CN111293225B - 显示装置 - Google Patents

Abstract

显示装置。提供了一种能降低功耗的显示装置。该显示装置包括：基板，该基板具有第一子像素和第二子像素；第一电极，该第一电极被设置在所述基板上；第一发光层，该第一发光层被设置在所述第一电极上，发射第一颜色的光；第二电极，该第二电极被设置在所述第一发光层上；第二发光层，该第二发光层被设置在所述第二电极上，发射第二颜色的光；以及第三电极，该第三电极被设置在所述第二发光层上。所述第二电极在所述第一子像素和所述第二子像素之间断开，并且所述第一子像素的所述第二电极与所述第三电极电连接。

Description

显示装置

技术领域

本公开涉及显示图像的显示装置。

背景技术

随着信息时代的进步，对显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。因此，近来已利用了诸如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示(OLED)装置这样的各种类型的显示装置。

近来，已开发出包括此显示装置的头戴式显示器(HMD)。头戴式显示器(HMD)是虚拟现实(VR)或增强现实(AR)的眼镜型监视器装置，该眼镜型监视器装置在佩戴眼镜或头盔型的HMD的用户的眼睛前方的近距离处形成焦点。

由于高分辨率的像素间隔紧凑，头戴式显示器难以针对子像素中的每一个精确地形成不同颜色的发光层并对其进行图案化。为了解决这个问题，头戴式显示器形成发射不同颜色的光的多个层叠的白色发光层作为公共层，并且可以为每个子像素布置滤色器以实现不同的颜色。在这种情况下，头戴式显示器的优点在于不需要精确地制造掩模或者执行精确的掩模对准处理，但是存在的问题在于由于多个层叠而使功耗增加。

发明内容

本公开是考虑到以上问题作出的，并且本公开的目的是提供能够降低功耗的显示装置。

按照本公开的一方面，可以通过提供一种显示装置来实现以上目的和其它目的，该显示装置包括：基板，该基板具有第一子像素和第二子像素；第一电极，该第一电极被设置在所述基板上；第一发光层，该第一发光层被设置在所述第一电极上，发射第一颜色的光；第二电极，该第二电极被设置在所述第一发光层上；第二发光层，该第二发光层被设置在所述第二电极上，发射第二颜色的光；以及第三电极，该第三电极被设置在所述第二发光层上。所述第一子像素和所述第二子像素的所述第二电极之间断开，并且所述第一子像素的所述第二电极与所述第三电极电连接。

根据本公开，第一发光层和第二发光层在没有掩模的情况下形成在子像素的整个表面上，由此能解决根据依据子像素而不同的发光层被形成为使用掩模来进行图案化的情况的问题。即，本公开不需要精确的掩模制造处理和/或精确的掩模对准处理，并且适用于像素间隔紧凑的高分辨率的显示装置。

另外，在本公开中，尽管第一发光层和第二发光层被形成在整个表面上，但是第一发光层和第二发光层中的任一个能在子像素中的每一个中发光。因此，在本公开中，与所有第一发光层和第二发光层都发光的情况相比，能够显著地降低功耗。

另外，在本公开中，使用掩模图案来使第二电极在子像素当中断开，并且子像素中的每一个的第二电极可以连接到第一电力线、第二电力线和第二连接电极中的任一个。在本公开中，不需要单独的掩模，并且掩模图案与第一电极同时形成，由此另外不需要单独的处理。

另外，在本公开中，第一电极没有形成在子像素中的一些中。因此，其中未形成第一电极的子像素中的透射率能提高。特别地，如果显示装置按底部发光型设置，则由于从发光层发射的光不能穿过第一电极，因此能提高光效率。

另外，在本公开中，堤部没有形成在子像素中的一些中。因此，其中没有形成堤部的子像素可以具有大的发光区，并且能使开口率最大化。

除了如以上提到的本公开的效果之外，本领域的技术人员将根据以下对本公开的描述清楚地理解本公开的附加目的和特征。

附记：

附记1.一种显示装置，该显示装置包括：

基板，该基板具有第一子像素和第二子像素；

第一电极，该第一电极在所述基板上；

第一发光层，该第一发光层在所述第一电极上，发射第一颜色的光；

第二电极，该第二电极在所述第一发光层上；

第二发光层，该第二发光层在所述第二电极上，发射第二颜色的光；以及

第三电极，该第三电极在所述第二发光层上，

其中，所述第一子像素的所述第二电极与所述第三电极电连接。

附记2.根据附记1所述的显示装置，其中，所述第二电极在所述第一子像素和所述第二子像素之间断开。

附记3.根据附记1所述的显示装置，其中，所述第一子像素使得所述第一发光层能够发光，并且所述第二子像素使得所述第二发光层能够发光。

附记4.根据附记3所述的显示装置，其中，所述第二发光层发射蓝色光。

附记5.根据附记1所述的显示装置，其中，所述第一发光层在所述第一子像素和所述第二子像素之间断开。

附记6.根据附记1所述的显示装置，其中，所述第二发光层连接在所述第一子像素和所述第二子像素之间。

附记7.根据附记1所述的显示装置，其中，所述第三电极连接在所述第一子像素和所述第二子像素之间。

附记8.根据附记1所述的显示装置，该显示装置还包括第一连接电极，该第一连接电极用于将所述第一子像素的所述第二电极与所述第一子像素的所述第三电极电连接。

附记9.根据附记8所述的显示装置，其中，所述第一连接电极包括：

第一电力线，该第一电力线连接到所述第一子像素的所述第二电极；以及

辅助电力线，该辅助电力线连接到所述第一电力线和所述第一子像素的所述第三电极中的每一个。

附记10.根据附记9所述的显示装置，其中，所述基板包括布置有所述第一子像素和所述第二子像素的显示区以及围绕所述显示区的非显示区，所述辅助电力线被布置在所述非显示区中，并且所述第一电力线被布置在所述显示区中并且与所述第一子像素的所述第二电极连接，并且所述第一电力线从所述显示区延伸到布置在所述非显示区中的所述辅助电力线，因此所述第一电力线的一端连接到所述辅助电力线。

附记11.根据附记9所述的显示装置，该显示装置还包括驱动晶体管，该驱动晶体管被设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的至少一个中，并且所述驱动晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极，其中，所述第一电力线在与所述有源层、所述栅极、所述源极和所述漏极中的任一个相同的层上与所述有源层、所述栅极、所述源极和所述漏极中的所述一个间隔开。

附记12.根据附记11所述的显示装置，该显示装置还包括第一绝缘膜，该第一绝缘膜被设置在所述驱动晶体管和所述第一电力线上并且被设置有使所述第一电力线部分暴露的第一开口区域，其中，所述第一子像素的所述第二电极在所述第一开口区域中连接到所述第一电力线。

附记13.根据附记12所述的显示装置，该显示装置还包括第一掩模图案，该第一掩模图案被设置在所述第一绝缘膜上并且被设置有突出以部分地覆盖所述第一开口区域的突起。

附记14.根据附记13所述的显示装置，其中，所述第一掩模图案由与所述第一电极的材料相同的材料与所述第一电极同时形成。

附记15.根据附记13所述的显示装置，其中，所述第一掩模图案与所述第一电极间隔开。

附记16.根据附记13所述的显示装置，其中，所述第一掩模图案沿着所述第一电力线形成在显示区中。

附记17.根据附记13所述的显示装置，其中，所述第一子像素的所述第二电极在所述第一掩模图案下方连接到所述第一电力线。

附记18.根据附记1所述的显示装置，其中，所述第一电极被设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中，并且所述第二子像素的所述第二电极与所述第二子像素的所述第一电极电连接。

附记19.根据附记1所述的显示装置，该显示装置还包括第二连接电极，该第二连接电极用于将所述第二子像素的所述第一电极与所述第二子像素的所述第二电极电连接。

附记20.根据附记19所述的显示装置，其中，所述第二连接电极被设置在所述第一子像素和所述第二子像素之间。

附记21.根据附记20所述的显示装置，该显示装置还包括第一绝缘膜，该第一绝缘膜被设置在所述第二连接电极上并且被设置有用于使所述第二连接电极部分暴露的第二开口区域，其中，所述第二子像素的所述第二电极在所述第二开口区域中与所述第二连接电极连接，并且所述第二子像素的所述第一电极通过穿过所述第一绝缘膜的接触孔连接到所述第二连接电极。

附记22.根据附记21所述的显示装置，该显示装置还包括第二掩模图案，该第二掩模图案被设置在所述第一绝缘膜上并且被设置有突出以部分地覆盖所述第二开口区域的突起，其中，所述第二子像素的所述第二电极在所述第二掩模图案下方连接到所述第二连接电极。

附记23.根据附记22所述的显示装置，其中，所述第二掩模图案由与所述第一电极的材料相同的材料与所述第一电极同时形成。

附记24.根据附记22所述的显示装置，其中，所述第二掩模图案与所述第一电极间隔开。

附记25.根据附记22所述的显示装置，其中，所述第二掩模图案被形成为围绕所述第二子像素。

附记26.根据附记1所述的显示装置，其中，所述第一电极仅被形成在所述第一子像素和所述第二子像素中的所述第一子像素中。

附记27.根据附记26所述的显示装置，该显示装置还包括：

第一驱动晶体管，该第一驱动晶体管在所述基板上被设置在所述第一子像素中；以及

第二驱动晶体管，该第二驱动晶体管在所述基板上被设置在所述第二子像素中，

其中，所述第一子像素中所设置的所述第一电极连接到所述第一驱动晶体管并被供应有第一电压，并且所述第二子像素中所设置的所述第二电极连接到所述第二驱动晶体管并被供应有第二电压。

附记28.根据附记26所述的显示装置，该显示装置还包括堤部，该堤部仅被设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的所述第一子像素中并且被图案化成覆盖所述第一电极的端部。

附记29.根据附记26所述的显示装置，该显示装置还包括第三连接电极，该第三连接电极与所述第二子像素的所述第二电极电连接。

附记30.根据附记29所述的显示装置，其中，所述第三连接电极被设置在所述第一子像素和所述第二子像素之间。

附记31.根据附记29所述的显示装置，该显示装置还包括第一绝缘膜，该第一绝缘膜被设置在所述第三连接电极上并且被设置有使所述第三连接电极部分暴露的第三开口区域，其中，所述第二子像素的所述第二电极在所述第三开口区域中与所述第三连接电极连接。

附记32.根据附记31所述的显示装置，该显示装置还包括第三掩模图案，该第三掩模图案被设置在所述第一绝缘膜上并且被设置有突出以部分地覆盖所述第三开口区域的突起，其中，所述第二子像素的所述第二电极在所述第三掩模图案下方连接到所述第三连接电极。

附记33.根据附记32所述的显示装置，其中，所述第三掩模图案由与所述第一电极的材料相同的材料与所述第一电极同时形成。

附记34.根据附记32所述的显示装置，其中，所述第三掩模图案被形成为围绕所述第二子像素。

附记35.根据附记29所述的显示装置，其中，所述第一子像素和所述第二子像素具有它们各自的彼此不同的发光区域。

附记36.根据附记29所述的显示装置，其中，所述第二子像素的发光区域比所述第一子像素的发光区域大。

附图说明

根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其它目的、特征和其它优点，在附图中：

图1是例示根据本公开的一个实施方式的显示装置的立体图；

图2是例示图1的第一基板、源极驱动IC、柔性膜、电路板和定时控制器的平面图；

图3是简要例示根据本公开的第一实施方式的第一基板的平面图；

图4是例示沿着图3的线I-I截取的示例的截面图；

图5是例示沿着图3的线II-II截取的示例的截面图；

图6是简要例示第一子像素和第二子像素的示例的平面图；

图7是例示图6的修改例的平面图；

图8是简要例示第三子像素的示例的平面图；

图9是例示图8的修改例的平面图；

图10是例示图4的区域A的示例的放大图；

图11是例示沿着图3的线III-III截取的示例的截面图；

图12是例示沿着图3的线IV-IV截取的示例的截面图；

图13是简要例示根据本公开的第二实施方式的第一基板的平面图；

图14是例示沿着图13的线V-V截取的示例的截面图；

图15是简要例示第一子像素和第二子像素的示例的平面图；

图16是简要例示根据本公开的第三实施方式的第一基板的平面图；

图17是例示沿着图16的线VI-VI截取的示例的截面图；

图18是例示沿着图16的线VII-VII截取的示例的截面图；

图19是简要例示第一子像素和第二子像素的示例的平面图；

图20是例示图19的修改例的平面图；

图21是简要例示第三子像素的示例的平面图；

图22是例示图17的区域B的示例的放大图；

图23是例示沿着图16的线VIII-VIII截取的示例的截面图；

图24是例示沿着图16的线IX-IX截取的示例的截面图；

图25是例示图17的修改例的平面图；

图26是例示图17的另一修改例的平面图；

图27是简要例示根据本公开的第四实施方式的显示面板的第一基板的平面图；

图28是例示沿着图27的线X-X截取的示例的截面图；

图29是简要例示第一子像素和第二子像素的示例的平面图；

图30是例示根据本公开的第一实施方式的制造显示装置的方法的流程图；

图31A、图31B、图31C、图31D、图31E、图31F、图31G、图31H、图31I和图31J是例示根据本公开的第一实施方式的制造显示装置的方法的截面图；

图32是例示根据本公开的第三实施方式的制造显示装置的方法的流程图；

图33A、图33B、图33C、图33D、图33E、图33F、图33G、图33H、图33I和图33J是例示根据本公开的第三实施方式的制造显示装置的方法的截面图；以及

图34A、图34B和图34C是例示根据本公开的另一实施方式的显示装置的视图并且涉及头戴式显示器(HMD)装置。

具体实施方式

将通过参照附图描述的以下实施方式来阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以按照不同的方式来实施并且不应该被理解为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本公开的范围充分地传达给本领域的技术人员。另外，本公开仅由权利要求的范围限定。

附图中为了描述本公开的实施方式而公开的形状、尺寸、比率、角度和数量仅仅是示例，因此，本公开不限于所例示的细节。在整篇说明书中，类似的参考标号是指类似的元件。在下面的描述中，当确定对相关已知功能或配置的详细描述不必要地模糊了本公开的要点时，将省略详细描述。

在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅～”，否则可以添加另一个部件。单数形式的术语可以包括复数形式，除非做相反表示。

在理解元件时，元件被解释为包括误差范围，尽管没有进行明确描述。

在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在…上～”、“在…上方～”、“在…下方～”和“在…旁边～”时，除非使用了“恰好”或“正好”，否则可以在两个其它部件之间布置一个或更多个部件。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在…之后”、“随后”、“接着”和“在…之前”时，可以包括并不连续的情况，除非使用了“恰好”或“正好”。

应该理解，虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语只是用于将一个元件与另一个区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

“X轴方向”、“Y轴方向”和“Z轴方向”不应该仅用相互垂直关系的几何关系来解释，并且可以在本公开的元件可以在功能上作用的范围内具有更广的指向性。

术语“至少一个”应该被理解为包括关联所列的物品中的一个或更多个的任何和全部组合。例如，“第一物品、第二物品和第三物品中的至少一个”的含义表示从第一物品、第二物品和第三物品中的两个或更多个提出的所有物品的组合以及第一物品、第二物品或第三物品。

本公开的各种实施方式的特征可以被部分或全体彼此联结或组合，并且可以按各种方式彼此相互作用并且在技术上被驱动，如本领域的技术人员能够充分理解的。本公开的实施方式可以独立于彼此执行，或者可以一起按相互依赖关系来执行。

下文中，将参照附图来详细地描述根据本公开的显示装置的优选实施方式。

图1是例示根据本公开的一个实施方式的显示装置的立体图。图2是例示图1的第一基板、源极驱动IC、柔性膜、电路板和定时控制器的平面图。

参照图1和图2，根据本公开的一个实施方式的显示装置100包括显示面板110、源极驱动集成电路140(下文中，被称为“IC”)、柔性膜150、电路板160和定时控制器170。

显示面板110包括第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封装基板。第一基板111可以是使用半导体处理形成的塑料膜、玻璃基板或硅晶圆基板。第二基板112可以是塑料膜、玻璃基板或封装膜。

多条选通线、多条数据线和多个子像素被形成在第一基板111的面对第二基板112的一个表面上。子像素被设置在由选通线和数据线的交叉结构限定的多个区域中。

子像素中的每一个可以包括发光二极管，发光二极管包括晶体管、阳极、发光层和阴极。如果使用晶体管向各个子像素输入来自选通线的选通信号，则所述各个子像素按照数据线的数据电压向发光二极管供应预定电流。为此原因，可以向阳极施加高电位电压，并且可以向阴极施加低电位电压，由此子像素中的每一个的发光层能够按照预定电流发射预定亮度的光。

显示面板110可以被划分成在其中形成有子像素以显示图像的显示区DA以及不显示图像的非显示区NDA。选通线、数据线和像素可以被形成在显示区DA中。选通驱动器和焊盘可以被形成在非显示区NDA中。

选通驱动器按照从定时控制器170输入的选通控制信号依次向选通线供应选通信号。在面板内选通驱动器(GIP)类型中，选通驱动器可以被形成在显示面板110的显示区DA的一侧或两侧外部的非显示区NDA中。另选地，选通驱动器可以被制造为驱动芯片，可以被封装在柔性膜中，并且可以以载带自动键合(TAB)类型附接于显示面板110的显示区DA的一侧或两侧外部的非显示区NDA。

源极驱动IC 140从定时控制器170接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 140按照源极控制信号将数字视频数据转换成模拟数据电压，并且将模拟数据电压供应到数据线。如果源极驱动IC 140被制造为驱动芯片，则源极驱动IC 140可以以膜上芯片(COF)类型或塑料上芯片(COP)类型封装在柔性膜150中。

诸如数据焊盘这样的多个焊盘可以被形成在显示面板110的非显示区NDA中。将焊盘与源极驱动IC 140连接的线和将焊盘与电路板160的线连接的线可以被形成在柔性膜150中。柔性膜150可以使用各向异性导电膜附接到焊盘上，由此焊盘可以与柔性膜150的线连接。

电路板160可以附接到柔性膜150上。被实施为驱动芯片的多个电路可以被封装在电路板160中。例如，定时器170可被封装在电路板160中。电路板160可以是印刷电路板(PCB)或柔性印刷电路板(FPCB)。

定时控制器170通过电路板160的线缆从外部系统板接收数字视频数据和定时信号。定时控制器170基于定时信号来生成用于控制选通驱动器的操作定时的选通控制信号和用于控制源极驱动IC 140的源极控制信号。定时控制器170向选通驱动器供应选通控制信号，并且向源极驱动IC 140供应源极控制信号。

第一实施方式

图3是简要例示根据本公开的第一实施方式的第一基板的平面图，图4是例示沿着图3的线I-I截取的示例的截面图，图5是例示沿着图3的线II-II截取的示例的截面图，图6是简要例示第一子像素和第二子像素的示例的平面图，图7是例示图6的修改例的平面图，图8是简要例示第三子像素的示例的平面图，图9是例示图8的修改例的平面图，图10是例示图4的区域A的示例的放大图，图11是例示沿着图3的线III-III截取的示例的截面图，并且图12是例示沿着图3的线IV-IV截取的示例的截面图。

参照图3至图12，根据本公开的第一实施方式的显示面板110包括第一基板111、遮光层210、第一绝缘膜220、驱动晶体管230、第一连接电极241、242和360、第二连接电极250、第二绝缘膜260、平整膜270、掩模图案281、282和283、第一电极311、312和313、堤部315、第一发光层321、322和323、第二电极331、332和333、第二发光层340和第三电极350。

第一基板111可以由玻璃或塑料制成，但是不限于此。第一基板111可以由诸如硅晶圆这样的半导体材料制成。第一基板111可以由透明材料或不透明材料制成。

第一基板111被分为显示区DA和非显示区NDA。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3可以被设置在第一基板111的显示区DA上。第一子像素P1可以被设置成发射红光，第二子像素P2可以被设置成发射绿光，并且第三子像素P3可以被设置成发射蓝光。然而，这些子像素不限于这种情况。另外，第四子像素可以被设置在基板111的显示区DA上，以发射白(W)光。另外，子像素P1、P2和P3的布置顺序可以按各种方式改变。

根据本公开的第一实施方式的显示装置可以按向下发射光的底部发光型设置，但是不限于此。如果根据本公开的第一实施方式的显示装置按底部发光型设置，则透明材料可以被用作第一基板111。另一方面，如果根据本公开的第一实施方式的显示装置按向上发射光的顶部发光型设置，则不仅透明材料而且不透明材料可以被用作第一基板111。

针对子像素P1、P2和P3中的每一个，包括各种信号线、驱动晶体管230和电容器的电路二极管被设置在第一基板111上。信号线可以包括选通线、数据线、电力线和参考线。

如果选通信号被输入到选通线，则驱动晶体管230按照数据线的数据电压向第一电极311、312和313供应预定电压。驱动晶体管230包括有源层、栅极、源极和漏极。

有源层被设置在第一基板111上。有源层可以由基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料形成。用于遮挡进入有源层的外部光的遮光层210可以被设置在第一基板111和有源层之间，如图4中所示。如果遮光层210由金属材料形成，则第一绝缘膜220可以被设置在有源层和遮光层210之间。

栅极绝缘膜可以被设置在有源层上。栅极绝缘膜可以由无机膜(例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜)形成。

栅极可以被设置在栅极绝缘膜上。栅极可以由包含Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金的单层或多层形成。

层间电介质膜可以被设置在栅极上。层间电介质膜可以由无机膜(例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜)形成。

源极和漏极可以被设置在层间电介质膜上。源极和漏极中的每一个可以通过穿过栅极绝缘膜和层间电介质膜的接触孔连接到有源层。源极和漏极中的每一个可以由包含Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金的单层或多层形成，但是不限于此。

第一连接电极241、242和360以及第二连接电极250被设置在第一基板111上。

第一连接电极241、242和360将第一子像素P1和第二子像素P2的第二电极331和332和第三电极350彼此电连接。更详细地，第一连接电极241、242和360可以包括第一电力线241、第二电力线242和辅助电力线360。

辅助电力线360被设置成从非显示区NDA向第一方向(X轴方向)延伸。如图11和图12中所示，辅助电力线360可以被第一绝缘膜220、第二绝缘膜260和平整膜270部分暴露而没有被覆盖，并且可以在被暴露的区域处与第三电极350连接。

辅助电力线360可以由与遮光层210的材料相同的材料形成在与遮光层210相同的层上，但是不限于此。辅助电力线360可以在与有源层、栅极、源极和漏极中的任一个的层相同的层上由与有源层、栅极、源极和漏极中的任一个的材料相同的材料形成。

第一电力线241被布置在显示区DA中的第一子像素P1的一侧，然后与第一子像素P1的第二电极331连接。尽管在图4至图7中第一电力线241被布置在第一子像素P1和第三子像素P3之间，但是第一电力线241不限于图4至图7的示例。第一电力线241可以被布置在第一子像素P1和第二子像素P2之间。

第一电力线241可以被设置成从显示区DA向第二方向(Y轴方向)延伸。多个第一子像素P1可以沿着第二方向与第一电力线241平行地布置。在这种情况下，第一电力线241可以与并联布置的所有第一子像素P1的第二电极331连接，或者可以与第一子像素P1中的一些的第二电极331连接。

此外，多个第一子像素P1可以沿着第二方向与多个第二子像素P2交替地布置。在这种情况下，第一电力线241可以连接到所有多个第一子像素P1的第二电极331，或者可以连接到多个第一子像素P1中的一些的第二电极331。另选地，第一电力线241可以连接到所有多个第一子像素P1和多个第二子像素P2的第二电极331和332，或者可以连接到多个第一子像素P1和多个第二子像素P2中的一些的第二电极331和332。

第一电力线241的一端连接到辅助电力线360。第一电力线241可以穿过接触孔连接到(但不限于)辅助电力线360，如图11中所示。

第一电力线241可以在与驱动晶体管230的有源层、栅极、源极和漏极中的任一个相同的层上由与驱动晶体管230的有源层、栅极、源极和漏极中的任一个的材料相同的材料形成。

按照前述描述，第一子像素P1的第二电极331和第三电极350通过第一电力线241和辅助电力线360彼此电连接。即，如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压被施加到第一子像素P1的第二电极331。

第二电力线242被布置在显示区DA中的第二子像素P2的一侧，然后与第二子像素P2的第二电极332连接。尽管在图4至图7中第二电力线242被布置在第一子像素P1和第二子像素P2之间，但是第二电力线242不限于图4至图7的示例。第二电力线242可以被布置在第二子像素P2和第三子像素P3之间。

第二电力线242可以被设置在显示区DA中，并且可以向第二方向(Y轴方向)延伸。多个第二子像素P2可以沿着第二方向与第二电力线242平行地布置。在这种情况下，第二电力线242可以与并联布置的所有第二子像素P2的第二电极332连接，或者可以与一些第二子像素P2的第二电极332连接。

此外，多个第二子像素P2可以沿着第二方向与多个第一子像素P1交替地布置。在这种情况下，第二电力线242可以连接到所有多个第二子像素P2的第二电极332，或者可以连接到多个第二子像素P2中的一些的第二电极332。另选地，第二电力线242可以连接到所有多个第一子像素P1和多个第二子像素P2的第二电极331和332，或者可以连接到多个第一子像素P1和多个第二子像素P2中的一些的第二电极331和332。

第二电力线242的一端连接到辅助电力线360。第二电力线242可以穿过接触孔连接到(但不限于)辅助电力线360，如图11中所示。

第二电力线242可以在与驱动晶体管230的有源层、栅极、源极和漏极中的任一个相同的层上由与驱动晶体管230的有源层、栅极、源极和漏极中的任一个的材料相同的材料形成。

按照前述描述，第二子像素P2的第二电极332和第三电极350通过第二电力线242和辅助电力线360彼此电连接。即，如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压被施加到第二子像素P2的第二电极332。

第二连接电极250将第三子像素P3的第一电极313与第三子像素P3的第二电极333电连接。

第二连接电极250被布置在显示区DA中的第三子像素P3的一侧，并且与第三子像素P3的第一电极313和第三子像素P3的第二电极333连接。

尽管图4、图5和图8例示了第二连接电极250被布置在第二子像素P2和第三子像素P3之间，但是第二连接电极250不限于图4、图5和图8的示例。第二连接电极250可以被布置在第三子像素P3和第一子像素P1之间。

另外，尽管图4、图5和图8例示了第二连接电极250仅被布置在第三子像素P3的一侧，但是第二连接电极250不限于图4、图5和图8的示例。第二连接电极250可以被布置在第三子像素P3的多个侧。例如，如果第三子像素P3包括平面上的四侧，则第二连接电极250可以被布置在第三子像素P3的所有四侧，如图9中所示。即，第二连接电极250可以被布置在第三子像素P3的四侧中的至少一侧。

第二连接电极250可以被图案化成与多个第三子像素P3中的每一个对应。此时，被设置成与多个第三子像素P3中的每一个对应的第二连接电极250彼此间隔开，以便不彼此电连接，如图3中所示。一个第三子像素P3可以与一个第二连接电极251连接，而另外的一个第三子像素P3可以与另外的一个第二连接电极252连接。此时，一个第二连接电极251和另外的一个第二连接电极252可以被图案化并且彼此间隔开，以便不彼此电连接。

第二连接电极250可以在与驱动晶体管230的有源层、栅极、源极和漏极中的任一个相同的层上由与驱动晶体管230的有源层、栅极、源极和漏极中的任一个的材料相同的材料形成。

按照前述描述，第三子像素P3的第一电极313和第三电极333通过第二连接电极250彼此电连接。即，如果第三高电位电压被施加到第三电极313，则与第三子像素P3的第一电极313相同的高电位电压被施加到第三子像素P3的第二电极333。

第二绝缘膜260被设置在驱动晶体管230、第一连接电极241、242和360和第二连接电极250上，以保护驱动晶体管230。第二绝缘膜260覆盖驱动晶体管230并且同时使第一连接电极241、242和360和第二连接电极250部分暴露。

更详细地，第二绝缘膜260包括使第一连接电极241、242和360和第二连接电极250部分暴露的开口区域OA1、OA2、OA3和OA4。

第二绝缘膜260可以包括用于使第一电力线241部分暴露的第一开口区域OA1，如图4和图5中所示。第一开口区域OA1可以被沿着第一电力线241设置。此时，第一开口区域OA1可以按沿着第二方向(Y轴方向)具有预定长度的一个或多个图案被设置在第一电力线241上。

另外，第二绝缘膜260可以包括用于使第二电力线242部分暴露的第二开口区域OA2，如图4和图5中所示。第二开口区域OA2可以被沿着第二电力线242设置。此时，第二开口区域OA2可以按沿着第二方向(Y轴方向)具有预定长度的一个或多个图案被设置在一条第二电力线242上。

另外，第二绝缘膜260可以包括用于使第二连接电极250部分暴露的第三开口区域OA3，如图4和图5中所示。第三开口区域OA3可以被设置成围绕第三子像素P3。因此，第三开口区域OA3使其中设置有第二连接电极250的区域中的第二连接电极250部分暴露，并且使其中没有设置第二连接电极250的区域中的第一绝缘膜220暴露。

另外，第二绝缘膜260可以包括用于使辅助电力线360部分暴露的第四开口区域OA4，如图11和图12中所示。辅助电力线360被第一绝缘膜220部分暴露，并且第四开口区域OA4可以被设置在被暴露的辅助电力线360上。

第二绝缘膜260可以由无机膜(例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜)形成。

平整膜270被设置在第二绝缘膜260上，以使由于驱动晶体管230导致的台阶差平整。此时，平整膜270未被设置在第二绝缘膜260的开口区域OA1、OA2、OA3和OA4上。因此，第一连接电极241、242和360和第二连接电极250仍然可以被部分暴露。

平整膜270可以具有比第二绝缘膜260小的形成区域。因此，平整膜270可以使第二绝缘膜260部分暴露。此时，第二绝缘膜260可以在与开口区域OA1、OA2、OA3和OA4相邻的区域中被暴露，而没有被平整膜270覆盖。

平整膜270可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂这样的有机膜形成。

第一电极311、312和313被设置成针对子像素P1、P2和P3中的每一个在平整膜270上被图案化。一个第一电极311被设置在第一子像素P1上，另一个第一电极312被设置在第二子像素P2上，并且另一个第一电极313被设置在第三子像素P3上。

第一电极311、312和313通过分别穿过第二绝缘膜260和平整膜270的接触孔CH1、CH2和CH3连接到驱动晶体管230的源极或漏极。第一子像素P1的第一电极311穿过接触孔CH1连接到驱动晶体管230的源极或漏极，由此第一高电位电压被施加到第一子像素P1的第一电极311。第二子像素P2的第一电极312穿过接触孔CH2连接到驱动晶体管230的源极或漏极，由此第二高电位电压被施加到第二子像素P2的第一电极312。第三子像素P3的第一电极313穿过接触孔CH3连接到驱动晶体管230的源极或漏极，由此第三高电位电压被施加到第三子像素P3的第一电极313。

此外，第三子像素P3的第一电极313通过穿过第二绝缘膜260的接触孔CH4连接到第二连接电极250。

第一电极311、312和313可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射性的金属材料形成。如果显示装置100按底部发光型形成，则第一电极311、312和313可以由能透射光的诸如ITO和IZO这样的透明导电材料(TCO)或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料形成。如果显示装置100按顶部发光型形成，则第一电极311、312和313可以由诸如Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)这样的反射率高的金属材料形成。Ag合金可以是Ag、Pd和Cu的合金。第一电极311、312和313可以是阳极。

掩模图案281、282和283被设置在第二绝缘膜260上，以部分地覆盖第二绝缘膜260的开口区域OA1、OA2和OA3。掩模图案281、282和283包括第一掩模图案281、第二掩模图案282和第三掩模图案283。

第一掩模图案281包括突起281a，突起281a被设置在被平整膜270暴露而没有被覆盖的第二绝缘膜260上并且突出以部分地覆盖使第一电力线241部分暴露的第一开口区域OA1。此时，第一掩模图案281的突起281a与第一电力线241间隔开，以与第一电力线241形成空间。

第一掩模图案281被设置成接近被布置成通过插置第一开口区域OA1邻接第一子像素P1的子像素。使第一电力线241暴露的第一开口区域OA1可以被布置在第一子像素P1和第三子像素P3之间，但是不限于此。

如果第二绝缘膜260的第一开口区域OA1被布置在第三子像素P3和第一子像素P1之间，则第一掩模图案281可以突出，使得突起281a从第三子像素P3朝向第一开口区域OA1。因此，第一开口区域OA1的与第三子像素P3相邻的部分区域被第一掩模图案281覆盖，并且第一电力线241也被第一掩模图案281覆盖。第一开口区域OA1的与第一子像素P1相邻的另一区域仍然使第一电力线241暴露。

第一掩模图案281可以以与第一开口区域OA1相同的方式沿着第一电力线241设置。此时，第一掩模图案281可以按沿着第二方向(Y轴方向)具有预定长度的多个图案设置在一条第一电力线241上，如图6中所示。然而，第一掩模图案281不限于图6的示例。第一掩模图案281可以按在第二方向(Y轴方向)上延伸的一个线图案设置在一条第一电力线241上，如图7中所示。

此外，第一掩模图案281可以在与第一电极311、312和313相同的层上由与第一电极311、312和313的材料相同的材料形成，但是不限于此。

如图4和图5中所示，第一掩模图案281可以在与第一电极311、312和313相同的层上由与第一电极311、312和313的材料相同的材料形成。此时，第一掩模图案281可以与第一电极311、312和313间隔开。

如果第二绝缘膜260的第一开口区域OA1被布置在第三子像素P3和第一子像素P1之间，则第一掩模图案281与第三子像素P3的第一电极313间隔开，使得它没有与第三子像素P3的第一电极313电连接。第一掩模图案281可以被设置在平整膜270以及被平整膜270暴露而没有被覆盖的第二绝缘膜260上。

在这种情况下，在显示装置100中，第一掩模图案281在与第一电极311、312和313相同的层上由与第一电极311、312和313的材料相同的材料形成。结果，在没有增加单独处理的情况下形成第一掩模图案261。

然而，不限于这种情况，第一掩模图案281可以被设置在与第一电极311、312和313不同的层上。第一掩模图案281可以被设置在第二绝缘膜260和平整膜270之间。

第二掩模图案282包括突起282a，突起282a被设置在被平整膜270暴露而没有被覆盖的第二绝缘膜260上并且突出以部分地覆盖使第二电力线242部分暴露的第二开口区域OA2。此时，第二掩模图案282的突起282a与第二电力线242间隔开，以与第二电力线242形成空间。

第二掩模图案282被设置成接近被布置成通过插置第二开口区域OA2邻接第二子像素P2的子像素。使第二电力线242暴露的第二开口区域OA2可以被布置在第一子像素P1和第二子像素P2之间，但是不限于此。

如果第二绝缘膜260的第二开口区域OA2被布置在第一子像素P1和第二子像素P2之间，则第二掩模图案282可以突出，使得突起282a从第一子像素P1朝向第二开口区域OA2。因此，第二开口区域OA2的与第一子像素P1相邻的部分区域被第二掩模图案282覆盖，并且第二电力线242也被第二掩模图案282覆盖。第二开口区域OA2的与第二子像素P2相邻的另一区域仍然使第二电力线242暴露。

第二掩模图案282可以以与第二开口区域OA2相同的方式沿着第二电力线242设置。此时，第二掩模图案282可以按沿着第二方向(Y轴方向)具有预定长度的多个图案设置在一条第二电力线242上，如图6中所示。然而，第二掩模图案282不限于图6的示例。第二掩模图案282可以按在第二方向(Y轴方向)上延伸的一个线图案设置在一条第二电力线242上，如图7中所示。

此外，第二掩模图案282可以在与第一电极311、312和313相同的层上由与第一电极311、312和313的材料相同的材料形成，但是不限于此。

如图4和图5中所示，第二掩模图案282可以在与第一电极311、312和313相同的层上由与第一电极311、312和313的材料相同的材料形成。此时，第二掩模图案282可以与第一电极311、312和313间隔开。

如果第二绝缘膜260的第二开口区域OA2被布置在第一子像素P1和第二子像素P2之间，则第二掩模图案282与第一子像素P1的第一电极311间隔开，使得它没有与第一子像素P1的第一电极311电连接。第二掩模图案282可以被设置在平整膜270以及被平整膜270暴露而没有被覆盖的第二绝缘膜260上。

在这种情况下，在显示装置100中，第二掩模图案282在与第一电极311、312和313相同的层上由与第一电极311、312和313的材料相同的材料形成。结果，在没有增加单独处理的情况下形成第二掩模图案282。

然而，不限于这种情况，第二掩模图案282可以被设置在与第一电极311、312和313不同的层上。第二掩模图案282可以被设置在第二绝缘膜260和平整膜270之间。

第三掩模图案283包括突起283a，突起282a被设置在被平整膜270暴露而没有被覆盖的第二绝缘膜260上并且突出以部分地覆盖使第二连接电极250部分暴露的第三开口区域OA3。此时，第三掩模图案283的突起283a与第二连接电极250间隔开，以与第二连接电极250形成空间。

第三掩模图案283被设置成接近被布置成通过插置第三开口区域OA3邻接第三子像素P3的子像素。使第二连接电极250暴露的第三开口区域OA3可以被布置在第一子像素P1和第三子像素P3之间以及第二子像素P2和第三子像素P3之间，但是不限于此。

如果第二绝缘膜260的第三开口区域OA3被布置在第一子像素P1和第三子像素P3之间，则第三掩模图案283可以突出，使得突起283a从第一子像素P1朝向第三开口区域OA3。因此，第三开口区域OA2的与第一子像素P1相邻的部分区域被第三掩模图案283覆盖，并且第二连接电极250或第一绝缘膜220也被第三掩模图案283覆盖。第三开口区域OA3的与第三子像素P3相邻的另一区域仍然使第二连接电极250或第一绝缘膜220暴露。

另外，如果第二绝缘膜260的第三开口区域OA3被布置在第二子像素P2和第三子像素P3之间，则第三掩模图案283可以突出，使得突起283a从第二子像素P2朝向第三开口区域OA3。因此，第三开口区域OA2的与第二子像素P2相邻的部分区域被第三掩模图案283覆盖，并且第二连接电极250或第一绝缘膜220也被第三掩模图案283覆盖。第三开口区域OA3的与第三子像素P3相邻的另一区域仍然使第二连接电极250或第一绝缘膜220暴露。

第三掩模图案283可以以与第三开口区域OA3相同的方式被设置成围绕第三子像素P3，如图8和图9中所示。第三子像素P3的第二电极333可以通过第三掩模图案283与第一子像素P1的第二电极331和第二子像素P2的第二电极332断开。在根据本公开的第一实施方式的显示装置中，第三掩模图案283被设置成围绕第三子像素P3，使得第三子像素P3的第二电极333没有将第一子像素P1的第二电极331与第二子像素P2的第二电极332电连接。

此外，第三掩模图案283可以在与第一电极311、312和313相同的层上由与第一电极311、312和313的材料相同的材料形成，但是不限于此。

如图4和图5中所示，第三掩模图案283可以在与第一电极311、312和313相同的层上由与第一电极311、312和313的材料相同的材料形成。此时，第三掩模图案283可以与第一电极311、312和313间隔开。

如果第二绝缘膜260的第三开口区域OA3被布置在第一子像素P1和第三子像素P3之间，则第三掩模图案283与第一子像素P1的第一电极311间隔开，使得它没有与第一子像素P1的第一电极311电连接。第三掩模图案283可以被设置在平整膜270以及被平整膜270暴露而没有被覆盖的第二绝缘膜260上。

另外，如果第二绝缘膜260的第三开口区域OA3被布置在第二子像素P2和第三子像素P3之间，则第三掩模图案283与第二子像素P2的第二电极312间隔开，使得它没有与第二子像素P2的第二电极312电连接。第三掩模图案283可以被设置在平整膜270以及被平整膜270暴露而没有被覆盖的第二绝缘膜260上。

在这种情况下，在显示装置中，第三掩模图案283在与第一电极311、312和313相同的层上由与第一电极311、312和313的材料相同的材料形成。结果，在没有增加单独处理的情况下形成第三掩模图案283。

然而，不限于这种情况，第三掩模图案283可以被设置在与第一电极311、312和313不同的层上。第三掩模图案283可以被设置在第二绝缘膜260和平整膜270之间。

堤部315可以被设置在平整膜270上，以覆盖第一电极311、312和313的端部。因此，能避免由于集中在第一电极311、312和313的端部上的电流而导致发光效率劣化的问题。

此外，堤部315未被设置在第二绝缘膜260的开口区域OA1、OA2、OA3和OA4上。因此，第一连接电极241、242和360和第二连接电极250仍然可以被部分暴露。

另外，堤部315可以被设置在掩模图案281、282和283上。此时，可以设置堤部315，使得掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a可以被暴露而没有被覆盖。

如果堤部315被设置成覆盖掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a，则子像素P1、P2和P3的第一发光层321、322和323可以彼此连接而没有彼此断开。另外，子像素P1、P2和P3的第二电极331、332和333可以彼此连接而没有彼此断开。因此，可能存在的问题是：第一子像素P1的第二电极331没有连接到第一电力线241，第二子像素P2的第二电极332没有连接到第二电力线242，并且第三子像素P3的第二电极333没有连接到第二连接电极250。

在根据本发明的第一实施方式的显示装置中，堤部315被设置成使掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a暴露而不覆盖它们，从而没有造成问题。

堤部315限定多个子像素P1、P2和P3中的每一个中的发光区。即，第一电极311、312和313中的每一个的在子像素P1、P2和P3中的每一个中没有设置堤部315的暴露区域变为发光区。尽管堤部315可以由相对薄的无机绝缘膜制成，但是堤部315可以由相对厚的有机绝缘膜制成。

第一发光层321、322和323被设置在第一电极311、312和313上。第一发光层321、322和323可以被设置在堤部315上。第一发光层321、322和323可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在这种情况下，第一发光层321、322和323的空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层，并且在发光层中彼此复合以发射预定颜色的光。

第一发光层321、322和323中的每一个可以是用于发射红光的红色发光层、用于发射绿光的绿色发光层、用于发射蓝光的蓝色发光层和用于发射黄光的黄色发光层中的任一个，但是不限于此。

第一发光层321、322和323在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中是断开的。在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中设置有掩模图案281、282和283。第一发光层321、322和323可以通过掩模图案281、282和283彼此断开。

更详细地，第一发光层321、322和323可以在第一子像素P1和第二子像素P2之间通过第二掩模图案282断开。如果第一发光层321、322和323在没有掩模的情况下被沉积在整个表面上，则沉积在第一子像素P1上的第一发光层321可能由于第二掩模图案282的突起282a与第二电力线242之间的台阶差异而在第二掩模图案282的突起282a上断开，如图4和图10中所示。沉积在第二子像素P2上的第一发光层322可以进入第二掩模图案282的突起282a与第二电力线242之间的间隔，然后可以被设置在第二掩模图案282的突起282a下方，如图4和图10中所示。

在根据本公开的第一实施方式的显示装置中，优选的是，第一子像素P1的第一发光层321和第二子像素P2的第一发光层322彼此断开，而没有彼此接触。为此原因，如果第二电极331、332和333被完全沉积在第一发光层321、322和323上，则能够确保沉积在第二子像素P2上的第二电极332可以进入第二掩模图案282的突起282a与第二子像素P2的第一发光层322之间的空间。

另外，第一发光层321、322和323可以通过第三掩模图案283在第二子像素P2和第三子像素P3之间断开。如果第一发光层321、322和323在没有掩模的情况下被沉积在整个表面上，则沉积在第二子像素P2上的第一发光层322可能由于第三掩模图案283的突起283a和第二连接电极250之间的台阶差异而在第三掩模图案283的突起283a上断开，如图4和图10中所示。沉积在第三子像素P3上的第一发光层323可以进入第三掩模图案283的突起283a与第二连接电极250之间的间隔，然后可以被设置在第三掩模图案283的突起283a下方，如图4和图10中所示。

在根据本公开的第一实施方式的显示装置中，优选的是，第二子像素P2的第一发光层322和第三子像素P3的第一发光层323彼此断开，而没有彼此接触。为此原因，如果第二电极331、332和333被完全沉积在第一发光层321、322和323上，则能够确保沉积在第三子像素P3上的第二电极333可以进入第三掩模图案283的突起283a与第三子像素P3的第一发光层323之间的空间。

另外，第一发光层321、322和323之间可以通过第三掩模图案283和第一掩模图案281在第一子像素P1和第三子像素P3之间断开。第三掩模图案283和第一掩模图案281可以在第一子像素P1和第三子像素P3之间被设置成彼此间隔开，如图5中所示。此时，第一掩模图案281包括突起281a，突起281a在第一子像素P1的方向上从第一子像素P1突出，覆盖第一开口区域OA1的一部分。第三掩模图案283包括突起283a，突起283a在第三子像素P3的方向上从第三子像素P3突出，覆盖第三开口区域OA3的一部分。

如果第一发光层321、322和323在没有掩模的情况下被沉积在整个表面上，则沉积在第三子像素P3上的第一发光层323可以进入第三掩模图案283的突起283a与第一绝缘膜220之间的间隔，然后可以被设置在第三掩模图案283的突起283a下方，如图5和图10中所示。沉积在第一子像素P1上的第一发光层321可以进入第一掩模图案281的突起281a与第一电力线241之间的间隔，然后可以被设置在第一掩模图案281的突起281a下方，如图5和图10中所示。

第二电极331、332和333被设置在第一发光层321、322和323上。第二电极331、332和333在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中断开。在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中设置有掩模图案281、282和283。第一发光层321、322和323可以通过掩模图案281、282和283彼此断开。

更详细地，第二电极331、332和333之间可以通过第二掩模图案282在第一子像素P1和第二子像素P2之间断开。如果第二电极331、332和333被沉积在整个表面上，则沉积在第一子像素P1上的第二电极331可能由于第二掩模图案282的突起282a与第二电力线242之间的台阶差异而在第二掩模图案282的突起282a上断开，如图4和图10中所示。

沉积在第二子像素P2上的第二发光层332可以进入第二掩模图案282的突起282a与第一发光层322之间的间隔，然后可以被设置在第二掩模图案282的突起282a下方，如图4和图10中所示。此时，第二子像素P2的第二电极332可以在比第一发光层322宽的区域处沉积在第二掩模图案282的突起282a下方。因此，第二子像素P2的第二电极332可以连接到第二电力线242。

由于第二子像素P2的第二电极332连接到第二电力线242，因此第二电极332和第三电极350可以通过第二电力线242和辅助电力线360彼此电连接。为此原因，如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压可以被施加到第二子像素P2的第二电极332。此时，第二子像素P2的第二电极332可以是阴极。

尽管图4和图10例示了第一子像素P1的第二电极331与第二子像素P2的第二电极332彼此断开而没有彼此接触，但是本公开不限于图4和图10的示例。第一子像素P1的第二电极331和第二子像素P2的第二电极332都是阴极，并且可以向其施加公共电压。第一子像素P1的第二电极331和第二子像素P2的第二电极332可以被设置成彼此接触，然后彼此电连接。

另外，第二电极331、332和333可以通过第三掩模图案283在第二子像素P2和第三子像素P3之间断开。如果第二电极331、332和333被沉积在整个表面上，则沉积在第二子像素P2上的第二电极332可能由于第三掩模图案283的突起283a与第一发光层283a之间的台阶差异而在第三掩模图案283的突起283a上断开，如图4和图10中所示。

沉积在第三子像素P3上的第二电极333可以进入第三掩模图案283的突起283a与第一发光层323之间的间隔，然后可以被设置在第三掩模图案283的突起283a下方，如图4和图10中所示。此时，第三子像素P3的第二电极333可以在比第一发光层323宽的区域处沉积在第三掩模图案283的突起283a下方。因此，第三子像素P3的第二电极333可以连接到第二连接电极250。

由于第三子像素P3的第二电极333连接到第二电力线250，因此第二电极333和第一电极313可以通过第二连接电极250彼此电连接。为此原因，如果第三高电位电压被施加到第一电极313，则与第一电极313相同的第三高电位电压可以被施加到第三子像素P3的第二电极333。此时，第三子像素P3的第二电极333可以是阳极。

在根据本公开的第一实施方式的显示装置中，优选的是，第二子像素P2的第二电极332和第三子像素P3的第二电极333彼此断开，而没有彼此接触。如上所述，第二子像素P2的第二电极332是阴极，并且第三子像素P3的第二电极333是阳极。在这种情况下，如果第二子像素P2的第二电极332与第三子像素P3的第二电极333彼此接触，则在第二子像素P2的第二电极332与第三子像素P3的第二电极333之间发生短路，由此显示装置没有被正常驱动。

另外，第二电极331、332和333可以通过第三掩模图案283和第一掩模图案281在第一子像素P1和第三子像素P3之间断开。

如果第二电极331、332和333被沉积在整个表面上，则第二电极333可以进入第三掩模图案283的突起283a与第一发光层323之间的间隔，然后可以被设置在第三掩模图案283的突起283a下方，如图5和图10中所示。

此时，第三子像素P3的第二电极333可以在比第一发光层323宽的区域处沉积在第三掩模图案283的突起283a下方。尽管图5例示了第二连接电极250没有设置在第一子像素P1和第三子像素P3之间，但是本公开不限于图5的示例。第二连接电极250可以被设置在第一子像素P1和第三子像素P3之间，如图9中所示。在这种情况下，第三子像素P3的第二电极333可以连接到第一子像素P1和第三子像素P3之间的第二连接电极250。

沉积在第一子像素P1上的第二电极331可以进入第一掩模图案281的突起281a与第一发光层321之间的间隔，然后可以被设置在第一掩模图案281的突起281a下方，如图5和图10中所示。

此时，第一子像素P1的第二电极331可以在比第一发光层321宽的区域处沉积在第一掩模图案281的突起281a下方。因此，第一子像素P1的第二电极331可以连接到第一电力线241。

由于第一子像素P1的第二电极331连接到第一电力线241，因此第二电极331和第三电极350可以通过第一电力线241和辅助电力线360彼此电连接。为此原因，如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压可以被施加到第一子像素P1的第二电极331。此时，第一子像素P1的第二电极331可以是阴极。

第二电极331、332和333可以由能透射光的诸如ITO和IZO这样的透明导电材料(TCO)或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料形成。

第二发光层340被设置在第二电极331、332和333上。第二发光层340可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在这种情况下，第二发光层340的空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层，并且在发光层中彼此复合以发射预定颜色的光。

第二发光层340可以是用于发射红光的红色发光层、用于发射绿光的绿色发光层、用于发射蓝光的蓝色发光层和用于发射黄光的黄色发光层中的任一个，但是不限于此。

然而，第二发光层340可以发射颜色与第一发光层321、322和323的颜色不同的光。如果第一发光层321、322和323是用于发射第一颜色的光的发光层，则第二发光层340可以是用于发射与第一颜色不同的第二颜色的光的发光层。例如，第一发光层321、322和323可以是用于发射黄光的黄色发光层，并且第二发光层340可以是用于发射蓝光的蓝色发光层。

与第一发光层321、322和323不同，第二发光层340在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中是连接的。第二发光层340可以被形成为部分地填充掩模图案281、282和283与第二电极331、332和333之间的空间。此时，可以在掩模图案281、282和283和第二电极331、332和333之间未填充第二发光层340的空间中形成气隙AG。

第三电极350被设置在第二发光层340上。第三电极350可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射性的金属材料形成。如果显示装置100按底部发光型形成，则第三电极350可以由诸如Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)这样的反射率高的金属材料形成。Ag合金可以是Ag、Pd和Cu的合金。如果显示装置100按顶部发光型形成，则第三电极350可以由能透射光的诸如ITO和IZO这样的透明导电材料(TCO)或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料形成。第三电极350可以是阴极。

根据本公开的第一实施方式的显示装置的特征在于，来自第一子像素P1、P2和P3中的每一个的第一发光层321、322和323以及第二发光层340中的一个发光。

更详细地，第一子像素P1的第一发光层321发光。由于第一子像素P1的第二电极331连接到第一电力线241，因此第二电极331和第三电极350通过第一电力线241和辅助电力线360彼此电连接。如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压被施加到第一子像素P1的第二电极331。因此，设置在第一子像素P1的第二电极331和第三电极350之间的第二发光层340不发光。

此外，在第一子像素P1中，如果第一高电位电压被施加到第一电极311并且低电位电压被施加到第二电极331，则设置在第一电极311和第二电极331之间的第一发光层321按照预定电流发射预定亮度的光。

在第二子像素P2中，第一发光层322发光。由于第二子像素P2的第二电极332连接到第二电力线242，因此第二电极332和第三电极350通过第二电力线242和辅助电力线360彼此电连接。如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压被施加到第二子像素P2的第二电极332。因此，设置在第二子像素P2的第二电极332和第三电极350之间的第二发光层340不发光。

此外，在第二子像素P2中，如果第二高电位电压被施加到第一电极312并且低电位电压被施加到第二电极332，则设置在第一电极312和第二电极332之间的第一发光层322按照预定电流发射预定亮度的光。

即，在第一子像素P1和第二子像素P2中，第一发光层321和322发射相同颜色的光。根据本公开的第一实施方式的显示装置还可以包括滤色器(未示出)，以从第一子像素P1和第二子像素P2发射不同颜色的光。

滤色器(未示出)可以包括被布置成与第一子像素P1对应的第一滤色器和被布置成与第二子像素P2对应的第二滤色器。第一滤色器和第二滤色器能透射不同颜色的光。

例如，第一发光层321、322和323可以是用于发射黄光的黄色发光层。第一滤色器可以是用于透射红光的红色滤色器，并且第二滤色器可以是用于透射绿光的绿色滤色器。因此，第一子像素P1能发射红光，并且第二子像素P2能发射绿光。

滤色器可以按照显示装置100的发光类型布置在第一电极311、312和313的下方或第三电极350上。如果显示装置100是底部发光型，则滤色器可以被设置在第一电极311、312和313下方。如果显示装置100是顶部发光型，则滤色器可以被设置在第三电极350上。

在第三子像素P3中，第二发光层340发光。由于第三子像素P3的第二电极333连接到第二连接电极250，因此第一电极313和第二电极333通过第二连接电极250彼此电连接。如果第三高电位电压被施加到第一电极313，则与第一电极313相同的第三高电位电压被施加到第三子像素P3的第二电极333。因此，设置在第三子像素P3的第一电极313和第二电极333之间的第二发光层323不发光。

此外，在第三子像素P3中，如果第三高电位电压被施加到第二电极333并且低电位电压被施加到第三电极350，则设置在第二电极333和第三电极350之间的第二发光层340按照预定电流发射预定亮度的光。

例如，第三子像素P3可以是用于发射蓝光的蓝色发光层。在这种情况下，显示装置100能实现蓝色子像素，而没有在与第三子像素P3对应的位置中设置单独的滤色器。

如上所述，在根据本公开的第一实施方式的显示装置100中，在第一子像素P1和第二子像素P2中只有第一发光层321、322和323发光，并且在第三子像素P3中只有第二发光层340可以发光。为此原因，在根据本公开的第一实施方式的显示装置100中，与在所有子像素中第一发光层321、322和323以及第二发光层340全部都发光的情况相比，功耗能够显著地降低。

另外，在根据本公开的第一实施方式的显示装置100中，第一发光层321、322和323以及第二发光层340在没有掩模的情况下被设置在子像素P1、P2和P3的整个表面上。因此，在根据本公开的第一实施方式的显示装置100中，能够解决根据不同的发光层被设置成使用掩模针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化的情况的问题。

另外，在根据本公开的第一实施方式的显示装置100中，第二电极331、332和333之间可以通过掩模图案281、282和283在子像素P1、P2和P3当中断开。在根据本公开的第一实施方式的显示装置100中，设置有掩模图案281、282和283，并且第一发光层321、322和323以及第二电极331、332和333在没有掩模的情况下被设置在设置有掩模图案281、282和283的第一基板111的整个表面上。第一发光层321、322和323以及第二电极331、332和333通过掩模图案281、282和283在子像素P1、P2和P3当中断开。特别地，第二电极331、332和333在掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a下方连接到第一电力线241、第二电力线242和第二连接电极250中的任一个。

参照图10，在根据本公开的第一实施方式的显示装置100中，第二绝缘膜260的厚度T1可以被设计成使得第二电极331、332和333在子像素P1、P2和P3当中断开并且第二发光层340在子像素P1、P2和P3当中连接而没有断开。此时，第二绝缘膜260的厚度T1可以对应于掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a与第一电力线241、第二电力线242和第二连接电极250中的任一个之间间隔开的距离。

第二绝缘膜260的厚度T1可以被设计成大于第一发光层321、322和323的厚度T3与第二电极331、332和333的厚度T2之和。因此，在根据本公开的第一实施方式的显示装置100中，能够防止第二电极331、332和333在子像素P1、P2和P3当中彼此连接。

第二绝缘膜260的厚度T1可以被设计成小于第一发光层321、322和323的厚度T3、第二电极331、332和333的厚度T2与第二发光层340的厚度T4之和。因此，在根据本公开的第一实施方式的显示装置100中，能够防止子第二发光层340在像素P1、P2和P3当中断开。

此外，在根据本公开的第一实施方式的显示装置100中，能适当地设计掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a的长度L1。如果掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a的长度L1变得太长，则掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a可能由于重量而下垂。在这种情况下，无法确保在掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a下方有足以形成第一发光层321、322和323以及第二电极331、332和333的空间。

此外，在根据本公开的第一实施方式的显示装置100中，如果掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a的长度L1变得太短，则第二电极331、332和333与第一电力线241、第二电力线242和第二连接电极250中的任一个之间的接触面积能减小。在这种情况下，第二电极331、332和333与第一电力线241、第二电力线242和第二连接电极250中的任一个之间的电阻能增大。

第二实施方式

图13是简要例示根据本公开的第二实施方式的第一基板的平面图，图14是例示沿着图13的线V-V截取的示例的截面图，并且图15是简要例示第一子像素和第二子像素的示例的平面图。

参照图13至图15，根据本公开的第二实施方式的显示面板110包括第一基板111、遮光层210、第一绝缘膜220、驱动晶体管230、第一连接电极241、242和360、第二连接电极250、第二绝缘膜260、平整膜270、掩模图案281、282和283、第一电极311、312和313、堤部315、第一发光层321、322和323、第二电极331、332和333、第二发光层340和第三电极350。

根据本公开的第二实施方式的显示面板110与图3至图12中示出的根据本公开的第一实施方式的显示面板110的不同之处在于，第一连接电极的第一电力线241和第二电力线242形成为一体。因此，根据本公开的第二实施方式的显示面板110的除了第一连接电极241、242和360以及掩模图案281、282和283之外的元件与根据本公开的第一实施方式的显示面板110的元件基本上相同。下文中，将省略对根据本公开的第二实施方式的显示面板110的第一基板111、遮光层210、第一绝缘膜220、驱动晶体管230、第二绝缘膜260、平整膜270、第一电极311、312和313、堤部315、第一发光层321、322和323、第二电极331、332和333、第二发光层340和第三电极350的详细描述。

第一连接电极241、242和360以及第二连接电极250被设置在第一基板111上。

第一连接电极241、242和360将第一子像素P1和第二子像素P2的第二电极331和332和第三电极350彼此电连接。更详细地，第一连接电极241、242和360可以包括第一电力线241、第二电力线242和辅助电力线360。

辅助电力线360被设置成从非显示区NDA向第一方向(X轴方向)延伸。辅助电力线360可以被第一绝缘膜220、第二绝缘膜260和平整膜270部分暴露而没有被覆盖，并且可以在被暴露的区域处与第三电极350连接。

第一电力线241被布置在显示区DA中的第一子像素P1和第二子像素P2之间，然后与第一子像素P1的第二电极331连接。第二电力线242被布置在显示区DA中的第一子像素P1和第二子像素P2之间，然后与第二子像素P2的第二电极332连接。此时，在根据本公开的第二实施方式的显示装置100中，第一电力线241和第二电力线242被形成为一体。

第一电力线241和第二电力线可以被设置成从显示区DA向第二方向(Y轴方向)延伸。第一电力线241的一端和第二电力线242的一端连接到辅助电力线360。此时，第一电力线241和第二电力线242可以穿过接触孔连接到辅助电力线360，但是不限于此。

第一电力线241和第二电力线242中的每一条可以在与驱动晶体管230的有源层、栅极、源极和漏极中的任一个相同的层上由与驱动晶体管230的有源层、栅极、源极和漏极中的任一个的材料相同的材料形成。

按照前述描述，第一子像素P1的第二电极331和第三电极350通过第一电力线241、第二电力线242和辅助电力线360彼此电连接。即，如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压被施加到第一子像素P1的第二电极331。

第二子像素P2的第二电极332和第三电极350通过第一电力线241、第二电力线242和辅助电力线360彼此电连接。即，如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压被施加到第二子像素P2的第二电极332。

掩模图案281、282和283被设置在第二绝缘膜260上，以部分地覆盖第二绝缘膜260的开口区域OA1、OA2和OA3。掩模图案281、282和283包括第一掩模图案281、第二掩模图案282和第三掩模图案283。

第一掩模图案281被布置在第一子像素P1和第二子像素P2之间。特别地，第一掩模图案281被设置在用于使第一电力线241部分暴露的第一开口区域OA1和用于使第二电力线242部分暴露的第二开口区域OA2之间所设置的第二绝缘膜260上。

第一掩模图案281包括突出以部分地覆盖第一开口区域OA1的突起281a。此时，第一掩模图案281的突起281a与第一电力线241间隔开，以与第一电力线241形成空间。

第一掩模图案281可以突出，使得突起281a从第二子像素P2朝向第一子像素P1。因此，第一开口区域OA1的与第二子像素P2相邻的部分区域被第一掩模图案281覆盖，并且第一电力线241也被第一掩模图案281覆盖。第一开口区域OA1的与第一子像素P1相邻的另一区域仍然使第一电力线241暴露。

第一掩模图案281可以以与第一开口区域OA1相同的方式沿着第一电力线241设置。此时，第一掩模图案281可以按沿着第二方向(Y轴方向)具有预定长度的多个图案设置在第一电力线241上。然而，并不限于该示例，第一掩模图案281可以按在第二方向(Y轴方向)上延伸的一个线图案设置在一条第一电力线241上。

此外，第一掩模图案281可以在与第一电极311、312和313相同的层上由与第一电极311、312和313的材料相同的材料形成，但是不限于此。

第二掩模图案282被设置在第一子像素P1和第二子像素P2之间。特别地，第二掩模图案282被设置在用于使第一电力线241部分暴露的第一开口区域OA1和用于使第二电力线242部分暴露的第二开口区域OA2之间所设置的第二绝缘膜260上。此时，在根据本公开的第二实施方式的显示装置100中，第一掩模图案281和第二掩模图案282可以被形成为一体。

第二掩模图案282包括突出以部分地覆盖第二开口区域OA2的突起282a。此时，第二掩模图案282的突起282a与第二电力线242间隔开，以与第二电力线242形成空间。

第二掩模图案282可以突出，使得突起282a从第一子像素P1朝向第二子像素P2。因此，第二开口区域OA2的与第一子像素P1相邻的部分区域被第二掩模图案282覆盖，并且第二电力线242也被第二掩模图案282覆盖。第二开口区域OA2的与第二子像素P2相邻的另一区域仍然使第二电力线242暴露。

第二掩模图案282可以以与第二开口区域OA2相同的方式沿着第二电力线242设置。此时，第二掩模图案282可以按沿着第二方向(Y轴方向)具有预定长度的多个图案设置在第二电力线242上。然而，并不限于该示例，第二掩模图案282可以按在第二方向(Y轴方向)上延伸的一个线图案设置在一条第二电力线242上。

此外，第二掩模图案282可以在与第一电极311、312和313相同的层上由与第一电极311、312和313的材料相同的材料形成，但是不限于此。

第三实施方式

图16是简要例示根据本公开的第三实施方式的第一基板的平面图，图17是例示沿着图16的线VI-VI截取的示例的截面图，图18是例示沿着图16的线VII-VII截取的示例的截面图，图19是简要例示第一子像素和第二子像素的示例的平面图，图20是例示图19的修改例的平面图，图21是简要例示第三子像素的示例的平面图，图22是例示图17的区域B的示例的放大图，图23是例示沿着图16的线VIII-VIII截取的示例的截面图，图24是例示沿着图16的线IX-IX截取的示例的截面图，图25是例示图17的修改例的平面图，并且图26是例示图17的另一修改例的平面图。

参照图16至图26，根据本公开的第三实施方式的显示面板110包括第一基板111、遮光层210、第一绝缘膜220、驱动晶体管230、第一连接电极241、242和360、第三连接电极255、第二绝缘膜260、平整膜270、掩模图案281、282和283、第一电极311和312、堤部315、第一发光层321、322和323、第二电极331、332和333、第二发光层340和第三电极350。

下文中，为了便于描述，将省略对与图3至图12中示出的根据本公开的第一实施方式的显示面板110的元件基本上相同的元件的详细描述。

第一基板111可以由玻璃或塑料制成，但是不限于此。第一基板111可以由诸如硅晶圆这样的半导体材料制成。第一基板111可以由透明材料或不透明材料制成。

第一基板111被分为显示区DA和非显示区NDA。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3可以被设置在第一基板111的显示区DA上。第一子像素P1可以被设置成发射红光，第二子像素P2可以被设置成发射绿光，并且第三子像素P3可以被设置成发射蓝光。然而，这些子像素不限于这种情况。另外，第四子像素可以被设置在基板111的显示区DA上，以发射白(W)光。另外，子像素P1、P2和P3的布置顺序可以按各种方式改变。

针对子像素P1、P2和P3中的每一个，包括各种信号线、驱动晶体管230和电容器的电路二极管被设置在第一基板111上。信号线可以包括选通线、数据线、电力线和参考线。

针对子像素P1、P2和P3中的每一个设置驱动晶体管230。一个第一晶体管232被设置在第一子像素P1中，另外的一个第二晶体管234被设置在第二子像素P2中，并且另外的一个第三晶体管可以被设置在第三子像素P3中。

如果选通信号被输入到选通线，则驱动晶体管230按照数据线的数据电压向第一电极311和312供应预定电压。驱动晶体管230包括有源层、栅极、源极和漏极。

第一连接电极241、242和360以及第三连接电极255被设置在第一基板111上。

第一连接电极241、242和360将第一子像素P1和第二子像素P2的第二电极331和332和第三电极350彼此电连接。更详细地，第一连接电极241、242和360可以包括第一电力线241、第二电力线242和辅助电力线360。

辅助电力线360被设置成从非显示区NDA向第一方向(X轴方向)延伸。如图23和图24中所示，辅助电力线360可以被第一绝缘膜220、第二绝缘膜260和平整膜270部分暴露而没有被覆盖，并且可以在被暴露的区域处与第三电极350连接。

辅助电力线360可以由与遮光层210的材料相同的材料形成在与遮光层210相同的层上，但是不限于此。辅助电力线360可以在与有源层、栅极、源极和漏极中的任一个的层相同的层上由与有源层、栅极、源极和漏极中的任一个的材料相同的材料形成。

第一电力线241被布置在显示区DA中的第一子像素P1的一侧，然后与第一子像素P1的第二电极331连接。尽管在图17至图20中第一电力线241被布置在第一子像素P1和第三子像素P3之间，但是第一电力线241不限于图17至图20的示例。第一电力线241可以被布置在第一子像素P1和第二子像素P2之间。

第一电力线241可以被设置成从显示区DA向第二方向(Y轴方向)延伸。多个第一子像素P1可以沿着第二方向与第一电力线241平行地布置。在这种情况下，第一电力线241可以与并联布置的所有第一子像素P1的第二电极331连接，或者可以与第一子像素P1中的一些的第二电极331连接。

此外，多个第一子像素P1可以沿着第二方向与多个第二子像素P2交替地布置。在这种情况下，第一电力线241可以连接到所有多个第一子像素P1的第二电极331，或者可以连接到多个第一子像素P1中的一些的第二电极331。另选地，第一电力线241可以连接到所有多个第一子像素P1和多个第二子像素P2的第二电极331和332，或者可以连接到多个第一子像素P1和多个第二子像素P2中的一些的第二电极331和332。

第一电力线241的一端连接到辅助电力线360。第一电力线241可以穿过接触孔连接到(但不限于)辅助电力线360，如图23中所示。

第一电力线241可以在与第一驱动晶体管230的有源层、栅极、源极和漏极中的任一个相同的层上由与第一驱动晶体管230的有源层、栅极、源极和漏极中的任一个的材料相同的材料形成。

按照前述描述，第一子像素P1的第二电极331和第三电极350通过第一电力线241和辅助电力线360彼此电连接。即，如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压被施加到第一子像素P1的第二电极331。

第二电力线242被布置在显示区DA中的第二子像素P2的一侧，然后与第二子像素P2的第二电极332连接。尽管在图17至图20中第二电力线242被布置在第一子像素P1和第二子像素P2之间，但是第二电力线242不限于图17至图20的示例。第二电力线242可以被布置在第二子像素P2和第三子像素P3之间。

第二电力线242可以被设置在显示区DA中，并且可以向第二方向(Y轴方向)延伸。多个第二子像素P2可以沿着第二方向与第二电力线242平行地布置。在这种情况下，第二电力线242可以与并联布置的所有第二子像素P2的第二电极332连接，或者可以与一些第二子像素P2的第二电极332连接。

此外，多个第二子像素P2可以沿着第二方向与多个第一子像素P1交替地布置。在这种情况下，第二电力线242可以连接到所有多个第二子像素P2的第二电极332，或者可以连接到多个第二子像素P2中的一些的第二电极332。另选地，第二电力线242可以连接到所有多个第一子像素P1和多个第二子像素P2的第二电极331和332，或者可以连接到多个第一子像素P1和多个第二子像素P2中的一些的第二电极331和332。

第二电力线242的一端连接到辅助电力线360。第二电力线242可以穿过接触孔连接到(但不限于)辅助电力线360，如图23中所示。

第二电力线242可以在与第二晶体管234的有源层、栅极、源极和漏极中的任一个相同的层上由与第二晶体管234的有源层、栅极、源极和漏极中的任一个的材料相同的材料形成。

按照前述描述，第二子像素P2的第二电极332和第三电极350通过第二电力线242和辅助电力线360彼此电连接。即，如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压被施加到第二子像素P2的第二电极332。

第三连接电极255电连接到第三子像素P3的第二电极333。

第三连接电极255被布置在显示区DA中的第三子像素P3的一侧，并且与第三子像素P3的第二电极333连接。

尽管图17、图18和图21例示了第三连接电极255被布置在第二子像素P2和第三子像素P3之间，但是第三连接电极255不限于图17、图18和图21的示例。第三连接电极255可以被布置在第三子像素P3和第一子像素P1之间。

第三连接电极255可以被图案化成与多个第三子像素P3中的每一个对应。此时，被设置成与多个第三子像素P3中的每一个对应的第三连接电极255彼此间隔开，以便不彼此电连接，如图16中所示。一个第三子像素P3可以与一个第三连接电极253连接，而另外的一个第三子像素P3可以与另外的一个第三连接电极254连接。此时，一个第三连接电极253和另外的一个第三连接电极254可以被图案化并且彼此间隔开，以便不彼此电连接。

第三连接电极255可以是第三晶体管的源极和漏极中的任一个。

第二绝缘膜260被设置在第一晶体管232和第二晶体管234、第一连接电极241、242和360以及第三连接电极255上。第二绝缘膜260覆盖第一晶体管232和第二晶体管234以保护第一晶体管232和第二晶体管234，并且同时使第一连接电极241、242和360和第三连接电极255部分暴露。

更详细地，第二绝缘膜260包括使第一连接电极241、242和360和第三连接电极255部分暴露的开口区域OA1、OA2、OA3和OA4。

第二绝缘膜260可以包括用于使第一电力线241部分暴露的第一开口区域OA1，如图17和图18中所示。第一开口区域OA1可以被沿着第一电力线241设置。此时，第一开口区域OA1可以按沿着第二方向(Y轴方向)具有预定长度的一个或多个图案被设置在第一电力线241上。

另外，第二绝缘膜260可以包括用于使第二电力线242部分暴露的第二开口区域OA2，如图17和图18中所示。第二开口区域OA2可以被沿着第二电力线242设置。此时，第二开口区域OA2可以按沿着第二方向(Y轴方向)具有预定长度的一个或多个图案被设置在一条第二电力线242上。

另外，第二绝缘膜260可以包括用于使第三连接电极255部分暴露的第三开口区域OA3，如图17和图18中所示。第三开口区域OA3可以被设置成围绕第三子像素P3。因此，第三开口区域OA3使其中设置有第三连接电极255的区域中的第三连接电极255部分暴露，并且使其中没有设置第三连接电极255的区域中的第一绝缘膜220暴露。

另外，第二绝缘膜260可以包括用于使辅助电力线360部分暴露的第四开口区域OA4，如图23和图24中所示。辅助电力线360被第一绝缘膜220部分暴露，并且第四开口区域OA4可以被设置在被暴露的辅助电力线360上。

第二绝缘膜260可以由无机膜(例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜)形成。

平整膜270被设置在第二绝缘膜260上，以使由于驱动晶体管230导致的台阶差平整。此时，平整膜270未被设置在第二绝缘膜260的开口区域OA1、OA2、OA3和OA4上。因此，第一连接电极241、242和360和第三连接电极255仍然可以被部分暴露。

平整膜270可以具有比第二绝缘膜260小的形成区域。因此，平整膜270可以使第二绝缘膜260部分暴露。此时，第二绝缘膜260可以在与开口区域OA1、OA2、OA3和OA4相邻的区域中被暴露，而没有被平整膜270覆盖。

平整膜270可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂这样的有机膜形成。

第一电极311和312被设置成针对子像素P1、P2和P3中的每一个在平整膜270上被图案化。一个第一电极311被设置在第一子像素P1上，并且另一个第一电极312被设置在第二子像素P2上。

根据本公开的第三实施方式的显示装置100的特征在于，第一电极311和312没有设置在第三子像素P3上。因此，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，能提高第三子像素P3中的透射率。特别地，如果显示装置100按底部发光型设置，则由于从第三子像素P3的第二发光层340发射的光不能穿过第一电极311和312，因此能提高光效率。

第一电极311和312通过分别穿过第二绝缘膜260和平整膜270的接触孔CH1和CH2连接到第一晶体管232和第二晶体管234中的每一个的源极或漏极。第一子像素P1的第一电极311穿过接触孔CH1连接到第一晶体管232的源极或漏极，由此第一高电位电压被施加到第一子像素P1的第一电极311。第二子像素P2的第一电极312穿过接触孔CH2连接到第二晶体管234的源极或漏极，由此第二高电位电压被施加到第二子像素P2的第一电极312。

第一电极311和312可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射性的金属材料形成。如果显示装置100按底部发光型形成，则第一电极311和312可以由能透射光的诸如ITO和IZO这样的透明导电材料(TCO)或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料形成。如果显示装置100按顶部发光型形成，则第一电极311和312可以由诸如Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)这样的反射率高的金属材料形成。Ag合金可以是Ag、Pd和Cu的合金。第一电极311和312可以是阳极。

掩模图案281、282和283被设置在第二绝缘膜260上，以部分地覆盖第二绝缘膜260的开口区域OA1、OA2和OA3。掩模图案281、282和283包括第一掩模图案281、第二掩模图案282和第三掩模图案283。

第一掩模图案281包括突起281a，突起281a被设置在被平整膜270暴露而没有被覆盖的第二绝缘膜260上并且突出以部分地覆盖使第一电力线241部分暴露的第一开口区域OA1。此时，第一掩模图案281的突起281a与第一电力线241间隔开，以与第一电力线241形成空间。

第一掩模图案281被设置成接近被布置成通过插置第一开口区域OA1邻接第一子像素P1的子像素。使第一电力线241暴露的第一开口区域OA1可以被布置在第一子像素P1和第三子像素P3之间，但是不限于此。

如果第二绝缘膜260的第一开口区域OA1被布置在第三子像素P3和第一子像素P1之间，则第一掩模图案281可以突出，使得突起281a从第三子像素P3朝向第一开口区域OA1。因此，第一开口区域OA1的与第三子像素P3相邻的部分区域被第一掩模图案281覆盖，并且第一电力线241也被第一掩模图案281覆盖。第一开口区域OA1的与第一子像素P1相邻的另一区域仍然使第一电力线241暴露。

第一掩模图案281可以以与第一开口区域OA1相同的方式沿着第一电力线241设置。此时，第一掩模图案281可以按沿着第二方向(Y轴方向)具有预定长度的多个图案设置在一条第一电力线241上，如图19中所示。然而，第一掩模图案281不限于图19的示例。第一掩模图案281可以按沿着第二方向(Y轴方向)延伸的一个线图案设置在一条第一电力线241上，如图20中所示。

此外，第一掩模图案281可以在与第一电极311和312相同的层上由与第一电极311和312的材料相同的材料形成，但是不限于此。

如图17和图18中所示，第一掩模图案281可以在与第一电极311和312相同的层上由与第一电极311和312的材料相同的材料形成。此时，第一掩模图案281可以与第一电极311和312间隔开。

在这种情况下，在显示装置中，第一掩模图案281在与第一电极311和312相同的层上由与第一电极311和312的材料相同的材料形成。结果，在没有增加单独处理的情况下形成第一掩模图案261。

然而，不限于这种情况，第一掩模图案281可以被设置在与第一电极311和312不同的层上。第一掩模图案281可以被设置在第二绝缘膜260和平整膜270之间。

第二掩模图案282包括突起282a，突起282a被设置在被平整膜270暴露而没有被覆盖的第二绝缘膜260上并且突出以部分地覆盖使第二电力线242部分暴露的第二开口区域OA2。此时，第二掩模图案282的突起282a与第二电力线242间隔开，以与第二电力线242形成空间。

第二掩模图案282被设置成接近被布置成通过插置第二开口区域OA2邻接第二子像素P2的子像素。使第二电力线242暴露的第二开口区域OA2可以被布置在第一子像素P1和第二子像素P2之间，但是不限于此。

如果第二绝缘膜260的第二开口区域OA2被布置在第一子像素P1和第二子像素P2之间，则第二掩模图案282可以突出，使得突起282a从第一子像素P1朝向第二开口区域OA2。因此，第二开口区域OA2的与第一子像素P1相邻的部分区域被第二掩模图案282覆盖，并且第二电力线242也被第二掩模图案282覆盖。第二开口区域OA2的与第二子像素P2相邻的另一区域仍然使第二电力线242暴露。

第二掩模图案282可以以与第二开口区域OA2相同的方式沿着第二电力线242设置。此时，第二掩模图案282可以按沿着第二方向(Y轴方向)具有预定长度的多个图案设置在一条第二电力线242上，如图19中所示。然而，第二掩模图案282不限于图19的示例。第二掩模图案282可以按沿着第二方向(Y轴方向)延伸的一个线图案设置在一条第二电力线242上，如图20中所示。

此外，第二掩模图案282可以在与第一电极311和312相同的层上由与第一电极311和312的材料相同的材料形成，但是不限于此。

如图17和图18中所示，第二掩模图案282可以在与第一电极311和312相同的层上由与第一电极311和312的材料相同的材料形成。此时，第二掩模图案282可以与第一电极311和312间隔开。

如果第二绝缘膜260的第二开口区域OA2被布置在第一子像素P1和第二子像素P2之间，则第二掩模图案282与第一子像素P1的第一电极311间隔开，使得它没有与第一子像素P1的第一电极311电连接。第二掩模图案282可以被设置在平整膜270以及被平整膜270暴露而没有被覆盖的第二绝缘膜260上。

在这种情况下，在显示装置100中，第二掩模图案282在与第一电极311和312相同的层上由与第一电极311和312的材料相同的材料形成。结果，在没有增加单独处理的情况下形成第二掩模图案282。

然而，不限于这种情况，第二掩模图案282可以被设置在与第一电极311和312不同的层上。第二掩模图案282可以被设置在第二绝缘膜260和平整膜270之间。

第三掩模图案283包括突起283a，突起282a被设置在被平整膜270暴露而没有被覆盖的第二绝缘膜260上并且突出以部分地覆盖使第三连接电极255部分暴露的第三开口区域OA3。此时，第三掩模图案283的突起283a与第三连接电极255间隔开，以与第三连接电极255形成空间。

第三掩模图案283被设置成接近被布置成通过插置第三开口区域OA3邻接第三子像素P3的子像素。使第三连接电极255暴露的第三开口区域OA3可以被布置在第一子像素P1和第三子像素P3之间以及第二子像素P2和第三子像素P3之间，但是不限于此。

如果第二绝缘膜260的第三开口区域OA3被布置在第一子像素P1和第三子像素P3之间，则第三掩模图案283可以突出，使得突起283a从第一子像素P1朝向第三开口区域OA3。因此，第三开口区域OA2的与第一子像素P1相邻的部分区域被第三掩模图案283覆盖，并且第三连接电极255或第一绝缘膜220也被第三掩模图案283覆盖。第三开口区域OA3的与第三子像素P3相邻的另一区域仍然使第三连接电极255或第一绝缘膜220暴露。

另外，如果第二绝缘膜260的第三开口区域OA3被布置在第二子像素P2和第三子像素P3之间，则第三掩模图案283可以突出，使得突起283a从第二子像素P2朝向第三开口区域OA3。因此，第三开口区域OA2的与第二子像素P2相邻的部分区域被第三掩模图案283覆盖，并且第三连接电极255或第一绝缘膜220也被第三掩模图案283覆盖。第三开口区域OA3的与第三子像素P3相邻的另一区域仍然使第三连接电极255或第一绝缘膜220暴露。

第三掩模图案283可以以与如图21中所示的第三开口区域OA3相同的方式被设置成围绕第三子像素P3。第三子像素P3的第二电极333可以通过第三掩模图案283与第一子像素P1的第二电极331和第二子像素P2的第二电极332断开。在根据本公开的第三实施方式的显示装置中，第三掩模图案283被设置成围绕第三子像素P3，使得第三子像素P3的第二电极333没有将第一子像素P1的第二电极331与第二子像素P2的第二电极332电连接。

此外，第三掩模图案283可以在与第一电极311和312相同的层上由与第一电极311和312的材料相同的材料形成，但是不限于此。

如图17和图18中所示，第三掩模图案283可以在与第一电极311和312相同的层上由与第一电极311和312的材料相同的材料形成。此时，第三掩模图案283可以与第一电极311和312间隔开。

如果第二绝缘膜260的第三开口区域OA3被布置在第一子像素P1和第三子像素P3之间，则第三掩模图案283与第一子像素P1的第一电极311间隔开，使得它没有与第一子像素P1的第一电极311电连接。第三掩模图案283可以被设置在平整膜270以及被平整膜270暴露而没有被覆盖的第二绝缘膜260上。

另外，如果第二绝缘膜260的第三开口区域OA3被布置在第二子像素P2和第三子像素P3之间，则第三掩模图案283与第二子像素P2的第二电极312间隔开，使得它没有与第二子像素P2的第二电极312电连接。第三掩模图案283可以被设置在平整膜270以及被平整膜270暴露而没有被覆盖的第二绝缘膜260上。

在这种情况下，在显示装置中，第三掩模图案283在与第一电极311和312相同的层上由与第一电极311和312的材料相同的材料形成。结果，在没有增加单独处理的情况下形成第三掩模图案283。

然而，不限于这种情况，第三掩模图案283可以被设置在与第一电极311和312不同的层上。第三掩模图案283可以被设置在第二绝缘膜260和平整膜270之间。

堤部315可以被设置在平整膜270上，以覆盖第一电极311和312的端部。因此，能避免由于集中在第一电极311和312的端部上的电流而导致发光效率劣化的问题。

此外，堤部315未被设置在第二绝缘膜260的开口区域OA1、OA2、OA3和OA4上。因此，第一连接电极241、242和360和第三连接电极255仍然可以被部分暴露。

另外，堤部315可以被设置在掩模图案281、282和283上。此时，可以设置堤部315，使得掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a可以被暴露而没有被覆盖。

如果堤部315被设置成覆盖掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a，则子像素P1、P2和P3的第一发光层321、322和323可以彼此连接而没有彼此断开。另外，子像素P1、P2和P3的第二电极331、332和333可以彼此连接而没有彼此断开。因此，可能存在的问题是：第一子像素P1的第二电极331没有连接到第一电力线241，第二子像素P2的第二电极332没有连接到第二电力线242，并且第三子像素P3的第二电极333没有连接到第三连接电极255。

在根据本发明的第三实施方式的显示装置中，堤部315被设置成使掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a暴露而不覆盖它们，从而没有造成问题。

堤部315分别限定第一子像素P1和第二子像素P2中的发光区EA1和EA2。即，第一电极311和312的其中在第一子像素P1和第二子像素P2中的每一个中没有设置堤部315的暴露区域成为发光区EA1和EA2。

此外，根据本公开的第三实施方式的显示装置100的特征在于，堤部315没有设置在第三子像素P3中。由于第一电极310没有设置在第三子像素P3中，因此可以不设置覆盖第一电极310的端部的堤部315。因此，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，第三子像素P3的发光区EA3大于第一子像素P1的发光区EA1和第二子像素P2的发光区EA2。即，第三子像素P3的发光区和开口率可以比第一子像素P1和第二子像素P2的发光区和开口率大。

第三子像素P3的发光区EA3可以由被布置成邻接第三子像素P3的第三掩模图案283限定。第二电极333的在第三子像素P3中被暴露而没有被第三掩模图案283覆盖的暴露区域可以成为发光区EA3。

尽管堤部315可以由相对薄的无机绝缘膜制成，但是堤部315可以由相对厚的有机绝缘膜制成。

第一发光层320被设置在第一电极310上。详细地，第一发光层321和322被设置在第一子像素P1和第二子像素P2中的第一电极311和312上。第一发光层321和322可以被设置在堤部315上。第一发光层323被设置在第三子像素P3中的平整膜270上。

第一发光层321、322和323可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在这种情况下，第一发光层321、322和323的空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层，并且在发光层中彼此复合以发射预定颜色的光。

第一发光层321、322和323中的每一个可以是用于发射红光的红色发光层、用于发射绿光的绿色发光层、用于发射蓝光的蓝色发光层和用于发射黄光的黄色发光层中的任一个，但是不限于此。

第一发光层321、322和323在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中是断开的。在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中设置有掩模图案281、282和283。第一发光层321、322和323可以通过掩模图案281、282和283彼此断开。

更详细地，第一子像素P1和第二子像素P2的第一发光层321、322和323之间可以通过第二掩模图案282断开。如果第一发光层321、322和323在没有掩模的情况下被沉积在整个表面上，则沉积在第一子像素P1上的第一发光层321可能由于第二掩模图案282的突起282a与第二电力线242之间的台阶差异而在第二掩模图案282的突起282a上断开，如图17和图22中所示。沉积在第二子像素P2上的第一发光层322可以进入第二掩模图案282的突起282a与第二电力线242之间的间隔，然后可以被设置在第二掩模图案282的突起282a下方，如图17和图22中所示。

在根据本公开的第三实施方式的显示装置中，优选的是，第一子像素P1的第一发光层321和第二子像素P2的第一发光层322彼此断开，而没有彼此接触。为此原因，如果第二电极331、332和333被完全沉积在第一发光层321、322和323上，则能够确保沉积在第二子像素P2上的第二电极332可以进入第二掩模图案282的突起282a与第二子像素P2的第一发光层322之间的空间。

另外，第一发光层321、322和323可以通过第三掩模图案283在第二子像素P2和第三子像素P3之间断开。如果第一发光层321、322和323在没有掩模的情况下被沉积在整个表面上，则沉积在第二子像素P2上的第一发光层322可能由于第三掩模图案283的突起283a和第三连接电极255之间的台阶差异而在第三掩模图案283的突起283a上断开，如图17和图22中所示。沉积在第三子像素P3上的第一发光层323可以进入第三掩模图案283的突起283a与第二连接电极250之间的间隔，然后可以被设置在第三掩模图案283的突起283a下方，如图17和图22中所示。

在根据本公开的第三实施方式的显示装置中，优选的是，第二子像素P2的第一发光层322和第三子像素P3的第一发光层323彼此断开，而没有彼此接触。为此原因，如果第二电极331、332和333被完全沉积在第一发光层321、322和323上，则能够确保沉积在第三子像素P3上的第二电极333可以进入第三掩模图案283的突起283a与第三子像素P3的第一发光层323之间的空间。

另外，第一发光层321、322和323之间可以通过第三掩模图案283和第一掩模图案281在第一子像素P1和第三子像素P3之间断开。第三掩模图案283和第一掩模图案281可以在第一子像素P1和第三子像素P3之间被设置成彼此间隔开，如图18中所示。此时，第一掩模图案281包括突起281a，突起281a在第一子像素P1的方向上从第一子像素P1突出，覆盖第一开口区域OA1的一部分。第三掩模图案283包括突起283a，突起283a在第三子像素P3的方向上从第三子像素P3突出，覆盖第三开口区域OA3的一部分。

如果第一发光层321、322和323在没有掩模的情况下被沉积在整个表面上，则沉积在第三子像素P3上的第一发光层323可以进入第三掩模图案283的突起283a与第一绝缘膜220之间的间隔，然后可以被设置在第三掩模图案283的突起283a下方，如图18和图22中所示。沉积在第一子像素P1上的第一发光层321可以进入第一掩模图案281的突起281a与第一电力线241之间的间隔，然后可以被设置在第一掩模图案281的突起281a下方，如图18和图22中所示。

第二电极331、332和333被设置在第一发光层321、322和323上。第二电极331、332和333在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中断开。在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中设置有掩模图案281、282和283。第一发光层321、322和323可以通过掩模图案281、282和283彼此断开。

更详细地，第二电极331、332和333之间可以通过第二掩模图案282在第一子像素P1和第二子像素P2之间断开。如果第二电极331、332和333被沉积在整个表面上，则沉积在第一子像素P1上的第二电极331可能由于第二掩模图案282的突起282a与第二电力线242之间的台阶差异而在第二掩模图案282的突起282a上断开，如图17和图22中所示。

沉积在第二子像素P2上的第二发光层332可以进入第二掩模图案282的突起282a与第一发光层322之间的间隔，然后可以被设置在第二掩模图案282的突起282a下方，如图17和图22中所示。此时，第二子像素P2的第二电极332可以在比第一发光层322宽的区域处沉积在第二掩模图案282的突起282a下方。因此，第二子像素P2的第二电极332可以连接到第二电力线242。

由于第二子像素P2的第二电极332连接到第二电力线242，因此第二电极332和第三电极350可以通过第二电力线242和辅助电力线360彼此电连接。为此原因，如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压可以被施加到第二子像素P2的第二电极332。此时，第二子像素P2的第二电极332可以是阴极。

尽管图17和图22例示了第一子像素P1的第二电极331与第二子像素P2的第二电极332彼此断开而没有彼此接触，但是本公开不限于图17和图22的示例。第一子像素P1的第二电极331和第二子像素P2的第二电极332都是阴极，并且可以向其施加公共电压。第一子像素P1的第二电极331和第二子像素P2的第二电极332可以被设置成彼此接触，然后彼此电连接。

另外，第二电极331、332和333可以通过第三掩模图案283在第二子像素P2和第三子像素P3之间断开。如果第二电极331、332和333被沉积在整个表面上，则沉积在第二子像素P2上的第二电极332可能由于第三掩模图案283的突起283a与第一发光层283a之间的台阶差异而在第三掩模图案283的突起283a上断开，如图17和图22中所示。

沉积在第三子像素P3上的第二电极333可以进入第三掩模图案283的突起283a与第一发光层323之间的间隔，然后可以被设置在第三掩模图案283的突起283a下方，如图17和图22中所示。此时，第三子像素P3的第二电极333可以在比第一发光层323宽的区域处沉积在第三掩模图案283的突起283a下方。因此，第三子像素P3的第二电极333可以连接到第二连接电极250。

第三子像素P3的第二电极333连接到第三连接电极255。第三连接电极255可以是第三晶体管的源极或漏极。在这种情况下，第三像素P3的第二电极333直接连接到第三连接电极255，由此第三高电位电压被施加到第三子像素P3的第二电极333。此时，第三子像素P3的第二电极333可以是阳极。

在根据本公开的第三实施方式的显示装置中，优选的是，第二子像素P2的第二电极332和第三子像素P3的第二电极333彼此断开，而没有彼此接触。如上所述，第二子像素P2的第二电极332是阴极，并且第三子像素P3的第二电极333是阳极。在这种情况下，如果第二子像素P2的第二电极332与第三子像素P3的第二电极333彼此接触，则在第二子像素P2的第二电极332与第三子像素P3的第二电极333之间发生短路，由此显示装置100没有被正常驱动。

另外，第二电极331、332和333可以通过第三掩模图案283和第一掩模图案281在第一子像素P1和第三子像素P3之间断开。

如果第二电极331、332和333被沉积在整个表面上，则第二电极333可以进入第三掩模图案283的突起283a与第一发光层323之间的间隔，然后可以被设置在第三掩模图案283的突起283a下方，如图18和图22中所示。

此时，第三子像素P3的第二电极333可以在比第一发光层323宽的区域处沉积在第三掩模图案283的突起283a下方。沉积在第一子像素P1上的第二电极331可以进入第一掩模图案281的突起281a与第一发光层321之间的间隔，然后可以被设置在第一掩模图案281的突起281a下方，如图18和图23中所示。

此时，第一子像素P1的第二电极331可以在比第一发光层321宽的区域处沉积在第一掩模图案281的突起281a下方。因此，第一子像素P1的第二电极331可以连接到第一电力线241。

由于第一子像素P1的第二电极331连接到第一电力线241，因此第二电极331和第三电极350可以通过第一电力线241和辅助电力线360彼此电连接。为此原因，如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压可以被施加到第一子像素P1的第二电极331。此时，第一子像素P1的第二电极331可以是阴极。

第二电极331、332和333可以由能透射光的诸如ITO和IZO这样的透明导电材料(TCO)或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料形成。

第二发光层340被设置在第二电极331、332和333上。第二发光层340可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在这种情况下，第二发光层340的空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层，并且在发光层中彼此复合以发射预定颜色的光。

第二发光层340可以是用于发射红光的红色发光层、用于发射绿光的绿色发光层、用于发射蓝光的蓝色发光层和用于发射黄光的黄色发光层中的任一个，但是不限于此。

然而，第二发光层340可以发射颜色与第一发光层321、322和323的颜色不同的光。如果第一发光层321、322和323是用于发射第一颜色的光的发光层，则第二发光层340可以是用于发射与第一颜色不同的第二颜色的光的发光层。例如，第一发光层321、322和323可以是用于发射黄光的黄色发光层，并且第二发光层340可以是用于发射蓝光的蓝色发光层。

与第一发光层321、322和323不同，第二发光层340在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中是连接的。第二发光层340可以被形成为部分地填充掩模图案281、282和283与第二电极331、332和333之间的空间。此时，可以在掩模图案281、282和283和第二电极331、332和333之间未填充第二发光层340的空间中形成气隙AG。

第三电极350被设置在第二发光层340上。第三电极350可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射性的金属材料形成。如果显示装置100按底部发光型形成，则第三电极350可以由诸如Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)这样的反射率高的金属材料形成。Ag合金可以是Ag、Pd和Cu的合金。如果显示装置100按顶部发光型形成，则第三电极350可以由能透射光的诸如ITO和IZO这样的透明导电材料(TCO)或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料形成。第三电极350可以是阴极。

根据本公开的第三实施方式的显示装置100的特征在于，在第一子像素P1、P2和P3中的每一个中第一发光层321、322和323以及第二发光层340中的一个发光。

更详细地，第一子像素P1的第一发光层321发光。由于第一子像素P1的第二电极331连接到第一电力线241，因此第二电极331和第三电极350通过第一电力线241和辅助电力线360彼此电连接。如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压被施加到第一子像素P1的第二电极331。因此，设置在第一子像素P1的第二电极331和第三电极350之间的第二发光层340不发光。

此外，在第一子像素P1中，如果第一高电位电压被施加到第一电极311并且低电位电压被施加到第二电极331，则设置在第一电极311和第二电极331之间的第一发光层321按照预定电流发射预定亮度的光。

在第二子像素P2中，第一发光层322发光。由于第二子像素P2的第二电极332连接到第二电力线242，因此第二电极332和第三电极350通过第二电力线242和辅助电力线360彼此电连接。如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压被施加到第二子像素P2的第二电极332。因此，设置在第二子像素P2的第二电极332和第三电极350之间的第二发光层340不发光。

此外，在第二子像素P2中，如果第二高电位电压被施加到第一电极312并且低电位电压被施加到第二电极332，则设置在第一电极312和第二电极332之间的第一发光层322按照预定电流发射预定亮度的光。

即，在第一子像素P1和第二子像素P2中，第一发光层321和322发射相同颜色的光。根据本公开的第三实施方式的显示装置还可以包括滤色器(未示出)，以从第一子像素P1和第二子像素P2发射不同颜色的光。

滤色器(未示出)可以包括被布置成与第一子像素P1对应的第一滤色器和被布置成与第二子像素P2对应的第二滤色器。第一滤色器和第二滤色器能透射不同颜色的光。

例如，第一发光层321、322和323可以是用于发射黄光的黄色发光层。第一滤色器可以是用于透射红光的红色滤色器，并且第二滤色器可以是用于透射绿光的绿色滤色器。因此，第一子像素P1能发射红光，并且第二子像素P2能发射绿光。

滤色器可以按照显示装置100的发光类型布置在第一电极311和312的下方或第三电极350上。如果显示装置100是底部发光型，则滤色器可以被设置在第一电极311和312下方。如果显示装置100是顶部发光型，则滤色器可以被设置在第三电极350上。

在第三子像素P3中，第二发光层340发光。由于第一电极310没有设置在第三子像素P3中，因此第一发光层323不发光。

此外，在第三像素P3中，第二电极333连接到第三连接电极255，由此第三高电位电压被施加到第二电极333。如果低电位电压被施加到第三电极350，则设置在第二电极333和第三电极350之间的第二发光层340按照预定电流发射预定亮度的光。

例如，第三子像素P3可以是用于发射蓝光的蓝色发光层。在这种情况下，显示装置100能实现蓝色子像素，而没有在与第三子像素P3对应的位置中设置单独的滤色器。

如上所述，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，在第一子像素P1和第二子像素P2中只有第一发光层321、322和323发光，并且在第三子像素P3中只有第二发光层340可以发光。为此原因，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，与在所有子像素中第一发光层321、322和323以及第二发光层340全部都发光的情况相比，功耗能够显著地降低。

另外，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，第一发光层321、322和323以及第二发光层340在没有掩模的情况下被设置在子像素P1、P2和P3的整个表面上。因此，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，能够解决根据不同的发光层被设置成使用掩模针对子像素P1、P2和P3中的每一个进行图案化的情况的问题。

另外，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，第二电极331、332和333之间可以通过掩模图案281、282和283在子像素P1、P2和P3当中断开。在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，设置有掩模图案281、282和283，并且第一发光层321、322和323以及第二电极331、332和333在没有掩模的情况下被设置在设置有掩模图案281、282和283的第一基板111的整个表面上。第一发光层321、322和323以及第二电极331、332和333通过掩模图案281、282和283在子像素P1、P2和P3当中断开。特别地，第二电极331、332和333在掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a下方连接到第一电力线241、第二电力线242和第三连接电极255中的任一个。

参照图22，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，第二绝缘膜260的厚度T1可以被设计成使得第二电极331、332和333在子像素P1、P2和P3当中断开并且第二发光层340在子像素P1、P2和P3当中连接而没有断开。此时，第二绝缘膜260的厚度T1可以对应于掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a与第一电力线241、第二电力线242和第三连接电极255中的任一个之间间隔开的距离。

第二绝缘膜260的厚度T1可以被设计成大于第一发光层321、322和323的厚度T3与第二电极331、332和333的厚度T2之和。因此，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，能够防止第二电极331、332和333在子像素P1、P2和P3当中彼此连接。

第二绝缘膜260的厚度T1可以被设计成小于第一发光层321、322和323的厚度T3、第二电极331、332和333的厚度T2与第二发光层340的厚度T4之和。因此，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，能够防止子第二发光层340在像素P1、P2和P3当中断开。

此外，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，能适当地设计掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a的长度L1。如果掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a的长度L1变得太长，则掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a可能由于重量而下垂。在这种情况下，无法确保在掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a下方有足以形成第一发光层321、322和323以及第二电极331、332和333的空间。

此外，如果掩模图案281、282和283的突起281a、282a和283a的长度L1变得太短，则第二电极331、332和333与第一电力线241、第二电力线242和第三连接电极255中的任一个之间的接触面积能减小。在这种情况下，第二电极331、332和333与第一电力线241、第二电力线242和第三连接电极255中的任一个之间的电阻能增大。

另外，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，第一电极310没有设置在第三子像素P3上。因此，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，能提高第三子像素P3中的透射率。特别地，如果显示装置100按底部发光型设置，则由于从第三子像素P3的第二发光层340发射的光不能穿过第一电极311和312，因此能提高光效率。

此外，尽管图17例示了平整膜270没有设置在所有第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中，但是平整膜270不限于图17的示例。在另一实施方式中，平整膜270可以仅被设置在第一子像素P1和第二子像素P2中，如图25中所示。即，在根据本公开的修改实施方式的显示装置100中，平整膜270可以不设置在第三子像素P3中。因此，在根据本公开的修改实施方式的显示装置100中，能进一步提高第三子像素P3中的透射率。特别地，如果显示装置100按底部发光型设置，则由于从第三子像素P3的第二发光层340发射的光不能穿过第一电极311和312和平整膜270，因此能减少光损失并且能进一步提高光效率。

此外，尽管图17例示了第二绝缘膜260被设置在所有第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中，但是第二绝缘膜260不限于图17的示例。在另一实施方式中，第二绝缘膜260和平整膜270可以仅被设置在第一子像素P1和第二子像素P2中，如图26中所示。即，在根据本公开的另一修改实施方式的显示装置100中，第二绝缘膜260和平整膜270可以不设置在第三子像素P3中。因此，在根据本公开的另一修改实施方式的显示装置100中，能使第三子像素P3中的透射率最大化。如果显示装置100按底部发光型设置，则由于从第三子像素P3的第二发光层340发射的光不能穿过第一电极311和312、第二绝缘膜260和平整膜270，因此能使光损失最小化并且能使光效率最大化。

另外，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，堤部315没有设置在第三子像素P3中。由于第一电极310没有设置在第三子像素P3中，因此可以不设置覆盖第一电极310的端部的堤部315。因此，在根据本公开的第三实施方式的显示装置100中，第三子像素P3的发光区EA3可以大于第一子像素P1和第二子像素P2的发光区EA。即，第三子像素P3的发光区和开口率可以比第一子像素P1和第二子像素P2的发光区和开口率大。

第四实施方式

图27是简要例示根据本公开的第四实施方式的显示面板的第一基板的平面图，

图28是例示沿着图27的线X-X截取的示例的截面图，并且图29是简要例示第一子像素和第二子像素的示例的平面图。

参照图27至图29，根据本公开的第四实施方式的显示面板110包括第一基板111、遮光层210、第一绝缘膜220、驱动晶体管230、第一连接电极241、242和360、第三连接电极255、第二绝缘膜260、平整膜270、掩模图案281、282和283、第一电极311和312、堤部315、第一发光层321、322和323、第二电极331、332和333、第二发光层340和第三电极350。

根据本公开的第四实施方式的显示面板110与图16至图24中示出的根据本公开的第三实施方式的显示面板110的不同之处在于，第一连接电极的第一电力线241和第二电力线242形成为一体。因此，根据本公开的第四实施方式的显示面板110的除了第一连接电极241、242和360以及掩模图案281、282和283之外的元件与根据本公开的第三实施方式的显示面板110的元件基本上相同。下文中，将省略对根据本公开的第四实施方式的显示面板110的第一基板111、遮光层210、第一绝缘膜220、驱动晶体管230、第二绝缘膜260、平整膜270、第三连接电极255、第一电极311和312、堤部315、第一发光层321、322和323、第二电极331、332和333、第二发光层340和第三电极350的详细描述。

第一连接电极241、242和360被设置在第一基板111上。

第一连接电极241、242和360将第一子像素P1和第二子像素P2的第二电极331和332和第三电极350彼此电连接。更详细地，第一连接电极241、242和360可以包括第一电力线241、第二电力线242和辅助电力线360。

辅助电力线360被设置成从非显示区NDA向第一方向(X轴方向)延伸。辅助电力线360可以被第一绝缘膜220、第二绝缘膜260和平整膜270部分暴露而没有被覆盖，并且可以在被暴露的区域处与第三电极350连接。

第一电力线241被布置在显示区DA中的第一子像素P1和第二子像素P2之间，然后与第一子像素P1的第二电极331连接。第二电力线242被布置在显示区DA中的第一子像素P1和第二子像素P2之间，然后与第二子像素P2的第二电极332连接。此时，在根据本公开的第四实施方式的显示装置100中，第一电力线241和第二电力线242被形成为一体。

第一电力线241和第二电力线可以被设置成从显示区DA向第二方向(Y轴方向)延伸。第一电力线241的一端和第二电力线242的一端连接到辅助电力线360。此时，第一电力线241和第二电力线242可以穿过接触孔连接到辅助电力线360，但是不限于此。

第一电力线241和第二电力线242中的每一条可以在与驱动晶体管230的有源层、栅极、源极和漏极中的任一个相同的层上由与驱动晶体管230的有源层、栅极、源极和漏极中的任一个的材料相同的材料形成。

按照前述描述，第一子像素P1的第二电极331和第三电极350通过第一电力线241、第二电力线242和辅助电力线360彼此电连接。即，如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压被施加到第一子像素P1的第二电极331。

第二子像素P2的第二电极332和第三电极350通过第一电力线241、第二电力线242和辅助电力线360彼此电连接。即，如果低电位电压被施加到第三电极350，则与第三电极350相同的低电位电压被施加到第二子像素P2的第二电极332。

掩模图案281、282和283被设置在第二绝缘膜260上，以部分地覆盖第二绝缘膜260的开口区域OA1、OA2和OA3。掩模图案281、282和283包括第一掩模图案281、第二掩模图案282和第三掩模图案283。由于第三掩模图案283与图16至图24中示出的根据本公开的第三实施方式的显示面板110的第三掩模图案283基本上相同，因此将省略对其的详细描述。

第一掩模图案281被布置在第一子像素P1和第二子像素P2之间。特别地，第一掩模图案281被设置在用于使第一电力线241部分暴露的第一开口区域OA1和用于使第二电力线242部分暴露的第二开口区域OA2之间所设置的第二绝缘膜260上。

第一掩模图案281包括突出以部分地覆盖第一开口区域OA1的突起281a。此时，第一掩模图案281的突起281a与第一电力线241间隔开，以与第一电力线241形成空间。

第一掩模图案281可以突出，使得突起281a从第二子像素P2朝向第一子像素P1。因此，第一开口区域OA1的与第二子像素P2相邻的部分区域被第一掩模图案281覆盖，并且第一电力线241也被第一掩模图案281覆盖。第一开口区域OA1的与第一子像素P1相邻的另一区域仍然使第一电力线241暴露。

第一掩模图案281可以以与第一开口区域OA1相同的方式沿着第一电力线241设置。此时，第一掩模图案281可以按沿着第二方向(Y轴方向)具有预定长度的多个图案设置在第一电力线241上。然而，并不限于该示例，第一掩模图案281可以按在第二方向(Y轴方向)上延伸的一个线图案设置在一条第一电力线241上。

此外，第一掩模图案281可以在与第一电极311、312和313相同的层上由与第一电极311、312和313的材料相同的材料形成，但是不限于此。

第二掩模图案282被设置在第一子像素P1和第二子像素P2之间。特别地，第二掩模图案282被设置在用于使第一电力线241部分暴露的第一开口区域OA1和用于使第二电力线242部分暴露的第二开口区域OA2之间所设置的第二绝缘膜260上。此时，在根据本公开的第四实施方式的显示装置100中，第一掩模图案281和第二掩模图案282可以被形成为一体。

第二掩模图案282包括突出以部分地覆盖第二开口区域OA2的突起282a。此时，第二掩模图案282的突起282a与第二电力线242间隔开，以与第二电力线242形成空间。

第二掩模图案282可以突出，使得突起282a从第一子像素P1朝向第二子像素P2。因此，第二开口区域OA2的与第一子像素P1相邻的部分区域被第二掩模图案282覆盖，并且第二电力线242也被第二掩模图案282覆盖。第二开口区域OA2的与第二子像素P2相邻的另一区域仍然使第二电力线242暴露。

第二掩模图案282可以以与第二开口区域OA2相同的方式沿着第二电力线242设置。此时，第二掩模图案282可以按沿着第二方向(Y轴方向)具有预定长度的多个图案设置在第二电力线242上。然而，并不限于该示例，第二掩模图案282可以按在第二方向(Y轴方向)上延伸的一个线图案设置在一条第二电力线242上。

此外，第二掩模图案282可以在与第一电极311和312相同的层上由与第一电极311和312的材料相同的材料形成，但是不限于此。

图30是例示根据本公开的第一实施方式的制造显示装置的方法的流程图，并且图31A至图31J是例示根据本公开的第一实施方式的制造显示装置的方法的截面图。

首先，如图31A中所示，在第一基板111上形成驱动晶体管230、第一连接电极241、242和360以及第二连接电极250(S3001)。

更详细地，在第一基板111上形成遮光层210。遮光层210用于遮挡进入要针对子像素P1、P2和P3中的每一个布置的驱动晶体管230的有源层的外部光，并且被形成在与驱动晶体管230的有源层对应的位置中。遮光层210可以由金属材料形成。如果遮光层210由金属材料形成，则辅助电力线360可以在与第一基板111上的遮光层210相同的层上由与遮光层210的材料相同的材料形成。

然后，在遮光层210上形成第一绝缘膜220。第一绝缘膜220可以由无机膜(例如，硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜)形成。

然后，在第一绝缘膜220上形成驱动晶体管230、第一电力线241、第二电力线242和第二连接电极250。

在第一绝缘膜220上形成有源层。有源层可以由基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料形成。

可以在有源层上形成栅极绝缘膜。栅极绝缘膜可以由无机膜(例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜)形成。

可以在栅极绝缘膜上形成栅极。栅极可以由包含Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金的单层或多层形成，但是不限于此。

可以在栅极上形成层间电介质膜。层间电介质膜可以由无机膜(例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜)形成。

可以在层间电介质膜上形成源极和漏极。源极和漏极中的每一个可以通过穿过栅极绝缘膜和层间电介质膜的接触孔连接到有源层。源极和漏极中的每一个可以是包含Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金的单层或多层，但是不限于此。

此外，可以在与源极和漏极相同的层上由与源极和漏极的材料相同的材料形成第一电力线241、第二电力线242和第二连接电极250。

接下来，如图31B中所示地形成第二绝缘膜260(S3002)。

更详细地，在驱动晶体管230、第一连接电极241、242和360和第二连接电极250上形成第二绝缘膜260。

尽管可以在第二绝缘膜260中形成使驱动晶体管230的源极或漏极部分暴露的接触孔，但是接触孔的形成不限于这种情况。可以通过后续处理形成接触孔。

第二绝缘膜260可以由无机膜(例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜)形成。

接下来，如图31C中所示地形成平整膜270(S3003)。

更详细地，在第二绝缘膜260上形成平整膜270。平整膜270使由于驱动晶体管230导致的台阶差平整。可以对平整膜270进行图案化，以使布置在其中形成有第一电力线241、第二电力线242和第二连接电极250的区域中的第二绝缘膜260部分地暴露。

尽管可以在平整膜270中形成使驱动晶体管230的源极或漏极部分暴露的接触孔，但是接触孔的形成不限于这种情况。可以通过后续处理来形成接触孔。

平整膜270可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂这样的有机膜形成。

接下来，如图31D中所示地形成第一电极311、312和313以及掩模图案281、282和283(S3004)。

更详细地，针对子像素P1、P2和P3中的每一个在平整膜270上形成第一电极311、312和313。第一电极311、312和313穿过接触孔连接到驱动晶体管230的源极或漏极。

第一电极311、312和313可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射性的金属材料形成。如果显示装置100按底部发光型形成，则第一电极311、312和313可以由能透射光的诸如ITO和IZO这样的透明导电材料(TCO)或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料形成。如果显示装置100按顶部发光型形成，则第一电极311、312和313可以由诸如Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)这样的反射率高的金属材料形成。Ag合金可以是Ag、Pd和Cu的合金。第一电极311、312和313可以是阳极。

在平整膜270上形成要与第一电极311、312和313间隔开的掩模图案281、282和283。还在第二绝缘膜260的被平整膜270暴露而没有被覆盖的局部部分上形成掩模图案281、282和283。

可以与第一电极311、312和313同时地由与第一电极311、312和313的材料相同的材料形成掩模图案281、282和283。

接下来，如图31E中所示地形成堤部315(S3005)。

更详细地，堤部315被形成为覆盖第一电极311、312和313中的每一个的端部。可以对堤部315进行图案化，以使第二绝缘膜260和掩模图案281、282和283的布置在其中形成有第一电力线241、第二电力线242和第二连接电极250的区域中的局部部分暴露。

接下来，如图31F中所示地在第二绝缘膜260中形成开口区域OA1、OA2和OA3(S1106)。

更详细地，通过蚀刻处理，在第二绝缘膜260中形成开口区域OA1、OA2和OA3。此时，蚀刻处理可以是湿法蚀刻处理，并且能蚀刻第二绝缘膜260但不能蚀刻掩模图案281、282和283的蚀刻溶液可以被应用于蚀刻处理。因此，可以形成其中不蚀刻掩模图案281、282和283而仅蚀刻被暴露的第二绝缘膜260的底切结构。

可以通过蚀刻处理在第二绝缘膜260中形成用于使第一电力线241部分暴露的第一开口区域OA1、用于使第二电力线242部分暴露的第二开口区域OA2以及用于使第二连接电极250部分暴露的第三开口区域OA3。

接下来，如图31G中所示地形成第一发光层321、322和323(S3007)。

更详细地，在第一电极311、312和313以及掩模图案281、282和283上形成第一发光层321、322和323。可以通过沉积处理或溶液处理形成第一发光层321、322和323。如果通过沉积处理形成第一发光层321、322和323，则可以使用蒸发方法来形成第一发光层321、322和323。

第一发光层321、322和323通过掩模图案281、282和283在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中断开。第一发光层321、322和323可以在掩模图案281、282和283上断开。另外，第一发光层321、322和323可以进入形成在掩模图案281、282和283下方的空间，然后可以形成在掩模图案281、282和283下方。

第一发光层321、322和323中的每一个可以是用于发射红光的红色发光层、用于发射绿光的绿色发光层、用于发射蓝光的蓝色发光层和用于发射黄光的黄色发光层中的任一个，但是不限于此。

接下来，如图31H中所示地形成第二电极331、332和333(S3008)。

更详细地，在第一发光层321、322和323上形成第二电极331、332和333。第二电极331、332和333通过掩模图案281、282和283在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中断开。第二电极331、332和333可以在掩模图案281、282和283上断开。另外，第二电极331、332和333可以进入形成在掩模图案281、282和283下方的空间，然后可以形成在掩模图案281、282和283下方。

可以使用诸如溅射这样的物理气相沉积来形成第二电极331、332和333。通过诸如溅射这样的物理气相沉积形成的膜具有优异的台阶覆盖特性。因此，可以在比使用蒸发形成的第一发光层321、322和323宽的区域处形成第二电极331、332和333。结果，第二电极331、332和333可以连接到掩模图案281、282和283下方的第一电力线241、第二电力线242和第二连接电极250中的任一个。

第二电极331、332和333可以由能透射光的诸如ITO和IZO这样的透明导电材料(TCO)或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料形成。

接下来，如图31I中所示地形成第二发光层340(S3009)。

更详细地，在第二电极331、332和333上形成第二发光层340。可以通过沉积处理或溶液处理形成第二发光层340。如果通过沉积处理形成第二发光层340，则可以使用蒸发方法来形成第二发光层340。

第二发光层340在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中是连接的。第二发光层340可以被形成为部分地填充掩模图案281、282和283与第二电极331、332和333之间的空间。此时，可以在掩模图案281、282和283和第二电极331、332和333之间未填充第二发光层340的空间中形成气隙AG。

第二发光层340可以是用于发射红光的红色发光层、用于发射绿光的绿色发光层、用于发射蓝光的蓝色发光层和用于发射黄光的黄色发光层中的任一个，但是不限于此。

然而，第二发光层340可以发射颜色与第一发光层321、322和323的颜色不同的光。如果第一发光层321、322和323是用于发射第一颜色的光的发光层，则第二发光层340可以是用于发射与第一颜色不同的第二颜色的光的发光层。例如，第一发光层321、322和323可以是用于发射黄光的黄色发光层，并且第二发光层340可以是用于发射蓝光的蓝色发光层。

接下来，如图31J中所示地形成第三电极350(S3010)。

更详细地，在第二发光层340上形成第三电极350。可以通过诸如溅射这样的物理气相沉积形成第三电极350。另选地，可以通过蒸发来形成第三电极350。

第三电极350可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射性的金属材料形成。如果显示装置100按底部发光型形成，则第三电极350可以由诸如Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)这样的反射率高的金属材料形成。Ag合金可以是Ag、Pd和Cu的合金。如果显示装置100按顶部发光型形成，则第三电极350可以由能透射光的诸如ITO和IZO这样的透明导电材料(TCO)或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料形成。第三电极350可以是阴极。

图32是例示根据本公开的第三实施方式的制造显示装置的方法的流程图，并且图33A至图33J是例示根据本公开的第三实施方式的制造显示装置的方法的截面图。

首先，如图33A中所示，在第一基板111上形成第一驱动晶体管至第三驱动晶体管230、第一连接电极241、242和360以及第三连接电极255(S3201)。

更详细地，在第一基板111上形成遮光层210。遮光层210用于遮挡进入分别与第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3对应的第一驱动晶体管至第三驱动晶体管230的有源层的外部光，并且形成在与第一驱动晶体管至第三驱动晶体管230的有源层对应的位置中。遮光层210可以由金属材料形成。如果遮光层210由金属材料形成，则辅助电力线360可以在与第一基板111上的遮光层210相同的层上由与遮光层210的材料相同的材料形成。

然后，在遮光层210上形成第一绝缘膜220。第一绝缘膜220可以由无机膜(例如，硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜)形成。

然后，在第一绝缘膜220上形成第一驱动晶体管至第三驱动晶体管230、第一电力线241、第二电力线242和第三连接电极255。

在第一绝缘膜220上形成有源层。有源层可以由基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料形成。

可以在有源层上形成栅极绝缘膜。栅极绝缘膜可以由无机膜(例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜)形成。

可以在栅极绝缘膜上形成栅极。栅极可以由包含Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金的单层或多层形成，但是不限于此。

可以在栅极上形成层间电介质膜。层间电介质膜可以由无机膜(例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜)形成。

可以在层间电介质膜上形成源极和漏极。源极和漏极中的每一个可以通过穿过栅极绝缘膜和层间电介质膜的接触孔连接到有源层。源极和漏极中的每一个可以是包含Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金的单层或多层，但是不限于此。

此外，可以在与源极和漏极相同的层上由与源极和漏极的材料相同的材料形成第一电力线241和第二电力线242。

另外，第三连接电极255可以是第三驱动晶体管230的源极或漏极。

接下来，如图33B中所示地形成第二绝缘膜260(S3202)。

更详细地，在第一驱动晶体管至第三驱动晶体管230、第一连接电极241、242和360和第三连接电极255上形成第二绝缘膜260。

尽管可以在第二绝缘膜260中形成使第一驱动晶体管和第二驱动晶体管230的源极或漏极部分暴露的接触孔，但是接触孔的形成不限于这种情况。可以通过后续处理形成接触孔。

第二绝缘膜260可以由无机膜(例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜)形成。

接下来，如图33C中所示地形成平整膜270(S3203)。

更详细地，在第二绝缘膜260上形成平整膜270。平整膜270使由于第一驱动晶体管至第三驱动晶体管230而导致的台阶差平整。可以对平整膜270进行图案化，以使布置在其中形成有第一电力线241、第二电力线242和第三连接电极255的区域中的第二绝缘膜260部分暴露。

尽管可以在平整膜270中形成使第一驱动晶体管230和第二驱动晶体管230的源极或漏极部分暴露的接触孔，但是接触孔的形成不限于这种情况。可以通过后续处理形成接触孔。

平整膜270可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂这样的有机膜形成。

接下来，如图33D中所示地形成第一电极311和312以及掩模图案281、282和283(S3204)。

更详细地，针对第一子像素P1和第二子像素P2中的每一个在平整膜270上形成第一电极311和312。第一电极311和312穿过接触孔连接到第一驱动晶体管230和第二驱动晶体管230的源极或漏极。

第一电极311和312可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射性的金属材料形成。如果显示装置100按底部发光型形成，则第一电极311和312可以由能透射光的诸如ITO和IZO这样的透明导电材料(TCO)或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料形成。如果显示装置100按顶部发光型形成，则第一电极311和312可以由诸如Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)这样的反射率高的金属材料形成。Ag合金可以是Ag、Pd和Cu的合金。第一电极311和312可以是阳极。

在平整膜270上形成要与第一电极311和312间隔开的掩模图案281、282和283。还在第二绝缘膜260的被平整膜270暴露而没有被覆盖的局部部分上形成掩模图案281、282和283。

掩模图案281、282和283可以由与第一电极311和312的材料相同的材料与第一电极311和312同时地形成。

接下来，如图33E中所示地形成堤部315(S3205)。

更详细地，堤部315被形成为覆盖第一电极311和312中的每一个的端部。可以对堤部315进行图案化，以使第二绝缘膜260和掩模图案281、282和283的布置在其中形成有第一电力线241、第二电力线242和第三连接电极255的区域中的局部部分暴露。

接下来，如图33F中所示地在第二绝缘膜260中形成开口区域OA1、OA2和OA3(S3206)。

更详细地，通过蚀刻处理，在第二绝缘膜260中形成开口区域OA1、OA2和OA3。此时，蚀刻处理可以是湿法蚀刻处理，并且能蚀刻第二绝缘膜260但不能蚀刻掩模图案281、282和283的蚀刻溶液可以被应用于蚀刻处理。因此，可以形成其中不蚀刻掩模图案281、282和283而仅蚀刻被暴露的第二绝缘膜260的底切结构。

可以通过蚀刻处理在第二绝缘膜260中形成用于使第一电力线241部分暴露的第一开口区域OA1、用于使第二电力线242部分暴露的第二开口区域OA2以及用于使第三连接电极255部分暴露的第三开口区域OA3。

接下来，如图33G中所示地形成第一发光层321、322和323(S3207)。

更详细地，在第一电极311、312和313以及掩模图案281、282和283上形成第一发光层321、322和323。可以通过沉积处理或溶液处理形成第一发光层321、322和323。如果通过沉积处理形成第一发光层321、322和323，则可以使用蒸发方法来形成第一发光层321、322和323。

第一发光层321、322和323通过掩模图案281、282和283在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中断开。第一发光层321、322和323可以在掩模图案281、282和283上断开。另外，第一发光层321、322和323可以进入形成在掩模图案281、282和283下方的空间，然后可以形成在掩模图案281、282和283下方。

第一发光层321、322和323中的每一个可以是用于发射红光的红色发光层、用于发射绿光的绿色发光层、用于发射蓝光的蓝色发光层和用于发射黄光的黄色发光层中的任一个，但是不限于此。

接下来，如图33H中所示地形成第二电极331、332和333(S3208)。

更详细地，在第一发光层321、322和323上形成第二电极331、332和333。第二电极331、332和333通过掩模图案281、282和283在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中断开。第二电极331、332和333可以在掩模图案281、282和283上断开。另外，第二电极331、332和333可以进入形成在掩模图案281、282和283下方的空间，然后可以形成在掩模图案281、282和283下方。

可以使用诸如溅射这样的物理气相沉积来形成第二电极331、332和333。通过诸如溅射这样的物理气相沉积形成的膜具有优异的台阶覆盖特性。因此，可以在比使用蒸发形成的第一发光层321、322和323宽的区域处形成第二电极331、332和333。结果，第二电极331、332和333可以连接到掩模图案281、282和283下方的第一电力线241、第二电力线242和第三连接电极255中的任一个。

第二电极331、332和333可以由能透射光的诸如ITO和IZO这样的透明导电材料(TCO)或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料形成。

接下来，如图33I中所示地形成第二发光层340(S3209)。

更详细地，在第二电极331、332和333上形成第二发光层340。可以通过沉积处理或溶液处理形成第二发光层340。如果通过沉积处理形成第二发光层340，则可以使用蒸发方法来形成第二发光层340。

第二发光层340在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3当中是连接的。第二发光层340可以被形成为部分地填充掩模图案281、282和283与第二电极331、332和333之间的空间。此时，可以在掩模图案281、282和283和第二电极331、332和333之间未填充第二发光层340的空间中形成气隙AG。

第二发光层340可以是用于发射红光的红色发光层、用于发射绿光的绿色发光层、用于发射蓝光的蓝色发光层和用于发射黄光的黄色发光层中的任一个，但是不限于此。

然而，第二发光层340可以发射颜色与第一发光层321、322和323的颜色不同的光。如果第一发光层321、322和323是用于发射第一颜色的光的发光层，则第二发光层340可以是用于发射与第一颜色不同的第二颜色的光的发光层。例如，第一发光层321、322和323可以是用于发射黄光的黄色发光层，并且第二发光层340可以是用于发射蓝光的蓝色发光层。

接下来，如图33J中所示地形成第三电极350(S3210)。

更详细地，在第二发光层340上形成第三电极350。可以通过诸如溅射这样的物理气相沉积形成第三电极350。另选地，可以通过蒸发来形成第三电极350。

第三电极350可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射性的金属材料形成。如果显示装置100按底部发光型形成，则第三电极350可以由诸如Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)这样的反射率高的金属材料形成。Ag合金可以是Ag、Pd和Cu的合金。如果显示装置100按顶部发光型形成，则第三电极350可以由能透射光的诸如ITO和IZO这样的透明导电材料(TCO)或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材料形成。第三电极350可以是阴极。

图34A至图34C是例示根据本公开的另一实施方式的显示装置的视图，并且涉及头戴式显示器(HMD)装置。图34A是简要立体图，图34B是虚拟现实(VR)结构的简要平面图，并且图34C是增强现实(AR)结构的简要横截面图。

如将从图34A中意识到的，根据本公开的头戴式显示装置包括储存盒10和头戴式带30。

储存盒10在其中储存显示装置、透镜阵列和目镜。

头戴式带30被固定到储存盒10。头戴式带30被形成为围绕用户头部的顶表面和两侧，但是不限于该示例。头戴式带30用于将头戴式显示器固定到用户的头部，并且可以用形成为眼镜框架的形状或头盔形状的结构替换。

如将从图34B中意识到的，根据本公开的虚拟现实(VR)结构的头戴式显示装置包括左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13、左眼目镜20a和右眼目镜20b。

左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13、左眼目镜20a和右眼目镜20b被储存在前述的储存盒10中。

左眼显示装置12和右眼显示装置11能显示相同的图像，并且在这种情况下，用户能观看2D图像。另选地，左眼显示装置12能显示左眼图像并且右眼显示装置11能显示右眼图像，并且在这种情况下，用户能观看3D图像。左眼显示装置12和右眼显示装置11中的每一个可以包括上述根据图1至图29的显示装置。此时，与图1至图29中的显示图像的表面对应的顶部部分(例如，滤色器层(未示出))面对透镜阵列13。

透镜阵列13可以通过与左眼目镜20a和左眼显示装置12中的每一个间隔开而设置在左眼目镜20a和左眼显示装置12之间。即，透镜阵列13可以被布置在左眼目镜20a的前方和左眼显示装置12的后方。另外，透镜阵列13可以通过与右眼目镜20b和右眼显示装置11中的每一个间隔开而设置在右眼目镜20b和右眼显示装置11之间。即，透镜阵列13可以被布置在右眼目镜20b的前方和右眼显示装置11的后方。

透镜阵列13可以是微透镜阵列。可以用针孔阵列替换透镜阵列13。由于透镜阵列13，导致用户能观看到放大的显示在左眼显示装置12或右眼显示装置11上的图像。

用户的左眼LE可以被布置在左眼目镜20a中，并且用户的右眼RE可以被布置在右眼目镜20b中。

如将从图34C中意识到的，根据本公开的AR结构的头戴式显示装置包括左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射部分14和透射窗口15。尽管为了方便起见仅在图34C中示出了左眼的结构，但是右眼的结构与左眼的结构相同。

左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射部分14和透射窗口15被储存在前述的储存盒10中。

左眼显示装置12可以被布置在透射反射部分14的一侧(例如，上侧)，而不覆盖透射窗口15。因此，左眼显示装置12可以向透射反射部分14提供图像，而不覆盖通过透射窗口15观察的外部背景。

左眼显示装置12可以包括上述根据图1至图29的显示装置。在这种情况下，与图1至图29中的显示图像的表面对应的顶部部分(例如，滤色器(未示出))面对透射反射部分14。

透镜阵列13可以被设置在左眼目镜20a和透射反射部分14之间。

用户的左眼被布置在左眼目镜20a中。

透射反射部分14被布置在透镜阵列13和透射窗口15之间。透射反射部分14可以包括透射一部分光而反射另一部分光的反射表面14a。反射表面14a被形成为使得显示在左眼显示装置12上的图像能够传递到透镜阵列13。因此，用户能通过透射窗口15观看左眼显示装置12上所显示的所有图像和外部背景。即，由于用户可以通过将现实的背景与虚拟图像交叠来观看一个图像，因此能实现增强现实(AR)。

透射窗口15被布置在透射反射部分14的前方。

本领域的技术人员应该清楚，上述的本公开不受上述实施方式和附图的限制，并且可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下在本公开中进行各种替代、修改和变形。因此，本公开的范围由所附的权利要求限定，并且由权利要求的含义、范围和等同构思导出的所有变形或修改落入本公开的范围内。

Claims (33)

1.一种显示装置，该显示装置包括：

基板，该基板包括：

显示区，在该显示区中布置有第一子像素和第二子像素；以及

非显示区，该非显示区围绕所述显示区；

第一电极，该第一电极在所述基板上；

第一发光层，该第一发光层在所述第一电极上，发射第一颜色的光；

第二电极，该第二电极在所述第一发光层上；

第二发光层，该第二发光层在所述第二电极上，发射第二颜色的光；

第三电极，该第三电极在所述第二发光层上；以及

第一连接电极，该第一连接电极用于将所述第一子像素的所述第二电极与所述第一子像素的所述第三电极电连接，

其中，所述第一连接电极包括：

第一电力线，该第一电力线被布置在所述显示区中并且连接到所述第一子像素的所述第二电极；以及

辅助电力线，该辅助电力线布置在所述非显示区中并且连接到所述第一电力线和所述第一子像素的所述第三电极中的每一个，

其中，所述第一电力线从所述显示区延伸到所述辅助电力线，并且所述第一电力线的一端连接到所述辅助电力线。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二电极在所述第一子像素和所述第二子像素之间断开。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素使得所述第一发光层能够发光，并且所述第二子像素使得所述第二发光层能够发光。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二发光层发射蓝色光。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光层在所述第一子像素和所述第二子像素之间断开。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二发光层连接在所述第一子像素和所述第二子像素之间。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三电极连接在所述第一子像素和所述第二子像素之间。

8.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括驱动晶体管，该驱动晶体管被设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的至少一个中，并且所述驱动晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极，其中，所述第一电力线在与所述有源层、所述栅极、所述源极和所述漏极中的任一个相同的层上与所述有源层、所述栅极、所述源极和所述漏极中的所述一个间隔开。

9.根据权利要求8所述的显示装置，该显示装置还包括第一绝缘膜，该第一绝缘膜被设置在所述驱动晶体管和所述第一电力线上并且被设置有使所述第一电力线部分暴露的第一开口区域，其中，所述第一子像素的所述第二电极在所述第一开口区域中连接到所述第一电力线。

10.根据权利要求9所述的显示装置，该显示装置还包括第一掩模图案，该第一掩模图案被设置在所述第一绝缘膜上并且被设置有突出以部分地覆盖所述第一开口区域的突起。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一掩模图案由与所述第一电极的材料相同的材料与所述第一电极同时形成。

12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一掩模图案与所述第一电极间隔开。

13.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一掩模图案沿着所述第一电力线形成在显示区中。

14.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一子像素的所述第二电极在所述第一掩模图案下方连接到所述第一电力线。

15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极被设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中，并且所述第二子像素的所述第二电极与所述第二子像素的所述第一电极电连接。

16.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括第二连接电极，该第二连接电极用于将所述第二子像素的所述第一电极与所述第二子像素的所述第二电极电连接。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第二连接电极被设置在所述第一子像素和所述第二子像素之间。

18.根据权利要求17所述的显示装置，该显示装置还包括第一绝缘膜，该第一绝缘膜被设置在所述第二连接电极上并且被设置有用于使所述第二连接电极部分暴露的第二开口区域，其中，所述第二子像素的所述第二电极在所述第二开口区域中与所述第二连接电极连接，并且所述第二子像素的所述第一电极通过穿过所述第一绝缘膜的接触孔连接到所述第二连接电极。

19.根据权利要求18所述的显示装置，该显示装置还包括第二掩模图案，该第二掩模图案被设置在所述第一绝缘膜上并且被设置有突出以部分地覆盖所述第二开口区域的突起，其中，所述第二子像素的所述第二电极在所述第二掩模图案下方连接到所述第二连接电极。

20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第二掩模图案由与所述第一电极的材料相同的材料与所述第一电极同时形成。

21.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第二掩模图案与所述第一电极间隔开。

22.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第二掩模图案被形成为围绕所述第二子像素。

23.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极仅被形成在所述第一子像素和所述第二子像素中的所述第一子像素中。

24.根据权利要求23所述的显示装置，该显示装置还包括：

第一驱动晶体管，该第一驱动晶体管在所述基板上被设置在所述第一子像素中；以及

第二驱动晶体管，该第二驱动晶体管在所述基板上被设置在所述第二子像素中，

其中，所述第一子像素中所设置的所述第一电极连接到所述第一驱动晶体管并被供应有第一电压，并且所述第二子像素中所设置的所述第二电极连接到所述第二驱动晶体管并被供应有第二电压。

25.根据权利要求23所述的显示装置，该显示装置还包括堤部，该堤部仅被设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的所述第一子像素中并且被图案化成覆盖所述第一电极的端部。

26.根据权利要求23所述的显示装置，该显示装置还包括第三连接电极，该第三连接电极与所述第二子像素的所述第二电极电连接。

27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述第三连接电极被设置在所述第一子像素和所述第二子像素之间。

28.根据权利要求26所述的显示装置，该显示装置还包括第一绝缘膜，该第一绝缘膜被设置在所述第三连接电极上并且被设置有使所述第三连接电极部分暴露的第三开口区域，其中，所述第二子像素的所述第二电极在所述第三开口区域中与所述第三连接电极连接。

29.根据权利要求28所述的显示装置，该显示装置还包括第三掩模图案，该第三掩模图案被设置在所述第一绝缘膜上并且被设置有突出以部分地覆盖所述第三开口区域的突起，其中，所述第二子像素的所述第二电极在所述第三掩模图案下方连接到所述第三连接电极。

30.根据权利要求29所述的显示装置，其中，所述第三掩模图案由与所述第一电极的材料相同的材料与所述第一电极同时形成。

31.根据权利要求29所述的显示装置，其中，所述第三掩模图案被形成为围绕所述第二子像素。

32.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述第一子像素和所述第二子像素具有它们各自的彼此不同的发光区域。

33.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述第二子像素的发光区域比所述第一子像素的发光区域大。

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