正投影内,所述底切开口包括设置于所述连接电极靠近所述第一阴极一侧的第一底切开口以及远离所述第一阴极一侧的第二底切开口,所述阴极层还包括设置于所述连接电极远离所述薄膜晶体管层一侧并至少位于所述间隔区内的第三阴极;
其中,所述第一阴极与所述第三阴极在所述第一底切开口处间隔设置,所述第二阴极与所述第三阴极在所述第二底切开口处间隔设置。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述连接电极在所述薄膜晶体管层上的正投影与所述第二开口在所述薄膜晶体管层上的正投影部分重叠,所述底切开口设置于所述连接电极靠近所述第一阴极的一侧,且所述第一阴极与所述第二阴极在所述底切开口处间隔设置。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括多个所述阴极单元区,所述第一导电层包括围绕多个所述阴极单元区设置的多个所述连接电极,所述阴极层包括位于多个所述阴极单元区内的多个所述第一阴极,相邻两个所述阴极单元区之间设置有所述第二阴极。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,多个所述阴极单元区沿第一方向和第二方向排布,所述第一方向与所述第二方向相交,所述薄膜晶体管层包括多个沿所述第二方向延伸的所述辅助阴极走线,且所述连接电极沿所述第一方向上的相对两侧分别连接于两个所述辅助阴极走线。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,多个所述辅助阴极走线中传输的电信号相同或不同。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管层还包括第二导电层,所述第二导电层包括所述辅助阴极走线以及多个沿所述第二方向延伸的数据线。
10.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层还包括设置于所述像素区内的阳极,所述发光部设置于所述第一开口内,并位于所述阳极远离所述薄膜晶体管层的一侧。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述连接电极包括层叠设置的第一子层和第二子层,所述第二子层位于所述第一子层和所述薄膜晶体管层之间,所述第二子层的侧壁相对于所述第一子层的侧壁内凹,以在所述连接电极的侧壁处构成所述底切开口。
12.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1至11任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311071183.1A CN116782712B (zh) | 2023-08-24 | 2023-08-24 | 显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311071183.1A CN116782712B (zh) | 2023-08-24 | 2023-08-24 | 显示面板及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116782712A true CN116782712A (zh) | 2023-09-19 |
CN116782712B CN116782712B (zh) | 2023-11-28 |
Family
ID=87986387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311071183.1A Active CN116782712B (zh) | 2023-08-24 | 2023-08-24 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116782712B (zh) |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |