CN107634147A - 显示面板及其制造方法以及具有该显示面板的显示设备 - Google Patents

显示面板及其制造方法以及具有该显示面板的显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN107634147A
CN107634147A CN201710573759.2A CN201710573759A CN107634147A CN 107634147 A CN107634147 A CN 107634147A CN 201710573759 A CN201710573759 A CN 201710573759A CN 107634147 A CN107634147 A CN 107634147A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
insulating barrier
luminescence unit
display panel
contact hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710573759.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107634147B (zh
Inventor
朴日锡
金相烈
金贞延
张炳民
田宇植
赵俊敬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Priority to CN202110565627.1A priority Critical patent/CN113299843A/zh
Publication of CN107634147A publication Critical patent/CN107634147A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107634147B publication Critical patent/CN107634147B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/824Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/341Short-circuit prevention
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明涉及一种显示面板及其制造方法以及具有该显示面板的显示设备。所述显示面板包括:辅助电极,在基础基底上;第一电极,与辅助电极间隔开;第一发光单元,在辅助电极和第一电极上;导电薄膜层,在第一发光单元上;第二发光单元,在导电薄膜层上;第一接触孔,穿过导电薄膜层以使辅助电极露出;绝缘层,在第一接触孔中;以及第二电极,包括第一电极部分和第二电极部分,第一电极部分位于第一接触孔中的绝缘层上,并且第二电极部分与第一电极重叠并且位于第二发光单元上,其中绝缘层位于第一电极部分和导电薄膜层之间。

Description

显示面板及其制造方法以及具有该显示面板的显示设备
相关申请的交叉引用
2016年7月18日提交到韩国知识产权局的标题为“显示面板及其制造方法以及具有该显示面板的显示设备”的韩国专利申请第10-2016-0090947号通过引用整体被并入本文。
技术领域
本公开涉及一种显示面板及其制造方法。更具体而言,本公开涉及一种能够防止由于横向泄漏电流而发生有机发光元件的发光缺陷的显示面板、制造该显示面板的方法、以及具有该显示面板的显示设备。
背景技术
有机发光器件是自发射器件,并且具有宽视角以及优良对比度的优点。此外,有机发光器件具有快速的响应速度、高亮度以及低驱动电压。通常,有机发光器件包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、以及阴极。空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极被依次堆叠在阳极上。空穴传输层、发光层和电子传输层是有机薄层,每个都包含有机化合物。
当不同的电压被分别施加到有机发光器件的阳极和阴极时,从阳极注入的空穴穿过空穴传输层而移动到发光层,并且从阴极注入的电子穿过电子传输层而移动到发光层。空穴和电子在发光层中复合以产生激子,并且有机发光器件通过从激发态返回到基态的激子来发光。
发明内容
实施例提供了一种显示面板,包括:基础基底;辅助电极,设置在基础基底上;第一电极,当在平面图中观察时与辅助电极间隔开;第一发光单元,设置在辅助电极和第一电极上;导电薄膜层,设置在第一发光单元上;第二发光单元,设置在导电薄膜层上;绝缘层,包括设置在第一接触孔中的第一部分,第一接触孔至少由第一发光单元、导电薄膜层和第二发光单元限定,以使辅助电极露出;以及第二电极,包括第一电极部分和第二电极部分,第一电极部分设置在第一部分上并包括设置在第一接触孔中的至少一区段,当在平面图中观察时第二电极部分从第一电极部分延伸并且与第一电极重叠并且被设置在第二发光单元上。第一部分的一区段设置在第一电极部分和导电薄膜层之间,以使第一电极部分与导电薄膜层绝缘。
第一部分的其他区段设置在第一电极部分和辅助电极之间。
第一部分的其他区段与辅助电极接触。
第一部分的该区段与导电薄膜层的通过第一接触孔而露出的暴露表面接触。
第二接触孔被限定在第一部分的其他区段中,以使辅助电极的上表面的至少一部分露出,并且第一电极部分的一部分设置在被限定在该其他区段中的第二接触孔中,以与辅助电极接触。
绝缘层进一步包括:第二部分,从第一部分延伸并且被设置在第二发光单元和第二电极之间。
显示面板进一步包括:像素限定层,当在平面图中观察时被设置在辅助电极和第一电极之间,并且绝缘层进一步包括:设置在像素限定层上的第三部分,用于将第一部分和第二部分连接。
当在平面图中观察时,第二部分与第一电极重叠。
当在平面图中观察时,绝缘层与第一电极间隔开。
第一发光单元产生第一光,并且第二发光单元产生具有与第一光的颜色不同的颜色的光。
绝缘层具有比导电薄膜层的电阻大的电阻。
绝缘层具有约1nm至约10nm的厚度。
绝缘层包括LiF和LiQ中的至少一种。
实施例还提供了一种制造显示面板的方法,该方法包括:在被限定在基础基底中的第一区域中形成辅助电极;在被限定在基础基底中并且当在平面图中观察时与第一区域间隔开的第二区域中形成第一电极;在第一电极上形成第一发光单元;在第一发光单元上形成导电薄膜层;在导电薄膜层上形成第二发光单元;去除第一发光单元、导电薄膜层和第二发光单元中的至少一部分以形成使辅助电极的上表面被露出的第一接触孔;在导电薄膜层的通过第一接触孔而露出的暴露表面上形成绝缘层;以及在绝缘层上形成第二电极。
该方法还包括去除绝缘层的一部分以穿过绝缘层而形成第二接触孔,辅助电极的上表面的至少一部分通过第二接触孔而被暴露。
在形成绝缘层之后并且在形成第二电极之前,执行第二接触孔的形成。
使用激光钻孔方法来去除第一发光单元、导电薄膜层和第二发光单元中的至少一部分。
实施例还提供了一种显示设备,包括:显示面板、以及对该显示面板进行控制的控制器。该显示面板包括:基础基底;辅助电极,设置在基础基底上;第一电极,当在平面图中观察时与辅助电极间隔开;第一发光单元,设置在辅助电极和第一电极上;导电薄膜层,设置在第一发光单元上;第二发光单元,设置在导电薄膜层上;绝缘层,包括设置在第一接触孔中的第一部分,第一接触孔至少由第一发光单元、导电薄膜层和第二发光单元限定,以使辅助电极露出;以及第二电极,包括被设置在第一接触孔中并且被设置在第一部分上的第一电极部分、以及当在平面图中观察时从第一电极部分延伸并且与第一电极重叠并且被设置在第二发光单元上的第二电极部分。第一部分的一区段设置在第一电极部分和导电薄膜层之间,以使第一电极部分与导电薄膜层绝缘。
第一部分的其他区段设置在第一电极部分和辅助电极之间。
第一部分的其他区段与辅助电极接触,并且第一部分的该区段与导电薄膜层的通过第一接触孔而露出的暴露表面接触。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施例,各特征对于本领域技术人员而言将变得显而易见,其中:
图1示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的平面图;
图2示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的平面图;
图3A示出沿着图2中的线I-I'的剖视图;
图3B示出在图3A中所示的第一接触孔的放大剖视图;
图3C示出在图3A中所示的第一接触孔的放大剖视图;
图3D示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的剖视图;
图4示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的平面图;
图5示出沿着图4中的线II-II'的剖视图;
图6示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的剖视图;
图7示出根据本公开的示例性实施例的有机发光元件的示意性剖视图;
图8A至图8F示出根据示例性实施例的制造显示面板的方法中的各阶段的剖视图;并且
图9A至图9C示出根据示例性实施例的制造显示面板的方法中的各阶段的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参考照附图来更全面地描述示例性实施例;然而,这些示例性实施例可以以不同的形式来体现,并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。相反,提供这些实施例,使得本公开将是充分且完整的,并且将向本领域技术人员全面地传达示例性实施方式。
术语第一、第二等的使用不表示任何顺序或重要性,而是使用术语第一、第二等来将一个元件与另一元件区分开。将会理解,除非上下文另有明确规定,否则单数形式“一”和“该”包括复数个指示物。
还将理解,当在本说明书中使用时,术语“包括”指定所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在,但并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合的存在或添加。
在附图中,为了例示的清楚起见,层和区域的尺寸可能被夸大。还将理解,当一个层(即,元件)被称为在另一层或基底“上”时,它可以直接在该另一层或基底上,或者还可以存在中间层。此外,还将理解,当一个层被称为在两层“之间”时,它可以是这两层之间的唯一层,或者还可以存在一个或多个中间层。相同的附图标记始终表示相同的元件。此外,将会理解,当一个元件或层被称为“连接到”或“联接到”另一元件或层时,它可以直接连接或联接到该另一元件或层,或者可以存在中间元件或层。相反,当一个元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“之间”或者“直接连接到”、“直接联接到”另一元件或层时,不存在中间元件或层。
在下文中,将参考附图来详细地说明实施例。
图1是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备DD的平面图。
参考图1,显示设备DD可以包括显示面板DP、柔性印刷电路板FPC、以及印刷电路板PCB。显示面板DP通过显示区域DA来显示图像。显示区域DA通过从印刷电路板PCB提供的控制信号和图像数据而被操作。
显示面板DP包括被布置在显示区域DA中的栅极线GL1至GLn、数据线DL1至DLm以及子像素SPX。栅极线GL1至GLn在第一方向DR1上延伸并且被布置为例如在第二方向DR2上间隔开。数据线DL1至DLm与栅极线GL1至GLn交叉并且与这些栅极线绝缘。例如,数据线DL1至DLm在第二方向DR2上延伸并且被布置为例如在第一方向DR1上间隔开。在下面的描述中,基本上平行于第一方向DR1和第二方向DR2的方向可以被称为“水平方向”。
当在平面图中观察时,显示面板DP包括围绕显示区域DA的非显示区域NDA。子像素SPX未被布置在非显示区域NDA中,并且图像不通过非显示区域NDA来显示。非显示区域NDA可以被称为显示设备DD的“边框”。
子像素SPX中的每个连接到栅极线GL1至GLn中的对应栅极线和数据线DL1至DLm中的对应数据线。子像素SPX可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2以矩阵形式布置。每个子像素SPX显示红色、绿色和蓝色这种三原色中的一种。由子像素SPX显示的颜色不限于红色、绿色和蓝色,并且子像素SPX可以显示除了红色、绿色和蓝色之外的白色、黄色、青色和品红色这种二次原色。
子像素SPX可以形成像素PX。作为示例,四个子像素SPX可以形成一个像素PX,但是形成一个像素PX所需的子像素SPX的数量并不限于四个。也就是说,一个像素PX可以包括两个、三个、五个或更多个子像素SPX。
像素PX用作显示单位图像的元件,并且显示面板DP的分辨率由显示面板DP中所包含的像素PX的数量来确定。图1仅示出一个像素PX,并且其它像素可以具有与这一个像素PX相同的配置。在本示例性实施例中,显示面板DP可以是但不限于是有机发光显示面板,并且每个子像素SPX可以包括有机发光元件。
显示面板DP可以具有例如板状形状,该板状形状具有分别平行于第一方向DR1和第二方向DR2的一对短边和一对长边。在本示例性实施例中,显示面板DP可以具有各种形状。当在剖视图中观察时,显示面板DP可以具有在至少一个方向上弯曲的形状,或者当在平面图中观察时,显示面板DP可以具有至少一个圆形边缘。
柔性印刷电路板FPC将显示面板DP和印刷电路板PCB连接。图1仅示出一个柔性印刷电路板FPC,但是可以提供多个柔性印刷电路板FPC。柔性印刷电路板FPC可以沿着一个方向被布置在显示面板DP的边缘中。在本示例性实施例中,可以改变柔性印刷电路板FPC的数量。
作为示例,柔性印刷电路板FPC包括驱动芯片DC。驱动芯片DC以带载封装(TCP)的方式来安装,并且包括被实现为数据驱动器的芯片。驱动芯片DC还可以包括被实现为栅极驱动器的芯片。此外,栅极驱动器可以设置在非显示区域NDA中。
印刷电路板PCB包括用于对显示面板DP进行控制的控制器。控制器接收输入图像信号,并且将输入图像信号的数据格式转换成适合于数据驱动器、栅极驱动器和显示面板DP的接口及驱动模式的数据格式,以生成图像数据。控制器输出图像数据和控制信号。图像数据包括与在显示区域DA中所显示的图像有关的信息。
数据驱动器接收图像数据和控制信号。数据驱动器响应于控制信号而将图像数据转换为数据电压,并且将数据电压施加到数据线DL1至DLm。数据电压可以是与图像数据对应的模拟电压。
各种电子器件可以被安装在印刷电路板PCB上以实现控制器。例如,印刷电路板PCB可以包括无源器件(例如电容器、电阻器等)、有源器件(例如包括集成电路的微处理器、存储器芯片等)、以及用于连接它们的线。
显示面板DP还可以包括辅助电极100。当在平面图中观察时,辅助电极100可以设置在子像素SPX之间。
辅助电极100可以具有例如栅格形状。辅助电极100包括多个第一延伸部分100_a和多个第二延伸部分100_b。第一延伸部分100_a在第一方向DR1上延伸并且被布置在第二方向DR2上。第二延伸部分100_b在第二方向DR2上延伸并且被布置在第一方向DR1上。第一延伸部分100_a和第二延伸部分100_b可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2每隔一个子像素SPX来设置,例如,第一延伸部分100_a中的每个可以以一一对应的方式沿着子像素SPX的对应行而设置,并且第二延伸部分100_b中的每个可以以一一对应的方式沿着子像素SPX的对应列而设置。然而,实施例并不限定于此或由此限定,例如,第一延伸部分100_a和第二延伸部分100_b可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2每隔两个子像素SPX来设置。
辅助电极100可以防止在显示面板DP中发生IR降。IR降将在后面详细描述。
图2是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的平面图,图3A是沿着图2中的线I-I'截取的剖视图,图3B是用于示出图3A中的第一接触孔的放大剖视图,并且图3C是用于示出图3A中的第一接触孔的放大剖视图。
参考图2,像素PX中的每个可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3、以及第四子像素SPX4。第一子像素SPX1至第四子像素SPX4与图1中所示的子像素SPX的实施例对应。
在本示例性实施例中,第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4分别对应于红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。第一子像素SPX1至第四子像素SPX4中的每个可以具有例如基本上四边形的形状。
在本示例性实施例中,显示面板DP可以包括在第一子像素SPX1至第四子像素SPX4之间设置的像素限定层PDL。像素限定层PDL可以对第一子像素SPX1至第四子像素SPX4之间的边界以及像素PX之间的边界进行限定。
在本示例性实施例中,第一接触孔CNT1被限定为穿过显示面板DP。第一接触孔CNT1被限定在第一延伸部分100_a与第二延伸部分100_b彼此交叉的区域中。
参考图3A,显示面板DP可以包括基础基底BS、像素电路层PC、第一绝缘层IL1、有机发光元件200、绝缘层300、以及第二绝缘层IL2。基础基底BS可以是透明的,并且可以包括例如刚性玻璃或柔性聚合物。
像素电路层PC可以设置在基础基底BS上。像素电路层PC可以包括用于驱动有机发光元件200和至少两个晶体管的电路。像素电路层PC可以包括例如响应于施加到其上的栅极信号而导通以传输数据电压的开关晶体管、以及将与数据电压对应的驱动电流从开关晶体管施加到有机发光元件200的驱动晶体管。
第一绝缘层IL1可以设置在像素电路层PC上。第一绝缘层IL1可以包括被限定为穿过第一绝缘层IL1使像素电路层PC的一部分露出的接触孔。第一绝缘层IL1具有有机材料或无机材料的单层或多层结构。
在本示例性实施例中,有机发光元件200可以包括第一电极210、第一发光单元220、导电薄膜层230、第二发光单元240、以及第二电极250。
在本示例性实施例中,第一电极210可以设置在第一绝缘层IL1上。例如,第一电极210的第一端通过第一绝缘层IL1中的接触孔而与像素电路层PC接触,以从像素电路层PC接收驱动电流。
基础基底BS包括第一区域A1和在水平方向上与第一区域A1间隔开的第二区域A2。第一电极210的第二端从第一电极210延伸并且被设置在第二区域A2中。
辅助电极100设置在第一区域A1中。辅助电极100包括导电材料。辅助电极100可以是透明电极、半透明电极或非透明电极(或反射电极)。此外,辅助电极100可以具有单个材料或多个不同材料的单层结构、或者由不同材料形成的层的多层结构。
在本示例性实施例中,像素限定层PDL设置在辅助电极100和第一电极210上。像素限定层PDL覆盖辅助电极100的边缘并且使辅助电极100的中心部分露出。当在平面图中观察时,像素限定层PDL的一部分可以设置在第一区域A1和第二区域A2之间。第一区域A1可以被限定为与辅助电极100的中心部分对应。
像素限定层PDL可以覆盖第一电极210的边缘并且使第一电极210的中心部分露出。第二区域A2可以被限定为与第一电极210的所露出的中心部分对应。
在本示例性实施例中,第一发光单元220设置在像素限定层PDL、第一电极210和辅助电极100上。第一发光单元220产生例如具有第一颜色的第一光。第一发光单元220包括多个有机层。
在本示例性实施例中,导电薄膜层230可以设置在第一发光单元220上。导电薄膜层230设置在第一发光单元220和第二发光单元240之间,以向第一发光单元220和第二发光单元240提供电荷(电子和/或空穴)并且对电荷的平衡进行控制。
在本示例性实施例中,第二发光单元240可以设置在导电薄膜层230上。第二发光单元240产生例如具有第二颜色的第二光。第二发光单元240包括多个有机层。
在本示例性实施例中,有机发光元件200可以是但不限于是白色有机发光元件。通过混合第一颜色和第二颜色而获得的颜色可以是白色,并且第一颜色和第二颜色可以具有彼此互补的颜色关系。第一光和第二光可以彼此混合以产生白光。例如,第一颜色和第二颜色可以分别是蓝色和黄色,但是它们并不限定于此或由此限定,例如,第一颜色和第二颜色可以分别是红色和绿色。
第二电极250可以设置在绝缘层300上。第二电极250包括设置在第一区域A1中的第一电极部分251、以及从第一电极部分251延伸并且被设置在第二区域A2中的第二电极部分252。更详细而言,当在平面图中观察时,第一电极部分251和第二电极部分252分别与辅助电极100和第一电极210重叠。
第二电极250设置在基础基底BS的整个表面上。因此,IR降沿着水平方向而发生在第二电极250中,并且像素PX的亮度根据显示面板DP的位置而变得不同。为了防止发生IR降,可以将第二电极250连接到辅助电极100。由于辅助电极100通过绝缘层300的第一部分310而连接到第二电极250,因此可以防止发生或者可以减少在第二电极250中发生的IR降。
在本示例性实施例中,绝缘层300设置在第二发光单元240、第一暴露表面221、第二暴露表面231和第三暴露表面241、以及辅助电极100的一部分上。在本示例性实施例中,绝缘层300包括第一部分310、第二部分320和第三部分330。
详细地,第一部分310的至少一区段(即,第一部分310的第一区段)例如在第一接触孔CNT1中适形地沿着侧壁而布置。参考图3B和图3C,第一接触孔CNT1被限定在第一区域A1中,并且被设置在辅助电极100的上方。第一接触孔CNT1被限定为穿过第一发光单元220、导电薄膜层230和第二发光单元240,以使辅助电极100露出。在图3B和图3C中,为了方便对第一接触孔CNT1和第一部分310进行说明,并未示出一些元件。例如,在图3C中并未示出绝缘层300以及被设置在绝缘层300上方的层。
在下面的描述中,“接触孔被限定在层中”这种表述意味着通过部分地去除该层而获得的空间被定义为接触孔。因此,第一接触孔CNT1可以由通过部分地去除第一发光单元220、导电薄膜层230和第二发光单元240而形成的空白空间(在图3B和图3C中用点划出的区域)限定。
辅助电极100的上表面的至少一部分、第一发光单元220的第一暴露表面221、导电薄膜层230的第二暴露表面231、以及第二发光单元240的第三暴露表面241通过第一接触孔CNT1而露出。由于第一部分310的第一区段设置在第一接触孔CNT1中,因此第一部分310的第一区段可以仅设置在由第一暴露表面221、第二暴露表面231和第三暴露表面241所包围的区域中。
第一部分310的第一区段设置在导电薄膜层230和第一电极部分251之间。第一部分310的第一区段的下表面与第一暴露表面221、第二暴露表面231和第三暴露表面241接触,并且第一部分310的上表面与第一电极部分251接触。
在本示例性实施例中,第一部分310的第二区段设置在第一电极部分251和辅助电极100之间,以将第一电极部分251电连接到辅助电极100。第一部分310的第二区段的下表面与辅助电极100接触。例如,参考图3A,第一部分310的第二区段是平行于基础基底BS而在辅助电极100上延伸的部分,即,在第一接触孔CNT1的底部上,并且第一部分310的第一区段是从第二区段沿着第一接触孔CNT1的侧壁而延伸的部分。
在本示例性实施例中,第二部分320设置在第二区域A2中。第二部分320在第二区域A2中设置在第二发光单元240上并且设置在第二发光单元240与第二电极部分252之间。
在本示例性实施例中,当在平面图中观察时,第三部分330设置在第一部分310和第二部分320之间,并且将第一部分310和第二部分320连接。第三部分330设置在像素限定层PDL上。
绝缘层300防止横向泄漏电流流过导电薄膜层230。如果绝缘层300被省略,则导电薄膜层230将在第一接触孔CNT1中直接与第一电极部分251接触,致使施加到第一电极部分251的第一电压被施加到导电薄膜层230上,从而导致横向泄漏电流在第一接触孔CNT1中穿过导电薄膜层230。因此,横向泄漏电流可以穿过第一发光单元220。此外,泄漏电压可能会由于横向泄漏电流而被施加在第二区域A2中。泄漏电压可以是通过对沿着横向泄漏电流的路径被施加在第一接触孔CNT1中的电压进行分压而获得的电压。泄漏电压大于被施加到第一电极210的电压并且小于第一电压。
如果横向泄漏电流和泄漏电压被施加在第二区域A2中,则从第一发光单元220发射的光的发光可能不良(以下称为“不良发光”)。例如,如果横向泄漏电流和泄漏电压被施加在第二区域A2中(例如,当省略了绝缘层300时、当与零(0)灰度级对应的电压被施加到第一电极210时),第一发光单元220可以发光或产生与不同于被施加到第一电极210的电压的灰度级的灰度级对应的光。
相反,根据本示例性实施例,绝缘层300可以使导电薄膜层230与第二电极250绝缘,从而防止导电薄膜层230和第一电极部分251之间的横向泄漏电流和泄漏电压,反过来,这又防止或者基本上最小化在有机发光元件200中发生不良发光。更详细而言,绝缘层300的第一部分310的沿着第一接触孔CNT1的侧壁的第一区段可以例如将导电薄膜层230与第二电极250完全或部分绝缘。
在绝缘层300将导电薄膜层230与第二电极250完全绝缘的情况下,横向泄漏电流不会从第一电极部分251流向导电薄膜层230,并且泄漏电压不会被施加到第一部分310。在绝缘层300将导电薄膜层230与第二电极250部分绝缘的情况下,等于或小于临界电流的横向泄漏电流可能会流过,并且等于或小于临界电压的泄漏电压可能会被施加到第二部分320。当泄漏电压小于临界电压并且横向泄漏电流小于临界电流时,第一发光单元220可以不发光,例如,可以不发射与小于相应临界值的电压和/或电流对应的光。
绝缘层300具有被确定为使得不良发光被防止的电阻。绝缘层300的电阻大于导电薄膜层230的电阻。绝缘层300具有被确定为使得第一电极部分251被电连接到辅助电极100并且使导电薄膜层230与第一电极部分251绝缘的厚度。
绝缘层300的厚度在约1nm至约10nm的范围内。绝缘层300需要具有上述厚度,因此绝缘层300可以在第一区域A1中具有绝缘功能。此外,优选的是,绝缘层300具有上述厚度,以在第二区域A2中执行电子注入/传输功能或空穴注入/传输功能。这些将参考图7来详细描述。根据上述,在本示例性实施例中,绝缘层300使导电薄膜层230与第二电极250绝缘,因此可以防止由于横向泄漏电流而导致的有机发光元件200的不良发光发生,并且可以稳定地驱动有机发光元件200。
第一电极210和第二电极250中的每个包括导电材料。更详细而言,第一电极210和第二电极250中的每个是透明电极、半透明电极或非透明电极(或反射电极)。此外,第一电极210和第二电极250可以具有单个材料或多个不同材料的单层结构、或者由不同材料形成的层的多层结构。
在第一电极210和第二电极250中的每个是透明电极或半透明电极的情况下,第一电极210和第二电极250中的每个可以包括例如各自为光学上薄的Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、BaF、Ba、Ag、其化合物、或者其混合物(例如Ag和Mg的混合物)、或者例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化钼、氧化钛等的透明金属氧化物。在第一电极210和第二电极250中的每个是反射电极的情况下,第一电极210和第二电极250中的每个可以包括例如各自为光学上厚的Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、其化合物、或其混合物(例如Ag和Mg的混合物)。
在本示例性实施例中,有机发光元件200可以是后表面发光型或前表面发光型。在有机发光元件200为后表面发光型的情况下,第一电极210被设置为透明电极或半透明电极,并且第二电极250为反射电极。在这种情况下,白光通过第一电极210而射出到外部。在有机发光元件200是前表面发光型的情况下,第一电极210被设置为反射电极,第二电极250是透明电极或半透明电极,因此白光通过第二电极250而射出到外部。
作为示例,有机发光元件200可以具有非反转结构或反转结构。当有机发光元件200具有非反转结构时,第一电极210是阳极,第二电极250是阴极,并且施加到第一电极210的电压大于施加到第二电极250的电压。反之,当有机发光元件200具有反转结构时,第一电极210是阴极,第二电极250是阳极,并且施加到第一电极210的电压小于施加到第二电极250的电压。
图3D是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的剖视图。除了图3D中的第一接触孔和第一部分比图3A中的第一接触孔和第一部分延伸得更深之外,图3D中的显示面板DP与图3A中的显示面板DP基本上相同。
参考图3D,像素电路层PC包括晶体管TR。晶体管TR包括栅电极GE、源电极SE、漏电极DE和半导体层SL。半导体层SL设置在基础基底BS上。第一晶体管绝缘层TRI1设置在半导体层SL上。第二晶体管绝缘层TRI2设置在第一晶体管绝缘层TRI1的上方。源电极SE和漏电极DE设置在第二晶体管绝缘层TRI2上并且彼此间隔开。
源电极SE穿过由第一晶体管绝缘层TRI1和第二晶体管绝缘层TRI2限定的接触孔而连接到半导体层SL的一端,并且漏电极DE穿过由第一晶体管绝缘层TRI1和第二晶体管绝缘层TRI2限定的接触孔而连接到半导体层SL的另一端。晶体管TR响应于被施加到栅电极GE的控制信号,将被施加到源电极SE的电压通过漏电极DE施加到第一电极210。
辅助电极100设置在第一绝缘层IL1和第二晶体管绝缘层TRI2之间,并且第一绝缘层IL1包括被限定为穿过第一绝缘层IL1的中间接触孔CNT_M,以使辅助电极100露出。也就是说,辅助电极100的上表面通过中间接触孔CNT_M而露出。第一发光单元220和第二发光单元240以及导电薄膜层230的设置在第一区域A1中的部分被设置在中间接触孔CNT_M中。
第一接触孔CNT1被限定为穿过第一发光单元220和第二发光单元240以及导电薄膜层230的设置在中间接触孔CNT_M中的部分。辅助电极100的上表面通过第一接触孔CNT1而露出。例如,如图3D所示,第一接触孔CNT1和中间接触孔CNT_M可以彼此流体连通,例如,第一发光单元220的部分可以沿着第一接触孔CNT1的侧壁延伸,并且沿着中间接触孔CNT_M的侧壁连续地延伸。例如,如图3D中进一步所示,中间接触孔CNT_M可以在第一接触孔CNT1与第一绝缘层IL1的侧壁之间,例如,中间接触孔CNT_M可以从第一接触孔CNT1朝向第一绝缘层IL1的侧壁径向延伸。
在本示例性实施例中,绝缘层300的第一部分310设置在第一接触孔CNT1中。辅助电极100的上表面的至少一部分、第一发光单元220的第一暴露表面221、导电薄膜层230的第二暴露表面231、以及第二发光单元240的第三暴露表面241通过第一接触孔CNT1而露出。由于第一部分310被设置在第一接触孔CNT1中,因此第一部分310可以仅设置在由第一暴露表面221、第二暴露表面231和第三暴露表面241以及第一电极部分251所包围的区域中。
第一部分310的第一区段(例如在第一接触孔CNT1的侧壁上)设置在导电薄膜层230和第一电极部分251之间。第一部分310的该区段的下表面与第一暴露表面221、第二暴露表面231和第三暴露表面241接触,并且第一部分310的上表面与第一电极部分251接触。在本示例性实施例中,第一部分310的第二区段(例如,在第一接触孔CNT1的底部上)设置在第一电极部分251和辅助电极100之间,以将第一电极部分251电连接到辅助电极100。第一部分310的第二区段的下表面与辅助电极100接触。此外,根据另一实施例,辅助电极100可以设置在第一晶体管绝缘层TRI1和第二晶体管绝缘层TRI2之间。第一接触孔CNT1被限定在第一晶体管绝缘层TRI1中,以使辅助电极100的上表面露出,并且第一部分310可以设置在第一接触孔CNT1中。
图4是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的平面图,并且图5是沿图4中的线II-II'截取的剖视图。除了第二接触孔CNT2和导电薄膜层230之外,图4和图5中的显示面板DP与在图2和图3中所示出的显示面板DP基本上相同。因此,将主要描述第二接触孔CNT2和导电薄膜层230的不同特征,并省略其它的细节。
参考图4,可以在显示面板DP中进一步限定第二接触孔CNT2。当在平面图中观察时,第二接触孔CNT2可以被限定在第一接触孔CNT1中。
参考图5,第二接触孔CNT2在第一区域A1中被限定在辅助电极100上方。第二接触孔CNT2被限定为穿过绝缘层300。更详细而言,第二接触孔CNT2被限定在第一部分310中,辅助电极100的上表面的至少一部分和绝缘层300的第四暴露表面301通过第二接触孔CNT2而露出。
在本示例性实施例中,第一电极部分251的至少一部分被设置在第二接触孔CNT2中,并且与辅助电极100的通过第二接触孔CNT2而露出的部分接触。如上所述,由于第二电极250直接连接到辅助电极100,因此不会在第二电极250和辅助电极100之间产生电压降。因此,可以有效地防止IR降,并且可以提高有机发光元件200的伏安特性。
图6是示出根据本公开的示例性实施例的显示面板的剖视图。除了绝缘层之外,图6中的显示面板DP与在图5中所示出的显示面板DP基本上相同。因此,主要描述绝缘层的不同特征,并省略其它的细节。
参考图6,绝缘层300不设置在第二区域A2中。当在平面图中观察时,绝缘层300与第二区域A2间隔开,而且不与第二区域A2重叠。换言之,可以省略第二部分320和第三部分330。
在本示例性实施例中,绝缘层300在第二区域A2中未被设置在有机发光元件200的有机层之间。因此,绝缘层300不会对有机发光元件200的电荷平衡和伏安特性产生影响。因此,可以独立地执行用于维持电荷平衡的有机发光元件200的设计以及用于防止发生横向泄漏电流的绝缘层300的设计。
图7是有机发光元件200的示意性剖视图。
参考图7,第一发光单元220包括第一空穴控制层HCL1、第一发光层EML1、以及第一电子控制层ECL1。第二发光单元240包括第二空穴控制层HCL2、第二发光层EML2、以及第二电子控制层ECL2。
第一发光层EML1和第二发光层EML2设置在第一电极210和第二电极250之间。在本示例性实施例中,第一发光层EML1和第二发光层EML2中的每个包括主体材料和掺杂剂材料。第一发光层EML1和第二发光层EML2中的每个通过将荧光材料或磷光材料施加到主体材料而形成。
作为主体,例如,可以使用Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、CBP(4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯)、PVK(聚(N-乙烯基咔唑))、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)、TCTA(4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)、TPBi(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、DSA(二苯乙烯基亚芳基)、CDBP(4,4'-双(9-氮芴基)-2,2”-二甲基-联苯)、MADN(2-甲基-9,10-二(萘-2-基)蒽)。然而,实施例并不限定于此或由此限定。
发光层的颜色可以通过主体材料和掺杂剂材料的组合来确定。例如,当发光层发射红光时,发光层可以包括含有例如PBD:Eu(DBM)3(Phen)(三(二苯甲酰甲烷基)菲咯啉铕)或二萘嵌苯的荧光材料。当发光层发射红光时,有机发光层中包含的掺杂剂可以是金属络合物,例如,有机金属络合物,诸如PIQIr(acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)、PtOEP(八乙基卟啉铂)等。
当发光层发射绿光时,发光层可以包括含有例如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)的荧光材料。当发光层发射绿光时,包含在发光层中的掺杂剂可以是金属络合物例如,有机金属络合物,诸如Ir(ppy)3(fac-三(2-苯基吡啶)铱)。
当发光层发射蓝光时,发光层可以包括含有例如来自由螺-DPVBi、螺-6P、DSB(二苯乙烯基苯)、DSA(二苯乙烯基-亚芳基)、PFO(聚芴)基聚合物和PPV(聚(对亚苯基亚乙烯基))类聚合物所构成的组中的任意一种的荧光材料。当发光层发射蓝光时,包含在发光层中的掺杂剂可以是金属络合物,例如,有机金属络合物,诸如(4,6-F2ppy)2Irpic)。
第一发光层EML1产生具有比由第二发光层EML2产生的光的波长短的波长的光。如上所述,第一光可以是蓝光,并且具有等于或大于约450nm且等于或小于约595nm的波长范围。如上所述,第二光可以是黄光,并且具有等于或大于约570nm且等于或小于约590nm的波长范围。
同时,根据实施例,第一发光层EML1和第二发光层EML2可以被设计成产生具有各种颜色的光。第一发光层EML1和第二发光层EML2可以通过各种方法来形成,例如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗缪尔-布洛吉特(LB,Langmuir-Blodgett)法、注入印刷法、激光打印法、激光诱导热成像(LITI,Laser Induced Thermal Imaging)法等。
导电薄膜层230设置在第一发光层EML1和第二发光层EML2之间,以提高有机发光元件200的电流效率和光效率。当将电压施加到导电薄膜层230时,导电薄膜层230通过因氧化还原反应而形成络合物来产生电荷。
在本示例性实施例中,导电薄膜层230可以包括被依次堆叠的第一导电薄膜层231和第二导电薄膜层232。第一导电薄膜层231和第二导电薄膜层232可以分别是N型导电薄膜层和P型导电薄膜层。N型导电薄膜层可以包括碱金属(例如Li、Na、K、Cs或类似物)或者掺杂有碱土金属(例如Mg、Sr、Ba、Ra或类似物)的有机层,但并不限定于此或由此限定。P型导电薄膜层可以包括具有P型掺杂剂的有机层,但应不限定于此或由此限定。
第一空穴控制层HCL1设置在第一电极210和第一发光层EML1之间。第二空穴控制层HCL2设置在导电薄膜层230和第二发光层EML2之间。
当第一电极210是阳电极层时,从第一电极210注入的空穴通过第一空穴控制层HCL1被提供给第一发光层EML1。由导电薄膜层230生成的空穴通过第二空穴控制层HCL2被提供给第二发光层EML2。
第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以与空穴注入区域、空穴传输区域、缓冲区域和电子阻挡区域中的至少一个对应。第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以具有单个材料或多个不同材料的单层结构、或者由不同材料形成的层的多层结构。
例如,第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以包括与空穴注入区域对应的空穴注入层、与空穴传输区域对应的空穴传输层和具有空穴注入功能和空穴传输功能的单层中的至少一个。
第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以包括空穴注入材料和空穴传输材料中的至少一种。空穴注入材料和空穴传输材料可以是已知的材料。
空穴传输材料可以包括但不限于例如咔唑基衍生物(例如,N-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑等)、氟基衍生物、三苯胺基衍生物(例如,TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺)、TCTA(4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺)等)、NPB(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)、或TAPC(4,4'-环亚己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺])。空穴注入材料可以包括但不限于酞菁化合物中的至少一种,诸如,铜酞菁、DNTPD(N,N'-二苯基-N,N'-双-[4-(苯基-m-甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4'-二胺)、m-MTDATA(4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4,4',4"-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺)、2TNATA(4,4',4"-三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3,4-亚乙二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、PANI/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PANI/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)、PANI/PSS((聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))等。
第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以通过与形成第一发光层EML1和第二发光层EML2类似的工艺来形成。例如,第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以通过各种方法来形成,例如,真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗缪尔-布洛吉特(LB)法、注入印刷法、激光打印法、激光诱导热成像(LITI)法等。
同时,第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以包括与空穴阻挡区域对应的空穴阻挡层。在这种情况下,第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以包括空穴阻挡材料。此外,第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个还可以包括电荷生成材料。
第一电子控制层ECL1设置在第一发光层EML1和导电薄膜层230之间。由导电薄膜层230产生的电子通过第一电子控制层ECL1被提供给第一发光层EML1。
第二电子控制层ECL2设置在第二发光层EML2和第二电极250之间。当第二电极250是阴电极层时,从第二电极250注入的电子通过绝缘层300和第二电子控制层ECL2被提供给第二发光层EML2。
第一电子控制层ECL1和第二电子控制层ECL2中的每个可以与电子注入区域、电子传输区域和空穴阻挡区域中的至少一个对应。第一电子控制层ECL1和第二电子控制层ECL2中的每个可以具有单个材料或多个不同材料的单层结构、或者由不同材料形成的层的多层结构。
例如,第一电子控制层ECL1和第二电子控制层ECL2中的每个可以包括与电子注入区域对应的电子注入层、与电子传输区域对应的电子传输层、以及具有电子注入功能和电子传输功能的单层中的至少一个。
第一电子控制层ECL1和第二电子控制层ECL2中的每个可以包括电子传输材料和电子注入材料中的至少一种。例如,电子传输材料可以包括但不限于Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、NTAZ(4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑)、tBu-PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑)、BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝)、Bebq2(双铍(苯并喹啉-10-羟基))、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)、或其化合物。
此外,电子注入材料可以包括镧基金属(例如,LiF、LIQ(喹啉锂)、Li2O、BaO、NaCl、CsF、Yb等)或金属卤化物(例如,RbCl、RbI等),但并不限定于此或由此限定。电子传输层可以包括电子传输材料和具有绝缘性质的有机金属盐的混合物。
有机金属盐具有约4eV或更高的能带隙。详细地,有机金属盐可以包括例如金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮盐或金属硬脂酸盐。
第一电子控制层ECL1和第二电子控制层ECL2中的每个可以通过各种方法来形成,例如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗缪尔-布洛吉特(LB)法、注入印刷法、激光打印法、激光诱导热成像(LITI)法等。
根据本公开的有机发光元件200不应受限于上述结构和功能。例如,有机发光元件200可以包括三个发光单元以及被插入在三个发光单元之间的两个导电薄膜层。在该结构中,绝缘层300可以使两个导电薄膜层与第二电极250绝缘。
作为示例,绝缘层300与设置在第二发光单元240上的单独部件对应,但是本公开不应限定于此或由此限定。也就是说,绝缘层300可以被设置为用于执行第二发光单元240的功能的层。例如,绝缘层300可以与电子注入区域对应,第二发光单元240的第二电子控制层ECL2可以包括电子传输区域和空穴阻挡区域。在该结构中,绝缘层300可以执行第二发光单元240的电子注入区域的功能。类似地,绝缘层300不仅可以是电子注入区域,还可以是电子传输区域和空穴阻挡区域。此外,在有机发光元件200具有反转结构的情况下,绝缘层300可以是空穴注入区域、空穴传输区域和电子阻挡区域中的一个。
绝缘层300可以包括例如LiQ和LiF中的至少一种。作为示例,在非反转结构中,绝缘层300可以包括用于阻挡电子的注入/传输的第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2的主体材料、或具有低电子电导率的第一电子控制层ECL1和第二电子控制层ECL2的材料。因此,从作为阴极的第一电极部分251注入的电子被阻挡,并因此能够有效地防止横向泄漏电流。
绝缘层300具有约1nm至约10nm的厚度。当绝缘层300的厚度小于约1nm时,在第一区域A1中绝缘层300可能并没有足够厚以适当地执行针对导电薄膜层230的绝缘功能(参见图3A)。当绝缘层300的厚度超过约10nm时,在第二区域A2中绝缘层300可能太厚而不能执行针对第二发光单元240的电子注入/传输的功能(参见图3A)。
作为示例,在反转结构中,绝缘层300可以包括用于阻挡空穴的注入/传输的第一电子控制层ECL1和第二电子控制层ECL2的主体材料、或具有低空穴电导率的第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2的材料。因此,从作为阳极的第一电极部分251注入的空穴被阻挡,并因此能够有效地防止横向泄漏电流。
图8A至图8F是示出根据示例性实施例的制造显示面板的方法中的阶段的剖视图。
参考图8A,像素电路层PC形成在基础基底BS上,并且第一绝缘层IL1形成在像素电路层PC上。穿过第一绝缘层IL1而形成驱动接触孔CNT_Dr。像素电路层PC的一部分通过驱动接触孔CNT_Dr而露出。
参考图8B,第一电极210和辅助电极100形成在第一绝缘层IL1上。如上所述,第一电极210的第一端被设置在穿过第一绝缘层IL1而形成的驱动接触孔CNT_Dr中,并且与像素电路层PC接触。第一电极210的第二端从第一电极210的第一端延伸,并且被设置在第二区域A2中。辅助电极100与第一电极210间隔开,并且被设置在第一区域A1中。
如图8C所示,像素限定层PDL形成在第一电极210和辅助电极100上。然后,第一发光单元220、导电薄膜层230和第二发光单元240顺序地形成在像素限定层PDL、第一电极210和辅助电极100上。
参考图8D,第一接触孔CNT1形成在第一区域A1中。第一接触孔CNT1通过去除第一发光单元220、导电薄膜层230和第二发光单元240的第一区域A1中的部分(以下称为“去除层”)来露出例如第一辅助电极100的上表面的一部分而形成。作为示例,由于去除了去除层,因此形成了第一暴露表面221、第二暴露表面231和第三暴露表面241,例如,第一暴露表面221至第三暴露表面241是面向第一接触孔CNT1内部的侧表面并且限定了第一接触孔CNT1的侧壁。
参考图8E,绝缘层300例如在第二发光单元240上被适形地形成。例如,第一部分310例如在第一接触孔CNT1中被适形地形成,并且与被露出的辅助电极100接触。然后,如图8F所示,第一电极部分251和第二绝缘层IL2形成在绝缘层300上。
图9A至图9C是示出根据示例性实施例的制造显示面板的方法中的阶段的剖视图。
参考图9A,包括像素电路层PC、绝缘层300以及设置在像素电路层PC和绝缘层300之间的元件的组件被依次堆叠在基础基底BS上。像素电路层PC、绝缘层300以及设置在像素电路层PC和绝缘层300之间的元件的堆叠方法与参考图8A至图8E所描述的制造方法相同,因此其细节将被省略。
参考图9B,穿过绝缘层300而形成第二接触孔CNT2。通过去除第一部分310的在第一区域A1中的一部分来露出辅助电极100的一部分而形成第二接触孔CNT2。作为示例,可以通过使用激光钻孔方法来去除第一部分310的一部分。当去除了第一部分310的一部分时,第四暴露表面401被形成。
如图9C所示,第二电极250形成在绝缘层300上。第一电极部分251与通过第二接触孔CNT2而露出的辅助电极100接触。第二绝缘层IL2形成在第二电极250上。
通过总结和回顾,本公开提供了一种能够防止由于横向泄漏电流而导致的有机发光元件的不良发射的显示面板。本公开还提供了一种制造该显示面板的方法以及具有该显示面板的显示设备。
也就是说,根据实施例,绝缘层设置在导电薄膜层和第二电极之间,以使导电薄膜层与第二电极绝缘。因此,可以防止横向泄漏电流流过导电薄膜层,并且可以防止由于横向泄漏电流而发生有机发光元件的发光缺陷。
在本文中已经公开了示例实施例,尽管使用了特定的术语,但它们仅以一般和描述性的意思被使用和解释,而不是为了限制的目的。在一些情况下,如对递交本申请的领域内的普通技术人员来说将是显而易见的那样,结合特定实施例而描述的特征、特性和/或元件可以单独使用,或者也可以与结合其它实施例而描述的特征、特性和/或元件组合使用,除非另有明确说明。因此,本领域技术人员将会理解,在不脱离如以下权利要求中提出的本发明的精神和范围的情况下,可以进行形式上和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示面板,包括:
基础基底;
辅助电极,在所述基础基底上;
第一电极,当在平面图中观察时与所述辅助电极间隔开;
第一发光单元,在所述辅助电极和所述第一电极上;
导电薄膜层,在所述第一发光单元上;
第二发光单元,在所述导电薄膜层上;
第一接触孔,至少穿过所述第一发光单元、所述导电薄膜层和所述第二发光单元,以使所述辅助电极露出;
绝缘层,包括在所述第一接触孔中的第一部分;以及
第二电极,包括第一电极部分和第二电极部分,所述第一电极部分位于所述绝缘层的所述第一部分上并且具有在所述第一接触孔中的至少一部分,当在平面图中观察时所述第二电极部分与所述第一电极重叠,所述第二电极部分位于所述第二发光单元上,
其中所述绝缘层的所述第一部分的第一区段在所述第一电极部分和所述导电薄膜层之间,以使所述第一电极部分与所述导电薄膜层绝缘。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中
所述绝缘层的所述第一部分的第二区段在所述第一电极部分和所述辅助电极之间。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中
所述绝缘层的所述第一部分的所述第二区段与所述辅助电极接触。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其中
所述绝缘层进一步包括从所述第一部分延伸的第二部分,所述第二部分位于所述第二发光单元和所述第二电极之间。
5.根据权利要求4所述的显示面板,进一步包括:
像素限定层,当在平面图中观察时,所述像素限定层在所述辅助电极和所述第一电极之间,
所述绝缘层进一步包括:在所述像素限定层上的第三部分,用于将所述第一部分和所述第二部分连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其中
当在平面图中观察时,所述第二部分与所述第一电极重叠。
7.根据权利要求2所述的显示面板,其中所述显示面板进一步包括:
第二接触孔,被限定在所述绝缘层的所述第一部分的所述第二区段中,以使所述辅助电极的上表面的至少一部分露出,并且
其中所述第一电极部分的一部分位于被限定在所述第二区段中的所述第二接触孔中,以与所述辅助电极接触。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其中
所述绝缘层的所述第一部分的所述第一区段与所述导电薄膜层的通过所述第一接触孔而露出的暴露表面接触。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其中
当从平面图中观察时,所述绝缘层与所述第一电极间隔开。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其中
所述第一发光单元产生第一光,并且所述第二发光单元产生具有与所述第一光的颜色不同的颜色的光。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其中
所述绝缘层具有比所述导电薄膜层的电阻大的电阻。
12.根据权利要求1所述的显示面板,其中
所述绝缘层具有1nm至10nm的厚度。
13.根据权利要求1所述的显示面板,其中
所述绝缘层包括LiF和LiQ中的至少一种。
14.一种制造显示面板的方法,所述方法包括:
在被限定在基础基底中的第一区域中形成辅助电极;
在被限定在所述基础基底中并且当在平面图中观察时与所述第一区域间隔开的第二区域中形成第一电极;
在所述第一电极上形成第一发光单元;
在所述第一发光单元上形成导电薄膜层;
在所述导电薄膜层上形成第二发光单元;
去除所述第一发光单元、所述导电薄膜层和所述第二发光单元中的至少一部分以形成使所述辅助电极的上表面露出的第一接触孔;
在所述导电薄膜层的通过所述第一接触孔而露出的暴露表面上形成绝缘层;以及
在所述绝缘层上形成第二电极。
15.根据权利要求14所述的方法,进一步包括:
去除所述绝缘层的一部分以形成穿过所述绝缘层的第二接触孔,所述辅助电极的所述上表面的至少一部分通过所述第二接触孔而被露出。
16.根据权利要求15所述的方法,其中
在形成所述绝缘层之后并且在形成所述第二电极之前,执行所述第二接触孔的形成。
17.根据权利要求14所述的方法,其中
使用激光钻孔方法来去除所述第一发光单元、所述导电薄膜层和所述第二发光单元中的所述至少一部分。
18.一种显示设备,包括:
显示面板;以及
控制器,对所述显示面板进行控制,所述显示面板包括:
基础基底;
辅助电极,在所述基础基底上;
第一电极,当在平面图中观察时与所述辅助电极间隔开;
第一发光单元,在所述辅助电极和所述第一电极上;
导电薄膜层,在所述第一发光单元上;
第二发光单元,在所述导电薄膜层上;
第一接触孔,至少穿过所述第一发光单元、所述导电薄膜层和所述第二发光单元,以使所述辅助电极露出;
绝缘层,包括在所述第一接触孔中的第一部分;以及
第二电极,包括第一电极部分和第二电极部分,所述第一电极部分位于所述绝缘层的所述第一部分上并且具有所述第一接触孔中的至少一部分,当在平面图中观察时所述第二电极部分从所述第一电极部分延伸并且与所述第一电极重叠,所述第二电极部分位于所述第二发光单元上,
其中所述绝缘层的所述第一部分的第一区段在所述第一电极部分和所述导电薄膜层之间,以使所述第一电极部分与所述导电薄膜层绝缘。
19.根据权利要求18所述的显示设备,其中
所述第一部分的第二区段在所述第一电极部分和所述辅助电极之间。
20.根据权利要求19所述的显示设备,其中,
所述第一部分的所述第二区段与所述辅助电极接触,并且所述第一部分的所述第一区段与所述导电薄膜层的通过所述第一接触孔而露出的表面接触。
CN201710573759.2A 2016-07-18 2017-07-14 显示面板及其制造方法以及具有该显示面板的显示设备 Active CN107634147B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110565627.1A CN113299843A (zh) 2016-07-18 2017-07-14 显示面板及其制造方法以及具有该显示面板的显示设备

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0090947 2016-07-18
KR1020160090947A KR102543639B1 (ko) 2016-07-18 2016-07-18 표시 패널, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110565627.1A Division CN113299843A (zh) 2016-07-18 2017-07-14 显示面板及其制造方法以及具有该显示面板的显示设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107634147A true CN107634147A (zh) 2018-01-26
CN107634147B CN107634147B (zh) 2021-06-11

Family

ID=59350732

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110565627.1A Pending CN113299843A (zh) 2016-07-18 2017-07-14 显示面板及其制造方法以及具有该显示面板的显示设备
