CN107452775A - 显示面板和制造显示面板的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示面板和制造显示面板的方法。所述显示面板包括第一子像素电极和第二子像素电极、第一发光单元、第一电荷产生层和第二电荷产生层、第二发光单元、以及上电极。第一发光单元被提供有第一接触孔。第一电荷产生层包括在第一接触孔中并被结合到由第一接触孔暴露的第一子像素电极的一部分的第一接触部分、以及从第一接触部分延伸并且在第一发光单元上的第一延伸部分。第二电荷产生层和第二发光单元被提供有第二接触孔。上电极包括在第二接触孔中并且被结合到由第二接触孔暴露的第二电荷产生层的第二接触部分的第一上电极部分。

Description

显示面板和制造显示面板的方法
技术领域
本文中的本公开的实施例的一个或多个方面涉及显示面板和制造显示面板的方法，更具体地，涉及具有提高的效率的显示面板和制造该显示面板的方法。
背景技术
有机发光器件可以是具有宽视角和优异的对比度的自发光器件。另外，有机发光器件可以具有快速的响应时间、高亮度和低驱动电压。
示例有机发光器件包括阳极和阴极、以及被依次设置(例如定位)在阳极上并在阳极与阴极之间的空穴传输层、发光层和电子传输层。例如，空穴传输层、发光层和电子传输层可以是有机薄膜，有机薄膜中的每个由有机化合物形成。
当不同的电压被分别施加到有机发光器件的阳极和阴极时，从阳极注入的空穴经由空穴传输层移动到发光层，从阴极注入的电子经由电子传输层移动到发光层。空穴和电子然后在发光层中结合以产生激子。激子从激发态返回到基态以产生光。
发明内容
本公开的实施例的一个或多个方面涉及具有提高的效率的显示面板及其制造方法。
本发明构思的一个实施例提供了一种显示面板，该显示面板可以包括：基础基底；在基础基底上的第一子像素电极；在基础基底上并且当在平面中观察时与第一子像素电极隔开的第二子像素电极；在第一子像素电极和第二子像素电极上的第一发光单元，第一发光单元被提供有第一接触孔；包括第一接触部分和从第一接触部分延伸的第一延伸部分的第一电荷产生层，第一接触部分在第一接触孔中并且被结合到由第一接触孔暴露的第一子像素电极的一部分，第一延伸部分在第一发光单元上；在第一发光单元上并且当在平面中观察时与第二子像素电极重叠的第二电荷产生层，第二电荷产生层与第一电荷产生层绝缘；在第一电荷产生层和第二电荷产生层上的第二发光单元，第二发光单元和第二电荷产生层一起被提供有第二接触孔；以及包括第一上电极部分和从第一上电极部分延伸的第二上电极部分的上电极，第一上电极部分在第二接触孔中并且被结合到由第二接触孔暴露的第二电荷产生层的第二接触部分，第二上电极部分在第二发光单元上。
在一个实施例中，当在平面中观察时，第一电荷产生层和第二电荷产生层可以彼此隔开。
在一个实施例中，当在横截面中观察时，第一电荷产生层和第二电荷产生层可以在同一层上。
在一个实施例中，当在平面中观察时，第一延伸部分可以与第二上电极部分重叠。
在一个实施例中，显示面板可以进一步包括被配置为覆盖第一子像素电极的一部分的像素限定层，其中第一延伸部分的至少一部分可以在像素限定层上。
在一个实施例中，第一接触部分可以被直接结合到第一子像素电极的一部分。
在一个实施例中，在第一延伸部分与第二上电极部分之间的第二发光单元可以被配置为产生电场，第二发光单元可以被配置为在被电场激励之后产生光，第一延伸部分可以被配置为具有与第一子像素电极基本相同的电位。
在一个实施例中，第二电荷产生层可以进一步包括从第二接触部分延伸以在平面中观察时与第二子像素电极重叠的第二延伸部分。
在一个实施例中，当在平面中观察时，第二上电极部分可以与第二延伸部分重叠。
在一个实施例中，显示面板可以进一步包括被配置为覆盖第二子像素电极的一部分的像素限定层，其中第二延伸部分的至少一部分可以在像素限定层上。
在一个实施例中，由第二接触孔暴露的第二接触部分的倾斜表面可以被直接结合到第一上电极部分。
在一个实施例中，在第二延伸部分与第二子像素电极之间的第一发光单元可以被配置为产生电场，第一发光单元可以被配置为在被电场激励之后产生光，第二上电极部分可以被配置为具有与第二延伸部分基本相同的电位。
在一个实施例中，显示面板可以进一步包括当在平面中观察时与第一子像素电极和第二子像素电极隔开的第三子像素电极，其中第二电荷产生层可以进一步包括从第二接触部分延伸以在平面中观察时与第三子像素电极重叠的第三延伸部分。
在一个实施例中，显示面板可以进一步包括分别被配置为透射具有彼此不同颜色的光的第一滤色器和第二滤色器，其中，当在平面中观察时，第一滤色器可以与第一子像素电极重叠，当在平面中观察时，第二滤色器可以与第二子像素电极重叠。
在一个实施例中，显示面板可以进一步包括在第二接触部分与基础基底之间的辅助线，其中第一上电极部分可以通过第二接触孔被结合到辅助线。
在一个实施例中，显示面板可以进一步包括当在平面中观察时与第一子像素电极至第三子像素电极隔开的第四子像素电极和当在平面中观察时与第四子像素电极重叠的第三电荷产生层，其中第三电荷产生层可以与第一电荷产生层和第二电荷产生层绝缘并且可以在第一发光单元与第二发光单元之间。
在一个实施例中，第一电荷产生层和第二电荷产生层中的至少一个可以包括从Ag、Mg、Yb、Al、Ca、Li和Cs中选择的一种或多种无机材料。
在本发明构思的一个实施例中，一种制造显示面板的方法包括：在基础基底上提供第一子像素电极；在基础基底上提供当在平面中观察时与第一子像素电极隔开的第二子像素电极；在第一子像素电极和第二子像素电极上提供第一发光单元；在第一发光单元中提供第一接触孔以暴露第一子像素电极；在第一发光单元和第一子像素电极上提供第一电荷产生层，并且通过第一接触孔将第一子像素电极结合到第一电荷产生层；在第一发光单元上提供当在平面中观察时与第一电荷产生层隔开的第二电荷产生层；在第一电荷产生层和第二电荷产生层上提供第二发光单元；在第二发光单元和第二电荷产生层中提供第二接触孔；以及在第二接触孔中和在第二发光单元上提供上电极，并且通过第二接触孔将由第二接触孔暴露的第二电荷产生层的一部分结合到上电极。
在一个实施例中，该方法可以进一步包括在基础基底上提供第三子像素电极，其中当在平面中观察时，第三子像素电极与第一子像素电极和第二子像素电极隔开。
在一个实施例中，该方法可以进一步包括：在基础基底上提供第四子像素电极；以及提供与第四子像素电极重叠的第三电荷产生层，其中当在平面中观察时，第四子像素电极可以与第一子像素电极至第三子像素电极隔开，第三电荷产生层可以与第一电荷产生层和第二电荷产生层绝缘，并且可以在第一发光单元与第二发光单元之间。
在一个实施例中，当在第二发光单元中产生电场时，在第一发光单元中可以基本上不产生电场。
在一个实施例中，其中当在第一发光单元中产生电场时，在第二发光单元中可以基本上不产生电场。
在一个实施例中，显示面板可以进一步包括在基础基底上的像素电路层和在像素电路层上的第一绝缘层，其中第三子像素电极可以通过被提供在第一绝缘层中的接触孔被结合到像素电路层。
在一个实施例中，辅助线和第二接触孔可以在第二子像素电极与第三子像素电极之间，或者辅助线和第二接触孔可以在第三子像素电极与显示面板的边缘之间。
在一个实施例中，第一电荷产生层可以包括下电荷产生层和上电荷产生层，其中下电荷产生层和上电荷产生层中的至少一个可以是N型电荷产生层，下电荷产生层和上电荷产生层中的另一个可以是P型电荷产生层。
在一个实施例中，第一电荷产生层和第二电荷产生层可以被分别配置为将电子和/或空穴供给到第二发光单元和第一发光单元。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解，附图被并入此说明书中并构成此说明书的一部分。图示出了本发明构思的示例实施例，并与描述一起用于解释本发明构思的原理。在图中：
图1是根据本发明构思的一个实施例的显示设备的示意性平面图；
图2是根据本发明构思的一个实施例的像素的示意性平面图；
图3是沿图2的线I-I'截取的剖视图；
图4是图3的第一接触孔的放大剖视图；
图5A是图3的第二接触孔的放大剖视图；
图5B是图3的第二接触孔的放大平面图；
图6是根据本发明构思的一个实施例的像素的示意性平面图；
图7是沿图6的线II-II'截取的剖视图；
图8是根据本发明构思的一个实施例的像素的示意性平面图；
图9是沿图8的线III-III'截取的剖视图；
图10是根据本发明构思的一个实施例的像素的示意性平面图；
图11是沿图10的线IV-IV'截取的剖视图；
图12是根据本发明构思的一个实施例的像素的示意性平面图；
图13是沿图12的线V-V'截取的剖视图；
图14是根据本发明构思的一个实施例的像素的示意性平面图；
图15是根据本发明构思的一个实施例的像素的示意性平面图；
图16是根据本发明构思的一个实施例的第一子像素的示意性剖视图；并且
图17A至图17D是根据本发明构思的一个实施例的制造显示面板的方法的作业的剖视图。
具体实施方式
尽管已经在图中示出了本公开的具体实施例并且在本发明构思的详细描述中进行了描述，但是本公开不限于具体描述的实施例，并且应当理解，本公开涵盖在本发明构思的思想和技术范围内的所有修改、等同物和替换。
相同的附图标记始终表示相同的元件。在图中，为了方便描述和清楚起见，每个结构的尺寸和大小可能被放大、省略并/或示意性地示出。当一个或多个组件(例如元件)相似时，这些组件可以被给予相似的名称，在这种情况下，关于一个组件的描述也可以应用于具有与第一组件的名称类似的名称的其它组件。
应当理解，尽管本文中使用术语“第一”和“第二”来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与其它组件区分开。例如，在不脱离本公开和所附权利要求的范围的情况下，在一个实施例中被称为“第一元件”的元件在另一个实施例中可以被称为“第二元件”。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
当在此说明书中使用时，术语“包含”和“包括”可以指属性、区域、固定数目、步骤、过程、元件和/或组件的存在，但是不排除其它属性、区域、固定数目、步骤、过程、元件和/或组件。在说明书中，应当理解，当一个层(或膜)、区域和/或板被称为在另一层、区域和/或板“上”时，其可以直接在另一层、区域和/或板上，或者还可以存在中间层、中间区域和/或中间板。应当理解，当一个层(或膜)、区域和/或板被称为在另一层、区域和/或板“下”时，其可以直接在另一层(或膜)、区域和/或板下，或者还可以存在中间层、中间区域和/或中间板。
下面将参考附图更详细地描述本发明构思的示例实施例。
图1是根据本发明构思的一个实施例的显示设备的示意性平面图。
参考图1，根据本发明构思的一个实施例的显示设备DD包括显示面板DP、柔性电路板FPC和印刷电路板PCB。
显示面板DP可以通过显示区域DA显示图像。显示区域DA可以由从印刷电路板PCB提供的控制信号和图像数据驱动。
显示面板DP可以包括被设置(例如定位)在显示区域DA中的栅极线GL1至GLn、数据线DL1至DLm和子像素SPX。例如，栅极线GL1至GLn可以沿着第二方向DR2布置，并且可以各自独立地在第一方向DR1上延伸。数据线DL1至DLm与栅极线GL1至GLn交叉并且与栅极线GL1至GLn绝缘。例如，数据线DL1至DLm可以沿着第一方向DR1布置，并且可以各自独立地在第二方向DR2上延伸。在说明书中，“平面”可以指由第一方向DR1和第二方向DR2所表示的两个轴定义的平面(例如表面)(例如DR1-DR2平面)。当表面被称为在“水平方向”上延伸时，该表面可以在平行于平面的方向上延伸。如本文所用，“在该平面中观察”或“在平面中观察”可以指二维平面参考视点。
在本发明构思的实施例中，当在平面中观察时，显示面板DP的非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。子像素SPX没有被设置在非显示区域NDA中，因此，非显示区域NDA不显示图像。非显示区域NDA可以被定义为显示设备DD的边框(例如，作为显示区域DA与显示设备DD的边缘之间的元件)。
子像素SPX中的每个被连接(例如电联接)到栅极线GL1至GLn中的对应栅极线和数据线DL1至DLm中的对应数据线。
子像素SPX可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2(例如在DR1-DR2平面中)以矩阵形式布置。子像素SPX可以被配置为显示诸如红色、绿色和/或蓝色的原色中的一种。然而，能够由子像素SPX显示的颜色不限于红色、绿色和蓝色。除了红色、绿色和/或蓝色之外，子像素SPX可以显示各种颜色，例如，诸如白色、黄色、青色和/或品红色的二次原色。
子像素SPX可以一起构成像素PX。例如，四个子像素SPX可以构成一个像素PX。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，两个、三个或更多个子像素SPX可以构成一个像素PX。
像素PX可以是用于显示单位图像的器件。显示面板DP的分辨率可以根据被设置在显示面板DP上的像素PX的数量来确定。尽管为了便于说明在图1中仅示出了一个像素PX，但是本实施例的显示设备可以包括任何合适数量的像素。
在本发明构思的一个实施例中，显示面板DP可以是有机发光显示面板。子像素SPX中的每个可以包括有机发光层。
例如，显示面板DP可以具有平行于第二方向DR2的一对长边以及平行于第一方向DR1并且垂直于该一对长边并在该一对长边之间延伸的一对短边。在本发明构思的一个实施例中，显示面板DP可以具有板形状。然而，本发明构思的实施例不限于此，显示面板DP在形状上可以变化。例如，显示面板DP可以具有当观察显示面板DP的横截面时在至少一个方向上弯曲的边缘或者当在平面中观察显示面板DP时具有圆形形状的边缘。
柔性电路板FPC可以将显示面板DP连接(例如结合)到印刷电路板PCB。虽然在图1中示出了一个柔性电路板FPC，但是本发明构思的实施例不限于此。例如，可以提供多个柔性电路板FPC，并且多个柔性电路板FPC可以沿着显示面板DP的边缘布置并且可以在一个方向上延伸。在本发明构思的实施例中，柔性电路板FPC的数量可以不同地改变。
在本发明构思的一个实施例中，柔性电路板FPC可以包括驱动芯片DC。驱动芯片DC可以以例如载带封装(TCP)的形式被安装在柔性电路板FPC上。驱动芯片DC可以包括提供给数据驱动器的芯片。驱动芯片DC可以进一步包括提供给栅极驱动器的芯片。此外，栅极驱动器可以被设置在非显示区域NDA内。
印刷电路板PCB可以包括用于控制显示面板DP的控制单元。控制单元接收输入图像信号并且转换输入图像信号的数据格式以匹配数据驱动器、栅极驱动器和显示面板DP的接口规格，从而产生图像数据。控制单元输出图像数据和控制信号。图像数据可以包括关于要在显示区域DA上显示的图像的信息。
数据驱动器接收图像数据和控制信号中的每个。数据驱动器响应于控制信号将图像数据转换为数据电压，以将数据电压输出到数据线DL1至DLm。数据电压可以是与图像数据相对应的模拟电压。
实现(例如利用)控制单元的各种电子器件可以被安装在印刷电路板PCB上。例如，印刷电路板PCB可以包括诸如微处理器和/或存储器芯片的有源器件和将有源器件彼此连接的线以及诸如电容器和/或电阻器的无源器件。
图2是根据本发明构思的一个实施例的像素的示意性平面图，图3是沿图2的线I-I'截取的剖视图。
参考图2，根据本发明构思的一个实施例的像素PX可以包括第一子像素SPX1和第二子像素SPX2。第一子像素SPX1和第二子像素SPX2可以是图1所示的子像素SPX的示例。
在本发明构思的一个实施例中，第一子像素SPX1和第二子像素SPX2可以分别是蓝色子像素和绿色子像素。第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的每个可以具有近似矩形(例如大致矩形)的形状，并且可以沿着第一方向DR1布置。
参考图3，在本发明构思的一个实施例中，显示面板DP可以包括基础基底BS、像素电路层PC、第一绝缘层IL1、第一子像素电极110、第二子像素电极120、被布置在第一子像素电极110和第二子像素电极120上的有机层、以及被设置在有机层上的上电极600。在本发明构思的一个实施例中，有机层可以包括第一发光单元200、第一电荷产生层300、第二电荷产生层400和第二发光单元500。
在本发明构思的一个实施例中，当在平面中观察显示面板DP时显示面板DP的被设置在第一子像素区域SPA1内的层(例如基础基底BS、像素电路层PC、第一绝缘层IL1、第一子像素电极110、有机层和上电极600)可以构成第一子像素SPX1，显示面板DP的被设置在第二子像素区域SPA2内的层可以构成第二子像素SPX2。
在本发明构思的一个实施例中，基础基底BS可以是透明的，例如可以由刚性玻璃和/或具有柔性的聚合物形成或者可以包括刚性玻璃和/或具有柔性的聚合物。
在本发明构思的一个实施例中，像素电路层PC可以被设置在基础基底BS的整个顶表面上(例如像素电路层PC可以完全覆盖基础基底BS的顶表面)。像素电路层PC可以包括例如两个或更多个晶体管。像素电路层PC可以包括例如响应于被施加的栅极信号而导通以传输数据电压的开关晶体管、以及将与从开关晶体管接收的数据电压对应的驱动电流供给到第一发光单元200的驱动晶体管。
第一绝缘层IL1可以被设置在像素电路层PC的基本上整个顶表面上。第一绝缘层IL1可以包括使像素电路层PC的一部分暴露的接触孔。第一绝缘层IL1可以具有单层或多层结构，并且可以包括有机材料和/或无机材料。
在本发明构思的一个实施例中，第一子像素电极110和第二子像素电极120可以被设置在第一绝缘层IL1上并且在第一方向DR1上彼此隔开。第一子像素电极110和第二子像素电极120的部分可以被设置在第一绝缘层IL1的对应接触孔中，以直接接触像素电路层PC，并且因此独立地接收来自像素电路层PC的驱动电流。
显示面板DP可以进一步包括像素限定层PDL。像素限定层PDL可以被设置在例如第一子像素电极110和第二子像素电极120以及第一绝缘层IL1上。像素限定层PDL可以覆盖第一子像素电极110和第二子像素电极120的部分(例如边缘)，同时使得第一子像素电极110和第二子像素电极120的部分暴露(例如没有被像素限定层PDL覆盖)。
在本发明构思的一个实施例中，第一发光单元200可以被设置在像素限定层PDL以及第一子像素电极110和第二子像素电极120上。第一发光单元200可以产生例如具有第一颜色的第一光。
在本发明构思的一个实施例中，当在平面中观察时，第一电荷产生层300可以被设置在第一发光单元200上，以与第一子像素电极110重叠。第一电荷产生层300可以被设置在第一发光单元200与第二发光单元500之间，以向第一子像素SPX1的第一发光单元200和第二发光单元500供给电荷(例如电子和/或空穴)并调整(例如改善)所供给的电荷的平衡。在此说明书中，“第一子像素SPX1的第一发光单元200和第二发光单元500”可以指第一发光单元200和第二发光单元500的位于第一子像素区域SPA1内的部分。在下文中，第一子像素SPX1和第二子像素SPX2的其它组件可以通过使用与其类似的表述来指示。
第一电荷产生层300可以包括第一接触部分310和第一延伸部分320。第一接触部分310可以通过被限定在第一发光单元200中的第一接触孔CNT1被连接(例如结合)到第一子像素电极110。
在本发明构思的一个实施例中，当在平面中观察时，第二电荷产生层400可以被设置在第一发光单元200上，以与第二子像素电极120重叠。第二电荷产生层400可以被设置在第一发光单元200与第二发光单元500之间，以向第二子像素SPX2的第一发光单元200和第二发光单元500供给电荷(例如电子和/或空穴)并且可以调整(例如改善)所供给的电荷的平衡。第二电荷产生层400可以例如在第一方向DR1上与第一电荷产生层300隔开并且与第一电荷产生层300绝缘。
