WO2023073472A1 - 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法 - Google Patents

表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法 Download PDF

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Abstract

高精細な表示装置を提供する。 絶縁表面上に第１の発光デバイスと第２の発光デバイスを有する。第１の発光デバイスが有する第１の画素電極の側面には第１の側壁絶縁層が接し、第２の発光デバイスが有する第２の画素電極の側面には第２の側壁絶縁層が接する。第１の発光デバイスは、第１の色変換層を介して第１の着色層と重なる。第１の発光デバイスと第２の発光デバイスは共通電極を共有する。第１の発光デバイスが有する第１の層と、第２の発光デバイスが有する第２の層と、絶縁層の上面に位置し、かつ、第１の側壁絶縁層と第２の側壁絶縁層との間に位置する材料層と、は、いずれも同一の発光材料を有し、互いに離隔されている。

Description

表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法
本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ）、入出力装置（例えば、タッチパネル）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されている。例えば、大型の表示装置の用途としては、家庭用のテレビジョン装置（テレビまたはテレビジョン受信機ともいう）、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、及び、ＰＩＤ（Ｐｕｂｌｉｃ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。また、携帯情報端末として、タッチパネルを備えるスマートフォン及びタブレット端末などの開発が進められている。
また、表示装置の高精細化が求められている。高精細な表示装置が要求される機器として、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、及び、複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器が、盛んに開発されている。
表示装置としては、例えば、発光デバイス（発光素子ともいう）を有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと記す）現象を利用した発光デバイス（ＥＬデバイス、ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。
特許文献１には、有機ＥＬデバイス（有機ＥＬ素子ともいう）を用いた、ＶＲ向けの表示装置が開示されている。
国際公開第２０１８／０８７６２５号
本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、高解像度の表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。
本発明の一態様は、高精細な表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、高解像度の表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、第１の発光デバイス、第２の発光デバイス、絶縁層、第１の側壁絶縁層、第２の側壁絶縁層、第１の色変換層、及び、第１の着色層を有し、第１の発光デバイスは、絶縁層上の第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１の層と、第１の層上の共通電極と、を有し、第２の発光デバイスは、絶縁層上の第２の画素電極と、第２の画素電極上の第１の層と、第１の層上の共通電極と、を有し、第１の側壁絶縁層は、第１の画素電極の側面に接し、第２の側壁絶縁層は、第２の画素電極の側面に接し、第１の色変換層は、第１の発光デバイスと重なり、第１の着色層は、第１の色変換層を介して、第１の発光デバイスと重なり、第１の着色層は、青色よりも長波長の光を透過し、第１の層は、青色の光を発する第１の発光材料を有し、第１の層は、第１の側壁絶縁層と第２の側壁絶縁層との間に、絶縁層の上面に接する部分を有する、表示装置である。
また、本発明の一態様は、第１の発光デバイス、第２の発光デバイス、材料層、絶縁層、第１の側壁絶縁層、第２の側壁絶縁層、第１の色変換層、及び、第１の着色層を有し、第１の発光デバイスは、絶縁層上の第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１の層と、第１の層上の共通電極と、を有し、第２の発光デバイスは、絶縁層上の第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２の層と、第２の層上の共通電極と、を有し、第１の側壁絶縁層は、第１の画素電極の側面に接し、第２の側壁絶縁層は、第２の画素電極の側面に接し、材料層は、絶縁層の上面に接し、かつ、第１の側壁絶縁層と第２の側壁絶縁層との間に位置し、第１の色変換層は、第１の発光デバイスと重なり、第１の着色層は、第１の色変換層を介して、第１の発光デバイスと重なり、第１の着色層は、青色よりも長波長の光を透過し、第１の層は、青色の光を発する第１の発光材料を有し、第１の層、第２の層、及び材料層は、いずれも同一の発光材料を有し、かつ、互いに離隔されている、表示装置である。
上記のいずれかの表示装置は、さらに、第２の着色層を有することが好ましい。第２の着色層は、第２の発光デバイスと重なり、第２の着色層は、第１の着色層とは異なる色の光を透過することが好ましい。
第１の層は、さらに、青色よりも長波長の光を発する第２の発光材料を有することが好ましい。
材料層は、第１の側壁絶縁層の側面、及び、第２の側壁絶縁層の側面のうち、少なくとも一方に接することが好ましい。
第１の側壁絶縁層は、さらに、絶縁層の側面及び上面に接し、第２の側壁絶縁層は、さらに、絶縁層の側面及び上面に接することが好ましい。
第１の側壁絶縁層と第２の側壁絶縁層との最短距離は、１０μｍ未満であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましい。
第１の側壁絶縁層は、無機絶縁材料を有することが好ましい。
また、本発明の一態様は、上記のいずれかの構成の表示装置を有し、フレキシブルプリント回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ、以下、ＦＰＣと記す）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクタが取り付けられた表示モジュール、またはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式もしくはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により集積回路（ＩＣ）が実装された表示モジュール等の表示モジュールである。
また、本発明の一態様は、上記の表示モジュールと、筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する電子機器である。
本発明の一態様は、絶縁表面上に、導電膜を形成し、導電膜を加工することで、第１の画素電極と、第２の画素電極と、を形成し、第１の画素電極、及び、第２の画素電極を覆う、絶縁膜を形成し、絶縁膜を加工することで、第１の画素電極の側面に接する第１の側壁絶縁層と、第２の画素電極の側面に接する第２の側壁絶縁層と、を形成し、かつ、第１の画素電極の上面と、第２の画素電極の上面と、を露出させ、第１の画素電極の上面、第２の画素電極の上面、及び、絶縁表面に接する第１の層を形成し、第１の層に接する共通電極を形成し、共通電極上に、第１の画素電極と重なる第１の色変換層を配置し、第１の色変換層上に、第１の画素電極と重なる第１の着色層を配置し、第１の層は、青色の光を発する第１の発光材料を有する、表示装置の作製方法である。
また、本発明の一態様は、絶縁表面上に導電膜を形成し、導電膜を加工することで、第１の画素電極と、第２の画素電極と、を形成し、第１の画素電極、及び、第２の画素電極を覆う、絶縁膜を形成し、絶縁膜を加工することで、第１の画素電極の側面に接する第１の側壁絶縁層と、第２の画素電極の側面に接する第２の側壁絶縁層と、を形成し、かつ、第１の画素電極の上面と、第２の画素電極の上面と、を露出させ、第１の画素電極の上面に接する第１の層と、第２の画素電極の上面に接する第２の層と、絶縁表面に接する材料層と、を同一工程にて形成し、第１の層、及び、第２の層に接する共通電極を形成し、共通電極上に、第１の画素電極と重なる第１の色変換層を配置し、第１の色変換層上に、第１の画素電極と重なる第１の着色層を配置し、第１の層は、青色の光を発する第１の発光材料を有する、表示装置の作製方法である。共通電極は、材料層と接することが好ましい。
本発明の一態様により、高精細な表示装置を提供できる。本発明の一態様により、高解像度の表示装置を提供できる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置を提供できる。
本発明の一態様により、高精細な表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、高解像度の表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供できる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
図１Ａは、表示装置の一例を示す上面図である。図１Ｂ及び図１Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２Ａ乃至図２Ｄは、表示装置の一例を示す断面図である。
図３Ａ乃至図３Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図４Ａ乃至図４Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図５Ａ乃至図５Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図６Ａ及び図６Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図８Ａ乃至図８Ｅは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図９Ａ乃至図９Ｇは、画素の一例を示す図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｉは、画素の一例を示す図である。
図１１Ａ及び図１１Ｂは、表示装置の一例を示す斜視図である。
図１２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１３は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１４は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１５は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１６は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１７は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１８は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図１９Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図１９Ｂ及び図１９Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図２０Ａ乃至図２０Ｄは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２１Ａ乃至図２１Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図２２Ａ乃至図２２Ｃは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図２４Ａ乃至図２４Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図２５Ａ乃至図２５Ｇは、電子機器の一例を示す図である。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチングパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、及び、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、及び、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、及び、範囲などに限定されない。
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。
本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。
本明細書等において、正孔または電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層または電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層または電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層または電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つまたは３つの機能を兼ねる場合がある。
本明細書等において、発光デバイス（発光素子ともいう）は、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。ここで、ＥＬ層が有する層（機能層ともいう）としては、発光層、キャリア注入層（正孔注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）、及び、キャリアブロック層（正孔ブロック層及び電子ブロック層）などが挙げられる。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。
なお、本明細書等において、島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた２以上の層が、物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層とが、物理的に分離されている状態であることを示す。
なお、本明細書等において、段切れとは、層、膜、または電極が、被形成面の形状（例えば段差など）に起因して分断される現象を示す。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１乃至図７を用いて説明する。
本発明の一態様の表示装置は、同一の発光材料を有する複数の発光デバイスと、少なくとも一部の発光デバイスと重なる色変換層と、を有する。副画素によって、色変換層の有無、及び、用いる色変換層の種類を変えることで、表示装置ではフルカラー表示を行うことができる。
同一の発光材料を有する発光デバイスを用いる場合、発光デバイスに含まれる画素電極以外の層（例えば発光層）を、複数の副画素で共通にすることができる。そのため、複数の副画素が一続きの膜を共有することができる。しかしながら、発光デバイスに含まれる層には、導電性が比較的高い層もある。複数の副画素が、導電性が高い層を一続きの膜として共有することで、副画素間にリーク電流が発生する場合がある。特に、表示装置が高精細化または高開口率化され、副画素間の距離が小さくなると、当該リーク電流は無視できない大きさになり、表示装置の表示品位の低下などを引き起こす恐れがある。
そこで、本発明の一態様の表示装置では、複数の発光デバイスが共有するＥＬ層が局所的に薄い部分を有する、または、複数の発光デバイスがそれぞれ島状のＥＬ層を有する。ＥＬ層が膜厚の小さい部分（厚さが薄い部分ともいえる）を有する構成、または、ＥＬ層が発光デバイスごとに分離された構成とすることで、互いに隣接する副画素間のクロストークの発生を抑制することができる。これにより、表示装置において高い色再現性及び高いコントラストを実現でき、表示装置の高精細化と高い表示品位の両立を図ることができる。なお、本発明の一態様の表示装置では、一部の副画素において、ＥＬ層が島状に形成されていてもよく、このとき、他の複数の副画素では、ＥＬ層が一続きの層となっていてもよい。このとき、当該一続きの層は、局所的に薄い部分を有することが好ましい。
例えば、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、島状のＥＬ層を成膜することができる。しかし、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び、蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状のＥＬ層の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。また、蒸着の際に、層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがある。つまり、メタルマスクを用いて形成した島状のＥＬ層は場所によって厚さにばらつきが生じることがある。また、大型、高解像度、または高精細な表示装置を作製する場合、メタルマスクの寸法精度の低さ、及び、熱等による変形により、製造歩留まりが低くなる懸念がある。
そこで、本発明の一態様の表示装置を作製する際には、シャドーマスク（例えばメタルマスク）を用いることなく、島状のＥＬ層を形成する。
例えば、隣り合う画素電極の間で露出する絶縁層の上面の高さと、画素電極の上面の高さと、の差（隣り合う画素電極間の段差ともいえる）が大きいほど、ＥＬ層に局所的に薄い部分を形成すること、さらには、ＥＬ層を分断して、発光デバイスごとに島状のＥＬ層を形成することが容易となる。隣り合う画素電極間の段差を利用して、ＥＬ層を成膜する際に、自己整合的（セルフアラインともいう）に、ＥＬ層を部分的に薄膜化すること、または、ＥＬ層を分断することができる。つまり、工程を増やすことなく、クロストークの発生を抑制でき、色再現性及びコントラストの高い表示装置を実現できる。
なお、ＥＬ層が膜厚の小さい部分を有する構成、または、ＥＬ層が発光デバイスごとに分離された構成とすると、画素電極の露出した部分に共通電極が接するなどにより、発光デバイスがショートする恐れがある。
そのため、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、画素電極の側面に接して、側壁絶縁層（サイドウォール、側壁保護層、絶縁層などともいう）を設ける。これにより、画素電極と共通電極とが接することを抑制し、発光デバイスのショートを防止し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
このように、本発明の一態様の表示装置の作製方法で作製される島状のＥＬ層は、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、画素電極間の段差を利用して形成される。したがって、これまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。
隣り合う発光デバイスの間隔（最短距離ともいえる）について、例えばファインメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、本発明の一態様の表示装置の作製方法によれば、ガラス基板上のプロセスにおいて、例えば、隣り合う発光デバイスの間隔、隣り合うＥＬ層の間隔、隣り合う側壁絶縁層の間隔、または隣り合う画素電極の間隔を、１０μｍ未満、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１．５μｍ以下、１μｍ以下、または、０．５μｍ以下にまで狭めることができる。また、例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、Ｓｉ　Ｗａｆｅｒ上のプロセスにおいて、隣り合う発光デバイスの間隔、隣り合うＥＬ層の間隔、隣り合う側壁絶縁層の間隔、または隣り合う画素電極の間隔を、例えば、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで狭めることもできる。これにより、２つの発光デバイス間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、開口率を、４０％以上、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満とすることもできる。
なお、表示装置の開口率を高くすることで、表示装置の信頼性を向上させることができる。具体的には、開口率の向上に伴い、同じ表示を得るために必要な発光デバイスに流れる電流密度を低くすることができるため、表示装置の寿命を向上させることができる。
また、本発明の一態様の表示装置の精細度としては、例えば、１０００ｐｐｉ以上、好ましくは２０００ｐｐｉ以上、より好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下とすることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の断面構造について主に説明し、本発明の一態様の表示装置の作製方法については、実施の形態２で詳述する。
図１Ａに、表示装置１００の上面図を示す。表示装置１００は、複数の画素１１０が配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。表示部には、複数の副画素がマトリクス状に配置されている。図１Ａでは、２行６列分の副画素を示しており、これらによって２行２列の画素１１０が構成される。接続部１４０は、カソードコンタクト部と呼ぶこともできる。
図１Ａに示す副画素の上面形状は、発光領域の上面形状に相当する。本明細書等において、上面形状とは、平面視における形状、つまり、上から見た形状のことをいう。
なお、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、菱形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。
また、副画素を構成する回路レイアウトは、図１Ａに示す副画素の範囲に限定されず、回路の構成要素は、その外側に配置されていてもよい。つまり、図１Ａに示す副画素１１Ｒが有するトランジスタの一部または全てが副画素１１Ｒの範囲外に位置してもよい。副画素１１Ｒが有するトランジスタは、図１Ａに示す副画素１１Ｒの範囲内に位置してもよく、副画素１１Ｇの範囲内に位置してもよく、副画素１１Ｂの範囲内に位置してもよく、これらの範囲の複数にまたがって配置されていてもよい。
図１Ａでは、副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの開口率（サイズ、発光領域のサイズともいえる）を等しくまたは概略等しく示すが、本発明の一態様はこれに限定されない。副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの開口率は、それぞれ適宜決定することができる。副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの開口率は、それぞれ、異なっていてもよく、２つ以上が等しいまたは概略等しくてもよい。
図１Ａに示す画素１１０には、ストライプ配列が適用されている。図１Ａに示す画素１１０は、副画素１１Ｒ、副画素１１Ｇ、副画素１１Ｂの、３つの副画素から構成される。副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂは、それぞれ異なる色の光を呈する。副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂとしては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。また、副画素の種類は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４つの副画素、などが挙げられる。
本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する（図１Ａ参照）。図１Ａでは、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。
図１Ａでは、上面視で、接続部１４０が表示部の下側に位置する例を示すが、接続部１４０の位置は特に限定されない。接続部１４０は、上面視で、表示部の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。接続部１４０の上面形状としては、帯状、Ｌ字状、Ｕ字状、または枠状等とすることができる。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。
図１Ｂに、図１Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を示す。図１Ｃに、図１Ａにおける一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を示す。図２Ａに、図１Ｂに示す領域１５０Ａの拡大図を示す。図２Ｂ乃至図２Ｄに、領域１５０Ａの変形例である、領域１５０Ｂ乃至領域１５０Ｄを示す。
副画素１１Ｒは、発光デバイス１３０Ｒと、少なくとも青色の光を赤色の光に変換する色変換層１３５Ｒと、を有する。これにより、発光デバイス１３０Ｒの発光は、色変換層１３５Ｒを介して、表示装置の外部に赤色の光として取り出される。
副画素１１Ｒは、さらに、赤色の光を透過する着色層１３２Ｒを有することが好ましい。発光デバイス１３０Ｒが発する青色の光（及び緑色の光）の一部は、色変換層１３５Ｒで変換されずにそのまま透過してしまうことがある。色変換層１３５Ｒを透過した光を、着色層１３２Ｒを介して取り出すことで、赤色の光以外を着色層１３２Ｒで吸収し、副画素１１Ｒが呈する光の色純度を高めることができる。
副画素１１Ｇは、発光デバイス１３０Ｇと、青色の光を緑色の光に変換する色変換層１３５Ｇと、を有する。これにより、発光デバイス１３０Ｇの発光は、色変換層１３５Ｇを介して、表示装置の外部に緑色の光として取り出される。
副画素１１Ｇは、さらに、緑色の光を透過する着色層１３２Ｇを有することが好ましい。これにより、副画素１１Ｇが呈する光の色純度を高めることができる。
副画素１１Ｂは、青色の光を発する発光デバイス１３０Ｂを有する。発光デバイス１３０Ｂの発光は、表示装置の外部に青色の光として取り出される。
副画素１１Ｂは、さらに、青色の光を透過する着色層１３２Ｂを有することが好ましい。これにより、副画素１１Ｂが呈する光の色純度を高めることができる。
なお、副画素１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂは、それぞれ独立に、着色層を有する構成、または着色層を有さない構成とすることができる。
ここで、青色の光としては、例えば、発光スペクトルのピーク波長が４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満である光が挙げられる。また、緑色の光としては、例えば、発光スペクトルのピーク波長が４８０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満である光が挙げられる。また、赤色の光としては、例えば、発光スペクトルのピーク波長が５８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下である光が挙げられる。
色変換層としては、蛍光体及び量子ドット（ＱＤ：Ｑｕａｎｔｕｍ　ｄｏｔ）の一方または双方を用いることが好ましい。特に、量子ドットは、発光スペクトルのピーク幅が狭く、色純度のよい発光を得ることができる。これにより、表示装置の表示品位を高めることができる。
色変換層は、液滴吐出法（例えば、インクジェット法）、塗布法、インプリント法、各種印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷）等を用いて形成することができる。また、量子ドットフィルムなどの色変換フィルムを用いてもよい。
色変換層となる膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法を用いることが好ましい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、がある。例えば、フォトレジストに量子ドットを混合した材料を用いて薄膜を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いて当該薄膜を加工することで、島状の色変換層を形成することができる。
量子ドットを構成する材料としては、特に限定は無く、例えば、第１４族元素、第１５族元素、第１６族元素、複数の第１４族元素からなる化合物、第４族から第１４族に属する元素と第１６族元素との化合物、第２族元素と第１６族元素との化合物、第１３族元素と第１５族元素との化合物、第１３族元素と第１７族元素との化合物、第１４族元素と第１５族元素との化合物、第１１族元素と第１７族元素との化合物、酸化鉄類、酸化チタン類、カルコゲナイドスピネル類、各種半導体クラスターなどが挙げられる。
具体的には、セレン化カドミウム、硫化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化亜鉛、酸化亜鉛、硫化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化水銀、セレン化水銀、テルル化水銀、砒化インジウム、リン化インジウム、砒化ガリウム、リン化ガリウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、アンチモン化インジウム、アンチモン化ガリウム、リン化アルミニウム、砒化アルミニウム、アンチモン化アルミニウム、セレン化鉛、テルル化鉛、硫化鉛、セレン化インジウム、テルル化インジウム、硫化インジウム、セレン化ガリウム、硫化砒素、セレン化砒素、テルル化砒素、硫化アンチモン、セレン化アンチモン、テルル化アンチモン、硫化ビスマス、セレン化ビスマス、テルル化ビスマス、ケイ素、炭化ケイ素、ゲルマニウム、錫、セレン、テルル、ホウ素、炭素、リン、窒化ホウ素、リン化ホウ素、砒化ホウ素、窒化アルミニウム、硫化アルミニウム、硫化バリウム、セレン化バリウム、テルル化バリウム、硫化カルシウム、セレン化カルシウム、テルル化カルシウム、硫化ベリリウム、セレン化ベリリウム、テルル化ベリリウム、硫化マグネシウム、セレン化マグネシウム、硫化ゲルマニウム、セレン化ゲルマニウム、テルル化ゲルマニウム、硫化錫、セレン化錫、テルル化錫、酸化鉛、フッ化銅、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅、酸化銅、セレン化銅、酸化ニッケル、酸化コバルト、硫化コバルト、酸化鉄、硫化鉄、酸化マンガン、硫化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコニウム、窒化ケイ素、窒化ゲルマニウム、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、セレンと亜鉛とカドミウムの化合物、インジウムと砒素とリンの化合物、カドミウムとセレンと硫黄の化合物、カドミウムとセレンとテルルの化合物、インジウムとガリウムと砒素の化合物、インジウムとガリウムとセレンの化合物、インジウムとセレンと硫黄の化合物、銅とインジウムと硫黄の化合物、及びこれらの組み合わせなどが挙げられる。また、組成が任意の比率で表される、いわゆる合金型量子ドットを用いてもよい。
量子ドットの構造としては、コア型、コア−シェル型、コア−マルチシェル型などが挙げられる。また、量子ドットは、表面原子の割合が高いことから、反応性が高く、凝集が起こりやすい。そのため、量子ドットの表面には保護剤が付着しているまたは保護基が設けられていることが好ましい。当該保護剤が付着しているまたは保護基が設けられていることによって、凝集を防ぎ、溶媒への溶解性を高めることができる。また、反応性を低減させ、電気的安定性を向上させることも可能である。
量子ドットは、サイズが小さくなるに従いバンドギャップが大きくなるため、所望の波長の光が得られるように、そのサイズを適宜調整する。結晶のサイズが小さくなるにつれて、量子ドットの発光は青色側へ、つまり、高エネルギー側へシフトするため、量子ドットのサイズを変更させることにより、紫外領域、可視領域、赤外領域のスペクトルの波長領域にわたって、その発光波長を調整することができる。量子ドットのサイズ（直径）は、例えば、０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。量子ドットはそのサイズ分布が狭いほど、発光スペクトルがより狭線化し、色純度の良好な発光を得ることができる。また、量子ドットの形状は特に限定されず、球状、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。棒状の量子ドットである量子ロッドは、指向性を有する光を呈する機能を有する。
着色層は特定の波長域の光を選択的に透過し、他の波長域の光を吸収する有色層である。着色層１３２Ｒには、例えば、赤色の波長域の光を透過するカラーフィルタを用いることができる。着色層１３２Ｇとしては、例えば、緑色の波長域の光を透過するカラーフィルタを用いることができる。着色層１３２Ｂとしては、例えば、青色の波長域の光を透過するカラーフィルタを用いることができる。着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、または、顔料もしくは染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
図１Ｂに示すように、表示装置１００には、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層が設けられ、絶縁層上に発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂが設けられ、これらの発光デバイスを覆うように保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、発光デバイス１３０Ｒと重なる色変換層１３５Ｒと、色変換層１３５Ｒ上の着色層１３２Ｒと、発光デバイス１３０Ｇと重なる色変換層１３５Ｇと、色変換層１３５Ｇ上の着色層１３２Ｇと、発光デバイス１３０Ｂと重なる着色層１３２Ｂと、が設けられている。着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂ上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。
本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。本実施の形態では、トップエミッション型の表示装置を例に挙げて説明する。
トランジスタを含む層１０１には、例えば、基板に複数のトランジスタが設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。トランジスタ上の絶縁層は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。図１Ｂでは、トランジスタ上の絶縁層のうち、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ａ上の絶縁層２５５ｂ、及び、絶縁層２５５ｂ上の絶縁層２５５ｃを示している。なお、トランジスタ上の絶縁層（絶縁層２５５ａ乃至絶縁層２５５ｃ）も、トランジスタを含む層１０１の一部とみなしてもよい。
後述するが、絶縁層２５５ｃは、隣接する２つの発光デバイスの間に凹部を有することが好ましい。これにより、ＥＬ層を成膜する際、隣接する画素電極間に大きな段差が設けられている状態となり、ＥＬ層を発光デバイスごとに分離して形成することが容易となる。図１Ｂでは、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられている例を示す。また、絶縁層２５５ｃは、隣接する２つの発光デバイスの間に開口を有していてもよく、このとき、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられていてもよい。
絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂとしては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用いることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとして酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂとして窒化シリコン膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。
なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。
トランジスタを含む層１０１の構成例は、実施の形態４で後述する。
発光デバイスとしては、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。発光デバイスが有する発光物質としては、例えば、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）、及び、無機化合物（量子ドット材料等）が挙げられる。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。
発光デバイスの発光色は、赤外、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄、または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度を高めることができる。
発光デバイスが有する一対の電極のうち、光を取り出す側の電極には可視光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
発光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する場合がある。
発光デバイス１３０Ｒは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１Ｒと、画素電極１１１Ｒ上の島状のＥＬ層１１３と、ＥＬ層１１３上の共通電極１１５と、を有する。
発光デバイス１３０Ｇは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１Ｇと、画素電極１１１Ｇ上の島状のＥＬ層１１３と、ＥＬ層１１３上の共通電極１１５と、を有する。
発光デバイス１３０Ｂは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１Ｂと、画素電極１１１Ｂ上の島状のＥＬ層１１３と、ＥＬ層１１３上の共通電極１１５と、を有する。
発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂは、それぞれ独立に、島状のＥＬ層１１３を有する。これらＥＬ層１１３は、同一工程で形成されており、同一の構成である。そのため、これらＥＬ層１１３は、同一の発光材料を有するということができる。
ＥＬ層１１３は、例えば、白色の光を発する構成とすることができる。例えば、ＥＬ層１１３は、青色の光を発する第１の発光材料と、青色よりも長波長の光を発する第２の発光材料と、を有する。
発光デバイス１３０Ｒが白色の光を発する構成の場合、色変換層１３５Ｒは、青色の光及び緑色の光を赤色の光に変換し、かつ、赤色の光を透過することが好ましい。このような色変換層１３５Ｒを、発光デバイス１３０Ｒと重ねて設けることで、白色の光のうち、青色の光の成分、及び緑色の光の成分を、赤色の光の成分に変換して、表示装置の外部に取り出すことができる。したがって、色変換層１３５Ｒを設けない構成と比べて、赤色の光の取り出し効率を高めることができる。また、色変換層１３５Ｒは、赤色よりも短波長の光（例えば、青色から橙色までの光）を赤色の光に変換し、かつ、赤色の光を透過することが好ましい。
上述の通り、色変換層１３５Ｒを透過した光を、赤色の光を透過する着色層１３２Ｒを介して、表示装置の外部に取り出すことが好ましい。特に、図１Ｂに示すように、色変換層１３５Ｒの端部を覆うように着色層１３２Ｒが設けられていることが好ましい。これにより、例えば、色変換層１３５Ｒで色変換されず、色変換層１３５Ｒを透過した青色の光及び緑色の光を、着色層１３２Ｒで吸収することができる。これにより、副画素１１Ｒが呈する光の色純度を高めることができる。
同様に、発光デバイス１３０Ｇが白色の光を発する構成の場合、色変換層１３５Ｇは、青色の光を緑色の光に変換し、かつ、緑色の光を透過することが好ましい。このような色変換層１３５Ｇを、発光デバイス１３０Ｇと重ねて設けることで、白色の光のうち、青色の光の成分を、緑色の光の成分に変換し、表示装置の外部に取り出すことができる。したがって、色変換層１３５Ｇを設けない構成と比べて、緑色の光の取り出し効率を高めることができる。
また、色変換層１３５Ｇを透過した光を、緑色の光を透過する着色層１３２Ｇを介して、表示装置の外部に取り出すことが好ましい。これにより、副画素１１Ｇが呈する光の色純度を高めることができる。
また、発光デバイス１３０Ｂが白色の光を発する構成の場合、青色の光を透過する着色層１３２Ｂを、発光デバイス１３０Ｂと重ねて設けることが好ましい。これにより、白色の光のうち、青色の光の成分を表示装置の外部に取り出すことができる。
なお、マイクロキャビティ構造を適用することで、白色の光を発する構成のＥＬ層を有する発光デバイスでは、赤色、緑色、または青色などの特定の波長の光が強められて発光する場合もある。
例えば、ＥＬ層１１３に白色の光を発する構成を適用し、かつ、マイクロキャビティ構造を適用することで、発光デバイス１３０Ｒから赤色の発光を、発光デバイス１３０Ｇから緑色の発光を、発光デバイス１３０Ｂから青色の発光を、それぞれ得ることができる。
ここで、マイクロキャビティ構造を適用することで、正面方向では、所望の波長の光を強めて取り出すことができるが、斜め方向から取り出される光には、白色の光の成分が含まれてしまう。
そのため、マイクロキャビティ構造が適用された表示装置においても、色変換層１３５Ｒ、及び、色変換層１３５Ｇを設けると、所望の色の光取り出し効率を高めることができ、好ましい。また、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを設けることで、各副画素が呈する光の色純度を高めることができ、好ましい。
また、ＥＬ層１１３は、例えば、青色の光を発する構成とすることができる。例えば、ＥＬ層１１３は、青色の光を発する発光材料を有する。
発光デバイス１３０Ｒが青色の光を発する構成の場合、色変換層１３５Ｒは、青色の光を赤色の光に変換し、かつ、赤色の光を透過することが好ましい。このような色変換層１３５Ｒを、発光デバイス１３０Ｒと重ねて設けることで、ＥＬ層１１３が発する青色の光を、赤色の光に変換して、表示装置の外部に取り出すことができる。
同様に、発光デバイス１３０Ｇが青色の光を発する構成の場合、色変換層１３５Ｇは、青色の光を緑色の光に変換し、かつ、緑色の光を透過することが好ましい。このような色変換層１３５Ｇを、発光デバイス１３０Ｇと重ねて設けることで、ＥＬ層１１３が発する青色の光を、緑色の光に変換し、表示装置の外部に取り出すことができる。
つまり、ＥＬ層１１３として、青色の光を発する構成を適用しても、フルカラーの表示装置を実現することができる。
なお、ＥＬ層１１３が青色の光を発する構成の場合においても、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂをそれぞれ用いることで、各副画素が呈する光の色純度を高めることができ、好ましい。
また、ＥＬ層１１３が青色の光を発する構成の場合においても、マイクロキャビティ構造を適用し、発光デバイスが発する青色の光を強めてもよい。または、マイクロキャビティ構造を適用しなくてもよい。
また、ＥＬ層１１３は、青色よりも短波長の光を発する構成としてもよく、例えば、紫色の光、または紫外光を発する構成としてもよい。例えば、ＥＬ層１１３は、紫色の光、または紫外光を発する発光材料を有する。
ここで、青色よりも短波長の光としては、例えば、発光スペクトルのピーク波長が１００ｎｍ以上４００ｎｍ未満である光が挙げられる。
発光デバイス１３０Ｂが青色よりも短波長の光を発する構成の場合、発光デバイス１３０Ｂが発する光を青色の光に変換し、かつ、青色の光を透過する色変換層を、発光デバイス１３０Ｂと重ねて設けることが好ましい。また、着色層１３２Ｂは、当該色変換層を介して発光デバイス１３０Ｂと重なる位置に設けることが好ましい。
このように、青色の光を呈する副画素１１Ｂについても、色変換層を用いる構成、または、色変換層と着色層とを組み合わせて用いる構成を適用することができる。
なお、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇが青色よりも短波長の光を発する構成の場合、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇについても、青色よりも短波長の光を赤色または緑色の光に変換できることが好ましい。
本実施の形態の発光デバイスには、シングル構造（発光ユニットを１つだけ有する構造）を適用してもよく、タンデム構造（発光ユニットを複数有する構造）を適用してもよい。発光ユニットは、少なくとも１層の発光層を有する。
ＥＬ層１１３は、少なくとも発光層を有する。
白色の光を発するＥＬ層１１３には、例えば、青色の光を発する発光層と、青色よりも長波長の光を発する発光層と、を有する構成を適用できる。
青色の光を発するＥＬ層１１３には、例えば、青色の光を発する発光層を有する構成を適用できる。
また、タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、白色の光を発するＥＬ層１１３には、例えば、青色の光を発する発光ユニットと、青色よりも長波長の光を発する発光ユニットと、を有する構成を適用できる。各発光ユニットの間には、電荷発生層を設けることが好ましい。タンデム構造を適用することで、高輝度発光が可能な発光デバイスを実現できる。
また、タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、青色の光を発するＥＬ層１１３には、例えば、青色の光を発する発光ユニットを２つ以上有する構成を適用できる。当該ＥＬ層１１３は、さらに、青色よりも長波長の光を発する発光ユニット（例えば青緑色または緑色の光を発する発光ユニット）を有していてもよい。
また、ＥＬ層１１３は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。
例えば、ＥＬ層１１３は、陽極側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、電子注入層をこの順で有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。
また、例えば、ＥＬ層１１３は、第１の発光ユニットと、第１の発光ユニット上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光ユニットと、を有していてもよい。
発光デバイスの構成及び材料のより詳細な内容については、実施の形態５を参照することができる。
図１Ｂにおいて、各発光デバイスが有するＥＬ層１１３は、互いに離隔されている。ＥＬ層を発光デバイスごとに島状に設けることで、隣接する発光デバイス間のリーク電流を抑制することができる。これにより、クロストークに起因した意図しない発光を防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い表示装置を実現できる。
また、ＥＬ層１１３と同一の工程で形成され、同一の構成を有する材料層１１３ｓが絶縁層２５５ｃ上に位置する。材料層１１３ｓは、ＥＬ層１１３を構成する層を成膜する際に、ＥＬ層１１３とは分断され、絶縁層２５５ｃ上に独立して設けられた層である。
なお、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂのいずれかと、ＥＬ層１１３と、共通電極１１５と、が重なる領域は、発光領域ということができ、ＥＬ発光が得られる領域である。当該発光領域と、材料層１１３ｓが設けられた領域と、は、それぞれ、ＰＬ（Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光が得られる領域である。これらのことから、ＥＬ発光及びＰＬ発光を確認することで、発光領域と材料層１１３ｓが設けられた領域とを区別できるといえる。
画素電極１１１Ｒの側面、画素電極１１１Ｇの側面、及び、画素電極１１１Ｂの側面に接するように、それぞれ、側壁絶縁層１１４が設けられている。側壁絶縁層１１４が設けられていることで、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂのいずれかと共通電極１１５とが接することを抑制できる。したがって、発光デバイスのショートを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
側壁絶縁層１１４には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。酸化絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜が挙げられる。窒化絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜が挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、例えば、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜が挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、例えば、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜が挙げられる。
側壁絶縁層１１４は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。
側壁絶縁層１１４の成膜方法は特に限定されない。側壁絶縁層１１４は、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法、またはＡＬＤ法を用いて形成することができる。特に、それぞれＡＬＤ法よりも成膜速度が速い、スパッタリング法、ＣＶＤ法、またはＰＥＣＶＤ法を用いることで、絶縁性の確保に十分な厚さの側壁絶縁層１１４を生産性高く作製できるため、好ましい。
例えば、側壁絶縁層１１４として、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、または、窒化酸化シリコン膜を用いることが好ましい。これにより、信頼性の高い表示装置を生産性高く作製することができる。
また、側壁絶縁層１１４として、ＡＬＤ法を用いて酸化アルミニウム膜を形成してもよい。ＡＬＤ法を用いることで、高い被覆性で側壁絶縁層１１４を形成することができる。
図１Ｂにおいて、画素電極１１１ＲとＥＬ層１１３との間には、画素電極１１１Ｒの上面端部を覆う絶縁層（隔壁、バンク、スペーサなどともいう）が設けられていない。また、画素電極１１１ＧとＥＬ層１１３との間には、画素電極１１１Ｇの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。また、当該絶縁層を形成するためのマスクも不要となり、表示装置の製造コストを削減することができる。
また、画素電極とＥＬ層との間に、画素電極の上面の一部（上面の端部ともいえる）を覆う絶縁層を設けない構成、別言すると、画素電極とＥＬ層との間に絶縁層が設けられない構成とすることで、ＥＬ層からの発光を効率よく取り出すことができる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、視野角依存性を極めて小さくすることができる。視野角依存性を小さくすることで、表示装置における画像の視認性を高めることができる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、視野角（斜め方向から画面を見たときの、一定のコントラスト比が維持される最大の角度）を１００°以上１８０°未満、好ましくは１５０°以上１７０°以下の範囲とすることができる。なお、上記の視野角については、上下、及び左右のそれぞれに適用することができる。
図１Ｂにおいて、ＥＬ層１１３は、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂそれぞれの上面全体を覆うように形成されている。このような構成とすることで、画素電極の上面全体を発光領域とすることも可能となる。また、画素電極の上面の一部を覆う絶縁層が設けられた構成に比べて、開口率を高めることが容易となる。
また、共通電極１１５は、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂで共有されている。複数の発光デバイスが共通して有する共通電極１１５は、接続部１４０に設けられた導電層１２３と電気的に接続される（図１Ｃ参照）。導電層１２３には、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂと同じ材料及び同じ工程で形成された導電層を用いることが好ましい。
なお、図１Ｃでは、導電層１２３と共通電極１１５とが直接、接続されている。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いることで、ＥＬ層１１３と、共通電極１１５とで成膜される領域を変えることができ、導電層１２３と共通電極１１５とを直接、接続することができる。
図１Ｂ及び図２Ａに示す領域１５０Ａでは、画素電極１１１Ｇ上に島状のＥＬ層１１３が設けられ、画素電極１１１Ｂ上に島状のＥＬ層１１３が設けられ、絶縁層２５５ｃ上に材料層１１３ｓが設けられている。画素電極１１１Ｇ上のＥＬ層１１３と、画素電極１１１Ｂ上のＥＬ層１１３と、材料層１１３ｓと、は、それぞれ離隔されている。
このように、ＥＬ層が発光デバイスごとに分離された構成とすることで、互いに隣接する副画素間のクロストークの発生を抑制することができる。
ここで、ＥＬ層１１３を成膜する際に、自己整合的に、ＥＬ層１１３を部分的に薄膜化する、または、ＥＬ層１１３を分断するために好ましい側壁絶縁層１１４の構成について説明する。
図２Ａに示す側壁絶縁層１１４の高さＴ１は、ＥＬ層１１３の厚さの０．５倍以上が好ましく、０．８倍以上がより好ましく、１倍以上がさらに好ましく、１．５倍以上とすることがさらに好ましい。
側壁絶縁層１１４の高さＴ１としては、側壁絶縁層１１４における基板面に対する垂直方向の厚さを用いることが好ましい。なお、図２Ａにおいて、側壁絶縁層１１４の高さＴ１は、画素電極の厚さと、絶縁層２５５ｃに設けられた凹部の深さと、の和ということもできる。
ＥＬ層１１３の厚さとしては、図２Ａに示すように、画素電極の上面と重なる領域におけるＥＬ層１１３の厚さＴ２を用いることが好ましい。
また、側壁絶縁層１１４の高さＴ１が高すぎると、共通電極１１５も部分的に薄膜化する、または分断される恐れがある。したがって、側壁絶縁層１１４の高さＴ１は、ＥＬ層１１３の厚さの３倍以下が好ましく、２倍以下がより好ましい。
また、実施の形態２でも後述するが、共通電極１１５の形成時は、成膜源と基板との距離を小さくすることが好ましい。これにより、被形成面に対する共通電極１１５の被覆性を高めることができる。
以上により、共通電極１１５に、分断された箇所、及び局所的に膜厚が小さい箇所が形成されることを防ぐことができる。よって、各発光デバイス間の共通電極１１５において、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が小さい箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、本発明の一態様に係る表示装置は、表示品位を向上させることができる。
また、側壁絶縁層１１４のＥＬ層１１３と接する面の少なくとも一部（例えば、側面）と、基板面と、のなす角は、垂直または概略垂直であることが好ましい。当該角は、側壁絶縁層１１４における、ＥＬ層１１３と接する面の一部（例えば、側面）と底面とのなす角ということもできる。当該角は、６０°以上が好ましく、８０°以上がより好ましく、８５°以上がさらに好ましく、また、１４０°以下が好ましく、１１０°以下がより好ましく、１００°以下がより好ましく、９５°以下がさらに好ましい。
また、当該角を上記数値範囲にするため、画素電極の側面と基板面とのなす角も、垂直または概略垂直とすることが好ましい。画素電極の側面と基板面とのなす角は、６０°以上が好ましく、８０°以上がより好ましく、８５°以上がさらに好ましく、また、１４０°以下が好ましく、１１０°以下がより好ましく、１００°以下がより好ましく、９５°以下がさらに好ましい。
図２Ｂに示す領域１５０Ｂ及び図２Ｃに示す領域１５０Ｃは、画素電極１１１Ｇ、側壁絶縁層１１４、絶縁層２５５ｃ、及び画素電極１１１Ｂを覆うように、ＥＬ層１１３が設けられている例である。
図２Ｂに示す領域１１３ｔは、ＥＬ層１１３における、他の部分よりも厚さが薄い部分である。
なお、領域１１３ｔの厚さは、基板面などのある基準面に対する垂直方向の厚さではなく、被形成面に対する法線方向の厚さをいう。そのため、被形成面に凹凸がある場合には、厚さを規定する向きは場所によって異なる。例えば、領域１１３ｔにおけるＥＬ層１１３の厚さは、側壁絶縁層１１４の側面に対する法線方向の厚さということができる。
このように、ＥＬ層１１３が部分的に薄膜化された構成であっても、互いに隣接する副画素間のクロストークの発生を抑制することができる。
図２Ｃに示す領域１５０Ｃは、絶縁層２５５ｃが、隣接する２つの発光デバイスの間に凹部を有していない点で、領域１５０Ｂの構成と異なる。
また、図２Ｄに示す領域１５０Ｄは、絶縁層２５５ｃが、隣接する２つの発光デバイスの間に浅い凹部と深い凹部の２つを有する例である。
絶縁層２５５ｃには、画素電極となる導電膜の加工の際に、凹部が形成されることがある。さらに、絶縁層２５５ｃには、側壁絶縁層１１４となる絶縁膜の加工の際にも、凹部が形成されることがある。これにより、浅い凹部と深い凹部が設けられる。図２Ｄにおいて、浅い凹部上には側壁絶縁層１１４が接しており、深い凹部上には材料層１１３ｓが接している。
なお、図２Ｄに示す、絶縁層２５５ｃの深い凹部の表面と、側壁絶縁層１１４の底面との間の距離Ｔ０も、ＥＬ層１１３を部分的に薄膜化する、または、ＥＬ層１１３を分断することに影響を与えるパラメータである。
上記と同様の理由から、例えば、当該距離Ｔ０と側壁絶縁層１１４の高さＴ１との和は、ＥＬ層１１３の厚さの０．５倍以上が好ましく、０．８倍以上がより好ましく、１倍以上がさらに好ましく、１．５倍以上とすることがさらに好ましい。また、当該距離Ｔ０と側壁絶縁層１１４の高さＴ１との和は、ＥＬ層１１３の厚さの３倍以下が好ましく、２倍以下がより好ましい。
なお、図２Ｄにおいて、当該距離Ｔ０と側壁絶縁層１１４の高さＴ１の和は、画素電極の厚さと、絶縁層２５５ｃに設けられた凹部の深さと、の和ということもできる。
以上のように、本発明の一態様の表示装置では、画素電極の側面に接して側壁絶縁層１１４を設けることで、画素電極と共通電極１１５とが接することを抑制し、発光デバイスのショートを防止できる。また、側壁絶縁層１１４の高さ及び形状を、ＥＬ層１１３を部分的に薄膜化する、または、ＥＬ層１１３を分断するために好ましい構成とすることで、互いに隣接する副画素間のクロストークの発生を抑制できる。さらに、側壁絶縁層１１４の高さを、共通電極１１５の分断及び薄膜化を抑制するために好ましい構成とすることで、発光デバイスにおける接続不良、及び電気抵抗の上昇を抑制できる。
本発明の一態様の表示装置は、ＥＬ層１１３を意図的に段切れさせ、かつ、共通電極１１５は段切れしないように構成されている、ということもできる。
発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上に保護層１３１を有することが好ましい。保護層１３１を設けることで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。保護層１３１は単層構造でもよく、２層以上の積層構造であってもよい。
保護層１３１の導電性は問わない。保護層１３１としては、絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜の少なくとも一種を用いることができる。
保護層１３１が無機膜を有することで、共通電極１１５の酸化を防止する、発光デバイスに不純物（水分及び酸素等）が入り込むことを抑制する、等、発光デバイスの劣化を抑制し、表示装置の信頼性を高めることができる。
保護層１３１には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。これらの無機絶縁膜の具体例は、側壁絶縁層１１４の説明で挙げた通りである。特に、保護層１３１は、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を有することが好ましく、窒化絶縁膜を有することがより好ましい。
また、保護層１３１には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう）等を含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。
発光デバイスの発光を、保護層１３１を介して取り出す場合、保護層１３１は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。
保護層１３１としては、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、または、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造等を用いることができる。当該積層構造を用いることで、不純物（水及び酸素等）がＥＬ層側に入り込むことを抑制できる。
保護層１３１は、異なる成膜方法を用いて形成された２層構造であってもよい。具体的には、ＡＬＤ法を用いて保護層１３１の第１層目を形成し、スパッタリング法を用いて保護層１３１の第２層目を形成してもよい。
保護層１３１は、有機膜を有していてもよい。例えば、保護層１３１は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。
保護層１３１に用いることができる有機材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、保護層１３１として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いてもよい。
図１Ｂ等に示すように、保護層１３１上に、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇ、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂなどを直接形成する場合には、保護層１３１に、平坦化機能を有する層を用いることが好ましい。保護層１３１に、有機膜を用いることで、保護層１３１の表面の平坦性を高めることができ、好ましい。
基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層を設けてもよい。また、基板１２０の外側（樹脂層１２２側とは反対の面）には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等の表面保護層を配置してもよい。例えば、表面保護層として、ガラス層またはシリカ層（ＳｉＯｘ層）を設けることで、表面汚染及び傷の発生を抑制することができ、好ましい。また、表面保護層としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、ポリエステル系材料、またはポリカーボネート系材料などを用いてもよい。なお、表面保護層には、可視光に対する透過率が高い材料を用いることが好ましい。また、表面保護層には、硬度が高い材料を用いることが好ましい。
基板１２０には、ガラス、石英、セラミックス、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１２０に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。
基板１２０としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。
なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。
光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。
光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。
また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示装置にしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。
樹脂層１２２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、例えば、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金が挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。
また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層、及び、発光デバイスが有する導電層（画素電極または対向電極として機能する導電層）にも用いることができる。
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。
なお、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂの厚さはそれぞれ異なっていてもよい。または、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ上に、それぞれ厚さの異なる光学調整層を設けてもよい。
図３Ａに図１Ｂの変形例を示す。図３Ｂ及び図３Ｃは、図３Ａに示す領域１５０Ｅ及び領域１５０Ｆの拡大図である。
図３Ａでは、画素電極１１１Ｒ上に光学調整層１１６Ｒが設けられ、画素電極１１１Ｇ上に光学調整層１１６Ｇが設けられ、画素電極１１１Ｂ上に光学調整層１１６Ｂが設けられている。
図３Ａでは、光学調整層１１６Ｒの厚さが、光学調整層１１６Ｇの厚さよりも厚く、光学調整層１１６Ｇの厚さが、光学調整層１１６Ｂの厚さよりも厚い例を示す。
例えば、ＥＬ層１１３が白色の光を発する構成の場合、各光学調整層の膜厚は、赤色の光を強めるように光学調整層１１６Ｒの膜厚を設定し、緑色の光を強めるように光学調整層１１６Ｇの膜厚を設定し、青色の光を強めるように光学調整層１１６Ｂの膜厚を設定することが好ましい。これにより、マイクロキャビティ構造を実現し、各発光デバイスが発する光の色純度を高めることができる。
光学調整層は、発光デバイスの電極として用いることができる導電材料のうち、可視光に対する透過性を有する導電材料を用いて形成することが好ましい。
図３Ａ及び図３Ｂに示す領域１５０Ｅでは、画素電極１１１Ｒ上に島状のＥＬ層１１３が設けられ、画素電極１１１Ｇ上に島状のＥＬ層１１３が設けられ、絶縁層２５５ｃ上に材料層１１３ｓが設けられている。画素電極１１１Ｒ上のＥＬ層１１３と、画素電極１１１Ｇ上のＥＬ層１１３と、材料層１１３ｓと、は、それぞれ離隔されている。
図３Ａ及び図３Ｃに示す領域１５０Ｆでは、画素電極１１１Ｇ上に島状のＥＬ層１１３が設けられ、絶縁層２５５ｃ、側壁絶縁層１１４、及び、画素電極１１１Ｂを覆うように、島状のＥＬ層１１３が設けられている。画素電極１１１Ｇ上のＥＬ層１１３と、絶縁層２５５ｃ、側壁絶縁層１１４、及び、画素電極１１１Ｂを覆うＥＬ層１１３と、は、互いに離隔されている。
光学調整層の厚さが副画素によって異なることで、側壁絶縁層１１４の高さも副画素によって異なる場合がある。図３Ｂ及び図３Ｃでは、画素電極１１１Ｒの側面を覆う側壁絶縁層１１４の高さＴ３は、画素電極１１１Ｇの側面を覆う側壁絶縁層１１４の高さＴ４、画素電極１１１Ｂの側面を覆う側壁絶縁層１１４の高さＴ５よりも大きく、画素電極１１１Ｇの側面を覆う側壁絶縁層１１４の高さＴ４は、画素電極１１１Ｂの側面を覆う側壁絶縁層１１４の高さＴ５よりも大きい。
図３Ｃに示すように、高さＴ５の値によっては、ＥＬ層１１３が、画素電極１１１Ｂの側面を覆う側壁絶縁層１１４によって分断されず、１つの島状のＥＬ層１１３が、絶縁層２５５ｃ上に位置する部分と、側壁絶縁層１１４を覆う部分と、画素電極１１１Ｂの上面を覆う部分と、を有することがある。しかし、図３Ｃでは、ＥＬ層１１３が、画素電極１１１Ｇの側面を覆う側壁絶縁層１１４によって分断されている。つまり、隣接する発光デバイスとの間では、島状のＥＬ層がそれぞれ独立に設けられているため、隣接する副画素間のクロストークの発生を抑制することができる。
なお、高さＴ４の値によっては、画素電極１１１Ｇの側面を覆う側壁絶縁層１１４によってＥＬ層１１３が分断されないことがある。つまり、１つの島状のＥＬ層１１３が、絶縁層２５５ｃ、側壁絶縁層１１４、画素電極１１１Ｇの上面、及び、画素電極１１１Ｂの上面を覆うこともある。この場合においても、側壁絶縁層１１４を覆う部分は、他の部分よりも薄膜化されているため、隣接する副画素間のクロストークの発生を抑制することができる。
このように、一部の発光デバイスにおいて、ＥＬ層１１３が島状に形成され、かつ、他の複数の発光デバイスにおいて、ＥＬ層１１３が一続きの層となっている構成も、本発明の一態様である。例えば、本発明の一態様の表示装置は、図２Ａに示す領域１５０Ａと、図２Ｂに示す領域１５０Ｂと、の双方を有する構成であってもよい。
図１Ｂ及び図３Ａでは、発光デバイス上に、保護層１３１を介して、直接、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇ、及び、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを設ける例を示す。このような構成とすることで、発光デバイスと、色変換層または着色層との位置合わせの精度を高めることができる。また、発光デバイスと色変換層の位置を近づけることで、色変換されずに漏れ出る光を抑制でき、好ましい。また、発光デバイスと着色層の位置を近づけることで、混色の抑制及び視野角特性の向上を図ることができ、好ましい。
図４乃至図７に、図１Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を示す。
図４Ａに示す構成は、着色層１３２Ｂを有していない点で、図１Ｂに示す構成と異なる。例えば、ＥＬ層１１３に、青色の光を発する構成を適用する場合、図４Ａに示すように、着色層１３２Ｂを設けない構成としてもよい。発光デバイス１３０Ｂが発した青色の光は、保護層１３１、樹脂層１２２、及び基板１２０を介して、表示装置の外部に取り出される。
図４Ｂに示すように、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇ、及び、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを設けた基板１２０を、樹脂層１２２により、保護層１３１に貼り合わせてもよい。基板１２０に、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇ、及び、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを設けることで、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇ、及び、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂの形成工程における加熱処理の温度を高めることができる。
基板１２０には、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが設けられ、着色層１３２Ｒと重なる位置に、色変換層１３５Ｒが設けられ、着色層１３２Ｇと重なる位置に、色変換層１３５Ｇが設けられている。
また、図４Ｃに示すように、発光デバイス上に、保護層１３１を介して、直接、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇを設け、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを設けた基板１２０を、樹脂層１２２により、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇ、及び、保護層１３１に貼り合わせてもよい。
このように、発光デバイス、色変換層、及び着色層の配置は、発光デバイスと着色層との間に色変換層が位置する様々な構成から適宜選択することができる。
また、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、色変換層と着色層との間に空隙１３７が存在してもよい。色変換層と着色層との間に空隙１３７を有する構造を、エアギャップ構造ということもできる。
図５Ａに示す構成では、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇの端部を覆う絶縁層１３６が設けられており、絶縁層１３６には、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇの上面に達する開口が設けられている。また、基板１２０には、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを介して絶縁層１３８が設けられている。絶縁層１３６と絶縁層１３８が接するように基板１２０を貼り合わせることで、絶縁層１３６の開口に相当する部分が、空隙１３７となる。
上述の通り、発光デバイスが発する光の一部は、色変換層で変換されずにそのまま透過してしまうことがある。色変換層の屈折率は、空隙１３７の屈折率よりも大きいため、色変換層から射出される光の一部は、空隙１３７で反射され、色変換層に戻ることができる。この反射光を色変換層で変換し、再び取り出すことで、光取り出し効率を高めることができる。
また、空隙１３７の代わりに、図５Ｃに示すように、色変換層と着色層との間に低屈折率材料層１３９を設けてもよい。
低屈折率材料層１３９は、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇよりも低屈折率である材料を用いて形成することが好ましい。また、低屈折率材料層１３９は、樹脂層１２２よりも低屈折率である材料を用いて形成することが好ましい。
低屈折率材料層１３９には、無機絶縁材料及び有機絶縁材料の一方または双方を用いることができる。低屈折率材料層１３９は、例えば、保護層１３１に用いることができる材料、及び、樹脂層１２２に用いることができる材料を用いて形成することができる。
絶縁層１３６及び絶縁層１３８は、それぞれ、オーバーコート層と呼ぶこともできる。絶縁層１３６、１３８には、例えば、保護層１３１に用いることができる有機材料を用いることができる。これにより、絶縁層１３６及び絶縁層１３８の表面の平坦性を高めることができ、好ましい。
図６Ａ、図６Ｂ、及び図７Ａ、図７Ｂに示すように、表示装置にはレンズアレイ１３３を設けてもよい。レンズアレイ１３３は、発光デバイスに重ねて設けることができる。
図６Ａに示す構成は、図１Ｂに示す構成と同様に、保護層１３１上には、発光デバイス１３０Ｒと重なる色変換層１３５Ｒと、色変換層１３５Ｒ上の着色層１３２Ｒと、発光デバイス１３０Ｇと重なる色変換層１３５Ｇと、色変換層１３５Ｇ上の着色層１３２Ｇと、発光デバイス１３０Ｂと重なる着色層１３２Ｂと、が設けられている。図６Ａでは、さらに、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを覆う絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４上にレンズアレイ１３３を設ける例を示す。発光デバイスを形成した基板に、直接、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇ、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂ、及び、レンズアレイ１３３を形成することで、発光デバイスと、色変換層、着色層、またはレンズアレイと、の位置合わせの精度を高めることができる。
絶縁層１３４には無機絶縁膜及び有機絶縁膜の一方または双方を用いることができる。絶縁層１３４は、単層構造であっても積層構造であってもよい。絶縁層１３４としては、例えば、保護層１３１に用いることができる材料を適用できる。絶縁層１３４は、平坦化機能を有することが好ましい。発光デバイスの発光は、絶縁層１３４を介して取り出されるため、絶縁層１３４は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。
図６Ａでは、発光デバイスの発光は、（色変換層及び）着色層を透過した後、レンズアレイ１３３を透過して、表示装置の外部に取り出される。発光デバイスと着色層の位置を近づけることで、混色の抑制及び視野角特性の向上を図ることができ、好ましい。なお、発光デバイス上にレンズアレイ１３３を設け、レンズアレイ１３３上に着色層を設けてもよい。
図６Ｂは、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂ、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇ、及び、レンズアレイ１３３が設けられた基板１２０が、樹脂層１２２によって保護層１３１上に貼り合わされている例である。基板１２０に、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂ、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇ、及び、レンズアレイ１３３を設けることで、これらの形成工程における加熱処理の温度を高めることができる。
図６Ｂでは、基板１２０に接して着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを設け、着色層１３２Ｒに接して色変換層１３５Ｒを設け、着色層１３２Ｇに接して色変換層１３５Ｇを設け、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇ、及び着色層１３２Ｂに接して絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４に接してレンズアレイ１３３を設ける例を示す。
図６Ｂでは、発光デバイスの発光は、レンズアレイ１３３を透過した後、（色変換層及び）着色層を透過して、表示装置の外部に取り出される。
なお、基板１２０に接してレンズアレイ１３３を設け、レンズアレイ１３３に接して絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４に接して着色層、さらには色変換層を設けてもよい。この場合、発光デバイスの発光は、（色変換層及び）着色層を透過した後、レンズアレイ１３３を透過して、表示装置の外部に取り出される。
また、図６Ｂにおいて、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇを、基板１２０に形成せず、保護層１３１上に接して形成してもよい。
図７Ａ及び図７Ｂに示すように、レンズアレイ及び着色層の一方を保護層１３１上に設け、他方を基板１２０に設けてもよい。
図７Ａは、発光デバイス上に、保護層１３１を介して、レンズアレイ１３３が設けられており、かつ、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂ、及び、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇが設けられた基板１２０が、樹脂層１２２によってレンズアレイ１３３上及び保護層１３１上に貼り合わされている例である。
なお、図７Ａにおいて、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇを、基板１２０に形成せず、保護層１３１上に接して形成してもよい。
図７Ｂは、発光デバイス上に、保護層１３１を介して、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇ、及び、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが設けられており、かつ、レンズアレイ１３３が設けられた基板１２０が、樹脂層１２２によって着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂ上に貼り合わされている例である。
このように、発光デバイス、色変換層、及び着色層の配置が、発光デバイスと着色層との間に色変換層が位置する構成において、レンズアレイ１３３は、様々な配置方法が挙げられる。レンズアレイ１３３は、発光デバイスと色変換層の間、色変換層と着色層の間、または、着色層よりも基板１２０側のいずれかに配置することができる。
レンズアレイ１３３は、凸面が基板１２０側を向いていてもよく、発光デバイス側を向いていてもよい。
レンズアレイ１３３は、無機材料及び有機材料の少なくとも一方を用いて形成することができる。例えば、樹脂を含む材料をレンズに用いることができる。また、酸化物及び硫化物の少なくとも一方を含む材料をレンズに用いることができる。レンズアレイ１３３としては、例えば、マイクロレンズアレイを用いることができる。レンズアレイ１３３は、基板上または発光デバイス上に直接形成してもよく、別途形成されたレンズアレイを貼り合わせてもよい。
また、異なる色の着色層が互いに重なる部分を有することが好ましい。異なる色の着色層が互いに重なる領域は、遮光層として機能させることができる。これにより、さらに外光反射を低減することができる。
本発明の一態様の表示装置は、ＥＬ層が部分的に薄膜化されている、または、ＥＬ層が発光デバイスごとに島状に設けられていることで、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、クロストークに起因した意図しない発光を防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。
また、本発明の一態様の表示装置では、画素電極の側面に側壁絶縁層を設ける。これにより、発光デバイスのショートを抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の作製方法について図８を用いて説明する。なお、各要素の材料及び形成方法について、先に実施の形態１で説明した部分と同様の部分については説明を省略することがある。また、発光デバイスの構成の詳細については実施の形態５で説明する。
図８には、図１Ａに示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図と、を並べて示す。
表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、及び、熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。
また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、またはナイフコート等の湿式の成膜方法により形成することができる。
特に、発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特にＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層など）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、または、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。
また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。
フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。１つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう１つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。
フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。
まず、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃをこの順で形成する。続いて、絶縁層２５５ｃ上に、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ及び導電層１２３を形成する。（図８Ａ）。
まず、画素電極となる導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングにより除去する。その後、レジストマスクを除去することで、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂを形成することができる。画素電極となる導電膜の成膜には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。また、当該導電膜の加工は、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により行うことができる。当該導電膜の加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。
当該導電膜の加工の際に、絶縁層２５５ｃを加工し、絶縁層２５５ｃに凹部を形成することが好ましい。これにより、後に形成する側壁絶縁層１１４の高さを高くすることができる。したがって、後に形成するＥＬ層１１３を部分的に薄膜化すること、または、ＥＬ層１１３を発光デバイスごとに分断することが容易となる。なお、本発明の一態様における他の構成としては、絶縁層２５５ｃに開口が設けられ、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられる構成、及び、絶縁層２５５ｂ、２５５ｃに開口が設けられ、絶縁層２５５ａに凹部が設けられる構成が挙げられる。また、画素電極が十分に厚い場合などにおいて、絶縁層２５５ｃに凹部及び開口が設けられていなくてもよいことがある。
言い換えると、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ、及び導電層１２３のいずれとも重ならない領域の絶縁層２５５ｃの膜厚は、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ、または導電層１２３と重なる領域の絶縁層２５５ｃの膜厚より小さいことが好ましい。
続いて、絶縁層２５５ｃ、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ、及び導電層１２３上に、絶縁膜１１４Ａを形成する（図８Ｂ）。
絶縁膜１１４Ａは、後に加工されることで、側壁絶縁層１１４となる層である。そのため、実施の形態１で述べた、側壁絶縁層１１４に適用可能な構成を、絶縁膜１１４Ａに適用することができる。
続いて、絶縁膜１１４Ａを加工することにより、側壁絶縁層１１４を形成する（図８Ｃ）。絶縁膜１１４Ａを加工することで、絶縁層２５５ｃ、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ、及び導電層１２３のそれぞれの上面が露出する。側壁絶縁層１１４は、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ、及び導電層１２３のそれぞれの側面に接するように設けられる。
例えば、絶縁膜１１４Ａの上面に対し、略均一にエッチングを施すことにより、側壁絶縁層１１４を形成できる。このように均一にエッチングして平坦化することをエッチバック処理ともいう。なお、側壁絶縁層１１４は、フォトリソグラフィ法を用いて形成することもできる。
絶縁膜１１４Ａは、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により加工することができ、ドライエッチング法により加工することが好ましい。絶縁膜１１４Ａの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。
なお、絶縁膜１１４Ａの加工の際に、絶縁層２５５ｃも加工し、絶縁層２５５ｃに凹部を形成してもよい。絶縁層２５５ｃに凹部を形成することで、後に形成するＥＬ層１１３を部分的に薄膜化すること、または、ＥＬ層１１３を発光デバイスごとに分断することが容易となる。なお、本発明の一態様における他の構成としては、絶縁層２５５ｃに開口が設けられ、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられる構成、及び、絶縁層２５５ｂ、２５５ｃに開口が設けられ、絶縁層２５５ａに凹部が設けられる構成が挙げられる。また、画素電極が十分に厚い場合などにおいて、絶縁層２５５ｃに凹部及び開口が設けられていなくてもよいことがある。
言い換えると、図８Ｃに示す絶縁層２５５ｃにおいて、露出している領域（側壁絶縁層１１４、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ、及び導電層１２３のいずれとも重ならない領域）の膜厚は、側壁絶縁層１１４と重なる領域の膜厚より小さくてもよい。
側壁絶縁層１１４の端部の形状は、ラウンド状とすることができる。例えば、側壁絶縁層１１４を形成する際に、ドライエッチング法を用い、異方性エッチングにて絶縁膜１１４Ａの上部をエッチングする場合、側壁絶縁層１１４の端部は、図８Ｃ、図１Ｂ、図２Ａ乃至図２Ｄ等に示すようにラウンド状となる。側壁絶縁層１１４の端部の形状をラウンド状とすることで、後に形成する膜の被覆性が高まり、好ましい。
続いて、ＥＬ層１１３を、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ上に形成する（図８Ｄ）。ＥＬ層１１３は、青色の光を発する発光材料を含む。ＥＬ層１１３は、さらに、青色よりも長波長の光を発する発光材料を含んでいてもよい。図８Ｄでは、発光デバイスごとに、島状のＥＬ層１１３が設けられる例を示す。つまり、画素電極１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ上に、それぞれ、島状のＥＬ層１１３が設けられる。
画素電極１１１Ｒと画素電極１１１Ｇとの間の領域において、絶縁層２５５ｃ上には、材料層１１３ｓが設けられる。同様に、画素電極１１１Ｇと画素電極１１１Ｂとの間の領域、及び、画素電極１１１Ｂと画素電極１１１Ｒとの間の領域においても、絶縁層２５５ｃ上には、材料層１１３ｓが設けられる。材料層１１３ｓは、ＥＬ層１１３と同一の工程で形成され、同一の構成を有する。
図８Ｄに示すように、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、導電層１２３上には、ＥＬ層１１３を形成していない。例えば、エリアマスクを用いることで、ＥＬ層１１３を所望の領域にのみ成膜することができる。
ＥＬ層１１３は、例えば、蒸着法、具体的には真空蒸着法により形成することができる。また、ＥＬ層１１３は、転写法、印刷法、インクジェット法、または塗布法等の方法で形成してもよい。
続いて、ＥＬ層１１３上、及び導電層１２３上に、共通電極１１５を形成する（図８Ｅ）。
共通電極１１５の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。
共通電極１１５の形成時は、成膜源と基板との距離を小さくすることが好ましい。例えば、ＥＬ層１１３の形成時と比較して、成膜源と基板との距離が小さいと好ましい。これにより、被形成面への共通電極１１５の被覆性を高めることができ、共通電極１１５に局所的に膜厚が小さい箇所が形成されることを防ぐことができる。したがって、共通電極１１５において、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が小さい箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。
その後、共通電極１１５上に、保護層１３１を形成する。図１Ｂ等に示すような、保護層１３１上に色変換層及び着色層を有する構成を適用する場合には、その後、保護層１３１上に色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇ、及び、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを設ける。そして、樹脂層１２２を用いて、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂ上に、基板１２０を貼り合わせることで、表示装置を作製することができる（図１Ｂ）。また、図４Ｂ等に示すような、基板１２０側に色変換層及び着色層を有する構成を適用する場合は、基板１２０に事前に着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂ、及び、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇを設け、当該基板１２０を貼り合わせることで表示装置を作製することができる。
保護層１３１の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及び、ＡＬＤ法等が挙げられる。
以上のように、本実施の形態の表示装置の作製方法では、島状のＥＬ層１１３は、ファインメタルマスクを用いることなく形成されるため、島状のＥＬ層１１３を均一の厚さで形成することができる。そして、高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。また、精細度または開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣接する副画素において、ＥＬ層１１３同士が互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制できる。これにより、クロストークに起因した意図しない発光を防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。
また、本実施の形態の表示装置の作製方法では、１種類のＥＬ層を形成するのみで、３色の副画素を作り分けることができる。したがって、作製工程数が少なく、歩留まりよく表示装置を作製できる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図９及び図１０を用いて説明する。
［画素のレイアウト］
本実施の形態では、主に、図１Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。
本実施の形態で図に示す副画素の上面形状は、発光領域の上面形状に相当する。
なお、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、菱形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。
また、副画素を構成する回路レイアウトは、図に示す副画素の範囲に限定されず、回路の構成要素は、その外側に配置されていてもよい。回路の配列と発光デバイスの配列とは必ずしも同じ必要はなく、異なる配列方法とすることもできる。例えば、回路の配列をストライプ配列とし、発光デバイスの配列をＳストライプ配列とすることもできる。
図９Ａに示す画素１１０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図９Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの副画素から構成される。
図９Ｂに示す画素１１０は、角が丸い略三角形または略台形の上面形状を有する副画素１１０ａと、角が丸い略三角形または略台形の上面形状を有する副画素１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する副画素１１０ｃと、を有する。また、副画素１１０ｂは、副画素１１０ａよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。
図９Ｃに示す画素１２４ａ、１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図９Ｃでは、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｂを有する画素１２４ａと、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。
図９Ｄ乃至図９Ｆに示す画素１２４ａ、１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有する。
図９Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図９Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例であり、図９Ｆは、各副画素が、角が丸い略六角形の上面形状を有する例である。
図９Ｆでは、各副画素が、最密に配列した六角形の領域の内側に配置されている。各副画素は、その１つの副画素に着目したとき、６つの副画素に囲まれるように、配置されている。また、同じ色の光を呈する副画素が隣り合わないように設けられている。例えば、副画素１１０ａに着目したとき、これを囲むように３つの副画素１１０ｂと３つの副画素１１０ｃが、交互に配置されるように、それぞれの副画素が設けられている。
図９Ｇは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０ａと副画素１１０ｂ、または、副画素１１０ｂと副画素１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。
図９Ａ乃至図９Ｇに示す各画素において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。なお、副画素の構成はこれに限定されず、副画素が呈する色とその並び順は適宜決定することができる。例えば、副画素１１０ｂを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ａを緑色の光を呈する副画素Ｇとしてもよい。
フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、画素電極の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。本発明の一態様の表示装置では、ＥＬ層の上面形状、さらには、発光デバイスの上面形状が、画素電極の上面形状の影響を受けて、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。
なお、画素電極の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。
図１０Ａ乃至図１０Ｉに示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。
図１０Ａ乃至図１０Ｃに示す画素１１０は、ストライプ配列が適用されている。
図１０Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図１０Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１０Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。
図１０Ｄ乃至図１０Ｆに示す画素１１０は、マトリクス配列が適用されている。
図１０Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図１０Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図１０Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。
図１０Ｇ及び図１０Ｈでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。
図１０Ｇに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０ｄを有する。
図１０Ｈに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０ｄを有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄを有する。図１０Ｈに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じうるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供することができる。
図１０Ｉでは、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。
図１０Ｉに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、副画素１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｂを有し、右の列（２列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この２列にわたって、副画素１１０ｄを有する。
図１０Ａ乃至図１０Ｉに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４つの副画素から構成される。
副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する構成とすることができる。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄとしては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、または、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の副画素などが挙げられる。
図１０Ａ乃至図１０Ｉに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとし、副画素１１０ｄを白色の光を呈する副画素Ｗ、黄色の光を呈する副画素Ｙ、または近赤外光を呈する副画素ＩＲのいずれかとすることが好ましい。このような構成とする場合、図１０Ｇ及び図１０Ｈに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図１０Ｉに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。
以上のように、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスを有する副画素からなる構成の画素について、様々なレイアウトを適用することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１１乃至図２０を用いて説明する。
本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）などのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。
また、本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。
［表示モジュール］
図１１Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｆのいずれかであってもよい。
表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。
図１１Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。
画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１１Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａには、先の実施の形態で説明した各種構成を適用することができる。図１１Ｂでは、図１Ａに示す画素１１０と同様の構成を有する場合を例に示す。
画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。
１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成とすることができる。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。
回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。
ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号または電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。
表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。
このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ＨＭＤなどのＶＲ向け機器またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。
［表示装置１００Ａ］
図１２に示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、色変換層１３５Ｒ、色変換層１３５Ｇ、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、着色層１３２Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。
図１１Ｂに示す副画素１１Ｒは発光デバイス１３０Ｒ、色変換層１３５Ｒ、及び着色層１３２Ｒを有し、副画素１１Ｇは発光デバイス１３０Ｇ、色変換層１３５Ｇ、及び着色層１３２Ｇを有し、副画素１１Ｂは発光デバイス１３０Ｂ及び着色層１３２Ｂを有する。副画素１１Ｒにおいて、発光デバイス１３０Ｒの発光は、色変換層１３５Ｒ、及び着色層１３２Ｒを介して表示装置１００Ａの外部に赤色の光（Ｒ）として取り出される。同様に、副画素１１Ｇにおいて、発光デバイス１３０Ｇの発光は、色変換層１３５Ｇ、及び着色層１３２Ｇを介して表示装置１００Ａの外部に緑色の光（Ｇ）として取り出される。副画素１１Ｂにおいて、発光デバイス１３０Ｂの発光は、着色層１３２Ｂを介して表示装置１００Ａの外部に青色の光（Ｂ）として取り出される。
基板３０１は、図１１Ａ及び図１１Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３０１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。
トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。
また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。
また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。
容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。
導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。
なお、トランジスタを含む層１０１が有する導電層の階層の少なくとも一つにおいて、表示部２８１（または画素部２８４）の外側を囲う導電層を設けることが好ましい。当該導電層は、ガードリングと呼ぶこともできる。当該導電層を設けることで、ＥＳＤ（静電気放電）またはプラズマを用いた工程による帯電により、トランジスタ及び発光デバイスなどの素子に高電圧がかかり、これらの素子が破壊してしまうことを抑制できる。
容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に絶縁層２５５ｃが設けられている。絶縁層２５５ｃ上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが設けられている。図１２では、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが図１Ｂに示す積層構造と同じ構造を有する例を示す。
画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂは、絶縁層２４３、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｃの画素電極と接する面の高さと、プラグ２５６の画素電極と接する面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。
また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、発光デバイス１３０Ｒと重なる位置に色変換層１３５Ｒが設けられ、色変換層１３５Ｒ上に着色層１３２Ｒが設けられている。また、保護層１３１上には、発光デバイス１３０Ｇと重なる位置に色変換層１３５Ｇが設けられ、色変換層１３５Ｇ上に着色層１３２Ｇが設けられている。また、保護層１３１上には、発光デバイス１３０Ｂと重なる位置に着色層１３２Ｂが設けられている。着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂ上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態１を参照することができる。基板１２０は、図１１Ａにおける基板２９２に相当する。
［表示装置１００Ｂ］
図１３に示す表示装置１００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示装置の説明では、先に説明した表示装置と同様の部分については説明を省略することがある。
表示装置１００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。
ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５を設けることが好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に絶縁層３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散することを抑制できる。絶縁層３４５、３４６としては、保護層１３１または絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。
基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂに不純物が拡散することを抑制できる。絶縁層３４４としては、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。
また、基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されていることが好ましい。ここで、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。
一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されていることが好ましい。
導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成される面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の貼り合わせを良好にすることができる。
導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。
［表示装置１００Ｃ］
図１４に示す表示装置１００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。
図１４に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。
［表示装置１００Ｄ］
図１５に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ａと主に相違する。
トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。
トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。
基板３３１は、図１１Ａ及び図１１Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基板または半導体基板を用いることができる。
基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。
絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。
半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。
一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。
絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。
導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。
絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。
一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。
［表示装置１００Ｅ］
図１６に示す表示装置１００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。
トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置１００Ｄを参照することができる。
なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。
［表示装置１００Ｆ］
図１７に示す表示装置１００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。
トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。
トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。
このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。
［表示装置１００Ｇ］
図１８に、表示装置１００Ｇの斜視図を示し、図１９Ａに、表示装置１００Ｇの断面図を示す。
表示装置１００Ｇは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図１８では、基板１５２を破線で示している。
表示装置１００Ｇは、表示部１６２、接続部１４０、回路１６４、配線１６５等を有する。図１８では表示装置１００ＧにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図１８に示す構成は、表示装置１００Ｇと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。
接続部１４０は、表示部１６２の外側に設けられる。接続部１４０は、表示部１６２の一辺または複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図１８では、表示部の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給することができる。
回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。
配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ１７２を介して外部から配線１６５に入力される、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。
図１８では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ｇ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。
図１９Ａに、表示装置１００Ｇの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。
図１９Ａに示す表示装置１００Ｇは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、色変換層１３５Ｒ、色変換層１３５Ｇ、赤色の光を透過する着色層１３２Ｒ、緑色の光を透過する着色層１３２Ｇ、及び、青色の光を透過する着色層１３２Ｂ等を有する。
発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂは、画素電極の構成が異なる点以外は、それぞれ、図１Ｂに示す積層構造と同様の構造を有する。発光デバイスの詳細は実施の形態１を参照できる。
発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２Ｒと、導電層１１２Ｒ上の導電層１２６Ｒと、導電層１２６Ｒ上の導電層１２９Ｒと、を有する。導電層１１２Ｒ、１２６Ｒ、１２９Ｒの全てを画素電極と呼ぶこともでき、一部を画素電極と呼ぶこともできる。
発光デバイス１３０Ｇは、導電層１１２Ｇと、導電層１１２Ｇ上の導電層１２６Ｇと、導電層１２６Ｇ上の導電層１２９Ｇと、を有する。
発光デバイス１３０Ｂは、導電層１１２Ｂと、導電層１１２Ｂ上の導電層１２６Ｂと、導電層１２６Ｂ上の導電層１２９Ｂと、を有する。
導電層１１２Ｒは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層１１２Ｒの端部、導電層１２６Ｒの端部、及び、導電層１２９Ｒの端部は、揃っている、または概略揃っていることが好ましい。これにより、側壁絶縁層１１４の高さを、３層の導電層の厚さの和と同じかそれ以上にすることができるため、側壁絶縁層１１４によって、ＥＬ層の一部を薄膜化する、または、ＥＬ層を分断することが容易となる。例えば、導電層１１２Ｒ及び導電層１２６Ｒに反射電極として機能する導電層を用い、導電層１２９Ｒに、透明電極として機能する導電層を用いることができる。
導電層１１２Ｇ、１２６Ｇ、１２９Ｇ、及び、導電層１１２Ｂ、１２６Ｂ、１２９Ｂについては、導電層１１２Ｒ、１２６Ｒ、１２９Ｒと同様であるため詳細な説明は省略する。
導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂは、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように形成される。導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂの凹部には、層１２８が埋め込まれている。
層１２８は、導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂの凹部を平坦化する機能を有する。導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ及び層１２８上には、導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂと電気的に接続される導電層１２６Ｒ、１２６Ｇ、１２６Ｂが設けられている。したがって、導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。
層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましく、有機絶縁材料を用いて形成されることが特に好ましい。
層１２８としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。層１２８に用いることができる有機材料としては、例えば、保護層１３１に用いることができる有機材料が挙げられる。
各発光デバイスが有するＥＬ層１１３上に、共通電極１１５が設けられている。共通電極１１５は、複数の発光デバイスに共通して設けられるひと続きの膜である。
また、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。基板１５２には、遮光層１１７、色変換層１３５Ｒ、１３５Ｇ、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが設けられている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図１９Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。
保護層１３１は、少なくとも表示部１６２に設けられており、表示部１６２全体を覆うように設けられていることが好ましい。保護層１３１は、表示部１６２だけでなく、接続部１４０及び回路１６４を覆うように設けられていることが好ましい。また、保護層１３１は、表示装置１００Ｇの端部にまで設けられていることが好ましい。一方で、接続部２０４には、ＦＰＣ１７２と導電層１６６とを電気的に接続させるため、保護層１３１が設けられていない部分が生じる。
基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６Ｒ、１２６Ｇ、１２６Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９Ｒ、１２９Ｇ、１２９Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。
例えば、保護層１３１を表示装置１００Ｇの一面全体に成膜した後、マスクを用いて保護層１３１の導電層１６６と重なる領域を除去することで、導電層１６６を露出させることができる。
また、導電層１６６上に、少なくとも１層の有機層と導電層との積層構造を設け、当該積層構造上に、保護層１３１を設けてもよい。そして、当該積層構造に対して、レーザ、または、鋭利な刃物（例えば針またはカッター）を用いて、剥離の起点（剥離のきっかけとなる部分）を形成し、当該積層構造及びその上の保護層１３１を選択的に除去し、導電層１６６を露出させてもよい。例えば、粘着性のローラーを基板１５１に押し付け、ローラーを回転させながら相対的に移動させることで、保護層１３１を選択的に除去することができる。または、粘着性のテープを基板１５１に貼り付け、剥してもよい。有機層と導電層の密着性、または、有機層同士の密着性が低いため、有機層と導電層の界面、または、有機層中で分離が生じる。これにより、保護層１３１の導電層１６６と重なる領域を選択的に除去することができる。なお、導電層１６６上に有機層等が残存した場合は、有機溶剤等により除去することができる。
有機層としては、例えば、ＥＬ層１１３に用いる少なくとも１層の有機層（発光層、キャリアブロック層、キャリア輸送層、またはキャリア注入層として機能する層）を用いることができる。有機層は、ＥＬ層１１３の成膜時に同時に形成してもよく、別途設けてもよい。導電層は、共通電極１１５と同一工程及び同一材料で形成することができる。例えば、共通電極１１５及び導電層として、ＩＴＯ膜を形成することが好ましい。なお、共通電極１１５に積層構造を用いる場合、導電層としては、共通電極１１５を構成する層のうち、少なくとも１層を設ける。
また、導電層１６６上に保護層１３１が成膜されないように、導電層１６６の上面をマスクで覆ってもよい。マスクとしては、例えば、メタルマスク（エリアメタルマスク）を用いてもよく、粘着性または吸着性を有するテープまたはフィルムを用いてもよい。当該マスクを配置した状態で保護層１３１を形成し、その後、マスクを取り除くことで、保護層１３１を形成した後でも、導電層１６６が露出した状態を保つことができる。
このような方法を用いて、接続部２０４に保護層１３１が設けられていない領域を形成し、当該領域において、導電層１６６とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。
接続部１４０においては、絶縁層２１４上に導電層１２３が設けられている。導電層１２３は、導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６Ｒ、１２６Ｇ、１２６Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９Ｒ、１２９Ｇ、１２９Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。導電層１２３の側面は、側壁絶縁層１１４によって覆われている。側壁絶縁層１１４は、導電層１２３のサイドウォールとしての機能を有する。また、導電層１２３上には共通電極１１５が接して設けられている。つまり、接続部１４０では、導電層１２３と共通電極１１５とが電気的に接続されている。
表示装置１００Ｇは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１１５）は可視光を透過する材料を含む。
基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。
基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。
トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。
絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。
平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層１１２Ｒ、導電層１２６Ｒ、または導電層１２９Ｒなどの加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。または、絶縁層２１４には、導電層１１２Ｒ、導電層１２６Ｒ、または導電層１２９Ｒなどの加工時に、凹部が設けられてもよい。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。
本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、単結晶性半導体、または単結晶以外の結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。単結晶半導体または結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。
結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。
または、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。
ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。
ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。
また、画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。
また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調数を高くすることができる。
また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、ＥＬデバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。
上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。
半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。
特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。
半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。
例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。
回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。
表示部１６２が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。
例えば、表示部１６２にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、より好適な例としては、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタ等にＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタ等にＬＴＰＳトランジスタを適用する構成が挙げられる。
例えば、表示部１６２が有するトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタとも呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。
一方、表示部１６２が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。
このように本発明の一態様の表示装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。
なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光デバイスを有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光デバイス間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流などともいう）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一または複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れ（いわゆる黒浮き）などが限りなく少ない表示とすることができる。
図１９Ｂ及び図１９Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。
トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。
図１９Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。
一方、図１９Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図１９Ｃに示す構造を作製できる。図１９Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。
基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。遮光層１１７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路１６４などに設けることができる。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。
基板１５１及び基板１５２としては、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用することができる。
接着層１４２としては、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用することができる。
接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
［表示装置１００Ｈ］
図２０Ａに示す表示装置１００Ｈは、ボトムエミッション型の表示装置である点で、表示装置１００Ｇと主に相違する。
発光デバイスが発する光は、基板１５１側に射出される。基板１５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板１５２に用いる材料の透光性は問わない。
基板１５１とトランジスタ２０１との間、基板１５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１１７を形成することが好ましい。図２０Ａでは、基板１５１上に遮光層１１７が設けられ、遮光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、２０５などが設けられている例を示す。また、絶縁層２１５上に、着色層１３２Ｒ、及び着色層１３２Ｇが設けられている。着色層１３２Ｒ上には、色変換層１３５Ｒが設けられ、着色層１３２Ｇ上には、色変換層１３５Ｇが設けられている。
発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２Ｒと、導電層１１２Ｒ上の導電層１２６Ｒと、を有する。
発光デバイス１３０Ｇは、導電層１１２Ｇと、導電層１１２Ｇ上の導電層１２６Ｇと、を有する。
導電層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１２６Ｒ、１２６Ｇには、それぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。共通電極１１５には可視光を反射する材料を用いることが好ましい。
また、図１９Ａ及び図２０Ａなどでは、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。図２０Ｂ乃至図２０Ｄに、層１２８の変形例を示す。
図２０Ｂ及び図２０Ｄに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。
また、図２０Ｃに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。
また、層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方または双方を有していてもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つまたは複数とすることができる。
また、層１２８の上面の高さと、導電層１１２Ｒの上面の高さと、は、一致または概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電層１１２Ｒの上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。
また、図２０Ｂは、導電層１１２Ｒの凹部の内部に層１２８が収まっている例ともいえる。一方、図２０Ｄのように、導電層１１２Ｒの凹部の外側に層１２８が存在する、つまり、当該凹部よりも層１２８の上面の幅が広がって形成されていてもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイスについて説明する。
図２１Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に、ＥＬ層７６３を有する。ＥＬ層７６３は、層７８０、発光層７７１、及び、層７９０などの複数の層で構成することができる。
発光層７７１は、少なくとも発光物質（発光材料ともいう）を有する。
下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０は、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、及び、電子ブロック性の高い物質を含む層（電子ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０は、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）、及び、正孔ブロック性の高い物質を含む層（正孔ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０と層７９０は互いに上記と逆の構成になる。
一対の電極間に設けられた層７８０、発光層７７１、及び層７９０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図２１Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。
また、図２１Ｂは、図２１Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７６３の変形例である。具体的には、図２１Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７６１上の層７８１と、層７８１上の層７８２と、層７８２上の発光層７７１と、発光層７７１上の層７９１と、層７９１上の層７９２と、層７９２上の上部電極７６２と、を有する。
下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８１を正孔注入層、層７８２を正孔輸送層、層７９１を電子輸送層、層７９２を電子注入層とすることができる。また、下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８１を電子注入層、層７８２を電子輸送層、層７９１を正孔輸送層、層７９２を正孔注入層とすることができる。このような層構造とすることで、発光層７７１に効率よくキャリアを注入し、発光層７７１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることができる。
なお、図２１Ｃ及び図２１Ｄに示すように、層７８０と層７９０との間に複数の発光層（発光層７７１、７７２、７７３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。なお、図２１Ｃ及び図２１Ｄでは、発光層を３層有する例を示すが、シングル構造の発光デバイスにおける発光層は、２層であってもよく、４層以上であってもよい。また、シングル構造の発光デバイスは、２つの発光層の間に、バッファ層を有していてもよい。バッファ層は、例えば、正孔輸送層または電子輸送層に用いることができる材料を用いて形成することができる。
また、図２１Ｅ及び図２１Ｆに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５（中間層ともいう）を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、信頼性を高めることができる。
なお、図２１Ｄ及び図２１Ｆは、表示装置が、発光デバイスと重なる層７６４を有する例である。図２１Ｄは、層７６４が、図２１Ｃに示す発光デバイスと重なる例であり、図２１Ｆは、層７６４が、図２１Ｅに示す発光デバイスと重なる例である。図２１Ｄ及び図２１Ｆでは、上部電極７６２側に光を取り出すため、上部電極７６２には、可視光を透過する導電膜を用いる。
層７６４としては、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。
図２１Ｃ及び図２１Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。例えば、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図２１Ｄに示す層７６４として、色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。また、層７６４としては、色変換層と着色層との双方を用いることが好ましい。発光デバイスが発する光の一部は、色変換層で変換されずにそのまま透過してしまうことがある。色変換層を透過した光を、着色層を介して取り出すことで、所望の色の光以外を着色層で吸収し、副画素が呈する光の色純度を高めることができる。
また、図２１Ｃ及び図２１Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、それぞれ異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。例えば、シングル構造の発光デバイスは、青色の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色よりも長波長の可視光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。
図２１Ｄに示す層７６４として、カラーフィルタを設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。
例えば、シングル構造の発光デバイスが３層の発光層を有する場合、赤色（Ｒ）の光を発する発光物質を有する発光層、緑色（Ｇ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。発光層の積層順としては、陽極側から、Ｒ、Ｇ、Ｂ、または、陽極側からＲ、Ｂ、Ｇなどとすることができる。このとき、ＲとＧまたはＢとの間にバッファ層が設けられていてもよい。
また、例えば、シングル構造の発光デバイスが２層の発光層を有する場合、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、黄色（Ｙ）の光を発する発光物質を有する発光層を有する構成が好ましい。当該構成をＢＹシングル構造と呼称する場合がある。
白色の光を発する発光デバイスは、２種類以上の発光物質を含むことが好ましい。白色発光を得るには、２つの発光物質の発光が補色の関係となるような発光物質を選択する、または、２つ以上の発光物質の発光が合わさることで白色となるような発光物質を選択すればよい。例えば、２つの発光層を用いて白色発光を得る場合、２つの発光層の発光色が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、３つ以上の発光層を用いて白色発光を得る場合、３つ以上の発光層の発光色が合わさることで、発光デバイス全体として白色発光する構成とすればよい。
なお、図２１Ｃ、図２１Ｄにおいても、図２１Ｂに示すように、層７８０と、層７９０とを、それぞれ独立に、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。
また、図２１Ｅ及び図２１Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。例えば、各色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図２１Ｆに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。また、層７６４としては、色変換層と着色層との双方を用いることが好ましい。
また、図２１Ｅ及び図２１Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、それぞれ異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１が発する光と、発光層７７２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２１Ｆに示す層７６４として、カラーフィルタを設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。
なお、図２１Ｅ及び図２１Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａが１層の発光層７７１を有し、発光ユニット７６３ｂが１層の発光層７７２を有する例を示すが、これに限られない。発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂは、それぞれ、２層以上の発光層を有していてもよい。
また、図２１Ｅ及び図２１Ｆでは、発光ユニットを２つ有する発光デバイスを例示したが、これに限られない。発光デバイスは、発光ユニットを３つ以上有していてもよい。なお、発光ユニットを２つ有する構成を２段タンデム構造と、発光ユニットを３つ有する構成を３段タンデム構造と、それぞれ呼称してもよい。
また、図２１Ｅ及び図２１Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａ、発光層７７１、及び、層７９０ａを有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂ、発光層７７２、及び、層７９０ｂを有する。
下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０ａ及び層７８０ｂは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、及び、電子ブロック層のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０ａ及び層７９０ｂは、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、及び、正孔ブロック層のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０ａと層７９０ａは互いに上記と逆の構成になり、層７８０ｂと層７９０ｂも互いに上記と逆の構成になる。
下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８０ａは、正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、電子輸送層を有し、さらに、発光層７７１と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、正孔輸送層を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、例えば、層７８０ａは、電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、正孔輸送層を有し、さらに、発光層７７１と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、電子輸送層を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。
また、タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットは、電荷発生層７８５を介して積層される。電荷発生層７８５は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層７８５は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。
また、タンデム構造の発光デバイスの一例として、図２２Ａ乃至図２２Ｃに示す構成が挙げられる。
図２２Ａは、発光ユニットを３つ有する構成である。図２２Ａでは、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）がそれぞれ電荷発生層７８５を介して直列に接続されている。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２と、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。なお、層７８０ｃは、層７８０ａ及び層７８０ｂに適用可能な構成を用いることができ、層７９０ｃは、層７９０ａ及び層７９０ｂに適用可能な構成を用いることができる。
図２２Ａにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３は、同じ色の光を発する発光物質を有することができる。具体的には、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、いずれも青色（Ｂ）の発光物質を有する構成（いわゆるＢ＼Ｂ＼Ｂの３段タンデム構造）とすることができる。なお、「ａ＼ｂ」は、ａの光を発する発光物質を有する発光ユニット上に、電荷発生層を介して、ｂの光を発する発光物質を有する発光ユニットが設けられていることを意味し、ａ、ｂは、色を意味する。
図２２Ａにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３のうち、一部または全てに異なる色の光を発する発光物質を用いることができる。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３の発光色の組み合わせは、例えば、いずれか２つが青色（Ｂ）、残りの一つが黄色（Ｙ）の構成、並びに、いずれか一つが赤色（Ｒ）、他の一つが緑色（Ｇ）、残りの一つが青色（Ｂ）の構成が挙げられる。
図２２Ｂは、複数の発光層を有する発光ユニットを積層したタンデム型の発光デバイスである。図２２Ｂは、２つの発光ユニット（発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５を介して直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃと、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有する。
図２２Ｂにおいては、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃについて、補色の関係となる発光物質を選択し、発光ユニット７６３ａを白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。また、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃについても、補色の関係となる発光物質を選択し、発光ユニット７６３ｂを白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。すなわち、図２２Ｂに示す構成は、Ｗ＼Ｗの２段タンデム構造であるといえる。なお、補色の関係となる発光物質の積層順については、特に限定はない。実施者が適宜最適な積層順を選択することができる。また、図示しないが、Ｗ＼Ｗ＼Ｗの３段タンデム構造、または４段以上のタンデム構造としてもよい。
また、タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＢ＼ＹまたはＹ＼Ｂの２段タンデム構造、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＲ・Ｇ＼ＢまたはＢ＼Ｒ・Ｇの２段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｙ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｇ＼Ｂの３段タンデム構造などが挙げられる。なお、「ａ・ｂ」は、１つの発光ユニットにａの光を発する発光物質とｂの光を発する発光物質とを有することを意味する。
また、図２２Ｃに示すように、１つの発光層を有する発光ユニットと、複数の発光層を有する発光ユニットと、を組み合わせてもよい。
具体的には、図２２Ｃに示す構成においては、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）がそれぞれ電荷発生層７８５を介して直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。
例えば、図２２Ｃに示す構成において、発光ユニット７６３ａが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｂが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｃが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットである、Ｂ＼Ｒ・Ｇ・ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造などを適用することができる。
例えば、発光ユニットの積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｂ、Ｙの２段構造、Ｂと発光ユニットＸとの２段構造、Ｂ、Ｙ、Ｂの３段構造、Ｂ、Ｘ、Ｂの３段構造が挙げられ、発光ユニットＸにおける発光層の積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｒ、Ｙの２層構造、Ｒ、Ｇの２層構造、Ｇ、Ｒの２層構造、Ｇ、Ｒ、Ｇの３層構造、または、Ｒ、Ｇ、Ｒの３層構造などとすることができる。また、２つの発光層の間に他の層が設けられていてもよい。
次に、発光デバイスに用いることができる材料について説明する。
下部電極７６１と上部電極７６２のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する発光デバイスを有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
また、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と、ＥＬ層７６３との間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層７６３の発光は、当該反射層によって反射されて、表示装置から取り出されてもよい。
発光デバイスの一対の電極を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。当該材料としては、具体的には、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、ネオジムなどの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金が挙げられる。また、当該材料としては、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、及びＩｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物などを挙げることができる。また、当該材料としては、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、並びに、銀とマグネシウムの合金、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）等の銀を含む合金が挙げられる。その他、当該材料としては、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウム）、ユウロピウム、イッテルビウムなどの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等が挙げられる。
発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。
なお、半透過・半反射電極は、反射電極として用いることができる導電層と、可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）として用いることができる導電層と、の積層構造とすることができる。
透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスの透明電極には、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０−２Ωｃｍ以下が好ましい。
発光デバイスは少なくとも発光層を有する。また、発光デバイスは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子ブロック材料、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質、バイポーラ性材料ともいう）等を含む層をさらに有していてもよい。例えば、発光デバイスは、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１層以上を有する構成とすることができる。
発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
発光層は、１種または複数種の発光物質を有する。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。
発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、及び量子ドット材料などが挙げられる。
蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、及びナフタレン誘導体などが挙げられる。
燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、及び希土類金属錯体等が挙げられる。
発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料）及び電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料）の一方または双方を用いることができる。正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い物質を用いることができる。電子輸送性材料としては、後述の、電子輸送層に用いることができる電子輸送性の高い物質を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。
発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。
正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。
正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い物質を用いることができる。
アクセプター性材料としては、例えば、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、及び、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、フッ素を含む有機アクセプター性材料を用いることもできる。また、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、及び、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプター性材料を用いることもできる。
例えば、正孔注入性の高い物質として、正孔輸送性材料と、上述の元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（代表的には酸化モリブデン）とを含む材料を用いてもよい。
正孔輸送層は、正孔注入層によって陽極から注入された正孔を、発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い物質が好ましい。
電子ブロック層は、発光層に接して設けられる。電子ブロック層は、正孔輸送性を有し、かつ、電子をブロックすることが可能な材料を含む層である。電子ブロック層には、上記正孔輸送性材料のうち、電子ブロック性を有する材料を用いることができる。
電子ブロック層は、正孔輸送性を有するため、正孔輸送層と呼ぶこともできる。また、正孔輸送層のうち、電子ブロック性を有する層を、電子ブロック層と呼ぶこともできる。
電子輸送層は、電子注入層によって陰極から注入された電子を、発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他、含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い物質を用いることができる。
正孔ブロック層は、発光層に接して設けられる。正孔ブロック層は、電子輸送性を有し、かつ、正孔をブロックすることが可能な材料を含む層である。正孔ブロック層には、上記電子輸送性材料のうち、正孔ブロック性を有する材料を用いることができる。
正孔ブロック層は、電子輸送性を有するため、電子輸送層と呼ぶこともできる。また、電子輸送層のうち、正孔ブロック性を有する層を、正孔ブロック層と呼ぶこともできる。
電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い物質としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。
また、電子注入性の高い物質のＬＵＭＯ準位は、陰極に用いる材料の仕事関数の値との差が小さい（具体的には０．５ｅＶ以下である）ことが好ましい。
電子注入層には、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦｘ、ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成が挙げられる。
電子注入層は、電子輸送性材料を有していてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。
なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。
例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移点（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。
電荷発生層は、上述の通り、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生領域は、アクセプター性材料を含むことが好ましく、例えば、上述の正孔注入層に適用可能な、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことが好ましい。
また、電荷発生層は、電子注入性の高い物質を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子注入バッファ層と呼ぶこともできる。電子注入バッファ層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子注入バッファ層を設けることで、電荷発生領域と電子輸送層との間の注入障壁を緩和することができるため、電荷発生領域で生じた電子を電子輸送層に容易に注入することができる。
電子注入バッファ層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むことが好ましく、例えば、アルカリ金属の化合物またはアルカリ土類金属の化合物を含む構成とすることができる。具体的には、電子注入バッファ層は、アルカリ金属と酸素とを含む無機化合物、または、アルカリ土類金属と酸素とを含む無機化合物を有することが好ましく、リチウムと酸素とを含む無機化合物（酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）など）を有することがより好ましい。その他、電子注入バッファ層には、上述の電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。
電荷発生層は、電子輸送性の高い物質を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子リレー層と呼ぶこともできる。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層との間に設けられることが好ましい。電荷発生層が電子注入バッファ層を有さない場合、電子リレー層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層（または電子輸送層）との相互作用を防いで、電子をスムーズに受け渡す機能を有する。
電子リレー層としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）などのフタロシアニン系の材料、または、金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
なお、上述の電荷発生領域、電子注入バッファ層、及び電子リレー層は、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。
なお、電荷発生層は、アクセプター性材料の代わりに、ドナー性材料を有していてもよい。例えば、電荷発生層としては、上述の電子注入層に適用可能な、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を有していてもよい。
発光ユニットを積層する際、２つの発光ユニットの間に電荷発生層を設けることで、駆動電圧の上昇を抑制することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図２３乃至図２５を用いて説明する。
本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。
特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。
本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。
本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。
図２３Ａ乃至図２３Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、ＶＲのコンテンツを表示する機能、ＳＲのコンテンツを表示する機能、ＭＲのコンテンツを表示する機能のうち少なくとも一つを有する。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲなどの少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。
図２３Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図２３Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。
表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。
電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。
電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサなどの加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。
通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により映像信号等を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、または無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。
また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方または双方によって充電することができる。
筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作またはスライド操作などを検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止または再開などの処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送りまたは早戻しの処理を実行することなどが可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。
タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式または光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。
光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光デバイスとして、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方または双方を用いることができる。
図２３Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図２３Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。
表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。これにより、使用者に高い没入感を感じさせることができる。
表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認することができる。
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。
装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、図２３Ｃなどにおいては、メガネのつる（テンプルなどともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型またはバンド型の形状としてもよい。
撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、広角などの複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。
なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、または、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）などの距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。
電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一または複数に、当該振動機構を有する構成を適用することができる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、またはスピーカなどの音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。
本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。例えば、図２３Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図２３Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。
また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図２３Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１または装着部７２３の内部に配置されていてもよい。
同様に、図２３Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１または装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。
なお、電子機器は、イヤフォンまたはヘッドフォンなどを接続することができる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方または双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイクなどの集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。
このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂなど）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂなど）と、のどちらも好適である。
また、本発明の一態様の電子機器は、有線または無線によって、イヤフォンに情報を送信することができる。
図２４Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。
電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。
表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
図２４Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。
筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。
保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。
表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。
表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。
図２４Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。
表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
図２４Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者同士など）の情報通信を行うことも可能である。
図２４Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。
表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
図２４Ｅ及び図２４Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。
図２４Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
図２４Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。
図２４Ｅ及び図２４Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。
表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。
また、図２４Ｅ及び図２４Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。
また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。
図２５Ａ乃至図２５Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。
図２５Ａ乃至図２５Ｇにおいて、表示部９００１に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
図２５Ａ乃至図２５Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
図２５Ａ乃至図２５Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
図２５Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図２５Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。
図２５Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。
図２５Ｃは、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。
図２５Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。
図２５Ｅ乃至図２５Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２５Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２５Ｇは折り畳んだ状態、図２５Ｆは図２５Ｅと図２５Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
１１Ｂ：副画素、１１Ｇ：副画素、１１Ｒ：副画素、１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００Ｅ：表示装置、１００Ｆ：表示装置、１００Ｇ：表示装置、１００Ｈ：表示装置、１００：表示装置、１０１：層、１１０ａ：副画素、１１０ｂ：副画素、１１０ｃ：副画素、１１０ｄ：副画素、１１０：画素、１１１Ｂ：画素電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１２Ｂ：導電層、１１２Ｇ：導電層、１１２Ｒ：導電層、１１３ｓ：材料層、１１３ｔ：領域、１１３：ＥＬ層、１１４Ａ：絶縁膜、１１４：側壁絶縁層、１１５：共通電極、１１６Ｂ：光学調整層、１１６Ｇ：光学調整層、１１６Ｒ：光学調整層、１１７：遮光層、１２０：基板、１２２：樹脂層、１２３：導電層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２６Ｂ：導電層、１２６Ｇ：導電層、１２６Ｒ：導電層、１２８：層、１２９Ｂ：導電層、１２９Ｇ：導電層、１２９Ｒ：導電層、１３０Ｂ：発光デバイス、１３０Ｇ：発光デバイス、１３０Ｒ：発光デバイス、１３１：保護層、１３２Ｂ：着色層、１３２Ｇ：着色層、１３２Ｒ：着色層、１３３：レンズアレイ、１３４：絶縁層、１３５Ｇ：色変換層、１３５Ｒ：色変換層、１３６：絶縁層、１３７：空隙、１３８：絶縁層、１３９：低屈折率材料層、１４０：接続部、１４２：接着層、１５０Ａ：領域、１５０Ｂ：領域、１５０Ｃ：領域、１５０Ｄ：領域、１５０Ｅ：領域、１５０Ｆ：領域、１５１：基板、１５２：基板、１５３：絶縁層、１６２：表示部、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２３１：半導体層、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５ａ：絶縁層、２５５ｂ：絶縁層、２５５ｃ：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７５０：イヤフォン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７６１：下部電極、７６２：上部電極、７６３ａ：発光ユニット、７６３ｂ：発光ユニット、７６３ｃ：発光ユニット、７６３：ＥＬ層、７６４：層、７７１ａ：発光層、７７１ｂ：発光層、７７１ｃ：発光層、７７１：発光層、７７２ａ：発光層、７７２ｂ：発光層、７７２ｃ：発光層、７７２：発光層、７７３：発光層、７８０ａ：層、７８０ｂ：層、７８０ｃ：層、７８０：層、７８１：層、７８２：層、７８５：電荷発生層、７９０ａ：層、７９０ｂ：層、７９０ｃ：層、７９０：層、７９１：層、７９２：層、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims (16)

  1. 　第１の発光デバイス、第２の発光デバイス、絶縁層、第１の側壁絶縁層、第２の側壁絶縁層、第１の色変換層、及び、第１の着色層を有し、
    　前記第１の発光デバイスは、前記絶縁層上の第１の画素電極と、前記第１の画素電極上の第１の層と、前記第１の層上の共通電極と、を有し、
    　前記第２の発光デバイスは、前記絶縁層上の第２の画素電極と、前記第２の画素電極上の前記第１の層と、前記第１の層上の前記共通電極と、を有し、
    　前記第１の側壁絶縁層は、前記第１の画素電極の側面に接し、
    　前記第２の側壁絶縁層は、前記第２の画素電極の側面に接し、
    　前記第１の色変換層は、前記第１の発光デバイスと重なり、
    　前記第１の着色層は、前記第１の色変換層を介して、前記第１の発光デバイスと重なり、
    　前記第１の着色層は、青色よりも長波長の光を透過し、
    　前記第１の層は、青色の光を発する第１の発光材料を有し、
    　前記第１の層は、前記第１の側壁絶縁層と前記第２の側壁絶縁層との間に、前記絶縁層の上面に接する部分を有する、表示装置。
  2. 　請求項１において、
    　第２の着色層を有し、
    　前記第２の着色層は、前記第２の発光デバイスと重なり、
    　前記第２の着色層は、前記第１の着色層とは異なる色の光を透過する、表示装置。
  3. 　請求項１または２において、
    　前記第１の層は、さらに、青色よりも長波長の光を発する第２の発光材料を有する、表示装置。
  4. 　第１の発光デバイス、第２の発光デバイス、材料層、絶縁層、第１の側壁絶縁層、第２の側壁絶縁層、第１の色変換層、及び、第１の着色層を有し、
    　前記第１の発光デバイスは、前記絶縁層上の第１の画素電極と、前記第１の画素電極上の第１の層と、前記第１の層上の共通電極と、を有し、
    　前記第２の発光デバイスは、前記絶縁層上の第２の画素電極と、前記第２の画素電極上の第２の層と、前記第２の層上の前記共通電極と、を有し、
    　前記第１の側壁絶縁層は、前記第１の画素電極の側面に接し、
    　前記第２の側壁絶縁層は、前記第２の画素電極の側面に接し、
    　前記材料層は、前記絶縁層の上面に接し、かつ、前記第１の側壁絶縁層と前記第２の側壁絶縁層との間に位置し、
    　前記第１の色変換層は、前記第１の発光デバイスと重なり、
    　前記第１の着色層は、前記第１の色変換層を介して、前記第１の発光デバイスと重なり、
    　前記第１の着色層は、青色よりも長波長の光を透過し、
    　前記第１の層は、青色の光を発する第１の発光材料を有し、
    　前記第１の層、前記第２の層、及び前記材料層は、いずれも同一の発光材料を有し、かつ、互いに離隔されている、表示装置。
  5. 　請求項４において、
    　第２の着色層を有し、
    　前記第２の着色層は、前記第２の発光デバイスと重なり、
    　前記第２の着色層は、前記第１の着色層とは異なる色の光を透過する、表示装置。
  6. 　請求項４または５において、
    　前記第１の層は、さらに、青色よりも長波長の光を発する第２の発光材料を有する、表示装置。
  7. 　請求項４乃至６のいずれか一において、
    　前記材料層は、前記第１の側壁絶縁層の側面、及び、前記第２の側壁絶縁層の側面のうち、少なくとも一方に接する、表示装置。
  8. 　請求項１乃至７のいずれか一において、
    　前記第１の側壁絶縁層は、さらに、前記絶縁層の側面及び上面に接し、
    　前記第２の側壁絶縁層は、さらに、前記絶縁層の側面及び上面に接する、表示装置。
  9. 　請求項１乃至８のいずれか一において、
    　前記第１の側壁絶縁層と前記第２の側壁絶縁層との最短距離は、１０μｍ未満である、表示装置。
  10. 　請求項１乃至９のいずれか一において、
    　前記第１の側壁絶縁層と前記第２の側壁絶縁層との最短距離は、１μｍ以下である、表示装置。
  11. 　請求項１乃至１０のいずれか一において、
    　前記第１の側壁絶縁層は、無機絶縁材料を有する、表示装置。
  12. 　請求項１乃至１１のいずれか一に記載の表示装置と、
    　コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュール。
  13. 　請求項１２に記載の表示モジュールと、
    　筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器。
  14. 　絶縁表面上に、導電膜を形成し、
    　前記導電膜を加工することで、第１の画素電極と、第２の画素電極と、を形成し、
    　前記第１の画素電極、及び、前記第２の画素電極を覆う、絶縁膜を形成し、
    　前記絶縁膜を加工することで、前記第１の画素電極の側面に接する第１の側壁絶縁層と、前記第２の画素電極の側面に接する第２の側壁絶縁層と、を形成し、かつ、前記第１の画素電極の上面と、前記第２の画素電極の上面と、を露出させ、
    　前記第１の画素電極の上面、前記第２の画素電極の上面、及び、前記絶縁表面に接する第１の層を形成し、
    　前記第１の層に接する共通電極を形成し、
    　前記共通電極上に、前記第１の画素電極と重なる第１の色変換層を配置し、
    　前記第１の色変換層上に、前記第１の画素電極と重なる第１の着色層を配置し、
    　前記第１の層は、青色の光を発する第１の発光材料を有する、表示装置の作製方法。
  15. 　絶縁表面上に導電膜を形成し、
    　前記導電膜を加工することで、第１の画素電極と、第２の画素電極と、を形成し、
    　前記第１の画素電極、及び、前記第２の画素電極を覆う、絶縁膜を形成し、
    　前記絶縁膜を加工することで、前記第１の画素電極の側面に接する第１の側壁絶縁層と、前記第２の画素電極の側面に接する第２の側壁絶縁層と、を形成し、かつ、前記第１の画素電極の上面と、前記第２の画素電極の上面と、を露出させ、
    　前記第１の画素電極の上面に接する第１の層と、前記第２の画素電極の上面に接する第２の層と、前記絶縁表面に接する材料層と、を同一工程にて形成し、
    　前記第１の層、及び、前記第２の層に接する共通電極を形成し、
    　前記共通電極上に、前記第１の画素電極と重なる第１の色変換層を配置し、
    　前記第１の色変換層上に、前記第１の画素電極と重なる第１の着色層を配置し、
    　前記第１の層は、青色の光を発する第１の発光材料を有する、表示装置の作製方法。
  16. 　請求項１５において、
    　前記共通電極は、前記材料層と接する、表示装置の作製方法。
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