CN201710573759.2A Active CN107634147B (zh) 2016-07-18 2017-07-14 显示面板及其制造方法以及具有该显示面板的显示设备

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110565627.1A Pending CN113299843A (zh) 2016-07-18 2017-07-14 显示面板及其制造方法以及具有该显示面板的显示设备

Country Status (6)

Country Link
US (4) US10020461B2 (zh)
EP (1) EP3273499B1 (zh)
JP (1) JP6875218B2 (zh)
KR (2) KR102543639B1 (zh)
CN (2) CN113299843A (zh)
TW (1) TWI762495B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019010965A1 (zh) * 2017-07-12 2019-01-17 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示面板及制备方法以及显示装置
CN110048022A (zh) * 2019-04-22 2019-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled器件及其制备方法
WO2019173946A1 (en) * 2018-03-12 2019-09-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode array substrate, display panel and display apparatus, and fabricating method thereof
CN110739338A (zh) * 2019-10-24 2020-01-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示面板
CN111276090A (zh) * 2018-12-04 2020-06-12 三星显示有限公司 显示装置及制造该显示装置的方法
JP2021096999A (ja) * 2019-12-19 2021-06-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN113936597A (zh) * 2021-10-26 2022-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示设备及亮度补偿方法
CN115275058A (zh) * 2022-07-29 2022-11-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示终端

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA3002752A1 (en) 2015-10-26 2017-05-04 Oti Lumionics Inc. Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating
KR102470303B1 (ko) * 2015-10-27 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102543639B1 (ko) * 2016-07-18 2023-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치
CN116583131A (zh) 2017-04-26 2023-08-11 Oti照明公司 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置
JP7264488B2 (ja) 2017-05-17 2023-04-25 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド パターン化コーティングにわたって伝導性コーティングを選択的に堆積させるための方法および伝導性コーティングを含むデバイス
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
CN109004005B (zh) * 2018-07-24 2020-12-11 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
KR102469187B1 (ko) * 2018-09-04 2022-11-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20200066503A (ko) * 2018-11-30 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR102075741B1 (ko) * 2018-12-17 2020-02-10 엘지디스플레이 주식회사 표시패널
KR20210149058A (ko) 2019-03-07 2021-12-08 오티아이 루미오닉스 인크. 핵생성 억제 코팅물 형성용 재료 및 이를 포함하는 디바이스
CN110071156B (zh) * 2019-04-28 2022-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN117500334A (zh) 2019-06-26 2024-02-02 Oti照明公司 包括具有光衍射特征的光透射区域的光电设备
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
JP2022544198A (ja) 2019-08-09 2022-10-17 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド 補助電極および仕切りを含む光電子デバイス
KR20210042216A (ko) 2019-10-08 2021-04-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210138842A (ko) 2020-05-12 2021-11-22 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN112117357B (zh) * 2020-09-17 2022-03-22 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
KR20230058200A (ko) * 2021-10-22 2023-05-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 포함하는 전자 장치 및 표시 패널 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101911832A (zh) * 2008-12-18 2010-12-08 松下电器产业株式会社 有机电致发光显示装置及其制造方法
US20140239262A1 (en) * 2013-02-25 2014-08-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US20160190521A1 (en) * 2014-12-30 2016-06-30 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display having multi-layer stack structure
CN107230692A (zh) * 2016-03-25 2017-10-03 三星显示有限公司 包括迭层结构的有机发光显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7520790B2 (en) 2003-09-19 2009-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of display device
JP2005327674A (ja) 2004-05-17 2005-11-24 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセント表示素子、それを有する表示装置、及び、その製造方法
KR100875103B1 (ko) * 2007-11-16 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101094282B1 (ko) 2009-12-04 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
KR101810047B1 (ko) * 2011-07-28 2017-12-19 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR101976133B1 (ko) * 2012-11-20 2019-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20150009126A (ko) 2013-07-15 2015-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104752476B (zh) * 2013-12-31 2018-05-22 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
JP2015138746A (ja) 2014-01-24 2015-07-30 ソニー株式会社 有機el素子、表示装置及び照明装置
KR102145759B1 (ko) 2014-03-27 2020-08-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR101640803B1 (ko) * 2014-09-26 2016-07-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
EP3240036A1 (en) * 2016-04-29 2017-11-01 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
KR102543639B1 (ko) * 2016-07-18 2023-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101911832A (zh) * 2008-12-18 2010-12-08 松下电器产业株式会社 有机电致发光显示装置及其制造方法
US20140239262A1 (en) * 2013-02-25 2014-08-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US20160190521A1 (en) * 2014-12-30 2016-06-30 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display having multi-layer stack structure
CN107230692A (zh) * 2016-03-25 2017-10-03 三星显示有限公司 包括迭层结构的有机发光显示装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019010965A1 (zh) * 2017-07-12 2019-01-17 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示面板及制备方法以及显示装置
US11765920B2 (en) 2017-07-12 2023-09-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic electroluminescent display panel, manufacturing method thereof, and display device
US11114636B2 (en) 2017-07-12 2021-09-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic electroluminescent display panel, manufacturing method thereof, and display device
US11335877B2 (en) 2018-03-12 2022-05-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode array substrate, display panel and display apparatus, and fabricating method thereof
WO2019173946A1 (en) * 2018-03-12 2019-09-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode array substrate, display panel and display apparatus, and fabricating method thereof
CN111276090A (zh) * 2018-12-04 2020-06-12 三星显示有限公司 显示装置及制造该显示装置的方法
CN110048022A (zh) * 2019-04-22 2019-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled器件及其制备方法
CN110739338A (zh) * 2019-10-24 2020-01-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示面板
JP2021096999A (ja) * 2019-12-19 2021-06-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7432353B2 (ja) 2019-12-19 2024-02-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN113936597A (zh) * 2021-10-26 2022-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示设备及亮度补偿方法
CN113936597B (zh) * 2021-10-26 2023-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示设备及亮度补偿方法
CN115275058A (zh) * 2022-07-29 2022-11-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示终端
CN115275058B (zh) * 2022-07-29 2024-01-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示终端

Also Published As

Publication number Publication date
JP6875218B2 (ja) 2021-05-19
KR20180009441A (ko) 2018-01-29
US20200220099A1 (en) 2020-07-09
CN107634147B (zh) 2021-06-11
KR20230088321A (ko) 2023-06-19
EP3273499A1 (en) 2018-01-24
US10020461B2 (en) 2018-07-10
CN113299843A (zh) 2021-08-24
TW201807468A (zh) 2018-03-01
KR102543639B1 (ko) 2023-06-15
EP3273499B1 (en) 2022-09-14
US10439161B2 (en) 2019-10-08
US20180019434A1 (en) 2018-01-18
JP2018014323A (ja) 2018-01-25
US20180309085A1 (en) 2018-10-25
US10600986B1 (en) 2020-03-24
US20200075884A1 (en) 2020-03-05
US10991903B2 (en) 2021-04-27
TWI762495B (zh) 2022-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107634147A (zh) 显示面板及其制造方法以及具有该显示面板的显示设备
CN107452775A (zh) 显示面板和制造显示面板的方法
CN104681734B (zh) 有机发光器件
CN100484349C (zh) 有机发光元件
CN101714613B (zh) 有机发光二极管显示器件
CN105390619B (zh) 有机发光装置及其制造方法
CN103887320B (zh) 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN101901877B (zh) 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置
CN104752481B (zh) 具有微腔结构的有机发光显示装置
CN107579093A (zh) 有机发光显示装置
CN103972261B (zh) 有机发光显示器及其制造方法
CN108493230A (zh) 显示基板及其制造方法、显示面板
CN104752624B (zh) 白色有机发光器件
CN103681760A (zh) 有机发光显示装置
CN101752510A (zh) 发光元件、发光装置、电子设备和照明装置
CN106972105A (zh) 显示设备
CN106560935A (zh) 有机电致发光装置
CN104953040A (zh) 白色有机发光器件
CN104103765A (zh) 有机发光二极管装置
CN105655372A (zh) 有机发光显示装置
KR20120047003A (ko) 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 표시 장치
CN111430556A (zh) 有机电致发光器件和有机电致发光装置
CN107565036A (zh) 有机发光装置
CN107437588A (zh) 有机发光显示设备及其制造方法
CN104241317B (zh) 有机发光二极管显示器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant