KR20180002126A - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
표시 영역 및 주변 영역을 구비하는 유기 발광 표시 장치는 기판, 주변 영역에서 기판 상에 배치되고, 기판을 노출시키는 개구부가 형성되는 도전층, 도전층을 커버하고, 개구부를 노출시키도록 패터닝되는 절연층, 그리고 표시 영역 및 주변 영역에서 절연층 및 개구부에 의해 노출되는 기판 상에 배치되는 공통층을 포함할 수 있다. 도전층은 실질적으로 언더 컷된 형상을 가질 수 있다. 절연층 상에 배치되는 공통층과 개구부에 의해 노출되는 기판 상에 배치되는 공통층은 서로 단절될 수 있다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 수분 및 산소의 전달 경로가 차단되는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 영상을 표시하는 장치로써, 최근 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display device)가 주목 받고 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 자체 발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 가진다.
유기 발광 표시 장치의 성능 및 수명을 향상시키기 위하여 외부로부터 수분 및 산소의 영향을 최소화하기 위하여 기밀한 밀봉이 이루어질 것이 요청된다. 그러나, 통상적인 유기 발광 표시 장치에 있어서, 유기 발광 구조물에 포함된 전극 및 유기 발광층은 주변 환경으로부터 상기 유기 발광 표시 장치 내로 유입된 산소 및 수분과 작용하여 열화 되는 문제점이 있었다.
본 발명의 일 목적은 수분 및 산소의 전달 경로가 차단되는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 수분 및 산소의 전달 경로가 차단하기 위한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 주변 영역에서 상기 기판 상에 배치되고, 상기 기판을 노출시키는 개구부가 형성되는 도전층, 상기 도전층을 커버하고, 상기 개구부를 노출시키도록 패터닝되는 절연층, 그리고 표시 영역 및 상기 주변 영역에서 상기 절연층 및 상기 개구부에 의해 노출되는 상기 기판 상에 배치되는 공통층을 포함할 수 있다. 상기 도전층은 실질적으로 언더 컷된 형상을 가질 수 있다. 상기 절연층 상에 배치되는 공통층과 상기 개구부에 의해 노출되는 상기 기판 상에 배치되는 공통층은 서로 단절될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 도전층의 두께는 상기 공통층의 두께보다 클 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 개구부에 의해 상기 도전층을 커버하는 상기 절연층의 하부가 노출될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 표시 영역에서 상기 기판 상에 배치되고, 차례로 적층되는 액티브 패턴, 제1 게이트 전극, 및 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 스위칭 구조물, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 액티브 패턴과 상기 제1 게이트 전극 사이에 배치되는 제1 게이트 절연막 및 상기 제1 게이트 전극과 상기 소스 및 드레인 전극들 사이에 배치되는 층간 절연막을 포함하는 절연 구조물, 상기 절연 구조물 상에 배치되고, 차례로 적층되는 화소 전극, 표시층 및 대향 전극을 포함하는 유기 발광 구조물, 그리고, 상기 유기 발광 구조물 상에 배치되는 캡핑층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 도전층은 상기 제1 게이트 전극과 상기 기판 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다. 상기 절연층은 상기 층간 절연막과 상응할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 도전층과 상기 화소 전극은 실질적으로 동일한 식각액에 의해 식각되는 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 공통층은 상기 표시층, 상기 대향 전극 및 상기 캡핑층 중 적어도 하나와 상응할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 스위칭 구조물은 상기 제1 게이트 전극과 상기 소스 및 드레인 전극들 사이에 배치되는 제2 게이트 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 절연 구조물은 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극 사이에 배치되는 제2 게이트 절연막을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 도전층은 상기 제1 게이트 전극과 상기 기판 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연층은 상기 제2 게이트 절연막 및 상기 층간 절연막과 상응할 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연 구조물은 상기 층간 절연막 상에 배치되고, 상기 층간 절연막과 서로 다른 물질을 포함하는 추가 절연막을 더 포함할 수 있다. 상기 절연층은 상기 제2 게이트 절연막, 상기 층간 절연막 및 상기 추가 절연막과 상응할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 도전층은 상기 제2 게이트 전극과 상기 기판 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다. 상기 절연층은 상기 층간 절연막과 상응할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연 구조물은 상기 소스 및 드레인 전극들 상에 배치되는 추가 절연막을 더 포함할 수 있다. 상기 도전층은 상기 소스 및 드레인 전극들과 상기 기판 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다. 상기 절연층은 상기 추가 절연막과 상응할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 도전층은 제1 도전층 및 상기 제1 도전층 상에 배치되는 제2 도전층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층은 각기 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극과 상기 기판 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다. 상기 절연층은 상기 층간 절연막과 상응할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 도전층은 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상에 배치되는 제2 도전층 및 상기 제2 도전층 상에 배치되는 제3 도전층을 포함할 수 있다. 상기 절연층은 상기 층간 절연막과 상응할 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층은 각기 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극과 상기 기판 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 도전층 및 상기 제3 도전층은 각기 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극과 상기 기판 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 주변 영역의 기판 상에 도전층을 형성하고, 상기 기판 상에 상기 도전층을 커버하는 절연층을 형성할 수 있다. 상기 도전층의 일부를 노출시키도록 상기 절연층을 식각하고, 상기 도전층을 언더 컷 형상으로 식각하여, 상기 도전층에 개구부를 형성할 수 있다. 상기 절연층 및 상기 개구부 내의 상기 기판 상에 공통층을 형성할 수 있다. 상기 절연층 상에 형성되는 공통층과 상기 개구부 내의 상기 기판 상에 형성되는 공통층은 서로 단절될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연층 및 상기 노출되는 도전층 상에 화소 전극을 형성하고, 식각액을 이용하여 상기 화소 전극을 식각할 수 있다. 상기 화소 전극과 상기 도전층은 상기 식각액에 의해 실질적으로 동시에 식각될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 공통층의 두께는 상기 도전층의 두께보다 작게 형성될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 주변 영역에 개구부가 형성되고, 언더 컷된 형상을 가지는 도전층 및 도전층을 커버하는 절연층을 포함함으로써, 절연층 상에 배치되는 공통층과 도전층의 개구부 내에 배치되는 공통층이 단절되고, 이에 따라, 주변 영역에서 수분 및 산소의 전달 경로가 차단될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 평면도들이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부 구성을 나타내는 단면도이다.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 13 내지 도 19는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내기 위한 단면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부 구성을 나타내는 단면도이다.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 13 내지 도 19는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내기 위한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들, 상기 유기 발광 표시 장치들의 제조 방법들을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 평면도들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 표시 영역(200), 주변 영역(100) 및 개구 영역(300)을 포함할 수 있다. 표시 영역(200)에서는 영상이 표시될 수 있다. 표시 영역(200)에는 광을 방출하는 복수의 화소들이 배치되어, 상기 영상이 표시될 수 있다.
개구 영역(300)은 유기 발광 표시 장치(10)에 포함되는 카메라, 센서, 스피커 등이 배치되기 위한 영역일 수 있다. 개구 영역(300)은 기판 상에 절연막, 도전막, 유기막 등을 형성한 후에, 개구 영역(300)에 상응하는 홀을 형성하는 방법을 통해 제공될 수 있다.
도 1 및 도 2에는 개구 영역(300)이 실질적인 원형 형상을 가지는 것으로 예시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 개구 영역(300)은 사각형, 삼각형 등을 포함하는 다각형의 형상을 가질 수도 있다.
주변 영역(100)은 표시 영역(200)의 주위를 둘러싸거나, 표시 영역(200)과 개구 영역(300)의 사이에 배치될 수 있다. 주변 영역(100)에는 상기 화소들에 구동 신호들(예를 들어, 데이터 신호, 게이트 신호 등)을 공급하기 위한 구동 회로 등이 배치될 수 있다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 기판(110), 표시 영역(200)에서 기판(110) 상에 배치되는 스위칭 구조물(220), 스위칭 구조물(220)을 커버하는 절연 구조물(230) 및 절연 구조물(230) 상에 배치되는 유기 발광 구조물(240)을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 유기 발광 표시 장치(10)는 유기 발광 구조물(240) 상에 배치되는 캡핑층(260)을 더 포함할 수도 있다.
기판(110)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 유리, 또는 투명성 및 유연성을 갖는 플라스틱 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 스위칭 구조물(220)은 차례로 적층되는 액티브 패턴(221), 제1 게이트 전극(222), 제2 게이트 전극(223), 소스 전극(224) 및 드레인 전극(225)을 포함할 수 있다. 스위칭 구조물(220)은 유기 발광 구조물(240)을 발광시키기 위한 구동 전류를 유기 발광 구조물(240)에 전달할 수 있다.
기판(110) 상부에는 액티브 패턴(221)이 배치될 수 있다. 액티브 패턴(221)은 폴리실리콘과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 액티브 패턴(221)은 인듐-갈륨-아연 산화물(Indium Gallium Zinc Oxide: IGZO), 아연-주석 산화물(Zinc Tin Oxide: ZTO), 또는 인듐-주석-아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO)과 같은 산화물 반도체를 포함할 수도 있다.
액티브 패턴(221) 상부에는 제1 게이트 전극(222)이 배치될 수 있다. 제1 게이트 전극(222)은 액티브 패턴(221)과 실질적으로 중첩될 수 있다. 제1 게이트 전극(222) 상부에는 제2 게이트 전극(223)이 배치될 수 있다. 제2 게이트 전극(223)은 제1 게이트 전극(222)과 실질적으로 중첩될 수 있다. 제2 게이트 전극(223) 상부에는 소스 전극(224) 및 드레인 전극(225)이 배치될 수 있다. 소스 전극(224) 및 드레인 전극(225)은 기판(110) 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 게이트 전극(222), 제2 게이트 전극(223), 소스 전극(224) 및 드레인 전극(225)은 각기 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 금속 물질, 상기 금속들의 합금, 상기 금속들의 질화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
액티브 패턴(221), 제1 게이트 전극(222), 소스 전극(224) 및 드레인 전극(225)에 의해 트랜지스터가 구성될 수 있다. 제1 게이트 전극(222) 및 제2 게이트 전극(223)에 의해 커패시터가 구성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 절연 구조물(230)은 버퍼막(231), 제1 게이트 절연막(232), 제2 게이트 절연막(233), 층간 절연막(235) 및 평탄화막(237)을 포함할 수 있다.
기판(110) 상에는 버퍼막(231)이 배치될 수 있다. 버퍼막(231)에 의해 기판(110)을 통해 침투하는 수분이 차단될 수 있으며, 기판(110) 및 기판(110) 상에 배치된 구조물 사이의 불순물 확산이 차단될 수 있다.
버퍼막(231) 상에는 액티브 패턴(221)을 커버하는 제1 게이트 절연막(232)이 배치될 수 있다. 제1 게이트 절연막(232)은 액티브 패턴(221)과 제1 게이트 전극(222)을 절연시킬 수 있다. 제1 게이트 절연막(232) 상에는 제1 게이트 전극(222)을 커버하는 제2 게이트 절연막(233)이 배치될 수 있다. 제2 게이트 절연막(233)은 제1 게이트 전극(222)과 제2 게이트 전극(223)을 절연시킬 수 있다. 제2 게이트 절연막(233) 상에는 제2 게이트 전극(223)을 커버하는 층간 절연막(235)이 배치될 수 있다. 층간 절연막(235)은 제2 게이트 전극(223)과 소스 및 드레인 전극들(224, 225)을 절연시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼막(231), 제1 게이트 절연막(232), 제2 게이트 절연막(233) 및 층간 절연막(235)은 각기 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다.
층간 절연막(235) 상에는 소스 전극(224) 및 드레인 전극(225)을 커버하는 평탄화막(237)이 배치될 수 있다. 평탄화막(237)은 평탄화막(237) 상에 배치된 구조물들을 평탄화시킬 수 있다. 또한, 평탄화막(237)은 화소 전극(241)과 드레인 전극(225)을 전기적으로 연결시키는 비아(via) 구조를 수용할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화막(237)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다. 평탄화막(237)은 표시 영역(200)에 선택적으로 배치될 수도 있다. 예를 들어, 평탄화막(237)은 주변 영역(100)에는 배치되지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 구조물(240)은 화소 전극(241), 표시층(242) 및 대향 전극(243)을 포함할 수 있다.
평탄화막(237) 상에는 화소 전극(241)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(241)은 유기 발광 구조물(240)의 양극(anode)으로 제공될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 화소 전극(241)은 Ag, Mg, Al, W, Cu, Ni, Cr, Mo, Ti, Pt, Ta, Nd, Sc 등과 같은 금속 물질 또는 이들 금속의 합금을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 전극(241)은 상대적으로 높은 일함수를 갖는 투명 도전성 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들면, 화소 전극(241)은 인듐 주석 화합물(ITO), 인듐 아연 화합물(IZO), 아연 산화물 또는 인듐 산화물을 포함할 수도 있다.
평탄화막(237) 상에는 화소 전극(241)을 부분적으로 커버하는 화소 정의막(250)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(180)은 폴리이미드 수지 또는 아크릴 수지와 같은 투명 유기 물질을 포함할 수 있다. 화소 정의막(180)은 표시 영역(200)에 선택적으로 배치될 수도 있다. 예를 들어, 화소 정의막(180)은 주변 영역(100)에는 배치되지 않을 수 있다.
화소 전극(241) 상부에는 대향 전극(243)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 대향 전극(243)은 유기 발광 구조물(240)의 음극(cathode)으로 제공될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 대향 전극(243)은 Ag, Mg, Al, W, Cu, Ni, Cr, Mo, Ti, Pt, Ta, Nd, Sc 등과 같은 상대적으로 낮은 일 함수를 갖는 금속 물질 또는 이들 금속의 합금을 포함할 수 있다.
화소 전극(241)과 대향 전극(243) 사이에는 표시층(242)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(250) 및 노출된 화소 전극(241) 상에는 표시층(242)이 배치될 수 있다.
표시층(242)은 유기 발광층을 포함할 수 있다. 상기 유기 발광층은 정공 및 전자에 의해 여기되는 호스트(host) 물질, 및 에너지의 흡수 및 방출을 통해 발광 효율을 증가시키는 도펀트(dopant) 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광층은 상기 화소 별로 패터닝될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광층은 상기 화소들에 공통적으로 제공될 수도 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 표시층(242)은 화소 전극(241)과 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층(hole transport layer: HTL) 및 상기 유기 발광층과 대향 전극(243) 사이에 배치되는 전자 수송층(electron transport layer: ETL)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 정공 수송층은 정공 수송 물질을 포함하고, 상기 전자 수송층은 전자 수송 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층은 상기 화소들에 공통적으로 제공될 수 있다.
대향 전극(243) 상에는 캡핑층(260)이 배치될 수 있다. 캡핑층(260)은 상기 유기 발광층에서 방출되는 광의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
캡핑층(260)은 상대적으로 우수한 투과도를 갖는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(260)은 상술한 정공 수송 물질과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 표시층(242), 대향 전극(243) 및 캡핑층(260) 중에서 적어도 하나가 표시 영역(200)에서 주변 영역(100)으로 연장될 수 있다. 여기서, 상기 표시층(242), 대향 전극(243) 및 캡핑층(260) 중에서 적어도 하나는, 후술하는 바와 같이, 주변 영역(100)의 공통층(140)에 상응할 수 있다.
도 3에 예시된 바와 같이, 공통층(140)은 주변 영역(100)과 개구 영역(300)의 경계까지 연장될 수 있고, 상기 주변 영역(100)과 개구 영역(300)의 경계에 위치하는 측부(140e)를 가질 수 있다. 공통층(140)의 측부(140e)는 외부에 노출될 수 있고, 상기 외부로부터 측부(140e)를 통해 수분 및/또는 산소가 공통층(140)으로 유입될 수 있다. 상기 수분 및/또는 산소가 공통층(140)을 통해 표시 영역(200)에 유입되는 경우에, 상기 화소들이 열화될 수 있다. 따라서, 상기 수분 및/또는 산소가 표시 영역(200)에 유입되는 경로를 차단할 필요가 있다.
예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 주변 영역(100)에서 기판(110) 상부에 배치되는 도전층(120), 도전층(120)을 커버하는 절연층(130) 및 상기 절연층(130) 상에 배치되는 공통층(140)을 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 기판(110) 상에는 표시 영역(200)에서 연장되는 버퍼막(231) 및 제1 게이트 절연막(232)이 배치될 수 있다.
기판(110)의 상부에는 도전층(120)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 도전층(120)은 제1 게이트 절연막(232) 상에 배치될 수 있다. 도전층(120)에는 도전층(120)의 하부 구조물을 노출시키는 개구부(125)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 개구부(125)에 의해 제1 게이트 절연막(232)이 노출될 수 있다. 도전층(120)은 실질적으로 언더 컷된(under-cut) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 개구부(125)는 도전층(120)의 상부에서 하부를 향해 폭이 실질적으로 증가할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도전층(120)은 제1 도전층(121) 및 제2 도전층(122)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 게이트 절연막(232) 상에는 제1 도전층(121)이 배치될 수 있다. 제1 게이트 절연막(232) 상에는 제1 도전층(121)을 부분적으로 커버하는 제2 게이트 절연막(233)이 배치될 수 있다. 제2 게이트 절연막(233)에는 제1 도전층(121)의 일부를 노출시키는 개구가 형성될 수 있다. 제2 게이트 절연막(233) 상에는 제2 도전층(122)이 배치될 수 있다. 제2 도전층(122)은 상기 개구를 통해 제1 도전층(121)과 접촉할 수 있다.
도전층(120) 상에는 절연층(130)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 게이트 절연막(233) 상에는 제2 도전층(122)을 커버하는 절연층(130)이 배치될 수 있다. 절연층(130)은 도전층(120)의 개구부(125)를 노출시키도록 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 절연층(130)은 개구부(125)와는 상이하게 상부에서 하부를 향해 폭이 실질적으로 감소하도록 패터닝될 수 있다.
절연층(130) 및 개구부(125)에 의해 노출되는 제1 게이트 절연막(232) 상에는 공통층(140)이 배치될 수 있다. 공통층(140)은 절연층(130) 상에 배치되는 공통층(140a) 및 개구부(125)에 의해 노출되는 제1 게이트 절연막(232) 상에 배치되는 공통층(140b)을 포함할 수 있다.
절연층(130) 상에 배치되는 공통층(140a)과 개구부(125)에 의해 노출되는 제1 게이트 절연막(232) 상에 배치되는 공통층(140b)은 서로 단절될 수 있다. 절연층(130) 상에 배치되는 공통층(140a)은 패터닝된 절연층(130)의 측벽을 따라 배치될 수 있지만, 언더 컷된 형상을 가지는 도전층(120)의 측벽에는 배치될 수 없다. 이에 따라, 공통층(140)은 개구부(125)에서 두 개의 공통층들(140a, 140b)로 분리될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도전층(120)의 두께는 공통층(140)의 두께보다 클 수 있다. 이 경우, 절연층(130) 상에 배치되는 공통층(140a)은 제1 게이트 절연막(232)으로부터 적어도 도전층(120)의 두께에 상응하는 높이만큼 이격되므로, 도전층(120)보다 작은 두께를 가지는 개구부(125) 내에 배치되는 공통층(140b)과 분리될 수 있다.
도 4를 참조하면, 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 도전층(120)을 커버하는 절연층(130)의 하부는 개구부(125)에 의해 노출될 수 있다. 이 경우, 개구부(125)의 폭이 상대적으로 증가하여, 공통층(140)의 단절이 더욱 쉽게 일어날 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 도전층(121) 및 제2 도전층(122)은 각기 표시 영역(200)에 배치되는 제1 게이트 전극(222) 및 제2 게이트 전극(223)과 기판(110) 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다. 또한, 절연층(130)은 층간 절연막(235)과 상응할 수 있다. 예를 들어, 절연층(130)은 표시 영역(200)에서 주변 영역(100)으로 연장되는 층간 절연막(235)의 일부를 구성할 수 있다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5a를 참조하면, 표시 영역(200)에는 표시층(242), 대향 전극(243) 및 캡핑층(260)이 차례로 적층될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 주변 영역(100)에 배치되는 공통층(140)은 표시층(242), 대향 전극(243) 및 캡핑층(260) 중에서 적어도 하나와 상응할 수 있다
도 5b를 참조하면, 공통층(140)은 제1 공통층(141)을 포함할 수 있다. 여기서, 공통층(140)은 표시층(242), 대향 전극(243) 및 캡핑층(260) 중에서 하나와 상응할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 공통층(141)은 대향 전극(243)과 상응할 수 있다.
도 5c를 참조하면, 공통층(140)은 제1 공통층(141) 및 제1 공통층(141) 상에 배치되는 제2 공통층(142)을 포함할 수 있다. 여기서, 공통층(140)은 표시층(242), 대향 전극(243) 및 캡핑층(260) 중에서 두 개와 상응할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 공통층(141)은 표시층(242)과 상응하고, 제2 공통층(142)은 대향 전극(243)과 상응할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제1 공통층(141)은 대향 전극(243)과 상응하고, 제2 공통층(142)은 캡핑층(260)과 상응할 수 있다.
도 5d를 참조하면, 공통층(140)은 제1 공통층(141), 제1 공통층(141) 상에 배치되는 제2 공통층(142), 및 제2 공통층(142) 상에 배치되는 제3 공통층(143)을 포함할 수 있다. 여기서, 공통층(140)은 표시층(242), 대향 전극(243) 및 캡핑층(260) 중에서 세 개와 상응할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 공통층(141)은 표시층(242)과 상응하고, 제2 공통층(142)은 대향 전극(243)과 상응하며, 제3 공통층(143)은 캡핑층(260)과 상응할 수 있다.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 6 내지 도 10을 참조하면, 기판(110) 상부에는 도전층(120)이 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 도전층(120)에는 개구부(125)가 형성되고, 도전층(120)은 언더 컷된 형상을 가질 수 있다. 도 6 내지 도 10을 참조로 설명하는 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는, 도 3을 참조로 설명하는 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(10)와는 달리 도전층(120)이 하나의 도전층(120)으로 이루어질 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1 게이트 절연막(232) 상에는 도전층(120)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도전층(120)은 표시 영역(200)에 배치되는 제1 게이트 전극(222)과 기판(110) 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다.
도전층(120) 상에는 절연층(130)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 게이트 절연막(232) 상에는 도전층(120)을 커버하는 절연층(130)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(130)은 제1 절연층(131) 및 제1 절연층(131) 상에 배치되는 제2 절연층(132)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 절연층(131)은 제2 게이트 절연막(233)과 상응하고, 제2 절연층(132)은 층간 절연막(235)과 상응할 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(131)은 표시 영역(200)에서 주변 영역(100)으로 연장되는 제2 게이트 절연막(233)의 일부를 구성하고, 제2 절연층(132)은 표시 영역(200)에서 주변 영역(100)으로 연장되는 층간 절연막(235)의 일부를 구성할 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 예시적인 실시예들에 있어서, 절연 구조물(230)은 제1 추가 절연막(236)을 더 포함할 수 있다. 층간 절연막(235)과 평탄화막(237) 사이에는 소스 및 드레인 전극들(224, 225)을 커버하는 제1 추가 절연막(236)이 배치될 수 있다. 제1 추가 절연막(236)은 소스 전극(224)과 화소 전극(241)을 절연시킬 수 있다.
제1 게이트 절연막(232) 상에는 도전층(120)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도전층(120)은 표시 영역(200)에 배치되는 제1 게이트 전극(222)과 기판(110) 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다.
도전층(120) 상에는 절연층(130)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(130)은 제1 절연층(131), 제1 절연층(131) 상에 배치되는 제2 절연층(132) 및 제2 절연층(132) 상에 배치되는 제3 절연층(133)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 절연층(131)은 제2 게이트 절연막(233)과 상응하고, 제2 절연층(132)은 층간 절연막(235)과 상응하며, 제3 절연층(133)은 제1 추가 절연막(236)에 상응할 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(131)은 표시 영역(200)에서 주변 영역(100)으로 연장되는 제2 게이트 절연막(233)의 일부를 구성하고, 제2 절연층(132)은 표시 영역(200)에서 주변 영역(100)으로 연장되는 층간 절연막(235)의 일부를 구성하며, 제3 절연층(133)은 표시 영역(200)에서 주변 영역(100)으로 연장되는 제1 추가 절연막(236)의 일부를 구성할 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제2 게이트 절연막(233) 상에는 도전층(120)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도전층(120)은 표시 영역(200)에 배치되는 제2 게이트 전극(223)과 기판(110) 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다.
도전층(120) 상에는 절연층(130)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(130)은 층간 절연막(235)과 상응할 수 있다. 예를 들어, 절연층(130)은 표시 영역(200)에서 주변 영역(100)으로 연장되는 층간 절연막(235)의 일부를 구성할 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 예시적인 실시예들에 있어서, 절연 구조물(230)은 제1 추가 절연막(236)을 더 포함할 수 있다. 도 7을 참조로 전술한 바와 같이, 층간 절연막(235)과 평탄화막(237) 사이에는 소스 및 드레인 전극들(224, 225)을 커버하는 제1 추가 절연막(236)이 배치될 수 있다.
층간 절연막(235) 상에는 도전층(120)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도전층(120)은 표시 영역(200)에 배치되는 소스 및 드레인 전극들(224, 225)과 기판(110) 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다.
도전층(120) 상에는 절연층(130)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(130)은 층간 절연막(235)과 상응할 수 있다. 예를 들어, 절연층(130)은 표시 영역(200)에서 주변 영역(100)으로 연장되는 층간 절연막(235)의 일부를 구성할 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 예시적인 실시예들에 있어서, 스위칭 구조물(220)은 차례로 적층되는 액티브 패턴(221), 게이트 전극(222), 소스 전극(224) 및 드레인 전극(225)을 포함할 수 있다. 또한, 절연 구조물(230)은 버퍼막(231), 게이트 절연막(232), 층간 절연막(235) 및 평탄화막(237)을 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치(10)와 비교하여 도 10에 도시된 유기 발광 표시 장치(10)에는 제2 게이트 절연막(233) 및 제2 게이트 전극(223)이 생략될 수 있다.
게이트 절연막(232) 상에는 도전층(120)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도전층(120)은 표시 영역(200)에 배치되는 게이트 전극(222)과 기판(110) 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다.
도전층(120) 상에는 절연층(130)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층(130)은 층간 절연막(235)과 상응할 수 있다. 예를 들어, 절연층(130)은 표시 영역(200)에서 주변 영역(100)으로 연장되는 층간 절연막(235)의 일부를 구성할 수 있다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 11 내지 도 12를 참조하면, 기판(110) 상부에는 도전층(120)이 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 도전층(120)에는 개구부(125)가 형성되고, 도전층(120)은 언더 컷된 형상을 가질 수 있다. 도 11 및 도 12를 참조로 설명하는 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는, 도 3을 참조로 설명하는 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(10)와는 달리 도전층(120)이 세 개의 도전층들(121, 122, 123)로 이루어질 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 예시적인 실시예들에 있어서, 절연 구조물(230)은 제2 추가 절연막(234)을 더 포함할 수 있다. 제2 게이트 절연막(233)과 층간 절연막(235) 사이에는 제2 게이트 전극(223)을 커버하는 제2 추가 절연막(234)이 배치될 수 있다. 제2 추가 절연막(234)은 제2 게이트 전극(223)과 소스 및 드레인 전극들(224, 225)을 절연시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도전층(120)은 제1 도전층(121), 제2 도전층(122) 및 제3 도전층(123)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 게이트 절연막(232) 상에는 제1 도전층(121)이 배치될 수 있다. 제1 게이트 절연막(232) 상에는 제1 도전층(121)을 부분적으로 커버하는 제2 게이트 절연막(233)이 배치될 수 있다. 제2 게이트 절연막(233)에는 제1 도전층(121)의 일부를 노출시키는 개구가 형성될 수 있다. 제2 게이트 절연막(233) 상에는 제2 도전층(122)이 배치될 수 있다. 제2 도전층(122)은 상기 개구를 통해 제1 도전층(121)과 접촉할 수 있다. 제2 게이트 절연막(233) 상에는 제2 도전층(122)을 부분적으로 커버하는 제2 추가 절연막(234)이 배치될 수 있다. 제2 추가 절연막(234)에는 제2 도전층(122)의 일부를 노출시키는 개구가 형성될 수 있다. 제2 추가 절연막(234) 상에는 제3 도전층(123)이 배치될 수 있다. 제3 도전층(123)은 상기 개구를 통해 제2 도전층(122)과 접촉할 수 있다.
도전층(120) 상에는 절연층(130)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 추가 절연막(234) 상에는 도전층(120)을 커버하는 절연층(130)이 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 도전층(121) 및 제2 도전층(122)은 각기 표시 영역(200)에 배치되는 제1 게이트 전극(222) 및 제2 게이트 전극(223)과 기판(110) 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다. 또한, 절연층(130)은 층간 절연막(235)과 상응할 수 있다. 예를 들어, 절연층(130)은 표시 영역(200)에서 주변 영역(100)으로 연장되는 층간 절연막(235)의 일부를 구성할 수 있다.
도 12에 도시된 바와 같이, 예시적인 실시예들에 있어서, 도전층(120)은 제1 도전층(121), 제2 도전층(122) 및 제3 도전층(123)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 게이트 절연막(232) 상에는 제1 도전층(121)이 배치될 수 있다. 제1 게이트 절연막(232) 상에는 제1 도전층(121)을 커버하며 제1 도전층(121)과 접촉하는 제2 도전층(122)이 배치될 수 있다. 제1 게이트 절연막(232) 상에는 제2 도전층(122)을 부분적으로 커버하는 제2 게이트 절연막(233)이 배치될 수 있다. 제2 게이트 절연막(233)에는 제2 도전층(122)의 일부를 노출시키는 개구가 형성될 수 있다. 제2 게이트 절연막(233) 상에는 제3 도전층(123)이 배치될 수 있다. 제3 도전층(123)은 상기 개구를 통해 제2 도전층(122)과 접촉할 수 있다.
도전층(120) 상에는 절연층(130)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 게이트 절연막(233) 상에는 도전층(120)을 커버하는 절연층(130)이 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 도전층(122) 및 제3 도전층(123)은 각기 표시 영역(200)에 배치되는 제1 게이트 전극(222) 및 제2 게이트 전극(223)과 기판(110) 상의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다. 또한, 절연층(130)은 층간 절연막(235)과 상응할 수 있다. 예를 들어, 절연층(130)은 표시 영역(200)에서 주변 영역(100)으로 연장되는 층간 절연막(235)의 일부를 구성할 수 있다.
도 13 내지 도 19는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내기 위한 단면도이다.
도 13을 참조하면, 기판(110)을 준비할 수 있다. 기판(110) 상에 버퍼막(231)을 형성할 수 있다. 표시 영역(200)에서 버퍼막(231) 상에 액티브 패턴(221)을 형성할 수 있다. 버퍼막(231) 상에 액티브 패턴(221)을 커버하는 제1 게이트 절연막(232)을 형성할 수 있다.
제1 게이트 절연막(232) 상에 제1 예비 도전막을 형성할 수 있다. 상기 제1 예비 도전막을 패터닝하여 표시 영역(200)에 제1 게이트 전극(222)을 형성하고, 주변 영역(100)에 제1 도전층(121)을 형성할 수 있다.
도 14를 참조하면, 제1 게이트 절연막(232) 상에 제1 게이트 전극(222) 및 제1 도전층(121)을 커버하는 제2 게이트 절연막(233)을 형성할 수 있다. 제2 게이트 절연막(233)을 패터닝하여 제1 도전층(121)의 일부를 노출시키는 개구를 형성할 수 있다.
도 15를 참조하면, 제2 게이트 절연막(233) 및 상기 노출된 제1 도전층(121) 상에 제2 예비 도전막을 형성할 수 있다. 상기 제2 예비 도전막을 패터닝하여 표시 영역(200)에 제2 게이트 전극(223)을 형성하고, 주변 영역(100)에 제2 도전층(122)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 기판(110) 상부에 도전층(120)이 제공될 수 있다. 여기서, 제1 도전층(121)과 제2 도전층(122)은 상기 개구를 통해 접촉할 수 있다.
도 16을 참조하면, 제2 게이트 절연막(233) 상에 제2 게이트 전극(223) 및 제2 도전층(122)을 커버하는 층간 절연막(235)을 형성할 수 있다. 층간 절연막(235)을 패터닝하여 제2 도전층(122)의 일부를 노출시키는 개구를 형성할 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(235)은 상부에서 하부를 향해 폭이 실질적으로 감소하도록 패터닝될 수 있다. 이에 따라, 도전층(120)을 커버하는 절연층(130)이 제공될 수 있다. 예를 들어, 절연층(130)은 표시 영역(200)에서 주변 영역(100)으로 연장되는 층간 절연막(235)의 일부를 구성할 수 있다.
도 17을 참조하면, 표시 영역(200)의 제1 게이트 절연막(232), 제2 게이트 절연막(233) 및 층간 절연막(235)의 일부를 제거하여 액티브 패턴(221)의 일부를 노출시키는 컨택홀들을 형성할 수 있다. 표시 영역(200)에서 층간 절연막(235) 상에 상기 콘택홀들을 채우는 소스 전극(224) 및 드레인 전극(225)을 형성할 수 있다. 표시 영역(200)에서 층간 절연막(235) 상에 소스 전극(224) 및 드레인 전극(225)을 커버하는 평탄화막(237)을 형성할 수 있다. 평탄화막(237)의 일부를 제거하여 드레인 전극(225)의 일부를 노출시키는 비아홀을 형성할 수 있다. 표시 영역(200)의 평탄화막(237) 및 주변 영역(100)의 절연막(130)과 상기 노출된 제2 도전층(122) 상에 상기 비아홀을 채우는 제3 예비 도전막을 형성할 수 있다.
도 18을 참조하면, 식각액을 이용하여 상기 제3 예비 도전막을 제거할 수 있다. 표시 영역(200)에서 상기 제3 예비 도전막을 패터닝하여 표시 영역(200)에 화소 전극(241)을 형성하고, 주변 영역(100)에서 상기 제3 예비 도전막을 실질적으로 완전히 제거할 수 있다. 또한, 상기 식각액을 이용하여 도전층(120)을 패터닝하여 도전층(120)에 개구부(125)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 개구부(125)에 의해 제1 게이트 절연막(232)이 노출될 수 있다. 여기서, 도전층(120)은 실질적으로 언더 컷된(under-cut) 형상을 가지도록 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 개구부(125)는 도전층(120)의 상부에서 하부를 향해 폭이 실질적으로 증가하도록 형성될 수 있다.
상기 제3 예비 도전막과 도전층(120)은 상기 식각액에 의해 동시에 식각될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(241)과 도전층(120)은 동일한 식각액에 의해 식각되는 물질을 포함할 수 있다.
도 19를 참조하면, 표시 영역(200)에서 평탄화막(237) 상에 화소 전극(241)을 부분적으로 커버하는 화소 정의막(250)을 형성할 수 있다. 화소 정의막(250)에는 화소 전극(241)의 일부를 노출시키는 개구가 형성될 수 있다. 화소 정의막(250) 및 상기 노출된 화소 전극(241) 상에 순차적으로 표시층(242), 대향 전극(243) 및 캡핑층(260)을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 주변 영역(100)에도 표시층(242), 대향 전극(243) 및 캡핑층(260) 중에서 적어도 하나가 형성될 수 있다. 이에 따라, 주변 영역(100)에서 절연층(130) 및 개구부(125)에 의해 노출되는 제1 게이트 절연막(232) 상에 표시층(242), 대향 전극(243) 및 캡핑층(260) 중에서 적어도 하나를 포함하는 공통층(140)이 형성될 수 있다. 공통층(140)은 절연층(130) 상에 배치되는 공통층(140a) 및 개구부(125)에 의해 노출되는 제1 게이트 절연막(232) 상에 배치되는 공통층(140b)을 포함할 수 있다.
절연층(130) 상에 배치되는 공통층(140a)과 개구부(125)에 의해 노출되는 제1 게이트 절연막(232) 상에 배치되는 공통층(140b)은 서로 단절될 수 있다. 절연층(130) 상에 배치되는 공통층(140a)은 패터닝된 절연층(130)의 측벽을 따라 배치될 수 있지만, 언더 컷된 형상을 가지는 도전층(120)의 측벽에는 배치될 수 없다. 이에 따라, 공통층(140)은 개구부(125)에서 두 개의 공통층들(140a, 140b)로 분리될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도전층(120)은 공통층(140) 보다 작은 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 이 경우, 절연층(130) 상에 형성되는 공통층(140a)은 제1 게이트 절연막(232)으로부터 적어도 도전층(120)의 두께에 상응하는 높이만큼 이격되므로, 도전층(120)보다 작은 두께를 가지는 개구부(125) 내에 형성되는 공통층(140b)과 분리될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들 및 상기 유기 발광 표시 장치들의 제조 방법들에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
100: 주변 영역
110: 기판
120: 도전층 121: 제1 도전층
122: 제2 도전층 123: 제3 도전층
130: 절연층 140: 공통층
200: 표시 영역 220: 스위칭 구조물
221: 액티브 패턴 222: 제1 게이트 전극
223: 제2 게이트 전극 224: 소스 전극
225: 드레인 전극 230: 절연 구조물
232: 제1 게이트 절연막 233: 제2 게이트 절연막
234: 제2 추가 절연막 235: 층간 절연막
236: 제1 추가 절연막 240: 유기 발광 구조물
241: 화소 전극 242: 표시층
243: 대향 전극 260: 캡핑층
120: 도전층 121: 제1 도전층
122: 제2 도전층 123: 제3 도전층
130: 절연층 140: 공통층
200: 표시 영역 220: 스위칭 구조물
221: 액티브 패턴 222: 제1 게이트 전극
223: 제2 게이트 전극 224: 소스 전극
225: 드레인 전극 230: 절연 구조물
232: 제1 게이트 절연막 233: 제2 게이트 절연막
234: 제2 추가 절연막 235: 층간 절연막
236: 제1 추가 절연막 240: 유기 발광 구조물
241: 화소 전극 242: 표시층
243: 대향 전극 260: 캡핑층
Claims (20)
- 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서,
기판;
상기 주변 영역에서 상기 기판 상에 배치되고, 상기 기판을 노출시키는 개구부가 형성되는 도전층;
상기 도전층을 커버하고, 상기 개구부를 노출시키도록 패터닝되는 절연층; 및
상기 표시 영역 및 상기 주변 영역에서 상기 절연층 및 상기 개구부에 의해 노출되는 상기 기판 상에 배치되는 공통층을 포함하고,
상기 도전층은 언더 컷된 형상을 가지며,
상기 절연층 상에 배치되는 공통층과 상기 개구부에 의해 노출되는 상기 기판 상에 배치되는 공통층은 서로 단절되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 도전층의 두께는 상기 공통층의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 개구부에 의해 상기 도전층을 커버하는 상기 절연층의 하부가 노출되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 표시 영역에서 상기 기판 상에 배치되고, 차례로 적층되는 액티브 패턴, 제1 게이트 전극, 및 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 스위칭 구조물;
상기 기판 상에 배치되고, 상기 액티브 패턴과 상기 제1 게이트 전극 사이에 배치되는 제1 게이트 절연막 및 상기 제1 게이트 전극과 상기 소스 및 드레인 전극들 사이에 배치되는 층간 절연막을 포함하는 절연 구조물;
상기 절연 구조물 상에 배치되고, 차례로 적층되는 화소 전극, 표시층 및 대향 전극을 포함하는 유기 발광 구조물; 및
상기 유기 발광 구조물 상에 배치되는 캡핑층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제4항에 있어서, 상기 도전층은 상기 제1 게이트 전극과 상기 기판 상의 동일한 레벨에 배치되고,
상기 절연층은 상기 층간 절연막과 상응하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제4항에 있어서, 상기 도전층과 상기 화소 전극은 동일한 식각액에 의해 식각되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 공통층은 상기 표시층, 상기 대향 전극 및 상기 캡핑층 중 적어도 하나와 상응하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 스위칭 구조물은 상기 제1 게이트 전극과 상기 소스 및 드레인 전극들 사이에 배치되는 제2 게이트 전극을 더 포함하고,
상기 절연 구조물은 상기 제1 게이트 전극과 상기 제2 게이트 전극 사이에 배치되는 제2 게이트 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제8항에 있어서, 상기 도전층은 상기 제1 게이트 전극과 상기 기판 상의 동일한 레벨에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 절연층은 상기 제2 게이트 절연막 및 상기 층간 절연막과 상응하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 절연 구조물은 상기 층간 절연막 상에 배치되고, 상기 층간 절연막과 서로 다른 물질을 포함하는 추가 절연막을 더 포함하고,
상기 절연층은 상기 제2 게이트 절연막, 상기 층간 절연막 및 상기 추가 절연막과 상응하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제8항에 있어서, 상기 도전층은 상기 제2 게이트 전극과 상기 기판 상의 동일한 레벨에 배치되고,
상기 절연층은 상기 층간 절연막과 상응하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제8항에 있어서, 상기 절연 구조물은 상기 소스 및 드레인 전극들 상에 배치되는 추가 절연막을 더 포함하고,
상기 도전층은 상기 소스 및 드레인 전극들과 상기 기판 상의 동일한 레벨에 배치되며,
상기 절연층은 상기 추가 절연막과 상응하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제8항에 있어서, 상기 도전층은 제1 도전층 및 상기 제1 도전층 상에 배치되는 제2 도전층을 포함하고,
상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층은 각기 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극과 상기 기판 상의 동일한 레벨에 배치되며,
상기 절연층은 상기 층간 절연막과 상응하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제8항에 있어서, 상기 도전층은 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상에 배치되는 제2 도전층 및 상기 제2 도전층 상에 배치되는 제3 도전층을 포함하고,
상기 절연층은 상기 층간 절연막과 상응하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제15항에 있어서, 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층은 각기 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극과 상기 기판 상의 동일한 레벨에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 제2 도전층 및 상기 제3 도전층은 각기 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극과 상기 기판 상의 동일한 레벨에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 주변 영역의 기판 상에 도전층을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 상기 도전층을 커버하는 절연층을 형성하는 단계;
상기 도전층의 일부를 노출시키도록 상기 절연층을 식각하는 단계;
상기 도전층을 언더 컷 형상으로 식각하여, 상기 도전층에 개구부를 형성하는 단계; 및
상기 절연층 및 상기 개구부 내의 상기 기판 상에 공통층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 절연층 상에 형성되는 공통층과 상기 개구부 내의 상기 기판 상에 형성되는 공통층은 서로 단절되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제18항에 있어서,
상기 절연층 및 상기 노출되는 도전층 상에 화소 전극을 형성하는 단계; 및
식각액을 이용하여 상기 화소 전극을 식각하는 단계를 더 포함하고,
상기 화소 전극과 상기 도전층은 상기 식각액에 의해 동시에 식각되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제18항에 있어서, 상기 공통층의 두께는 상기 도전층의 두께보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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US15/625,480 US10199448B2 (en) | 2016-06-28 | 2017-06-16 | Organic light emitting display device and method of manufacturing an organic light emitting display device |
CN201710506977.4A CN107546245B (zh) | 2016-06-28 | 2017-06-28 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN202310489376.2A CN116437747A (zh) | 2016-06-28 | 2017-06-28 | 有机发光显示装置 |
US16/239,704 US10535725B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-01-04 | Organic light emitting display device and method of manufacturing an organic light emitting display device |
US17/141,942 USRE49604E1 (en) | 2016-06-28 | 2021-01-05 | Organic light emitting display device and method of manufacturing an organic light emitting display device |
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KR1020230156185A KR20230161391A (ko) | 2016-06-28 | 2023-11-13 | 유기 발광 표시 장치 |
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---|---|---|---|
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200017677A (ko) * | 2018-08-09 | 2020-02-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 관통홀을 구비한 표시패널을 포함하는 표시장치 |
US10615369B2 (en) | 2017-08-11 | 2020-04-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel comprising module hole and blocking groove in display area and electronic device having the same |
KR20200041420A (ko) * | 2018-10-11 | 2020-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
KR20200053894A (ko) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
US10818742B2 (en) | 2018-08-08 | 2020-10-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and electronic apparatus including the same |
CN112599701A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-04-02 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示基板 |
US11264596B2 (en) | 2019-04-29 | 2022-03-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Electronic device with a substrate having an opening region including a recessed region |
US11387432B2 (en) | 2019-03-21 | 2022-07-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with groove overlapped by metal layer |
US11930659B2 (en) | 2020-12-17 | 2024-03-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel |
US11937454B2 (en) | 2018-07-31 | 2024-03-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method for manufacturing the same |
US12075645B2 (en) | 2018-06-28 | 2024-08-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102605208B1 (ko) | 2016-06-28 | 2023-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102083315B1 (ko) | 2017-09-11 | 2020-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20200003328A (ko) * | 2018-06-29 | 2020-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102624153B1 (ko) * | 2018-06-29 | 2024-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR102602157B1 (ko) * | 2018-06-29 | 2023-11-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102602191B1 (ko) * | 2018-08-24 | 2023-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
US11152449B2 (en) * | 2018-11-30 | 2021-10-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel |
CN109671870B (zh) * | 2018-12-19 | 2021-05-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN109742264B (zh) * | 2019-01-08 | 2020-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示区开孔封装方法、显示区开孔封装结构及显示面板 |
US20220020958A1 (en) * | 2019-02-27 | 2022-01-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
WO2020178910A1 (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-10 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
CN109904208B (zh) * | 2019-03-19 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示器及其制备方法、显示装置 |
CN112005377B (zh) | 2019-03-26 | 2023-04-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN110212118B (zh) * | 2019-07-19 | 2021-07-16 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN110429118A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-08 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
CN113078269B (zh) | 2020-01-06 | 2022-07-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光结构及其制作方法、显示装置 |
WO2021217525A1 (zh) * | 2020-04-29 | 2021-11-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示基板及其制作方法、有机发光显示装置 |
KR20230035199A (ko) * | 2020-05-29 | 2023-03-13 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 표시패널 및 이의 제조방법, 표시장치 |
CN112582432B (zh) * | 2020-12-10 | 2023-10-13 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160072010A (ko) * | 2014-12-12 | 2016-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5229682A (en) * | 1989-12-18 | 1993-07-20 | Seiko Epson Corporation | Field electron emission device |
US5007873A (en) * | 1990-02-09 | 1991-04-16 | Motorola, Inc. | Non-planar field emission device having an emitter formed with a substantially normal vapor deposition process |
US6175184B1 (en) * | 1998-02-12 | 2001-01-16 | Micron Technology, Inc. | Buffered resist profile etch of a field emission device structure |
JP4538649B2 (ja) | 2003-08-28 | 2010-09-08 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 輝度ムラを解消した有機elディスプレイとその製造方法 |
DE10340926A1 (de) * | 2003-09-03 | 2005-03-31 | Technische Universität Ilmenau Abteilung Forschungsförderung und Technologietransfer | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauelementen |
KR101026812B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2011-04-04 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 |
KR101299604B1 (ko) | 2005-10-18 | 2013-08-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101380875B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2014-04-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 배선 및 그 형성 방법 |
KR100931491B1 (ko) * | 2008-04-07 | 2009-12-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR20100054630A (ko) * | 2008-11-14 | 2010-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터와 이의 제조방법 그리고 이를 이용한표시장치 |
KR100989134B1 (ko) * | 2009-01-07 | 2010-10-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101298612B1 (ko) * | 2010-10-12 | 2013-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 |
KR101894328B1 (ko) * | 2011-10-06 | 2018-09-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR20130053053A (ko) | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
JP6653315B2 (ja) * | 2014-08-01 | 2020-02-26 | オーソゴナル,インコーポレイテッド | 有機電子デバイスのフォトリソグラフィック・パターニング |
KR102155815B1 (ko) | 2014-08-05 | 2020-09-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP6535457B2 (ja) * | 2014-11-13 | 2019-06-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102376966B1 (ko) | 2015-08-11 | 2022-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102388722B1 (ko) | 2015-11-20 | 2022-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
KR102457252B1 (ko) | 2015-11-20 | 2022-10-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102605208B1 (ko) | 2016-06-28 | 2023-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
-
2016
- 2016-06-28 KR KR1020160081089A patent/KR102605208B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-06-16 US US15/625,480 patent/US10199448B2/en active Active
- 2017-06-28 CN CN202310489376.2A patent/CN116437747A/zh active Pending
- 2017-06-28 CN CN201710506977.4A patent/CN107546245B/zh active Active
-
2019
- 2019-01-04 US US16/239,704 patent/US10535725B2/en not_active Ceased
-
2021
- 2021-01-05 US US17/141,942 patent/USRE49604E1/en active Active
-
2023
- 2023-11-13 KR KR1020230156185A patent/KR20230161391A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160072010A (ko) * | 2014-12-12 | 2016-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10615369B2 (en) | 2017-08-11 | 2020-04-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel comprising module hole and blocking groove in display area and electronic device having the same |
US12075645B2 (en) | 2018-06-28 | 2024-08-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
US11937454B2 (en) | 2018-07-31 | 2024-03-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method for manufacturing the same |
US10818742B2 (en) | 2018-08-08 | 2020-10-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and electronic apparatus including the same |
KR20200017677A (ko) * | 2018-08-09 | 2020-02-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 관통홀을 구비한 표시패널을 포함하는 표시장치 |
KR20200041420A (ko) * | 2018-10-11 | 2020-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
US11974456B2 (en) | 2018-10-11 | 2024-04-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel |
US11903238B2 (en) | 2018-11-09 | 2024-02-13 | Lg Display Co., Ltd. | Display device and method for fabricating the same |
KR20200053894A (ko) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
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