第二电荷产生层400可以包括第二接触部分410和第二延伸部分420。第二接触部分410可以通过被限定在第一发光单元200、第二电荷产生层400和第二发光单元500中的第二接触孔CNT2被连接(例如结合)到上电极600。当在平面中观察时，第二延伸部分420可以从第二接触部分410水平延伸，并且可以与上电极600和第二子像素电极120重叠。第二延伸部分420的至少一部分可以被设置为与像素限定层PDL重叠。
在本发明构思的一个实施例中，发光单元500可以被设置在第一电荷产生层300和第二电荷产生层400上，并且可以完全覆盖第一电荷产生层300和第二电荷产生层400的顶表面。第二发光单元500可以发射例如具有第二颜色的第二光。
在本发明构思的一个实施例中，第一颜色和第二颜色的混合颜色可以是例如白色，并且/或者第一颜色和第二颜色可以彼此互补。第一光和第二光可以彼此混合以产生白光。第一颜色和第二颜色可以分别是例如蓝色和黄色。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，第一颜色和第二颜色可以分别是红色和绿色。
上电极600可以被设置在第二发光单元500上。上电极600可以包括第一上电极部分610和第二上电极部分620。第一上电极部分610可以通过第二接触孔CNT2被连接(例如结合)到第二接触部分410。第二上电极部分620可以从第一上电极部分610延伸。上电极600可以被设置在第二发光单元500的整个顶表面上。因此，当在平面中观察时，第二上电极部分620可以与第一子像素电极110和第二子像素电极120重叠。
在本发明构思的一个实施例中，显示面板DP可以进一步包括滤色器。在本发明构思的一个实施例中，滤色器可以被设置在上电极600上(例如上方)。滤色器可以例如以层的形式被形成在上电极600上，然后被层压或被设置在面对基础基底BS的上基底(未示出)上。此外，在本发明构思的一个实施例中，当显示面板DP是底部发射型显示面板(例如底部发射显示面板)时，滤色器可以被设置在被限定在(例如定位)第一子像素电极110与基础基底BS之间的层上。
在本发明构思的一个实施例中，滤色器可以包括第一滤色器CF1和第二滤色器CF2。第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可以使彼此不同的颜色经其透射。第二滤色器CF2可以被设置在第二子像素区域SPA2中以与被限定在第二子像素电极120上的第二发光区域EA2对应，并且可以是例如绿色滤色器。第一滤色器CF1可以被设置在第一子像素区域SPA1中以与被限定在第一子像素电极110上的第一发光区域EA1对应，并且可以是例如灰色滤色器。灰色滤色器可以阻挡(或减少)特定颜色经其的透射，并且可以减少由第一子像素电极110引起的外部光反射。第一滤色器CF1可以例如被省略。
第一电荷产生层300和第二电荷产生层400中的每个具有导电性。在本发明构思的一个实施例中，第一电荷产生层300和第二电荷产生层400可以包括从例如Ag、Mg、Yb、Al、Ca、Li和Cs中选择的一种或更多种无机材料。
第一子像素电极110和第二子像素电极120以及上电极600中的每个可以由导电材料形成。在一些实施例中，第一子像素电极110和第二子像素电极120以及上电极600中的每个可以是透明电极、半透明电极、不透明电极或反射电极。此外，第一子像素电极110和第二子像素电极120以及上电极600中的每个可以具有由单一材料形成的单层结构、由彼此不同的多种材料形成的单层结构、或者包括由彼此不同的多种材料形成的多个层的多层结构。
在本发明构思的一个实施例中，当第一子像素电极110和第二子像素电极120以及上电极600中的每个是透明电极或半透明电极时，第一子像素电极110和第二子像素电极120以及上电极600中的每个可以包括例如光学上薄的Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、BaF、Ba、Ag或其组合或混合物(例如Ag和Mg的混合物)，或者可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化钼和/或氧化钛的透明金属氧化物。
在本发明构思的一个实施例中，当第一子像素电极110和第二子像素电极120以及上电极600中的每个是反射电极时，第一子像素电极110和第二子像素电极120以及上电极600中的每个可包括例如光学上厚的Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或其组合或混合物(例如Ag和Mg的混合物)。
在本发明构思的一个实施例中，第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的每个可以是底部发射型子像素或顶部发射型子像素(例如底部发射子像素或顶部发射子像素)。当第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的每个是底部发射子像素时，第一子像素电极110和第二子像素电极120中的每个可以是透明电极或半透明电极，上电极600可以是反射电极，光可以通过第一子像素电极110和第二子像素电极120被发射到外部。当第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的每个是顶发射子像素时，第一子像素电极110和第二子像素电极120中的每个可以是反射电极，上电极600可以是透明电极或半透明电极，光可以通过上电极600被发射到外部。
在本发明构思的一个实施例中，第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的每个可以具有非反转结构或反转结构。当第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的每个具有非反转结构时，第一子像素电极110和第二子像素电极120中的每个可以是阳极，上电极600可以是阴极，被施加到第一子像素电极110和第二子像素电极120的电压可以大于被施加到上电极600的电压。另一方面，当第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的每个具有反转结构时，第一子像素电极110和第二子像素电极120中的每个可以是阴极，上电极600可以是阳极，被施加到第一子像素电极110和第二子像素电极120的电压可以小于被施加到上电极600的电压。
图4是图3的第一接触孔的放大剖视图。
第一接触孔CNT1可以被限定在第一发光单元200中。第一接触孔CNT1可以被限定在例如第一子像素电极110上。第一接触孔CNT1可以使第一子像素电极110的一部分和第一发光单元200的倾斜表面201暴露。
在此说明书中，表述“接触孔被限定在层中”可以指为了形成接触孔而通过去除层的一部分形成的空间。因此，第一接触孔CNT1可以被定义为通过去除第一发光单元200的一部分而形成的空白空间(在图4中具有点图案阴影的区域)。
在一个实施例中，第一接触部分310被设置在第一接触孔CNT1中。第一接触部分310可以仅指第一电荷产生层300的被设置在第一接触孔CNT1中的部分(例如，第一电荷产生层300的与被第一发光单元200的倾斜表面201与第一子像素电极110的顶表面围绕的区域对应的部分)。
第一接触部分310可以被连接到由第一接触孔CNT1暴露的第一子像素电极110。第一接触部分310可以例如直接接触第一子像素电极110的顶表面。第一接触部分310可以从第一子像素电极110接收驱动电流和第一像素电压。
第一延伸部分320可以从第一接触部分310延伸并且可以被设置在第一发光单元200上。第一延伸部分320可以从第一接触部分310接收驱动电流和第一像素电压。
图5A是图3的第二接触孔的放大剖视图，图5B是图3的第二接触孔的放大平面图。
在图5A和图5B中，第二接触孔CNT2可以由点图案阴影指定。本领域技术人员将理解，点图案阴影可以但并不一定指示空白空间。在图5A和图5B中，为了便于图示第二接触孔CNT2和第二接触部分410的倾斜表面411，可以省略某些组件。例如，在图5B中可以省略上电极600。
参考图5A和图5B，第二接触孔CNT2可以被限定在第一发光单元200、第二电荷产生层400和第二发光单元500中。
第二接触孔CNT2可以使第一绝缘层IL1的一部分、第一发光单元200的倾斜表面201、第二接触部分410的倾斜表面411以及第二发光单元500的倾斜表面501暴露。
在本发明构思的一个实施例中，上电极600可以包括第一上电极部分610和第二上电极部分620。第一上电极部分610可以被设置在第二接触孔CNT2中。第一上电极部分610可以被连接(例如结合)到第二接触部分410。第一上电极部分610可以例如直接接触第二接触部分410的倾斜表面411。第二接触部分410可以将驱动电流传输到上电极600。
再次参考图3，第一像素电压可以被施加到第一子像素电极110，上电压可以被施加到上电极600。第一像素电压可以通过第一接触部分310被传输到被设置在第一发光区域EA1内的第一延伸部分320。结果是，第一电场EF1可以被形成在第一延伸部分320与上电极600之间，以对应于第一发光区域EA1。
第一像素电压可以例如大于上电压。因此，第一驱动电流DC1可以沿着被限定为沿着第一子像素电极110、第一接触部分310、第一延伸部分320、第一子像素SPX1的第二发光单元500、以及第一子像素SPX1的第二上电极部分620的第一电流路径流动。
第一子像素SPX1的第二发光单元500可以通过第一驱动电流DC1和第一电场EF1产生第二光L2。第二光L2可以穿过第一滤色器CF1，然后向上(例如向外)发射。当第一滤色器CF1是灰色滤色器时，穿过第一滤色器CF1的第二光L2的第二颜色(例如蓝色)可以不改变。
如上所述，当第一延伸部分320用作第一子像素SPX1的阳极时，第一电场EF1可以仅被施加到第一子像素SPX1的第二发光单元500。由于第一延伸部分320的电位与第一子像素电极110的电位基本相同，因此在第一子像素SPX1的第一发光单元200中可以基本上不产生电场。因此，可以减小第一子像素SPX1的驱动电压，以提高第一子像素SPX1的效率。
类似地，可以提高第二子像素的效率。例如，第二像素电压可以被施加到第二子像素电极120，上电压可以被施加到上电极600。上电压可以通过第二接触部分410被传输到被设置在第二发光区域EA2内的第二延伸部分420。结果是，第二电场EF2可以被形成在第二延伸部分420与第二子像素电极120之间，以对应于第二发光区域EA2。
第二像素电压可以例如大于上电压。因此，第二驱动电流DC2可以沿着被限定为沿着第二子像素电极120、第一发光单元200、第二延伸部分420、第二接触部分410和第一上电极部分610的第二电流路径流动。
第二子像素SPX2的第一发光单元200可以通过第二驱动电流DC2和第二电场EF2产生第一光L1。第一光L1可以穿过第二滤色器CF2，然后向上(例如向外)发射。在本发明构思的一个实施例中，当第二滤色器CF2是绿色滤色器时，穿过第二滤色器CF2的第一光L1的第一颜色(例如黄色)可以变为绿色。
如上所述，当第二延伸部分420用作第二子像素SPX2的阴极时，第二电场EF2可以仅被施加到第二子像素SPX2的第一发光单元200。由于上电极600的电位与第二延伸部分420的电位基本相同，因此在第二子像素SPX2的第二发光单元500中可以基本上不产生电场。因此，可以减小第二子像素SPX2的驱动电压，以提高第二子像素SPX2的效率。
图6是根据本发明构思的一个实施例的像素的示意性平面图，图7是沿图6的线II-II'截取的剖视图。
由于图6的像素PX类似于图2的像素PX，因此以下描述将主要集中于关于附加的第三子像素SPX3的差异，与上面结合图3描述的元件相同的元件的重复描述将不再被提供。
参考图6，根据本发明构思的一个实施例的像素PX可以进一步包括第三子像素SPX3。第三子像素SPX3可以是图1所示的子像素SPX的示例。
在本发明构思的一个实施例中，第三子像素SPX3可以是具有与第一子像素SPX1和第二子像素SPX2的颜色不同的颜色的子像素。第三子像素SPX3可以是例如红色子像素。第一子像素SPX1至第三子像素SPX3可以沿着第一方向DR1依次布置。当在平面中观察时，第二接触孔CNT2可以被设置在例如第二子像素SPX2与第三子像素SPX3之间。
参考图7，显示面板DP可以进一步包括第三子像素电极130。第三子像素电极130可以被设置在第一绝缘层IL1上。当在平面中观察时，第三子像素电极130可以与第一子像素电极110和第二子像素电极120隔开。第三子像素电极130的一部分可以被设置在被限定在第一绝缘层IL1中的接触孔中，以直接接触像素电路层PC并且独立地接收来自像素电路层PC的驱动电流。
在本发明构思的一个实施例中，第一发光单元200的一部分可以延伸并被设置在第三子像素电极130上。
在本发明构思的一个实施例中，第二电荷产生层400可以进一步包括第三延伸部分430。当在平面中观察时，第三延伸部分430可以从第二接触部分410延伸，以与第三子像素电极130重叠。第三延伸部分430可以例如从第二接触部分410在与第一方向DR1相反的第三方向DR3上延伸。
第三延伸部分430可以被设置在第一发光单元200上，以对应于第三子像素区域SPA3。第三延伸部分430可以被设置在第三子像素SPX3的第一发光单元200与第二发光单元500之间，以将电荷(例如电子和/或空穴)供给到第三子像素SPX3的第一发光单元200和第二发光单元500，并且可以调整所供给的电荷的平衡。
在本发明构思的一个实施例中，第二发光单元500的一部分可以延伸并被设置在第三延伸部分430上，并且可以覆盖第三延伸部分430的整个顶表面。
当在平面中观察时，第二上电极部分620可以从第一上电极部分610延伸，以与第三子像素电极130重叠。
滤色器可以进一步包括第三滤色器CF3。第三滤色器CF3可以透射与通过第二滤色器CF2透射的颜色不同的颜色。第三滤色器CF3可以被设置在第三子像素区域SPA3中以与被限定在第三子像素电极130上的第三发光区域EA3对应，并且可以是例如红色滤色器。
根据本发明构思的一个实施例，可以提高第三子像素SPX3的效率。例如，第三像素电压可以被施加到第三子像素电极130，上电压可以被施加到上电极600。上电压可以通过第二接触部分410被传输到被设置在第三发光区域EA3内的第三延伸部分430。结果是，第三电场EF3可以被形成在第三延伸部分430与第三子像素电极130之间，以对应于第三发光区域EA3。
第三像素电压可以例如大于上电压。因此，第三驱动电流DC3可以沿着被限定为沿着第三子像素电极130、第一发光单元200、第三延伸部分430、第二接触部分410和第一上电极部分610的第三电流路径流动。
第三子像素SPX3的第一发光单元200可以通过第三驱动电流DC3和第三电场EF3产生第一光L1。第一光L1可以穿过第三滤色器CF3，然后向上(例如向外)发射。在本发明构思的一个实施例中，当第三滤色器CF3是红色滤色器时，穿过第三滤色器CF3的第一光L1的第一颜色(例如黄色)可以变为红色。
如上所述，当第三延伸部分430用作第三子像素SPX3的阴极时，第三电场EF3可以仅被施加到第三子像素SPX3的第一发光单元200。由于上电极600的电位与第三延伸部分430的电位基本相同，因此在第三子像素SPX3的第二发光单元500中可以基本上不产生电场。因此，可以减小第三子像素SPX3的驱动电压，以提高第三子像素SPX3的效率。
图8是根据本发明构思的一个实施例的像素的示意性平面图，图9是沿图8的线III-III'截取的剖视图。
由于图8的像素PX类似于图6的像素PX，因此以下描述将主要集中于关于附加的辅助线100的差异，与上面结合图6描述的元件相同的元件的重复描述将不再被提供。
参考图8和图9，根据本发明构思的一个实施例的显示面板DP进一步包括辅助线100。
在本发明构思的一个实施例中，当在平面中观察时，辅助线100可以被设置在第二子像素SPX2与第三子像素SPX3之间，以在第二方向DR2上延伸。尽管未示出，但是可以提供多条辅助线100。多条辅助线可以沿着第一方向DR1布置为与每个像素对应或者与每两个或更多个像素PX对应。
在本发明构思的一个实施例中，辅助线100可以被设置在第一绝缘层IL1与第一发光单元200之间。第二接触孔CNT2可以使例如辅助线100的顶表面暴露。因此，第一上电极部分610可以被连接(例如结合)到辅助线100。第一上电极部分610可以例如直接接触辅助线100的暴露的顶表面。
辅助线100可以防止或减少在显示面板DP中出现IR降。例如，当上电极600被设置在基础基底BS的整个顶表面上(例如上方)时，IR降可能在水平方向上出现在上电极600中，并且像素PX的亮度可能根据显示面板DP的位置而改变。为了防止或减少出现IR降，上电极600可以被连接到辅助线100。由于辅助线100被连接(例如结合)到上电极600，因此可以减小总电阻，以防止或减少上电极600中IR降的出现。结果是，随着IR降的出现减少，可以提高第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的驱动电压，以提高第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的效率。
图10是根据本发明构思的一个实施例的像素的示意性平面图，图11是沿图10的线IV-IV'截取的剖视图。
由于图10的像素PX类似于图6的像素PX，因此以下描述将主要集中于关于第二接触孔CNT2的差异，与上面结合图6描述的元件相同的元件的重复描述将不再被提供。
参考图10和图11，在本发明构思的一个实施例中，第二接触孔CNT2和辅助线100可以在第三方向DR3上与第三子像素电极130隔开。
由于在本实施例中，第二接触孔CNT2没有被设置在第二子像素SPX2与第三子像素SPX3之间，因此可以减小第二子像素SPX2与第三子像素SPX3之间的距离。此外，辅助线100可以在线宽度上加宽，因此辅助线100的电阻可以有效地(或适当地)减小，并且可以防止或基本上减少上电极600的IR降。
图12是根据本发明构思的一个实施例的像素的示意性平面图，图13是沿图12的线V-V'截取的剖视图。
由于图12的像素PX类似于图6的像素PX，因此以下描述将主要集中于关于附加的第四子像素SPX4的差异，与上面结合图6描述的元件相同的元件的重复描述将不再被提供。
参考图12，根据本发明构思的一个实施例的像素PX可以进一步包括第四子像素SPX4。第四子像素SPX4可以是图1所示的子像素SPX的示例。
在本发明构思的一个实施例中，第四子像素SPX4可以是具有与第一子像素SPX1至第三子像素SPX3的颜色不同的颜色的子像素。第四子像素SPX4可以是例如白色子像素。第一子像素SPX1至第四子像素SPX4可以在第一方向DR1上依次布置。例如，当在平面中观察时，第一接触孔CNT1可以被设置在第一子像素SPX1与第四子像素SPX4之间。
参考图13，显示面板DP可以进一步包括第四子像素电极140。第四子像素电极140可以被设置在第一绝缘层IL1上。当在平面中观察时，第四子像素电极140可以在第一方向DR1上与第一子像素电极110隔开。第四子像素电极140的一部分可以被设置在被限定在第一绝缘层IL1中的接触孔中，以直接接触像素电路层PC并且独立地接收来自像素电路层PC的驱动电流。
在本发明构思的一个实施例中，第一发光单元200的一部分可以延伸并被设置在第四子像素电极140上。
在本发明构思的一个实施例中，显示面板DP可以进一步包括第三电荷产生层700。当在平面中观察时，第三电荷产生层700可以不与第一电荷产生层300和第二电荷产生层400重叠，并可以与第一电荷产生层300和第二电荷产生层400绝缘。
第三电荷产生层700可以被设置在第一发光单元200上，以对应于第四子像素区域SPA4。第三电荷产生层700可以被设置在第四子像素SPX4的第一发光单元200与第二发光单元500之间，以将电荷(例如电子和/或空穴)供给到第四子像素SPX4的第一发光单元200和第二发光单元500，并且调整所供给的电荷的平衡。
在本发明构思的一个实施例中，第二发光单元500的一部分可以延伸并被设置在第三电荷产生层700上，并且可以覆盖第三电荷产生层700的整个顶表面。
当在平面中观察时，第二上电极部分620的一部分可以与第四子像素电极140重叠。
滤色器可以进一步包括第四滤色器CF4。第四滤色器CF4可以被设置在第四子像素区域SPA4中以与被限定在第四子像素电极140上的第四发光区域EA4对应，并且可以是例如灰色滤色器。在一些实施例中，可以不提供第四滤色器CF4。
第四像素电压可以被施加到第四子像素电极140，上电压可以被施加到上电极600的第二上电极部分620。结果是，第四电场EF4可以被形成在第四子像素电极140与第二上电极部分620之间，以对应于第四发光区域EA4。
第四像素电压可以例如大于上电压。因此，第四驱动电流DC4可以沿着被限定为沿着第四子像素电极140、第一发光单元200、第三电荷产生层700和第二上电极部分620的第四电流路径流动。
第四子像素SPX4的第一发光单元200和第二发光单元500都可以发光，以通过第四驱动电流DC4和第四电场EF4产生第一光L1和第二光L2。第一光L1和第二光L2可以被彼此混合以产生白光。白光可以穿过第四滤色器CF4，然后向上(例如向外)发射。当第四滤色器CF4是灰色滤色器时，穿过第四滤色器CF4的白光的颜色(例如白色)可以不改变。
图14是根据本发明构思的一个实施例的像素的示意性平面图。
由于图14的像素PX类似于图6的像素PX，因此以下描述将主要集中于关于改变的第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2的差异，与上面结合图6描述的元件相同的元件的重复描述将不再被提供。
参考图14，在本发明构思的一个实施例中，第一接触孔CNT1可以被限定(例如定位)在第一子像素区域SPA1的中心部分。这里，第一电荷产生层300的中心部分可以通过第一接触孔CNT1被连接(例如结合)到第一子像素电极110。因此，第一像素电压可以均匀地(或基本上均匀地)分布在第一电荷产生层300中。
在本发明构思的一个实施例中，第二接触孔CNT2可以被限定在第二电荷产生层400的中心。这里，第二电荷产生层400的中心部分可以通过第二接触孔CNT2被连接(例如结合)到上电极(参考例如图3的附图标记600)。因此，上电压可以均匀地(或基本上均匀地)分布在第二电荷产生层400中。
图15是根据本发明构思的一个实施例的像素的示意性平面图。
由于图15的像素PX类似于图6的像素PX，因此以下描述将主要集中于关于改变的第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2的差异，与上面结合图6描述的元件相同的元件的重复描述将不再被提供。参考图15，第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2中的每个可以被提供为多个。
多个第一接触孔CNT1和多个第二接触孔CNT2可以各自独立地例如沿着第二方向DR2布置。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2可以各自独立地在第一方向DR1和第二方向DR2上以矩阵的形式布置。
当第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2中的每个被提供为多个时，第一电荷产生层300中的第一像素电压的分布和第二电荷产生层400中的上电压的分布可以是均匀(或基本均匀)的。
图16是根据本发明构思的一个实施例的第一子像素的示意性剖视图。
参考图16，第一发光单元200可以包括第一空穴控制层HCL1、第一发光层EML1和第一电子控制层ECL1。第二发光单元500可以包括第二空穴控制层HCL2、第二发光层EML2和第二电子控制层ECL2。
第一发光层EML1和第二发光层EML2可以被设置在第一子像素电极110与上电极600之间。在本发明构思的一个实施例中，第一发光层EML1和第二发光层EML2中的每个可以包括主体材料和掺杂剂材料。例如，第一发光层EML1和第二发光层EML2中的每个可以通过将磷光材料或荧光材料掺杂到主体材料中而形成。
主体材料没有特别限制，只要主体材料是能够用于有机发光器件的合适材料即可。例如，主体材料可以包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基亚芳基(DSA)、4,4'-双(9-氮芴基)-2,2'-二甲基-联苯(CDBP)和/或2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)。
从对应的发光层发射的光的颜色可以通过主体材料和掺杂剂材料的组合来确定。例如，当对应的发光层发射具有红色的光时，对应的发光层可以包括包含三(二苯甲酰甲烷)菲咯啉铕(PBD:Eu(DBM)3(Phen))和/或二萘嵌苯的磷光材料。
包含在对应的发光层中的掺杂剂材料可以是金属络合物，例如，有机金属络合物，诸如双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱(PIQIr(acac))、双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱(PQIr(acac))、三(1-苯基喹啉)铱(PQIr)和/或八乙基卟啉铂(PtOEP)。
例如，当对应的发光层发射具有绿色的光时，对应的发光层可以包括包含三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)的荧光材料。这里，包括在对应的发光层中的掺杂剂材料可以是金属络合物，例如，有机金属络合物，诸如fac-三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)。
例如，当对应的发光层发射具有蓝色的光时，对应的发光层可以包括荧光材料，该荧光材料包括从螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基-亚芳基(DSA)、聚芴(PFO)基聚合物和(聚(对亚苯基亚乙烯基))(PPV)类聚合物中选择的至少一种。这里，包括在对应的发光层中的掺杂剂材料可以是金属络合物，例如，有机金属络合物，诸如(4,6-F2ppy)2Irpic。
与第二发光层EML2相比，第一发光层EML1可以产生具有相对较短的波长的光。如上所述，第一光可以是蓝光，并且具有从约450nm至约595nm的范围的波长。
如上所述，第二光可以是黄光，并且具有从约570nm至约590nm的范围的波长。
然而，上述描述仅仅是示例实施例，本发明构思不限于此。根据本发明构思的一个实施例的第一发光层EML1和第二发光层EML2可以被设计为产生具有各种颜色的光，并且也可以不限于任何一个实施例。
第一发光层EML1和第二发光层EML2中的每个可以通过使用各种方法形成，诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗缪尔-布洛吉特(LB)法、注入印刷法、激光打印法和/或激光诱导热成像(LITI)法。
第一电荷产生层300可以被设置在第一发光层EML1与第二发光层EML2之间，以提高第一子像素SPX1的电流效率和光学效率。当电压被施加到第一电荷产生层300时，可以通过氧化-还原反应形成络合物以产生电荷。
在本发明构思的一个实施例中，第一电荷产生层300可以包括可以依次层叠的下电荷产生层301和上电荷产生层302。下电荷产生层301和上电荷产生层302可以分别是例如N型电荷产生层和P型电荷产生层。N型电荷产生层可以是掺杂有诸如Li、Na、K和/或Cs的碱金属和/或诸如Mg、Sr、Ba和/或Ra的碱土金属的有机层。然而，本发明构思的实施例不限于此。P型电荷产生层可以是包括P型掺杂剂的有机层。然而，本发明构思的实施例不限于此。
第一空穴控制层HCL1可以被设置在第一子像素电极110与第一发光层EML1之间。第二空穴控制层HCL2可以被设置在第一电荷产生层300与第二发光层EML2之间。
当第一子像素电极110是阳极电极层时，从第一子像素电极110注入的空穴可以经由第一空穴控制层HCL1到达第一发光层EML1。在第一电荷产生层300中产生的空穴可以经由第二空穴控制层HCL2到达第二发光层EML2。
第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以被划分为从空穴注入区域、空穴传输区域、缓冲区域和电子阻挡区域中选择的至少一个区域。第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以具有由单一材料形成的单层结构、由彼此不同的多种材料形成的单层结构、或者包括由彼此不同的多种材料形成的多个层的多层结构。
例如，第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以包括从与空穴注入区域对应的空穴注入层和与空穴传输区域对应的空穴传输层中选择的至少一个，或者可以是同时具有空穴注入功能和空穴传输功能(例如通过在单层中混合空穴注入材料和空穴传输材料)的单层。
第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以由从空穴注入材料和空穴传输材料中选择的至少一种形成。空穴注入材料和空穴传输材料可以各自独立地从任何合适的材料选择。
空穴传输材料可包括例如诸如N-苯基咔唑和/或聚乙烯基咔唑的咔唑基衍生物、氟基衍生物、诸如N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺(TPD)和/或4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)的三苯基胺基衍生物、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)和/或4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)，但不限于此。空穴注入材料可以包括例如酞菁化合物，诸如铜酞菁、N,N'-二苯基-N,N'-双-[4-(苯基-m-甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4'-二胺(DNTPD)、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)(TDATA)、4,4',4”-三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺(2TNATA)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)和/或聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)，但不限于此。
第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以通过与用于形成第一发光层EML1和第二发光层EML2的工艺类似的工艺形成。例如，第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以通过使用各种方法形成，诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗缪尔-布洛吉特(LB)法、注入印刷法、激光打印法和/或激光诱导热成像(LITI)法。
第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以包括与空穴阻挡区域对应的空穴阻挡层。这里，第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个可以包括任何合适的空穴阻挡材料。此外，第一空穴控制层HCL1和第二空穴控制层HCL2中的每个还可以包括电荷产生材料。
第一电子控制层ECL1可以被设置在第一发光层EML1与第一电荷产生层300之间。在第一电荷产生层300中产生的电子可以经由第一电子控制层ECL1到达第一发光层EML1。
第二电子控制层ECL2可以被设置在第二发光层EML2与上电极600之间。当上电极600是阴极电极层时，从上电极600注入的电子经由第二电子控制层ECL2到达第二发光层EML2。
第一电子控制层ECL1和第二电子控制层ECL2中的每个可以被划分为从电子注入区域、电子传输区域和空穴阻挡区域中选择的至少一个区域。第一电子控制层ECL1和第二电子控制层ECL2中的每个可以具有由单一材料形成的单层结构、由彼此不同的多种材料形成的单层结构、或者包括由彼此不同的多种材料形成的多个层的多层结构。
例如，第一电子控制层ECL1和第二电子控制层ECL2中的每个可以包括从与电子注入区域对应的电子注入层和与电子传输区域对应的电子传输层中选择的至少一个，或者可以是同时具有电子注入功能和电子传输功能(例如通过在单层中混合电子注入材料和电子传输材料)的单层。
第一电子控制层ECL1和第二电子控制层ECL2中的每个可以由从电子注入材料和电子传输材料中选择的至少一种形成。例如，电子传输材料可以包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、双铍(苯并喹啉-10-羟基)(Bebq2)和/或9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)，但不限于此。
例如，电子注入材料可以包括LiF、喹啉锂(LiQ)、Li2O、BaO、NaCl、CsF和/或Yb；诸如RbCl和/或RbI的金属卤化物；和/或混合了电子传输材料和绝缘有机金属盐的材料，但不限于此。
有机金属盐可以是具有约4eV或更大的能带隙的材料。例如，有机金属盐可以包括金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮化物和/或金属硬脂酸盐。
第一电子控制层ECL1和第二电子控制层ECL2中的每个可以通过使用各种方法形成，诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗缪尔-布洛吉特(LB)法、注入印刷法、激光打印法和/或激光诱导热成像(LITI)法。
根据本发明构思的一个实施例的第一子像素SPX1不限于此，因此可以进行各种改变。例如，第一子像素SPX1可以包括三个发光单元和被分别设置在三个发光单元之间的两个电荷产生层。
虽然上面已经描述了第一子像素SPX1，但是第二子像素SPX2至第四子像素SPX4中的每个可以具有与第一子像素SPX1类似的结构。
图17A至图17D是示出了根据本发明构思的一个实施例的用于制造显示面板的方法中的主动作业(动作)的剖视图。
参考图17A，像素电路层PC可以被形成在基础基底BS上，第一绝缘层IL1可以被形成在像素电路层PC上。多个驱动接触孔CNT_Dr可以被形成在第一绝缘层IL1中。像素电路层PC的一部分可以由驱动接触孔CNT_Dr中的每个暴露。
如图17B所示，第一子像素电极至第四子像素电极110、120、130和140可以被形成在第一绝缘层IL1上。如上所述，第一子像素电极至第四子像素电极110、120、130和140中的每个的一端可以被设置在驱动接触孔CNT_Dr的对应驱动接触孔中，第一子像素电极至第四子像素电极110、120、130和140中的每个可以通过对应的驱动接触孔被连接(例如结合)到像素电路层PC。
像素限定层PDL可以被形成在第一子像素电极至第四子像素电极110、120、130和140上。像素限定层PDL可以覆盖第一子像素电极至第四子像素电极110、120、130和140中的每个的一部分。之后，第一发光单元200可以被形成在像素限定层PDL和第一子像素电极至第四子像素电极110、120、130和140上。
第一接触孔CNT1可以被形成在第一发光单元200中，在第一子像素区域SPA1与第四子像素区域SPA4之间。第一接触孔CNT1可以通过去除被设置在第一子像素电极110上的第一发光单元200的一部分以暴露第一子像素电极110的一部分而形成。在本发明构思的一个实施例中，可以通过激光钻孔去除要被去除的层部分。
如图17C所示，第一电荷产生层300可以被形成在第一发光单元200上，以对应于第一子像素区域SPA1。第一电荷产生层300的第一接触部分310可以被形成在第一接触孔CNT1中，以直接接触由第一接触孔CNT1暴露的第一子像素电极110的部分。第一延伸部分320可以从第一接触部分310水平延伸。
第二电荷产生层400可以被形成在第一发光单元200上，以对应于第二子像素区域SPA2和第三子像素区域SPA3，第三电荷产生层700可以被形成在第一发光单元200上，以对应于第四子像素区域SPA4。第一电荷产生层至第三电荷产生层300、400和700可以彼此绝缘，被设置在同一层上(例如在第一发光单元200上)，并且可以彼此水平隔开。第二发光单元500可以被形成在第一电荷产生层至第三电荷产生层300、400和700上。
第二接触孔CNT2可以被形成在第二子像素区域SPA2与第三子像素区域SPA3之间。第二接触孔CNT2可以通过去除第二发光单元500和第二电荷产生层400的部分以暴露第二电荷产生层400的第二接触部分410的倾斜表面411而形成。在本发明构思的一个实施例中，可以通过激光钻孔去除要被去除的层部分。
如图17D所示，上电极600可以被形成在第二发光单元500上。上电极600的一部分可以被设置在第二接触孔CNT2中，以直接接触由第二接触孔CNT2暴露的第二接触部分410的倾斜表面411。
如上所述，第一电荷产生层可以从第一子像素电极接收第一像素电压，第二电荷产生层可以从上电极接收上电压。结果是，第二发光单元可以通过在第一电荷产生层与上电极之间产生的第一电场产生光，第一发光单元可以通过在第二电荷产生层与第二子像素电极之间产生的第二电场产生光。因此，可以减小用于驱动第一发光单元和第二发光单元的驱动电压，以提高第一发光单元和第二发光单元的效率。
本领域技术人员应当理解，在本文中描述的示例实施例应被认为仅是描述性意义，而不是为了限制的目的，可以在本发明中进行各种修改和变化。尽管已经参照图描述了一个或多个示例实施例，但是本领域普通技术人员应当理解，在不脱离由所附权利要求及其等同方案限定的本公开的精神和范围的情况下可以进行形式上和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示面板，包括：
基础基底；
在所述基础基底上的第一子像素电极；
在所述基础基底上并且当在平面中观察时与所述第一子像素电极隔开的第二子像素电极；
在所述第一子像素电极和所述第二子像素电极上的第一发光单元，所述第一发光单元被提供有第一接触孔；
包括第一接触部分和从所述第一接触部分延伸的第一延伸部分的第一电荷产生层，所述第一接触部分在所述第一接触孔中并且被结合到由所述第一接触孔暴露的所述第一子像素电极的一部分，所述第一延伸部分在所述第一发光单元上；
在所述第一发光单元上并且当在平面中观察时与所述第二子像素电极重叠的第二电荷产生层，所述第二电荷产生层与所述第一电荷产生层绝缘；
在所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层上的第二发光单元，所述第二发光单元和所述第二电荷产生层一起被提供有第二接触孔；以及
包括第一上电极部分和从所述第一上电极部分延伸的第二上电极部分的上电极，所述第一上电极部分在所述第二接触孔中并且被结合到由所述第二接触孔暴露的所述第二电荷产生层的第二接触部分，所述第二上电极部分在所述第二发光单元上。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，当在平面中观察时，所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层彼此隔开。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，当在横截面中观察时，所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层在同一层上。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，当在平面中观察时，所述第一延伸部分与所述第二上电极部分重叠。
5.根据权利要求4所述的显示面板，进一步包括被配置为覆盖所述第一子像素电极的一部分的像素限定层，
其中所述第一延伸部分的至少一部分在所述像素限定层上。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其中所述第一接触部分被直接结合到所述第一子像素电极的一部分。
7.根据权利要求4所述的显示面板，其中在所述第一延伸部分与所述第二上电极部分之间的所述第二发光单元被配置为产生电场，所述第二发光单元被配置为在被所述电场激励之后产生光，
其中所述第一延伸部分被配置为具有与所述第一子像素电极相同的电位。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述第二电荷产生层进一步包括从所述第二接触部分延伸以在平面中观察时与所述第二子像素电极重叠的第二延伸部分。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，当在平面中观察时，所述第二上电极部分与所述第二延伸部分重叠。
10.根据权利要求8所述的显示面板，进一步包括被配置为覆盖所述第二子像素电极的一部分的像素限定层，
其中所述第二延伸部分的至少一部分在所述像素限定层上。
11.根据权利要求8所述的显示面板，其中由所述第二接触孔暴露的所述第二接触部分的倾斜表面被直接结合到所述第一上电极部分。
12.根据权利要求8所述的显示面板，其中在所述第二延伸部分与所述第二子像素电极之间的所述第一发光单元被配置为产生电场，所述第一发光单元被配置为在被所述电场激励之后产生光，
其中所述第二上电极部分被配置为具有与所述第二延伸部分相同的电位。
13.根据权利要求8所述的显示面板，进一步包括当在平面中观察时与所述第一子像素电极和所述第二子像素电极隔开的第三子像素电极，
其中所述第二电荷产生层进一步包括从所述第二接触部分延伸以在平面中观察时与所述第三子像素电极重叠的第三延伸部分。
14.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括分别被配置为透射具有彼此不同颜色的光的第一滤色器和第二滤色器，
其中，当在平面中观察时，所述第一滤色器与所述第一子像素电极重叠，并且
当在平面中观察时，所述第二滤色器与所述第二子像素电极重叠。
15.根据权利要求13所述的显示面板，进一步包括在所述第二接触部分与所述基础基底之间的辅助线，
其中所述第一上电极部分通过所述第二接触孔被结合到所述辅助线。
16.根据权利要求13所述的显示面板，进一步包括当在平面中观察时与所述第一子像素电极至所述第三子像素电极隔开的第四子像素电极和当在平面中观察时与所述第四子像素电极重叠的第三电荷产生层，
其中所述第三电荷产生层与所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层绝缘并且在所述第一发光单元与所述第二发光单元之间。
17.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层中的至少一个包括从Ag、Mg、Yb、Al、Ca、Li和Cs中选择的一种或多种无机材料。
18.一种制造显示面板的方法，所述方法包括：
在基础基底上提供第一子像素电极；
在所述基础基底上提供当在平面中观察时与所述第一子像素电极隔开的第二子像素电极；
在所述第一子像素电极和所述第二子像素电极上提供第一发光单元；
在所述第一发光单元中提供第一接触孔以暴露所述第一子像素电极；
在所述第一发光单元和所述第一子像素电极上提供第一电荷产生层，并且通过所述第一接触孔将所述第一子像素电极结合到所述第一电荷产生层；
在所述第一发光单元上提供当在平面中观察时与所述第一电荷产生层隔开的第二电荷产生层；
在所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层上提供第二发光单元；
在所述第二发光单元和所述第二电荷产生层中提供第二接触孔；以及
在所述第二接触孔中和在所述第二发光单元上提供上电极，并且通过所述第二接触孔将由所述第二接触孔暴露的所述第二电荷产生层的一部分结合到所述上电极。
19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括在所述基础基底上提供第三子像素电极，
其中当在平面中观察时，所述第三子像素电极与所述第一子像素电极和所述第二子像素电极隔开。
20.根据权利要求19所述的方法，进一步包括：
在所述基础基底上提供第四子像素电极；以及
提供与所述第四子像素电极重叠的第三电荷产生层，
其中当在平面中观察时，所述第四子像素电极与所述第一子像素电极至所述第三子像素电极隔开，
所述第三电荷产生层与第一电荷产生层和所述第二电荷产生层绝缘，并且在所述第一发光单元与所述第二发光单元之间。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110021625A (zh) * 2018-01-08 2019-07-16 三星显示有限公司 具有窗的电致发光装置
CN111293225A (zh) * 2018-12-07 2020-06-16 乐金显示有限公司 显示装置
CN113130536A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 乐金显示有限公司 显示装置
CN113826219A (zh) * 2019-05-14 2021-12-21 首尔伟傲世有限公司 发光芯片
CN115715127B (zh) * 2022-11-09 2023-10-20 惠科股份有限公司 显示面板及显示装置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108496260B (zh) 2015-10-26 2020-05-19 Oti照明公司 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置
KR102470303B1 (ko) * 2015-10-27 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
JP2018181898A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11581487B2 (en) 2017-04-26 2023-02-14 Oti Lumionics Inc. Patterned conductive coating for surface of an opto-electronic device
KR20200006569A (ko) 2017-05-17 2020-01-20 오티아이 루미오닉스 인크. 패턴화 코팅 위에 전도성 코팅을 선택적으로 증착시키는 방법 및 전도성 코팅을 포함하는 디바이스
JP6648737B2 (ja) * 2017-06-30 2020-02-14 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
KR102619291B1 (ko) * 2018-11-28 2023-12-28 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200066503A (ko) * 2018-11-30 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR102622791B1 (ko) * 2018-12-07 2024-01-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102622790B1 (ko) * 2018-12-07 2024-01-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102630000B1 (ko) * 2018-12-26 2024-01-25 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN113785411B (zh) 2019-03-07 2023-04-11 Oti照明公司 用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置
KR20220046551A (ko) 2019-06-26 2022-04-14 오티아이 루미오닉스 인크. 광 회절 특성을 갖는 광 투과 영역을 포함하는 광전자 디바이스
