JP6875218B2 - 表示パネル、その製造方法、及びこれを具備する表示装置 - Google Patents

Description

本発明は表示パネル、その製造方法、及びこれを具備する表示装置に係り、さらに詳細には水平漏洩電流による有機発光素子の不良発光を防止できる表示パネル、その製造方法、及びこれを具備する表示装置に関する。

有機発光素子は自発光型素子として視野角が広く、コントラストが優れる。それだけでなく、有機発光素子は応答時間が早く、輝度が高く、駆動電圧が低い。

一般的に有機発光素子はアノード、アノード上に順次的に配置された正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及びカソードを含む。ここで、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層は有機化合物からなる有機薄膜である。

有機発光素子のアノード及びカソードに互いに異なる電圧が印加されれば、アノードから注入された正孔は正孔輸送層を経由して発光層に移動し、カソードから注入された電子は電子輸送層を経由して発光層に移動する。正孔及び電子は発光層において再結合して励起子（ｅｘｉｔｏｎ）を生成する。この励起子が励起状態から基底状態に落ちる際に、光が生成される。

米国特許第８，８２９，５４２号公報 米国特許第９，０７６，９８３号公報 米国特許第９，２６３，６９４号公報 米国特許公開第２０１５／００１４６５８号明細書 韓国特許公開第１０−２０１５−０１１３３０８号明細書

本発明の目的は水平漏洩電流による有機発光素子の不良発光を防止できる表示パネル、その製造方法、及びこれを具備する表示装置を提供することにある。

本発明の一実施形態に係る表示パネルはベース基板と、ベース基板上に配置された補助電極と、平面視において、補助電極から離隔された第１電極と、補助電極及び第１電極上に配置される第１発光ユニットと、第１発光ユニット上に配置された電荷生成層と、電荷生成層上に配置される第２発光ユニットと、少なくとも第１発光ユニット、電荷生成層、及び第２発光ユニット内に定義されて補助電極を露出させる第１コンタクトホール内に配置される第１部分を含む抵抗制御層と、少なくとも一部が第１コンタクトホール内に配置され、第１部分上に配置される第１電極部及び第１電極部から延長され、平面視において、第１電極と重畳され、第２発光ユニット上に配置される第２電極部を具備する第２電極と、を具備し、第１部分のいずれか一部は、第１電極部及び電荷生成層の間に配置され、第１電極部と電荷生成層とを絶縁させる。

第１部分の他の一部は第１電極部と補助電極との間に配置される。

第１部分の他の一部は補助電極と接触する。

第１部分のいずれの一部は第１コンタクトホールによって露出される電荷生成層の露出面と接触する。

第１部分の他の一部には補助電極の上面の少なくとも一部を露出させる第２コンタクトホールが定義され、第１電極部の一部は抵抗制御層内に定義された第２コンタクトホールに配置されて補助電極と接触する。

抵抗制御層は第１部分から延長され、第２発光ユニット及び第２電極の間に配置される第２部分をさらに含む。

平面視において、補助電極及び第１電極の間に配置される画素定義膜をさらに含み、抵抗制御層は画素定義膜上に配置され、第１及び第２部分を連結する第３部分をさらに含む。

第２部分は、平面視において、第１電極と重畳される。

抵抗制御層は、第１電極と離隔される。

第１発光ユニットは第１光を生成し、第２発光ユニットは第１光と異なる色相を有する光を生成する。

抵抗制御層の抵抗は電荷生成層の抵抗より大きい。

抵抗制御層の厚さは１ｎｍ乃至１０ｎｍである。

抵抗制御層はＬｉＦ及びＬｉＱの少なくともいずれか１つを含む。

本発明の一実施形態に係る表示パネルの製造方法は、ベース基板上に定義された第１領域に補助電極を形成する段階と、平面視において、第１領域に離隔されてベース基板上に定義された第２領域に第１電極を形成する段階と、第１電極上に第１発光ユニットを形成する段階と、第１発光ユニット上に電荷生成層を形成する段階と、電荷生成層上に第２発光ユニットを形成する段階と、少なくとも第１発光ユニット、電荷生成層、及び第２発光ユニットの一部を除去して補助電極の上面を露出させる第１コンタクトホールを形成する段階と、第１コンタクトホールによって露出される電荷生成層の露出面上に配置される抵抗制御層を形成する段階と、抵抗制御層上に第２電極を形成する段階と、を含む。

抵抗制御層の一部を除去して、抵抗制御層に補助電極の上面の少なくとも一部を露出させる第２コンタクトホールを形成する段階をさらに含む。

第２コンタクトホールを形成する段階は抵抗制御層を形成する段階及び第２電極を形成する段階の間に遂行される。

第１発光ユニット、電荷生成層、及び第２発光ユニットはレーザードリリングを利用して除去される。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、表示パネルと、表示パネルを制御する制御部と、を含み、表示パネルは、ベース基板と、ベース基板上に配置された補助電極と、平面視において、補助電極から離隔された第１電極と、補助電極及び第１電極上に配置される第１発光ユニットと、第１発光ユニット上に配置された電荷生成層と、電荷生成層上に配置される第２発光ユニットと、少なくとも第１発光ユニット、電荷生成層、及び第２発光ユニットに定義されて補助電極を露出させる第１コンタクトホール内に配置される第１部分を含む抵抗制御層と、第１コンタクトホール内に配置され、第１部分上に配置される第１電極部、及び第１電極部から延長され、平面視において、第１電極と重畳され、第２発光ユニット上に配置される第２電極部を具備する第２電極を具備し、第１部分のいずれか一部は、第１電極部及び電荷生成層の間に配置され、第１電極部と電荷生成層とを絶縁させる。

第１部分の他の一部は第１電極部と補助電極との間に配置される。

第１部分の他の一部は補助電極と接触し、第１部分のいずれの一部は第１コンタクトホールによって露出される電荷生成層の露出面と接触する。

本発明によれば、抵抗制御層は電荷生成層及び第２電極の間に配置されて、電荷生成層及び第２電極を絶縁させる。したがって、電荷生成層に水平漏洩電流が流れることが防止され、水平漏洩電流による有機発光素子の不良発光を防止できる。

本発明の一実施形態に係る表示装置の概略的な平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示パネルの平面図である。 図２に図示したＩ−Ｉ’に沿って切断した切断面の断面図である。 図３に図示した第１コンタクトホールを拡大した断面図である。 図３に図示した第１コンタクトホールを拡大した平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示パネルの断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示パネルの平面図である。 図７に図示したＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した切断面の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機発光素子の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示パネルの製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示パネルの製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示パネルの製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示パネルの製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示パネルの製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示パネルの製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示パネルの製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示パネルの製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示パネルの製造方法を説明する断面図である。

本発明は多様な変更を加えることができ、様々な形態を有し得る。特定な実施形態を図面に例示し、本文において詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定しようとするのではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物、及び代替物を含むとして理解されるべきである。

各図面を説明しながら、類似の参照符号を類似の構成要素に対して使用した。添付した図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して図示したものである。第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されるが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはならない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱せず、第１構成要素は第２構成要素と称され、同様に第２構成要素も第１構成要素と称されることができる。単数の表現は文脈上に明確に異なって表現しない限り、複数の表現を含む。

本明細書において、‘‘含む’’等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組合したことが存在することを表現しようするものであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品、又はこれらを組合したものの存在又は付加可能性を予め排除しないものとして理解されるべきである。また、層、膜、領域、板等の部分が他の部分の‘‘上に’’あるとする場合、これは、他の部分の‘‘直ちに上に’’ある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。反対に、層、膜、領域、板等の部分が他の部分の“下部に”あるとする場合、これは、他の部分の‘‘直ちに下に’’ある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。

以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。

図１は本発明の一実施形態に係る表示装置の概略的な平面図である。
図１を参照すれば、本発明の一実施形態に係る表示装置ＤＤは表示パネルＤＰ、軟性回路基板ＦＰＣ、及び印刷回路基板ＰＣＢを含む。

表示パネルＤＰは表示領域ＤＡに映像を表示する。表示領域ＤＡは印刷回路基板ＰＣＢから提供される制御信号及び映像データによって駆動される。

表示パネルＤＰは表示領域ＤＡに配置されるゲートラインＧＬ１乃至ＧＬｎ、データラインＤＬ１乃至ＤＬｍ、及びサブ画素ＳＰＸを含む。ゲートラインＧＬ１乃至ＧＬｎは、例えば第１方向ＤＲ１に沿って延長され、第２方向ＤＲ２に沿って配列される。データラインＤＬ１乃至ＤＬｍはゲートラインＧＬ１乃至ＧＬｎと絶縁され、交差する。例えば、データラインＤＬ１乃至ＤＬｍは第２方向ＤＲ２に沿って延長され、第１方向ＤＲ１に沿って配列される。本明細書において、第１及び第２方向ＤＲ１、ＤＲ２と平行である方向を水平方向とする。

平面視において、表示パネルＤＰの非表示領域ＮＤＡは表示領域ＤＡを囲むように定義される。非表示領域ＮＤＡにはサブ画素ＳＰＸが配置されず、非表示領域ＮＤＡには映像が表示されない。非表示領域ＮＤＡは表示装置ＤＤのベゼルとして定義される。

サブ画素ＳＰＸの各々はゲートラインＧＬ１乃至ＧＬｎの中の対応するゲートライン及びデータラインＤＬ１乃至ＤＬｍの中の対応するデータラインに接続される。

サブ画素ＳＰＸは第１及び第２方向ＤＲ１、ＤＲ２に沿ってマトリックス状に配列される。サブ画素ＳＰＸはレッド、グリーン、及びブルーのような主要色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）の中のいずれか１つを表示する。サブ画素ＳＰＸが表示できるカラーはレッド、グリーン、及びブルーに限定されず、サブ画素ＳＰＸはレッド、グリーン、及びブルーカラー以外にホワイト又はイエロー、シアン、及びマゼンタのような２次主要色（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）等の多様な色を表示できる。

サブ画素ＳＰＸは画素ＰＸを構成する。本発明の一例として、４つのサブ画素ＳＰＸは１つの画素ＰＸを構成する。しかし、これに限定されず、２つ、３つ、又は５つ以上のサブ画素ＳＰＸが１つの画素ＰＸを構成する。

画素ＰＸは単位映像を表示する素子であり、表示パネルＤＰに具備された画素ＰＸの数によって表示パネルＤＰの解像度が決定される。図１においては１つの画素ＰＸのみを図示し、残る画素に対する図示は省略した。

本発明の一例において、表示パネルＤＰは有機発光表示パネルであり、サブ画素ＳＰＸは有機発光素子を含む。

表示パネルＤＰは、例えば第１及び第２方向ＤＲ１、ＤＲ２と各々平行である一対の長辺及び一対の短辺を有する板形状を有する。本発明の一例において、表示パネルＤＰの形状は多様に変形され、表示パネルＤＰは断面から見た時、少なくとも一方向に沿って曲がった形状を有するか、或いは平面視において、少なくとも１つの丸い形状を有するエッジを有する。

軟性回路基板ＦＰＣは表示パネルＤＰと印刷回路基板ＰＣＢとを互いに連結させる。図１においては軟性回路基板ＦＰＣは１つのみを図示したが、本発明の一例において、軟性回路基板ＦＰＣは複数提供され、複数の軟性回路基板ＦＰＣは表示パネルＤＰの縁に一方向に沿って配列される。本発明の一例において、軟性回路基板ＦＰＣの個数は多様に変形される。

本発明の一例として軟性回路基板ＦＰＣは駆動チップＤＣを含む。駆動チップＤＣは、例えばテープキャリヤーパッケージ（ＴＣＰ：Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）形態にて実装され、データドライバー（図示せず）を具現したチップを含む。駆動チップＤＣはゲートドライバーを具現したチップをさらに含むこともできる。また、ゲートドライバーは非表示領域ＮＤＡ内に配置されてもよい。

印刷回路基板ＰＣＢは表示パネルＤＰを制御する制御部（図示せず）を含む。制御部は入力映像信号を受信し、データドライバー、ゲートドライバー、及び表示パネルＤＰのインターフェイス仕様及び駆動モードに合うように入力映像信号のデータフォーマット等を変換して映像データを生成する。制御部は映像データと制御信号とを出力する。映像データは表示領域ＤＡに表示される映像に係る情報を含む。

データドライバーは映像データ及び制御信号を各々受信する。データドライバーは制御信号に応答して映像データをデータ電圧に変換し、データ電圧をデータラインＤＬ１乃至ＤＬｍに出力する。データ電圧は映像データに対応するアナログ電圧である。

印刷回路基板ＰＣＢには制御部を具現した多様な電子素子が実装される。例えば、印刷回路基板ＰＣＢはキャパシター、抵抗のような受動素子のみならず、集積回路を含むマイクロプロセッサ、メモリチップのような能動素子及びこれらを連結する配線を含む。

表示パネルＤＰは補助電極１００をさらに含む。本発明の一例において、補助電極１００は平面視において、サブ画素ＳＰＸの間に配置される。

補助電極１００は、例えばグリッド（Ｇｒｉｄ）形状を有する。補助電極１００は複数の第１延長部１００＿ａ及び複数の第２延長部１００＿ｂを含む。複数の第１延長部１００＿ａは、例えば第１方向ＤＲ１に延長され、第２方向ＤＲ２に配列される。複数の第２延長部１００＿ｂは第２方向ＤＲ２に延長され、第１方向ＤＲ１に配列される。複数の第１及び第２延長部１００＿ａ、１００＿ｂは第１及び第２方向ＤＲ１、ＤＲ２に沿って１つのサブ画素ＳＰＸ毎に配置されて、１つのサブ画素ＳＰＸ単位に配置されてもよく、図示しないが、２つ以上のサブ画素ＳＰＸ単位に配置されてもよい。

補助電極１００は表示パネルＤＰに発生するＩＲ Ｄｒｏｐを防止する。ＩＲ Ｄｒｏｐに対しては後述する。

図２は本発明の一実施形態に係る表示パネルの平面図であり、図３は図２に図示したＩ−Ｉ’に沿って切断した切断面の断面図であり、図４は図３に図示した第１コンタクトホールＣＮＴ１を拡大した断面図であり、図５は図３に図示した第１コンタクトホールＣＮＴ１を拡大した平面図である。

図２を参照すれば、本発明の一実施形態に係る複数の画素ＰＸの各々は、例えば第１乃至第４サブ画素ＳＰＸ１乃至ＳＰＸ４を含む。第１乃至第４サブ画素ＳＰＸ１乃至ＳＰＸ４は図１に図示したサブ画素ＳＰＸの一例である。

本発明の一例において、第１乃至第４サブ画素ＳＰＸ１乃至ＳＰＸ４は、例えば各々レッドサブピクセル、グリーンサブピクセル、ブルーサブピクセル、及びホワイトサブピクセルである。第１乃至第４サブ画素ＳＰＸ１乃至ＳＰＸ４の各々は大略、四角形形状を有する。

本発明の一例において、表示パネルＤＰは第１乃至第４サブ画素ＳＰＸ１乃至ＳＰＸ４の間に配置される画素定義膜ＰＤＬを含む。画素定義膜ＰＤＬは第１乃至第４サブ画素ＳＰＸ１乃至ＳＰＸ４の間の境界及び複数の画素ＰＸの間の境界を定義する。

本発明の一例において、表示パネルＤＰには第１コンタクトホールＣＮＴ１が定義される。第１コンタクトホールＣＮＴ１は、例えば第１及び第２延長部１００＿ａ、１００＿ｂが交差する領域に定義される。

図３を参照すれば、表示パネルＤＰはベース基板ＢＳ、画素回路層ＰＣ、第１絶縁層ＩＬ１、有機発光素子２００、抵抗制御層３００、及び第２絶縁層ＩＬ２を含む。

本発明の一例において、ベース基板ＢＳは透明であり、例えばリジッド（Ｒｉｇｉｄ）であるガラス又は柔軟性を有するポリマーからなるか、或いはこれらを含む。

画素回路層ＰＣはベース基板ＢＳ上に配置される。画素回路層ＰＣは、例えば有機発光素子２００を駆動するための回路を含み、少なくとも２つ以上のトランジスタを含む。画素回路層ＰＣは、例えば印加されたゲート信号に応答してターンオンされてデータ電圧を伝達するスイッチングトランジスタと、スイッチングトランジスタから伝達されたデータ電圧に対応する駆動電流を有機発光層ＯＬに供給する駆動トランジスタとを含む。

第１絶縁層ＩＬ１は画素回路層ＰＣ上に配置される。第１絶縁層ＩＬ１には画素回路層ＰＣの一部を露出させるコンタクトホールが定義される。第１絶縁層ＩＬ１は有機物又は無機物を含む単層又は複層を含む。

本発明の一例において、有機発光素子２００は第１電極２１０、第１発光ユニット２２０、電荷生成層２３０、第２発光ユニット２４０、第２電極２５０を含む。

本発明の一例において、第１電極２１０は第１絶縁層ＩＬ１上に配置される。第１電極２１０の一端は第１絶縁層ＩＬ１に形成されたコンタクトホールに配置され、画素回路層ＰＣに接続し、画素回路層ＰＣから駆動電流を受信する。

ベース基板ＢＳには第１領域Ａ１及び第１領域Ａ１から水平方向に離隔される第２領域Ａ２が定義される。第１電極２１０の他端は第１電極２１０の一端から延長されて第２領域Ａ２に配置される。

補助電極１００は第１領域Ａ１に配置される。補助電極１００は伝導性物質を含む。補助電極１００は透明電極、半透明電極、又は不透明電極（又は反射電極）である。また、補助電極１００は単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層又は複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する層構造を有する。

本発明の一例において、補助電極１００及び第１電極２１０上に画素定義膜ＰＤＬが配置される。画素定義膜ＰＤＬは、例えば補助電極１００の縁をカバーし、補助電極１００の中央部を露出させる。画素定義膜ＰＤＬの一部分は、第１及び第２領域Ａ１、Ａ２の間に配置される。

第１領域Ａ１は、例えば露出される補助電極１００の中央部に対応して定義される。

画素定義膜ＰＤＬは、例えば第１電極２１０の縁をカバーし、第１電極２１０の中央部を露出させる。第２領域Ａ２は、例えば露出される第１電極２１０の中央部に対応して定義される。

本発明の一例において、第１発光ユニット２２０は画素定義膜ＰＤＬ、第１電極２１０、及び補助電極１００上に配置される。第１発光ユニット２２０は、例えば第１色相を有する第１光を生成する。第１発光ユニット２２０は複数の有機物層を含む。

本発明の一例において、電荷生成層２３０は第１発光ユニット２２０上に配置される。電荷生成層２３０は第１及び第２発光ユニット２２０、２４０の間に配置されて第１及び第２発光ユニット２２０、２４０に提供される電荷（電子及び／又は正孔）を供給し、供給される電荷の均衡を調節する。

本発明の一例において、第２発光ユニット２４０は電荷生成層２３０上に配置される。第２発光ユニット２４０は、例えば第２色相を有する第２光を発光する。第２発光ユニット２４０は複数の有機物層を含む。

本発明の一例において、有機発光素子２００は白色有機発光素子である。第１及び第２色相の混合色は、例えば白色であり、互いに捕色関係にある。第１及び第２色相の光は合わせて白色光を生成する。第１及び第２色相は、例えば各々青色及び黄色である。しかし、これに限定されず、第１及び第２色相は赤色又は緑色であってもよい。

第２電極２５０は抵抗制御層３００上に配置される。第２電極２５０は、例えば第１領域Ａ１に配置される第１電極部２５１及び第１電極部２５１から延長され、第２領域Ａ２に配置される第２電極部２５２を含む。より具体的に、平面視において、第１電極部２５１は補助電極１００と重畳され、第２電極部２５２は第１電極２１０と重畳される。

第２電極２５０はベース基板ＢＳ上に全面的に配置される。したがって、水平方向に沿って第２電極２５０にはＩＲ Ｄｒｏｐが発生し、表示パネルＤＰの位置により画素ＰＸの輝度が変わる。ＩＲ Ｄｒｏｐを防止するために、第２電極２５０は補助電極１００と連結される。補助電極１００が抵抗制御層３００の第１部分３１０を通じて第２電極２５０と連結されることによって、第２電極２５０に発生するＩＲ ｄｒｏｐが防止又は減少される。

本発明の一例において、抵抗制御層３００は第２発光ユニット２４０、第１乃至第３露出面２２１、２３１、２４１、及び補助電極１００の一部上に配置される。本発明の一例において、抵抗制御層３００は第１乃至第３部分３１０、３２０、３３０を含む。

本発明の一例において、第１部分３１０の少なくとも一部は第１コンタクトホールＣＮＴ１に配置される。図４及び図５をさらに参照すれば、第１コンタクトホールＣＮＴ１は第１領域Ａ１内に定義され、例えば補助電極１００上に定義される。第１コンタクトホールＣＮＴ１は第１発光ユニット２２０、電荷生成層２３０、及び第２発光ユニット２４０内に定義されて補助電極１００を露出させる。図４及び図５においては第１コンタクトホールＣＮＴ１及び第１部分３１０に対する説明及び理解の容易にするために一部の構成要素の図示を省略する。例えば、図５には抵抗制御層３００及び抵抗制御層３００上に配置された層を省略している。

本明細書において、‘‘コンタクトホールが所定の層内に定義される’’という意味は、所定の層を除去して生成される空間をコンタクトホールとして定義することを意味する。したがって、第１コンタクトホールＣＮＴ１は第１発光ユニット２２０、電荷生成層２３０、及び第２発光ユニット２４０が除去されて形成される空いた空間（図４及び図５にハッチングにより表示された領域）として定義される。

第１コンタクトホールＣＮＴ１によって補助電極１００の上面の少なくとも一部、第１発光ユニット２２０の第１露出面２２１、電荷生成層２３０の第２露出面２３１、及び第２発光ユニット２４０の第３露出面２４１が露出される。第１部分３１０の一部が第１コンタクトホールＣＮＴ１に配置され、第１乃至第３露出面２２１、２３１、２４１及び補助電極部１００の上面に囲まれる領域のみに配置される。

第１部分３１０の一部は電荷生成層２３０及び第１電極部２５１の間に配置される。第１部分３１０の一部の下面は、例えば第１乃至第３露出面２２１、２３１、２４１と接触し、第１部分３１０の上面は、第１電極部２５１と接触する。本発明の一例において、第１部分３１０の他の一部は第１電極部２５１及び補助電極１００の間に配置され、第１電極部２５１を補助電極１００と電気的に連結させる。第１部分３１０の他の一部の下面は補助電極１００と接触する。

本発明の一例において、第２部分３２０は第２領域Ａ２に配置される。第２部分３２０は第２電極部２５２下に配置され、第２領域Ａ２内において第２発光ユニット２４０及び第２電極部２５２の間に配置される。

本発明の一例において、第３部分３３０は、第１及び第２部分３１０、３２０の間に配置され、第１及び第２部分３１０、３２０を連結する。第３部分３３０は画素定義膜ＰＤＬ上に配置される。

本発明の一例において、抵抗制御層３００は水平漏洩電流が電荷生成層２３０に流れることを防止する。これとは異なり、抵抗制御層３００が省略されて、電荷生成層２３０及び第１電極部２５１が直接接触している構造においては、第１電極部２５１に印加された第１電圧が第１部分３１０に印加され、水平漏洩電流が電荷生成層２３０に流れる。水平漏洩電流は、第１部分３１０から第３部分３３０を経て第２部分３２０及び第１電極２１０に沿って流れる。したがって、水平漏洩電流が第１発光ユニット２２０を通過する。また、水平漏洩電流によって第２部分３２０には漏洩電圧がかかる。漏洩電圧は第１部分３１０に印加された電圧が水平漏洩電流の経路をしたがって電圧分配された電圧である。漏洩電圧は第１電極２１０に印加された電圧より大きく、第１電圧より低い。

水平漏洩電流及び漏洩電圧によって、第１発光ユニット２２０は不良な発光（以下、不良発光）をする。例えば、第１電極２１０に‘‘０’’階調に対応される電圧が印加された時、第１発光ユニット２２０が発光するか、或いは第１電極２１０に印加された電圧の階調と異なる階調の光を第１発光ユニット２２０が生成する。

本発明の一例において、抵抗制御層３００は電荷生成層２３０及び第１電極部２５１の間の水平漏洩電流及び漏洩電圧によって有機発光素子２００における不良発光の発生を防止するために、電荷生成層２３０及び第２電極２５０の間を絶縁させる。より具体的に、抵抗制御層３００の一部は電荷生成層２３０及び第２電極２５０を完全に絶縁させるか、或は一部絶縁させる。

抵抗制御層３００が電荷生成層２３０及び第２電極２５０を完全絶縁させる場合、第１電極部２５１から電荷生成層２３０に水平漏洩電流は流れず、第１部分３１０に漏洩電圧がかからない。抵抗制御層３００が電荷生成層２３０及び第２電極２５０を一部絶縁させる場合、臨界電流以下の水平漏洩電流が流れ、第２部分３２０には臨界電圧以下の漏洩電圧が印加される。漏洩電圧が臨界電圧より小さいか、或いは水平漏洩電流が臨界電流より小さい場合、第１発光ユニット２２０は発光しない。

抵抗制御層３００の抵抗は不良発光が防止されるように決定される。抵抗制御層３００の抵抗は、例えば電荷生成層２３０の抵抗より大きい。抵抗制御層３００の厚さは、第１電極部２５１と補助電極１００とが電気的に連結され、電荷生成層２３０と第１電極部２５１とが絶縁されるように定められる。

抵抗制御層３００の厚さは１ｎｍ乃至１０ｎｍである。抵抗制御層３００が、第１領域Ａ１内において絶縁機能を有するための範囲の厚さを有することが望ましく、抵抗制御層３００が、第２領域Ａ２内において電子注入／輸送機能又は正孔注入／輸送機能を有するための範囲の厚さを有することが望ましい。これに対する詳細な説明は図１０を参照して後述する。上述した内容を要約すれば、本発明の一例において、抵抗制御層３００は電荷生成層２３０及び第２電極２５０を絶縁させるので、水平漏洩電流による有機発光素子２００の不良発光が防止され、有機発光素子２００が安定的に駆動される。

第１及び第２電極２１０、２５０の各々は伝導性物質を含む。より具体的に、第１及び第２電極２１０、２５０の各々は透明電極、半透明電極、又は不透明電極（又は反射電極）である。また、第１及び第２電極２１０、２５０は単一物質からなされた単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層又は複数の互いに異なる物質からなる複数の層の層構造を有する。

本発明の一例において、第１及び第２電極２１０、２５０の各々が透明電極又は半透明電極である場合、第１及び第２電極２１０、２５０の各々は、例えば光学的に薄い（ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｔｈｉｎ）Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、ＢａＦ、Ｂａ、Ａｇ又はこれらの化合物や混合物（例えば、ＡｇとＭｇとの混合物）を含むか、或いは透明金属酸化物、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、Ｍｏ、Ｔｉ等を含む。

本発明の一例において、第１及び第２電極２１０、２５０の各々が反射電極である場合、第１及び第２電極２１０、２５０の各々は、例えば光学的に厚い（ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｔｈｉｃｋ）Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ又はこれらの化合物や混合物（例えば、ＡｇとＭｇとの混合物）を含む。

本発明の一例において、有機発光素子２００は背面発光形又は前面発光形である。有機発光素子２００が背面発光形である場合、第１電極２１０は透明又は半透明電極であり、第２電極２５０は反射電極であり、第１電極２１０を通じて白色光が外部へ放出される。有機発光素子２００が前面発光形である場合、第１電極は反射電極であり、第２電極２５０は透明又は半透明電極であり、第２電極２５０を通じて白色光が外部へ放出される。

本発明の一例において、有機発光素子２００は非反転（ｎｏｎ−ｉｎｖｅｒｔｅｄ）構造又は反転（ｉｎｖｅｒｔｅｄ）構造を有する。有機発光素子２００が非反転構造である場合、第１電極２１０はアノードであり、第２電極２５０はカソードであり、第１電極２１０に印加される電圧は第２電極２５０に印加される電圧より高い。これとは反対に、有機発光素子２００が反転構造である場合、第１電極２１０はカソードであり、第２電極２５０はアノードであり、第１電極２１０に印加される電圧は第２電極２５０に印加される電圧より低い。

図６は本発明の一実施形態に係る表示パネルの断面図である。
図６に図示した表示パネルＤＰは図３に図示した表示パネルＤＰと類似であるので、第１コンタクトホールＣＮＴ１及び第１部分３１０のみ説明し、重複した説明は省略する。

図６を参照すれば、画素回路層ＰＣはトランジスタＴＲを含む。トランジスタＴＲはゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、ドレーン電極ＤＥ、及び半導体層ＳＬを含む。半導体層ＳＬはベース基板ＢＳ上に配置される。半導体層ＳＬ上に第１トランジスタ絶縁層ＴＲＩ１が配置される。第１トランジスタ絶縁層ＴＲＩ１上に半導体層ＳＬが配置される。半導体層ＳＬ上に第２トランジスタ絶縁層ＴＲＩ２が配置される。ソース電極ＳＥ及びドレーン電極ＤＥは第２トランジスタ絶縁層ＴＲＩ２上に配置され、ドレーン電極ＤＥはソース電極ＳＥと離隔されて配置される。

ソース電極ＳＥは第１及び第２トランジスタ絶縁層ＴＲＩ１、ＴＲＩ２に定義されたコンタクトホールを通じて半導体層ＳＬの一端と連結され、ドレーン電極ＤＥは第１及び第２トランジスタ絶縁層ＴＲＩ１、ＴＩＲ２に定義されたコンタクトホールを通じて半導体層ＳＬの他端と連結される。ドレーン電極ＤＥは第１絶縁層ＩＬ１に定義されたコンタクトホールを通じて第１電極２１０と連結される。

トランジスタＴＲは、例えばゲート電極ＧＥに印加された制御信号に応答して、ソース電極ＳＥに印加された電圧をドレーン電極ＤＥを通じて第１電極２１０に出力する。

補助電極１００は第１絶縁層ＩＬ１及び第２トランジスタ絶縁層ＴＲＩ２の間に配置される。

本発明の一例において、第１絶縁層ＩＬ１に中間コンタクトホールＣＮＴ＿Ｍが定義される。中間コンタクトホールＣＮＴ＿Ｍは補助電極１００の上面を露出させる。第１領域Ａ１に配置された第１及び第２発光ユニット２２０、２４０、及び電荷生成層２３０の一部は中間コンタクトホールＣＮＴ＿Ｍの内部に配置される。

本発明の一例において、第１コンタクトホールＣＮＴ１は中間コンタクトホールＣＮＴ＿Ｍの内部に配置された第１及び第２発光ユニット２２０、２４０、及び電荷生成層２３０の一部に定義される。第１コンタクトホールＣＮＴ１は補助電極１００の上面を露出させる。

本発明の一例において、第１部分３１０は第１コンタクトホールＣＮＴ１に配置される。
第１コンタクトホールＣＮＴ１によって補助電極１００の上面の少なくとも一部、第１発光ユニット２２０の第１露出面２２１、電荷生成層２３０の第２露出面２３１、及び第２発光ユニット２４０の第３露出面２４１が露出される。第１部分３１０は第１コンタクトホールＣＮＴ１に配置されるので、第１部分３１０は第１乃至第３露出面２２１、２３１、２４１及び第１電極部２５１の上面に囲まれる領域のみに配置される。

第１部分３１０の一部は電荷生成層２３０及び第１電極部２５１の間に配置される。第１部分３１０の一部の下面は、例えば第１乃至第３露出面２２１、２３１、２４１と接触し、第１部分３１０の上面は、第１電極部２５１と接触する。本発明の一例において、第１部分３１０の他の一部は第１電極部２５１及び補助電極１００の間に配置され、第１電極部２５１を補助電極１００と電気的に連結させる。第１部分３１０の他の一部の下面は補助電極１００と接触する。また、本発明はこれに限定されず、補助電極１００は第１及び第２トランジスタ絶縁層ＴＲＩ１、ＴＲＩ２の間に配置されてもよい。この場合、第１コンタクトホールＣＮＴ１は第１トランジスタ絶縁層ＴＲＩ１にも定義されて、補助電極１００の上面を露出させ、第１部分３１０は第１コンタクトホールＣＮＴ１の内部に配置される。

図７は本発明の一実施形態に係る表示パネルの平面図であり、図８は図７に図示したＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した切断面の断面図である。
図７及び図８に図示した表示パネルＤＰ及び有機発光素子２００は図２及び図３に図示した表示パネルＤＰと類似であるので、第２コンタクトホールＣＮＴ２及び電荷生成層２３０と関連した差異点のみ説明し、重複した説明は省略する。

図７を参照すれば、本発明の一例において、表示パネルＤＰには第２コンタクトホールＣＮＴ２がさらに定義される。第２コンタクトホールＣＮＴ２は、例えば平面視において、第１コンタクトホールＣＮＴ１内に定義される。

図８をさらに参照すれば、第２コンタクトホールＣＮＴ２は第１領域Ａ１内に定義され、例えば補助電極１００上に定義される。第２コンタクトホールＣＮＴ２は抵抗制御層３００内に定義される。より具体的に、第２コンタクトホールＣＮＴ２は第１部分３１０に定義され、第２コンタクトホールＣＮＴ２によって補助電極１００の上面の少なくとも一部及び抵抗制御層３００の第４露出面３０１が露出される。

本発明の一例において、第１電極部２５１の少なくとも一部は、第２コンタクトホールＣＮＴ２に配置され、第２コンタクトホールＣＮＴ２によって露出された補助電極１００の少なくとも一部と接触する。

本発明の一例において、第２電極２５０は補助電極１００と直接連結されるため、第２電極２５０及び補助電極１００の間において電圧降下が発生しないので、ＩＲ−Ｄｒｏｐが効果的に防止され、有機発光素子２００の電圧−電流特性が改善される。

図９は本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。
図９に図示した表示パネルＤＰは図８に図示した表示パネルＤＰと類似であるので、電荷生成層２３０と関連した差異点のみ説明し、重複した説明は省略する。

図９を参照すれば、本発明の一例において、抵抗制御層３００は第２領域Ａ２には配置されない。抵抗制御層３００は、例えば平面視において、第２領域Ａ２と重畳せず、離隔される。言い換えれば、第２及び第３部分３２０、３３０は省略される。

本発明の一例において、抵抗制御層３００は第２領域Ａ２内において有機発光素子２００の有機層の間に配置されない。したがって、抵抗制御層３００は有機発光素子２００の電荷均衡又は電圧−電流特性に影響を及ばさない。したがって、例えば、有機発光素子２００の電荷均衡を合わせるための有機発光素子２００の設計と、水平漏洩電流を防止する抵抗制御層３００の設計を独立的に遂行できる。

図１０は本発明の一実施形態に係る有機発光素子の断面図である。
第１発光ユニット２２０は第１正孔制御層ＨＣＬ１、第１発光層ＥＭＬ１、第１電子制御層ＥＣＬ１を含む。第２発光ユニット２４０は第２正孔制御層ＨＣＬ２、第２発光層ＥＭＬ２、第２電子制御層ＥＣＬ２を含む。

第１及び第２発光層ＥＭＬ１、ＥＭＬ２は第１電極２１０と第２電極２５０との間に配置される。本発明の一例において、第１及び第２発光層ＥＭＬ１、ＥＭＬ２の各々はホスト物質（ｈｏｓｔ ｍａｔｅｒｉａｌ）及びドーパント物質（ｄｏｐａｎｔ ｍａｔｅｒｉａｌ）を含む。第１及び第２発光層ＥＭＬ１、ＥＭＬ２の各々はホスト物質に燐光又は蛍光発光物質をドーパントとして使用して形成される。

ホスト物質は通常的に使用する物質であれば、特別に限定しないが、例えば、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＣＢＰ（４、４’−ｂｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）−１、１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＰＶＫ（ｐｏｌｙ（ｎ−ｖｉｎｙｌｃａｂａｚｏｌｅ））、ＡＤＮ（９、１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ＴＣＴＡ（４、４’、４”−Ｔｒｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＰＢｉ（１、３、５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ）、ＴＢＡＤＮ（３−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−９、１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ＤＳＡ（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）、ＣＤＢＰ（４、４’−ｂｉｓ（９−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）−２、２’−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＭＡＤＮ（２−Ｍｅｔｈｙｌ−９、１０−ｂｉｓ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）等を使用できる。

ホスト物質及びドーパント物質の組合せによって該当層の発光カラーが決定される。例えば、該当層が赤色を発光する時、該当層はＰＢＤ：ＥｕＤＢＭ３（Ｐｈｅｎ）（ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｏｙｌｍｅｔｈａｎａｔｏ）ｐｈｅｎａｎｔｈｏｒｏｌｉｎｅ ｅｕｒｏｐｉｕｍ）又はペリレン（Ｐｅｒｙｌｅｎｅ）を含む蛍光物質を含む。

この時、該当層に含まれるドーパント物質は、例えばＰＩＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｉｓｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ｔｒｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）及びＰｔＯＥＰ（ｏｃｔａｅｔｈｙｌｐｏｒｐｈｙｒｉｎ ｐｌａｔｉｎｕｍ）のような金属錯化合物（ｍｅｔａｌ ｃｏｍｐｌｅｘ）又は有機金属錯体（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｌｅｘ）から選択する。

又は、例えば、該当層が緑色を発光する時、該当層はＡｌｑ３（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）を含む蛍光物質を含む。この時、該当層に含まれるドーパント物質は例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｆａｃ−ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）のような金属錯化合物（ｍｅｔａｌ ｃｏｍｐｌｅｘ）又は有機金属錯体（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｌｅｘ）から選択する。

又は、例えば、該当層が青色を発光する時、該当層はスピロ−ＤＰＶＢｉ（ｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉ）、スピロ−６Ｐ（ｓｐｉｒｏ−６Ｐ）、ＤＳＢ（ｄｉｓｔｙｒｙｌ−ｂｅｎｚｅｎｅ）、ＤＳＡ（ｄｉｓｔｙｒｙｌ−ａｒｙｌｅｎｅ）、ＰＦＯ（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）系高分子及びＰＰＶ（ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系高分子からなされた群から選択されたいずれか１つを含む蛍光物質を含む。この時、該当層に含まれるドーパント物質は、例えば（４、６−Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒｐｉｃのような金属錯化合物（ｍｅｔａｌ ｃｏｍｐｌｅｘ）又は有機金属錯体（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｌｅｘ）から選択する。

第１発光層ＥＭＬ１は第２発光層ＥＭＬ２に比べて相対的に短い波長を有する光を生成する。第１光は前述したように、青色光であり、大体４５０ｎｍ以上５９５ｎｍ以下の波長範囲を有する。

第２光は前述したように、黄色光であり、大体５７０ｎｍ以上５９０ｎｍ以下の波長範囲を有する。
一方、これは例示的に示したことであり、本発明の一実施形態に係る第１及び第２発光層ＥＭＬ１、ＥＭＬ２は多様なカラーの光を生成するように設計でき、いずれか１つの実施形態に限定されない。

一方、第１及び第２発光層ＥＭＬ１、ＥＭＬ２は真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）、インクジェットプリンティング法、レーザープリンティング法、レーザー熱転写法（Ｌａｓｅｒ ｉｎｄｕｃｅｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ）等の多様な方法を利用して形成される。

電荷生成層２３０は第１及び第２発光層ＥＭＬ１、ＥＭＬ２の間に配置されて有機発光素子２００の電流効率及び光効率を増加させる。電荷生成層２３０に電圧が印加されれば、酸化−還元反応による錯体の形成によって電荷を生成する。

本発明の一例において、電荷生成層２３０は順次に積層された第１及び第２電荷生成層２３１’、２３２’を含む。第１及び第２電荷生成層２３１’、２３２’は、例えばＮ形電荷生成層及びＰ形電荷生成層である。Ｎ形電荷生成層は各々Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、又はＣｓのようなアルカリ金属、又はＭｇ、Ｓｒ、Ｂａ、又はＲａのようなアルカリ土金属であってドーピングされた有機層を含むが、必ずしもこれに限定されない。Ｐ形電荷生成層は各々Ｐ形ドーパントが含まれた有機層含むが、必ずしもこれに限定されない。

第１正孔制御層ＨＣＬ１は第１電極２１０と第１発光層ＥＭＬ１との間に配置される。第２正孔制御層ＨＣＬ２は電荷生成層２３０及び第２発光層ＥＭＬ２の間に配置される。

第１電極２１０がアノード電極層として定義される時、第１電極２１０から注入された正孔は第１正孔制御層ＨＣＬ１を経由して第１発光層ＥＭＬ１に到達する。電荷生成層２３０において生成された正孔は第２正孔制御層ＨＣＬ２を経由して第２発光層ＥＭＬ２に到達する。

第１及び第２正孔制御層ＨＣＬ１、ＨＣＬ２の各々は正孔注入領域、正孔輸送領域、バッファ領域、及び電子阻止領域の中の少なくともいずれか１つの領域に区分される。第１及び第２正孔制御層ＨＣＬ１、ＨＣＬ２の各々は単一物質からなされた単一層、複数の互いに異なる物質からなされた単一層、又は複数の互いに異なる物質からなされた複数の層を含む多層構造を有する。

例えば、第１及び第２正孔制御層ＨＣＬ１、ＨＣＬ２の各々は正孔注入領域に対応される正孔注入層、正孔輸送領域に対応される正孔輸送層、及び正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一層の中の少なくともいずれか１つを含む。

第１及び第２正孔制御層ＨＣＬ１、ＨＣＬ２の各々は正孔注入物質及び正孔輸送物質の中の少なくともいずれか１つにより構成される。正孔注入物質及び正孔輸送物質は各々公知の物質である。

正孔輸送物質は、例えばＮ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系誘導体、フルオレン（ｆｌｕｏｒｉｎｅ）系誘導体、ＴＰＤ（Ｎ、Ｎ’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１、１−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４、４’−ｄｉａｍｉｎｅ）、ＴＣＴＡ（４、４’、４”−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）等のトリフェニルアミン系誘導体、ＮＰＢ（Ｎ、Ｎ’−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、又はＴＡＰＣ（４、４’−Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｉｄｅｎｅ ｂｉｓ［Ｎ、Ｎ−ｂｉｓ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｂｅｎｚｅｎａｍｉｎｅ）等を含むが、これに限定されない。正孔注入層ＨＩＬは、例えば銅フタロシアニン（ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）等のフタロシアニン（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）化合物；；ＤＮＴＰＤ（Ｎ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ、Ｎ’−ｂｉｓ−［４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｍ−ｔｏｌｙｌ−ａｍｉｎｏ）−ｐｈｅｎｙｌ］−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４、４’−ｄｉａｍｉｎｅ）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４’、４”−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＤＡＴＡ（４、４’４”−Ｔｒｉｓ（Ｎ、Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、２ＴＮＡＴＡ（４、４’、４”−ｔｒｉｓ｛Ｎ、−（２−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ｝−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｐｏｌｙ（３、４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））、ＰＡＮＩ／ＤＢＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ）、ＰＡＮＩ／ＣＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｃａｍｐｈｏｒ ｓｕｌｆｏｎｉｃａｃｉｄ）、及びＮＩ／ＰＳＳ（（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）／Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）） の中の少なくともいずれか１つを含むが、これに限定されない。

第１及び第２正孔制御層ＨＣＬ１、ＨＣＬ２の各々は第１及び第２発光層ＥＭＬ１、ＥＭＬ２と類似な工程により形成される。例えば、第１及び第２正孔制御層ＨＣＬ１、ＨＣＬ２の各々は真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）、インクジェットプリンティング法、レーザープリンティング法、レーザー熱転写法（Ｌａｓｅｒ ｉｎｄｕｃｅｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ）等の多様な方法を利用して形成される。

一方、第１及び第２正孔制御層ＨＣＬ１、ＨＣＬ２の各々は正孔阻止領域に対応される正孔阻止層を含む。この時、第１及び第２正孔制御層ＨＣＬ１、ＨＣＬ２の各々は公知の正孔阻止材料を含む。また、第１及び第２正孔制御層ＨＣＬ１、ＨＣＬ２の各々は電荷生成物質をさらに含む。

第１電子制御層ＥＣＬ１は第１発光層ＥＭＬ１及び電荷生成層２３０の間に配置される。電荷生成層２３０において生成された電子は第１電子制御層ＥＣＬ１を経由して第１発光層ＥＭＬ１に到達する。

第２電子制御層ＥＣＬ２は第２発光層ＥＭＬ２及び第２電極２５０の間に配置される。第２電極２５０がカソード電極層である時、第２電極２５０から注入された電子は抵抗制御層３００及び第２電子制御層ＥＣＬ２を経由して第２発光層ＥＭＬ２に到達する。

第１及び第２電子制御層ＥＣＬ１、ＥＣＬ２の各々は電子注入領域、電子輸送領域、及び正孔遮断領域の中の少なくともいずれか１つの領域に区分される。第１及び第２電子制御層ＥＣＬ１、ＥＣＬ２の各々は単一物質からなされた単一層、複数の互いに異なる物質からなされた単一層、又は複数の互いに異なる物質からなされた複数の層を含む多層構造を有する。

例えば、第１及び第２電子制御層ＥＣＬ１、ＥＣＬ２の各々は電子注入領域に対応される電子注入層、電子輸送領域に対応される電子輸送層、及び電子注入機能及び電子輸送機能を同時に有する単一層の中の少なくともいずれか１つを含む。

第１及び第２電子制御層ＥＣＬ１、ＥＣＬ２の各々は電子輸送物質及び電子注入物質の中の少なくともいずれか１つを含む。例えば、電子輸送物質はＡｌｑ３（Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＴＰＢｉ（１、３、５−Ｔｒｉ（１−ｐｈｅｎｙｌ−１Ｈ−ｂｅｎｚｏ［ｄ］ｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）、ＢＣＰ（２、９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４、７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、Ｂｐｈｅｎ（４、７−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、ＴＡＺ（３−（４−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−４−ｐｈｅｎｙｌ−５−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ−１、２、４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ＮＴＡＺ（４−（Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ）−３、５−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−４Ｈ−１、２、４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ｔＢｕ−ＰＢＤ（２−（４−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−５−（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１、３、４−ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、ＢＡｌｑ（Ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ−Ｎ１、Ｏ８）−（１、１’−Ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、Ｂｅｂｑ２（ｂｅｒｙｌｌｉｕｍｂｉｓ（ｂｅｎｚｏｑｕｉｎｏｌｉｎ−１０−ｏｌａｔｅ））、ＡＤＮ（９、１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）及びこれらの混合物を含むが、これに限定されない。

また、例えば、電子注入物質はＬｉＦ、ＬｉＱ（Ｌｉｔｈｉｕｍ ｑｕｉｎｏｌａｔｅ）、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｙｂのようなランタノイド族金属、又はＲｂＣｌ、ＲｂＩのようなハロゲン化金属、電子輸送物質と絶縁性の有機金属塩（ｏｒｇａｎｏ ｍｅｔａｌ ｓａｌｔ）が混合された物質等であるが、これに限定されない。

有機金属塩は、エネルギーバンドギャップ（ｅｎｅｒｇｙ ｂａｎｄｇａｐ）が約４ｅＶ以上の物質になる。具体的に、例えば有機金属塩は、金属アセテート（ｍｅｔａｌ ａｃｅｔａｔｅ）、金属ベンゾエート（ｍｅｔａｌ ｂｅｎｚｏａｔｅ）、金属アセトアセテート（ｍｅｔａｌ ａｃｅｔｏａｃｅｔａｔｅ）、金属アセチルアセトネート（ｍｅｔａｌ ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、又は金属ステアレート（ｓｔｅａｒａｔｅ）を含む。

第１及び第２電子制御層ＥＣＬ１、ＥＣＬ２の各々は真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェットプリンティング法、レーザープリンティング法、レーザー熱転写法等の多様な方法を利用して形成される。

本発明の有機発光素子２００はこれに限定されず、多様に変更される。例えば、有機発光素子２００は３つの発光ユニットを含み、３つの発光ユニットの間に介在された２つの電荷生成層を含む。このような構造において、抵抗制御層３００は２つの電荷生成層と第２電極２５０とを絶縁させる。

本発明の一例において、抵抗制御層３００は第２発光ユニット２４０上に積層される別の構成であるが、本発明はこれに限定されない。本発明の一例において、抵抗制御層３００は第２発光ユニット２４０の構成の機能を遂行する層として具現される。例えば、抵抗制御層３００は電子注入領域であり、第２発光ユニット２４０の第２電子制御層ＥＣＬ２は電子輸送領域、及び正孔遮断領域を含む。この構造により、抵抗制御層３００は第２発光ユニット２４０の電子注入領域としての機能を遂行する。これと同様に、抵抗制御層３００は電子注入領域のみならず、電子輸送領域及び正孔遮断領域である。また、有機発光素子２００が反転構造である場合、抵抗制御層３００は正孔注入領域、正孔輸送領域、及び電子遮断領域の中のいずれか１つの領域である。

抵抗制御層３００は、例えばＬｉＱ及びＬｉＦの少なくともいずれか１つを含む。本発明の一例として、非反転構造において抵抗制御層３００は電子の注入／輸送を阻止する第１及び第２正孔制御層ＨＣＬ１、ＨＣＬ２のホスト材料を含むか、或いは低い電子の電気伝導度を有する第１及び第２電子制御層ＥＣＬ１、ＥＣＬ２の材料を含む。したがって、カソードである第１電極部２５１から注入される電子の阻止によって、水平漏洩電流が効果的に防止される。

抵抗制御層３００の厚さは１ｎｍ乃至１０ｎｍである。抵抗制御層３００の厚さが１ｎｍ未満である場合、第１領域Ａ１（図３参照）内において電荷生成層２３０に対する絶縁層としての機能を遂行するのが難しい。抵抗制御層３００の厚さが１０ｎｍを超過する場合、第２領域Ａ２（図３参照）内において第２発光ユニット２４０に対する電子注入／輸送機能を遂行するのが難しい。

本発明の一例として、反転構造において抵抗制御層３００は正孔の注入／輸送を阻止する第１及び第２電子制御層ＥＣＬ１、ＥＣＬ２のホスト材料を含むか、或いは低い正孔伝導度を有する第１及び第２正孔制御層ＨＣＬ１、ＨＣＬ２の材料を含む。したがって、アノードである第１電極２１０から注入される正孔の阻止によって、水平漏洩電流が効果的に防止される。

図１１乃至図１６は本発明の一実施形態に係る表示パネルの製造方法を説明する断面図である。
図１１を参照すれば、ベース基板ＢＳ上に画素回路層ＰＣが形成され、画素回路層ＰＣ上に第１絶縁層ＩＬ１が形成される。第１絶縁層ＩＬ１に駆動コンタクトホールＣＮＴ＿Ｄｒが形成される。駆動コンタクトホールＣＮＴ＿Ｄｒによって画素回路層ＰＣの一部が露出される。

図１２を参照すれば、第１絶縁層ＩＬ１上に第１電極２１０及び補助電極１００が形成される。前述したように、第１電極２１０の一端は第１絶縁層ＩＬ１に形成された駆動コンタクトホールＣＮＴ＿Ｄｒに配置され、画素回路層ＰＣと接続される。第１電極２１０の他端は第１電極２１０の一端から延長されて第２領域Ａ２に配置される。補助電極１００は第１電極２１０と離隔され、第１領域Ａ１に配置される。

図１３に図示したように、第１電極２１０及び補助電極１００上に画素定義膜ＰＤＬが形成される。以後、第１発光ユニット２２０、電荷生成層２３０、及び第２発光ユニット２４０が順次に画素定義膜ＰＤＬ、第１電極２１０、及び補助電極１００上に形成される。

図１４に図示したように、第１領域Ａ１に第１コンタクトホールＣＮＴ１が形成される。第１コンタクトホールＣＮＴ１は第１補助電極１００の一部が露出されるように、第１領域Ａ１内の第１発光ユニット２２０、電荷生成層２３０、及び第２発光ユニット２４０の一部（以下、除去層）を除去することによって生成される。本発明の一例として、除去層はレーザードリリング（Ｌａｓｅｒ Ｄｒｉｌｌｉｎｇ）を利用して除去される。除去層が除去されることによって第１乃至第３露出面２２１、２３１、２４１が形成される。

図１５に図示したように抵抗制御層３００が第２発光ユニット２４０上に形成される。第１部分３１０は第１コンタクトホールＣＮＴ１に形成され、第１部分３１０は露出された補助電極１００と接触する。

以後、図１６に図示したように、抵抗制御層３００上に第１電極部２５１及び第２絶縁層ＩＬ２を形成する。

図１７乃至図１９は本発明の一実施形態に係る表示パネルの製造方法を説明する断面図である。図１７を参照すれば、ベース基板ＢＳ上に画素回路層ＰＣから抵抗制御層３００までの構成が順次に積層される。画素回路層ＰＣから抵抗制御層３００までの積層方法は図１１乃至図１５を参照して説明した製造方法と同一であるので、重複する説明は省略する。

図１８を参照すれば、抵抗制御層３００に第２コンタクトホールＣＮＴ２が定義される。第２コンタクトホールＣＮＴ２は補助電極１００の一部が露出されるように、第１領域Ａ１内の第１部分３１０の一部の除去によって生成される。本発明の一例として、第１部分３１０の一部はレーザードリリング（Ｌａｓｅｒ Ｄｒｉｌｌｉｎｇ）を利用して除去される。第１部分３１０の一部の除去によって第４露出面３０１が形成される。

図１９に図示したように第２電極２５０が抵抗制御層３００上に形成される。第１電極部２５１は第２コンタクトホールＣＮＴ２を通じて露出される補助電極１００と接触する。第２電極２５０の上には第２絶縁層ＩＬ２が形成される。

以上においては本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、該当技術分野における熟練した当業者又は該当技術分野に通常の知識を有する者であれば、後述する特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術領域から逸脱しない範囲内において本発明の多様な修正及び変更が可能であることを理解できる。

したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されず、特許請求の範囲によって定まれなければならない。

１００ 補助電極
１００＿ａ 第１延長部
１００＿ｂ 第２延長部
２００ 有機発光素子
２１０ 第１電極
２２０ 第１発光ユニット
２２１ 第１露出面
２３０ 電荷生成層
２３１ 第２露出面
２４０ 第２発光ユニット
２４１ 第３露出面
２５０ 第２電極
２５１ 第１電極部
２５２ 第２電極部
ＣＮＴ１ 第１コンタクトホール
３００ 抵抗制御層
３０１ 第４露出面
３１０ 第１部分
３２０ 第２部分
３３０ 第３部分

Claims (20)

1. ベース基板と、
   前記ベース基板上に配置された補助電極と、
   平面視において、前記補助電極から離隔された第１電極と、
   前記補助電極及び前記第１電極上に配置される第１発光ユニットと、
   前記第１発光ユニット上に配置された電荷生成層と、
   前記電荷生成層上に配置される第２発光ユニットと、
   少なくとも前記第１発光ユニット、前記電荷生成層、及び前記第２発光ユニット内に定義されて前記補助電極を露出させる第１コンタクトホール内に配置される第１部分を含む抵抗制御層と、
   少なくとも一部が前記第１コンタクトホール内に配置され、前記第１部分上に配置される第１電極部及び前記第１電極部から延長され、平面視において、前記第１電極と重畳され、前記第２発光ユニット上に配置される第２電極部を具備する第２電極と、を具備し、
   前記第１部分のいずれか一部は、前記第１電極部及び前記電荷生成層の間に配置され、前記第１電極部と前記電荷生成層とを絶縁させることを特徴とする表示パネル。
2. 前記第１部分の他の一部は、前記第１電極部と前記補助電極との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
3. 前記第１部分の前記他の一部は、前記補助電極と接触することを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
4. 前記第１部分の前記いずれか一部は、前記第１コンタクトホールによって露出される前記電荷生成層の露出面と接触することを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
5. 前記第１部分の他の一部には前記補助電極の上面の少なくとも一部を露出させる第２コンタクトホールが定義され、前記第１電極部の一部は、前記抵抗制御層に定義された第２コンタクトホールに配置されて前記補助電極と接触することを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
6. 前記抵抗制御層は、前記第１部分から延長され、前記第２発光ユニット及び前記第２電極の間に配置される第２部分をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
7. 平面視において、前記補助電極及び前記第１電極の間に配置される画素定義膜をさらに含み、
   前記抵抗制御層は、前記画素定義膜上に配置され、前記第１及び第２部分を連結する第３部分をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の表示パネル。
8. 前記第２部分は、平面視において、前記第１電極と重畳されることを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
9. 前記抵抗制御層は、前記第１電極と離隔されることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
10. 前記第１発光ユニットは、第１光を生成し、前記第２発光ユニットは、前記第１光と異なる色相を有する光を生成することを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
11. 前記抵抗制御層の抵抗は、前記電荷生成層の抵抗より大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
12. 前記抵抗制御層の厚さは、１ｎｍ乃至１０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
13. 前記抵抗制御層は、ＬｉＦ及びＬｉＱの少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
14. ベース基板上に定義された第１領域に補助電極を形成する段階と、
    平面視において、前記第１領域に離隔されて前記ベース基板上に定義された第２領域に第１電極を形成する段階と、
    前記第１電極上に第１発光ユニットを形成する段階と、
    前記第１発光ユニット上に電荷生成層を形成する段階と、
    前記電荷生成層上に第２発光ユニットを形成する段階と、
    少なくとも前記第１発光ユニット、前記電荷生成層、及び前記第２発光ユニットの一部を除去して前記補助電極の上面を露出させる第１コンタクトホールを形成する段階と、
    前記第１コンタクトホールによって露出される前記電荷生成層の露出面上に配置される抵抗制御層を形成する段階と、
    前記抵抗制御層上に第２電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする表示パネルの製造方法。
15. 前記抵抗制御層の一部を除去して、前記抵抗制御層に前記補助電極の上面の少なくとも一部を露出させる第２コンタクトホールを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の表示パネルの製造方法。
16. 前記第２コンタクトホールを形成する段階は、前記抵抗制御層を形成する段階及び前記第２電極を形成する段階の間に遂行されることを特徴とする請求項１５に記載の表示パネルの製造方法。
17. 前記第１発光ユニット、前記電荷生成層、及び前記第２発光ユニットは、レーザードリリングを利用して除去されることを特徴とする請求項１４に記載の表示パネルの製造方法。
18. 表示パネルと、
    前記表示パネルを制御する制御部と、を含み、
    前記表示パネルは、
    ベース基板と、
    前記ベース基板上に配置された補助電極と、
    平面視において、前記補助電極から離隔された第１電極と、
    前記補助電極及び前記第１電極上に配置される第１発光ユニットと、
    前記第１発光ユニット上に配置された電荷生成層と、
    前記電荷生成層上に配置される第２発光ユニットと、
    少なくとも前記第１発光ユニット、前記電荷生成層、及び前記第２発光ユニット内に定義されて前記補助電極を露出させる第１コンタクトホール内に配置される第１部分を含む抵抗制御層と、
    前記第１コンタクトホール内に配置され、前記第１部分上に配置される第１電極部、及び前記第１電極部から延長され、平面視において、前記第１電極と重畳され、前記第２発光ユニット上に配置される第２電極部を具備する第２電極を具備し、
    前記第１部分のいずれか一部は、前記第１電極部及び前記電荷生成層の間に配置され、前記第１電極部と前記電荷生成層とを絶縁させることを特徴とする表示装置。
19. 前記第１部分の他の一部は、前記第１電極部と前記補助電極との間に配置されることを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。
20. 前記第１部分の他の一部は、前記補助電極と接触し、前記第１部分の前記いずれか一部は、前記第１コンタクトホールによって露出される前記電荷生成層の露出面と接触することを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。

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