CN115275058B - 显示面板及显示终端 - Google Patents

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CN115275058B
CN115275058B CN202210907231.5A CN202210907231A CN115275058B CN 115275058 B CN115275058 B CN 115275058B CN 202210907231 A CN202210907231 A CN 202210907231A CN 115275058 B CN115275058 B CN 115275058B
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Abstract

本申请公开了一种显示面板及显示终端,显示面板包括显示区、基底、像素及阴极搭接结构,像素及阴极搭接结构均位于显示区内,阴极搭接结构与像素相邻设置;阴极搭接结构包括:第一导电层,设置于基底上且包括辅助电极;第一膜层,设置于第一导电层上且包括第一开口;第二膜层,设置于第一膜层且与第一膜层在第一开口处形成第一底切槽,第一底切槽与第一开口连通,辅助电极从第一底切槽裸露出来;发光器件公共层,形成在第二膜层上且在第一底切槽处断开;阴极,至少设置于发光器件公共层上;及导电件,填充于第一底切槽且与阴极及辅助电极电接触。本申请公开的显示面板及显示终端具有较低的接触阻抗及较窄的边框。

Description

显示面板及显示终端
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及显示终端。
背景技术
在现有技术中,有机致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)包括多个发光器件,多个发光器件包括阳极(Anode)层、阴极(Cathode)层以及位于阳极和阴极之间的有机功能层,在实际制作过程中,采用光罩的方式制作阳极层,采用高精度金属掩模板(FMM Fine Metal Mask,FMM)蒸镀的方式在阳极层上制作发光器件发光功能层,采用整面蒸镀的方式形成发光器件公共层,采用整面制作的方式形成阴极层,发光器件发光功能层包括红色发光材料层、绿色发光材料层和蓝色发光材料层,发光器件公共层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层等。
然而,由于发光器件公共层的阻挡,使得显示面板难以提供给阴极层电信号,现有技术中在非显示区通过发光公共层下方的阴极电源信号线提供给阴极信号的方式,需要设置较宽的搭接区域,使得显示面板的边框较宽。
发明内容
本申请实施例提供一种具有低阻抗和窄边框效果的显示面板及显示终端。
本申请一方面提供了一种显示面板,包括显示区,所述显示面板还包括基底、形成在所述基底上的多个像素及形成在所述基底上的至少一阴极搭接结构,所述像素及所述阴极搭接结构均位于所述显示区内,所述阴极搭接结构与所述像素相邻设置;所述阴极搭接结构包括:
第一导电层,设置于所述基底上;所述第一导电层包括辅助电极;
第一膜层,设置于所述第一导电层上,所述第一膜层包括第一开口;
第二膜层,设置于所述第一膜层上,所述第二膜层与所述第一膜层在所述第一开口处形成第一底切槽,所述第一底切槽与所述第一开口连通,所述辅助电极从所述第一底切槽及所述第一开口内裸露出来;
发光器件公共层,形成在所述第二膜层上且在所述第一底切槽处断开;
阴极,至少设置于所述发光器件公共层上;及
导电件,填充于所述第一底切槽及所述第一开口内且与所述阴极及所述辅助电极电接触。
在本申请一可选实施例中,所述阴极在所述第一底切槽处断开,所述导电件覆盖位于所述第一开口内的所述阴极上。
在本申请一可选实施例中,所述导电件还覆盖位于所述第一开口外的所述阴极的远离所述第一膜层的部分表面上。
在本申请一可选实施例中,所述导电件覆盖位于所述第一开口内的所述发光器件公共层上,所述阴极还覆盖所述导电件。
在本申请一可选实施例中,所述第一导电层上形成有一第二开口,所述辅助电极位于所述第二开口的至少一侧,完全落在第一开口内的部分所述发光器件公共层收容在所述第二开口内。
在本申请一可选实施例中,所述第二膜层还形成在远离所述第一底切槽且背离所述第一导电层的所述第一膜层上,且与所述第一膜层在所述第一开口处形成第二底切槽,部分所述辅助电极从所述第二底切槽内裸露出来,所述发光器件公共层在所述第二底切槽处断开,所述导电件还填充于所述第二底切槽内。
在本申请一可选实施例中,所述第一底切槽与所述第二底切槽一体成型,所述第一底切槽与所述第二底切槽至少部分环绕所述像素设置。
在本申请一可选实施例中,所述第一底切槽及所述第二底切槽平行设置。
在本申请一可选实施例中,所述阴极搭接结构还包括第三膜层,所述第三膜层设置于所述第二膜层和所述发光器件公共层之间,所述第三膜层包括第三开口,所述第三开口与所述第一开口连通且重叠,所述第三膜层的材料为无机材料或有机材料。
在本申请一可选实施例中,所述第一膜层和所述第二膜层均为金属材料,在同一刻蚀液中,所述第一膜层被刻蚀的速率大于所述第一导电层被刻蚀的速率和所述第二膜层被刻蚀的速率。
在本申请一可选实施例中,所述第一膜层的材料为有机材料,所述第二膜层的材料为金属材料或无机材料。
本申请第二方面提供一种显示终端,包括终端主体和如上所述的显示面板,所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
本申请提供的显示面板及显示终端将阴极搭接结构设置在非显示区内并使得所述阴极搭接结构位于所述显示面板的像素的至少一侧,即位于像素之间的间隙内,不需要在非显示区设置阴极搭接结构,有利于减小边框的宽度。在阴极搭接结构中,在第一膜层和第二膜层形成底切槽,使得辅助电极从所述底切槽内裸露出来,发光器件公共层在第一底切槽处断开,再将导电件填充在第一底切槽内,导电件分别电连接第一导电层(辅助电极)及阴极(阴极),第一底切槽使得导电件与辅助电极和阴极之间具有较大的电连接面积,从而可以降低导电件与辅助电极和阴极之间的接触阻抗。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的一种显示面板的俯视示意图;
图2为本申请一实施例提供的一种显示面板的阴极搭接结构的底切槽所在位置的第一种俯视示意图;
图3为本申请另一实施例提供的一种显示面板的阴极搭接结构的底切槽所在位置的第二种俯视示意图;
图4为本申请再一实施例提供的一种显示面板的阴极搭接结构的底切槽所在位置的第二种俯视示意图;
图5为沿图2的剖面线I-I或沿图4的剖面线III-III的第一种阴极搭接结构的剖面示意图;
图6为沿图2的剖面线I-I或沿图4的剖面线III-III的第二种阴极搭接结构的剖面示意图;
图7为沿图3的剖面线II-II或沿图4的剖面线IV-IV的第三种阴极搭接结构的剖面;
图8为沿图3的剖面线II-II或沿图4的剖面线IV-IV的第四种阴极搭接结构的剖面示意图;
图9为沿图3的剖面线II-II或沿图4的剖面线IV-IV的第五种阴极搭接结构的剖面示意图;
图10为沿图3的剖面线II-II或沿图4的剖面线IV-IV的第六种阴极搭接结构的剖面示意图;
图11为沿图3的剖面线II-II或沿图4的剖面线IV-IV的第七种阴极搭接结构的剖面示意图;
图12为沿图3的剖面线II-II或沿图4的剖面线IV-IV的第八种阴极搭接结构的剖面示意图;
图13为本申请一实施例提供的显示面板的非显示区的局部放大示意图;
图14为本申请一实施例提供显示终端的示意图;
图15为本申请提供的一种显示面板的制造方法;
图16为本申请提供的另一种显示面板的制造方法。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供了一种显示面板,包括显示区,所述显示面板还包括基底、形成在所述基底上的多个像素及形成在所述基底上的至少一阴极搭接结构,所述像素及所述阴极搭接结构均位于所述显示区内,所述阴极搭接结构与所述像素相邻设置;所述阴极搭接结构包括:第一导电层,设置于所述基底上;所述第一导电层包括辅助电极;第一膜层,设置于所述第一导电层上,所述第一膜层包括第一开口;第二膜层,设置于所述第一膜层上,所述第二膜层与所述第一膜层在所述第一开口处形成第一底切槽,所述第一底切槽与所述第一开口连通,所述辅助电极从所述第一底切槽及所述第一开口内裸露出来;发光器件公共层,形成在所述第二膜层上且在所述第一底切槽处断开;阴极,至少设置于所述发光器件公共层上;及导电件,填充于所述第一底切槽及所述第一开口内且与所述阴极及所述辅助电极电接触。本申请实施例还提供了包括前述显示面板的显示终端,以及前述显示面板的制造方法。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
实施例一
请参阅图1、图2及图5,图1为显示面板100的俯视示意图,显示面板100包括显示区AA和非显示区BB,显示面板100还包括位于显示区AA内且阵列设置的多个像素1011,多个像素1011包括第一子像素101、第二子像素102和第三子像素103,第一子像素101、第二子像素102和第三子像素103可以分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,但不限于此。显示面板100还包括位于显示区AA内的阴极搭接结构200,阴极搭接结构200与像素1011相邻设置。具体地,阴极搭接结构200位于相邻两个像素1011之间的间隙内或者位于像素1011与非显示区BB之间的间隙内。
图2为图1中的阴极搭接结构200的底切槽所在位置的第一种俯视示意图,图5为沿图2的剖面线I-I的第一种阴极搭接结构的剖面示意图。
具体地,请参阅图1、图2及图5,显示面板100还包括基底10,像素1011及阴极搭接结构200均设置在基底10上。阴极搭接结构200包括第一导电层20、第一膜层30、第二膜层40、发光器件公共层50、阴极60及导电件70;第一导电层20设置于基底10上,第一膜层30设置于第一导电层20上,第二膜层40设置于第一膜层30上,发光器件公共层50设置于所述第二膜层40上,发光器件公共层50至少设置于第二膜层40上,阴极60至少设置于发光器件公共层50上。其中,第一导电层20包括辅助电极210,第一膜层30包括第一开口301,辅助电极210从第一开口301内裸露出来。第二膜层40位于第一开口301的至少一侧,第二膜层40与第一膜层30在第一开口301处还形成有一第一底切槽201,第一底切槽201与第一开口301相连通。在本实施例中,第一底切槽201为第一开口301的一部分。发光器件公共层50在第一底切槽201处断开,部分发光器件公共层50落在辅助电极210上,部分辅助电极210从第一底切槽201内裸露出来,导电件70至少填充于第一底切槽201内且电连接阴极60及辅助电极210,阴极60通过导电件70电连接第一导电层20。
具体地,基底10可以为玻璃基底或柔性基底,在此不做限定。
在本实施例中,第一膜层30的材料为有机材料,第二膜层40的材料为金属材料或无机材料,有利于形成第一底切槽201。具体地,第一膜层30的可以为像素定义层或平坦层。具体地,第一膜层30的材料可以包括:聚丙烯酰胺(PAAm)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)中任一种,第一膜层30的材料可以为光阻材料。第二膜层40可以为数据线层或阳极层,利用形成阳极或形成数据线时,同时形成第一底切槽201,可以简化第一底切槽201的形成工艺步骤。
在本实施例中,第一膜层30和第二膜层40均还可以为金属材料,在同一刻蚀液中,第一膜层30被刻蚀的速率大于第一导电层20被刻蚀的速率和第二膜层40被刻蚀的速率。更具体地,多层导电层中,第一导电层20的材料可以为钛(Ti),第一膜层30的材料可以为铝(Al)或钼(Mo),第二膜层的材料可以为钛(Ti),湿法蚀刻对铝或钼的刻蚀速率大于对钛的刻蚀速率,湿法刻蚀液可以包括例如磷酸、醋酸和硝酸的混合液。如此设置,可以在形成源漏极的同时一并形成辅助电极210和第一底切槽201,从而可以简化显示面板的制作流程。
在本实施例中,第二膜层40包括第三开口401,第三开口401与第一开口301重叠,也即第三开口401与第一开口301连通。
在本实施例中,导电件70还覆盖位于第一开口301内的发光器件公共层50。
在本实施例中,导电件70的背离第一膜层30的表面71为圆心位于基底10一侧的圆弧面。
在本实施例,导电件70的材料包括银浆。具体地,银浆具有良好的导电性,可以减小接触电阻。具体地,通过喷涂或流体打印工艺在第一底切槽201内形成导电件70。
在本实施例中,阴极60覆盖位于与第二膜层40位置相对的部分发光器件公共层50以及未落在第一开口301内的部分发光器件公共层50上,阴极60还覆盖导电件70。
其中,阴极60包括第一表面601,第一表面601背离发光器件公共层50。在本实施例中,由于第二膜层40的位置,使得第一表面601不平整。具体地,与第一底切槽201位置相对的以及第一底切槽201周边的第一表面601到第一膜层30的垂直距离大于背离第一底切槽201的第一表面601到第一膜层30的垂直距离。
具体地,显示面板100还包括多个位于基底10上的驱动晶体管(图未示),驱动晶体管包括层叠设置在基底10上的有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极层、平坦层等。在本实施例中,第一导电层20可以与栅极或信号线或源漏极层同层设置。
具体地,像素1011可以包括阳极、阴极、设置于阳极和阴极之间的发光器件发光功能层和发光器件公共层。发光器件发光功能层可以包括红色发光材料层、绿色发光材料层和蓝色发光材料层,发光器件公共层50可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层等中任一种,但不限定像素1011的结构,不限定发光器件公共层50所包括的材料和膜层。
具体地,像素1011在显示面板中的排布、层结构顺序可以为现有技术中任一种,在此不限定。
具体地,由于第一底切槽201的存在,发光器件公共层50在制作时在第一底切槽201时断开,且使得至少部分辅助电极210从第一底切槽201内裸露出来,当导电件70填充在第一底切槽201及第一开口301内时,导电件70可以同时大面积的接触辅助电极210和阴极60,从而可以降低导电件70与辅助电极210和阴极60之间的接触阻抗。将阴极搭接结构200设置于显示区AA内且使阴极搭接结构200与像素1011相邻,不需要在非显示区BB内设置较宽的阴极搭接区域,有利于减小边框的宽度。
在本实施例中,不需要控制蒸镀方向或成膜方向等生产工艺过程,导电件70直接填充,阴极60通过导电件70电连接第一导电层20,解决了现有技术存在阴极与阴极信号走线连接不良风险较大的问题,提升了良率。
具体地,利用形成阳极或形成数据线时,同时形成第一底切槽201,可以简化第一底切槽201的形成工艺步骤。
实施例二
请参阅图6,本实施例提供的阴极搭接结构200与上述实施例一提供的阴极搭接结构200的结构基本相同,不同之处在于:阴极60也在第一底切槽201处断开,导电件70还覆盖位于第一开口301内的阴极60上。如此,进一步增大了导电件70与辅助电极210和阴极60之间的电接触面积,可以进一步降低导电件70与辅助电极210和阴极60之间的接触阻抗。
在本实施例中,导电件70还覆盖部分第一表面601。
具体地,一方面,实施例二提供的阴极搭接结构200不仅可以如同实施例1中的阴极搭接结构200一样降低导电件70与辅助电极210和阴极60之间的接触阻抗且实现窄边框。另一方面,只有发光器件公共层50在第一底切槽201处断开且阴极60形成在导电件70上方,导电件70的厚度和形状不易控制,如果导电件70的靠近阴极60的一端凸起的高度或弧度太大,将会增加阴极60的断裂风险,而实施例二种提供的阴极搭接结构200使阴极60和发光器件公共层50一并在第一底切槽201处断开,可以降低阴极60因导电件70的厚度和形状而导致的断裂风险。
实施例三
请参阅图3、4及图7,本实施例提供的阴极搭接结构200与上述实施例一提供的阴极搭接结构200的结构基本相同,不同之处在于:第二膜层40还形成在远离第一底切槽201且背离第一导电层20的第一膜层30上,且与第一膜层30在第一开口301处形成第二底切槽202,部分辅助电极210从第二底切槽202内裸露出来,发光器件公共层50在第二底切槽202处断开,导电件70还填充于第二底切槽202内。
在本实施例中,部分发光器件公共层50完全落在辅助电极210上。在本实施例中,第一表面601平齐。
请参阅图3,在本实施例中,第一底切槽201及第二底切槽202平行设置。
请参阅图4,在本实施例中,第一底切槽201还可以与所述第二底切槽202一体成型,第一底切槽201与第二底切槽202至少部分环绕像素1011设置。
具体地,实施例三提供的阴极搭接结构200不仅包括实施例一中的第一底切槽201,还包括第二底切槽202,辅助电极210同时从第一底切槽201和第二底切槽202中露出来,不仅可以增加导电件70与辅助电极210的接触面积,还进一步增大了容纳导电件70的空间,从而可以进一步增大导电件70自身的面积,从而能够进一步降低导电件70与辅助电极210和阴极60之间的接触阻抗,与此同时,还可以实现窄边框。
实施例四
请参阅图8,本实施例提供的阴极搭接结构200与上述实施例三提供的阴极搭接结构200的结构基本相同,不同之处在于:阴极60在第二底切槽202处断开,部分阴极60完全落在辅助电极210上。
具体地,如上所述,实施例四提供的阴极搭接结构200兼顾了实施例三和实施例二的技术效果,可以降低接触阻抗、实现窄边框且能够降低阴极60因导电件70的厚度和形状而导致的断裂风险。
实施例五
请参阅图9-图10,本实施例提供的阴极搭接结构200与上述实施例三或实施例4提供的阴极搭接结构200的结构基本相同,不同之处在于:第一导电层20上形成有一第二开口203,辅助电极210位于第二开口203的至少一侧,完全落在第一开口301内的部分发光器件公共层50收容在第二开口203内。
具体地,实施例五提供的阴极搭接结构200的完全落在第一开口301内的部分发光器件公共层50收容在第二开口203内,可以进一步增加容纳导电件70的空间,从而可以进一步增大导电件70自身的面积,从而能够进一步降低导电件70与辅助电极210和阴极60之间的接触阻抗,与此同时,还可以实现窄边框。
实施例六
请参阅图11-图12,本实施例提供的阴极搭接结构200与上述实施例三或实施例4提供的阴极搭接结构200的结构基本相同,不同之处在于:阴极搭接结构200还包括第三膜层80,第三膜层80设置于第二膜层40和发光器件公共层50之间,第三膜层80包括与第三开口401对应且重叠的第四开口801,第三膜层80的材料为无机材料或有机材料。
具体地,当第二膜层40为导电材料或金属材料时,在第二膜层40上设置第三膜层80,第三膜层80的材料为无机材料或有机材料,当形成第一底切槽201及/或第二底切槽202时,由于第三膜层80的材料为无机材料或有机材料,第三膜层80可以保护第二膜层40,避免第二膜层40被过多刻蚀,以便形成结构符合预期的底切槽。
具体地,实施例六提供的阴极搭接结构200的第三膜层80可以在纵向上进一步增加容纳导电件70的空间,可以进一步增大导电件70自身的面积,从而能够进一步降低导电件70与辅助电极210和阴极60之间的接触阻抗,与此同时,还可以实现窄边框。
具体地,如图13所示,显示面板在边框区依次包括与显示区AA相邻的电路设置区BB11、有效封装区BB12、切割区BB13。
需要说明的是,在上述实施例中的任一项的显示面板或底切槽中,第一导电层20可以为阴极电源线,阴极60可以为阴极,阴极电源线通过阴极搭接结构200提供给阴极以电信号。
如图14所示,本申请还提供一种显示终端2000的示意图。显示终端2000包括终端主体2001和上述任一项的显示面板100,终端主体2001与显示面板100组合为一体。
具体地,显示终端2000可以为手机、笔记本电脑等。
请参阅图15并结合图6、8、10及11,本申请还提供一种显示面板100的在制造方法,包括步骤:
S101:提供一基底10。
S102:在基底10上形成第一导电层20。
S103:在第一导电层20上形成第一膜层30,并在第一膜层30上形成第一开口301,作为辅助电极210的部分第一导电层20从第一开口301内裸露出来。
S104:在第一膜层30上形成第二膜层40,第二膜层40具有第三开口401。
S105:通过差异化刻蚀在第一膜层30和第二膜层40中至少形成第一底切槽201及/或第二底切槽202。
S106:在第二膜层40上形成发光器件公共层50,发光器件公共层50在第一底切槽201及/或第二底切槽202处断开。
S107:在发光器件公共层50上形成阴极60,阴极60在第一底切槽201及/或第二底切槽202处断开。
S108:在第一底切槽201及/或第二底切槽202以及第一开口301内填充导体材料,以形成导电件70并使得导电件70电连接辅助电极210及阴极60。
请参阅图16并结合图5、7、9及12,本申请还提供一种显示面板100的在制造方法,包括步骤:
S111:提供一基底10。
S112:在基底10上形成第一导电层20。
S113:在第一导电层20上形成第一膜层30,并在第一膜层30上形成第一开口301,作为辅助电极210的部分第一导电层20从第一开口301内裸露出来。
S114:在第一膜层30上形成第二膜层40,第二膜层40具有第三开口401。
S115:通过差异化刻蚀在第一膜层30和第二膜层40中至少形成第一底切槽201及/或第二底切槽202。
S116:在第二膜层40上形成发光器件公共层50,发光器件公共层50在第一底切槽201及/或第二底切槽202处断开。
S117:在第一底切槽201及/或第二底切槽202以及第一开口301内填充导体材料,以形成导电件70并使得导电件70电连接辅助电极210。
S118:在发光器件公共层50上形成阴极60,阴极60覆盖导电件70且与导电件70电接触。
在上述两种显示面板100的制造方法中,步骤104、105、106、114、115、116中的第一导电层20、第一膜层30、第二膜层40还可以先叠设在一起,再通过刻蚀依次得到第三开口401、第一开口301及第一底切槽201及/或第二底切槽202。
本申请提供的显示面板及显示终端将阴极搭接结构设置在非显示区内并使得所述阴极搭接结构位于所述显示面板的像素的至少一侧,即位于像素之间的间隙内,不需要在非显示区设置阴极搭接结构,有利于减小边框的宽度。在阴极搭接结构中,在第一膜层和第二膜层形成底切槽,使得辅助电极从所述底切槽内裸露出来,发光器件公共层在底切槽处断开,再将导电件填充在底切槽内,导电件分别电连接辅助电极及阴极,底切槽使得导电件与辅助电极和阴极之间具有较大的电连接面积,从而可以降低导电件与辅助电极和阴极之间的接触阻抗。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板、显示终端及显示面板的制造方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板,包括显示区,所述显示面板还包括基底、形成在所述基底上的多个像素及形成在所述基底上的至少一阴极搭接结构,所述像素及所述阴极搭接结构均位于所述显示区内,所述阴极搭接结构与所述像素相邻设置;其特征在于,所述阴极搭接结构包括:
第一导电层,设置于所述基底上;所述第一导电层包括辅助电极;
第一膜层,设置于所述第一导电层上,所述第一膜层包括第一开口;
第二膜层,设置于所述第一膜层上,所述第二膜层与所述第一膜层在所述第一开口处形成第一底切槽,所述第一底切槽与所述第一开口连通,所述辅助电极从所述第一底切槽及所述第一开口内裸露出来;
发光器件公共层,形成在所述第二膜层上且在所述第一底切槽处断开;
阴极,至少设置于所述发光器件公共层上;及
导电件,填充于所述第一底切槽及所述第一开口内且与所述阴极及所述辅助电极电接触;
其中,所述阴极在所述第一底切槽处断开,所述导电件覆盖位于所述第一开口内的所述阴极上。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述导电件还覆盖位于所述第一开口外的所述阴极的远离所述第一膜层的部分表面上。
3.如权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层上形成有一第二开口,所述辅助电极位于所述第二开口的至少一侧,完全落在所述第一开口内的部分所述发光器件公共层收容在所述第二开口内。
4.如权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述第二膜层还形成在远离所述第一底切槽且背离所述第一导电层的所述第一膜层上,且与所述第一膜层在所述第一开口处形成第二底切槽,部分所述辅助电极从所述第二底切槽内裸露出来,所述发光器件公共层在所述第二底切槽处断开,所述导电件还填充于所述第二底切槽内。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一底切槽与所述第二底切槽一体成型,所述第一底切槽与所述第二底切槽至少部分环绕所述像素设置。
6.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一底切槽及所述第二底切槽平行设置。
7.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述阴极搭接结构还包括第三膜层,所述第三膜层设置于所述第二膜层和所述发光器件公共层之间,所述第三膜层包括第三开口,所述第三开口与所述第一开口连通且重叠,所述第三膜层的材料为无机材料或有机材料。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一膜层和所述第二膜层均为金属材料,在同一刻蚀液中,所述第一膜层被刻蚀的速率大于所述第一导电层被刻蚀的速率和所述第二膜层被刻蚀的速率。
9.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一膜层的材料为有机材料,所述第二膜层的材料为金属材料或无机材料。
10.一种显示终端,其特征在于,包括终端主体和如权利要求1至9任一项所述的显示面板,所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
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