CN112349752B - 显示装置、用于制造显示装置的方法和头戴式显示器 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置、用于制造显示装置的方法以及头戴式显示器。该显示装置可以防止在相邻像素之间发生漏电流。该显示装置包括：基板；第一电极，其设置在基板上且在第一子像素和与第一子像素相邻布置的第二子像素中的每一个中；设置在第一子像素与第二子像素之间的沟槽；发光层，其设置在第一电极上且在第一子像素和第二子像素中的每一个中；第二电极，其设置在发光层上且在第一子像素和第二子像素中的每一个中；以及第三电极，其将设置在第一子像素中的第二电极与设置在第二子像素中的第二电极电连接。第二电极在第一子像素与第二子像素之间通过沟槽断开。

Description

显示装置、用于制造显示装置的方法和头戴式显示器
技术领域
本公开涉及显示装置、用于制造该显示装置的方法以及头戴式显示器。
背景技术
随着信息化社会的发展，对显示图像的显示装置的需求已经以各种类型增加。近来，已经广泛地使用了各种显示装置，例如液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)装置和有机发光显示(OLED)装置。
这样的显示装置中的OLED装置是自发射型，具有比LCD更优异的视角、对比度等，并且可以减小重量和厚度，并且因为不需要单独的背光而在功耗方面有利。OLED装置可以用DC低电压驱动，具有高响应速度，并且具有低制造成本。
近来已经开发了包括这样的OLED装置的头戴式显示器(HMD)。头戴式显示器(HMD)是以眼镜或头盔的形式佩戴以用于虚拟现实(VR)或增强现实(AR)的装置，其中焦点形成在靠近用户眼睛的位置处。然而，在超高分辨率的头戴式显示器中，由于像素之间的间隔窄，因此相邻像素可能更易受漏电流的影响。
发明内容
鉴于上述问题已经做出了本公开，并且本公开的目的是提供一种可以防止在相邻像素之间发生漏电流的显示装置以及用于制造该显示装置的方法。
本公开的另外的目的是提供一种可以防止在第二电极与电荷生成层之间发生短路的显示装置以及用于制造该显示装置的方法。
除了如以上提到的本公开的目的之外，本领域技术人员将从本公开的以下描述中清楚地理解本公开的其他目的和特征。
根据本公开的一方面，以上和其他目的可以通过提供一种显示装置来实现，该显示装置包括：基板；第一电极，其设置在基板上且在第一子像素和与第一子像素相邻布置的第二子像素中的每一个中；设置在第一子像素与第二子像素之间的沟槽；发光层，其设置在第一电极上且在第一子像素和第二子像素中的每一个中；第二电极，其设置在发光层上且在第一子像素和第二子像素中的每一个中；以及第三电极，其将设置在第一子像素中的第二电极与设置在第二子像素中的第二电极电连接。第二电极在第一子像素与第二子像素之间通过沟槽断开。
根据本公开的另一方面，以上和其他目的可以通过提供一种用于制造显示装置的方法来实现，该方法包括以下步骤：在基板的第一子像素和第二子像素中的每一个中形成第一电极；在第一子像素与第二子像素之间形成沟槽；在第一电极上形成发光层；在发光层上形成第二电极；在第二电极上形成绝缘层；以及在绝缘层上形成第三电极。发光层和第二电极在第一子像素与第二子像素之间通过沟槽断开。
根据本公开的再一方面，提供一种头戴式显示器，包括：左眼显示装置；右眼显示装置；左眼目镜；右眼目镜；以及透镜阵列，该透镜阵列设置在左眼目镜和左眼显示装置之间，以及设置在右眼目镜和右眼显示装置之间，其中，透镜阵列与左眼目镜、右眼目镜、左眼显示装置和右眼显示装置中的每一个间隔开，以及其中，左眼显示装置和右眼显示装置中的每一个均包括上述显示装置。
根据本公开，第二电极由于弱台阶覆盖特性(poor step coveragecharacteristic)而在相邻子像素之间断开。此外，根据本公开的实施方式，由于第二电极未沉积在从发光层的侧面暴露的电荷生成层上，因此可以防止第二电极和电荷生成层之间的短路。
此外，根据本公开，在子像素之间形成沟槽，由此发光层可以在子像素之间断开。此外，根据本公开的实施方式，由于形成在相邻子像素中的每一个中的电荷生成层与另外的电荷生成层间隔开，因此可以防止电流通过电荷生成层朝向相邻子像素泄漏。
此外，根据本公开的实施方式，子像素之间形成的空间填充有绝缘材料，由此可以更稳定地防止电流在相邻子像素之间泄漏。
此外，在本公开中，在相邻子像素之间断开的第二电极通过第三电极连接。因此，可以防止第二电极(例如，阴极电极)的连接由于工艺误差而变得不稳定，并且可以确保第二电极(例如，阴极电极)的连接。
除了如以上提到的本公开的效果之外，本领域技术人员将从本公开的以下描述中清楚地理解本公开的其他目的和特征。
附图说明
根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其他目的、特征以及其他优点，在附图中：
图1是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的透视图；
图2是简要示出第一基板的平面视图；
图3是示出布置在子像素之间的沟槽的平面视图；
图4是示出沿着图2的线I-I截取的示例的截面视图；
图5是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的第一电极、发光层和第二电极的示例的详细截面视图；
图6是示出图4的区域A的放大视图；
图7是示出图5的修改示例的截面视图；
图8是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的制造方法的流程图；以及
图9A至图9L是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的制造方法的截面视图。
图10A至图10C是示出根据本公开的另外的实施方式的采用显示装置的头戴式显示器(HMD)的图。
具体实施方式
将通过参照附图描述的以下实施方式来阐明本公开的优点和特征以及其实现方法。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应当被理解为限于本文中所阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。此外，本公开仅由权利要求的范围限定。
用于描述本公开的实施方式的附图中所公开的形状、尺寸、比率、角度和数目仅是示例，并且因此本公开不限于所示出的细节。在整个说明书中，相似的附图标记指代相似的元件。在以下描述中，在确定对相关已知功能或配置的详细描述会不必要地模糊本公开的重点时，将省略该详细描述。在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅.”，否则可以添加另外的部件。除非相反地指明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则另外的部件也可以存在。单数形式的术语可以包括复数形式，除非有相反的说明。
在解释元件时，尽管没有明确描述，元件也被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，在位置关系被描述为“在......上”、“在......上方”、“在......下方”和“在......旁边”时，除非使用“紧接”或“直接”，否则可以在两个部分之间布置一个或更多个其他部分。
在描述时间关系时，例如，在时间顺序被描述为“在...之后”、“随后”、“接下来”和“在...之前”时，除非使用“紧接”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另外的元件区分开。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
术语“至少一个”应理解为包括相关联的列举项中的一个或更多个的任何和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个提出的所有项的组合以及第一项、第二项或第三项。
如本领域技术人员可以充分理解的，本公开的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此耦合或组合，并且可以以各种方式彼此协作并在技术上被驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的显示装置。在整个附图中将尽可能地使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。
图1是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的透视图。
参照图1，根据本公开的一个实施方式的显示装置100包括显示面板110、源极驱动集成电路210(在下文中，称为“IC”)、柔性膜220、电路板230和定时控制器240。
显示面板110包括第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封装基板。第一基板111可以是塑料膜、玻璃基板或者使用半导体工艺形成的硅晶片基板。第二基板112可以是塑料膜、玻璃基板或者封装膜。
在第一基板111的面对第二基板112的一个表面上，存在栅极线、数据线和像素。在通过使栅极线和数据线交叉而限定的各个区域中制备像素。
每一个像素可以包括薄膜晶体管以及包括阳极电极、发射层和阴极电极的发光装置。如果通过使用薄膜晶体管将栅极信号从栅极线提供给每个像素，则根据数据线的数据电压，预定电流被提供给发光装置。因此，当将高电位电压施加至阳极电极，并且将低电位电压施加至阴极电极时，用于每一个像素的发光装置可以根据预定电流发射具有预定亮度的光。
显示面板110可以包括设置有用于显示图像的子像素的显示区域和不显示图像的非显示区域。栅极线、数据线和像素可以设置在显示区域中，而栅极驱动器和焊盘可以设置在非显示区域中。
栅极驱动器根据从定时控制器240提供的栅极控制信号向栅极线提供栅极信号。栅极驱动器可以通过面板内栅极驱动器(GIP)方法设置在显示面板110的显示区域的一侧或显示面板110的两个外围侧的非显示区域中。通过另外的方式，栅极驱动器可以以驱动芯片被制造，可以安装在柔性膜上，并且可以通过带式自动接合(TAB)方法附接至显示面板110的显示区域的一侧或显示面板110的两个外围侧的非显示区域。
源极驱动IC 210接收来自定时控制器240的源极控制信号和数字视频数据。源极驱动IC 210根据源极控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且将模拟数据电压提供给数据线。如果源极驱动IC 210以驱动芯片被制造，则源极驱动IC 210可以通过膜上芯片(COF)方法或塑料上芯片(COP)方法安装在柔性膜220上。
可以在显示面板110的非显示区域中设置焊盘，诸如数据焊盘。在柔性膜220中，存在用于将焊盘与源极驱动IC 210连接的线路和用于将焊盘与电路板230的线路连接的线路。通过使用各向异性导电膜将柔性膜220附接至焊盘，由此焊盘可以与柔性膜220的线路连接。
电路板230可以附接至柔性膜220。在多个驱动芯片中实现的多个电路可以安装在电路板230上。例如，定时控制器240可以安装在电路板230上。电路板230可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
定时控制器240经由电路板230的线缆从外部系统板接收数字视频数据和定时信号。定时控制器240基于定时信号生成用于控制栅极驱动器的操作定时的栅极控制信号和用于控制源极驱动IC 210的源极控制信号。定时控制器240将栅极控制信号提供给栅极驱动器，并将源极控制信号提供给源极驱动IC 210。
图2是简要示出第一基板的平面视图，图3是示出布置在子像素之间的沟槽的平面视图，图4是示出沿着图2的线I-I截取的示例的截面视图，图5是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的第一电极、发光层和第二电极的示例的详细截面视图，图6是示出图4的区域A的放大视图，以及图7是示出图5的修改示例的截面视图。
参照图2至图6，第一基板111被划分为显示区域DA和非显示区域NDA。在非显示区域NDA中，存在用于焊盘的焊盘区域PA。
数据线和与数据线交叉的栅极线可以设置在显示区域DA中。在数据线和栅极线的交叉区域中显示图像的像素P可以设置在显示区域DA中。
像素P可以包括第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3。第一子像素P1被配置成发射红色光，第二子像素P2被配置成发射蓝色光，并且第三子像素P3被配置成发射绿色光，但不限于这个结构。可以在第一基板111的显示区域DA中设置被配置成发射白色光的第四子像素。
如果将栅极信号从栅极线提供至子像素P1、P2和P3中的每一个，则根据数据线的数据电压，预定电流被提供给发光装置。因此，用于子像素P1、P2和P3中的每一个的发光装置可以根据预定电流发射具有预定亮度的光。另外，电源线向子像素P1、P2和P3中的每一个提供电源电压。
参照图3至图6，在第一基板111的面对第二基板112的一个表面上方设置有薄膜晶体管TFT、层间介电膜115、堤部125、第一电极120、发光层130、第二电极140、第二绝缘层150、第一绝缘层160、第三电极170、封装膜180、滤色器190和沟槽T。
第一基板111可以由玻璃或塑料制成，但不限于此。第一基板111可以由诸如硅晶片的半导体材料制成。第一基板111可以由透明材料或者不透明材料制成。
根据本公开的一个实施方式的显示装置100可以以发射的光向上行进的顶部发射型形成，但不限于这种类型。如果显示装置100以发射的光向上行进的顶部发射型形成，则第一基板111可以由不透明材料以及透明材料形成。同时，根据本公开的一个实施方式的显示装置100以发射的光向下行进的底部发射型形成，第一基板111可以由透明材料形成。
包括各种信号线、薄膜晶体管和电容器的电路元件针对子像素P1、P2和P3中的每一个设置在第一基板111上方。信号线可以包括栅极线、数据线、电源线和参考线。薄膜晶体管可以包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管TFT和感测薄膜晶体管。
开关薄膜晶体管通过提供给栅极线的栅极信号进行切换，并且开关薄膜晶体管向驱动薄膜晶体管TFT提供从数据线提供的数据电压。
驱动薄膜晶体管TFT通过从开关薄膜晶体管提供的数据电压进行切换，并且驱动薄膜晶体管TFT根据从电源线提供的电源生成数据电流，并将数据电流提供给第一电极120。
感测薄膜晶体管感测驱动薄膜晶体管TFT中的阈值电压的偏差，该偏差导致图片质量的劣化。感测薄膜晶体管响应于从栅极线或附加感测线提供的感测控制信号，将驱动薄膜晶体管TFT的电流提供给参考线。
电容器在一个帧周期内维持提供给驱动薄膜晶体管TFT的数据电压，并且电容器与驱动薄膜晶体管TFT的栅极端子和源极端子中的每一个连接。
层间介电膜115设置在包括驱动薄膜晶体管TFT的电路元件上方。层间介电膜115可以由无机层形成，并且例如可以由SiOx、SiNx或其多层形成。层间介电膜115可以由有机层形成，并且例如可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。可替选地，层间介电膜115可以由包括至少一个无机层和至少一个有机层的多层形成。
第一电极120被设置在层间介电膜上方且针对子像素P1、P2和P3中的每一个被图案化。第一电极中的一个第一电极121在第一子像素P1中被图案化，另一第一电极122在第二子像素P2中被图案化，并且另一第一电极123在第三子像素P3中被图案化。
第一电极121、122和123可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射率的金属材料形成。如果显示装置100以顶部发射型形成，则第一电极121、122和123可以由具有高反射率的金属材料形成，并且更具体地，可以由铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)形成。在本文中，Ag合金是银(Ag)、钯(Pd)、铜(Cu)等的合金。如果显示装置100以底部发射型形成，则第一电极121、122和123可以由能够使光透射通过的透明金属材料(透明导电材料，TCO)、例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成，或者第一电极121、122和123可以由半透射金属材料(半透射导电材料)、例如镁(Mg)、银(Ag)或者镁(Mg)和银(Ag)的合金形成。第一电极121、122和123可以是阳极电极。
第一电极121、122和123连接至驱动薄膜晶体管TFT。详细地，第一电极121、122和123通过穿过层间介电膜115的接触孔CH连接至驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子，由此用于发光的电压被施加至第一电极121、122和123。
沟槽T设置在层间介电膜115中。如图3中所示，沟槽T布置在子像素P1、P2和P3之间。
在本公开中，由于沟槽T设置在子像素P1、P2和P3之间，因此可以防止在彼此相邻的子像素P1、P2和P3之间发生漏电流。
更详细地，根据本公开的一个实施方式的显示装置100可以设置有其中沉积有两个或更多个发光层的两个或更多个堆叠的串联结构。在这种情况下，两个或更多个堆叠可以设置为公共层，由此电流可以朝向任一像素中的相邻子像素泄漏。如果电流朝向相邻子像素泄漏，则在显示装置100中，可能从不期望的子像素发射光，由此可能使颜色再现率(color reproduction rate)劣化。
当在发射不同颜色的光的子像素之间发生漏电流时，与在发射相同颜色的光的子像素之间发生漏电流的情况相比，颜色再现率的这种劣化更大地发生。因此，重要的是防止在发射不同颜色的光的子像素之间发生漏电流。
为了防止在发射不同颜色的光的子像素之间发生漏电流，在根据本公开的一个实施方式的显示装置100中，沟槽T可以布置在发射不同颜色的光的第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3之间。同时，在根据本公开的一个实施方式的显示装置100中，沟槽T可以不布置在发射相同颜色的光的子像素之间。然而，本公开不限于这种情况。
发射不同颜色的光的第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3可以被布置成在第一方向(X轴方向)上彼此相邻。发射相同颜色的光的子像素可以被布置成在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻。发射第一颜色的光的第一子像素P1可以被布置成沿着第二方向(Y轴方向)彼此相邻。发射第二颜色的光的第二子像素P2可以被布置成沿着第二方向(Y轴方向)彼此相邻。此时，第二子像素P2可以在第一方向(X轴方向)上与第一子像素P1间隔开。发射第三颜色的光的第三子像素P3可以被布置成沿着第二方向(Y轴方向)彼此相邻。此时，第三子像素P3可以在第一方向(X轴方向)上与第二子像素P2间隔开。
此时，沟槽T可以设置在第一子像素P1与第二子像素P2之间，并且沿着第二方向(Y轴方向)以线形设置。沟槽T可以设置在第二子像素P2与第三子像素P3之间，并且沿着第二方向(Y轴方向)以线形设置。此外，如果第一子像素P1与第三子像素P3相邻布置，则沟槽T可以设置在第三子像素P3与第一子像素P1之间，并且沿着第二方向(Y轴方向)以线形设置。
沟槽T可以被设置成部分地凹陷，但是不限于该示例。沟槽T可以被设置成穿过层间介电膜115。在下文中，沟槽T指示层间介电膜115凹陷或被穿透的部分。
可以考虑发光层130的第一堆叠131a、132a和133a、电荷生成层131b、132b和133b以及第二堆叠131c、132c和133c以及第二电极140中的每一个的厚度来设计沟槽T的宽度。
详细地，沟槽T可以被设计成具有如下宽度，该宽度使得第二电极140、发光层130的第一堆叠131a、132a和133a、电荷生成层131b、132b和133b以及第二堆叠131c、132c和133c可以在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3之间分别断开。
如果沟槽T的宽度小，则相邻子像素的电荷生成层131b、132b和133b可以彼此连接。详细地，沟槽T可以设置在第一子像素P1与第二子像素P2之间，并且发光层130的第一堆叠131a、132a和133a、电荷生成层131b、132b和133b以及第二堆叠131c、132c和133c可以按照适当的顺序沉积在沟槽之上。此时，如果沟槽T的宽度W1小，则沉积在第一子像素P1中的第一堆叠131a和沉积在第二子像素P2中的第一堆叠132a可以在沟槽T之上彼此邻接。因此，在第一子像素P1和第二子像素P2中，沉积在第一堆叠131a和132a上方的电荷生成层131b和132b可以彼此连接，由此在相邻的子像素P1与P2之间可能发生漏电流。
可替选地，即使沉积在第一子像素P1处的第一堆叠131a和沉积在第二子像素P2处的第一堆叠132a在沟槽T上不彼此邻接，沉积在第一子像素P1处的电荷生成层131b和沉积在第二子像素P2处的电荷生成层132b也可以在沟槽T上彼此邻接。为此，在第一子像素P1和第二子像素P2中，电荷生成层131b和132b可以彼此连接，由此在相邻的子像素P1与P2之间可能发生漏电流。
另一方面，如果沟槽T的宽度大，则子像素P1、P2和P3的发光区域EA和开口率减小。
即，沟槽T可以以如下最小宽度被设计，该最小宽度使得第二电极140、发光层130的第一堆叠131a、132a和133a、电荷生成层131b、132b和133b以及第二堆叠131c、132c和133c可以在第一子像素P1、第二子像素P2与第三子像素P3之间分别断开。此时，沟槽T的最优宽度可以根据第二电极140、发光层130的第一堆叠131a、132a和133a、电荷生成层131b、132b和133b以及第二堆叠131c、132c和133c中的每一个的厚度而变化。
堤部125设置在层间介电膜115上方。堤部125可以被设置成覆盖第一电极121、122和123中的每一个的端部。因此，可以防止电流集中在第一电极121、122和123中的每一个的端部，由此防止与发射效率的劣化有关的问题。
如图4中所示，堤部125可以被设置成覆盖分别设置在子像素P1、P2和P3中的第一电极121、122和123的端部，并且暴露设置在子像素P1、P2和P3之间的沟槽T，但是不限于该示例。
在另外的实施方式中，堤部125可以从一个第一电极121的端部连接至另一个第一电极122的端部，并且可以从另一个第一电极122的端部连接至又一个第一电极123的端部。即，堤部125可以被设置成覆盖第一电极121、122和123的端部并且同时覆盖沟槽T。
堤部125在多个子像素P1、P2和P3中的每一个中限定发射区域EA。即，在子像素P1、P2和P3中的每一个中，第一电极121、122和123的没有被堤部125覆盖而是被暴露的暴露区域是发射区域EA。另一方面，除了发射区域EA以外的区域是非发射区域。
堤部125可以由无机层形成，并且例如，可以由SiOx、SiNx或其多层形成。堤部125可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
发光层130设置在第一电极121、122和123上方。发光层130可以是发射白光的白光发射层。在这种情况下，发光层130可以是在子像素P1、P2和P3中共同设置的公共层。
如图5中所示，发光层130包括发射第一颜色的光的第一堆叠130a、发射第二颜色的光的第二堆叠130c以及设置在第一堆叠130a与第二堆叠130c之间的电荷生成层(CGL)130b。
第一堆叠130a设置在第一电极121、122和123上方。第一堆叠130a在子像素P1、P2和P3之间断开。详细地，第一堆叠130a在第一子像素P1与第二子像素P2之间断开。例如，第一堆叠130a可以包括但不限于设置在第一子像素P1中的第一堆叠131a、设置在第二子像素P2中的第一堆叠132a以及设置在被设置在第一子像素P1与第二子像素P2之间的沟槽T中的第一堆叠134a。如图4和图6中所示，第一堆叠131a、第一堆叠132a和第一堆叠134a可能由于沟槽T的台阶差而彼此断开。设置在第一子像素P1中的第一堆叠131a和设置在第二子像素P2中的第一堆叠132a在沟槽上T不彼此邻接。
此外，第一堆叠130a在第二子像素P2和第三子像素P3之间断开。例如，第一堆叠130a可以包括但不限于设置在第二子像素P2中的第一堆叠132a、设置在第三子像素P3中的第一堆叠133a以及设置在被设置在第二子像素P2与第三子像素P3之间的沟槽T中的第一堆叠134a。此时，如图4和图6中所示，设置在第二子像素P2中的第一堆叠132a、设置在第三子像素P3中的第一堆叠133a和设置在被设置在第二子像素P2与第三子像素P3之间的沟槽T中的第一堆叠134a可能由于沟槽T的台阶差而彼此断开。设置在第二子像素P2中的第一堆叠132a和设置在第三子像素P3中的第一堆叠133a在沟槽上T不彼此邻接。
尽管图4和图6示出了第一堆叠130a在子像素P1、P2和P3之间完全断开，然而不限于该示例，第一堆叠130a可以薄地设置在沟槽T的侧面。设置在沟槽T的侧面的第一堆叠130a可以随着其靠近第一基板111而变薄。此时，设置在沟槽T的侧面的第一堆叠130a变薄并且于是断开，或者可以与设置在沟槽T的底部之上的第一堆叠130a连接。
第一堆叠130a可以以通过顺序沉积空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、被配置成发射第一颜色光的第一发射层(EML1)和电子传输层(ETL)而获得的沉积结构设置，但不限于该结构。第一发射层(EML1)可以是被配置成发射红色光的红色发射层、被配置成发射绿色光的绿色发射层、被配置成发射蓝色光的蓝色发射层和被配置成发射黄色光的黄色发射层中的至少一个，但不限于这些类型。
电荷生成层130b设置在第一堆叠130a上方。电荷生成层130b在子像素P1、P2和P3之间断开。详细地，电荷生成层130b在第一子像素P1与第二子像素P2之间断开。例如，电荷生成层130b可以包括但不限于设置在第一子像素P1中的电荷生成层131b、设置在第二子像素P2中的电荷生成层132b以及设置在被设置在第一子像素P1与第二子像素P2之间的沟槽T中的电荷生成层134b。此时，如图4和图6中所示，设置在第一子像素P1中的电荷生成层131b、设置在第二子像素P2中的电荷生成层132b和设置在被设置在第一子像素P1与第二子像素P2之间的沟槽T中的电荷生成层134b可能由于沟槽T的台阶差而彼此断开。设置在第一子像素P1中的电荷生成层131b和设置在第二子像素P2中的电荷生成层132b在沟槽T上不彼此邻接。
此外，电荷生成层130b在第二子像素P2与第三子像素P3之间断开。详细地，电荷生成层130b可以包括但不限于设置在第二子像素P2中的电荷生成层132b、设置在第三子像素P3中的电荷生成层133b以及设置在被设置在第二子像素P2与第三子像素P3之间的沟槽T中的电荷生成层134b。此时，如图4和图6中所示，设置在第二子像素P2中的电荷生成层132b、设置在第三子像素P3中的电荷生成层133b和设置在被设置在第二子像素P2与第三子像素P3之间的沟槽T中的电荷生成层134b可能由于沟槽T的台阶差而彼此断开。设置在第二子像素P2中的电荷生成层132b和设置在第三子像素P3中的电荷生成层133b在沟槽T上不彼此邻接。
尽管图4和图6示出了电荷生成层130b在子像素P1、P2和P3之间完全断开，然而不限于该示例，电荷生成层130b可以薄地设置在沟槽T的侧面。设置在沟槽T的侧面的电荷生成层130b可以随着其靠近第一基板111而变薄。此时，设置在沟槽T的侧面的电荷生成层130b变薄并且于是断开，或者可以与设置在沟槽T的底部之上的电荷生成层130b连接。即使在这种情况下，电荷生成层130b因其厚度在沟槽T中变薄而具有高电阻，由此难以使电荷通过电荷生成层130b移动。
电荷生成层130b可以由用于向第一堆叠130a提供电子的N型电荷生成层和用于向第二堆叠130c提供空穴的P型电荷生成层的沉积结构提供。
第二堆叠130c设置在电荷生成层130b上方。第二堆叠130c在子像素P1、P2和P3之间断开。详细地，第二堆叠130c在第一子像素P1与第二子像素P2之间断开。例如，第二堆叠130c可以包括但不限于设置在第一子像素P1中的第二堆叠131c、设置在第二子像素P2中的第二堆叠132c以及设置在被设置在第一子像素P1与第二子像素P2之间的沟槽T中的第二堆叠134c。此时，如图4和图6中所示，设置在第一子像素P1中的第二堆叠131c、设置在第二子像素P2中的第二堆叠132c和设置在被设置在第一子像素P1与第二子像素P2之间的沟槽T中的第二堆叠134c可能由于沟槽T的台阶差而彼此断开。设置在第一子像素P1中的第二堆叠131c和设置在第二子像素P2中的第二堆叠132c在沟槽上T不彼此邻接。
此外，第二堆叠130c在第二子像素P2与第三子像素P3之间断开。例如，第二堆叠130c可以包括但不限于设置在第二子像素P2中的第二堆叠132c、设置在第三子像素P3中的第二堆叠133c以及设置在被设置在第二子像素P2与第三子像素P3之间的沟槽T中的第二堆叠134c。此时，如图4和图6中所示，设置在第二子像素P2中的第二堆叠132c、设置在第三子像素P3中的第二堆叠133c和设置在被设置在第二子像素P2与第三子像素P3之间的沟槽T中的第二堆叠134c可能由于沟槽T的台阶差而彼此断开。设置在第二子像素P2中的第二堆叠132c和设置在第三子像素P3中的第二堆叠133c在沟槽上T不彼此邻接。
尽管图4和图6示出了第二堆叠130c在子像素P1、P2和P3之间完全断开，然而不限于该示例，第二堆叠130c可以薄地设置在沟槽T的侧面。设置在沟槽T的侧面的第二堆叠130c可以随着其靠近第一基板111而变薄。此时，设置在沟槽T的侧面的第二堆叠130c变薄并且于是断开，或者可以与设置在沟槽T的底部之上的第二堆叠130c连接。
第二堆叠130c可以以通过顺序沉积空穴传输层(HTL)、被配置成发射第二颜色光的第二发射层(EML2)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)获得的沉积结构设置，但不限于该结构。第二发射层(EML2)可以是被配置成发射红色光的红色发射层、被配置成发射绿色光的绿色发射层、被配置成发射蓝色光的蓝色发射层和被配置成发射黄色光的黄色发射层中的至少一个，但不限于这些类型。
第二发射层(EML2)可以发射颜色与第一发射层(EML1)的光的颜色不同的光。例如，第一发射层(EML1)可以是被配置成发射蓝色光的蓝色发射层，并且第二发射层(EML2)可以是被配置成发射黄色光的黄色发射层。另一方面，第一发射层(EML1)可以是被配置成发射蓝色光的蓝色发射层，并且第二发射层(EML2)可以是被配置成发射红色光的红色发射层和被配置成发射绿色光的绿色发射层。
由于子像素P1、P2和P3的电荷生成层130b在沟槽T中彼此断开，因此难以使电荷通过电荷生成层130b在相邻的子像素P1、P2和P3之间移动。
根据本公开的一个实施方式的发光层130可以使得相邻子像素P1、P2和P3受到的漏电流的影响在最小范围内。
此外，根据本公开的一个实施方式的发光层130可以在没有单独的掩模的情况下一次沉积在子像素P1、P2和P3处。
第二电极140设置在发光层130上方。第二电极140在子像素P1、P2和P3之间断开。详细地，第二电极140在第一子像素P1与第二子像素P2之间断开。例如，第二电极140可以包括设置在第一子像素P1中的第二电极141和设置在第二子像素P2中的第二电极142。如图4和图6中所示，设置在第一子像素P1中的第二电极141和设置在第二子像素P2中的第二电极142可能由于沟槽T的台阶差而彼此断开。设置在第一子像素P1中的第二电极141和设置在第二子像素P2中的第二电极142在沟槽T上不彼此邻接。
此外，第二电极140在第二子像素P2与第三子像素P3之间断开。例如，第二电极140可以包括设置在第二子像素P2中的第二电极142和设置在第三子像素P3中的第二电极143。如图4和图6中所示，设置在第二子像素P2中的第二电极142和设置在第三子像素P3中的第二电极143可能由于沟槽T的台阶差而彼此断开。设置在第二子像素P2中的第二电极142和设置在第三子像素P3中的第二电极143在沟槽T上不彼此邻接。
第二电极140可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射率的金属材料形成。如果显示装置100以顶部发射型形成，则第二电极140可以由能够通过使光透射通过的透明金属材料(透明导电材料，TCO)、例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成，或者第二电极140可以由半透射金属材料(半透射导电材料)、例如镁(Mg)、银(Ag)或者镁(Mg)和银(Ag)的合金形成。如果显示装置100以底部发射型形成，则第二电极140可以由具有高反射率的金属材料形成，并且更具体地，由铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)形成。在本文中，Ag合金是银(Ag)、钯(Pd)、铜(Cu)等的合金。第二电极140可以是阴极电极。
同时，第二电极140可以通过蒸发方法形成。如果第二电极140通过蒸发方法形成，则第二电极140由于良好的线性而沉积在发光层130之上，但是不沉积在发光层130的侧面之上。即，通过蒸发方法形成的第二电极140不具有良好的台阶覆盖特性。
根据本公开的一个实施方式的显示装置100的特征在于，第二电极140形成为没有获得良好的台阶覆盖特性。发光层130的电荷生成层131b、132b和133b可以在子像素P1、P2和P3之间断开并且部分地暴露在沟槽T中。如果第二电极140通过诸如溅射的物理气相沉积方法形成，则第二电极140可以由于优异的台阶覆盖而沉积在电荷生成层131b、132b和133b之上。因此，在第二电极140与电荷生成层131b、132b和133b之间可能发生短路。
为了防止这样的短路发生，在根据本公开的一个实施方式的显示装置100中，第二电极140通过蒸发方法形成，使得第二电极140不沉积在发光层130的侧面之上，特别是没有沉积在暴露于侧面的电荷生成层131b、132b和133b之上。因此，在根据本公开的一个实施方式的显示装置100中，可以防止在第二电极140与发光层130的电荷生成层131b、132b和133b之间发生短路。
通常，使用半透射金属材料或高反射性的金属材料通过蒸发方法沉积的膜具有不比使用透明金属材料通过蒸发方法沉积的膜好的台阶覆盖特性。在根据本公开的一个实施方式的显示装置100中，第二电极140由半透射材料或高反射性的金属材料形成，由此第二电极140的台阶覆盖特性可以降低。因此，在根据本公开的一个实施方式的显示装置100中，第二电极140不邻接电荷生成层131b、132b和133b，由此获得电稳定性。
第二绝缘层150设置在第二电极140之上。第二绝缘层150设置在第二电极140之上以部分地暴露第二电极140。
详细地，第二绝缘层150可以直接设置在第二电极140的上表面之上，并且可以在非发光区域中部分地暴露第二电极140的上表面。第二电极140可以设置有从第一基板111向第二基板112凸起的第一上表面US1。凸起的第一上表面US1可以设置在非发光区域中。由于第一上表面US1是通过堤部125的台阶差而生成的，因此第一上表面US1可以与设置有堤部125的区域交叠。第一上表面US1具有与设置在发光区域EA中的第二上表面US2连接的一个端部以及连接至朝向沟槽T倾斜的第三上表面US3的另一个端部。
如图6中所示，第二绝缘层150可以部分地暴露第二电极140的第一上表面US1，但是不限于该示例。第二绝缘层150可以部分地暴露第二电极140的凸起的第一上表面US1和倾斜的第三上表面US3。
第二绝缘层150可以设置在发射不同颜色的光的第一子像素至第三子像素P1、P2和P3中的每一个中。通过插入沟槽T，设置在第一子像素至第三子像素P1、P2和P3中的每一个中的第二绝缘层150可以与另外的第二绝缘层间隔开。例如，设置在第一子像素P1中的第二绝缘层151可以被设置成部分暴露设置在第一子像素P1中的第二电极141的第一上表面US1。设置在第二子像素P2中的第二绝缘层152可以被设置成部分地暴露设置在第二子像素P2中的第二电极142的第一上表面US1。因此，通过插入沟槽T，设置在第一子像素P1中的第二绝缘层151和设置在第二子像素P2中的第二绝缘层152可以彼此间隔开。
同时，沟槽T可以设置在发射相同颜色的光的子像素之间。如果沟槽T设置在发射相同颜色的光的子像素之间，则通过插入沟槽T，设置在发射相同颜色的光的子像素中的每一个中的第二绝缘层150可以与另外的绝缘层间隔开。
另一方面，沟槽T可以不设置在发射相同颜色的光的子像素之间。如果沟槽T没有设置在发射相同颜色的光的子像素之间，则设置在发射相同颜色的光的子像素中的每一个中的第二绝缘层150可以与另外的绝缘层连接。
如上所述的那样设置的第二绝缘层150设置在发光区域EA中并且提高光提取效果。此外，第二绝缘层150设置在第二电极140之上，以保护第二电极140和发光层130免受外部水的影响。第二绝缘层150用作盖层。
第一绝缘层160设置在子像素P1、P2和P3之间。详细地，第一绝缘层160设置在分别设置在子像素P1、P2和P3中的发光层130之间。分别设置在子像素P1、P2和P3中的发光层130可能由于沟槽T的台阶差而断开。在形成沟槽T之后，第一堆叠131a、132a和133a、电荷生成层131b、132b和133b以及第二堆叠131c、132c和133c可以按照适当的顺序形成。第一堆叠131a、132a和133a、电荷生成层131b、132b和133b以及第二堆叠131c、132c和133c可能由于沟槽T的台阶差而在子像素P1、P2和P3之间断开。此时，分别形成在子像素P1、P2和P3中的第一堆叠131a、132a和133a可以彼此间隔开以在子像素P1、P2和P3之间形成空间。分别形成在子像素P1、P2和P3中的电荷生成层131b、132b和133b可以彼此间隔开以在子像素P1、P2和P3之间形成空间。此外，分别形成在子像素P1、P2和P3中的第二堆叠131c、132c和133c可以彼此间隔开以在子像素P1、P2和P3之间形成空间。
形成第一绝缘层160以填充设置在子像素P1、P2和P3之间的空间。因此，第一绝缘层160布置在分别设置在子像素P1、P2和P3中的发光层130之间，以使发光层130彼此绝缘。特别地，在根据本公开的一个实施方式的显示装置100中，第一绝缘层160设置在子像素P1、P2和P3中的每一个的电荷生成层131b、132b和133b之间，以使电荷生成层131b、132b和133b彼此绝缘。因此，在根据本公开的一个实施方式的显示装置100中，可以更稳定地防止电流通过电荷生成层131b、132b和133b在相邻子像素P1、P2和P3之间泄漏。
第一绝缘层160设置在分别设置在子像素P1、P2和P3中的第二电极141、142和143之间。分别设置在子像素P1、P2和P3中的第二电极141、142和143可能由于沟槽T的台阶差而断开。在形成沟槽T之后，第一堆叠131a、132a和133a、电荷生成层131b、132b和133b、第二堆叠131c、132c和133c以及第二电极141、142和143可以按照适当的顺序形成。第一堆叠131a、132a和133a、电荷生成层131b、132b和133b以及第二堆叠131c、132c和133c可能由于沟槽T的台阶差而在子像素P1、P2和P3之间断开。第二电极141、142和143也可能由于沟槽T的台阶差而在子像素P1、P2和P3之间断开。此时，分别形成在子像素P1、P2和P3中的第二电极141、142和143可以彼此间隔开以在子像素P1、P2和P3之间形成空间。
形成第一绝缘层160以填充设置在子像素P1、P2和P3之间的空间。此时，第一绝缘层160可以部分地覆盖分别设置在子像素P1、P2和P3中的第二电极141、142和143的倾斜的第三上表面US3。
第一绝缘层160布置在分别设置在子像素P1、P2和P3中的第二电极141、142和143之间，以使第二电极141、142和143彼此绝缘。在根据本公开的一个实施方式的显示装置100中，可以更稳定地防止第二电极141、142和143邻接电荷生成层131b、132b和133b。
第一绝缘层160可以由与第二绝缘层150的材料相同的材料制成，并且可以通过与第二绝缘层150的工艺相同的工艺形成。
详细地，为了形成第一绝缘层160和第二绝缘层150，首先，可以在第二电极140之上沉积绝缘材料。绝缘材料可以沉积在第二电极141、142和143的第一上表面US1、第二上表面和第三上表面US3之上。此时，由于绝缘材料具有高粘度，因此绝缘材料可能无法填充子像素P1、P2和P3之间的空间。子像素P1、P2和P3之间的空间意指在沟槽T中通过第二电极的断开和发光层130的断开提供的空间。
此外，发光层131、132和133以及第二电极141、142和143按照适当的顺序形成，由此子像素P1、P2和P3之间的空间可以更窄。由于绝缘材料无法充分进入子像素P1、P2和P3之间的窄空间，因此子像素P1、P2和P3之间的空间可能不会被绝缘材料完全填充。因此，绝缘材料可能不会覆盖从沟槽T暴露的电荷生成层131b、132b和133b。
如果对沉积有绝缘材料的第一基板111进行加热，则绝缘材料的温度升高并且其粘度可以降低。特别地，如果绝缘材料的温度变得大于玻璃转变温度Tg或熔点Tm，则绝缘材料的粘度降低并且具有流动性(flexibility)。具有流动性的绝缘材料沿着第二电极140的倾斜的第三上表面US3流动。因此，绝缘材料填充在沟槽T中的通过第二电极140的断开和发光层130的断开提供的空间中。
此外，沉积在第二电极140的第一上表面US1之上的绝缘材料沿着倾斜表面流向第二上表面US2或第三上表面US3。因此，第二电极140的第一上表面US1的至少一部分被暴露。
因此，绝缘材料布置在第二电极140的第二上表面US2之上以及沟槽T中的通过第二电极140的断开和发光层130的断开提供的空间中。布置在第二电极140的第二上表面US2之上的绝缘材料变成第二绝缘层150并且用作盖层。布置在子像素P1、P2和P3之间的空间中的绝缘材料变成第一绝缘层160，并且防止电流在相邻的子像素P1、P2和P3之间泄漏。
第三电极170设置在第二绝缘层150和第一绝缘层160之上。第三电极170可以是在子像素P1、P2和P3之间连接并且被共同设置的公共层。
此时，第三电极170也设置在第二电极140的、未被第一绝缘层160和第二绝缘层150覆盖而被暴露的部分之上。详细地，对于子像素P1、P2和P3中的每一个，第二电极140的上表面在不被第二绝缘层150和第一绝缘层160覆盖的情况下部分地暴露。第三电极170与分别设置在子像素P1、P2和P3中的第二电极141、142和143电连接。此外，分别设置在子像素P1、P2和P3中的第二电极141、142和143通过第三电极170彼此电连接。相同的电压被施加至第二电极141、142和143以及第三电极170。
尽管图4示出了第三电极170是针对子像素P1、P2和P3共同设置的公共层，但是第三电极170不限于图4的示例。在另外的实施方式中，第三电极170可以是设置在子像素P1、P2和P3之间的电极图案。详细地，一个第三电极170可以是其一个端部接触设置在第一子像素P1中的第二电极141的暴露的上表面并且其另一端部接触设置在第二子像素P2中的第二电极142的暴露的上表面的电极图案。因此，该第三电极170可以是用于将第一子像素P1的第二电极141与第二子像素P2的第二电极142电连接的连接图案。
此外，另一个第三电极170可以是其一个端部接触设置在第二子像素P2中的第二电极142的暴露的上表面并且其另一端部接触设置在第三子像素P3中的第二电极143的暴露的上表面的电极图案。因此，该第三电极170可以是用于将第二子像素P2的第二电极142与第三子像素P3的第二电极143电连接的连接图案。
第三电极170可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射率的金属材料形成。如果显示装置100以顶部发射型形成，则第三电极170可以由能够使光透射通过的透明金属材料(透明导电材料，TCO)、例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成，或者第三电极170可以由半透射金属材料(半透射导电材料)、例如镁(Mg)、银(Ag)或者镁(Mg)和银(Ag)的合金形成。如果显示装置100以底部发射型形成，则第三电极170可以由具有高反射率的金属材料形成，并且更具体地，可以由铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)形成。在本文中，Ag合金是银(Ag)、钯(Pd)、铜(Cu)等的合金。第三电极170可以是阴极电极。
同时，第三电极170可以通过诸如溅射的物理气相沉积方法形成，但不限于此。第三电极170可以按与第二电极140相同的方式通过蒸发方法形成。通过诸如溅射的物理气相沉积方法形成的膜具有优异的台阶覆盖特性。因此，第三电极170可以以均匀的厚度沉积在第二绝缘层150、第一绝缘层160和暴露的第二电极140之上。
在根据本公开的显示装置100中，在子像素P1、P2和P3之间断开的第二电极141、142和143可以通过第三电极170彼此连接以确保第二电极(例如阴极电极)的连接。如果未设置第三电极170，则沟槽T的宽度可以被设计成使得第二电极140在子像素P1、P2和P3之间不断开。然而，第二电极140可能由于沟槽T的台阶差而在子像素P1、P2和P3之间断开，由此第二电极(例如阴极电极)的连接可能由于工艺误差而不稳定。
在根据本公开的显示装置100中，可以使用单独的第三电极170以防止第二电极(例如阴极电极)的连接由于工艺误差而不稳定，并且可以确保第二电极(例如阴极电极)的连接。
封装膜180可以被设置成覆盖第三电极170。封装膜180用于防止氧气或水渗透到第二电极140和第三电极170中。为此，封装膜180可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。
详细地，封装膜180可以包括第一无机膜和有机膜。在一个实施方式中，封装膜180还可以包括第二无机膜。
第一无机膜被设置成覆盖第三电极170。有机膜设置在第一无机膜之上。优选地，有机膜以足够厚度形成，以防止颗粒通过穿过第一无机膜渗透到发光层130、第二电极140和第三电极170中。第二无机膜被设置成覆盖有机膜。
第一无机膜和第二无机膜中的每一个可以由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物或钛氧化物形成。第一无机膜和第二无机膜可以通过化学气相沉积(CVD)方法或原子层沉积(ALD)方法沉积，但不限于这些方法。
有机膜可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。有机膜可以通过气相沉积方法、印刷法或狭缝涂布法获得，但不限于这些方法。有机膜可以通过喷墨方法获得。
滤色器190设置在封装膜180之上。滤色器190包括被布置成分别对应于子像素P1、P2和P3的第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。第一滤色器CF1可以是使红色光透射的红色滤色器，第二滤色器CF2可以是使绿色光透射的绿色滤色器，并且第三滤色器CF3可以是使蓝色光透射的蓝色滤色器。
同时，尽管图5示出了第一电极120包括一层，但是本公开不限于图5的这个示例。
在另外的实施方式中，第一电极120可以包括如图7中示出的多个层。更详细地，设置在第一子像素P1中的第一电极121可以包括第一上部电极121a、第一下部电极121c以及设置在第一上部电极121a与第一下部电极121c之间的第一介电层121b。
第一上部电极121a与前述驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子电连接。详细地，第一上部电极121a可以直接与驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子连接，并且也可以通过第一下部电极121c与驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子连接。因此，第一上部电极121a可以通过设置在第一介电层121b中的接触孔(未示出)与第一下部电极121c连接，但是不限于该示例。第一上部电极121a可以不与第一下部电极121c连接。第一下部电极121c可以用作反射电极，但是可以不用作生成空穴的阳极。因此，第一下部电极121c可以不总是与第一上部电极121a连接。
第一下部电极121c可以包括使从发光层130发射的光朝向上部反射的反射电极，并且第一上部电极121a可以包括用于生成空穴的透明电极。同时，第二电极141可以包括半透射电极。因此，在包括反射电极的第一下部电极121c与包括半透射电极的第二电极141之间可以发生光的反射和再反射，由此可以获得微腔效应。
此时，反射电极是反射入射光的电极，透明电极是透射入射光的电极，并且半透射电极是透射入射光的一部分并反射入射光的另一部分的电极。透明性可以按照反射电极、半透射电极和透明电极的顺序而变得更优异，并且反射率可以按照透明电极、半透射电极和反射电极的顺序而变得更优异。
如果第一下部电极121c与第二电极141之间的距离(T1+T2)达到红色波长的光的半波长λ/2的整数倍，则发生加强干涉以放大红色波长的光，并且如果重复前述反射和再反射，则红色波长的光的放大水平可以连续增加。
此时，期望设置在第一下部电极121c与第一上部电极121a之间的第一介电层121b使得第一下部电极121c与第二电极141之间的距离(T1+T2)可以达到红色波长的光的半波长λ/2的整数倍。为此，可以适当地控制第一介电层121b的第二厚度T2。第一介电层121b可以由诸如硅氧化物、硅氮化物、ITO或IZO的透明材料制成。
在第一子像素P1中从第一上部电极121a的下表面到第二电极141的下表面的第一距离T1等于在第三子像素P3中从第三上部电极123a的下表面到第二电极143的下表面的第一距离T1。
设置在第二子像素P2中的第一电极122可以包括第二上部电极122a、第二下部电极122c以及设置在第二上部电极122a与第二下部电极122c之间的第二介电层122b。
第二上部电极122a与前述驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子电连接。详细地，第二上部电极122a可以直接与驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子连接，并且也可以通过第二下部电极122c与驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子连接。因此，第二上部电极122a可以通过设置在第二介电层122b中的接触孔(未示出)与第二下部电极122c连接，但是不限于该示例。第二上部电极122a可以不与第二下部电极122c连接。第二下部电极122c可以用作反射电极，但是可以不用作生成空穴的阳极。因此，第二下部电极122c可以不总是与第二上部电极122a连接。
第二下部电极122c可以包括使从发光层130发射的光朝向上部反射的反射电极，并且第二上部电极122a可以包括用于生成空穴的透明电极。同时，第二电极142可以包括半透射电极。因此，在包括反射电极的第二下部电极122c与包括半透射电极的第二电极142之间可以发生光的反射和再反射，由此可以获得微腔效应。第二下部电极122c可以由与第一下部电极121c的材料相同的材料制成，并且第二上部电极122a可以由与第一上部电极121a的材料相同的材料制成。
如果第二下部电极122c与第二电极142之间的距离(T1+T3)达到绿色波长的光的半波长λ/2的整数倍，则发生加强干涉以放大绿色波长的光，并且如果重复前述反射和再反射，则绿色波长的光的放大水平可以连续增加。
此时，预期设置在第二下部电极122c与第二上部电极122a之间的第二介电层122b使得第二下部电极122c与第二电极142之间的距离(T1+T3)可以达到绿色波长的光的半波长λ/2的整数倍。为此，可以适当地控制第二介电层122b的第三厚度T3。第二介电层122b可以由与第一介电层121b的材料相同的材料制成。
在第二子像素P2中从第二上部电极122a的下表面到第二电极142的下表面的第一距离T1等于在第三子像素P3中从第三上部电极123a的下表面到第二电极143的下表面的第一距离T1。
设置在第三子像素P3中的第一电极123可以包括第三上部电极123a和第三下部电极123c。
第三上部电极123a与前述驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子电连接。详细地，第三上部电极123a可以直接与驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子连接，并且也可以通过第三下部电极123c与驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子连接。尽管第三上部电极123a可以设置在第三下部电极123c的上表面之上，但是可以在第三上部电极123a与第三下部电极123c之间另外设置第三介电层。
第三下部电极123c可以包括使从发光层130发射的光朝向上部反射的反射电极，并且第三上部电极123a可以包括用于生成空穴的透明电极。同时，第二电极143可以包括半透射电极。因此，在包括反射电极的第三下部电极123c与包括半透射电极的第二电极143之间可以发生光的反射和再反射，由此可以获得微腔效应。第三下部电极123c可以由与第一下部电极121c或第二下部电极122c的材料相同的材料制成，并且第三上部电极123a可以由与第一上部电极121a或第二上部电极122a的材料相同的材料制成。
如果第三下部电极123c与第二电极143之间的第一距离T1达到蓝色波长的光的半波长λ/2的整数倍，则发生加强干涉以放大蓝色波长的光，并且如果重复前述反射和再反射，则蓝色波长的光的放大水平可以连续增加。
在根据本公开的一个实施方式的显示装置100中，第二电极141、142和143可以通过使用蒸发方法沉积半透射材料来形成。使用半透射金属材料通过蒸发方法沉积的膜不具有良好的台阶覆盖特性。由于所沉积的第二电极141、142和143不具有良好的台阶覆盖特性，因此因发光层130通过沟槽T断开而提供的空间处不沉积第二电极。因此，在根据本公开的一个实施方式的显示装置100中，第二电极141、142和143不邻接电荷生成层131b、132b和133b，由此可以获得电稳定性。
在根据本公开的一个实施方式的显示装置100中，在包括半透射电极的第二电极141、142和143与下部电极121c、122c和123c之间可以发生光的反射和再反射，由此可以获得微腔效应。因此，在根据本公开的一个实施方式的显示装置100中，可以从第一子像素至第三子像素P1、P2和P3中的每一个发射不同波长的光。
图8是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的制造方法的流程图，以及图9A至图9L是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的制造方法的截面视图。
首先，在基板111之上形成电路元件和层间介电膜115(S801)。
更详细地，如图9A中所示，在基板111之上形成驱动薄膜晶体管TFT。然后，在驱动薄膜晶体管TFT之上形成层间介电膜115。层间介电膜115可以由无机层形成，并且例如可以由SiOx、SiNx或其多层形成。层间介电膜115可以由有机层形成，并且例如可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。可替选地，层间介电膜115可以由包括至少一个无机层和至少一个有机层的多层形成。
然后，形成第一电极120(S802)。更详细地，如图9B中所示，第一电极121、122和123形成在层间介电膜115之上并且针对子像素P1、P2和P3中的每一个被图案化。第一电极120通过穿过层间介电膜115的接触孔CH连接至驱动薄膜晶体管TFT的源极端子或漏极端子。
第一电极121、122和123可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射率的金属材料形成。如果显示装置100以顶部发射型形成，则第一电极121、122和123可以由具有高反射率的金属材料形成，并且更具体地，可以由铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)形成。在本文中，Ag合金是银(Ag)、钯(Pd)、铜(Cu)等的合金。如果显示装置100以底部发射型形成，则第一电极121、122和123可以由能够使光透射通过的透明金属材料(透明导电材料，TCO)、例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成，或者第一电极121、122和123可以由半透射金属材料(半透射导电材料)、例如镁(Mg)、银(Ag)或者镁(Mg)和银(Ag)的合金形成。第一电极121、122和123可以是阳极电极。
接下来，形成堤部125和沟槽T(S803)。更详细地，如图9C中所示，在层间介电膜115和第一电极120之上沉积构成堤部125的堤部材料127。
然后，如图9D中所示，通过执行蚀刻工艺，在层间介电膜115中形成沟槽T。可以通过部分地去除层间介电膜115以使其凹陷而在子像素P1、P2和P3之间形成沟槽T，但是不限于该示例。沟槽T可以形成为穿过层间介电膜115。
在发射不同颜色的光的第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3之间形成沟槽T。沟槽T可以不布置在发射相同颜色的光的第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3之间，但是不限于该示例。沟槽T可以布置在发射相同颜色的光的第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3之间。此外，如图9D中所示，通过部分地去除沉积在第一电极120之上的堤部材料127来形成堤部125。因此，堤部125被形成为覆盖第一电极121、122和123中的每一个的端部并且暴露在子像素P1、P2和P3之间形成的沟槽T。
堤部125可以由无机层形成，并且例如，可以由SiOx、SiNx或其多层形成。堤部125可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
其中，在图9D的描述中，在形成第一电极120之后形成沟槽T，但是沟槽T不限于图9D的示例。在另外的实施方式中，在形成层间介电膜115之后，可以在形成第一电极120之前形成沟槽T。详细地，在形成层间介电膜115之后，沟槽T可以与通过穿过层间介电膜115而使驱动薄膜晶体管TFT暴露的接触孔CH一起形成。
此外，在图9D的描述中，在沉积堤部材料127之后形成沟槽T，但是沟槽T不限于图9D的示例。在另外的实施方式中，可以在形成第一电极120之后在沉积堤部材料127之前形成沟槽T。在这种情况下，在形成沟槽T之后，在沟槽T、第一电极120和层间介电膜115之上沉积堤部材料127。然后，可以部分地去除沉积在第一电极120之上的堤部材料127，以形成堤部125。
接下来，形成发光层130(S804)。更详细地，如图9E中所示，第一堆叠131a、132a和133a、电荷生成层131b、132b和133b以及第二堆叠131c、132c和133c按照适当的顺序形成在第一电极121、122和123之上。
首先，在第一电极121、122和123之上形成第一堆叠131a、132a和133a。第一堆叠131a、132a和133a可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果第一堆叠131a、132a和133a通过沉积工艺形成，则第一堆叠131a、132a和133a可以使用蒸发方法形成。第一堆叠131a、132a和133a在子像素P1、P2和P3之间断开。
第一堆叠131a、132a和133a可以以通过顺序沉积空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、被配置成发射第一颜色光的第一发射层(EML1)和电子传输层(ETL)而获得的沉积结构形成，但不限于该结构。第一发射层(EML1)可以是被配置成发射红色光的红色发射层、被配置成发射绿色光的绿色发射层、被配置成发射蓝色光的蓝色发射层和被配置成发射黄色光的黄色发射层中的至少一个，但不限于这些类型。
然后，在第一堆叠131a、132a和133a之上形成电荷生成层131b、132b和133b。电荷生成层131b、132b和133b在子像素P1、P2和P3之间断开。
然后，在电荷生成层131b、132b和133b之上形成第二堆叠131c、132c和133c。第二堆叠131c、132c和133c可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果第二堆叠133通过沉积工艺形成，则第二堆叠133可以使用蒸发方法形成。第二堆叠131c、132c和133c在子像素P1、P2和P3之间断开。
第二堆叠131c、132c和133c可以以通过顺序沉积空穴传输层(HTL)、被配置成发射第二颜色光的第二发射层(EML2)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)获得的沉积结构形成，但不限于该结构。第二发射层(EML2)可以是被配置成发射红色光的红色发射层、被配置成发射绿色光的绿色发射层、被配置成发射蓝色光的蓝色发射层和被配置成发射黄色光的黄色发射层中的至少一个，但不限于这些类型。
第二发射层(EML2)可以发射颜色与第一发射层(EML1)的光的颜色不同的光。例如，第一发射层(EML1)可以是被配置成发射蓝色光的蓝色发射层，并且第二发射层(EML2)可以是被配置成发射黄色光的黄色发射层。另一方面，第一发射层(EML1)可以是被配置成发射蓝色光的蓝色发射层，并且第二发射层(EML2)可以是被配置成发射红色光的红色发射层和被配置成发射绿色光的绿色发射层。
接下来，形成第二电极140(S805)。更详细地，如图9F中所示，第二电极141、142和143形成在发光层131、132和133之上。第二电极140可以通过蒸发方法形成。如果第二电极140通过蒸发方法形成，则第二电极140由于良好的线性而沉积在发光层131、132和133之上，但是不沉积在发光层131、132和133的侧面之上。
如果第二电极141、142和143通过蒸发方法形成，则第二电极141、142和143由于良好的线性而沉积在发光层131、132和133之上，但是不沉积在发光层131、132和133的侧面之上。即，通过蒸发方法形成的第二电极141、142和143不具有良好的台阶覆盖特性。
第二电极141、142和143可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射率的金属材料形成。如果显示装置100以顶部发射型形成，则第二电极141、142和143可以由能够使光透射通过的透明金属材料(透明导电材料，TCO)、例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成，或者可以由半透射金属材料(半透射导电材料)、例如镁(Mg)、银(Ag)或者镁(Mg)和银(Ag)的合金形成。如果显示装置100以底部发射型形成，则第二电极141、142和143可以由具有高反射率的金属材料形成，并且更具体地，可以由铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)形成。在本文中，Ag合金是银(Ag)、钯(Pd)、铜(Cu)等的合金。第二电极141、142和143可以是阴极电极。
接下来，形成第二绝缘层150和第一绝缘层160(S806)。
首先，如图9G中所示，在第二电极141、142和143之上沉积绝缘材料165。绝缘材料165可以沉积在第二电极141、142和143的凸起的第一上表面US1、第二上表面和倾斜的第三上表面US3之上。此时，由于绝缘材料165具有高粘度，因此绝缘材料可能无法填充子像素P1、P2和P3之间的空间。子像素P1、P2和P3之间的空间意指沟槽T中的通过第二电极141、142和143之间的断开和发光层131、132和133之间的断开形成的空间。
此外，发光层131、132和133以及第二电极141、142和143按照适当的顺序形成，由此子像素P1、P2和P3之间的空间可以更窄。由于绝缘材料165无法充分进入子像素P1、P2和P3之间的窄空间，因此子像素P1、P2和P3之间的空间可能不会被绝缘材料165完全填充。因此，绝缘材料165可能不会覆盖从沟槽T暴露的电荷生成层131b、132b和133b。
接下来，如果对沉积有绝缘材料165的第一基板111进行加热，则绝缘材料165的温度升高并且其粘度可以降低。特别地，如果绝缘材料165的温度变得大于玻璃转变温度Tg或熔点Tm，则绝缘材料165的粘度降低并且具有流动性。
接下来，如图9H中所示，具有流动性的绝缘材料165沿着第二电极141、142和143的倾斜的第三上表面US3流动。因此，绝缘材料165填充在沟槽T中的通过第二电极141、142和143之间的断开和发光层131、132和133之间的断开形成的空间中。
此外，沉积在第二电极141、142和143的凸起的第一上表面US1之上的绝缘材料165沿着倾斜表面流向第二上表面US2或第三上表面US3。因此，第二电极141、142和143的第一上表面US1的至少一部分被暴露。
因此，如图9I中所示，绝缘材料165被布置在第二电极141、142和143的第二上表面US2之上以及沟槽T中的通过第二电极141、142和143之间的断开和发光层131、132和133之间的断开形成的空间中。
布置在第二电极141、142和143的第二上表面US2之上的绝缘材料165变成第二绝缘层150并且用作盖层。此外，布置在子像素P1、P2和P3之间的空间中的绝缘材料165变成第一绝缘层160，并且防止电流在相邻的子像素P1、P2和P3之间泄漏。
然后，形成第三电极170(S807)。更详细地，如图9J中所示，在第二绝缘层150和第一绝缘层160之上形成第三电极170。此时，第三电极170也形成在第二电极141、142和143的、未被第一绝缘层160和第二绝缘层150覆盖而被暴露的部分之上。
对于子像素P1、P2和P3中的每一个，第二电极141、142和143的上表面在不被第二绝缘层150和第一绝缘层160覆盖的情况下部分地暴露。因此，第三电极170与分别设置在子像素P1、P2和P3中的第二电极141、142和143电连接。此外，分别设置在子像素P1、P2和P3中的第二电极141、142和143通过第三电极170彼此电连接。
第三电极170可以由透明金属材料、半透射金属材料或具有高反射率的金属材料形成。如果显示装置100以顶部发射型形成，则第三电极170可以由能够使光透射通过的透明金属材料(透明导电材料，TCO)、例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成，或者第三电极170可以由半透射金属材料(半透射导电材料)、例如镁(Mg)、银(Ag)或者镁(Mg)和银(Ag)的合金形成。如果显示装置100以底部发射型形成，则第三电极170可以由具有高反射率的金属材料形成，并且更具体地，可以由铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和铟锡氧化物的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)形成。在本文中，Ag合金是银(Ag)、钯(Pd)、铜(Cu)等的合金。第三电极170可以是阴极电极。
接下来，形成封装膜180(S808)。更详细地，如图9K中所示，封装膜180形成在第三电极170之上。封装膜180可以包括第一无机膜和有机膜。在一个实施方式中，封装膜180还可以包括第二无机膜。
第一无机膜形成在第三电极170之上。然后，有机膜形成在第一无机膜之上。优选地，有机膜以足够厚度形成，以防止颗粒通过穿过第一无机膜渗透到发光层130、第二电极140和第三电极170中。然后，第二无机膜形成在有机膜之上。
第一无机膜和第二无机膜中的每一个可以由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物或钛氧化物形成。第一无机膜和第二无机膜可以通过化学气相沉积(CVD)方法或原子层沉积(ALD)方法沉积，但不限于这些方法。
有机膜可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。有机膜可以通过气相沉积方法、印刷法或狭缝涂布法获得，但不限于这些方法。有机膜可以通过喷墨方法获得。
然后，形成滤色器190(S809)。更详细地，如图9L中所示，滤色器190形成在封装膜180之上。滤色器190包括被布置成与第一子像素P1相对应的第一滤色器CF1、被布置成与第二子像素P2相对应的第二滤色器CF2和被布置成与第三子像素P3相对应的第三滤色器CF3。第一滤色器CF1可以是使红色光透射的红色滤色器，第二滤色器CF2可以是使绿色光透射的绿色滤色器，并且第三滤色器CF3可以是使蓝色光透射的蓝色滤色器。
注意，虽然在上文中以显示装置包括第一子像素、第二子像素和第三子像素的情况为示例描述了根据本公开的实施方式的显示装置以及制造显示装置的方法，然而，根据本公开的另外的实施方式，显示装置可以仅包括第一子像素和第二子像素两者，而不包括第三子像素。
图10A至图10C示出根据本公开的另外的实施方式的显示装置，其涉及头戴式显示器(HMD)。图10A是示意性透视图，图10B是虚拟现实(VR)结构的示意性平面视图，以及图10C是增强现实(AR)结构的截面视图。
如图10A中所示，根据本公开的头戴式显示器(HMD)包括容纳壳体10和头戴式带30。
显示装置、透镜阵列和目镜可以容纳在容纳壳体10内。
头戴式带30被固定至容纳壳体10。在附图中，头戴式带30被配置成围绕用户的头部的上表面和两个侧表面，但不限于该结构。例如，头戴式带被设置成将头戴式显示器(HMD)固定至用户的头部，其可以由眼镜框形状或头盔形结构代替。
如图10B中所示，根据本公开的虚拟现实(VR)结构的头戴式显示器(HMD)包括左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13、左眼目镜20a和右眼目镜20b。
左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13以及左眼目镜20a和右眼目镜20b被容纳在前述容纳壳体10中。
可以在左眼显示装置12和右眼显示装置11上显示相同的图像。在这种情况下，用户可以观看二维(2D)图像。如果在左眼显示装置12上显示用于左眼的图像并且在右眼显示装置11上显示用于右眼的图像，则用户可以观看三维(3D)图像。左眼显示装置12和右眼显示装置11中的每一个可以由图1至图7中示出的前述显示装置形成。在这种情况下，图1至图7中的与用于显示图像的表面相对应的上部、例如滤色器160、面对透镜阵列13。
透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a与左眼显示装置12之间，同时与左眼目镜20a和左眼显示装置12中的每一个间隔开。也就是说，透镜阵列13可以位于左眼目镜20a的前方且在左眼显示装置12的后面。此外，透镜阵列13可以设置在右眼目镜20b与右眼显示装置11之间，同时与右眼目镜20b和右眼显示装置11中的每一个间隔开。也就是说，透镜阵列13可以位于右眼目镜20b的前方且在右眼显示装置11的后面。
透镜阵列13可以是微透镜阵列。透镜阵列13可以由针孔阵列代替。由于透镜阵列13，在左眼显示装置12或右眼显示装置11上显示的图像可以被扩展并且被用户感知。
用户的左眼(LE)可以位于左眼目镜20a处，并且用户的右眼(RE)可以位于右眼目镜20b处。
如图10C中所示，根据本公开的增强现实(AR)结构的头戴式显示器(HMD)包括左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射部分14和透射窗口15。为了便于说明，图10C仅示出了左眼结构。右眼结构在结构上与左眼结构相同。
左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射部分14和透射窗口15被容纳在前述容纳壳体10中。
左眼显示装置12可以设置在透射反射部分14的一侧处，例如，设置在透射反射部分14的上侧处，而不覆盖透射窗口15。因此，可以在通过透射窗口15看到的周围背景没有被左眼显示装置12覆盖的条件下向透射反射部分14提供图像。
左眼显示装置12可以由图1至图7中示出的显示装置形成。在这种情况下，图1至图7中的与用于显示图像的表面相对应的上部、例如滤色器160、面对透射反射部分14。
透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a与透射反射部分14之间。
用户的左眼位于左眼目镜20a处。
透射反射部分14设置在透镜阵列13与透射窗口15之间。透射反射部分14可以包括部分地使光中的一些光透射并且还反射剩余光的反射表面14a。反射表面14a被配置成将在左眼显示装置12上显示的图像朝向透镜阵列13引导。因此，用户可以观看在左眼显示装置12上显示的图像以及通过透射窗口15的周围背景。也就是说，用户可以观看通过与周围真实背景叠加的虚拟图像获得的一个图像，从而实现增强现实(AR)。
透射窗口15设置在透射反射部分14的前方。
此外，本公开还可以配置如下：
方案1.一种显示装置，包括：
基板；
第一电极，所述第一电极设置在所述基板之上且在第一子像素和与所述第一子像素相邻布置的第二子像素中的每一个中；
沟槽，所述沟槽设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间；
发光层，所述发光层设置在所述第一电极之上且在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中；
第二电极，所述第二电极设置在所述发光层上且在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中；以及
第三电极，所述第三电极将设置在所述第一子像素中的所述第二电极与设置在所述第二子像素中的所述第二电极电连接，
其中，设置在所述第一子像素中的所述第二电极和设置在所述第二子像素中的所述第二电极彼此间隔开。
方案2.根据方案1所述的显示装置，其中，所述第二电极在所述第一子像素与所述第二子像素之间被所述沟槽切割。
方案3.根据方案1所述的显示装置，其中，所述发光层在所述第一子像素与所述第二子像素之间通过所述沟槽断开。
方案4.根据方案3所述的显示装置，其中，所述发光层包括第一堆叠、第二堆叠以及设置在所述第一堆叠与所述第二堆叠之间的电荷生成层，并且所述电荷生成层在所述第一子像素与所述第二子像素之间通过所述沟槽断开。
方案5.根据方案4所述的显示装置，其中，所述第二电极与所述电荷生成层间隔开。
方案6.根据方案1所述的显示装置，其中，所述第三电极设置在所述第二电极上。
方案7.根据方案1所述的显示装置，其中，所述第三电极接触设置在所述第一子像素中的所述第二电极的部分和设置在所述第二子像素中的所述第二电极的部分。
方案8.根据方案1所述的显示装置，其中，所述第三电极在所述第一子像素与所述第二子像素之间连接。
方案9.根据方案1所述的显示装置，其中，所述第二电极由半透射金属材料制成，并且所述第三电极由透明金属材料制成。
方案10.根据方案1所述的显示装置，还包括设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间的第一绝缘层。
方案11.根据方案10所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层设置于被设置在所述第一子像素中的所述发光层与被设置在所述第二子像素中的所述发光层之间以及被设置在所述第一子像素中的所述第二电极与被设置在所述第二子像素中的所述第二电极之间。
方案12.根据方案10所述的显示装置，其中，所述第三电极设置在所述第二电极上，所述显示装置还包括设置在所述第二电极与所述第三电极之间的第二绝缘层。
方案13.根据方案12所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层由与所述第二绝缘层的有机材料相同的有机材料制成。
方案14.根据方案12所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层被设置成暴露设置在所述第一子像素中的所述第二电极的部分和设置在所述第二子像素中的所述第二电极的部分，并且所述第三电极接触设置在所述第一子像素中的所述第二电极的暴露的部分和设置在所述第二子像素中的所述第二电极的暴露的部分。
方案15.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
在基板的第一子像素和第二子像素中的每一个中形成第一电极；
在所述第一子像素与所述第二子像素之间形成沟槽；
在所述第一电极之上形成发光层；
在所述发光层之上形成第二电极；
在所述第二电极之上形成绝缘层；以及
在所述绝缘层之上形成第三电极，
其中，所述发光层和所述第二电极在所述第一子像素与所述第二子像素之间通过所述沟槽断开。
方案16.根据方案15所述的方法，其中，形成绝缘层的步骤包括：
在所述第一子像素和所述第二子像素上沉积绝缘材料；
对沉积有所述绝缘材料的所述基板进行加热；以及
利用加热的所述绝缘材料的部分填充设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间的空间的至少一部分。
方案17.根据方案16所述的方法，其中，填充所述空间的至少一部分的步骤包括：在加热的所述绝缘材料的部分向所述空间移动时，暴露所述第二电极的一部分。
方案18.根据方案17所述的方法，其中，形成第三电极的步骤包括：形成所述第三电极以使得所述第三电极接触所述第二电极的暴露的部分。
方案19.根据方案15所述的方法，其中，形成第二电极的步骤包括：通过蒸发方法在所述发光层之上沉积所述第二电极。
方案20.根据方案15所述的方法，其中，形成第三电极的步骤包括：通过物理气相沉积方法在所述绝缘层之上沉积所述第三电极。
方案21.根据方案15所述的方法，其中，所述第二电极由半透射金属材料制成，并且所述第三电极由透明金属材料制成。
方案22.一种头戴式显示器，包括：
左眼显示装置；
右眼显示装置；
左眼目镜；
右眼目镜；以及
透镜阵列，所述透镜阵列设置在所述左眼目镜和所述左眼显示装置之间，以及设置在所述右眼目镜和所述右眼显示装置之间，
其中，所述透镜阵列与所述左眼目镜、所述右眼目镜、所述左眼显示装置和所述右眼显示装置中的每一个间隔开，以及
其中，所述左眼显示装置和右眼显示装置中的每一个均包括根据方案1至14中任一项所述的显示装置。
方案23.根据方案22所述的头戴式显示器，其中，所述透镜阵列是微透镜阵列。
对于本领域技术人员来说将明显的是，上述本公开不受上述实施方式和附图的限制，并且在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以在本公开中进行各种替换、修改和变型。因此，本公开的范围由所附权利要求限定，并且旨在从权利要求的含义、范围和等同概念获得的所有变型或修改落入本公开的范围内。
可以对上面描述的各种实施方式进行组合以提供另外的实施方式。如果需要，则可以修改实施方式的各方面以采用各种专利、申请和公开的概念，从而提供其他的实施方式。
可以根据以上详细描述对实施方式进行这些和其他改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限于说明书和权利要求书中公开的具体实施方式，而应被解释为包括所有可能的实施方式以及这样的权利要求享有的等同物的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

Claims (22)

1.一种显示装置，包括：
基板；
第一电极，所述第一电极设置在所述基板之上且在第一子像素和与所述第一子像素相邻布置的第二子像素中的每一个中；
层间介电膜，所述层间介电膜设置在所述基板与所述第一电极之间；
沟槽，所述沟槽设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间，并且设置在所述层间介电膜中；
发光层，所述发光层设置在所述第一电极之上且在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中；
第二电极，所述第二电极设置在所述发光层上且在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中；以及
第三电极，所述第三电极将设置在所述第一子像素中的所述第二电极与设置在所述第二子像素中的所述第二电极电连接，
其中，设置在所述第一子像素中的所述第二电极和设置在所述第二子像素中的所述第二电极彼此间隔开。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二电极在所述第一子像素与所述第二子像素之间被所述沟槽切割。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光层在所述第一子像素与所述第二子像素之间通过所述沟槽断开。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述发光层包括第一堆叠、第二堆叠以及设置在所述第一堆叠与所述第二堆叠之间的电荷生成层，并且所述电荷生成层在所述第一子像素与所述第二子像素之间通过所述沟槽断开。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二电极与所述电荷生成层间隔开。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三电极设置在所述第二电极上。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三电极接触设置在所述第一子像素中的所述第二电极的部分和设置在所述第二子像素中的所述第二电极的部分。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三电极在所述第一子像素与所述第二子像素之间连接。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二电极由半透射金属材料制成，并且所述第三电极由透明金属材料制成。
10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间的第一绝缘层。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层设置于被设置在所述第一子像素中的所述发光层与被设置在所述第二子像素中的所述发光层之间以及被设置在所述第一子像素中的所述第二电极与被设置在所述第二子像素中的所述第二电极之间。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第三电极设置在所述第二电极上，所述显示装置还包括设置在所述第二电极与所述第三电极之间的第二绝缘层。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层由与所述第二绝缘层的有机材料相同的有机材料制成。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层被设置成暴露设置在所述第一子像素中的所述第二电极的部分和设置在所述第二子像素中的所述第二电极的部分，并且所述第三电极接触设置在所述第一子像素中的所述第二电极的暴露的部分和设置在所述第二子像素中的所述第二电极的暴露的部分。
15.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
在基板上形成层间介电膜；
在所述基板的第一子像素和第二子像素中的每一个中形成第一电极；
通过至少部分地去除所述层间介电膜在所述第一子像素与所述第二子像素之间形成沟槽；
在所述第一电极之上形成发光层；
在所述发光层之上形成第二电极；
在所述第二电极之上形成绝缘层；以及
在所述绝缘层之上形成第三电极，
其中，所述发光层和所述第二电极在所述第一子像素与所述第二子像素之间通过所述沟槽断开。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成绝缘层的步骤包括：
在所述第一子像素和所述第二子像素上沉积绝缘材料；
对沉积有所述绝缘材料的所述基板进行加热；以及
利用加热的所述绝缘材料的部分填充设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间的空间的至少一部分。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，填充所述空间的至少一部分的步骤包括：在加热的所述绝缘材料的部分向所述空间移动时，暴露所述第二电极的一部分。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成第三电极的步骤包括：形成所述第三电极以使得所述第三电极接触所述第二电极的暴露的部分。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，形成第二电极的步骤包括：通过蒸发方法在所述发光层之上沉积所述第二电极。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，形成第三电极的步骤包括：通过物理气相沉积方法在所述绝缘层之上沉积所述第三电极。
21.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第二电极由半透射金属材料制成，并且所述第三电极由透明金属材料制成。
22.一种头戴式显示器，包括：
左眼显示装置；
右眼显示装置；
左眼目镜；
右眼目镜；以及
透镜阵列，所述透镜阵列设置在所述左眼目镜和所述左眼显示装置之间，以及设置在所述右眼目镜和所述右眼显示装置之间，
其中，所述透镜阵列与所述左眼目镜、所述右眼目镜、所述左眼显示装置和所述右眼显示装置中的每一个间隔开，以及
其中，所述左眼显示装置和右眼显示装置中的每一个均包括根据权利要求1至14中任一项所述的显示装置。
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