CN115275046A - 显示面板和电子终端 - Google Patents

Abstract

本发明提供了显示面板和电子终端，包括基板、位于基板上的像素层和辅助电极层，像素层包括间隔设置的多个子像素，子像素包括阳极部、位于阳极部上的发光部、位于发光部上的阴极部，多个阴极部电性连接以形成阴极层，辅助电极层包括与多个子像素一一对应的多个辅助电极，辅助电极位于相邻两阳极部之间，辅助电极包括第一底切开口和第二底切开口，阴极部包括与对应的阳极部相对设置的、延伸至搭接于对应的第一底切开口以并联的第一阴极部，其中，本发明将阴极部设置分别并联于辅助电极的不同位置以形成两次搭接的第一阴极部和第二阴极部，以增加搭接位置和面积，进一步改善了阴极层不同位置压降差异导致的显示不均的现象。

Description

显示面板和电子终端

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及显示器件的制造，具体涉及显示面板和电子终端。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光半导体)显示面板是通过载流子的注入和复合而致发光，具有轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高等优点。

目前，对于大尺寸OLED显示面板而言，面积较大且厚度较小的阴极导致的压降问题，使得OLED显示面板的中心区域和边缘区域的亮度差异较大，通常采用在阴极和辅助电极之间设置倒梯形的隔离柱以搭接阴极和辅助电极，但考虑到体积占比大的隔离柱影响显示面板的开口率和封装，阴极和辅助电极的搭接位置设置的较少，导致阴极和辅助电极的搭接面积和搭接成功的概率均较低，无法较好地解决阴极压降导致的显示不均的问题。

因此，现有的大尺寸OLED显示面板中阴极和辅助电极的搭接位置较少造成阴极压降导致的显示不均现象无法较好地缓解，急需改进。

发明内容

本发明的目的在于提供显示面板和电子终端，以解决现有的大尺寸OLED显示面板中因阴极和辅助电极的搭接位置较少造成的显示不均现象仍较为严重的技术问题。

本发明实施例提供显示面板，包括：

基板；

像素层，位于所述基板上，包括间隔设置的多个子像素，所述子像素包括阳极部、位于所述阳极部上的发光部和位于所述发光部上的阴极部，多个所述阴极部电性连接以形成阴极层；

辅助电极层，位于所述基板上，包括与多个所述子像素一一对应的多个辅助电极，所述辅助电极位于相邻两所述阳极部之间，所述辅助电极包括第一底切开口、位于所述第一底切开口远离对应的所述阳极部的一侧的第二底切开口；

其中，所述阴极部包括：

第一阴极部，与对应的所述阳极部相对设置，且延伸至搭接于对应的所述第一底切开口以并联于第一底切开口的侧部；

第二阴极部，与所述第一阴极部间隔设置且电性连接，且搭接于对应的所述第二底切开口以并联于第二底切开口的侧部。

在一实施例中，还包括：

电路层，位于所述基板上；

钝化层，位于所述电路层和所述像素层之间；

其中，所述辅助电极至少位于所述钝化层和所述阴极层之间，所述第二阴极部位于所述辅助电极上以并联于所述辅助电极。

在一实施例中，所述辅助电极包括：

第一子辅助电极，位于所述钝化层和所述阴极层之间，所述第一子辅助电极设有所述第一底切开口；

第二子辅助电极，位于所述第一子辅助电极之下，所述第一子辅助电极靠近所述第二子辅助电极的一侧与所述第二子辅助电极电性连接，且形成所述第二底切开口以裸露出所述第二子辅助电极；

其中，所述第二子辅助电极04的组成材料包括金属。

在一实施例中，所述电路层包括多个晶体管，所述晶体管包括：

有源层；

源漏极层，位于所述有源层上，包括电性连接于所述有源层的一侧的源极、电性连接于所述有源层的另一侧的漏极，所述源极或者所述漏极电性连接至对应的所述阳极部；

栅极层，位于所述有源层靠近或者远离所述源漏极层的一侧；

其中，所述第二子辅助电极与所述源漏极层同层设置。

在一实施例中，还包括：

平坦层，位于所述钝化层上，设有位于相邻两所述阳极部之间的开口；

其中，所述第一子辅助电极自所述平坦层上经由所述开口的侧部延伸至所述钝化层上，所述第二阴极部自所述第一子辅助电极上延伸至搭接于所述第二子辅助电极上。

在一实施例中，所述第一子辅助电极包括：

第一子层，所述第一子层的组成材料包括钼、钛、镍合金；

第二子层，位于所述第一子层上，所述第二子层的组成材料包括铝、镍、铜、铼合金；

第三子层，位于所述第二子层上，所述第三子层的组成材料包括掺锡氧化铟；

其中，所述第二子层凹陷于所述第一子层和所述第三子层，以形成所述第一底切开口。

在一实施例中，所述第一子辅助电极和所述阳极部同层设置。

在一实施例中，具有相邻设置的显示区和非显示区，还包括：

绑定层，位于所述基板和所述像素层之间，且位于所述非显示区，多个所述子像素位于所述显示区；

绑定保护层，位于所述绑定层上；

其中，所述绑定保护层和所述第一子辅助电极同层设置。

在一实施例中，所述发光部包括：

第一发光部，位于对应的所述第一阴极部和对应的所述阳极部之间；

第二发光部，位于对应的所述第二阴极部和对应的所述辅助电极之间，且于所述第一底切开口处与所述第一发光部间隔设置。

本发明实施例还提供电子终端，包括如上文任一所述的显示面板。

本发明提供了显示面板和电子终端，包括：基板；像素层，位于所述基板上，包括间隔设置的多个子像素，所述子像素包括阳极部、位于所述阳极部上的发光部和位于所述发光部上的阴极部，多个所述阴极部电性连接以形成阴极层；辅助电极层，位于所述基板上，包括与多个所述子像素一一对应的多个辅助电极，所述辅助电极位于相邻两所述阳极部之间，所述辅助电极包括第一底切开口、位于所述第一底切开口远离对应的所述阳极部的一侧的第二底切开口；其中，所述阴极部包括：第一阴极部，与对应的所述阳极部相对设置，且延伸至搭接于对应的所述第一底切开口以并联于第一底切开口的侧部；第二阴极部，与所述第一阴极部间隔设置且电性连接，且搭接于对应的所述第二底切开口以并联于第二底切开口的侧部。其中，本发明中的第一阴极部和第二阴极部分别并联于辅助电极的不同位置以形成两次搭接，增加了阴极层和辅助电极的搭接位置的数量以提高并联的可靠性，并且增加了阴极层和辅助电极的搭接面积，以降低了整体的阻抗，均可以进一步改善阴极层不同位置压降差异导致的显示不均的现象。

附图说明

下面通过附图来对本发明进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的显示面板的截面示意图；

图2(a)和图2(b)为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的场景示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“靠近”、“远离”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，例如，“上”只是表面在物体上方，具体指代正上方、斜上方、上表面都可以，只要居于物体水平之上即可；“两侧”或者“两端”是指代图中可以体现出的物体的相对的两个位置，所述两个位置可以和物体直接/间接接触，以上方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

另外，还需要说明的是，附图提供的仅仅是和本发明关系比较密切的结构和步骤，省略了一些与发明关系不大的细节，目的在于简化附图，使发明点一目了然，而不是表明实际中装置和方法就是和附图一模一样，不作为实际中装置和方法的限制。

本发明提供显示面板，所述显示面板包括但不限于以下实施例以及以下实施例的组合。

在一实施例中，如图1所示，所述显示面板100包括：基板10；像素层，位于所述基板10上，包括间隔设置的多个子像素20，所述子像素20包括阳极部201、位于所述阳极部201上的发光部202和位于所述发光部202上的阴极部203，多个所述阴极部203电性连接以形成阴极层；辅助电极层，位于所述基板10上，包括与多个所述子像素20一一对应的多个辅助电极30，所述辅助电极30位于相邻两所述阳极部201之间，所述辅助电极30包括第一底切开口301、位于所述第一底切开口301远离对应的所述阳极部201的一侧的第二底切开口302；其中，所述阴极部203包括：第一阴极部01，与对应的所述阳极部201相对设置，且延伸至搭接于对应的所述第一底切开口301以并联于所述第一底切开口301的侧部；第二阴极部02，与所述第一阴极部01间隔设置且电性连接，且搭接于对应的所述第二底切开口302以并联于所述第二底切开口302的侧部。

其中，基板10用于承载设置于其上的膜层。具体的，基板10可以为刚性基板或者柔性基板，刚性基板的组成材料可以包括如玻璃、石英和聚合物树脂的单层绝缘材料，或者如双层聚合物树脂的多层绝缘材料，柔性基板的组成材料可以包括但不限于聚酰亚胺。其中，本实施例中对辅助电极30的具体材料不做限定，只需满足辅助电极30为导体即可。

其中，多个阳极部201可以间隔且绝缘设置，每一阳极部201可以加载为对应的阳极电压，多个阳极部201可以相连设置以电性连接以形成阴极层，阴极层可以加载为阴极电压，例如相邻的两阳极部201可以与对应的两子像素20之间相连设置以一体成型。具体的，结合上文论述，每一发光部202在对应的阳极部201的对应的阳极电压和阴极层的阴极电压的作用下产生的驱动电流的作用下发出对应的光线，以实现画面显示。需要注意的是，在同一子像素20中，虽然对应的阴极部203中的第一阴极部01和第二阴极部02间隔设置，但是两者可以于显示面板100的边缘或者通过与其它的子像素20中的阴极部203电性连接以实现两者间的电性连接。

可以理解的，本实施例中的将电性连接的第一阴极部01和第二阴极部02在对应的子像素20中间隔设置，且第一阴极部01搭接并并联于辅助电极30上的第一底切开口301的侧部，第二阴极部02搭接并并联于辅助电极30上的第二底切开口302的侧部，即第一阴极部01和第二阴极部02分别可以并联于辅助电极30的不同位置以形成两次搭接，一方面，增加了阴极层和辅助电极的搭接位置的数量，使得在其中一搭接位置断开时，另一搭接位置仍然可以保持搭接，提高阴极层和辅助电极的搭接的可靠性，另一方面，也增加了阴极层和辅助电极的搭接面积，进一步降低了阴极层和辅助电极电性连接后整体的阻抗，因此，以上两方面均可以进一步改善阴极层不同位置压降差异导致的显示不均的现象。

在一实施例中，如图1所示，所述发光部202包括：第一发光部2021，位于对应的所述第一阴极部01和对应的所述阳极部201之间；第二发光部2022，位于对应的所述第二阴极部02和对应的所述辅助电极30之间，且于所述第一底切开口301处与所述第一发光部2021间隔设置。具体的，结合上文论述，设于第一阴极部01和阳极部201之间的第一发光部2021在对应的阳极部201的对应的阳极电压和阴极层的阴极电压的作用下产生的驱动电流的作用下发出对应的光线，以实现画面显示。

其中，结合上文论述，第一阴极部01和第二阴极部02可以采用相同的材料同层设置，进一步的，与对应的第二阴极部02对应的位置还可以设置与第一发光部2021采用相同的材料同层设置的第二发光部2022，第一发光部2021和第二发光部2022可以于第一底切开口301处间隔设置。可以理解的，本实施例对于相连设置以形成整层的多个发光部202而言，通过设置第一底切开口301可以分割发光部202以形成间隔设置的第一发光部2021和第二发光部2022，使得第二发光部2022断开于第一发光部2021，避免了第二发光部2022由于未与阳极部201相对设置而无法具有驱动电流，但却电性连接于第一发光部2021以至于降低第一发光部2021发出的光线的亮度，导致子像素20呈现的亮度较低的问题，提高了显示面板100的显示画面的亮度的可靠性。或者说，本实施例通过设置第一底切开口301，可以避免增加制程以去除第一发光部2021。需要注意的是，后期在形成阴极层的过程中，可以设置合适的蒸镀角度或者可以采用但不限于溅射工艺以使得阴极层可以搭接于辅助电极30上。

在一实施例中，如图1所示，所述显示面板100还包括：电路层，位于所述基板10上；钝化层40，位于所述电路层和所述像素层之间；其中，所述辅助电极30至少位于所述钝化层40和所述阴极层之间，所述第二阴极部02位于所述辅助电极30上以并联于所述辅助电极30。具体的，结合上文论述，像素层中的多个子像素20可以通过钝化层40上的开口电性连接至电路层，进一步的，子像素20中的阳极部201可以通过钝化层40上的开口电性连接至电路层一加载为对应的阳极电压。其中，钝化层40可以用于绝缘电路层中靠近像素层的一侧中多个导电结构，钝化层40的组成材料可以包括但不限于硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铪氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、锌氧化物等无机绝缘物质。

具体的，本实施例中对辅助电极30与子像素20在竖直方向的相对位置不做限定，将阴极层位于辅助电极30之上以便于两者的搭接，进一步的，结合上文论述，第一阴极部01搭接并并联于辅助电极30上的第一底切开口301的侧部，第二阴极部02搭接并并联于辅助电极30上的第二底切开口302的侧部，进一步的，本实施例中的第二阴极部02位于辅助电极30的上表面以并联于辅助电极30，即可以认为第二阴极部02自第二底切开口302延伸至覆盖辅助电极30的上表面，进一步增加了第二阴极部02的搭接面积，从而增加了阴极层的面积，进一步降低了阴极层和辅助电极30电性连接后整体的阻抗，可以进一步改善阴极层不同位置压降差异导致的显示不均的现象。

在一实施例中，如图1所示，所述辅助电极30包括：第一子辅助电极03，位于所述钝化层40和所述阴极层之间，所述第一子辅助电极03设有所述第一底切开口301；第二子辅助电极04，位于所述第一子辅助电极03之下，所述第一子辅助电极03靠近所述第二子辅助电极04的一侧与所述第二子辅助电极04电性连接，且形成所述第二底切开口302以裸露出所述第二子辅助电极04；其中，所述第二子辅助电极04的组成材料包括金属。

具体的，本实施例中与第一子辅助电极03异层设置的第二子辅助电极04的组成材料包括可以金属以具有较高的导电性能，可以加载为与阴极信号相同的信号，以提高阴极信号的强度，减缓阴极信号的衰减。可以理解的，本实施例中在第一子辅助电极03上的基础上，增设电性连接于第一子辅助电极03的第二子辅助电极04，可以便于信号的加载和传输，以及可以进一步降低阻抗，进一步缓解了阴极信号的衰减。

需要注意的是，当辅助电极30包括第一子辅助电极03和第二子辅助电极04时，可以在第一子辅助电极03和第二子辅助电极04的连接处将第二子辅助电极04设置为凹陷于第一子辅助电极03以形成第二底切开口302，或者如图1所示，钝化层40可以设于第二子辅助电极04和第一子辅助电极03之间，将钝化层40设置为凹陷于第一子辅助电极03以形成第二底切开口302；当然，当不包括第二子辅助电极04时，第一子辅助电极03远离阳极部201的一侧也可以设置第二底切开口302。

在一实施例中，如图1所示，所述电路层包括多个晶体管50，所述晶体管50包括：有源层501；源漏极层，位于所述有源层501上，包括电性连接于所述有源层501的一侧的源极502、电性连接于所述有源层501的另一侧的漏极503，所述源极502或者所述漏极503电性连接至对应的所述阳极部201；栅极层504，位于所述有源层501靠近或者远离所述源漏极层的一侧；其中，所述第二子辅助电极04与所述源漏极层同层设置。

其中，本实施例中对栅极层504位于有源层501靠近或者远离源漏极层的一侧不做限制，即晶体管50可以为顶栅结构或者底栅结构，此处以栅极层504位于有源层501靠近源漏极层的一侧以形成顶栅结构为例进行说明。具体的，晶体管50还可以包括位于栅极层504和有源层501之间的栅极绝缘层505以绝缘两者，进一步的，有源层501电性连接于源漏极层的两侧可以掺杂离子以形成两掺杂区5011，两掺杂区5011通过沟道区5012连接，掺杂区5011是导体化的区域，相比于沟道区5012，导电性可以更高，电阻更低。进一步的，有源层501、栅极绝缘层505和栅极层504上均可以设有层间绝缘层60，层间绝缘层60靠近源漏极层的一侧可以呈面，源漏极层可以通过设于层间绝缘层60上开口电性连接至有源层501。进一步的，显示面板100还可以包括位于基板10上且至少与有源层501相对设置的遮光层901、位于遮光层901和基板10上的缓冲层902，层间绝缘层60位于缓冲层902上，进一步的，源极502或者漏极503可以通过贯穿层间绝缘层60和设有开口的缓冲层902电性连接至遮光层901以进行静电释放。

具体的，有源层501的组成材料可以包括金属氧化物，可以为但不限于IGZO、IZTO、IGZTO。栅极层504的组成材料和源漏极的组成材料均可以包括但不限于钼、铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、钙、钛、钽、钨、铜中的至少一者，栅极绝缘层505的组成材料可以包括但不限于硅化合物、金属氧化物，层间绝缘层可以包括硅化合物、金属氧化物等。层间绝缘层60的组成材料可以包括但不限于硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锆氧化物、钛氧化物中的至少一者。遮光层901的组成材料可以包括但不限于钼、钛、铜、锰或者其它金属的合金。栅极绝缘层505的组成材料和缓冲层902的组成材料可以包括氧化硅、氮化硅中的至少一者，例如可以包括氧化硅层、氮化硅层。

可以理解的，结合上文论述，第二子辅助电极04的组成材料包括金属，本实施例中将第二子辅助电极04与采用金属制作的源漏极层同层设置，进一步的，第二子辅助电极04和源漏极层可以采用相同的材料同时制作，可以节省制程，提高显示面板100的制作效率。

在一实施例中，如图1所示，所述显示面板100还包括：平坦层70，位于所述钝化层40上，设有位于相邻两所述阳极部201之间的开口701；其中，所述第一子辅助电极03自所述平坦层70上经由所述开口701的侧部延伸至所述钝化层40上，所述第二阴极部02自所述第一子辅助电极03上延伸至搭接于所述第二子辅助电极04上。具体的，平坦层70的厚度可以设置的较大以形成以平坦的表面，用于为阳极部201的沉积提供平坦的表面，平坦层70的组成材料可以包括但不限于无机绝缘物质、有机绝缘物质或者光敏性物质。

可以理解的，结合上文论述，第二子辅助电极04位于第一子辅助电极03之下，本实施例中在钝化层40上设有位于相邻两阳极部201之间的开口701，为第二子辅助电极04和第一子辅助电极03的电性连接提供了路径，同时，基于第二阴极部02位于辅助电极30上，由于第二子辅助电极04具有更低的阻抗和更好的导电性能，可以将第二阴极部02同样向开口701延伸以连接于第二子辅助电极04，并且，由于第一子辅助电极03还搭接于第一阴极部01，即在每一子像素20中，第一阴极部01也可以通过第一子辅助电极03电性连接于第二子辅助电极04和第二阴极部02，以缩短第一阴极部01和第二阴极部02电性连接的路径，提高电性连接的可靠性。

在一实施例中，如图1所示，所述第一子辅助电极03包括：第一子层031，所述第一子层031的组成材料包括钼、钛、镍合金；第二子层032，位于所述第一子层031上，所述第二子层032的组成材料包括铝、镍、铜、铼合金；第三子层033，位于所述第二子层032上，所述第三子层033的组成材料包括掺锡氧化铟；其中，所述第二子层032凹陷于所述第一子层031和所述第三子层033，以形成所述第一底切开口301。

具体的，可以先依次沉积整层的第一子膜、第二子膜和第三子膜，再刻蚀第一子膜、第二子膜和第三子膜以形成第一子层031、第二子层032和第三子层033，可以将第二子膜的刻蚀速率设置的最大，以实现第二子层032凹陷于第一子层031和第三子层033，从而形成第一底切开口301。进一步的，可以先采用草酸刻蚀第三子膜，再采用磷酸、硝酸和醋酸这三种酸的混合物刻蚀第一子膜、第二子膜，其中，草酸的刻蚀速度一般小于磷酸、硝酸和醋酸这三种酸的混合物的刻蚀速度，且由于磷酸、硝酸和醋酸这三种酸的混合物刻蚀第二子膜的速度大于刻蚀第三子膜的速度，以形成如图1所示的第一子层031、第二子层032和第三子层033。

在一实施例中，如图1所示，所述第一子辅助电极03和所述阳极部201同层设置。其中，结合上文论述，阳极部201可以设于平坦层70中的平坦区域上，第一子辅助电极03可以自平坦层70中的平坦区域延伸至平坦层70的开口701内，即第一子辅助电极03和阳极部201可以形成于平坦层70之后。其中，本实施例中的第一子辅助电极03和阳极部201同层设置，进一步的，第一子辅助电极03和阳极部201可以采用相同的材料同层设置，以节省制程，提高显示面板100的制作效率。

具体的，例如第一子辅助电极03包括第一子层031、第二子层032和第三子层033，阳极部201也可以设置为包括与第一子层031同层设置的第一阳极层05、与第二子层032同层设置的第二阳极层06、与第三子层033同层设置的第三阳极层07，第一阳极层05的组成材料可以相同于第一子层031的组成材料，第二阳极层06的组成材料可以相同于第二子层032的组成材料，第三阳极层07的组成材料可以相同于第三子层033的组成材料。进一步的，显示面板100还可以包括位于平坦层70上的像素定义层，像素定义层可以包括与阳极部201一一对应的多个像素定义部80，像素定义部80可以包括位于对应的第一发光部2021两侧且位于阳极部201上的两子像素定义部801，子像素定义部801可以自阳极部201上延伸至平坦层70上，为对应的第一发光部2021提供发光微腔。

进一步的，对于与显示面板100的边界的距离非最近的子像素20而言，相邻的开口701远离显示面板100的边界的一侧也可以形成有第一子辅助电极03、自第一子辅助电极03上延伸至平坦层70上的子像素定义部801、自子像素定义部801上延伸至开口701侧部的第二发光部2022和第二阴极部02。

在一实施例中，如图1所示，具有相邻设置的显示区08和非显示区09，还包括：绑定层802，位于所述基板10和所述像素层之间，且位于所述非显示区09，多个所述子像素20位于所述显示区08；绑定保护层803，位于所述绑定层802上；其中，所述绑定保护层803和所述第一子辅助电极03同层设置。其中，绑定层802可以电性连接于电路层和驱动芯片，以将驱动芯片产生的信号加载于电路层，进一步的，绑定层802和电路层中的源漏极层同层设置，再进一步的，绑定层802和电路层中的源漏极层可以采用相同的材料通过同一制程形成。

可以理解的，结合上文论述，绑定层802的组成材料可以包括金属，基于此，本实施例中在绑定层802上覆盖有绑定保护层803，且绑定保护层803和第一子辅助电极03可以同层设置，即绑定保护层803和第一子辅助电极03可以采用相同的材料同时形成，绑定保护层803可以包括第一子绑定保护层11、位于第一子绑定保护层11的第二子绑定保护层12、位于第二子绑定保护层12上的第三子绑定保护层13，其中，第一子绑定保护层11的组成材料可以相同于第一子层031的组成材料，第二子绑定保护层12的组成材料可以相同于第二子层032的组成材料，第二子绑定保护层12的组成材料可以相同于第三子层033的组成材料。

本发明还提供显示面板的制作方法，用于制作上文任一所述的显示面板，结合图2(a)和图2(b)所示的显示面板的制作方法的场景示意图，显示面板的制作方法可以包括但不限于以下步骤以及以下步骤的组合。

步骤1，在基板10上形成遮光层901、缓冲层902、有源层501、栅极绝缘层505、栅极层504、层间绝缘层60、第二子辅助电极04、绑定层802、源漏极层和钝化膜401。

其中，遮光层901、缓冲层902、有源层501、栅极绝缘层505、栅极层504、层间绝缘层60、第二子辅助电极04、绑定层802、源漏极层可以参考上文的相关描述，源漏极层包括源极502和漏极503。具体的，基板10可以先清洗后形成遮光层901和缓冲层902；可以先沉积一层金属氧化物半导体材料作为半导体层，再依次沉积栅极绝缘膜、栅极膜，再利用一道黄光，先蚀刻形成栅极层504，再利用栅极层504为自对准，蚀刻形成栅极绝缘层505，使得只在有栅极层504下方，才有栅极绝缘层505存在；进一步的，可以整面进行等离子体处理，使得半导体层中没有被栅极绝缘层505、栅极层504覆盖的两侧电阻明显降低以形成两掺杂区5011，半导体层中被栅极绝缘层505、栅极层504覆盖的中间区域作为沟道区5012；进一步的，层间绝缘层60形成后，可以通过黄光工艺形成过孔以及缓冲层902上对应的开口、以及形成层间绝缘层60中对应于两掺杂区5011的开口，第二子辅助电极04、绑定层802和源漏极层可以通过黄光和蚀刻形成；钝化膜401可以整层沉积。

步骤2，在钝化膜401上形成图案化的平坦层70，包括与第二子辅助电极04相对设置的第一开口1001、与漏极503相对设置的第二开口1002。

其中，平坦层70可以参考上文的相关描述，第一开口1001可以参考上文对于开口701的相关描述。

步骤3，利用图案化的平坦层70作为光罩，对钝化膜401进行图案化形成钝化层40，以及在平坦层70上形成第一子辅助电极03、阳极部201和绑定保护层803。

其中，钝化层40、第一子辅助电极03、阳极部201和绑定保护层803可以参考上文的相关描述。具体的，基于“第一子辅助电极03包括：第一子层031，所述第一子层031的组成材料包括钼、钛、镍合金；第二子层032，位于所述第一子层031上，所述第二子层032的组成材料包括铝、镍、铜、铼合金；第三子层033，位于所述第二子层032上，所述第三子层033的组成材料包括掺锡氧化铟”、“阳极部201也可以设置为包括与第一子层031同层设置的第一阳极层05、与第二子层032同层设置的第二阳极层06、与第三子层033同层设置的第三阳极层07，第一阳极层05的组成材料可以相同于第一子层031的组成材料，第二阳极层06的组成材料可以相同于第二子层032的组成材料，第三阳极层07的组成材料可以相同于第三子层033的组成材料”以及“绑定保护层803可以包括第一子绑定保护层11、位于第一子绑定保护层11的第二子绑定保护层12、位于第二子绑定保护层12上的第三子绑定保护层13，其中，第一子绑定保护层11的组成材料可以相同于第一子层031的组成材料，第二子绑定保护层12的组成材料可以相同于第二子层032的组成材料，第二子绑定保护层12的组成材料可以相同于第三子层033的组成材料”，可以先依次沉积钼、钛、镍合金膜和铝、镍、铜、铼合金膜，再进入单独腔室进行真空氧化，然后沉积掺锡氧化铟膜，然后进行黄光制程和刻蚀，刻蚀包括先采用草酸刻蚀掺锡氧化铟膜形成第三子层033、第三阳极层07和第三子绑定保护层13，再采用磷酸、硝酸和醋酸这三种酸的混合物刻蚀钼、钛、镍合金膜和铝、镍、铜、铼合金膜，形成第一子层031、第二子层032、第一阳极层05、第二阳极层06、第一子绑定保护层11和第二子绑定保护层12，即形成了第一底切开口301，进一步的，通过热烘烤制程使得第三子层033、第三阳极层07和第三子绑定保护层13结晶致密化。

步骤4，在平坦层70、第一子辅助电极03和阳极部201上形成像素定义层。

其中，像素定义层可以包括多个子像素定义部801，子像素定义部801可以参考上文的相关描述。具体的，像素定义层的厚度可以为10000埃至20000埃，可以通过黄光制程形成图案化的像素定义层。

步骤5，采用氢氟酸湿法蚀刻钝化层40以与第二子辅助电极04、第一子辅助电极03形成第二底切开口302，并且在阳极部201上依次形成发光部202和阴极层。

其中，第二底切开口302、发光部202和阴极层可以参考上文的相关描述。具体的，通过控制蒸镀角度可以实现发光部202断开于第二底切开口302和第一底切开口301，以形成间隔设置的第一发光部2021和两第二发光部2022，进一步的，通过调整蒸镀角度，或者采用溅射工艺，可以形成包括搭接于第一底切开口301的第一阴极部01、搭接于第二底切开口302的第二阴极部02的阴极层。

本发明还提供电子终端，包括如上文任一所述的显示面板。

本发明提供了显示面板和电子终端，包括：基板；像素层，位于所述基板上，包括间隔设置的多个子像素，所述子像素包括阳极部、位于所述阳极部上的发光部和位于所述发光部上的阴极部，多个所述阴极部电性连接以形成阴极层；辅助电极层，位于所述基板上，包括与多个所述子像素一一对应的多个辅助电极，所述辅助电极位于相邻两所述阳极部之间，所述辅助电极包括第一底切开口、位于所述第一底切开口远离对应的所述阳极部的一侧的第二底切开口；其中，所述阴极部包括：第一阴极部，与对应的所述阳极部相对设置，且延伸至搭接于对应的所述第一底切开口以并联于第一底切开口的侧部；第二阴极部，与所述第一阴极部间隔设置且电性连接，且搭接于对应的所述第二底切开口以并联于第二底切开口的侧部。其中，本发明中的第一阴极部和第二阴极部分别并联于辅助电极的不同位置以形成两次搭接，增加了阴极层和辅助电极的搭接位置的数量以提高并联的可靠性，并且增加了阴极层和辅助电极的搭接面积，以降低了整体的阻抗，均可以进一步改善阴极层不同位置压降差异导致的显示不均的现象。

以上对本发明实施例所提供的显示面板和电子终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板；

像素层，位于所述基板上，包括间隔设置的多个子像素，所述子像素包括阳极部、位于所述阳极部上的发光部和位于所述发光部上的阴极部，多个所述阴极部电性连接以形成阴极层；

辅助电极层，位于所述基板上，包括与多个所述子像素一一对应的多个辅助电极，所述辅助电极位于相邻两所述阳极部之间，所述辅助电极包括第一底切开口、位于所述第一底切开口远离对应的所述阳极部的一侧的第二底切开口；

其中，所述阴极部包括：

第一阴极部，与对应的所述阳极部相对设置，且延伸至搭接于对应的所述第一底切开口以并联于第一底切开口的侧部；

第二阴极部，与所述第一阴极部间隔设置且电性连接，且搭接于对应的所述第二底切开口以并联于第二底切开口的侧部。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：

电路层，位于所述基板上；

钝化层，位于所述电路层和所述像素层之间；

其中，所述辅助电极至少位于所述钝化层和所述阴极层之间，所述第二阴极部位于所述辅助电极上以并联于所述辅助电极。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括：

第一子辅助电极，位于所述钝化层和所述阴极层之间，所述第一子辅助电极设有所述第一底切开口；

第二子辅助电极，位于所述第一子辅助电极之下，所述第一子辅助电极靠近所述第二子辅助电极的一侧与所述第二子辅助电极电性连接，且形成所述第二底切开口以裸露出所述第二子辅助电极；

其中，所述第二子辅助电极04的组成材料包括金属。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述电路层包括多个晶体管，所述晶体管包括：

有源层；

源漏极层，位于所述有源层上，包括电性连接于所述有源层的一侧的源极、电性连接于所述有源层的另一侧的漏极，所述源极或者所述漏极电性连接至对应的所述阳极部；

栅极层，位于所述有源层靠近或者远离所述源漏极层的一侧；

其中，所述第二子辅助电极与所述源漏极层同层设置。

5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：

平坦层，位于所述钝化层上，设有位于相邻两所述阳极部之间的开口；

其中，所述第一子辅助电极自所述平坦层上经由所述开口的侧部延伸至所述钝化层上，所述第二阴极部自所述第一子辅助电极上延伸至搭接于所述第二子辅助电极上。

6.如权利要求1至5任一所述的显示面板，其特征在于，所述第一子辅助电极包括：

第一子层，所述第一子层的组成材料包括钼、钛、镍合金；

第二子层，位于所述第一子层上，所述第二子层的组成材料包括铝、镍、铜、铼合金；

第三子层，位于所述第二子层上，所述第三子层的组成材料包括掺锡氧化铟；

其中，所述第二子层凹陷于所述第一子层和所述第三子层，以形成所述第一底切开口。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一子辅助电极和所述阳极部同层设置。

8.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，具有相邻设置的显示区和非显示区，还包括：

绑定层，位于所述基板和所述像素层之间，且位于所述非显示区，多个所述子像素位于所述显示区；

绑定保护层，位于所述绑定层上；

其中，所述绑定保护层和所述第一子辅助电极同层设置。

9.如权利要求1至5任一所述的显示面板，其特征在于，所述发光部包括：

第一发光部，位于对应的所述第一阴极部和对应的所述阳极部之间；

第二发光部，位于对应的所述第二阴极部和对应的所述辅助电极之间，且于所述第一底切开口处与所述第一发光部间隔设置。

10.一种电子终端，其特征在于，包括如权利要求1至9任一所述的显示面板。

Images