CN114141826A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法，驱动电路层设置在基板上；驱动电路层包括辅助电极，辅助电极包括层叠设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层，第二导电层设置在第一导电层和第三导电层之间，第一导电层包括凸出于第二导电层的凸出部分，第三导电层包括凸出于第二导电层的悬空部分，悬空部分、第二导电层的侧面和凸出部分界定形成底切空间；发光层和第二电极在底切空间处断开设置；第二电极延伸至底切空间内，且连接于凸出部分。本申请采用辅助电极作为底切结构，使得发光层和第二电极在辅助电极的底切空间处断开，第二电极连接辅助电极，达到降低压降的效果，且节省了额外设置底切结构的步骤制程。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板结构包 括透明阳极层、发光层和金属阴极层。为了增大顶发射的透过率，金属阴极层 的厚度较薄，造成电阻较大，电流压降严重，导致显示面板有明显的亮度不均 匀现象，严重影响了OLED显示装置的显示效果。为改善面板显示亮度的不 均匀性，可以架设辅助电极，与较薄的金属阴极层相连。由于辅助电极的电阻 较小，电流压降减小，通电时，使面板的阴极的阻抗和电流压降得到减小，亮 度均匀性得到一定的改善。
在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，如图1所示， 对于如何实现辅助电极01和金属阴极02搭接，通常额外设置第三金属层03 以形成底切结构Un，也即在辅助电极01上在设置一层与辅助电极01不同层 设置的金属层03，这样导致制作工艺变得复杂，且增加两道光罩制程，降低 生产效率。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，可以节省制程步骤，降低 成本。
本申请实施例提供一种显示面板，其包括：
基板；
驱动电路层，所述驱动电路层设置在所述基板上；所述驱动电路层包括辅 助电极，所述辅助电极包括层叠设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层， 所述第二导电层设置在所述第一导电层和所述第三导电层之间，所述第一导电 层包括凸出于所述第二导电层的凸出部分，所述第三导电层包括凸出于所述第 二导电层的悬空部分，所述悬空部分、所述第二导电层的侧面和所述凸出部分 界定形成底切空间；
第一电极，所述第一电极设置在所述驱动电路层上；以及
发光层和第二电极，所述发光层设置在所述第一电极上，所述第二电极设 置在所述发光层上；所述发光层和所述第二电极在所述底切空间处断开设置； 所述第二电极延伸至所述底切空间内，且连接于所述凸出部分。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动电路层包括设置有所述基板 上的源漏导电层，所述辅助电极形成于所述源漏导电层，所述源漏导电层还包 括源极和漏极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电层的活泼性弱于所述第 二导电层的活泼性，所述第三导电层的活泼性弱于所述第二导电层的活泼性。
可选的，在本申请的一些实施例中，第二导电层的厚度大于所述第一导电 层的厚度。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动电路层还设置有搭接孔，所 述搭接孔裸露所述辅助电极，所述第一导电层与所述搭接孔之间设置有缓冲空 间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电层和所述第三导电层的 材料相同，所述第一导电层的材料包括金属合金，所述第二导电层的材料为金 属；
所述金属合金的活泼性弱于所述金属的活泼性。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动电路层还包括保护层和平坦 层，所述保护层设置在所述源漏导电层上，所述平坦层设置在所述保护层上； 所述驱动电路层设置有搭接孔，所述搭接孔贯穿平坦层和所述保护层；
所述搭接孔裸露所述辅助电极，所述第一导电层与所述搭接孔之间设置有 缓冲空间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述保护层连接于所述辅助电极的侧 面，所述保护层的部分延伸覆盖所述辅助电极的部分。
相应的，本申请还涉及一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：
在基板上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括辅助电极，所述辅助电极 包括层叠设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第二导电层设置 在所述第一导电层和所述第三导电层之间；
在所述驱动电路层上形成第一电极，在所述辅助电极上形成底切空间；所 述第一导电层包括凸出于所述第二导电层的悬空部分，所述第三导电层包括凸 出于所述第二导电层的凸出部分，所述悬空部分、所述第二导电层的侧面和所 述凸出部分界定形成所述底切空间；
在所述第一电极上依次形成像素定义层、发光层和第二电极；所述发光层 和所述第二电极在所述底切空间处断开设置；所述第二电极延伸至所述底切空 间内，且连接于所述凸出部分。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述在基板上形成驱动电路层，包括 以下步骤：
在所述基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成有源层；
在所述缓冲层上形层第一绝缘层；
在所述缓冲层上形成栅极金属层，所述栅极金属层包括栅极；
在所述缓冲层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成源漏导电层，所述源漏导电层包括辅助电极、源 极和漏极；
在所述源漏导电层上依次形成保护层、平坦层以及搭接孔，所述搭接孔裸 露出所述辅助电极的至少一侧面。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电层与所述搭接孔的孔壁 具有缓冲空间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述驱动电路层上形成第一电 极，在所述辅助电极上形成底切空间，包括以下步骤：
在所述平坦层上形成电极材料层；所述电极材料层的部分覆盖所述辅助电 极；
在所述电极材料层上形成光刻胶层；
图案化所述光刻胶层，形成第一开孔和第二开孔；所述第一开孔对应于所 述搭接孔，所述第二开孔对应于非像素区；
采用蚀刻液蚀刻所述第一开孔所在区域的所述电极材料层和所述辅助电 极，以及蚀刻所述第二开孔所在区域的所述电极材料层，在所述辅助电极上形 成所述底切空间，且形成所述第一电极；
去除所述图案化的光刻胶层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电层的活泼性弱于所述第 二导电层的活泼性，所述第三导电层的活泼性弱于所述第二导电层的活泼性。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二导电层的厚度大于所述第一 导电层的厚度。
在本申请的显示面板及其制备方法中，驱动电路层设置在基板上；驱动电 路层包括辅助电极，辅助电极包括层叠设置的第一导电层、第二导电层和第三 导电层，第二导电层设置在第一导电层和第三导电层之间，第一导电层包括凸 出于第二导电层的凸出部分，第三导电层包括凸出于第二导电层的悬空部分， 悬空部分、第二导电层的侧面和凸出部分界定形成底切空间；发光层和第二电 极在底切空间处断开设置；第二电极延伸至底切空间内，且连接于凸出部分。
也就是说，本申请采用辅助电极作为底切结构，使得发光层和第二电极在 辅助电极的底切空间处断开，第二电极连接辅助电极，达到降低压降的效果， 且节省了额外设置底切结构的步骤制程。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所 需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请 的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还 可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术提供的显示面板的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
图3是图2中A部分的放大图；
图4是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图；
图5是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B11-B16的示意图；
图6是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B17的示意图；
图7是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B21-B22的示意图；
图8是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B23的示意图；
图9是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B24的示意图；
图10是图9中B处的放大图；
图11是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B25的示意图；
图12是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B3的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清 楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是 全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳 动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理 解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制 本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下” 通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而 “内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，下文进行详细说明。需说 明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参照图2和图3，本申请实施例提供一种显示面板100，其包括基板11、 驱动电路层12、第一电极13、像素定义层14、发光层15和第二电极16。
驱动电路层12设置在基板11上。驱动电路层12包括辅助电极Fd，辅助 电极Fd包括层叠设置的第一导电层f1、第二导电层f2和第三导电层f3。第二 导电层f2设置在第一导电层f1和第三导电层f3之间。第一导电层f1包括凸 出于第二导电层f2的凸出部分f11。第三导电层f3包括凸出于第二导电层f2 的悬空部分f31。悬空部分f31、第二导电层f2的侧面和凸出部分f11界定形 成底切空间Ck。
第一电极13设置在驱动电路层12上。发光层15设置在第一电极13上。 第二电极16设置在发光层15上。
发光层15和第二电极16在底切空间Ck处断开设置。第二电极16延伸 至底切空间Ck内，且连接于凸出部分f31。
本申请采用辅助电极Fd作为底切结构，使得发光层15和第二电极16在辅助 电极Fd的底切空间Ck处断开。第二电极16连接辅助电极Fd的第一导电层f1，达 到降低压降的效果。辅助电极Fd作为底切结构，达到了节省额外设置底切结构 的步骤制程。
可选的，第一导电层f1设置在第二导电层f2和绝缘层之间，提高第二导 电层f2与绝缘层的附着力，降低了辅助电极Fd与绝缘层分离的风险。
可选的，第三导电层f3设置在第二导电层f2的上面，起到保护第二导电 层f2的作用，降低了在后续的热制程中第二导电层f2被氧化的风险。
可选的，第一导电层f1的活泼性弱于第二导电层f2的活泼性，第三导电 层f3的活泼性弱于第二导电层f2的活泼性。这样的设置便于在对辅助电极Fd 进行湿法蚀刻时，保证第二导电层f2的蚀刻效果强于第一导电层f1和第三导 电层f3，以形成底切空间Ck。
可选的，第二导电层f2的耐酸性能弱于第一导电层f1和第三导电层f3。
可选的，本实施例中，第一导电层f1和第三导电层f3的材料相同。第一 导电层f1的材料包括金属合金，第二导电层f2的材料为金属。
金属合金的活泼性弱于所述金属的活泼性。
可选的，在一些实施例中，第一导电层f1和第三导电层f3的材料可以也 可以不同。
在本申请中，第一导电层f1和第三导电层f3的材料可以是金属、金属合 金或金属氧化物等导电材料。比如，第一导电层f1和第三导电层f3的材料各 自可以选自钼、钛、镍钼合金、钼钛合金和镍钛合金中的一种或其任意组合。
第二导电层f2的材料可以是金属、金属合金或金属氧化物等导电材料， 比如可以选自铜、铝、银、镍、锰乃尔、镍铁合金和氧化铟锡中的一种或其任 意组合。
在一些实施例中，第一导电层f1、第二导电层f2和第三导电层f3各自也 可以是堆叠结构。
可选的，第二导电层f2的厚度大于第一导电层f1的厚度。这样的设置以 降低辅助电极Fd的阻抗，进一步降低电流压降。
可选的，驱动电路层12包括设置有基板11上的源漏导电层SD。辅助电 极Fd形成于源漏导电层SD。源漏导电层SD还包括源极s和漏极d。采用源 漏导电层SD同时形成辅助电极Fd、源极s和漏极d，可减少光罩制程，提高 制备效率。
可选的，源漏导电层SD由至少三层导电层堆叠形成。在本实施例中，由 于辅助电极Fd形成于源漏导电层SD，因此源漏导电层SD的层级结构与辅助 电极Fd的层级结构相同，且相同层的材料也相同。
在一些实施例中，辅助电极Fd和源漏导电层SD的层级结构也可以不同， 比如源漏导电层SD可以是单层结构，辅助电极Fd可以是三层结构。
在本申请的实施例以驱动电路层12包括顶栅型薄膜晶体管为例进行说明， 但并不限于此，比如可以是底栅型或双栅型薄膜晶体管。由于底栅型和双栅型 薄膜晶体管的结构是现有技术，此处不再赘述。
可选的，驱动电路层12还设置有搭接孔12a。搭接孔12a裸露辅助电极 Fd。第一导电层f1与搭接孔12a之间设置有缓冲空间Bu。
其中缓冲空间Bu的设置，使得在蒸镀形成发光层15时，通过调整蒸镀 角度，使发光层15可以更多的形成在缓冲空间Bu内，降低了发光层15进入 底切空间Ck的风险，从而提高了第二电极16与第一导电层f1的搭接面积。
具体的，驱动电路层12还包括保护层127和平坦层128。保护层127设 置在源漏导电层SD上，平坦层28设置在保护层127上。搭接孔12a贯穿平 坦层128和保护层127。
可选的，保护层127连接于辅助电极Fd的侧面。保护层127的部分延伸 覆盖辅助电极Fd的部分。
可选的，驱动电路层12还包括遮光层121、缓冲层122、有源层123、第 一绝缘层124、栅极金属层125和第二绝缘层126。
其中，遮光层121设置在基板11上。缓冲层122设置在遮光层121上。 有源层123设置在缓冲层122上，且与遮光层121重叠设置。第一绝缘层124 设置在有源层123上。栅极金属层125设置在第一绝缘层124上，栅极金属层125包括栅极Ga。第二绝缘层126设置在栅极金属层125上。源漏导电层SD 设置在第二绝缘层126上。
