CN111370448B - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111370448B
CN111370448B CN201910845660.2A CN201910845660A CN111370448B CN 111370448 B CN111370448 B CN 111370448B CN 201910845660 A CN201910845660 A CN 201910845660A CN 111370448 B CN111370448 B CN 111370448B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
electrode
color
display device
subpixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910845660.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111370448A (zh
Inventor
沈成斌
池文培
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN111370448A publication Critical patent/CN111370448A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111370448B publication Critical patent/CN111370448B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/01—Head-up displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示装置，包括：基板，其设置有第一子像素和第二子像素；第一电极，其设置在第一子像素和第二子像素的每一个中；第三电极，其设置在第一子像素和第二子像素的每一个中；第二电极，其在第一电极与第三电极之间；设置在第一电极与第二电极之间的第一发光层，该第一发光层适于发射第一颜色的光；以及设置在第二电极与第三电极之间的第二发光层，该第二发光层适于发射彼此不同的第二颜色和第三颜色的混合光；其中第一子像素和第二子像素适于发射至少三种颜色的光。根据本发明的显示装置可以实现显著降低功耗、增加开口率等效果。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息时代的发展，对用于显示图像的显示装置的需求已经以各种各样的形式增加。因此，已经使用了各种各样的显示装置，例如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置和有机发光显示(OLED)装置。
最近，开发了包括这样的显示装置的头戴式显示器(head mounted display，HMD)。头戴式显示器(HMD)是虚拟现实(VR)或增强现实的眼镜型监视装置，其以眼镜或头盔的形式佩戴以在靠近用户眼睛的距离处形成焦点。
由于高分辨率的紧凑像素间隔，该头戴式显示器难以以图案方式准确地每子像素形成不同颜色的发光层。为了解决这个问题，头戴式显示器可以通过形成包括用于发射不同颜色的光的多个堆叠的白色发光层作为公共层并且对每子像素布置滤色器来实现不同的颜色。在这种情况下，头戴式显示器的优点在于不需要准确的掩模制造或准确的掩模对准工艺，但是存在由于多个堆叠而消耗大量电力的问题。
发明内容
至少鉴于上述问题做出了本公开，本公开的一个目的是提供一种能够降低功耗的显示装置。
根据本公开的一个方面，可以通过提供包括以下特征的显示装置来实现上述和其他目的。设置有具有第一子像素和第二子像素的基板。在第一子像素和第二子像素的每一个中设置有第一电极。在第一子像素和第二子像素的每一个中设置有第二电极。第一子像素的第二电极和第二子像素的第二电极可以彼此连接。在第一子像素和第二子像素的每一个中设置有第三电极。在第一电极与第三电极之间设置有第二电极。在第一电极与第二电极之间设置有第一发光层，该第一发光层适于发射第一颜色的光。在第二电极与第三电极之间设置有第二发光层，该第二发光层适于发射彼此不同的第二颜色和第三颜色的混合光。滤色器包括与第一子像素对应的第一滤色器以及与第二子像素对应的第二滤色器。第一子像素和第二子像素适于发射至少三种颜色的光。
在一些实施方案中，显示装置可以包括滤色器，该滤色器包括与第一子像素对应的第一滤色器以及与第二子像素对应的第二滤色器。第一滤色器可以适于使第一颜色、第二颜色和第三颜色的光部分透射，第二滤色器可以适于使第一颜色、第二颜色和第三颜色的光的其他部分透射。第一滤色器和第二滤色器可以适于使至少一种相同颜色的光透射。
根据本公开的另一方面，提供了一种显示装置，包括：基板，其设置有第一子像素和第二子像素；第一驱动晶体管，其设置在基板上的第一子像素和第二子像素的每一个中；第二驱动晶体管，其设置在基板上的第一子像素和第二子像素的每一个中；第一电极，其形成为在第一子像素和第二子像素的每一个中被图案化，并且该第一电极被连接至第一驱动晶体管；形成在第一电极上的第一发光层，该第一发光层发射第一颜色的光；形成在第一发光层上的第二电极；形成在第二电极上的第二发光层，该第二发光层发射第二颜色的光；以及第三电极，其形成为在第二发光层上在第一子像素和第二子像素的每一个中被图案化，该第三电极被连接至第二驱动晶体管。
根据本公开，每个子像素可以使得第一发光层和第二发光层能够彼此独立地发光。因此，在本公开中，与具有其中通过在多个堆叠体之间插入电荷产生层来布置多个堆叠体的串叠结构(tandem structure)的显示装置相比，可以显著降低功耗。
此外，在本公开中，通过使用掩模图案可以容易地将第三电极连接至第二驱动晶体管。可以不形成用于将第三电极连接至第二驱动晶体管的接触孔，并且掩模图案与第一电极同时形成，由此不另外需要单独的工艺。
此外，在本公开中，由于一个像素包括两个子像素，因此可以增加面板的开口率。
除了如上所述的本公开的效果之外，本领域技术人员将从以下描述中清楚地理解本公开的其他优点和特征。
附图说明
图1是示出根据本公开的一个实施方案的显示装置的透视图。
图2是简要示出根据本公开的一个实施方案的显示面板的第一基板的平面图。
图3是简要示出第一子像素和第二子像素的示例的平面图。
图4是示出图2中的I-I的示例的截面图。
图5是示出图4中的区域A的示例的放大图。
图6是示出根据本公开的一个实施方案的显示装置中的第一电极和发光层的示例的截面图。
图7是示出图2中的II-II的示例的截面图。
图8是示出图3中的III-III的示例的截面图。
图9是示出已经穿过第一滤色器和第二滤色器的光的示例的视图。
图10是示出已经穿过第一滤色器和第二滤色器的光的另一示例的视图。
图11是示出制造根据本公开的一个实施方案的显示装置的方法的流程图。
图12A至图12L是示出用于制造根据本公开第一实施方案的显示装置的方法的截面图。
图13A至图13C是示出根据本公开另一实施方案的示例性地涉及头戴式显示器(HMD)的显示装置的视图。
具体实施方式
通过参考附图描述以下实施方案将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为限于本文中阐述的实施方案。相反，提供这些实施方案是为了使本公开对于本领域技术人员而言是彻底和完整的。保护范围由权利要求限定。
用于描述本公开的实施方案的附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因此，本公开不限于所示出的细节。贯穿说明书，相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，当确定相关已知功能或配置的详细描述不必要地模糊本公开的重点时，将省略详细描述。
在使用本说明书中描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，除非使用“仅”否则可以添加另外部分。除非另有相反的说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在构造元件时，该元件被解释为包括误差范围，尽管没有明确的描述。
在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在……上”，“在…之上”、“在……之下”和“在......旁边”时，除非使用“紧”或“直接”，否则可以在两个其他部分之间布置一个或更多个部分。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，除非使用“紧”或“刚刚”，否则可以包括不连续的情况。
应当理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种各样的要素，但是这些要素不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个要素与另一要素。例如，第一要素可以被称为第二要素，并且类似地，第二要素可以被称为第一要素，而不脱离本公开的范围。
术语“X轴方向”、“Y轴方向”和“Z轴方向”不应仅基于各个方向彼此垂直的几何关系来解释，并且可以指在本公开的部件可以在功能上操作的范围内具有更宽的方向性的方向。
应理解，术语“至少之一”包括与任何一个项目相关的所有组合。例如，“第一要素、第二要素和第三要素中的至少之一”可以包括选自第一要素、第二要素和第三要素的两个或更多个要素以及第一要素、第二要素和第三要素中的每个要素的所有组合。
本公开的各种各样的实施方案的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以彼此以各种各样的方式相互操作并且技术上被驱动，如本领域技术人员可以充分理解的。本公开的实施方案可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。
在下文中，将参考附图详细描述本公开的优选实施方案。
图1是示出根据本公开的一个实施方案的显示装置的透视图。
参照图1，根据本公开的一个实施方案的显示装置100包括显示面板110、源极驱动集成电路(在下文中，称为“IC”)140、柔性膜150、电路板160和定时控制器170。
显示面板110包括第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封装基板。第一基板111可以是塑料膜、玻璃基板或使用半导体工艺形成的硅晶片基板。第二基板112可以是塑料膜、玻璃基板或封装膜。
在第一基板111的面对第二基板112的一个表面上设置有栅极线、数据线和子像素。子像素设置在由栅极线和数据线的交叉结构限定的区域中。
子像素中的每一个可以包括晶体管；以及包括阳极电极、发光层和阴极电极的发光二极管。如果通过使用晶体管从栅极线输入栅极信号，则子像素中的每一个根据数据线的数据电压向发光二极管提供预定电流。因此，如果向阳极电极施加高电位电压并且向阴极电极施加低电位电压，则子像素中的每一个的发光层可以根据预定电流发射具有预定亮度的光。
显示面板110可以被分为：其中设置子像素以显示图像的显示区域DA，以及其中不显示图像的非显示区域NDA。栅极线、数据线和子像素可以设置在显示区域DA上。在非显示区域NDA上可以设置有栅极驱动器和焊盘。
栅极驱动器根据从定时控制器170输入的栅极控制信号向栅极线提供栅极信号。栅极驱动器可以以板内栅极驱动器(GIP)模式设置在显示面板110的显示区域DA的一侧或两侧外部的非显示区域NDA上。可替选地，栅极驱动器可以由驱动芯片制成，封装在柔性膜中并且以带载自动封装(TAB)模式附接至显示面板110的显示区域DA的一侧或两侧外部的非显示区域NDA。
源极驱动IC 140从定时控制器170接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 140根据源极控制信号将数字视频数据转换成模拟数据电压并且将模拟数据电压提供至数据线。如果源极驱动IC 140由驱动芯片制成，则源极驱动IC 140可以以膜上芯片(COF)或塑料上芯片(COP)模式封装在柔性膜150中。
焊盘例如数据焊盘可以设置在显示面板110的非显示区域NDA上。将焊盘与源极驱动IC 140连接的线和将焊盘与电路板160的线连接的线可以设置在柔性膜150中。柔性膜150可以通过各向异性导电膜附接在焊盘上，由此焊盘可以与柔性膜150的线连接。
电路板160可以附接至柔性膜150。包括驱动芯片的多个电路可以封装在电路板160中。例如，定时控制器170可以封装在电路板160中。电路板160可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
定时控制器170通过电路板160的线缆从外部系统板接收数字视频数据和定时信号。定时控制器170基于定时信号生成用于控制栅极驱动器的操作定时的栅极控制信号和用于控制源极驱动IC 140的源极控制信号。定时控制器170将栅极控制信号提供至栅极驱动器，并且将源极控制信号提供至源极驱动IC 140。
图2是简要示出根据本公开第一实施方案的显示面板的第一基板的平面图，图3是简要示出第一子像素和第二子像素的示例的平面图，图4是示出图2中的I-I的示例的截面图，图5是示出图4中的区域A的示例的放大图，图6是示出根据本公开的一个实施方案的显示装置中的第一电极和发光层的示例的截面图，图7是示出图2中的II-II的示例的截面图，图8是示出图3中的III-III的示例的截面图，图9是简要示出已经穿过第一滤色器和第二滤色器的光的示例的视图，并且图10是示出已经穿过第一滤色器和第二滤色器的光的另一示例的视图。
参照图2至图10，根据本公开的一个实施方案的显示面板110包括第一基板111、第一驱动晶体管210、第二驱动晶体管220、绝缘膜230、平坦化膜240、掩模图案260、堤部250、第一电极310、第一发光层320、第二电极330、第二发光层340、第三电极350、封装层400和滤色器500。
第一基板111可以由玻璃或塑料制成，但不限于此。第一基板111可以由诸如硅晶片的半导体材料制成。第一基板111可以由透明材料或不透明材料制成。
第一基板111被分为显示区域DA和非显示区域NDA。可以在第一基板111的显示区域上设置多个像素P。每个像素P可以包括第一子像素SP1和第二子像素SP2。第一子像素SP1连同第二子像素SP2一起(together with)可以设置成发射至少三种颜色的光。例如，第一子像素SP1可以设置成发射蓝光和绿光，并且第二子像素SP2可以设置成发射红光。又例如，第一子像素SP1可以设置成发射蓝光和绿光，并且第二子像素SP2可以设置成发射蓝光和红光。同时，如果从第一子像素SP1发射的光与从第二子像素P2发射的光混合，则可以获得白光。换言之，在本发明的实施方案中，第一子像素SP1和第二子像素SP2可以分别发出一种或更多种颜色的光。
根据本公开的一个实施方案的显示装置100可以设置成其中光向上发射的顶部发光型，但不限于此。如果根据本公开的一个实施方案的显示装置100设置成其中光向上发射的顶部发光型，则不仅可以使用透明材料还可以使用不透明材料作为第一基板111。另一方面，如果根据本公开的一个实施方案的显示装置100设置成光向下发射的底部发光型，则可以使用透明材料作为第一基板111。
在第一基板111上针对子像素SP1和SP2中的每一个设置有包括各种各样的信号线的电路二极管、驱动晶体管和电容器。信号线可以包括栅极线、数据线、电力线和参考线。
根据本公开的一个实施方案的显示装置100包括针对第一子像素SP1和第二子像素SP2中的每一个的第一驱动晶体管210和第二驱动晶体管220。在第一子像素SP1中设置有第一驱动晶体管211和第二驱动晶体管221，在第二子像素SP2中设置有另一第一驱动晶体管212和另一第二驱动晶体管222。此时，每一子像素SP1和SP2的不同信号可以被施加至第一驱动晶体管211和212以及第二驱动晶体管221和222。
如果栅极信号被输入至栅极线，则第一驱动晶体管211和212根据数据线的数据电压向第一电极311和312提供预定电压。
如果栅极信号被输入至栅极线，则第二驱动晶体管221和222根据数据线的数据电压向第三电极351和352提供预定电压。
第一驱动晶体管211和212以及第二驱动晶体管221和222中的每一个包括有源层、栅电极、源电极和漏电极。尽管第一驱动晶体管211和212以及第二驱动晶体管221和222以其中栅电极布置在有源层上方的顶部栅极模式形成，但是应当理解，本公开的驱动晶体管不限于顶部栅极模式。也就是说，第一驱动晶体管211和212以及第二驱动晶体管221和222可以以其中栅电极布置在有源层下方的底部栅极模式或者其中栅电极布置在有源层上方和下方的双栅极模式形成。
在第一基板111上设置有源层。有源层可以由硅基半导体材料或基于氧化物的半导体材料制成。可以在第一基板111与有源层之间设置用于遮蔽进入有源层的外部光的遮光层。
可以在有源层上设置栅极绝缘膜。栅极绝缘膜可以由无机膜制成，例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜或者硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜。
栅电极可以设置在栅极绝缘膜上。栅电极可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任何一种或其合金组成的单层或多层制成。
可以在栅电极上设置层间电介质膜。层间电介质膜可以由无机膜制成，例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜、或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜。
源电极和漏电极可以设置在层间电介质膜上。源电极和漏电极中的每一个可以经由穿过栅极绝缘膜和层间电介质膜的接触孔连接至有源层。同时，源电极和漏电极中的每一个可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任何一种或其合金组成的单层或多层制成，但不限于此。
在第一驱动晶体管211和212以及第二驱动晶体管221和222上设置有绝缘膜230。绝缘膜230覆盖第一驱动晶体管211和212，从而保护第一驱动晶体管211和212。绝缘膜230使第二驱动晶体管221和222部分地露出，确切地，使第二驱动晶体管221和222的源电极或漏电极露出。
更详细地，绝缘膜230包括使第二驱动晶体管221和222的源电极或漏电极部分地露出的开口区域OA1、OA2和OA3。
绝缘膜230可以包括用于使一个第二驱动晶体管221部分地露出的第一开口区域OA1以及用于使另一第二驱动晶体管222部分地露出的第二开口区域OA2。此外，绝缘膜230可以包括用于使焊盘PAD部分地露出的第三开口区域OA3。
绝缘膜230可以由无机膜制成，例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜、或者硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜。
在绝缘膜230上设置有平坦化膜240，以使由于第一驱动晶体管211和212引起的台阶差平坦化。此时，在绝缘膜230的开口区域OA1、OA2和OA3上不设置平坦化膜240。因此，仍然可以露出第二驱动晶体管221和222的源电极或漏电极的部分。
平坦化膜240可以具有小于绝缘膜230的形成区域。因此，平坦化膜240可以使绝缘膜230部分地露出。绝缘膜230可以在与开口区域OA1、OA2和OA3相邻的区域中露出，而不被平坦化膜240覆盖。
平坦化膜240可以由有机膜制成，例如，丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂。
针对子像素SP1和SP2中的每一个，第一电极310设置在平坦化膜240上。针对子像素SP1和SP2中的每一个，第一电极310可以形成为在平坦化膜240上被图案化。一个第一电极311形成在第一子像素SP1上，另一第一电极312形成在第二子像素SP2上。
第一电极311和312经由穿过绝缘膜230和平坦化膜240的接触孔CH1和CH2连接至第一驱动晶体管211和212的源电极或漏电极。
第一电极311和312可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射性的金属材料形成。在显示装置100形成为顶部发光型的情况下，第一电极311和312可以由具有高反射性的金属材料形成，例如，Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金、以及Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)。Ag合金可以是Ag、Pd和Cu的合金。在显示装置100形成为底部发光型的情况下，第一电极311和312可以由可以使光透射的透明导电材料(TCO)例如ITO和IZO或者半透射导电材料例如Mg、Ag、或Mg和Ag的合金形成。第一电极311和312可以是阳极电极。
掩模图案260设置在绝缘膜230上以部分地覆盖绝缘膜230的开口区域OA1和OA2。掩模图案260包括第一掩模图案261和第二掩模图案262。
第一掩模图案261设置在第一子像素SP1或第二子像素SP2的一侧，具体地为布置有第一开口区域OA1的一侧。第一掩模图案261包括设置在绝缘膜230上的突出部261a，该突出部261a露出而未被平坦化膜240覆盖，该突出部261a从绝缘膜230延伸并突出为部分地覆盖第一开口区域OA1。此时，第一掩模图案261的突出部261a相对于第二驱动晶体管221的源电极或漏电极间隔开，以为第二驱动晶体管221的源电极或漏电极提供空间。
第一掩模图案261设置成靠近第二子像素SP2，第二子像素SP2布置成通过插入第一开口区域OA1而邻接第一子像素SP1。第一掩模图案261可以突出，使得突出部261a从第二子像素SP2朝向第一开口区域OA1。因此，第一开口区域OA1的与第二子像素SP2相邻的部分区域被第一掩模图案261覆盖。第二驱动晶体管221的源电极或漏电极的部分区域也被第一掩模图案261覆盖。第二驱动晶体管221的源电极或漏电极在第一开口区域OA1的与第一子像素SP1相邻的另一区域中仍然露出。
第一掩模图案261可以以沿第二方向(Y轴方向)具有预定长度的图案设置在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间。此时，第一掩模图案261沿第二方向的长度比第一子像素SP1和第二子像素SP2中的每一个的长度短。
同时，如图4和图5所示，第一掩模图案261可以与第一电极311和312在同一层上。第一掩模图案261可以由与第一电极311和312相同的材料制成。此时，第一掩模图案261可以相对于第一电极311和312间隔开。第一掩模图案261相对于第二子像素SP2的第一电极312间隔开，使得第一掩模图案261不与第二子像素SP2的第一电极312电连接。第一掩模图案261可以形成在平坦化膜240以及露出而未被平坦化膜240覆盖的绝缘膜230上。
在这种情况下，在显示装置100中，第一掩模图案261在与第一电极311和312相同的层上由与第一电极311和312的材料相同的材料制成。因此，在而不添加单独的工艺的情况下形成第一掩模图案261。
然而，不限于此情况，第一掩模图案261可以形成在与第一电极311和312不同的层上。第一掩模图案261可以形成在绝缘膜230与平坦化膜240之间。
第二掩模图案262设置在第一子像素SP1或第二子像素SP2的一侧，具体地为布置有第二开口区域OA2的一侧。第二掩模图案262包括形成在绝缘膜230上的突出部262a，突出部262a露出而未被平坦化膜240覆盖，突出部262a从绝缘膜230延伸并突出为部分地覆盖第二开口区域OA2。此时，第二掩模图案262的突出部262a相对于第二驱动晶体管222的源电极或漏电极间隔开，以为第二驱动晶体管222的源电极或漏电极提供空间。
第二掩模图案262设置成靠近第一子像素SP1，第一子像素SP1被布置成通过插入第二开口区域OA2而邻接第二子像素SP2。第二掩模图案262可以突出，使得突出部262a从第一子像素SP1朝向第二开口区域OA2。因此，第二开口区域OA2的与第一子像素SP1相邻的部分区域被第二掩模图案262覆盖。第二驱动晶体管222的源电极或漏电极的部分区域也被第二掩模图案262覆盖。第二驱动晶体管222的源电极或漏电极在第二开口区域OA2的与第二子像素SP2相邻的另一区域中仍然露出。
第二掩模图案262可以以沿第二方向(Y轴方向)具有预定长度的图案设置在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间。此时，第二掩模图案262沿第二方向的长度比第一子像素SP1和第二子像素SP2中的每一个沿第二方向的长度短。
同时，如图4和图5所示，第二掩模图案262可以与第一电极311和312在同一层上。第二掩模图案262可以由与第一电极311和312相同的材料制成。此时，第二掩模图案262可以与第一电极311和312间隔开。第二掩模图案262相对于第一子像素SP1的第一电极312间隔开，使得第二掩模图案262不与第一子像素SP1的第一电极311电连接。第二掩模图案262可以形成在平坦化膜240以及露出而未被平坦化膜240覆盖的绝缘膜230上。
在这种情况下，在显示装置100中，第二掩模图案262在与第一电极311和312相同的层上由与第一电极311和312的材料相同的材料制成。因此，在而不添加单独的工艺的情况下形成第二掩模图案262。
然而，不限于此情况，第二掩模图案262可以形成在与第一电极311和312不同的层上。第二掩模图案262可以形成在绝缘膜230与平坦化膜240之间。
堤部250可以设置在平坦化膜240上以覆盖第一电极311和312的端部。因此，由于集中在第一电极311和312的端部上的电流而出现了发光效率劣化的问题。
同时，堤部250未设置在绝缘膜230的开口区域OA1、OA2和OA3上。因此，第二驱动晶体管221和222的源电极或漏电极的局部部分会仍然露出。
此外，堤部250可以设置在掩模图案261和262上。此时，堤部250可以设置成使得掩模图案261和262的突出部261a和262a可以露出而不被覆盖。
如果堤部250覆盖掩模图案261和262的突出部261a和262a，则子像素SP1和SP2的第一发光层321和322会在开口区域OA1和OA2中彼此连接而不断开。另外，子像素SP1和SP2的第二电极331和332会在开口区域OA1和OA2中彼此连接而不断开。因此，可能出现的问题是第一子像素SP1的第三电极351连接至第二驱动晶体管221的源电极或漏电极，第二子像素的第三电极352连接至第二驱动晶体管222的源电极或漏电极。
在根据本公开的一个实施方案的显示装置100中，堤部250应该使掩模图案261和262的突出部261a和262a露出而不覆盖突出部261a和262a。
堤部250限定多个子像素SP1和SP2中的每一个的亮度区域。也就是说，堤部250不设置在每个子像素SP1和SP2中，并且第一电极311和312的露出区域变成亮度区域(luminance area)。虽然堤部250可以由相对薄的无机绝缘膜制成，但堤部250可以由相对厚的有机绝缘膜制成。
第一发光层321和322设置在第一电极311和312上。第一发光层321和322可以设置在堤部250上。第一发光层321和322可以通过如图6所示在第一电极311和312上依次沉积空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、第一颜色发光层EML1、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)而形成。在这种情况下，第一发光层321和322的空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到第一颜色发光层并且在第一颜色发光层中结合以发出预定颜色的光。
第一发光层321和322中的每一个可以是但不限于用于发射红光的红色发光层、用于发射绿光的绿色发光层、用于发射蓝光的蓝色发光层、用于发射黄光的黄色发光层、用于发射青色光的青色发光层、用于发射品红色光的品红色发光层、以及用于发射橙色光的橙色发光层中的至少之一。
第一发光层321和322在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。掩模图案261和262设置在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间。第一发光层321和322可以通过掩模图案261和262彼此断开。
更详细地，第一发光层321和322可以通过第一掩模图案261在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。如图4所示，如果第一发光层321和322在没有掩模的情况下沉积在整个表面上，则沉积在第二子像素SP2上的第一发光层322会由于第一掩模图案261的突出部261a与第二驱动晶体管221之间的台阶差而在第一掩模图案261的突出部261a上断开。如图4和图5所示，沉积在第一子像素SP1上的第一发光层321可以设置在露出而未被第一掩模图案261的突出部261a覆盖的第二驱动晶体管221上。
此外，第一发光层321和322可以通过第二掩模图案262在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。如图4所示，如果第一发光层321和322在没有掩模的情况下沉积在整个表面上，则沉积在第一子像素SP1上的第一发光层321会由于第二掩模图案262的突出部262a与第二驱动晶体管222之间的台阶差而在第二掩模图案262的突出部262a上断开。如图4和图5所示，沉积在第二子像素SP2上的第一发光层322可以设置在露出而未被第二掩模图案262的突出部262a覆盖的第二驱动晶体管222上。
在根据本公开的一个实施方案的显示装置100中，优选地是，第一子像素SP1的第一发光层321和第二子像素SP2的第一发光层322在开口区域OA1和OA2中彼此断开而彼此不邻接。因此，如果第二电极331和332、第二发光层341和342以及第三电极351和352依次沉积在第一发光层321和322上，则在第一子像素SP1上沉积第三电极351的空间可以进入第一掩模图案261的突出部261a与第二驱动晶体管221之间。此外，在第二子像素SP2上沉积第三电极352的空间可以进入第二掩模图案262的突出部262a与第二驱动晶体管222之间。
第二电极331和332设置在第一发光层321和322上。第二电极331和332在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。掩模图案261和262设置在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间。第二电极331和332可以通过掩模图案261和262彼此断开。
更详细地，第二电极331和332可以通过第一掩模图案261在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。如果第二电极331和332沉积在整个表面上，则如图4所示，沉积在第二子像素SP2上的第二电极332会由于第一掩模图案261的突出部261a与第二驱动晶体管221之间的台阶差而在第一掩模图案261的突出部261a上断开。如图4和图5所示，沉积在第一子像素SP1上的第二电极331可以设置在露出而未被第一掩模图案261的突出部261a覆盖的第一发光层321上。
此外，第二电极331和332可以通过第二掩模图案262在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。如果第二电极331和332在没有掩模的情况下沉积在整个表面上，则如图4所示，沉积在第一子像素SP1上的第二电极331会由于第二掩模图案262的突出部262a与第二驱动晶体管222之间的台阶差而在第二掩模图案262的突出部262a上断开。如图4和图5所示，沉积在第二子像素SP2上的第二电极332可以设置在露出而未被第二掩模图案262的突出部262a覆盖的第一发光层322上。
在根据本公开的一个实施方案的显示装置100中，优选地是，第一子像素SP1的第二电极331和第二子像素SP2的第二电极332在开口区域OA1和OA2中彼此断开而彼此不邻接。因此，如果第二发光层341和342以及第三电极351和352依次沉积在第二电极331和332上，则在第一子像素SP1上沉积第三电极351的空间可以进入第一掩模图案261的突出部261a与第二驱动晶体管221之间。此外，在第二子像素SP2上沉积第三电极352的空间可以进入第二掩模图案262的突出部262a与第二驱动晶体管222之间。
此外，在根据本公开的一个实施方案的显示装置100中，优选地是，第一子像素SP1的第二电极331和第二子像素SP2的第二电极332形成为在开口区域OA1和OA2中不与第二驱动晶体管221和222连接。为此，优选地是，第一子像素SP1的第二电极331和第二子像素SP2的第二电极332使用蒸镀而不是诸如溅射的物理气相沉积来形成。这是因为第一子像素SP1的第二电极331和第二子像素SP2的第二电极332会由于通过诸如溅射的物理气相沉积形成的膜具有出色的台阶覆盖特性而与第二驱动晶体管221和222连接。
同时，如图8所示，在未形成掩模图案261和262以及开口区域OA1和OA2的区域中，第二电极331和332可以在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间连接。因此，第二电极331和332可以是阴极电极，并且可以共同地将施加至焊盘PAD的低电位电压提供至第一子像素SP1和第二子像素SP2。
第二电极331和332可以由可以使光透射的透明导电材料(TCO)例如ITO和IZO或者半透射导电材料例如Mg、Ag、或Mg和Ag的合金形成。第二电极331和332可以是阴极电极。
第二发光层341和342设置在第二电极331和332上。如图6所示，第二发光层341和342可以通过在第二电极331和332上依次沉积电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、第二颜色发光层EML2、空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)来形成。在这种情况下，第二发光层341和342的空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到第二颜色发光层并且在第二颜色发光层中结合以发射预定颜色的光。
第二发光层341和342中的每一个可以是但不限于用于发射红光的红色发光层、用于发射绿光的绿色发光层、用于发射蓝光的蓝色发光层、用于发射黄光的黄色发光层、用于发射青色光的青色发光层、用于发射品红色光的品红色发光层、以及用于发射橙色光的橙色发光层中的至少之一。
然而，第二发光层341和342可以发射与第一发光层321和322的颜色不同的颜色的光。第一发光层321和322可以包括用于发射第一颜色的光的第一颜色发光层，第二发光层341和342可以包括用于发射第二颜色的光的第二颜色发光层。此时，第一颜色的光和第二颜色的光中的任意一者可以是两种不同颜色的混合光。例如，第一发光层321和322可以是用于发射作为绿光和红光的混合光的黄光的黄色发光层，第二发光层341和342可以是用于发射蓝光的蓝色发光层。相反，第二发光层341和342可以是用于发射作为绿光和红光的混合光的黄光的黄色发光层，第一发光层321和322可以是用于发射蓝光的蓝色发光层。
第二发光层341和342在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。掩模图案261和262设置在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间。第二发光层341和342可以通过掩模图案261和262彼此断开。
更详细地，第二发光层341和342可以通过第一掩模图案261在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。如果第二发光层341和342在没有掩模的情况下沉积在整个表面上，则如图4所示，沉积在第二子像素SP2上的第二发光层342会由于第一掩模图案261的突出部261a与第二驱动晶体管221之间的台阶差而在第一掩模图案261的突出部261a上断开。如图4和5所示，沉积在第一子像素SP1上的第二发光层341可以设置在露出而未被第一掩模图案261的突出部261a覆盖的第二驱动晶体管221上。
此外，第二发光层341和342可以通过第二掩模图案262在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。如果第二发光层341和342在没有掩模的情况下沉积在整个表面上，则如图4所示，沉积在第一子像素SP1上的第二发光层341会由于第二掩模图案262的突出部262a与第二驱动晶体管222之间的台阶差而在第二掩模图案262的突出部262a上断开。如图4和图5所示，沉积在第二子像素SP2上的第二发光层342可以设置在露出而未被第二掩模图案262的突出部262a覆盖的第二驱动晶体管222上。
在根据本公开的一个实施方案的显示装置100中，优选地是，第一子像素SP1的第二发光层341和第二子像素SP2的第二发光层342在开口区域OA1和OA2中彼此断开而彼此不邻接。因此，如果第三电极351和352沉积在第二发光层341和342上，则在第一子像素SP1上沉积第三电极351的空间可以进入第一掩模图案261的突出部261a与第二驱动晶体管221之间。另外，在第二子像素SP2上沉积第三电极352的空间可以进入第二掩模图案262的突出部262a与第二驱动晶体管222之间。
第三电极351和352设置在第二发光层341和342上。第三电极351和352在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。掩模图案261和262设置在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间。第三电极351和352可以通过掩模图案261和262彼此断开。
更详细地，第三电极351和352可以通过第一掩模图案261在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。即使第三电极351和352在没有任何附加掩模的情况下沉积在整个表面上，沉积在第二子像素SP2上的第三电极352也会如图4所示的由于第一掩模图案261的突出部261a与第二驱动晶体管221之间的台阶差而在第一掩模图案261的突出部261a上断开。
如图4和图5所示，沉积在第一子像素SP1上的第三电极351可以进入第一掩模图案261的突出部261a与第二发光层341之间的空间，并且由此第三电极351可以形成在第一掩模图案261的突出部261a下方。此时，可以通过诸如溅射的物理气相沉积形成沉积在第一子像素SP1上的第三电极351。由于通过诸如溅射的物理气相沉积形成的膜具有优异的台阶覆盖特性，所以第三电极351可以以比第一发光层321、第二电极331和第二发光层341更宽的区域沉积在第一掩模图案261的突出部261a下方。因此，第一子像素SP1的第三电极351可以连接至第二驱动晶体管221的源电极或漏电极。
此外，第三电极351和352可以通过第二掩模图案262在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。如果第三电极351和352沉积在整个表面上，则如图4所示，沉积在第一子像素SP1上的第三电极351会由于第二掩模图案262的突出部262a与第二驱动晶体管222之间的台阶差而在第二掩模图案262的突出部262a上断开。
如图4和图5所示，沉积在第二子像素SP2上的第三电极352可以进入第二掩模图案262的突出部262a与第二发光层342之间的空间，并且由此第三电极352可以形成在第二掩模图案262的突出部262a下方。此时，沉积在第二子像素SP2上的第三电极352可以通过诸如溅射的物理气相沉积形成。由于通过诸如溅射的物理气相沉积形成的膜具有优异的台阶覆盖特性，所以第三电极352可以以比第一发光层322、第二电极332和第二发光层342更宽的区域沉积在第二掩模图案262的突出部262a下方。因此，第二子像素SP2的第三电极352可以连接至第二驱动晶体管222的源电极或漏电极。
第三电极351和352可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射性的金属材料形成。在显示装置100形成顶部发光型的情况下，第三电极351和352可以由可以使光透射的透明导电材料(TCO)例如ITO和IZO或者半透射导电材料例如，Mg、Ag、或Mg和Ag的合金形成。在显示装置100形成为底部发光型的情况下，第三电极351和352可以由具有高反射性的金属材料形成，例如，Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金、以及Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)。Ag合金可以是Ag、Pd和Cu的合金。第三电极351和352可以是阳极电极。
封装层400设置在第三电极350上，以防止外部水渗透到第一发光层320和第二发光层340中。封装层400可以由但不限于无机绝缘材料或者无机材料和有机材料交替沉积的结构制成。
尽管图4中未示出，但是可以在第三电极350与封装层400之间附加地设置盖层。
滤色器500设置成针对子像素SP1和SP2中的每一个被图案化。详细地，滤色器500可以包括布置成与第一子像素SP1对应的第一滤色器CF1以及布置成与第二子像素SP2对应的第二滤色器CF2。
第一滤色器CF1和第二滤色器CF2中的每一个可以使得第一子像素SP1和第二子像素SP2中的每一个能够通过从第一发光层320和第二发光层340中的至少之一发射的光中吸收预定波长范围的光而仅发射特定波长范围的光。第一滤色器CF1和第二滤色器CF2中的每一个可以由本领域已知的材料形成，例如，吸收特定波长范围的光的染料、颜料、量子点、纳米颗粒、树脂或电介质。
第一滤色器CF1和第二滤色器CF2中的每一个可以吸收蓝色波长范围的光、绿色波长范围的光和红色波长范围的光中的至少一种，并且可以使仅其他波长范围的光透射。此时，从第一滤色器CF1和第二滤色器CF2中的每一个透射的光可以包括蓝色波长范围的光、绿色波长范围的光和红色波长范围的光。
例如，第一发光层321和322可以发射第一颜色的光L1，第二发光层341和344可以发射第二颜色和第三颜色的混合光L2。第一滤色器CF1可以包括适于吸收第三颜色的光的第三材料。第一滤色器CF1可以包括吸收第三颜色波长范围的光的颜料或染料。如图9所示，第一滤色器CF1可以吸收第三颜色波长范围的光L4，并且可以使第一颜色波长范围的光L1和第二颜色波长范围的光L3透射。因此，第一子像素SP1可以发射第一颜色的光L1和第二颜色的光L3。
第二滤色器CF2可以包括适于吸收第一颜色的光的第一材料和适于吸收第二颜色的光的第二材料。第二滤色器CF2可以包括吸收第一颜色波长范围的光的颜料或染料，并且可以包括吸收第二颜色波长范围的光的颜料或染料。如图9所示，第二滤色器CF2可以吸收第一颜色波长范围的光L1和第二颜色波长范围的光L3，并且可以使仅第三颜色波长范围的光L4透射。因此，第二子像素SP2可以发射仅第三颜色的光L4。第一颜色的光可以是蓝光，第二颜色的光可以是绿光，第三颜色的光可以是红光。
又例如，第一发光层321和322可以发射第一颜色的光L1，第二发光层341和344可以发射第二颜色和第三颜色的混合光L2。第一滤色器CF1可以包括适于吸收第三颜色的光的第三材料。第一滤色器CF1可以包括吸收第三颜色波长范围的光的颜料或染料。如图10所示，第一滤色器CF1可以吸收第三颜色波长范围的光L4，并且可以使第一颜色波长范围的光L1和第二颜色波长范围的光L3透射。因此，第一子像素SP1可以发射第一颜色的光L1和第二颜色的光L3。
第二滤色器CF2可以包括适于吸收第二颜色的光的第二材料。第二滤色器CF2可以包括吸收第二颜色波长范围的光的颜料或染料。如图10所示，第二滤色器CF2可以吸收第二颜色波长范围的光L3，并且可以使第一颜色波长范围的光L1和第三颜色波长范围的光L4透射。因此，第二子像素SP2可以发射第一颜色的光L1和第三颜色的光L4。第一颜色的光可以是蓝光，第二颜色的光可以是绿光，第三颜色的光可以是红光。
因此，在根据本公开的一个实施方案的显示装置100中，尽管一个像素P仅包括两个子像素SP1和SP2，但是可以从两个子像素SP1和SP2发射蓝光L1、绿光L3和红光L4即三种颜色的光。
滤色器500可以根据显示装置100的发光类型布置在第一电极310下方或第三电极350上。如果显示装置100对应于顶部发光型，则滤色器500可以如图4所示设置在第三电极350上。如果显示装置100对应于底部发光型，则滤色器500可以设置在第一电极310下方。
根据本公开的一个实施方案的显示装置100的特征在于：第一发光层321和322以及第二发光层341和342独立于子像素SP1和SP2中的每一个发光。
更详细地，在子像素SP1和SP2中，如果从第一驱动晶体管211和212向第一电极311和312施加第一高电位电压并且从焊盘PAD向第二电极331和332施加低电位电压，则设置在第一电极311和312与第二电极331和332之间的第一发光层321和322根据预定电流发射具有预定亮度的光。
在子像素SP1和SP2中，如果从第二驱动晶体管221和222向第三电极351和352施加第二高电位电压，并且从焊盘PAD向第二电极331和332施加低电位电压，则设置在第二电极331和332与第三电极351和352之间的第二发光层341和342根据预定电流发射具有预定亮度的光。
在根据本公开的一个实施方案的子像素SP1和SP2中，第一发光层321和322以及第二发光层341和342中的至少之一可以发光。
例如，在子像素SP1和SP2中，可以将电压施加至第一电极311和312以及第二电极331和332，由此仅第一发光层321和322可以发光。详细地，在子像素SP1和SP2中，可以向第一电极311和312施加用于使得第一发光层321和322能够发光的第一高电位电压，可以向第二电极331和332施加低电位电压，可以不向第三电极351和352施加电压。因此，设置在第一电极311和312与第二电极331和332之间的第一发光层321和322可以发光，但是设置在第二电极331和332与第三电极351和352之间的第二发光层341和342可以不发光。
又例如，在子像素SP1和SP2中，可以将电压施加至第二电极331和332以及第三电极351和352，由此仅第二发光层341和342可以发光。详细地，在子像素SP1和SP2中，可以不向第一电极311和312施加电压，可以向第二电极331和332施加低电位电压，并且可以向第三电极351和352施加用于使得第二发光层341和342能够发光的第二高电位电压。因此，设置在第一电极311和312与第二电极331和332之间的第一发光层321和322可以不发光，但是设置在第二电极331和332与第三电极351和352之间的第二发光层341和342可以发光。
对于其他示例，在子像素SP1和SP2中，可以将电压施加至第一电极311和312、第二电极331和332以及第三电极351和352，由此第一发光层321和322和第二发光层341和342可以发光。详细地，在子像素SP1和SP2中，可以向第一电极311和312施加用于使得第一发光层321和322能够发光的第一高电位电压，可以向第二电极331和332施加低电位电压，可以向第三电极351和352施加用于使得第二发光层341和342能够发光的第二高电位电压。此时，由于第一高电位电压和第二高电位电压旨在使得不同颜色的发光层能够发光，因此第一高电位电压和第二高电位电压彼此不同。因此，设置在第一电极311和312与第二电极331和332之间的第一发光层321和322可以与设置在第二电极331和332与第三电极351和352之间的第二发光层341和342同时发光。
如上所述，在根据本公开的一个实施方案的显示装置100中，第一发光层321和322以及第二发光层341和342可以在子像素SP1和SP2的每一个中独立地发光。因此，与具有其中通过在多个堆叠体之间插入电荷产生层来布置多个堆叠体的串叠结构的显示装置相比，根据本公开的一个实施方案的显示装置100可以显著降低功耗。
此外，在根据本公开的一个实施方案的显示装置100中，第三电极351和352可以通过使用掩模图案261和262容易地连接至第二驱动晶体管221和222。在根据本公开的一个实施方案的显示装置100中，设置有掩模图案261和262，并且第一发光层321和322、第二电极331和332以及第二发光层341和342在没有掩模的情况下被设置在第一基板111的设置有掩模图案261和262的整个表面上。第一发光层321和322、第二电极331和332以及第二发光层341和342通过掩模图案261和262在开口区域OA1和OA2中断开。因此，尽管第一发光层321和322、第二电极331和332以及第二发光层341和342形成在第一基板111的整个表面上，但是可以获得第三电极351和352可以进入掩模图案261和262与第二驱动晶体管221和222之间的空间。第三电极351和352可以进入掩模图案261和262与第二驱动晶体管221和222之间，从而连接至第二驱动晶体管221和222的源电极或漏电极。
图11是示出根据本公开的一个实施方案的用于制造显示装置的方法的流程图，图12A至图12L是示出根据本公开的第一实施方案的用于制造显示装置的方法的截面图。
首先，如图12A所示，在第一基板111上形成第一驱动晶体管211和212以及第二驱动晶体管221和222(S1101)。
更详细地，在第一基板111上形成有源层。有源层可以由硅基半导体材料或基于氧化物的半导体材料形成。
在有源层上可以形成栅极绝缘膜。栅极绝缘膜可以由无机膜形成，例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜、或者硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜。
在栅极绝缘膜上可以形成栅电极。栅电极可以是由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任何一种或其合金组成的单层或多层，但不限于此。
在栅电极上可以形成层间电介质膜。层间电介质膜可以由无机膜形成，例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜、或者硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜。
在层间电介质膜上可以形成源电极和漏电极。源电极和漏电极中的每一个可以经由穿过栅极绝缘膜和层间电介质膜的接触孔连接至有源层。源电极和漏电极中的每一个可以是由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任何一种或它们的合金组成的单层或多层，但不限于此。
接下来，如图12B所示形成绝缘膜230(S1102)。
更详细地，在第一驱动晶体管211和212以及第二驱动晶体管221和222上形成绝缘膜230。
尽管可以在绝缘膜230中形成使第一驱动晶体管211和212的源电极或漏电极部分地露出的接触孔，但是接触孔的形成不限于这种情况。接触孔可以通过后续工艺形成。
绝缘膜230可以由无机膜形成，例如，硅氧化物膜、硅氮化物膜、或者硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜。
接下来，如图12C所示形成平坦化膜240(S1103)。
更详细地，在绝缘膜230上形成平坦化膜240。平坦化膜240使由于第一驱动晶体管211和212引起的台阶差平坦化。平坦化膜240可以被图案化成使被布置在形成有第二驱动晶体管221和222的区域中的绝缘膜230部分地露出。
尽管可以在平坦化膜240中形成使第一驱动晶体管211和222的源电极或漏电极部分地露出的接触孔，但是接触孔的形成不限于这种情况。接触孔可以通过后续工艺形成。
平坦化膜240可以由诸如丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机膜形成。
接下来，如图12D所示形成第一电极311和312以及掩模图案261和262(S1104)。
更详细地，针对子像素SP1和SP2中的每一个，在平坦化膜240上形成第一电极311和312。第一电极311和312穿过接触孔连接至第一驱动晶体管211和212的源电极或漏电极。
第一电极311和312可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射性的金属材料形成。在显示装置100形成为顶部发光型的情况下，第一电极311和312可以由具有高反射性的金属材料形成，例如，Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金、以及Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)。Ag合金可以是Ag、Pd和Cu的合金。在显示装置100形成为底部发光型的情况下，第一电极311和312可以由可以使光透射的透明导电材料(TCO)例如ITO和IZO或者半透射导电材料例如Mg、Ag、或Mg和Ag的合金形成。第一电极311和312可以是阳极电极。
掩模图案261和262形成在平坦化膜240上以相对于第一电极311和312间隔开。掩模图案261和262也形成在绝缘膜230的露出而未被第一平坦化膜240覆盖的局部部分上。
掩模图案261和262可以由与第一电极311和312的材料相同的材料与第一电极311和312同时形成。
接下来，如图12E所示形成堤部250(S1105)。
更详细地，堤部250形成为覆盖第一电极311和312中的每一个的端部。堤部250可以被图案化成使绝缘膜230和掩模图案261和262的布置在形成有第二驱动晶体管221和222的区域中的局部部分露出。
接下来，如图12F所示，在绝缘膜230中形成开口区域OA1和OA2(S1106)。
更详细地，通过蚀刻工艺在绝缘膜230中形成开口区域OA1和OA2。此时，蚀刻工艺可以是湿法蚀刻工艺，并且能够蚀刻绝缘膜230而不会蚀刻掩模图案261和262的蚀刻溶液可以应用于蚀刻工艺。因此，可以形成其中掩模图案261和262没有被蚀刻并且仅蚀刻露出的绝缘膜230的底切结构(undercut structure)。
可以通过蚀刻工艺在绝缘膜230中形成用于使一个第二驱动晶体管221部分地露出的第一开口区域OA1以及用于使另一第二驱动晶体管222部分地露出的第二开口区域OA2。
接下来，如图12G所示形成第一发光层321和322(S1107)。
更详细地，在第一电极311和312以及掩模图案261和262上形成第一发光层321和322。第一发光层321和322可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果第一发光层321和322通过沉积工艺形成，则可以使用蒸镀方法形成第一发光层321和322。
第一发光层321和322通过掩模图案261和262在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。第一发光层321和322可以在掩模图案261和262上断开。此外，第一发光层321和322可以形成在露出而未被掩模图案261和262的突出部261a和262a覆盖的第二驱动晶体管221和222上。
第一发光层321和322中的每一个可以是但不限于用于发射红光的红色发光层、用于发射绿光的绿色发光层、用于发射蓝光的蓝色发光层、用于发射黄光的黄色发光层、用于发射青色光的青色发光层、用于发射品红色光的品红色发光层以及用于发射橙色光的橙色发光层中的至少之一。
接着，如图12H所示形成第二电极331和332(S1108)。
更详细地，在第一发光层321和322上形成第二电极331和332。第二电极331和332通过掩模图案261和262在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。第二电极331和332可以在掩模图案261和262上断开。另外，第二电极331和332可以形成在露出而未被掩模图案261和262的突出部261a和262a覆盖的第一发光层321和322上。
优选地，使用蒸镀而不是诸如溅射的物理气相沉积来形成第二电极331和332。这是因为第一子像素SP1的第二电极331和第二子像素SP2的第二电极332会由于通过诸如溅射的物理气相沉积形成的膜具有出色的台阶覆盖特性而与第二驱动晶体管221和222连接。
第二电极331和332可以由可以使光透射的透明导电材料(TCO)例如ITO和IZO或者半透射导电材料例如Mg、Ag、或Mg和Ag的合金形成。
接着，如图12I所示形成第二发光层341和342(S1109)。
更详细地，在第二电极331和332上形成第二发光层341和342。第二发光层341和342可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果通过沉积工艺形成第二发光层341和342，则可以使用蒸镀方法形成第二发光层341和342。
第二发光层341和342通过掩模图案261和262在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。第二发光层341和342可以在掩模图案261和262上断开。此外，第二发光层341和342可以形成在露出而未被掩模图案261和262的突出部261a和262a覆盖的第二电极331和332上。
第二发光层340可以是但不限于用于发射红光的红色发光层、用于发射绿光的绿色发光层、用于发射蓝光的蓝色发光层、用于发射黄光的黄色发光层、用于发射青色光的青色发光层、用于发射品红色光的品红色发光层、以及用于发射橙色光的橙色发光层中的至少之一。
然而，第二发光层341和342可以发射与第一发光层321和322的颜色不同的颜色的光。如果第一发光层321和322是用于发射第一颜色的光的发光层，则第二发光层341和342可以是用于发射与第一颜色不同的第二颜色的光的发光层。此时，第一颜色的光和第二颜色的光中的任意一者可以是两种不同颜色的混合光。例如，第一发光层321和322可以是用于发射作为绿光和红光的混合光的黄光的黄色发光层，第二发光层341和342可以是用于发射蓝光的蓝色发光层。相反，第二发光层341和342可以是用于发射作为绿光和红光的混合光的黄光的黄色发光层，第一发光层321和322可以是用于发射蓝光的蓝色发光层。
接着，如图12J所示形成第三电极351和352(S1110)。
更详细地，在第二发光层341和342上形成第三电极351和352。第三电极351和352可以通过诸如溅射的物理气相沉积形成。
第三电极351和352可以通过掩模图案261和262在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间断开。第三电极351和352可以在掩模图案261和262上彼此断开。此外，第三电极351和352可以进入掩模图案261和262的突出部261a和262a与第二发光层341和342之间的空间，并且由此第三电极351和352可以形成在掩模图案261和262的突出部261a和262a下方。由于通过诸如溅射的物理气相沉积形成的膜具有优异的台阶覆盖特性，所以第三电极351和352可以以比第一发光层321和322、第二电极331和332以及第二发光层341和342更宽的区域沉积在掩模图案261和262的突出部261a和262a下方。
第三电极351和352可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射性的金属材料形成。在显示装置100形成为顶部发光型的情况下，第三电极351和352可以由可以使光透射的透明导电材料(TCO)例如ITO和IZO或者半透射导电材料例如Mg、Ag、或Mg和Ag的合金形成。在显示装置100形成为底部发光型的情况下，第三电极351和352可以由具有高反射性的金属材料形成，例如，Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)。Ag合金可以是Ag、Pd和Cu的合金。第三电极351和352可以是阳极电极。
接下来，如图12K所示形成封装层400(S1111)。
更详细地，在第三电极351和352上形成封装层400。封装层400可以由无机绝缘材料或者无机材料和有机材料交替沉积的结构制成。
接下来，如图12L所示形成滤色器500(S1112)。
更详细地，在封装层400上形成滤色器500。第一滤色器CF1形成为与第一子像素SP1对应，并且第二滤色器CF2形成为与第二子像素SP2对应。第一滤色器CF1和第二滤色器CF2中的每一个可以由本领域已知的材料形成，例如，吸收特定波长范围的光的染料、颜料、树脂或电介质。
第一滤色器CF1和第二滤色器CF2中的每一个可以吸收蓝色波长范围的光、绿色波长范围的光和红色波长范围的光中的至少之一，并且可以使仅其他波长范围的光透射。此时，从第一滤色器CF1和第二滤色器CF2中的每一个透射的光可以包括蓝色波长范围的光、绿色波长范围的光和红色波长范围的光。
例如，第一发光层321和322可以发射蓝色波长范围的光，第二发光层341和344可以发射作为绿光和红光的混合光的黄光。第一滤色器CF1可以包括吸收红色波长范围的光的颜料或染料。第一滤色器CF1可以吸收红色波长范围的光，并且可以使蓝色波长范围的光和绿色波长范围的光透射。因此，第一子像素SP1可以发射蓝光和绿光。
第二滤色器CF2可以包括吸收蓝色波长范围的光的颜料或染料，并且可以包括吸收绿色波长范围的光的颜料或染料。第二滤色器CF2可以吸收蓝色波长范围的光和绿色波长范围的光，并且可以使仅红色波长范围的光透射。因此，第二子像素SP2可以发射红光。
又例如，第一发光层321和322可以发射蓝色波长范围的光，并且第二发光层341和344可以发射作为绿光和红光的混合光的黄光。第一滤色器CF1可以包括吸收红色波长范围的光的颜料或染料。第一滤色器CF1可以吸收红色波长范围的光，并且可以使蓝色波长范围的光和绿色波长范围的光透射。因此，第一子像素SP1可以发射蓝光和绿光。
第二滤色器CF2可以包括吸收绿色波长范围的光的颜料或染料。第二滤色器CF2可以吸收绿色波长范围的光，并且可以使蓝色波长范围的光和红色波长范围的光透射。因此，第二子像素SP2可以发射蓝光和红光。
尽管图12I示出了滤色器500形成在封装层400上，但是在另一实施方案中可以在第一电极310下方形成滤色器500，而不限于图12I的示例。
图13A至图13C是示出根据本公开另一实施方案的涉及头戴式显示器(HMD)的显示装置的视图。图13A是简要透视图，图13B是虚拟现实(VR)结构的简要平面图，图13C是增强现实(AR)结构的简要截面图。
如从图13A中明显的，根据本公开的头戴式显示装置包括接纳壳体10和头戴式带30。
接纳壳体10在其中接纳显示装置、透镜阵列和目镜(ocular lens)。
头戴式带30固定到接纳壳体10。在一个实施方案中，头戴式带30形成为围绕使用者头部的上侧和两侧。然而，不限于该示例，头戴式带30用于将头戴式显示器固定到用户的头部，并且可以用眼镜型结构或头盔型结构代替。
如从图13B中明显的，根据本公开的虚拟现实(VR)结构的头戴式显示装置包括左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13、左眼目镜20a和右眼目镜20b。
左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13、左眼目镜20a和右眼目镜20b被接纳在上述接纳壳体10中。
左眼显示装置12和右眼显示装置11可以显示相同的图像，并且在这种情况下，用户可以观看2D图像。可替选地，左眼显示装置12可以显示左眼图像，右眼显示装置11可以显示右眼图像。在这种情况下，用户可以观看立体图像。左眼显示装置12和右眼显示装置11中的每一个可以是根据图1至图10的显示装置。此时，对应于图1至图10中显示图像的表面的上部例如滤色器层(未示出)面向透镜阵列13。
透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a与左眼显示装置12之间，同时相对于左眼目镜20a和左眼显示装置12中的每一个间隔开。即，透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a的前面且设置在左眼显示装置12的后面。另外，透镜阵列13可以设置在右眼目镜20b与右眼显示装置11之间，同时相对于右眼目镜20b和右眼显示装置11中的每一个间隔开。即，透镜阵列13可以设置在右眼目镜20b的前面且设置在右眼显示装置11的后面。
透镜阵列13可以是微透镜阵列。透镜阵列13可以用针孔阵列代替。用户可以以放大的尺寸观看由透镜阵列13在左眼显示装置12或右眼显示装置11上显示的图像。
用户的左眼(LE)可以设置在左眼目镜20a中，并且用户的右眼(RE)可以设置在右眼目镜20b中。
从图13C中明显的是，根据本公开的增强现实(AR)结构的头戴式显示装置包括左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射器14和透射窗15。为方便，图13C示出了仅用于左眼的元件，并且用于右眼的元件与用于左眼的元件相同。
左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射器14和透射窗15被接纳在上述接纳壳体10中。
左眼显示装置12可以设置在透射反射器14的一侧例如上侧而不覆盖透射窗15。因此，左眼显示装置12可以向透射反射器14提供图像，而不覆盖透过透射窗15看到的外部背景。
左眼显示装置12可以是根据图1至图10的显示装置。此时，对应于图1至图10中显示图像的表面的上部例如滤色器层(未示出)面向透射反射器14。
透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a与透射反射器14之间。
用户的左眼设置在左眼目镜20a中。
透射反射器14设置在透镜阵列13与透射窗15之间。透射反射器14可以包括使光的一部分透射并且使光的其他部分反射的反射表面14a。反射表面14a形成为使得显示在左眼显示装置12上的图像能够行进到透镜阵列13。因此，用户可以通过透射窗15观看外部背景以及由左眼显示装置12显示的图像。即，由于用户可以使现实背景和虚拟图像交叠，然后将它们视为一个图像，因此可以实现增强现实(AR)。
透射窗15设置在透射反射器14的前面。
对于本领域技术人员明显的是，上述本公开不限于上述实施方案和附图，并且可以在权利要求的范围内在本公开内容中进行各种各样的替换、修改和变化。
例如，可以组合上述各种实施方案以提供权利要求范围内的其他实施方案。
权利要求不限于该具体公开的内容。而本发明至少提供以下技术方案：
方案1.一种显示装置，包括：
基板，其设置有第一子像素和第二子像素；
第一电极，其形成为在所述第一子像素和所述第二子像素的每一个中被图案化；
第三电极，其形成为在所述第一子像素和所述第二子像素的每一个中被图案化；
第二电极，其形成在所述第一电极与所述第三电极之间；
第一发光层，其形成在所述第一电极与所述第二电极之间，所述第一发光层发射第一颜色的光；
第二发光层，其形成在所述第二电极与所述第三电极之间，所述第二发光层发射彼此不同的第二颜色和第三颜色的混合光；以及
滤色器，其包括设置成与所述第一子像素对应的第一滤色器以及设置成与所述第二子像素对应的第二滤色器，
其中所述第一子像素连同所述第二子像素一起发射至少三种颜色的光。
方案2.根据方案1所述的显示装置，其中所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个使得所述第一发光层和所述第二发光层中的至少之一能够发光。
方案3.根据方案1所述的显示装置，其中所述第一滤色器使所述第一颜色的光和所述第二颜色的光透射，所述第二滤色器使所述第三颜色的光透射。
方案4.根据方案3所述的显示装置，其中所述第一滤色器包括吸收所述第三颜色的光的第三材料，所述第二滤色器包括吸收所述第一颜色的光的第一材料和吸收所述第二颜色的光的第二材料。
方案5.根据方案1所述的显示装置，其中所述第一滤色器使所述第一颜色的光和所述第二颜色的光透射，所述第二滤色器使所述第一颜色的光和所述第三颜色的光透射。
方案6.根据方案5所述的显示装置，其中所述第一滤色器包括吸收所述第三颜色的光的第三材料，所述第二滤色器包括吸收所述第二颜色的光的第二材料。
方案7.根据方案1所述的显示装置，其中所述第一颜色的光是蓝光。
方案8.根据方案1所述的显示装置，其中所述第一颜色的光、所述第二颜色的光和所述第三颜色的光的混合光是白光。
方案9.根据方案1所述的显示装置，其中所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个使得所述第一发光层和所述第二发光层能够独立地发光。
方案10.根据方案1所述的显示装置，其中所述第一电极和所述第三电极中的每一个是阳极电极，所述第二电极是阴极电极。
方案11.根据方案1所述的显示装置，包括：
第一驱动晶体管，其用于向所述第一电极施加第一电压；以及
第二驱动晶体管，其用于向所述第三电极施加第二电压。
方案12.根据方案11所述的显示装置，还包括设置在所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管上的绝缘膜，所述绝缘膜具有形成为使所述第二驱动晶体管部分地露出的开口区域。
方案13.根据方案12所述的显示装置，其中所述第一电极经由穿过所述绝缘膜的接触孔连接至所述第一驱动晶体管。
方案14.根据方案12所述的显示装置，还包括设置在所述绝缘膜上的掩模图案，所述掩模图案具有突出为部分地覆盖所述开口区域的突出部。
方案15.根据方案14所述的显示装置，其中所述掩模图案由与所述第一电极的材料相同的材料与所述第一电极同时形成。
方案16.根据方案14所述的显示装置，其中所述掩模图案相对于所述第一电极间隔开。
方案17.根据方案14所述的显示装置，其中所述第三电极在所述掩模图案下方连接至所述第二驱动晶体管。
方案18.一种显示装置，包括：
基板，其设置有第一子像素和第二子像素；
第一驱动晶体管，其设置在所述基板上的所述第一子像素和所述第二子像素的每一个中；
第二驱动晶体管，其设置在所述基板上的所述第一子像素和所述第二子像素的每一个中；
第一电极，其形成为在所述第一子像素和所述第二子像素的每一个中被图案化，并且所述第一电极连接至所述第一驱动晶体管；
形成在所述第一电极上的第一发光层，所述第一发光层发射第一颜色的光；
形成在所述第一发光层上的第二电极；
形成在所述第二电极上的第二发光层，所述第二发光层发射第二颜色的光；以及
在所述第二发光层上的第三电极，所述第三电极形成为在所述第一子像素和所述第二子像素的每一个中被图案化，所述第三电极被连接至所述第二驱动晶体管。
方案19.根据方案18所述的显示装置，其中所述第一电极和所述第三电极的每一个是阳极电极，所述第二电极是阴极电极。
方案20.根据方案19所述的显示装置，其中如果向所述第一电极和所述第二电极施加电压，则所述第一发光层发射所述第一颜色的光，如果向所述第二电极和所述第三电极施加电压，则所述第二发光层发射所述第二颜色的光。
方案21.根据方案18所述的显示装置，还包括设置在所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管上的绝缘膜，所述绝缘膜具有形成为使所述第二驱动晶体管部分地露出的开口区域。
方案22.根据方案21所述的显示装置，其中所述第一电极经由穿过所述绝缘膜的接触孔连接至所述第一驱动晶体管。
方案23.根据方案21所述的显示装置，还包括设置在所述绝缘膜上的掩模图案，所述掩模图案具有突出为部分地覆盖所述开口区域的突出部。
方案24.根据方案23所述的显示装置，其中所述掩模图案由与所述第一电极的材料相同的材料与所述第一电极同时形成。
方案25.根据方案23所述的显示装置，其中所述掩模图案相对于所述第一电极间隔开。
方案26.根据方案23所述的显示装置，其中所述第三电极在所述掩模图案下方连接至所述第二驱动晶体管。
方案27.根据方案18所述的显示装置，其中所述第一颜色的光和所述第二颜色的光中的任意一者是两种不同颜色的混合光。
方案28.根据方案27所述的显示装置，其中所述第一子像素和所述第二子像素发射至少三种颜色的光。
方案29.根据方案27所述的显示装置，还包括滤色器，所述滤色器包括设置成与所述第一子像素对应的第一滤色器以及设置成与所述第二子像素对应的第二滤色器，其中所述第一滤色器使所述第一颜色的光和所述第二颜色的光部分透射，而所述第二滤色器使所述第一颜色的光和所述第二颜色的光的其他部分透射。
方案30.一种显示装置(100)，包括：
基板(111)，其设置有第一子像素(SP1)和第二子像素(SP2)；
第一电极(311，312)，其设置在所述第一子像素(SP1)和所述第二子像素(SP2)的每一个中；
第三电极(351，352)，其设置在所述第一子像素(SP1)和所述第二子像素(SP2)的每一个中；
在所述第一电极(311，312)与所述第三电极(351，352)之间的第二电极(331，332)；
第一发光层(321，322)，其设置在所述第一电极(311，312)与所述第二电极(331，332)之间，所述第一发光层(321，322)适于发射第一颜色的光；以及
第二发光层(341，342)，其设置在所述第二电极(331，332)与所述第三电极(351，352)之间，所述第二发光层(341，342)适于发射彼此不同的第二颜色和第三颜色的混合光；
其中所述第一子像素(SPl)和所述第二子像素(SP2)适于发射至少三种颜色的光。
方案31.根据方案30所述的显示装置(100)，其中所述第一子像素(SP1)和所述第二子像素(SP2)的每一个使得所述第一发光层(321，322)和所述第二发光层(341，342)能够彼此独立地发光。
方案32.根据方案30所述的显示装置(100)，还包括滤色器，所述滤色器包括与所述第一子像素(SP1)对应的第一滤色器(CF1)以及与所述第二子像素(SP2)对应的第二滤色器(CF2)。
方案33.根据方案32所述的显示装置(100)，其中所述第一滤色器(CF1)适于使所述第一颜色的光和所述第二颜色的光透射，而所述第二滤色器(CF2)适于使所述第三颜色的光透射。
方案34.根据方案32所述的显示装置(100)，其中所述第一滤色器(CF1)适于使所述第一颜色的光和所述第二颜色的光透射，而所述第二滤色器(CF2)适于使所述第一颜色的光和所述第三颜色的光透射。
方案35.根据方案30至34中任一项所述的显示装置(100)，其中所述第一颜色、所述第二颜色和所述第三颜色的混合光是白光。
方案36.根据方案30至34中任一项所述的显示装置(100)，其中所述第一电极(311，312)和所述第三电极(351，352)中的每一个是阳极电极，所述第二电极(331，332)是阴极电极。
方案37.根据方案30至34中任一项所述的显示装置(100)，其中所述第一子像素(SP1)的所述第二电极(331)和所述第二子像素(SP2)的所述第二电极(332)彼此连接。
方案38.根据方案30至34中任一项所述的显示装置(100)，每个子像素(SP1，SP2)包括：
第一驱动晶体管(211，212)，其用于向所述第一电极(311，312)施加第一电压；以及
第二驱动晶体管(221，222)，其用于向所述第三电极(351，352)施加第二电压。
方案39.根据方案38所述的显示装置(100)，还包括设置在所述第一驱动晶体管(211，212)和所述第二驱动晶体管(221，222)上的绝缘膜(230)，所述绝缘膜(230)具有使所述第二驱动晶体管(221，222)部分地露出的开口区域(OA1，OA2)。
方案40.根据方案39所述的显示装置(100)，其中所述第一电极(311，312)经由穿过所述绝缘膜(230)的接触孔(CH1，CH2)连接至所述第一驱动晶体管(211，212)。
方案41.根据方案39或40所述的显示装置(100)，还包括设置在所述绝缘膜(230)上的掩模图案(261，262)，所述掩模图案(261，262)具有部分地覆盖所述开口区域(OA1，OA2)的突出部(261a，262a)。
方案42.根据方案41所述的显示装置(100)，其中所述掩模图案(261，262)由与所述第一电极(311，312)的材料相同的材料制成。
方案43.根据方案41所述的显示装置(100)，其中所述掩模图案(261，262)相对于所述第一电极(311，312)间隔开。
方案44.根据方案41所述的显示装置(100)，其中所述第三电极(351，352)在所述掩模图案(261，262)下方连接至所述第二驱动晶体管(221，222)。

Claims (37)

1.一种显示装置，包括：
基板，其设置有第一子像素和第二子像素；
第一电极，其形成为在所述第一子像素和所述第二子像素的每一个中被图案化；
第三电极，其形成为在所述第一子像素和所述第二子像素的每一个中被图案化；
第二电极，其形成在所述第一电极与所述第三电极之间；
第一发光层，其形成在所述第一电极与所述第二电极之间，所述第一发光层发射第一颜色的光；
第二发光层，其形成在所述第二电极与所述第三电极之间，所述第二发光层发射彼此不同的第二颜色和第三颜色的混合光；以及
滤色器，其包括设置成与所述第一子像素对应的第一滤色器以及设置成与所述第二子像素对应的第二滤色器，
其中所述第一子像素连同所述第二子像素一起发射至少三种颜色的光；以及
所述的显示装置还包括：
第一驱动晶体管，其用于向所述第一电极施加第一电压；以及第二驱动晶体管，其用于向所述第三电极施加第二电压；
设置在所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管上的绝缘膜，所述绝缘膜具有形成为使所述第二驱动晶体管部分地露出的开口区域；和
设置在所述绝缘膜上的掩模图案，所述掩模图案具有突出的以部分地覆盖所述开口区域的突出部。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个使得所述第一发光层和所述第二发光层中的至少之一能够发光。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一滤色器使所述第一颜色的光和所述第二颜色的光透射，所述第二滤色器使所述第三颜色的光透射。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第一滤色器包括吸收所述第三颜色的光的第三材料，所述第二滤色器包括吸收所述第一颜色的光的第一材料和吸收所述第二颜色的光的第二材料。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一滤色器使所述第一颜色的光和所述第二颜色的光透射，并且所述第二滤色器使所述第一颜色的光和所述第三颜色的光透射。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第一滤色器包括吸收所述第三颜色的光的第三材料，所述第二滤色器包括吸收所述第二颜色的光的第二材料。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一颜色的光是蓝光。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一颜色的光、所述第二颜色的光和所述第三颜色的光的混合光是白光。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个使得所述第一发光层和所述第二发光层能够独立地发光。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一电极和所述第三电极中的每一个是阳极电极，所述第二电极是阴极电极。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一电极经由穿过所述绝缘膜的接触孔连接至所述第一驱动晶体管。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述掩模图案由与所述第一电极的材料相同的材料与所述第一电极同时形成。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述掩模图案相对于所述第一电极间隔开。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第三电极在所述掩模图案下方连接至所述第二驱动晶体管。
15.一种显示装置，包括：
基板，其设置有第一子像素和第二子像素；
第一驱动晶体管，其设置在所述基板上的所述第一子像素和所述第二子像素的每一个中；
第二驱动晶体管，其设置在所述基板上的所述第一子像素和所述第二子像素的每一个中；
第一电极，其形成为在所述第一子像素和所述第二子像素的每一个中被图案化，并且所述第一电极连接至所述第一驱动晶体管；
形成在所述第一电极上的第一发光层，所述第一发光层发射第一颜色的光；
形成在所述第一发光层上的第二电极；
形成在所述第二电极上的第二发光层，所述第二发光层发射第二颜色的光；以及
在所述第二发光层上的第三电极，所述第三电极形成为在所述第一子像素和所述第二子像素的每一个中被图案化，所述第三电极被连接至所述第二驱动晶体管；以及
所述显示装置还包括：
设置在所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管上的绝缘膜，所述绝缘膜具有形成为使所述第二驱动晶体管部分地露出的开口区域；以及
设置在所述绝缘膜上的掩模图案，所述掩模图案具有突出的以部分地覆盖所述开口区域的突出部。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述第一电极和所述第三电极的每一个是阳极电极，所述第二电极是阴极电极。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中如果向所述第一电极和所述第二电极施加电压，则所述第一发光层发射所述第一颜色的光，如果向所述第二电极和所述第三电极施加电压，则所述第二发光层发射所述第二颜色的光。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述第一电极通过穿过所述绝缘膜的接触孔连接至所述第一驱动晶体管。
19.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述掩模图案由与所述第一电极的材料相同的材料与所述第一电极同时形成。
20.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述掩模图案与所述第一电极间隔开。
21.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述第三电极在所述掩模图案下方连接至所述第二驱动晶体管。
22.根据权利要求15所述的显示装置，其中所述第一颜色的光和所述第二颜色的光中的任意一者是两种不同颜色的混合光。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中所述第一子像素和所述第二子像素发射至少三种颜色的光。
24.根据权利要求22所述的显示装置，还包括滤色器，所述滤色器包括设置成与所述第一子像素对应的第一滤色器以及设置成与所述第二子像素对应的第二滤色器，其中所述第一滤色器使所述第一颜色的光和所述第二颜色的光的局部部分透射，所述第二滤色器使所述第一颜色的光和所述第二颜色的光的其他部分透射。
25.一种显示装置(100)，包括：
基板(111)，其设置有第一子像素(SP1)和第二子像素(SP2)，每个子像素包括第一驱动晶体管(211,212)和第二驱动晶体管(221,222)；
第一电极(311，312)，其设置在所述第一子像素(SP1)和所述第二子像素(SP2)的每一个中；
第三电极(351，352)，其设置在所述第一子像素(SP1)和所述第二子像素(SP2)的每一个中；
在所述第一电极(311，312)与所述第三电极(351，352)之间的第二电极(331，332)；
第一发光层(321，322)，其设置在所述第一电极(311，312)与所述第二电极(331，332)之间，所述第一发光层(321，322)适于发射第一颜色的光；以及
第二发光层(341，342)，其设置在所述第二电极(331，332)与所述第三电极(351，352)之间，所述第二发光层(341，342)适于发射彼此不同的第二颜色和第三颜色的混合光；
其中所述第一子像素(SP1)和所述第二子像素(SP2)适于发射至少三种颜色的光；以及
所述显示装置(100)还包括设置在所述第一驱动晶体管(211，212)和所述第二驱动晶体管(221，222)上的绝缘膜(230)，所述绝缘膜(230)具有使所述第二驱动晶体管(221，222)部分地露出的开口区域(OA1，OA2)；以及
所述显示装置(100)还包括设置在所述绝缘膜(230)上的掩模图案(261，262)，所述掩模图案(261，262)具有部分地覆盖所述开口区域(OA1，OA2)的突出部(261a，262a)。
26.根据权利要求25所述的显示装置(100)，其中所述第一子像素(SP1)和所述第二子像素(SP2)的每一个使得所述第一发光层(321，322)和所述第二发光层(341，342)能够彼此独立地发光。
27.根据权利要求25所述的显示装置(100)，还包括滤色器，所述滤色器包括与所述第一子像素(SP1)对应的第一滤色器(CF1)以及与所述第二子像素(SP2)对应的第二滤色器(CF2)。
28.根据权利要求27所述的显示装置(100)，其中所述第一滤色器(CF1)适于使所述第一颜色的光和所述第二颜色的光透射，而所述第二滤色器(CF2)适于使所述第三颜色的光透射。
29.根据权利要求27所述的显示装置(100)，其中所述第一滤色器(CF1)适于使所述第一颜色的光和所述第二颜色的光透射，而所述第二滤色器(CF2)适于使所述第一颜色的光和所述第三颜色的光透射。
30.根据权利要求25至29中任一项所述的显示装置(100)，其中所述第一颜色、所述第二颜色和所述第三颜色的混合光是白光。
31.根据权利要求25至29中任一项所述的显示装置(100)，其中所述第一电极(311，312)和所述第三电极(351，352)中的每一个是阳极电极，所述第二电极(331，332)是阴极电极。
32.根据权利要求25至29中任一项所述的显示装置(100)，其中所述第一子像素(SP1)的所述第二电极(331)和所述第二子像素(SP2)的所述第二电极(332)彼此连接。
33.根据权利要求25至29中任一项所述的显示装置(100)，其中
所述第一驱动晶体管(211，212)用于向所述第一电极(311，312)施加第一电压；以及
所述第二驱动晶体管(221，222)用于向所述第三电极(351，352)施加第二电压。
34.根据权利要求33所述的显示装置(100)，其中所述第一电极(311，312)通过穿过所述绝缘膜(230)的接触孔(CH1，CH2)连接至所述第一驱动晶体管(211，212)。
35.根据权利要求34所述的显示装置(100)，其中所述掩模图案(261，262)由与所述第一电极(311，312)的材料相同的材料制成。
36.根据权利要求34所述的显示装置(100)，其中所述掩模图案(261，262)相对于所述第一电极(311，312)间隔开。
37.根据权利要求34所述的显示装置(100)，其中所述第三电极(351，352)在所述掩模图案(261，262)下方连接至所述第二驱动晶体管(221，222)。
CN201910845660.2A 2018-12-26 2019-09-06 显示装置 Active CN111370448B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0169072 2018-12-26
KR1020180169072A KR102630000B1 (ko) 2018-12-26 2018-12-26 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111370448A CN111370448A (zh) 2020-07-03
CN111370448B true CN111370448B (zh) 2023-09-12

Family

ID=66448369

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910845660.2A Active CN111370448B (zh) 2018-12-26 2019-09-06 显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11678548B2 (zh)
EP (1) EP3675175A1 (zh)
KR (1) KR102630000B1 (zh)
CN (1) CN111370448B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210142807A (ko) * 2020-05-18 2021-11-26 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 제조방법
TWI774143B (zh) * 2020-11-30 2022-08-11 國立清華大學 有機發光二極體及其製備方法
CN112909053A (zh) * 2021-01-26 2021-06-04 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100796665B1 (ko) * 2006-10-27 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치
CN107079559A (zh) * 2014-10-03 2017-08-18 株式会社日本显示器 图像显示装置
CN108022953A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 乐金显示有限公司 具有辅助电极的显示装置
WO2018229859A1 (ja) * 2017-06-13 2018-12-20 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100385880B1 (ko) 2000-12-15 2003-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 구동방법
KR100950517B1 (ko) 2002-12-27 2010-03-30 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널과 그 구동방법 및 장치
JP3942590B2 (ja) 2003-12-25 2007-07-11 シャープ株式会社 カラーフィルタ基板の製造方法
GB2412224B (en) * 2004-03-20 2008-03-26 Hewlett Packard Development Co Colour display device and method of manufacture
WO2009154310A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-23 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus
KR101639382B1 (ko) * 2008-08-27 2016-07-13 삼성전자주식회사 높은 동적 범위를 가지는 영상을 생성하는 장치 및 방법
KR20110019498A (ko) * 2009-08-20 2011-02-28 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP5573127B2 (ja) * 2009-11-27 2014-08-20 セイコーエプソン株式会社 発光素子、表示装置および電子機器
TWI498220B (zh) * 2012-10-31 2015-09-01 Au Optronics Corp 顯示面板及其製造方法
KR102113149B1 (ko) * 2012-12-28 2020-05-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102151752B1 (ko) * 2013-08-05 2020-09-04 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102114316B1 (ko) * 2013-10-02 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP6598513B2 (ja) * 2014-05-30 2019-10-30 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属イリジウム錯体、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
KR102374833B1 (ko) * 2014-11-25 2022-03-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104538553B (zh) * 2014-12-31 2017-08-04 北京维信诺科技有限公司 一种颜色可调的有机电致发光器件
KR102415807B1 (ko) 2015-09-17 2022-07-01 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR102521254B1 (ko) * 2016-06-01 2023-04-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR20180073194A (ko) 2016-12-22 2018-07-02 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN107104128B (zh) * 2017-05-11 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元及驱动方法、显示面板、显示装置
CN107958962A (zh) * 2017-11-21 2018-04-24 合肥鑫晟光电科技有限公司 Oled器件及其驱动方法、oled基板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100796665B1 (ko) * 2006-10-27 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치
CN107079559A (zh) * 2014-10-03 2017-08-18 株式会社日本显示器 图像显示装置
CN108022953A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 乐金显示有限公司 具有辅助电极的显示装置
WO2018229859A1 (ja) * 2017-06-13 2018-12-20 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11678548B2 (en) 2023-06-13
EP3675175A1 (en) 2020-07-01
US20200212119A1 (en) 2020-07-02
KR20200079684A (ko) 2020-07-06
CN111370448A (zh) 2020-07-03
KR102630000B1 (ko) 2024-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108269833B (zh) 有机发光显示装置
CN112349752B (zh) 显示装置、用于制造显示装置的方法和头戴式显示器
CN107887411B (zh) 显示装置及其制造方法和包括该显示装置的头戴式显示器
KR20180047592A (ko) 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
CN111354858B (zh) 显示装置
CN111370448B (zh) 显示装置
CN111384107B (zh) 显示装置
US10763309B2 (en) Display device
KR20180002471A (ko) 유기발광 표시장치, 그의 제조방법, 및 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이
KR102640476B1 (ko) 표시장치 및 이의 제조방법
CN112542556A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法
KR20210086287A (ko) 표시장치
KR20210001595A (ko) 표시장치 및 이의 제조방법
CN111244130B (zh) 显示装置
CN111293225B (zh) 显示装置
KR102622791B1 (ko) 표시장치
KR102622790B1 (ko) 표시장치
KR20210037349A (ko) 표시장치
KR20210053654A (ko) 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant