WO2023073473A1

WO2023073473A1 - 表示装置、及び表示装置の作製方法

Info

Publication number: WO2023073473A1
Application number: PCT/IB2022/059800
Authority: WO
Inventors: 柳澤悠一; 方堂涼太; 澤井寛美
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2021-10-27
Filing date: 2022-10-13
Publication date: 2023-05-04
Also published as: KR20240093745A; JPWO2023073473A1; CN118176845A

Abstract

高精細な表示装置およびその作製方法を提供する。表示装置は、第１の絶縁層及び第２の絶縁層と、第１の発光素子及び第２の発光素子と、樹脂層と、を有する。第１の発光素子は、第１の画素電極、第１の有機層、及び共通電極を有し、第２の発光素子は、第２の画素電極、第２の有機層、及び共通電極を有する。第１の絶縁体は溝を有する。溝は、第１の画素電極と重なる領域と、第２の画素電極と重なる領域とを有する。第２の絶縁層は、第１の有機層の上面の一部と接する領域、第１の有機層の側面と接する領域、及び、第１の画素電極の下方において第１の絶縁層と接する領域を有する。樹脂層は、第１の有機層と第２の有機層との間に位置する。共通電極は、樹脂層の上面を覆って設けられている。

Description

表示装置、及び表示装置の作製方法

　本発明の一態様は、表示装置に関する。本発明の一様態は、表示装置の作製方法に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。なお、本明細書等において、半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指すものとする。

　近年、ディスプレイパネルの高精細化が求められている。高精細なディスプレイパネルが要求される機器として、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、または複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器が、近年盛んに開発されている。

　また、ディスプレイパネルに適用可能な表示装置としては、代表的には液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなどが挙げられる。

　例えば、有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、液晶表示装置等で必要であったバックライトが不要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に記載されている。

特開２００２−３２４６７３号公報

　例えば、上述したＶＲ、ＡＲ、ＳＲ、またはＭＲ向けの装着型の機器では、目とディスプレイパネルとの間に焦点調整用のレンズを設ける必要がある。当該レンズにより画面の一部が拡大されるため、ディスプレイパネルの精細度が低いと、現実感及び没入感が薄れてしまうといった問題がある。

　また、ディスプレイパネルには、高い色再現性が求められる。特に上述したＶＲ、ＡＲ、ＳＲ、またはＭＲ向けの機器において、色再現性の高いディスプレイパネルを用いることによって、現実の物体色に近い表示を行うことができ、現実感及び没入感を高めることができる。

　本発明の一態様は、極めて高精細な表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高い色再現性が実現された表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高輝度な表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、製造コストが低い表示装置を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、上述した表示装置を製造する方法を提供することを課題の一とする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

　本発明の一態様は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の、第１の発光素子および第２の発光素子と、第２の絶縁層と、第３の絶縁層と、樹脂層と、を有する表示装置である。第１の発光素子は、第１の画素電極と、第１の有機層と、共通電極と、を有する。第２の発光素子は、第２の画素電極と、第２の有機層と、共通電極と、を有する。第１の発光素子と、第２の発光素子とは、異なる色の光を呈する。第１の絶縁層は溝を有する。溝は、第１の画素電極と重なる領域と、第２の画素電極と重なる領域と、第１の画素電極および第２の画素電極と重ならない領域と、を有する。第２の絶縁層は、第１の有機層の上面の少なくとも一部と接する領域、第１の有機層の側面と接する領域、および、第１の画素電極の下方において第１の絶縁層と接する領域を有する。第３の絶縁層は、第２の有機層の上面の少なくとも一部と接する領域、第２の有機層の側面と接する領域、および、第２の画素電極の下方において第１の絶縁層と接する領域を有する。樹脂層は、第１の有機層と第２の有機層との間に位置する部分において、第１の絶縁層と接する領域を有する。共通電極は、樹脂層の上面を覆って設けられている。

　上記表示装置において、第１の画素電極の端部と第２の画素電極の端部との最短距離は、第１の有機層の膜厚の２倍以上である、ことが好ましい。

　また、上記表示装置において、溝は、断面視において、下に凸の円弧状の形状を有する、ことが好ましい。

　また、上記表示装置において、第２の絶縁層、および第３の絶縁層のそれぞれは、アルミニウムと、酸素と、を有する、ことが好ましい。

　本発明の別の一態様は、第１の画素電極、第１の有機層、および共通電極を含む第１の発光素子と、第２の画素電極、第２の有機層、および共通電極を含む第２の発光素子と、を有し、第１の発光素子と、第２の発光素子とは、異なる色の光を呈する表示装置の作製方法である。第１の絶縁層上に、第１の画素電極および第２の画素電極を形成し、等方性のエッチング法を用いて、第１の絶縁層に、第１の画素電極と重なる領域と、第２の画素電極と重なる領域と、第１の画素電極及び第２の画素電極と重ならない領域と、を有する溝を形成し、第１の画素電極上、及び第１の絶縁層上に、第１の発光性の化合物を含む膜を成膜することで、第１の画素電極上に第１の有機層が形成され、第１の有機層上に、第２の絶縁層を形成し、第２の画素電極上、及び第１の絶縁層上に、第２の発光性の化合物を含む膜を成膜することで、第２の画素電極上に第２の有機層が形成され、第２の有機層上に、第３の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上、第２の絶縁層上、および第３の絶縁層上に、樹脂層を形成し、樹脂層の一部、第２の絶縁層の一部、及び第３の絶縁層の一部を除去することで、樹脂層および第２の絶縁層に、第１の有機層に達する第１の開口部を形成し、かつ、樹脂層および第３の絶縁層に、第２の有機層に達する第２の開口部を形成し、第１の開口部を介して第１の有機層と重畳し、かつ、第２の開口部を介して第２の有機層と重畳するように、共通電極を形成する。

　または、本発明の別の一態様は、第１の画素電極、第１の有機層、および共通電極を含む第１の発光素子と、第２の画素電極、第２の有機層、および共通電極を含む第２の発光素子と、を有し、第１の発光素子と、第２の発光素子とは、異なる色の光を呈する表示装置の作製方法である。第１の絶縁層上に、第１の画素電極および第２の画素電極を形成し、等方性のエッチング法を用いて、第１の絶縁層に、第１の画素電極と重なる領域と、第２の画素電極と重なる領域と、第１の画素電極及び第２の画素電極と重ならない領域と、を有する溝を形成し、溝の一部、および第２の画素電極と重なる部分に、第１のレジストマスクを形成し、第１の画素電極上、第１の絶縁層上、および第１のレジストマスク上に、第１の発光性の化合物を含む膜を成膜することで、第１の画素電極上に第１の有機層が形成され、かつ、第１のレジストマスク上に第１の層が形成され、第１の有機層上に、第２の絶縁層を形成し、第１のレジストマスクと、第１の層と、を除去し、第２の絶縁層上に第２のレジストマスクを形成し、第２の画素電極上、第１の絶縁層上、および第２のレジストマスク上に、第２の発光性の化合物を含む膜を成膜することで、第２の画素電極上に第２の有機層が形成され、かつ、第３のレジストマスク上に第２の層が形成され、第２の有機層上に、第３の絶縁層を形成し、第２のレジストマスクと、第２の層と、を除去し、第１の絶縁層上、第２の絶縁層上、および第３の絶縁層上に、樹脂層を形成し、樹脂層の一部、第２の絶縁層の一部、及び第３の絶縁層の一部を除去することで、樹脂層および第２の絶縁層に、第１の有機層に達する第１の開口部を形成し、かつ、樹脂層および第３の絶縁層に、第２の有機層に達する第２の開口部を形成し、第１の開口部を介して第１の有機層と重畳し、かつ、第２の開口部を介して第２の有機層と重畳するように、共通電極を形成する。

　上記表示装置の作製方法において、第１の絶縁層は、無機材料を有する絶縁層であり、溝の形成には、ウェットエッチング処理を用いる、ことが好ましい。

　また、上記表示装置の作製方法において、第２の絶縁層、および第３の絶縁層は、ＡＬＤ法によって形成される、ことが好ましい。

　本発明の一態様によれば、極めて高精細な表示装置を提供できる。または、高い色再現性が実現された表示装置を提供できる。または、高輝度な表示装置を提供できる。または、信頼性の高い表示装置を提供できる。または、製造コストが低い表示装置を提供できる。または、上述した表示装置を製造する方法を提供できる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

図１Ａ及び図１Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２Ａ及び図２Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図３Ａ及び図３Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図４Ａ及び図４Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図５Ａ乃至図５Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図６Ａ及び図６Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図７Ａ乃至図７Ｄは、表示装置の作製方法例を説明する図である。
図８Ａ乃至図８Ｃは、表示装置の作製方法例を説明する図である。
図９Ａ乃至図９Ｃは、表示装置の作製方法例を説明する図である。
図１０Ａ及び図１０Ｂは、表示装置の作製方法例を説明する図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図１２Ａ及び図１２Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１３Ａ及び図１３Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１４Ａ及び図１４Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１５Ａ乃至図１５Ｇは、画素の一例を示す図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｉは、画素の一例を示す図である。
図１７Ａ及び図１７Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１８は、表示装置の構成例を示す図である。
図１９は、表示装置の構成例を示す図である。
図２０は、表示装置の構成例を示す図である。
図２１は、表示装置の構成例を示す図である。
図２２は、表示装置の構成例を示す図である。
図２３は、表示装置の構成例を示す図である。
図２４は、表示装置の構成例を示す図である。
図２５Ａ乃至図２５Ｆは、発光素子の構成例を示す図である。
図２６Ａ乃至図２６Ｃは、発光素子の構成例を示す図である。
図２７Ａ乃至図２７Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図２８Ａ乃至図２８Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図２９Ａ乃至図２９Ｇは、電子機器の一例を示す図である。

　以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチングパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　なお、本明細書で説明する各図において、各構成要素の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

　なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

　本明細書等において、正孔または電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層または電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層または電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層または電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つまたは３つの機能を兼ねる場合がある。

　本明細書等において、発光素子（発光デバイスともいう）は、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。ここで、ＥＬ層が有する層（機能層ともいう）としては、発光層、キャリア注入層（正孔注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）、及び、キャリアブロック層（正孔ブロック層及び電子ブロック層）などが挙げられる。

　なお、本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面とがなす角（テーパ角ともいう）が９０°未満である領域を有すると好ましい。なお、構造の側面及び基板面は、必ずしも完全に平坦である必要はなく、小さな曲率を有する略平面状、または微細な凹凸を有する略平面状であってもよい。

　なお、本明細書等において、逆テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部と底面がなす当該構造内の角度が９０°より大きい場合を指す。または、逆テーパ形状とは、底部よりも基板に平行な方向にせり出した側部、または上部を有した形状である。

　また、本明細書において、上限と下限の数値が規定されている場合は、上限の数値と下限の数値を自由に組み合わせる構成も開示されているものとする。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置、及び表示装置の作製方法について説明する。

　本発明の一態様の表示装置は、異なる色の光を呈する発光素子（発光デバイスともいう）を備える。発光素子は、下部電極と、上部電極と、これらの間に発光性の化合物を含む層（発光層、またはＥＬ層ともいう）を備える。発光素子としては、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子などの電界発光素子を用いることが好ましい。その他、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いてもよい。

　発光素子としては、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。発光素子が有する発光物質としては、例えば、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）、及び、無機化合物（量子ドット材料等）が挙げられる。また、発光素子として、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。

　発光素子の発光色は、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄、または白などとすることができる。また、発光素子にマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度を高めることができる。

　発光素子の構成及び材料については、実施の形態２を参照することができる。

　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の化合物（ホスト材料、アシスト材料）を有していてもよい。ホスト材料、アシスト材料としては、発光物質（ゲスト材料）のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いることができる。ホスト材料、アシスト材料としては、励起錯体を形成する化合物を組み合わせて用いることが好ましい。効率よく励起錯体を形成するためには、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。

　発光素子には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物（量子ドット材料等）を含んでいてもよい。

　本発明の一態様の表示装置は、極めて高精度に異なる色の発光素子を作り分けることができる。そのため、従来の表示装置よりも高い精細度の表示装置を実現することができる。例えば、一つ以上の発光素子を有する画素が、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で配置される、極めて高精細な表示装置であることが好ましい。

　以下では、表示装置のより具体的な構成例及び作製方法例について、図面を参照して説明する。

［構成例１］
〔構成例１−１〕
　図１Ａおよび図１Ｂは、本発明の一態様の表示装置を説明する図である。図１Ａは、表示装置１００Ａの上面概略図であり、図１Ｂは、表示装置１００Ａの断面概略図である。ここで、図１Ｂは、図１ＡにＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。なお、図１Ａの上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いている。

　表示装置１００Ａは、絶縁層１０５、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂを有する。発光素子１１０Ｒは赤色を呈する発光素子であり、発光素子１１０Ｇは緑色を呈する発光素子であり、発光素子１１０Ｂは青色を呈する発光素子である。別言すると、発光素子１１０Ｒと、発光素子１１０Ｇとは、異なる色の光を呈する。また、発光素子１１０Ｇと、発光素子１１０Ｂとは、異なる色の光を呈する。また、発光素子１１０Ｂと、発光素子１１０Ｒとは、異なる色の光を呈する。

　本明細書等では、発光波長が異なる発光素子で少なくとも発光層を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光素子ごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上及び信頼性の向上を図ることが容易となる。

　発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１Ｒ、有機層１１２Ｒ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１Ｇ、有機層１１２Ｇ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１Ｂ、有機層１１２Ｂ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。共通層１１４及び共通電極１１３は、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂに共通に設けられる。

　有機層１１２Ｒは、少なくとも赤色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。有機層１１２Ｇは、少なくとも緑色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。有機層１１２Ｂは、少なくとも青色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂは、少なくとも発光性の有機化合物を含む層（発光層）を有する。

　画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂは、それぞれ発光素子毎に設けられている。また、共通層１１４及び共通電極１１３は、各発光素子に共通な一続きの層として設けられている。各画素電極と共通電極１１３のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、他方に反射性を有する導電膜を用いる。各画素電極を透光性、共通電極１１３を反射性とすることで、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示装置とすることができ、反対に各画素電極を反射性、共通電極１１３を透光性とすることで、上面射出型（トップエミッション型）の表示装置とすることができる。なお、各画素電極と共通電極１１３の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示装置とすることもできる。

　共通電極１１３上には、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂを覆って、保護層１２１が設けられている。保護層１２１は、上方から各発光素子に水などの不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。

　なお以下では、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂに共通の事項を説明する場合には、符号に付加する記号を省略し、発光素子１１０と表記して説明する場合がある。また、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂも同様に、画素電極１１１と表記して説明する場合がある。また、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂも同様に、有機層１１２と表記して説明する場合がある。

　発光素子１１０が発する光の色の組み合わせは、上記に限定されず、例えば、シアン、マゼンタ、黄などの色も用いてもよい。また、上記では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、および青（Ｂ）の３色の例を示したが、表示装置１００Ａに含まれる発光素子１１０が発する光の色の数は、２色としてもよいし、４色以上としてもよい。

　画素電極１１１は下部電極として機能し、共通電極１１３は上部電極として機能する。共通電極１１３は、可視光に対して透過性及び反射性を有する。有機層１１２は、発光性の化合物を含む。

　発光素子１１０は、画素電極１１１と共通電極１１３の間に電位差を与えることで有機層１１２に流れる電流により発光する機能を有する電界発光素子を用いることができる。特に有機層１１２に発光性の有機化合物を用いた有機ＥＬ素子を適用することが好ましい。また、発光素子１１０は、発光スペクトルが可視光領域に１つのピークを有する単色の光を発する素子であることが好ましい。なお、発光素子１１０は、発光スペクトルが可視光領域に２つ以上のピークを有する白色光を発する素子であってもよい。

　各発光素子１１０に設けられる画素電極１１１には、発光素子１１０の発光の光量を制御する電位が独立に与えられる。

　有機層１１２、及び共通層１１４は、それぞれ独立に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層のうち、一以上を有することができる。例えば、有機層１１２が、画素電極１１１側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層の積層構造を有し、共通層１１４が電子注入層を有する構成とすることができる。

　共通電極１１３は、可視光に対して透過性及び反射性を有するように形成する。例えば、可視光を透過する程度に薄い金属膜、または合金膜を用いることができる。またはこのような膜に透光性を有する導電膜（例えば金属酸化物膜）を積層してもよい。

　絶縁層１０５は溝を有する。図１Ａに示すＡ１−Ａ２方向に隣接する２つの画素電極１１１の間に位置する領域の絶縁層１０５には、１つの溝が設けられている。図１Ａ及び図１Ｂに示すように、絶縁層１０５の、発光素子１１０Ｒと発光素子１１０Ｇとの間に位置する領域に溝１７５＿２が設けられ、絶縁層１０５の、発光素子１１０Ｇと発光素子１１０Ｂとの間に位置する領域に溝１７５＿３が設けられ、絶縁層１０５の、発光素子１１０Ｂと発光素子１１０Ｒとの間に位置する領域に溝１７５＿１が設けられている。

　なお以下では、溝１７５＿１、溝１７５＿２、及び溝１７５＿３に共通の事項を説明する場合には、符号に付加する記号を省略し、溝１７５と表記して説明する場合がある。

　また、図１Ａに示すように、表示装置１００Ａの上面視において、絶縁層１０５に設けられている溝１７５が延在する方向をｘ方向とし、ｘ方向と垂直な方向をｙ方向とする。別言すると、溝１７５は、ｘ方向に延在した直線形状を有する。

　発光素子１１０（画素電極１１１）の配置が図１Ａに示すストライプ配列である場合、隣接する同じ色の発光素子はｘ方向に配列し、隣接する異なる色の発光素子はｙ方向に配列する。ｙ方向は、図１Ａに示すＡ１−Ａ２方向と言い換えることができる。

　溝１７５の一部は、画素電極１１１の下方に位置することが好ましい。別言すると、溝１７５は、画素電極１１１の下方に位置する領域を有することが好ましい。

　例えば、第１の画素電極と第２の画素電極の間に位置する溝１７５において、溝１７５は第１の画素電極と重なる第１の領域と、第２の画素電極と重なる第２の領域と、第１の画素電極および第２の画素電極と重ならない第３の領域と、を有することが好ましい。第３の領域は、第１の領域と第２の領域との間に位置する。また、第１の領域は、第１の画素電極の下方に位置すると言える。また、第２の領域は第２の画素電極の下方に位置すると言える。なお、第１の画素電極を有する発光素子と、第２の画素電極を有する発光素子とは、異なる色の光を呈する。

　例えば、溝１７５は、図１Ｂに示すように、表示装置１００Ａの断面視において、下に凸の円弧状の形状を有することが好ましい。なお、下に凸の円弧状の形状は、凹状の曲面形状とも言える。また、下に凸の円弧状には、下に凸の半円状が含まれる。溝１７５を上記形状にすることで、隣接する異なる色の発光素子間で、有機層１１２が分断される。これにより、隣接する異なる色の発光素子間で、有機層１１２を介して流れる電流（リーク電流ともいう）を防ぐことができる。したがって、当該リーク電流により生じる発光を抑制することができ、コントラストの高い表示を実現できる。さらに、精細度を高めた場合でも、有機層１１２に導電性の高い材料を用いることができるため、材料の選択の幅を広げることができ、効率の向上、消費電力の低減、及び信頼性の向上を図ることが容易となる。

　有機層１１２は、メタルマスクなどのシャドーマスクを用いた成膜により、島状のパターンを形成してもよいが、特にメタルマスクを用いない加工方法を用いることが好ましい。これにより、極めて微細なパターンを形成することが可能となるため、メタルマスクを用いた形成法と比較して、精細度、及び開口率を向上させることができる。このような加工方法としては、代表的には、フォトリソグラフィ法を用いることができる。そのほか、ナノインプリント法、サンドブラスト法などの形成法を用いることもできる。

　本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

　図２Ａは、表示装置１００Ａの、溝１７５及びその近傍の断面概略図である。なお、図２Ａでは、図の明瞭化のために一部の要素（有機層１１２、および共通電極１１３など）を省いている。

　図２Ａに示す幅Ｗ１は、Ａ１−Ａ２方向における、画素電極１１１と重ならない領域の溝１７５の幅である。なお、図２Ａに示す表示装置１００Ａにおいては、幅Ｗ１は、互いに向かい合う、画素電極１１１の端部の最短距離と言い換えることができる。また、図２Ａに示す幅Ｗ２は、Ａ１−Ａ２方向における、画素電極１１１と重なる領域の溝１７５の幅である。

　幅Ｗ１は、有機層１１２の膜厚の２倍以上であることが好ましい。例えば有機層１１２の膜厚が１００ｎｍである場合、幅Ｗ１は、２００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以上９００ｎｍ以下とする。これにより、溝１７５によって有機層１１２に段切れが発生し、画素電極１１１上に有機層１１２を形成することができる。このとき、図１Ｂに示すように、有機層１１２は、画素電極１１１の側面および上面を覆うように配置される。なお、本明細書等において、層が構造体を覆うとは、当該層が当該構造体の端面の一部を覆っている状態、または、当該層が当該構造体の端面を包むように完全に覆っている状態を指す。ここで、層は、絶縁層、絶縁膜、または導電層などである。また、構造体は、導電層、有機層、積層体、または発光素子などである。

　なお、幅Ｗ１は、溝１７５を形成する場合の加工精度、有機層１１２の成膜条件等に合わせて適宜調整するとよい。有機層１１２を例えば真空蒸着法を用いて成膜する場合、幅Ｗ１が有機層１１２の膜厚の２倍より小さくても、有機層１１２に段切れが生じる場合がある。例えば有機層１１２の膜厚が１００ｎｍである場合、幅Ｗ１は、１００ｎｍ以上、かつ、１２００ｎｍ以下、１０００ｎｍ以下、又は９００ｎｍ以下であってもよい。

　また、幅Ｗ２は、有機層１１２に段切れが発生する幅であればよい。幅Ｗ２は、２ｎｍ以上、５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、または２０ｎｍ以上であって、５００ｎｍ以下、３００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、または１００ｎｍ以下であることが好ましい。

　以上より、一つ以上の発光素子を有する画素が、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で配置される、極めて高精細な表示装置を実現できる。

　表示装置１００Ａにおいて、有機層１１２は、同じ色を呈する発光素子間では分断されずに連続するように、形成されることが好ましい。例えば、有機層１１２を、ストライプ状に形成するとよい。また、共通電極１１３は、同じ色を呈する発光素子間では分断されずに連続するように形成されることが好ましく、発光素子間では分断されずに連続するように形成されることが好ましい。これにより、全ての発光素子の共通電極１１３がフローティング状態となることなく、所定の電位を与えることができる。

　図１Ｂの断面視において、有機層１１２の端部は、画素電極１１１の端部よりも外側に位置する。有機層１１２の端部は、画素電極１１１の端部を覆う。有機層１１２の端部が画素電極１１１の端部より外側に位置することにより、画素電極１１１と共通電極１１３のショートを抑制できる。

　表示装置１００Ａは、有機層１１２Ｒ上の絶縁層１１８ａと、有機層１１２Ｇ上の絶縁層１１８ｂと、有機層１１２Ｂ上の絶縁層１１８ｃと、樹脂層１２６と、を有する。

　なお以下では、絶縁層１１８ａ、絶縁層１１８ｂ、及び絶縁層１１８ｃに共通の事項を説明する場合には、符号に付加する記号を省略し、絶縁層１１８と表記して説明する場合がある。

　絶縁層１１８は、有機層１１２の上面の少なくとも一部を覆うように設けられている。また、絶縁層１１８は、有機層１１２に近接する溝の少なくとも一部と重なるように設けられている。図１Ｂに示すように、有機層１１２Ｒ上の絶縁層１１８ａは、溝１７５＿１の少なくとも一部、および溝１７５＿２の少なくとも一部と重なるように設けられ、有機層１１２Ｇ上の絶縁層１１８ｂは、溝１７５＿２の少なくとも一部、および溝１７５＿３の少なくとも一部と重なるように設けられ、有機層１１２Ｂ上の絶縁層１１８ｃは、溝１７５＿３の少なくとも一部、および溝１７５＿１の少なくとも一部と重なるように設けられている。

　また、絶縁層１１８は、Ａ１−Ａ２方向の断面視において、有機層１１２の上面の少なくとも一部と接する領域、および有機層１１２の側面と接する領域を有する。また、絶縁層１１８は、発光素子１１０（具体的には画素電極１１１）の下方において、絶縁層１０５と接する領域を有する。

　絶縁層１１８は、有機層１１２に達する開口部を有する。当該開口部において、有機層１１２は、共通層１１４と接する。また、共通電極１１３は、当該開口部を介して、有機層１１２と重畳する領域を有する。

　絶縁層１１８は、樹脂層１２６と有機層１１２との間に位置する領域を有し、樹脂層１２６が有機層１１２に接することを防ぐための保護膜として機能する。有機層１１２と樹脂層１２６とが接すると、樹脂層１２６の形成時に用いられる有機溶媒などにより有機層１１２が溶解する可能性がある。そのため、本実施の形態に示すように、有機層１１２と樹脂層１２６との間に絶縁層１１８を設ける構成とすることで、有機層１１２の側面を保護することが可能となる。

　絶縁層１１８としては、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１１８には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１１８は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜、及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、及び酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、及び窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化金属膜、または酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を絶縁層１１８に適用することで、ピンホールが少なく、有機層１１２を保護する機能に優れた絶縁層１１８を形成することができる。

　なお、本明細書などにおいて、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　また、絶縁層１１８は、有機層１１２に水などの不純物が拡散することを防ぐ保護層として機能してもよい。絶縁層１１８には酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化アルミニウム膜などの、透湿性の低い無機絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層１１８に酸化アルミニウムを用いる場合、絶縁層１１８は、アルミニウムと、酸素と、を有する。

　絶縁層１１８の形成は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、または原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用いることができる。絶縁層１１８は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

　絶縁層１１８の膜厚は、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、又は１０ｎｍ以上、且つ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、又は５０ｎｍ以下であることが好ましい。

　隣接する異なる色の発光素子間において、互いの有機層１１２の側面が、樹脂層１２６を挟んで対向して設けられている。樹脂層１２６は、隣接する異なる色の発光素子の間に位置し、それぞれの有機層１１２の端部、及び２つの有機層１１２の間の領域を埋めるように設けられている。樹脂層１２６は、滑らかな凸状の上面形状を有しており、樹脂層１２６の上面を覆って、共通層１１４及び共通電極１１３が設けられている。

　隣接する異なる色の発光素子間において、樹脂層１２６は絶縁層１０５と接する領域を有する。例えば、樹脂層１２６は、有機層１１２Ｒと有機層１１２Ｇとの間に位置する部分において、絶縁層１０５と接する領域を有する。また、樹脂層１２６は、有機層１１２Ｇと有機層１１２Ｂとの間に位置する部分において、絶縁層１０５と接する領域を有する。また、樹脂層１２６は、有機層１１２Ｂと有機層１１２Ｒとの間に位置する部分において、絶縁層１０５と接する領域を有する。

　樹脂層１２６は、隣接する異なる色の発光素子間に位置する段差を埋める平坦化膜として機能する。樹脂層１２６を設けることにより、共通電極１１３が有機層１１２の端部の段差により分断されてしまう現象（段切れともいう）が生じ、有機層１１２上の共通電極１１３が絶縁してしまうことを防ぐことができる。樹脂層１２６は、ＬＦＰ（Ｌｏｃａｌ　Ｆｉｌｌｉｎｇ　Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）ともいうことができる。

　樹脂層１２６としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、樹脂層１２６として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、樹脂層１２６として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。

　また、樹脂層１２６として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

　樹脂層１２６は、可視光を吸収する材料を含んでいてもよい。例えば、樹脂層１２６自体が可視光を吸収する材料により構成されていてもよいし、樹脂層１２６が、可視光を吸収する顔料を含んでいてもよい。樹脂層１２６としては、例えば、赤色、青色、または緑色の光を透過し、他の光を吸収するカラーフィルタとして用いることのできる樹脂、またはカーボンブラックを顔料として含み、ブラックマトリクスとして機能する樹脂などを用いることができる。

　共通電極１１３を覆って保護層１２１が設けられている。

　保護層１２１としては、例えば、無機絶縁膜を含む単層構造または積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化物膜、酸化窒化膜、窒化酸化膜、又は窒化物膜が挙げられる。または、保護層１２１としてインジウムガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの半導体材料または導電性材料を用いてもよい。

　保護層１２１としては、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、保護層１２１の上面が平坦となるため、保護層１２１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、またはレンズアレイなど）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。

　図２Ｂは、溝１７５のｘ方向の端部及びその近傍の上面概略図である。なお、図２Ｂの上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いている。

　図２Ｂに示すように、溝１７５は、ｘ方向において、有機層１１２の端部よりも外側の領域に延在していることが好ましい。図２Ｂでは、溝１７５の端部から、有機層１１２の端部までの距離を、距離Ｌ５として示している。このような構成にすることで、ｙ方向に隣接するＥＬ層を分離することができる。

　図２Ｂには図示していないが、共通電極１１３は、ｘ方向において、溝１７５の端部よりも外側の領域に延在していることが好ましい。別言すると、ｘ方向において、溝１７５の端部は、共通電極１１３の端部よりも内側の領域に位置していることが好ましい。

　このような構成とすることで、異なる色の発光素子毎に、発光素子１１０が有するＥＬ層を作り分けて、色再現性が高く、低消費電力のカラー表示を行うことができる。また、発光素子１１０が有するＥＬ層の膜厚を発光スペクトルのピーク波長に合わせて調整することで、マイクロキャビティ構造（微小共振器構造）を付与し、高輝度な表示装置を実現できる。また、発光素子１１０を極めて高密度に配置することが可能となる。例えば、精細度が２０００ｐｐｉを超える表示装置を実現できる。

　マイクロキャビティ構造を実現するために、発光素子１１０が有するＥＬ層の膜厚を発光スペクトルのピーク波長に合わせて調整することがある。例えば、最も波長の長い光を発する発光素子１１０Ｒが有する有機層１１２Ｒの膜厚が最も厚く、最も波長の短い光を発する発光素子１１０Ｂが有する有機層１１２Ｂの膜厚が最も薄い。なお、これに限られず、各発光素子が発する光の波長、発光素子を構成する層の光学特性、及び発光素子の電気特性などを考慮して、各有機層の厚さを調整することができる。

　上記において、幅Ｗ１は、最も薄い有機層１１２の膜厚の２倍よりも大きいことが好ましく、最も厚い有機層１１２の膜厚の２倍よりも大きいことがより好ましい。これにより、溝１７５によって有機層１１２に段切れが発生し、画素電極１１１上に有機層１１２を形成することができる。さらに、マイクロキャビティ構造を実現できる。

　表示装置１００Ａは、半導体回路を備える基板１０１上に、上述の絶縁層１０５、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂを備える。また、表示装置１００Ａは、プラグ１３１を有する。

　基板１０１は、トランジスタまたは配線などを有する回路基板を用いることができる。なお、パッシブマトリクス方式またはセグメント方式が適用できる場合には、基板１０１としてガラス基板などの絶縁性基板を用いることができる。また、基板１０１は、各発光素子を駆動するための回路（画素回路ともいう）、または当該画素回路を駆動するための駆動回路として機能する半導体回路が設けられた基板である。基板１０１のより具体的な構成例については後述する。

　基板１０１と、発光素子１１０の画素電極１１１とは、プラグ１３１を介して電気的に接続されている。プラグ１３１は、絶縁層１０５に設けられた開口内に埋め込まれるように形成されている。また、画素電極１１１は、プラグ１３１の上面に接して設けられている。

　図１Ａでは、異なる色の発光素子間に溝が設けられている構成を示しているが、本発明はこれに限られない。例えば、異なる色の発光素子間および同じ色の発光素子間に溝が設けられてもよい。

　図３Ａは、表示装置１００Ｂの上面概略図である。図３Ａに示す表示装置１００Ｂは、図１Ａに示す表示装置１００Ａとは、溝の形状が異なる。

　図３Ａに示すように、異なる色の発光素子間に加えて、同じ色の発光素子間にも溝が設けられてもよい。別言すると、ｙ方向に隣接する発光素子間に加えて、ｘ方向に隣接する発光素子間にも溝が形成されてもよい。例えば、図３Ａに示すように、溝１７５の一部は画素電極１１１の全ての端部の下方に位置してもよい。別言すると、溝１７５は、ｙ方向の断面視において、画素電極１１１の下方に位置する領域を有し、かつ、ｘ方向の断面視において、画素電極１１１の下方に位置する領域を有するとよい。このような構成にすることで、画素電極１１１に対する溝１７５の位置合わせのマージンを考慮せずに溝１７５を形成することができる。また、隣接する異なる色の発光素子間のリーク電流、および隣接する同じ色の発光素子間のリーク電流を防ぐことができる。

　発光素子１１０（画素電極１１１）の配置はストライプ配列が好ましいが、ストライプ配列以外の配列であってもよい。例えば、発光素子１１０（画素電極１１１）の配置としては、デルタ配列、およびモザイク配列などが挙げられる。

　図３Ｂは、表示装置１００Ｃの上面概略図である。図３Ｂは、画素電極１１１（発光素子１１０）の配列がデルタ配列である点が、図３Ａに示す表示装置１００Ｂとは異なる。例えば、図３Ｂに示す溝１７５を設けることで、有機層１１２を分離することができる。

　溝１７５の形状は、溝１７５の一部が画素電極１１１の下方に位置するのであれば、特に限定されない。例えば、溝１７５は、表示装置の断面視において、下に凸の円弧状の形状（図１Ｂ参照）を有してもよいし、底面が平坦、かつ、側壁が下に凸の円弧状の形状を有してもよい。または、十字状の形状、Ｔ字状の形状、または逆Ｔ字状の形状を有してもよい。

　なお、有機層が分断されるのであれば、溝１７５の形状は上記に限られない。例えば、溝１７５が画素電極１１１の下方に位置する領域を有しなくてもよい場合がある。例えば、溝１７５は、表示装置の断面視において、十字状の形状、Ｔ字状の形状、または逆Ｔ字状の形状を有してもよい。

　また、絶縁層１０５の構成は、溝１７５の形状によって、単層、または２層以上の積層構造を適宜選択するとよい。また、絶縁層１０５は、無機材料を有する絶縁層とすることができる。なお、絶縁層１０５は、有機材料を有する絶縁層としてもよい。

　以下では、図１Ｂに示す形状と異なる形状の溝１７５について説明する。

〔構成例１−２〕
　図４Ａは、表示装置１００Ｄの断面概略図である。

　表示装置１００Ｄは、表示装置１００Ａとは溝１７５の形状が異なる。具体的には、表示装置１００Ｄが有する溝１７５は、表示装置１００Ｄの断面視において、底面が平坦、かつ、側壁が下に凸の円弧状の形状を有する。

　図４Ｂは、表示装置１００Ｄの、溝１７５及びその近傍の断面概略図である。なお、図４Ｂでは、図の明瞭化のために一部の要素（絶縁層１１８、および有機層１１２など）を省いている。

　図４Ｂに示す幅Ｗ１は、Ａ１−Ａ２方向における、画素電極１１１と重ならない領域の溝１７５の幅である。なお、図４Ｂに示す表示装置１００Ｄにおいては、幅Ｗ１は、互いに向かい合う、画素電極１１１の端部の最短距離と言い換えることができる。また、図４Ｂに示す幅Ｗ２は、Ａ１−Ａ２方向における、画素電極１１１と重なる領域の溝１７５の幅である。

　絶縁層１０５は、絶縁層１０５ａと、絶縁層１０５ａ上の絶縁層１０５ｂとを有する。つまり、絶縁層１０５は、２層の積層構造を有する。絶縁層１０５ａは、絶縁層１０５ｂをエッチングして溝１７５を形成する際のエッチングストッパ膜として機能する絶縁体を選択することが好ましい。例えば、絶縁層１０５ｂとして酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを用いる場合、絶縁層１０５ａは窒化シリコン、酸化アルミニウム、または酸化ハフニウムなどを用いるとよい。

　溝１７５を上記形状にすることで、メタルマスクなどのシャドーマスクを用いることなく、隣接する異なる色の発光素子間において、有機層１１２を分断することができる。これにより、隣接する異なる色の発光素子間のリーク電流を防ぐことができる。したがって、上述のとおり、コントラストの高い表示を実現できる。さらに、効率の向上、消費電力の低減、及び信頼性の向上を図ることが容易となる。

　また、絶縁層１０５を上記構成にすることで、図４Ｂに示す幅Ｗ１が大きくても、溝１７５の深さが大きくなりすぎるのを防ぐことができる。よって、溝１７５の形状（例えば、幅および深さ）の自由度を高くすることができる。なお、図４Ｂに示す幅Ｗ１の好ましい範囲は、図２Ｂに示す幅Ｗ１の説明を参照できる。また、図４Ｂに示す幅Ｗ２の好ましい範囲は、図２Ａに示す幅Ｗ２の説明を参照できる。

　また、溝１７５の深さは有機層１１２の膜厚より大きいことが好ましい。このような構成にすることで、有機層１１２に段切れを発生させることができる。なお、図４Ａに示す構成において、溝１７５の深さは、絶縁層１０５ｂの膜厚に相当する。

　なお、表示装置１００Ｄでは、絶縁層１０５が、絶縁層１０５ａおよび絶縁層１０５ｂの２層を積層する構成について示しているが、本発明はこれに限られない。例えば、絶縁層１０５は３層以上の積層構造を有していてもよいし、絶縁層１０５ａおよび絶縁層１０５ｂの一方又は双方が積層構造を有してもよい。

〔構成例１−３〕
　図５Ａ及び図５Ｂはそれぞれ、表示装置１００Ｅ及び表示装置１００Ｆの断面概略図である。表示装置１００Ｅ及び表示装置１００Ｆは、表示装置１００Ａとは溝１７５の形状が異なる。

　図５Ａに示すように、表示装置１００Ｅが有する溝１７５は、表示装置１００Ｅの断面視において、逆Ｔ字の形状を有する。また、図５Ｂに示すように、表示装置１００Ｆが有する溝１７５は、表示装置１００Ｆの断面視において、十字形状を有する。

　図５Ｃは、表示装置１００Ｅの、溝１７５及びその近傍の断面概略図である。なお、図５Ｃでは、図の明瞭化のために一部の要素（絶縁層１１８、および有機層１１２など）を省いている。

　溝１７５は、表示装置の断面視において、第１の幅を有する領域と、第２の幅を有する領域と、を有する。ここで、第１の幅は、図５Ｃに示す幅Ｗ３であり、第２の幅は、図５Ｃに示す幅Ｗ４である。また、図５Ｃに示すように、幅Ｗ４と幅Ｗ３との差の値の半分を幅Ｗ５とし、互いに向かい合う画素電極１１１の端部の最短距離を距離Ｗ６とする。

　第１の幅は距離Ｗ６よりも小さく、かつ、第２の幅は第１の幅よりも大きいことが好ましい。別言すると、幅Ｗ３は距離Ｗ６よりも小さく、かつ、幅Ｗ４は幅Ｗ３よりも大きいことが好ましい。これにより、有機層１１２に段切れを発生させることができる。

　なお、溝１７５の形状が、図５Ａに示す逆Ｔ字の形状、または図５Ｂに示す十字形状を有する場合、幅Ｗ４と距離Ｗ６の大小関係は特に限定されない。幅Ｗ４は、距離Ｗ６より小さくてもよいし、距離Ｗ６と同じであってもよいし、距離Ｗ６より大きくてもよい。例えば、幅Ｗ４が距離Ｗ６よりも小さい場合、溝１７５は、画素電極１１１の下方に位置しない。

　図５Ａ及び図５Ｂに示すように、絶縁層１０５は、絶縁層１０５ａ、絶縁層１０５ｂ、及び絶縁層１０５ｃの積層構造とすることが好ましい。さらに、絶縁層１０５ａおよび絶縁層１０５ｃに用いる材料と、絶縁層１０５ｂに用いる材料とは、エッチングレートが異なることが好ましい。このような構成にすることで、図５Ａ及び図５Ｂに示す形状を有する溝１７５を形成することができる。

　幅Ｗ５は、図２Ｂに示す幅Ｗ２に相当する。よって、幅Ｗ５の好ましい範囲は、図２Ａに示す幅Ｗ２の説明を参照できる。

　表示装置１００Ｅにおいては、絶縁層１０５ｂの膜厚は有機層１１２の膜厚より大きいことが好ましい。また、表示装置１００Ｆにおいては、絶縁層１０５ｂの膜厚と、絶縁層１０５ａに設けられた溝の深さの和は有機層１１２の膜厚より大きいことが好ましい。当該構成にすることで、有機層１１２に段切れを発生させることができる。

　図５Ａでは、絶縁層１０５ｂの膜厚が絶縁層１０５ｃの膜厚よりも大きい構成について示しているが、有機層１１２に段切れが発生する構成であれば、絶縁層１０５ｂの膜厚と絶縁層１０５ｃの膜厚の大小関係は特に限定されない。絶縁層１０５ｂの膜厚は絶縁層１０５ｃの膜厚と同じであってもよいし、絶縁層１０５ｂの膜厚は絶縁層１０５ｃの膜厚よりも小さくてもよい。同様に、絶縁層１０５ａの膜厚と絶縁層１０５ｃの膜厚の大小関係は特に限定されない。同様に、絶縁層１０５ａの膜厚と絶縁層１０５ｂの膜厚の大小関係は特に限定されない。

　また、図５Ａおよび図５Ｂでは、絶縁層１０５が、絶縁層１０５ａ、絶縁層１０５ｂ、及び絶縁層１０５ｃの３層を積層する構成について示しているが、絶縁層１０５の構成はこれに限られない。例えば、絶縁層１０５は２層または４層以上の積層構造を有してもよいし、絶縁層１０５ａ、絶縁層１０５ｂ、および絶縁層１０５ｃのいずれか一つまたは複数が積層構造を有してもよい。

［構成要素について］
〔発光素子〕
　発光素子１１０に用いることのできる発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、ＬＥＤ、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。特に、有機ＥＬ素子を用いることが好ましい。

　発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型などがある。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いる。

　本発明の一態様では、特に被形成面側とは反対側に光を射出する、トップエミッション型またはデュアルエミッション型の発光素子を好適に用いることができる。

　有機層１１２は少なくとも発光層を有する。有機層１１２は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、電子ブロック材料、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

　有機層１１２には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。有機層１１２を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　陰極と陽極の間に、発光素子１１０の閾値電圧より高い電圧を印加すると、有機層１１２に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔は有機層１１２において再結合し、有機層１１２に含まれる発光物質が発光する。

　発光素子１１０として、白色発光の発光素子を適用する場合には、有機層１１２に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２つ以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域の波長（例えば３５０ｎｍ乃至７５０ｎｍ）の範囲内に２つ以上のピークを有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。

　有機層１１２は、一つの色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、有機層１１２における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層または燐光発光層と同一の材料（例えばホスト材料、アシスト材料）を含み、且ついずれの発光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。

　また、発光素子１１０は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。

　シングル構造のデバイスは、一対の電極間に１つの発光ユニットを有し、当該発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。２の発光層を用いて白色発光を得る場合、２の発光層の各々の発光色が補色の関係となるような発光層を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する構成を得ることができる。また、３以上の発光層を用いて白色発光を得る場合、３以上の発光層のそれぞれの発光色が合わさることで、発光素子全体として白色発光することができる構成とすればよい。

　タンデム構造のデバイスは、一対の電極間に２以上の複数の発光ユニットを有し、各発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、複数の発光ユニットの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成とすればよい。なお、白色発光が得られる構成については、シングル構造の構成と同様である。なお、タンデム構造のデバイスにおいて、複数の発光ユニットの間には、電荷発生層などの中間層を設けると好適である。

　図１Ｂに示す表示装置１００Ａに、タンデム構造（発光ユニットを複数有する構造）の発光素子を適用する例を図６Ａに示す。また、図６Ｂに有機層１１２の拡大図を示す。各発光ユニットは、少なくとも１層の発光層を有する。また、各発光ユニットは、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。各発光ユニットの間には、電荷発生層（中間層ともいう）を設けることが好ましい。

　例えば、有機層１１２Ｒは、赤色の光を発する発光ユニットを複数有する構造であり、有機層１１２Ｇは、緑色の光を発する発光ユニットを複数有する構造であり、有機層１１２Ｂは、青色の光を発する発光ユニットを複数有する構造である。

　有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂはそれぞれ、例えば、第１の発光ユニット１３５、第１の発光ユニット１３５上の電荷発生層１３６、及び、電荷発生層１３６上の第２の発光ユニット１３７を有する。電荷発生層１３６は、少なくとも電荷発生領域を有する。

　第１の発光ユニット１３５は、キャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、キャリア輸送層上の発光層と、を有することが好ましい。また、第１の発光ユニット１３５は、キャリアブロック層（正孔ブロック層または電子ブロック層）と、キャリアブロック層上の発光層と、を有することが好ましい。また、第１の発光ユニット１３５は、キャリア輸送層と、キャリア輸送層上のキャリアブロック層と、キャリアブロック層上の発光層と、を有することが好ましい。

　第２の発光ユニット１３７は、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。また、第２の発光ユニット１３７は、発光層と、発光層上のキャリアブロック層（正孔ブロック層または電子ブロック層）と、を有することが好ましい。また、第２の発光ユニット１３７は、発光層と、発光層上のキャリアブロック層と、キャリアブロック層上のキャリア輸送層と、を有することが好ましい。第２の発光ユニット１３７の表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方または双方を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光素子の信頼性を高めることができる。なお、発光ユニットを３つ以上有する場合は、最も上層に設けられる発光ユニットにおいて、発光層と、発光層上のキャリア輸送層及びキャリアブロック層の一方または双方と、を有することが好ましい。

　共通層１１４は、例えば電子注入層、または正孔注入層を有する。または、共通層１１４は、電子輸送層と電子注入層とを積層して有していてもよく、正孔輸送層と正孔注入層とを積層して有していてもよい。共通層１１４は、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂで共有されている。

　また、上述の白色発光素子（シングル構造またはタンデム構造）と、ＳＢＳ構造の発光素子と、を比較した場合、ＳＢＳ構造の発光素子は、白色発光素子よりも消費電力を低くすることができる。消費電力を低く抑えたい場合は、ＳＢＳ構造の発光素子を用いると好適である。一方で、白色発光素子は、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光素子よりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、又は製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。

　画素電極１１１等に用いることのできる、可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、またはこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。

　画素電極１１１は、有機層１１２側に位置する部分に、上記可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。当該導電膜として例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。銀は可視光の反射率が高く、好ましい。また、アルミニウムは電極のエッチングが容易であるため加工しやすく、かつ、可視光および近赤外光の反射率が高く、好ましい。また、上記金属材料または合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニッケル、またはネオジムと、アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）を用いてもよい。また銅、パラジウム、マグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。

　また画素電極１１１を、可視光を反射する導電膜上に導電性金属酸化物膜を積層する構成としてもよい。このような構成とすることで、可視光を反射する導電膜の酸化または腐食などを抑制できる。例えば、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜に接して金属膜または金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このような金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンまたは酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とインジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いることができる。

　画素電極１１１としてアルミニウムを用いる場合には、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは７０ｎｍ以上の厚さとすることにより、可視光などの反射率を充分に高くすることができる。また、画素電極１１１として銀を用いる場合には、好ましくは７０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上とすることにより、可視光などの反射率を充分に高くすることができる。

　共通電極１１３に用いることのできる、透光性及び反射性を有する導電膜としては、上記可視光を反射する導電膜を、可視光が透過する程度に薄く形成した膜を用いることができる。また、当該導電膜と上記可視光を透過する導電膜との積層構造とすることで、導電性または機械的な強度などを高めることができる。

　透光性及び反射性を有する導電膜は、可視光に対する反射率（例えば４００ｎｍ乃至７００ｎｍの範囲内の所定の波長の光に対する反射率）が、２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下とすることが好ましい。また、反射性を有する導電膜の可視光に対する反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とすることが好ましい。また、透光性を有する導電膜の可視光に対する反射率は、０％以上４０％以下、好ましくは０％以上３０％以下とすることが好ましい。

　下部電極として機能する画素電極１１１としては、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、またはこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いることができる。これらはプラグ１３１の導電膜としても、好適に用いることができる。

　発光素子を構成する電極は、それぞれ、蒸着法またはスパッタリング法などを用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて形成することができる。

　なお、上述した、発光層、ならびに正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、及び電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それぞれ量子ドットなどの無機化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。

　なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また、第１２族と第１６族、第１３族と第１５族、または第１４族と第１６族の元素グループを含む材料を用いてもよい。または、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。

　各発光素子は、その可視光を反射する反射層の表面と、可視光に対して透過性及び反射性を有する共通電極１１３との間の光学距離が、その強度を強めたい光の波長λに対して、ｍ×λ／２（ｍは１以上の整数）、またはその近傍となるように調整されていることが好ましい。

　なお、上述した光学距離は、厳密には反射層の反射面と透光性及び反射性を有する共通電極１１３の反射面との間の物理的な距離と、これらの間に設けられる層の屈折率との積が関係するため、厳密に調整することは困難である。そのため、反射層の表面、及び透光性及び反射性を有する共通電極１１３の表面を、それぞれ反射面と仮定して、光学距離を調整することが好ましい。

　プラグ１３１に用いることができる材料として、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、金、銀、白金、マグネシウム、鉄、コバルト、パラジウム、タンタル、またはタングステンなどの金属、これら金属材料を含む合金、またはこれら金属材料の窒化物などが挙げられる。また、プラグ１３１として、これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

［作製方法例］
　本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。

　なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、及び熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

　また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、又はナイフコート等の湿式の成膜方法により形成することができる。

　また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

　フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

　薄膜の加工には、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。また、レジストマスクの除去は、アッシングなどのドライエッチング処理、ウェットエッチング処理、ドライエッチング処理後のウェットエッチング処理、またはウェットエッチング処理後のドライエッチング処理で行うことができる。

　薄膜の平坦化処理としては、代表的には化学的機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）法等の研磨処理法を好適に用いることができる。その他、ドライエッチング処理、プラズマ処理を用いてもよい。なお、研磨処理、ドライエッチング処理、プラズマ処理は複数回行ってもよく、それらを組み合わせて行ってもよい。また、組み合わせて行う場合、工程順も特に限定されず、被処理面の凹凸状態に合わせて適宜設定すればよい。