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
CN112349752B (zh) 2019-08-07 2024-04-12 乐金显示有限公司 显示装置、用于制造显示装置的方法和头戴式显示器
CN114342068A (zh) 2019-08-09 2022-04-12 Oti照明公司 包含辅助电极和分区的光电子装置
CN114512620A (zh) * 2020-11-26 2022-05-17 武汉天马微电子有限公司 Oled发光装置、显示装置、电子设备和oled发光装置的制造方法

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003022035A (ja) * 2001-07-10 2003-01-24 Sharp Corp 有機ｅｌパネルおよびその製造方法
WO2009154288A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-23 Canon Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence display apparatus
US20110204369A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic Light-Emitting Display Device
CN102856507A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 三星显示有限公司 发光结构、包括发光结构的显示装置及其制造方法
CN103107288A (zh) * 2011-11-10 2013-05-15 乐金显示有限公司 白光有机发光器件和使用白光有机发光器件的显示装置
US20140001447A1 (en) * 2012-06-27 2014-01-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method for fabricating the same
US20140151652A1 (en) * 2012-12-04 2014-06-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
JP2014225416A (ja) * 2013-05-17 2014-12-04 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光装置
KR20140142519A (ko) * 2013-06-04 2014-12-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
US20150097161A1 (en) * 2013-10-04 2015-04-09 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device and organic light emitting display having the same
KR20150079244A (ko) * 2013-12-31 2015-07-08 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
KR20150138697A (ko) * 2014-06-02 2015-12-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20160013437A1 (en) * 2011-06-24 2016-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Panel, Light-Emitting Device Using the Light-Emitting Panel, and Method for Manufacturing the Light-Emitting Panel
US20160118626A1 (en) * 2014-10-24 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100552968B1 (ko) 2003-09-23 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 액티브 매트릭스 유기전계 발광표시장치
JP2010020154A (ja) 2008-07-11 2010-01-28 Canon Inc 発光表示装置およびその駆動方法
KR20100072644A (ko) * 2008-12-22 2010-07-01 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
KR102009804B1 (ko) * 2011-12-26 2019-08-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003022035A (ja) * 2001-07-10 2003-01-24 Sharp Corp 有機ｅｌパネルおよびその製造方法
WO2009154288A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-23 Canon Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence display apparatus
US20110204369A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic Light-Emitting Display Device
US20160013437A1 (en) * 2011-06-24 2016-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Panel, Light-Emitting Device Using the Light-Emitting Panel, and Method for Manufacturing the Light-Emitting Panel
CN102856507A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 三星显示有限公司 发光结构、包括发光结构的显示装置及其制造方法
CN103107288A (zh) * 2011-11-10 2013-05-15 乐金显示有限公司 白光有机发光器件和使用白光有机发光器件的显示装置
US20140001447A1 (en) * 2012-06-27 2014-01-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method for fabricating the same
US20140151652A1 (en) * 2012-12-04 2014-06-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
JP2014225416A (ja) * 2013-05-17 2014-12-04 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光装置
KR20140142519A (ko) * 2013-06-04 2014-12-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
US20150097161A1 (en) * 2013-10-04 2015-04-09 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device and organic light emitting display having the same
KR20150079244A (ko) * 2013-12-31 2015-07-08 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
KR20150138697A (ko) * 2014-06-02 2015-12-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20160118626A1 (en) * 2014-10-24 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110021625A (zh) * 2018-01-08 2019-07-16 三星显示有限公司 具有窗的电致发光装置
CN111293225A (zh) * 2018-12-07 2020-06-16 乐金显示有限公司 显示装置
CN111293225B (zh) * 2018-12-07 2023-03-24 乐金显示有限公司 显示装置
CN113826219A (zh) * 2019-05-14 2021-12-21 首尔伟傲世有限公司 发光芯片
CN113130536A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 乐金显示有限公司 显示装置
CN115715127B (zh) * 2022-11-09 2023-10-20 惠科股份有限公司 显示面板及显示装置

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