TW201807468A - 顯示面板、其製造方法和具有其之顯示裝置 - Google Patents

顯示面板、其製造方法和具有其之顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201807468A
TW201807468A TW106123941A TW106123941A TW201807468A TW 201807468 A TW201807468 A TW 201807468A TW 106123941 A TW106123941 A TW 106123941A TW 106123941 A TW106123941 A TW 106123941A TW 201807468 A TW201807468 A TW 201807468A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
light emitting
insulating layer
emitting unit
layer
Prior art date
Application number
TW106123941A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI762495B (zh
Inventor
朴日錫
金相烈
金貞延
張炳民
田宇植
趙俊敬
Original Assignee
南韓商三星顯示器有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商三星顯示器有限公司 filed Critical 南韓商三星顯示器有限公司
Publication of TW201807468A publication Critical patent/TW201807468A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI762495B publication Critical patent/TWI762495B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

顯示面板包括在基底基板上的輔助電極；與輔助電極間隔開的第一電極；在輔助電極和第一電極上的第一發光單元；在第一發光單元上的導電薄膜層；在導電薄膜層上的第二發光單元；通過導電薄膜層以暴露輔助電極的第一接觸孔；在第一接觸孔中的絕緣層；以及包括第一電極部和第二電極部的第二電極， 第一電極部位於第一接觸孔中的絕緣層上，第二電極部與第一電極重疊並位於第二發光單元上，其中絕緣層位於第一電極部和導電薄膜層之間。

Description

顯示面板、其製造方法和具有其之顯示裝置
相關申請的交叉引用
2016年7月18日在韓國知識產權局提交的題為“顯示面板、其製造方法和具有其之顯示裝置”的韓國專利申請第10-2016-0090947號，其全部內容於此併入作為參考。
本揭露係關於顯示面板及其製造方法。更具體地說，本發明係關於能夠防止由於橫向漏電流而發生有機發光元件的發光缺陷的顯示面板、製造顯示面板的方法以及具有該顯示面板的顯示裝置。
有機發光裝置是自發射裝置，並且具有寬視角和優異對比度的優點。此外，有機發光裝置具有快速的響應速度、高亮度以及低驅動電壓。一般來說，有機發光裝置包括陽極、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層和陰極。電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層和陰極依次堆疊在陽極上。電洞傳輸層、發光層和電子傳輸層是有機薄膜層，其各自包括有機化合物。
當將不同的電壓分別施加到有機發光裝置的陽極和陰極時，從陽極注入的電洞通過電洞傳輸層移動到發光層，以及從陰極注入的電子通過電子傳輸層移動到發光層。這些電洞與發光層中的電子重新組合以產生激子，並且有機發光裝置透過從激發態返回到基態的激子發光。
實施例提供了一種顯示面板，包括基底基板；設置在基底基板上的輔助電極；當在平面圖中觀察時與輔助電極間隔開的第一電極；設置在輔助電極和第一電極上的第一發光單元；設置在第一發光單元上的導電薄膜層；設置在導電薄膜層上的第二發光單元；絕緣層，其包括設置在透過至少第一發光單元、導電薄膜層和第二發光單元所界定的第一接觸孔中的第一部分，以暴露輔助電極；以及包括第一電極部和第二電極部的第二電極，第一電極部設置在第一部分上，並且包括至少一部分設置在第一接觸孔中，以及第二電極部從第一電極部延伸，當在平面圖觀察時，其與第一電極重疊並且設置在第二發光單元上。第一部分的一部分設置在第一電極部和導電薄膜層之間，以使第一電極部與導電薄膜層絕緣。
較佳地，第一部分的另一部分設置在第一電極部和輔助電極之間。
較佳地，第一部分的該另一部分與輔助電極接觸。
較佳地，第一部分的該一部分與透過第一接觸孔所露出的導電薄膜層的暴露表面接觸。
較佳地，第二接觸孔界定在第一部分的該另一部分中以暴露輔助電極的上表面的至少一部分，且第一電極部的一部分設置在界定在絕緣層中的第二接觸孔中，以接觸輔助電極。
較佳地，絕緣層進一步包括從第一部分延伸並且設置在第二發光單元和第二電極之間的第二部分。
較佳地，顯示面板進一步包括當在平面圖中觀察時設置在輔助電極和第一電極之間的像素定義層，且絕緣層進一步包括設置在像素定義層上的第三部分，以連接第一部分和第二部分。
較佳地，當在平面圖中觀察時，第二部分與第一電極重疊。
較佳地，當在平面圖中觀察時，絕緣層與第一電極間隔開。
較佳地，第一發光單元產生第一光，且第二發光單元產生的光具有的顏色是不同於第一光的顏色。
較佳地，絕緣層具有的電阻是大於導電薄膜層的電阻。
較佳地，絕緣層具有約1nm至約10nm的厚度。
較佳地，絕緣層包括氟化鋰(LiF)和8-羥基喹啉鋰(LiQ)中的至少一個。
實施例還提供了一種製造顯示面板的方法，包括在界定在基底基板中的第一區域中形成輔助電極；當在平面圖中觀察時，在界定在基底基板中並與第一區域間隔開的第二區域中形成第一電極；在第一電極上形成第一發光單元；在第一發光單元上形成導電薄膜層；在導電薄膜層上形成第二發光單元；移除第一發光單元、導電薄膜層和第二發光單元的至少一部分，以形成第一接觸孔，輔助電極的上表面透過第一接觸孔暴露；在導電薄膜層的暴露表面上形成絕緣層，其透過第一接觸孔暴露；以及在絕緣層上形成第二電極。
較佳地，該方法進一步包括移除絕緣層的一部分以形成第二接觸孔，藉此透過絕緣層暴露輔助電極的上表面的至少一部分。
較佳地，第二接觸孔的形成係在形成絕緣層之後並在形成第二電極之前進行。
較佳地，該方法使用雷射鑽孔方法移除第一發光單元、導電薄膜層和第二發光單元。
實施例還提供了一種顯示裝置，包括顯示面板和控制顯示面板的控制器。顯示面板包括基底基板；設置在基底基板上的輔助電極；當在平面圖中觀察時與輔助電極間隔開的第一電極；設置在輔助電極和第一電極上的第一發光單元；設置在第一發光單元上的導電薄膜層；設置在導電薄膜層上的第二發光單元；絕緣層，其包括設置在由至少第一發光單元、導電薄膜層和第二發光單元所界定的第一接觸孔中的第一部分，以暴露輔助電極；以及第二電極，其包括設置在第一接觸孔中並設置在第一部分上的第一電極部，以及從第一電極部延伸的第二電極部，當在平面圖中觀察時係與第一電極重疊，且設置在第二發光單元上。第一部分的一部分設置在第一電極部和導電薄膜層之間，以使第一電極部與導電薄膜層絕緣。
較佳地，第一部分的另一部分設置在第一電極部和輔助電極之間。
較佳地，第一部分的該另一部分與輔助電極接觸，且第一部分的該一部分與透過第一接觸孔露出的導電薄膜層的暴露表面接觸。
現在將參考圖式在下文中更全面地描述示例性實施例。然而，它們可以以不同的形式實現，並且不應被解釋為限於本文所闡述的實施例。而是提供這些實施例，使得本揭露將是徹底和完整的，並將向本領域具有通常知識者充分傳達示例性實現。
術語第一、第二等的使用不表示任何順序或重要性，而是使用術語第一、第二等來將一個元件與另一個元件區分開。可以理解，除非另有明確規定，單數形式“一”、“一”和“該”包括複數指示物。
將進一步理解，當在本說明書中使用時，術語“包括”和/或“包括”指定所述特徵、整體、步驟、操作、元件和/或元件的存在，但不排除存在或添加一個或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、元件和/或其組合。
在圖式中，為了說明的清楚起見，層和區域的尺寸可能被誇大。還將理解，當將一層(即元件)稱為在另一層或基板“上”時，其可以直接在另一層或基板上，或者還可以存在中間層。此外，還將理解，當將層稱為“兩層”之間時，其可以是兩層之間的唯一層，或者也可以存在一個或多個中間層。相同的圖式標記始終表示相同的元件。此外，應當理解，當元件或層被稱為“連接到”或“耦合到”另一個元件或層時，其可以直接連接或耦合到另一元件或層，或者中間元件或層可以出現。相較之下，當元件被稱為“直接在” 、“直接連接” 、“直接連接到” 、“直接耦合到”另一個元件或層時，不存在中間元件或層。
在下文中，將參照圖式詳細說明實施例。
第1圖係繪示根據本揭露的示例性實施例的顯示裝置DD的平面圖。
參考第1圖，顯示裝置DD可以包括顯示面板DP、可撓式印刷電路板FPC和印刷電路板PCB。顯示面板DP透過顯示區域DA顯示影像。顯示區域DA由控制訊號和從印刷電路板PCB提供的影像資料操作。
顯示面板DP包括佈置在顯示區域DA中的閘極線GL1至GLn、資料線DL1至DLm以及子像素SPX。閘極線GL1至GLn沿第一方向DR1延伸，並且在第二方向DR2上佈置，例如間隔開。資料線DL1〜DLm在與閘極線交叉的同時與閘極線GL1〜GLn絕緣。例如，資料線DL1至DLm在第二方向DR2上延伸並且在第一方向DR1上被佈置成例如間隔開。在下面的描述中，基本上平行於第一方向或第二方向DR1或DR2的方向可以被稱為“水平方向”。
當在平面圖中觀看時，顯示面板DP包括圍繞顯示區域DA的非顯示區域NDA。子像素SPX不配置在非顯示區域NDA中，且不透過非顯示區域NDA顯示影像。非顯示區域NDA可以被稱為顯示裝置DD的“邊框(bezel)”。
每個子像素SPX連接到閘極線GL1至GLn的對應閘極線和資料線DL1至DLm的相應資料線。子像素SPX可以沿著第一方向DR1和第二方向DR2以矩陣形式佈置。每個子像素SPX顯示紅色、綠色和藍色三原色中的其中一個。由子像素SPX顯示的顏色不限於紅色、綠色和藍色，並且，除了紅色、綠色和藍色，子像素SPX可以顯示白色、黃色、青色和品紅色的第二原色。
子像素SPX可以形成像素PX。作為示例，四個子像素SPX可以形成一個像素PX，但是形成一個像素PX所需的子像素SPX的數量不限於四個。也就是說，一個像素PX可以包括兩個、三個、五個或更多個子像素SPX。
像素PX用作顯示單位影像的元件，且顯示面板DP的解析度由顯示面板DP中所包括的像素PX的數量決定。第1圖僅繪示一個像素PX，且其它像素可以具有與該像素PX相同的配置。在本示例性實施例中，顯示面板DP可以是但不限於有機發光顯示面板，且每個子像素SPX可以包括有機發光元件。
顯示面板DP可以具有例如具有一對短邊和一對長邊的板狀形狀，它們分別平行於第一和第二方向DR1和DR2。在本示例性實施例中，顯示面板DP可以具有各種形狀。當從橫截面觀察時，顯示面板DP可以具有在至少一個方向上彎曲的形狀，或者當在平面圖中觀察時，顯示面板DP可以具有至少一個圓形邊緣。
可撓式印刷電路板FPC連接顯示面板DP和印刷電路板PCB。第1圖僅繪示了一個可撓式印刷電路板FPC，但是可以設置複數個可撓式印刷電路板FPC。可撓式印刷電路板FPC可以沿著一個方向佈置在顯示面板DP的邊緣上。在本示例性實施例中，可撓式印刷電路板FPC的數量可以變化。
作為示例，可撓式印刷電路板FPC包括驅動晶片DC。驅動晶片DC以帶狀載體封裝(TCP)的方式安裝，並且包括作為資料驅動器的晶片。驅動晶片DC還可以包括作為閘極驅動器的晶片。此外，閘極驅動器可以設置在非顯示區域NDA中。
印刷電路板PCB包括用於控制顯示面板DP的控制器。控制器接收輸入影像訊號並將輸入影像訊號的資料格式轉換成適合資料驅動器、閘極驅動器和顯示面板DP的介面和驅動模式的資料格式，以生成影像資料。控制器輸出影像資料和控制訊號。影像資料包括關於顯示在顯示區域DA中的影像的信息。
資料驅動器接收影像資料和控制訊號。資料驅動器響應於控制訊號將影像資料轉換成資料電壓，並將資料電壓施加到資料線DL1至DLm。資料電壓可以是對應於影像資料的模擬電壓。
各種電子裝置可以安裝在印刷電路板PCB上以實現控制器。例如，印刷電路板PCB可以包括被動裝置，例如電容器、電阻器、主動裝置，例如包括積體電路的微處理器，記憶體晶片等，以及連接上述那些裝置的線。
顯示面板DP還可以包括輔助電極100。當在平面圖中觀察時，輔助電極100可設置在子像素SPX之間。
輔助電極100可以具有例如柵格形狀。輔助電極100包括複數個第一延伸部分100_a和複數個第二延伸部分100_b。第一延伸部分100_a在第一方向DR1上延伸並且被佈置在第二方向DR2上。第二延伸部分100_b在第二方向DR2上延伸並且被佈置在第一方向DR1上。第一和第二延伸部分100_a和100_b可以分別沿著第一和第二方向DR1和DR2設置在每一個子像素SPX上，例如，每個第一延伸部分100_a可以以一對一的對應方式沿著子像素SPX的對應的行來設置，且每個第二延伸部分100_b可以以一對一的對應方式沿著子像素SPX的對應的列來設置。然而，實施例不限於此，例如，可以沿著第一和第二方向DR1和DR2以每兩個子像素SPX設置第一和第二延伸部分100_a和100_b。
輔助電極100可以防止在顯示面板DP中發生IR壓降。 IR壓降將在後面詳細描述。
第2圖繪示了根據本揭露的示例性實施例的顯示面板DP的平面圖， 第3A圖是沿第2圖中的線I-I'截取的截面圖，第3B圖繪示了第3A圖中的第一接觸孔CNT1的放大截面圖。第3C圖繪示了第3A圖的第一接觸孔CNT1的放大平面圖。
參考第2圖，每個像素PX可以包括第一、第二、第三和第四子像素SPX1、SPX2、SPX3和SPX4。第一至第四子像素SPX1至SPX4對應於第1圖所示的子像素SPX的實施例。
在本示例性實施例中，第一、第二、第三和第四子像素SPX1、SPX2、SPX3和SPX4分別對應於紅色、綠色、藍色和白色子像素。第一至第四子像素SPX1至SPX4中的每一個可以具有例如大致四邊形的形狀。
在本示例性實施例中，顯示面板DP可以包括設置在第一至第四子像素SPX1至SPX4之間的像素定義層PDL。像素定義層PDL可以定義第一至第四子像素SPX1至SPX4之間的邊界以及像素PX之間的邊界。
在本示例性實施例中，透過顯示面板DP以界定第一接觸孔CNT1。第一接觸孔CNT1被界定在第一和第二延伸部100_a和100_b彼此交叉的區域中。
參考第3A圖，顯示面板DP可以包括基底基板BS、像素電路層PC、第一絕緣層IL1、有機發光元件200、絕緣層300和第二絕緣層IL2。基底基板BS可以是透明的，並且可以包括例如剛性玻璃或可撓性聚合物。
像素電路層PC可以設置在基底基板BS上。像素電路層PC可以包括驅動有機發光元件200和至少兩個電晶體的電路。像素電路層PC可以包括例如響應於施加到其上的閘極訊號而導通的開關電晶體以傳輸資料電壓；以及驅動電晶體，將與資料電壓相對應的驅動電流從開關電晶體施加到有機發光元件200。
第一絕緣層IL1可以設置在像素電路層PC上。第一絕緣層IL1可以包括界定在其中的接觸孔，以暴露像素電路層PC的一部分。第一絕緣層IL1具有有機材料或無機材料的單層或多層結構。
在本示例性實施例中，有機發光元件200可以包括第一電極210、第一發光單元220、導電薄膜層230、第二發光單元240和第二電極250。
在本示例性實施例中，第一電極210可以設置在第一絕緣層IL1上。例如，第一電極210的第一端通過第一絕緣層IL1中的接觸孔與像素電路層PC接觸，以從像素電路層PC接收驅動電流。
基底基板BS包括第一區域A1以及在水平方向上與第一區域A1間隔開的第二區域A2。第一電極210的第二端從第一電極210延伸並設置在第二區域A2中。
輔助電極100設置在第一區域A1中。輔助電極100包括導電材料。輔助電極100可以是透明電極、半透明電極或不透明電極(或反射電極)。此外，輔助電極100可以具有以單一材料或複數個不同材料構成的單層結構或以不同材料構成的多層結構。
在本示例性實施例中，像素定義層PDL設置在輔助電極100和第一電極210上。像素定義層PDL覆蓋輔助電極100的邊緣並且暴露輔助電極100的中心部分。當在平面圖中觀察時，像素定義層PDL的一部分可以設置在第一區域A1和第二區域A2之間。第一區域A1可以被定義為對應於輔助電極100的中心部分。
像素定義層PDL可以覆蓋第一電極210的邊緣並暴露第一電極210的中心部分。第二區域A2可以被界定為對應於第一電極210的暴露的中心部分。
在本示例性實施例中，第一發光單元220設置在像素定義層PDL、第一電極210和輔助電極100上。第一發光單元220產生例如具有第一顏色的第一光。第一發光單元220包括複數個有機層。
在本示例性實施例中，導電薄膜層230可以設置在第一發光單元220上。導電薄膜層230設置在第一和第二發光單元220和240之間以提供電荷(電子和/或電洞)到第一和第二發光單元220和240並且控制電荷的平衡。
在本示例性實施例中，第二發光單元240可以設置在導電薄膜層230上。第二發光單元240產生例如具有第二顏色的第二光。第二發光單元240包括複數個有機層。
在本示例性實施例中，有機發光元件200可以是但不限於白色有機發光元件。透過混合第一顏色和第二顏色而獲得的顏色可以是白色的，並且第一和第二顏色可以具有彼此的互補色彩關係。第一和第二光可以彼此混合以產生白光。例如，第一顏色和第二顏色可以分別是藍色和黃色，但是它們不限於此，或者藉此例如第一顏色和第二顏色可以分別是紅色和綠色。
第二電極250可以設置在絕緣層300上。第二電極250包括設置在第一區域A1中的第一電極部251，以及從第一電極部251延伸並設置在第二區域A2中的第二電極部252。更詳細地，當在平面圖中觀察時，第一電極部251和第二電極部252分別與輔助電極100和第一電極210重疊。
第二電極250設置在基底基板BS的整個表面上。因此，沿著水平方向在第二電極250中發生IR壓降，且像素PX的亮度根據顯示面板DP的位置而變得不同。為了防止發生IR壓降，第二電極250可以連接到輔助電極100。由於輔助電極100通過絕緣層300的第一部分310連接到第二電極250，所以可以在第二電極250中防止或減少IR壓降發生。
在本示例性實施例中，絕緣層300設置在第二發光單元240、第一、第二和第三暴露表面221、231和241以及一部分的輔助電極100上。在本示例性實施例中，絕緣層300包括第一部分310、第二部分320和第三部分330。
詳細地，第一部分310的至少一部分，即第一部分310的第一部位，例如在第一接觸孔CNT1中，沿側壁共形地設置。參考圖如第3B和3C圖所示，第一接觸孔CNT1界定在第一區域A1中並且設置在輔助電極100的上方。第一接觸孔CNT1通過第一發光單元220、導電薄膜層230和第二發光單元240以暴露輔助電極100。在第3B和3C圖中，為了方便說明第一接觸孔CNT1和第一部分310，未示出一些元件。例如，絕緣層300和設置在絕緣層300上方的層未在第3C圖中示出。
在下面的描述中，表述“接觸孔被定義在層中”是指透過部分地移除該層而獲得的空間被定義為接觸孔。因此，第一接觸孔CNT1可以透過部分地移除第一發光單元220、導電薄膜層230和第二發光單元240形成的空的空間(第3B和3C圖中用點劃影線的區域)來界定。
輔助電極100的上表面、第一發光單元220的第一暴露表面221、導電薄膜層230的第二暴露表面231和第二發光單元240的第三暴露表面241的至少一部分通過第一接觸孔CNT1露出。由於第一部分310的第一部位設置在第一接觸孔CNT1中，所以第一部分310的第一部位可以僅設置在由第一、第二和第三暴露表面221、231和241圍繞的區域中。
第一部分310的第一部位設置在導電薄膜層230和第一電極部251之間。第一部分310的第一部位的下表面與第一、第二和第三暴露表面221、231和241接觸，以及第一部分310的上表面與第一電極部251接觸。
在本示例性實施例中，第一部分310的第二部位設置在第一電極部251和輔助電極100之間，以將第一電極部251電連接到輔助電極100。第一部分310的第二部位的下表面與輔助電極100接觸。如第3A圖所示，第一部分310的第二部位是平行於基底基板BS延伸的部分，即在輔助電極100上的第一接觸孔CNT1的底部上，第一部分310的第一部位是從第二部位延著第一接觸孔CNT1的側壁延伸的部分。
在本示例性實施例中，第二部分320設置在第二區域A2中。第二部分320設置在第二電極部252下方並且設置在第二區域A2中的第二發光單元240和第二電極部252之間。
在本示例性實施例中，當在平面圖中觀察時，第三部分330設置在第一部分310和第二部分320之間，並且連接第一部分310和第二部分320。第三部分330設置在像素定義層PDL。
絕緣層300防止橫向漏電流流過導電薄膜層230。如果要省略絕緣層300，則導電薄膜層230將在第一接觸孔CNT1中直接接觸第一電極部251，導致施加在第一電極部251的第一電壓施加到導電薄膜層230，從而導致第一接觸孔CNT1中的導電性薄膜層230產生橫向漏電流。因此，橫向漏電流可以穿過第一發光單元220。另外，由於橫向漏電流，漏電壓也可以施加在第二區域A2中。漏電壓可以是透過沿著橫向漏電流的路徑對施加在第一接觸孔CNT1中的電壓進行分壓而獲得的電壓。漏電壓大於施加到第一電極210的電壓並且小於第一電壓。
如果在第二區域A2中施加橫向漏電流和漏電壓，則從第一發光單元220發射的光的光發射可能較差(以下稱為“貧乏發光(poor light emission)”)。舉例來說，如果在第二區域A2中施加橫向漏電流和漏電壓，例如當省略絕緣層300時，當對應於零(0)灰度級的電壓施加到第一電極210時，第一發光單元220可以對應於不同於施加到第一電極210的電壓的灰度級的灰度級發射光或產生光。
相反地，根據本示例性實施例，絕緣層300可以使導電薄膜層230與第二電極250絕緣，從而防止導電薄膜層230與第一電極部251之間的橫向漏電流和漏電壓，因而防止或實質上最小化發生在有機發光元件200中的貧乏發光。更詳細地，沿著第一接觸孔CNT1的側壁的絕緣層300的第一部位可以例如完全或部分地使導電薄膜層230與第二電極250絕緣。
在絕緣層300將導電薄膜層230與第二電極250完全絕緣的情況下，橫向漏電流不會從第一電極部251流到導電薄膜層230，且漏電壓不會施加到第一部分310。在絕緣層300將導電薄膜層230與第二電極250部分絕緣的情況下，等於或小於臨界電流的橫向漏電流可能流過，等於或小於臨界電壓的漏電壓可能施加到第二部分320。當漏電壓小於臨界電壓且橫向漏電流小於臨界電流時，第一發光單元220可以不發射光，例如可能不會發射對應於小於各自臨界值的電壓和/或電流的光。
絕緣層300具有為防止貧乏發光而使用的電阻。絕緣層300的電阻大於導電薄膜層230的電阻。絕緣層300具有為了使得第一電極部251電連接到輔助電極100且使得導電薄膜層230與第一電極部251絕緣而決定的厚度。
絕緣層300的厚度在約1nm至約10nm的範圍內。絕緣層300需要具有上述厚度，以使得絕緣層300可以在第一區域A1中具有絕緣功能。此外，較佳地使絕緣層300具有上述厚度，以在第二區域A2中執行電子注入/傳輸功能或電洞注入/傳輸功能。將參照第7圖詳細描述這些。根據上述，在本示例性實施例中，絕緣層300使導電薄膜層230與第二電極250絕緣，因此可能防止由於橫向漏電流而導致的有機發光元件200的貧乏發光的發生並且可以穩定地驅動有機發光元件200。
第一和第二電極210和250中的每一個包括導電材料。更詳細地，第一和第二電極210和250中的每一個是透明電極、半透明電極或不透明電極(或反射電極)。此外，第一和第二電極210和250可以具有由單一材料或複數個不同材料所構成的單層結構或由不同材料形成的多層結構。
在第一和第二電極210和250中的每一個是透明電極或半透明電極的情況下，第一和第二電極210和250中的每一個可以包括例如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF) / 鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)/鋁(Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)、氟化鋇(BaF)、鋇(Ba)、銀(Ag)、其化合物或其混合物，例如銀和鎂的混合物，並且其每一個是光學薄的(optically thin)，或透明金屬氧化物，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、鉬(Mo)、鈦(Ti)。在第一和第二電極210和250中的每一個是反射電極的情況下，第一和第二電極210和250中的每一個可以包括例如銀、鎂、銅(Cu)、鋁、鈀(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹 (Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰鋁、鉬、鈦、其化合物或其混合物，例如銀和鎂的混合物，且其每一個是光學厚的。
在本示例性實施例中，有機發光元件200可以是背面發光型或正面發光型。在有機發光元件200是背面發光型的情況下，第一電極210被設置為透明或半透明電極，第二電極250是反射電極。在這種情況下，白光通過第一電極210離開。在有機發光元件200是正面發光型的情況下，第一電極210設置為反射電極，第二電極250是透明的或半透明電極，因此白光通過第二電極250離開。
作為示例，有機發光元件200可以具有非倒置結構或倒置結構。當有機發光元件200具有非倒置結構時，第一電極210是陽極，第二電極250是陰極，且施加到第一電極210的電壓大於施加到第二電極250的電壓。相反地，當有機發光元件200具有倒置的結構時，第一電極210是陰極，第二電極250是陽極，且施加到第一電極210的電壓小於施加到第二電極250的電壓。
第3D圖繪示根據本揭露的示例性實施例的顯示面板的橫截面圖。除了第一接觸孔CNT1和第3D圖中的第一部分310比第3A圖中的第一部分310深度更深外，第3D圖所示的顯示面板DP與第3A圖所示的顯示面板DP基本上相同。
參考第3D圖，像素電路層PC包括電晶體TR。電晶體TR包括閘電極GE、源電極SE、汲電極DE和半導體層SL。半導體層SL設置在基底基板BS上。第一電晶體絕緣層TRI1設置在半導體層SL上。第二電晶體絕緣層TRI2設置在第一電晶體絕緣層TRI1的上方。源電極SE和汲電極DE設置在第二電晶體絕緣層TRI2上並彼此間隔開。
透過第一和第二電晶體絕緣層TRI1和TRI2所界定的接觸孔，源電極SE連接到半導體層SL的一端，並且，透過第一和第二電晶體絕緣層TRI1和TRI2所界定的接觸孔，汲電極DE連接到半導體層SL的另一端。響應於施加到閘電極GE的控制訊號，電晶體TR將施加到源電極SE的電壓通過汲電極DE施加到第一電極210。
輔助電極100設置在第一絕緣層IL1和第二電晶體絕緣層TRI2之間，且第一絕緣層IL1包括透過其界定的中間接觸孔CNT_M以暴露輔助電極100。也就是說，輔助電極100的上表面透過中間接觸孔CNT_M而暴露。設置在第一區域A1中的第一和第二發光單元220和240及導電薄膜層230的部分係設置在中間接觸孔CNT_M中。
第一接觸孔CNT1透過設置在中間接觸孔CNT_M中的第一和第二發光單元220和240及導電薄膜層230的該部分來界定。輔助電極100的上表面透過第一接觸孔CNT1露出。例如，如第3D圖所示，第一和中間接觸孔CNT1和CNT_M可以彼此流體連通，例如，第一發光單元220的部分可以沿著第一接觸孔CNT1的側壁延伸，並且沿著中間接觸孔CNT_M的側壁連續延伸。例如，進一步如第3D圖，中間接觸孔CNT_M可以在第一接觸孔CNT1和第一絕緣層IL1的側壁之間，例如中間接觸孔CNT_M可以從第一接觸孔CNT1徑向延伸到第一絕緣層IL1的側壁。
在本示例性實施例中，絕緣層300的第一部分310設置在第一接觸孔CNT1中。至少輔助電極100的上表面的部分、第一發光單元220的第一暴露表面221、導電薄膜層230的第二暴露表面231和第二發光單元240的第三暴露表面241透過第一接觸孔CNT1而暴露。由於第一部分310設置在第一接觸孔CNT1中，所以第一部分310可以僅設置在由第一、第二和第三暴露表面221、231和241以及第一電極部251所圍繞的區域中。
第一部分310的第一部位，例如在第一接觸孔CNT1的側壁上，設置在導電薄膜層230和第一電極部251之間。第一部分310的部分的下表面與第一、第二和第三暴露表面221、231和241接觸，並且第一部分310的上表面與第一電極部251接觸。在本示例性實施例中，第一部分310的第二部位，例如在第一接觸孔CNT1的底部，設置在第一電極部251和輔助電極100之間，以將第一電極部251電連接到輔助電極100。第一部分310的第二部位的下表面與輔助電極100接觸。此外，根據另一實施例，輔助電極100可以設置在第一和第二電晶體絕緣層TRI1和TRI2之間。第一接觸孔CNT1界定在第一電晶體絕緣層TRI1中以暴露輔助電極100的上表面，並且第一部分310可以設置在第一接觸孔CNT1中。
第4圖繪示根據本揭露的示例性實施例的顯示面板的平面圖，且第5圖是沿第2圖中的II-II'線的橫截面圖。除了第二接觸孔CNT2和導電薄膜層230以外，第4和5圖所示的顯示面板DP基本上與第1和2圖4所示的顯示面板DP相同。因此，第二接觸孔CNT2和導電薄膜層230的不同特徵將被主要地描述，且其他細節將被省略。
參考第4圖，第二接觸孔CNT2可以進一步界定在顯示面板DP中。第二接觸孔CNT2可以在平面圖中觀察時界定在第一接觸孔CNT1中。
參考第5圖，第二接觸孔CNT2界定在輔助電極100上方的第一區域A1中。第二接觸孔CNT2通過絕緣層300界定。更詳細地，第二接觸孔CNT2界定在第一部分310中，且輔助電極100的上表面的至少一部分和絕緣層300的第四暴露表面301通過第二接觸孔CNT2而暴露。
在本示例性實施例中，第一電極部251的至少一部分設置在第二接觸孔CNT2中，並且與透過第二接觸孔CNT2暴露的輔助電極100的部分接觸。如上所述，由於第二電極250直接連接到輔助電極100，所以在第二電極250和輔助電極100之間不會發生電壓降。因此，可以有效地防止IR壓降，且可以提高有機發光元件200的電壓-電流特性。
第6圖繪示根據本揭露的示例性實施例的顯示面板的橫截面圖。絕緣層除外，第6圖所示的顯示面板DP基本上與第5圖所示的顯示面板DP相同。因此，絕緣層的不同特徵將被主要地描述，且其他細節將被省略。
參考第6圖，絕緣層300不設置在第二區域A2中。當在平面圖中觀察時，絕緣層300與第二區域A2間隔開而不與第二區域A2重疊。換句話說，第二和第三部分320和330可以省略。
在本示例性實施例中，絕緣層300不設置在第二區域A2中的有機發光元件200的有機層之間。因此，絕緣層300不會對有機發光元件200的電荷的平衡和電壓 - 電流特性產生影響。因此，可以獨立地執行有機發光元件200的設計以維持電荷平衡，以及絕緣層300的設計以防止發生橫向漏電流的發生。
第7圖是有機發光元件200的示意性橫截面圖。
參考第7圖，第一發光單元220包括第一電洞控制層HCL1、第一發光層EML1和第一電子控制層ECL1。第二發光單元240包括第二電洞控制層HCL2、第二發光層EML2和第二電子控制層ECL2。
第一和第二發光層EML1和EML2設置在第一電極210和第二電極250之間。在本示例性實施例中，第一和第二發光層EML1和EML2中的每一個包括主體材料和摻雜材料。第一和第二發光層EML1和EML2中的每一個透過將螢光材料或磷光材料施加到主體材料而形成。
作為主體，例如可使用三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3，tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)、4,4'-雙(N-咔唑基)-1,1'-聯苯基(CBP，4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl)、聚(N-乙烯基咔唑) (PVK，poly(n-vinylcabazole)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN，9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA，4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine)、1,3,5-三(N-苯基苯並咪唑-2-基)苯(TPBi，1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN，3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene )、二苯乙烯基亞芳基(DSA，distyrylarylene)、4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-聯苯(CDBP，4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2′'-dimethyl-biphenyl)、2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽(MADN，2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene )。然而，實施例並不限於此。
發光層的顏色可以通過主體材料和摻雜材料的組合來確定。例如，當發光層發射紅光時，發光層可以包括含有例如三(二苯甲酰基甲烷基)苯並菲啉銪) (PBD:Eu(DBM)3(Phen)，tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium)或苝(Perylene)的螢光材料。當發光層發射紅光時，包含在有機發光層中的摻雜劑可以是金屬錯合物，例如雙(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮銥( PIQIr(acac)，bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium)、（1-苯基喹啉）乙酰丙酮銥(PQIr(acac)，bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium)、三(1-苯基喹啉)銥(PQIr，tris(1-phenylquinoline)iridium)、八乙基卟啉鉑(PtOEP，octaethylporphyrin platinum)或有機金屬錯合物。
當發光層發射綠光時，發光層可以包括含有例如三(8-羥基喹啉基)鋁(Alq3)的螢光材料。當發光層發出綠光時，包含在發光層中的摻雜劑可以是金屬錯合物，例如fac-三(2-苯基吡啶)銥) (Ir(ppy)3 ，fac-tris(2-phenylpyridine)iridium )或有機金屬錯合物。
當發光層發射藍光時，發光層可以包括螢光材料，其包括例如由螺旋-DPVBi、螺旋-6P、二苯乙烯基苯(DSB，distyryl-benzene)、二苯乙烯基亞芳基(DSA，distyryl-arylene)、(聚芴)基聚合物(PFO，(Polyfluorene)-based polymer)和聚(對亞苯基亞乙烯基)聚合物(PPV，poly(p-phenylene vinylene)-based polymer)，當發光層發出藍光時，包含在發光層中的摻雜劑可以是金屬錯合物，例如(4,6-F2ppy)2Irpic，或有機金屬錯合物。
第一發光層EML1產生的光的波長短於由第二發光層EML2產生的光的波長。如上所述，第一光可以是藍光，並且具有等於或大於約450nm且等於或小於約595nm的波長範圍。如上所述，第二光可以是黃色光，並且具有等於或大於約570nm且等於或小於約590nm的波長範圍。
同時，根據實施例，第一和第二發光層EML1和EML2可被設計成產生具有各種顏色的光。第一和第二發光層EML1和EML2可以通過各種方法形成，例如真空沉積法、旋塗法、流延法、LB (Langmuir-Blodgett)法、噴墨印刷法、雷射印刷法和雷射誘導熱成像(LITI)法。
導電薄膜層230設置在第一和第二發光層EML1和EML2之間以提高有機發光元件200的電流效率和光效率。當施加電壓到導電薄膜層230，由於氧化還原反應，導電薄膜層230而透過錯合物成形來產生電荷。
在本示例性實施例中，導電薄膜層230可以包括依次層疊的第一和第二導電薄膜層232和234。第一和第二導電薄膜層232和234可以分別是N型和P型導電薄膜層。N型導電薄膜層可以包括鹼金屬，例如鋰、鈉、鉀(K)、銫(Cs)或其類似物，或者摻雜有鹼土金屬的有機層，例如鎂、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鐳(Ra) 或其類似物，但不限於此。P型導電薄膜層可以包括具有P型摻雜劑的有機層，但不限於此。
第一電洞控制層HCL1設置在第一電極210和第一發光層EML1之間。第二電洞控制層HCL2設置在導電薄膜層230和第二發光層EML2之間。
當第一電極210是陽極電極層時，從第一電極210注入的電洞透過第一電洞控制層HCL1提供給第一發光層EML1。由導電薄膜層230產生的電洞透過第二電洞控制層HCL2提供給第二發光層EML2。
第一和第二電洞控制層HCL1和HCL2中的每一個可以對應於電洞注入區域、電洞傳輸區域、緩衝區域和電子阻擋區域中的至少一個。第一和第二電洞控制層HCL1和HCL2中的每一個可以具有由單一材料或複數個不同材料構成的單層結構或由不同材料形成的層的多層結構。
例如，第一和第二電洞控制層HCL1和HCL2中的每一個可以包括對應於電洞注入層的電洞注入層、對應於電洞傳輸區的電洞傳輸層和具有電洞注入功能和電洞傳輸功能的單一層中的至少一個。
第一和第二電洞控制層HCL1和HCL2中的每一個可以包括電洞注入材料和電洞傳輸材料中的至少一種。電洞注入材料和電洞傳輸材料可以是已知的材料。
電洞傳輸材料可以包括但不限於例如咔唑基衍生物，例如正苯基咔唑(n-phenyl carbazole)、聚乙烯基咔唑(polyvinyl carbazole)、氟基衍生物(fluorine-based derivatives)、三苯基胺衍生物(triphenylamine-based derivatives)，例如N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯]-4,4'-二胺(TPD，N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine )、4,4',4''-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA，4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine )、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯苯胺(NPB，N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine )或4,4'-環亞己基雙[N,N-雙(4-甲基苯基)苯胺] (TAPC，4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine])。電洞注入材料可以包括但不限於酞菁(phthalocyanine)化合物如銅酞菁(copper phthalocyanine)、N,N'-二苯基-N,N'-雙-[4-(苯基-間甲苯基-氨基)-苯基]-聯苯-4,4'-二胺(DNTPD，N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine)、4,4',4''-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA，4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine)、4,4',4''-Tris(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA，4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine )、4,4',4'' -三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺(2TNATA，4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine)、聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽) (PEDOT/PSS，Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸( PANI / DBSA，Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid)、聚苯胺/樟腦磺酸( PANI/CSA，Polyaniline/Camphor sulfonicacid )、(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽) (PANI / PSS，(Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate))中的至少一個。
第一和第二電洞控制層HCL1和HCL2中的每一個可以透過形成第一和第二發光層EML1和EML2的類似製程來形成。例如，可以透過各種方法形成第一和第二電洞控制層HCL1和HCL2，例如真空沉積法、旋塗法、鑄造法、LB(Langmuir-Blodgett)法、噴墨印刷方法、雷射印刷法、雷射誘導熱成像(LITI)法。
同時，第一和第二電洞控制層HCL1和HCL2中的每一個可以包括對應於電洞阻擋區域的電洞阻擋層。在這種情況下，第一和第二電洞控制層HCL1和HCL2中的每一個可以包括電洞阻擋材料。此外，第一和第二電洞控制層HCL1和HCL2中的每一個還可以包括電荷產生材料。
第一電子控制層ECL1設置在第一發光層EML1和導電薄膜層230之間。由導電薄膜層230產生的電子透過第一電子控制層ECL1提供給第一發光層EML1。
第二電子控制層ECL2設置在第二發光層EML2和第二電極250之間。當第二電極250是陰極電極層時，從第二電極250注入的電子通過絕緣層300和第二電子控制層ECL2提供給第二發光層層EML2。
第一和第二電子控制層ECL1和ECL2中的每一個可以對應於電子注入區域、電子傳輸區域和電洞阻擋區域中的至少一個。第一和第二電子控制層ECL1和ECL2中的每一個可以具有由單個材料或複數個不同材料所形成的單層結構或由不同材料形成的層的多層結構。
例如，第一和第二電子控制層ECL1和ECL2中的每一個可以包括對應於電子注入層的電子注入層、對應於電子傳輸區的電子傳輸層以及具有電子注入功能和電子傳輸功能的單層。
第一和第二電子控制層ECL1和ECL2中的每一個可以包括電子傳輸材料和電子注入材料中的至少一種。例如，電子傳輸材料可以包括但不限於三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3) 、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯並[d]咪唑-2-基)苯基(TPBi ，1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP ，2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen，4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline )、3-(4-聯苯基) -4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ，3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole )、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑( NTAZ ，4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole )、2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑(tBu-PBD，2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole )、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1'-聯苯-4-醇)鋁(BAlq，Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum)、鈹雙(苯並喹啉-10-奧酸鹽) (Bebq2，berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)、9,10-二(萘-2-基)蒽 (ADN，9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene )或其化合物。
此外，電子注入材料可以包括鑭系元素金屬，例如氟化鋰(LiF)、8-羥基喹啉鋰(LiQ)、氧化鋰(Li2 O)、氧化鋇(BaO)、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CsF)、鐿(Yb)或金屬鹵化物，例如氯化銣(RbCl)、碘化銣(RbI)，但是不應限於此。電子傳輸層可以包括具有絕緣性質的電子傳輸材料和有機金屬鹽的混合物。
有機金屬鹽具有約4 eV以上的能帶間隙。詳細地，有機金屬鹽可以包括例如金屬乙酸鹽(metal acetate)、金屬苯甲酸鹽(metal benzoate)、金屬乙酰乙酸鹽(metal acetoacetate)、金屬乙酰丙酮化物(metal acetylacetonate)或金屬硬脂酸鹽(metal stearate)。
第一和第二電子控制層ECL1和ECL2中的每一個可以透過各種方法形成，例如真空沉積法、旋塗法、澆鑄法、LB (Langmuir-Blodgett)法、噴墨印刷法、雷射印刷法、雷射誘導熱成像(LITI)法。
根據本揭露的有機發光元件200不應限於上述結構和功能。例如，有機發光元件200可以包括三個發光單元和插入在三個發光單元之間的兩個導電薄膜層。在該結構中，絕緣層300可以使兩個導電薄膜層與第二電極250絕緣。
作為示例，絕緣層300對應於設置在第二發光單元250上的單獨部件，但是本揭露不應限於其或由此而定。也就是說，可以將絕緣層300設置為執行第二發光單元250的功能的層。例如，絕緣層300可以對應於電子注入區域，且第二發光單元240的第二電子控制層ECL2可以包括電子傳輸區域和電洞阻擋區域。在該結構中，絕緣層300可以執行第二發光單元240的電子注入區域的功能。同樣地，絕緣層300可以不僅是電子注入區域，而且可以是電子傳輸區域和電洞阻擋區域。此外，在有機發光元件200具有倒置結構的情況下，絕緣層300可以是電洞注入區域、電洞傳輸區域和電子阻擋區域中的一個。
絕緣層300可以包括例如8-羥基喹啉鋰(LiQ)和氟化鋰中的至少一種。作為示例，在非反轉結構中，絕緣層300可以包括第一和第二電洞控制層HCL1和HCL2的主體材料，以阻止電子的注入/傳輸或第一和第二電子控制層ECL1和ECL2的材料，其具有低電子傳導性。因此，從作為陰極的第一電極部251注入的電子被阻斷，從而可以有效地防止橫向漏電流。
絕緣層300具有約1nm至約10nm的厚度。當絕緣層300的厚度小於約1nm時，絕緣層300可能不足夠厚以適當地執行相對於第一區域A1中的導電薄膜層230的絕緣功能(參見第3A圖)。當絕緣層300的厚度超過約10nm時，絕緣層300可能太厚，不能在第二區域A2中相對於第二發光單元240執行電子注入/傳輸的功能(參見第3A圖)。
作為示例，在反向結構中，絕緣層300可以包括第一和第二電子控制層ECL1和ECL2的主體材料，以阻止電洞的注入/傳輸或第一和第二電洞控制層HCL1和HCL2的材料，其具有低電洞傳導性。因此，從作為陽極的第一電極部251注入的電洞被阻擋，因此可以有效地防止橫向漏電流。
第8A至8F圖繪示了根據示例性實施例的顯示面板的製造方法中的階段的橫截面圖。
參考第8A圖，像素電路層PC形成在基底基板BS上，第一絕緣層IL1形成在像素電路層PC上。通過第一絕緣層IL1形成驅動接觸孔CNT_Dr。像素電路層PC的一部分通過驅動接觸孔CNT_Dr而暴露。
參考第8B圖，第一電極210和輔助電極100形成在第一絕緣層IL1上。如上所述，第一電極210的第一端設置在通過第一絕緣層IL1形成的驅動接觸孔CNT_Dr中，並且與像素電路層PC接觸。第一電極210的第二端從第一電極210的第一端延伸並設置在第二區域A2中。輔助電極100與第一電極210間隔開並設置在第一區域A1中。
如第8C圖，像素定義層PDL形成在第一電極210和輔助電極100上。然後，第一發光單元220、導電薄膜層230和第二發光單元240依次形成在像素定義層PDL、第一電極210和輔助電極100上。
參考第8D圖，第一接觸孔CNT1形成在第一區域A1中。第一接觸孔CNT1透過將第一區域A1中的第一發光單元220、導電薄膜層230和第二發光單元240的部分(以下稱為“移除的層”)移除以暴露例如，第一輔助電極100的上表面的一部分。作為示例，由於移除的層被移除，所以形成第一、第二和第三暴露表面221、231和241，例如第一暴露表面至第三暴露表面221至241是面向第一接觸孔CNT1的內部並界定第一接觸孔CNT1的側壁的側表面。
參考第8E圖，絕緣層300例如在第二發光單元240上共形地(conformally)形成。第一部分310例如在第一接觸孔CNT1中共形地形成，並與暴露的輔助電極100接觸。然後，如第8F圖所示，第一電極部251和第二絕緣層IL2形成在絕緣層300上。
第9A至9C圖繪示根據示例性實施例的顯示面板的製造方法中的階段的橫截面圖。
參考第9A圖，包括像素電路層PC、絕緣層300和設置在像素電路層PC和絕緣層300之間的元件的元件依次堆疊在基底基板BS上。堆疊像素電路層PC、絕緣層300以及設置在像素電路層PC和絕緣層300之間的元件的方法與參照第8A至8E圖描述的製造方法相同，因此將省略其細節。
參考第9B圖，通過絕緣層300形成第二接觸孔CNT2。透過移除第一區域A1中的第一部分310的一部分以暴露輔助電極100的一部分來形成第二接觸孔CNT2。作為示例，可以透過使用雷射鑽孔法移除第一部分310的部分。當移除第一部分310的部分時，形成了第四暴露表面401。
如第9C圖示，第二電極250形成在絕緣層300上。第一電極部251與通過第二接觸孔CNT2暴露的輔助電極100接觸。第二絕緣層IL2形成在第二電極250上。
通過總結和回顧，本揭露提供了一種能夠防止由於橫向漏電流而導致的有機發光元件的不良發射的顯示面板。本揭露還提供了一種製造顯示面板的方法，以及具有顯示面板的顯示裝置。
也就是說，根據實施例，絕緣層設置在導電薄膜層和第二電極之間，以使導電薄膜層與第二電極絕緣。因此，可以防止橫向洩漏電流流過導電薄膜層，並且可以防止由於橫向漏電流而發生有機發光元件的發光缺陷。
本文已經公開了示例性實施例，並且雖然採用了特定術語，但是它們被使用並且僅在通用和描述性意義上被解釋，而不是為了限制的目的。在一些情況下，對於本申請的提交領域的普通技術人員所顯而易見的，結合特定實施例描述的特徵、特徵和/或元件可以單獨使用或與特徵、特徵和/或元件結合使用，除非另有具體說明。因此，本領域技術人員將理解，在不脫離如所附申請專利範圍中闡述的本發明的精神和範圍的情況下，可以對形式和細節進行各種改變。
100‧‧‧輔助電極
200‧‧‧有機發光元件
210‧‧‧第一電極
220‧‧‧第一發光單元
221‧‧‧第一暴露表面
230‧‧‧導電薄膜層
231‧‧‧第二暴露表面
232‧‧‧第一導電薄膜層
234‧‧‧第二導電薄膜層
240‧‧‧第二發光單元
241‧‧‧第三暴露表面
250‧‧‧第二電極
251‧‧‧第一電極部
252‧‧‧第二電極部
300‧‧‧絕緣層
301、401‧‧‧第四暴露表面
310‧‧‧第一部分
320‧‧‧第二部分
330‧‧‧第三部分
A1‧‧‧第一區域
A2‧‧‧第二區域
100_a‧‧‧第一延伸部分
100_b‧‧‧第二延伸部分
CNT1‧‧‧第一接觸孔
CNT2‧‧‧第二接觸孔
DR1‧‧‧第一方向
DR2‧‧‧第二方向
DL1~DLm‧‧‧資料線
EML1‧‧‧第一發光層
EML2‧‧‧第二發光層
ECL1‧‧‧第一電子控制層
ECL2‧‧‧第二電子控制層
GL1~GLn‧‧‧閘極線
HCL1‧‧‧第一電洞控制層
HCL2‧‧‧第二電洞控制層
IL1‧‧‧第一絕緣層
IL2‧‧‧第二絕緣層
SPX1‧‧‧第一子像素
SPX2‧‧‧第二子像素
SPX3‧‧‧第三子像素
SPX4‧‧‧第四子像素
TRI1‧‧‧第一電晶體絕緣層
TRI2‧‧‧第二電晶體絕緣層
BS‧‧‧基底基板
CNT_M‧‧‧中間接觸孔
CNT_Dr‧‧‧驅動接觸孔
DA‧‧‧顯示區域
DC‧‧‧驅動晶片
DD‧‧‧顯示裝置
DE‧‧‧汲電極
DP‧‧‧顯示面板
FPC‧‧‧可撓式印刷電路板
GE‧‧‧閘電極
NDA‧‧‧非顯示區域
PC‧‧‧像素電路層
PCB‧‧‧印刷電路板
PDL‧‧‧像素定義層
PX‧‧‧像素
SE‧‧‧源電極
SL‧‧‧半導體層
SPX‧‧‧子像素
TR‧‧‧電晶體
透過參照圖式詳細描述示例性實施例，對於本領域具有通常知識者而言，特徵將變得顯而易見，其中：
第1圖係繪示根據本揭露的示例性實施例的顯示裝置的平面圖；
第2圖係繪示根據本揭露的示例性實施例的顯示面板的平面圖；
第3A圖係繪示沿第2圖所示的線I-I'的橫截面圖；
第3B圖係繪示第3A圖所示的第一接觸孔的放大橫截面圖；
第3C圖係繪示第3A圖所示的第一接觸孔的放大平面圖；
第3D圖係繪示根據本揭露的示例性實施例的顯示面板的橫截面圖；
第4圖係繪示根據本揭露的示例性實施例的顯示面板的平面圖；
第5圖係繪示沿第2圖所示的線II-II'的橫截面圖；
第6圖係繪示根據本揭露的示例性實施例的顯示面板的橫截面圖；
第7圖係繪示根據本揭露的示例性實施例的有機發光元件的示意性橫截面圖；
第8A圖至第8F圖係繪示根據示例性實施例的顯示面板的製造方法中的階段的橫截面圖；以及
第9A圖至第9C圖係繪示根據示例性實施例的顯示面板的製造方法中的階段的橫截面圖。
100‧‧‧輔助電極
200‧‧‧有機發光元件
210‧‧‧第一電極
220‧‧‧第一發光單元
221‧‧‧第一暴露表面
230‧‧‧導電薄膜層
231‧‧‧第二暴露表面
240‧‧‧第二發光單元
241‧‧‧第三暴露表面
250‧‧‧第二電極
251‧‧‧第一電極部
252‧‧‧第二電極部
300‧‧‧絕緣層
310‧‧‧第一部分
320‧‧‧第二部分
330‧‧‧第三部分
A1‧‧‧第一區域
A2‧‧‧第二區域
CNT1‧‧‧第一接觸孔
IL1‧‧‧第一絕緣層
IL2‧‧‧第二絕緣層
BS‧‧‧基底基板
DP‧‧‧顯示面板
PC‧‧‧像素電路層
PDL‧‧‧像素定義層

Claims (20)

  1. 一種顯示面板，其包含： 一基底基板； 一輔助電極，在該基底基板上； 一第一電極，當在平面圖中觀察時，係與該輔助電極間隔開； 一第一發光單元，在該輔助電極和該第一電極上； 一導電薄膜層，在該第一發光單元上； 一第二發光單元，在該導電薄膜層上； 一第一接觸孔，通過至少該第一發光單元、該導電薄膜層和該第二發光單元，以暴露該輔助電極； 一絕緣層，包括在該第一接觸孔中的一第一部分；以及 一第二電極，包括一第一電極部和一第二電極部，該第一電極部位於該絕緣層的該第一部分上，並且具有至少一部分在該第一接觸孔中，當在平面圖中觀察時，該第二電極部與該第一電極重疊，並且該第二電極部位於該第二發光單元上， 其中該絕緣層的該第一部分的一第一部位在該第一電極部和該導電薄膜層之間，以使該第一電極部與該導電薄膜層絕緣。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該絕緣層的該第一部分的一第二部位在該第一電極部和該輔助電極之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示面板，其中，該絕緣層的該第一部分的該第二部位接觸該輔助電極。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之顯示面板，其中該絕緣層進一步包括從該第一部分延伸的一第二部分，並且該第二部分在該第二發光單元和該第二電極之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板，其進一步包括在該輔助電極和該第一電極之間的一像素定義層，當在平面圖中觀察時，該絕緣層進一步包括該像素定義層上的一第三部分，以連接該第一部分和該第二部分。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示面板，其中當在平面圖中觀察時，該第二部分與該第一電極重疊。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之顯示面板，其中一第二接觸孔界定在該絕緣層的該第一部分的該第二部位中，以暴露該輔助電極的一上表面的至少一部分，以及該第一電極部的一部分位於該絕緣層中界定的該第二接觸孔中，以接觸該輔助電極。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該絕緣層的該第一部分的該第一部位接觸透過該第一接觸孔露出的該導電薄膜層的一暴露表面。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中當從平面圖中觀察時，該絕緣層與該第一電極間隔開。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一發光單元產生一第一光，並且該第二發光單元產生的光具有的顏色是不同於該第一光的顏色。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該絕緣層具有的電阻是大於該導電薄膜層的電阻。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該絕緣層具有約1nm至約10nm的厚度。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該絕緣層包括氟化鋰和8-羥基喹啉鋰(LiQ)中的至少一個。
  14. 一種製造顯示面板的方法，該方法包括： 在界定在一基底基板中的一第一區域中形成一輔助電極； 當從平面圖中觀察時，在界定在該基底基板中並與該第一區域間隔開的一第二區域中形成一第一電極； 在該第一電極上形成一第一發光單元； 在該第一發光單元上形成一導電薄膜層； 在該導電薄膜層上形成一第二發光單元； 移除該第一發光單元、該導電薄膜層和該第二發光單元的至少一部分，以形成一第一接觸孔，該輔助電極的一上表面透過該第一接觸孔暴露； 在該導電薄膜層的一暴露表面上形成一絕緣層，其透過該第一接觸孔暴露；以及 在該絕緣層上形成一第二電極。
  15. 如申請專利範圍第14所述之方法，其進一步包括移除該絕緣層的一部分以形成一第二接觸孔，藉此透過該絕緣層暴露該輔助電極的該上表面的至少一部分。
  16. 如申請專利範圍第15所述之方法，其中形成該第二接觸孔係在形成該絕緣層之後並在形成該第二電極之前進行。
  17. 如申請專利範圍第14所述之方法，其中係使用雷射鑽孔方法移除該第一發光單元、該導電薄膜層和該第二發光單元。
  18. 一種顯示裝置，其包括： 一顯示面板；以及 一控制器，係控制該顯示面板， 該顯示面板包括： 一基底基板； 一輔助電極，在該基底基板上； 一第一電極，當在平面圖中觀察時，係與該輔助電極間隔開； 一第一發光單元，在該輔助電極和該第一電極上； 一導電薄膜層，在該第一發光單元上； 一第二發光單元，在該導電薄膜層上； 一第一接觸孔，通過至少該第一發光單元、該導電薄膜層和該第二發光單元，以暴露該輔助電極； 一絕緣層，包括在該第一接觸孔中的一第一部分；以及 一第二電極，包括一第一電極部和一第二電極部，該第一電極部位於該絕緣層的該第一部分上，並且具有至少一部分在該第一接觸孔中，該第二電極部從該第一電極部延伸，且當在平面圖中觀察時，係與該第一電極重疊，並且該第二電極部位於該第二發光單元上， 其中該絕緣層的該第一部分的一第一部位在該第一電極部和該導電薄膜層之間，以使該第一電極部與該導電薄膜層絕緣。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置，其中該第一部分的一第二部位在該第一電極部和該輔助電極之間。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之顯示裝置，其中該第一部分的該第二部位接觸該輔助電極，並且該第一部分的該第一部位接觸透過該第一接觸孔露出的該導電薄膜層的一表面。
TW106123941A 2016-07-18 2017-07-18 顯示面板、其製造方法和具有其之顯示裝置 TWI762495B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0090947 2016-07-18
KR1020160090947A KR102543639B1 (ko) 2016-07-18 2016-07-18 표시 패널, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치
??10-2016-0090947 2016-07-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201807468A true TW201807468A (zh) 2018-03-01
TWI762495B TWI762495B (zh) 2022-05-01

Family

ID=59350732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106123941A TWI762495B (zh) 2016-07-18 2017-07-18 顯示面板、其製造方法和具有其之顯示裝置

Country Status (6)

Country Link
US (4) US10020461B2 (zh)
EP (1) EP3273499B1 (zh)
JP (1) JP6875218B2 (zh)
KR (2) KR102543639B1 (zh)
CN (2) CN113299843A (zh)
TW (1) TWI762495B (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108496260B (zh) 2015-10-26 2020-05-19 Oti照明公司 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置
KR102470303B1 (ko) * 2015-10-27 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102543639B1 (ko) * 2016-07-18 2023-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치
US11581487B2 (en) 2017-04-26 2023-02-14 Oti Lumionics Inc. Patterned conductive coating for surface of an opto-electronic device
KR20200006569A (ko) 2017-05-17 2020-01-20 오티아이 루미오닉스 인크. 패턴화 코팅 위에 전도성 코팅을 선택적으로 증착시키는 방법 및 전도성 코팅을 포함하는 디바이스
CN107359263A (zh) 2017-07-12 2017-11-17 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
WO2019173946A1 (en) * 2018-03-12 2019-09-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode array substrate, display panel and display apparatus, and fabricating method thereof
CN109004005B (zh) * 2018-07-24 2020-12-11 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
KR102469187B1 (ko) * 2018-09-04 2022-11-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20200066503A (ko) * 2018-11-30 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR102624516B1 (ko) * 2018-12-04 2024-01-16 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
KR102075741B1 (ko) * 2018-12-17 2020-02-10 엘지디스플레이 주식회사 표시패널
CN113785411B (zh) 2019-03-07 2023-04-11 Oti照明公司 用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置
CN110048022B (zh) * 2019-04-22 2020-08-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled器件及其制备方法
CN110071156B (zh) * 2019-04-28 2022-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
KR20220046551A (ko) 2019-06-26 2022-04-14 오티아이 루미오닉스 인크. 광 회절 특성을 갖는 광 투과 영역을 포함하는 광전자 디바이스
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
CN114342068A (zh) 2019-08-09 2022-04-12 Oti照明公司 包含辅助电极和分区的光电子装置
KR20210042216A (ko) 2019-10-08 2021-04-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110739338B (zh) * 2019-10-24 2022-11-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示面板
JP7432353B2 (ja) * 2019-12-19 2024-02-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20210138842A (ko) 2020-05-12 2021-11-22 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN112117357B (zh) * 2020-09-17 2022-03-22 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
KR20230058200A (ko) * 2021-10-22 2023-05-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 포함하는 전자 장치 및 표시 패널 제조 방법
CN113936597B (zh) * 2021-10-26 2023-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示设备及亮度补偿方法
CN115275058B (zh) * 2022-07-29 2024-01-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示终端

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7520790B2 (en) 2003-09-19 2009-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of display device
JP2005327674A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセント表示素子、それを有する表示装置、及び、その製造方法
KR100875103B1 (ko) * 2007-11-16 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101251725B1 (ko) 2008-12-18 2013-04-05 파나소닉 주식회사 유기 일렉트로 루미네슨스 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101094282B1 (ko) 2009-12-04 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
KR101810047B1 (ko) * 2011-07-28 2017-12-19 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR101976133B1 (ko) * 2012-11-20 2019-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101560272B1 (ko) * 2013-02-25 2015-10-15 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
KR20150009126A (ko) 2013-07-15 2015-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104752476B (zh) * 2013-12-31 2018-05-22 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
JP2015138746A (ja) 2014-01-24 2015-07-30 ソニー株式会社 有機ｅｌ素子、表示装置及び照明装置
KR102145759B1 (ko) 2014-03-27 2020-08-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR101640803B1 (ko) * 2014-09-26 2016-07-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR102399414B1 (ko) * 2014-12-30 2022-05-18 엘지디스플레이 주식회사 다층의 스택 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치
KR102642369B1 (ko) * 2016-03-25 2024-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
EP3240036B1 (en) * 2016-04-29 2024-05-01 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
KR102543639B1 (ko) * 2016-07-18 2023-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20200220099A1 (en) 2020-07-09
JP2018014323A (ja) 2018-01-25
US10020461B2 (en) 2018-07-10
CN107634147A (zh) 2018-01-26
KR102543639B1 (ko) 2023-06-15
KR20230088321A (ko) 2023-06-19
EP3273499A1 (en) 2018-01-24
TWI762495B (zh) 2022-05-01
JP6875218B2 (ja) 2021-05-19
CN107634147B (zh) 2021-06-11
US20200075884A1 (en) 2020-03-05
US20180019434A1 (en) 2018-01-18
US10600986B1 (en) 2020-03-24
CN113299843A (zh) 2021-08-24
KR20180009441A (ko) 2018-01-29
US10439161B2 (en) 2019-10-08
EP3273499B1 (en) 2022-09-14
US10991903B2 (en) 2021-04-27
US20180309085A1 (en) 2018-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI762495B (zh) 顯示面板、其製造方法和具有其之顯示裝置
US10297652B2 (en) Display panel and method for manufacturing the same
CN107579093B (zh) 有机发光显示装置
US9614015B2 (en) Method for fabricating display device and display device
US9419240B2 (en) Organic light emitting transistor and display device having the same
EP3125331A1 (en) Organic light emitting pixel and organic light emitting display device including the same
KR102503845B1 (ko) 유기발광소자 및 이를 포함하는 유기발광 표시패널
KR102098139B1 (ko) 유기전계발광표시장치
KR20180075958A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20180049849A (ko) 표시 장치
KR20160063753A (ko) 유기 발광 소자
CN110649066A (zh) 显示设备
JP2016224439A (ja) フレキシブル表示装置及びその製造方法
KR102081248B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102357440B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
US20230048617A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
KR20230053044A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20170003829A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법