　薄膜の厚みを所望の厚さになるように精度よく加工するには、例えば、ＣＭＰ法を用いる。その場合、まず当該薄膜の上面の一部が露出するまで一定の加工速度で研磨する。その後、これよりも加工速度の遅い条件で当該薄膜が所望の厚さになるまで研磨を行うことで、高精度に加工することが可能となる。

　研磨の終了点を検出する方法としては、被処理面の表面に光を照射し、その反射光の変化を検出する光学的な方法、または加工装置が被処理面から受ける研磨抵抗の変化を検出する物理的な方法、被処理面に磁力線を当て、発生する渦電流による磁力線の変化を用いる方法などがある。

　当該薄膜の上面が露出した後、レーザ干渉計などを用いた光学的な方法により当該薄膜の厚さを監視しながら、遅い加工速度の条件で研磨処理を行なうことで、当該薄膜の厚さを高精度に制御することができる。なお、必要に応じて、当該薄膜が所望の厚さになるまで研磨処理を複数回行ってもよい。

〔作製方法例〕
　以下では、本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、上記構成例で例示した、表示装置１００Ａを例に挙げて、説明する。

｛基板１０１の準備｝
　基板１０１としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板１０１として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミックス基板などが挙げられる。また、シリコンまたは炭化シリコンなどを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などの半導体基板を用いることができる。

　特に、基板１０１として、上記半導体基板または上記絶縁性基板上に、トランジスタなどの半導体素子を含む半導体回路が形成された基板を用いることが好ましい。当該半導体回路は、例えば画素回路、ゲート線駆動回路（ゲートドライバ）、ソース線駆動回路（ソースドライバ）などを構成していることが好ましい。また、上記に加えて演算回路、記憶回路などが構成されていてもよい。

　本実施の形態では、少なくとも画素回路が構成された基板を、基板１０１として用いる。

｛絶縁層１０５、プラグ１３１、画素電極１１１の形成｝
　基板１０１上に絶縁層１０５を形成する。続いて、絶縁層１０５の、プラグ１３１を形成する位置に基板１０１に達する開口を形成する。当該開口は、基板１０１に設けられた電極または配線に達する開口であることが好ましい。続いて、当該開口を埋めるように導電膜を成膜した後に、絶縁層１０５の上面が露出するように平坦化処理を行う。これにより、絶縁層１０５に埋め込まれたプラグ１３１を形成することができる。

　絶縁層１０５、及びプラグ１３１上に導電膜を成膜し、プラグ１３１に重なる部分を残し、不要な部分を除去することで、プラグ１３１と電気的に接続する画素電極１１１を形成する（図７Ａ参照）。当該導電膜の不要な部分の除去には、例えば、エッチング法を用いるとよい。

｛溝１７５の形成｝
　続いて、絶縁層１０５に溝１７５を形成する（図７Ａ参照）。溝１７５の形成には、等方性のエッチング法を用いることができる。例えば、ウェットエッチング処理、または等方性のプラズマエッチング処理を用いることができる。特に、絶縁層１０５として無機材料を有する絶縁層を用いる場合、ウェットエッチング処理を用いることが好ましい。また、絶縁層１０５として有機材料を有する絶縁層を用いる場合、等方性のドライエッチング処理を用いることが好ましい。これにより、一部が画素電極１１１の下方に位置する溝１７５を形成することができる。

　なお、溝１７５は、異なる色の発光素子間に１つ設けられる。図７Ａに示すように、画素電極１１１Ｒと画素電極１１１Ｇとの間に溝１７５＿２が設けられ、画素電極１１１Ｇと画素電極１１１Ｂとの間に溝１７５＿３が設けられ、画素電極１１１Ｂと画素電極１１１Ｒとの間に、溝１７５＿１が設けられる。

　ここで、図５Ａに示す表示装置１００Ｅが有する溝１７５、および図５Ｂに示す表示装置１００Ｆが有する溝１７５の形成方法について説明する。

　はじめに、幅Ｗ３を有する溝を、絶縁層１０５ｃおよび絶縁層１０５ｂに形成することで、絶縁層１０５ａの上面を露出する。当該溝の形成には、エッチング法を用いることが好ましい。なお、当該溝を形成する際、当該溝と重なる領域の、絶縁層１０５ａの上面の一部が除去される場合がある。

　次に、等方性のエッチング法を用いて、上記溝において露出した絶縁層１０５ｂの側面をエッチングして、端面を後退させる（サイドエッチングともいう）。これにより、絶縁層１０５ｂの溝が基板面に対して水平方向に拡張し、溝１７５に幅Ｗ４の領域が生成される。

　以上により、図５Ａに示す表示装置１００Ｅが有する溝１７５、および図５Ｂに示す表示装置１００Ｆが有する溝１７５を形成することができる。

｛有機層１１２Ｒ、絶縁層１１８ａの形成｝
　絶縁層１０５上、画素電極１１１Ｇ上、および画素電極１１１Ｂ上に、レジストマスク１５１を形成する。このとき、レジストマスク１５１は、溝１７５＿２の一部、画素電極１１１Ｇ、溝１７５＿３、画素電極１１１Ｂ、および溝１７５＿１の一部と重なる部分に形成される。さらに、溝１７５＿２に位置するレジストマスク１５１の側面は、互いに向かい合う、画素電極１１１Ｒの側面と画素電極１１１Ｇの側面との最短距離の中間よりも画素電極１１１Ｇ側に位置し、溝１７５＿１に位置するレジストマスク１５１の側面は、互いに向かい合う、画素電極１１１Ｂの側面と画素電極１１１Ｒの側面との最短距離の中間よりも画素電極１１１Ｂ側に位置する（図７Ｂ参照）。

　続いて、画素電極１１１Ｒ上、絶縁層１０５上、及びレジストマスク１５１上に、第１の発光性の化合物を含む膜を成膜する。なお、当該膜は、溝１７５が延在する方向の、溝１７５の端部よりも内側に成膜するとよい。別言すると、溝１７５は、溝１７５が延在する方向の当該膜の端部よりも外側の領域に延在していることが好ましい。

　上記第１の発光性の化合物を含む膜は、例えば、蒸着法、具体的には真空蒸着法により形成できる。また、上記膜は、転写法、印刷法、インクジェット法、又は塗布法等の方法で形成してもよい。

　このとき、レジストマスク１５１と重ならない領域の溝によって、上記第１の発光性の化合物を含む膜に段切れが発生する。図７Ｂでは、溝１７５＿１および溝１７５＿２のそれぞれによって、当該膜に段切れが発生する。この結果、画素電極１１１Ｒ上に有機層１１２Ｒが形成され、かつ、絶縁層１０５上及びレジストマスク１５１上に有機層１１２Ｒｆが形成される。

　なお、画素電極１１１Ｒ上の上記膜と溝１７５上の上記膜とが分断されればよく、レジストマスク１５１上の上記膜と溝１７５上の上記膜とは分断されていなくてもよい。よって、図７Ｂでは、レジストマスク１５１の端部は、基板１０１の表面に対して垂直な形状を有しているが、レジストマスク１５１の端部の形状はこれに限られない。レジストマスク１５１の端部はテーパ形状を有してもよいし、逆テーパ形状を有してもよい。

　続いて、有機層１１２Ｒ上、及び有機層１１２Ｒｆ上に、絶縁膜１１８Ａを成膜する。絶縁膜１１８Ａは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを適宜用いて成膜することができる。本実施の形態では、絶縁膜１１８Ａとして、ＡＬＤ法によって、酸化アルミニウム膜を成膜する。絶縁膜１１８Ａは、絶縁層１０５に設けられる溝１７５（ここでは溝１７５＿１および溝１７５＿２）の底面および側面に被覆性良く成膜される必要がある。ＡＬＤ法による成膜は、溝１７５の底面および側面において、原子の層を一層ずつ堆積させることができるため、絶縁膜１１８Ａを溝１７５に対して良好な被覆性で成膜することができる。また、成膜ダメージを小さくすることができる。

　例えば、ＡＬＤ法によって酸化アルミニウムを成膜する場合には、溶媒とアルミニウム前駆体化合物を含む液体（トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ、Ａｌ（ＣＨ_３）_３）など）を気化させた原料ガスと、酸化剤としてＨ_２Ｏの２種類のガスを用いる。また、他の材料としては、トリス（ジメチルアミド）アルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、アルミニウムトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）などがある。

　なお、絶縁膜１１８Ａは、ＡＬＤ法よりも成膜速度が速いスパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＰＥＣＶＤ法を用いて成膜してもよい。これにより、信頼性が高い表示装置を生産性高く作製できる。

　続いて、絶縁膜１１８Ａ上に、レジストマスク１５２を形成する。このとき、レジストマスク１５２は、溝１７５＿１の一部、有機層１１２Ｒ、および溝１７５＿２の一部と重なる部分に形成される。さらに、溝１７５＿１に位置するレジストマスク１５２の側面は、互いに向かい合う、画素電極１１１Ｂの側面と画素電極１１１Ｒの側面との最短距離の中間よりも画素電極１１１Ｒ側に位置し、溝１７５＿２に位置するレジストマスク１５２の側面は、互いに向かい合う、画素電極１１１Ｒの側面と画素電極１１１Ｇの側面との最短距離の中間よりも画素電極１１１Ｒ側に位置する（図７Ｂ参照）。

　図７Ｂでは、レジストマスク１５２の端部は基板１０１の表面に対して垂直な形状を有しているが、レジストマスク１５２の端部の形状はこれに限られない。レジストマスク１５２の端部はテーパ形状を有してもよいし、逆テーパ形状を有してもよい。

　続いて、レジストマスク１５２に覆われない絶縁膜１１８Ａを除去することで、絶縁層１１８ａを形成することができる（図７Ｃ参照）。絶縁膜１１８Ａの一部の除去には、ドライエッチング法またはウェットエッチング法を用いることができる。

　続いて、レジストマスク１５２、及びレジストマスク１５１を除去する（図７Ｄ参照）。このとき、有機層１１２Ｒｆも除去される。

　図７Ｄでは、レジストマスク１５２と重なり、かつ、画素電極１１１Ｒと重ならない部分の有機層１１２Ｒｆが除去されている。なお、当該部分の有機層１１２Ｒｆは有機層１１２Ｒと分断されているため、当該部分の有機層１１２Ｒｆは残存しても構わない。また、絶縁層１０５に接し、溝１７５上に形成される有機層１１２Ｒｆは残存しても構わない。

　以上より、絶縁層１１８ａは、Ａ１−Ａ２方向の断面視において、有機層１１２Ｒおよび画素電極１１１Ｒの外側で絶縁層１０５と接する領域を有する。なお、本明細書等において、第１の層が構造体の外側で第２の層と接する領域を有することを、第１の層および第２の層によって当該構造体を封止すると呼ぶ場合がある。つまり、絶縁層１０５及び絶縁層１１８ａによって、有機層１１２Ｒおよび画素電極１１１Ｒを封止することができる。

｛有機層１１２Ｇ、絶縁層１１８ｂの形成｝
　絶縁層１０５上、画素電極１１１Ｂ上、および絶縁層１１８ａ上に、レジストマスク１５１を形成する。このとき、レジストマスク１５１は、溝１７５＿３の一部、画素電極１１１Ｂ、溝１７５＿１、絶縁層１１８ａ、および溝１７５＿２の一部と重なる部分に形成される。さらに、溝１７５＿３に位置するレジストマスク１５１の側面は、互いに向かい合う、画素電極１１１Ｇの側面と画素電極１１１Ｂの側面との最短距離の中間よりも画素電極１１１Ｂ側に位置し、溝１７５＿２に位置するレジストマスク１５１の側面は、互いに向かい合う、画素電極１１１Ｒの側面と画素電極１１１Ｇの側面との最短距離の中間よりも画素電極１１１Ｒ側に位置する（図８Ａ参照）。

　続いて、画素電極１１１Ｇ上、絶縁層１０５上、及びレジストマスク１５１上に、第２の発光性の化合物を含む膜を成膜する。なお、当該膜は、溝１７５が延在する方向の、溝１７５の端部よりも内側に成膜するとよい。別言すると、溝１７５は、溝１７５が延在する方向の当該膜の端部よりも外側の領域に延在していることが好ましい。

　上記第２の発光性の化合物を含む膜は、例えば、蒸着法、具体的には真空蒸着法により形成できる。また、上記膜は、転写法、印刷法、インクジェット法、又は塗布法等の方法で形成してもよい。

　このとき、レジストマスク１５１と重ならない領域の溝によって、上記第２の発光性の化合物を含む膜に段切れが発生する。図８Ａでは、溝１７５＿２および溝１７５＿３のそれぞれによって、当該膜に段切れが発生する。この結果、画素電極１１１Ｇ上に有機層１１２Ｇが形成され、かつ、絶縁層１０５上及びレジストマスク１５１上に有機層１１２Ｇｆが形成される。

　なお、画素電極１１１Ｇ上の上記膜と溝１７５上の上記膜とが分断されればよく、レジストマスク１５１上の上記膜と溝１７５上の上記膜とは分断されていなくてもよい。よって、図８Ａでは、レジストマスク１５１の端部は、基板１０１の表面に対して垂直な形状を有しているが、レジストマスク１５１の端部の形状はこれに限られない。レジストマスク１５１の端部はテーパ形状を有してもよいし、逆テーパ形状を有してもよい。

　続いて、有機層１１２Ｇ上、及び有機層１１２Ｇｆ上に、絶縁膜１１８Ｂを成膜する。絶縁膜１１８Ｂは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを適宜用いて成膜することができる。本実施の形態では、絶縁膜１１８Ｂとして、ＡＬＤ法によって、酸化アルミニウムを成膜する。これにより、上述のとおり、絶縁膜１１８Ｂを溝１７５（ここでは溝１７５＿２および溝１７５＿３）に対して良好な被覆性で成膜することができる。なお、絶縁膜１１８Ｂに用いることができる材料および成膜方法は、有機層１１２Ｒ上に成膜する絶縁膜１１８Ａの説明を参照できる。

　続いて、絶縁膜１１８Ｂ上に、レジストマスク１５２を形成する。このとき、レジストマスク１５２は、溝１７５＿２の一部、有機層１１２Ｇ、および溝１７５＿３の一部と重なる部分に形成される。さらに、溝１７５＿２に位置するレジストマスク１５２の側面は、互いに向かい合う、画素電極１１１Ｒの側面と画素電極１１１Ｇの側面との最短距離の中間よりも画素電極１１１Ｇ側に位置し、溝１７５＿３に位置するレジストマスク１５２の側面は、互いに向かい合う、画素電極１１１Ｇの側面と画素電極１１１Ｂの側面との最短距離の中間よりも画素電極１１１Ｇ側に位置する（図８Ａ参照）。

　図８Ａでは、レジストマスク１５２の端部は基板１０１の表面に対して垂直な形状を有しているが、レジストマスク１５２の端部の形状はこれに限られない。レジストマスク１５２の端部はテーパ形状を有してもよいし、逆テーパ形状を有してもよい。

　続いて、レジストマスク１５２に覆われない絶縁膜１１８Ｂを除去することで、絶縁層１１８ｂを形成することができる（図８Ｂ参照）。絶縁膜１１８Ｂの一部の除去には、ドライエッチング法またはウェットエッチング法を用いることができる。

　続いて、レジストマスク１５２、及びレジストマスク１５１を除去する（図８Ｃ参照）。このとき、有機層１１２Ｇｆも除去される。

　図８Ｃでは、レジストマスク１５２と重なり、かつ、画素電極１１１Ｇと重ならない部分の有機層１１２Ｇｆが除去されている。なお、当該部分の有機層１１２Ｇｆは有機層１１２Ｇと分断されているため、当該部分の有機層１１２Ｇｆは残存しても構わない。また、絶縁層１０５に接し、溝１７５上に形成される有機層１１２Ｇｆは残存しても構わない。

　以上より、絶縁層１０５及び絶縁層１１８ｂによって、有機層１１２Ｇおよび画素電極１１１Ｇを封止することができる。

｛有機層１１２Ｂ、絶縁層１１８ｃの形成｝
　絶縁層１０５上、絶縁層１１８ａ上、および絶縁層１１８ｂ上に、レジストマスク１５１を形成する。このとき、レジストマスク１５１は、溝１７５＿１の一部、絶縁層１１８ａ、溝１７５＿２、絶縁層１１８ｂ、および溝１７５＿３の一部と重なる部分に形成される。さらに、溝１７５＿１に位置するレジストマスク１５１の側面は、互いに向かい合う、画素電極１１１Ｂの側面と画素電極１１１Ｒの側面との最短距離の中間よりも画素電極１１１Ｒ側に位置し、溝１７５＿３に位置するレジストマスク１５１の側面は、互いに向かい合う、画素電極１１１Ｇの側面と画素電極１１１Ｂの側面との最短距離の中間よりも画素電極１１１Ｇ側に位置する（図９Ａ参照）。

　続いて、画素電極１１１Ｂ上、絶縁層１０５上、及びレジストマスク１５１上に、第３の発光性の化合物を含む膜を成膜する。なお、当該膜は、溝１７５が延在する方向の、溝１７５の端部よりも内側に成膜するとよい。別言すると、溝１７５は、溝１７５が延在する方向の当該膜の端部よりも外側の領域に延在していることが好ましい。

　上記第３の発光性の化合物を含む膜は、例えば、蒸着法、具体的には真空蒸着法により形成できる。また、上記膜は、転写法、印刷法、インクジェット法、又は塗布法等の方法で形成してもよい。

　このとき、レジストマスク１５１と重ならない領域の溝によって、上記第３の発光性の化合物を含む膜に段切れが発生する。図９Ａでは、溝１７５＿３および溝１７５＿１のそれぞれによって、当該膜に段切れが発生する。この結果、画素電極１１１Ｂ上に有機層１１２Ｂが形成され、かつ、絶縁層１０５上及びレジストマスク１５１上に有機層１１２Ｂｆが形成される。

　なお、画素電極１１１Ｂ上の上記膜と溝１７５上の上記膜とが分断されればよく、レジストマスク１５１上の上記膜と溝１７５上の上記膜とは分断されていなくてもよい。よって、図９Ａでは、レジストマスク１５１の端部は、基板１０１の表面に対して垂直な形状を有しているが、レジストマスク１５１の端部の形状はこれに限られない。レジストマスク１５１の端部はテーパ形状を有してもよいし、逆テーパ形状を有してもよい。

　続いて、有機層１１２Ｂ上、及び有機層１１２Ｂｆ上に、絶縁膜１１８Ｃを成膜する。絶縁膜１１８Ｃは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを適宜用いて成膜することができる。本実施の形態では、絶縁膜１１８Ｃとして、ＡＬＤ法によって、酸化アルミニウムを成膜する。これにより、上述のとおり、絶縁膜１１８Ｃを溝１７５（ここでは溝１７５＿３および溝１７５＿１）に対して良好な被覆性で成膜することができる。なお、絶縁膜１１８Ｃに用いることができる材料および成膜方法は、有機層１１２Ｒ上に成膜する絶縁膜１１８Ａの説明を参照できる。

　続いて、絶縁膜１１８Ｃ上に、レジストマスク１５２を形成する。このとき、レジストマスク１５２は、溝１７５＿３の一部、有機層１１２Ｂ、および溝１７５＿１の一部と重なる部分に形成される。さらに、溝１７５＿３に位置するレジストマスク１５２の側面は、互いに向かい合う、画素電極１１１Ｇの側面と画素電極１１１Ｂの側面との最短距離の中間よりも画素電極１１１Ｂ側に位置し、溝１７５＿１に位置するレジストマスク１５２の側面は、互いに向かい合う、画素電極１１１Ｂの側面と画素電極１１１Ｒの側面との最短距離の中間よりも画素電極１１１Ｂ側に位置する（図９Ａ参照）。

　図９Ａでは、レジストマスク１５２の端部は基板１０１の表面に対して垂直な形状を有しているが、レジストマスク１５２の端部の形状はこれに限られない。レジストマスク１５２の端部はテーパ形状を有してもよいし、逆テーパ形状を有してもよい。

　続いて、レジストマスク１５２に覆われない絶縁膜１１８Ｃを除去することで、絶縁層１１８ｃを形成することができる（図９Ｂ参照）。絶縁膜１１８Ｃの一部の除去には、ドライエッチング法またはウェットエッチング法を用いることができる。

　続いて、レジストマスク１５２、及びレジストマスク１５１を除去する（図９Ｃ参照）。このとき、有機層１１２Ｂｆも除去される。

　図９Ｃでは、レジストマスク１５２と重なり、かつ、画素電極１１１Ｂと重ならない部分の有機層１１２Ｂｆが除去されている。なお、当該部分の有機層１１２Ｂｆは有機層１１２Ｂと分断されているため、当該部分の有機層１１２Ｂｆは残存しても構わない。また、絶縁層１０５に接し、溝１７５上に形成される有機層１１２Ｂｆは残存しても構わない。

　以上より、絶縁層１０５及び絶縁層１１８ｃによって、有機層１１２Ｂおよび画素電極１１１Ｂを封止することができる。

　なお、有機層１１２Ｒは絶縁層１０５および絶縁層１１８ａによって封止され、有機層１１２Ｇは絶縁層１０５および絶縁層１１８ｂによって封止されているため、有機層１１２Ｂおよび絶縁層１１８ｃを形成する過程において、レジストマスク１５１を設ける工程を省略してもよい場合がある。レジストマスク１５１を設けない構成にすることで、発光素子の作製工程を簡略化し、生産性の向上を図ることができる。

　以上により、絶縁層１０５および絶縁層１１８ａで封止された有機層１１２Ｒ、絶縁層１０５および絶縁層１１８ｂで封止された有機層１１２Ｇ、並びに、絶縁層１０５および絶縁層１１８ｃで封止された有機層１１２Ｂを形成することができる。なお、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂの形成順は上記に限られない。例えば、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｂ、有機層１１２Ｇの順に形成してもよい。また、有機層１１２Ｇから形成してもよいし、有機層１１２Ｂから形成してもよい。

　また、表示装置１００Ａに含まれる発光素子１１０が発する光の色の数に合わせて、作製方法を適宜調整するとよい。例えば、表示装置１００Ａに含まれる発光素子１１０が発する光の色の数が２色である場合、２種の画素電極１１１の一方、およびその近傍に設けられている溝と重なる部分にレジストマスク１５１を形成し、２種の画素電極１１１の他方、およびその近傍に設けられている溝と重なる部分にレジストマスク１５２を形成するとよい。または、表示装置１００Ａに含まれる発光素子１１０が発する光の色の数が４色である場合、４種の画素電極１１１のうち３種の画素電極１１１、およびそれらの近傍に設けられている溝と重なる部分にレジストマスク１５１を形成し、残り１種の画素電極１１１、およびその近傍に設けられている溝と重なる部分にレジストマスク１５２を形成するとよい。

｛樹脂層１２６、共通層１１４、共通電極１１３の形成｝
　絶縁層１０５、絶縁層１１８ａ、絶縁層１１８ｂ、および絶縁層１１８ｃ上に、樹脂層１２６となる樹脂膜を形成する。

　上記樹脂膜は、それぞれ、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂの耐熱温度よりも低い温度で形成する。当該絶縁膜を形成する際の基板温度としては、６０℃以上、８０℃以上、１００℃以上、又は１２０℃以上、且つ、２００℃以下、１８０℃以下、１６０℃以下、１５０℃以下、又は１４０℃以下であることが好ましい。

　また、上記樹脂膜は、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。当該絶縁膜は、例えば、スピンコートにより、感光性材料を用いて形成することが好ましく、より具体的には、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。

　上記樹脂膜は、例えば、重合体、酸発生剤、及び溶媒を有する樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。重合体は、１種又は複数種の単量体を用いて形成され、１種又は複数種の構造単位（構成単位ともいう）が規則的又は不規則に繰り返された構造を有する。酸発生剤としては、光の照射により酸を発生する化合物、及び加熱により酸を発生する化合物の一方又は双方を用いることができる。樹脂組成物は、さらに、感光剤、増感剤、触媒、接着助剤、界面活性剤、及び酸化防止剤のうち一つ又は複数を有してもよい。

　また、上記樹脂膜の形成後に加熱処理（プリベークともいう）を行うことが好ましい。当該加熱処理は、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂの耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下が好ましく、６０℃以上１５０℃以下がより好ましく、７０℃以上１２０℃以下がさらに好ましい。これにより、上記絶縁膜中に含まれる溶媒を除去できる。

　続いて、露光を行って、上記樹脂膜の一部に、可視光線又は紫外線を感光させる。ここで、当該絶縁膜にアクリル樹脂を含むポジ型の感光性の樹脂組成物を用いる場合、後の工程で樹脂層１２６を形成しない領域に可視光線又は紫外線を照射する。樹脂層１２６は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂのいずれか２つに挟まれる領域に形成される。このため、画素電極１１１上に、可視光線又は紫外線を照射する。なお、上記樹脂膜にネガ型の感光性材料を用いる場合、樹脂層１２６が形成される領域に可視光線又は紫外線を照射する。

　上記樹脂膜への露光領域によって、後に形成する樹脂層１２６の幅を制御できる。本実施の形態では、樹脂層１２６が画素電極１１１の上面と重なる領域を有するように加工する。

　露光に用いる光は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。また、露光に用いる光は、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、及びｈ線（波長４０５ｎｍ）の少なくとも一方を含んでいてもよい。

　続いて、現像を行って、上記樹脂膜の露光させた領域を除去し、樹脂層１２６を形成する。樹脂層１２６は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂのいずれか２つに挟まれる領域に形成される。ここで、上記樹脂膜にアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることが好ましく、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いることができる。

　続いて、現像時の残渣（いわゆるスカム）を除去してもよい。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングを行うことで、残渣を除去できる。

　なお、樹脂層１２６の表面の高さを調整するために、エッチングを行ってもよい。樹脂層１２６は、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより加工してもよい。また、樹脂層１２６となる樹脂膜として非感光性の材料を用いる場合においても、例えば当該アッシングにより、当該樹脂膜の表面の高さを調整できる。

　続いて、樹脂層１２６をマスクとしてエッチング処理を行って、絶縁層１１８ａの一部、絶縁層１１８ｂの一部、および絶縁層１１８ｃの一部を除去する。これにより、絶縁層１１８ａに開口部が形成され、有機層１１２Ｒの上面が露出する。また、絶縁層１１８ｂに開口部が形成され、有機層１１２Ｇの上面が露出する。また、絶縁層１１８ｃに開口部が形成され、有機層１１２Ｂの上面が露出する（図１０Ａ参照）。別言すると、樹脂層１２６および絶縁層１１８ａに、有機層１１２Ｒに達する開口部が設けられる。また、樹脂層１２６および絶縁層１１８ｂに、有機層１１２Ｇに達する開口部が設けられる。また、樹脂層１２６および絶縁層１１８ｃに、有機層１１２Ｂに達する開口部が設けられる。

　上記エッチング処理はウェットエッチングで行う。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチングは、例えばＴＭＡＨ等のアルカリ溶液を用いて行うことができる。

　また、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂの一部を露出した後、さらに加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理により、有機層１１２に含まれる水、及び有機層１１２表面に吸着する水等を除去できる。例えば、不活性ガス雰囲気又は減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、さらに好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で脱水が可能であるため好ましい。ただし、上記の加熱処理は、有機層１１２の耐熱温度も考慮して温度範囲を適宜設定することが好ましい。なお、有機層１１２の耐熱温度を考慮した場合、上記温度範囲のなかでも特に７０℃以上１２０℃以下の温度が好適である。

　続いて、有機層１１２Ｒ上、有機層１１２Ｇ上、有機層１１２Ｂ上、及び樹脂層１２６上に共通層１１４を形成する。共通層１１４は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、又は塗布法等の方法で形成することができる。

　続いて、共通層１１４上に共通電極１１３を形成する。共通電極１１３は、スパッタリング法、又は真空蒸着法などを用いて形成することができる。又は、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させて、共通電極１１３を形成してもよい。

　共通電極１１３は、樹脂層１２６および絶縁層１１８ａに形成された開口部を介して、有機層１１２Ｒと重畳するように形成される。また、共通電極１１３は、樹脂層１２６および絶縁層１１８ｂに形成された開口部を介して、有機層１１２Ｇと重畳するように形成される。また、共通電極１１３は、樹脂層１２６および絶縁層１１８ｃに形成された開口部を介して、有機層１１２Ｂと重畳するように形成される。

　以上により、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂを形成することができる。

　続いて、共通電極１１３上に保護層１２１を形成する（図１０Ｂ参照）。保護層１２１は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法等の方法で形成できる。

　以上により、図１Ｂに示す構成を有する表示装置１００Ａを作製することができる。

　上記作製方法例によれば、有機層１１２は、絶縁層１０５と絶縁層１１８とで封止されることで、レジストマスクを除去する際に使用する薬液等に曝されない。よって、有機層１１２の成膜にメタルマスクを用いることなく、発光素子１１０を形成することができる。

　上記作製方法例によれば、画素電極１１１を形成した後の工程で行われるエッチング処理の全てにウェットエッチング法を用いることができるため、表示装置１００Ａの製造コストを抑制することが可能となる。

　上記作製方法例によれば、有機層１１２の厚さによって、画素電極１１１と共通電極１１３との間の光学距離の差を精密に制御することができる。したがって、各々の発光素子における色度のずれなどが生じにくく、色再現性に優れ、極めて表示品位の高い表示装置を簡便に作製することができる。

　また、発光素子１１０は、上面が平坦化された絶縁層１０５上に形成できる。さらに、発光素子１１０の下部電極（画素電極１１１）が、プラグ１３１を介して基板１０１の画素回路等と電気的に接続される構成とすることができるため、極めて微細な画素を構成することが可能であり、極めて高精細な表示装置を実現できる。また、発光素子１１０を画素回路または駆動回路と重ねて配置することができるため、開口率（有効発光面積率）の高い表示装置を実現できる。

　また、隣り合う島状の有機層１１２の間に、端部にテーパ形状を有する樹脂層１２６を設けることで、共通電極１１３の形成時に段切れが生じることを抑制し、また、共通電極１１３に局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを抑制することができる。これにより、共通層１１４及び共通電極１１３において、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、高精細化と高い表示品位の両立が可能となる。

　なお、本発明の一態様の表示装置、又は表示装置の作製方法において、表示装置の表示部の画面率（アスペクト比）については、特に限定されない。例えば、表示装置としては、１：１（正方形）、３：４、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。

［変形例］
　以下では、上記表示装置とは一部の構成が異なる変形例について説明する。

　なお、以下では、上記構成例１と重複する部分についてはこれを援用し、説明を省略する場合がある。

〔変形例１〕
　図１１Ａ及び図１１Ｂは、本発明の一態様の表示装置を説明する図である。図１１Ａは、表示装置１００Ｇの上面概略図であり、図１１Ｂは、表示装置１００Ｇの断面概略図である。ここで、図１１Ｂは、図１１ＡにＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。なお、図１１Ａの上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いている。

　表示装置１００Ｇは、表示装置１００Ａと比較して、隣接する異なる色の発光素子間に設けられる溝の数が２つである点で、主に相違している。

　図１１Ａに示すＡ１−Ａ２方向に隣接する２つの画素電極１１１の間に位置する領域の絶縁層１０５には、２つの溝が設けられている。図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、発光素子１１０Ｒと発光素子１１０Ｇとの間に設けられている２つの溝のうち、発光素子１１０Ｒ側の溝を溝１７３＿１ｂとし、発光素子１１０Ｇ側の溝を溝１７３＿２ａとする。また、発光素子１１０Ｇと発光素子１１０Ｂとの間に設けられている２つの溝のうち、発光素子１１０Ｇ側の溝を溝１７３＿２ｂとし、発光素子１１０Ｂ側の溝を溝１７３＿３ａとする。また、発光素子１１０Ｂと発光素子１１０Ｒとの間に設けられている２つの溝のうち、発光素子１１０Ｂ側の溝を溝１７３＿３ｂとし、発光素子１１０Ｒ側の溝を溝１７３＿１ａとする。

　なお以下では、溝１７３＿１ａ、溝１７３＿１ｂ、溝１７３＿２ａ、溝１７３＿２ｂ、溝１７３＿３ａ、及び溝１７３＿３ｂに共通の事項を説明する場合には、符号に付加する記号を省略し、溝１７３と表記して説明する場合がある。また、溝１７３＿１ａ、溝１７３＿２ａ、及び溝１７３＿３ａに共通の事項を説明する場合には、符号に付加する記号の一部を省略し、溝１７３＿ａと表記して説明する場合がある。また、溝１７３＿１ｂ、溝１７３＿２ｂ、及び溝１７３＿３ｂに共通の事項を説明する場合には、符号に付加する記号の一部を省略し、溝１７３＿ｂと表記して説明する場合がある。

　表示装置１００Ｇは、隣接する異なる色の発光素子間において、溝１７３を利用して、有機層１１２が分断されている。これにより、隣接する異なる色の発光素子間で、有機層１１２を介して流れる電流（リーク電流ともいう）を防ぐことができる。したがって、当該リーク電流により生じる発光を抑制することができ、コントラストの高い表示を実現できる。さらに、精細度を高めた場合でも、有機層１１２に導電性の高い材料を用いることができるため、材料の選択の幅を広げることができ、効率の向上、消費電力の低減、及び信頼性の向上を図ることが容易となる。

　図１１Ｃに、表示装置１００Ｇの、溝１７３及びその近傍の断面概略図を示す。なお、図１１Ｃの断面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いている。

　図１１Ｃに示す幅Ｌ１は、溝１７３のＡ１−Ａ２方向の幅である。幅Ｌ１は、有機層１１２の膜厚の２倍以上であることが好ましい。例えば有機層１１２の膜厚が１００ｎｍである場合、幅Ｌ１は、２００ｎｍより大きく５００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍより大きく４００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍより大きく３００ｎｍ以下、具体的には、２５０ｎｍとする。これにより、溝１７３によって有機層１１２に段切れが発生し、画素電極１１１上に有機層１１２を形成することができる。このとき、図１１Ｂに示すように、有機層１１２は、画素電極１１１の側面および上面を覆うように配置される。別言すると、表示装置１００Ｇの断面視において、有機層１１２の端部は、画素電極１１１の端部よりも外側に位置する。また、別言すると、有機層１１２の端部は、画素電極１１１の端部を覆う。また、有機層１１２は、絶縁層１０５と接する領域を有する。

　図１１Ｃに示す間隔Ｌ２は、隣接する溝の間隔である。別言すると、間隔Ｌ２は、隣接する溝の端部間の最短距離である。また、図１１Ｃに示す距離Ｌ３は、画素電極１１１から当該画素電極１１１と隣接する溝までの距離である。別言すると、距離Ｌ３は、画素電極１１１の端部から当該画素電極１１１と隣接する溝の端部までの最短距離である。

　間隔Ｌ２および距離Ｌ３のそれぞれは、フォトリソグラフィ法を用いる場合の加工精度、有機層１１２の膜厚、絶縁層１１８の膜厚等に合わせて適宜調整するとよい。例えば、間隔Ｌ２は、２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下、好ましくは２５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下、より好ましくは３５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下とする。また、例えば、距離Ｌ３は、５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とする。

　図１１Ｃに示す距離Ｌ４は、隣接する２つの異なる色の発光素子が有する画素電極１１１の最短距離である。距離Ｌ４は、幅Ｌ１、間隔Ｌ２、及び距離Ｌ３に依存する。上記構成にすることで、距離Ｌ４は、７００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、好ましくは９００ｎｍ以上１６００ｎｍ以下、より好ましくは１０００ｎｍ以上１４００ｎｍ以下となる。

　絶縁層１１８は、有機層１１２の上面の少なくとも一部と接する領域、および有機層１１２の側面と接する領域を有する。

　また、絶縁層１１８は、当該絶縁層１１８が覆う有機層１１２に近接する２つの溝と重なるように設けられている。図１１Ｂに示すように、有機層１１２Ｒ上の絶縁層１１８ａは、溝１７３＿１ａおよび溝１７３＿１ｂと重なるように設けられ、有機層１１２Ｇ上の絶縁層１１８ｂは、溝１７３＿２ａおよび溝１７３＿２ｂと重なるように設けられ、有機層１１２Ｂ上の絶縁層１１８ｃは、溝１７３＿３ａおよび溝１７３＿３ｂと重なるように設けられている。

　また、絶縁層１１８は、Ａ１−Ａ２方向の断面視において、画素電極１１１および有機層１１２の外側で、絶縁層１０５と接する領域を有する。具体的には、絶縁層１１８は、溝１７３の側壁と接する領域を有する。より具体的には、絶縁層１１８ａは、溝１７３＿１ａの側壁と接する領域、及び溝１７３＿１ｂの側壁と接する領域を有し、絶縁層１１８ｂは、溝１７３＿２ａの側壁と接する領域、及び溝１７３＿２ｂの側壁と接する領域を有し、絶縁層１１８ｃは、溝１７３＿３ａの側壁と接する領域、及び溝１７３＿３ｂの側壁と接する領域を有する。つまり、表示装置１００Ｇでは、画素電極１１１および有機層１１２は、絶縁層１０５と絶縁層１１８によって封止される。絶縁層１１８は、画素電極１１１および有機層１１２に水などの不純物が拡散することを防ぐ保護層として機能する。当該構成にすることで、画素電極１１１および有機層１１２に水などの不純物が拡散することを防ぐことができる。

　なお、溝１７３の内側において、絶縁層１１８と絶縁層１０５との間に層が位置している。当該層は、絶縁層１１８が覆う有機層１１２と同じ材料で構成される。例えば、溝１７３＿１ａおよび溝１７３＿１ｂのそれぞれの内側において、絶縁層１１８ａと絶縁層１０５との間に、有機層１１２Ｒと同じ材料からなる層が位置している。また、溝１７３＿２ａおよび溝１７３＿２ｂのそれぞれの内側において、絶縁層１１８ｂと絶縁層１０５との間に、有機層１１２Ｇと同じ材料からなる層が位置している。また、溝１７３＿３ａおよび溝１７３＿３ｂのそれぞれの内側において、絶縁層１１８ｃと絶縁層１０５との間に、有機層１１２Ｂと同じ材料からなる層が位置している。

　隣接する異なる色の発光素子間において、互いの有機層１１２の側面が、樹脂層１２６を挟んで対向して設けられている。樹脂層１２６は、隣接する異なる色の発光素子の間に位置し、それぞれの有機層１１２の端部、及び２つの有機層１１２の間の領域を埋めるように設けられている。また、樹脂層１２６は、溝１７３を埋め込むように設けられている。

　図１２Ａは、溝１７３の端部及びその近傍の上面概略図である。なお、図１２Ａの上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いている。溝１７３＿ａおよび溝１７３＿ｂは、ｘ方向において、有機層１１２の端部よりも外側の領域に延在していることが好ましい。図１２Ａでは、溝１７３＿ａおよび溝１７３＿ｂの端部から、有機層１１２の端部までの距離を、距離Ｌ５として示している。当該構成にすることで、ｙ方向に隣接する有機層を分離することができる。

　図１２Ａには図示していないが、共通電極１１３は、ｘ方向において、溝１７３の端部よりも外側の領域に延在していることが好ましい。別言すると、ｘ方向において、溝１７３の端部は、共通電極１１３の端部よりも内側の領域に位置していることが好ましい。

　なお、絶縁層１１８の膜厚、幅Ｌ１の大きさ、距離Ｌ３の大きさなどによっては、絶縁層１１８は、図１２Ｂに示すように、絶縁層１１８が覆う有機層１１２に近接する２つの溝を埋め込むように設けられている。例えば、有機層１１２Ｒ上の絶縁層１１８ａは、溝１７３＿１ａおよび溝１７３＿１ｂを埋め込むように設けられ、有機層１１２Ｇ上の絶縁層１１８ｂは、溝１７３＿２ａおよび溝１７３＿２ｂを埋め込むように設けられ、有機層１１２Ｂ上の絶縁層１１８ｃは、溝１７３＿３ａおよび溝１７３＿３ｂを埋め込むように設けられている。このとき、樹脂層１２６は、絶縁層１１８上および絶縁層１０５上に設けられている。

　なお、図１１Ｂでは、溝１７３の側壁は、基板１０１の表面に対して垂直な形状を有しているが、有機層１１２に段切れが発生する構成であれば、溝１７３の側壁の形状はこれに限られない。溝１７３の側壁は、テーパ形状を有してもよいし、逆テーパ形状を有してもよい。また、溝１７３の側壁は、曲線を有してもよいし、段差を有してもよい。

　なお、ｙ方向に隣接する２つの画素電極１１１の間に位置する領域の絶縁層１０５に設けられる溝の数は１つまたは２つが好ましいが、３つ以上であってもよい。

　図１３Ａの表示装置１００Ｈに示すように、同じ色の発光素子間に溝を設けてもよい。例えば、図１３Ａに示すように、ｘ方向に隣接する２つの画素電極１１１Ｒ（発光素子１１０Ｒ）間に溝１７４＿１を設け、ｘ方向に隣接する２つの画素電極１１１Ｇ（発光素子１１０Ｇ）間に溝１７４＿２を設け、ｘ方向に隣接する２つの画素電極１１１Ｂ（発光素子１１０Ｂ）間に溝１７４＿３を設けてもよい。

　図１３Ａでは、溝１７４＿１は、溝１７３＿１ａおよび溝１７３＿１ｂと交差せず（繋がらず）、溝１７４＿２は、溝１７３＿２ａおよび溝１７３＿２ｂと交差せず（繋がらず）、溝１７４＿３は、溝１７３＿３ａおよび溝１７３＿３ｂと交差しない（繋がらない）構成を示している。なお、本発明はこれに限られず、溝１７４＿１は、溝１７３＿１ａおよび溝１７３＿１ｂと交差してもよい（繋がってもよい）。また、溝１７４＿２は、溝１７３＿２ａおよび溝１７３＿２ｂと交差してもよい（繋がってもよい）。また、溝１７４＿３は、溝１７３＿３ａおよび溝１７３＿３ｂと交差してもよい（繋がってもよい）。

　発光素子１１０（画素電極１１１）の配置はストライプ配列が好ましいが、ストライプ配列以外の配列であってもよい。例えば、発光素子１１０（画素電極１１１）の配置としては、デルタ配列、およびモザイク配列などが挙げられる。図１３Ｂの表示装置１００Ｉは、配置がデルタ配列の画素電極１１１（発光素子１１０）を有する。例えば、図１３Ｂに示す溝１７３を設けることで、異なる色の発光素子１１０間を分離することができる。

〔変形例２〕
　図１４Ａは、表示装置１００Ｊの断面概略図である。表示装置１００Ｊは、画素電極１１１の配置が異なる点で、表示装置１００Ｇと異なる。図１４Ｂに、画素電極１１１、及びその近傍の拡大図を示している。なお、図１４Ｂの拡大図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いている。

　表示装置１００Ｊでは、画素電極１１１が絶縁層１０５に設けられた開口内に埋め込まれるように形成されている。つまり、画素電極１１１の上面と、絶縁層１０５の上面とが概略一致している。このような構成にすることで、平坦な面に有機層１１２を形成することができる。なお、図１４Ａ及び図１４Ｂでは、絶縁層１０５が単層構造である構成を示しているが、本発明はこれに限られない。絶縁層１０５は、例えば図４Ａ及び図４Ｂに示す２層の積層構造としてもよい。このとき、絶縁層１０５の下層として、絶縁層１０５の上層に画素電極１１１を埋め込む開口を形成するためのエッチングストッパ膜として機能する絶縁体を選択するとよい。

　表示装置１００Ｊは、平坦な面に有機層１１２が形成されるため、有機層１１２が画素電極１１１の端部を被覆しない構成となる。よって、有機層１１２の膜厚が薄くなるのを防ぐことができ、発光素子１１０の上部電極（共通電極１１３）と下部電極（画素電極１１１）のショートが生じるのを防ぐことができる。

　以上が、変形例についての説明である。

［画素のレイアウト］
　以下では、主に、図１Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。

　図１５Ａ乃至図１５Ｇ及び図１６Ａ乃至図１６Ｉに示す副画素の上面形状は、発光領域の上面形状に相当する。

　なお、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。

　また、副画素を構成する回路レイアウトは、図に示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。

　図１５Ａに示す画素１５０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１５Ａに示す画素１５０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃの、３つの副画素から構成される。

　図１５Ｂに示す画素１５０は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１１０ａと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する副画素１１０ｃと、を有する。また、副画素１１０ｂは、副画素１１０ａよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光素子を有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。

　図１５Ｃに示す画素１２４ａ、画素１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１５Ｃでは、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｂを有する画素１２４ａと、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。

　図１５Ｄ乃至図１５Ｆに示す画素１２４ａ、画素１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ）を有する。

　図１５Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１５Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例であり、図１５Ｆは、各副画素が、角が丸い略六角形の上面形状を有する例である。

　図１５Ｆでは、各副画素が、最密に配列した六角形の領域の内側に配置されている。各副画素は、その１つの副画素に着目したとき、６つの副画素に囲まれるように、配置されている。また、同じ色の光を呈する副画素が隣り合わないように設けられている。例えば、副画素１１０ａに着目したとき、これを囲むように３つの副画素１１０ｂと３つの副画素１１０ｃが、交互に配置されるように、それぞれの副画素が設けられている。

　図１５Ｇは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０ａと副画素１１０ｂ、または、副画素１１０ｂと副画素１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。

　図１５Ａ乃至図１５Ｇに示す各画素において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。なお、副画素の構成はこれに限定されず、副画素が呈する色とその並び順は適宜決定することができる。例えば、副画素１１０ｂを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ａを緑色の光を呈する副画素Ｇとしてもよい。

　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

　さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

　なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

　図１６Ａ乃至図１６Ｉに示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。

　図１６Ａ乃至図１６Ｃに示す画素１５０は、ストライプ配列が適用されている。

　図１６Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図１６Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１６Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

　図１６Ｄ乃至図１６Ｆに示す画素１５０は、マトリクス配列が適用されている。

　図１６Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図１６Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図１６Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

　図１６Ｇ及び図１６Ｈでは、１つの画素１５０が、２行３列で構成されている例を示す。

　図１６Ｇに示す画素１５０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１５０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図１６Ｈに示す画素１５０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０ｄを有する。言い換えると、画素１５０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄを有する。図１６Ｈに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じうるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供することができる。

　図１６Ｉでは、１つの画素１５０が、３行２列で構成されている例を示す。

　図１６Ｉに示す画素１５０は、上の行（１行目）に、副画素１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１５０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂを有し、右の列（２列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この２列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図１６Ａ乃至図１６Ｉに示す画素１５０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、副画素１１０ｄの、４つの副画素から構成される。

　副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、副画素１１０ｄは、それぞれ異なる色の光を発する発光素子を有する構成とすることができる。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、副画素１１０ｄとしては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、または、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の副画素などが挙げられる。

　図１６Ａ乃至図１６Ｉに示す各画素１５０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとし、副画素１１０ｄを白色の光を呈する副画素Ｗ、黄色の光を呈する副画素Ｙ、または近赤外光を呈する副画素ＩＲのいずれかとすることが好ましい。このような構成とする場合、図１６Ｇ及び図１６Ｈに示す画素１５０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図１６Ｉに示す画素１５０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

　以上のように、本発明の一態様の表示装置は、発光素子を有する副画素からなる構成の画素について、様々なレイアウトを適用することができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、先の本発明の一態様で説明した表示装置（表示パネル）の他の構成例について説明する。以下で例示する表示装置（表示パネル）は、上記実施の形態１の表示装置１００Ａ等に適用することができる。以下で例示する表示装置（表示パネル）は、トランジスタを有する。

　本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。例えば、本発明の一態様の表示装置は、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
　図１７Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置２００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示パネルは表示装置２００Ａに限られず、後述する表示装置２００Ｂ乃至表示装置２００Ｇのいずれかであってもよい。

　表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、画像を表示する領域である。

　図１７Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

　画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１７Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、赤色の光を発する発光素子１１０Ｒ、緑色の光を発する発光素子１１０Ｇ、及び、青色の光を発する発光素子１１０Ｂを有する。

　画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する３つの発光素子の発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａには、１つの発光素子の発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光素子につき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示パネルが実現されている。

　回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。また、回路部２８２に設けられるトランジスタが画素回路２８３ａの一部を構成してもよい。すなわち、画素回路２８３ａが、画素回路部２８３が有するトランジスタと、回路部２８２が有するトランジスタと、により構成されていてもよい。

　ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号及び電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

　表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

　このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示装置２００Ａ］
　図１８に示す表示装置２００Ａは、基板３０１、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、発光素子１１０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。

　基板３０１は、図１７Ａ及び図１７Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３０１から容量２４０までの積層構造が、実施の形態１における基板１０１に相当する。

　トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられ、絶縁層として機能する。

　また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

　また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

　容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３と、を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

　導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

　容量２４０を覆って、絶縁層２５５が設けられている。

　絶縁層２５５には、無機絶縁膜を好適に用いることができる。例えば、絶縁層２５５として、酸化シリコン膜、または窒化シリコン膜などを用いることができる。本実施の形態では、絶縁層２５５の一部がエッチングされ、凹部が形成されている例を示す。

　なお、絶縁層２５５は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の第３の絶縁層の、３層の積層構造を有してもよい。第１の絶縁層、第２の絶縁層、及び第３の絶縁層には、それぞれ無機絶縁膜を好適に用いることができる。例えば、第１の絶縁層及び第３の絶縁層に酸化シリコン膜を用い、第２の絶縁層に窒化シリコン膜を用いることが好ましい。これにより、第２の絶縁層は、エッチング保護膜として機能させることができる。

　絶縁層２５５は、図１Ｂにおける絶縁層１０５に相当する。また、絶縁層２５５が積層構造を有する場合、絶縁層２５５が有する複数の層の一部は、図１Ｂにおける絶縁層１０５に相当する。

　絶縁層２５５上に発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び、発光素子１１０Ｂが設けられている。発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び、発光素子１１０Ｂの構成は、実施の形態１を援用できる。

　表示装置２００Ａは、発光色ごとに、発光素子を作り分けているため、低輝度での発光と高輝度での発光で色度の変化が小さい。また、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、有機層１１２Ｂがそれぞれ離隔しているため、高精細な表示パネルであっても、隣接する副画素間におけるクロストークの発生を抑制することができる。したがって、高精細であり、かつ、表示品位の高い表示パネルを実現できる。

　隣り合う発光素子の間の領域には、絶縁層１１８、及び樹脂層１２６が設けられる。

　発光素子の画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び、画素電極１１１Ｂは、絶縁層２５５に埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５の上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。

　プラグ２５６は、図１Ｂにおけるプラグ１３１に相当する。

　また、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂ上には保護層１２１が設けられている。保護層１２１上には、接着層１７１によって基板１７０が貼り合わされている。

　隣接する２つの画素電極１１１間には、画素電極１１１の上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光素子の間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。

［表示装置２００Ｂ］
　図１９に示す表示装置２００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示パネルの説明では、先に説明した表示パネルと同様の部分については説明を省略することがある。

　表示装置２００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、及び発光素子が設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

　ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５が設けられ、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上には絶縁層３４６を設けられている。絶縁層３４５、及び絶縁層３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散することを抑制することができる。絶縁層３４５、及び絶縁層３４６としては、保護層１２１または絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って、保護層として機能する絶縁層３４４を設けることが好ましい。

　また、基板３０１Ｂは、絶縁層３４５の下側に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれており、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されている。また、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

　一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれており、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されている。

　導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

［表示装置２００Ｃ］
　図２０に示す表示装置２００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

　図２０に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

［表示装置２００Ｄ］
　図２１に示す表示装置２００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置２００Ａと主に相違する。

　トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。

　トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

　基板３３１は、図１７Ａ及び図１７Ｂにおける基板２９１に相当する。

　基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

　絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

　半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を示す金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

　一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部に、半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

　絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

［表示装置２００Ｅ］
　図２２に示す表示装置２００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

　トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置２００Ｄを援用することができる。

　なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

［表示装置２００Ｆ］
　図２３に示す表示装置２００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

　トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　このような構成とすることで、発光素子の直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示パネルを小型化することが可能となる。

［表示装置２００Ｇ］
　図２４に示す表示装置２００Ｇは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

　トランジスタ３２０Ａは、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。トランジスタ３２０Ｂは、画素回路を構成するトランジスタとして用いてもよいし、上記駆動回路を構成するトランジスタとして用いてもよい。また、トランジスタ３１０、トランジスタ３２０Ａ、及びトランジスタ３２０Ｂは、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　以下では、表示装置に適用可能なトランジスタ等の構成要素について説明する。

〔トランジスタ〕
　トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。

　なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。

　トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

　以下では、特に金属酸化物膜をチャネルが形成される半導体層に用いるトランジスタについて説明する。

　トランジスタに用いる半導体材料としては、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上である金属酸化物を用いることができる。代表的には、インジウムを含む金属酸化物などであり、例えば、後述するＣＡＣ−ＯＳなどを用いることができる。

　シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア濃度の小さい金属酸化物が用いられたトランジスタは、その小さいオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。

　半導体層は、例えばインジウム、亜鉛及びＭ（Ｍはアルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジムまたはハフニウム等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される膜とすることができる。

　半導体層を構成する金属酸化物がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。

　半導体層としては、キャリア濃度の低い金属酸化物膜を用いる。例えば、半導体層は、キャリア濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１５ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１３ｃｍ^−３以下、より好ましくは１×１０^１１ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１０ｃｍ^−３未満であり、１×１０^−９ｃｍ^−３以上のキャリア濃度の金属酸化物を用いることができる。そのような金属酸化物を、高純度真性または実質的に高純度真性な金属酸化物と呼ぶ。当該酸化物半導体は、欠陥準位密度が低く、安定な特性を有する金属酸化物であるといえる。

　なお、これらに限らず、必要とするトランジスタの半導体特性及び電気特性（電界効果移動度、しきい値電圧等）に応じて適切な組成の酸化物半導体を用いればよい。また、必要とするトランジスタの半導体特性を得るために、半導体層のキャリア濃度、不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。

　半導体層を構成する金属酸化物において、第１４族元素であるシリコンまたは炭素が含まれると、半導体層において酸素欠損が増加し、ｎ型化してしまう。このため、半導体層におけるシリコンまたは炭素の濃度（二次イオン質量分析法により得られる濃度）を、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

　また、アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、金属酸化物と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため半導体層における二次イオン質量分析法により得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

　また、半導体層を構成する金属酸化物に窒素が含まれていると、キャリアである電子が生じ、キャリア濃度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている金属酸化物を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため半導体層における二次イオン質量分析法により得られる窒素濃度は、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にすることが好ましい。

　酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及び非晶質酸化物半導体などがある。

　また、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層には、ＣＡＣ−ＯＳ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いてもよい。

　なお、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層は、上述した非単結晶酸化物半導体を好適に用いることができる。また、非単結晶酸化物半導体としては、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳ、またはＣＡＣ−ＯＳを好適に用いることができる。

　なお、半導体層がＣＡＡＣ−ＯＳの領域、多結晶酸化物半導体の領域、ｎｃ−ＯＳの領域、ＣＡＣ−ＯＳの領域、擬似非晶質酸化物半導体の領域、及び非晶質酸化物半導体の領域のうち、二種以上を有する混合膜であってもよい。混合膜は、例えば上述した領域のうち、いずれか二種以上の領域を含む単層構造、または積層構造を有する場合がある。

　また、半導体層に金属酸化物膜を有するトランジスタは低温ポリシリコンを用いたトランジスタとは異なり、レーザ結晶化工程が不要である。これのため、大面積基板を用いた表示装置であっても、製造コストを低減することが可能である。さらに、ウルトラハイビジョン（「４Ｋ解像度」、「４Ｋ２Ｋ」、「４Ｋ」）、スーパーハイビジョン（「８Ｋ解像度」、「８Ｋ４Ｋ」、「８Ｋ」）のよう高解像度であり、且つ大型の表示装置において、半導体層にＣＡＣ−ＯＳを有するトランジスタを駆動回路及び表示部に用いることで、短時間での書き込みが可能であり、表示不良を低減することが可能であり好ましい。

　または、トランジスタのチャネルが形成される半導体にシリコンを用いてもよい。シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に結晶性を有するシリコンを用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどを用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温で形成でき、且つアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備える。

〔導電層〕
　トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

〔絶縁層〕
　各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、シリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。

　また、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、装置の信頼性の低下を抑制できる。

　透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜、または窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

　例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下とする。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光素子について説明する。

　図２５Ａに示すように、発光素子は、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に、ＥＬ層７６３を有する。ＥＬ層７６３は、層７８０、発光層７７１、及び、層７９０などの複数の層で構成することができる。

　発光層７７１は、少なくとも発光物質（発光材料ともいう）を有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０は、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、及び、電子ブロック性の高い物質を含む層（電子ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０は、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）、及び、正孔ブロック性の高い物質を含む層（正孔ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０と層７９０は互いに上記と逆の構成になる。

　一対の電極間に設けられた層７８０、発光層７７１、及び層７９０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図２５Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

　また、図２５Ｂは、図２５Ａに示す発光素子が有するＥＬ層７６３の変形例である。具体的には、図２５Ｂに示す発光素子は、下部電極７６１上の層７８１と、層７８１上の層７８２と、層７８２上の発光層７７１と、発光層７７１上の層７９１と、層７９１上の層７９２と、層７９２上の上部電極７６２と、を有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８１を正孔注入層、層７８２を正孔輸送層、層７９１を電子輸送層、層７９２を電子注入層とすることができる。また、下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８１を電子注入層、層７８２を電子輸送層、層７９１を正孔輸送層、層７９２を正孔注入層とすることができる。このような層構造とすることで、発光層７７１に効率よくキャリアを注入し、発光層７７１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることができる。

　なお、図２５Ｃ及び図２５Ｄに示すように、層７８０と層７９０との間に複数の発光層（発光層７７１、発光層７７２、発光層７７３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。なお、図２５Ｃ及び図２５Ｄでは、発光層を３層有する例を示すが、シングル構造の発光素子における発光層は、２層であってもよく、４層以上であってもよい。また、シングル構造の発光素子は、２つの発光層の間に、バッファ層を有していてもよい。

　また、図２５Ｅ及び図２５Ｆに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５（中間層ともいう）を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光素子とすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、信頼性を高めることができる。

　なお、図２５Ｄ及び図２５Ｆは、表示装置が、発光素子と重なる層７６４を有する例である。図２５Ｄは、層７６４が、図２５Ｃに示す発光素子と重なる例であり、図２５Ｆは、層７６４が、図２５Ｅに示す発光素子と重なる例である。図２５Ｄ及び図２５Ｆでは、上部電極７６２側に光を取り出すため、上部電極７６２には、可視光を透過する導電膜を用いる。

　層７６４としては、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。

　例えば、シングル構造の発光素子が３層の発光層を有する場合、赤色（Ｒ）の光を発する発光物質を有する発光層、緑色（Ｇ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。発光層の積層順としては、陽極側から、Ｒ、Ｇ、Ｂ、または、陽極側からＲ、Ｂ、Ｇなどとすることができる。このとき、ＲとＧまたはＢとの間にバッファ層が設けられていてもよい。

　また、例えば、シングル構造の発光素子が２層の発光層を有する場合、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、黄色（Ｙ）の光を発する発光物質を有する発光層を有する構成が好ましい。当該構成をＢＹシングル構造と呼称する場合がある。

　白色の光を発する発光素子は、２種類以上の発光物質を含むことが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光素子の場合も同様である。

　なお、図２５Ｃ、図２５Ｄにおいても、図２５Ｂに示すように、層７８０と、層７９０とを、それぞれ独立に、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

　また、各色の光を呈する副画素に、図２５Ｅまたは図２５Ｆに示す構成の発光素子を用いる場合、副画素によって、異なる発光物質を用いてもよい。具体的には、赤色の光を呈する副画素が有する発光素子において、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ赤色の光を発する発光物質を用いてもよい。同様に、緑色の光を呈する副画素が有する発光素子において、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ緑色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素が有する発光素子において、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。このような構成の表示装置は、タンデム構造の発光素子が適用されており、かつ、ＳＢＳ構造であるといえる。そのため、タンデム構造のメリットと、ＳＢＳ構造のメリットの両方を併せ持つことができる。これにより、高輝度発光が可能であり、信頼性の高い発光素子を実現することができる。

　なお、図２５Ｅ及び図２５Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａが１層の発光層７７１を有し、発光ユニット７６３ｂが１層の発光層７７２を有する例を示すが、これに限られない。発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂは、それぞれ、２層以上の発光層を有していてもよい。

　また、図２５Ｅ及び図２５Ｆでは、発光ユニットを２つ有する発光素子を例示したが、これに限られない。発光素子は、発光ユニットを３つ以上有していてもよい。なお、発光ユニットを２つ有する構成を２段タンデム構造と、発光ユニットを３つ有する構成を３段タンデム構造と、それぞれ呼称してもよい。

　また、図２５Ｅ及び図２５Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａ、発光層７７１、及び、層７９０ａを有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂ、発光層７７２、及び、層７９０ｂを有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０ａ及び層７８０ｂは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、及び、電子ブロック層のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０ａ及び層７９０ｂは、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、及び、正孔ブロック層のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０ａと層７９０ａは互いに上記と逆の構成になり、層７８０ｂと層７９０ｂも互いに上記と逆の構成になる。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８０ａは、正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、電子輸送層を有し、さらに、発光層７７１と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、正孔輸送層を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、例えば、層７８０ａは、電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、正孔輸送層を有し、さらに、発光層７７１と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、電子輸送層を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。

　また、タンデム構造の発光素子を作製する場合、２つの発光ユニットは、電荷発生層７８５を介して積層される。電荷発生層７８５は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層７８５は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

　また、タンデム構造の発光素子の一例として、図２６Ａ乃至図２６Ｃに示す構成が挙げられる。

　図２６Ａは、発光ユニットを３つ有する構成である。図２６Ａでは、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）がそれぞれ電荷発生層７８５を介して、直列に接続されている。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２と、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。なお、層７８０ｃは、層７８０ａ及び層７８０ｂに適用可能な構成を用いることができ、層７９０ｃは、層７９０ａ及び層７９０ｂに適用可能な構成を用いることができる。

　図２６Ａにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３は、同じ色の光を発する発光物質を有すると好ましい。具体的には、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ赤色（Ｒ）の発光物質を有する構成（いわゆるＲ＼Ｒ＼Ｒの３段タンデム構造）、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ緑色（Ｇ）の発光物質を有する構成（いわゆるＧ＼Ｇ＼Ｇの３段タンデム構造）、または発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ青色（Ｂ）の発光物質を有する構成（いわゆるＢ＼Ｂ＼Ｂの３段タンデム構造）とすることができる。なお、「ａ＼ｂ」は、ａの光を発する発光物質を有する発光ユニット上に、電荷発生層を介して、ｂの光を発する発光物質を有する発光ユニットが設けられていることを意味し、ａ、ｂは、色を意味する。

　また、図２６Ａにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３のうち、一部または全てに異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３の発光色の組み合わせは、例えば、いずれか２つが青色（Ｂ）、残りの一つが黄色（Ｙ）の構成、並びに、いずれか一つが赤色（Ｒ）、他の一つが緑色（Ｇ）、残りの一つが青色（Ｂ）の構成が挙げられる。

　なお、それぞれ同じ色の光を発する発光物質としては、上記の構成に限定されない。例えば、図２６Ｂに示すように、複数の発光層を有する発光ユニットを積層したタンデム型の発光素子としてもよい。図２６Ｂは、２つの発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５を介して直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃと、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有する。

　図２６Ｂにおいては、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃについて、補色の関係となる発光物質を選択し、発光ユニット７６３ａを白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。また、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃについても、補色の関係となる発光物質を選択し、発光ユニット７６３ｂを白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。すなわち、図２６Ｂに示す構成は、Ｗ＼Ｗの２段タンデム構造である。なお、補色の関係となる発光物質の積層順については、特に限定はない。実施者が適宜最適な積層順を選択することができる。また、図示しないが、Ｗ＼Ｗ＼Ｗの３段タンデム構造、または４段以上のタンデム構造としてもよい。

　また、タンデム構造の発光素子を用いる場合、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＢ＼ＹまたはＹ＼Ｂの２段タンデム構造、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＲ・Ｇ＼ＢまたはＢ＼Ｒ・Ｇの２段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｙ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｇ＼Ｂの３段タンデム構造などが挙げられる。なお、「ａ・ｂ」は、１つの発光ユニットにａの光を発する発光物質とｂの光を発する発光物質とを有することを意味する。

　また、図２６Ｃに示すように、１つの発光層を有する発光ユニットと、複数の発光層を有する発光ユニットと、を組み合わせてもよい。

　具体的には、図２６Ｃに示す構成においては、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）がそれぞれ電荷発生層７８５を介して直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。

　例えば、図２６Ｃに示す構成において、発光ユニット７６３ａが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｂが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｃが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットである、Ｂ＼Ｒ・Ｇ・ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造などを適用することができる。

　例えば、発光ユニットの積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｂ、Ｙの２段構造、Ｂと発光ユニットＸとの２段構造、Ｂ、Ｙ、Ｂの３段構造、Ｂ、Ｘ、Ｂの３段構造が挙げられ、発光ユニットＸにおける発光層の積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｒ、Ｙの２層構造、Ｒ、Ｇの２層構造、Ｇ、Ｒの２層構造、Ｇ、Ｒ、Ｇの３層構造、または、Ｒ、Ｇ、Ｒの３層構造などとすることができる。また、２つの発光層の間に他の層が設けられていてもよい。

　次に、発光素子に用いることができる材料について説明する。

　下部電極７６１と上部電極７６２のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する発光素子を有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

　また、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と、ＥＬ層７６３との間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層７６３の発光は、当該反射層によって反射されて、表示装置から取り出されてもよい。

　発光素子の一対の電極を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。当該材料としては、具体的には、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、ネオジムなどの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金が挙げられる。また、当該材料としては、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、及びＩｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物などを挙げることができる。また、当該材料としては、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。その他、当該材料としては、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウム）、ユウロピウム、イッテルビウムなどの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等が挙げられる。

　発光素子には、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光素子が有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光素子がマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光素子から射出される光を強めることができる。

　透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光素子の透明電極には、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

　発光素子は少なくとも発光層を有する。また、発光素子は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子ブロック材料、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。例えば、発光素子は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１層以上を有する構成とすることができる。

　発光素子には低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光素子を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　発光層は、１種または複数種の発光物質を有する。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

　発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、及び量子ドット材料などが挙げられる。

　蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、及びナフタレン誘導体などが挙げられる。

　燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、及び希土類金属錯体等が挙げられる。

　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料）及び電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料）の一方または双方を用いることができる。正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。電子輸送性材料としては、後述の、電子輸送層に用いることができる電子輸送性の高い材料を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光素子の高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

　正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。

　アクセプター性材料としては、例えば、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、及び、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、フッ素を含む有機アクセプター性材料を用いることもできる。また、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、及び、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプター性材料を用いることもできる。

　例えば、正孔注入性の高い材料として、正孔輸送性材料と、上述の元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（代表的には酸化モリブデン）とを含む材料を用いてもよい。

　正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

　電子ブロック層は、発光層に接して設けられる。電子ブロック層は、正孔輸送性を有し、かつ、電子をブロックすることが可能な材料を含む層である。電子ブロック層には、上記正孔輸送性材料のうち、電子ブロック性を有する材料を用いることができる。

　電子ブロック層は、正孔輸送性を有するため、正孔輸送層と呼ぶこともできる。また、正孔輸送層のうち、電子ブロック性を有する層を、電子ブロック層と呼ぶこともできる。

　電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

　正孔ブロック層は、発光層に接して設けられる。正孔ブロック層は、電子輸送性を有し、かつ、正孔をブロックすることが可能な材料を含む層である。正孔ブロック層には、上記電子輸送性材料のうち、正孔ブロック性を有する材料を用いることができる。

　正孔ブロック層は、電子輸送性を有するため、電子輸送層と呼ぶこともできる。また、電子輸送層のうち、正孔ブロック性を有する層を、正孔ブロック層と呼ぶこともできる。

　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

　また、電子注入性の高い材料のＬＵＭＯ準位は、陰極に用いる材料の仕事関数の値との差が小さい（具体的には０．５ｅＶ以下）であることが好ましい。

　電子注入層には、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、Ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成が挙げられる。

　電子注入層は、電子輸送性材料を有していてもよい。例えば、非共有電子対を備え、π電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。

　なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

　電荷発生層は、上述の通り、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生領域は、アクセプター性材料を含むことが好ましく、例えば、上述の正孔注入層に適用可能な、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことが好ましい。

　また、電荷発生層は、電子注入性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子注入バッファ層と呼ぶこともできる。電子注入バッファ層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子注入バッファ層を設けることで、電荷発生領域と電子輸送層との間の注入障壁を緩和することができるため、電荷発生領域で生じた電子を電子輸送層に容易に注入することができる。

　電子注入バッファ層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むことが好ましく、例えば、アルカリ金属の化合物またはアルカリ土類金属の化合物を含む構成とすることができる。具体的には、電子注入バッファ層は、アルカリ金属と酸素とを含む無機化合物、または、アルカリ土類金属と酸素とを含む無機化合物を有することが好ましく、リチウムと酸素とを含む無機化合物（酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）など）を有することがより好ましい。その他、電子注入バッファ層には、上述の電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。

　電荷発生層は、電子輸送性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子リレー層と呼ぶこともできる。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層との間に設けられることが好ましい。電荷発生層が電子注入バッファ層を有さない場合、電子リレー層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層（または電子輸送層）との相互作用を防いで、電子をスムーズに受け渡す機能を有する。

　電子リレー層としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）などのフタロシアニン系の材料、または、金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

　なお、上述の電荷発生領域、電子注入バッファ層、及び電子リレー層は、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。

　なお、電荷発生層は、アクセプター性材料の代わりに、ドナー性材料を有していてもよい。例えば、電荷発生層としては、上述の電子注入層に適用可能な、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を有していてもよい。

　発光ユニットを積層する際、２つの発光ユニットの間に電荷発生層を設けることで、駆動電圧の上昇を抑制することができる。

（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。

　本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

　電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型若しくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用のモニタ、デジタルサイネージ、及びパチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び音響再生装置等が挙げられる。

　特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及びＭＲ向け機器等、頭部に装着可能なウェアラブル機器が挙げられる。

　本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方又は双方を有する表示装置を用いることで、携帯型又は家庭用途等のパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感等をより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、及び１６：１０等様々な画面比率に対応できる。

　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）を有してもよい。

　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、又はテキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付、若しくは時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、又は記録媒体に記録されているプログラム若しくはデータを読み出す機能等を有することができる。

　図２７Ａ乃至図２７Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、ＶＲのコンテンツを表示する機能、ＳＲのコンテンツを表示する機能、ＭＲのコンテンツを表示する機能のうち少なくとも一つを有する。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲ等のうち少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。

　図２７Ａに示す電子機器７００Ａ、及び図２７Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

　表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって、極めて高精細な電子機器とすることができる。

　電子機器７００Ａ、及び電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影できる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び電子機器７００Ｂは、それぞれＡＲ表示が可能な電子機器である。

　電子機器７００Ａ、及び電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサ等の加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

　通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により例えば映像信号を供給できる。なお、無線通信機に代えて、又は無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

　また、電子機器７００Ａ、及び電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方又は双方によって充電できる。

　筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作又はスライド操作等を検出し、様々な処理を実行できる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止又は再開等の処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送り又は早戻しの処理を実行すること等が可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。

　タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用できる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、又は光学方式等、種々の方式を採用できる。特に、静電容量方式又は光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

　光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光素子として、光電変換素子（光電変換デバイスともいう）を用いることができる。光電変換素子の活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方又は双方を用いることができる。

　図２７Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び図２７Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

　表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって、極めて高精細な電子機器とすることができる。

　表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

　電子機器８００Ａ、及び電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認できる。

　電子機器８００Ａ、及び電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。

　装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを頭部に装着できる。なお、例えば図２７Ｃにおいては、メガネのつる（ジョイント、又はテンプル等ともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型又はバンド型の形状としてもよい。

　撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力できる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、及び広角等の複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

　なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（検知部ともいう）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、又はライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）等の距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。

　電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有してもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一又は複数に、当該振動機構を有する構成を適用できる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、又はスピーカ等の音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。

　電子機器８００Ａ、及び電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有してもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続できる。

　本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有してもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信できる。例えば、図２７Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図２７Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。

　また、電子機器がイヤフォン部を有してもよい。図２７Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続される構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１又は装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

　同様に、図２７Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続される構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１又は装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有してもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定でき、収納が容易となり好ましい。

　なお、電子機器は、イヤフォン又はヘッドフォン等を接続できる音声出力端子を有してもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方又は双方を有してもよい。音声入力機構としては、例えば、マイク等の集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。

　このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び電子機器７００Ｂ等）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び電子機器８００Ｂ等）と、のどちらも好適である。

　また、本発明の一態様の電子機器は、有線又は無線によって、イヤフォンに情報を送信できる。

　図２８Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

　電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

　表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって、極めて高精細な電子機器とすることができる。

　図２８Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

　筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、及びバッテリ６５１８等が配置されている。

　保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

　表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された領域にＦＰＣ６５１５が接続される。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続される。

　表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用できる。このため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

　図２８Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって、極めて高精細な電子機器とすることができる。

　図２８Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。又は、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有してもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作できる。

　なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデム等を備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、或いは受信者同士等）の情報通信を行うことも可能である。

　図２８Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、及び外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

　図２８Ｅ及び図２８Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

　図２８Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、及びマイクロフォン等を有することができる。

　図２８Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

　図２８Ｅ及び図２８Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって、極めて高精細な電子機器とすることができる。

　表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

　表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像又は動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作でき、好ましい。また、路線情報若しくは交通情報等の情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

　また、図２８Ｅ及び図２８Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

　また、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

　図２９Ａ乃至図２９Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、及びマイクロフォン９００８等を有する。

　図２９Ａ乃至図２９Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、又はテキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付若しくは時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、又は記録媒体に記録されているプログラム若しくはデータを読み出して処理する機能等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有してもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画又は動画を撮影し、記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、及び撮影した画像を表示部に表示する機能等を有してもよい。

　図２９Ａ乃至図２９Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

　図２９Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、又はセンサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示できる。図２９Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話等の着信の通知、電子メール又はＳＮＳ等の題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、及び電波強度等がある。又は、情報９０５１が表示されている位置には例えばアイコン９０５０を表示してもよい。

　図２９Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、及び情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

　図２９Ｃは、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、及びコンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、及びスピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

　図２９Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

　図２９Ｅ乃至図２９Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２９Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２９Ｇは折り畳んだ状態、図２９Ｆは図２９Ｅと図２９Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００Ｅ：表示装置、１００Ｆ：表示装置、１００Ｇ：表示装置、１００Ｈ：表示装置、１００Ｉ：表示装置、１００Ｊ：表示装置、１０１：基板、１０５ａ：絶縁層、１０５ｂ：絶縁層、１０５ｃ：絶縁層、１０５：絶縁層、１１０ａ：副画素、１１０ｂ：副画素、１１０Ｂ：発光素子、１１０ｃ：副画素、１１０ｄ：副画素、１１０Ｇ：発光素子、１１０Ｒ：発光素子、１１０：発光素子、１１１Ｂ：画素電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１１：画素電極、１１２Ｂ：有機層、１１２Ｂｆ：有機層、１１２Ｇ：有機層、１１２Ｇｆ：有機層、１１２Ｒ：有機層、１１２Ｒｆ：有機層、１１２：有機層、１１３：共通電極、１１４：共通層、１１８ａ：絶縁層、１１８Ａ：絶縁膜、１１８ｂ：絶縁層、１１８Ｂ：絶縁膜、１１８ｃ：絶縁層、１１８Ｃ：絶縁膜、１１８：絶縁層、１２１：保護層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２６：樹脂層、１３１：プラグ、１３５：第１の発光ユニット、１３６：電荷発生層、１３７：第２の発光ユニット、１５０：画素、１５１：レジストマスク、１５２：レジストマスク、１７０：基板、１７１：接着層、１７３＿１ａ：溝、１７３＿１ｂ：溝、１７３＿２ａ：溝、１７３＿２ｂ：溝、１７３＿３ａ：溝、１７３＿３ｂ：溝、１７３＿ａ：溝、１７３＿ｂ：溝、１７３：溝、１７４＿１：溝、１７４＿２：溝、１７４＿３：溝、１７５＿１：溝、１７５＿２：溝、１７５＿３：溝、１７５：溝、２００Ａ：表示装置、２００Ｂ：表示装置、２００Ｃ：表示装置、２００Ｄ：表示装置、２００Ｅ：表示装置、２００Ｆ：表示装置、２００Ｇ：表示装置、２４０：容量、２４１：導電層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７５０：イヤフォン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７６１：下部電極、７６２：上部電極、７６３ａ：発光ユニット、７６３ｂ：発光ユニット、７６３ｃ：発光ユニット、７６３：ＥＬ層、７６４：層、７７１ａ：発光層、７７１ｂ：発光層、７７１ｃ：発光層、７７１：発光層、７７２ａ：発光層、７７２ｂ：発光層、７７２ｃ：発光層、７７２：発光層、７７３：発光層、７８０ａ：層、７８０ｂ：層、７８０ｃ：層、７８０：層、７８１：層、７８２：層、７８５：電荷発生層、７９０ａ：層、７９０ｂ：層、７９０ｃ：層、７９０：層、７９１：層、７９２：層、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims

　第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層上の、第１の発光素子および第２の発光素子と、
　第２の絶縁層と、
　第３の絶縁層と、
　樹脂層と、
　を有し、
　前記第１の発光素子は、第１の画素電極と、第１の有機層と、共通電極と、を有し、
　前記第２の発光素子は、第２の画素電極と、第２の有機層と、前記共通電極と、を有し、
　前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子とは、異なる色の光を呈し、
　前記第１の絶縁層は溝を有し、
　前記溝は、前記第１の画素電極と重なる領域と、前記第２の画素電極と重なる領域と、前記第１の画素電極および前記第２の画素電極と重ならない領域と、を有し、
　前記第２の絶縁層は、前記第１の有機層の上面の少なくとも一部と接する領域、前記第１の有機層の側面と接する領域、および、前記第１の画素電極の下方において前記第１の絶縁層と接する領域を有し、
　前記第３の絶縁層は、前記第２の有機層の上面の少なくとも一部と接する領域、前記第２の有機層の側面と接する領域、および、前記第２の画素電極の下方において前記第１の絶縁層と接する領域を有し、
　前記樹脂層は、前記第１の有機層と前記第２の有機層との間に位置する部分において、前記第１の絶縁層と接する領域を有し、
　前記共通電極は、前記樹脂層の上面を覆って設けられている、
　表示装置。
　請求項１において、
　前記第１の画素電極の端部と前記第２の画素電極の端部との最短距離は、前記第１の有機層の膜厚の２倍以上である、
　表示装置。
　請求項１または請求項２において、
　前記溝は、断面視において、下に凸の円弧状の形状を有する、
　表示装置。
　請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
　前記第２の絶縁層、および前記第３の絶縁層のそれぞれは、アルミニウムと、酸素と、を有する、
　表示装置。
　第１の画素電極、第１の有機層、および共通電極を含む第１の発光素子と、第２の画素電極、第２の有機層、および前記共通電極を含む第２の発光素子と、を有し、前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子とは、異なる色の光を呈する表示装置の作製方法であって、
　第１の絶縁層上に、前記第１の画素電極および前記第２の画素電極を形成し、
　等方性のエッチング法を用いて、前記第１の絶縁層に、前記第１の画素電極と重なる領域と、前記第２の画素電極と重なる領域と、前記第１の画素電極及び前記第２の画素電極と重ならない領域と、を有する溝を形成し、
　前記第１の画素電極上、及び前記第１の絶縁層上に、第１の発光性の化合物を含む膜を成膜することで、前記第１の画素電極上に前記第１の有機層が形成され、
　前記第１の有機層上に、第２の絶縁層を形成し、
　前記第２の画素電極上、及び前記第１の絶縁層上に、第２の発光性の化合物を含む膜を成膜することで、前記第２の画素電極上に前記第２の有機層が形成され、
　前記第２の有機層上に、第３の絶縁層を形成し、
　前記第１の絶縁層上、前記第２の絶縁層上、および前記第３の絶縁層上に、樹脂層を形成し、
　前記樹脂層の一部、前記第２の絶縁層の一部、及び前記第３の絶縁層の一部を除去することで、前記樹脂層および前記第２の絶縁層に、前記第１の有機層に達する第１の開口部を形成し、かつ、前記樹脂層および前記第３の絶縁層に、前記第２の有機層に達する第２の開口部を形成し、
　前記第１の開口部を介して第１の有機層と重畳し、かつ、前記第２の開口部を介して第２の有機層と重畳するように、前記共通電極を形成する、
　表示装置の作製方法。
　第１の画素電極、第１の有機層、および共通電極を含む第１の発光素子と、第２の画素電極、第２の有機層、および前記共通電極を含む第２の発光素子と、を有し、前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子とは、異なる色の光を呈する表示装置の作製方法であって、
　第１の絶縁層上に、前記第１の画素電極および前記第２の画素電極を形成し、
　等方性のエッチング法を用いて、前記第１の絶縁層に、前記第１の画素電極と重なる領域と、前記第２の画素電極と重なる領域と、前記第１の画素電極及び前記第２の画素電極と重ならない領域と、を有する溝を形成し、
　前記溝の一部、および前記第２の画素電極と重なる部分に、第１のレジストマスクを形成し、
　前記第１の画素電極上、前記第１の絶縁層上、および前記第１のレジストマスク上に、第１の発光性の化合物を含む膜を成膜することで、前記第１の画素電極上に前記第１の有機層が形成され、かつ、前記第１のレジストマスク上に第１の層が形成され、
　前記第１の有機層上に、第２の絶縁層を形成し、
　前記第１のレジストマスクと、前記第１の層と、を除去し、
　前記第２の絶縁層上に第２のレジストマスクを形成し、
　前記第２の画素電極上、前記第１の絶縁層上、および前記第２のレジストマスク上に、第２の発光性の化合物を含む膜を成膜することで、前記第２の画素電極上に前記第２の有機層が形成され、かつ、前記第２のレジストマスク上に第２の層が形成され、
　前記第２の有機層上に、第３の絶縁層を形成し、
　前記第２のレジストマスクと、前記第２の層と、を除去し、
　前記第１の絶縁層上、前記第２の絶縁層上、および前記第３の絶縁層上に、樹脂層を形成し、
　前記樹脂層の一部、前記第２の絶縁層の一部、及び前記第３の絶縁層の一部を除去することで、前記樹脂層および前記第２の絶縁層に、前記第１の有機層に達する第１の開口部を形成し、かつ、前記樹脂層および前記第３の絶縁層に、前記第２の有機層に達する第２の開口部を形成し、
　前記第１の開口部を介して第１の有機層と重畳し、かつ、前記第２の開口部を介して第２の有機層と重畳するように、前記共通電極を形成する、
　表示装置の作製方法。
　請求項５または請求項６において、
　前記第１の絶縁層は、無機材料を有する絶縁層であり、
　前記溝の形成には、ウェットエッチング処理を用いる、
　表示装置の作製方法。
　請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
　前記第２の絶縁層、および前記第３の絶縁層は、それぞれＡＬＤ法によって形成される、
　表示装置の作製方法。