KR20170003829A - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들을 포함하고, 상기 화소들 각각은 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 제공되고 제1 광을 발광하는 제1 발광층, 상기 제1 발광층 상에 제공되고, 상기 제1 발광층의 일부와 중첩하고, 상기 제1 광과 상이한 제2 광을 발광하는 제2 발광층, 및 상기 제1 발광층 상에 상기 제2 발광층과 이격되어 제공되고, 상기 제1 광과 상이한 제3 광을 발광하는 제3 발광층을 포함하고, 상기 제1 발광층은 평면상에서 보았을 때, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층 사이에 제공되는 제1 비중첩부를 포함하고, 상기 제1 비중첩부의 적어도 일부는 제1 광을 발광한다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

평판 표시 장치(flat display device)는 크게 발광형과 수광형으로 분류할 수 있다. 발광형으로는 평판 음극선관(flat cathode ray tube)과, 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel)과, 유기 발광 표시 장치 (organic light emitting display, OLED)등이 있다. 상기 유기 발광 표시 장치는 자발광형 표시 장치로서, 시야각이 넓고, 콘트라스트가 우수하고, 응답 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다.

이에 따라, 유기 발광 표시 장치는 디지털 카메라나, 비디오 카메라나, 캠코더나, 휴대 정보 단말기나, 스마트 폰이나, 초슬림 노트북이나, 태블릿 퍼스널 컴퓨터나, 플렉서블 디스플레이 장치와 같은 모바일 기기용 디스플레이 장치나, 초박형 텔레비전 같은 대형 전자 제품 또는 대형 전기 제품에 적용할 수 있어서 각광받고 있다.

유기 발광 표시 장치는 제1 전극과 제2 전극에 주입되는 정공과 전자가 발광층에서 재결합하여 발광하는 원리로 색상을 구현할 수 있는 것으로서, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광한다.

유기 발광 표시 장치는 일반적으로 적색, 녹색, 청색의 단색을 구현하는데 있어 각각 독립의 화소를 구성하여 독립적으로 발광시키며, CIE 색좌표 값을 조절하기 위해 타색 화소를 인위적으로 발광시킨다.

본 발명은 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다. 보다 구체적으로, 본 발명은 별도의 구동기술의 도움 없이 특정 단색의 CIE 색좌표를 조절할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것은 일 목적으로 한다.

본 발명은 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

본 발명의 일 실시예는 복수의 화소들을 포함하고, 상기 화소들 각각은 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 제공되고 제1 광을 발광하는 제1 발광층; 상기 제1 발광층 상에 제공되고, 상기 제1 발광층의 일부와 중첩하고, 상기 제1 광과 상이한 제2 광을 발광하는 제2 발광층; 및 상기 제1 발광층 상에 상기 제2 발광층과 이격되어 제공되고, 상기 제1 광과 상이한 제3 광을 발광하는 제3 발광층을 포함하고, 상기 제1 발광층은 평면상에서 보았을 때, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층 사이에 제공되는 제1 비중첩부를 포함하고, 상기 제1 비중첩부의 적어도 일부는 제1 광을 발광하는 것인 유기 발광 표시 장치를 제공한다.

평면상에서 보았을 때, 상기 제1 비중첩부의 적어도 일부는 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층 중 적어도 하나에 접하는 것일 수 있다.

상기 화소들 각각은 연결 영역 및 서로 이격되어 있는 복수 개의 부화소 영역들로 구분되고, 상기 부화소 영역들은 제1 부화소 영역, 제2 부화소 영역, 및 제3 부화소 영역으로 이루어지며, 상기 제1 전극은 상기 제1 부화소 영역에 제공되는 제1 서브 전극, 상기 제2 부화소 영역에 제공되는 제2 서브 전극, 및 상기 제3 부화소 영역에 제공되는 제3 서브 전극을 포함하는 것일 수 있다.

상기 제1 발광층은 상기 연결 영역 및 상기 부화소 영역들에 공통으로 제공되고, 상기 제2 발광층은 상기 제1 부화소 영역의 일부에 제공되며, 상기 제3 발광층은 상기 제2 부화소 영역의 일부에 제공되는 것일 수 있다.

상기 제1 부화소 영역 및 상기 제2 부화소 영역은 각각 서로 상이한 파장 대역의 2 이상의 광들을 출광하는 것일 수 있다.

상기 제1 부화소 영역은 상기 제2 발광층과 중첩하는 중첩 제1 부화소 영역, 및 상기 제2 발광층과 중첩하지 않는 비중첩 제1 부화소 영역으로 구분되고, 상기 제2 부화소 영역은 상기 제3 발광층과 중첩하는 중첩 제2 부화소 영역, 및 상기 제3 발광층과 중첩하지 않는 비중첩 제2 부화소 영역으로 구분되며, 상기 비중첩 제1 부화소 영역의 면적은 상기 제1 부화소 영역의 총 면적의 0% 초과 10% 이하이고, 상기 비중첩 제2 부화소 영역의 면적은 상기 제2 부화소 영역의 총 면적의 0% 초과 10% 이하일 수 있다.

평면상에서 보았을 때, 상기 비중첩 제1 부화소 영역은 상기 중첩 제1 부화소 영역의 일단에 접하는 것일 수 있다.

평면상에서 보았을 때, 상기 화소들 각각의 내에서 상기 중첩 제1 부화소 영역은 복수 개이고, 상기 비중첩 제1 부화소 영역이 상기 중첩 제1 부화소 영역들 사이에 제공된 것일 수 있다.

평면상에서 보았을 때, 상기 비중첩 제2 부화소 영역은 상기 중첩 제2 부화소 영역의 일단에 접하는 것일 수 있다.

평면상에서 보았을 때, 상기 화소들 각각의 내에서 상기 중첩 제2 부화소 영역은 복수 개이고, 상기 비중첩 제2 부화소 영역이 상기 중첩 제2 부화소 영역들 사이에 제공된 것일 수 있다.

상기 제1 서브 전극은 상기 제2 발광층과 중첩하는 중첩 제1 서브 전극 영역, 및 상기 제2 발광층과 중첩하지 않는 비중첩 제1 서브 전극 영역으로 구분되고, 상기 제2 서브 전극은 상기 제3 발광층과 중첩하는 중첩 제2 서브 전극 영역, 및 상기 제3 발광층과 중첩하지 않는 비중첩 제2 서브 전극 영역으로 구분되며, 상기 비중첩 제1 서브 전극 영역의 면적은 상기 제1 부화소 영역의 총 면적의 0% 초과 10% 이하이고, 상기 비중첩 제2 서브 전극 영역의 면적은 상기 제2 부화소 영역의 총 면적의 0% 초과 10% 이하일 수 있다.

평면상에서 보았을 때, 상기 비중첩 제1 서브 전극 영역은 상기 중첩 제1 서브 전극 영역의 일단에 접하는 것일 수 있다.

평면상에서 보았을 때, 상기 화소들 각각의 내에서 상기 중첩 제1 서브 전극 영역은 복수 개이고, 상기 비중첩 제1 서브 전극 영역이 상기 중첩 제1 서브 전극 영역들 사이에 제공된 것일 수 있다.

평면상에서 보았을 때, 상기 비중첩 제2 서브 전극 영역은 상기 중첩 제2 서브 전극 영역의 일단에 접하는 것일 수 있다.

평면상에서 보았을 때, 상기 화소들 각각의 내에서 상기 중첩 제2 서브 전극 영역은 복수 개이고, 상기 비중첩 제2 서브 전극 영역이 상기 중첩 제2 서브 전극 영역들 사이에 제공된 것일 수 있다.

본 발명의 일 실시예는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. 구체적으로, 제1 부화소 영역, 제2 부화소 영역, 및 제3 부화소 영역으로 구분되는 복수 개의 화소 영역들, 및 연결 영역으로 정의되는 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 상기 제1 부화소 영역, 상기 제2 부화소 영역, 및 상기 제3 부화소 영역에 각각 대응되는 제1 전극을 제공하는 단계, 상기 제1 전극 상에 상기 화소 영역 및 상기 연결 영역을 공통으로 덮는 제1 발광층을 제공하는 단계, 상기 제1 발광층 상에 상기 제1 부화소 영역의 일부에 대응되는 제2 발광층을 제공하는 단계, 및 상기 제1 발광층 상에 상기 제2 부화소 영역의 일부에 대응되고 제2 발광층과 이격된 제3 발광층을 제공하는 단계를 포함한다.

상기 제2 발광층을 제공하는 단계는 상기 제1 부화소 영역의 일부에 대응되는 제1 개구부가 형성된 제1 마스크를 이용하여 수행되는 단계일 수 있다.

상기 제3 발광층을 제공하는 단계는 상기 제2 부화소 영역의 일부에 대응되는 제2 개구부가 형성된 제2 마스크를 이용하여 수행되는 단계일 수 있다.

상기 제1 개구부의 너비는 상기 제1 부화소 영역의 총 너비의 0% 초과 10% 이하이고, 상기 제2 개구부의 너비는 상기 제2 부화소 영역의 총 너비의 0% 초과 10% 이하일 수 있다.

상기 제1 부화소 영역은 적색 부화소 영역이고, 상기 제2 부화소 영역은 녹색 부화소 영역이며, 상기 제3 부화소 영역은 청색 부화소 영역일 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 별도 구동기술의 도움 없이 특정 단색의 CIE 값을 조절을 할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따라 제조된 유기 발광 표시 장치는 별도 구동기술의 도움 없이 구조 자체만으로 특정 단색의 CIE 값을 조절할 수 있다는 장점이 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 2의 부화소들 중 하나의 회로도이다.
도 4는 도 2의 부화소들 중 하나의 평면도이다.
도 5는 도 4의 I-I'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 평면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 평면도이다.
도 7a는 도 5의 유기 발광 소자 부분을 개략적으로 확대한 단면도이다.
도 7b는 도 7a의 발광층 부분을 구체적으로 도시한 도면이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법의 개략적인 순서도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.

이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

본 출원에서, "포함하다"라는 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.

먼저, 도 1 내지 도 9를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)에 대하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)를 개략적으로 나타낸 사시도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함한다.

표시 영역(DA)은 영상을 표시한다. 유기 발광 표시 장치(10)의 두께 방향(예를 들어, DR3)에서 보았을 때, 표시 영역(DA)은 대략적으로 직사각형 형상을 갖는 것일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.

표시 영역(DA)은 복수의 화소 영역들(PA)을 포함한다. 화소 영역들(PA)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 화소 영역들(PA)은 예를 들어, 게이트 라인들(도 3의 GL), 데이터 라인들(도 3의 DL) 및 구동 전압 라인들(도 3의 DVL)에 의해 정의될 수 있다. 화소 영역들(PA)은 복수의 화소들(도 2의 PX) 각각을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 표시 장치(10)에서는 화소 영역들(PA)이 사각 형상을 갖는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 화소 영역들(PA)은 원 형상을 갖는 것일 수도 있다.

비표시 영역(NDA)은 영상을 표시하지 않는다. 유기 발광 표시 장치(10)의 두께 방향(DR3)에서 보았을 때, 비표시 영역(NDA)은 예를 들어, 표시 영역(DA)을 둘러싸는 것일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 제1 방향(예를 들어, DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(예를 들어, DR2)으로 표시 영역(DA)과 인접할 수 있다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)에 포함되는 화소들(PX) 중 하나의 평면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 화소들 각각은 서로 이격되어 있는 복수 개의 부화소들(SPX1, SPX2, SPX3)을 포함할 수 있다. 도 2에서는 3개의 부화소를 포함하는 것을 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 추가의 부화소를 포함할 수 있다. 또한, 부화소의 형상을 네모로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 각각의 부화소(SPX1, SPX2, SPX3)는 부화소 영역(예를 들어, 도 6a의 SPA1, SPA2, SPA3)에 배치도며, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)에 포함되는 부화소 영역(SPA1, SPA2, SPA3)의 구성 및 배치 관계 등에 대해서는 보다 구체적으로 후술하도록 한다.

도 3은 도 2의 부화소들(SPX1, SPX2, SPX3) 중 하나의 회로도이다.

도 4는 도 2의 부화소들(SPX1, SPX2, SPX3) 중 하나의 평면도이다.

도 5는 도 4의 I-I'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 부화소들(SPX) 각각은 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL) 및 구동 전압 라인들(DVL)으로 이루어진 배선부와 연결될 수 있다. 부화소들(SPX) 각각은 배선부에 연결된 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 연결된 유기 발광 소자(OEL) 및 커패시터(Cst)를 포함한다.

본 발명의 일 실시예에서는 하나의 부화소가 하나의 게이트 라인, 하나의 데이터 라인 및 하나의 구동 전압 라인과 연결되는 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 복수 개의 부화소들(SPX)이 하나의 게이트 라인, 하나의 데이터 라인 및 하나의 구동 전압 라인과 연결될 수 있다. 또한, 하나의 부화소는 적어도 하나의 게이트 라인, 적어도 하나의 게이트 라인 및 적어도 하나의 구동 전압 라인과 연결될 수도 있다.

부화소들(SPX) 각각은 특정 컬러의 광, 예를 들어, 적색광, 녹색광, 청색광 중 하나 이상의 광을 출사할 수 있다. 컬러 광의 종류는 상기한 것에 한정된 것은 아니며, 예를 들어, 시안광, 마젠타광, 옐로우광 등이 추가될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 부화소들(SPX1, SPX2, SPX3) 중 1 이상은 2가지 이상의 광을 출사할 수 있다. 이에 대한 내용은 보다 구체적으로 후술하도록 한다.

게이트 라인들(GL)은 제1 방향(DR1)으로 연장된다. 데이터 라인들(DL)은 게이트 라인들(GL)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 구동 전압 라인들(DVL)은 데이터 라인들(DL)과 실질적으로 동일한 방향, 즉 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 게이트 라인들(GL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 주사 신호를 전달하고, 데이터 라인들(DL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 데이터 신호를 전달하며, 구동 전압 라인들(DVL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 구동 전압을 제공한다.

박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)는 유기 발광 소자(OEL)를 제어하기 위한 구동 박막 트랜지스터(TFT2)와, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 스위칭 하는 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)를 포함할 수 있다. 본 발명이 일 실시예에서는 화소들(SPX) 각각이 두 개의 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)를 포함하는 것을 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니고, 부화소들(SPX) 각각이 하나의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함할 수도 있고, 부화소들(SPX) 각각이 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 커패시터를 구비할 수도 있다.

스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함한다. 제1 게이트 전극(GE1)은 게이트 라인(GL)에 연결되며, 제1 소스 전극(SE1)은 데이터 라인(DL)에 연결된다. 제1 드레인 전극(DE1)은 제5 콘택홀(CH5)에 의해 제1 공통 전극(CE1)과 연결된다. 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 게이트 라인(GL)에 인가되는 주사 신호에 따라 데이터 라인(DL)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 전달한다.

구동 박막 트랜지스터(TFT2)는 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함한다. 제2 게이트 전극(GE2)은 제1 공통 전극(CE1)에 연결된다. 제2 소스 전극(SE2)은 구동 전압 라인(DVL)에 연결된다. 제2 드레인 전극(DE2)은 제3 콘택홀(CH3)에 의해 제1 전극(EL1)과 연결된다.

제1 전극(EL1)은 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 드레인 전극(DE2)과 연결된다. 제2 전극(EL2)에는 공통 전압이 인가되며, 발광층(EML)은 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 출력 신호에 따라 블루 광을 출사함으로써 영상을 표시한다.

커패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)과 제2 소스 전극(SE2) 사이에 연결되며, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)에 입력되는 데이터 신호를 충전하고 유지한다. 커패시터(Cst)는 제1 드레인 전극(DE1)과 제6 콘택홀(CH6)에 의해 연결되는 제1 공통 전극(CE1) 및 구동 전압 라인(DVL)과 연결되는 제2 공통 전극(CE2)을 포함할 수 있다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)와 유기 발광 소자(OEL)가 적층되는 베이스 기판(BS)을 포함한다. 베이스 기판(BS)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 유리, 플라스틱, 수정 등의 절연성 물질로 형성될 수 있다. 베이스 기판(BS)을 이루는 유기 고분자로는 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에테르술폰 등을 들 수 있다. 베이스 기판(BS)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 방수성 등을 고려하여 선택될 수 있다.

베이스 기판(BS) 상에는 기판 버퍼층(미도시)이 제공될 수 있다. 기판 버퍼층(미도시)은 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 불순물이 확산되는 것을 막는다. 기판 버퍼층(미도시)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등으로 형성될 수 있으며, 베이스 기판(BS)의 재료 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.

베이스 기판(BS) 상에는 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)이 제공된다. 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)은 반도체 소재로 형성되며, 각각 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)와 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 활성층으로 동작한다. 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)은 각각 소스 영역(SA), 드레인 영역(DA) 및 소스 영역(SA)과 드레인 영역(DA) 사이에 제공된 채널 영역(CA)을 포함한다. 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)은 각각 무기 반도체 또는 유기 반도체로부터 선택되어 형성될 수 있다. 소스 영역(SA) 및 드레인 영역(DA)은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑될 수 있다.

제1 반도체층(SM1) 및 제2 반도체층(SM2) 상에는 게이트 절연층(GI)이 제공된다. 게이트 절연층(GI)은 제1 반도체층(SM1) 및 제2 반도체층(SM2)을 커버한다. 게이트 절연층(GI)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.

게이트 절연층(GI) 상에는 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)이 제공된다. 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)은 각각 제1 반도체층(SM1)과 제2 반도체층(SM2)의 채널 영역(CA)에 대응되는 영역을 커버하도록 형성된다.

제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2) 상에는 층간 절연층(IL)이 제공된다. 층간 절연층(IL)은 제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2)을 커버한다. 층간 절연층(IL)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.

층간 절연층(IL)의 상에는 제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2)이 제공된다. 제2 드레인 전극(DE2)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(IL)에 형성된 제1 콘택홀(CH1)에 의해 제2 반도체층(SM2)의 드레인 영역(DA)과 접촉하고, 제2 소스 전극(SE2)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(IL)에 형성된 제2 콘택홀(CH2)에 의해 제2 반도체층(SM2)의 소스 영역(SA)과 접촉한다. 제1 소스 전극(SE1)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(IL)에 형성된 제4 콘택홀(CH4)에 의해 제1 반도체층(SM1)의 소스 영역(미도시)과 접촉하고, 제1 드레인 전극(DE1)은 게이트 절연층(GI) 및 층간 절연층(IL)에 형성된 제5 콘택홀(CH5)에 의해 제1 반도체층(SM1)의 드레인 영역(미도시)과 접촉한다.

제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2) 상에는 패시베이션층(PL)이 제공된다. 패시베이션층(PL)은 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있고, 그 상면을 평탄화시키는 평탄화막의 역할을 할 수도 있다.

패시베이션층(PL) 상에는 제1 전극(EL1)이 제공된다. 제1 전극(EL1)은 예를 들어 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 패시베이션층(PL)에 형성되는 제3 콘택홀(CH3)을 통해 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 드레인 전극(DE2)에 연결된다.

패시베이션층(PL) 상에는 부화소들(SPX) 각각에 대응하도록 부화소 영역들(예를 들어, 도 6의 SPA)을 구획하는 화소 정의막(PDL)이 제공된다. 화소 정의막(PDL)은 제1 전극(EL1)의 상면을 노출하며 부화소들(SPX) 각각의 둘레를 따라 베이스 기판(BS)으로부터 돌출된다.

화소 정의막(PDL)에 의해 둘러싸인 부화소 영역(도 6의 SPA) 각각에는 유기 발광 소자(OEL)가 제공된다. 유기 발광 소자(OEL)는 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)을 포함한다.

제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 화소 전극 또는 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 금속의 혼합물을 포함할 수 있다.

제1 전극(EL1) 상에는 유기층(AL)이 제공될 수 있다. 유기층(AL)은 발광층(EML)을 포함한다. 유기층은 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)을 더 포함할 수 있다. 도 5에서는 설명의 편의상 하나의 부화소에 발광층이 하나의 층으로 구성된 것으로 도시하였으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)에 포함되는 발광층은 하나의 부화소 영역에 발광층이 1층 이상으로 제공될 수도 있다. 이에 대한 내용은 보다 구체적으로 도 7a, 도 7b 등을 참조하여 후술하도록 한다.

정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공된다. 정공 수송 영역(HTR)은, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 정공 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.

예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL)/정공 수송층(Hole Transfer Layer, HTL), 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL)/정공 수송층(Hole Transfer Layer, HTL)/정공 버퍼층, 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL)/정공 버퍼층, 정공 수송층(Hole Transfer Layer, HTL)/정공 버퍼층 또는 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL)/정공 수송층(Hole transfer Layer, HTL)/전자 저지층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.

정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL)을 포함할 경우, 정공 수송 영역(HTR)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물, DNTPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate)) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

정공 수송 영역(HTR)이 정공 수송층(Hole Transfer Layer, HTL)을 포함할 경우, 정공 수송 영역(HTR)은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorine)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC(4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

정공 수송 영역(HTR)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 정공 수송 영역이 정공 주입층 및 정공 수송층을 모두 포함하면, 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 1000Å이고, 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들어 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR), 정공 주입층 및 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.

정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트의 비제한적인 예로는, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

앞서 언급한 바와 같이, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층 및 정공 수송층 외에, 정공 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 정공 버퍼층은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시키는 역할을 수 있다. 정공 버퍼층에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역(HTR)에 포함될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 전자 저지층은 전자 수송 영역(ETR)으로부터 정공 수송 영역(HTR)으로의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.

발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.

발광층(EML)은 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 형광 물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다.

호스트는 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(n-vinylcabazole)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2′'-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene) 등을 사용될 수 있다.

발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, PBD:Eu(DBM)3(Phen)(tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium) 또는 퍼릴렌(Perylene)을 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)과 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.

발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.

발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.

전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역은, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

전자 수송 영역이 전자 수송층을 포함할 경우, 전자 수송 영역은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.

전자 수송 영역이 전자 주입층을 포함할 경우, 전자 수송 영역은 LiF, LiQ (Lithium quinolate), Li₂O, BaO, NaCl, CsF, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또는 RbCl, RbI와 같은 할로겐화 금속 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다. 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.

전자 수송 영역은 앞서 언급한 바와 같이, 정공 저지층을 포함할 수 있다. 정공 저지층은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극 또는 음극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다.

제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, BaF, Ba, Ag 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다.

제2 전극(EL2)은 보조 전극을 포함할 수 있다. 보조 전극은 상기 물질이 발광층(EML)을 향하도록 증착하여 형성된 막, 및 상기 막 상에 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), Mo, Ti 등을 포함할 수 있다.

제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.

유기 발광 소자(OEL)가 전면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 반사형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 유기 발광 소자가 배면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 반사형 전극일 수 있다.

유기 발광 소자(OEL)에서, 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2)에 각각 전압이 인가됨에 따라 제1 전극(EL1)으로부터 주입된 정공(hole)은 정공 수송 영역(HTR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동되고, 제2 전극(EL2)으로부터 주입된 전자가 전자 수송 영역(ETR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동된다. 전자와 정공은 발광층(EML)에서 재결합하여 여기자(exciton)을 생성하며, 여기자가 여기 상태에서 바닥 상태로 떨어지면서 발광하게 된다.

제2 전극(EL2) 상에는 제2 전극(EL2)을 커버하는 봉지층(SL)이 제공된다. 봉지층(SL)은 유기층 및 무기층 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다. 봉지층(SL)은 유기 발광 소자(OEL)를 보호한다.

도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2) 상에 유기 캡핑층이 제공될 수 있다. 유기 캡핑층은 발광층(EML)에서 방출된 광을 유기 캡핑층의 상면에서 발광층 방향(EML)으로 반사시킬 수 있다. 반사된 광은 유기층(AL) 내부에서 공진 효과에 의해 증폭되어, 유기 발광 표시 장치(10)의 광 효율을 증가시킬 수 있다. 유기 캡핑층은 전면 발광형 유기 발광 소자에서, 광의 전반사를 통해 제2 전극(EL2)에서 광이 손실되는 것을 방지할 수 있다.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)에 포함되는 화소들(PX) 중 하나의 평면도이다. 화소들(PX) 각각은 연결 영역(LA) 및 복수 개의 부화소 영역들(SPA1, SPA2, SPA3)로 구분되고, 부화소 영역들은 제1 부화소 영역(SPA1) 제2 부화소 영역(SPA2) 및 제3 부화소 영역(SPA3)으로 이루어진다.

제1 부화소 영역(SPA1)은 제2 발광층(130)과 중첩하는 중첩 제1 부화소 영역(151) 및 제2 발광층(130)과 중첩하지 않는 비중첩 제1 부화소 영역(152)으로 구분될 수 있고, 제2 부화소 영역(SPA2)은 제3 발광층(140)과 중첩하는 중첩 제2 부화소 영역(161) 및 제3 발광층(140)과 중첩하지 않는 비중첩 제2 부화소 영역(162)으로 구분될 수 있다. 도 6a 및 도 6b에 대한 보다 구체적인 설명은 후술하도록 한다.

도 7a는 도 5의 유기 발광 소자 부분(OEL)을 개략적으로 확대한 단면도이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 복수의 화소들(PX)을 포함하고, 화소들(PX) 각각은 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1) 상에 제공되고 제1 광을 발광하는 제1 발광층(120), 제1 발광층(120) 상에 제공되고, 제1 발광층(120)의 일부와 중첩하며, 제1 광과 상이한 제2 광을 발광하는 제2 발광층(130), 제1 발광층(120) 상에 제2 발광층(130)과 이격되어 제공되고, 제1 광과 상이한 제3 광을 발광하는 제3 발광층(140)을 포함한다.

제1 광을 발광하는 제1 발광층(120)은 제1 색의 파장 대역의 광을 발광하는 발광층을 의미할 수 있고, 제2 광을 발광하는 제2 발광층(130)은 제2 색의 파장 대역의 광을 발광하는 발광층을 의미할 수 있고, 제3 광을 발광하는 제3 발광층(140)은 제3 색의 파장 대역의 광을 발광하는 발광층을 의미할 수 있다. 예를 들어, 제1 색은 청색일 수 있다. 즉, 제1 발광층(120)은 청색 발광층일 수 있으며, 보다 구체적으로 청색 공통 발광층(Blue Common Layer, BCL)일 수 있다. 한편, 제2 색은 적색이고, 제3 색은 녹색일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 색 및 제3 색은 서로 동일할 수도 있다. 또한, 제1 색이 적색일 수도 있고, 녹색일 수도 있다. 이하, 청색 파장 대역의 광을 발광하는 발광층을 청색 발광층이라 하고, 적색 파장 대역의 광을 발광하는 발광층을 적색 발광층이라 하고, 녹색 파장 대역의 광을 발광하는 발광층을 녹색 발광층이라 한다.

도 7b는 도 7a의 발광층(120, 130, 140) 부분을 구체적으로 도시한 도면이다. 제1 발광층(120)은 평면상에서 보았을 때, 제2 발광층(130)과 제3 발광층(140) 사이에 제공되는 제1 비중첩부(123)를 포함하고, 제1 비중첩부(123)의 적어도 일부(123a)는 발광한다. 본 출원에서 "평면상에서 보았을 때"란 예를 들어, 두께 방향(DR3)에서 바라보았을 때를 의미하는 것일 수 있다.

도 7b를 참조하면, 제1 발광층(120)은 제2 발광층(130)과 중첩하는 제1 중첩부(121), 제3 발광층(140)과 중첩하는 제2 중첩부(122), 제1 중첩부(121) 및 제2 중첩부(122) 사이에 제공되어 제1 중첩부(121) 및 제2 중첩부(122) 각각과 연결되는 제1 비중첩부(123), 제1 중첩부(121) 및 제2 중첩부(122) 각각과 제1 방향(예를 들어, 도 4의 DR1)으로 이격된 제2 비중첩부(124), 및 제2 중첩부(122) 및 제2 비중첩부(124) 사이에 제공되어 제2 중첩부(122) 및 제2 비중첩부(124) 각각과 연결되는 제3 비중첩부(125)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 제2 중첩부(122) 평면상에서 보았을 때, 제1 중첩부(121) 및 제2 비중첩부(124) 사이에 제공되고, 제1 중첩부(121) 및 제2 비중첩부(124) 각각과 이격되어 있다.

제1 비중첩부(123)는 평면상에서 보았을 때, 제2 발광층(130)과 제3 발광층(140) 사이에 제공되어 발광하는 발광부(123a)와 발광하지 않는 나머지 부분인 비발광부(123b)로 구분될 수 있다. 발광부(123a)는 도 7b에는 도시하지 않았으나, 제2 중첩부(122)와 연결되고, 제1 중첩부(121)와 이격될 수도 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.

제3 비중첩부(125)는 평면상에서 보았을 때, 제1 발광층(120)과 제3 발광층(140) 사이에 제공되어 발광하는 발광부(125a)와 발광하지 않는 나머지 부분인 비발광부(125b)로 구분될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.

제1 중첩부(121) 및 제1 비중첩부(123)의 발광부(123a)는 제1 부화소 영역(SPA1)에 제공되고, 제2 중첩부(122) 및 제3 비중첩부(125)의 연결 비중첩부(125a)는 제2 부화소 영역(SPA2)에 제공되고, 제2 비중첩부(124)는 제3 부화소 영역(SPA3)에 제공될 수 있다. 연결 비중첩부(125a)는 제2 부화소 영역(SPA2)에서 발광할 수 있다.

제1 비중첩부(123)의 비발광부(123b) 및 제3 비중첩부(125)의 이격 비중첩부(125b)는 각각 연결 영역(LA)에 제공될 수 있다.

제1 부화소 영역(SPA1) 및 상기 제2 부화소 영역(SPA2)은 각각 서로 상이한 파장 대역의 2 이상의 광들을 출광하는 것일 수 있다.

예를 들어, 제1 발광층(120)이 청색 발광층이고, 제2 발광층(130)이 적색 발광층이고, 제3 발광층(140)이 녹색 발광층이라고 가정하면, 제1 부화소 영역(SPA1)에 제공된 제1 중첩부(121)에서는 적색 파장 영역의 광이 출광되고, 제1 비중첩부(123)의 발광부(123a)에서는 청색 파장 영역의 광이 출광되게 된다. 즉, 제1 부화소 영역(SPA1) 내에서 서로 상이한 색인 적색 및 청색 파장 영역의 광들이 동시에 출광될 수 있게 된다. 또한, 제2 부화소 영역(SPA2)에 제공된 제2 중첩부(122)에서는 녹색 파장 영역의 광이 출광되고, 제3 비중첩부(125)의 연결 비중첩부(125a)에서는 청색 파장 영역의 광이 출광되게 된다. 즉, 제2 부화소 영역(SPA2) 내에서 서로 상이한 색인 녹색 및 청색 파장 영역의 광들이 동시에 출광될 수 있게 된다. 한편, 제3 부화소 영역(SPA3)에서는 청색 파장 영역의 광이 출광 된다.

다만, 제1 발광층(120)의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 중첩부(121)가 복수 개이고, 제1 비중첩부(123)는 제1 중첩부들(121) 사이에 제공된 것일 수도 있으며, 이 경우에는 제1 비중첩부(123)가 발광부(123a) 및 비발광부(123b)로 구분되지 않고, 모두 발광부일 수 있고, 제1 비중첩부(123) 전부가 제1 부화소 영역(SPA1)에 제공될 수 있다. 또한, 제2 중첩부(122)도 복수 개일 수 있다.

도 8a 및 도 8b를 참조하면, 평면상에서 보았을 때, 제2 발광층(130)과 제3 발광층(140) 사이에 제공되어 발광하는 제1 비중첩부(123)의 적어도 일부(123a)는 제2 발광층(130) 및 제3 발광층(140) 중 적어도 하나에 접하는 것일 수 있다. 도 8a 및 도 8b에 도시하지는 않았으나, 발광하는 제1 비중첩부(123)의 일부(123a)가 제2 발광층(130) 및 제3 발광층(140) 모두에 접하는 것일 수 있음은 물론이다.

한편, 화소들(PX) 각각은 전술한 바와 같이 연결 영역(LA) 및 복수 개의 부화소 영역들(SPA1, SPA2, SPA3)로 구분되며, 부화소 영역들(SPA1, SPA2, SPA3)은 서로 이격되어 있다.

부화소 영역들(SPA1, SPA2, SPA3)은 구체적으로 제1 부화소 영역(SPA1), 제2 부화소 영역(SPA2), 및 제3 부화소 영역(SPA3)으로 이루어지며, 제1 전극(EL1)은 제1 부화소 영역(SPA1)에 제공되는 제1 서브 전극(111), 제2 부화소 영역(SPA2)에 제공되는 제2 서브 전극(112), 및 제3 부화소 영역(SPA3)에 제공되는 제3 서브 전극(113)을 포함한다. 도 7a에 도시되지는 않았으나, 제1 서브 전극(111), 제2 서브 전극(112), 및 제3 서브 전극(113)은 절연막에 의하여 부화소 영역(SPA1, SPA2, SPA3) 별로 분리되어 있을 수 있다.

한편, 제2 전극(EL2)은 제1 부화소 영역(SPA1), 제2 부화소 영역(SPA2), 및 제3 부화소 영역(SPA3) 및 연결 영역(LA)에 공통으로 제공되는 공통 전극일 수 있다.

제1 발광층(120)은 부화소 영역들(SPA1, SPA2, SPA3) 및 연결 영역(LA)에 공통으로 제공되고, 제2 발광층(130)은 제1 부화소 영역(SPA1)의 일부에 제공되며, 제3 발광층(140)은 제2 부화소 영역(SPA2)의 일부에 제공된다. 제2 발광층(130) 및 제3 발광층(140)이 각각 제1 부화소 영역(SPA1) 및 제2 부화소 영역(SPA2)의 일부에만 제공됨으로써, 공통 발광층인 제1 발광층(120)이 제1 부화소 영역(SPA1) 및 제2 부화소 영역(SPA2) 내에서 일부 노출되게 된다. 이로 인하여, 하나의 부화소 영역 내에서 두 가지 색의 파장을 동시에 발광할 수 있게 되는 바, 타색 화소를 인위적으로 발광시키기 위한 구동 기술의 도움 없이 하나의 부화소 영역 내에서 CIE 색 좌표 조절이 가능하다는 장점이 있다.

예를 들어, 제1 발광층(120)이 청색 발광층이고, 제2 발광층(130)이 적색 발광층일 경우, 제1 부화소 영역(SPA1)내에서 제2 발광층(130)이 제공된 영역에서는 적색이 발광되고, 제2 발광층(130)이 제공되지 않은 영역에서는 제1 발광층(120)이 노출되어, 청색을 발광하게 된다. 이로 인하여, 제2 서브 전극(112) 및/또는 제3 서브 전극(113)을 구동시키지 않고, 제1 서브 전극(111)의 구동만으로 적색과 청색의 혼색이 가능하게 된다.

전술한 바와 같이, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 제1 부화소 영역(SPA1)은 제2 발광층(130)과 중첩하는 중첩 제1 부화소 영역(151), 및 제2 발광층(130)과 중첩하지 않는 비중첩 제1 부화소 영역(152)으로 구분될 수 있고, 제2 부화소 영역(SPA2)은 제3 발광층(140)과 중첩하는 중첩 제2 부화소 영역(161), 및 제3 발광층(140)과 중첩하지 않는 비중첩 제2 부화소 영역(162)으로 구분될 수 있다. 이 때, 비중첩 제1 부화소 영역(152)의 면적은 제1 부화소 영역(SPA1)의 총 면적의 0% 초과 10% 이하인 것이 바람직하고, 비중첩 제2 부화소 영역(162)의 면적은 제2 부화소 영역(SPA2)의 총 면적의 0% 초과 10% 이하인 것이 바람직하다.

본 발명의 일 실시예 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 특정 단색을 발광시킬 때, 하나의 부화소 영역 내에서 타색을 함께 발광시켜, 혼색 현상으로 인해 특정 단색의 CIE 색좌표를 미세하게 조절하는 것을 목적으로 하는 바, 특정 단색의 발광 면적 대비 타색의 발광 면적의 비율이 높은 것은 바람직하다. 보다 구체적으로, 비중첩 제1 부화소 영역(152)의 면적이 제1 부화소 영역(SPA1)의 총 면적의 10%를 초과할 경우, 제1 부화소 영역 내에서 제1 색의 발광 강도가 상당하게 되어, 혼색 현상으로 인해, 제2 색의 CIE 색좌표가 미세하게 조절되는 것이 아니라, 최종적으로, 제2 색의 범위를 벗어나는 색이 발광되게 된다. 이와 같은 관점에서, 비중첩 제2 부화소 영역(162)의 면적도 제2 부화소 영역(SPA2)의 총 면적의 10% 이하인 것이 바람직하다.

도 6a를 참조하면, 평면상에서 보았을 때, 비중첩 제1 부화소 영역(152)은 중첩 제1 부화소 영역(151)의 일단에 접할 수 있다. 또한, 비중첩 제2 부화소 영역(162)은 중첩 제2 부화소 영역(161)의 일단에 접할 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 도 6b를 참조하면, 평면상에서 보았을 때, 화소들 각각의 내에서 중첩 제1 부화소 영역(151)이 복수 개이고, 비중첩 제1 부화소 영역(152)이 중첩 제1 부화소 영역(151)들 사이에 제공될 수 있다. 또한, 화소들 각각의 내에서 중첩 제2 부화소 영역(161)이 복수 개이고, 비중첩 제2 부화소 영역(162)이 중첩 제2 부화소 영역들(161) 사이에 제공될 수 있다.

한편, 전술한 바와 같이 제1 전극(EL1)은 제1 서브 전극(111), 제2 서브 전극(112), 및 제3 서브 전극(113)을 포함할 수 있다. 도 9a 및 도 9b는 제1 전극(EL1)의 평면도이다. 도 9a 및 도 9b를 참조하면, 제1 서브 전극(111)은 제2 발광층(130)과 중첩하는 중첩 제1 서브 전극 영역(111a), 및 제2 발광층(130)과 중첩하지 않는 비중첩 제1 서브 전극 영역(111b)으로 구분되고, 제2 서브 전극(112)는 제3 발광층(140)과 중첩하는 중첩 제2 서브 전극 영역(112a), 및 제3 발광층(140)과 중첩하지 않는 비중첩 제2 서브 전극 영역(112b)으로 구분될 수 있다. 비중첩 제1 서브 전극 영역(111b)의 면적은 제1 부화소 영역(SPA1)의 총 면적의 0% 초과 10% 이하이고, 비중첩 제2 서브 전극 영역(112b)의 면적은 제2 부화소 영역(SPA2)의 총 면적의 0% 초과 10% 이하인 것이 바람직하다.

평면상에서 보았을 때, 비중첩 제1 서브 전극 영역(111b)은 중첩 제1 서브 전극 영역(111a)의 일단에 접할 수 있다. 이에 한정되는 것은 아니고, 평면상에서 보았을 때, 화소들 각각의 내에서 중첩 제1 서브 전극 영역(111a)가 복수 개이고, 비중첩 제1 서브 전극 영역(111b)이 중첩 제1 서브 전극 영역들(111a) 사이에 제공된 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.

평면상에서 보았을 때, 비중첩 제2 서브 전극 영역(112b)은 중첩 제2 서브 전극 영역(112a)의 일단에 접할 수 있다. 이에 한정되는 것은 아니고, 평면상에서 보았을 때, 화소들 각각의 내에서 중첩 제2 서브 전극 영역(112a)가 복수 개이고, 비중첩 제2 서브 전극 영역(112b)이 중첩 제2 서브 전극 영역들(112a) 사이에 제공된 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.

한편, 도 7a에 도시된 바와 같이, 제1 전극(EL1)과 제1 발광층(120) 사이에 정공 수송 영역(HTR)이 더 제공될 수 있다. 또한, 발광층(120, 130, 140)과 제2 전극(EL 2) 사이에 전자 수송 영역(ETR)이 더 제공될 수도 있다. 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)에 대한 설명은 전술한 내용이 그대로 적용될 수 있다. 한편, 도 7a에 도시된 바와 같이, 발광층(120, 130, 140) 상에 제1 전극(EL1)과 대향하는 제2 전극(EL2)가 제공될 수 있다.

한편, 도면에 도시되지는 않았으나, 제1 발광층(120) 및 제2 발광층(130) 사이에 전자 억셉터층(미도시)이 제공될 수 있다. 전자 억셉터층은 제2 전극(EL2)을 통하여 주입된 전자 중 제2 발광층(130)에서 정공과 재결합한 후의 여분의 전자를 트랩하여, 여분의 전자가 제1 발광층(120)으로 유입되는 것을 방지한다. 이로 인하여, 여분의 전자로 인한 공통 발광층인 제1 발광층에서의 발광으로 인한 원하지 않는 혼색은 효과적으로 방지할 수 있다. 동일한 취지에서, 제1 발광층(120) 및 제3 발광층(140) 사이에도 전자 억셉터층(미도시)이 제공될 수 있다.

한편, 도면에 도시되지는 않았으나, 목적하는 색의 파장을 발광을 위한 공진 거리를 조절하기 위해, 제1 발광층(120) 및 제2 발광층(130) 사이 및/또는 제1 발광층(120) 및 제3 발광층(140) 사이에 공진 보조층(미도시)이 제공될 수 있다.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 이하에서는 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)와의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)에 관한 설명에 따른다.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법의 개략적인 순서도이다.

도 1 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 제1 부화소 영역(SPA1), 제2 부화소 영역(SPA2), 및 제3 부화소 영역(SPA3)으로 구분되는 복수 개의 화소 영역들(PA) 및 연결 영역(미도시)으로 정의되는 기판을 준비하는 단계(S10), 기판 상에 제1 부화소 영역(SPA1), 제2 부화소 영역(SPA2), 및 제3 부화소 영역(SPA3)에 각각 대응되는 제1 전극(120)을 제공하는 단계(S20), 제1 전극(120) 상에 화소 영역들(PA) 및 연결 영역(미도시)을 공통으로 덮는 제1 발광층(120)을 제공하는 단계(S30), 제1 발광층(120) 상에 제1 부화소 영역(SPA1)의 일부에 대응되는 제2 발광층(130)을 제공하는 단계(S40), 및 제1 발광층(120) 상에 제2 부화소 영역(SPA2)의 일부에 대응되고 제2 발광층(130)과 이격된 제3 발광층(140)을 제공하는 단계(S50)를 포함한다. 이때, 연결 영역(미도시)은 화소 영역들(PA) 각각을 연결하는 영역을 의미하는 것일 수 있다. 또한, 연결 영역(미도시)은 기판에서 화소 영역들(PA)을 제외한 영역을 의미하는 것일 수도 있으며, 화소들(PX) 각각 내에서 부화소 영역(SPA1, SPA2, SPA3)들을 연결하는 연결 영역(LA)과 구분되어야 한다.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법의 순서가 도 9에 의하여 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제2 발광층(130)을 제공하는 단계(S40)가 제1 발광층(120)을 제공하는 단계(S30) 보다 먼저 수행될 수 있다.

또한, 필요에 따라, 당 기술분야에 알려진 일반적인 단계가 추가될 수 있다. 예를 들어, 제1 발광층(120)을 제공하는 단계(S30) 이전에 제1 전극(EL1) 상에 정공 수송 영역(ETR)을 제공하는 단계가 수행될 수 있으며, 정공 수송 영역을 제공하는 단계는 당 기술분야에 알려진 일반적인 방법으로 수행될 수 있다.

도 11을 참조하면, 제2 발광층(130)을 제공하는 단계(S40)는 제1 부화소 영역(SPA1)의 일부에 대응되는 제1 개구부(OP1)가 형성된 제1 마스크(MA)를 이용한 제1 마스크 공정일 수 있다. 구체적으로, 제1 부화소 영역(SPA1) 전체에 대응하는 개구부가 아닌 제1 부화소 영역(SPA1)의 일부에 대응하는 개구부가 형성된 마스크(MA)를 이용하여, 제2 발광층(130)을 제1 부화소 영역(SPA1)의 일부에 대응되도록 제1 발광층(120) 상에 제공하는 단계일 수 있다. 이로 인하여, 제1 부화소 영역(SPA1) 내에서 제1 발광층(120)의 일부가 노출된 구조가 될 수 있다. 이 때, 제1 개구부는 복수 개 일 수도 있다.

한편, 제3 발광층(140)을 제공하는 단계(S50)는 제2 부화소 영역(SPA2)의 일부에 대응되는 제2 개구부가 형성된 제2 마스크를 이용한 제2 마스크 공정일 수 있다. 도시하지는 않았으나, 제2 개구부가 형성된 제2 마스크는 도 11의 제1 개구부가 형성된 제1 마스크와 유사한 형태를 가질 수 있다. 이로 인하여, 제2 부화소 영역(SPA2) 내에서 제1 발광층(120)의 일부가 노출된 구조가 될 수 있다.

제1 발광층(120)을 제공하는 단계(S30)는 제1 전극(EL1) 상에 공통 발광층을 제공하는 단계일 수 있다. 제1 발광층(120)을 제공하는 단계(S30)는 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다. 한편, 호스트 및 도펀트를 포함하는 층을 형성하기 위하여 공증착 방법을 사용할 수 있다.

제1 개구부의 너비는 제1 부화소 영역의 총 너비의 0% 초과 10% 이하인 것이 바람직하고, 제2 개구부의 너비는 제2 부화소 영역의 총 너비의 0% 초과 10% 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 마스크 공정 이후 노출되는 제1 발광층의 넓이가 각 부화소 영역의 총 넓이의 0% 초과 10% 이하가 될 수 있다.

기판을 제공하는 단계(S10)에서 제1 부화소 영역(SPA1)은 적색 부화소 영역이고, 제2 부화소 영역(SPA2)은 녹색 부화소 영역이고, 제3 부화소 영역(SPA3)은 청색 부화소 영역일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

EL1: 제1 전극 111: 제1 서브 전극
112: 제2 서브 전극 113: 제3 서브 전극
HTR: 정공 수송 영역 120: 제1 발광층
123: 제1 비중첩부 130: 제2 발광층
140: 제3 발광층 ETR: 전자 수송 영역
EL2: 제2 전극 SPA1: 제1 부화소 영역
SPA2: 제2 부화소 영역 SPA3: 제3 부화소 영역
LA: 연결 영역 151: 중첩 제1 부화소 영역
152: 비중첩 제1 부화소 영역 161: 중첩 제2 부화소 영역
162: 비중첩 제2 부화소 영역

Claims (19)

1. 복수의 화소들을 포함하고, 상기 화소들 각각은
   제1 전극;
   상기 제1 전극 상에 제공되고 제1 광을 발광하는 제1 발광층;
   상기 제1 발광층 상에 제공되고, 상기 제1 발광층의 일부와 중첩하고, 상기 제1 광과 상이한 제2 광을 발광하는 제2 발광층; 및
   상기 제1 발광층 상에 상기 제2 발광층과 이격되어 제공되고, 상기 제1 광과 상이한 제3 광을 발광하는 제3 발광층을 포함하고,
   상기 제1 발광층은
   평면상에서 보았을 때,
   상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층 사이에 제공되는 제1 비중첩부를 포함하고,
   상기 제1 비중첩부의 적어도 일부는 제1 광을 발광하는 것인 유기 발광 표시 장치.
2. 제1항에 있어서,
   평면상에서 보았을 때,
   상기 제1 비중첩부의 상기 적어도 일부는 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층 중 적어도 하나에 접하는 것인 유기 발광 표시 장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 화소들 각각은 연결 영역 및 서로 이격되어 있는 복수 개의 부화소 영역들로 구분되고,
   상기 부화소 영역들은 제1 부화소 영역, 제2 부화소 영역, 및 제3 부화소 영역으로 이루어지며,
   상기 제1 전극은 상기 제1 부화소 영역에 제공되는 제1 서브 전극; 상기 제2 부화소 영역에 제공되는 제2 서브 전극; 및 상기 제3 부화소 영역에 제공되는 제3 서브 전극을 포함하는 것인 유기 발광 표시 장치.
4. 제3항에 있어서,
   상기 제1 발광층은 상기 연결 영역 및 상기 부화소 영역들에 공통으로 제공되고,
   상기 제2 발광층은 상기 제1 부화소 영역의 일부에 제공되며,
   상기 제3 발광층은 상기 제2 부화소 영역의 일부에 제공되는 것인 유기 발광 표시 장치.
5. 제4항에 있어서,
   상기 제1 부화소 영역 및 상기 제2 부화소 영역은 각각 서로 상이한 파장 대역의 2 이상의 광들을 출광하는 것인 유기 발광 표시 장치.
6. 제4항에 있어서,
   상기 제1 부화소 영역은 상기 제2 발광층과 중첩하는 중첩 제1 부화소 영역 및 상기 제2 발광층과 중첩하지 않는 비중첩 제1 부화소 영역으로 구분되고,
   상기 제2 부화소 영역은 상기 제3 발광층과 중첩하는 중첩 제2 부화소 영역 및 상기 제3 발광층과 중첩하지 않는 비중첩 제2 부화소 영역으로 구분되며,
   상기 비중첩 제1 부화소 영역의 면적은 상기 제1 부화소 영역의 총 면적의 0% 초과 10% 이하이고,
   상기 비중첩 제2 부화소 영역의 면적은 상기 제2 부화소 영역의 총 면적의 0% 초과 10% 이하인 것인 유기 발광 표시 장치.
7. 제6항에 있어서,
   평면상에서 보았을 때,
   상기 비중첩 제1 부화소 영역은 상기 중첩 제1 부화소 영역의 일단에 접하는 것인 유기 발광 표시 장치.
8. 제6항에 있어서,
   평면상에서 보았을 때,
   상기 화소들 각각의 내에서
   상기 중첩 제1 부화소 영역은 복수 개이고,
   상기 비중첩 제1 부화소 영역이 상기 중첩 제1 부화소 영역들 사이에 제공된 것인 유기 발광 표시 장치.
9. 제6항에 있어서,
   평면상에서 보았을 때,
   상기 비중첩 제2 부화소 영역은 상기 중첩 제2 부화소 영역의 일단에 접하는 것인 유기 발광 표시 장치.
10. 제6항에 있어서,
    평면상에서 보았을 때,
    상기 화소들 각각의 내에서
    상기 중첩 제2 부화소 영역은 복수 개이고,
    상기 비중첩 제2 부화소 영역이 상기 중첩 제2 부화소 영역들 사이에 제공된 것인 유기 발광 표시 장치.
11. 제4항에 있어서,
    상기 제1 서브 전극은 상기 제2 발광층과 중첩하는 중첩 제1 서브 전극 영역 및 상기 제2 발광층과 중첩하지 않는 비중첩 제1 서브 전극 영역으로 구분되고,
    상기 제2 서브 전극은 상기 제3 발광층과 중첩하는 중첩 제2 서브 전극 영역 및 상기 제3 발광층과 중첩하지 않는 비중첩 제2 서브 전극 영역으로 구분되며,
    상기 비중첩 제1 서브 전극 영역의 면적은 상기 제1 부화소 영역의 총 면적의 0% 초과 10% 이하이고,
    상기 비중첩 제2 서브 전극 영역의 면적은 상기 제2 부화소 영역의 총 면적의 0% 초과 10% 이하인 것인 유기 발광 표시 장치.
12. 제11항에 있어서,
    평면상에서 보았을 때,
    상기 비중첩 제1 서브 전극 영역은 상기 중첩 제1 서브 전극 영역의 일단에 접하는 것인 유기 발광 표시 장치.
13. 제11항에 있어서,
    평면상에서 보았을 때,
    상기 화소들 각각의 내에서
    상기 중첩 제1 서브 전극 영역은 복수 개이고,
    상기 비중첩 제1 서브 전극 영역이 상기 중첩 제1 서브 전극 영역들 사이에 제공된 것인 유기 발광 표시 장치.
14. 제11항에 있어서,
    평면상에서 보았을 때,
    상기 비중첩 제2 서브 전극 영역은 상기 중첩 제2 서브 전극 영역의 일단에 접하는 것인 유기 발광 표시 장치.
15. 제11항에 있어서,
    평면상에서 보았을 때,
    상기 중첩 제2 서브 전극 영역은 복수 개이고,
    상기 비중첩 제2 서브 전극 영역이 상기 중첩 제2 서브 전극 영역들 사이에 제공된 것인 유기 발광 표시 장치.
16. 제1 부화소 영역, 제2 부화소 영역, 및 제3 부화소 영역으로 구분되는 복수 개의 화소 영역들 및 연결 영역으로 정의되는 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 상기 제1 부화소 영역, 상기 제2 부화소 영역, 및 상기 제3 부화소 영역에 각각 대응되는 제1 전극을 제공하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 상기 화소 영역들 및 상기 연결 영역을 공통으로 덮는 제1 발광층을 제공하는 단계;
    상기 제1 발광층 상에 상기 제1 부화소 영역의 일부에 대응되는 제2 발광층을 제공하는 단계; 및
    상기 제1 발광층 상에 상기 제2 부화소 영역의 일부에 대응되고 제2 발광층과 이격된 제3 발광층을 제공하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
17. 제16항에 있어서,
    상기 제2 발광층을 제공하는 단계는
    상기 제1 부화소 영역의 일부에 대응되는 제1 개구부가 형성된 제1 마스크를 이용하여 수행되고,
    상기 제3 발광층을 제공하는 단계는
    상기 제2 부화소 영역의 일부에 대응되는 제2 개구부가 형성된 제2 마스크를 이용하여 수행되는 것인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 개구부의 너비는 상기 제1 부화소 영역의 총 너비의 0% 초과 10% 이하이고,
    상기 제2 개구부의 너비는 상기 제2 부화소 영역의 총 너비의 0% 초과 10% 이하인 것인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
19. 제16항에 있어서,
    상기 제1 부화소 영역은 적색 부화소 영역이고,
    상기 제2 부화소 영역은 녹색 부화소 영역이며,
    상기 제3 부화소 영역은 청색 부화소 영역인 것인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.

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