可选的，基板11可为硬性基板或者柔性基板。基板11的材质包括玻璃、 蓝宝石、硅、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚二甲酸乙二 醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇脂、聚碳酸酯、聚醚砜、含 有聚芳酯的芳族氟甲苯、多环烯烃、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种。
可选的，遮光层121是金属材料，如铬、钼、锰、钼钛等。
可选的，缓冲层122的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅以及有机 光阻中的至少一种，但不限于此。
可选的，有源层123的材料可以包括金属氧化物半导体、多晶硅中的至少 一种，但不限于此。
可选的，第一绝缘层124的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氧化铝、氮氧 化硅以及有机光阻中的至少一种，但不限于此。
可选的，栅极金属层125的材料可以包括铜、铝、钼铜合金、钼钛/铜、 钼钛/铜/钼钛以及钼钛/铝/钼钛中的至少一种，但不限于此。
可选的，第二绝缘层126的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氧化铝、氮氧 化硅以及有机光阻中的至少一种，但不限于此。
可选的，保护层127的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝 和氧化镁中至少一种，但不限于此。
可选的，平坦层128的材料可以包括有机透明膜层，但不限于此，比如透 明光刻胶、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯等。
可选的，第一电极13和第二电极16中的一者是阳极，第一电极13和第 二电极16中的另一者是阴极。本实施例以第一电极13为阳极，第二电极16 为阴极为例进行说明。
其中，第一电极13材料可以包括氧化铟锡、银和氧化铟锌中的至少一种， 但不限于此。第一电极13可以膜层的堆叠结构，也可以是单层结构，比如氧 化铟锡/银/氧化铟锡或氧化铟锡等。
可选的，像素定义层14的材料可以包括有机透明膜层，但不限于此，比 如透明光刻胶、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙 烯等。
可选的，发光层15的材料可以是有机材料，比如可以是Alq3、双(2-甲基 -8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、DPVBi、Almq3、3-叔丁 基-9,10-二(2-萘)蒽(TBADN)。
可选的，第二电极16的材料可以包括氧化铟锡、银和氧化铟锌中的至少 一种，但不限于此。第一电极13可以膜层的堆叠结构，也可以是单层结构， 比如氧化铟锡/银/氧化铟锡或氧化铟锡等。
请参照图4，相应的，本申请还涉及一种显示面板的制备方法，其包括以 下步骤：
步骤B1：在基板上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括辅助电极，所 述辅助电极包括层叠设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第二 导电层设置在所述第一导电层和所述第三导电层之间；
步骤B2：在所述驱动电路层上形成第一电极，在所述辅助电极上形成底 切空间；所述第一导电层包括凸出于所述第二导电层的悬空部分，所述第三导 电层包括凸出于所述第二导电层的凸出部分，所述悬空部分、所述第二导电层 的侧面和所述凸出部分界定形成所述底切空间；
步骤B3：在所述第一电极上依次形成像素定义层、发光层和第二电极； 所述发光层和所述第二电极在所述底切空间处断开设置；所述第二电极延伸至 所述底切空间内，且连接于所述凸出部分。
本申请显示面板的制备方法采用辅助电极作为底切结构，使得发光层和第 二电极在辅助电极的底切空间处断开，第二电极连接辅助电极，达到降低压降 的效果，且节省了额外设置底切结构的步骤制程。
下面对本申请实施例的显示面板的制备方法进行阐述。
请参照图5和图6，步骤B1，在基板11上形成驱动电路层12。
需要说明的是，本申请的实施例以驱动电路层12包括顶栅型薄膜晶体管 为例进行说明，但并不限于此，比如可以是底栅型或双栅型薄膜晶体管。由于 底栅型和双栅型薄膜晶体管的结构是现有技术，此处不再赘述。
可选的，步骤B1包括以下步骤：
请参照图5，步骤B11：在基板11上形成缓冲层122。
可选的，基板11可为硬性基板或者柔性基板。基板11的材质包括玻璃、 蓝宝石、硅、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚二甲酸乙二 醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇脂、聚碳酸酯、聚醚砜、含 有聚芳酯的芳族氟甲苯、多环烯烃、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种。
缓冲层122的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅以及有机光阻中的 至少一种，但不限于此。
步骤B1还可以包括步骤：在基板11上形成遮光层121。遮光层121用于 遮挡后续制程的有源层123。
可选的，遮光层121是金属材料，如铬、钼、锰、钼钛等。
随后转入步骤B12。
请参照图5，步骤B12：在缓冲层122上形成有源层123。
可选的，有源层123的材料可以包括金属氧化物半导体、多晶硅中的至少 一种，但不限于此。
随后转入步骤B13。
请参照图5，步骤B13：在缓冲层122上形层第一绝缘层124。
可选的，第一绝缘层124形成在有源层123上。第一绝缘层124的材料可 以包括氮化硅、氧化硅、氧化铝、氮氧化硅以及有机光阻中的至少一种，但不 限于此。
随后转入步骤B14。
请参照图5，步骤B14：在缓冲层122上形成栅极金属层125，栅极金属 层125包括栅极Ga。
可选的，栅极金属层125形成在第一绝缘层124上。栅极金属层125的材 料可以包括铜、铝、钼钛/铜、钼铜合金、钼钛/铜/钼钛以及钼钛/铝/钼钛中的 至少一种，但不限于此。
随后转入步骤B15。
请参照图5，步骤B15：在缓冲层122上形成第二绝缘层126。
可选的，第二绝缘层126形成在栅极金属层125上。第二绝缘层126的材 料可以包括氮化硅、氧化硅、氧化铝、氮氧化硅以及有机光阻中的至少一种， 但不限于此。
随后转入步骤B16。
请参照图5，步骤B16：在第二绝缘层126上形成源漏导电层SD，源漏 导电层SD包括辅助电极Fd、源极s和漏极d。
可选的，源漏导电层SD由至少三层导电层堆叠形成。在本实施例中，由 于辅助电极Fd形成于源漏导电层SD，因此源漏导电层SD的层级结构与辅助 电极Fd的层级结构相同，且相同层的材料也相同。
在一些实施例中，辅助电极Fd和源漏导电层SD的层级结构也可以不同， 比如源漏导电层SD可以是单层结构，辅助电极Fd可以是三层结构。
可选的，在本实施例中，辅助电极Fd包括层叠设置的第一导电层f1、第 二导电层f2和第三导电层f3。第二导电层f2设置在第一导电层f1和第三导电 层f3之间。
可选的，第一导电层f1设置在第二导电层f2和第二绝缘层126之间，提 高第二导电层f2与第二绝缘层126的附着力，降低了辅助电极Fd与第二绝缘 层126分离的风险。
可选的，第三导电层f3设置在第二导电层f2的上面，起到保护第二导电 层f2的作用，降低了在后续的热制程中第二导电层f2被氧化的风险。
可选的，第一导电层f1的活泼性弱于第二导电层f2的活泼性，第三导电 层f3的活泼性弱于第二导电层f2的活泼性。这样的设置便于后续制程在对辅 助电极Fd进行湿法蚀刻时，保证第二导电层f2的蚀刻效果强于第一导电层f1 和第三导电层f3，以形成后续的底切空间Ck。
可选的，第二导电层f2的耐酸性能弱于第一导电层f1和第三导电层f3。
可选的，第一导电层f1和第三导电层f3的材料可以相同，也可以不同； 二者材料可以是金属、金属合金或金属氧化物等导电材料。比如，第一导电层 f1和第三导电层f3的材料各自可以选自钼、钛、镍钼合金、钼钛合金和镍钛 合金中的一种或其任意组合。
第二导电层f2的材料可以是金属、金属合金或金属氧化物等导电材料， 比如可以选自铜、铝、银、镍、锰乃尔、镍铁合金和氧化铟锡中的一种或其任 意组合。
在一些实施例中，第一导电层f1、第二导电层f2和第三导电层f3各自也 可以是堆叠结构。
可选的，第二导电层f2的厚度大于第一导电层f1的厚度。这样的设置以 降低辅助电极Fd的阻抗，进一步降低电流压降。
随后转入步骤B17。
请参照图6，步骤B17：在源漏导电层SD上依次形成保护层127、平坦 层128以及搭接孔12a。搭接孔12a裸露出辅助电极Fd的至少一侧面。
可选的，保护层127覆盖辅助电极Fd的部分。
可选的，保护层127的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝 和氧化镁中至少一种，但不限于此。
可选的，平坦层128的材料可以包括有机透明膜层，但不限于此，比如透 明光刻胶、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯等。
随后转入步骤B2。
请参照图7-图11，步骤B2：在驱动电路层12上形成第一电极13，在辅 助电极Fd上形成底切空间Ck。
可选的，步骤B2包括以下步骤：
请参照图7，步骤B21：在平坦层128上形成电极材料层Px。电极材料层 Px的部分覆盖辅助电极Fd。
可选的，电极材料层Px的材料可以包括氧化铟锡、银和氧化铟锌中的至 少一种，但不限于此。第一电极13可以膜层的堆叠结构，也可以是单层结构， 比如氧化铟锡/银/氧化铟锡或氧化铟锡等。
随后转入步骤B22。
请参照图7，步骤B22：在电极材料层Px上形成光刻胶层Pr。
随后转入步骤B23。
请参照图8，步骤B23：图案化光刻胶层Pr，形成第一开孔P1和第二开 孔P2。第一开孔P1对应于搭接孔12a，第二开孔P2对应于非像素。
随后转入步骤B24。
请参照图9和图10，步骤B24：采用蚀刻液蚀刻第一开孔P1所在区域的 电极材料层Px和辅助电极Fd，以及蚀刻第二开孔P2所在区域的电极材料层 Px，在辅助电极Fd上形成底切空间Ck，且形成第一电极13。
可选的，蚀刻液可以包括磷酸、硝酸和醋酸。
在蚀刻液的作用下，第一开孔P1和第二开孔P2所在区域的电极材料层 Px内蚀刻掉，随后在第一开孔P1处裸露出辅助电极Fd，蚀刻液继续蚀刻辅 助电极Fd裸露的部分，由于第一导电层f1和第三导电层f3的耐酸性强于第 二导电层f2，或第一导电层f1的金属活泼性和第三导电层f3的金属活泼性均 弱于第二导电层f2，使得第二导电层f2被快速地蚀刻，第一导电层f1和第三 导电层f3蚀刻较慢或几乎不被蚀刻，进而形成底切空间Ck。
也即，第一导电层f1包括凸出于第二导电层f2的凸出部分f11。第三导 电层f3包括凸出于第二导电层f2的悬空部分f31。悬空部分f31、第二导电层 f2的侧面和凸出部分f11界定形成底切空间Ck。
可选的，第一导电层f1与搭接孔12a的孔壁具有缓冲空间Bu。缓冲空间 Bu的设置，使得在蒸镀形成发光层15时，通过调整蒸镀角度，使发光层15 可以更多的形成在缓冲空间Bu内，降低了发光层15进入底切空间Ck的风险， 从而提高了第二电极16与第一导电层f1的搭接面积。
随后转入步骤B25。
请参照图11，步骤B25：去除图案化的光刻胶层Pr。
随后转入步骤B3。
请参照图12，步骤B3：在第一电极13上依次形成像素定义层14、发光 层15和第二电极16。
发光层15和第二电极16在底切空间Ck处断开设置。第二电极16延伸 至底切空间Ck内，且连接于凸出部分f31。
可选的，像素定义层14的材料可以包括有机透明膜层，但不限于此，比 如透明光刻胶、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙 烯等。
可选的，发光层15的材料可以是有机材料，比如可以是Alq3、双(2-甲基 -8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、DPVBi、Almq3、3-叔丁 基-9,10-二(2-萘)蒽(TBADN)。
可选的，第二电极16的材料可以包括氧化铟锡、银和氧化铟锌中的至少 一种，但不限于此。第一电极13可以膜层的堆叠结构，也可以是单层结构， 比如氧化铟锡/银/氧化铟锡或氧化铟锡等。
这样便完成了本申请实施例的显示面板的制备方法。需要说明的是，本制 备方法可用于制备上述实施例的显示面板100。
在本申请的显示面板及其制备方法中，驱动电路层设置在基板上；驱动电 路层包括辅助电极，辅助电极包括层叠设置的第一导电层、第二导电层和第三 导电层，第二导电层设置在第一导电层和第三导电层之间，第一导电层包括凸 出于第二导电层的悬空部分，第三导电层包括凸出于第二导电层的凸出部分， 悬空部分、第二导电层的侧面和凸出部分界定形成底切空间；发光层和第二电 极在底切空间处断开设置；第二电极延伸至底切空间内，且连接于凸出部分。
也就是说，本申请采用辅助电极作为底切结构，使得发光层和第二电极在 辅助电极的底切空间处断开，第二电极连接辅助电极，达到降低压降的效果， 且节省了额外设置底切结构的步骤制程。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介 绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施 例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的 技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处， 综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (13)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
驱动电路层，所述驱动电路层设置在所述基板上；所述驱动电路层包括辅助电极，所述辅助电极包括层叠设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第二导电层设置在所述第一导电层和所述第三导电层之间，所述第一导电层包括凸出于所述第二导电层的凸出部分，所述第三导电层包括凸出于所述第二导电层的悬空部分，所述悬空部分、所述第二导电层的侧面和所述凸出部分界定形成底切空间；
第一电极，所述第一电极设置在所述驱动电路层上；以及
发光层和第二电极，所述发光层设置在所述第一电极上，所述第二电极设置在所述发光层上；所述发光层和所述第二电极在所述底切空间处断开设置；所述第二电极延伸至所述底切空间内，且连接于所述凸出部分。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层包括设置有所述基板上的源漏导电层，所述辅助电极形成于所述源漏导电层，所述源漏导电层还包括源极和漏极。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层的活泼性弱于所述第二导电层的活泼性，所述第三导电层的活泼性弱于所述第二导电层的活泼性。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，第二导电层的厚度大于所述第一导电层的厚度。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层和所述第三导电层的材料相同，所述第一导电层的材料包括金属合金，所述第二导电层的材料为金属；
所述金属合金的活泼性弱于所述金属的活泼性。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层还包括保护层和平坦层，所述保护层设置在所述源漏导电层上，所述平坦层设置在所述保护层上；所述驱动电路层设置有搭接孔，所述搭接孔贯穿平坦层和所述保护层；
所述搭接孔裸露所述辅助电极，所述第一导电层与所述搭接孔之间设置有缓冲空间。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述保护层连接于所述辅助电极的侧面，所述保护层的部分延伸覆盖所述辅助电极的部分。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括辅助电极，所述辅助电极包括层叠设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第二导电层设置在所述第一导电层和所述第三导电层之间；
在所述驱动电路层上形成第一电极，在所述辅助电极上形成底切空间；所述第一导电层包括凸出于所述第二导电层的悬空部分，所述第三导电层包括凸出于所述第二导电层的凸出部分，所述悬空部分、所述第二导电层的侧面和所述凸出部分界定形成所述底切空间；
在所述第一电极上依次形成像素定义层、发光层和第二电极；所述发光层和所述第二电极在所述底切空间处断开设置；所述第二电极延伸至所述底切空间内，且连接于所述凸出部分。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在基板上形成驱动电路层，包括以下步骤：
在所述基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成有源层；
在所述缓冲层上形层第一绝缘层；
在所述缓冲层上形成栅极金属层，所述栅极金属层包括栅极；
在所述缓冲层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成源漏导电层，所述源漏导电层包括辅助电极、源极和漏极；
在所述源漏导电层上依次形成保护层、平坦层以及搭接孔，所述搭接孔裸露出所述辅助电极的至少一侧面。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一导电层与所述搭接孔的孔壁具有缓冲空间。
11.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述驱动电路层上形成第一电极，在所述辅助电极上形成底切空间，包括以下步骤：
在所述平坦层上形成电极材料层；所述电极材料层的部分覆盖所述辅助电极；
在所述电极材料层上形成光刻胶层；
图案化所述光刻胶层，形成第一开孔和第二开孔；所述第一开孔对应于所述搭接孔，所述第二开孔对应于非像素区；
采用蚀刻液蚀刻所述第一开孔所在区域的所述电极材料层和所述辅助电极，以及蚀刻所述第二开孔所在区域的所述电极材料层，在所述辅助电极上形成所述底切空间，且形成所述第一电极；
去除所述图案化的光刻胶层。
12.根据权利要求11所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一导电层的活泼性弱于所述第二导电层的活泼性，所述第三导电层的活泼性弱于所述第二导电层的活泼性。
13.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第二导电层的厚度大于所述第一导电层的厚度。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116782712A (zh) * | 2023-08-24 | 2023-09-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| WO2024011655A1 (zh) * | 2022-07-15 | 2024-01-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101465368B (zh) * | 2007-12-18 | 2011-07-27 | 索尼株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
| CN110071225A (zh) * | 2019-04-08 | 2019-07-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及制作方法 |
| CN111047994A (zh) * | 2014-09-22 | 2020-04-21 | 索尼公司 | 显示装置、制造显示装置的方法以及电子装置 |
| CN111969034A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-11-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN112289946A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-01-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN112289945A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-01-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板制作方法 |
| CN113130593A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 三星显示有限公司 | 显示装置及制造显示装置的方法 |
| CN113345945A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN113871430A (zh) * | 2021-09-17 | 2021-12-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制造方法、显示终端 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101155903B1 (ko) * | 2010-03-09 | 2012-06-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20120039946A (ko) * | 2010-10-18 | 2012-04-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN110911461B (zh) * | 2019-11-26 | 2023-06-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
| KR20210158617A (ko) * | 2020-06-24 | 2021-12-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20220037888A (ko) * | 2020-09-18 | 2022-03-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN113097407A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| CN113097406A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| CN113097412A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| US20220384559A1 (en) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel, manufacturing method thereof, and display device |
-
2021
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Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101465368B (zh) * | 2007-12-18 | 2011-07-27 | 索尼株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
| CN111047994A (zh) * | 2014-09-22 | 2020-04-21 | 索尼公司 | 显示装置、制造显示装置的方法以及电子装置 |
| CN110071225A (zh) * | 2019-04-08 | 2019-07-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及制作方法 |
| CN113130593A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 三星显示有限公司 | 显示装置及制造显示装置的方法 |
| CN111969034A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-11-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN112289946A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-01-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN112289945A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-01-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板制作方法 |
| CN113345945A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN113871430A (zh) * | 2021-09-17 | 2021-12-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制造方法、显示终端 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024011655A1 (zh) * | 2022-07-15 | 2024-01-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法 |
| CN116782712A (zh) * | 2023-08-24 | 2023-09-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN116782712B (zh) * | 2023-08-24 | 2023-11-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| WO2023087336A1 (zh) | 2023-05-25 |
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