CN114188379A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板及显示装置，所述显示面板包括：TFT层；辅助电极；保护层，设有第一开口；连接层，位于所述保护层上，包括连接部和遮挡部，所述遮挡部和所述保护层设有底切开口；第一电极，位于所述连接层上；以及第二电极，位于所述连接层上；其中，所述第一电极在所述第一开口处通过所述连接部电性连接于所述TFT层，所述第二电极通过所述底切开口电性连接于所述辅助电极。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及一种显示装置。
背景技术
顶发光OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)具有轻薄、色域广、视角宽、低功耗及高分辨率等优点，在智能家电、可穿戴设备等方面具有广泛的应用前景，如4K、8K等高解析度电视。顶发光OLED显示器的阳极为反射率高的金属或金属氧化物，阴极为高透过率的金属或氧化物，如此便使得光从阴极面发出，然而目前顶发光的阴极材料一般为IZO、Ag、Mg等，IZO为透明金属氧化物，但其电阻值比较高，Mg、Ag的电阻值低，但为了保证较高的透过率，所以使用Mg、Ag做阴极时膜层不能太厚，这样一来不管是使用IZO透明阴极还是Mg、Ag金属阴极都会造成较大的面电阻，导致显示屏边缘与中心存在IR Drop(压降)，进而导致在显示过程中出现边缘发亮，中心发暗的亮度不均现象。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及一种显示装置，可以改善显示面板的边缘和中心的亮度不均匀的问题。
本发明实施例提供一种显示面板，包括：TFT层，包括TFT；辅助电极；保护层，位于所述TFT层和所述辅助电极上；连接层，位于所述保护层上，包括遮挡部，所述遮挡部和所述保护层设有底切开口；第一电极，位于所述连接层上，电性连接于所述TFT；第二电极，位于所述连接层上；以及发光层，位于所述连接层上，电性连接于所述第一电极和所述第二电极；其中，所述发光层在所述底切开口处断开，所述第二电极通过所述底切开口电性连接于所述辅助电极。
在一些实施例中，所述发光层包括在所述底切开口处断开的第一部分，所述第二电极包括在所述底切开口处断开的第二部分，所述第二部分位于所述第一部分上，且通过所述底切开口电性连接于所述辅助电极。
在一些实施例中，所述第二部分通过所述底切开口直接接触所述辅助电极，所述第二部分与所述辅助电极的接触部分被所述遮挡部遮挡。
在一些实施例中，所述TFT层包括源漏极层，所述源漏极层包括所述TFT的漏极，所述保护层设有第一开口，所述连接层包括连接部，所述第一电极在所述第一开口处通过所述连接部电性连接于所述TFT的所述漏极。
在一些实施例中，所述辅助电极与所述漏极同层且材料相同。
在一些实施例中，所述源漏极层还包括位于所述显示面板的非显示区的焊盘，所述保护层设有暴露所述焊盘的第四开口，所述连接层还包括通过所述第四开口电性连接于所述焊盘的保护部，在俯视视角下，所述保护部完全覆盖所述焊盘。
在一些实施例中，所述显示面板还包括位于所述第一电极、所述第二电极和所述发光层上的封装层、位于所述封装层和所述连接层之间的中间膜层以及填充层，所述中间膜层设有连通所述底切开口的第三开口，所述填充层填充所述第三开口并支撑所述封装层。
在一些实施例中，所述中间膜层包括位于所述连接层和所述第一电极之间的平坦层，以及位于所述第一电极和所述发光层之间的像素定义层，所述第三开口设于所述第二电极、所述发光层、所述像素定义层和所述平坦层，所述填充层接触所述封装层。
本发明的实施例提供一种显示面板，包括：TFT层，包括TFT；辅助电极；保护层，位于所述TFT层和所述辅助电极上，设有第一开口；连接层，位于所述保护层上，包括连接部和遮挡部，所述遮挡部与所述保护层设有第二开口，所述第二开口的下部宽度大于所述第二开口的上部宽度；第一电极，位于所述连接层上；第二电极，位于所述第一电极上；以及发光层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；其中，所述连接层的材料包括钼和/或钛，所述第一电极在所述第一开口处通过所述连接部电性连接于所述TFT，所述发光层在所述第二开口处断开，所述第二电极通过所述第二开口电性连接于所述辅助电极。本发明的实施例提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
在本发明的实施例提供的显示面板和显示装置中，在TFT层和第一电极之间设置连接层，通过连接层的遮挡部和保护层形成稳定的底切开口，使得第二电极通过底切开口电性连接于辅助电极，可有效、稳定地降低第二电极的电阻，进而降低第二电极的IR Drop，改善显示面板的边缘和中心的亮度不均匀的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的显示面板的截面示意图；
图3是本发明实施例提供的显示面板的截面示意图；
图4是图3中A部分的放大图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
如图1所示，本发明的实施例提供一种显示面板100，具有显示区101和非显示区102，其中显示区101用于放置像素及像素驱动电路以实现发光，非显示区102用于设置周边电路，为像素驱动电路提供各种信号，以实现对像素的发光控制。所述显示面板100可以是OLED显示面板100。
请参阅图2，所述显示面板100，包括衬底1、TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)层2、辅助电极3、保护层4、连接层5、第一电极61、发光层60和第二电极62。TFT层2包括位于显示区101的多个TFT20，多个TFT20可组成像素驱动电路，多个电信号从非显示区102被输入至显示区101，藉由多个TFT20实现对第一电极61和第二电极62之间的电流的控制，从而控制发光层60发光。
所述衬底1，可以包括玻璃等刚性材料，也可以包括塑料、聚合物如聚酰亚胺等柔性材料。
所述TFT层2，位于所述衬底1之上，包括依次堆叠的遮光层21、缓冲层22、有源层23、栅极绝缘层24、栅极层25、层间绝缘层26、源漏层27。其中，所述遮光层21在仰视视角下覆盖至少部分所述有源层23，用于为所述有源层23遮光，所述遮光层21的材料可以包括黑色金属。所述缓冲层22可以包括氮化硅或氧化硅等无机材料。所述有源层23可以包括含硅的半导体材料如非晶硅、单晶硅或多晶硅，或者氧化物半导体材料如IGZO(Indium GalliumZinc Oxide，铟镓锌氧化物)、ZnO等金属氧化物。所述栅极绝缘层24可以包括氮化硅或氧化硅等无机材料。所述栅极层25可以包括用于形成TFT20的栅极250，所述栅极250正对所述有源层23的沟道区，以实现TFT20的开关控制。所述栅极层25可以包括Mo或者Ti等金属材料。所述层间绝缘层26可以包括氧化硅等无机材料。所述源漏层27可以包括用于形成TFT20的源极271和漏极272，所述源极271和所述漏极272通过贯穿所述层间绝缘层26的通孔分别电性连接于所述有源层23的源区和漏区，所述漏极272还通过贯穿所述层间绝缘层26和所述缓冲层22的通孔电性连接于所述遮光层21。所述源漏层27可以包括Cu等金属材料。
所述辅助电极3，位于所述衬底1上。通过将所述辅助电极3电性连接于所述第二电极62，可以减小第二电极62的电阻，进而改善IR Drop。
所述保护层4，位于所述TFT层2的所述源漏层27上，包括第一开口41，所述第一开口41暴露所述TFT20的漏极272。所述保护层4可以包括钝化层，其材料可以包括氮化硅。
所述连接层5，位于所述保护层4上，包括连接部51和遮挡部52。所述遮挡部52与所述保护层4共同形成底切开口(第二开口)42，所述底切开口42的上部宽度大于所述底切开口42的下部宽度。其中，当所述底切开口42的截面为圆形时，所述底切开口42的宽度是指其直径；当所述底切开口42的截面为非圆形时，所述底切开口42的上部宽度大于所述底切开口42的下部宽度，是指在某一纵截面中，所述底切开口42的上部宽度大于所述底切开口42的下部宽度，而可以使发光层60通过所述底切开口42断开。所述连接层5可以包括Mo、Ti等不易被氧化、硫化的金属材料。
所述第一电极61，位于所述连接层5上，在所述第一开口41处通过所述连接部51电性连接于所述TFT20的漏极272。所述第一电极61可以是阳极，包括ITO/Ag/ITO叠层材料，透过率大于90％。
所述发光层60，位于所述第一电极61上。由于所述底切开口42的上部宽度大于所述底切开口42的下部宽度，在蒸镀发光材料形成所述发光层60时，所述发光层可以在所述底切开口42处断开。所述发光层60可以包括有机发光材料如红光有机发光材料、蓝光有机发光材料和绿光有机发光材料。所述发光层60电性连接于第一电极61和第二电极62，可形成发光颜色各异的多个子像素。
所述第二电极62，位于所述发光层60上。由于所述发光层60在所述底切开口42处断开，因此，所述第二电极62可以通过所述底切开口42电性连接于所述辅助电极3。所述第二电极62可以是阴极，包括Mg、Ag等材料，可以采用蒸镀或者磁控溅射方式制作。
在本实施方式提供的显示面板100中，在TFT层2和第一电极61之间设置连接层5，不仅可以通过连接层5的连接部51保证TFT层2和第一电极61之间的电性连接，同时通过遮挡部52和所述保护层4形成稳定的底切开口42，使得第二电极62通过底切开口42电性连接于辅助电极3，可有效、稳定地降低第二电极62的电阻，改善显示面板100的边缘和中心的亮度不均的问题。
在一些实施方式中，请参阅图2，所述辅助电极3与所述漏极272同层且材料相同。所述辅助电极3可以包括Cu、Ti、Al等金属材料。这样，在形成图案化的源极271和漏极272时，可以同时形成所述辅助电极3，节省工艺。
在一些实施方式中，请参阅图2，所述源漏层27包括位于所述显示面板100的非显示区102的焊盘273，所述焊盘273用于从非显示接收电信号，以将信号引入至显示区101的TFT20的源极271或漏极272。所述保护层4设有暴露所述焊盘273的第四开口44，所述连接层5还包括通过所述第四开口44电性连接于所述焊盘273的保护部53。在俯视视角下，所述保护部53完全覆盖所述焊盘273。这样，通过保护部53来保护源漏层27的焊盘273，可以改善裸露的焊盘273容易被腐蚀的现象。
在一些实施方式中，请参阅图2，所述发光层60包括位于所述底切开口42内的第一部分65，所述第二电极62包括位于所述底切开口42内的第二部分66，所述第二部分66位于所述第一部分65上，所述第二部分66在所述底切开口42内直接接触所述辅助电极3以电性连接于所述辅助电极3。这样，第二电极62可以从发光层60的断开处电性连接辅助电极3，实现第二电极62的电阻的减小。
在一些实施方式中，请参阅图4，所述第二部分66与所述辅助电极3的接触部分位于所述遮挡部52的遮挡范围c内。这样，形成的undercut结构可以保证发光层60断开，并且不会影响第二电极62的第二部分66与辅助电极3的直接接触。
在一些实施方式中，请参阅图3，所述显示面板100还包括位于所述第一电极61和所述第二电极62上的封装层7、位于所述封装层7和所述连接层5之间的中间膜层8以及填充层9。
所述封装层7用于保护发光层60，减少水氧对发光层60的损伤。所述封装层7可以包括堆叠结构，包括第一无机层、位于所述第一无机层上的第一有机层和位于所述第一有机层上的第二无机层，也可以包括玻璃封装结构。
所述中间膜层8可以包括位于所述连接层5和所述第一电极61之间的平坦层81，以及位于所述第一电极61和所述发光层60之间的像素定义层82，所述像素定义层82设有多个开口，用于容纳部分发光层60，防止打印的墨水材料溢出。所述第二电极62、所述发光层60、所述像素定义层82和所述平坦层81可共同开设连通所述底切开口42的第三开口83，然而，所述第三开口83通常较深，所述封装层7通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)工艺成膜，容易在所述第三开口83处发生断裂。
因此，设置所述填充层9填充所述第三开口83以支撑所述封装层7，所述填充层9可以包括透明有机光阻材料。这样，通过涂布、曝光、显影等工艺，将填充层9填充设于中间膜层8的第三开口83，并直接接触所述封装层7，可以改善封装层7在较深的第三开口83中出现断裂而导致封装失效的现象。
本发明的实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板100。所述显示装置可以是固定终端如电视、台式电脑，移动终端如智能手机、平板电脑，也可以是可穿戴设备如智能手表、虚拟现实设备、增强现实设备。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
TFT层，包括TFT；
辅助电极；
保护层，位于所述TFT层和所述辅助电极上；
连接层，位于所述保护层上，包括遮挡部，所述遮挡部和所述保护层设有底切开口；
第一电极，位于所述连接层上，电性连接于所述TFT；
第二电极，位于所述连接层上；以及
发光层，位于所述连接层上，电性连接于所述第一电极和所述第二电极；
其中，所述发光层在所述底切开口处断开，所述第二电极通过所述底切开口电性连接于所述辅助电极。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光层包括在所述底切开口处断开的第一部分，所述第二电极包括在所述底切开口处断开的第二部分，所述第二部分位于所述第一部分上，且通过所述底切开口电性连接于所述辅助电极。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二部分通过所述底切开口直接接触所述辅助电极，所述第二部分与所述辅助电极的接触部分被所述遮挡部遮挡。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述TFT层包括源漏极层，所述源漏极层包括所述TFT的漏极，所述保护层设有第一开口，所述连接层包括连接部，所述第一电极在所述第一开口处通过所述连接部电性连接于所述TFT的所述漏极。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极与所述漏极同层且材料相同。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述源漏极层还包括位于所述显示面板的非显示区的焊盘，所述保护层设有暴露所述焊盘的第四开口，所述连接层还包括通过所述第四开口电性连接于所述焊盘的保护部，在俯视视角下，所述保护部完全覆盖所述焊盘。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括位于所述第一电极、所述第二电极和所述发光层上的封装层、位于所述封装层和所述连接层之间的中间膜层以及填充层，所述中间膜层设有连通所述底切开口的第三开口，所述填充层填充所述第三开口并支撑所述封装层。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述中间膜层包括位于所述连接层和所述第一电极之间的平坦层，以及位于所述第一电极和所述发光层之间的像素定义层，所述第三开口设于所述第二电极、所述发光层、所述像素定义层和所述平坦层，所述填充层接触所述封装层。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：
TFT层，包括TFT；
辅助电极；
保护层，位于所述TFT层和所述辅助电极上，设有第一开口；
连接层，位于所述保护层上，包括连接部和遮挡部，所述遮挡部与所述保护层设有第二开口，所述第二开口的下部宽度大于所述第二开口的上部宽度；
第一电极，位于所述连接层上；
第二电极，位于所述第一电极上；以及
发光层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；
其中，所述连接层的材料包括钼和/或钛，所述第一电极在所述第一开口处通过所述连接部电性连接于所述TFT，所述发光层在所述第二开口处断开，所述第二电极通过所述第二开口电性连接于所述辅助电极。
10.一种显示装置，包括如权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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