CN111969034A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示面板及其制备方法，在显示面板中，本申请通过在第二辅助电极的下方形成底切结构，使阴极与第一辅助电极具有搭接区域，且阴极和第一辅助电极连接，进而达到改善显示面板的电流压降的效果。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及一种显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
在现有的有机发光二极管显示面板中，为了增大顶发射的透过率，金属阴极的厚度较薄，造成方阻较大，电流压降(IR-drop)严重，导致显示面板有明显的亮度不均匀现象，严重影响了OLED显示装置的显示效果。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有的有机发光二极管显示面板因阴极厚度较薄，造成方阻较大，电流压降严重的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板，其包括：
在阵列基板上形成图案化的第二辅助电极，所述阵列基板包括形成有第一过孔的保护层，所述第一过孔裸露第一辅助电极，所述第二辅助电极延伸入所述第一过孔并与所述第一辅助电极相连；
底切结构，所述底切结构形成在所述保护层且延伸至所述第二辅助电极的正下方，所述底切结构裸露所述第一辅助电极；
平坦层，所述平坦层设置在所述第二辅助电极和所述保护层上；
阳极，所述阳极设置在所述平坦层上；
像素定义层，所述像素定义层设置在所述阳极和所述平坦层上，所述像素定义层形成有连通所述底切结构的第一开口；
有机发光层，所述有机发光层设置在所述像素定义层上，所述有机发光层不完全覆盖所述第一辅助电极的裸漏部分；以及
阴极，所述阴极设置在所述有机发光层上，所述阴极延伸入所述底切结构且与所述第一辅助电极相连。
在本申请实施例所述的显示面板中，所述底切结构裸露所述第二辅助电极，所述阴极通过所述底切结构与所述第二辅助电极相连。
在本申请实施例所述的显示面板中，所述阵列基板包括源极和漏极，所述第一辅助电极、所述源极和所述漏极同层设置。
在本申请实施例所述的显示面板中，所述保护层形成有裸露所述第一辅助电极的第一过孔，所述第二辅助电极延伸入所述第一过孔并与所述第一辅助电极相连；
所述平坦层形成有裸露所述源极的第二过孔，所述阳极延伸入所述第二过孔并与所述源极相连；
所述像素定义层形成有裸露所述阳极的第二开口，所述有机发光层延伸入所述第二开口。
本申请还涉及一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
在阵列基板上形成图案化的第二辅助电极，所述阵列基板包括形成有第一过孔的保护层，所述第一过孔裸露第一辅助电极，所述第二辅助电极延伸入所述第一过孔并与所述第一辅助电极相连；
在所述保护层对应于所述第一辅助电极的区域形成底切结构，所述底切结构延伸至所述第二辅助电极的正下方，且裸露所述第一辅助电极；
在所述保护层上形成平坦层；
在所述平坦层上形成阳极；
在所述阳极上形成像素定义层，所述像素定义层形成有连通所述底切结构的第一开口；
在所述像素定义层上形成有机发光层，所述有机发光层不完全覆盖所述第一辅助电极的裸漏部分；
在所述有机发光层上形成阴极，所述阴极延伸入所述底切结构且与所述第一辅助电极相连。
在本申请实施例所述的显示面板的制备方法中，在所述保护层对应于所述第一辅助电极的区域形成底切结构，包括以下步骤：
在所述保护层上形成一光刻胶层，所述光刻胶层对应于待形成的底切结构的区域形成一缺口，所述缺口裸露所述保护层；
蚀刻所述保护层，以形成所述底切结构；
去除所述光刻胶层。
在本申请实施例所述的显示面板的制备方法中，在所述像素定义层上形成有机发光层，具体包括：
在所述第一设定角度的方向上，所述底切结构伸入所述第二辅助电极正下方的部分被所述第二辅助电极遮挡；
在所述像素定义层上形成有机发光层，所述有机发光层延伸入所述底切结构未被所述第二辅助电极遮挡的部分。
在本申请实施例所述的显示面板的制备方法中，在所述有机发光层上形成阴极，包括：
所述阴极延伸入所述底切结构且与所述第一辅助电极裸露的部分相连。
在本申请实施例所述的显示面板的制备方法中，在所述有机发光层上形成阴极，包括：
在所述有机发光层上形成连续的阴极，所述阴极延伸入所述底切结构且分别与所述第一辅助电极和所述第二辅助电极裸露的部分相连。
在本申请实施例所述的显示面板的制备方法中，所述阵列基板包括源极和漏极，所述第一辅助电极、所述源极和所述漏极同层设置；
在所述保护层上形成平坦层，包括：
在所述保护层上形成图案化的平坦层，所述平坦层上形成有裸露所述源极的第二过孔；
在所述平坦层上形成阳极，包括：
在所述平坦层上形成阳极，所述阳极延伸入所述第二过孔并与所述源极相连；
在所述阳极上形成像素定义层，包括：
在所述阳极上形成像素定义层，所述像素定义层形成有裸露所述阳极的第二开口；
在所述像素定义层上形成有机发光层，包括：
在所述像素定义层上形成有机发光层，所述有机发光层延伸入所述第二开口。
本申请的显示面板及其制备方法通过在第二辅助电极的下方形成底切结构，使后续的阴极与第一辅助电极具有搭接区域，进而达到改善显示面板的电流压降的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请实施例的显示面板的结构示意图；
图2为本申请实施例的显示面板的制备方法的流程示意图；
图3为本申请实施例的显示面板的制作方法的步骤S1的示意图；
图4为本申请实施例的显示面板的制作方法的步骤S2的示意图；
图5为本申请实施例的显示面板的制作方法的步骤S3的示意图；
图6为本申请实施例的显示面板的制作方法的步骤S4的示意图；
图7为本申请实施例的显示面板的制作方法的步骤S5的示意图；
图8为本申请实施例的显示面板的制作方法的步骤S6的示意图；
图9为本申请实施例的显示面板的制作方法的步骤S7的示意图；
图10为本申请实施例的显示面板的制作方法的步骤S7的另一示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参照图1，图1为本申请实施例的显示面板的结构示意图。
本申请实施例提供一种显示面板100，其包括阵列基板11、第二辅助电极12、底切结构13、平坦层14、阳极15、像素定义层16、有机发光层17和阴极18。
具体的，所述阵列基板11包括：设在衬底基板101上方的且同层设置的遮光金属层102和第一电极板103，于遮光金属层102上设置缓冲层104，在缓冲层104上同层设置非晶氧化物半导体层105和第二电极板106，依次于所述非晶氧化物半导体层105上的栅极绝缘层107、第一金属导电层108，覆盖非晶氧化物半导体层105、第二电极板106、栅极绝缘层107、第一金属导电层108的绝缘隔绝层109，于所述绝缘隔绝层109上的同层设置的第一辅助电极110、源极111和漏极112，以及设置在绝缘隔绝层109、第一辅助电极110、源极111和漏极112之上的保护层113。其中第一电极板103和第二电极板106形成电容结构。
所述第二辅助电极12设置在所述保护层113上，且与所述第一辅助电极110相连。
所述底切结构13形成在所述保护层113且延伸至所述第二辅助电极12的正下方。所述底切结构13裸露所述第一辅助电极110。
所述平坦层14设置在所述第二辅助电极12和所述保护层113上。
所述阳极15设置在所述平坦层14上。
所述像素定义层16设置在所述阳极15和所述平坦层14上，所述像素定义层16形成有连通所述底切结构13的第一开口161。
所述有机发光层17设置在所述像素定义层16上。所述有机发光层17不完全覆盖所述第一辅助电极110的裸漏部分。具体的，所述有机发光层17延伸入所述底切结构13且覆盖裸露的所述第一辅助电极110的部分。
所述阴极18设置在所述有机发光层17上。所述阴极18通过所述底切结构13与所述第一辅助电极110相连。在本实施例中，具体的，所述阴极18延伸入所述底切结构13且与所述第一辅助电极110裸露的部分相连。当然阴极18连接于第一辅助电极110还可以有其他的连接方式，比如连接于第一辅助电极110的其他部分。
本实施例的显示面板100通过在第二辅助电极12的下方形成底切结构13，使后续的阴极18与第一辅助电极110具有搭接区域，即阴极18与第一辅助电极110相连，进而达到改善显示面板100的电流压降的效果。
其中，一方面：第二辅助电极12与第一辅助电极110相连形成辅助电极组合，提高辅助电极组合的面积，进而提高改善IR drop的效果；另一方面，第二辅助电极12为底切结构13上方提供直接支撑，便于后续更好的形成膜层以及形成下文的隔断部。
可选的，第二辅助电极12可以是单层的金属层，比如Mo，Al，Cu，Ti等；也可以是多层结构，比如Mo/Al/Mo、Al/Mo、Mo/Cu、MoTi/Cu等；但并不限于以上材料。另外，第二辅助电极12的厚度介于500埃至20000埃之间，比如为500埃、1000埃、2000埃、5000埃、10000埃和20000埃。
具体的，本实施例的底切结构13的设置使得对应于底切结构13区域的第二辅助电极12、平坦层14和像素定义层16堆叠形成一隔断部。由于所述隔断部的存在，使得后续有机发光层17在隔断部处出现断开现象，避免了有机发光层17的连续性，为后续阴极18直接连接第一辅助电极110提供了基础；也就是说，在蒸镀有机发光层17时，调整蒸镀源的蒸镀角度，利用底切结构13上方的隔断部为掩模，使得蒸镀源的蒸镀材料未覆盖被隔断部遮挡的第一辅助电极110的部分，进而使得第一辅助电极110预留了与阴极18搭接的区域。
随后，采用蒸镀工艺并调节蒸镀源的蒸镀角度，使阴极材料在蒸镀的过程中覆盖整个底切结构，以实现阴极18与第一辅助电极110相连。
在一些实施例中，请参照图10，在完成了上述有机发光层17的制备后，也可以采用溅射成膜的方式在有机发光层17上形成阴极18。也即，所述底切结构13还裸露所述第二辅助电极12。所述阴极18延伸入所述底切结构13且还与裸露的所述第二辅助电极12相连。届时，阴极18为一连续的膜层。
其中，采用溅射成膜的方式形成阴极18，一方面提高了与辅助电极组合的连接面积，降低连接阻抗，且提高制备效率。
在本实施例所述的显示面板100中，所述第一辅助电极110、所述源极111和所述漏极112的材料相同。
所述保护层113形成有裸露所述第一辅助电极110的第一过孔114，所述第二辅助电极12延伸入所述第一过孔114并与所述第一辅助电极110相连。
所述平坦层14形成有裸露所述源极111的第二过孔141，所述阳极15延伸入所述第二过孔141并与所述源极111相连。在一些实施例中，阳极15可以与漏极112相连。至于阳极15是连接于源极111还是漏极112可根据薄膜晶体管的类型而定，此处不再赘述。
另外，可选的，平坦层14的厚度介于1.0微米至4.0微米之间，比如1.0微米、2.0微米、3.0微米和4.0微米等。
像素定义层16形成有裸露所述阳极15的第二开口162，所述有机发光层17延伸入所述第二开口162。
另外，阳极15可以是单层结构或复合层结构，比如可以是ITO、IZO、WOx单膜；也可以是ITO/Ag/ITO、IZO/Ag/IZO、ITO/Al/ITO或者IZO/Al/IZO等。
在本实施例的显示面板100中，底切结构13深入第二辅助电极12侧的深度介于0.1微米至5微米之间，比如为0.1微米、0.5微米、1微米、2微米、4微米和5微米等。其中，当所述深入深度小于0.1时，阴极18与第一辅助电极110的搭接面积过小，致使阻抗过大进而降低改善IR drop的效果；当所述深入深度大于5微米时，第二辅助电极12会出现塌陷情况。
请参图2，本申请还涉及上述实施例显示面板100的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
步骤S1：在阵列基板上形成图案化的第二辅助电极，所述阵列基板包括形成有第一过孔的保护层，所述第一过孔裸露第一辅助电极，所述第二辅助电极延伸入所述第一过孔并与所述第一辅助电极相连；
步骤S2：在所述保护层对应于所述第一辅助电极的区域形成底切结构，所述底切结构延伸至所述第二辅助电极的正下方，且裸露所述第一辅助电极；
步骤S3：在所述保护层上形成平坦层；
步骤S4：在所述平坦层上形成阳极；
步骤S5：在所述阳极上形成像素定义层，所述像素定义层形成有连通所述底切结构的第一开口；
步骤S6：在所述像素定义层上形成有机发光层，所述有机发光层不完全覆盖所述第一辅助电极的裸漏部分；
步骤S7：在所述有机发光层上形成阴极，所述阴极延伸入所述底切结构且与所述第一辅助电极相连。
本实施例的显示面板100的制备方法通过在第二辅助电极12的下方形成底切结构13，使后续的阴极18与第一辅助电极110具有搭接区域，即阴极18与第一辅助电极110相连，进而达到改善显示面板100的电流压降的效果。
下文对本实施例的显示面板100的制备方法进行阐述。
步骤S1：在阵列基板11上形成图案化的第二辅助电极12。
具体的，请参照图3，所述阵列基板11包括形成有第一过孔114的保护层113，所述第一过孔114裸露第一辅助电极110，所述第二辅助电极12延伸入所述第一过孔114并与所述第一辅助电极110相连。
在图3所示的实施例中，所述阵列基板11包括：设在衬底基板101上方的且同层设置的遮光金属层102和第一电极板103，于遮光金属层102上设置缓冲层104，在缓冲层104上同层设置非晶氧化物半导体层105和第二电极板106，依次于所述非晶氧化物半导体层105上的栅极绝缘层107、第一金属导电层108，覆盖非晶氧化物半导体层105、第二电极板106、栅极绝缘层107、第一金属导电层108的绝缘隔绝层109，于所述绝缘隔绝层109上的同层设置的第一辅助电极110、源极111和漏极112，以及设置在绝缘隔绝层109、第一辅助电极110、源极111和漏极112之上的保护层113。其中第一电极板103和第二电极板106形成电容结构。
所述第一辅助电极110、所述源极111和所述漏极112的材料相同。
其中，一方面：第二辅助电极12与第一辅助电极110相连形成辅助电极组合，提高辅助电极组合的面积，进而提高改善IR drop的效果；另一方面，第二辅助电极12为后续底切结构13上方提供直接支撑，便于后续更好的形成膜层以及形成隔断部。
可选的，第二辅助电极12可以是单层的金属层，比如Mo，Al，Cu，Ti等；也可以是多层结构，比如Mo/Al/Mo、Al/Mo、Mo/Cu、MoTi/Cu等；但并不限于以上材料。另外，第二辅助电极12的厚度介于500埃至20000埃之间，比如为500埃、1000埃、2000埃、5000埃、10000埃和20000埃。
步骤S2：在所述保护层113对应于所述第一辅助电极110的区域形成底切结构13。
具体的，请参照图4，所述底切结构13延伸至所述第二辅助电极12的正下方，且裸露所述第一辅助电极110。
步骤S2包括以下步骤：
S21：在所述保护层113上形成一光刻胶层PR，所述光刻胶层PR对应于待形成的底切结构13的区域形成一缺口D，所述缺口D裸露所述保护层113。
其中，采用黄光工艺在光刻胶层PR对应于待形成的底切结构13的区域形成所述缺口D。
S22：采用湿法蚀刻工艺蚀刻所述保护层113，以形成所述底切结构13。
其中，在进行湿法蚀刻时，可通过调整刻蚀时长，控制底切结构13深入第二辅助电极12侧的深度d1。
可选的，底切结构13深入第二辅助电极12侧的深度d1介于0.1微米至5微米之间，比如为0.1微米、0.5微米、1微米、2微米、4微米和5微米等。其中，当所述深入深度d1小于0.1时，阴极18与第一辅助电极110的搭接面积过小，致使阻抗过大进而降低改善IR drop的效果；当所述深入深度大于5微米时，第二辅助电极12会出现塌陷情况。
当然，阴极18与第一辅助电极110的搭接面积的大小还取决于后续有机发光层17蒸镀时蒸镀源的蒸镀角度，即蒸镀源蒸镀方向越朝向底切结构13的被第二辅助电极12遮挡的部分，有机发光层17覆盖第一辅助电极110的范围越大，进而阴极18与第一辅助电极110的搭接面积越小。
S23：去除所述光刻胶层PR。
随后转入步骤S3。
步骤S3：在所述保护层113上形成平坦层14。
具体的，请参照图5，在所述保护层113上形成图案化的平坦层14，在平坦层14对应于底切结构13的区域和对应于源极111的区域分别形成开口和裸露所述源极111的第二过孔141。所述开口连通底切结构13，且底切结构13内未填充平坦层14的材料。
可选的，平坦层14的厚度介于1.0微米至4.0微米之间，比如1.0微米、2.0微米、3.0微米和4.0微米等。
其中，所述平坦层14是化学气相沉积方式沉积的薄膜或聚酰亚胺材料，或者是薄膜和聚酰亚胺材料的结合；所述图案化制程至少包含涂覆光阻、曝光、显影等制程，但不限于以上制程步骤。
步骤S4：在所述平坦层14上形成阳极15。
具体的，请参照图6，阳极15形成于所述平坦层14对应于源极111的区域。所述阳极15延伸入所述第二过孔141并与所述源极111相连。在一些实施例中，阳极15可以与漏极112相连。至于阳极15是连接于源极111还是漏极112可根据薄膜晶体管的类型而定，此处不再赘述。
可选的，阳极15可以是单层结构或复合层结构，比如可以是ITO、IZO、WOx单膜；也可以是ITO/Ag/ITO、IZO/Ag/IZO、ITO/Al/ITO或者IZO/Al/IZO等。
步骤S5：在所述阳极15上形成像素定义层16。
请参照图7，所述像素定义层16形成有连通所述底切结构13的第一开口161和裸露出阳极15的第二开口162。底切结构13内未填充有像素定义层16的材料。
步骤S6：在所述像素定义层16上形成有机发光层17，所述有机发光层17不完全覆盖所述第一辅助电极110的裸漏部分，以及有机发光层17延伸入第二开口162。
请参照图8，步骤S6包括：
步骤S61：调整蒸镀源c的蒸镀角度至第一设定角度a1，在所述第一设定角度a1的方向上，所述底切结构13伸入所述第二辅助电极12正下方的部分被所述第二辅助电极12遮挡。
可选的，第一设定角度a1为逆时针方向的0度～45度，当并不限于此。具体的度数可根据有机发光层17的覆盖范围而定。
比如，根据图8可知，底切结构13的设置使得对应于底切结构13区域的第二辅助电极12、平坦层14和像素定义层16堆叠形成一隔断部。由于所述隔断部的存在，使得后续有机发光层17在隔断部处出现断开现象，避免了有机发光层17的连续性，为后续阴极18直接连接第一辅助电极110提供了基础；也就是说，在蒸镀有机发光层17时，调整蒸镀源c的蒸镀角度，利用底切结构13上方的隔断部为掩模，使得蒸镀源c的蒸镀材料未覆盖被隔断部遮挡的第一辅助电极110的部分，进而使得第一辅助电极110预留了与阴极18搭接的区域。
另外，蒸镀源c蒸镀方向越朝向底切结构13的被第二辅助电极12遮挡的部分，有机发光层17覆盖第一辅助电极110的范围越大，进而阴极18与第一辅助电极110的搭接面积越小。
随后转入步骤62。
步骤S62：在所述像素定义层16上蒸镀有机发光材料形成有机发光层17，所述有机发光层17延伸入所述底切结构13未被所述第二辅助电极12遮挡的部分。
步骤S7：在所述有机发光层17上形成阴极18，所述阴极18延伸入所述底切结构13与所述第一辅助电极110相连。
可选的，所述阴极18延伸入所述底切结构13与所述第一辅助电极110裸露的部分相连。
具体的，请参照图9，步骤S7包括：
步骤S71：调整蒸镀源c的蒸镀角度至第二设定角度a2，在所述第二设定角度a2的方向上，所述底切结构13完全暴露在所述蒸镀源c的蒸镀范围内。
可选的，第二设定角度a2为顺时针方向的0度～45度，当并不限于此。具体的度数可根据阴极18的覆盖范围而定。
步骤S72：在所述有机发光层17上蒸镀导电材料形成阴极18，所述阴极18延伸入所述底切结构13且与所述第一辅助电极110裸露的部分相连。
在一些实施例中，请参照图10，步骤S7为在所述有机发光层17上形成连续的阴极18，所述阴极18延伸入所述底切结构13且分别与所述第一辅助电极110和所述第二辅助电极12裸露的部分相连。
可选的，采用采用溅射工艺的方式形成阴极18。采用溅射成膜的方式形成阴极18，一方面提高了与辅助电极组合的连接面积，降低连接阻抗，且提高制备效率。
这样便完成本实施例的显示面板100的制备方法。
本申请的显示面板及其制备方法通过在第二辅助电极的下方形成底切结构，使后续的阴极与第一辅助电极具有搭接区域，进而达到改善显示面板的电流压降的效果。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，所述阵列基板包括第一辅助电极和设置在所述第一辅助电极上的保护层；
第二辅助电极，所述第二辅助电极设置在所述保护层上，且与所述第一辅助电极相连；
底切结构，所述底切结构形成在所述保护层且延伸至所述第二辅助电极的正下方，所述底切结构裸露所述第一辅助电极；
平坦层，所述平坦层设置在所述第二辅助电极和所述保护层上；
阳极，所述阳极设置在所述平坦层上；
像素定义层，所述像素定义层设置在所述阳极和所述平坦层上，所述像素定义层形成有连通所述底切结构的第一开口；
有机发光层，所述有机发光层设置在所述像素定义层上，所述有机发光层不完全覆盖所述第一辅助电极的裸漏部分；以及
阴极，所述阴极设置在所述有机发光层上，所述阴极延伸入所述底切结构且与所述第一辅助电极相连。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极通过所述底切结构与所述第二辅助电极相连。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括源极和漏极，所述第一辅助电极、所述源极和所述漏极同层设置。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述保护层形成有裸露所述第一辅助电极的第一过孔，所述第二辅助电极延伸入所述第一过孔并与所述第一辅助电极相连；
所述平坦层形成有裸露所述源极的第二过孔，所述阳极延伸入所述第二过孔并与所述源极相连；
所述像素定义层形成有裸露所述阳极的第二开口，所述有机发光层延伸入所述第二开口。
5.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在阵列基板上形成图案化的第二辅助电极，所述阵列基板包括形成有第一过孔的保护层，所述第一过孔裸露第一辅助电极，所述第二辅助电极延伸入所述第一过孔并与所述第一辅助电极相连；
在所述保护层对应于所述第一辅助电极的区域形成底切结构，所述底切结构延伸至所述第二辅助电极的正下方，且裸露所述第一辅助电极；
在所述保护层上形成平坦层；
在所述平坦层上形成阳极；
在所述阳极上形成像素定义层，所述像素定义层形成有连通所述底切结构的第一开口；
在所述像素定义层上形成有机发光层，所述有机发光层不完全覆盖所述第一辅助电极的裸漏部分；
在所述有机发光层上形成阴极，所述阴极延伸入所述底切结构且与所述第一辅助电极相连。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述保护层对应于所述第一辅助电极的区域形成底切结构，包括以下步骤：
在所述保护层上形成一光刻胶层，所述光刻胶层对应于待形成的底切结构的区域形成一缺口，所述缺口裸露所述保护层；
蚀刻所述保护层，以形成所述底切结构；
去除所述光刻胶层。
7.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述像素定义层上形成有机发光层，具体包括：
在第一设定角度的方向上，所述底切结构伸入所述第二辅助电极正下方的部分被所述第二辅助电极遮挡；
在所述像素定义层上形成有机发光层，所述有机发光层延伸入所述底切结构未被所述第二辅助电极遮挡的部分。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述有机发光层上形成阴极，包括：
所述阴极延伸入所述底切结构且与所述第一辅助电极裸露的部分相连。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述有机发光层上形成阴极，包括：
在所述有机发光层上形成连续的阴极，所述阴极延伸入所述底切结构且分别与所述第一辅助电极和所述第二辅助电极裸露的部分相连。
10.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括源极和漏极，所述第一辅助电极、所述源极和所述漏极同层设置；
在所述保护层上形成平坦层，包括：
在所述保护层上形成图案化的平坦层，所述平坦层上形成有裸露所述源极的第二过孔；
在所述平坦层上形成阳极，包括：
在所述平坦层上形成阳极，所述阳极延伸入所述第二过孔并与所述源极相连；
在所述阳极上形成像素定义层，包括：
在所述阳极上形成像素定义层，所述像素定义层形成有裸露所述阳极的第二开口；
在所述像素定义层上形成有机发光层，包括：
在所述像素定义层上形成有机发光层，所述有机发光层延伸入所述第二开口。
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